NL1007357C2

NL1007357C2 - Cleaning apparatus for semiconductor wafers

Info

Publication number: NL1007357C2
Application number: NL1007357A
Authority: NL
Inventors: Edward Bok
Original assignee: Edward Bok
Priority date: 1997-10-24
Filing date: 1997-10-24
Publication date: 1999-04-27

Abstract

The wafer (18) is held in the cleaning chamber between the upper (12) and lower (14) blocks of the assembly. The blocks are made of quartz to resist the solvents and vibration damage. Various liquids are fed to the chamber and agitated by the high frequency sonic transducer (22). The liquids are pumped in and out via cylindrical channels. A variety of solvents and acids is used, with the wafer being rinsed with deionised water in-between each wash.

Description

- 1 -- 1 -

Verbeterde inrichting ten behoeve van wafer reiniging.Improved device for wafer cleaning.

In de US Octrooien No's 3 893 869, 4 118 649, 4 326 553, 4 543 130, 5 017 236, 5 037 208 en 5 037 481 zijn inrichtingen omschreven, waarbij in een reinigingskamer ervan met behulp van door een enkele transducer-opstelling bewerkstelligde megasonische trillingen via een daarmede 5 gekoppelde trilwand van deze kamer het daarin aanwezige vloeibare reini-gingsmedium in trilling wordt gebracht ten behoeve van het reinigen van tenminste een wafer of ander object voor de micro-electronische industrie. Daarbij de navolgende hoofdbezwaren van deze inrichtingen: 1. Geen in een enkele module plaats vindende opvolgende fasen van het to-10 tale reinigingsproces, omvattende het reinigen met vloeibaar reinigings- medium, het met behulp van vloeibaar dpoelmedium verwijderen van dit medium, het uitdrijven van dit vloeibare medium en het tenslotte drogen van de wafer.U.S. Patents Nos. 3 893 869, 4 118 649, 4 326 553, 4 543 130, 5 017 236, 5 037 208 and 5 037 481 disclose devices wherein their cleaning chamber is utilized by a single transducer arrangement caused by a vibrating wall of this chamber coupled to megasonic vibrations, the liquid cleaning medium present therein is vibrated for the purpose of cleaning at least one wafer or other object for the micro-electronics industry. In addition, the following main drawbacks of these devices: 1. No subsequent phases of the total cleaning process taking place in a single module, comprising cleaning with liquid cleaning medium, removing this medium by means of liquid rinsing medium, expulsion of this liquid medium and finally wafer drying.

2. Daarin geen toepassing van een tweetal transducer-opstellingen in hoog-ic ceric'nting aan weerszijde van de reinigingskamer ten behoeve van een optimaal feinigings-vermogen en snelle uitdrijving van het spoelmedium; 3. Geen tijdelijke overdruk in de reinigingskamer en transducerkamers ; 4. Geen trilwand, welke parallel is met de wafer; 4. In de module geen eigen centrering van de daarin toegevoerde wafer ten 20 opzichte van de reinigingskamer; en 5. Geen combinatie van reinigingsmodules.2. It does not use two transducer arrangements in high-ic cerification on either side of the cleaning chamber for optimum cleaning ability and rapid expulsion of the flushing medium; 3. No temporary overpressure in the cleaning chamber and transducer chambers; 4. No vibrating wall, which is parallel to the wafer; 4. No self-centering of the wafer supplied therein in the module relative to the cleaning chamber; and 5. No combination of cleaning modules.

In deze inrichtingen is het verder niet mogelijk cm in een reinigingskamer ervan met minimale afmetingen de primaire trillingen van de trilwand loodrecht op de wafer te doen plaats vinden.In these devices it is furthermore not possible to cause the primary vibrations of the vibrating wall perpendicular to the wafer to take place in a cleaning chamber thereof of minimal dimensions.

25 Zulks, omdat daardoor bij een enkele wafer de vanaf deze wafer naar deze wand gereflecteerde secundaire trillingen deze primaire trillingen zodanig dempen, dat in het ongunstigste geval het beoogde reinigingsproces mogelijk nagenoeg geheel teniet wordt gedaan.This is because, as a result of a single wafer, the secondary vibrations reflected from this wafer to this wall attenuate these primary vibrations in such a way that, in the most unfavorable case, the intended cleaning process may be almost completely canceled out.

Voor modules, waarin zulk een totaal reinigingsproces van een enkele 30 wafer plaats vindt, moet de tijdsduur zo kort mogelijk zijn.For modules in which such a total cleaning process of a single wafer takes place, the duration should be as short as possible.

Tevens moet de wafer transfer naar en vanaf zulk een module zo eenvoudig, snel en effectief mogelijk geschieden.The wafer transfer to and from such a module must also be as simple, fast and effective as possible.

Zulk een totaal reinigingsysteem was tot op heden onmogelijk, mede in verband met het navolgende: 35 1. Het onvermijdelijk onder capillaire aanzuig-krachtwerking tijdelijk plaatselijk plakken van de wafer tegen een naastliggende, en vooral niet trillende horizontale zijwandsectie en opstaande zijwandsectie van de reini- 1007357 - 2 - gingskamer, waardoor geen gelijkmatige en volkomen reiniging van de wafer plaats kan vinden; 2. De in voorgaande jaren nog beperkte afmetingen van de wafer, waardoor in combinatie met de noodzakelijke toepassing van een compleet . . 2 5 reinigingssvsteem een te geringe reinigmgsproauctie in cm wafer oppervlak per tijdseenheid; 3. Geen goede afdichting van de module, waardoor aggressief reinigings-medium kan ontsnappen; en 4. Geen eenvoudig, doelmatig wafer transfersysteem met behulp van een 10 transferrobot.Such a total cleaning system has hitherto been impossible, partly in connection with the following: 35 1. The inevitable temporary bonding of the wafer locally under capillary suction force action to an adjacent, and above all non-vibrating, horizontal side wall section and upright side wall section of the cleaning machine. 1007357 - 2-chamber, which prevents uniform and complete cleaning of the wafer; 2. The dimensions of the wafer that were still limited in previous years, which in combination with the necessary application of a complete. . 2 5 cleaning system too little cleaning spray in cm wafer surface per unit time; 3. Insufficient sealing of the module, allowing aggressive cleaning medium to escape; and 4. No simple, efficient wafer transfer system using a 10 transfer robot.

Met de inrichting volgens de uitvinding wordt nu beoogd om deze hoofdbezwaren op te heffen en tenminste mede aan deze vereisten te voldoen.The object of the device according to the invention is now to eliminate these main drawbacks and at least partly meet these requirements.

De reinigingsmodule van zulk een inrichting bestaat daartoe uit ten-15 minste het navolgende: a) een boven- en onderkamerblok; b) in het bovenste gedeelte van het onderkamerblok een centrale uitsparing onder de vorming van een reinigingskamer in aangesloten positie van deze beide blokken; 20 c) 'net centrale gedeelte van het bovenkamerblok als dunwandige tril-wand, met erboven een transducerblok, verschaffende een boventransducer-kamer, waarin de opname van een boven-transduceropstelling ten behoeve van het doen trillen van deze trilwand; en d) het centrale gedeelte van het onderkamerblok als dunwandige onder-25 trilwand, met onder dit blok een transducerblok, verschaffende een on-dertransducerkamer, waarin de opname van een onder-transduceropstelling ten behoeve van het doen trillen van deze ondertrilwand.To this end, the cleaning module of such a device consists of at least the following: a) an upper and lower chamber block; b) in the upper part of the lower chamber block a central recess to form a cleaning chamber in the connected position of these two blocks; C) the central portion of the upper chamber block as a thin-walled vibrating wall, with a transducer block above it, providing an upper transducer chamber, in which is received an upper transducer arrangement for vibrating this vibrating wall; and d) the central portion of the lower chamber block as a thin-walled lower vibration wall, with a transducer block beneath this block, providing an lower transducer chamber, in which the reception of a lower transducer arrangement for vibrating this lower vibration wall.

Verder, dat dit boventransducerblok zich tenminste plaatselijk lateraal verder buitenwaarts het onderkamerblok uitstrekt, tegen de onder-3Q wand van dit lateraal buitenste gedeelte een montageblok is vastgezet, welke zich in lateraal buitenwaartse richting buiten dit onderkamerblok uitstrekt, dit montageblok zich tenminste gedeeltelijk onder dit onderkamerblok bevindt en tenminste een verplaatsingsinrichting bevat ten behoeve van het in verticale richting verplaatsen van dit onderkamer-35 blok naar en vanaf het bovenkamerblok.Furthermore, that this upper transducer block extends at least locally laterally further outwardly the lower chamber block, a mounting block is secured against the lower wall of this lateral outer portion, which extends laterally outwardly outside this lower chamber block, this mounting block at least partially below this lower chamber block and contains at least one displacement device for the purpose of moving this lower chamber block to and from the upper chamber block in a vertical direction.

In verband met het toepassen van aggressief reinigingsmedium in de beide reinigingsspleten moeten de trilwanden uit een daartoe geschikt materiaal, zoals tantalium, titanium, quartz of ander geschikt hoogwaardig materiaal bestaan.In connection with the application of aggressive cleaning medium in both cleaning slits, the vibrating walls must consist of a suitable material, such as tantalum, titanium, quartz or other suitable high-quality material.

1007357 - 3 -1007357 - 3 -

Uit het oogpunt van fabricage heeft daarbij de gebruikmaking van quartz met een relatief grote dikte van deze trilwand de voorkeur.From a manufacturing point of view, the use of quartz with a relatively large thickness of this vibrating wall is preferred.

In een alternatieve module-uitvoering bij toepassing van titanium of soortgelijk materiaal zijn dan de uiterst dunne trilwanden, met een 5 dikte van slechts circa 0,005 mm, als cilindrische folie aangebracht tegen de laterale buiten-secties van de beide kamerblokken.In an alternative module embodiment, when using titanium or similar material, the ultra-thin vibrating walls, with a thickness of only about 0.005 mm, are applied as cylindrical foil against the lateral outer sections of the two chamber blocks.

Het is gewenst, dat de gehele boven- en ondertopography van de wafer onder megasonische trillingsconditie van het reinigingsmedium moet worden gereinigd.Desirably, the entire top and bottom topography of the wafer should be cleaned under megasonic vibration condition of the cleaning medium.

10 Verder is het trilvermogen van het uiteinde van zulk een transducer aanmerkelijk minder dan in het centrum ervan en terplaatse van de zijkant zelfs nagenoeg nihil.Furthermore, the vibrating power of the end of such a transducer is considerably less than in the center of it, and even virtually nil at the side of the transducer.

In een gunstige module-uitvoering strekt dan ook de boventrilwand zich over enige afstand lateraal buitenwaarts deze wafer uit. , 15 Daarbij ter plaatse een 'micro cilindrische spleet pussen deze kamerblokken cm zulk een trillen mogelijk te doen zijn en zulks tenminste als lateraal uiteinde van de reinigingskamer.In a favorable module embodiment, therefore, the upper vibrating wall extends laterally outwardly this wafer for some distance. In addition, a micro-cylindrical slit at the location between these chamber blocks makes it possible to make such a vibration and at least as a lateral end of the cleaning chamber.

Verder is het gewenst, dat de beide reinigingsspleten ten behoeve van nee vullen ervan met medium een relatief grote hoogte hebben, ter-20 wijl ten behoeve van een optimaal reinigingsproces deze hoogte mi nimaal moet zijn.Furthermore, it is desirable that the two cleaning slits have a relatively large height for the purpose of no filling them with medium, while this height must be minimal for the purpose of an optimum cleaning process.

In een volgende gunstige uitvoering bevat deze module dan ook middelen voor het in verticale richting in opvolgende fasen verplaatsen van deze kamerblokken naar elkaar toe en van elkaar af.In a further favorable embodiment, this module therefore comprises means for moving these chamber blocks towards and away from one another in vertical phases in successive phases.

25 In een gunstige werkwijze vindt daarbij een serie van kortstondige reinigings-cvclussen plaats, met de benedenwaartse verplaatsing van het onderkamerblok vanuit zijn bovenste positie naar een tussenpositie ervan met minder nauwe reinigingsspleten en terug opwaarts.In a favorable method, a series of short-term cleaning cycles takes place, with the downward displacement of the lower chamber block from its upper position to an intermediate position thereof with less narrow cleaning gaps and upwards.

Daarbij mogen de beide trilwandsecties zich echter niet tijdens het 30 reinigingsproces in verticaal buitenwaartse richting verplaatsen ten opzichte van het lateraal buitenste gedeelte van deze kamerblokken.However, the two vibrating wall sections are not allowed to move in the vertical outward direction with respect to the laterally outer part of these chamber blocks during the cleaning process.

In een volgende gunstige uitvoering is dan ook in elk van de beide transducerkamers een aanslag-opstelling, elk bevattende een aantal aanslagnokken, voor de daarmede corresponderende combinatie van trans-35 ducer-opstelling en trilwand opgenomen ten behoeve van her begrenzen van de verticaal buitenwaartse verplaatsing van deze trilwanden.In a further favorable embodiment, therefore, in each of the two transducer chambers, a stop arrangement, each containing a number of stop cams, for the corresponding combination of trans-ducer arrangement and vibration wall, is included for limiting the vertical outward displacement. of these vibrating walls.

Daarbij wordt tijdens de wafer transfer met geopende module in deze transducerkamers een zodanige onderdruk van de daarin aanwezige koelvloeistof en tijdens het reinigingsproces een zodanig lagere druk ervan 1007357 - 4 - ten opzichte van de druk van het medium in de reinigingskamer onderhouden, dat de beide trilwanden met tussenliggende transducer-opstellince.n en micro vloeistoflagen tegen de daarmede corresponderende aanslag-opstellingen in deze kamers worden gedrukt.During the wafer transfer with the module open in these transducer chambers, such an underpressure of the cooling liquid contained therein and during the cleaning process such a lower pressure of it is maintained 1007357 - 4 - relative to the pressure of the medium in the cleaning chamber that the two vibrating walls with intermediate transducer arrangement and micro fluid layers are pressed against the corresponding stop arrangements in these chambers.

5 Verder, dat in een volgende gunstige werkwijze het onderkamerblok vanuit zijn onderste wafer transferpositie, waarbij met behulp van een robot een te reinigen wafer tot boven dit blok wordt gebracht, opwaarts naar tenminste de volgende opvolgende posities ervan wordt bewogen: a) zijn vulpositie ten behoeve van het vullen met medium van de dan ruime 10 reinigingsspleten; en b) zijn bovenste wafer reinigingspositie.Furthermore, that in a further favorable method the lower chamber block is moved from its lower wafer transfer position, in which a wafer to be cleaned is brought above this block with the aid of a robot, is moved upwards to at least the following successive positions thereof: a) its filling position for filling with medium of the then spacious 10 cleaning slits; and b) its top wafer cleaning position.

Daarbij de daarop volgende terug-verplaatsing van dit blok vanuit deze reinigingspositie ervan naar zijn vulpositie ten behoeve van het uitdrijven van het reinigingsmedium of spoelmedium met vers toegeveerd medium.Thereby the subsequent return of this block from its cleaning position to its filling position for the purpose of expelling the cleaning medium or rinsing medium with freshly supplied medium.

15 Verder mogeiijk een aantal herhalingen van zulk een,cyclus.Furthermore, a number of repetitions of such a cycle may be possible.

Verder is het noodzakelijk, dat ten behoeve van dit vulproces in hoog-terienting opzij van de wafer een ruime beven- en al dart niet een minder ruime cnderreinigingsspleet is bewerkstelligd.Furthermore, it is necessary that for the purpose of this filling process, a large trembling sideways and, albeit not a less spacious, cleaning gap is effected in the side of the wafer in a high-efficiency manner.

In een volgende gunstige uitvoering vindt dan ook daartoe de tcepas-20 sing plaats van een aantal wafer draag/centreerstiften, welke in hoogte-richting verplaatsbaar zijn en waarbij in deze vulpositie van het onder-kamerblok de wafer draagsecties van deze stiften de gewenst wordende afstand boven de onderwand van de reinigingskamer zijn gelegen onder de bewerkstelliging in deze positie van deze gewenst wordende spleethocg-25 tes.In a following favorable embodiment, therefore, a number of wafer carrying / centering pins, which can be displaced in height direction, are tapped to this end and the wafer carrying sections of these pins become the desired distance in this filling position of the lower chamber block. located above the bottom wall of the cleaning chamber below the creation in this position of these desirable slit hobs.

In een alternatieve module-uitvoering daartoe de opname van een groot aantal micro-nokken op de bovenzijde van de ondertrilwand, waarbij in deze vulpositie de wafer op deze nokken komt te rusten.In an alternative module embodiment, for this purpose the inclusion of a large number of micro-cams on the top of the bottom vibrating wall, wherein the wafer rests on these cams in this filling position.

Deze wafer draag/centreerstiften maken tevens deel uit Van de midce-30 len ten behoeve van de wafer transfer naar en vanaf de reinigingskamer.These wafer carrying / centering pins are also part of the means for the wafer transfer to and from the cleaning chamber.

Daarbij is bij het na het reinigingsproces naar beneden verplaatsen van het onderkamerblok naar zijn onderste wafer transferpositie de wafer op deze stiften komen te rusten.In addition, when the lower chamber block is moved downwards to its lower wafer transfer position after the cleaning process, the wafer has come to rest on these pins.

Zoals vervolgens een robot-arm tot onder deze wafer wordt gebracht, . . 35 vindt bij het vervolgens naar beneden bewegen van deze stiften overdracht van deze wafer aan deze robot-arm met aanzuiging erop plaats, waarna afvoer van deze combinatie plaats vindt.As a robot arm is then brought under this wafer,. . 35, when these pins are subsequently moved downwards, transfer of this wafer to this robot arm with suction on it takes place, after which discharge of this combination takes place.

Verder, dat zoals vervolgens een te reinigen wafer boven deze stiften wordt gebracht, na opheffing van het vacuum in de transfer-arm als * 1007357 - 5 - gunstige werkwijze een aantal van deze stiften naar hun bovenste positie worden verplaatst, welke dan tevens de onderste vulpositie voor de rei-nigingskamer is, en deze wafer door deze stiften wordt overgenomen.Furthermore, that as subsequently a wafer to be cleaned is brought above these pins, after lifting the vacuum in the transfer arm, as a favorable method, a number of these pins are moved to their upper position, which then also the lower filling position for the cleaning chamber, and this wafer is taken over by these pins.

Verder, dat daarbij de laterale positie van deze draagstiften ten op-5 zichte van de reinigingskamer zodanig is, dat deze zich in gesloten positie van de kamerblokken met hun wafer öraaggedeelte in het laterale uiteinde van deze kamer binnen het daartoe ter plaatse verwijde medium toe/afvoerkanaal in de bovenwand van het onderkamerblok bevinden.Furthermore, the lateral position of these bearing pins with respect to the cleaning chamber is such that, in the closed position of the chamber blocks with their wafer supporting portion, they extend into the lateral end of this chamber within the medium widened for that purpose. drain in the top wall of the lower chamber block.

Verder, dat ten behoeve van het bewerkstelligen van een midden-10 positie van de wafer in laterale richting binnen de reinigingskamer op elk van deze draag/centreerstiften aan de bovenzijde ervan een wafer centreersectie is opgenomen, met een excentrische positie ervan ten opzichte van het wafer draaggedeelte 'van deze stiften.Furthermore, for the purpose of effecting a mid-position of the wafer laterally within the cleaning chamber, a wafer centering section is included on each of these support / centering pins at the top thereof, with an eccentric position relative to the wafer carrying section of these pins.

Verder, dat daarbij deze centreersecties een zodanige lengte hebben, 15 dat in aangesloten positie van de kamerblokken deze zich opzij van de wafer opwaarts uitstrekken tot nabij de boventrilwand.Furthermore, these centering sections are of such length that in the connected position of the chamber blocks they extend upwards to the side of the wafer near the upper vibrating wall.

In een volgende gunstige werkwijze daarbij, dat zoals de module geopend is ten behoeve van hen mede ontvangen van een te reinigen wafer, door verdraaiing van de stiften deze centreersecties daartoe reeds naar hun 20 lateraal buitenste posirie ten opzichte van de reinigingskamer zijn gezwenkt, vervolgens een met de transfer-arm naar zijn overneem-posicie toegeveerde wafer door het opheffen van het vacuum in deze arm en het vervolgens opwaarts verplaatsen van deze stiften erdoor wordt overgenomen en daarbij tussen deze centreersecties is gebracht, daarna door 25 terug-verdraaiing van deze stiften en daarmede terugzwenken van deze centreersecties naar hun lateraal binnenste positie ten opzichte van de reinigingskamer een excentrisch ten opzichte van deze kamer aangevoerde wafer door deze centreersecties naar een laterale positie ervan binnen deze kamer wordt gedrukt en tenslotte met behulp van het op-30 waarts verplaatsen van het onderkamerblok deze wafer naar zijn in verticale richting midden-positie binnen deze kamer wordt gebracht.In a following favorable method, in that, as the module has been opened for the purpose of receiving them from a wafer to be cleaned, these centering sections have already been pivoted to their laterally outer position relative to the cleaning chamber by rotating the pins, then a wafer with the transfer arm moved to its take-over position by releasing the vacuum in this arm and subsequently transferring these pins upwards, thereby taking them between these centering sections, then by turning these pins back and pivoting these centering sections back to their laterally innermost position with respect to the cleaning chamber, and a wafer fed eccentrically with respect to this chamber is pressed through these centering sections to a lateral position thereof within this chamber and finally by means of displacing the upwardly lower chamber block this wafer to be in vertical direction m idden position is brought within this room.

Verder, dat ten behoeve van de afvoer van de gereinigde wafer uit de reinigingskamer deze centreersecties zich nog in hun lateraal binnenste positie ten opzichte van de reinigingskamer rondom de wafer bevinden, 35 het onderkamerblok naar beneden wordt bewogen, waardoor de wafer door de stiften wordt overgenemen, vervolgens de transfer-arm naar zijn over-neempositie onder deze wafer wordt gebracht, daarna deze stiften verder naar beneden worden bewogen met overname van deze wafer door de transfer-arm, vervolgens deze stiften worden verdraaid, waarbij de centreer- 1007357 - 6 - secties naar hun lateraal buitenste positie ten opzichte van de rei-nigingskamer worden gezwenkt voor het ontvangen door deze stiften van een volgende te reinigen wafer en tenslotte de robot-arm met wafer uit de module wordt afgevoerd.Furthermore, for the purpose of discharging the cleaned wafer from the cleaning chamber, these centering sections are still in their laterally innermost position relative to the cleaning chamber around the wafer, the lower chamber block is moved downwards, whereby the wafer is taken over by the pins , then the transfer arm is brought to its take-over position under this wafer, then these pins are moved further downwards with the transfer arm taking over this wafer, then these pins are rotated, whereby the centering 1007357 - 6 - sections to their lateral outer position relative to the cleaning chamber are pivoted to receive by these pins a next wafer to be cleaned and finally the robot arm with wafer is discharged from the module.

5 Verder, dat zoals deze stiften gemeenschappelijk in hoogterichtinc worden verplaatst, de module nog tenminste één draag/centreerstift bevat, welke met behulp van een aanvullende verplaatsings-inrichting afzonderlijk verder benedenwaarts en terug opwaarts verplaatsbaar is en waarbij van zulk een stift, zich bevindende in de wafer transferzöne, de 10 bovenzijde van de centreersectie ervan verder benedenwaarts tot tenminste onder het niveau van de onderzijde van de wafer of zelfs van de transfer-arm ten behoeve van een verdere transfer van deze wafer verplaatsbaar is.Furthermore, as these pins are moved together in height direction, the module still contains at least one carrying / centering pin, which can separately be moved further downwards and upwards by means of an additional displacement device and wherein such a pin is located in the wafer transfer zone, the top of its centering section is movable further down to at least below the level of the bottom of the wafer or even of the transfer arm for further transfer of this wafer.

Verder, dat ten behoeve van de toevoer van een te reinigen wafer uitsluitend de stift ter plaatse van de transferzöne voor deze toe te voeren 15 wafer vanuit de wafer-overdraagpositie ervan naar beneden wordt verplaatst mee zijn centreersectie onder het niveau van de onderzijde van de transfer-arm en na verwijdering van deze arm deze stift opwaarts wordt bewogen naar zijn wafer-overneempositie, waarna de resterende fasen van de transfer van deze wafer naar de reinigingskamer plaats vinden.Furthermore, that for the purpose of supplying a wafer to be cleaned, only the pin at the transfer zone for this wafer to be supplied is moved downward from its wafer transfer position along its centering section below the level of the bottom of the transfer arm and after removal of this arm this stylus is moved upwards to its wafer transfer position, after which the remaining phases of the transfer of this wafer to the cleaning chamber take place.

20 Het is verder noodzakelijk, dat tijdens het reinigingsproces de iuent welke tijdens de voorafgaande wafer transferfase terecht is gekomen m de reinigingskamer en daardoor na de opwaartse verplaatsing van het onder-kamerblok naar zijn vuloositie zich nog in de beide reinigingsspleten bevindt, daaruit tijdens het vullen van de reinigingskamer tenminste 25 nagenoeg geheel wordt verwijderd.It is further necessary that during the cleaning process the iuent which has entered the cleaning chamber during the previous wafer transfer phase and is therefore still in the two cleaning slits after the upward movement of the lower chamber block to its vacuum position, during filling at least 25 is completely removed from the cleaning chamber.

In een volgende gunstge werkwijze worden dan ook stromen medium vanuit een tweetal tegenover elkaar gelegen toevoer-uitmondingen in dit cilindrische toe/afvoerkanaal schuin opwaarts naar het centrum van deze spleten gestuwd, met afvoer ervan naar een tweetal afvoer-uitmondingen aan 30 de tegenover gestelde zijde.In a further favorable method, therefore, flows of medium from two opposed supply nozzles in this cylindrical supply / exhaust channel are pushed obliquely upwards to the center of these slits, with discharge thereof to two exhaust nozzles on the opposite side. .

Daarbij zijn deze toevoer-uitmondingen eveneens zodanig in geringe mate in radiale richting schuin geplaatst, dat de stromen medium in deze spleten tenminste grotendeels naast elkaar worden geleid.In addition, these supply outlets are also inclined to a slight extent in the radial direction, such that the flows of medium in these gaps are guided at least largely next to each other.

Doordat daarbij tevens medium langs de opstaande zijwand van de wafer 35 wordt gestuwd, vindt aldus door de geccmbeneerde krachtwerking van het medium in radiale richting op de wafer verdraaiing ervan plaats.Since medium is thereby also pushed along the upright side wall of the wafer 35, rotation of the medium thus takes place in radial direction on the wafer.

Zulks is gewenst ten behoeve van een zo gelijkmatig mogelijke reiniging van het gehele wafer-oppervlak.This is desirable for the most uniform cleaning of the entire wafer surface.

Daarbij is het noodzakelijk, dat tijdens dit vulproces, waarbij het onder- 1007357 - 7 - kamerblok over een relatief grote afstand verwijderd is van het boven-kamerblok, toch geen medium, en zulks in het bijzonder aggressief reini-gingsmedium, uit de reinigingskamer tussen deze kamerblokken door lateraal buitenwaarts kan ontsnappen.It is thereby necessary that during this filling process, in which the lower chamber block is removed from the upper chamber block over a relatively large distance, no medium, and in particular aggressive cleaning medium, is removed from the cleaning chamber between these chamber blocks can escape laterally outward.

5 In een volgende gunstige werkwijze bevindt zich dan ook lateraal buitenwaarts deze reinigingskamer een zodanig mediumslot, dat daardoor belet wordt, dat zulk een ontsnappen van medium plaats vindt.Accordingly, in a further favorable method, this cleaning chamber is laterally outwardly provided with such a medium lock that it is prevented that such an escape of medium takes place.

In een gunstige uitvoering van dit slot bevat daarbij het bovenkamer-blok lateraal buitenwaarts de reinigingskamer tenminste een zich in be-10 nedenwaartse richting uitstrekkende cilindrische slotsectie en is in de bovenwand van het onderkamerblok een zodanig daarmede corresponderende cilindrische uitsparing opgenomen, dat deze slotsectie daarin nauw passend in verticale richting verplaatsbaar is.In a favorable embodiment of this lock, the upper chamber block contains laterally outwardly the cleaning chamber at least one downwardly extending cylindrical lock section and in the upper wall of the lower chamber block a cylindrical recess corresponding thereto is received, such that this lock section fits closely therein. is movable in a vertical direction.

Zoals daarbij op deze uitsparing een medium toevoerkanaal is aangeslor: 15 ten voor toevoer van slotmedium onder.een druk, welke hoger is dan de druk van het medium in de reinigingskamer, wordt daarbij ook tijdens het vullen van de reinigingskamer in het bijzonder in de nauwe verticale cilindrische soleer tussen de laterale binnenzijde van deze slotsectie en de lareraie binnenzijde van deze slot-uitsparingeen mediumslot-sectie onderhouden, 20 welke belet, dat medium uit de reinigingskamer kan ontsnappen.As in this case a medium supply channel is connected to this recess: 15 for supplying lock medium under a pressure which is higher than the pressure of the medium in the cleaning chamber, during the filling of the cleaning chamber in particular in the narrow vertical cylindrical solder between the lateral inner side of this lock section and the lareraie inner side of this lock recess maintain a medium lock section which prevents that medium from escaping from the cleaning chamber.

Verder, dat daarbij aan de laterale binnenzijde van deze slotsectie een groot aantal naast elkaar gelegen micro medium doorlaatgroeven zijn opgenomen, welke zich in opwaartse richting uitstrekken vanaf de onderzijde van deze sectie tot tenminste nabij de onderwand van het bovenkamerblok.Furthermore, the lateral inner side of this lock section includes a plurality of adjacent micro medium pass grooves extending upwardly from the bottom of this section to at least near the bottom wall of the upper chamber block.

