KR950000345B1 - 음극선관 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

음극선관
제 1 도는 본 발명에 의한 음극선관의 단면을 도시한 측면도.
제 2 도는 제 1 도의 a의 확대단면도.
제 3 도는 종래의 형광면의 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 음극선관 2 : 페이스 플레이트
4 : 중간막 5 : 메탈백층
11A : SiO2를 함유한 형광체층
11B : SiO2를 포함하지 않는 형광체층
본 발명은 음극선관 특히 음극선관의 구성에 관한 것이다.
본 발명은, 페이스 플레이트 내면에 형광면을 구성하는 형광체층이 형성되고, 그위에 메탈백층(metal backing layer)이 형성된 음극선관에 있어서, 그 형광체층이 페이스 플레이트와 접하는 쪽에 SiO2를 포함하고, 메탈백층과 접하는 쪽에는 SiO2를 가급적으로 포함하지 않도록 상기 형광체층을 구성하여, 형광체층이 페이스 플레이트로부터 떨어져 나오지 않고, 메탈백층이 형광체층으로부터 떨어져 나오지 않도록 한 것이다.
음극선관의 화상을 스크린 위에 확대 투사하도록 구성한 프로젝터(projector : 말하자면, 투사형 디스플레이)가 제안되어 있다. 이 프로젝터용 음극선관은 통상의 칼라 음극선관보다 거의 15 내지 20배의 에너지로 형광체를 발광시키고 있으며, 특히 소형 프로젝터관에서는 투입전력이 높아져, 그 전자 비임 에너지에 의해 형광체층이 페이스 플레이트(face plate)에서 떨어져 나오는 일이 있다. 제 3 도는 종래의 음극선rhks의 형광면을 표시하는 것으로, 페이스 플레이트(2)의 내면에 형광체층(3)을 형성하고, 그위에 아크릴 수지에 의한 중간막(4)을 끼우고 Al에 의한 메탈백층(5)을 증착하여 구성된다.
위에서 설명한 페이스 플레이트로부터 형광체 층이 떨어지는 것을 방지하는 대책으로서, 본 발명자는 형광체층에 분말 SiO2를 첨가하는 것을 시도했다. 이 SiO2의 혼입에 의해, 형광체층과 페이스 플레이트와의 접착은 향상되었으나, 형광체층 표면이 지나치게 매끄러워서 형광체층 위의 Al 메탈백층이 벗겨지기 쉬워진다는 문제가 생겼다. 또한, 분말 SiO2는 흡습성이 높기 때문에, Al의 메탈백층이 침식되어, 흑점불량(black-point defect)의 원인으로도 되었다.
본 발명은 상기한 점을 감안하여, 투입 전력이 높아도 형광체층이 페이스 플레이트에서 떨어지지 않고, 또한 메탈백층도 형광체에서 떨어지지 않으며 또한 침식되는 일이 없는 음극선관을 제공하는 것이다.
본 발명에서는 페이스 플레이트(2)의 내면에 형광면을 구성하는 형광체층(11)이 형성되고, 그위에 Al 등에 의한 메탈백층(5)이 형성되어서 구성되는 음극선관에 있어서, 그 형광체층(11)이 페이스 플레이트(2)와 접하는 측(11A)에서는 형광체 100중량부에 대해서 0.6중량부 이상의 SiO2를 포함하고, 메탈백층(5)과 접하는 측(11B)에서는 SiO2를 포함하지 아니하거나, 또는 SiO2의 함유량이 형광체 100중량부에 대해서 0.3중량부 이하로 되도록 상기 형광체층을 구성한다. 형광체층(11)의 페이스 플레이트(2)와 접하는 측의 SiO2의 함유량의 상한은 형광체층(11)의 휘도를 저하시키지 않을 정도로 한다.
페이스 플레이트(2)에 접하는 측의 형광체층(11A)은 0.6중량부 이상의 SiO2를 포함하기 때문에, 페이스 플레이트(2)에 대해 충분한 접착력을 갖는다. 또한 메탈백층(5)에 접하는 측의 형광체층(11B)은 SiO2가 포함되지 아니하거나 또는 0.3중량부 이하의 SiO2밖에 포함하지 않기 때문에 표면이 적당한 요철을 갖고, 메탈백층(5)과 형광체층(11)과의 접착이 충분해진다. 동시에 메탈백층(5)측의 형광체층에서는 흡수성이 작으므로, 메탈백층(5)은 침식되지 않는다.
