KR20240008697A - Manufacturing method of inductor and inductor manufactured by using the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 인덕터의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 인덕터에 관한 것으로서, 손실유전율을 낮추고 인덕턴스를 높이는 인덕터를 제조하는 방법을 제공하고, 인덕터를 제조하는 방법을 통해 제조되어 소형화 및 저저항의 니즈를 충족시키는 인덕터를 제공한다.The present invention relates to a method of manufacturing an inductor and an inductor manufactured using the same. It provides a method of manufacturing an inductor that reduces dielectric loss loss and increases inductance, and is manufactured through a method of manufacturing an inductor to meet the needs of miniaturization and low resistance. Provides an inductor that satisfies the requirements.
Description
본 발명은 인덕터의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 인덕터에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing an inductor and an inductor manufactured using the same.
인덕터는 코어에 감긴 도선에 전류를 흐르게 함으로써 발생하는 전자기의 작용을 이용하는 수동 부품이다. 인덕터는 고주파 회로용, 일반 회로용, 디커플링 회로용, 전원 회로용 등 다양한 제품이 개발되고 있다. 인덕턴스가 변화하는 가변 인덕터도 있지만, 대부분은 고정 인덕터이다. 형상으로는 리드형과 표면실장형으로 구비되며 구조적으로는 권선형, 적층형, 박막형으로 분류된다.An inductor is a passive component that uses the action of electromagnetism generated by flowing current through a conductor wound around a core. A variety of inductors are being developed, including for high-frequency circuits, general circuits, decoupling circuits, and power circuits. There are variable inductors whose inductance varies, but most are fixed inductors. It is available in lead type and surface mount type in shape, and is structurally classified into wire-wound type, stacked type, and thin film type.
인덕터는 커패시터와 조합하여 공진회로를 구성하기도 하고, 필터회로에 사용되어 특정 신호를 필터링하거나 임피던스 정합에도 사용될 수 있다. 최근에 전자 및 통신기기의 발달과 더불어 환경 및 통신장애 등의 문제가 발생하고 있다. 이에 따라 기능의 복잡화, 고집적화 및 고효율화 측면으로 기술이 발전하고 있다.Inductors can be combined with capacitors to form resonance circuits, and can be used in filter circuits to filter specific signals or for impedance matching. Recently, with the development of electronic and communication devices, problems such as environmental and communication failures are occurring. Accordingly, technology is developing in terms of functional complexity, high integration, and high efficiency.
전자 및 통신기기의 소형화 및 고성능화가 가속됨에 따라 사용되는 부품이나 디바이스에 소형화 및 저저항화에 의한 발열의 억제가 동시에 요구되고 있다. 이에 따라, 전자 및 통신기기에 사용되는 인덕터를 소형화 및 저저항화하기 위한 연구가 필요한 실정이다.As the miniaturization and high performance of electronic and communication devices accelerate, there is a need to suppress heat generation through miniaturization and low resistance in the parts and devices used. Accordingly, research is needed to miniaturize and reduce the resistance of inductors used in electronic and communication devices.
현재까지 개발되고 있는 권선형 인덕터는 도선의 권취형상을 유지하도록 열융착시키면서 도선을 권취하여 코일소자부를 형성한 후 슬러리 형태의 자성체 코어에 코일소자부를 내장시키고, 자성체 코어를 압착 및 경화시키는 과정을 거쳐 제작된다. 박막형 인덕터는 지지부재를 마련하여 지지부재의 상면 및 하면에 도전층을 형성한 후 패터닝하여 코일 패턴을 형성하고 그 상부에 자성체 시트를 적층하여 압착 및 경화시켜 자성체 바디를 형성하는 과정을 거쳐 제작된다. 적층형 인덕터는 세라믹 시트에 레이저를 이용하여 펀칭을 하여 비아를 형성하고, 비아를 채우도록 세라믹 시트 상에 도전성 금속으로 도체 패턴을 인쇄한 것을 여러장 적층한 후 소성하여 일체화시키는 과정을 거쳐 제작된다. The wire-wound inductor being developed to date involves forming a coil element by winding a conductor while heat-sealing it to maintain the coiled shape of the wire, then embedding the coil element in a slurry-type magnetic core, and pressing and hardening the magnetic core. It is produced through Thin-film inductors are manufactured through the process of providing a support member, forming a conductive layer on the upper and lower surfaces of the support member, patterning it to form a coil pattern, and forming a magnetic body by laminating a magnetic sheet on top of it, pressing and curing it, and then forming a magnetic body. . A multilayer inductor is manufactured by punching a ceramic sheet using a laser to form a via, stacking several conductor patterns printed with conductive metal on the ceramic sheet to fill the via, and then firing and integrating them.
그러나 위와 같은 제조과정을 거쳐 제작되는 인덕터의 구조로는 시장에서 요구하는 소형화 및 저저항화의 니즈를 충족시키는데에 한계가 있다.However, the structure of the inductor manufactured through the above manufacturing process has limitations in meeting the needs for miniaturization and low resistance demanded by the market.
또한, 종래에는 세라믹, 실리콘 또는 글라스 모재에 홀을 형성하고 홀 내부에 금속을 충진하여 인덕터를 제작하는 기술이 있다. Additionally, there is a conventional technology for manufacturing an inductor by forming a hole in a ceramic, silicon, or glass base material and filling the inside of the hole with metal.
그런데, 종래에는 세라믹, 실리콘 또는 글라스 모재를 유전체로서 이용하기 때문에 인덕터의 제작이 완료된 후에도 세라믹, 실리콘 또는 글라스 모재가 제거되지 않고 남아있는 상태이다. 이로 인해 종래의 인덕터를 제작하는 기술은, 손실 유전율을 낮추거나 인덕턴스를 높이는데 한계가 있다.However, since ceramic, silicon, or glass base material is conventionally used as a dielectric, the ceramic, silicon, or glass base material remains without being removed even after the manufacturing of the inductor is completed. For this reason, conventional inductor manufacturing technology has limitations in lowering the loss permittivity or increasing inductance.
또한, 종래의 인덕터를 제작하는 기술은, 인덕터를 제조하는 여러 단계에서, 세라믹, 실리콘 또는 글라스 모재를 이용한다. 이에 따라 인덕터의 제조 과정에서 모재의 품질이 저하되는 문제가 있다.Additionally, conventional inductor manufacturing technology uses ceramic, silicon, or glass base materials in various steps of manufacturing the inductor. Accordingly, there is a problem that the quality of the base material deteriorates during the manufacturing process of the inductor.
본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 양극 산화된 금속 모재를 이용해서 소형화 및 저저항의 니즈를 충족시킬 수 있는 인덕터를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.The present invention was developed to solve the problems of the prior art described above, and its purpose is to provide an inductor that can meet the needs of miniaturization and low resistance by using an anodized metal base material.
또한, 본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 양극 산화된 금속 모재를 이용해서 손실유전율을 낮추고 인덕턴스를 높이는 인덕터를 제조하는 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In addition, the present invention was developed to solve the problems of the prior art described above, and its purpose is to provide a method of manufacturing an inductor using an anodized metal base material to reduce dielectric loss and increase inductance.
이러한 본 발명의 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 인덕터의 제조 방법은, 금속 재질의 몰드를 준비하는 준비 단계; 상기 몰드의 상, 하면을 관통하도록 복수개의 수직 관통부를 형성하는 단계; 상기 몰드를 양극 산화 처리하는 단계; 상기 수직 관통부에 전도성 물질을 충진하여 복수개의 수직 연결부를 형성하는 단계; 및 상기 몰드의 상부에 형성되어 상기 수직 연결부의 상면을 연결하는 제1수평 연결부를 형성하는 단계 및 상기 몰드의 하부에 형성되어 상기 수직 연결부의 하면을 연결하는 제2수평 연결부를 형성하여 상기 수직 연결부의 상부에서 상기 수직 연결부를 연결하는 복수개의 수평 연결부를 형성하는 단계;를 포함한다.In order to achieve the purpose of the present invention, the method of manufacturing an inductor according to the present invention includes a preparation step of preparing a mold made of metal; forming a plurality of vertical penetrating portions to penetrate the upper and lower surfaces of the mold; anodizing the mold; forming a plurality of vertical connection parts by filling the vertical penetration part with a conductive material; and forming a first horizontal connector formed at the top of the mold to connect the upper surface of the vertical connector, and forming a second horizontal connector formed at the bottom of the mold to connect the lower surface of the vertical connector to form the vertical connector. It includes; forming a plurality of horizontal connectors connecting the vertical connectors at the top of the.
또한, 하부 표면에 양극산화막부를 구비하는 상기 제1수평 연결부와 상부 표면에 양극산화막부를 구비하는 상기 제2수평 연결부 및 외주면에 양극산화막부를 구비한 상기 수직 연결부의 연결로 이루어진 코일부만 남도록 상기 몰드를 제거하는 단계;를 포함한다.In addition, the mold was formed so that only the coil portion consisting of the connection of the first horizontal connecting portion having an anodic oxide layer on the lower surface, the second horizontal connecting portion having an anodic oxidizing layer on the upper surface, and the vertical connecting portion having an anodic oxide layer on the outer peripheral surface remained. It includes a removing step.
또한, 상기 몰드는 양극 산화 처리 가능한 금속이다.Additionally, the mold is a metal that can be anodized.
또한, 매립 물질로 상기 코일부를 전체적으로 몰딩하여 내부에 상기 코일부가 매립 형태로 구비되도록 하는 바디를 형성시키는 단계;를 포함한다.In addition, it includes the step of molding the entire coil portion with an embedded material to form a body in which the coil portion is provided in an embedded form.
