KR900005303B1 - Bias circuit following source voltage - Google Patents

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KR900005303B1
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Abstract

A bias circuit for providing bias voltage to the semiconductor IC comprises three transistors (Q1-Q3), two resistors (R1, R2), and a source voltage. The source voltage is connected with the collector of transistor Q1, the base of transistor Q1 and the collector of transistor Q2 through R1. The emitter voltage of transistor Q1 is provided as a bias voltage and connected with the collector and base of transistor Q3 through R2.

Description

전원전압 추종형 바이아스회로Power supply voltage follower circuit

제1도는 증폭회로와 바이아스회로의 결선상태를 보인 회로도.1 is a circuit diagram showing a connection state between an amplifier circuit and a bias circuit.

제2도는 종래의 저항분압형 바이아스회로도.2 is a conventional resistance divided bias circuit diagram.

제3도는 종래의 정전압형 바이아스회로도.3 is a conventional constant voltage bias circuit.

제4도는 본 발명의 일실시 바이아스회로도.4 is a bias circuit diagram of one embodiment of the present invention.

제5도는 본 발명의 다른실시 바이아스회로도.5 is another embodiment bias circuit diagram of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

R1,R2: 저항 Q1,Q2: 트랜지스터R 1 , R 2 : Resistor Q 1 , Q 2 : Transistor

Vcc : 전원전압 VB: 바이아스전압Vcc: power supply voltage V B : bias voltage

본 발명은 반도체 집적소자인 증폭회로에 바이아스전압을 공급하기 위한 바이아스회로에 관한 것으로, 특히 증폭회로에서 최대출력을 낼 수 있도록 전원전압에 추종하여 바이아스전압을 발생할 수 있게한 전원전압 추종형 바이아스회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a bias circuit for supplying a bias voltage to an amplifier circuit, which is a semiconductor integrated device. In particular, the present invention provides a bias voltage for tracking a power supply voltage so as to generate a maximum output power. It relates to a type bias circuit.

제1도는 바이아스회로가 증폭회로와 결선된 상태를 보인 회로도로서, 바이아스회로(1)에서 출력된 바이아스전압(VB)은 저항(R3)을 통하여 증폭회로(2)의 입력단자에 인가되어 그 증폭회로(2)의 출력 직류전압이 설정된다. 그리고, 증폭회로(2)의 출력전압은 입력단자(IN)의 입력신호의 크기에 따라 접지점의 전압에서 전원단자(Vcc)까지 변화되고, 그 출력신호의 파형은 정현파이크로 무신호시 증폭회로(2)의 출력직류전압이 전원전압(Vcc)의

Figure kpo00001
로 될때 그 증폭회로(2)의 출력전압은 가장크게 된다.FIG. 1 is a circuit diagram showing a state in which a bias circuit is connected to an amplifier circuit. The bias voltage V B output from the bias circuit 1 is input through the resistor R 3 to the input terminal of the amplifier circuit 2. Is applied to the output DC voltage of the amplifying circuit 2 thereof. The output voltage of the amplifying circuit 2 is changed from the voltage at the ground point to the power supply terminal Vcc according to the magnitude of the input signal of the input terminal IN, and the waveform of the output signal is a sinusoidal peak. 2) Output DC voltage of power supply voltage (Vcc)
Figure kpo00001
The output voltage of the amplifying circuit 2 is greatest when it is

따라서, 건전지등 전원전압의 변동이 심한 전원을 사용하는 경우는 증폭회로(2)의 출력직류전압이 항상 전원전압(Vcc)의

Figure kpo00002
로 유지되게 하여야만 그 전원전압(Vcc)이 증폭회로(2)에서 가장 효율적으로 사용되어 가장 큰 출력전압을 얻을 수 있게된다.Therefore, in the case of using a power source with a large fluctuation in the power supply voltage such as a battery, the output DC voltage of the amplifying circuit 2 always becomes the power supply voltage Vcc.
Figure kpo00002
Only when the power supply voltage Vcc is maintained can be used most efficiently in the amplifying circuit 2 to obtain the largest output voltage.

따라서, 증폭회로(2)가 이상에서 설명한 바와같은 동작을 할 수 있도록 하기 위해서는 바이아스회로(1)가 다음조건을 만족해야 한다.Therefore, in order for the amplifier circuit 2 to operate as described above, the bias circuit 1 must satisfy the following conditions.

