KR930010830B1 - Wave guide - Google Patents

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Abstract

spin coating a photoresist on a LiNbO3 substrate; placing the substrate close to a mask, exposing it to ultraviolet light, and developing the sample; forming the desired waveguide by depositing Ti on the developed substrate, immersing the substrate in acetone and removing residual photoresist on it; depositing SiO2 on the substrate before thermal diffusion of Ti in the electric furnace so as to prevent out-diffusion of Li2O in the thermal diffusion process.

Description

열확산시 산화리튬의 표면 삼출을 방지한 광도파로의 제조방법Method for manufacturing optical waveguide which prevents surface leach of lithium oxide during thermal diffusion

제1도는 광도파로의 제조 공정을 나타낸 개략도로서,1 is a schematic diagram showing a manufacturing process of an optical waveguide.

제1a도는 종래의 방법이고,Figure 1a is a conventional method,

제1b도는 본 발명의 방법을 나타낸 것이며,Figure 1b shows the method of the present invention,

제2도는 제조된 광도파로의 도파 모드를 나타내는 사진으로서,2 is a photograph showing the waveguide mode of the manufactured optical waveguide,

제2a도 및 b도는 종래의 방법에 의해 제조된 광도파로의 도파 모드를,2a and b show the waveguide mode of an optical waveguide manufactured by a conventional method,

제2c도 및 d도는 250Å 두께로 이산화실리콘 박막을 입혀 제조한 본 발명의 광도파로의 도파 모드를 나타낸 것이며,2c and d show the waveguide mode of the optical waveguide of the present invention prepared by coating a silicon dioxide thin film having a thickness of 250 Å,

제3도는 1100Å 두께로 이산화실리콘 박막을 입혀 제조한 본 발명의 광도파로의 도파 모드를 나타낸 것이다.3 shows the waveguide mode of the optical waveguide of the present invention prepared by coating a silicon dioxide thin film having a thickness of 1100 Å.

본 발명은 열확산시 산화리튬(Li2O)의 표면 삼출(out-diffusion)을 방지한 개선된 광도파로의 제조 방법, 더욱 구체적으로 말하자면 확산 방법(diffusion process)에 의하여 티탄 리튬나이오베이트(Ti : LiNbO3)를 이용하여 광도파로를 제조하는 방법에 있어서, 산화리튬(Li2O)의 삼출을 방지한 광도파로의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention provides a method for producing an improved optical waveguide that prevents out-diffusion of lithium oxide (Li 2 O) during thermal diffusion, and more specifically, titanium lithium niobate (Ti) by a diffusion process. In the method for producing an optical waveguide using LiNbO 3 ), the present invention relates to a method for producing an optical waveguide in which exudation of lithium oxide (Li 2 O) is prevented.

리튬나이오베이트 결정은 그의 광학적 및 전기 광학적 성질면에서 좋은 특징을 가지고 있고, 또한 제조 과정도 비교적 용이하다는 장점을 가지고 있기 때문에, 박막 광도파로를 이용하는 장치(device)에 능동 소자로서 많이 사용되고 있다.Lithium niobate crystals have good characteristics in terms of their optical and electro-optical properties, and also have a relatively easy manufacturing process. Therefore, they are widely used as active devices in devices using thin film optical waveguides.