25 In de onderste wafer transferpositie van het onderkamerblok is deze slotsectie daarbij uit deze uitsparing bewogen.In the lower wafer transfer position of the lower chamber block, this lock section is moved out of this recess.

In een alternatieve module-uitvoering is in deze cilindrische slot-uitsparing van het onderkamerblok een op zich zelf staand, in hoogterich-ting verplaatsbaar cilindrisch slot-element opgenomen, waarbij tijdens het 30 vullen en het reinigingsproces met behulp van een overdruk van het slot-medium tegen de onderwand van het bovenkamerblok wordt gedrukt en tijdens de wafer .transfer met geopende module met behulp van een tijdelijke onderdruk van dit slotmedium in de slotkamer dit element tot tenminste nagenoeg geheel binnen deze uitsparing wordt bewogen.In an alternative module embodiment, this cylindrical lock recess of the lower chamber block contains a self-contained, vertically displaceable cylindrical lock element, during which the filling process and the cleaning process are carried out by means of an overpressure of the lock. medium is pressed against the bottom wall of the upper chamber block and during the wafer transfer with the module opened, this element is moved to substantially completely within this recess by means of a temporary negative pressure of this lock medium in the lock chamber.

35 Verder is het gewenst, dat in de bovenste wafer reinigings-positie van het onderkamerblok tijdelijk de verwijdering van medium met verontreinigingen uit de grenslaag en groeven van de wafer boventopography geschiedt zonder toevoer van medium naar de bovenreinigingsspleet.It is further desirable that, in the upper wafer cleaning position of the lower chamber block, temporary removal of media with impurities from the interface layer and grooving of the wafer top topography be performed without supply of media to the top cleaning slit.

Verder moeten eveneens volume-veranderingen in de beide reinigings- 100735? - 8 - spleten mogelijk zijn zonder tenminste toevoer van medium.Furthermore, volume changes in both cleaning 100735? - 8 - gaps are possible without at least supply of medium.

In een volgende gunstige werkwijze vindt daartoe voor het reinigingsproces tenminste de toepassing plaats van tenminste mede zodanig laag kokend vloeibaar medium, dat daarbij tenminste tijdens deel van de expan-5 siefase tenminste een gedeeltelijke verdamping ervan plaats vindt.In a following favorable method, at least the use of at least partly such a low-boiling liquid medium for this purpose takes place for the cleaning process that at least a partial evaporation thereof takes place at least during part of the expansion phase.

Verder, dat daartoe de toepassing van tenminste laag- en hoogkokend vloeibaar reinigingsmedium plaats vindt.Furthermore, that for this purpose the use of at least low and high-boiling liquid cleaning medium takes place.

Verder, dat daarbij tenminste de boven-transduceropstelling als regelbare warmtebron voor tenminste het medium in de bovenreinigingsspleet 10 fungeert en door verhoging van de trillings-intensiteit van zulk een transducer-opstelling, met daarbij gepaard gaande versterkte warmteontwikkeling en zulks in combinatie met een verminderde koeling ervan, een sterk verhoogde warmte-toevoer via de bovenrilwand naar het reinigingsmedium in de bovenreinigingsspleet plaats vindt.Furthermore, that at least the upper transducer arrangement functions as a controllable heat source for at least the medium in the top cleaning gap 10 and by increasing the vibration intensity of such a transducer arrangement, with associated increased heat development and this in combination with reduced cooling greatly increased heat supply via the top groove wall to the cleaning medium in the top cleaning gap.

15 Daarbij is aan het einde van de opwaartse compressieslag van her on-cerkamerblok, mer een bewerkstelligde ultra-geringe hoogte van renmmsre de bovenreinigingsspleet, door de verhoogde warmte-toevoer vanuit tenminste de bove-transduceropstelling de temperatuur van het laagkokende gedeelte van het reinigingsmedium in zulk een spleet tot tenminste nabij 20 de kookgrens ervan onder de bewerkstelligde verrioogde compressieöruk gebracht, in de daarop volgende neerwaartse expansieslag van dit blok, met een daarbij gepaard gaande zeer aanzienlijke drukverlaging van de mediums in de beide reimgingsspleten, in deze primaire bovenspleet door dampont-wikkeling in de grenslaag en groeven van de wafer boventopography 'net uit-25 stuwen daaruit van residue-medium tezamen met eventuele verontreinigingen in opwaartse richting naar het centrum van deze spleet plaats vindt, met verdere afvoer ervan door tenminste mede toevoer van vers medium onder een lagere temperatuur aan het einde van de expansieslag, en in de daarop volgende compressieslag van dit blok het instuwen van dit verse 30 medium onder lage temperatuur in deze grenslaag en groeven als vervanging van het daaruit voorafgaand gestuwde residue-reinigingsmedium plaats vindt.In addition, at the end of the upward compression stroke of the oncamer chamber block, an effected ultra-low height of renmmsre is the top cleaning slit, due to the increased heat supply from at least the upper transducer arrangement into the temperature of the low-boiling portion of the cleaning medium. brought such a slit to at least near its boiling limit below its effected compressed compression pressure, in the subsequent downward expansion stroke of this block, with an attendant very significant drop in pressure of the mediums in the two rejuvenation slits, in this primary top slit by vapor extraction. winding in the boundary layer and grooves of the wafer topentography 'just-ejection therefrom of residual medium together with any impurities takes place in an upward direction towards the center of this slit, with further discharge thereof by at least co-supply of fresh medium under a lower temperature at the end of the expansions and, in the subsequent compression stroke of this block, the insertion of this fresh medium under low temperature into this boundary layer and grooving takes place as a replacement for the residual cleaning medium propelled therefrom.

Als gunstige werkwijze daarbij, dat de eindfase van de compressieslag zo langdurig is, dat de nog plaats vindende uitstuwing van het me-35 dium uit de bovenreinigingsspleet wordt gecompenseerd door de steeds verdere omzetting van het laagkokende vloeibare medium in dampvormig medium en fijn vernevelde hoogkokende vloeistof, welke daarbij is opgenomen in deze dampkolom onder overdruk, naar en vanaf deze grenslaag en groeven van de wafer-boventopography wordt gestuwd ten behoeve van de verdere 1007357 - 9 - afbraak van deze grenslaag en verwijdering van verontreinigingen daaruit en uit deze groeven.As a favorable method in that the end phase of the compression stroke is so long that the expulsion of the medium from the top cleaning gap still taking place is compensated for by the progressive conversion of the low-boiling liquid medium into vaporous medium and finely atomized high-boiling liquid. which is thereby incorporated in this vapor column under overpressure, pushed to and from this interface and grooves of the wafer top topography for further degradation of this interface and removal of contaminants therefrom and from these grooves.

Daarbij als gunstige werkwijze een aantal herhalingen van zulk een compressie/expansiecyclus.Thereby as a favorable method a number of repetitions of such a compression / expansion cycle.

5 Door de micro-hoogte van deze grenslaag is de in de wafer opgeslacen warmte in combinatie met de zeer sterke volume-vergroting, cica 200-voudig, toereikend voor een totale verdamping van zulk een"laagkokende vloeistof in deze groeven van de wafer boventopography, met een opwaarts stuwen van deze damp tezamen met eventuele verontreinigingen.Due to the micro-height of this boundary layer, the heat stored in the wafer in combination with the very strong volume increase, cica 200-fold, is sufficient for a total evaporation of such a "low boiling liquid" in these grooves of the top wafer topography, propelling this vapor upward along with any impurities.

10 Verder moet vermeden worden, dat tijdens het reinigingsproces in de bovenreinigingsspleet bewerkstelligde neerwaartse trillingen van het vloeibare medium niet grotendeels teniet worden gedaan door reflecterende owaartse trillingen var )f het wafer-oppervlak.Furthermore, it should be avoided that downward vibrations of the liquid medium effected in the top cleaning slit during the cleaning process are not largely nullified by reflective upward vibrations of the wafer surface.

[n een volgende gunstige module-uitvoering zijn dan ook een groot aan-15 tal, in radiale richting naast elkaar gelegen en zich in laterale rich-ring uitstrekkende micro-groeven in tenminste de onderzijde van de boven-trilwand aangebracht, met zodaige hellingen ervan, dat de neerwaartse trillingen naar de wafer boventcpographv zodanig gedivergeerd worden, dat de vanaf deze wafer reflecterende trillingen deze primaire trillin-20 gen niet ontoelaatbaar tegenwerken.In a further favorable module design, a large number of radially adjacent and laterally extending micro-grooves are arranged in at least the underside of the upper vibrating wall, with such slopes that the downward vibrations to the upper wafer are diverged such that the vibrations reflecting from this wafer do not impermeably counteract these primary vibrations.

In een volgende gunstige werkwijze oefenen deze trillingen daarbij tevens een resulterende krachtwerking uit op de wafer in de richring van de gewenst wordende verdraaiing ervan.In a further favorable method, these vibrations also exert a resultant force action on the wafer in the direction of its desired rotation.

Het is gewenst, dat lucht of ander gasvormig medium, welke al dan 25 niet mede vanuit het mediumslot onder toepassing van gasvormig slotmedium in het cilindrische toe/afvoerkanaal terecht komt, daaruit wordt verwijderd .It is desirable that air or other gaseous medium, which may or may not also enter the cylindrical feed / discharge channel from the medium lock using gaseous lock medium, be removed therefrom.

In een volgende gunstige module-uitvoering bevindt zich dan ook in de onderzijde van het bovenkamerblok op enige afstand lateraal buitenwaarts 30 de reinigingskamer een cilindrische bufferkamer, welke via een tenminste tijdelijk bewerkstelligde cilindrische spleet tussen de beide kamerblokken verbonden is met het cilindrische medium toe/afvoerkanaal en het lateraal binnenste gedeelte van het mediumslot ten behoeve van tenminste de afveer erdoorheen van lucht en/of ander gasvormig medium uit de reini-35 gingskamer tijdens het vullen/hervullen van deze kamer met medium en tijdens het reinigingsproces, met aansluiting op deze buffer van een zich in schuin opwaartse richting uitstrekkend toe/afvoerkanaal.In a further favorable module embodiment, a cylindrical buffer chamber is therefore located in the underside of the upper chamber block at some distance laterally outwardly, which cylindrical buffer chamber is connected to the cylindrical medium supply / discharge channel via an at least temporarily realized cylindrical gap between the two chamber blocks. and the lateral inner portion of the medium lock for at least the discharge therethrough of air and / or other gaseous medium from the cleaning chamber during the filling / refilling of this chamber with medium and during the cleaning process, connecting to this buffer of an inlet / outlet channel extending in an oblique upward direction.

Daarbij vindt in de eindfase van het reinigingsproces de toevoer van gasvormig spoelmedium via dit toe/afvoerkanaal plaats.In the final phase of the cleaning process, the supply of gaseous flushing medium takes place via this supply / discharge channel.

* 1007357 - 10 -* 1007357 - 10 -

In een gunstige uitvoering van de wafer reinigings-inrichting bevat ceze meerdere modules ten behoeve van het daarin in opvolgende fasen reinigen van de wafer met meerdere vloeibare reinigingsmediums en welke daartoe gegroepeerd zijn rondom een centrale wafer transferrobot.In a favorable embodiment of the wafer cleaning device, it comprises several modules for cleaning the wafer therein in successive phases with a plurality of liquid cleaning mediums and which are grouped for this purpose around a central wafer transfer robot.

5 Verder, dat deze modules daarbij in radiale richting op enige afstand van elkaar zijn gelegen en waarbij in de rustpositie van deze robot zich tussen deze modules een transfer-arm ervan bevindt en waarbij in een gunstige werkwijze na her gelijktijdig openen van deze modules en brengen van de gedeeltelijk gereinigde wafers naar hun overneempositie boven de stif-10 ten gelijktijdig met behulp van in radiale richting terug bewogen transfer-arm-secties overname van deze wafers en verwijderen ervan uit deze modules geschieden en met behulp van in radiale richting vooruit gaande verplaatsing van deze transferarm-secties het brengen ervan naar een wafer over-draag-positie in de volgende modules wordt bewerkstelligd ten behoeve van 15 het vervolgens gelijktijdig verplaatsen ervan naar de respectievelijke reinigingskamers.Furthermore, that these modules are located at a distance from one another in the radial direction and wherein in the rest position of this robot there is a transfer arm thereof between these modules and wherein, in a favorable method, after these modules have been simultaneously opened and brought of the partially cleaned wafers to their take-over position over the stif-10 while transferring these wafers and removing them from these modules simultaneously with radial return transfer arms and using radially advancing displacement of these transfer arm sections bringing them to a wafer transfer position in the subsequent modules is accomplished for subsequent subsequent simultaneous movement to the respective cleaning chambers.

Verder, dat zoals daarbij zulk een inrichting tevens een wafer toevoer-station voor te reinigen wafers en een wafer afvcerstation voor gereinigde wafers bevat, in zulk een toevoerstation rondom de wafer toevcerrobot 20 meerdere cassettes, bevattende de te reinigen wafers, zijn gegroepeerd, met de positie van deze robot verder zodanig ten opzichte van de eerste reinigincsmodule, dat met behulp daarvan een wafer uit één van deze cassettes naar de overneempositie binnen deze module wordt.gebracht en zulk een wafer afvoerstation rondom een wafer afvcerrobot meerdere cassettes 25 ten behoeve van opslag van gereinigde wafers zijn gegroepeerd en de positie van deze robot verder zodanig ten opzichte van de laatste reinigings-mcdule is, dat met behulp daarmede een gereinigde eafer uit zijn overneem-positie binnen deze module naar één van deze cassettes wordt gebracht.Furthermore, as such a device also contains a wafer supply station for wafers to be cleaned and a wafer delivery station for cleaned wafers, in such a supply station around the wafer feeding robot 20 a plurality of cassettes containing the wafers to be cleaned are grouped, with the position of this robot further with respect to the first cleaning module, such that by means of this a wafer from one of these cassettes is brought to the take-over position within this module and such a wafer discharge station around a wafer delivery robot several cassettes for the storage of cleaned wafers are grouped and the position of this robot is further such relative to the last cleaning module that, with the help of it, a cleaned eafer is brought from its take-over position within this module to one of these cassettes.

In een andere gunstige opstelling van deze inrichting is deze met be-30 hulp van een aanvoerrobot aangesloten op een wafer processingstation en de afvoerrobot aangesloten op een volgende wafer processingstation.In another favorable arrangement of this device, it is connected to a wafer processing station with the aid of a supply robot and the discharge robot is connected to a subsequent wafer processing station.

In nog een andere gunstige uitvoering van deze inrichting bevat deze een tweetal naast elkaar gelegen wafer reinigingsstations, elk bevattende een aantal wafer reinigingsmodules, welke wederom rondom een wafer trans-ferrobot zijn gegroepeerd en waarbij deze stations verder een gemeenschappelijke aanvoermodule eva ttten voor toevoer van te reinigen wafers naar de eerste modules en een gemeenschappelijke module voor afvoer van gereinigde wafers vanaf de laatste modules.In yet another favorable embodiment of this device, it comprises two adjacent wafer cleaning stations, each containing a number of wafer cleaning modules, which are again grouped around a wafer transfer robot, and these stations furthermore provide a common supply module for supplying clean wafers to the first modules and a common module for the removal of cleaned wafers from the last modules.

Daarbij vindt om beurten toe- en afvoer van wafers naar en vanaf zulke 1007357 - 11 - stations plaats en waarbij in zulke gemeenschappelijke toe- en afvoermodu-les tenminste mede het voorafgaand omschreven wafer overneem- en cen-treersysteem met behulp van de wafer draag/centreerstiften, welke is op-gencmen in de wafer reinigingsmodules van zulke stations, wordt toege- 5 past.In turn, the supply and discharge of wafers to and from such 1007357-11 stations takes place in turn, and in such common supply and discharge modules at least also the previously described wafer take-over and centering system using the wafer. centering pins incorporated in the wafer cleaning modules of such stations are used.

Door toepassing van deze parallel stations, elk bevattende meerdere wafer reinigingsmodules, kan veelal aan de hoge eisen van een gecombineerde in-lijn wafer processing/reinigings-installatie worden voldaan zonder een vereiste tussentijdse opslag van wafers in cassettes.By using these parallel stations, each containing several wafer cleaning modules, the high demands of a combined in-line wafer processing / cleaning installation can often be met without a required interim storage of wafers in cassettes.

10 Voor het totale wafer reinigingsproces de mogelijke gebruikmaking van elk type van al dan niet reeds toegepast wordend wafer reinigingsproces, met voor de opvolgende fasen ervan de mogelijke toepassing van elk soort van vloeibaar reinigingsmedium met al dan niet één of meerdere toevoegingen ervoor ten behoeve van een optimaal en snel wafer reinigingsproces 15 en zulks al dan niet in opvolging.10 For the total wafer cleaning process, the possible use of any type of wafer cleaning process which may or may not already be used, with for the subsequent phases the possible use of any kind of liquid cleaning medium with or without one or more additives for a optimal and fast wafer cleaning process 15, whether or not in succession.

Verder, dat in de eindfase van het reinigingsproces elk soort van uitdrijfmedium in damp- en/of gasvorm en al dan niet in combinatie kan worden tcegepast.Furthermore, in the final phase of the cleaning process any kind of expulsion medium in vapor and / or gaseous form and whether or not in combination can be used.

Bij toepassing van het voor wafer reiniging algemeen gebruikt wordende 20 RCA systeem vindt dan ook het navolgende plaats: 1. In de eersre wafer reinigingsfase de SC I reiniging, omvattende: a) spoelen met Dl water; b! reinigen met behulo van NH^CH/t^O 2/^0,- en c) spoelen met Dl water, 25 ten behoeve van het verwijderen van organische verontreinigingen vanaf de wafer door middel van oxidatieve oplossing ervan; en s) bij toepassing van meerdere reinigingsmodules met deze reinigingsfase in de eerste module het uitdrijven van het Dl water mede met behulp van ^.When using the RCA system commonly used for wafer cleaning, the following takes place: 1. In the first wafer cleaning phase, the SC I cleaning, comprising: a) rinsing with D1 water; b! cleaning with NH ^ CH / t ^ O 2 / ^ 0, - and c) rinsing with D1 water, to remove organic contaminants from the wafer by its oxidative solution; and s) when using several cleaning modules with this cleaning phase in the first module, expelling the D1 water partly with the aid of ^.

30 2. In de tweede wafer reinigingsfase de SC II reiniging, omvattende: a) reinigen met HCL/l^C^/t^O; en b) spoelen met Dl water ten behoeve van het verwijderen van NHOH en onoplosbare hydroxide en residue metaaldeeltjes.2. In the second wafer cleaning phase, the SC II cleaning, comprising: a) cleaning with HCL / l ^ C ^ / t ^ O; and b) rinsing with D1 water to remove NHOH and insoluble hydroxide and residue metal particles.

35 c) bij toepassing van meerdere modules, met deze reinigingsfase in da tweede module, aanvullend: d) spoelen met Dl water alvorens het reinigen plaats vindt; en uitdrijven van het Dl water met behulp van mede warm 3. Indien gewenst’, nog verdere nadroging van de wafer met behulp van IPA (iso propyl alcohol).C) when using several modules, with this cleaning phase in the second module, additionally: d) rinsing with Dl water before cleaning takes place; and expelling the D1 water using co-warm 3. If desired, further drying of the wafer using IPA (iso propyl alcohol).

1007357 - 12 -1007357 - 12 -

Bij toepassing van meerdere modules kan zulk een verdere nadroging plaats vinden in een derde module.When several modules are used, such further drying can take place in a third module.

Verdere gunstige kenmerken van de wafer reinigings-innchting en werkwijzen ervan volgen uit de beschrijving van de hieronder aangegeven 5 Figuren.Further favorable features of the wafer cleaning web and methods thereof follow from the description of the Figures indicated below.

Figuur 1 toont een langsdoorsnede van een module van de inrichting volgens de uitvinding ten behoeve van een contactloze twee-zijdige wafer reiniging met behulp van tenminste vloeibaar reinigingsmedium.Figure 1 shows a longitudinal section of a module of the device according to the invention for a contactless two-sided wafer cleaning using at least liquid cleaning medium.

Figuur 2 toont voor de module volgens de Figuur 1 de verplaatsings-10 inrichting voor de verticale veplaatsingen van het onderkamerblok en van de serie wafer draag/centreerstiften.Figure 2 shows for the module according to Figure 1 the displacement device for the vertical displacements of the lower chamber block and of the series of wafer carrying / centering pins.

Figuur 3 toont vergroot een gewijzigde uitvoering van de module volgens de Figuren 1 en 2, waarbij de toepassing van een metalen onder- en bovenkamerblok.Figure 3 shows an enlarged modification of the module of Figures 1 and 2, using a metal bottom and top chamber block.

15 Figuur 4 toont een vergrote, gedeeltelijke langsdoorsnede van de module volgens de Figuur 1, waarbij de toepassing van vloeibaar slotmedium.Figure 4 shows an enlarged, partial longitudinal section of the module of Figure 1, using liquid lock medium.

Figuur 5 toont sterk vergroot een drietal gedetailleerde langscoorsne- den van de module-uitvonng volgens de Figuur 3.Figure 5 shows a greatly enlarged three detailed longitudinal sections of the module design according to Figure 3.

A RA R

Figuren 6 t/m 6 tonen voor de module volgens de Figuren 1 en 2 op-20 volgende fasen van wafer transfer naar de reinigingskamer, het wafer reinigingsproces en de wafer transfer vanuit deze kamer.Figures 6 to 6 show for the module of Figures 1 and 2 on subsequent phases of wafer transfer to the cleaning chamber, the wafer cleaning process and the wafer transfer from this chamber.

A BA B

Figuren 7 en 7 tonen sterk vergroot voor de module-uitvoering volgens de Figuren 1 en δ het einde van de opwaartse compressieslag van het onderkamerblok en de daarop volgende neerwaartse expansieslag van dit blek.Figures 7 and 7 show greatly enlarged for the module embodiment of Figures 1 and δ the end of the upward compression stroke of the lower chamber block and the subsequent downward expansion stroke of this bleach.

A EA E

25 Figuren 8 t/m 8 tonen voor de module volgens de Figuur 1, met hetFigures 8 to 8 show for the module according to Figure 1, with the

A RA R

reinigingsproces volgens de Figuren 6 t/m 61 de daarbij plaats vindende druk-opbouwen van de mediums in de reinigingskamer, de beide transducer- kamers en het mediumslot in de vulpositie en de opvolgende wafer reini- gingsposities van het onderkamerblok.cleaning process according to Figures 6 to 61, the pressure build-up of the mediums in the cleaning chamber, the two transducer chambers and the medium lock in the filling position and the subsequent wafer cleaning positions of the lower chamber block taking place.

\ (j A G\ (j A G

30 Figuren 9‘ t/m 9 en 10 t/m 10 tonen respectievelijk vergoot en sterk vergroot voor de module-uitvoering volgens de Figuur 1 met daarin een alternatief reinigingsproces de temperatuur- en druk-opbouw van de mediums in de beide wafer reinigingsspleten en transducerkamers.Figures 9 to 9 and 10 to 10 respectively show shed and greatly enlarged for the module embodiment according to Figure 1, which includes an alternative cleaning process, the temperature and pressure build-up of the mediums in both wafer cleaning slits and transducer chambers.

AF ADAF AD

Figuren 11 t/m 11 tonen sterk vergroot en de Figuren 12‘ t/m 12Figures 11 to 11 show greatly enlarged and Figures 12 to 12

35 zeer sterk vergroot opvolgende spoelfasen van de module volgens de Figu-A R35 greatly increases subsequent flushing phases of the module according to Fig. A-R

ren 1 en 6 t/m 61 , waarbij de opwaartse ccmpressieslag van het onderkamerblok wordt gevolgd door de neerwaartse expansieslag van dit blok terug naar zijn medium vul/hervul-positie.1 and 6 to 61, the upward compression stroke of the lower chamber block being followed by the downward expansion stroke of this block back to its medium fill / refill position.

Fuguren 13A t/m 13° tonen voor de module volgens de Figuren 1 en 6 1007357 - 13 - sterk vergroot tijdens het wafer reinigingsproces de inwerking van onder megasonische conditie trillende reinigingsmedium op de wafer bovenen ondertopographv en zeer sterk vergroot op de grenslaag , inclusief de crevices van de boventopography.Figures 13A to 13 ° show for the module according to Figures 1 and 6 1007357 - 13 - greatly increased during the wafer cleaning process the effect of cleaning medium vibrating under megasonic condition on the wafer above and below topography and very strongly enlarged on the boundary layer, including the crevices of the upper topography.

A DA D

5 Figuren 14 t/m 14 tonen voor het reinigingsproces volgens de Fi-A D5 Figures 14 to 14 show for the cleaning process according to the Fi-A D

guren 13 t/m 13 daarbij deze inwerking op de wafer topography met behulp van gedivergeerde stromen reinigingsmedium.gures 13 to 13, this effect on the wafer topography using diversified streams of cleaning medium.

A AAA AA

Figuur 15 toont in de dwarsdoorsnede 15-15 van de module volgens deFigure 15 shows in the cross section 15-15 of the module according to the

Figuur 1 ter plaatse van de reinigingskamer met een daarin gebrachte, te 10 reinigen wafer de toe/afvoer van medium naar en vanaf de beide reini- gingsspleten van deze kamer.Figure 1 at the location of the cleaning chamber with a wafer introduced therein, the supply / discharge of medium to and from both cleaning slits of this chamber.

gg

Figuur 15 toont daarbij de voorafgaande centrering van de wafer ten opzichte van de reinigingskamer-uitsparing in het onderkamerblok met behulp van het verdraaiien van de draag/centreerstiften.Figure 15 shows the previous centering of the wafer relative to the cleaning chamber recess in the lower chamber block by means of turning the carrying / centering pins.

15 Figuur 16 toont sterk vergroot een gedeeltelijke doorsnede van een alternatieve module-uitvoering ter plaatse van de onderreinigingsspleet.Figure 16 shows a greatly enlarged partial cross-section of an alternative module embodiment at the location of the bottom cleaning gap.

AAAA

Figuur 16‘ toont sterk vergroot in doorsnede over de lijn 16‘ -16‘ van de module-sectie volgens de Figuur 16 het vuiproces van de reinigings-kamer.Figure 16 "shows a greatly enlarged cross-section along the line 16" -16 "of the module section according to Figure 16 the filling process of the cleaning chamber.

B AB A

20 Figuur 16 toont sterk vergroot de doorsnede volgens de Figuur 16 , waarbij de boventrilwand geen micro-nokken bevat.Figure 16 shows a greatly enlarged cross-section according to Figure 16, in which the upper vibrating wall does not contain micro-cams.

CC

Figuur 16 toont sterk vergroot voor de module-uitvoering volgens de Figuur 16 het einde van de opwaartse ccmpressieslag van het onderkamerblok.Figure 16 shows greatly enlarged for the module embodiment of Figure 16 the end of the upward compression stroke of the lower chamber block.

A EA E

25 Figuren 1T t/m 17 tonen voor de module volgens de Figuur 1 zeer sterk vergroot opvolgende fasen van nog een alternatief wafer reinigingsproces .Figures 1T to 17 show for the module according to Figure 1 very strongly enlarged successive phases of yet another alternative wafer cleaning process.

A FA F

Figuren 18 t/m 18 tonen voor de module volgens de Figuur 1 nog een alternatieve werkwijze van het reinigingsproces, waarbij reeds aan het 30 einde van de ccmpressieslag van het onderkamerblok een sterke drukdalinc van het medium in de reinigingskamer wordt bewerkstelligd.Figures 18 to 18 show for the module according to Figure 1 an alternative method of the cleaning process, in which a strong pressure drop of the medium in the cleaning chamber is effected already at the end of the compression stroke of the lower chamber block.

A BA B

Figuren 19‘ en 19 tonen voor de module volgens de Figuur 3 vergroot de opvolgende fasen van de robotische transfer van een te reinigen wafer tot binnen de reinigingskamer.Figures 19 and 19 show for the module of Figure 3, the subsequent stages of the robotic transfer of a wafer to be cleaned into the cleaning chamber.

35 Figuur 20‘ toont sterk vergroot het einde van de opwaartse compressie-slag van het onderkamerblok, met de daarbij bewerkstelligde temperatuurs-verhoging van het reinigingsmedium, zoals is aangegeven in de Figuur 6°.Figure 20 shows greatly enlarged the end of the upward compression stroke of the lower chamber block, with the temperature increase of the cleaning medium effected thereby, as indicated in Figure 6 °.

ββ

Figuur 20 toont sterkvergroot het einde van de daarop volgende en £ in Figuur 6 aangegeven mini expansieslag van dit blok, waarbij door het 1 0 0 7 3 57 - 14 - koken van het laagkokende gedeelte van het reinigingsmedium verdamping van een gedeelte ervan plaats vindt.Figure 20 shows in enlarged view the end of the subsequent mini expansion stroke of this block indicated in Figure 6, whereby by boiling the low-boiling part of the cleaning medium evaporation of a part thereof takes place.

A CA C

Figuren 21 t/m 21 tonen voor de module volgens de Figuur 3 zeer sterk vergroot het spoelproces voor de wafer met Dl water.Figures 21 to 21 show for the module according to Figure 3 very strongly increased the rinsing process for the wafer with D1 water.