첫째 전원전압(Vcc)의 변동에 추종하여 바이아스전압(VB)이 항상 전원전압(Vcc)의

Figure kpo00003
을 유지하여야 하며, 둘째 바이아스점의 임피던스(Zbias)가 낮아서 증폭회로(2)의 전압증폭도에 영향을 미치지 않아야 한다. 여기서 전압 증폭도에 영향을 미치지 않아야 한다. 여기서 전압증폭도(A1)는 다음식으로 표시된다.First, the bias voltage (V B ) always follows the change in power supply voltage (Vcc).
Figure kpo00003
Second, the bias of the bias point (Zbias) is low so as not to affect the voltage amplification of the amplifier circuit (2). It should not affect the degree of voltage amplification here. Here, the voltage amplification degree A 1 is represented by the following equation.

Figure kpo00004
Figure kpo00004

또한, 바이아스점의 임피던스(Zbias)가 크면 바이아스전압(VB)이 증폭회로(2)이외의 집적회로내 다른 회로들에 공급되고 있을때 증폭회로(2)의 입력신호가 저항(R3) 및 바이아스점을 통하여 그외의 여러회로에 공급되어 간섭을 일으키는 등 여러가지 문제가 발생되므로 바이아스점의 임피던스는 낮아야 한다.In addition, when the bias Zbias of the bias point is large, when the bias voltage V B is supplied to other circuits in the integrated circuit other than the amplifier circuit 2, the input signal of the amplifier circuit 2 receives the resistor R 3. The impedance of the bias point should be low because various problems such as supplying to other circuits and causing interference through the bias point occur.

세째 바이아스회로가 소비하는 전류(Ibias)는 가능한한 작아야 하고, 네째 바이아스전압(VB)은 온도변화에 의한 영향이 작아서 집적회로자체 발열에 의한 영향이나 주위온도의 영향을 받지 않아야 한다.The current Ibias consumed by the third bias circuit should be as small as possible, and the fourth bias voltage V B should not be influenced by the heat generation of the integrated circuit itself or the ambient temperature because the influence of temperature changes is small.

다섯째 바이아스전압(VB)이 전원전압(Vcc)변동에 대한 선형적 추종범위가 넓어야 한다.Fifth, the linear follow-up range of the bias voltage (V B ) to the change of the supply voltage (Vcc) should be wide.

그런데, 종래의 저항 분압형 바이아스회로는 제1도에 도시된 바와같이 저항(R1),(R3)의 비율을 이용하여 바이아스전압(VB)을 발생시키고, 그 바이아스전압(VB)는 전원전압(Vcc)과의 사이에 R2/R1+ R2의 비율관계가 유지되므로 어떤 전원전압(Vcc)에서도 동일한 비율을 유지할 수 있게되어 있다.By the way, the conventional resistance divided bias circuit generates a bias voltage V B using the ratio of the resistors R 1 and R 3 as shown in FIG. 1 , and the bias voltage ( Since V B ) maintains the ratio relationship of R 2 / R 1 + R 2 between the power supply voltage Vcc, the same ratio can be maintained at any power supply voltage Vcc.

그러나, 이 회로에 있어서는 바이아스점의 임피던스(Zbias)가 R1.R2/R1+ R2로 되어 놓으므로 바이아스점과 점지 사이에 반결합 콘덴서(C1)를 접속하여 바이아스점의 임피던스를 줄이게 되어 있었다. 따라서, 반결합 콘덴서(C1)을 접속하기 위해서는 집적회로에 그 콘덴서접속용 외부회로 결선단자가 필요하게 되어 원가가 상승하고, 콘덴서의 접속공정이 불편하게 될뿐 아니라, 집적회로에 전원전압(Vcc)을 인가하고 나서부터 바이아스전압(VB)이 정상상태에 이를때까지의 시간이 상당히 소요된다. 이때의 바이아스전압(VB)을 다음 식으로 표시된다.However, the impedance In (Zbias) of the bias point in the circuit R 1. R 2 / R 1 + R 2 is in place, so that bias by connecting the half-coupling capacitor (C 1) between the bias point and jeomji It was supposed to reduce the impedance of. Therefore, in order to connect the half-coupled capacitor C 1 , an external circuit connection terminal for connecting the capacitor is required for the integrated circuit, the cost increases, and the connection process of the capacitor becomes inconvenient, and the power supply voltage ( It takes a long time from the application of Vcc) until the bias voltage (V B ) reaches a steady state. The bias voltage V B at this time is represented by the following equation.