한편, 본 발명에 따른 인덕터는, 복수개의 수직 연결부 및 상기 복수개의 수직 연결부를 상부에서 연결하는 제1수평 연결부 및 상기 수직 연결부를 하부에서 연결하는 제2수평 연결부를 포함하는 복수개의 수평 연결부를 포함하는 코일부; 상기 코일부의 일단에 연결되는 제1단자 및 타단에 연결되는 제2단자를 포함하는 단자부; 및 상기 수직 연결부의 외주면을 감싸는 양극산화막부;를 포함한다.Meanwhile, the inductor according to the present invention includes a plurality of vertical connectors and a plurality of horizontal connectors including a first horizontal connector connecting the plurality of vertical connectors at the top and a second horizontal connector connecting the vertical connectors at the bottom. A coil unit that does; A terminal unit including a first terminal connected to one end of the coil unit and a second terminal connected to the other end of the coil unit; and an anodized film portion surrounding the outer peripheral surface of the vertical connection portion.
또한, 상기 제1수평 연결부의 하부 표면 및 상기 제2수평 연결부의 상부 표면에 양극산화막부가 구비된다.Additionally, an anodic oxide film portion is provided on the lower surface of the first horizontal connecting portion and the upper surface of the second horizontal connecting portion.
또한, 공간부를 포함하고, 상기 공간부의 적어도 일부는 상기 코일부의 내부에 구비된다.Additionally, it includes a space portion, and at least a portion of the space portion is provided inside the coil portion.
또한, 상기 코일부가 매립되는 바디를 포함한다.Additionally, it includes a body in which the coil portion is embedded.
또한, 상기 바디는 이산화규소(SiO2), COP(Cyclic Clefin Polymer), 플루오린화 산화규소(SiOF), 폴리이미드(Polyimides), 파릴렌(Parylene), 플루오린화 파릴렌(Fluorinated Parylene), 벤조시클로부텐(Benzocyclobutene), 테프론(Teflon) 중 어느 하나로 이루어진다.In addition, the body is made of silicon dioxide (SiO2), COP (Cyclic Clefin Polymer), fluorinated silicon oxide (SiOF), polyimides, Parylene, Fluorinated Parylene, and Benzocyclobutene. It is made of either Benzocyclobutene or Teflon.
또한, 상기 바디는 페라이트를 포함하는 자성체로 이루어진다.Additionally, the body is made of a magnetic material containing ferrite.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 인덕터의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 인덕터에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.According to the inductor manufacturing method of the present invention as described above and the inductor manufactured using the same, the following effects are achieved.
본 발명의 인덕터의 제조 방법은, 코일부를 형성하기 위해 이용된 금속 재질의 몰드를 완전히 제거하고, 저유전율의 특성을 갖는 물질 또는 고투자율의 특성을 갖는 매립 물질로 구성된 바디를 구비하여 양극산화막부를 포함하는 코일부를 바디의 내부에 매립하는 형태의 인덕터를 제조한다. 본 발명의 인덕터의 제조 방법은, 수직 연결부와 매립 물질간이 절연되는 기능을 갖는 코일부를 제조하고, 코일부를 제조하기 위한 모재로서 이용되는 금속 재질의 몰드는 완전히 제거한다. The method of manufacturing an inductor of the present invention completely removes the metal mold used to form the coil portion, and provides a body composed of a material with a low dielectric constant or an embedded material with a high permeability characteristic, and an anodic oxide film is provided. An inductor is manufactured in which the coil part including the part is buried inside the body. The inductor manufacturing method of the present invention manufactures a coil part that has the function of insulating between the vertical connection part and the embedded material, and completely removes the metal mold used as a base material for manufacturing the coil part.
본 발명의 인덕터는 코일부의 외측에만 구비되거나, 코일부의 외측 및 코일부의 내측에 새롭게 형성된 매립 물질의 바디를 구비하는 구조를 갖는다. 이에 따라 세라믹, 실리콘 또는 글라스 재질의 모재를 유전체로서 이용하여 모재를 제거하지 않고 그대로 남기는 구조 대비 유전율의 손실을 낮추거나, 높은 인덕턴스가 보장될 수 있다.The inductor of the present invention has a structure that is provided only on the outside of the coil unit, or has a body of newly formed embedded material on the outside of the coil unit and the inside of the coil unit. Accordingly, by using a base material made of ceramic, silicon, or glass as a dielectric, the loss of dielectric constant can be reduced or high inductance can be guaranteed compared to a structure in which the base material is left as it is without removing it.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 인덕터의 사시도.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 코일부의 사시도.
도 3(a) 내지 도 16은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 인덕터의 제조 방법에 따라 본 발명의 바람직한 실시 예의 인덕터를 제조하는 과정을 도시한 도.
도 17은 패키지 기판의 평면도.
도 18은 복수개의 실장 영역 중 하나의 실장 영역을 확대하여 도시한 도.1 is a perspective view of an inductor according to a preferred embodiment of the present invention.
Figure 2 is a perspective view of a coil portion according to a preferred embodiment of the present invention.
3(a) to 16 illustrate a process for manufacturing an inductor according to a preferred embodiment of the present invention according to a method for manufacturing an inductor according to a preferred embodiment of the present invention.
17 is a top view of the package substrate.
Figure 18 is an enlarged view of one mounting area among a plurality of mounting areas.
이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시 예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시 예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.The following merely illustrates the principles of the invention. Therefore, those skilled in the art will be able to invent various devices that embody the principles of the invention and are included in the concept and scope of the invention, although not clearly described or shown herein. In addition, all conditional terms and embodiments listed in this specification are, in principle, expressly intended only for the purpose of ensuring that the inventive concept is understood, and should be understood as not limiting to the embodiments and conditions specifically listed as such. .
상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.The above-mentioned purpose, features and advantages will become clearer through the following detailed description in relation to the attached drawings, and accordingly, those skilled in the art in the technical field to which the invention pertains will be able to easily implement the technical idea of the invention. .
본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시 도인 단면도 및/또는 사시도들을 참고하여 설명될 것이다. 이러한 도면들에 도시된 막 및 영역들의 두께 등은 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 또한 도면에 도시된 성형물의 개수는 예시적으로 일부만을 도면에 도시한 것이다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다.Embodiments described herein will be explained with reference to cross-sectional views and/or perspective views, which are ideal illustrations of the present invention. The thicknesses of films and regions shown in these drawings are exaggerated for effective explanation of technical content. The form of the illustration may be modified depending on manufacturing technology and/or tolerance. In addition, the number of molded products shown in the drawings is illustrative and only a portion is shown in the drawings. Accordingly, embodiments of the present invention are not limited to the specific form shown, but also include changes in form produced according to the manufacturing process.