A EA E

5 Figuren 22 t/m 22 tonen in een gedeeltelijke langsdoorsnede van een alterntieve module-uitvoering de toepassing daarin van een gewijzigde mediumslot-opstelling.Figures 22 to 22 show in partial longitudinal section of an alternative module embodiment the use of a modified medium lock arrangement therein.

Figuur 23 toont een wafer reinigingsstation, bevattende een drietal wafer reinigingsmodules, waarin opvolgende fasen van het totale wafer 10 reinigingsproces plaats vinden, met via wafer transferrobots de toe- en afvoer van opvolgende wafers vanaf en naar wafer opslagcassettes.Figure 23 shows a wafer cleaning station, containing three wafer cleaning modules, in which successive phases of the total wafer 10 cleaning process take place, with the supply and removal of successive wafers from and to wafer storage cassettes via wafer transfer robots.

Figuur 24 toont een wafer reinigingsstation, bevattende een tweetal naast elkaar gelegen module-opstellingen ten behoeve van een parallel plaats vindende reiniging van wafers, welke daarin opvolgend worden toe-15 gevoerd vanaf een wafer processingstation en met afvoer van de gereinigde wafers naar een volgend wafer processingstation.Figure 24 shows a wafer cleaning station, comprising two adjacent module arrangements for the parallel cleaning of wafers, which are subsequently supplied from a wafer processing station and with discharge of the cleaned wafers to a subsequent wafer. processing station.

In de Figuur 1 is de wafer reinicingsmodule 10 aangegeven, welke is opgenomen in de wafer reinigings-installatie 26ó, Figuur 23, en de wafer reimgings-installatie 302, Figuur 24.In Figure 1, the wafer cleaning module 10 is shown, which is included in the wafer cleaning installation 266, Figure 23, and the wafer cleaning installation 302, Figure 24.

20 Deze module, zie tevens de Figuren 2 en 4, bestaat daarbij in hoofczaak uit het bovenkamerblok 12, onderkamerblok 14, reinigingskamer 16 als centrale uitsparing in de bovenzijde van dit blok 14 ten behoeve van het daarin reinigen van de wafer 18, boven-transducerkamer 20, met daarin opgenomen de transducer-opstelling 22, onder-transducerkamer 24, met de erin op-25 genomen transducer-opstelling 26, en module-draagplaat 28, met daarin opgenomen drukcilinder 30 ten behoeve van het in verticale richting verplaatsen van het onderkamerblok 14 naar en vanaf het bovenkamerblok 12.This module, see also Figures 2 and 4, consists mainly of the upper chamber block 12, lower chamber block 14, cleaning chamber 16 as a central recess in the top of this block 14 for cleaning the wafer 18, upper transducer chamber 20, incorporating the transducer arrangement 22, sub-transducer chamber 24, with the transducer arrangement 26 incorporated therein, and module support plate 28, including pressure cylinder 30 incorporated therein for vertically displacing the lower chamber block 14 to and from the upstairs chamber block 12.

De beide kamerblokken 12 en 14 zijn uit quartz of soortgelijk materiaal vervaardigd en bevatten de daarin centraal opgenomen respectievelijke trii-30 wanden 32 en 34 als boven- en onderwand van deze reinigingskamer, met lateraal buitenwaarts ervan de respectievelijke bioksecties 36 en 38.The two chamber blocks 12 and 14 are made of quartz or similar material and contain the respective centrally incorporated respective trii-walls 32 and 34 as the top and bottom walls of this cleaning chamber, with the respective bio sections 36 and 38 laterally outward thereof.

Het lateraal buitenste gedeelte van deze reinigingskamer fungeert tevens als gemeenschappelijk cilindrisch medium toe/afvoerkanaal 40, indien het onderkamerblok 14 zich in zijn vulpositie bevindt, zoals vergroot is aan- r 35 gegeven in de Figuur 6 .The lateral outer portion of this cleaning chamber also functions as a common cylindrical medium supply / discharge channel 40 when the lower chamber block 14 is in its fill position as shown in Figure 6.

Daarbij monden de in het onderkamerblok opgencmen en zich schuin opwaarts en in geringe mate schuin in radiale richting ten opzichte van dit ge-meenschappelije toe/afvoerkanaal 40 uitstrekkende en tegenover elkaar gelegen toevoerkanalen 42 en 44 voor medium uit in dit kanaal 40, met de 1007357 - 15 - daarmede, tenminste nagenoeg tegenover liggende uitmondingen van de afvoerkanalen 46 en 48, zie tevens Figuur 15 .Thereby, the sub-chamber block received and extending obliquely upward and slightly obliquely in the radial direction relative to this common supply / discharge channel 40 and opposite supply channels 42 and 44 for medium open into this channel 40, with the 1007357 - 15 - therewith, at least substantially opposite outlets of the discharge channels 46 and 48, see also Figure 15.

Met behulp van de draag/centreerstiften 50, 52, 54, 56, 58 en 60 wordt tijdens het inbrengen van de te reinigen wafer 18 in de reinigings-5 kamer 16 de centrale positie ervan ten opzichte van deze kamer en tevens mede daardoor ten opzichte van dit gemeenschappelijke toe/afvoerka- B ^ naai 40, Figuur 15 , bewerkstelligd.With the aid of the carrying / centering pins 50, 52, 54, 56, 58 and 60, during the insertion of the wafer 18 to be cleaned into the cleaning chamber 16, its central position is relative to this chamber and also partly as a result thereof of this common feed / discharge box 40, Figure 15.

De bovenzijde van de boven-transducerkamer 20 bestaat uit het kunst-stofblok 62, waarin aan de laterale buitenzijde ervan de toevoerkanalen 10 64 en 66 voor koelvloeistof 68 zijn opgenomen en in het centrum ervan het afvoerkanaal 70 voor deze vloeistof.The upper side of the upper transducer chamber 20 consists of the plastic block 62, in which the lateral outer side thereof contains the supply channels 10, 64 and 66 for cooling liquid 68 and in the center thereof the discharge channel 70 for this liquid.

De onderzijde van de onder-transducerkamer 24 bestaat uit het kunststof blok 72, waarin de toevoerkanalen 74 en 76 en de centrale afvoerkanalen 78 en 30 voor de koelvloeistof 68 zijn opgencmen.The bottom side of the bottom transducer chamber 24 consists of the plastic block 72, in which the supply channels 74 and 76 and the central discharge channels 78 and 30 for the cooling liquid 68 are accommodated.

15 Het bovenkamerblok 12 is met behulp van de bout-verbindingen 82 bevestigd tegen de boven-montageplaat 84 en het onderkamerblok 14 met behulp van de boucverbindingen 86 bevestigd op de onder-montageplaat 38.The upper chamber block 12 is fastened to the upper mounting plate 84 by bolt connections 82 and the lower chamber block 14 is fixed to the lower mounting plate 38 by means of the bouc joints 86.

Deze boven-montageplaat 84 is door middel van de bout-verbindingen 90 bevestigd op het tussenblok 92, welke met behulp van de bout-verbindin-20 gen 94 is gemonteerd op de draagplaat 28.This top mounting plate 84 is fastened to the intermediate block 92 by means of the bolt connections 90, which is mounted on the support plate 28 by means of the bolt connections 94.

In de cnderwand 96 van het bovenkamerblok 12 is lateraal op enige afstand buitenwaarts vanaf de reinigingskamer 16 de cilindrische bufferka-mer 98 opgencmen, terwijl lateraal op enige afstand buitenwaarts deze buffer deze onderwand het cilindrische slot-element 100 bevat.Cylindrical buffer chamber 98 is accommodated laterally at some distance outwardly from cleaning chamber 16 in the inner wall 96 of upper chamber block 12, while laterally at some distance outwardly from this buffer this lower wall contains cylindrical lock element 100.

25 In de bovenwand 102 van het onderkamerblok 14 is de cilindrische slot-uitsparing 104 opgenomen en waarbij tenminste in tegen elkaar aan gelegen kamerblokken 12 en 14 dit slot-element 100 zich bevindt in deze uitsparing 104, met eronder de slotkamer 106, waarop het toevcerkanaal 108 voor gasvormig slotmedium 110 is aangesloten, zie tevens Figuur 4.The cylindrical lock recess 104 is accommodated in the top wall 102 of the lower chamber block 14, wherein at least in adjacent chamber blocks 12 and 14, this lock element 100 is located in this recess 104, with the lock chamber 106 below it, on which the feed channel 108 for gaseous lock medium 110 is connected, see also Figure 4.

30 Met behulp van de O-ringen 116 t/m 126 is tijdens het reinigingsproces een voldoende afsluiting van het inwendige van de module 10 gewaarborgd.Sufficient sealing of the interior of the module 10 is ensured by means of the O-rings 116 to 126 during the cleaning process.

Figuur 2 toont in een verkleinde langsdoorsnede de module 10 met de drukcilinder-opstelling 30 ten behoeve van het in verticale richting verplaatsen van het onderkamerblok 14 naar en vanaf het bovenkamerblok 12. 35 Verder bevat deze module de inrichting 128 ten behoeve van het in verticale richting verplaatsen van de serie wafer draag/centreerstiften 50 t/m 60 vanaf hun onderste wafer transferpositie naar hun bovenste medium vulpositie voor de reinigingskamer 16, Figuren 1 en 6, en terug en inrichting 130 ten behoeve van verdraaiing van deze stiften vanaf hun late- 1007357 - 16 - raai buitenwaartse wafer transferpositie naar hun lateraal binnenwaartse positie ten behoeve van het bewerkstelligen van be centrale positie van de te reinigen wafer 18 ten opzichte van de reinigingskamer 16, Figu- . ,A ,_B ren la en b .Figure 2 shows in a reduced longitudinal section the module 10 with the printing cylinder arrangement 30 for the vertical displacement of the lower chamber block 14 to and from the upper chamber block 12. 35 Furthermore, this module contains the device 128 for the vertical direction. moving the series of wafer carrying / centering pins 50 to 60 from their lower wafer transfer position to their upper medium fill position for the cleaning chamber 16, Figures 1 and 6, and back and device 130 for twisting these pins from their late 1007357 - rotate outward wafer transfer position to their lateral inward position to effect the central position of the wafer 18 to be cleaned with respect to the cleaning chamber 16, FIG. , A, _B ren 1a and b.

5 Deze drukcilinder-opstelling 30 bestaat daarbij uit het cilindrische huis 132met de daarin opgenomen zuiger 134, welke met zijn zuigerstang 136 verbonden is met het onderkamerblok 14, en de onder-montageplaat 138 onder de voorming van de drukamer 140 onder deze zuiger.This pressure cylinder arrangement 30 then consists of the cylindrical housing 132 with the piston 134 incorporated therein, which is connected with its piston rod 136 to the lower chamber block 14, and the lower mounting plate 138 under the fore of the pressure chamber 140 below this piston.

De opwaartse verplaatsing van deze zuiger 134 en daarmede van het on-10 derkamerblok 14 geschiedt met behulp van toevoer via kanaal 142 van de hydraulische vloeistof 144 naar deze kamer en zulks tegen de werking van de drukveer-opstelling 146 in.The upward movement of this piston 134 and thereby of the lower chamber block 14 is effected by means of supply via channel 142 of the hydraulic fluid 144 to this chamber and this against the action of the compression spring arrangement 146.

Het bovengedeelte 148 van dit cilindrische huis dient daarbij tevens als rechtgeleiding voor de zuigerstang 136.The top section 148 of this cylindrical housing also serves as a straight guide for the piston rod 136.

15 Hydraulische vloeistof 144, welke tijdens de werking van deze' inrich-zing in de veerkamer 150 terecht komt, wordt via het afvoerkanaal 152 daaruiz onder een daartoe bewerkstelligde onderdruk afgevoerd.Hydraulic fluid 144, which enters the spring chamber 150 during the operation of this device, is discharged via the discharge channel 152 thereunder under a vacuum created for this purpose.

Afdichtring 154 in dit huisgedeelte 148 belet daarbij net ongewenst opwaarzs ontsnappen van deze vloeistof 144 naar de wafer reinigingsseczie 20 156 van de module.Sealing ring 154 in this housing portion 148 thereby prevents unwanted escalation of this liquid 144 to the wafer cleaning section 156 of the module.

De lengte van deze drukcilinder-opstelling 30 is zodanig groot, dac mede deer toepassing van tenminste één geleidestifz 158, welke in de daarmede corresponderende uitsparing 168 van het onderkamerblok 14 verplaatsbaar is, in de laatste fase van de opwaartse verplaatsing van diz 25 onderkamerblok het slot-element 100 van het bovenkamerblok 12 geleid q wordt binnen de slot -uitsparing 104 in het onderkamerblok 14, F iguur 6 .The length of this printing cylinder arrangement 30 is so great, that also the use of at least one guide pin 158, which is movable in the corresponding recess 168 of the lower chamber block 14, in the last phase of the upward movement of the lower chamber block the lock. element 100 of the upper chamber block 12 is guided q within the lock recess 104 in the lower chamber block 14, Figure 6.

Tevens zijn, zoals het ondergedeelte 160 van deze draag/centreerstifzen m verticale richting geleid worden in de daarmede corresponderende ge-leidingsblokken 162, welke zijn opgenomen in de moöule-draagplaat 18, de 30 bovengedeeltes 164 van deze stiften 50 t/m 60 verplaatsbaar in de gelei-dingsbussen 166, met de O-ring afdichting 182 welke zijn opgenomen in het onderkamerblok 14, zie tevens Figuur 3.Also, as the lower portion 160 of these bearing / centering pins are guided vertically in the corresponding guide blocks 162 contained in the molding support plate 18, the upper portions 164 of these pins 50 to 60 are movable in the guide bushings 166, with the O-ring seal 182, which are received in the lower chamber block 14, see also Figure 3.

Op de buitenzijde 170 van de drukcilinder-opstelling 30 is de lagerbus 172 gemonteerd, waarlangs met behulp van de inrichting 128 het gemeen-35 schappelijke verplaatsingsblok 174 voor deze stiften op en neer verplaazs-baar is.The bearing bush 172 is mounted on the outside 170 of the printing cylinder arrangement 30, along which the common displacement block 174 can be moved up and down for these pins by means of the device 128.

Met behulp van deze inrichting 128 en dit blok 174 zijn die groep stiften, welke zich niet in de wafer transferzóne bevinden, zie tevens de Fi-guren 15 , 23 en 24, gemeenschappelijk in verticale richting verplaats- 1007357 - 17 - baar.With the aid of this device 128 and this block 174, that group of pins, which are not located in the wafer transfer zone, see also Figures 15, 23 and 24, can be moved together vertically 1007357-17.

Met behulp van be aanvullende verplaatsings-inrichting 176 zijn daarbij die stiften, welke zich in deze wafer transferzöne bevinden, op en neer verplaatsbaar, terwijl nog weer aanvullend met behulp van een niet aange-5 geven verplaatsings-inrichting de stiften, welke zich in de transferzöne van de rcbot-arm 258 bevinden, op en neer verplaatsbaar zijn.With the aid of the additional displacement device 176, the pins which are located in this wafer transfer zone can be moved up and down, while again additionally with the aid of a displacement device not indicated, the pins which are located in the transfer zone of the rcbot arm 258, movable up and down.

De gemeenschappelijke verdraaiing van deze stiften over circa 180 geschiedt met behulp van de inrichting 130.The joint rotation of these pins by about 180 takes place with the aid of the device 130.

In de Figuur 3 is de alternatieve module-uitvoering 10' met de wafer 10 draag/centreerstiften 50' t/m 60' en bijbehorende aandrijvingen 30' en 128' ervan vergroot aangegeven.In Figure 3, the alternative module embodiment 10 'with the wafer 10 carrying / centering pins 50' to 60 'and associated drives 30' and 128 'is shown enlarged.

Het bovengedeelte 164' van deze stiften is tevens geleid door de daarmede corresponderende boring 178' van het oncerkamerblok 141.The top portion 164 'of these pins is also passed through the corresponding bore 178' of the undercameron block 141.

Het gasvcrmige slotmedium 110, welke onder een overdruk ten opzichte 15 van de druk van het medium in de reinigingskamer 16 via de toevoerkanalen 186' naar de cilindrische vernauwingen 184' van deze stiften wordt toegeveerd, beier daarbij dat vooral aggressief reinigingsmedium 204 uit de reinigingskamer 16 benedenwaarts via de stift-doorveeringen 178' kan ontsnappen.The gas-like lock medium 110, which is supplied under an overpressure with respect to the pressure of the medium in the cleaning chamber 16 via the supply channels 186 'to the cylindrical constrictions 184' of these pins, thereby ensuring that especially aggressive cleaning medium 204 from the cleaning chamber 16 downwardly through the pin bushings 178 '.

20 0-ring 112' belet daarbij het ontsnappen van dit slotmedium 110 via de stift-dcorvcerincen 178' in benedenwaartse richting.O-ring 112 'thereby prevents the escape of this locking medium 110 via the pin-down centers 178' in the downward direction.

In deze Figuur bestaan de kamerblokken 12’ en 141 uit metaal, zoals titanium, en waarbij de uiterst dunwandige triiwanden 32' en 34' met hun laterale uiteinde zijn bevestigd tegen de daarmede corresponderende bui-25 tenste secties 36' en 38' van deze blokken.In this Figure, chamber blocks 12 'and 141 are made of metal, such as titanium, and the ultra-thin-walled triangular walls 32' and 34 'are mounted with their lateral ends against the corresponding outer sections 36' and 38 'of these blocks .

Zulks bij voorkeur onder voorspanning van deze triiwanden, zoals bij voorbeeld is aangegeven in de Figuur 4 met behulp van een verwarmingselement 196, welke daartoe tenminste is opgenomen in de bovenkamerbiok-sectie 36'.Preferably under biasing of these trii walls, as indicated, for example, in Figure 4 by means of a heating element 196, which is at least included for this purpose in the upper chamber biocouple section 36 '.

30 Figuur 4 toont voor de module volgens de Figuur 1 de toepassing van het mediumslot 188, waarin de toepassing van het vloeibare slotmedium 202.Figure 4 shows for the module according to Figure 1 the use of the medium lock 188, in which the use of the liquid lock medium 202.

Daarbij bevindt het onderkamerblok zich nabij het einde van de opwaartse compressieslag ervan.In addition, the lower chamber block is located near the end of its upward compression stroke.

35 In de vuipesitie voor de reinigingskamer 16 van het onderkamerblok 14,35 In the vacuum position for the cleaning chamber 16 of the lower chamber block 14,

CC

zoais onder andere is aangegeven in de Figuur 6 , vindt reeds toevoer van dit slotmedium onder overdruk plaats naar de slotkamer 106, zodat via de slotgroeven 200 dit slotmedium naar de dan aanwezige spleet sect ie 206 tussen de beide kamerblokken 12 en 14, zie Figuur 6°, wordt gestuwd.as is indicated, inter alia, in Figure 6, supply of this lock medium already takes place under overpressure to the lock chamber 106, so that via the lock grooves 200 this lock medium is supplied to the gap section 206 then present between the two chamber blocks 12 and 14, see Figure 6 °, is stowed.

1007357 - 18 -1007357 - 18 -

Deze overdruk is groter dan de overdruk van de toegevoerde reinigings-mediums voor de reinigingskamer 16, zoals vloeibaar reinigingsmedium 204, zodat dan geen medium vanuit deze reinigingskamer via de spleetsectie 206 tussen deze kamerblokken in lateraal buitenwaartse richting kan ontsnap-5 pen.This overpressure is greater than the overpressure of the supplied cleaning mediums for the cleaning chamber 16, such as liquid cleaning medium 204, so that no medium can escape laterally outwardly from this cleaning chamber via the slit section 206 between these chamber blocks.

Daarbij is de afvoer van de cilindrische bufferkamer 98 via afvoerkanaal 224 afgesloten, waarbij het zich daarin bevindende gasvormige medium 110 als gasbuffer fungeert.The discharge of the cylindrical buffer chamber 98 is thereby closed via discharge channel 224, the gaseous medium 110 contained therein acting as a gas buffer.

Aldus vindt tijdens de opwaartse compressieslag van dit onderkamerblok 10 stuwing van reinigingsvloeistof 204 naar deze bufferkamer plaats met vergaring erin, zoals is aangegeven.Thus, during the upward compression stroke of this lower chamber block 10, thrust of cleaning fluid 204 to this buffer chamber takes place with collection in it, as indicated.

Tijdens de na deze compressieslag volgende neerwaartse expansieslag van dit kamerbiok wordt dan onder stuwdruk van het gecomprimeerde gasvormige medium 110 in deze bufferkamer tenminste een gedeelte van het reinigings-15 medium vanuit deze bufferkamer terug naar de reinigingskamer 16 gestuwd.During the downward expansion stroke of this chamber chamber following this compression stroke, at least a part of the cleaning medium is pushed back from this buffer chamber to the cleaning chamber 16 under the pressure of the compressed gaseous medium 110 in this buffer chamber.

Zulk een cyclus herhaalt zich, ook tijdens het spoelen van de reinigingskamer .Such a cycle is repeated, also during the rinsing of the cleaning chamber.

Binnen het kader van de uitvinding is het echter ook mogelijk, dat daarbij tijdens dit vulproces afvoer van dit gasvormige medium uit deze buffer-20 kamer plaats vindt en zulks eventueel tezamen met uit de reinigingskamer afkomstig medium.Within the scope of the invention, however, it is also possible that during this filling process discharge of this gaseous medium from this buffer chamber takes place, and this optionally together with medium from the cleaning chamber.

In de bovenwand van het onderkamerblok is tevens nog op enige afstand lateraal buitenwaarts de slotkamer 106 de cilindrische uitsparing 190 opgenomen, met aansluiting erop van afvoerkanaal 192, waarin tijdens het 25 reinigingsproces een onderdruk van het daarin aanwezige medium wordt onderhouden .In the upper wall of the lower chamber block, the cylindrical recess 190 is also received at some distance laterally outwardly to the lock chamber 106, with connection thereto of discharge channel 192, in which an underpressure of the medium contained therein is maintained during the cleaning process.

Vloeibaar slotmedium 202, welke lateraal buitenwaarts uit deze slotkamer 106 tussen de beide kamerblokken 12 en 14 door ontsnapt, komt daarbij terecht in deze uitsparing en wordt daaruit via dit afvoerkanaal 192 30 afgezogen.Liquid lock medium 202, which escapes laterally outwards from this lock chamber 106 between the two chamber blocks 12 and 14, thereby enters this recess and is extracted therefrom via this discharge channel 192.

Aldus kan tijdens het reinigingsproces geen vloeibaar slotmedium uit de module 10 ontsnappen.Thus, no liquid lock medium can escape from the module 10 during the cleaning process.

Indien als slotmedium Dl water wordt toegepast, is het ook mogelijk, dat daarbij gebruik wordt gemaakt van verwarmings-element 196, welke daar-35 bij dan tevens dient cm de buitenste bloksecties 36 en 38 zodanig te verwarmen, dat de temperatuur ervan tenminste in zodanig geringe mate lager is dan de temperatuur van de beide centrale trilwandsecties 32 en 34 van deze blokken, dat tijdens het reinigingsproces geen ontoelaatbare vervorming van deze trilwandsecties plaats vindt.If water is used as the closing medium D1, it is also possible that use is made here of heating element 196, which must also heat the outer block sections 36 and 38 in such a manner that its temperature is at least in such is slightly lower than the temperature of the two central vibrating wall sections 32 and 34 of these blocks, that no inadmissible deformation of these vibrating wall sections takes place during the cleaning process.

1007357 -19-1007357 -19-

Via toevoerkanaal 186 wordt ook vloeibaar slotmedium 110 onder een zodanige overdruk ervan naar de cilindrische uitsparingen 184 in de wafer draag/centreerstiften 50 t/m 60 gestuwd, dat geen reinigingsmedium benedenwaarts via de stift-doorvoeringen langs deze stiften kan ontsnap-5 pen. Daarbij wederom de O-ringen 182 voor afdichting van deze stift-doorvoeringen .Liquid lock medium 110 is also pushed via supply channel 186 under such an overpressure to the cylindrical recesses 184 in the wafer carrying / centering pins 50 to 60, so that no cleaning medium can escape downwards through the pin penetrations along these pins. Thereby again the O-rings 182 for sealing these pin penetrations.

In de Figuur 5 is sterk vergroot de vulpositie en het vulsysteem met medium voor de module 10' volgens de Figuur 3 aangegeven, waarbij eveneens de toepassing van vloeibaar slotmedium 202.In Figure 5, greatly increased the filling position and the medium filling system for the module 10 'of Figure 3 is indicated, including the use of liquid lock medium 202.

10 Daarbij is het onderkamerblok 14' opwaarts naar deze vulpositie gebracht en waarbij het ondergedeelte 198' van het slot-element 100 1 in de slot-uitsparing 104' is terecht gekomen.Thereby the lower chamber block 14 'has been brought upwards to this filling position and wherein the lower part 198' of the lock element 100 1 has entered the lock recess 104 '.

In de cilindrische binnenwand van dit element zijn een groot aantal, in radiale richting naast elkaar gelegen micro groeven 200' opgenomen, 15 evenals voor de module volgens de Figuren 1 en 6,.welke zich opwaarts uitstrekken vanaf de onderzijde van dit element tot aan de bovenwand 102’ van het onderkamerblok 14'.The cylindrical inner wall of this element includes a large number of radially adjacent micro-grooves 200 ', as well as for the module according to Figures 1 and 6, which extend upwardly from the bottom of this element to the top wall 102 'of the lower chamber block 14'.

Het slot-element schuift daarbij onder zodanige nauwe passing in deze uitsparing, dat daardoor ook bij via toevoerkanaal 108' onder overdruk 20 toegevoerd slotmedium 202 in vloeibare vorm naar slotkamer 106' slechts een toelaatbare minimale hoeveelheid ervan kan ontsnappen naar de spleet-sectie 194' tussen de beide kamerblokken lateraal buitenwaarts dit slot.The lock element thereby slides into this recess with such a tight fit that only with a lock medium 202 supplied in liquid form via supply channel 108 'under overpressure 20 to lock chamber 106' this allows only a permissible minimum amount to escape to the slit section 194 '. laterally outwardly this lock between the two chamber blocks.

Zulk een toevoer van slotmedium 202 vindt daarbij reeds plaats vóór het vullen van de reinigingskamer 16' met vloeibaar reinigingsmedium 204, zcr 25 dat tenminste reeds het gedeelte van de spleetsectie 206' tussen de beide kamerblokken, welke lateraal binnenwaarts grenst aan het slot-element 100', reeds gevuld is met dit slotmedium.Such a supply of lock medium 202 already takes place before the cleaning chamber 16 'is filled with liquid cleaning medium 204, such that at least already the part of the slit section 206' between the two chamber blocks, which borders laterally inwardly on the lock element 100 is already filled with this final medium.

Tijdens dit vullen van de reinigingskamer met reinigingsmedium is de overdruk van het slotmedium 202 in de slotkamer 106' groter dan de druk 30 van dit reinigingsmedium in de reinigingskamer, zodat tenminste nagenoeg geen reinigingsmedium in de spleetsectie 194’ kan terechtkomen.During this filling of the cleaning chamber with cleaning medium, the overpressure of the lock medium 202 in the lock chamber 106 'is greater than the pressure 30 of this cleaning medium in the cleaning chamber, so that practically no cleaning medium can end up in the slit section 194'.

Met behulp van de serie wafer draag/centreerstiften, waarvan stift 50' is aangegeven, is daarbij een middenpositie van de wafer 18 binnen deze reinigingskamer 16 verkregen, onder de bewerkstelliging van de boven-35 reinigingsspleet 208' en de onderreinigingsspleet 210'.By means of the series of wafer carrying / centering pins, of which pin 50 'is indicated, a central position of the wafer 18 within this cleaning chamber 16 is thereby obtained, with the effect of the top cleaning gap 208' and the bottom cleaning gap 210 '.

Zoals de beide kamerblokken uit metaal bestaan, maken de dunwandige trilwandsecties 321 en 34' ervan tevens als electrode deel uit van de respectievelijke transducer-opstellingen 22' en 26 ' .As the two chamber blocks are made of metal, their thin-walled vibrating wall sections 321 and 34 'are also part of the respective transducer arrangements 22' and 26 'as electrodes.

Tijdens het reinigingsproces drukken door de overdruk van het reini- 1007357 - 20 - gingsmedium in de reinigingskamer 16' ten opzichte van de druk van de koelvloeistof 68 in de beide transducerkamers 20' en 24' de beide combinaties van trilwandsecties en transducer-opstellingen 32'/22' en 34'/26’ tegen de serie aanslagnokken 212' en 214', welke deel uitmaken 5 van de respectievelijke kunststof blokken 62' en 72' als boven- en onderwand van deze transducerkamers.During the cleaning process, pressurizing the cleaning medium 1007357-20 in the cleaning chamber 16 'relative to the pressure of the coolant 68 in the two transducer chambers 20' and 24 'the two combinations of vibrating wall sections and transducer arrangements 32' / 22 'and 34' / 26 'against the series of stop cams 212' and 214 ', which form part of the respective plastic blocks 62' and 72 'as the top and bottom walls of these transducer chambers.

A RA R

Figuren 6 t/m 6 tonen voor de module volgens de Figuren 1 en 2 opvolgende fasen van het totale wafer reinigingsproces, met transfer van een te reinigen wafer 18 naar de reinigingskamer 16, het daarop volgen-10 de reinigingsproces voor de wafer daarin en tenslotte de transfer van de gereinigde wafer uit deze reinigingskamer.Figures 6 to 6 show for the module according to Figures 1 and 2 successive phases of the total wafer cleaning process, with transfer of a wafer 18 to be cleaned to the cleaning chamber 16, the subsequent wafer cleaning process therein and finally the transfer of the cleaned wafer from this cleaning chamber.

