KR930000545B1 - Integrated circuit tester and remote pin electronics therefor - Google Patents
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Abstract
내용 없음.No content.
Description
[발명의 명칭][Name of invention]
집적회로 테스터 및 핀간 인터페이스 제공장치Integrated circuit tester and pin-to-pin interface provider
[도면의 간단한 설명][Brief Description of Drawings]
제1도는 집적 회로 테스터의 블럭선도.1 is a block diagram of an integrated circuit tester.
제2도는 본 발명의 원리에 다른 집적 회로 테스터 부분의 상세 블럭도.2 is a detailed block diagram of an integrated circuit tester portion that is in accordance with the principles of the present invention.
[발명의 상세한 설명]Detailed description of the invention
[발명의 분야][Field of Invention]
본 발명을 일반적으로 자동 집적 회로 테스터의 테스트 헤드에 사용하기 위한 전자 장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 자동 집적 회로 테스터의 인가 및 측정 회로를 테스트 헤드로부터 비교적 멀리 떨어져 위치하게 하는 것이 가능한 로우 디바이스 계수 회로(low divice count circuit)에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates generally to electronic devices for use in test heads of automated integrated circuit testers. In particular, the present invention relates to a low divice count circuit capable of positioning the application and measurement circuitry of an automated integrated circuit tester relatively remote from the test head.
[발명의 배경][Background of invention]
반도체 집적 회로의 제작에 있어서, 상기 회로는 여러 단계로 테스트하는 것은 매우 중요하다. 집적 회로는 점점 더 복잡해지며 회로기판등에 상호 접속되기 위해 더 많은 핀이 요구되므로 상기 회로의 테스트에 야기되는 문제점을 더욱 증가한다.In the fabrication of semiconductor integrated circuits, it is very important to test the circuits in various stages. Integrated circuits become more complex and require more pins to be interconnected to circuit boards and the like, further increasing the problems caused by the testing of the circuits.
하이 핀 계수 집적 회로(high pin count integrated circuit)의 테스트에 있어서 야기되는 근본적인 문제점은 요구되는 테스트 헤드의 사이즈이다. 종래의 자동 테스터는 테스트되는 디바이스 각 핀에 다수의 힘을 가하여 응답을 측정할 수 있는 인가 및 측정 유닛이 제공되는 상태이다. 신호 저하 및 다른 문제점을 제거하기 위하여서는, 상기 인가 및 측정 유닛을 가능한 테스트하의 핀에 근접되게 위치하게 하는 것이 필요하다. 따라서, 상당한 노력이 인가 및 측정 유닛의 설계에 요구되며, 테스터는 더 많은 핀을 테스트하도록 설계되며 테스트 헤드의 물리적 사이즈는 취급할 수 없을 정도로 증대한다. 상기 모든 문제점은 종래의 테스터 속도가 신속히 증가하므로 더욱 악화된다. 테스트 헤드에서 결과로 나타나는 높은 스위칭 속도는 간섭 및 신호질에 문제를 야기시켜 더욱 문제점을 악화시킨다.A fundamental problem that arises in the testing of high pin count integrated circuits is the size of the test head required. Conventional automatic testers are provided with an application and measurement unit capable of measuring the response by applying a number of forces to each pin of the device being tested. In order to eliminate signal degradation and other problems, it is necessary to position the application and measurement unit as close to the pin under test as possible. Thus, considerable effort is required in the design of the accreditation and measurement unit, the tester is designed to test more pins and the physical size of the test head increases unhandily. All of these problems are further exacerbated by the rapid increase in conventional tester speed. The high switching speeds that result in the test heads cause problems with interference and signal quality, making the problems even worse.
[발명의 요약][Summary of invention]
따라서, 본 발명의 목적은 개선된 자동 집적 회로 테스터를 제공하는 것이다.It is therefore an object of the present invention to provide an improved automated integrated circuit tester.