다양한 실시 예들을 설명함에 있어서, 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 실시예가 다르더라도 편의상 동일한 명칭 및 동일한 참조번호를 부여하기로 한다. 또한, 이미 다른 실시예에서 설명된 구성 및 작동에 대해서는 편의상 생략하기로 한다. In describing various embodiments, components that perform the same function will be given the same names and same reference numbers for convenience even if the embodiments are different. In addition, the configuration and operation already described in other embodiments will be omitted for convenience.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 구체적으로 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 인덕터(이하 '본 발명의 인덕터(1)'라 함)의 사시도이고, 도 2는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 코일부의 사시도이다.Figure 1 is a perspective view of an inductor (hereinafter referred to as '
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 인덕터(1)는, 전방 수직 연결부(21) 및 후방 수직 연결부(22)를 포함하는 복수개의 수직 연결부(20) 및 수직 연결부(20)의 상부에서 수직 연결부(20)를 연결하는 제1수평 연결부(31) 및 수직 연결부(20)의 하부에서 수직 연결부(20)를 연결하는 제2수평 연결부(32)를 포함하여 복수개의 수직 연결부(20)를 연결하는 복수개의 수평 연결부(30)를 포함하는 코일부(10)와, 코일부(10)의 일단에 연결되는 제1단자(51) 및 타단에 연결되는 제2단자(52)를 포함하는 단자부(50)와, 상기 수직 연결부(20)의 외주면을 감싸는 양극산화막부(60)를 포함한다.Referring to FIGS. 1 and 2, the
코일부(10)는 복수개의 수직 연결부(20)가 서로 이격되게 배치되고, 복수개의 수직 연결부(20)의 상, 하부에 복수개의 수평 연결부(30)를 구비하고, 수직 연결부(20) 및 수평 연결부(30)가 일체로 연결되는 형태를 갖는다.The
구체적으로, 복수개의 수직 연결부(20)는, 도 1, 2의 전방측에 열방향으로 서로 이격되어 배치되는 복수개의 전방 수직 연결부(21)와, 도 1, 2의 후방측에 열방향으로 서로 이격되게 배치되어 전방 수직 연결부(21)보다 후방에 위치하는 복수개의 후방 수직 연결부(22)를 포함한다.Specifically, the plurality of vertical connecting
도 1, 2를 참조하면, 전방 수직 연결부(21)는 전방측에서 열방향으로 일정 간격을 두고 이격되어 배치된다. 또한, 후방 수직 연결부(22) 후방측에서 열방향으로 일정 간격을 두고 이격되어 배치된다.Referring to FIGS. 1 and 2, the front vertical connecting
전방 수직 연결부(21)와 후방 수직 연결부(22)는 도 1, 2의 전방측에서 바라봤을 때, 열방향으로 서로 교번적으로 배치된다. 따라서, 전방 수직 연결부(21)를 후방 수직 연결부(22)측으로 투영하였을 때, 전방 수직 연결부(21)는 후방 수직 연결부(22) 사이에 위치한다.The front
본 발명의 인덕터(1)는, 복수개의 수직 연결부(20)의 외주면에 양극산화막부(60)를 구비한다. 양극산화막부(60)는 복수개의 수직 연결부(20) 각각에 구비되되 수직 연결부(20)의 외주면을 감싸는 형태로 구비된다. 양극산화막부(60)는 도 1에서 전, 후 좌, 우 방향의 수직 연결부(20)의 외측면에 구비된다.The
또한, 양극산화막부(60)는, 제1수평 연결부(31)의 하부 표면과, 제2수평 연결부(32)의 상부 표면에 구비된다.Additionally, the anodic
양극산화막부(60)는 양극산화막 재질로 구성된다. 양극산화막은 2~3ppm/의 열팽창 계수를 갖는다. 이로 인해 고온의 환경에 노출될 경우, 온도에 의한 열변형이 적다. 이에 따라 수직 연결부(20)의 열변형이 최소화될 수 있다. 수직 연결부(20)는 수직 연결부(20)의 상, 하부에 구비되는 수평 연결부(30)를 지지하는 기능을 한다. 본 발명의 인덕터(1)는 이러한 수직 연결부(20)의 외주면에 양극산화막부(60)를 구비함으로써 코일부(10)가 손상되어 인덕턴스가 변화되는 것을 방지할 수 있다.The anodic
또한, 양극산화막부(60)는 양극산화막의 양극산화시 형성된 포어를 포함한다. 이에 따라 수직 연결부(20)의 외주면에 내부가 빈 형태의 포어를 포함하는 양극산화막부(60)가 구비된다. 양극산화막부(60)는 포어를 통해 코일부(10)의 내측에 구비되는 저유전율 물질 또는 고투자율 물질과 수직 연결부(20)간을 절연시키는 기능을 제공한다.Additionally, the anodized
복수개의 수평 연결부(30)는 전방 수직 연결부(21)의 상부에 구비되는 복수개의 제1수평 연결부(31)와, 전방 수직 연결부(21)의 하부에 구비되는 복수개의 제2수평 연결부(32)를 포함한다.The plurality of
제1수평 연결부(31)는, 일단부가 전방 수직 연결부(21)의 상면에 연결되고, 타단부가 후방 수직 연결부(22)의 상면에 연결되는 형태로 전, 후방 수직 연결부(21, 22)의 상부에 구비된다. The first horizontal connecting
제1수평 연결부(31)는 복수개의 전방 수직 연결부(21) 중 어느 하나와 상기 어느 하나와 최단 거리를 두고 후방에 위치하는 후방 수직 연결부(22)를 연결한다. The first horizontal connecting
제1수평 연결부(31)는 일단부를 통해 전방 수직 연결부(21)와 연결되고 타단부를 통해 후방 수직 연결부(22)와 연결된다. 제1수평 연결부(31)는 일단부 및 타단부를 제외한 중간부의 하부 표면에 양극산화막부(60)를 구비한다.The first
제1수평 연결부(31)는 도 1, 2에서 우상향의 기울기를 갖는 사선으로 구비된다. 이는 전방 수직 연결부(21) 및 후방 수직 연결부(22)가 열방향으로 교번적으로 배치되는 형태에 의해 구현된다. 복수개의 제1수평 연결부(31)는 서로 동일한 각도의 기울기를 갖는다.The first horizontal connecting
제2수평 연결부(32)는, 일단부가 후방 수직 연결부(22)의 상면에 연결되고 타단부가 전방 수직 연결부(21)의 상면에 연결되는 형태로 전, 후방 수직 연결부(21, 22)의 상부에 구비된다.The second horizontal connecting
제2수평 연결부(32)는 복수개의 후방 수직 연결부(22) 중 어느 하나와 상기 어느 하나와 최단 거리를 두고 전방에 위치하는 전방 수직 연결부(21)를 연결한다.The second
제2수평 연결부(32)는, 일단부를 통해 전방 수직 연결부(21)와 연결되고 타단부를 통해 후방 수직 연결부(22)와 연결된다. 제2수평 연결부(32)는 일단부 및 타단부를 제외한 중간부의 상부 표면에 양극산화막부(60)를 구비한다.The second
제2수평 연결부(32)는 도 1, 2에서 좌상향의 기울기는 갖는 사선으로 구비된다. 이는 후방 수직 연결부(22) 및 전방 수직 연결부(21)가 열방향으로 교번적으로 배치되는 형태에 의해 구현된다.In FIGS. 1 and 2, the second horizontal connecting
전방 수직 연결부(21)에서 인접하는 2개의 전방 수직 연결부(21)와, 이를 후방 수직 연결부(22)측으로 투영했을 때 그 사이에 위치하는 후방 수직 연결부(22)를 연결하는 가상의 선을 그어보면, 가상의 선은 이등변 삼각형의 빗변이 된다. 이를 통해 제2수평 연결부(32)에 의해 생성되는 자속의 방향과 제1수평 연결부(31)에 의해 형성되는 자속의 방향의 차이를 최소화하여 보다 안정적인 인덕턴스를 얻을 수 있게 된다.If you draw an imaginary line connecting the two adjacent front
또한, 제1수평 연결부(31) 및 제2수평 연결부(32)는 좌, 우 방향을 기준으로 서로 반대되는 사선 형태로 구비된다. 이 때, 제1수평 연결부(31) 및 제2수평 연결부(32)의 길이는 동일하다. 이로 인해 전류가 제1수평 연결부(31)를 흐르는 시간 및 제2수평 연결부(32)를 흐르는 시간이 동일하여 안정적인 인덕턴스를 얻을 수 있다.Additionally, the first horizontal connecting
수평 연결부(30)는, 복수개의 수평 연결부(30) 중 어느 하나에 연결되는 제1단자 연결부(41) 및 다른 하나에 연결되는 제2단자 연결부(42)를 포함하는 단자 연결부(40)를 구비한다.The
구체적으로, 제1단자 연결부(41)는, 도 1, 2에서 좌, 우 방향을 기준으로 복수개의 제1수평 연결부(31) 중 좌측 방향으로 가장 일단에 위치하는 수평 연결부(30)에 연결된다.Specifically, the first
다시 말해, 제1단자 연결부(41)는 좌, 우 방향을 기준으로 좌측 방향으로 가장 외측에 위치하는 제1수평 연결부(31)에 연결된다.In other words, the first
제1단자 연결부(41)는 좌측 방향으로 가장 일단에 위치하는 수평 연결부(30)의 전방측 일단부에 구비되어 좌측(외측) 방향으로 돌출되는 형태로 구비된다. 이로 인해 제1단자 연결부(41)는 코일부(10)의 일단을 이룬다. The first
제2단자 연결부(42)는 도 1, 2에서 좌, 우 방향을 기준으로 복수개의 제1수평 연결부(31) 중 우측 방향으로 가장 타단에 위치하는 수평 연결부(30)에 연결된다. The second
다시 말해, 제2단자 연결부(42)는 좌, 우 방향을 기준으로 우측 방향으로 가장 외측에 위치하는 제1수평 연결부(31)에 연결된다.In other words, the second
제2단자 연결부(42)는 우측 방향으로 가장 일단에 위치하는 수평 연결부(30)의 후방측 일단부에 구비되어 우측(외측) 방향으로 돌출되는 형태로 구비된다. 이로 인해 제2단자 연결부(42)는 코일부(10)의 타단을 이룬다.The second
도 2를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 코일부(10)는 제1수평 연결부(31)와 제2수평 연결부(32)가 전방 수직 연결부(21) 및 후방 수직 연결부(22)를 통해 연결되면서 전체적으로 권취되는 형상을 갖는다.Referring to FIG. 2, the
복수개의 수직 연결부(20)와, 복수개의 수평 연결부(30) 및 단자 연결부(40)는, 바람직하게는, 모두 동일한 단면적을 갖는다.The plurality of vertical connecting
구체적으로, 도 2를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 코일부(10)는 제1수평 연결부(31)와 제2수평 연결부(32)가 전방 수직 연결부(21) 및 후방 수직 연결부(22)를 통해 연결되면서 전체적으로 권취되는 형상을 갖는다.Specifically, referring to Figure 2, the