In Figuur 6 vindt daarbij bij maximaal naar beneden bewogen cnderkamer-blok 14 met behulp van robotarm 258 de toevoer van een te reinigen wafer 18 in een tenminste nagenoeg centrische positie ervan ten opzichte van de 15 reinigingskamer-uitsparing 16 tot boven de wafer draag/centreerstiften-serie 50 t/m 60, zie tevens Figuur 15 , plaats.In Figure 6, with a lower chamber chamber block 14 being moved downwards, with the aid of robot arm 258, the feed of a wafer 18 to be cleaned is found in a substantially centric position thereof relative to the cleaning chamber recess 16 above the wafer carrying / centering pins. -series 50 to 60, see also Figure 15, location.

Daarbij geschiedt nog steeds het stromen van koelvloeistof 68 door de beide transducerkamers 20 en 24 en zijn de beide transducer-opstellingen 22 en 26 niet in trilling mede ten behoeve van het gewenst wordende ver-20 lagen van de temperatuur van vooral het centrum van deze module.Thereby, the flow of cooling liquid 68 still takes place through the two transducer chambers 20 and 24 and the two transducer arrangements 22 and 26 are not in vibration partly for the purpose of desirably lowering the temperature of the center of this module in particular. .

Daarbij is in deze transducerkamers 20 en 24 tijdelijk een onderdruk van deze koelvloeistof bewerkstelligd, waardoor deze beide transducer-opstel-lingen en daarmede de eraan gehechte trilwanden 32 en 34 tegen de respectievelijke aanslagnokken 212 en 214 zijn gedrukt.In these transducer chambers 20 and 24 a negative pressure of this cooling liquid is temporarily effected, as a result of which these two transducer arrangements and thereby the vibrating walls 32 and 34 attached thereto are pressed against the respective stop cams 212 and 214.

g 25 In de Figuur 6 is deze wafer 18 boven deze craag/centreerstiften, met de wafer centreersecties 220 ervan in hun lateraal buitenste positie ten opzichte van de reinigingskamer 16 gebracht.In Figure 6, this wafer 18 is positioned above these collar / centering pins, with their wafer centering sections 220 in their lateral outer position relative to the cleaning chamber 16.

Vervolgens wordt het vacuum in de robot-arm 258 opgeheven (I ) en worden vervolgens de stiften 52, 54, 56 en 58 gemeenschappelijk opwaarts g 30 naar hun bovenste medium-vulpositie gebracht (I ), waarbij deze wafer opwaarts van deze robot-arm wordt bewogen.Subsequently, the vacuum in the robot arm 258 is released (I) and the pins 52, 54, 56 and 58 are then brought upwards jointly 30 to their upper medium filling position (I), this wafer being upwards from this robot arm. is moved.

Vervolgens wordt deze robot-arm wederom tot buiten de module gebracht (II), waarna de resterende, dan vrij gekomen stiften 50 en 60 (Figuur 15 ), eveneens naar boven bewogen (III).This robot arm is then brought out of the module again (II), after which the remaining pins 50 and 60 (Figure 15), which are then released, are also moved upwards (III).

35 Tenslotte vmct gelijktijdig verdraaiing over 180° van alle stiften plaats (IV), waarbij de centreersecties ervan naar hun lateraal binnenste positie ten opzichte van de reinigingskamer-uitsparing 16 worden gebracht, met de wafer 18 in voldoende mate centrisch ten opzicte van deze kamer-uitsparing (IV).Finally, simultaneously rotate all pins (IV) through 180 °, bringing the centering sections thereof to their lateral innermost position relative to the cleaning chamber recess 16, with the wafer 18 being sufficiently centrally relative to these chamber positions. recess (IV).

1007357 - 21 - r1007357 - 21 - r

In Figuur 6 is vervolgens het onderkamerblok 14 opwaarts naar zijn mediura-vulpositie voor de reinigingskamer 16 gebracht, waarbij het cilindrische slot-element 100 tot binnen de ermede corresponderende slot-uitsparing 104 is bewogen (I).In Figure 6, the lower chamber block 14 is then moved upwardly to its mediura fill position for the cleaning chamber 16, the cylindrical lock member 100 being moved within the corresponding lock recess 104 (I).

5 Vervolgens vindt toevoer van gasvormig slotmedium 110 naar de dan gevormde slotkamer 106 plaats (II), waarbij in de spleetsectie 206 tussen de beide kamerblokken tenminste grenzend aan het slot-element 100 het gas-slot 222 is ontstaan en wordt daarna via de toevoerkanalen 42 en 44 (zie tevens Figuur 15 ) vloeibaar reinigingsmedium 204 naar de reinigings-10 kamer 16 gestuwd (III), met afvoer van het teveel ervan via de afvoerkanalen 46 en 48.Subsequently, supply of gaseous lock medium 110 to the lock chamber 106 then formed takes place (II), wherein the gas lock 222 is formed in the slit section 206 between the two chamber blocks at least adjacent to the lock element 100, and is then supplied via the supply channels 42 and 44 (see also Figure 15) liquid cleaning medium 204 is pushed to the cleaning chamber 16 (III), with discharge of the excess thereof via the discharge channels 46 and 48.

Gasvormig medium, welke zich in deze reinigingskamer bevindt en-mcge-lijk aangevuld door gasvormig slotmedium 110 vanuit gasslot 222, wordt daarbij via het cilindrische bufferkanaal 98 en afvoerkanaal 224- opwaarts 15 afgevoerd.Gaseous medium, which is present in this cleaning chamber and which is supplemented in part by gaseous lock medium 110 from gas lock 222, is discharged upwardly via the cylindrical buffer channel 98 and discharge channel 224.

Al dan niet gelijktijdig zijn daarbij de beide transducer-opstellingen 22 en 25 en daarmede de trilwanden 32 en 34 in trilling gebracht.Both transducer arrangements 22 and 25 and the vibrating walls 32 and 34 are vibrated, whether or not simultaneously.

Door een bewerkstelligde lagere druk van de koelvloeistof 58 in de beide transducerkamers 20 en 24 ten opzichte van de druk van het medium in 20 de reinigingskamer blijven deze transducer-cpstelligen tegen de respectievelijke aanslagnokken 212 en 214 gedrukt.Due to an effected lower pressure of the cooling liquid 58 in the two transducer chambers 20 and 24 relative to the pressure of the medium in the cleaning chamber, these transducer positions continue to be pressed against the respective stop cams 212 and 214.

In de Figuur 6 is vervolgens het onderkamerblok 14 verder opwaarts naar zijn bovenste aanslag-positie tegen het bovenkamerblck 12 bewogen, waarbij vloeibaar reinigingsmedium 204 uit de reinigingskamer 16 naar de 25 cilindrische buffer 98 wordt gestuwd.In Figure 6, the lower chamber block 14 has subsequently moved further upwardly to its upper stop position against the upper chamber block 12, forcing liquid cleaning medium 204 from the cleaning chamber 16 to the cylindrical buffer 98.

Alle medium toe- en afvoerkanalen voor deze reinigingskamer 16 zijn dan afgesloten, met slechts afvoer via één of meerdere overstrocmventielen boven een bepaalde druk. Wel blijft daarbij toevoer van slotmedium naar slotkamer 106 onder hogere druk dan die van het medium in de reinigings-30 kamer plaats vinden.All medium supply and discharge channels for this cleaning chamber 16 are then closed, with only discharge via one or more transfer valves above a certain pressure. However, the supply of lock medium to lock chamber 106 continues to take place under higher pressure than that of the medium in the cleaning chamber.

Door het daardoor in de micro-spleet 206 met mogelijk plaatselijk een micro-hoogte ervan onderhouden van het gasslot 222 kan geen aggressief reinigingsmedium 204 vanuit deze reinigingskamer lateraal buitenwaarts via deze spleet uit de module ontsnappen.By maintaining the gas lock 222 in the micro-slit 206 with possibly a local micro-height thereof, no aggressive cleaning medium 204 can escape from the module laterally outwards from this cleaning chamber from this cleaning chamber.

35 Met behulp van het megasonisch trillen van de beide trilwanden 32 en 34 vindt daarbij in de reinigingssplten 208 en 210 van deze reinigingskamer een optimale reiniging van zowel de boven-topographv 226 als van de onder-topography 228 van de wafer plaats, zie tevens sterk vergroot 1007357 - 22 -With the megasonic vibration of the two vibrating walls 32 and 34, an optimum cleaning of both the top topography 226 and the bottom topography 228 of the wafer takes place in the cleaning gaps 208 and 210 of this cleaning chamber, see also strongly enlarge 1007357 - 22 -

Figuur 13A.Figure 13A.

Daarbij geschiedt de inwerking van het megasonisch trillende aggres-sieve vloeibare reinigingsmedium op de grenslaag 230 en vooral ter plaatse van de crevices 232, zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in de 5 Figuur 12B.The action of the megasonically vibrating aggressive liquid cleaning medium takes place on the boundary layer 230 and especially at the location of the crevices 232, as is shown to a very large extent in Figure 12B.

Verder wordt daarbij een zodanige koeling van de beide transducer-opsteilingen 22 en 26 bewerkstelligd door het doorstromen van de beice transducerkamers 20 en 24 door koelvloeistof 68, dat de temperatuur van het reinigingsmedium in de reinigingskamer geleidelijk toeneemt (t+—t~~) 10 tot tenminste nabij het kookpunt van het laagkokende gedeelte van het vloeibare reinigingsmedium, met door het koken ervan uitstuwing van het teveel aan vloeibaar reinigingsmedium uit de reinigingskamer via de afvoerkanalen 44 en 46.Furthermore, cooling of the two transducer mountings 22 and 26 is effected by flowing through the beice transducer chambers 20 and 24 through cooling liquid 68 such that the temperature of the cleaning medium in the cleaning chamber gradually increases (t + -t ~~) 10 to at least near the boiling point of the low-boiling portion of the liquid cleaning medium, with boiling out of the excess liquid cleaning medium from the cleaning chamber through the discharge channels 44 and 46.

Met 'cenulp van de verpiaatsings-inrichting 30 voor het onderkamerblok 15 14, Figuur 2, wordt deze vervolgens over een geringe afstand, vanaf bij—With the aid of the displacement device 30 for the lower chamber block 14, Figure 2, it is then moved a short distance from

E CE C

vooroeelc 20 urn naar 30 um, naar beneden bewogen, Figuur 6 .en 13 .frontal 20 µm to 30 µm, moved down, Figure 6 and 13.

Door de daarbij bewerkstelligde plotselinge zeer sterke drukverlacing van het medium in de beide reimgincsspleten 208 en 210 van de reinigincs-ksmer gaat een groot gedeelte van dit laagkokende vloeibare medium over in 20 öampvormig medium 234.As a result of the sudden very strong pressure reduction of the medium in the two cleaning slits 208 and 210 of the cleaning material, a large part of this low-boiling liquid medium is converted into vapor-shaped medium 234.

Daarbij geschiedt eveneens in deze grenslaag 230 en vooral in deze groeven 232 zulk een keken, doordat voorafgaand eveneens de wrafer op de gewenst wordende hogere temperatuur t is gebracht.Such a look also takes place in this boundary layer 230 and especially in these grooves 232, because the wrafer has also been brought to the desired higher temperature t in advance.

Daardoor vindt door de optredende verdamping in deze groeven en grens-25 laag het uitdrijven van residue vloeibaar reinigingsmedium inclusief eventuele verontreinigingen met behulp van het gevormde dampvormige medium Π) 234 daaruit plaats, zoals is aangegeven in de Figuur 13 .As a result, due to the evaporation occurring in these grooves and boundary layer, the expulsion of residual liquid cleaning medium, including any impurities, by means of the vaporous medium (234) formed therefrom, as shown in Figure 13.

Verder vindt daarop volgend de aanvullende reinigende werking van deze combinatie van vloeibaar en dampvormig medium op de wafer boven- en cncer-30 topography 226 en 228 plaats.Furthermore, subsequent additional cleaning action of this combination of liquid and vapor medium on the wafer top and ccercer topography 226 and 228 takes place.

pp

Zoals is aangegeven in de Figuur 6 , vindt in een gunstige werkwijze naAs indicated in Figure 6, a favorable method follows

EE

deze expansieslag, Figuur 6 , toevoer van de combinatie 204 van hoogkokenc aggressief reinigingsmedium en laagkokend vloeibaar medium plaats, met een tenminste gedeeltelijke uitdrijving van residue reinigingsmedium uit de bei-35 de reinigingsspleten 208 en 210.this expansion stroke, Figure 6, introduces the combination 204 of high boiling aggressive cleaning medium and low boiling liquid medium, with at least partial expulsion of residual cleaning medium from both cleaning slits 208 and 210.

Na het vervolgens weer opwaarts verplaatsen van het onderkamerblok 14 naar zijn bovenste positie, zoals is aangegeven in de Figuur 6D.en de Fi-After subsequently moving the lower chamber block 14 upward again to its uppermost position, as shown in Figure 6D. And the Fi-

->A B-> A B

guren 13 en 13 , en waarbij verder residue reinigingsmedium 204 uit de beide reinigingsspleten wordt gestuwd, herhaalt in een gunstige werkwijze 1007357 - 23 - deze expansie/compressie-cyclus zich enige malen, zoals in de Figuren 6 en 13 is aangegeven.Figures 13 and 13, and in which further cleaning medium 204 is expelled from the two cleaning slits, this expansion / compression cycle repeats itself several times in a favorable method 1007357-23, as indicated in Figures 6 and 13.

In een gunstige module-uitvoering zijn daarbij tegen de onderzijde van de boventrilwand 32 en op de ondertrilwand 34 een groot aantal micro 5 nokken 216 en 218 aangebracht, met een hoogte ervan, welke minimaal de gewenste hoogte van de beide reinigingsspleten 208 en 210 aan het einde van de compressieslag van het onderkamerblok 14 is, zoals is aangegevenIn a favorable module embodiment, a large number of micro cams 216 and 218 are mounted against the underside of the upper vibrating wall 32 and on the lower vibrating wall 34, with a height thereof which is at least the desired height of the two cleaning slits 208 and 210 on the end of the compression stroke of the lower chamber block 14 is as indicated

j en C ,.A en Cj and C,. A and C

in de Figuren 13 en 14in Figures 13 and 14

Hierdoor is het niet mogelijk, dat onder ongunstige omstandigheden 10 zulk een spleethoogte zodanig gering wordt, dat de wafer onder maximale kleefkrachtwerking van het reinigingsmedium tegen zulk een wand wordt aangezogen.As a result, it is not possible that under unfavorable conditions such a gap height becomes so small that the wafer is sucked against such a wall under maximum adhesion effect of the cleaning medium.

Binnen net kader van de uitvinding is daarbij elke andere hoogte van deze nokken mogelijk.Any other height of these cams is possible within the scope of the invention.

15 Voor de nokken 218 daarbij zelfs mogelijk een zodanige hoogte, dat m de vulpositie van het onderkamerblok 14 de wafer 18 door deze nokken wordt gedragen en niet door de serie wafer draag/'centreerstiften 50 t/m 60.The height of the cams 218 may even be such that in the filling position of the lower chamber block 14 the wafer 18 is carried by these cams and not by the series of wafer carrying / centering pins 50 to 60.

Daardoor wordt vermeden, dat bij het lichten van deze wafer vanaf die onderkamerblok met behulp van het toch beperkte aantal draag/centreer- 20 stiften ten behoeve van het bewerkstelligen van de vulpositie van de wafer, A m zoals is aangegeven in onder andere Figuur 5 en Figuur 6W, een ontoelaatbare beschadiging van deze wafer optreedt.As a result, it is avoided that when this wafer is lifted from that lower chamber block with the aid of the still limited number of bearing / centering pins for effecting the filling position of the wafer, A m as shown in, inter alia, Figure 5 and Figure 6W, inadmissible damage to this wafer occurs.

Na deze compressie/exoansie-cyclussen vindt het benedenwaarts ver-After these compression / expansion cycles it takes

GG

plaatsen van het onderkamerblok naar zijn vulpositie, Figuur 6 , plaats.placing the lower chamber block to its fill position, Figure 6.

25 Binnen het kader van de uitvinding is het echter ook mogelijk, dat ditHowever, it is also possible within the scope of the invention to do this

D AD A

onderkamerblok vanaf zijn bovenste compressie-positie, Figuren 6 , 13 enlower chamber block from its upper compression position, Figures 6, 13 and

S GS G

13 , onmiddellijk terug benedenwaarts naar zijn vulpositie, Figuur 6 , wordt gebracht, zoals mede is aangegeven.13 is immediately brought back down to its fill position, Figure 6, as also indicated.

Daarbij komt de wafer op de draag/centreerstiften 50 t/m 60 en eventu- 30 eel de öraagnokken 218 op de ondertrilwand 34 te rusten, met de daardoor bewerkstelligde circa middenpositie van de wafer in de reinigingskamer 16, met een ongeveer gelijke hoogte van de reinigingsspleten 208 en 210.In addition, the wafer rests on the support / centering pins 50 to 60 and, if desired, the support cams 218 on the sub-vibration wall 34, with the approximate center position of the wafer in the cleaning chamber 16 thereby effected, with an approximately equal height of the cleaning slits 208 and 210.

Via de micro slot-groeven 200 vindt daarbij toevoer van slotmedium 110 naar de spieetsectie 206 tussen de beide kamerblokken 12 en 14 plaats ten 35 behoeve van het daarin onderhouden van het mediumslot 222.Via the micro-lock grooves 200, supply of lock medium 110 to the spit section 206 between the two chamber blocks 12 and 14 takes place for the purpose of maintaining the medium lock 222 therein.

Daarbij vindt een nog aanzienlijker druk-verlaging van het medium in de beide reinigingsspleten 208 en 210 plaats door de zelfs mogelijke circa 100-voudige volume-vergroting van deze beide spleten,An even more significant pressure drop of the medium takes place in the two cleaning slits 208 and 210 due to the even possible approximately 100-fold increase in volume of these two slits,

Daarbij treedt een extra sterke omzetting van het laagkokende gedeelte 1007357 - 24 - van het reinigingsmedium 204 in dampvormig medium 234 op, met aldus daarmede een nog aanzienlijker uitdrijving van residue reinigingsmedium medium 204 uit de groeven 232 en grenslaag 230 van de wafer boventopo- graphy 225 met behulp van het in dampvormige medium 234 omgezette ge-An extra strong conversion of the low-boiling portion 1007357 - 24 - of the cleaning medium 204 into vaporous medium 234 occurs thereby, with thus an even more substantial expulsion of residue cleaning medium medium 204 from the grooves 232 and boundary layer 230 of the wafer top-topography 225. using the converted to vaporous medium 234

C DC D

5 gedeelte ervan, Figuren 13 en 13 , fase I.5 part of it, Figures 13 and 13, phase I.

In een gunstige werkwijze vindt daarbij één of meerdere herhalingen van zulk een ccmpressie/expansie-cyclus plaats, zoals in Figuur 6 is aangegeven.In a favorable method, one or more repetitions of such a compression / expansion cycle take place, as indicated in Figure 6.

Vervolgens vindt dan het spoelen/hervullen van de beide reinigingssple-10 ten 208 en 210 met vers reinigingsmedium 204 plaats, fase II, Figuur 6 , met de uitstuwinc mede van het dampvormige medium 234 tezamen met gasvormig slotmedium 110 uit de reinigingskamer 16 via de afvoeren 46 en 43 in het onderkamerblck 14 en afvoer 224 in het bovenkamerblok 12'.Then the rinsing / refilling of the two cleaning slots 208 and 210 with fresh cleaning medium 204 takes place, phase II, Figure 6, with the expulsion of the vaporous medium 234 together with gaseous closing medium 110 from the cleaning chamber 16 via the drains. 46 and 43 in the lower chamber block 14 and drain 224 in the upper chamber block 12 '.

Binnen het kader van de uitvinding kan ook deze compressie/expansie/ 15 hervul-cvclus zich herhalen, zoals is aangegeven, en zulks al dan niet in combinatie met de voorgaand cmschreven mini compressie/expansie/hetvul-cyclussen.Within the scope of the invention, this compression / expansion / refill cycle can also be repeated, as indicated, whether or not in combination with the previously described mini compression / expansion / refill cycles.

KK

In oe Figuur 6 , tase I , vindt na zulke cyclussen in de daarop volgende vulpositie van het cnderkamerblok 14 het spoelen van de beide reim-20 gingsspleten 208 en 210 met spoelvloeistof 236, en zulks bij voorkeur DlIn Figure 6, phase I, after such cycles in the subsequent filling position of the chamber chamber block 14, the two cleaning slits 208 and 210 are rinsed with rinsing liquid 236, preferably D1.

Aa

water, plaats, zie tevens de Figuur 11 .water, place, see also Figure 11.

Aa

Daarbij stuwt ce via de toevcerkanaien 42 en 44, Figuur 15 , toegeveerde spoelvloeistof 236 onder nog voortgezette trillingsconcitie van de beide trilwanden 32 en 34 de combinatie van afgewerkt aggressief reinigings-25 medium 204 en het gedeeltelijk in dampvorm 234 omgezette laagkokende gedeelte ervan en mogelijk in dampvorm 238 omgezette spoelvloeistof 236 naar de beide afvoerkanalen 46 en 48 in dit onderkamerblok en via de cilindrische buffer 98 naar het afvoerkanaal 224 in het bovenkamerblok 12.Thereby, via the feeder canes 42 and 44, Figure 15, the flushing liquid 236, under continued vibration condition of the two vibrating walls 32 and 34, propels the combination of finished aggressive cleaning medium 204 and the low-boiling part of it partly converted into vapor form 234 and possibly into vapor form 238 converted rinsing liquid 236 to the two discharge channels 46 and 48 in this lower chamber block and via the cylindrical buffer 98 to the discharge channel 224 in the upper chamber block 12.

Daarbij mede met behulp van de megasonisch trillende spoelvloeistof het 30 effectief verwijderen van residue reinigingsmedium 204 uit de crevices 232 van de wafer boventopography 226, zoals zeer sterk vergroot is aangegeven q in de Figuur 18 .In addition, partly with the aid of the megasonic vibrating rinsing liquid, the effective removal of residual cleaning medium 204 from the crevices 232 of the wafer top topography 226, as indicated very strongly, is indicated in FIG. 18.

Met behulp van een versterkte doorstroming van de beide transducerka-mers met koelvloeistof 68 wordt daarbij de temperatuur van mede de reini-35 gingskamer 16 verlaagd. Zulks al dan niet mede met behulp van een verminderde trillings-intensiteit van de beide transducer-opstellingen 22 en 26.The temperature of the cleaning chamber 16 is lowered with the aid of an increased flow of the two transducer rooms with cooling liquid 68. This may or may not be partly with the aid of a reduced vibration intensity of the two transducer arrangements 22 and 26.

Daarna vindt wederom de daarop volgende opwaartse compressieslag van het onderkamerblok 14 plaats, met het aldus bewerkstelligen van de micro-hoogte van de beide reinigingsspleten 208 en 210, Figuur 6 en sterk ver- 1007357 - 25 - g groot Figuur 11 .Thereafter, the subsequent upward compression stroke of the lower chamber block 14 again takes place, thus effecting the micro-height of the two cleaning slits 208 and 210, Figure 6 and strongly enlarged Figure 11.

Daarbij in een gunstige werkwijze door een verminderde koeling van deze transducer-opstellingen 22 en 24 in combinatie met een verhoogde 2 "2 trillings-intensiteit ervan, bijvoorbeeld van 8 W/cm naar 12 W/cm , het 5 verhogen van de temperatuur van de reinigingskamer 16 met inhoud tot het kookpunt, van de spoelvloeistof 236 onder de compressiedruk ervan, I |- j met in de eindfase mogelijk zelfs een reeds koken ervan (t 0).Thereby, in a favorable method, by a reduced cooling of these transducer arrangements 22 and 24 in combination with an increased 2 "2 vibration intensity thereof, for instance from 8 W / cm to 12 W / cm, increasing the temperature of the cleaning chamber 16 with contents up to the boiling point, of the rinsing liquid 236 under its compression pressure, with possibly already boiling in the final phase (t 0).

Zoals vervolgens wederom het onderkamerblok 14 terug benedenwaarts r naar zijn vulpositie wordt gebracht, Figuur 6^. en sterk vergroot FiguurAs subsequently the lower chamber block 14 is again brought back down to its filling position, Fig. 6 ^. and greatly enlarged Figure

CC

19 11 , vindt vooral aan het einde van de expansieslag het koken van deze spoelvloeistof plaats, met een gedeeltelijke omzetting ervan in dampvorm 238.19 11, especially at the end of the expansion stroke boiling of this rinsing liquid takes place, with its partial conversion into vapor form 238.

Daarbij geschiedt zulk een damp-ontwikkeling tevens in de micro crevices 232, met uitstuwing van residue vloeibaar spoelmedium daaruit en 15 dit mogelijk tezamen met daarin nog achtergebleven residue reinigingsme-dium 202, Figuur 123.Thereby, such vapor development also takes place in the micro crevices 232, with the expulsion of residual liquid rinsing medium therefrom, and this possibly together with residual cleaning medium 202 still remaining therein, Figure 123.

Binnen het kader van de uitvinding kan zulk een spoei-cyclus zich herhalen, zoals is aangegeven in Figuur 11.Within the scope of the invention, such a blowdown cycle can be repeated, as shown in Figure 11.

In de daarop volgende compressie/expansie-cyclus van het totale wafer 20 reinigingsproces wordt in de vulpositie van net onderkamerblok met behuioIn the subsequent compression / expansion cycle of the total wafer 20 cleaning process, the filling position of the lower chamber block with housing is

MM

van IPA als lichtverdampbaar spoelmedium, fase I van Figuur 6' , deze spoelvloeistof 236 en zijn damp 238 uit deze reinigingsspleten 208 en 210 en daarmede eveneens van de wafer boven- en ondertopography 226/228 afof IPA as a vaporizable rinsing medium, phase I of Figure 6 ', this rinsing liquid 236 and its vapor 238 from these cleaning slits 208 and 210 and thereby also from the wafer top and bottom topography 226/228

0 PCD0 PCD

gedreven, zie tevens de Figuren 11 t/m 11 en 12 en 12 .driven, see also Figures 11 to 11 and 12 and 12.

25 Daarna vindt in de daarop volgende vulpositie van het onderkamerblok,25 Then, in the subsequent filling position of the lower chamber block,

M OM O

Figuur 6 , fase II,en sterk vergroot Figuur 6 , aan het einde van de benedenwaartse expansieslag van het blok met behulp van het instuwen onder overdruk van gefilterd N2 als gasvormig spoelmedium 244 via kanaal 224, daarbij fungerend als toevoerkanaal, en de cilindrische buffer 98 het in 30 benedenwaartse richting uitstuwen van residue IPA damp 242 plaats.Figure 6, phase II, and greatly enlarged Figure 6, at the end of the downward expansion stroke of the block using the pressurized insertion of filtered N2 as gaseous flushing medium 244 through channel 224, serving as supply channel, and the cylindrical buffer 98 expelling residue IPA vapor 242 in a downward direction.

Zulks via de kanalen 42 en 44, daarbij tijdelijk fungerend als afvoerka-This is done via channels 42 and 44, thereby temporarily acting as a drain

Aa

nalen, in combinatie met de afvoerkanalen 46 en 48, Figuur 15 .needles, in combination with the discharge channels 46 and 48, Figure 15.

In een gunstige werkwijze vindt daarbij vervolgens wederom de opwaartse maximale compressieslag van het onderkamerblok plaats, Figuur 6N, met 35 tenminste tijdelijk een nog voortgezette toevoer van gasvormig medium 244 via kanaal 224 en afvoer ervan tezamen met restanten IPA damp 242 via de kanalen 42, 44, 46 en 48.In a favorable method, the upward maximum compression stroke of the lower chamber block then takes place again, Figure 6N, with at least temporarily a continued supply of gaseous medium 244 via channel 224 and discharge thereof together with remnants of IPA vapor 242 via channels 42, 44. , 46 and 48.

Daarop volgend vindt in de eindfase van dit totale wafer reinigings-P RSubsequently, in the final phase of this total wafer, cleaning P R is found

systeem, Figuur 6 , en sterk vergroot Figuur 6 , het benedenwaarts 40 bewegen van dit onderkamerblok naar zijn onderste wafer transferpositie 1007357 - 26 - plaats.system, Figure 6, and greatly enlarged Figure 6, moving this lower chamber block downward to its lower wafer transfer position 1007357-26 position.

Daarbij wordt de gereinigde wafer 18 nog door een aantal wafer draag/ centreerstiften 50 etc., welke zich niet in de wafer transferzóne bevinden, gedragen, terwijl de andere stiften verder benedenwaarts zijn ver-5 plaatst ten behoeve van het brengen van de robot-arm 258 binnen de module naar de denkbeeldig aangegeven overneempositie 246 ervan onder de wafer 18.In addition, the cleaned wafer 18 is still carried by a number of wafer carrying / centering pins 50, etc., which are not located in the wafer transfer zone, while the other pins are moved further downwards in order to bring the robot arm 258 within the module to its imaginary transfer position 246 below the wafer 18.

Aa

In de Figuur 14 zijn de trilwanden 32 en 34 voorzien van de respectievelijke micro-groeven 260 en 262.In Figure 14, the vibrating walls 32 and 34 are provided with the respective micro-grooves 260 and 262.

10 Deze strekken zich in een aantal series ervan in laterale richting van deze wanden uit, met tussengelegen vlakke wandsecties.In some series thereof they extend laterally of these walls, with intermediate flat wall sections.