리튬나이오베이트 결정을 사용하여 광도파로를 형성하는 방법은 일반적으로 높은 온도, 통상적으로는 900℃ 내지 1150℃에서 티탄(Ti)를 확산시키는 방법(M. N. Armenise, IEE Proceedings, 제2호, 제85페이지, 1988년 참조)을 사용하는데, 이 방법에는 한 가지 문제점이 있다. 리튬나이오베이트 결정에 티탄(Ti) 등의 다른 물질을 열확산시켜 광도파로를 형성하는 과정에서 리튬나이오베이트 결정으로부터 산화리튬이 빠져나오는 삼출 현상이 일어나게 된다. 이와 같이 제조된 장치(device)는 표면 근처의 굴절률이 결정 내부의 굴절률보다 상대적으로 커지게 되어 이상 광선(extra-ordinary wave)이 입사될 경우에 일종의 광도파로 구실을 하게 된다(I. P. Kaminow and J. R. Carruthers, Appl. Phys. Lett. 제22호, 제326페이지, 1973년 참조). 목적하는 광도파로 이외에 표면에 예상 밖의 표면 광도파로가 형성되는데, 이 때 삼출층(out-diffusion layer)의 깊이가 목적하는 광도파로의 깊이와 유사할 경우, 이 표면 광도파로와 목적하는 광도파 사이에 결합(coupling)이 유도되어 도파가 손실되므로, 광도파로의 도파 성능이 감쇄되는 좋지 못한 결과가 나타난다(J. Noda, M. Fukuma and Y.I to J. Appl. Phys. 제51호, 제1379페이지, 1980년 참조). 따라서, 표면 광도파에 기인한 광도파의 손실을 줄임으로써 도파 성능을 향상시키는 문제의 해결이 요구되고 있다.A method of forming an optical waveguide using lithium niobate crystals is generally a method of diffusing titanium (Ti) at a high temperature, typically 900 ° C to 1150 ° C (MN Armenise, IEE Proceedings, No. 2, 85). Page, 1988), there is one problem with this approach. In the process of thermally diffusing another material such as titanium (Ti) into the lithium niobate crystal to form an optical waveguide, an exudation phenomenon occurs in which lithium oxide escapes from the lithium niobate crystal. The device manufactured in this way becomes relatively larger than the refractive index inside the crystal and serves as a kind of optical waveguide when an extra-ordinary wave is incident (IP Kaminow and JR Carruthers). , Appl. Phys. Lett. 22, p. 326, 1973). In addition to the desired optical waveguide, an unexpected surface optical waveguide is formed on the surface, where the depth of the out-diffusion layer is similar to the depth of the desired optical waveguide, between the surface optical waveguide and the desired optical waveguide. Coupling is induced and loss of waveguides results in poor waveguide performance (J. Noda, M. Fukuma and YI to J. Appl. Phys. No. 51, page 1379). , 1980). Therefore, there is a need for solving the problem of improving the waveguide performance by reducing the loss of the optical waveguide due to the surface optical waveguide.

현재까지, 이와 같은 문제점, 즉 표면 광도파를 방지하거나 또는 감쇄시키려는 여러 가지 방법들이 제안되어 왔다. 이들 방법들은 다음 몇 가지로 분류될 수 있다(J. L, Jackel, J. Opt. Commun, 제3호, 제82페이지, 1982년 참조).To date, various methods have been proposed to prevent or attenuate such problems, namely surface optical waveguides. These methods can be classified into several categories (see J. L, Jackel, J. Opt. Commun, No. 3, page 82, 1982).

첫째, 시료에 대한 산화리튬의 분압(partial pressure)을 조절하여 리튬의 삼출을 막거나 리튬의 양이 더 많게 하는 방법(R. L. Holman, P. J. Cressman, and J. F. Revelli, Appl. Phys. Lett. 제32호, 제280페이지, 1978년 참조).First, a method of controlling the partial pressure of lithium oxide on a sample to prevent lithium exudation or to increase the amount of lithium (RL Holman, PJ Cressman, and JF Revelli, Appl. Phys. Lett. , Page 280, 1978).

둘째, 리튬나이오베이트 결정보다 굴절률이 낮은 물질을 동시에 확산시켜 리튬의 손실로 인하여 야기되는 굴절률의 증가를 보상하는 방법(J. Noda, m. Fukuma and A. Saito, Appl. Phys. Lett, 제27호, 제19페이지, 1975년 참조).Second, a method of compensating for an increase in refractive index caused by loss of lithium by simultaneously diffusing a material having a lower refractive index than that of lithium niobate crystals (J. Noda, m. Fukuma and A. Saito, Appl. Phys. Lett, 27, page 19, 1975).