이 때, 복수개의 수직 연결부(20)와, 복수개의 수평 연결부(30) 및 단자 연결부(40)가 모두 동일한 단면적을 가질 경우, 코일부(10)의 단면적 차이로 인해 병목 구간이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이로 인해 코일부(10) 전체에 원활한 전기 흐름이 형성되어 본 발명의 인덕터(1)의 높은 인덕턴스가 보장될 수 있다.At this time, when the plurality of vertical connecting
복수개의 수직 연결부(20)와, 복수개의 수평 연결부(30) 및 단자 연결부(40)는 사각 형상의 단면, 정사각 형상의 단면 및 원형 형상의 단면을 가질 수 있다.The plurality of
제1단자(51)는 코일부(10)의 일단에 구비되는 제1단자 연결부(41)를 통해 코일부(10)와 연결된다. 제1단자(51)는 내측면(도 1, 2에서 우측면)을 통해 제1단자 연결부(41)와 연결된다. 보다 구체적으로, 제1단자(51)의 내측면(도1, 2에서의 우측면)과, 제1단자 연결부(41)의 외측면(도 1, 2에서의 좌측면)이 접촉되어 코일부(10)와 제1단자(51)가 전기적으로 연결된다. The
제2단자(52)는 코일부(10)의 타단에 구비되는 제2단자 연결부(42)를 통해 코일부(10)와 연결된다. 제2단자(52)는 내측면(도1, 2에서 좌측면)을 통해 제2단자 연결부(42)와 연결된다. 보다 구체적으로, 제2단자(52)의 내측면(도 1, 2에서 좌측면)과, 제2단자 연결부(42)의 외측면(도 1, 2에서의 우측면)이 접촉되어 코일부(10)와 제2단자(52)가 전기적으로 연결된다.The
본 발명의 인덕터(1)는 제1, 2단자(51, 52)를 외측으로 노출되게 구비된다. 이에 따라 본 발명의 인덕터(1)는 제1, 2단자(51, 52)를 통해 기판 등과 전기적으로 쉽게 연결될 수 있다.The
본 발명의 인덕터(1)는 코일부(10)가 매립되는 바디(70)를 포함한다. 이 경우, 바디(70)는 코일부(10)의 외측에서 감싸면서 코일부(10)의 권취 형상에 따라 코일부(10) 내측에 구비되는 빈 공간을 채우는 형태로 구비된다. 이에 따라 본 발명의 인덕터(1)는 바디(70)를 구비할 경우, 바디(70)의 내부에 코일부(10)를 매립하는 구조로 구비한다.The
바디(70)는 이산화규소(SiO2), COP(Cyclic Clefin Polymer), 플루오린화 산화규소(SiOF), 폴리이미드(Polyimides), 파릴렌(Parylene), 플루오린화 파릴렌(Fluorinated Parylene), 벤조시클로부텐(Benzocyclobutene), 테프론(Teflon) 중 어느 하나의 저유전율의 특성을 갖는 물질로 이루어질 수 있다. 이 경우, 바디(70)는 저유전율의 특성을 갖는다. 본 발명의 인덕터(1)는 저유전율의 특성을 갖는 바디(70)를 구비할 경우, 상대적으로 유전율의 손실이 낮아 보다 높은 주파수에서 높은 품질 계수 값을 가진다. 본 발명의 인덕터(1)는 저유전율의 특성을 갖는 바디(70)를 구비함으로써 높은 품질 계수 값을 갖는 유전체를 구비하는 인덕터(1)로서 기능할 수 있다. The
이와는 달리, 바디(70)는 페라이트를 포함하는 자성체의 고투자율의 특성을 갖는 물질로 이루어질 수도 있다. 이 경우, 바디(70)는 Mn-Zn계 페라이트, Ni-Zn계 페라이트, Ni-Zn-Cu계 페라이트, Mn-Mg계 페라이트, Ba계 페라이트 또는 Li계 페라이트 등을 포함한다. 이경우, 바디(70)는 고투자율의 특성을 갖는다.Alternatively, the
본 발명의 인덕터(1)는 고투자율의 특성을 갖는 바디(70)를 구비할 경우, 투자율이 높은 저유전율 물질이 코일부(10)의 내측 빈 공간에 구비되어 있는 구조를 갖는다. 이에 따라 본 발명의 인덕터(1)는 높은 인덕턴스를 가질 수 있다.When the
본 발명의 인덕터(1)는 바디(70)를 포함하는 구조로 구비될 경우, 바디(70)를 구성하는 물질을 저유전율의 특성을 갖는 물질로 구성하여 고주파에서 높은 품질 계수를 갖는 인덕터(1)로서 기능할 수 있다.When the
한편, 본 발명의 인덕터(1)는 바디(70)를 포함하는 구조로 구비될 경우, 바디(70)를 구성하는 물질을 고투자율의 특성을 갖는 물질로 구성하여 고용량의 높은 인덕턴스를 갖는 인덕터(1)로서 기능할 수도 있다.On the other hand, when the
본 발명의 인덕터(1)는 바디(70)를 포함할 경우, 바디(70)의 일측(도 1, 2에서 좌측)에 제1단자(51)를 구비하고, 바디(70)의 타측(도 1, 2에서 우측)에 제2단자(52)를 구비한다.When the
보다 구체적으로, 제1단자(51)는 바디(70)의 좌측에서 바디(70)의 상면의 전체 영역 중 좌측 일단부에 위치하는 일부 영역을 감싼다. 또한, 제1단자(51)는 상기 상면의 좌측 일단부의 일부 영역과 상, 하 방향으로 대응되는 위치인 바디(70)의 하면의 전체 영역 중 좌측 일단부에 위치하는 일부 영역을 감싼다. 제1단자(51)는 바디(70)의 상면의 일부 영역을 감싸는 부위와 바디(70)의 하면의 일부 영역을 감싸는 부위 사이에 바디(70)의 일측면(도 1, 2에서 좌측면)을 감싸는 중간 부위를 구비한다. 이에 따라 바디(70)의 좌측면은 제1단자(51)의 중간 부위에 의해 감싸진다.More specifically, the
다시 말해, 제1단자(51)는 바디(70)의 상면 및 하면의 일단부(좌측 단부)의 일부 영역 및 바디(70)의 좌측면을 감싸는 형태로 구비된다.In other words, the
제2단자(52)는 바디(70)의 수직 중심선을 기준으로 제1단자(51)와 대칭되는 형태로 구비된다. 구체적으로, 제2단자(52)는 바디(70)의 우측에서 바디(70)의 상면의 전체 영역 중 우측 일단부에 위치하는 일부 영역을 감싼다. 또한, 제1단자(51)는 상기 상면의 우측 일단부의 일부 영역과 상, 하 방향으로 대응되는 위치인 바디(70)의 하면의 전체 영역 중 우측 일단부에 위치하는 일부 영역을 감싼다. 제2단자(52)는 바디(70)의 상면의 일부 영역을 감싸는 부위와 바디(70)의 하면의 일부 영역을 감싸는 부위 사이에 바디(70)의 타측면(도 1, 2에서 우측면)을 감싸는 중간 부위를 구비한다. 이에 따라 바디(70)의 우측면은 제1단자(51)의 중간 부위에 의해 감싸진다.The
다시 말해, 제2단자(52)는 바디(70)의 상면 및 하면의 타단부(우측 단부)의 일부 영역 및 바디(70)의 우측면을 감싸는 형태로 구비된다.In other words, the
바디(70)의 일측(좌측) 및 타측(우측)에 각각 제1, 2단자(51, 52)를 구비하기 전에, 바디(70)의 내부에 매립된 코일부(10)는 일단면 및 타단면이 외측으로 노출된다. Before providing the first and
구체적으로, 코일부(10)는, 제1, 2단자(51, 52)가 바디(70)를 감싸기 전의 구조에서, 바디(70)의 내부에 매립된 상태로 코일부(10)의 일단을 이루는 제1단자 연결부(41)의 일측면(도 1, 2에서 좌측면)과, 코일부(10)의 타단을 이루는 제2단자 연결부(42)의 일측면(도 1, 2에서 우측면)이 외측으로 노출된다. 따라서, 바디(70)는 제1단자 연결부(41)의 일측면(좌측면)과 대응되는 영역이 제거 형태이고, 제2단자 연결부(42)의 일측면(우측면)과 대응되는 영역이 제거된 형태이다.Specifically, the
이 때, 제1단자(51)는 바디(70)의 일측(좌측)에 구비되어 바디(70)의 좌측면을 감싸는 중간 부위를 통해 제1단자 연결부(41)와 접촉된다. 또한, 제2단자(52)는 바디(70)의 타측(우측)에 구비되어 바디(70)의 우측면을 감싸는 중간 부위를 통해 제2단자 연결부(42)와 접촉된다. 이에 따라 제1, 2단자(51, 52)와 코일부(10)가 전기적으로 연결된다.At this time, the
본 발명의 인덕터(1)는, 공간부(80)를 포함한다.The
본 발명의 인덕터(1)는, 제1, 2단자(51, 52)를 코일부(10)의 일단 및 타단에 연결한 구조에서 코일부(10)의 외측 및 코일부(10)의 외측에 공간부(80)를 구비한다. 이에 따라 공간부(80)는 적어도 일부가 코일부(10)의 외측을 감싸면서 구비되고, 나머지 일부가 코일부(10)의 내측(내부)에 구비된다. 이 경우, 본 발명의 인덕터(1)는 바람직하게는, 바디(70)를 포함하지 않는 구조이다.The
본 발명의 인덕터(1)는 코일부(10)의 외측 및 코일부(10)의 내측(내부)에 공간부(80)를 구비함으로서 코일부(10)의 외측 주변과 코일부(10)의 내부에 기체(바람직하게는, 공기)가 존재한다. 공기는 저유전율의 특성을 가진다. 따라서, 본 발명의 인덕터(1)는 공간부(80)를 구비하는 구조에서 코일부(10)의 내부에 공기가 존재하도록 하여 높은 품질 계수 값을 갖는 유전체를 구비하는 인덕터(1)로서 기능할 수 있다.The
한편, 본 발명의 인덕터(1)는 바디(70) 및 공간부(80)를 포함하는 구조로 구비될 수도 있다. 이 경우, 공간부(80)는 코일부(10)의 내부에만 구비된다.Meanwhile, the
보다 구체적으로, 본 발명의 인덕터(1)는 코일부(10)의 외측을 감싸도록 바디(70)를 구비하고, 바디(70)에 매립된 상태에서 코일부(10)의 내부에는 바디(70)를 구성하는 물질이 존재하지 않음에 따라 공간부(80)가 구비된다. 공간부(80)에는 공기가 존재한다. 이와 같은 구조에서, 바디(70)는, 바람직하게는, 상술한 저유전율의 특성을 갖는 물질로 구성된다.More specifically, the
본 발명의 인덕터(1)는, 바람직하게는, 저유전율의 특성을 갖는 바디(70)를 코일부(10)의 외측에 구비하고, 공간부(80)를 통해 저유전율의 공기가 코일부(10)의 내부에 구비되도록 하여 높은 품질 계수 값을 갖는 유전체를 구비하는 인덕터(1)로서 기능할 수 있다. The
이하, 도 3(a) 내지 도 14를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 인덕터(1)의 제조 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the
도 3(a) 내지 도 14는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 인덕터(1)의 제조 방법에 따라 본 발명의 인덕터(1)를 제조하는 과정을 도시한 도이다.3(a) to 14 are diagrams showing a process for manufacturing the
이하에서, 평면도인 도 3(a), 도 4(a), 도 5(a), 도 6(a), 도 7(a), 도 8(a), 도 9(a), 도 10(a), 도 11(a), 도 12(a), 도 13(a) 및 도 14에서 상부 방향은 본 발명의 인덕터(1)의 후방이고, 하부 방향은 본 발명의 인덕터(1)의 전방이다.Hereinafter, plan views of FIGS. 3(a), 4(a), 5(a), 6(a), 7(a), 8(a), 9(a), and 10(a) are shown in plan view. a), Figure 11(a), Figure 12(a), Figure 13(a) and Figure 14, the upper direction is the rear of the
도 3(a)는 금속 재질의 몰드(MD)의 평면도이고, 도 3(b)는 도 3(a)의 A-A'를 따라 절단한 면을 도시한 단면도이다.FIG. 3(a) is a plan view of a metal mold (MD), and FIG. 3(b) is a cross-sectional view taken along line A-A' of FIG. 3(a).