Figure kpo00005
Figure kpo00005

여기서, t는 전원전압(Vcc)인가후의 경과시간이다. 이러한 과도현상은 집적회로의 동작을 상당한 시간동안 지연시키거나 오동작을 일으켜 잡음을 발생시키는 등 많은 문제점이 있었다.Here, t is the elapsed time after applying the power supply voltage Vcc. This transient has many problems, such as delaying the operation of the integrated circuit for a considerable time or malfunctioning to generate noise.

또, 종래의 정전압형 바이아스회로는 제3도에 도시된 바와같이 구성되어 상기 설명한 저항 분압형 바이아스회로에서 같은 문제점은 없으나, 바이아스전압(VB)이 정전압다이오드(ZD1)의 항복전압(VZ)과 트랜지스터(Q1)의 베이스-에미터간 순방향전압(VBE1)에 의해 Vbias=VZ-VBE1으로 고정되므로 전원전압(Vcc)의 변화에 대하여 바이아스전압트랜지스터(Q1)의 추종이 불가능하게 되었다.In addition, the conventional constant voltage bias circuit is constructed as shown in FIG. 3 so that there is no problem in the resistance divided bias circuit described above, but the bias voltage V B breaks down of the constant voltage diode ZD 1 . Vbias = V Z -V BE1 is fixed by the forward voltage V BE1 between the voltage V Z and the base-emitter of the transistor Q 1 , so that the bias voltage transistor Q 1 can be applied to the change of the power supply voltage Vcc. ) Can not be followed.

또한, 바이아스전압(VB)온도특성은 정전압다이오드ZD1의 전압온도특성에 직결하여 집적회로의 자체발열이나 주위온도의 변화에 의해 그 바이아스전압(VB)이 변하게 되는 결점이 있었다.In addition, the bias voltage V B temperature characteristic is directly connected to the voltage temperature characteristic of the constant voltage diode ZD 1 , and the bias voltage V B is changed due to the self-heating of the integrated circuit or the change of the ambient temperature.

본 발명은 이러한 종래의 결점을 해결하기 위하여, 바이아스전압이 전원전압의 변화에 대하여 항상 적정의 비율을 가지고 추종하면서 변화하고, 바이아스점의 임피던스가 낮아 반결합 콘덴서를 추가할 필요가 없으며, 바이아스전압의 온도 특성이 양호하게 유지될 수 있도록 창안한 것으로, 이를 첨부된 본 발명의 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.The present invention, in order to solve the above-mentioned drawbacks, the bias voltage is always changed to follow the change of the power supply voltage with an appropriate ratio, and the impedance of the bias point is low, there is no need to add a half-coupled capacitor, Invented so that the temperature characteristics of the bias voltage can be maintained well, it will be described in detail with reference to the accompanying drawings of the present invention.

제4도는 본 발명의 일실시 바이아스회로도로서 전원전압(Vcc)의 트랜지스터(Q1)의 콜렉터에 인가되게 접속함과 아울러 저항(R1)을 통해 그의 베이스 및 트랜지스터(Q2)의 콜렉터에 인가되게 접속하고, 상기 트랜지스터(Q1)의 에미터 출력전압이 바이아스전압(VB)으로 인가되게 접속함과 아울러 저항(R2)을 통하여 상기 트랜지스터(Q2)의 베이스 및 트랜지스터(Q3)의 콜렉터, 베이스에 공통접속하고, 그 트랜지스터(Q2), (Q3)의 에미터를 접지하여 구성한 것으로, 이와같이 구성된 본 발명의 작용효과를 상세히 설명하면 다음과 같다.4 is a bias circuit diagram of the present invention connected to the collector of the transistor Q 1 of the power supply voltage Vcc and connected to the base and the collector of the transistor Q 2 through a resistor R 1 . Connected to be applied, the emitter output voltage of the transistor Q 1 is connected to be applied to the bias voltage V B , and the base and the transistor Q of the transistor Q 2 are connected through a resistor R 2 . The collector and base of 3 ) are connected in common, and the emitters of the transistors Q 2 and Q 3 are grounded. The operational effects of the present invention configured as described above will be described in detail as follows.