세째, 확산시키는 동안에 분위기 가스 또는 적당한 온도를 선택하는 방법(J. L. Jackel, V. Ramaswamy, and S. P. Lyman, Appl. Phys. Lett., 제38호, 제509페이지, 1981년 참조).Third, the method of selecting an atmospheric gas or a suitable temperature during diffusion (see J. L. Jackel, V. Ramaswamy, and S. P. Lyman, Appl. Phys. Lett., 38, 509, 1981).

넷째, 리튬나이오베이트 결정의 성분비가 화학양론적(stoichiometric)으로 안정한 조성비에 가까운 시료를 선택하여 광도파로를 제조하는 방법(Van E. Wood, J. Appl. Phys., 제52호, 제1118페이지, 1981년 참조).Fourth, a method of manufacturing an optical waveguide by selecting a sample having a composition ratio of lithium niobate crystals close to stoichiometrically stable composition ratio (Van E. Wood, J. Appl. Phys., No. 52, No. 1118). Page, 1981).

이들 방법 중에서 첫째 방법이 리튬의 삼출을 막는 방법으로서 가장 양호한 특성을 가지고 있지만, 이 방법은 도가니를 특별히 제조해야 하는 등의 번거로운 작업이 요구되는 단점이 있다. 둘째 방법은 산화마그네슘(MgO)을 동시에 확산시키는 방법으로서, 산화마그네슘이 리튬나이오베이트 결정에 확산되어 들어갈 경우, 굴절률을 낮추어 주는 반면에 전기 절연률이 떨어지는 단점이 있다.Among these methods, the first method has the best characteristics as a method of preventing the exudation of lithium, but this method has a disadvantage in that cumbersome work such as special preparation of the crucible is required. The second method is a method of diffusing magnesium oxide (MgO) at the same time, when magnesium oxide is diffused into the lithium niobate crystal, the refractive index is lowered while the electrical insulation is lowered.

세째 방법과 네째 방법은 삼출을 막아주는 효과가 명확하게 나타나 있지 않다.The third and fourth methods do not have a clear effect on preventing effusion.

따라서, 본 발명의 목적은 확산 방법에 의한 티탄 리튬나이오베이트(Ti : LiNbO3) 광도파로의 제조시에 이산화실리콘을 티탄 위에 피복시켜 확산시키는 동안 산화리튬이 표면 방향으로 삼출하는 것을 방지한 개선된 광도파로 제조 방법을 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is an improvement in preventing lithium oxides from leaching in the surface direction during coating and diffusion of silicon dioxide on titanium during fabrication of a titanium lithium niobate (Ti: LiNbO 3 ) optical waveguide by a diffusion method. It is to provide a method for producing an optical waveguide.

본 발명의 또다른 목적 및 잇점은 다음의 본 발명에 관한 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.Further objects and advantages of the present invention will become apparent from the following detailed description of the invention.

상기한 본 발명의 목적은 리튬나이오베이트 기판상에 포토레지스트를 스핀 코팅 시키고, 이 포토레지스트가 스핀 코팅된 기판을 마스크에 밀착시킨 다음 자외선을 조사하여 현상함으로써 기판을 음각하고, 이어서 음각된 기판 위에 티탄을 피복시키고, 이 티탄이 피복된 기판을 아세톤에 침지시켜 잔류하는 포토레지스트를 용해시켜 제거함으로서 기판 위에 목적하는 광도파로를 형성한 다음, 그 기판을 전기로에 넣어 티탄을 열확산시키는 종래의 광도파로 제조 방법에, 광도파로가 형성된 기판을 전기로에 넣어 티탄을 열확산시키기 전에 기판 위에 이산화실리콘을 증착시키는 공정을 추가함으로써 달성된다.The object of the present invention described above is to spin-coated a photoresist on a lithium niobate substrate, to enclose the photoresist spin-coated substrate in close contact with a mask, and then to engrav the substrate by developing ultraviolet rays, and then the engraved substrate. Titanium is coated on the substrate, and the titanium-coated substrate is immersed in acetone to dissolve and remove the remaining photoresist to form a desired optical waveguide on the substrate, and then the substrate is placed in an electric furnace to thermally diffuse titanium. A method of manufacturing a waveguide is achieved by adding a process of depositing silicon dioxide on a substrate before placing the substrate on which the optical waveguide is formed and thermally diffusing titanium.