Daarbij zijn de profielen ervan zodanig, dat het door deze groeven gedivergeerd wordende medium in de beide spleten een resulterende krachtwerking uitoefent op ce wafer 18 in de richting van verdraaiing ervan.In addition, their profiles are such that the medium diverged by these grooves in the two slits exerts a resulting force on the wafer 18 in the direction of its rotation.

15 Tevens vindt daarbij de inwerking van dit gedivergeerde, megascniscn trillende remigingsmedium 204 op de wafer boven- en cndertcpographv 226/228 plaats, zoals tevens in de Figuur 14 sterk vergroot is aangegeven veer de micro crevice 232 en grenslaag 230 van deze bcventopccrapny. In de Figuur 14^, met de daarin aangegeven benedenwaartse expansie-20 slag van de oncertrilwanc 34, vindt de inwerking van de combinatie van vloeibaar remigingsmedium 204 en dampvermig medium 234 onder trillende conditie ervan cp de wafer boven- en cncertcpograDhy 226/228 . ,D . t . .. / ' p.aats, met m riguur x4 zeer sterx vergroot ce verwijcermg van rijn vernevelde residue vlceistofdeeitjes 204 tezamen met eventuele verent- 25 reinigingen door het verdampen van iaagkokend vloeibaar medium in zulk een crevice 232, waarbij de opwaartse verplaatsing van het ontwikkelde campvormige medium 234 tezamen met deze vloeistofdeeltjes en eventuele verontreinigingen uit deze crevice in de richting van het centrum van de bovenreinigincsspleet 208.At the same time, the action of this divergent, megascnic vibrating inhibiting medium 204 takes place on the wafer top and bottom 226/228, as is also greatly enlarged in Figure 14, as shown above the micro crevice 232 and boundary layer 230 of this bcventopccrapny. In Figure 14 ^, with the downward expansion stroke of the uncontrolled roller 34 indicated therein, the action of the combination of liquid inhibiting medium 204 and vaporous medium 234 under its vibrating condition is found on the wafer top and container 226/228. , D. t. In addition, with steril x4 very sterx, the removal of rhinized atomized residual flaccid eggs 204 along with any purification by evaporation of low boiling liquid medium in such a crevice 232, with the upward displacement of the developed camp-shaped medium 234 along with these fluid particles and any contaminants from this crevice toward the center of the top cleaning slit 208.

7^ B7 ^ B

30 Figuren 7' en 7 tonen sterk vergroot een gedeeltelijke langscoorsnede van de module 10 volgens de Figuur 1, met daarin de toepassing van hetFigures 7 'and 7 show a greatly enlarged partial longitudinal section of the module 10 according to Figure 1, in which the application of the

A RA R

totale wafer reinigingssvsteem volgens de Figuren 6 t/m 6‘ .total wafer cleaning system according to Figures 6 to 6 ".

Figuur 7 toont daarbij het einde van de opwaartse compressiesiag van het onderkamerblok 14 en daarmede van de ondertrilwand 34.Figure 7 shows the end of the upward compression layer of the lower chamber block 14 and thus of the lower vibration wall 34.

35 Daarbij drukken de beide trilwanden 32 en 34 tezamen met de respectievelijke transducer-opstellingen 22 en 26 onder de overdruk p++ van her remigingsmedium 204 in de beide reinigingsspleten 208 en 210 met de tussenliggende micro-film koelvloeistof 68 tegen de respectievelijke aan-slagnokken 212 en 214, welke zijn opgenomen in de respectievelijke trans- 1007357 - 27 - ducerkamers 20 en 24.Both vibrating walls 32 and 34, together with the respective transducer arrangements 22 and 26, press under the overpressure p ++ of the braking medium 204 into the two cleaning gaps 208 and 210 with the intermediate micro-film coolant 68 against the respective stop cams 212 and 214, which are contained in the transducer chambers 20 and 24, respectively.

BB

De Figuur 7 toont het einde van de benedenwaartse expansieslag van dit onderkamerblok, waarbij de wafer 18 op de draag/centreerstiften 50 t/m 60 is komen te rusten, met door de circa 100-voudige volume-vergroting 5 van de beide reinigingsspleten 208 en 210 de bewerkstelliging van zelfs de aangegeven onderdruk p van het reinigingsmedium 204 en een daardoor gepaard gaande zeer sterke en plotelinge omzetting van het laagkokende gedeelte ervan in damp 234.Figure 7 shows the end of the downward expansion stroke of this lower chamber block, wherein the wafer 18 has come to rest on the carrying / centering pins 50 to 60, with the approximately 100-fold volume increase of the two cleaning slits 208 and 210 the effect of even the indicated underpressure p of the cleaning medium 204 and a concomitant very strong and sudden conversion of the low-boiling part thereof into vapor 234.

Met behulp van de op de beide trilwanden 32 en 34 aangebrachte micro-10 nokken 216 en 218 wordt daarbij belet, dat tijdens het vanaf de bovenste compressie-positie van dit onderkamerblok benedenwaarts verplaatsen ervan de wafer 18 onder capillaire kleefkrachtwerking van het vloeibare gedeelte van het. reinigingsmedium 204 tegen één van deze wanden 32 of 34 blijft kleven, waardoor tenminste het reinigingssvsteem niet kan worden ver-15 stoort. Daarbij is de hoogte van deze nokken afhankelijk van de sterkte van deze kleefkracntwerking van het reinigingsmedium.With the aid of the micro-cams 216 and 218 mounted on the two vibrating walls 32 and 34, this prevents the wafer 18 from moving downwards from the upper compression position of this lower chamber block under capillary adhesion action of the liquid part of the . cleaning medium 204 sticks to one of these walls 32 or 34, so that at least the cleaning system cannot be disturbed. The height of these cams depends on the strength of this adhesive effect of the cleaning medium.

Zoals daarbij denkbeeldig is aangegeven, kunnen in een alternatieve module-uitvoermg de nokken 216 op de ondertrilwand 34 een zodanige hoogte hebben, dat de wafer 18 aan het einde van de expansieslag daarop komt te 20 rusten en vindt pas overname van deze wafer door de serie draag/centreerstiften 50 t/m 60 plaats aan het einde van het totale wafer reinigingsproces, waarbij ten behoeve van de af voer van de gereinigde wafer het on-derkamerblok 14 en daarmede de trilwand 34 verder benedenwaarts wordt bewogen.As shown in an imaginary manner, in an alternative module output, the cams 216 on the vibrating wall 34 may have such a height that the wafer 18 rests thereon at the end of the expansion stroke and only takes over of this wafer by the series. Carrying / centering pins 50 to 60 take place at the end of the total wafer cleaning process, wherein the lower chamber block 14 and thereby the vibrating wall 34 is moved further downwards for the purpose of discharging the cleaned wafer.

A EA E

25 Figuren 8 t/m 8 tonen voor de module volgens de Figuur 1 en met hetFigures 8 to 8 show for the module according to Figure 1 and with the

A RA R

totale wafer reinigingsproces volgens de Figuren 6 t/m 6 de daarbij plaats vindende öruk-opbouw van de mediums 204, 68 en 110 in respectievelijk de reinigingskamer 16, de beide transducerkamers 20 en 24 en de slot-kamer 106 tijdens: 30 a) de opwaartse verplaatsing van het onderkamerblok 14 vanaf zijn onderste wafer transferpositie naar zijn medium-vulpositie voor de reinigingskamer 16, Figuur SA; b) het in deze vulpositie vullen van deze reinigingskamer met reinigingsmedium 204; 35 c) de verdere opwaartse verplaatsing van het onderkamerblok als compres- coverall wafer cleaning process according to Figures 6 to 6, the pressure build-up of the mediums 204, 68 and 110 taking place in the cleaning chamber 16, the two transducer chambers 20 and 24 and the lock chamber 106 respectively during: 30 a) the upward movement of the lower chamber block 14 from its lower wafer transfer position to its medium fill position for the cleaning chamber 16, Figure SA; b) filling this cleaning chamber with cleaning medium 204 in this filling position; C) the further upward displacement of the lower chamber block as compress c

sieslag ervan naar zijn bovenste wafer reinigingspositie, Figuren 8 en qDstroke to its top wafer cleaning position, Figures 8 and qD

8 ; en d) tenslotte het einde van deze ccntpressieslag van dit onderkamerblok,8; and d) finally the end of this compression stroke of this lower chamber block,

EE

Figuur 8 .Figure 8.

1007357 - 28 -1007357 - 28 -

Binnen het kader van de uitvinding zijn daarbij echter variaties in zulk een druk-opbouw van de verschillende samenwerkende mediums mogelijk.Within the scope of the invention, however, variations in such a pressure build-up of the various co-operating mediums are possible.

Verder zijn de afsluitsystemen voor deze kamers eenvoudig in open en dichte positie ervan aangegeven, met daarbij echter elk type van af-5 siuitsysteem mogelijk.Furthermore, the shut-off systems for these chambers are simply indicated in their open and closed positions, however, any type of shut-off system is possible.

AG AGAG AG

De Figuren 9‘ t/m 9 tonen vergroot en Figuren 10 t/m 10 sterk vergroot voor de module volgens de Figuur 1 een alternatief wafer reinigingsproces , met de daarbij aangegeven temperatuur- en drukopbouw van de mediums in de beide reinigingsspleten 208 en 210 en de transducerkamers 20 en 24.Figures 9 to 9 show enlarged and Figures 10 to 10 strongly enlarged for the module according to Figure 1 an alternative wafer cleaning process, with the indicated temperature and pressure build-up of the mediums in both cleaning gaps 208 and 210 and the transducer chambers 20 and 24.

^ B A B^ B A B

IC In de Figuren 9‘ en 9 en 10 en 10 aan het einde van de compressie-slag de toename van de temperatuur van zowel de koelvloeistof 68 als van het reinigingsmedium 204 in combinatie met de toename van de druk van dit reinigmgsmedium.IC In Figures 9, and 9 and 10 and 10 at the end of the compression stroke, the increase in the temperature of both the cooling liquid 68 and the cleaning medium 204 in combination with the increase in the pressure of this cleaning medium.

C CC C

In de Figuren 9 en 10 aan het einde van de mini-expansieslac van het 15 onderkamerblok door de sterke volume-vergroting van de beide reinigmcs-spleren 203 en 210 de afname van de druk van het daardoor gedeeltelijk in dampvorm omgezette reinigingsmedium, 204/234, met daarbij maximaal dezelfde druk van de koelvloeistof 68 in ce beice transducerkamers 20 en 24.In Figures 9 and 10 at the end of the mini-expansion slab of the lower chamber block, due to the strong increase in volume of the two cleaning splices 203 and 210, the pressure drop of the cleaning medium partially converted into vapor, 204/234 , with at most the same pressure of the cooling liquid 68 in the beice transducer chambers 20 and 24.

In de Figuren 9° en 10° zonder een plaats vindende toevoer van reini-20 gingsmedium tijdens de daarop volgende compressieslag van het onderkamerblok door de voortgezette warmte-toevoer vanuit de beide transducerkamers 2C en 24 naar de remigingskamer 16 en daarmede naar het reinigingsmedium een daardoor bewerkstelligde verhoogde druk van dit medium en tevens een verdere omzetting in dampvormig medium 234 van een deel ervan, waardoor 25 fijn vernevelde deeltjes vloeibaar reinigingsmedium 204 in de megasonisch trillende micro-kolcm dampvormig medium 234 inwerken op de wafer bovenen onöertopographv 226/228.In Figures 9 ° and 10 ° without a supply of cleaning medium taking place during the subsequent compression stroke of the lower chamber block by the continued heat supply from both transducer chambers 2C and 24 to the braking chamber 16 and thus to the cleaning medium a effected increased pressure of this medium and also a further conversion into vaporous medium 234 of a portion thereof, whereby finely atomized particles of liquid cleaning medium 204 in the megasonically vibrating micro-column vaporous medium 234 act on the wafer on top of topography 226/228.

In de Figuren 9^ en 10"" aan het einde van de maximale expansieslag vindt door de zeer aanzienlijke volume-vergroting van de beide reinigings-30 spleten 208 en 210 een zeer sterke drukval van het reinigingsmedium 204/ 234 naar zelfs een onderdruk ervan plaats, waarbij tevens de temperatuur ervan is verlaagd.In Figures 9 ^ and 10 "" at the end of the maximum expansion stroke, due to the very considerable increase in volume of the two cleaning slits 208 and 210, a very strong pressure drop of the cleaning medium 204/234 to even an underpressure thereof takes place , which also has its temperature lowered.

De druk van de koelvloeistof 68 in de beide transducerkamers 20 en 24 wordt daarbij aangepast, terwijl de temperatuurs-verlaging van deze koel-35 vloeistof mede deze temperatuurs-verlaging van het reinigingsmedium mogelijk maakt.The pressure of the cooling liquid 68 in the two transducer chambers 20 and 24 is thereby adjusted, while the temperature reduction of this cooling liquid also makes this temperature reduction of the cleaning medium possible.

In de Figuren 9 en 10 bij het spoelen respectievelijk hervullen van de beide reinigingsspleten 208 en 210 met toevoer van vers spoel/hervulme-dium 204 onder overdruk wordt daardoor de combinatie van residue-vloei- 1007357 - 29 - stofdeeltjes 204 en dampvormig medium 234 tezamen met eventuele verontreinigingen vanuit de beide reinigingsspleten gedreven.In Figures 9 and 10, when rinsing or refilling the two cleaning slits 208 and 210 respectively with supply of fresh rinse / refilling medium 204 under overpressure, the combination of residue liquid particles 1007357-29 and vaporous medium 234 together becomes thereby. with any contaminants driven from both cleaning slits.

Binnen het kader van de uitvinding dienen in een alternatieve module-Within the scope of the invention, an alternative module

G GG G

uitvoering en werkwijze, Figuren 9 en 10 , deze wafer draag/centreerstif-5 niet ter mede bewerkstelliging van de in hoogterichting al dan nier centrale vulpositie van de wafer binnen de reinigingskamer, zoals reedsEmbodiment and Method, Figures 9 and 10, this wafer does not carry / centering pin-5 to co-effect the height-filling or not central filling position of the wafer within the cleaning chamber, as already

BB

denkbeeldig is aangegeven in de Figuur 7 , en wordt deze vulpositie uitsluitend verkregen door middel van deze nokken 218 op de ondertrilwand 34. Zulks is mogelijk toepasbaar voor tenminste een groot aantal wafer rei-10 nigingsprocessen, zoals daarbij de reiniging van de wafer boventopography 226 primair is en van de wafer ondertopographv 228 secundair en vindt m de onderreinigingsspleet 210 dan toch nog een toereikende reiniging van deze wafer-onderzijce plaats.imaginary is shown in Figure 7, and this fill position is obtained only by means of these cams 218 on the sub-vibration wall 34. This may be applicable to at least a large number of wafer cleaning processes, such as cleaning the wafer top topography 226 primarily and of the wafer subtopograph of 228 is secondary, and then the sub-cleaning gap 210 still performs an adequate cleaning of this wafer bottom side.

Daarbij geschiedt na het wafer reinigingsproces pas na het over enige 15 afstand verder naar beneden verplaatsen van het onderkamerblok 14 m de richting van de onderste wafer transferpositie ervan de overname van deze wafer door deze wafer draag/centreerstifcen.After the wafer cleaning process, only after the lower chamber block 14 m has been moved further downwards, the direction of the lower wafer transfer position thereof takes place, the transfer of this wafer by these wafer carrying / centering pens takes place.

Daarbij vmct tevens een nog aanzienlijker volume-·vergroting van de primaire bcvenreinigingsspleet 208 en nagenoeg geen volurne-vergroting van 20 de onderreinigingsspleet 210 plaats tijdens de benedenwaartse expansie-slag van het onderkamerblok 14 vanaf zijn bovenste ccmpressie-positie.In addition, an even more substantial volume increase of the primary cleaning slit 208 and substantially no full-scale enlargement of the lower cleaning slit 210 occurs during the downward expansion stroke of the lower chamber block 14 from its upper compression position.

Binnen het kader van de uitvinding kan verder tijdens het reinigingsproces zulk een maximale volume-vergroting van de bcvenreinigingsspleet veelvuldig plaats vinden, waarbij de vulpositie voor de wafer bepaald 25 wordt door de hoogte van deze nokken 218.Within the scope of the invention, further, during the cleaning process, such a maximum volume increase of the wafer cleaning gap can frequently take place, the filling position for the wafer being determined by the height of these cams 218.

AF ADAF AD

Figuren 11 t/m 11 tonen sterk vergroot en Figuren 12' t/m 12 zeer sterk vergroot de spoelfase in het reinigingsproces volgens de Figuren 6'^ t/m 6^.Figures 11 to 11 show greatly enlarged and Figures 12 to 12 very strongly increase the rinsing phase in the cleaning process according to Figures 6 to 6 ^.

Figuur 11'^ toont daarbij het spoelen en hervullen van de beide reini-30 gingsspleten met Dl water 236 aan het einde van de expassieslag van het onderkamerblok 14 en daarmede van de ondertrilwand 34.Figure 11 'shows the rinsing and refilling of both cleaning slits with D1 water 236 at the end of the expansion stroke of the lower chamber block 14 and thus of the lower vibration wall 34.

Figuur 12 toont daarbij zeer sterk vergroot het spoelen en vervolgens hervullen met Dl water 236 van de crevices 232 van de wafer boventopography 226.Figure 12 shows very greatly increased rinsing and then refilling with D1 water 236 of the crevices 232 of the wafer top topography 226.

g 35 Figuur 11 toont nabij het einde van de daarop volgende ccmpressieslag van het onderkamerblok het uitdrijven van Dl water 236 uit de beide reinigingsspleten 208 en 210.Figure 11 shows near the end of the subsequent compression stroke of the lower chamber block the expulsion of D1 water 236 from both cleaning slits 208 and 210.

10u;5 5 V10am; 5 5V

- 30 -- 30 -

CC

Figuur 11 toont aan het einde van de daarop volgende expansieslag door het koken van het Dl water het gedeeltelijk omzetten ervan in damp- vormig medium 238.Figure 11 shows at the end of the subsequent expansion stroke by boiling the D1 water its partial conversion into vaporous medium 238.

99

Figuur 12 toont daarbij zeer sterk vergroot door het koken van het 5 Dl water 236 in de crevice 232 van de wafer 18, met omzetting ervan in dampvormig medium 238, het uitdrijven daaruit van het grootste gedeelte van dit Dl water.Figure 12 shows very greatly enlarged by boiling the 5 Dl water 236 in the crevice 232 of the wafer 18, with its conversion into vaporous medium 238, expelling the major part of this D1 water.

D ED E

Figuren 11 en 11 tonen daarbij sterk vergroot de daarop volgende spoelfase voor de beide reinigingsspleten 208 en 210 met behulp van IPA 10 ais spoelmedium 240, met uitdrijving van residue Dl water 236 en waterdamp 238.Figures 11 and 11 show greatly enlarged the subsequent rinsing phase for both cleaning slits 208 and 210 using IPA 10 as rinsing medium 240, with expulsion of residue D1 water 236 and water vapor 238.

CC

Figuur 12 toont daarbij zeer sterk vergroot zulk een spoelfase ter plaat.se van de crevice 222 van de wafer boventopograp'ny 226.Figure 12 shows very greatly enlarged such a rinsing phase at the location of the crevice 222 of the wafer top topography 226.

F DF D

Figuren _± en i2 tonen tenslotte het met behulp van gasvormig spoel-15 medium, 244 uitdrijven van residue IPA damp 242 uit de beide reinigings-spiete.n 208 en 210 en daarmede tevens uit de crevices 232 van de wafer bcventopography.Finally, FIGS. ± and 12 show the expulsion of residual IPA vapor 242 by means of gaseous rinse medium 244 from the two cleaning spits 208 and 210 and thereby also from the crevices 232 of the wafer bcventopography.

a AAa AA

In ae Figuur It is m de dwarsdoorsnede 15 - 15 * van de module volgens de Figuur I de te reinigen wafer 18 met behulp van de denkbeeldig aange-20 geven robot-arm 258 tot boven de wafer draag/centreerstiften 50 t./m 60 gebracht en vervolgens door middel van de wafer centreersecties 220 van deze stiften naar zijn correcte wafer reinigingspositie ten opzichte van de reinigmgskamer-uitsparing 16, zoals tevens is aangegeven in Figuur 15β, gebracht.In Figure 1e, the cross-section 15-15 * of the module according to Figure I is the wafer 18 to be cleaned using the imaginary robot arm 258 indicated above the wafer carrying / centering pins 50 to 60. and then brought to its correct wafer cleaning position relative to the cleaning chamber recess 16, as also shown in Figure 15β, by means of the wafer centering sections 220 of these pins.

25 Via de toevoer-uitmonding 42 worden vervolgens in de vulpositie vanSubsequently, via the supply mouth 42, the filling position of

CC

het onderkamernlok (Figuur 6 ) stromen reinigingsvloeistof 204 door de aangegeven boven-reinigingsspleet 208 en door de zich onder de wafer bevindende onder-reinigingsspleet 210 naar de tegenover liggende afvoer-uirmonüing 46 gestuwd.the lower chamber nipple (Figure 6), cleaning fluid 204 flows through the indicated top cleaning slit 208 and through the bottom cleaning slit 210 located below the wafer to the opposite drain assembly 46.

30 Tegelijkertijd wordt via de toevoer-uitmonding 44 soortgelijk reinigings-meöium 204 via deze spleten 208 en 210 naar de afvoer-uitmonding 48 gestuwd .At the same time, via the feed outlet 44, similar cleaning medium 204 is pushed through these slits 208 and 210 to the discharge outlet 48.

Daarbij kant een gedeelte van het uit de uitmonding 42 gestuwde medium ook terecht in de afvoer-uitmonding 48 en uit de uitmonding 44 in de uit-35 monding 46 en zulks mede via het gemeenschappelijke medium toe/afvoerka-naal 40, waardoor tenminste mede een verdraaiing van deze wafer 18 wordt bewerkstelligd, zoals gewenst is ten behoeve van een zo gelijkmatig mogelijk wafer reinigingsproces, daar de transducer-opstellingen 22 en 26, Figuur 1, zoals bekend, uit een aantal naast elkaar gelegen transducer- 1007357 - 31 - elementen bestaat, met daarbij een ongelijkmatige trillings-intensiteit en sterk afnemend aan de uiteinden ervan.A part of the medium pushed out of the mouth 42 also ends up in the discharge mouth 48 and from the mouth 44 in the mouth 46 and this also partly via the common medium supply / discharge channel 40, so that at least also a rotation of this wafer 18 is accomplished, as desired for the most uniform wafer cleaning process, since the transducer arrangements 22 and 26, Figure 1, as known, consist of a number of adjacent transducer elements 1007357-31. , with an uneven vibration intensity and strongly decreasing at the ends thereof.

In de Figuur 15 is nog in een vergroot detail van een sectie van deze dwarsdoorsnede na het terecht koten van de te reinigen wafer 18 boven 5 de reinigingskamer-uitsparing 16 door het vervolgens opwaarts verplaatsen van de wafer draag/centreerstiften 50 t/m 60 de centreersecties 220 ervan terecht gekomen over een beperkte afstand lateraal buitenwaarts deze wafer, zoals denkbeeldig is aangegeven.In Fig. 15, in an enlarged detail of a section of this cross-section, after the wafer 18 to be cleaned has been duly disposed above, the cleaning chamber recess 16 by subsequently displacing the wafer carrying / centering pins 50 to 60 is the centering sections 220 of it landed a limited distance laterally outward this wafer, as shown imaginary.

Door het vervolgens over circa 180° verdraaien van alle, deze wafer 10 dragende stiften 50 t/m 60, zoals voorgaand is omschreven voor de in de Figuren 1 en 2 getoonde module 10, worden deze wafer centreersecties 220 ten opzichte van deze kamer-uitsparing 16 lateraal binnenwaarts gezwenkt, zoals is aangegeven, waardoor deze wafer naar een zodanig contrische positie ervan ten opzichte van deze kamer wordt gedrukt, dat vervolgens door 15 het opwaarts verplaatsen van het onderkamerblok 14 deze wafer binnen deze reinigingskamer terecht komt.By subsequently rotating all of the pins 50 to 60 carrying these wafer 10 as described above for the module 10 shown in Figures 1 and 2, these wafer centering sections 220 become with respect to this chamber recess 16 pivoted inward laterally, as indicated, forcing this wafer to move to such a counter-position relative to this chamber that subsequently moving the lower chamber block 14 upwardly enters this wafer within this cleaning chamber.

In de Figuur 16 is in een gedeeltelijke langscoorsnede van de moduie-uitvoering 10' ’ ' de bovenzijde van de ondermi wand 34''' aangegeven.In Figure 16 the top of the bottom wall 34 '' 'is indicated in a partial longitudinal section of the module embodiment 10' ''.

Daarbij zijn op deze trilwand naast de groepen micro-nokken 218' ' ' zevensIn addition, on this vibrating wall next to the groups of micro-cams are 218 '' sevens

Aa

20 een aantal nokken 264 aangebracht, zie tevens Figuur 16 .20 a number of cams 264 are arranged, see also Figure 16.

Zulks ten behoeve van het tijdens het vul- en reinigingsproces onderhouden van een zodanig grote hoogte van de onderspleet 210 1 ' ' , dat bij toepassing van reinigingsmedium 204 met een hoge capillaire adhesie-wer-king toch geen zodanig aankleven van de wafer 18 tegen deze onderwand 34' ' ' 25 plaats vindt, dat bij tenminste mede het openen van de module deze wafer zodanig er tegen gekleefd blijft, dat tijdens het verwijderen ervan vanaf deze wand met behulp van de serie draag/centreerstiften, Figuur 15' , beschadiging van deze wafer geschiedt.This is for the purpose of maintaining such a height of the sub-gap 210 1 '' during the filling and cleaning process that, when cleaning medium 204 with a high capillary adhesion effect is used, the wafer 18 does not adhere to this bottom wall 34 '' '25 takes place that, at least partly when the module is opened, this wafer remains adhered such that during removal thereof from this wall using the series of bearing / centering pins, Figure 15', damage to this wafer occurs.

Deze series micro-nokken 218 1 ' ' zijn daarbij, zoals voorgaand reeds is 30 omschreven, zodanig geprofileerd, dat het erdoor gedivergeerde stromen megasonisch trillende reinigingsmedium 204 een krachtwerking op de wafer 18 uitoefenen in de richting van de gewenst wordende verdraaiing ervan, zoals is aangegeven.These series of micro-cams 218 1 '' are, as already described above, profiled in such a way that the diverged flows of megasonic vibrating cleaning medium 204 exert a force on the wafer 18 in the direction of its desired rotation, as is indicated.

Deze nokken 264 betalen tevens de hoogte van de onderreinigingsspleet 35 210111 in de vulpositie van het onderkamerblok 14 1 1' en daarmede van de ondertrilwand 34' 1 1 , zoals in de Figuur 16 is aangegeven, met daarbij eveneens de ruime bovenreinigingsspleet 208'1 ' ,These cams 264 also pay for the height of the bottom cleaning gap 35 210111 in the filling position of the bottom chamber block 14 1 1 'and thereby of the bottom vibration wall 34' 1 1, as shown in Figure 16, also including the spacious top cleaning gap 208'1 '. ,

De boventrilwand 32''' bevat eveneens de series micro-nokken 216 1 ' ' ten behoeve van het tenminste mede divergeren van de stromen megasonisch 1007357 - 32 - trillende reinigingsmedium 204.The upper vibrating wall 32 '' 'also contains the series of micro-cams 216 1' 'for at least co-diverging the flows megasonic 1007357 - 32 - vibrating cleaning medium 204.

gg

In de Figuur 16 is deze boventrilwand 34'’'' geheel vlak en is daarbij wederom de vulpositie van het onderkamerblok en daarmede van de onder-trilwand 34' 1 ' ' aangegeven.In Figure 16, this upper vibrating wall 34 '' '' is completely flat, again indicating the filling position of the lower chamber block and thus of the lower vibrating wall 34 '1' '.

5 In de Figuur 16 aan het einde van de opwaartse compressieslag van dit onderkamerblok dan het mogelijk bewerkstelligen van de aangegeven micro- hoogte van de bovenreinigingsspleet 208'’'' ten behoeve van een optimaal reinigingsproces van de wafer 18.In Figure 16 at the end of the upward compression stroke of this lower chamber block, then possible effecting of the indicated micro height of the top cleaning slit 208 '' '' for an optimal cleaning process of the wafer 18.

A EA E

Figuren 17 t/m 17 tonen binnen het kader van de uitvinding opvolgende 10 fasen van een alternatief wafer reinigingssysteem voor de module volgens de Figuur 1, waarbij in de vulpositie van het onderkamerblok geen centrale positie in opwaartse richting van de wafer 18 binnen de reinigingskamer 16 wordt bewerkstelligd met behulp van.de serie wafer draag/centreerstiften, Figuur 15A.Figures 17 to 17 show within the scope of the invention successive 10 phases of an alternative wafer cleaning system for the module according to Figure 1, wherein in the filling position of the lower chamber block no central position in the upward direction of the wafer 18 within the cleaning chamber 16 is accomplished using the series of wafer carrying / centering pins, Figure 15A.

15 daarbij dragen de micrc-nokken 218 op de ondertrilwand 34 reeds de wafer 13 in de vulpositie van net onderkamerblok 14, met aldus de maximale hoogte van de primaire bovenreinigingsspleet 208 en de minimum hoogte van de secundaire oncerreinigingsspleet 210 tijdens het vullen, spoelen en her-vu__er. met medium ervan, zoals is aangegeven in de Figuur 1,· , rase I.In addition, the micro-cams 218 on the bottom vibrating wall 34 already carry the wafer 13 in the filling position of the bottom chamber block 14, thus with the maximum height of the primary top cleaning gap 208 and the minimum height of the secondary uncleaning gap 210 during filling, rinsing and re-cleaning. -vu__er. with medium thereof, as indicated in Figure 1, · stage I.