이하, 본 발명의 실시예를 포함한다.
음극선관의 페이스 플레이트(유리) 내면에는 하기 조성에 의한 분말 SiO2(일본 아에로질 주식회사 제품 AEROSIL-200(상품명))을 포함하는 형광체 페이스트(paste)를 인쇄한 다음 건조시키고 냉각시켜 형광체층을 형성한다.
형광체 페이스트 조성
형광체 100g
에틸 셀룰로즈 2.5g
브틸 카루비톨(Butyl carbitol) 30g
AEROSIL - 200(분말 SiO2) 적량(0를 포함)
AEROSIL - 200(상품명)의 조성
SiO2〉99.8%
Al2O3〈0.05%
TiO2〈0.03%
HCl 〈0.01%
이 형광체층 위에 통상대로 아크릴수지에 의한 중간막을 인쇄하고 건조한 후, 중착하여 Al에 의한 메탈백층을 형성한다. 다음으로 이 페이스 플레이트를 베이킹(baking) 처리하고, 퍼넬(funnel)과의 프릿시일(fritsealing)을 통해 음극선관을 작성한다.
상기한 바와 같이 하여, 형광체층 중의 분말 SiO2의 함유량을 여러 가지로 바꾸어서 작성한 각 형광면을 구비한 음극선관에, 각각 5W/cm2의 전력을 투입하고, 그때의 형광면 즉 형광체층의 페이스 플레이트로부터의 박리 및 Al 메탈백층의 형광체층으로부터의 박리의 상태를 평가하였다. 그 결과를 아래표에 표시한다.
Figure kpo00001
위의 표에서 명백한 바와 같이, 분말 SiO2을 0.6중량부 이상 첨가한 형광체층의 경우, 형광체층의 페이스 플레이트로부터의 박리는 발생하지 않게 되었다. 또한, 분말 SiO2의 첨가량이 0.3중량부 이하(0을 포함함)의 형광체층의 경우, Al메탈백층의 형광체층으로부터 박리는 발생하지 않게 되었다. 동시에 Al 메탈백층이 산화되지 않는 것도 인정되었다.
따라서, 본 발명에서는 형광체층의 페이스 플레이트에 접하느 측에는 형광체 100중량부에 대해서 0.6중량부 이상의 분말 SiO2를 포함시키고(단, 상한은 형광체층이 휘도를 저하를 시키지 않을 정도의 량) , 형광체층의 메탈백층과 접하는 측에는 SiO2분말 포함하지 않도록 하거나, 또는 분말 SiO2의 함유량을 형광체 100중량부에 대해서 0.3중량부 이하로 되도록 한다.
다음으로 본 발명의 구체적인 예를 표시한다.
본 발명에 따르면, 제 1 도 및 제 2 도(제 1 도의 a의 확대도)에 도시하는 것과 같이, 음극선관(1)의 페이스 플레이트(2)의 내면에 아래의 조성으로 표시되는 분말 SiO2를 포함하는 형광체 페이스트를 인쇄하고, 건조한 후, 냉각하여 제 1 형광체층(11A)을 형성한다.
제 1 층째의 형광체 페이스트의 조성
형광체 100 g
에틸 셀룰로즈 2.5g
브틸 카루비톨 30g
AEROSIL - 200 0.6g 이상
다음에, 이 제 1 형광체층(11A)위에 아래 조성의 SiO2를 포함하지 않는 형광체 페이스트를 인쇄하고, 건조하고, 냉각하여 제 2 형광체층(11B)을 형성하여 2층 구조의 형광체층(11)으로 구성되는 형광면(12)을 형성한다.
제 2 층째의 형광체 페이스트의 조성
형광체 100g
에틸 셀룰로즈 2.5g
브틸 카루비톨 30g
그래서, 이 형광면 위에 아크릴 수지에 의한 중간막(4)을 인쇄 도포하고, 건조후, Al 메탈백층(5)을 증착한다. 그후, 베이킹 처리하고, 퍼넬(6)과의 프릿시일을 통해 음극선관을 작성한다. (7)은 프릿시일부이다.