도 3(a), (b)에 도시된 바와 같이, 먼저, 본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 금속 재질의 몰드(MD)를 준비하는 단계를 수행한다. 몰드(MD)를 구성하는 금속 재질은, 양극 산화 처리 가능한 재질로 구성된다. 구체적으로, 금속 재질은, 알루미늄(Al), 탄탈럼(Ta), 니오븀(Nb), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 불화수소(Hr), 아연(Zn), 텅스텐(W), 안티모니(Sb) 및 이들의 합금을 포함한다.As shown in FIGS. 3(a) and 3(b), first, the manufacturing method of the
그런 다음, 금속 재질의 몰드(MD)에 수직 관통부(110)를 형성하는 단계가 수행된다.Then, a step of forming the
도 4(a)는 복수개의 수직 관통부(110)가 형성된 몰드(MD)의 평면도이고, 도 4(b)는 도 4(a)의 A-A'를 따라 절단한 면을 도시한 단면도이다.FIG. 4(a) is a plan view of the mold MD in which a plurality of vertical penetrating
도 4(b)에 도시된 바와 같이, 수직 관통부(110)는 몰드(MD)의 상, 하면을 관통하도록 형성된다. 수직 관통부(110)는 이격 거리를 두고 복수개 구비된다.As shown in FIG. 4(b), the vertical penetrating
도 4(a)를 참조하면, 수직 관통부(110)는 상부 방향에서 열방향으로 이격 거리를 두고 복수개 구비된다. 또한, 수직 관통부(110)는 하부 방향에서 열방향으로 이격 거리를 두고 복수개 구비된다.Referring to FIG. 4(a), a plurality of vertical penetrating
상부 방향에 구비되는 복수개의 수직 관통부(110)와 하부 방향에 구비되는 복수개의 수직 관통부(110)는, 행방향을 기준으로 각각의 중심축의 위치를 동일하게 하지 않고, 어긋나게 하여 형성된다.The plurality of vertical penetrating
구체적으로, 상부 방향에 구비되는 복수개의 수직 관통부(110) 중 도 4(a)의 가장 좌측에 위치하는 수직 관통부(110)를 제1행 제1열 후방 수직 관통부(111)라 하고, 하부 방향에 구비되는 복수개의 수직 관통부(110) 중 도 4(a)의 가장 좌측에 위치하는 수직 관통부(110)를 제2행 제1열 전방 수직 관통부(112)라 한다.Specifically, among the plurality of vertical penetrating
제1행 제1열 후방 수직 관통부(111)를 제2행 제1열 전방 수직 관통부(112)측으로 투영할 경우, 제1행 제1열 후방 수직 관통부(111)의 중심축과, 제2행 제1열 전방 수직 관통부(112)의 중심축은, 동일한 위치에 위치하지 않고, 열 방향으로 이격되게 위치한다. When projecting the rear vertical penetrating
다시 말해, 상부 방향에 구비되는 복수개의 수직 관통부(110)는 하부 방향에 구비되는 복수개의 수직 관통부(110)와 행방향을 기준으로 각각의 중심축이 동일한 위치에 위치하지 않고 서로 어긋나게 위치하도록 형성된다.In other words, the central axes of the plurality of vertical penetrating
이에 따라 상부 방향에 구비되는 복수개의 수직 관통부(110) 및 하부 방향에 구비되는 복수개의 수직 관통부(110)는, 상부 방향 및 하부 방향을 기준으로 서로 반대되는 방향으로 투영했을 때, 교번적으로 위치한다.Accordingly, the plurality of vertical penetrating
보다 구체적으로, 상부 방향에 구비되는 복수개의 수직 관통부(110)를 하부 방향에 구비되는 복수개의 수직 관통부(110)측으로 투영했을 때, 상부 방향에 구비되는 복수개의 수직 관통부(110)는, 각각 하부 방향에 구비되는 복수개의 수직 관통부(110)의 이격 거리에 위치한다.More specifically, when the plurality of vertical penetrating
반대로, 하부 방향에 구비되는 복수개의 수직 관통부(110)를 상부 방향에 구비되는 복수개의 수직 관통부(110)측으로 투영했을 때, 하부 방향에 구비되는 복수개의 수직 관통부(110)는 각각 상부 방향에 구비되는 복수개의 수직 관통부(110)의 이격 거리에 위치한다.Conversely, when the plurality of vertical penetrating
본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 복수개의 수직 관통부(110)를 열방향으로 서로 교번적으로 배치되는 형태로 형성함으로써, 수직 관통부(110)에 전도성 물질(100)을 충진하여 형성되는 복수개의 수직 연결부(20)를 열방향으로 서로 교번적으로 배치되는 형태로 구비할 수 있다.The manufacturing method of the
도 4(a)에 도시된 바와 같이, 수직 관통부(110)는 사각 단면 형상을 가질 수 있고, 원형 단면의 형상으로 구비될 수도 있다. 수직 관통부(110)의 단면 형상은 이에 한정되지 않는다. 수직 관통부(110)는 툴 가공, 레이저 가공 및 펀칭 방식 등에 의해 형성된다.As shown in FIG. 4(a), the vertical penetrating
그런 다음, 수직 관통부(110)가 형성된 몰드(MD)를 양극 산화 처리하는 단계가 수행된다.Then, a step of anodizing the mold MD in which the
도 5(a)는 양극 산화 처리된 몰드(MD)의 평면도이고, 도 5(b)는 도 5(a)의 A-A'를 따라 절단한 면을 도시한 도이다.FIG. 5(a) is a plan view of an anodized mold (MD), and FIG. 5(b) is a view cut along line A-A' of FIG. 5(a).
도 5(a), (b)를 참조하면, 몰드(MD)가 양극 산화 처리됨에 따라 몰드(MD)의 표면(상면, 하면 및 좌, 우측의 외측면)에 양극산화막부(60)가 형성된다. 이 때, 몰드(MD)는 수직 관통부(110)를 구비한 상태이다. 따라서, 도 5(b)를 참조하면, 수직 관통부(110)의 내측면에도 양극산화막부(60)가 형성된다.Referring to Figures 5 (a) and (b), as the mold (MD) is anodized, an
그런 다음, 수직 관통부(110)에 전도성 물질을 충진하여 복수개의 수직 연결부(20)를 형성하는 단계가 수행된다.Then, a step of filling the
도 6(a)는 복수개의 수직 관통부(110)에 전도성 물질(100)을 충진한 상태의 평면도이고, 도 6(b)는 전도성 물질(100)이 충진된 몰드(MD)를 시드층(SD)상에 구비한 상태를 도 6(a)의 A-A'를 따라 절단한 면으로 도시한 도이다. FIG. 6(a) is a top view of a state in which a plurality of vertical penetrating
도 6(a), (b)에 도시된 바와 같이, 복수개의 수직 관통부(110)에 전도성 물질(100)이 충진된다. 전도성 물질(100)은 바람직하게는, 전기 전도성이 높은 금속으로 구성된다. 전도성 물질(100)은, 은(Ag), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 금(Au), 구리(Cu), 백금(Pt) 또는 이들의 합금을 포함한다.As shown in FIGS. 6(a) and 6(b), the plurality of vertical penetrating
전도성 물질(100)은, 도금법 및 압입법 등을 이용하여 수직 관통부(110)에 충진된다.The
수직 관통부(110)에 전도성 물질(100)이 충진됨에 따라 몰드(MD)에 복수개의 수직 연결부(20)가 형성된다. 수직 연결부(20)는, 전도성 물질(100)에 의해 형성되어 은(Ag), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 금(Au), 구리(Cu), 백금(Pt) 또는 이들의 합금을 포함한다.As the
이 때, 수직 관통부(110)의 내측면인 내벽은 양극산화막부(60)가 형성된 상태이다. 따라서, 전도성 물질(100)은 양극산화막부(60)의 내측으로 충진되어 수직 관통부(110) 내부에 수직 연결부(20)를 형성한다. 수직 관통부(110)의 내부에 수직 연결부(20)를 형성하는 과정에서, 수직 관통부(110)는 내벽에 구비된 양극산화막부(60)에 의해 그 내벽이 절연된 상태이다. At this time, the inner wall, which is the inner surface of the vertical penetrating
전도성 물질(100)은, 도 6(b)의 상, 하방향을 기준으로 시드층(SD)과 가까운 하방향으로부터 시드층(SD)과 멀어지는 상방향으로 성장하여 충진된다. 이에 따라 수직 연결부(20)는 치밀한 구조로 형성된다. The
본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 도 5(a)의 상부 방향에 구비되는 수직 관통부(110)에 전도성 물질(100)을 충진하여 후방 수직 연결부(22)를 형성하고, 하부 방향에 구비되는 수직 관통부(110)에 전도성 물질(100)을 충진하여 전방 수직 연결부(21)를 형성한다.The method of manufacturing the
본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 도 6(b)를 참조하면, 후술하는 복수개의 수평 연결부(30)를 형성하는 단계를 수행하기 위해 복수개의 수직 관통부(110)에 전도성 물질(100)을 충진하여 수직 연결부(20)를 구비한 몰드(MD)를 시드층(SD)상에 구비하는 단계를 수행한다.Referring to FIG. 6(b), the manufacturing method of the
그런 다음, 몰드(MD)의 일면(상면)에 패터닝 가능 물질(PR)을 형성하는 단계를 수행한다.Then, a step of forming a patternable material (PR) is performed on one surface (upper surface) of the mold (MD).