이하, 첨부 도면을 참고로 하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

제1a도는 종래의 포토리소그래피(photo-lisography) 방법과 열확산 방법을 나타내는 공정의 개략도로서, 이것을 설명하면 다음과 같다. 리튬나이오베이트 결정 위에 포토레지스트(photoresist)를 스핀 코팅(spin coating)시키고, 이어서 마스크(mask)에 밀착시켜 365 내지 436nm의 자외선을 조사한 후, 현상하여 음각 형태를 제조하고, 이와 같이 제조된 것에 진공 증착기를 사용하여 티탄을 피복시키고, 이어서 아세톤에 침지시켜 잔류하는 포토레지스트를 녹여내는 소위 리프트오프(lift-off) 공정에 의하여 리튬나이오베이트 결정 위에 목적하는 광도파로 형태의 티탄을 증착시킨 후, 이어서 이 시료를 1050℃의 전기로에 넣어 티탄을 열확산시켜 광도파로를 제조하는 공정을 나타낸 것이다.FIG. 1A is a schematic diagram of a process showing a conventional photo-lisography method and a thermal diffusion method, which will be described below. Spin coating a photoresist on the lithium niobate crystal, and then attaching it to a mask, irradiating with ultraviolet rays of 365 to 436 nm, and then developing to produce an intaglio form. After coating titanium using a vacuum evaporator, and then depositing the desired optical waveguide-type titanium on the lithium nitrate crystals by a so-called lift-off process of immersing in acetone to melt the remaining photoresist. Subsequently, the sample was placed in an electric furnace at 1050 ° C to thermally diffuse titanium to produce an optical waveguide.

제1b도는 본 발명에 따른 광도파로의 제조 방법을 개략적으로 나타낸 것이다. 본 발명에 의한 b도의 방법에서 특기할 만한 사항은 리프트오프 공정 후에 남아 있는 티탄과 이 시료의 전면에 이산화실리콘을 피복시켜 함께 열확산시킨다는 점이다. 이 방법에 의해 광도파로를 제조할 경우, 이산화실리콘이 시료 전면에 피복되어 있기 때문에 산화리튬이 삼출되지 못하거나 또는 삼출되더라도 표면 방향으로의 삼출 속도를 효과적으로 지연시킴으로써 삼출층의 깊이를 줄일 수 있다.Figure 1b schematically shows a method of manufacturing an optical waveguide according to the present invention. It is noteworthy in the method of FIG. B according to the present invention that titanium remaining after the lift-off process and silicon dioxide are coated on the entire surface of the sample to thermally diffuse together. When the optical waveguide is manufactured by this method, since the silicon dioxide is coated on the entire surface of the sample, the depth of the exudation layer can be reduced by effectively delaying the rate of exhalation in the surface direction even if lithium oxide cannot be exuded or exuded.

제2a도 및 b도는 종래의 방법으롱 제조한 광도파로의 도파 모드를 나타내고 있다. a도는 입사 광원의 편광이 상광선(ordinary wave)인 경우를 나타낸 것으로서, 목적하는 도파 모드를 잘 구별할 수 있으나, 입사 광원의 편광이 이상 광선(extra-ordinary wave)인 경우를 나타내는 b도에서는 목적하는 도파 모드와 삼출에 의한 표면 도파를 잘 구별하기가 어렵다.2A and 2B show the waveguide mode of the optical waveguide manufactured by the conventional method. FIG. a shows the case where the polarization of the incident light source is an ordinary wave, and can clearly distinguish the desired waveguide mode, but in FIG. b shows the case where the polarization of the incident light source is an extra-ordinary wave. It is difficult to distinguish between the desired waveguide mode and the surface waveguide by the exudation.

