NL8003197A - INTEGRATED AMPLIFIER CIRCUIT. - Google Patents
INTEGRATED AMPLIFIER CIRCUIT. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8003197A NL8003197A NL8003197A NL8003197A NL8003197A NL 8003197 A NL8003197 A NL 8003197A NL 8003197 A NL8003197 A NL 8003197A NL 8003197 A NL8003197 A NL 8003197A NL 8003197 A NL8003197 A NL 8003197A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- transistor
- impedance
- electrode
- collector
- amplifier circuit
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/42—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth
- H03F1/48—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth of aperiodic amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
- H03K3/281—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
- H03K3/286—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
- H03K3/288—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable using additional transistors in the input circuit
- H03K3/2885—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable using additional transistors in the input circuit the input circuit having a differential configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45176—A cross coupling circuit, e.g. consisting of two cross coupled transistors, being added in the load circuit of the amplifying transistors of a differential amplifier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
* % EHN 9765 1 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven "Geïntegreerde versterkerschakeling"*% EHN 9765 1 N.V. Philips' Incandescent lamp factories in Eindhoven "Integrated amplifier circuit"
De uitvinding heeft betrekking op een geïntegreerde versterkerschakeling omvattende een eerste en een tweede transistor waarvan de basiselektroden naar een ingang van de versterkerschakeling voeren, de emitterelektroden onderling gekoppeld zijn en de kollektorelektroden 5 naar een met een uitgangs impedantie belaste uitgang van de versterkerschakeling voeren en via een belastingsschakeling naar een voedings-aansluitpunt, waarbij de belastingsschakeling ter verhoging van de versterking bij hogere frequenties een derde en een vierde transistor van hetzelfde geleidingstype als de eerste een tweede transistor omvat, van 10 welke derde respektievelijk vierde transistor de hoofdstrocmbaan in serie is geschakeld met de hoofdstrocmbaan van de eerste respektievelijk tweede transistor doordat de emitterelektrode van de derde respektievelijk vierde transistor met de kollektorelektrode van de eerste respektievelijk tweede transistor is gekoppeld en de kollektorelektrode van de 15 derde respektievelijk vierde transistor via een eerste respektievelijk tweede Impedantie met het genoemde voedingsaansluitpunt is verbonden, waarbij een derde respektievelijk vierde impedantie is qpgenomen in de basisketen van de derde, respektievelijk vierde transistor.The invention relates to an integrated amplifier circuit comprising a first and a second transistor whose base electrodes lead to an input of the amplifier circuit, the emitter electrodes are mutually coupled and the collector electrodes 5 are fed to an output of the amplifier circuit loaded with an output impedance and via a load circuit to a power supply terminal, the load circuit for increasing the gain at higher frequencies comprising a third and a fourth transistor of the same conductivity type as the first, a second transistor, the third and fourth transistors, respectively, of the main current path connected in series with the main current path of the first and second transistor, respectively, in that the emitter electrode of the third and fourth transistor is coupled to the collector electrode of the first and second transistor, respectively, and the collector electrode of the third, respectively, the fourth transistor is connected to said supply terminal via a first and second impedance, respectively, a third and fourth impedance respectively being included in the base circuit of the third and fourth transistor, respectively.
Een dergelijke versterkerschakeling is bekend uit een artikel 20 van J. Chona in IEE Proceedings, Vol. 127, no. 2, april 1980, pag. 61-66 met als titel "Actively peaked broadbanded monolithic amplifier", in het bijzonder figuur 7. Bij een dergelijke versterkerschakeling wordt het inductieve karakter van de derde en vierde transistor met in de basisketens genoemde derde en vierde impedantie gebruikt cm bij bepaalde 25 frequenties een verhoging van de versterking te verkrijgen teneinde afval bij hogere frequenties tengevolge van transistoreigenschappen en/of parasitaire capaciteiten te compenseren of zelfs om bij bepaalde frequenties een opslingering van de versterkingsfaktor van de versterker-trap te verkrijgen. De basiselektroden van die derde en vierde transistor 30 zijn daarbij via die derde en vierde impedantie met een punt op konstante potentiaal verbonden.Such an amplifier circuit is known from an article 20 by J. Chona in IEE Proceedings, Vol. 127, No. 2, April 1980, p. 61-66 entitled "Actively peaked broadbanded monolithic amplifier", in particular figure 7. In such an amplifier circuit the inductive character of the third and fourth transistor with third and fourth impedance mentioned in the base chains is used at certain frequencies. gain enhancement in order to compensate for higher frequency waste due to transistor properties and / or parasitic capacities or even to amplify the amplification factor of the amplifier stage at certain frequencies. The base electrodes of said third and fourth transistor 30 are thereby connected to a point at constant potential via said third and fourth impedance.