본 발명의 또 다른 목적은 자동 집적 회로 테스터의 테스트 헤드에 사용하기 위한 개선된 전자 회로를 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide an improved electronic circuit for use in a test head of an automatic integrated circuit tester.
본 발명의 또 다른 목적은 자동 집적 회로 테스터의 테스트 헤드에 사용하기 위한 개선된 전자 회로를 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide an improved electronic circuit for use in a test head of an automatic integrated circuit tester.
본 발명의 또다른 목적은 자동 집적 회로 테스터의 인가 및 측정 유닛을 테스트 헤드에서 떨어져서 위치하게 하는 로우 디바이스 계수 회로를 제공하는 것이다.It is a further object of the present invention to provide a low device counting circuit which places the application and measurement unit of the automatic integrated circuit tester away from the test head.
상기 목적 및 다른 목적 및 장점은 테스트 헤드에서 떨어져서 인가 및 측정 유닛을 가진 집적 회로 테스트를 제공하는 것이다. 테스트 헤드에서의 스위칭 장치는 테스트하의 핀에 근접되며 다수의 테스트 조건 사이에서 고속도 스위칭을 제공한다. 하나 이상의 인가 회로가 사용되어 인가 회로를 테스트 헤드에 결합시키는 라인상의 신호는 테스트하의 핀에 나타나는 것보다 훨씬 낮은 속도로 스위치 될 수 있다.The above and other objects and advantages are to provide an integrated circuit test with an application and measurement unit away from the test head. The switching device at the test head is close to the pin under test and provides high speed switching between multiple test conditions. One or more application circuits may be used to switch the signal on the line that couples the application circuit to the test head at a much lower speed than would appear on the pin under test.
본 발명의 상기 목적 및 장점은 도면을 참조로 하여 다음에 설명된 상세한 기술에 의해 본 발명의 기술분야에 숙련된 사람은 명확하게 알 수 있다.The above objects and advantages of the present invention will be apparent to those skilled in the art by the following detailed description with reference to the drawings.
[발명의 상세한 설명]Detailed description of the invention
제1도는 전형적인 집적 회로 테스터의 간단한 블럭선도이다. 대부분의 테스터의 구성요소는 캐비넷(10)내에 설치되어 있다. 캐비넷(10)내에 설치된 상기 구성 요소는 테스터의 기본 제어 구조 및 테스터의 다른 부분 및 외부 컴퓨터에 대한 인터페이스 장치를 포함한다. 테스터 아키텍쳐는 본 발명의 양수인에게 양도되었으며, 동시 계류중인 미합중국 특허원 제 SC-05099호에 기술된 타입이 될 수 있다. 통상적으로, 하나 또는 다수의 운영자 인터페이스 콘솔(12)은 테스터 캐비넷(10)에 결합되도록 제공된다. 실질적인 테스트는 테스터 캐비넷(10)에 결합된 하나 또는 그 이상의 테스트 헤드(14)에서 행해진다. 각각의 테스트 헤드(14)는 테스트하의 디바이스를 테스트 전자 부품에 결합시키기 위해 사용되는 소켓(15)을 포함한다. 상기 결합을 제공하는 탐침(progber)과 같은 다른 수단도 역시 종래 기술에서 유사하다.1 is a simple block diagram of a typical integrated circuit tester. Most tester components are installed in a cabinet 10. The components installed in the cabinet 10 include the basic control structure of the tester and other parts of the tester and interface devices to external computers. The tester architecture has been assigned to the assignee of the present invention and may be of the type described in co-pending US patent application SC-05099. Typically, one or more operator interface consoles 12 are provided to be coupled to the tester cabinet 10. Substantial testing is done in one or more test heads 14 coupled to the tester cabinet 10. Each test head 14 includes a socket 15 that is used to couple the device under test to a test electronic component. Other means, such as probes for providing such a bond, are also similar in the prior art.