트랜지스터(Q2),(Q3)의 베이스가 공통접속되어 있으므로 그들의 베이스전압은 항상 같게되고, 그들의 콜렉터전류(IC)는 다음식으로 나타난다.Since the bases of the transistors Q 2 and Q 3 are commonly connected, their base voltages are always the same, and their collector current I C is shown by the following equation.

Figure kpo00006
Figure kpo00006

여기서, IS는 트랜지스터의 콜렉터 포화전류이고, VBE는 트랜지스터의 페이스-에미터간의 순방향전압이며, q는 전자의 전하량, K는 볼츠만상수, T는 절대온도이다.Where I S is the collector saturation current of the transistor, V BE is the forward-to-emitter forward voltage of the transistor, q is the charge of the electron, K is the Boltzmann constant, and T is the absolute temperature.

그리고, 트랜지스터(Q2),(Q3)의 베이스-에미터간의 순방향 전압(VBE)이 항상 같으므로 트랜지스터(Q2),(Q3)의 콜렉터 전류도 항상 같게된다.Then, the transistor (Q 2), (Q 3 ) of the base-collector current in the forward voltage so (V BE) is always same transistor (Q 2) between the emitters, (Q 3) is also always the same.

또, 트랜지스터(Q1),(Q2)의 각 베이스전류(Ib)는 그들의 콜렉터전류(Ic)에 비하여 트랜지스터의 직류전류증폭율(hfe)만큼 작으므로 그 베이스전류(Ib)를 무시할 수 있게된다.In addition, since the base currents I b of the transistors Q 1 and Q 2 are as small as the DC current amplification factor hfe of the transistors compared to their collector currents I c , the base current I b can be ignored. Will be.

따라서, 베이스전류(Ib)를 무시하면 트랜지스터(Q3)의 콜렉터전류(IC3)는 저항(R2)에 흐르는 전류(i2)와 같고, 트랜지스터(Q2)의 콜렉터전류(iC2)는 저항(R1)에 흐르는 전류(i)와 같게된다. 한편 저항(R2)에 흐르는 전류(i2)는 트랜지스터(Q1)의 에미터에서 공급되고, 그 트랜지스터(Q1)의 에미터전류는 트랜지스터(Q1)의 베이스전류(Ib1)의 콜렉터전류(IC1)로 구분되나, 상기에서 트랜지스터(Q1)의 베이스전류를 무시하였으므로 그의 콜렉터 전류(IC1)는 트랜지스터(Q3)의 콜렉터전류(IC3)와 같게 된다.Thus, the base current (I b) When the collector current (I C3) of the transistor (Q 3) ignores is the same as the current flowing through the resistor (R 2) (i 2) , the collector current of the transistor (Q 2) (i C2 ) Is equal to the current i flowing in the resistor R 1 . On the other hand the resistance (R 2) a current (i 2) flowing to the transistor is supplied from the emitter of the (Q 1), the transistor emitter current is the base current (I b1) of the transistor (Q 1) of the (Q 1) The collector current I C1 is divided into the collector currents I C1 , but since the base current of the transistor Q 1 is ignored, the collector current I C1 becomes the same as the collector current I C3 of the transistor Q 3 .

한편, 트랜지스터의 베이스-에미터간의 순방향전압(VBE)은 콜렉터전류(IC)와의 사이에 다음식이 성립된다.On the other hand, the forward voltage V BE between the base and emitter of the transistor is established between the collector current I C and the following equation.

Figure kpo00007
Figure kpo00007

따라서, 트랜지스터(Q1-Q3)의 콜렉터 전류가 모두 같으므로 그 트랜지스터(Q1-Q3)이 베이스-에미터간 순방향전압도 모두 같게된다.Thus, since the collector current of all of the same transistor (Q 1 -Q 3) is the transistor (Q 1 -Q 3) the base-emitter forward voltage is equal to both FIG.

결국, 트랜지스터(Q1)의 에미터축에서 출력되는 바이아스전압(VB) 및 전원전압(Vcc)는 다음식과 같이,As a result, the bias voltage V B and the power supply voltage Vcc output from the emitter axis of the transistor Q 1 are expressed as follows.

Figure kpo00008
Figure kpo00008

으로 되므로 전원전압(Vcc)에 대한 바이아스전압(VB)의 전압비(VB)는 다음식으로 결정된다.Since the voltage ratio (V B) of the bias voltage (V B) for the power supply voltage (Vcc) is is determined by the following equation.