Bij verschillende toepassingen van hoogfrequente versterkers, zoals in afstemschakelingen in bijvoorbeeld televisieontvangers, is het 800 3 1 97 *' * PHN 9765 2 ongewenst dat de versterker laagfrequent versterking vertoont. Gelijk-spannings- en laagfrequent versterking heeft tot gevolg dat eventuele ingangs- gelijkspanningen -veroorzaakt door ongelijke instelling van de eerste en tweede transistor of door aan de eerste en tweede transistor 5 voorafgaande schakelingen- versterkt aan de uitgang verschijnen, waardoor een galvanische koppeling met een volgende schakeling met differentiële ingang niet goed mogelijk is. Een oplossing hiervoor is een capacitieve koppeling met de volgende schakeling die echter als bezwaar heeft dat de geïntegreerde schakeling voor het aansluiten van de beide daarvoor be-10 nodigde condensatoren van extra aansluitpennen voorzien moet worden, dat er externe componenten nodig zijn, dat dit hoogfrequent stoorstraling tot gevolg heeft en dat de kans op instabiliteiten hierdoor toeneemt. Een andere mogelijke oplossing is het onderdrukken, van de gelijkspannings-versterking door middel van een laagfrequent tegenkoppeling via een al-15 thans gedeeltelijk extern aan te brengen KC-netwerk, wat soortgelijke bezwaren oplevert.In various applications of high-frequency amplifiers, such as in tuning circuits in, for example, television receivers, it is undesirable that the amplifier exhibits low-frequency amplification. Direct-voltage and low-frequency amplification results in any DC input voltages - caused by uneven setting of the first and second transistor or by circuits preceding the first and second transistor 5 - appear amplified at the output, whereby a galvanic coupling with a following circuit with differential input is not possible. A solution for this is a capacitive coupling with the following circuit, but the drawback is that the integrated circuit must be provided with additional connection pins for connecting the two capacitors required for this, that external components are required, that this high-frequency interference radiation is required. and increases the risk of instabilities. Another possible solution is to suppress the DC voltage amplification by means of a low-frequency negative feedback via an KC network which is already partially externally arranged, which presents similar drawbacks.
Voomoemde bezwaren hebben tot gevolg dat het moeilijk is cm gevoelige hoogfrequent versterkers op één enkel halfgeleidersubstraat te kcmbineren met andere schakelingen zoals frequentiedelers bijvoorbeeld 20 voor televisieafstemeenheden.The aforementioned drawbacks make it difficult to combine sensitive high-frequency amplifiers on a single semiconductor substrate with other circuits such as frequency dividers, for example, for television tuners.
Met het oog op combinatie met andere schakelingen op één enkel halfgeleidersubstraat is het bovendien van belang het benodigde aantal componenten zo klein mogelijk te houden en de dissipatie minimaal te houden.In addition, with a view to combining with other circuits on a single semiconductor substrate, it is important to minimize the number of components required and minimize dissipation.
25 De uitvinding beoogt een versterkerschakeling van het in de aanhef genoemde type waarbij de gelijkspanningsversterking onderdrukt wordt zonder de noodzaak van extern aan te sluiten, componenten en met een minimum aan componenten en met een minimale dissipatie.The object of the invention is an amplifier circuit of the type mentioned in the preamble, in which the DC voltage amplification is suppressed without the need for externally connecting components and with a minimum of components and with a minimum of dissipation.
De uitvinding heeft daartoe als kenmerk, dat de basiselektrode 30 van de derde transistor via genoemde derde impedantie met de kollektor-elektrode van de vierde transistor is verbonden en de basiselektrode van de vierde transistor via genoemde vierde impedantie met de kollektor-elektrode van de derde transistor is verbonden.The invention is therefore characterized in that the base electrode 30 of the third transistor is connected via said third impedance to the collector electrode of the fourth transistor and the base electrode of the fourth transistor via said fourth impedance to the collector electrode of the third transistor. is connected.