고속의 멀티 핀 집적 회로 테스터에 있어서, 테스트 회로(14)에 있어서의 테스트를 완성시키기 위해서는 인가 및 측정 회로의 비교적 많은 부분을 위치하게 하는 것이 필요하다. 이것은 간섭 타이밍 및 다른 문제점을 피하기 위해 필요하다. 고속의 집적 회로 테스트를 이행하기 위해, 펄스 엣지를 정확히 시간정하며, 비교적 적은 전류 및 전압을 정확하게 측정하며, 무엇보다도 상태가 신속하게 절환시키는 것이 필요하다. 긴 라인상에서 상기 목표를 획득하는 것은 매우 힘들다. 가장 일반적인 해결책은 인가 및 측정 회로를 테스트하의 디바이스핀에 근접시킴으로 라인을 짧게하는 것이다. 테스트가 복잡해지고 핀의 수가 증가함에 따라, 테스트 헤드(14)의 사이즈 및 그에 따른 가격은 현저히 증가한다.In a high speed multi-pin integrated circuit tester, it is necessary to locate a relatively large portion of the application and measurement circuits to complete the test in the test circuit 14. This is necessary to avoid interference timing and other problems. In order to implement high-speed integrated circuit testing, it is necessary to accurately time the pulse edges, to accurately measure relatively small currents and voltages, and, above all, to quickly switch states. It is very difficult to achieve the goal on a long line. The most common solution is to shorten the line by bringing the application and measurement circuits close to the device pins under test. As the testing becomes more complex and the number of pins increases, the size of the test head 14 and hence the cost increases significantly.
제2도는 본 발명의 특정 실시예를 도시한 상세 블럭도이다. 본 발명에 있어서, 테스트 헤드에서의 로우 디바이스 계수 회로(20)는 테스트되는 디바이스의 각 핀(21)을 인가 및 측정(force and measure: FAM) 유닛(22)에 결합시키며, 유닛은 테스트 헤드로부터 약 10피트 정도 떨어져 있다. 회로(20)는 테스트 헤드에서 소켓 또는 탐침의 각 핀(21)용으로 반복된다. 원격 FAM(22)은 테스터의 잔류부와 같은 동일봉입부내에서 위치될 수 있거나 또는 편리한 어느것에 배치될 수 있다. 전형적으로, 원격 FAM(22)은 멀티플렉서 포인트(23)에서 테스트 헤드수로 곱해진다. 제2도에 도시된 본 발명의 특정 실시예에 있어서, 원격 FAM(22)은 고범위 및 저범위인 두 범우에 걸쳐 전류 및 전압을 인가 및 측정할 수 있다. 전계효과 트랜지스터 또는 FET(25),(26)의 제1쌍은 고범위 인가 및 측정 회로와 저범위 인가 및 측정 회로 사이를 스위치 하기 위해 사용된다. FET(25)의 게이트는 원격 FAM(22)으로부터 스위치 하이 라인에 접속된다. FET(25)의 드레인은 핀(21)에 접속된다. FET(25)의 소오스는 고범위 인가 및 측정 라인(27)에 접속된다. 기술적으로 유사하므로, FET의 게이트는 소오스와 드레인 사이의 도전성을 제어한다. 따라서, 원격 FAM(22)은 FET(25)를 통해 고범위 인가 및 측정 라인(27)을 핀(21)에 선택적으로 결합 및 분리시킬 수 있다. FET(26)의 게이트는 원격 FAM(22)으로부터 스위치 로우 라인에 접속된다. FET(26)의 드레인은 핀(21)에 접속된다. FET(26)의 소오스는 저범위 인가 및 측정 라인(28)에 접속된다. 따라서, 원격 FAM(22)은 저 범위 인가 및 측정 라인(28)과 FET(26)을 통해 핀(21)에 선택적으로 결합 및 분리시킬 수 있다.2 is a detailed block diagram illustrating a particular embodiment of the present invention. In the present invention, the low device counting circuit 20 at the test head couples each pin 21 of the device under test to a force and measure (FAM) unit 22, which unit is from the test head. It is about 10 feet away. The circuit 20 is repeated for each pin 21 of the socket or probe at the test head. The remote FAM 22 may be located in the same enclosure as the remainder of the tester or may be located anywhere convenient. Typically, the remote FAM 22 is multiplied by the number of test heads at the multiplexer point 23. In a particular embodiment of the invention shown in FIG. 2, the remote FAM 22 can apply and measure current and voltage across two ranges of high and low ranges. A first pair of field effect transistors or FETs 25, 26 are used to switch between the high range application and measurement circuit and the low range application and measurement circuit. The gate of the