Figure kpo00009
Figure kpo00009

여기에서, VBE.Q3와 VBE.Q1이 서로같고, i1과 i2가 서로 같으므로 VBE.Q3와 VBE.Q1을 VBE라 하고, i1과 i2를 라 i하면, 위의 식은 다음식과 같이된다.Here, V BE .Q 3 and V BE .Q 1 are the same, i 1 and i 2 are the same, so V BE .Q 3 and V BE .Q 1 are called V BE , and i 1 and i 2 are In this case, the above equation becomes as follows.

Figure kpo00010
Figure kpo00010

여기서, 저항(R1),(R2)의 값이 동일하다면, 바이아스전압(VB)은 항상 전원전압(Vcc)의

Figure kpo00011
이 된다.Here, when the values of the resistors R 1 and R 2 are the same, the bias voltage V B is always equal to the power supply voltage Vcc.
Figure kpo00011
Becomes

이러한 바이아스전압(VB)의 전원전압(Vcc)에 대한 비율은 트랜지스터(Q1-Q3)가 순방향바이아스를 유지할 수 있는 최소 전원전압(Vcc)인 약 1.5V 이상에서는 항상 유지되어 광범위한 전원전압에서 이상적인 특성을 만족시키게 된다.The ratio of the bias voltage (V B ) to the supply voltage (Vcc) is always maintained at about 1.5 V or more, which is the minimum supply voltage (Vcc) at which the transistors Q 1 -Q 3 can maintain forward bias. The ideal characteristics are satisfied at the power supply voltage.

한편, 바이아스전압(VB)의 온도에 의한 영향을 살펴보면, 저항(R1,R2) 및 트랜지스터(Q1-Q3)가 동일칩(chip)상에 형성된 반도체집적회로이므로 저항(R1,R2)의 저항온도계수가 동일하고, 트랜지스터(Q1-Q3)의 제반특성과 베이스-에미터간 순방향전압(VBE)온도특성이 동일하게 되고, 이에따라 바이아스전압(VB)은 집적회로자체의 발열이나 주위온도변화에 대하여 서로 항상 안정된 전압이 유지된다.On the other hand, the effect of the temperature of the bias voltage (V B ), the resistance (R 1 , R 2 ) and the transistor (Q 1 -Q 3 ) is a semiconductor integrated circuit formed on the same chip (chip) resistor (R) 1 and R 2 ) have the same resistance temperature coefficient, and the general characteristics of the transistors Q 1 -Q 3 and the base-emitter forward voltage (V BE ) temperature characteristics are the same, so that the bias voltage (V B ) The stable voltage is always maintained with respect to the heat generation of the integrated circuit itself or the change of the ambient temperature.

또한, 바이아스점의 임피던스(Zbias)는 트랜지스터(Q1),(Q2)의 부궤환구성에 의하여 바이아스전압(VB)이 전원전압(Vcc)으로 고정되어 있을때에는 정전압회로와 같이 동작하여 매우 낮게 되고, 또 바이아스전류(iB)에 대한 트랜지스터(Q3)의 베이스-에미터간 전압(VBE)변동은 저항(R2)에서 강화되는 전압의 바이아스전류(iB)에 대한 변동에 비하여 무식가능할 정도로 작으므로 바이아스전류변동에 의한 트랜지스터(Q3)의 베이스-에미터간의 전압(VBE)변화를 무시하면 바이아스점의 임피던스(Zibas)는 다음식으로 나타난다.In addition, the bias Zbias at the bias point operates like a constant voltage circuit when the bias voltage V B is fixed to the power supply voltage Vcc due to the negative feedback configuration of the transistors Q 1 and Q 2 . Very low, and the variation of the base-emitter voltage V BE of the transistor Q 3 with respect to the bias current i B is dependent on the bias current i B of the voltage strengthening at the resistor R 2 . because of variations compared to the small enough to be ignorant of the base of the transistor (Q 3) by the bias current change-ignoring the voltage (V bE) between a change in the emitter is shown by the following equation impedance (Zibas) of the bias point.

