KR950034262A - 저 전력 소비 반도체 메모리 장치 - Google Patents

저 전력 소비 반도체 메모리 장치 Download PDF

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KR950034262A
KR950034262A KR1019950005197A KR19950005197A KR950034262A KR 950034262 A KR950034262 A KR 950034262A KR 1019950005197 A KR1019950005197 A KR 1019950005197A KR 19950005197 A KR19950005197 A KR 19950005197A KR 950034262 A KR950034262 A KR 950034262A
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KR1019950005197A
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우사미 다다시
Original Assignee
안쏘니 제이. 살리
모토로라 인코포레이티드
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Abstract

전력 소비를 최소화하면서, 보다 빠른 액세스 시간에 기억된 데이타를 판독할 수 있는 저전력 소비의 반도체 메모리 장치가 제공된다.
메모리 셀에 기억된 정보 신호와 그 정보 신호의 반전된 버전이 위치되는 한 쌍의 비트 라인상의 논리 상태에 따라, 정보신호가 비트 라인상에 위치되는지가 검출되며, 다음에 비트 라인상의 정보 신호가 데이타신호 버스상에서 판독된다.

Description

저 전력 소시 반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 저전력 소비 반도체 메모리 장치의 한예를 나타내는 도면.

Claims (5)

  1. 저 전력 소비의 반도체 메모리 장치에 있어서, 정보 신호가 기억되는 메모리 셀과; 상기 메모리 셀에 기억된 정보 신호와 상기 정보 신호의 반전된 버전이 위치되는 한 쌍의 비트 라인과; 상기 정보 신호가 상기 비트 라인 각각의 논리값에 따라 상기 비트 라인상에 위치되는 때를 검출하여, 정보 감지 신호를 발생하는 정보 신호 감지 수단; 및 상기 정보 감지 신호에 응답하여, 데이타 신호 버스상의 상기 비트 라인의 정보 신호를 판독하는 정보 신호 판독 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 저전력 소비 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 어드레스 신호에 상응하는 워드 선택신호를 발생하는 어드레스 디코더를 더 구비하며, 상기 메모리 셀은 상기 정보 신호와 상기 반전된 정보 신호를 상기 워드 선택 신호에 응답하여 상기 비트라인 각각으로 보내게 되는 것을 특징으로 하는 저전력 소비 반도체 메모리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 정보 신호 감지 수단은 상기 비트 라인이 다른 논리값을 가질때 상기 정보 신호를 발생하는 것을 특징으로 하는 저전력 소비 반도체 메모리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 정보 신호 감지 수단은 배타적 OR 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 저전력 소비 반도체 메모리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 정보 신호 판독 수단은 메모리 판독 명령 신호 및 상기 정보 감지 신호에 응답하여 메모리 판독 신호를 발생하는 게이트 수단과, 상기 메모리 판독 신호에 응답하여 데이타 신호 버스상의 상기 비트 라인의 정보 신호를 판독하는 데이타 버스 구동기를 구비한 것을 특징으로 하는 저전력 소비 반도체 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950005197A 1994-03-16 1995-03-14 저 전력 소비 반도체 메모리 장치 KR950034262A (ko)

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JP6045848A JPH07254286A (ja) 1994-03-16 1994-03-16 低消費電力半導体メモリ装置
JP94-45848 1994-03-16

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JPH07254286A (ja) 1995-10-03

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