Door de maatregel volgens de uitvinding wordt gelijkspannings-35 versterking onderdrukt doordat een variatie van de gelijkstroom in een van de kollektorketens van de eerste en tweede transistor via de kruis-gekoppelde derde en vierde transistor de spanningvariatie aan de kolléktor van de andere van die eerste en tweede transistor kan kcmpense- 800 3 1 97 PHN 9765 3 ren. Dat dit de hoogfrequent versterking niet onderdrukt komt door het inductieve karakter van de derde en vierde transistor waardoor de impedantie van de door de derde en vierde transistor gevormde belastings-schakeling met de frequentie toeneemt en de signaalstrocm via een belas-5 ting tussen de kollektoren van de eerste en tweede transistor gaat vloeien. Bovendien vereist de maatregel volgens de uitvinding geen extra componenten maar bespaart zelfs componenten doordat de in de genoemde bekende schakeling vereiste gelijkspanningsinstelbron voor de basiselektroden van de derde en vierde transistor overbodig is geworden.The measure according to the invention suppresses DC voltage amplification because a variation of the DC current in one of the collector chains of the first and second transistors via the cross-coupled third and fourth transistors causes the voltage variation at the collector of the other of those first and second transistors. second transistor can run at 800 3 1 97 PHN 9765 3. The fact that this does not suppress the high-frequency amplification is due to the inductive nature of the third and fourth transistor, as a result of which the impedance of the load circuit formed by the third and fourth transistor increases with the frequency and the signal current via a load between the collectors of the first and second transistors will flow. Moreover, the measure according to the invention does not require any additional components, but even saves components, because the DC voltage adjustment source required for the base electrodes of the third and fourth transistor required in the known known circuit has become superfluous.
10 De uitvinding zal nader worden toegelicht aan de hand van de figuur die een versterkerschakeling volgens de uitvinding ·toont. Deze schakeling omvat een eerste (T^) en tweede (T2) transistor die als verschilversterker geschakeld zijn doordat de emitterelektroden met een ruststroombron 6, die een stroom 21 voert, zijn verbonden. De basis-13 elektroden zijn met een differentiële ingang 1, 2 verbonden. De kollektor-eiektroden voeren naar een uitgang 3,4 waartussen een belasing 11, met weerstandswaarde R^, aanwezig is, welke belasting 11 door de ingang van een volgende schakeling gevormd kan zijn. De kollektoreléktrode van transistor respektievelijk T2 is via de emitter-kollektorweg van een transistor 20 respektievelijk T4 in serie met impedantie 7 respektievelijk 8, elk in dit voorbeeld met weerstandswaarde R , met een voedingsaansluitpunt 5 verbonden. De basiselektrode van transistor is via impedantie 10, met in dit voorbeeld een weerstandswaarde R, » met de kollektor van transistor b verbonden en de basiselektrode van transistor Tj is via een impedantie 25 9,. met in dit voorbeeld een weerstandswaarde R^, met de kollektor van transistor T3 verbonden.The invention will be explained in more detail with reference to the figure, which shows an amplifier circuit according to the invention. This circuit comprises a first (T ^) and second (T2) transistor which are switched as differential amplifiers in that the emitter electrodes are connected to a quiescent current source 6, which carries a current 21. The base 13 electrodes are connected to a differential input 1, 2. The collector electrodes lead to an output 3,4 between which a load 11, with resistor value R1, is present, which load 11 may be formed by the input of a subsequent circuit. The collector electrode of transistor and T2 is connected in series with impedance 7 and 8, each in this example with resistor value R, to a supply terminal 5 via the emitter-collector path of transistor 20 and T4, respectively. The base electrode of transistor is connected to the collector of transistor b via impedance 10, with a resistor value R in this example, and the base electrode of transistor Tj is via impedance 25. with in this example a resistor value R ^ connected to the collector of transistor T3.
Voor gelijkstromen en relatief laagfrekwent signaalstremen is de emitteringangsimpedantie van transistoren en relatief laagohmig ten opzichte van de belasing 11. De kollektorgelijkstrcmen en laagfrequent 30 wisselstromen van transistoren en T2 vloeien dus hoofdzakelijk via de emitter-kollektorwegen van transistoren en T^.For direct currents and relatively low-frequency signal currents, the emitter input impedance of transistors is relatively low-ohmic with respect to the load 11. Thus, the collector currents and low-frequency alternating currents of transistors and T2 flow mainly through the emitter-collector paths of transistors and T 1.