제2c도 및 d도는 본 발명에 따라 이산화실리콘 박막을 250Å 두께로 피복시켜 제조한 광도파로의 도파 모드를 나타낸 것이다. c도는 입사 광원의 편광이 상광선인 경우를 나타낸 것으로서, 도파 모드를 잘 구별할 수 있으며, d도는 입사 광원의 편광이 이상 광선인 경루를 나타내는 것으로서, 제2b도보다는 도파 특성이 개선되었음을 알 수 있다. 제2도에 관한 더 상세한 내용은 후술하는 실시예 1에 기재되어 있다.2c and d show the waveguide mode of the optical waveguide prepared by coating the silicon dioxide thin film to 250 Å thickness according to the present invention. Fig. c shows the case where the polarization of the incident light source is normal light, and can clearly distinguish the waveguide mode, and d shows the impairment of the polarization of the incident light source as an abnormal light beam. have. Further details regarding FIG. 2 are described in Example 1 below.

제3도는 본 발명에 따라 이산화실리콘 박막을 1100Å 두께로 피복시켜 제조한 광도파로의 도파 모드를 나타낸 것으로서, a도 및 c도는 입사 광선의 편광이 상광선인 경우를, b도 및 d도는 입사 광원의 편광이 이상 광선인 경우를 각각 나타낸 것이다. 도파 모드의 형태는 상광선 뿐만 아니라 이상 광선에서도 거의 원형에 가까운데, 이는 삼출 현상이 거의 일어나지 않았음을 보여주는 것이다. 제3도와 관련된 것은 후술하는 실시예 2에 더 상세히 기재되어 있다.3 shows the waveguide mode of an optical waveguide made by coating a silicon dioxide thin film with a thickness of 1100 에 according to the present invention, in which a and c are the case where the polarization of the incident light is an ordinary light, and b and d are the incident light sources. It shows the case where the polarization of is an abnormal light ray, respectively. The shape of the waveguide mode is almost circular, not only in normal light, but also in abnormal light, which shows that almost no exudation occurs. Related to FIG. 3 is described in more detail in Example 2 below.

다음 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명을 제한하거나 또는 한정하기 위한 것은 아니다.The following examples are intended to illustrate the invention, but not to limit or limit the invention.

[실시예 1]Example 1

결정면이 x축에 평행하게 잘린 리튬나이오베이트 결정 위에 포토레지스트를 피복시키고, 자외선(파장 범위 : 365-436nm)을 포토레지스트에 조사시켜 감광시킨 후에, 이것을 현상하는 포토리소그래피에 의하여 폭 5㎛의 도파로를 형성시킨 후, 진공 증착기(전자총 방식)를 사용하여 그 위에 티탄을 300Å 두께로 입히고, 이 시료를 아세톤에 침지시켜 포토레지스트를 녹여내는 리프트오프(lift-off) 공정에 의해 도파로를 형성시키고, 이 위에 이산화실리콘을 250Å 두께로 피복시킨 후, 전기로에 넣어 1050℃에서 5시간 동안 열확산시켰다.The photoresist was coated on a lithium niobate crystal whose crystal plane was cut parallel to the x-axis, irradiated with ultraviolet rays (wavelength range: 365-436nm) to the photoresist, and then photosensitive. After the waveguide was formed, a waveguide was formed by using a vacuum evaporator (electron gun method), coated with titanium to a thickness of 300 μm, and then immersed in acetone to melt the photoresist to form a waveguide. Then, the silicon dioxide was coated with 250 Å of thickness on it, and then placed in an electric furnace and thermally diffused at 1050 ° C. for 5 hours.