FET 25 is connected to the switch high line from the remote FAM 22. The drain of the FET 25 is connected to the pin 21. The source of the FET 25 is connected to the high range application and measurement line 27. Technically similar, the gate of the FET controls the conductivity between the source and the drain. Thus, the remote FAM 22 can selectively couple and disconnect the high range application and measurement line 27 to the pin 21 via the FET 25. The gate of the FET 26 is connected to the switch low line from the remote FAM 22. The drain of the FET 26 is connected to the pin 21. The source of FET 26 is connected to the low range application and measurement line 28. Thus, the remote FAM 22 can be selectively coupled to and disconnected from the pin 21 via the low range application and measurement lines 28 and the FETs 26.
FET(25) 및 (26)은 원격 FAM(22)의 고 범위 및 저 범위 인가 및 측정 사이의 고속도 스위치로 사용된다. 상기 장치로부터 가용한 전압 이득은 라인(27) 및 (28)상에서 비교적 빠르게 저속도 신호를 스위치시킨다. FET(25) 및 (26), 및 후술하는 각각의 다른 FET는 바람직하게 매우 느린 캐패시턴스 장치이다. 이것은 상기 캐패시턴스가 스위칭 속도를 제한하기 때문이다. 이런 관점에서, 다수의 이산된 반도체 공급원으로부터의 VMOS 장치가 사용가능하다.FETs 25 and 26 are used as high speed switches between high and low range application and measurement of remote FAM 22. The voltage gain available from the device switches the slow signal relatively quickly on lines 27 and 28. FETs 25 and 26, and each of the other FETs described below, are preferably very slow capacitance devices. This is because the capacitance limits the switching speed. In this regard, VMOS devices from multiple discrete semiconductor sources are available.
FET의 제2쌍(30) 및 (31)은 전류 인가 및 측정 회로를 핀(21)과의 결합을 제어하는데 사용된다. FET(30)의 게이트는 원격 FAM(22)으로부터 고전류 인가 라인에 접속된다. FET(30)의 드레인은 고 범위 인가 및 측정 라인(27)에 접속된다. FET(30)의 소오스는 고 범위 전류 인가 및 측정 라인(32)에 접속된다. 따라서, 원격 FAM(22)은 고 전류 인가 라인 및 FET(31)를 통해 저 전류 인가 및 측정 라인(33)을 저 범위 인가 및 측정 라인(28)과 결합하는 것을 제어할 수 있다.Second pairs 30 and 31 of FETs are used to control the coupling of the current application and measurement circuits with pin 21. The gate of the FET 30 is connected to the high current application line from the remote FAM 22. The drain of the FET 30 is connected to the high range application and measurement line 27. The source of the FET 30 is connected to the high range current application and measurement line 32. Thus, the remote FAM 22 can control the coupling of the low current application and measurement line 33 with the low range application and measurement line 28 via the high current application line and the FET 31.
유사하게, FET(31)의 게이트의 원격 FAM(22)으로부터 저 전류 인가 라인에 접속되어 있다. FET(31)의 드레인은 저 범위 인가 및 측정 라인(28)에 접속되어 있다. 따라서, 원격 FAM(22)은 고전류 인가 라인 및 FET(30)를 통해 고 전류 인가 및 측정 라인(33)을 고 범위 인가 및 측정 라인(28)과 결합하는 것을 제어할 수 있다.Similarly, it is connected to the low current application line from the remote FAM 22 of the gate of the FET 31. The drain of the FET 31 is connected to the low range application and measurement line 28. Thus, the remote FAM 22 can control coupling the high current application and measurement line 33 with the high range application and measurement line 28 via the high current application line and the FET 30.