Vloeien er in de kollektorketens van transistoren en T2 stranen I+i respektievelijk I-i met i de komponent tengevolge van een ingansgelijkspanningsverschil 2V^ of een ongelijkheid in de transistoren 35 T.j en T2, dan geldt voor de spanning Vu aan uitgangsklem 3 -en het tegengestelde voor de spanning van uitgangsklem 4- tengevolge van de gelijkstroomccmponent i: 8003197 ψ· * ΡΗΝ 9765 4If, in the collector chains of transistors and T2, if I + i and Ii respectively have i with the component as a result of an input DC voltage difference 2V ^ or an unevenness in the transistors 35 Tj and T2, then the voltage Vu at output terminal 3 and the opposite applies. the voltage of output terminal 4- due to the DC component i: 8003197 ψ · * ΡΗΝ 9765 4
V = ir + rA + R iR + ~R U 0 Dfh C^> C /3 CV = ir + rA + R iR + ~ R U 0 Dfh C ^> C / 3 C
met de stroanversterkingsfaktor van de transistoren en en rQwith the current amplification factor of the transistors and and rQ
de differentiële gelij kstrcomweerstand van de basis-emitterovergangen van transistoren en T^. Deze spanning is dus opgebouwd uit de spanning irQ over de basis-emitterovergang van transistor T3, de spanning 1(1^ + &0)/β van de basisstrocm van transistor T3 over impedanties 10 en 8 en de spanning iRc(1 van de kollektorstrocm van transistor over impedantie 8. Deze spanning tengevolge van de gelijkstroonverschil kotponent i is gelijk aan nul te maken door de diverse parameters zodanig te kiezen dat r+ ^ - (1 - 1)R = o 25 mV ^the differential equal resistance of the base-emitter transitions of transistors and T ^. Thus, this voltage is composed of the voltage irQ across the base-emitter junction of transistor T3, the voltage 1 (1 ^ + & 0) / β of the base current of transistor T3 across impedances 10 and 8, and the voltage iRc (1 of the collector current of transistor over impedance 8. This voltage as a result of the DC difference kotponent i can be made equal to zero by choosing the various parameters such that r + ^ - (1 - 1) R = o 25 mV ^
Voor rQ geldt: rQ = —j— dus de voorwaarde voor uitgangsgelijkspannings-verschil onderdrukking luidt:For rQ holds: rQ = —j— so the condition for DC differential voltage suppression is:
I (1 - J-)R - = 25 mVI (1 - J-) R - = 25 mV
ή c PP c P
Deze voorwaarde kan door keuze van drie vrij te kiezen parameters I, RThis condition can be selected by selecting three freely selectable parameters I, R.
VV
en R^ bereikt worden. Hierdoor blijven er voldoende vrijheidsgraden over cm het hoogfrequent gedrag van de schakeling te kunnen optimaliseren 2G zonder verlies van de gelijkspanningsverschilonderdrukking.and R ^ are reached. This leaves sufficient degrees of freedom to be able to optimize the high-frequency behavior of the circuit 2G without losing the DC differential suppression.
Voor s ignaalstranen met hogere frequenties neemt de emitter-ingangsimpedantie van de transistoren en T^, die op de getoonde wijze geschakeld een inductief karakter vertonen, toe en wordt over uitgangs-impedantie 11 een versterkte signaalspanning verkregen.For signal frequencies with higher frequencies, the emitter input impedance of the transistors and T1, which in the manner shown, show an inductive character, increases and an amplified signal voltage is obtained over output impedance 11.
25 30 35 800 3 1 9725 30 35 800 3 1 97
Claims (1)
Priority Applications (14)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8003197A NL8003197A (en) | 1980-06-02 | 1980-06-02 | INTEGRATED AMPLIFIER CIRCUIT. |
| SE8103355A SE450445B (en) | 1980-06-02 | 1981-05-27 | INTEGRATED AMPLIFIER CONNECTION |
| CA000378543A CA1165829A (en) | 1980-06-02 | 1981-05-28 | Integrated amplifier arrangement |
| US06/268,047 US4547744A (en) | 1980-06-02 | 1981-05-28 | Integrated amplifier arrangement |
| JP8125581A JPS5725711A (en) | 1980-06-02 | 1981-05-29 | Amplifying circuit disposition |