도 7(a)는 일면(상면)에 패터닝 가능 물질(바람직하게는, 포토레지스트, PR)이 형성된 몰드(MD)의 평면도이고, 도 7(b)는 도 7(a)의 A-A'를 따라 절단한 면을 도시한 도이다.FIG. 7(a) is a plan view of a mold (MD) in which a patternable material (preferably photoresist, PR) is formed on one side (top surface), and FIG. 7(b) is a plan view of a mold (MD) formed along the line A-A' of FIG. 7(a). This is a diagram showing a surface cut along .
도 7(a) 및 도 7(b)를 참조하면, 복수개의 수직 연결부(20)를 구비한 몰드(MD)의 일면(상면)에 패터닝 가능 물질(PR)이 형성된다.Referring to FIGS. 7(a) and 7(b) , a patternable material PR is formed on one surface (upper surface) of the mold MD having a plurality of vertical connecting
그런 다음, 패터닝 가능 물질(PR)에 패터닝 영역(90)을 형성하는 단계가 수행된다.Then, a step of forming a
도 8(a)는 패터닝 가능 물질(PR)을 패터닝하여 제1패터닝 영역(91)을 형성한 상태의 평면도이고, 도 8(b)는 도 8(a)의 A-A'를 따라 절단한 면을 도시한 도이다.FIG. 8(a) is a plan view of a state in which the
도 8(a)를 참조하면, 본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 포토레지스트 공정에 의해 패터닝 영역(90)을 형성하여 패터닝 영역(90)을 통해 복수개의 수직 연결부(20)의 일면(상면)을 노출시킨다.Referring to FIG. 8(a), the method of manufacturing the
패터닝 영역(90)은, 수직 연결부(20)의 상부에 형성되는 제1패터닝 영역(91) 및 수직 연결부(20)의 하부에 형성되는 제2패터닝 영역(92)을 포함한다.The
제1패터닝 영역(91)은, 전방 수직 연결부(21)와, 전방 수직 연결부(21)와 최단 거리에 있으면서 대응되는 후방 수직 연결부(22)의 상부에 연속적으로 형성되되, 도 8(a)의 상, 하부 방향을 기준으로 길이 방향으로 연속적으로 형성된다. The
이로 인해 전방 수직 연결부(21)의 일면(상면)과, 전방 수직 연결부(21)와 최단 거리에 있으면서 대응되는 후방 수직 연결부(22)의 일면(상면) 및 그 사이에 구비되는 이격 거리에 존재하는 몰드(MD)의 일면(상면)의 적어도 일부 영역이 제1패터닝 영역(91)을 통해 외측으로 노출된다. 제1패터닝 영역(91)은, 전방 수직 연결부(21)와, 전방 수직 연결부(21)와 최단 거리에 있으면서 대응되는 후방 수직 연결부(22)를 연결하는 연속적인 사선의 형태로 형성된다.Due to this, one surface (upper surface) of the front
제1패터닝 영역(91)은, 각각의 전방 수직 연결부(21) 및 전방 수직 연결부(21)와 최단 거리에 있으면서 대응되는 후방 수직 연결부(22)의 상부에 형성되어 복수개 구비된다.A plurality of
그런 다음, 수직 연결부(20)를 연결하는 수평 연결부(30)를 형성하는 단계가 수행된다.Then, the step of forming the
수평 연결부(30)를 형성하는 단계는, 몰드(MD)의 상부에 형성되어 수직 연결부(20)의 상면을 연결하는 제1수평 연결부(31)를 형성하는 단계 및 몰드(MD)의 하부에 형성되어 수직 연결부(20)의 하면을 연결하는 제2수평 연결부(32)를 형성하는 단계를 포함한다.Forming the horizontal connecting
수평 연결부(30)를 형성하는 단계에서, 제1패터닝 영역(91)에 전도성 물질(100)을 충진하여 제1수평 연결부(31)를 형성하는 단계가 수행된다. In the step of forming the
도 9(a)는 제1패터닝 영역(91)에 전도성 물질(100)을 충진한 상태를 도시한 도이고, 도 9(b)는 도 9(b)의 A-A'를 따라 절단한 면을 도시한 도이다.FIG. 9(a) shows a state in which the
제1패터닝 영역(91)에 충진되는 전도성 물질(100)은 수직 연결부(20)를 구성하는 전도성 물질(100)과 동일한다. 또한, 제1패터닝 영역(91) 전도성 물질(100)은 충진하는 방법은, 압입법 및 스퍼터링법 등이 이용될 수 있다.The
제1패터닝 영역(91)에 전도성 물질(100)을 충진함으로써 전방 수직 연결부(21) 및 후방 수직 연결부(22)의 상부에 제1수평 연결부(31)의 형성이 완료된다.By filling the
제1수평 연결부(31)는 제1패터닝 영역(91)에 형성됨에 따라 일단부가 전방 수직 연결부(21)의 상면에 접촉되어 연결되고, 타단부가 후방 수직 연결부(22)의 상면에 접촉되어 연결된다. 이를 통해 제1수평 연결부(31)는 전방 수직 연결부(21) 및 후방 수직 연결부(22)를 일체로 연결하고, 제1수평 연결부(31)와, 전방 수직 연결부(21) 및 후방 수직 연결부(22)를 포함하는 수직 연결부(20)간의 전기적인 연결이 구현된다.As the first horizontal connecting
본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 제1수평 연결부(31)를 형성한 다음, 제1단자 연결부(41) 및 제2단자 연결부(42)를 형성하는 과정을 수행한다.The manufacturing method of the
제1, 2단자 연결부(41, 42)를 형성하는 과정은, 제1수평 연결부(31)를 형성하는 단계에서 제1수평 연결부(31)의 형성과 동시에 이루어질 수 있고, 제1수평 연결부(31)를 형성한 다음 이루어질 수도 있다.The process of forming the first and second
제1단자 연결부(41)는, 도 8(a)에서 복수개의 제1패터닝 영역(91) 중 가장 좌측에 구비되는 제1패터닝 영역(91)의 전방 수직 연결부(21)와 연결되는 측의 일단부를 외측(좌측)방향으로 연장시킨 일측 연장 영역을 통해 형성된다. 도 8(a)에는 일측 연장 영역이 생략되어 도시된다.The first
본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 일측 연장 영역에도 제1패터닝 영역(91)에 전도성 물질(100)을 충진하는 방식과 동일한 방식으로 전도성 물질(100)을 충진한다. 이를 통해 제1수평 연결부(31)와 일체로 연결되는 제1단자 연결부(41)가 형성된다. 제1단자 연결부(41)와 연결되는 제1수평 연결부(31)는, 복수개의 제1수평 연결부(31) 중 가장 일단(도 8(a)의 좌, 우 방향을 기준으로 가장 좌측)에 위치하는 제1패터닝 영역(91)을 통해 형성되는 제1수평 연결부(31)이다. 제1단자 연결부(41)는 전방 수직 연결부(21)와 연결되는 측의 제1수평 연결부(31)의 일단부에 연결된다. In the method of manufacturing the
제2단자 연결부(42)는, 도 8(a)에서 복수개의 제1패터닝 영역(91) 중 가장 우측에 구비되는 제1패터닝 영역(91)의 후방 수직 연결부(22)와 연결되는 측의 타단부를 외측(우측)방향으로 연장시킨 타측 연장 영역을 통해 형성된다. 도 8(a)에는 타측 연장 영역이 생략되어 도시된다.The second
본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 타측 연장 영역에도 제1패터닝 영역(91)에 전도성 물질(100)을 충진하는 방식과 동일한 방식으로 전도성 물질(100)을 충진한다. 이를 통해 제1수평 연결부(31)와 일체로 연결되는 제2단자 연결부(42)가 형성된다. 제2단자 연결부(42)와 연결되는 제1수평 연결부(31)는, 복수개의 제1수평 연결부(31) 중 가장 일단(도 8(a)의 좌, 우 방향을 기준으로 가장 좌측)에 위치하는 제1패터닝 영역(91)을 통해 형성되는 제1수평 연결부(31)이다. 제2단자 연결부(42)는 후방 수직 연결부(22)와 되는 측의 제1수평 연결부(31)의 일단부에 연결된다.In the method of manufacturing the