20 Zulk een wafer-positie is reeds rroceiijk als met behulp van het niet aangegeven mediumslct 100/104, Figuur 1, reeds afsluiting van deze reini-gincskamer 16 is bewerkstelligd.Such a wafer position is already rocious if closure of this cleaning chamber 16 has already been effected by means of the medium 100/104, not shown, Figure 1.

Verder vindt aan het einde van de opwaartse ccmpressiesiac van dit on- g derkamerblok 11, Figuur i7 , fase het optimaal verkleinen van de hoogte 25 van deze bovenreinigingsspleet 208 naar circa 30 pm (typ) plaats, waarbij dit onderkamerblok tegen het bovenkamerblok 12 (Figuur 1) is komen te drukken.Further, at the end of the upward compression siac of this lower chamber block 11, Figure 17, phase optimally decreases the height of this upper cleaning gap 208 to approximately 30 µm (typ), this lower chamber block against the upper chamber block 12 (Figure 1) has come to print.

De nokken 218 maken daarbij nog geen mechanisch contact met de wafer 18.The cams 218 do not yet make mechanical contact with the wafer 18.

Vervolgens vindt in deze positie door een sterke warmte-toevoer vanaf 30 de beide rransducer-opstellingen 22 en 26, Figuur 1, via de beide tril-Subsequently, in this position, through a strong heat supply from 30, the two transducer arrangements 22 and 26, Figure 1, are found via the two vibrating

wande.n 32 en 34, zoals reeds omschreven voor de werkwijze volgens de Fi-A Rwande.n 32 and 34, as already described for the method according to the Fi-A R.

guren 6 t/m 6 , het omzetten van tenminste een gedeelte van het vloeibare reinigingsmedium 204 in dampvormig medium 234 in tenminste de bovenreinigingsspleet 208 plaats, met reeds het uitdrijven vanresidue-vloei-6 to 6, converting at least a portion of the liquid cleaning medium 204 into vaporous medium 234 into at least the top cleaning slit 208 with already expelling residual liquid.

CC

35 baar medium daaruit. Figuur 17 , fase I.35 medium from it. Figure 17, phase I.

Tijdens de daarop volgende benedenwaartse expansieslag van dit onderkamerblok en daarmede van de ondertrilwand 34, Figuur 17°, fase I.vindt dan het voortgezet, doch versterkt omzetten van reinigingsmedium 204 in dampvormig medium 234 in de beide reinigingsspleten 208 en 210, met een 1007357 - 33 - nog voortgezette uitdrijving van reidue vloeibaar medium 204 daaruit, plaats.During the subsequent downward expansion stroke of this lower chamber block and thereby of the lower vibrating wall 34, Figure 17 °, phase I. the continued, but enhanced conversion of cleaning medium 204 into vaporous medium 234 in both cleaning gaps 208 and 210, with a 1007357 - then takes place. 33 - Continue to expel Reidue liquid medium 204 therefrom, insert.

Daarbij met behulp van de damp-ontwikkeling in de onderreinigingsspleet 210 het bewerkstelligd lichten van de wafer 18 vanaf deze nokken 218.Thereby, with the aid of the vapor development in the sub-cleaning gap 210, the wafer 18 is lifted from these cams 218.

5 Vervolgens komt door toevoer van vers reinigingsmedium 204 naar de £ reimgingskamer 16, Figuur 17 , fase I, met vooral het daarbij gepaard gaande opwaarts stuwen van vers reinigingsmedium naar de bovenreinigings-spleet 208,de wafer 18 wederom met een tussenliggende film vloeibaar medium op deze nokken te rusten.Subsequently, by supplying fresh cleaning medium 204 to the cleaning chamber 16, Fig. 17, phase I, in particular with the accompanying upward pushing of fresh cleaning medium to the top cleaning slit 208, the wafer 18 again rises with an intermediate film of liquid medium. to rest these cams.

& 10 Zoals in deze vulpositie volgens de Figuur 17 na de reinigingsfase I spcelvlceistof 236 wordt toegeveerd, fase II, vindt tijdens de compressie-slag van het oncerkamerblok 14, Figuur 17 , fase II, het uitdrijven daarmede van residue vloeibaar reinigingsmedium 204 en dampvormig medium 234 uit de beide reinigingsspleten 208 en 210 plaats.& 10 As in this filling position of Figure 17, after the cleaning phase I is supplied spceline fluid 236, phase II, during the compression stroke of the undercutting chamber block 14, Figure 17, phase II, the expulsion of residue liquid cleaning medium 204 and vaporous medium therewith 234 from both cleaning slits 208 and 210.

15 Vervolgens vindt door de aanzienlijke warmte-toevoer aan het einde vanThen, due to the considerable heat supply at the end of

CC

ae compressiesiac, Figuur 17 , fase II, aaarbij door omzetting van tenminste een gedeelte van het spoeimedium 236 in dampvormig medium 238 een verdere uitstuwing daarmede van deze combinatie 204 en 234 uit deze spleten plaats.The compression sac, Figure 17, phase II, in which, by converting at least a portion of the spitting medium 236 into vaporous medium 238, a further propulsion of this combination 204 and 234 from these slits takes place.

20 Daarna geschiedt aan het einde van de daarop volgende expansieslac van cit blok, Figuur 1, , fase II, het uitstuwen van ae combinatie van vloeibaar medium in fijn vernevelde vorm ervan 236 en in dampvorm 234 omgezet spoeimedium uit deze beide reinigingsspleten met behulp van toegeveerd IPA.Thereafter, at the end of the subsequent expansion slab of cit block, Figure 1, phase II, the ejection of the combination of liquid medium in its finely atomized form 236 and vapor medium converted from these two cleaning slits into vapor forms 234 is carried out with the aid of spring IPA.

UYOU

25 In de Figuur 17", fase II(is de eindfase van het totale wafer reinigingsproces aangegeven, met het spoelen van de beide reinigingsspleten 208 en 210 met gasvormig spoeimedium 244, met uitdrijving daarmede uic deze reinigingsspleten vanresidue-deeltjes vloeibaar IPA 240 en IPA damp 242.In Figure 17 ", phase II (the final phase of the total wafer cleaning process is indicated, with the rinsing of the two cleaning slits 208 and 210 with gaseous spraying medium 244, with expulsion therefrom these cleaning slits of residual particles liquid IPA 240 and IPA vapor 242.

30 Zoals tenslotte het onderkamerblok 14, Figuur 1, verder benedenwaarts naar zijn onderste wafer transferpositie wordt bewogen, wordt deze gereinigde wafer door de niet aangegeven serie wafer draag/centreerstiften overgenomen ten behoeve van de verdere robotische transfer ervan.Finally, as the lower chamber block 14, Figure 1, is moved further down to its lower wafer transfer position, this cleaned wafer is taken over by the non-indicated series of wafer carrying / centering pins for their further robotic transfer.

A FA F

Figuren 18 t/m 18 tonen voor de module 10 volgens de Figuren 1 en 35 4 nog een alternatieve werkwijze van het totale wafer reinigingsproces.Figures 18 to 18 show for the module 10 according to Figures 1 and 35 an alternative method of the total wafer cleaning process.

Figuur 18 toont in een gedeeltelijke langsdoorsnede van deze module het laterale uiteinde van de reinigingskamer 16.Figure 18 shows in partial longitudinal section of this module the lateral end of the cleaning chamber 16.

Daarbij strekt in het bovenkamerblok 12 het daarin opgenemen cilindrische qasbuffer-compartiment 98 zich in laterale richting voor een groot 1007357 - 34 - gedeelte ervan uit boven het cilindrische medium toe/afvoerkanaal 40.Thereby, in the upper chamber block 12, the cylindrical gas buffer compartment 98 accommodated therein extends laterally for a large 1007357-34 portion thereof above the cylindrical medium supply / discharge channel 40.

A CA C

Figuur 18 en zeer sterk vergroot Figuur 18 tonen het einde van de opwaartse compressieslag van het onderkamerblok 14, met een daarbij bewerkstelligde verhoging van de temperatuur van de beide trilwanden 32 5 en 34, het reimgingsmedium 204 in de beide reinigingsspleten 208 en 210 en de wafer 18.Figure 18 and greatly enlarged Figure 18 show the end of the upward compression stroke of the lower chamber block 14, with an increase in the temperature of the two vibrating walls 32 and 34, the cleaning medium 204 in the two cleaning slits 208 and 210 and the wafer effected thereby. 18.

Daarbij wederom, zoals denkbeeldig is aangegeven in de Figuur 7 , het met behulp van de serie wafer draagnokken 218 op de ondertrilwand 34 het bewerkstelligen van een centrale positie van de wafer 18 in de hoogte-10 richting van de reinigingskamer 16, met aan weerszijde ervan deze reinigingsspleten 208 en 210.Thereby again, as is imaginary shown in Figure 7, with the aid of the series of wafer mounting cams 218 on the vibrating wall 34, establishing a central position of the wafer 18 in the height-10 direction of the cleaning chamber 16, on either side thereof these cleaning slits 208 and 210.

B DB D

Figuur 18 en zeer sterk vergroot Figuur 18 tonen daarbij een daaropvolgende plotselinge drukverlaging van het medium in deze spleten, met een bewerkstelligd koken van het laagkokende gedeelte ervan en aldus reeds 15 afveer van deeltjes vloeibaar reinigingsmedium 204 tezamen met het gevormde dampvormige medium 234 daaruit.Figure 18 and greatly enlarged Figure 18 thereby show a subsequent sudden drop in pressure of the medium in these slits, with an effected boiling of the low-boiling portion thereof and thus already removal of particles of liquid cleaning medium 204 together with the vaporous medium 234 formed therefrom.

t?t?

Figuur 13“ toont zeer sterk vergroot: tijdens de daarop volgende aanzienlijke benedenwaartse expansieslag van her onderkamerblok 14 naar zijn spoel/ hervui-positie door de daarbij gepaard gaande verdere aanzienlijke drukver-20 lacing en aldus verdamping van het noc aanwezige laagkokende vloeibare medium een daarmede remuinste nagenoeg geheel uitdrijven van de in de beide reinigingsspleten onder megasonische trillmgsconditie vernevelde vloeistof deeltjes tezamen met dampvormig medium 234.Figure 13 shows very strongly enlarged: during the subsequent considerable downward expansion stroke of the lower chamber block 14 to its rinse / reflux position due to the associated further considerable pressure release and thus evaporation of the noc low boiling liquid medium present, and a return thereto. almost completely expel the liquid particles atomized in the two cleaning slits under megasonic vibration condition together with vaporous medium 234.

Hij toepassing van IPA 240, fase II, als tweede spoelmedium na Dl warer 25 als eerste spoelmedium, fase I, het daarbij reeds geheel verdampen ervan aan het einde van deze expansieslag.He uses IPA 240, phase II, as the second rinsing medium after D1 warer 25 as the first rinsing medium, phase I, thereby already completely evaporating it at the end of this expansion stroke.

pp

Figuur 18 toont daarbij de opvolgende spoelprocessen onder toepassing van het Dl water 236, IPA 240 en N 244.Figure 18 shows the subsequent rinsing processes using the D1 water 236, IPA 240 and N 244.

A B ^A B ^

Figuren 19 en 19 tonen voor de module 10' volgens de Figuur 3 ver-20 groot de opvolgende fasen van de transfer van een te reinigen wafer 18 naar zijn positie boven de serie wafer draag/centreerstiften 50't/m 60!Figures 19 and 19 show for the module 10 'according to Figure 3 the subsequent phases of the transfer of a wafer 18 to be cleaned to its position above the series of wafer carrying / centering pins 50 to 60!

Daarbij in de Figuur 19 de aanvoer van deze wafer 18 tot boven deze stiften.In Figure 19, the supply of this wafer 18 to above these pins.

Vervolgens na opheffen van het vacuum in de aanzuigleiding 248 van de β 35 robot-arm, fase I in Figuur 19 , het opwaarts verplaatsen van de stiften met het verwijderen van deze wafer vanaf deze robot-arm, fase II.Then, after releasing the vacuum in the suction line 248 of the β 35 robot arm, phase I in Figure 19, moving the pins upward removing this wafer from this robot arm, phase II.

Aa

Verder dan in fase III het verdraaien van deze stiften, waardoor de wafer centreersecties 220' ervan deze wafer naar zijn centrale positie ten opzichte van de niet aangegeven reinigingskamer-uitsparing in het 1007357 - 35 -Beyond turning phase III in these pins, the wafer centering sections 220 'thereof move this wafer to its central position relative to the not shown cleaning chamber recess in the 1007357 - 35 -

A BA B

onderkamerblok brengen, zoals is aangegeven in de Figuren 15 en 15 . Tevens wordt dan al dan niet gelijktijdig de robot-arm 258 terug uit jg deze module bewogen, fase III .lower chamber block as shown in Figures 15 and 15. Also, the robot arm 258 is then moved back from this module, phase III, simultaneously or otherwise.

Tijdens deze wafer transferperiode wordt in de beide transducerkamers 5 20' en 24' een onderdruk van de koelvloeistof 68 onderhouden, zodat tijdens deze wafer transfer de trilwanden 32' en 34' tezamen met de respectievelijke transducer-opstellingen 22' en 26' met een tussenliggende film koelvloeistof tegen de respectievelijke aanslagnokken 212' en 214' gedrukt zijn.During this wafer transfer period, an underpressure of the cooling liquid 68 is maintained in both transducer chambers 5 20 'and 24', so that during this wafer transfer the vibrating walls 32 'and 34' together with the respective transducer arrangements 22 'and 26' with an intermediate film of coolant are pressed against the respective stop cams 212 'and 214'.

10 Figuur 20 toont sterk vergroot een gedeeltelijke langsdoorsnede van de module 10' volgens de Figuren 3 en 5 tijdens het daarin plaats vindende wafer reinigingsproces aan het einde van de opwaartse ccmpressiesiag van het niet aangegeven onderkamerblok en aldus van de combinatie van oncer- trilwand 34' en ondertransduceropstelling 26, waarvan deze trilwand dan 15 als toe- of afvcer-element voor electrische energie naar of vanaf de transducersecties van deze transducer-opstelling fungeert.Figure 20 shows a greatly enlarged partial longitudinal section of the module 10 'according to Figures 3 and 5 during the wafer cleaning process taking place therein at the end of the upward compression of the undersigned block chamber and thus of the combination of oscillating wall 34' and lower transducer arrangement 26, said vibrating wall then serving as an electrical energy supply or delivery element to or from the transducer sections of this transducer arrangement.

ZCai.ö del3ΙΓ toe in de beide transducerkamers 201 en 24' de druk van de koelvloeistof 63 aanzienlijk lager is dan de bewerkstelligde druk van het reinigingsmedium 204 in de beide reinigir.gsspieten 208' en 210' , werden 20 daarbij de combinaties van transducer-opstellingen en trilwanden 22'/32' en 25 1/34 ' met een tussenliggende film kcelvleistof 68 tegen de series nekken 212' en 214' als onderdeel van de respectievelijke kunststofblokke.nIn both transducer chambers 201 and 24 'the pressure of the coolant 63 is considerably lower than the effected pressure of the cleaning medium 204 in the two cleaning impellers 208' and 210 ', the combinations of transducer- arrangements and vibrating walls 22 '/ 32' and 25 1/34 'with an intermediate film cell fabric 68 against the series necks 212' and 214 'as part of the respective plastic blocks.n

Aa

62' en ,2' gedrukt. Figuur 20 .62 'and, 2' printed. Figure 20.

Daarbij wordt het reinigingssysteem voor de boven- en ondertcpocraphyThereby, the cleaning system for the top and bottom copraphy

D -AD -A

25 226/228, zoals is aangegeven in de Figuren 6 en . . toegepast.226/228, as shown in Figures 6 and. . applied.

Tevens is aangegeven, dat daarbij de temperatuur van deze reinigings- vlceistof geleidelijk wordt verhoogd van t naar t ten behoeve van hetIt has also been indicated that the temperature of this cleaning fluid is gradually increased from t to t for the benefit of it

tenminste in de daarop volgende expansieslag, zoals is aangegeven in de E Bat least in the subsequent expansion stroke, as indicated in the E B

Figuren 5 en 7 , in de reinigingsspleten 208' en 210' omzetting van ten-30 minste een gedeelte van het laagkokende deel ervan in dampvormig medium 234, Figuur 20B.Figures 5 and 7, in the cleaning slits 208 'and 210' conversion of at least a portion of its low boiling portion into vaporous medium 234, Figure 20B.

Door de plaats vindende drukval van de mediums in deze spleten in combinatie met het daarbij gepaard gaande dalen van de temperatuur ervan, waartoe tevens, zoals is aangegeven, tijdelijk de beide transducer-opstel- 35 lincen 22' en 26' buiten werking zijn gesteld, heeft daarbij een algehele camperatuursdaling van het inwendige van de module 10' plaats gevonden ten behoeve van een optimale toevoer van vers vloeibaar medium naar deze spleten in de volgende reinigingsfase.Due to the pressure drop of the mediums in these slits in combination with the accompanying drop in their temperature, for which, as indicated, the two transducer mountings 22 'and 26' are temporarily deactivated, an overall decrease in temperature of the interior of the module 10 'has taken place in order to optimize the supply of fresh liquid medium to these gaps in the next cleaning phase.

ABCABC

Figuren 21 , 21 en 21 tonen sterk vergroot de module volgens de Fi- 1007357 - 36 -Figures 21, 21 and 21 show greatly enlarged the module according to the Fi- 1007357 - 36 -

A BA B

guren 20 en 20 in secties ervan, waarbij het spoelen met Dl water 236 van de beide reinigingsspleten 2081 en 2101 en daarmede het verwijderen van residue vloeibaar reinigingsmedium in vernevelde toestand ervan tezamen met dampvormig medium 234 via het cilindrische toe/afvoerkanaal 5 40 geschiedt in de vulpositie van het onderkamerblok en daarmede van de ondertrilwand 341.Figures 20 and 20 in sections thereof, the rinsing with D1 water 236 of both cleaning slits 2081 and 2101 and thereby removing residual liquid cleaning medium in the atomized state together with vaporous medium 234 via the cylindrical feed / discharge channel 5 40 in the filling position of the lower chamber block and thus of the lower vibration wall 341.

A EA E

Figuren 22 t/m 22 tonen voor de alternatieve module-uitvoering 10" de toepassing van een zelfstandig, in geringe mate flexibel slot-element 100", welke is opgenomen in de cilindrische slot-uitsparing 104" van het 10 onderkamerblok 14", met eronder de slotkamer 106".Figures 22 to 22 show for the alternative module embodiment 10 "the use of a self-contained, slightly flexible lock element 100", which is included in the cylindrical lock recess 104 "of the lower chamber block 14", with underneath the lock chamber 106 ".

Daarbij zijn in de laterale binnenzijde van dit element wederom de serie micro groeven 200" opgenomen ten behoeve van het stuwen van slotmedium 202 in vloeibare vorm ervan vanuit deze slotkamer 106" naar de spieet-sectie 206" tussen de beide kamerbiokken 12" en 14", zoals reeds is aan-15 gegeven in de Figuren 4 en 5.In the lateral inner side of this element, the series of micro grooves 200 "are again included for the purpose of pushing lock medium 202 in liquid form thereof from this lock chamber 106" to the spline section 206 "between the two chamber blocks 12" and 14 " as already indicated in Figures 4 and 5.

ΔΔ

In de Figuur 22"', waarin de transfer van een te reinigen wafer 18 naar de reinigmcskamer-uitsparing 16" geschiedt, is door middel van een bewerkstelligde onderdruk van het vloeibare slotmedium 202 in de slotkamer 106" dit slot-element 100" naar zijn onderste positie gezogen, met daarbij 20 een tenminste nagenoeg geheel afgesloten kamer 106" met behulp van de onderwand 250" van dit element, welke daarbij afdichtend drukt op de on- derwandsecrie 252" van de uitsparing 104".In Fig. 22 "", in which the transfer from a wafer 18 to be cleaned to the cleaning chamber recess 16 "takes place, this lock element 100" is effected by means of an effected depression of the liquid lock medium 202 in the lock chamber 106 ". lower position, with an almost completely closed chamber 106 "by means of the bottom wall 250" of this element, which thereby presses sealingly on the bottom section 252 "of the recess 104".

BB

In Figuur 22 vindt na de opwaartse verplaatsing van het onderkamerblok 14" naar zijn medium vulpositie voor de dan bewerkstelligde reinigings-25 kamer 16" allereerst in fase I toevoer onder overdruk van slotmedium. 202 naar de slotkamer 106" plaats, waardoor het slot-element 100" met zijn bovenwand 254” afdichtend komt te drukken tegen de onderwand 98" van het bovenkamerblok 12".In Figure 22, after the upward movement of the lower chamber block 14 "to its medium, the filling position for the then effected cleaning chamber 16" is first introduced in phase I under overpressure of the closing medium. 202 to the lock chamber 106 ", whereby the lock element 100" with its top wall 254 "comes to press sealingly against the bottom wall 98" of the top chamber block 12 ".

Tevens wordt daarbij via de groeven 200" slotmedium 202 in de spleet-30 sectie 206" en mogelijk zelfs in het cilindrische toe/afvoerkanaal 40" gestuwd.Also, via the grooves 200 "lock medium 202 is pushed into the slit-30 section 206" and possibly even into the cylindrical feed / discharge channel 40 ".

Vervolgens vindt in fase II toevoer van reinigingsmedium 204 via de toevoerkanalen 42" en 44" onder een geringe overdruk ervan naar de beide wafer reinigingsspleten 208" en 210" plaats, met afvoer van het teveel 35 ervan via de kanalen 46" en 48".Subsequently, in phase II, supply of cleaning medium 204 via the supply channels 42 "and 44" takes place under a slight overpressure thereof to the two wafer cleaning slits 208 "and 210", with discharge of the excess 35 thereof via the channels 46 "and 48".

CC

In Figuur 17 vindt vervolgens het verder opwaarts verplaatsen van het onderkamerblok 14" vanuit deze vulpositie ervan plaats als compres-sieslag van dit blok, waarbij het slot-element 100" door dit onderkamerblok verder binnen de uitsparing 104" wordt gedrukt.In Figure 17, the further upward movement of the lower chamber block 14 "from its filling position takes place as a compression stroke of this block, wherein the lock element 100" is pressed further within the recess 104 "by this lower chamber block.

1007357 - 37 -1007357 - 37 -

Daarbij het voortgezet uitstuwen van de combinatie van reinigingsme-dium 204 en slotmedium 202 via het cilindrische toe/afvoerkanaal 40" uit de reinigingskamer naar de afvoerkanalen 46" en 48".Thereby continuing to push out the combination of cleaning medium 204 and lock medium 202 via the cylindrical supply / discharge channel 40 "from the cleaning chamber to the discharge channels 46" and 48 ".

In de Figuur Γ 2° is het einde van deze opwaartse compressieslag aan-5 gegeven, waarbij het onderkamerblok 14" tegen het bovenkamerblok 12" wordt gedrukt. Daarbij vindt in de reinigingsspleten 208” en 210" het hoofcge-deelte van het reinigingsproces van wafer boven- en ondertopographv 226/ 228 met behulp van dit onder megasonische conditie trillende reinigings-medium 204 plaats, zoals soortgelijk reeds is omschreven in de Figuur 6^, 10 met de daarbij bewerkstelligde temperatuursverhoging van dit reinigings-medium.In Fig. 2 °, the end of this upward compression stroke is indicated by -5, the lower chamber block 14 "being pressed against the upper chamber block 12". Thereby, in the cleaning gaps 208 "and 210", the main part of the cleaning process of wafer top and bottom top 226/228 takes place with the aid of this cleaning medium 204 vibrating under megasonic condition, as has already been described in Figure 6 ^. , 10 with the temperature increase of this cleaning medium being effected thereby.

I?I?

In de Figuur 22“ heeft de benedenwaartse verplaatsing van het onderkamerblok 14" als expansieslag ervan plaats gevonden naar zijn spoel/ hervui-oositie.In Figure 22 ", the downward displacement of the lower chamber block 14" has taken place as its expansion stroke to its rinse / reflux position.

15 Daarbij blijft het slot-element 100" onder overdruk van het slotmedium, 202 in slotkamer 206" afdichtend tegen de onderwand 98" van het bovenkamerblok 12" gedrukt.The lock element 100 "remains under pressure of the lock medium, 202 in lock chamber 206" pressed against the bottom wall 98 "of the upper chamber block 12".

In fase I daarbij door het plaats vindende koken van het laagkokende gedeelte van deze rernigingsvlceistof 204, met het bewerkstelligen van het 20 dampvormige medium 234 in de beide reinigingsspleten 208" en 210" en het daarmede mede uitstuwen van reinigingsmedium uit de grenslaag van de wafer boven- en ondertcpography 226/228, zoals omschreven in de Figuur llP, terwijl in fase II het spoelen en hervullen van deze beide reinigingsspleten met vers reinigingsmedium 204 of spoelmedium 236 geschiedt.In phase I thereby by boiling the low-boiling portion of this cleaning fluid 204, effecting the vaporous medium 234 in the two cleaning slits 208 "and 210" and thereby expelling the cleaning medium from the boundary layer of the wafer above and subtcpography 226/228, as described in Figure 11P, while in phase II the rinsing and refilling of both of these cleaning slits is performed with fresh cleaning medium 204 or rinsing medium 236.

25 In de Figuur 23 is de wafer reinigings-installatie 265 aangegeven, met op de draagplaat 268 ervan het navolgende gemonteerd: cassettes 270, 272 en 274, welke de te reinigen wafers 18 bevatten, cassettes 276, 278 en 280 voor opslag van de in de reinigingsmodules 284, 286Figure 23 shows the wafer cleaning installation 265, with the following mounted on its support plate 268: cassettes 270, 272 and 274, which contain the wafers 18 to be cleaned, cassettes 276, 278 and 280 for storage of the the cleaning modules 284, 286

CC

en 288 gereinigde wafers 18 , wafer aanvoerrobot 282 voor afname van een 30 te reinigen wafer 18 uit één van de cassettes 270, 272 of 274 en aanveer ervan naar de eerste reinigingsmodule 284, wafer afvoerrobot 290 ten be-and 288 cleaned wafers 18, wafer feed robot 282 for taking a wafer 18 to be cleaned from one of the cassettes 270, 272 or 274 and feeding it to the first cleaning module 284, wafer discharge robot 290 for

QQ

hoeve van afvoer van de in module 288 gereinigde wafer 18 naar één van de cassettes 276, 278 of 280, en robot 292 met wafer transfer-armen 294 en 296 ten behoeve van de wafer transfer vanaf respectievelijk de module 284 35 naar module 286 en vanaf deze module 286 naar module 288.farm of discharge of the wafer 18 cleaned in module 288 to one of cassettes 276, 278 or 280, and robot 292 with wafer transfer arms 294 and 296 for wafer transfer from module 284 to module 286 and from, respectively this module 286 to module 288.

In de module 284 vindt de eerste fase van het totale wafer reiniging-proces plaats met behulp van een eerste groep reinigingsmediums, zoals de fase SC I van het voorgaand omschreven RCA wafer reinigingssysteem, in de module 286 de tweede reinigingsfase voor de in de module 284 voorge- 1 1¾ y. 7 3 5 7In module 284, the first phase of the total wafer cleaning process takes place with the aid of a first group of cleaning mediums, such as phase SC I of the previously described RCA wafer cleaning system, in module 286 the second cleaning phase for the modules 284 previous 1 1¾ y. 7 3 5 7

- 38 -A- 38 -A

reinigde wafer 18 , zoals fase SC II van dit RCA systeem, en in modulecleaned wafer 18, such as phase SC II of this RCA system, and in module

OO

288 het nadrogen van de wafer 18 al dan niet mede met behulp van HF, met tenslotte met behulp van robot 290 de afvoer van de gedroogde wafer288 after-drying the wafer 18 with or without the aid of HF, with finally with the aid of robot 290 the discharge of the dried wafer

QQ

18 naar cassette 276.18 to cassette 276.

5 Her wafer transfersysteem van deze installatie 266 ten behoeve van een optimaal snelle wafer reiniging is als volgt: tenminste nagenoeg gelijktijdig wordt met behulp van: transfer-arm 298 van robot 282 aanvoer vanuit cassette 270 van een te reinigen wafer 18 naar de module 284; 10 transfer-arm 294 van robot 292 transfer van de in module 284 voorgerei-nigde wafer 18 naar module 286; transfer-arm 296 van deze robot 292 transfer van de in de module 286 β verder gereinigde wafer 18 naar module 288; enThe wafer transfer system of this installation 266 for an optimally fast wafer cleaning is as follows: substantially simultaneously using: transfer arm 298 of robot 282, supply from cassette 270 of a wafer 18 to be cleaned to module 284; Transfer arm 294 from robot 292 transfer from the wafer 18 prepared in module 284 to module 286; transfer arm 296 of this robot 292 transfer of the wafer 18 further cleaned in module 286 β to module 288; and

transfer-arm 300 van robot 290 de afvoer van de in module 288 nagedrcog-Ctransfer arm 300 of robot 290 the discharge of the in module 288 nagedrcog-C

15 ae wafer 18 naar de cassette bewerkstelligd.15 the wafer 18 is brought to the cassette.

Aldus is de totaal benodigde tijdsduur voor de reiniging en nadroging van een wafer slechts circa een derde van de bencdigce tijd, indien zulk een wafer in één module zou worden gereinigd en gedroogd.Thus, the total time required for the cleaning and drying of a wafer is only about one third of the measurement time, if such a wafer were cleaned and dried in one module.