Figure kpo00012
Figure kpo00012

이상의 설명에서는 트랜지스터(Q1-Q3)의 베이스전류를 무시하였으나, 실제에 있어서는 저항(R1)에 흐르는 전류(i1)는 트랜지스터(Q3)의 콜렉터전류(IC3)와 트랜지스터(Q2),(Q1)의 베이스전류(Ib2, Ib3)으로 구성되고, 저항(R2)에 흐르는 전류(i2)는 트랜지스터(Q3)의 콜렉터전류(IC3)와 트랜지스터(Q2),(Q3)의 베이스전류(Ib2+Ib3)로 구성되므로, 트랜지스터(Q1-Q3)의 베이스전류가 동일한 값이라고 할때 저항(R2)에 흐르는 전류(i2)는 저항(R1)에 흐르는 전류(i1)보다 트랜지스터(Q2)의 베이스전류(Ib2)만큼 많게 되고, 이러한 미세한 전류오차는 바이아스전압의 오차로 나타난다.In the above description, the base currents of the transistors Q 1 -Q 3 are ignored, but in reality, the current i 1 flowing through the resistor R 1 is the collector current I C3 and the transistor Q of the transistor Q 3 . 2 ), and the base currents I b2 and I b3 of (Q 1 ), and the current i 2 flowing through the resistor R 2 is the collector current I C3 and the transistor Q of the transistor Q 3 . 2), since the base consists of a current (i b2 + b3 i) of (Q 3), a transistor (current (i 2) flowing through the resistor (R 2) when the base current of the Q 1 -Q 3) to the same value as Is larger than the current i 1 flowing through the resistor R 1 by the base current I b2 of the transistor Q 2 , and this minute current error is represented by an error in the bias voltage.

제5도는 상기와같은 바이아스전압의 오차를 보정하기 위한 본 발명의 다른실시 바이아스회로도로서 이에 도시한 바와같이, 저항(R1)및 트랜지스터(Q2)의 콜렉터 접속점에 트랜지스터(Q2)의 베이스를 접속하여 그의 에미터를 트랜지스터(Q1)의 베이스에 접속하고, 상기 저항(R5) 및 트랜지스터(Q3)의 콜렉터 접속점에 트랜지스터(Q4)의 베이스를 접속하여 그의 에미터를 상기 트랜지스터(Q2),(Q3)의 베이스에 공통접속하여 구성한 것이다.5 is another embodiment bias circuit diagram of the present invention for correcting the error of the bias voltage as described above. As shown therein, the transistor Q 2 is connected to the collector connection point of the resistor R 1 and the transistor Q 2 . Connect the base of the emitter to the base of transistor Q 1 , connect the base of transistor Q 4 to the collector connection point of resistor R 5 and transistor Q 3 to connect the emitter The transistors are commonly connected to the bases of the transistors Q 2 and Q 3 .

따라서, 전원전압(Vcc)에 대한 바이아스전압(VB)의 비율(VR)은 다음식으로 나타난다.Therefore, the ratio V R of the bias voltage V B to the power supply voltage Vcc is represented by the following equation.

Figure kpo00013
Figure kpo00013

위의식에서 트랜지스터(Q1),(Q2),(Q3),(Q4)의 베이스-에미터간 순방향전압(VBE1), (VBE2), (VBE3), (VBE5)은 동일하게 되고, 저항(R1),(R2)에 각각 흐르는 전류(i1),(i2)도 같다. 그리고 트랜지스터(Q4)의 콜렉터전류(IC4)가 트랜지스터(Q5)의 콜렉터전류(IC5) 에 비하여 2배가 많으므로 트랜지스터(Q4)의 베이스-에미터간 순방향전압(VBE4)은 트랜지스터(Q5)의 순방향전압(VBE5)에 비하여 ℓ n2, K, T/q 만큼 높게된다. 따라서 상온(300°K)에서 트랜지스터(Q4)의 베이스-에미터간 순방향전압(VBE5)보다 약 18mv 높아서 무시가능하게 된다.In the above equation, the base-emitter forward voltage (V BE1 ), (V BE2 ), (V BE3 ), and (V BE5 ) of transistors Q 1 , Q 2 , Q 3 , and Q 4 are The same is true, and the currents i 1 and (i 2 ) flowing through the resistors R 1 and R 2 are also the same. And the transistor collector current (I C4) as a basis for so twice as many compared with the collector current of the transistor (Q 5) (I C5) transistor (Q 4) of the (Q 4) - emitter forward voltage (V BE4) is a transistor Compared to the forward voltage V BE5 of (Q 5 ), it is higher by l n2, K, and T / q. Therefore, at room temperature (300 ° K), it is about 18mv higher than the base-emitter forward voltage (V BE5 ) of transistor Q 4 and becomes negligible.