본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 수직 연결부(20)를 구비하는 몰드(MD)의 타면(하면)에 제2패터닝 영역(92)을 형성하는 단계를 수행한다.The manufacturing method of the
도 10(a)는 타면(하면)에 패터닝 가능 물질(PR)이 형성되고 제2패터닝 영역(92)이 형성된 몰드(MD)의 평면도이고, 도 10(b)는 도 10(a)의 A-A'를 따라 절단한 면을 도시한 도이다.FIG. 10(a) is a plan view of the mold MD in which the patternable material PR is formed on the other side (lower surface) and the
제2패터닝 영역(92)을 형성하는 단계는, 제1패터닝 영역(91)을 형성하기 전에 수행될 수 있고, 제1패터닝 영역(91)을 수행한 이후에 수행되어도 무방하다. 또한, 제1패터닝 영역(91)에 제1수평 연결부(31)를 형성하기 이전 또는 이후에 수행될 수도 있다.The step of forming the
도 10(a)를 참조하면, 본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 몰드(MD)의 타면(하면)에 패터닝 물질(PR)을 구비한 후, 제2패터닝 영역(92)을 형성하는 단계를 수행한다.Referring to FIG. 10(a), the manufacturing method of the
제2패터닝 영역(92)은, 전방 수직 연결부(21)와, 전방 수직 연결부(21)와 최단 거리에 있으면서 대응되는 후방 수직 연결부(22)의 하부에 연속적으로 형성되되, 도 10(a)의 상, 하부 방향을 기준으로 길이 방향으로 연속적으로 형성된다.The
이로 인해 전방 수직 연결부(21)의 타면(하면)과, 전방 수직 연결부(21)와 최단 거리에 있으면서 대응되는 후방 수직 연결부(22)의 타면(하면) 및 그 사이에 구비되는 이격 거리에 존재하는 몰드(MD)의 타면(하면)의 적어도 일부 영역이 제2패터닝 영역(92)을 통해 외측으로 노출된다. 제2패터닝 영역(92)은, 전방 수직 연결부(21)와, 전방 수직 연결부(21)와 최단 거리에 있으면서 대응되는 후방 수직 연결부(22)를 연결하는 연속적인 사선의 형태로 형성된다. Due to this, the other surface (lower surface) of the front
제2패터닝 영역(92)과 제1패터닝 영역(91)은 사선의 기울기 방향이 서로 반대이다. 일 예로서, 도 8(a)를 참조하여 제1패터닝 영역(91)이 도 8(a)에서 상방향에서 하방향으로 갈수록 우측으로 기우는 사선 형태일 경우, 도 10(a)를 참조하여 제2패터닝 영역(92)은 상방향에서 하방향으로 갈수록 좌측으로 기우는 사선 형태일 수 있다. 이로 인해 제1패터닝 영역(91)에 전도성 물질(100)을 충진하여 형성된 제1수평 연결부(31)와, 제2패터닝 영역(92)에 전도성 물질(100)을 충진하여 형성된 제2수평 연결부(32)는 사선 형태를 갖되, 사선의 기울기가 서로 반대인 형태로 구비된다. 이로 인해 제1수평 연결부(31) 및 제2수평 연결부(32)를 상, 하부 방향을 기준으로 서로 반대되는 측으로 투영했을 때, 제1수평 연결부(31) 및 제2수평 연결부(32)에 의해 지그 재그 형상이 형성된다.The diagonal inclination directions of the
수평 연결부(30)를 형성하는 단계에서, 제2수평 연결부(32)를 형성하는 단계가 수행된다. In the step of forming the
도 11(a)는 제2패터닝 영역(92)에 전도성 물질(100)을 충진한 상태를 도시한 도이고, 도 11(b)는 도 11(a)의 A-A'를 따라 절단한 면을 도시한 도이다.FIG. 11(a) shows a state in which the
본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 제1패터닝 영역(91)에 전도성 물질(100)을 충진하는 방식과 동일한 방식(압입법 및 스퍼터링법 등)을 이용하여 제2패터닝 영역(92)에 전도성 물질(100)을 충진한다. 이를 통해 제2패터닝 영역(92)에 제2수평 연결부(32)의 형성이 완료된다.The method of manufacturing the
제2수평 연결부(32)는 제2패터닝 영역(92)에 형성됨에 따라 일단부가 전방 수직 연결부(21)의 하면에 접촉되어 연결되고, 타단부가 후방 수직 연결부(22)의 하면에 접촉되어 연결된다. 이를 통해 제2수평 연결부(32)는 전방 수직 연결부(21) 및 후방 수직 연결부(22)를 일체로 연결하고, 제2수평 연결부(32)와, 전방 수직 연결부(21) 및 후방 수직 연결부(22)를 포함하는 수직 연결부(20)간의 전기적인 연결이 구현된다.As the second horizontal connecting
그런 다음, 몰드(MD)를 제거하는 단계가 수행된다.Then, the step of removing the mold (MD) is performed.
도 12(a)는 몰드(MD)를 제거하여 코일부(10)만이 남겨진 상태의 평면도이고, 도 12(b)는 도 12(a)의 A-A'를 따라 절단한 면을 도시한 도이다.FIG. 12(a) is a plan view of the mold (MD) being removed, leaving only the
도 12(a), (b)를 참조하면, 본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 몰드(MD)만을 제거하여 복수개의 수직 연결부(20) 및 복수개의 수직 연결부(20)를 연결하는 복수개의 수평 연결부(30)가 일체로 연결된 코일부(10)를 구비한다.Referring to FIGS. 12(a) and 12(b), the manufacturing method of the
본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 몰드(MD)를 제거하는 단계에서, 수직 연결부(20)의 외주면에 양극산화막부(60)를 구비하고, 제1수평 연결부(31)의 하부 표면 및 제2수평 연결부(32)의 상부 표면에 양극산화막부(60)를 구비한 상태로 몰드(MD)를 제거한다.The manufacturing method of the
구체적으로, 도 11(a) 내지 도 12(b)를 참조하여 몰드(MD)를 제거하는 단계에 대해 설명한다.Specifically, the step of removing the mold MD will be described with reference to FIGS. 11(a) to 12(b).
도 11(b)를 참조하면, 수직 연결부(20)의 일측(도 11(b)의 하부)에 제1수평 연결부(31)를 형성하고, 타측(도 11(b)의 상부)에 제2수평 연결부(32)를 형성한 상태에서, 몰드(MD)를 제거하는 단계가 수행된다.Referring to FIG. 11(b), a first horizontal connecting
몰드(MD)를 제거하는 단계는, 제1, 2수평 연결부(31, 32) 주변에 존재하는 패터닝 가능 물질(PR)을 제거하는 단계와, 제1수평 연결부(31)의 하부 표면과 제2수평 연결부(32)의 상부 표면 및 수직 연결부(20)의 외주면에 형성된 양극산화막부(60)를 제외하고 나머지 양극산화막부(60)를 포함하는 몰드(MD)를 제거하는 단계를 포함한다. 몰드(MD)의 상면 및 하면에 형성된 양극산화막부(60) 사이에 존재하는 몰드(MD)를 제거하는 단계를 포함한다.The step of removing the mold (MD) includes removing the patternable material (PR) present around the first and second horizontal connecting
몰드(MD)를 제거하는 단계에서, 바람직하게는, 패터닝 가능 물질(PR)을 제거하는 단계가 수행된다.In the step of removing the mold (MD), a step of removing the patternable material (PR) is preferably performed.