In de Figuur 24 is de i.n-lijn wafer reinigings-installatie 302 aange-20 geven, met op de draagplaat 304 ervan het navolgende gemonteerd: secties 306 en 308, waarin parallel een gelijktijdige en gelijksoortige reiniging van wafers 18 plaats vindt; aanvoerrobot 310 met wafer transfer-arm 312 voor toevoer van te reinigen wafers 13 vanaf een niet aangegeven module voor wafer processing naar 25 een gemeenschappelijke wafer ontvangst/aanvoer-module 314; en afvoerrobot 316 met wafer transfer-arm 318 ten behoeve van afvoer van gereinigde wafers 18 vanuit de gemeenschappelijke wafer ontvangst/afvoer-module 320 naar de volgende, niet aangegeven wafer processing-module.In Figure 24, the i.n-line wafer cleaning installation 302 is indicated, with the following mounted on its support plate 304: sections 306 and 308, in which parallel and similar cleaning of wafers 18 takes place; feeding robot 310 with wafer transfer arm 312 for feeding wafers 13 to be cleaned from an unspecified wafer processing module to a common wafer receiving / feeding module 314; and discharge robot 316 with wafer transfer arm 318 for discharging cleaned wafers 18 from the common wafer receiving / discharge module 320 to the next unspecified wafer processing module.

Sectie 306 bevat de module 322 ten behoeve van een eerste-fase reini-30 ging van de wafer 18, de module 324 ten behoeve van de tweede-fase reini-ging van de in de module 322 voorgereinigde wafer 18 , de module 326 ten β behoeve van de derde-fase reiniging van de wafer 18 , welke afkomstig is uit de module 324, en wafer transferrobot 328 met de wafer transfer-armen 330, 332, 334 en 336.Section 306 contains the module 322 for a first-phase cleaning of the wafer 18, the module 324 for the second-phase cleaning of the wafer 18 prepared in the module 322, the module 326 at β for the third-stage cleaning of the wafer 18, which comes from the module 324, and wafer transfer robot 328 with the wafer transfer arms 330, 332, 334 and 336.

35 Sectie 308 bevat de module 322' , eveneens ten behoeve van een eerste-fase reiniging van de wafer 18, de module 324', eveneens ten behoeve vanSection 308 contains the module 322 ', also for the purpose of a first-stage cleaning of the wafer 18, the module 324', also for the purpose of

Aa

de tweede-fase reiniging van de wafer 18 , welke afkomstig is uit de module 322' en de module 326', eveneens ten behoeve van de derde-fase β reiniging van de wafer 18 , afkomstig uit de module 324', en robot 328' 1007357 - 39 - met de wafer transfer-armen 330', 332', 334' en 336'.the second phase cleaning of the wafer 18, which comes from the module 322 'and the module 326', also for the purpose of the third phase cleaning of the wafer 18, coming from the module 324 ', and robot 328' 1007357 - 39 - with the wafer transfer arms 330 ', 332', 334 'and 336'.

De werking van deze installatie is als volgt:The operation of this installation is as follows:

Met behulp van de robot-arm 312 van robot 310 vindt afvoer van een wafer 18 vanuit de processing-module naar aanvoerstation 314 plaats en 5 met arm 330 van robot 328 de afvoer van deze te reinigen wafer 18 uit deze module 314 naar module 322 van de sectie 306, terwijl vervolgens met robot-arm 330' afvoer van een volgende wafer 18, welke daarna in deze ontvangst/afvoermodule 314 is aangevoerd, daaruit plaats vindt naar de module 322' van de sectie 308.With the aid of the robot arm 312 of robot 310, a wafer 18 is discharged from the processing module to feed station 314 and the arm 330 of robot 328 discharges this wafer 18 to be cleaned from this module 314 to module 322 of the section 306, while subsequently with a robot arm 330 'discharge of a next wafer 18, which has subsequently been supplied in this reception / discharge module 314, takes place therefrom to the module 322' of the section 308.

10 Met behulp van robot-arm 318 van robot 316 vindt afvoer van een in de ontvangst/afvoermodule 320 vanaf module 326 van sectie 306 aangeveerde10 With the help of robot arm 318 of robot 316 finds discharge of an in the reception / discharge module 320 from module 326 of section 306

CC

wafer 18 plaats en vervolgens afvoer van een in deze module 320 vanafplace wafer 18 and then drain one into this module 320 from

QQ

module 326' van sectie 308 aangevoerde gereinigde wafer 18 naar het volgende processingstation, 15 Daarbij vindt in sectie 306 tenminste nagenoeg gelijktijdig na het voorreinigen van de wafer 18 in module 322 met behulp van arm 332 af voer van de gereinigde wafer 18 plaats naar module 324 voor de volgende, daarin plaats te vinden fase van het totale wafer reinigingsproces, met behulp van robot-arm 334 afveer van de tweede-fase gereinigde wafer 18“module 326 'of cleaned wafer 18 supplied from section 308 to the next processing station. In section 306, at the same time, after pre-cleaning of the wafer 18 in module 322, removal of the cleaned wafer 18 to module 324 takes place with the aid of arm 332. for the next phase of the total wafer cleaning process to be carried out therein, using the robotic arm 334 to dispense the second-phase cleaned wafer 18 "

20 uit deze module 324 naar module 326 ten behoeve van de derde-fase reiniging ervan en met behulp van robot-arm 336 afveer van deze derde-fase ge-C20 from this module 324 to module 326 for the third-phase cleaning thereof and with the aid of robot arm 336 springing of this third-phase ge-C

reinigde wafer 18 uit deze module 326 naar de ontvangst/afvcer-mocule 320.cleaned wafer 18 from this module 326 to the reception / delivery molecule 320.

In sectie 308 vindt met behulp van robot 328' een gelijksoortige trans-25 fer van wafer 18 vanaf module 314 naar module 322', van wafer 18“ 3 vanaf deze module 322' naar module 3241, van wafer 18 vanuit deze moduleIn section 308, using robot 328 ', find a similar transfer from wafer 18 from module 314 to module 322', from wafer 18 '3 from this module 322' to module 3241, from wafer 18 from this module

CC

324' naar module 326' en van wafer 18 vanuit deze module 326' naar de module 320 plaats.324 'to module 326' and from wafer 18 from this module 326 'to module 320 instead.

Aldus is voor een in zulk een processingstation behandelde wafer per 30 reinigingsmodule slechts een zesde gedeelte van de processingtijd in dit processingstation benodigd, waardoor in deze in-lijn wafer reinigings-installatie een optimale wafer reiniging kan plaats vinden.Thus, for a wafer treated in such a processing station per cleaning module, only one-sixth of the processing time in this processing station is required, so that an optimal wafer cleaning can take place in this in-line wafer cleaning installation.

Door de hoog-precisie assemblage van de beide transducer-opstellingen 24 en 26 met de trilwanden 32 en 34 in combinatie met de precisie-hoogte 35 van de aanslagnokken 212 en 214 in geassembleerde toestand van de module 10 is in aangesloten positie van de beide kamerblokken 12 en 14 een hoogte van slechts 5-10 urn voor de beide reinigingsspleten 208 en 210 te bewerkstelligen ten behoeve van een optimale expansie-ccmpressie ratio, 20-30 voudig.The high-precision assembly of the two transducer arrangements 24 and 26 with the vibrating walls 32 and 34 in combination with the precision height 35 of the stop cams 212 and 214 in the assembled state of the module 10 means that the two chamber blocks are in the connected position 12 and 14 achieve a height of only 5-10 µm for both cleaning slits 208 and 210 for an optimum expansion compression ratio, 20-30 fold.

10073571007357

Claims

A device for wafer cleaning, comprising in a cleaning module thereof at least the following: a) an upper and lower chamber block; B) in the upper part of the lower chamber block a central recess, forming a cleaning chamber in the connected position of these two blocks, containing during the cleaning process containing a wafer to be cleaned, at least one upper cleaning slit above this wafer; C) at least one transducer chamber, which is accommodated in the upper chamber block above this cleaning chamber, with an intermediate partition as central section of this upper chamber block, with a transducer arrangement in this transducer chamber for at least temporarily during the cleaning process in this cleaning chamber high frequency vibrating this wall as an upper vibrating wall and a supply and discharge system for at least cooling liquid for this transducer arrangement to and from this transducer chamber; and d) means for at least temporarily functioning the laterally outer part of this cleaning chamber as a cylindrical medium supply / discharge channel for at least this top cleaning slit.

2. Device as claimed in claim 1, characterized in that it further comprises means for at least during the cleaning process in this cleaning chamber with a wafer to be contained therein also provided with a bottom cleaning slit at the bottom thereof, with at least temporarily a common supply to this combination of slits of medium from this cylindrical supply / discharge channel and discharge of medium from these slits to this channel.

3. Device according to Claim 2, characterized in that a transducer chamber is also incorporated for this purpose in the lower chamber block, with a partition wall between this cleaning chamber and this lower transducer chamber as a central section of this lower chamber block, and wherein this chamber also has a transducer arrangement for the purpose of high-frequency vibrating of this wall as bottom vibrating wall and containing a supply / discharge system of coolant for this arrangement.

Device according to Claim 3, characterized in that such an arrangement is adhered to such a partition wall as a vibrating wall.

Device according to Claim 4, characterized in that it is further designed in such a way that megasonic vibrations are generated in at least the upper transducer arrangement.

6. Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that the top part of the module, including the top chamber block and top transducer chamber, with a section thereof extends at least partly laterally outwardly the bottom part of this module. . module, including the lower chamber block and lower transducer chamber, extends, a support block is secured to the lower wall of this laterally projecting upper section, which extends downwardly some distance to the side of the lower chamber block beyond this block and is mounted on a module support plate and this module further comprises at least the following: a) a displacement device for displacing these chamber blocks in vertical direction in successive phases towards and from each other; and b) if not in this drag block, in a radial direction to the side of the mounting section for the upper chamber chamber, a wafer transfer zone is located with at least such a height that a transfer arm of a wafer is fed and / or discharged robot with suction wafer is movable therethrough to a position thereof above or away from this central cleaning chamber recess. T. Device as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it further comprises means such that, as during cleaning of the wafer and subsequent expulsion thereof with the aid of rinsing liquid, in the cleaning chamber an overpressure of the mediums present therein. is maintained, in both transducer chambers at most a sufficient counter-overpressure of the coolant present therein is maintained.

8. Device according to Claim 7, characterized in that it is further designed in such a way that, as the pressure of the cleaning medium varies, the pressure of the cooling liquid is adjusted accordingly.

9. Device according to 7, characterized in that in each of the two transducer chambers a stop arrangement, each containing a number of stop cams, is accommodated for the corresponding combination of transducer arrangement and vibrating wall for the purpose of limiting of the vertical outward displacement of these vibratory walls during the wafer transfer with the module open in these tranducer chambers, with thereby such an underpressure of the cooling liquid present therein, that the two vibrating walls with intermediate 1007357 - 42 transducer arrangements and micro-fluid layers against the corresponding correction fluid attack setups are printed in these chambers.

10. Device as claimed in claim 5, characterized in that it further comprises means for further increasing and decreasing the height var. For the purpose of the cleaning process. both itching slits.

11. Device as claimed in claim 10, characterized in that it further comprises such means that at least 10 the following takes place when a cleaning chamber, which is closed off from the outside air at least substantially leak-tight, takes place: a) effecting and temporarily maintaining a relatively wide top and bottom cleaning slit for at least filling these slits with medium; b) subsequently effecting and temporarily maintaining a relatively narrow top and bottom cleaning gap for part of the total wafer cleaning process to be carried out therein; and c) subsequently re-establishing and temporarily maintaining a relatively wide sieving and sub-cleaning gap for at least expelling residual cleaning medium and contaminants using freshly treated medium and at least partially refilling it with this medium.

Device according to Claim 11, characterized in that it is further designed in such a way that during such a compression phase the following takes place: a) in the first part thereof mainly the expulsion of the combination of residue medium, impurities and fresh supplied medium from these slits; and b) in the latter portion, the wafer cleaning in these narrowing slits and megasonic vibrating liquid particles acting on the wafer top and bottom topography.

Device according to Claim 1, characterized in that it is further designed in such a way that such a compression / expansion cycle is repeated several times during cleaning of the wafer with liquid cleaning medium.

Device according to Claim 13, characterized in that for this purpose in each of the two transducer chambers a stop arrangement for the corresponding combination of transducer arrangement and vibrating wall then also serves to limit the displacement in vertical outward direction. these vibrating walls. 1 0 0 7 3 5 7 - 43 -

15. Device as claimed in claim 14, characterized in that, as such a stop arrangement contains this large number of cams, these in '. be slightly flexible and for this purpose part of an at least slightly flexible top wall of the transducer chamber, and this wall is also electrically insulating.

Device according to Claim 15, characterized in that there are ample passageways for the coolant in the radial direction to the side of these cams.

17. Device according to claim 16, characterized in that such a transducer arrangement comprises a number of transducer plates grouped next to each other, with a common flat electroplate plate adhered thereto by means of a sealant mass on the top and bottom thereof, and use of quartz or other similar material for the vibrating walls, such a combination is adhered thereto by means of a sealant compound.

18. Device as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further designed in such a way that during the cleaning process the height of at least the top cleaning spike additionally varies in a cycle from ultra-narrow to narrow and vice versa, and this in a frequent manner. repeat.

Device according to Claim 18, characterized in that it is further designed in such a way that the height of at least the top cleaning spit in this ultra-narrow position is less than 10 µm and in the narrow position at most 50 µm.

A device according to any one of the preceding Claims, characterized in that at least two medium supply channels for this cylindrical medium supply / discharge channel are included in this lower chamber block, with outlets in this channel at approximately equidistant distance and wherein each channel outlet corresponds to a discharge outlet located near the other feed outlet outlet.

21. Device as claimed in claim 20, characterized in that such a supply channel at its location in this at least temporarily effected cylindrical medium supply / discharge channel is received at least at an angle upwards in this lower chamber block, so that medium flowing therefrom at least partly through the two cleaning slits are pushed, so that residual medium is expelled from these slits and discharged through the corresponding discharge channel.

Device according to Claim 21, characterized in that such a feed channel outlet is additionally placed obliquely in radial direction 1007357 - 44 - such that at least partly an upright side wall of the wafer is pushed therefrom by these two cleaning slits and lancets. exert force on this wafer in the direction of its rotation.

A device according to any one of the preceding Claims, characterized in that this module includes a number of height-displaceable wafer carrying / centering pins, which have been passed through this lower chamber block and which further comprises means that, with the aid of these pins obtain a central position of a wafer 10 to be cleaned in a lateral direction within the cleaning chamber, such that at least in part such an at least temporary cylindrical medium is supplied / discharged.

24. Device as claimed in claim 1, characterized in that it further comprises means such that, as is the case between the upper chamber block 15 and the lower chamber block, laterally outwardly, the cleaning chamber has a gap with a relatively large height during the filling of this chamber with medium. located between its lateral ends, therein then maintained at least locally such a medium with feed of lock medium and a pressure thereof higher than the medium in the lateral end of this cleaning chamber is maintained thereby prevented that cleaning fluid escapes from this chamber through this slit in a laterally outward direction outside the module.

25. Device as claimed in claim 24, characterized in that a cylindrical mechanical lock element is included between these block ends, which is at least temporarily accommodated in a recess in one bioclip, and wherein in a slit section between these at both ends laterally inwardly this lock element is effected by means of a lock medium supplied therein, at least a part of such a medium lock is effected.

26. Device according to Claim 25, characterized in that a cylindrical recess is provided in the top of the lower chamber block and the lock element has such a height that at this filling position of the lower chamber block this lock element extends over some - position extends downwardly in this recess and at least one supply channel for at least one lock medium is connected to the lower part of this recess for supplying the lock compartment situated under this lock element.

27. Device according to claim 26, characterized in that it is further designed such that this final medium is at least one liquid medium depending on the type of medium in the cleaning chamber.

28. An apparatus according to claim 26, characterized in that it is further designed in such a way that this final medium is gaseous medium.

29. Device according to Claim 27, characterized in that it is further designed in such a way that at least one channel for supplying high-boiling liquid with a boiling point above 60 ° C on this lock recess; and a slightly evaporable liquid is connected.

Device according to Claim 29, characterized in that it is further designed in such a way that the high-boiling liquid D1; water and this easily evaporable liquid is IPA.

31. Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that it is further designed in such a way that during the cleaning process at least also two lock sections in at least the vertically extending slit sections between the vertical walls of this lock element and this recess has been included.

A device according to Claim 31, characterized in that a medium discharge channel is connected to this lock compartment, and the lock medium may or may not pass through the supply channel 20, in which the accommodation of a pressure valve with an adjustment for medium passes therein, which is higher than the maximum pressure of the medium in the cleaning chamber during the cleaning process.

33. Device according to Claim 32, characterized in that it is further designed in such a way that during the upward compression stroke of the lower chamber block the pressure of the medium in this decreasing lock compartment is slightly higher. than this set pressure for this pressure valve.

34. Device according to Claim 32, characterized in that it is further designed such that, when using liquid lock medium, the feed capacity for this medium is so great that during the cleaning process at the end of the downward expansion stroke from the lower chamber block to its filling position, this lock element is at least still largely filled with this lock medium.

Device according to Claim 27, characterized in that in the top side of the lateral end of the lower chamber block this slot recess is laterally spaced outwardly a recess extending in radial direction, with connection of a discharge pipe to it for discharge of medium escaping from the medium 1007357-46 in the lateral outward direction via the slit section between these chamber blocks.

36. Device according to Claim 26, characterized in that it is further designed in such a way that, before filling of the cleaning chamber with medium takes place, lock medium already flows from this lock compartment via the narrow, upward direction. extending slot slit on the lateral inner side of the lock element in the cylindrical slit section between the two chamber blocks has entered this cylindrical lock recess laterally.

Device according to Claim 36, characterized in that it is further designed such that at least the part of this slit section between the two chamber blocks, which adjoins this lock element, is filled with this lock medium.

38. Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that it is further designed in such a way that the flow resistance resides in the alot medium of the vertical slit section between the lock element and the lock recess on the lateral inner side of this lock element is smaller than of the vertical slit section laterally outwardly this lock element.

Device according to Claim 38, characterized in that for this purpose at least the cylindrical top part of the upright side wall of this lock element is provided on the laterally outward side sr; a guide wall for the purpose of co-guiding this element during the displacements of the lower chamber block.

40. Device according to Claim 39, characterized in that it further comprises a centering device for the two chamber blocks relative to each other that, when the lower chamber block moves upwards from its lower wafer transfer position, this cylindrical lock element of the upper chamber block will move into its proper centric position within this cylindrical slot recess in the lower chamber block.

41. An apparatus according to claim 40, characterized in that the upright side wall of this lock element is further provided on the lateral inward side thereof with a large number of medium pass grooves adjacent to each other in radial direction with intermediate partition wall. / guide wall sections.

42. Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that for this purpose this lock element δ «η is a self-contained unit which can be moved up and down in the corresponding cylindrical recess 1007357-47 in the top of the lower chamber block.

43. An apparatus according to any one of the preceding Claims, characterized in that in the connected position of the two chamber blocks at the location of the wafer transfer zone, between the block sections thereof, this lock element is located narrowly outwardly, with adjacent wall sections thereof in the radial direction.

44. Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that it is further designed in such a way that at least cleaning medium with a lower boiling temperature than 10 of the liquid cooling medium is used in the transducer chambers in the two cleaning slits.

45. An apparatus according to claim 44, characterized in that it further comprises means for temporarily removing impurities from the boundary layer and grooving the wafer top topography without supplying medium to the top cleaning jet.

46. Device according to Claim 45, characterized in that it is furthermore designed in such a way that at least the use of at least partly low-boiling liquid medium for the cleaning process takes place, such that at least during part of the expansion phase at least a partial evaporation takes place.

Device according to Claim 46, characterized in that it is further designed in such a way that the use of at least lacquer and shock-boiling liquid cleaning medium takes place.

48. Device according to Claim 47, characterized in that it is further designed in such a way that at least the upper transducer arrangement also functions as an adjustable heat source for at least the medium in the top cleaning jet.

49. Device according to Claim 48, characterized in that it is further designed in such a way that, by increasing the vibration intensity of such a transducer arrangement, accompanied by heat development, and in combination with a reduced cooling thereof, a greatly increased heat supply takes place via the corresponding vibrating wall to the cleaning medium in the adjoining cleaning gap.

50. An apparatus according to claim 48, characterized in that it is further designed such that at the end of the upward compression stroke of the lower chamber block, with an effected ultra-low height of at least the upper gap, by an increased heat supply from at least the upper transducer arrangement, the temperature of the low-boiling portion of the cleaning medium in such a gap 1007357-48 is brought to its near-boiling limit at least near its boiling limit, in the subsequent downward expansion stroke of the dir block, with a very significant pressure drop of the mediums in the two cleaning slits, in this primary upper slit by vapor development in the boundary layer and grooves of the upper wafer topography, the expulsion of residual medium together with any fountain materials in the upward direction towards the center of this gap, with further discharge through tenmi The co-supply of fresh medium at a lower temperature at the end of this expansion stroke, and in a subsequent compression of this block the insertion of this fresh medium at a low temperature into this boundary layer and grooves to replace the previously roughened residue cleaning medium takes place.

A device according to Claim 49, characterized in that it is designed in such a way that the final phase of the compression stroke is so long that the nec-expulsion of the medium from the compression gap is compensated for by the further conversion of the low boiling liquid medium into vaporous medium and finely atomized hccg boiling liquid, which is thereby incorporated in this vapor column under overpressure, to and from this boundary layer and grooves of the top wafer topgraphy are propelled for further degradation of this boundary layer and removal of contaminants therefrom and from these grooves.

52. Device according to Claim 50, characterized in that it is furthermore designed such that a number of repetitions of this compression / expansion cycle take place for the purpose of an optimum cleaning process.

53. Device according to Claim 49, characterized in that it is furthermore designed in such a way that through the effect of such heat development in the top cleaning gap in the final phase of the compression stroke and during at least the start of the expansion stroke in in combination with an at most small heat supply to the medium in the sub-gap, the majority of the volume increase in this top gap being evaporated by evaporation and with such a limited increase in the height of the sub-gap that at the end of the expansion stroke, the wafer is pressed onto the support sections of the wafer support / centering pins.

54. An apparatus according to claim 49, characterized in that it is further designed such that, for this purpose, in this expansion phase, by stopping the supply of the cooling liquid to a transducer chamber therein, on the one hand, the pressure drops to the desired level. low pressure in the discharge system before it, and on the other hand, a maximum and rapid heat transfer of the transducer arrangement incorporated therein takes place via the corresponding vibrating wall to the medium in the corresponding cleaning gap.

55. Device according to Claim 54, characterized in that it is further designed in such a way that approximately the same temperature increase takes place simultaneously in the two cleaning slits for the purpose of evaporating at least a part of the low-boiling components in these slits in combination with such a pressure drop in both cransducer chambers.

56. Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that micro-grooves sloping in at least the underside of the upper vibrating wall are included and which extend interrupted from near the center in lateral outward direction to at least near the lateral end of this vibrating wall that the deer generated the top transducer arrangement and transmitted through this vibrating wall to the liquid medium in the top cleaning slit are diverged therein such that the reflecting vibrations from the surface of the wafer are not impermissible disrupt the cleaning process.

57. Device according to Claim 56, characterized in that these micro-slopes are designed in such a way that these diverged flows of medium additionally exert a resulting force on the wafer in the direction of its rotation.

58. An apparatus according to any one of the preceding Claims, characterized in that it is further designed in such a way that, as in this case only one type of liquid cleaning medium 30 is used for certain cleaning processes, this medium is then combined with a gaseous medium and wherein the megasonic vibrations such a liquid medium is finely atomized in this gas column.

59. Device according to Claim 58, characterized in that it is further designed in such a way that this gaseous medium is o or Ch as additive for an optimum cleaning process.

An apparatus according to any one of the preceding Claims, characterized in that a buffer chamber is then incorporated in the underside of the upper chamber block at some distance laterally outwardly from the cleaning chamber, which is connected between the two chamber blocks via an at least temporarily realized cylindrical gap 1007357 - 50. with the cylindrical medium supply / discharge channel and the lateral inner part of the medium lock for at least the discharge of air and / or other gaseous medium from the cleaning chamber during the filling / refilling of this chamber with the medium and the cleaning process.

61. Device according to Claim 60, characterized in that, as at least one discharge channel for this medium is connected to the top of this buffer chamber, at least one discharge channel for liquid medium is also connected thereto, wherein the top side of the outlet over a small distance is lower than the underside of the mouth of this gaseous medium channel.

62. Device according to Claim 23, characterized in that it is further designed in such a way that in the connected position of the two chamber blocks the wafer carrying section thereof protrudes a small distance above the level of the top side of the sub-wall of dic biok. S3. Device according to Claim 62, characterized in that it is further designed in such a way that after removing the cleaned wafer from the module with the associated lower position of these 20 pins, a wafer to be cleaned with the aid of a robot arm is brought to its lateral take-over position above these wafer support sections, then the vacuum in this arm is released, at least some of these pins are moved upwardly to their top position, with this wafer resting upon it these support sections and also moving them upwardly to its fill position, and finally by moving the oil chamber blank upwardly to its uppermost position, this wafer comes to lie within the cleaning chamber formed.

64. Device according to Claim 63, characterized in that it is further designed in such a way that after the cleaning process and then the bottom chamber block moves downwards to its bottom wafer transfer position, the wafer on the support sections. of these pins comes to rest and then bringing the transfer arm of this robot or other robot into the lateral take-over position under this wafer, these pins are then moved to their bottom position, so that the wafer can be positioned on this arm side. rest and finally after the suction of this wafer on this arm, the combination of arm and wafer is removed from this module.

A device according to any one of the preceding Claims, characterized in that a wafer centering section, with an eccentric position thereof relative to these wafer carrying sections, is included on each of these bearing pins above this wafer carrying section 1007357 - 51; and these centering sections are of such a length that in the connected position of the two chamber blocks they extend upwards laterally to the side of the wafer, close to the upper vibrating wall of the upper chamber block.

66. Device according to Claim 65, characterized in that it is further designed such that these pins are rotatable, with a laterally inner wafer centering position of these centering sections pivoted relative to the cleaning chamber and a lateral relative to this chamber outer wafer transfer position of these sections.

67. Device as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that in the module carrier block next to the device for vertically moving the lower chamber block a device is included for the purpose of jointly moving in vertical direction of some of these markers.

63. Device according to Claim 66, characterized in that it is further designed such that when the module is opened for the purpose of receiving a wafer to be cleaned, these centering sections are for this purpose moved to their laterally outermost position relative to the cleaning chamber. pivots, and after taking over these pins from this wafer by pivoting these centering sections back to their laterally innermost position relative to the cleaning chamber, an eccentrically fed wafer fed to this chamber is pressed to such a lateral position thereof relative to this chamber, that it is brought inside this chamber by moving the lower chamber block upwards.

69. Device according to Claim 68, characterized in that it is further designed such that, for the purpose of discharging the cleaned wafer from the cleaning chamber, the centering sections of the pins are still in their laterally innermost position with respect to the cleaning. 30 are located around the wafer, when the lower chamber block is moved down the wafer is taken over by these pins, after taking over by the robot arm of this wafer brought inside the module, these centering sections are moved to their lateral outer position with respect to this cleaning chamber pivoted for the purpose of receiving a subsequent wafer by these 35 pins and then discharging this arm with wafer from the ... module.

Device according to Claim 69, characterized in that it is further designed in such a way that, as some pins are moved together in vertical direction, the module additionally contains at least one wafer carrying / centering pin in addition to these pins. , which is separately movable further downwards and backwards with the aid of an additional displacing device and wherein the common twisting device also serves to rotate such a pin.

Device according to Claim 70, characterized in that it is further designed such that in the lower position of such a wafer carrying / centering pin, which is located in the wafer transfer zone, the top of the centering section thereof to at least below the bottom of the wafer for further transfer of this wafer.

Device according to Claim 71, characterized in that it is further designed in such a way that, as there is at least one pin in the transfer zone of the robot arm, this may or may not be independent of such a pin in the wafer transfer zone is such that it can be moved further downwards, such that the top of its centering section is below the level of this robot arm for the purpose of possible displacement of this arm.

73. Device according to Claim 58, characterized in that it is further designed in such a way that a wafer to be cleaned with a robot arm is moved to its take-over position above the wafer carrying sections of these pins and laterally inwards to the out of the pivoted centering sections thereof, then after the vacuum has been released in this arm the jointly upwardly displaceable pins are moved upwards while taking over this wafer, then this arm 25 is removed from the module and the remaining pins in the transfer- one of the wafer and the robot arm are moved upwardly to the level of the other pins, then the centering sections of all the pins are pivoted laterally inward from the cleaning chamber to effect adequate centering of the wafer relative to these cleaning chamber and finally the lower chamber block is moved upward to its upper position, where can lie within this cleaning chamber with this wafer.

74. Device as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further designed in such a way that, as in this case, the wafer supply and discharge takes place with the aid of two separate wafer transfer arms, when the cleaned wafer is discharged from the module moves the pin at the area of the transfer zone before this wafer to be discharged is lowered, with its centering section below the level of the bottom of the corresponding robot arm, and after discharge of 1007357 - 53 - the combination of this wafer and arm this pin is again moved upwards to the wafer transfer level of the other pins for the purpose of co-transfer of a wafer to be cleaned in a subsequent stage.