| AU71149/81A AU544412B2 (en) | 1980-06-02 | 1981-05-29 | Integrated dc amplifier |
| DE19813121314 DE3121314A1 (en) | 1980-06-02 | 1981-05-29 | "INTEGRATED AMPLIFIER CIRCUIT" |
| IE1201/81A IE51754B1 (en) | 1980-06-02 | 1981-05-29 | Amplifier arrangement |
| DK236481A DK150774C (en) | 1980-06-02 | 1981-05-29 | INTEGRATED AMPLIFIER CONNECTION |
| IT22051/81A IT1136766B (en) | 1980-06-02 | 1981-05-29 | INTEGRATED AMPLIFIER COMPLEX |
| GB8116464A GB2077542B (en) | 1980-06-02 | 1981-05-29 | Amplifier with negligible dc response |
| FR8110768A FR2483706A1 (en) | 1980-06-02 | 1981-06-01 | INTEGRATED AMPLIFIER CIRCUIT WITH SUPPRESSION OF CONTINUOUS VOLTAGE AMPLIFICATION |
| SG109/84A SG10984G (en) | 1980-06-02 | 1984-02-07 | Amplifier arrangement |
| HK482/84A HK48284A (en) | 1980-06-02 | 1984-06-07 | Amplifier arrangement |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8003197A NL8003197A (en) | 1980-06-02 | 1980-06-02 | INTEGRATED AMPLIFIER CIRCUIT. |
| NL8003197 | 1980-06-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8003197A true NL8003197A (en) | 1982-01-04 |
Family
ID=19835403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8003197A NL8003197A (en) | 1980-06-02 | 1980-06-02 | INTEGRATED AMPLIFIER CIRCUIT. |
Country Status (14)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4547744A (en) |
| JP (1) | JPS5725711A (en) |
| AU (1) | AU544412B2 (en) |
| CA (1) | CA1165829A (en) |
| DE (1) | DE3121314A1 (en) |
| DK (1) | DK150774C (en) |
| FR (1) | FR2483706A1 (en) |
| GB (1) | GB2077542B (en) |
| HK (1) | HK48284A (en) |
| IE (1) | IE51754B1 (en) |
| IT (1) | IT1136766B (en) |
| NL (1) | NL8003197A (en) |
| SE (1) | SE450445B (en) |
| SG (1) | SG10984G (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3812711C1 (en) * | 1988-04-16 | 1989-08-24 | Telefunken Electronic Gmbh, 7100 Heilbronn, De |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE32479E (en) * | 1980-08-30 | 1987-08-18 | Telefunken Electronic Gmbh | Feedback amplifier or threshold value switch for a current feed differential stage |
| DE3032703C2 (en) * | 1980-08-30 | 1982-12-30 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Feedback amplifier or threshold switch for a current-fed differential stage |
| JPS58138111A (en) * | 1982-02-12 | 1983-08-16 | Toshiba Corp | Differential detection circuit |
| US4622475A (en) * | 1984-03-05 | 1986-11-11 | Tektronix, Inc. | Data storage element having input and output ports isolated from regenerative circuit |
| FR2581809A1 (en) * | 1985-05-10 | 1986-11-14 | Radiotechnique Compelec | AMPLIFIER FOR HIGH FREQUENCIES |
| US4634993A (en) * | 1985-08-23 | 1987-01-06 | Burr-Brown Corporation | High gain, low drift operational amplifier for sample and hold circuit |
| GB2211044A (en) * | 1987-10-08 | 1989-06-21 | Plessey Co Plc | Linear differential amplifier |
| US5021744A (en) * | 1989-02-14 | 1991-06-04 | U.S. Philips Corporation | Differential amplifier with differential or single-ended output |
| JPH06196945A (en) * | 1992-12-24 | 1994-07-15 | Toshiba Corp | Differential amplifier circuit |
| DE69422010T2 (en) * | 1993-12-22 | 2000-07-20 | Koninkl Philips Electronics Nv | Phase shift amplifier and its use in a merge circuit |
| JP3258202B2 (en) * | 1995-06-12 | 2002-02-18 | シャープ株式会社 | Differential circuit |
| FR2785107A1 (en) * | 1998-10-27 | 2000-04-28 | Koninkl Philips Electronics Nv | LOW INPUTANCE CURRENT AMPLIFIER |
| US7865164B2 (en) * | 2007-09-27 | 2011-01-04 | Qualcomm Incorporated | Apparatus and methods for downconverting radio frequency signals |
| US8872587B2 (en) * | 2013-03-06 | 2014-10-28 | International Business Machines Corporation | Generating negative impedance compensation |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1319174A (en) * | 1962-04-05 | 1963-02-22 | Rotax Ltd | Amplifier |
| US3408533A (en) * | 1966-03-21 | 1968-10-29 | Tekronix Inc | Low-loss amplification circuit |