간단한 스위치로서의 가능을 하는 것에 더하여, FET(30) 및 (31)는 전류 인가를 위해 공통 게이트 임피던스 변환기로 작동한다. 환언하면, FET(30) 및 (31)는 전류가 인가될 때 포화 스위치로 작동되기 보다는 능동 장치로 작동한다. 이것은 라인(32) 및 (33)이 FET(30) 및 (31)에서 각각 고임피던스로 나타나며 라인(27) 및 (28)에서 저 임피던스로 각각 나타나게 한다.In addition to making it possible as a simple switch, the FETs 30 and 31 operate as a common gate impedance converter for current application. In other words, FETs 30 and 31 act as active devices rather than as saturation switches when current is applied. This causes lines 32 and 33 to appear high impedance in FETs 30 and 31, respectively, and low impedance in lines 27 and 28, respectively.
FET(35) 및 (36)의 제3쌍은 전압 인가 경로를 제어하기 위해 사용된다. FET(35)의 게이트는 원격 FAM(22)의 고 전압 인가 라인에 접속되어 있다. FET(35)의 드레인은 고 범위 인가 및 측정 라인(27)에 접속되어 있다. FET(35)의 소오스는 고 범위 전압 인가 라인(37)에 접속되어 있다. 따라서, 고 전압 인가 라인 및 FET(35)를 통해 원격 FAM(22)는 고 범위 전압 인가 라인(37)을 고 범위 인가 및 측정 라인(27)과 결합하는 것을 제어할 수 있다.The third pair of FETs 35 and 36 is used to control the voltage application path. The gate of the FET 35 is connected to the high voltage application line of the remote FAM 22. The drain of the FET 35 is connected to the high range application and measurement line 27. The source of the FET 35 is connected to the high range voltage application line 37. Thus, via the high voltage application line and the FET 35, the remote FAM 22 can control coupling the high range voltage application line 37 with the high range application and measurement line 27.
FET(36)의 게이트는 원격 FAM(22)으로부터 인가 저 전압 라인에 접속되어 있다. FET(36)의 드레인은 저 범위인가 및 측정 라인(28)에 접속되어 있다. FET(36)의 게이트는 저 범위 전압 안가 라인(38)에 접속되어 있다. 따라서, 저전압 인가 라인 및 FET(36)를 통해 원격 FAM(22)은 저 범위 인가 라인(38)을 저 범위 인가 및 측정 라인(28)과 결합하는 것을 제어할 수 있다.The gate of the FET 36 is connected to the applied low voltage line from the remote FAM 22. The drain of the FET 36 is applied to the low range and is connected to the measurement line 28. The gate of the FET 36 is connected to the low range voltage potential line 38. Thus, via the low voltage application line and the FET 36, the remote FAM 22 can control coupling the low range application line 38 with the low range application and measurement line 28.
스위치로서의 기능을 하는 것에 더하여 FET(35) 및 (36)은 전류를 인가할 때 전압 순응 클램프로 작용하는 기생 다이오드를 포함한다. FET(35) 및 (36)의 또 다른 기능은 매우 낮은 레벨의 전류 측정을 가속화하는 것이다. 상기 측정은 저 전류 레벨에서 핀과 측정 장치 사이의 표유 용량(stray capacity)을 충전시키는데 요구되는 시간 때문에 느려진다. 본 발명으로 전류를 측정할 때, 적절한 FET(35) 또는 (36)은 테스트를 시작할 때 간단하게 도전된다. 이것은 모든 용량이 매우 신속히 충전되도록 저임피던스 경로를 제공한 다음, FET(35) 또는 (36)은 비도전상태로 되어, 실제적 측정이 일어난다.In addition to functioning as a switch, FETs 35 and 36 include parasitic diodes that act as voltage compliant clamps when applying current. Another function of the FETs 35 and 36 is to accelerate very low level current measurements. The measurement is slow due to the time required to charge the stray capacity between the pin and the measuring device at low current levels. When measuring current with the present invention, the appropriate FET 35 or 36 is simply challenged at the beginning of the test. This provides a low impedance path so that all of the capacity is charged very quickly, then the FET 35 or 36 is in a non-conductive state, where a practical measurement takes place.