An apparatus according to Claim 74, characterized in that it is furthermore designed in such a way that for the purpose of this wafer to be cleaned, only the wafer carrying / centering pin at the location of the transfer zone for this wafer for the wafer transfer position. is moved downward, with its centering section below the level of the bottom of the corresponding robot arm, and after removal of this arm from the module, this stylus is moved upward to its wafer take-over position, after which the remaining phases of the transfer of this wafer to the cleaning chamber takes place.

76. Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that a number of modules are grouped in the radial direction at some distance from one another, to the side of a central, wafer transfer rebot, with transfer arm sections thereof being in the rest position of this robot between adjacent modules.

77. Apparatus according to claim 76, characterized in that it is further designed in such a way that, after these modules have been opened simultaneously and the wafers have been brought to their lower transfer position, the pins are simultaneously pressed by means of of moving these arm sections back in radial direction, these wafers are taken over by these arm sections and then removed from these modules, with a radial forward movement of these arm sections to a wafer transfer position in the following modules for subsequently bringing these wafers simultaneously to the respective cleaning chambers for taking place therein the subsequent phases of the overall wafer cleaning process.

An apparatus according to Claim 76, characterized in that it also contains a wafer supply station for wafers to be cleaned and a wafer discharge station for cleaned wafers.

Device according to Claim 78, characterized in that multiple cassettes containing the wafers to be cleaned are grouped in this wafer supply station to the side of a central wafer supply robot, and the position of this supply robot further with respect to the first module is that, with the aid of this, a wafer from one of these cassettes is brought to the take-over position within this module, and in this wafer discharge station to the side of a central wafer discharge robot several cassettes for storage. of cleaned wafers are grouped and the position of this discharge robot and cassettes relative to the native module is such that a cleaned wafer is brought from its takeover position within this module to one of these cassettes.

An apparatus according to Claim 79, characterized in that it is further designed in such a way that the supply of a wafer to be cleaned from the supply station to the first module is substantially simultaneously, wafer supply from the first module to the second module, where - 10 fer supply from this second module to the third module and supply of a wafer from this third module to the delivery station.

31. Device according to Claim 78, characterized in that the attacking robot is connected to a wafer processing station and the delivery robot is connected to a subsequent wafer processing station.

32. An apparatus according to claim 81, characterized in that it comprises two adjacent wafer cleaning stations, each of which is composed of a number of wafer cleaning modules, which are grouped in radial renting from such a wafer transfer robot.

32. Device according to Claim 82, characterized in that these steel tens, in addition to these modules, have a common feed module for cycling from a wafer to be cleaned to the first module of each of these stations and a common module for discharging a cleaned wafer. from the last cleaning module of each of these stations and it is designed in such a way that after wetting of a wafer to be cleaned to this spring assembly and discharge of a cleaned wafer from the delivery module, supply of this wafer to be cleaned from this common feed module to the first module of the first station takes place, with substantially simultaneously discharging a cleaned wafer from the last cleaning module of this station to this common discharge module and then after supply of a next wafer to be cleaned to this supply module and discharge of a cleaned wafer from this drain module to clean supply of these next wafer to the first module from the second station takes place, with substantially simultaneously discharging a cleaned wafer from the last cleaning module of this station to this common discharge module, with a subsequent repetition of this evelus.

Device according to Claim 83, characterized in that for this purpose in such a common wafer supply and discharge module at least partly 1007357 - 55 - the wafer transfer and centering system by means of the carrying / centering pins, which is included in the cleaning modules from such a station are used.

85. Device according to Claim 83, characterized in that it is further designed such that in such a common wafer discharge module drying of wafers cleaned in previous cleaning modules in a drying chamber, which may or may not be temporarily closed, is the last to dry out afterwards. phase of the total wafer cleaning process takes place.

86. An apparatus according to any one of the preceding Claims, characterized in that it is further designed such that the same phases of the cleaning process and the same cleaning liquids take place in two successive modules.

87. Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that it is further designed in such a way that for the wafer cleaning process, any type of cleaning process, whether or not already used, can be used, with the use of wafer cleaning in the phase possible. _ any kind of liquid cleaning medium and any with or without experienced additives and whether or not in succession.

38. Device according to Claim 87, characterized in that it is furthermore designed in such a way that in the rinsing phase of the cleaning process any kind of spcel medium and this, whether or not in combination with Dl water or only Dl water, can be used. .

39. An apparatus according to claim 87, characterized in that it is further designed in such a way that in the final phase of this cleaning process any kind of expulsion medium in gas and / or vapor form and this can be used in combination or not.

90. Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that it is further designed in such a way that the RCA wafer inhibiting system with the phases SCI and SCII in adapted form is used.

91. A device according to any one of the preceding Claims, characterized in that it comprises means for accumulating heat generated by the two transducer arrangements in the walls of this chamber during the rinsing process with expulsion of cleaning medium from the cleaning chamber. wafer incorporated therein and the D1 water as rinsing medium for the purpose of removing this D1 water from this chamber in the next phase at least partly by means of partial evaporation thereof.

92. An apparatus according to claim 91, characterized in that it further comprises a heating element at least near the lateral outer part of the upper chamber block for controllable heating of both ends in lateral direction of the two chamber blocks depending on the phase of the total cleaning process and with a temperature thereof, which is at least close to the temperature of the two walls of the cleaning chamber.

93. Device according to Claim 91, characterized in that it is further designed in such a way that during this expulsion phase for the liquid spcelium the two transducer arrangements are still in operation for the purpose of supplying heat to the two cleaning units. -splitting and maintaining a double-floating condition of the wa-f 02Γ.

An apparatus according to Claim 93, characterized in that it is further designed in such a way that, as in the stage of the rinsing, the rinsing under 13 takes place of an overpressure of just D1 water, thereby at least temporarily underpressure in the discharge system of both the cleaning chamber and the two transcucer chambers are effected and maintained for the purpose of accelerating evaporation thereof in this cleaning chamber by lowering the boiling point of the D1 water and discharging it.

An apparatus according to Claim 88, characterized in that it is further designed such that at least in the final phase of the process the supply of D1 water to the liquid lock is changed into a supply of gaseous medium under overpressure, as in this gaseous lock medium was not used during the previous cleaning process.

96. Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that a large number of micro cams with intermediate medium passage channels are arranged on the top of the bottom vibrating wall for the purpose of effecting and temporarily maintaining bearing / centering pins independent of the wafer. from a minimum height of the under-inhibition gap during the cleaning process, including filling and spacing / refilling the cleaning chamber with fresh medium.

97. Device according to Claim 96, characterized in that a large number of micro-necks with intermediate medium feed-through channels are also accommodated against the underside of the upper vibrating wall in order to limit the micro-height of the upper cleaning gap during at least the wafer cleaning process. .

98. Method of a device for wafer cleaning, comprising in a cleaning module thereof at least the following: 1007357 - 57 - a) an upper and lower chamber block; b) in the upper part of the lower chamber block a central recess forming a cleaning chamber in the connected position of these two blocks, comprising during the cleaning process containing a wafer to be cleaned, at least one cleaning slit above this wafer and a bottom cleaning slit below this wafer; c) at least one upper transducer chamber, which is contained in the upper chamber block above the cleaning chamber, with an intermediate partition as the central section of this upper chamber block, with a transducer arrangement in this tranducer chamber for at least temporarily during the cleaning process in this cleaning chamber vibrates high-frequency from this wall as an upper vibrating wall and a supply and discharge system for at least cooling liquid for this transducer arrangement to and from this transducer chamber, characterized in that at least temporarily the lateral outer part of this cleaning chamber functions as a cylindrical medium supply / discharge channel for these cleaning slits, with at least temporarily a common supply to this combination of muscles from the cylindrical supply / discharge channel and supply of medium from these spouts to this channel.

99. Method according to Claim 98, characterized in that, as the lower chamber block also contains a transducer chamber, with a partition as central section of this lower chamber block between this cleaning chamber and this lower transducer chamber, and wherein this chamber also contains a transducer arrangement for the purpose of of the high-frequency vibration of this wall as bottom layer wall during the cleaning process and the cooling of this transducer arrangement, thereby generating megasonic vibrations in at least the top transducer array.

100. A method as claimed in Claim 98, characterized in that the following takes place with the aid of a displacement device: a) moving these chamber blocks in vertical direction in successive phases towards and from each other; and b) in the lower position of the lower chamber block, a transfer arm of a wafer feed and / or discharge robot with a wafer sucked on it is movable during or after a wafer transfer to or from a position thereof above this central cleaning chamber recess.

101. Method according to Claim 99, characterized in that, as during the cleaning of the wafer and its subsequent expulsion 1007357 - 58 - a certain pressure of the mediums contained therein is maintained in the cleaning chamber by means of rinsing liquid, both transducer chambers maintain at most an equal counter-pressure of the coolant contained therein.

A method according to Claim 101, characterized in that, as the pressure of the mediums in the cleaning chamber varies, the pressure of the cooling liquid is adjusted thereto.

103. Method according to Claim 101, characterized in that, as in each of the two transducer chambers, a stop arrangement, each comprising a large number of stop cams, is identified for the corresponding combination of transducer arrangement and vibration wall for the purpose of limiting the vertical outward displacement of these vibrating walls, such a negative pressure of the cooling liquid present therein is maintained on the side of the wafer transfer with the module open, and during the cleaning process therein such a lower pressure of this liquid compared to the pressure of the medium is present in the cleaning chamber, so that the two vibrating walls with intermediate transducer arrangements and micro-liquid lacquers are pressed against the corresponding attack arrangements in these chambers.

104. A method according to claim 100, characterized in that for the purpose of the total wafer cleaning process subsequent increasing and decreasing of the height of the two cleaning slits takes place.

105. A method according to claim 104, characterized in that in the case of a cleaning chamber, which is closed off substantially leak-tightly from the outside air, at least the following takes place: a.just creating and temporarily maintaining a relatively wide quenching and under-cleaning gap for the purpose of at least filling these slits with media and rinsing them; b) subsequently effecting and temporarily maintaining a relatively narrow top and bottom cleaning gap for a part of the entire cleaning process to be located therein; c) the subsequent re-establishing and temporary maintenance of a relatively wide top and bottom cleaning gap for at least the expulsion of residual medium and whether or not together with impurities with freshly supplied medium and with at least partial refilling thereof with this medium; and d) repetition of at least the cycle combination mentioned under a) and b). 1007357 - 59 -

106. Method according to Claim 105, characterized in that the following takes place during such a compression phase: a) in the first part thereof mainly the expulsion of the combination of residue medium, any impurities and freshly treated medium from these slits; and b) in the last part thereof the wafer cleaning in these narrowing and finally maximally narrowed fissures and whereby megasonically vibrating fluid particles act on the wafer top and bottom graphite.

A method according to Claim 105, characterized in that such a compression / expansion cycle is repeated several times during cleaning of the wafer with liquid cleaning medium.

108. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that, during the wafer cleaning process, the height of at least the 15 'ove cleaning gap additionally in a cycle varies from ultra-narrow to narrow and vice versa, and whether or not in a frequent repetition thereof .

109. A method according to claim 108, characterized in that the height of at least the top cleaning slit in this ultra-narrow radius is less than .mu.m and in the narrow state is at most 50 µm.

110. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that at least two medium feed channels are included in this cnc chamber block for this cylindrical medium / discharge channel, with outlets in this channel at approximately equal spacing between spacings and wherein each channel outlet corresponds to a discharge outlet located near the other inlet outlet, medium flows during the medium filling / expelling process in such a manner that the two cleaning slits are pushed in substantially opposite direction, so that at least also residual medium from these crevices are driven out through the corresponding discharge channel.

111. A method according to claim 110, characterized in that medium from which supply channels are placed from radially inclined radial direction through these two cleaning slits and medium which is pushed along the upright side wall of the wafer at least partly exerts a force on this wafer in the direction. of twisting it.

112. Method as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that, as in this module, a number of wafer carrying / centering pins, which can be displaced in height, are incorporated, which have been passed through this bottom block, with the help of these pins such a central 1007357 The position of a wafer to be cleaned is obtained in a lateral direction within the cleaning chamber, so that at least in part such an at least temporary cylindrical medium can be fed in / out.

113. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that, as is the case between the upper chamber block and the lower chamber block, laterally outwardly, the cleaning chamber is at least during the filling of this chamber with medium, a gap of a relatively great height between its lateral ends at least locally maintaining such a mecium lock with supply of lock medium and a pressure thereof which is higher than that of the medium in the lateral end of this cleaning chamber, thereby preventing the cleaning medium from entering this chamber escapes outside the module in this lateral outward direction.

114. A method according to Claim 113, characterized in that, as for this purpose, a cylindrical mechanical lock element is included between these block elements, which is at least temporarily sealed in a lock recess in one. of these chamber blocks, during the cleaning process m a gap secretion between these block ends laterally inwardly through the element by means of at least a part of such a mecium lock is effected by means of lock medium fed therein.

115. Method according to Claim 114, characterized in that a cylindrical recess is provided in the top side of the lower chamber block and the lock element has such a height that, in this filling position of the lower chamber block, this lock element is extends for some distance in downward direction in this recess and at least one supply channel for at least one lock medium is connected to the bottom part of this recess, with supply of lock medium taking place to this recess underneath this lock element for the purpose of the lock compartment. temporary maintenance of this mecium-30 lock.

A method according to Claim 115, characterized in that this final medium is at least one liquid medium depending on the type of mediums in the cleaning chamber.

A method according to Claim 115, characterized in that said slot-35 medium is gaseous medium and so on at least temporarily.

A method according to Claim 115, characterized in that during the cleaning process D1 water is used as a high-boiling liquid, IPA as a slightly evaporable liquid and finally as a gaseous medium for the final medium. 1007357 - 61 -

119. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that during the cleaning process in at least two medium slot sections in the vertically extending gap sections between the vertical walls of this lock element and this recess 5 medium slot is maintained.

A method according to Claim 119, characterized in that a medium discharge channel, with the inclusion of a pressure valve, permits the medium setting to be connected to this lock compartment and whether or not via the supply medium for the lock medium. such is that the pressure of the medium in the medium lock is higher than the maximum pressure of the medium in the cleaning chamber during the cleaning process.

121. Method according to Claim 116, characterized in that, as in the top of the lateral end of the lower chamber chamber 15, this sioc recess comprises a recess extending in radial direction, laterally spaced outwards, with a connection thereto discharge line, in which discharge of medium escaping from the medium lock in lateral outward direction takes place between these blocks between the blocks.

122. Method according to Claim 115, characterized in that, in this case, the filling medium of the cleaning chamber with medium takes place, lock medium already flows from this lock compartment via the narrow, upwardly extending lock gap on the lateral inner side of the lock. element in the cylindrical slot section between the two chamber blocks 25 has entered this cylindrical slot recess laterally.

122. Method according to any one of the preceding Claims, characterized in that, as the module further comprises a centering device for the two chamber blocks relative to each other, this cylindrical lock is displaced on the upward displacement of the lower chamber chamber from its lower wafer transfer position. element moves as part of the upper chamber block into its correct centric position within this cylindrical slot recess in the lower chamber chamber.

124. Method according to Claim 122, characterized in that at least the part of this slit section between the two chamber blocks, which adjoins this lock element, is filled with this lock medium.

A method according to Claim 123, characterized in that, as in this case, the upright side wall of this lock element is provided on the lateral inward side thereof with a large number of medium pass grooves adjacent to each other in radial direction 1007357 - 62 partition wall / guide wall sections, during the cleaning process lock medium is pushed upwards through these grooves upwards to the gap section between the two chamber blocks laterally inwardly this lock element.

126. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that at least co-cleaning medium with a lower boiling temperature than that of the liquid cooling medium is used in the transducer chambers in both cleaning slits.

127. Method according to Claim 126, characterized in that during the cleaning process temporary removal of impurities from the boundary layer and grooves of the wafer top topography takes place without supply of medium to at least the top cleaning gap.

128. A method according to claim 127, characterized in that at least the liquid cleaning medium, which is at least partly so coagulating, is used for the cleaning process that at least a partial evaporation thereof takes place at least during a part of the expansion phase.

129. Method according to Claim 128, characterized in that the use of at least the combination of low and high-boiling liquid cleaning medium takes place.

130. A method according to claim 129, characterized in that at least the upper transducer arrangement also functions as a controllable heat source for at least the medium in the upper cleaning jet and by increasing the vibration intensity of such a transducer arrangement, with an associated increased heat development and in combination with a reduced cooling thereof, a greatly increased heat supply takes place via the corresponding vibrating wall to the cleaning medium in the adjacent cleaning gap.

131. A method according to claim 130, characterized in that at the end of the upward compression stroke of the lower chamber block, with an effected ultra-low height of at least the upper cleaning jet, by an increased heat supply from at least the upper transcucer arrangement the temperature of the low-boiling portion of the cleaning medium in such a slit has been brought to at least near its boiling limit below the effected increased compression pressure, in the subsequent downward expansion stroke of this block, with an associated very significant pressure drop of the mediums in both cleaning slits, in this primary top slit by vapor development in the boundary layer and crevices of the wafer top topography the 1007357 - 63 - therefrom of residual medium along with any impurities takes place in an upward direction towards the center of this slit, further discharge thereof by at least partly to supply of fresh medium under a lower temperature at the end of this expansion stroke, and in a subsequent compression stroke of this lower chamber block the insertion of this fresh medium under low temperature into this boundary layer and crevices as a replacement for the residual recovery medium previously propelled from it takes place. 132. A method according to claim 130, characterized in that the final phase of the compression stroke is so long that the expulsion of the medium still taking place from the top cleaning gap is compensated for by the progressive conversion of the low-boiling liquid medium in vaporous medium and high-frequency vibrating, finely atomized high-boiling liquid, which is thereby incorporated in this vapor column under overpressure, is pushed to and from this boundary layer and crevices of the wafer bevegee-eegrapny for the further degradation of this boundary layer and removal of contaminants therefrom and from these crevices.

133. Method according to Claim 131, characterized in that a number of repetitions of this compression / expansion cycle take place for the purpose of an optimum cleaning process.

134. A method according to claim 130, characterized in that for this purpose the expansion of the supply of the cooling liquid to a transducer chamber therein, on the one hand, causes the pressure of this liquid to fall back to the desired low pressure in the discharge system before it in this expansion phase and on the other hand, a maximum and rapid heat transfer from the transducer arrangement incorporated therein takes place via the corresponding vibrating wall to the medium in the corresponding cleaning jet.

135. A method according to claim 134, characterized in that at the same time approximately the same temperature increase takes place in the two cleaning slits for the purpose of evaporating at least a part of the low-boiling components in these slits in combination with such a pressure drop in both transducer chambers.

136. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that inclined micro-grooves are included in at least the underside of the top wall and which extend intermittently from near the center of this wall in lateral outward direction to at least near it. lateral end thereof, the megasonic vibrations generated by the upper transducer arrangement and transferred via this vibrating wall to the liquid medium in 10073 * 7 - 64 - the upper cleaning slit are diverged therein such that the reflecting vibrations from the bven surface of the wafer not interfere with the cleaning process to an unacceptable degree.

A method according to Claim 136, characterized in that these diverged flows of medium additionally exert a resulting force on the wafer in the direction of its desired rotation.

138. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that, as only one liquid liquid cleaning medium is used for certain cleaning processes, this medium is then at least partly combined with a gaseous medium and in which such a liquid medium is fine due to the megasonic vibrations. nebulized in this gas column.

139. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that, as in the bottom of the upper chamber block, a cleaning chamber, which is connected at some distance laterally outwards to the buffer chamber, is connected between the two chamber blocks via an at least smoothly effected cylindrical gap. the cylindrical medium supply / discharge channel and the lateral inner part of the medium lock, at least the discharge through it of air and / or other gaseous medium from the cleaning chamber takes place during the soiling / refilling of this chamber with medium and the cleaning process.

140. A method according to claim 112, characterized in that in the connected position of the two chamber blocks the wafer rotating section thereof protrudes a short distance above the level of the top side of the sub-vibration wall of this block, wherein after removal of the cleaned wafer from the module with the associated lower position of these pins, with the aid of a robot arm, a wafer to be cleaned is brought to its lateral transfer position above these wafer carrying sections, then according to the vacuum in this arm is lifted, then at least some of these posts are moved upwardly to their uppermost position, thereby resting the wafer cores on these support sections and also moving it upwardly to its filling position. and finally by moving the lower chamber block upwards to its upper position, this wafer comes to lie within the cleaning chamber then formed.

141. A method according to claim 140, characterized in that after the cleaning process and then moving the lower chamber block to its lower wafer transfer position, the wafer moving on the supporting sections of these pins, 1007357 - 65, and then bringing the transfer arm of this or another robot under this wafer in the lateral take-over position, these pins are then moved to their lower position, so that the wafer comes to rest on this arm and finally after suction the combination of arm and wafer of this wafer on this arm is removed from this module.

142. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that a wafer centering section, with an eccentric position thereof relative to these wafer carrying sections, in the connected position of, is included on each of these bearing pins above this wafer carrying section thereof. the two chamber blocks, these sections extend laterally to the side of the wafer upwardly near the upper vibrating wall of the upper chamber block and these pins are rotatable such that a laterally innermost wafer centering position of these 15 centering sections and with respect to the cleaning chamber of this chamber laterally outer wafer transfer position of these sections can be achieved.

143. Method according to Claim 142, characterized in that, with the module open for the purpose of receiving a water to be cleaned, these centering sections are pivoted to their lateral outer position relative to the cleaning chamber, and after taking over by these pins of this wafer by pivoting these centering sections back to their laterally innermost position with respect to this cleaning chamber, an wafer that is eccentrically spaced with respect to this chamber is pressed to such a lateral position with respect to this chamber that it is subsequently pressed by moving upward from the lower chamber block until it is brought into this chamber.

144. Method according to Claim 143, characterized in that the centering sections of the pins are neg in their laterally innermost positions with respect to the cleaning chamber around the wafer for the purpose of discharging the cleaned wafer from the cleaning chamber. , when the lower chamber block is moved downwards, the wafer is taken over by these cogs, after taking over by the robot arm of this wafer brought inside the module, these centering sections are pivoted to their lateral outer position with respect to this cleaning chamber for the purpose of receiving through these pins of a next wafer and then this arm with wafer is discharged from the module.

145. A method according to claim 144, characterized in that, as in this case some pins are moved together in vertical direction and the module thereby contains, in addition to these pins, at least one wafer 1 007 3 «57 - 66 - carrying / centering pin, with the aid of of an additional displacement device is individually movable further downwards and backwards, and the common twisting device also serves to rotate such a pin.

146. A method according to claim 145, characterized in that in the lower position of such a wafer carrying / centering pin, which is located in the wafer transderzone, the top of its centering section at least below the level of the bottom of the wafer for the further transfer of this wafer.

147. A method according to claim 146, characterized in that, as at least one pin is located in the transfer zone of the robot arm, it can be moved further downwards independently of such a pin in the wafer transfer zone, or not, that the top of its centering section is below the level of the bottom of this rcbct arm for possible displacement of this arm.

148. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that a wafer to be cleaned is moved to its transfer position above the wafer carrying sections of these pins by means of a robot arm and rotates inwardly the centering sections thereof inwardly is brought, then after lifting the vacuum in this arm. the common upwardly movable pins cmhcog are moved under the takeover of this wafer, then this arm is removed from the module and the remaining pins in the transfer zone of the wafer and the robot arm are moved upwards to the level of the other posts, then the centering sections of all posts are laterally pivoted inwardly relative to the cleaning chamber to effect adequate centering of the wafer relative to this cleaning chamber and finally the bottom chamber block is moved upwardly to its top position, this wafer will lie within this room.

149. Method as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that, as the wafer supply and discharge takes place with the aid of two separate wafer transfer arms, the pin at the location of the wafer is discharged from the cleaned wafer from the module. transfer zone before this wafer to be discharged is moved down, with its centering section below the level of the bottom of the corresponding robot arm, and after discharge of the combination of this arm and wafer this pin is again moved upwards to the wafer takeover level of 1007357 -Side. other pins for the purpose of co-adopting a wafer to be cleaned in a subsequent stage and for the purpose of this wafer to be cleaned, only the wafer carrying / centering pin at the location of the transfer zone for this wafer for transferring it to the wafer. - 5 down is moved, with its centering section below the level of the bottom of the corresponding robot arm, and after removal of this arm from the module, this stylus is moved upward to its wafer take-over position, after which the remaining phases of the transfer of this wafer to the cleaning chamber. IQ 150. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that a large number of micro-cams with intermediate medium passage channels are arranged on the top of the bottom vibrating wall, independently of the wafer carrying / centering pins a minimum height of the bottom cleaning gap during the cleaning process, including filling and rinsing / refilling of the cleaning chamber with fresh medium, is accomplished and temporarily maintained.

151. Method according to Claim 150, characterized in that the hole ZOclJ-S also comprises a large number of micro-cams with intermediate medium feed-through channels against the underside of the upper vibrating channel, thereby the micro-height of the top cleaning gap during at least the cleaning process is limited.

152. Method according to any one of the preceding Claims, characterized in that, as in this case, a number of modules are grouped in the radial direction at some distance from each other to the side of a central wafer transfer robot, in the rest position of these robot transfer arm sections thereof are located between adjacent modules.

153. A method according to claim 152, characterized in that after simultaneously opening these modules and moving the wafers to their lower take-over position on the pins, simultaneously by moving them back in radial direction. arm sections These wafers are taken over by these arm sections and then removed from these modules with subsequent radial advancement of these arm sections to a wafer transfer position in the subsequent modules for subsequent simultaneous transfer of these wafers to the respective cleaning chambers for the purpose of taking place therein the subsequent phases of the tonal wafer cleaning process.

154. A method according to claim 152, characterized in that a wafer feed station for wafers to be cleaned and a wafer 1007357 - 68-fer discharge station for cleaned wafers is used, as well as several wafer feed stations in the wafer feed station to the side of a central feed robot. cassettes, containing the wafers to be cleaned, are grouped, with the aid of this robot a wafer is brought from one of these cassettes to the take-over position within this module, and as in this wafer discharge side aside of a central wafer discharge robot several cassettes for the storage of cleaned wafers are grouped, with the aid of this discharge robot a cleaned wafer is brought from its ovemosition position within this module to one of these cassettes.

155. A method according to Claim 154, characterized in that the supply station of the wafer to be cleaned is fed substantially simultaneously from the supply station to the first module, wafer supply from the first module to the second module, wafer supply from this second module to the first module. third module and supply from this third module to the discharge station takes place.

156. A method as claimed in Claim 154, characterized in that in this case supply is effected from a wafer processing statics by means of the attack robot and removal is effected to the next wafer processing station by means of the discharge robot.

157. Method according to Claim 156, characterized in that the wafer cleaning takes place in two adjacent wafer cleaning stations, each consisting of a number of wafer cleaning molecules, which are grouped radially to the side of such a wafer transfer robot.

158. A method according to Claim 157, characterized in that, like these stations, in addition to these modules, a common supply module for supplying a wafer to be cleaned to the first module of each of these stations and a common module for discharge of a cleaned wafer from the last cleaning module of each of these stations, after discharge of a wafer to be cleaned to this supply module and discharge of a cleaned wafer from the discharge module, supply of this wafer to be cleaned from this common supply module to the first module of the first station takes place, with substantially simultaneously discharging a cleaned wafer from the last cleaning module of this station from this station to this common discharge module and then after supplying a next wafer to be cleaned to this supply module and discharge of a cleaned wafer from this discharge module supply from this next wafer to be cleaned to the first module of n the second station takes place, with substantially a simultaneous discharge of a 1007357 - 69 - cleaned wafer from the last cleaning module of this station to this common discharge module, with subsequent repetitions of this cycle.

159. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that any type of cleaning process can be used for the wafer cleaning process, and the cleaning process may or may not already be suitable, with the following suitable applications: a) in the wafer cleaning phase any type of liquid cleaning medium and with or without additives before and whether or not in succession; B) in the rinsing phase of the cleaning process any kind of rinsing medium, whether or not in combination with Dl water or only Dl water; and c) in the final phase of this cleaning process any kind of effervescent medium in gas and / or vapor form, whether or not in combination.

160. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that the RCA wafer cleaning system is used in phases SC I and SC II in an adapted form.

161. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that during the rinsing process with the expulsion of cleaning medium from the cleaning chamber, accumulation of heat generated by the two transducer arrangements in the walls of this chamber, the wafer contained therein. and the D1 water as rinsing medium takes place for the purpose of removing this D1 water from this chamber in the next phase at least partly by means of a partial evaporation thereof.

152. Method as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that as in the module a heating element is placed at least near the lateral end of the upper chamber block. Thereby a sensible heating of the two ends in lateral direction of the two chamber blocks is effected and maintained in dependence on the phase of the total wafer cleaning process and with a temperature thereof, which is at least close to the temperature of the two vibrating walls of the cleaning chamber is.

163. A method according to claim 159, characterized in that during the expulsion phase for the liquid flushing medium the two transducer arrangements are still in operation for the purpose of supplying heat to the two cleaning slits and maintaining a double- floating condition of the wafer.

164. Method according to Claim 161, characterized in that the rinsing takes place under an overpressure of the D1 water in the rinsing phase, and in this expulsion phase at least temporarily underpressure 1007357 - 70 - in the discharge system of both the cleaning chamber when the two transducer chambers are effected and maintained for the purpose of accelerating evaporation thereof in this cleaning chamber by lowering the boiling point of the D1 water and discharging it.

165. A method according to claim 159, characterized in that at least in the final phase of the rinsing process in the cleaning chamber the supply of D1 water as a closing medium to the liquid lock is changed into a supply of gaseous medium under overpressure, as in this lock during no gaseous lock medium 10 was used in the prior cleaning process. .1 0 0 7 3 5 7