이와 같이 제조한 광도파로의 도파 특성을 입사 광원의 편광으로서 상광선 및 이상 광선을 사용할 경우에 대해 각각 조사하였다. 그 결과는 제2c도 및 d도에 나타낸 바와 같다.The waveguide characteristics of the optical waveguide thus produced were investigated for the case where normal light and abnormal light were used as polarization of the incident light source. The results are as shown in Figures 2c and d.

제2c도는 트랜스버스 마그네틱(TM) 모드의 경우에 도파가 잘 되고 있음을 나타내고 있으며, d도는 트랜스버스 일렉트릭(TE) 모드의 경우에는 도파 모드가 상당히 큰 것처럼 보이고 있지만, 사진에서 D로 나타낸 부분은 도파로의 도파 모드가 아니고, 삼출(out-diffusion)에 의한 표면 도파를 나타낸 것이다. 이 사진에서 그 모양은 알아보기가 쉽지 않지만,와 같은 형태이며, 실제 도파 모드는 매우 작아 잘 보이지 않는다. 사진에서 C로 표현된 부분은 실제 도파 모드의 모양으로서와 같은 형태이다. 이러한 모양이 나타나는 이유는 티탄(Ti) 위에 피복시킨 이산화실리콘(SiO2)의 두께가 얇기 때문에 삼출이 티탄 바로 옆에서 중점적으로 일어남으로써 광도파로의 도파 손실을 매우 크게 일으켜 도파 모드를 알아 볼 수 없게 만들었기 때문이다. 그러나, 종래의 광도파로의 도파 모드를 나타내는 제2b도와 본 실시예에서 제조한 광도파로의 도파 모드를 나타내는 제2d도의 결과를 비교해 보면, 확산 과정에서 이산화실리콘이 산화리튬의 삼출을 막을 수 있다는 가능성을 시사해주고 있다.Figure 2c shows the good waveguide in the case of transverse magnetic (TM) mode, and d shows the waveguide mode is quite large in the case of transverse electric (TE) mode. Surface waveguide by out-diffusion is shown, not the waveguide mode of the waveguide. The shape in this picture is not easy to recognize, The waveguide mode is very small and difficult to see. The part marked C in the picture is the shape of the actual waveguide mode. It looks like this. The reason for this appearance is that the thickness of the silicon dioxide (SiO 2 ) coated on the titanium (Ti) is so thin that the exudation occurs mainly next to the titanium, causing the waveguide loss of the optical waveguide so large that the waveguide mode cannot be recognized. Because I made it. However, comparing the results of FIG. 2b which shows the waveguide mode of the conventional optical waveguide and FIG. 2d which shows the waveguide mode of the optical waveguide manufactured in this embodiment, the possibility that silicon dioxide can prevent the leakage of lithium oxide during the diffusion process Suggests.

[실시예 2]Example 2

본 실시예에서는 이산화실리콘 박막의 두께를 티탄의 두께보다 더 두껍게 하여 실험을 하였다. 본 실시예에서는 이산화실리콘(SiO2)를 티탄 위에 1100Å의 두께로 피복시켜 확산시키는 것을 제외하고는 실시예 1과 같은 방법으로 행하였다. 그 결과는 제3도에 나타내었다. 제3a도 및 c도는 이산화실리콘 박막을 1100Å의 두께로 티탄 위에 피복시켜 제조한 시료의 트랜스버스 일렉트릭 모드를, 그리고 b도 및 d도는 트랜스버스 마그네틱 모드를 나타낸 것으로서, 도파 특성이 매우 만족스러움을 나타내고 있다. 이 사진에서는 삼출(out-diffusion) 현상이 전혀 나타나지 않고 있다. 도파 모드(즉, A점)의 형태는 원형에 가깝다. 따라서, 삼출층과 광도파로 사이의 결합이 일어나지 않음으로써 도파 특성이 향상되었다는 것을 알 수 있다. 또한, 도파 모드(즉, A점) 이외의 부분(즉, B점)은 기판(substrate) 모드로서, 입사 조건을 조절하면 제거할 수 있는 것이다.In this embodiment, the experiment was performed by making the thickness of the silicon dioxide thin film thicker than that of titanium. In this example, the same method as in Example 1 was carried out except that silicon dioxide (SiO 2 ) was coated on the titanium with a thickness of 1100 GPa and diffused. The results are shown in FIG. 3a and c show a transverse electric mode of a sample prepared by coating a silicon dioxide thin film on titanium at a thickness of 1100 μs, and b and d show a transverse magnetic mode, showing very satisfactory waveguide characteristics. have. No out-diffusion is seen in this picture. The shape of the waveguide mode (ie point A) is close to circular. Therefore, it can be seen that the waveguide property is improved by not coupling between the exudation layer and the optical waveguide. In addition, portions other than the waveguide mode (ie, point A) (ie, point B) are substrate modes, which can be removed by adjusting the incident conditions.