이같은 구성에 의하면, 형광면(13)에 있어서, 페이스 플레이트(2)에 접하는 형광체층(11A)은 SiO2가 포함되어 있기 때문에 페이스 플레이트(2)에 충분히 접착된다. 또한, 메탈백층(5)에 접하는 형광체층(11B)은 SiO2가 포함되지 아니하므로, 표면에 적당한 요철을 갖고, 메탈백층과의 접착성이 양호하게 된다. 동시에 이 형광체층(11B)은 흡습성이 적다. 따라서, 음극선관에 고전력을 투입하여도, 형광체층(11)은 페이스 플레이트(2)에서 벗겨지지 않는다. 또한 메탈백층(5)도 형광체(11)에서 벗겨지지 않고, 또한 그 메탈백층(5)이 침식되는 일도 없다.
위 예에서는 형광면을 인쇄법에 의해 형성하였으나, 다음에 슬러리법(slurry method)에 의해 형광면을 형성하는 경우의 예를 설명한다.
슬러리법에서는, 페이스 플레이트(2)의 내면에 아래조성의 분말 SiO2를 넣는 형광체 슬러리를 도포하고, 건조후, 노광, 현상처리하여 제 1 형광체층(11A)를 형성한다.
제 1 층째의 형광체 슬러리의 조성
형광체 100g
폴리비닐 알코올(PVA) 5g
중크롬산 암몬(ADC) 0.5g
AEROSIL - 200 6g 이상
물 100cc
다음에, 이 제 1 의 형광체층(11A) 위에 아래 조성의 SiO2를 포함하지 않는 형광체 슬러리를 도포하고, 건조후, 노광, 현상 처리하여 제 2 형광층(11B)을 형성하고, 형광면(12)을 형성한다.
제 2 층째의 형광체 슬러리의 조성
형광체 100g
폴리비닐 알코올(PVA) 5g
중크롬산 암몬(ADC) 0.5g
물 100g
계속해서, 이 형광면(13)위에 통상의 아크릴 수지에 의한 중간막(4)을 사이에 두고 A1 메탈백측(5)을 형성한다. 그후 베이킹 처리하고, 퍼널과의 프릿시일을 통해 음극선관을 제작한다. 이 음극선관의 형광면에 있어서도 위 예와 같은 작용 효과를 띤다.
또한, 위 예에서는 2층째의 형광체층(11B)에 SiO2를 포함시키지 않는 구성으로 하였으나, 이 형광체층(11B)에 0.3중량부 이하의 SiO2를 포함시켜도 좋다.
또한, 위 예에서는 형광체층(11)을 2층 구조로 하였지만, 형광체층으로서는 기본적으로 메탈백층(5)에 접하는 측과 페이스 플레이트(2)에 접하는 측에 있어서 SiO2의 함유량이 위에서 설명한 조건을 만족하는 구성이면 좋다.
앞의 설명대로 본 발명에 의하면, 형광체층(11)의 페이스 플레이트(2)측 (11A)은 0.6중량부 이상의 SiO2가 포함되고, 메탈백층(5)측 (11B)은 SiO2가 포함되지 아니하거나 또는 0.3중량부 이하의 SiO2밖에 포함되지 않는다. 따라서, 형광체층(11)과 페이스 플레이트(2)간, 및 형광체층(11)과 메탈백층(5)간의 접착성이 양호해서, 높은 전력을 투입하여도 형광체층(11)이 페이스 플레이트(2)로부터 박리되는 일은 없고, 또한 메탈백층도 형광체층(11)에서 박리되는 일이 없다.
또한, 형광체층(11)의 메탈백층(5)측 (11B)은 SiO2가 포함되지 아니하거나, 또는 약간이기 때문에 흡수성은 극히 작고, 메탈백층(5)을 침식하는 일은 없다.
따라서, 본 발명은 높은 전력을 필요로 하는 예컨대 칼라 프로젝터용 음극선관에 적용하여 가장 알맞도록 할 수 있는 것이다.

Claims (1)

  1. 페이스 플레이트 내면에 형광체층이 형성되고, 이 형광체층위에 메탈백층이 형성된 음극선관에 있어서, 상기 형광체층의 상기 페이스 플레이트에 접하는 측은 상기 형광체 100중량부에 대해서 0.6중량부 이상의 SiO2가 포함되는데 상기 형광체 층의 휘도를 떨어뜨리지 않을 정도의 양만큼 SiO2가 포함되고, 상기 형광체층의 상기 메탈백층과 접하는 측은 SiO2를 포함하지 않거나 상기 형광체 100중량부에 대해서 0.3중량부 이하의 SiO2가 포함되도록 이루어진 음극선관.
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