캐패시터(40)는 라인의 AC 임피던스를 저하시키기 위해 고 범위 전압 인가 라인(37)과 접지사이에 접속되어 있다. 유사하게 캐패시터(41)는 저 범위 전압 인가 라인(38)과 접지 사이에 접속되어 있다.Capacitor 40 is connected between high range voltage applying line 37 and ground to reduce the AC impedance of the line. Similarly, capacitor 41 is connected between low range voltage applying line 38 and ground.
한쌍의 동축 케이블(45) 및 (46)은 고 범위 및 저 범위 인가 및 측정 회로를 각각 FET 스위치에 결합시킨다. 차폐된 리본 케이블과 같은 다른 전송 라인 장치는 동축 케이블 대신으로 사용될 수 있다. 동축 케이블(45)의 중심 도체는 한 종단에서 고 범위 전류 인가 및 측정 라인(32)에 접속되며 다른 종단에서 원격 FAM(22)으로 인입되는 라인(50)에 접속되어 있다. 동축 케이블(45)의 외부 또는 차폐도체는 한 종단에서 고 범위 전압 인가 라인(37)에 접속되며 다른 종단에서 원격 FAM(22)으로 인입되는 라인(51)에 접속되어 있다. 유사하게, 동축 케이블(46)의 중심 도체는 저 범위 전류 인가 및 측정 라인(33)에 접속되어 있으며 다른 종단에서 원격 FAM(22)으로 유입되는 라인(52)에 접속되어 있다. 동축 케이블(46)의 외부 또는 차폐도체는 한 종단에서 저 범위 전압 인가 라인(38)에 접속며 다른 종단에서 원격 FAM(22)으로 인입되는 라인(53)에 접속되어 있다.A pair of coaxial cables 45 and 46 couple the high range and low range application and measurement circuits to the FET switch, respectively. Other transmission line devices, such as shielded ribbon cables, can be used in place of coaxial cables. The central conductor of the coaxial cable 45 is connected to the high range current application and measurement line 32 at one end and to the line 50 leading to the remote FAM 22 at the other end. The outer or shielded conductor of the coaxial cable 45 is connected to the high range voltage applying line 37 at one end and to the line 51 leading to the remote FAM 22 at the other end. Similarly, the center conductor of coaxial cable 46 is connected to the low range current application and measurement line 33 and to the line 52 that enters the remote FAM 22 at the other end. The outer or shielded conductor of the coaxial cable 46 is connected to the low range voltage applying line 38 at one end and to the line 53 leading to the remote FAM 22 at the other end.