본 실시예에서 제조한 광도파로의 실험 결과와 종래의 방법으로 이산화실리콘을 피복시키지 않고 제조한 광도파로에서의 실험 결과(제2b도)를 비교하면, 이산화실리콘 박막이 산화리튬이 표면 방향으로 삼출하는 것을 막아준다는 것을 알 수 있다.Comparing the experimental results of the optical waveguide manufactured in this example with the experimental results (FIG. 2b) of the optical waveguide manufactured without covering the silicon dioxide by the conventional method, the silicon dioxide thin film exuded lithium oxide in the surface direction. You can see that it prevents you from doing.

본 발명에 의하면 광도파로 제조시 열확산에 의해 산화리튬이 표면 방향으로 삼출되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명의 방법으로 제조된 광도파로의 도파 특성은 현저하게 향상될 수 있다.According to the present invention, it is possible to prevent the lithium oxide from exuding in the surface direction by thermal diffusion during the manufacture of the optical waveguide. Therefore, the waveguide characteristics of the optical waveguide manufactured by the method of the present invention can be significantly improved.

Claims (2)

리튬나이오베이트 기판 위에 포토레지스트를 스핀 코팅시키고, 이어서 기판을 마스크에 밀착시킨 다음 자외선을 조사하여 현상시켜 기판을 음각하고, 이어서 음각된 기판 위에 티탄을 피복시키고, 티탄이 피복된 기판을 아세톤에 침지시켜 잔류하는 포토레지스트를 용해시켜 제거함으로써 기판 위에 목적하는 광도파로 형태를 형성한 다음, 기판을 전기로에 넣어 티탄을 열확산시키는 광도파로 제조 방법에 있어서, 광도파로 형태가 형성된 기판을 전기로에 넣어 티탄을 열확산시키기 전에 기판 위에 이산화실리콘을 증착시킴으로써 열확산시 산화리튬의 표면 방향으로의 삼출을 방지한 것을 특징으로 하는 광도파로 제조 방법.Spin coating a photoresist on a lithium niobate substrate, then adhering the substrate to a mask and then developing by irradiating with ultraviolet light to engrav the substrate, then coating titanium on the engraved substrate, and applying the titanium coated substrate to acetone In the optical waveguide manufacturing method in which a desired optical waveguide shape is formed on a substrate by immersing and dissolving and removing the remaining photoresist, and then placing the substrate in an electric furnace to thermally diffuse titanium, the substrate in which the optical waveguide shape is formed is put in an electric furnace. A method of manufacturing an optical waveguide, characterized in that the silicon dioxide is deposited on a substrate prior to thermal diffusion to prevent exudation of the lithium oxide in the surface direction during thermal diffusion. 제1항에 있어서, 이산화실리콘이 250Å 내지 1, 100Å의 두께로 증착됨을 특징으로 하는 방법.The method of claim 1 wherein the silicon dioxide is deposited to a thickness of 250 microns to 1,100 microns.
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