| DE3032703C2 (en) * | 1980-08-30 | 1982-12-30 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Feedback amplifier or threshold switch for a current-fed differential stage |
-
1980
- 1980-06-02 NL NL8003197A patent/NL8003197A/en not_active Application Discontinuation
-
1981
- 1981-05-27 SE SE8103355A patent/SE450445B/en not_active IP Right Cessation
- 1981-05-28 US US06/268,047 patent/US4547744A/en not_active Expired - Lifetime
- 1981-05-28 CA CA000378543A patent/CA1165829A/en not_active Expired
- 1981-05-29 AU AU71149/81A patent/AU544412B2/en not_active Ceased
- 1981-05-29 JP JP8125581A patent/JPS5725711A/en active Granted
- 1981-05-29 IE IE1201/81A patent/IE51754B1/en not_active IP Right Cessation
- 1981-05-29 GB GB8116464A patent/GB2077542B/en not_active Expired
- 1981-05-29 IT IT22051/81A patent/IT1136766B/en active
- 1981-05-29 DK DK236481A patent/DK150774C/en not_active IP Right Cessation
- 1981-05-29 DE DE19813121314 patent/DE3121314A1/en active Granted
- 1981-06-01 FR FR8110768A patent/FR2483706A1/en active Granted
-
1984
- 1984-02-07 SG SG109/84A patent/SG10984G/en unknown
- 1984-06-07 HK HK482/84A patent/HK48284A/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3812711C1 (en) * | 1988-04-16 | 1989-08-24 | Telefunken Electronic Gmbh, 7100 Heilbronn, De |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IT8122051A0 (en) | 1981-05-29 |
| AU7114981A (en) | 1981-12-10 |
| DK150774B (en) | 1987-06-15 |
| IE51754B1 (en) | 1987-03-18 |
| SE450445B (en) | 1987-06-22 |
| DE3121314A1 (en) | 1982-04-22 |
| SE8103355L (en) | 1981-12-03 |
| SG10984G (en) | 1985-01-04 |
| IE811201L (en) | 1981-12-02 |
| GB2077542B (en) | 1983-11-23 |
| DK236481A (en) | 1981-12-03 |
| US4547744A (en) | 1985-10-15 |
| CA1165829A (en) | 1984-04-17 |
| DE3121314C2 (en) | 1989-12-14 |
| GB2077542A (en) | 1981-12-16 |
| FR2483706B1 (en) | 1984-12-14 |
| JPS5725711A (en) | 1982-02-10 |
| AU544412B2 (en) | 1985-05-23 |
| JPH0143485B2 (en) | 1989-09-21 |
| DK150774C (en) | 1987-12-21 |
| HK48284A (en) | 1984-06-15 |
| FR2483706A1 (en) | 1981-12-04 |
| IT1136766B (en) | 1986-09-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL8003197A (en) | INTEGRATED AMPLIFIER CIRCUIT. | |
| US3444476A (en) | Direct coupled amplifier with feedback for d.c. error correction | |
| EP1193863A2 (en) | Amplifier circuit | |
| US4042886A (en) | High input impedance amplifier circuit having temperature stable quiescent operating levels | |
| KR890001892B1 (en) | Voltage adder circuit | |
| JP3390093B2 (en) | Differential amplifier | |
| US3430155A (en) | Integrated circuit biasing arrangement for supplying vbe bias voltages | |
| US2885494A (en) | Temperature compensated transistor amplifier | |
| US5162751A (en) | Amplifier arrangement | |
| US5751192A (en) | Integrated circuit and method for generating a transimpedance function | |
| CA1199079A (en) | High input impedance circuit | |
| NL7904159A (en) | DEVICE FOR SUPPLYING SIGNALS TO A TELEPHONE LINE. | |
| US20210336591A1 (en) | Multi-finger transistor and power amplifier circuit | |
| JP2005295568A (en) | Circuit | |
| US3825849A (en) | Small signal amplifier | |
| US3631356A (en) | Controllable amplifier stage | |
| US3671877A (en) | Push-pull amplifier | |
| US3419811A (en) | Audio amplifier tone control system | |
| US2864902A (en) | Amplifying circuit comprising a plurality of transistors | |
| NL8503435A (en) | UHF AMPLIFIER MIXING CIRCUIT. | |
| US5248945A (en) | Power amplifiers | |
| US3208000A (en) | Stabilized amplifiers | |
| RU164172U1 (en) | INTEGRAL AMPLIFIER WITH ADVANCED DYNAMIC RANGE | |
| NL8500708A (en) | Integrated operational amplifier with inverter stage - providing frequency compensation feedback using capacitor connected to collector of input transistor | |
| SU1084958A2 (en) | Multistage amplifier |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| BV | The patent application has lapsed |