고 범위 전류 인가 회로를 사용하기 위해 인가되는 아나로그 전류값에 대응하는 디지탈 워드는 테스터의 다른 부분에서부터 디지탈/아날로그 변환기(55)로 전달된다. 일단 변환된 후에, 아나로그 값은 전달되어 고 전류 회로(56)에 인가된다. 고전류 인가회로(56)는 프로그램가능 전류원이다. 회로(56)는 변환기(55)로부터 수신되는 것과 같은 테스터에 의해 특징지워지는 전류값을 ″인가″한다. 고 전류 인가 회로(56)의 출력은 라인(50)에 접속되어서 동축 케이블(45)의 중심 도체에 접속된다. 스위치 하이 라인 및 고전류 인가 라인에 의해 결정되는 바와같이 FET(25) 및 (30)이 도전되는 한, 고 전류 인가 회로(56)에 의해 특징지워지는 전류 인가 조건은 핀(21)에 인가된다. 또한 원격 FAM(22)에 인입되는 라인(50)도 고 전류 측정 회로(57)에 접속된다. 고 전류 측정 회로(57)도 라인(51)으로부터 기준 입력을 수신하며, 상기 라인은 동축 케이블(45)의 외부 도체에 접속된다. 고 전류 측정 회로(57)의 출력은 캘리브레이터 (calibrator)(58)를 통해 테스터의 고 전류 측정 회로에 접속되어 있다.The digital word corresponding to the analog current value applied to use the high range current application circuit is transferred from the other part of the tester to the digital to analog converter 55. Once converted, the analog value is transferred and applied to the high current circuit 56. The high current application circuit 56 is a programmable current source. The circuit 56 ″ applies ″ a current value characterized by the tester as received from the converter 55. The output of the high current application circuit 56 is connected to the line 50 and to the center conductor of the coaxial cable 45. As long as the FETs 25 and 30 are conductive, as determined by the switch high line and the high current application line, the current application condition characterized by the high current application circuit 56 is applied to the pin 21. In addition, the line 50 leading to the remote FAM 22 is also connected to the high current measurement circuit 57. The high current measurement circuit 57 also receives a reference input from the line 51, which is connected to an outer conductor of the coaxial cable 45. The output of the high current measuring circuit 57 is connected to the high current measuring circuit of the tester via a calibrator 58.
고 범위 인가 회로를 통해 핀(21)에 인가되는 전압 인가 상태는 디지탈화되어 디지탈/아나로그 변환기(60)에 전달된다. 일단 변환된 후에, 아나로그 신호는 고 전압 인가 회로(61)에 전달된다. 일단 변환된 후에, 아날로그 신호는 고 전압 인가회로(61)에 전달된다. 고 전압 인가 회로(61)는 프로그램 가능 전압원이다. 회로(61)는 특정 전압값을 인가한다. 고 전압 인가회로(61)의 출력은 라인(51)에 접속되며 동축 케이블(45)의 외부 도체에 접속된다. FET(25) 및 (35)가 도전성일 때, 고 전압 인가회로(61)에 의해 특징지워지는 전압 인가 상태가 핀(21)에 인가된다.The voltage application state applied to the pin 21 via the high range application circuit is digitized and transferred to the digital / analog converter 60. Once converted, the analog signal is transmitted to the high voltage application circuit 61. Once converted, the analog signal is transmitted to the high voltage application circuit 61. The high voltage application circuit 61 is a programmable voltage source. The circuit 61 applies a specific voltage value. The output of the high voltage application circuit 61 is connected to the line 51 and to the outer conductor of the coaxial cable 45. When the FETs 25 and 35 are conductive, a voltage application state characterized by the high voltage application circuit 61 is applied to the pin 21.
저 범위 인가 및 측정 회로는 고 범위용으로 규정회로와 평행으로 된다. 저 범위 인가 전류 상태는 디지탈/아날로그 변환기(65)에 접속되어 저 전류 인가 회로(66)에 접속된다. 저 전류 인가 회로(66)의 출력은 라인(52)에 접속되어 동축 케이블(46)의 중심 도체에 접속된다. 저 범위 전류 측정은 저 전류 측정 회로(67)에 의해 이행되며, 상기 회로는 라인(52) 및 (53)으로부터의 입력을 수신하며 캘리브레이터(68)를 통해 출력을 통과시킨다. FET(26) 및 (31)은 저 범위 전류 인가 및 측정을 위해 도전성이 되어야 한다.The low range application and measurement circuit is parallel to the regulation circuit for the high range. The low range applied current state is connected to the digital / analog converter 65 and to the low current application circuit 66. The output of the low current application circuit 66 is connected to the line 52 and to the center conductor of the coaxial cable 46. Low range current measurement is implemented by low current measurement circuit 67, which receives inputs from lines 52 and 53 and passes the output through calibrator 68. FETs 26 and 31 must be conductive for low range current application and measurement.