이상에서 상세히 설명한 바와같이 본 발명은 바이아스전압이 전원전압과 적정하게 설정된 전압비율을 유지하면서 전원전압의 변동을 추종하므로 전원전압이 변동되더라도 증폭회로의 출력을 최대로 할 수 있음과 아울러 바이아스점의 임피던스가 대단히 낮게되고, 이에따라 반결합 콘덴서를 사용할 필요가 없게되므로 집적회로의 회부결선단자수가 그만큼 줄어들어 제조원가가 절감되고, 집적회로를 사용할때 콘덴서를 하나더 사용해야 하는 불편이 없어지며, 또 반결합 콘덴서에 의한 과도현상이 없으므로 집적회로의 동작시간 지연이나 오동작으로 인하여 발생되는 잡음의 근본적 해결이 가능하고, 또한 바이아스전압이 주위온도나 집적회로의 자체발열에 의한 온도상승의 영향을 받지 않으므로 집적회로의 동작에 대한 신뢰성이 확보되는 등의 효과가 있다.As described in detail above, the present invention follows the fluctuation of the power supply voltage while the bias voltage maintains an appropriately set voltage ratio with the power supply voltage, thereby maximizing the output of the amplification circuit even when the power supply voltage changes. Since the impedance of the point is very low, and there is no need to use a half-coupled capacitor, the number of connection wiring terminals of the integrated circuit is reduced accordingly, which reduces the manufacturing cost and eliminates the inconvenience of using one more capacitor when using the integrated circuit. Since there is no transient phenomenon caused by the coupling capacitor, it is possible to fundamentally solve the noise caused by the operation time delay or malfunction of the integrated circuit, and since the bias voltage is not affected by the temperature rise due to the ambient temperature or the self-heating of the integrated circuit. The reliability of the operation of the integrated circuit And it is.

Claims (2)

전원전압(Vcc)이 트랜지스터(Q1)의 콜렉터에 인가되게 접속함과 아울러 저항(R1)을 통해 그의 베이스 및 트랜지스터(Q2)의 콜렉터에 인가되게 접속하고, 상기 트랜지스터(Q1)의 에미터출력전압이 바이아스전압(VB)으로 인가되게 접속함과 아울러 저항(R2)을 통해 상기 트랜지스터(Q2)의 베이스 및 트랜지스터(Q3)의 베이스, 콜렉터에 공통인가되게 접속하여 구성된 것을 특징으로 하는 전원전압 추종형 바이아스회로.The power supply voltage Vcc is connected to be applied to the collector of the transistor Q 1 , and is connected to be applied to its base and the collector of the transistor Q 2 through a resistor R 1 , and connected to the collector of the transistor Q 1 . The emitter output voltage is connected to the bias voltage V B and connected to the base of the transistor Q 2 , the base of the transistor Q 3 , and the collector through a resistor R 2 . A power supply voltage follower bias circuit, comprising: 제1항에 있어서, 콜렉터에 전원전압(Vcc)이 인가되는 트랜지스터(Q5)의 베이스 및 에미터를 저항(R1) 및 트랜지스터(Q2)의 콜렉터 접속점과 트랜지스터(Q1)의 베이스에 접속하고, 콜렉터에 전원전압(Vcc)이 인가되는 트랜지스터(Q4)의 베이스 및 에미터를 저항(R2) 및 트랜지스터(Q3)의 콜렉터접속점과 트랜지스터(Q2),(Q3)의 베이스 접속점에 접속하여 구성된 것을 특징으로 하는 전원전압 추종형 바이아스회로.2. A transistor according to claim 1, wherein the base and emitter of the transistor Q 5 to which the power supply voltage Vcc is applied to the collector are connected to the collector connection point of the resistor R 1 and the transistor Q 2 and the base of the transistor Q 1 . The base and emitter of transistor Q 4 to which a power supply voltage Vcc is applied to the collector, and the collector connection point of resistor R 2 and transistor Q 3 and transistors Q 2 and Q 3 . A power supply voltage follow-up bias circuit comprising a base connection point.
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