저 범위 전압 인가 상태는 디지탈/아날로그 변환기(70)에 접속되며 저 전압 인가회로(71)에 접속된다. 저 전압 인가 회로(71)의 출력은 라인(53)에 접속되며 동축 케이블(46)의 외부 도체에 접속된다. FET(26) 및 (36)는 저 범위에서 전압이 인가되도록 도전성이 되어야 한다.The low range voltage application state is connected to the digital / analog converter 70 and to the low voltage application circuit 71. The output of the low voltage application circuit 71 is connected to the line 53 and to the outer conductor of the coaxial cable 46. FETs 26 and 36 must be conductive so that voltage is applied in the low range.
핀(21)에서의 전압 감지는 한 입력이 핀(21)에 접속되며 다른 입력이 자체를 출력에 접속된 폴로워 증폭기(follower amplifier)(75)에 의해 행해진다. 전압 플로워(75)의 출력은 동축 케이블(76)의 중심 도체를 통해 원격 FAM(22)의 전압 측정 회로에 접속된다. 동축 케이블(76)의 외부 도체는 접지되어 있다.Voltage sensing at pin 21 is done by a follower amplifier 75 where one input is connected to pin 21 and the other input is connected to the output itself. The output of the voltage follower 75 is connected to the voltage measuring circuit of the remote FAM 22 via the center conductor of the coaxial cable 76. The outer conductor of the coaxial cable 76 is grounded.
다수의 인가 및 측정 유닛과 상술한 회로의 조합은 저렴한 테스트 헤드를 가진 집적 회로를 고속도로 데트스트하기 위해 제공된다. 모든 스위칭은 저 캐패시턴스 FET의 게이트에 결합된 라인에 의해 이행되어, 라인 길이의 중요성을 감소시킨다. 또한, 저 전류 레벨을 신속하게 측정할 수 있는 능력이 제공된다. 상술한 적절한 실시예에서, 고범위 FET는 대향 채널 타입(P채널)이며, 반면에 저 범위 FET는 대향 채널 타입(N채널)이다. 이것은, 예로서, 고 범위 회로를 가진 인가 및 측정 포지티브 전류 및 전압과 고 범위 회로를 가진 네가티브 전류 및 전압과 저 범위 회로를 가진 네가티브 전류 및 전압이 바람직하다.A combination of multiple application and measurement units and the above-described circuits is provided for highway test of integrated circuits with inexpensive test heads. All switching is implemented by the line coupled to the gate of the low capacitance FET, reducing the importance of the line length. In addition, the ability to quickly measure low current levels is provided. In a suitable embodiment described above, the high range FET is of opposite channel type (P channel), while the low range FET is of opposite channel type (N channel). This is preferred, for example, by applying and measuring positive currents and voltages with high range circuits and negative currents and voltages with high range circuits and negative currents and voltages with low range circuits.
그러나, 본 발명에 의해 개선된 자동 집적 회로 테스트가 제공된다. 하나 이상의 인가 및 측정 회로를 단위 핀에 사용함으로, 고 스위칭 속도를 가진 테스트가 이행된다. 인가 및 측정 유닛은 테스트 헤드로부터 제거되며 각 핀에서 로우 장치 계수 회로에 의해 대체되며 고 속도 스위칭을 제공하여 인가 및 측정 유닛에 대해 긴 라인을 보상한다. 가라서, 테스트 헤드의 가격은 절감된다.However, an automatic integrated circuit test improved by the present invention is provided. By using one or more application and measurement circuits on the unit pins, tests with high switching speeds are implemented. The application and measurement unit is removed from the test head and replaced by a row device counting circuit at each pin and provides high speed switching to compensate for long lines for the application and measurement unit. Thus, the price of the test head is reduced.
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