패터닝 가능 물질(PR)을 제거하는 단계에서, 제1수평 연결부(31)를 형성하기 위해 몰드(MD)의 일측(도 11b)에서 몰드(MD)의 하부)에 구비된 패터닝 가능 물질(PR)을 제거하는 과정이 수행된다. 이 때, 몰드(MD)는 표면(상부 표면 및 하부 표면 포함)과, 수직 관통부(110)의 내벽에 양극산화막부(60)가 형성된 상태이다. 다시 말해, 수직 연결부(20)의 외주면과, 몰드(MD)의 상, 하부 표면에 양극산화막부(60)가 존재하는 상태이다. 제1수평 연결부(31) 주변에 구비된 패터닝 가능 물질(PR)을 제1패터닝 가능 물질이라 한다. 제1패터닝 가능 물질은, 제1패터닝 영역(91)을 형성하기 위해 제1패터닝 가능 물질을 패터닝하여 제거하는 방법(포토레지스트 공정)과 동일한 방법에 의해 제거된다. 이에 따라 제1수평 연결부(31) 주변에 존재하는 패터닝 가능 물질(PR, 제1패터닝 가능 물질)이 제거된다.In the step of removing the patternable material (PR), the patternable material (PR) provided on one side of the mold (MD) (the lower part of the mold (MD) in FIG. 11b) to form the first
또한, 패터닝 가능 물질(PR)을 제거하는 단계에서, 제2수평 연결부(32)를 형성하기 위해 몰드(MD)의 타측(도 11(b)에서 몰드(MD)의 상부)에 구비된 패터닝 가능 물질(PR)을 제거하는 과정이 수행된다. 이 때, 몰드(MD)는 표면(상부 표면 및 하부 표면 포함)과, 수직 관통부(110)의 내벽에 양극산화막부(60)가 형성된 상태이다. 다시 말해, 제1수평 연결부(31)의 중간부의 하부 표면 및 제2수평 연결부(32)의 중간부의 상부 표면에 양극산화막부(60)가 존재하는 상태이다. 제2수평 연결부(32) 주변에 구비된 패터닝 가능 물질(PR)을 제2패터닝 가능 물질이라 한다. 제2패터닝 가능 물질은, 제2패터닝 영역(92)을 형성하기 위해 제2패터닝 가능 물질을 패터닝하여 제거하는 방법과 동일한 방법에 의해 제거된다. 이에 따라 제2수평 연결부(32) 주변에 존재하는 패터닝 가능 물질(PR, 제2패터닝 가능 물질)이 제거된다.In addition, in the step of removing the patternable material PR, a patternable material provided on the other side of the mold MD (top of the mold MD in FIG. 11(b)) to form the second horizontal connection portion 32 A process is performed to remove the substance (PR). At this time, the mold MD has an anodized
패터닝 가능 물질(PR)을 제거하는 단계에 의해 수직 연결부(20)와, 수직 연결부(20)의 일측에 구비되는 제1수평 연결부(31), 수직 연결부(20)의 타측에 구비되는 제2수평 연결부(32) 및 표면(상면, 하면)과 수직 관통부(110)의 내벽에 양극산화막부(60)를 구비하는 몰드(MD)가 존재하게 된다.By removing the patternable material (PR), the vertical connecting
그런 다음, 양극산화막부(60)의 적어도 일부를 제거하는 단계가 수행된다.Then, a step of removing at least a portion of the anodized
양극산화막부(60)의 적어도 일부를 제거하는 단계에서, 몰드(MD)의 일면(도 11(b)에서 상면) 및 타면(도 11(b)에서 하면)에 존재하는 양극산화막부(60)의 전체 영역 중 제1수평 연결부(31)와 대응되는 영역 및 제2수평 연결부(32)와 대응되는 영역에 존재하는 양극산화막부(60)를 제외한 나머지 영역의 양극산화막부(60)를 제거하는 과정이 수행된다. 본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 외주면에 양극산화막부(60)를 구비하는 수직 연결부(20)와 하부 표면에 양극산화막부(60)를 구비하는 제1수평 연결부(31) 및 상부 표면에 양극산화막부(60)를 포함하는 제2수평 연결부(32)를 포함하는 코일부(10)를 제조한다. 따라서, 양극산화막부(60)의 적어도 일부를 제거하는 단계에서, 몰드(MD)의 수직 관통부(110) 내벽에 구비되는 양극산화막부(60)와, 몰드(MD)의 일면(도 11(b)에서 상면) 및 타면(도 11(b)에서 하면)에 형성된 양극산화막부(60)의 전체 영역 중 제1수평 연결부(31)와 대응되는 영역에 존재하는 양극산화막부(60) 및 제2수평 연결부(32)와 대응되는 영역에 존재하는 양극산화막부(60)를 제외하고 나머지 영역에 존재하는 양극산화막부(60)를 제거하는 과정이 수행된다.In the step of removing at least a portion of the anodic
양극산화막부(60)의 적어도 일부를 제거하는 단계에서, 몰드(MD)의 일면 및 타면 중 적어도 하나에 형성된 양극산화막부(60)의 전체 영역 중 수평 연결부(30)와 대응되는 영역에 존재하는 양극산화막부(60)를 제외한 나머지 영역의 양극산화막부(60)를 제거하는 과정이 수행된다. 그런 다음, 몰드(MD)의 일면 및 타면 중 나머지 하나에 형성된 양극산화막부(60)를 제거하는 과정이 수행된다.In the step of removing at least a portion of the anodic
일 예로서, 몰드(MD)의 일면(상면)에 형성된 양극산화막부(60)의 전체 영역 중 제1수평 연결부(31)와 대응되는 영역에 존재하는 양극산화막부(60)를 제외하고 나머지 영역에 존재하는 양극산화막부(60)를 제거하는 과정이 수행된다. 보다 구체적으로, 제1수평 연결부(31)과 대응되어 제1수평 연결부(31)의 하부 표면과 접촉되는 양극산화막부(60)를 제외하고, 몰드(MD)의 상면에 형성되어 제1수평 연결부(31)와 대응되지 않되 제1수평 연결부(31)와 접촉되지 않는 영역에 존재하는 양극산화막부(60)를 제거하는 과정이 수행된다. 양극산화막부(60)는 양극산화막부(60)와 반응하는 용액을 이용하여 에칭을 통해 제거되거나, 바람직하게는, CMP 등을 이용하여 적어도 일부만이 제거될 수 있다.As an example, of the entire area of the anodized
또한, 몰드(MD)의 타면(하면)에 형성된 양극산화막부(60)의 전체 영역 중 제2수평 연결부(32)와 대응되는 영역에 존재하는 양극산화막부(60)를 제외하고 나머지 영역에 존재하는 양극산화막부(60)를 제거하는 과정이 수행된다. 보다 구체적으로, 제2수평 연결부(32)와 대응되어 제2수평 연결부(32)의 상부 표면과 접촉되는 양극산화막부(60)를 제외하고, 몰드(MD)의 하면에 형성되어 제2수평 연결부(32)와 대응되지 않되 제2수평 연결부(32)와 접촉되는 않는 영역에 존재하는 양극산화막부(60)를 제거하는 과정이 수행된다. 이 때도 양극산화막부(60)와 반응하는 용액을 이용하여 에칭을 통해 몰드(MD)의 타면(하면)에 형성된 양극산화막부(60)의 적어도 일부가 제거되거나 바람직하게는, CMP 등을 이용하여 적어도 일부만이 제거될 수 있다.In addition, of the entire area of the anodized
그런 다음, 일면(상면) 및 타면(하면)에 형성된 양극산화막부(60) 중 적어도 일부가 제거되고 나머지 일부는 존재하면서 수직 관통부(110)의 내벽에는 양극산화막부(60)가 존재하는 상태의 몰드(MD)를 제거하는 단계가 수행된다. 이 때, 몰드(MD)는, 양극산화막부(60)의 적어도 일부를 제거하는 단계에 의해 제1수평 연결부(31과 대응되는 영역 및 제2수평 연결부(31)과 대응되는 영역에 양극산화막부(60)를 구비하고, 수직 관통부(110)의 내벽에 양극산화막부(60)를 구비한 상태로 수직 연결부(20)의 주변에 존재한다. 몰드(MD)는 금속을 에칭하는 방법에 의해 제거된다. 구체적으로, 몰드(MD)는 금속 재질과 반응하는 용액을 이용하는 에칭에 의해 제거된다. 이로 인해, 하부 표면에 양극산화막부(60)를 구비하는 제1수평 연결부(31)가 일측에 구비되고, 상부 표면에 양극산화막부(60)를 구비하는 제2수평 연결부(32)가 타측에 구비되되 외주면에 양극산화막부(60)를 구비하는 수직 연결부(20)가 시드층(SD)상에 존재하게 된다. 다시 말해, 복수개의 수평 연결부(30)를 통해 일체로 연결된 복수개의 수직 연결부(20)가 시드층(SD)상에 남아있게 된다. 이 때, 제1수평 연결부(30)의 하부 표면 및 제2수평 연결부(32)의 상부 표면에는 양극산화막부(60)가 존재하고, 수직 연결부(20)의 외주면에 양극산화막부(60)가 존재한다.Then, at least part of the anodized
그런 다음, 시드층(SD) 및 시드층(SD)의 하부에 시드층을 지지하는 지지 기판을 제거하는 과정이 수행된다. 시드층(SD) 및 지지 기판을 제거하는 과정이 수행됨으로써 몰드(MD)를 제거하는 단계가 완료된다. Then, a process of removing the seed layer SD and the support substrate supporting the seed layer below the seed layer SD is performed. The step of removing the mold (MD) is completed by performing a process of removing the seed layer (SD) and the support substrate.
몰드(MD)를 제거하는 단계를 완료하면, 하부 표면에 양극산화막부(60)를 구비하는 제1수평 연결부(31) 및 상부 표면에 양극산화막부(60)를 구비하는 제2수평 연결부(32)를 포함하는 복수개의 수평 연결부(30) 및 외주면에 양극산화막부(60)를 구비하는 복수개의 수직 연결부(20)로 구성된 코일부(10)가 제조된다.When the step of removing the mold (MD) is completed, the first
한편, 본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 수직 연결부(20)의 외주면에만 양극산화막부(60)를 구비하고, 수평 연결부(제1, 2수평 연결부(31, 32))에는 양극산화막부(60)를 구비하지 않는 구조의 코일부(10)를 제조할 수도 있다. 이와 같은 구조의 코일부(10)의 경우, 패터닝 가능 물질(PR)을 제거한 다음, 몰드(MD)의 상부 표면 및 하부 표면에 존재하는 양극산화막부(60)를 바람직하게는 양극산화막과 반응하는 용액을 이용하여 에칭을 통해 모두 제거함으로써 제조 가능하다. Meanwhile, the method of manufacturing the
한편, 본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 몰드(MD)를 제거하는 단계에서 양극산화막부(60)의 적어도 일부를 제거하는 단계를 수행하지 않고, 몰드(MD)를 양극 산화 처리하는 단계 이후이고, 복수개의 수직 연결부(20)를 형성하는 단계를 수행하기 이전에 양극산화막부(60)의 적어도 일부를 제거하는 단계를 수행할 수 있다.Meanwhile, the manufacturing method of the
이 경우, 수직 관통부(110)가 형성된 몰드(MD)에 양극 산화 처리를 수행한 다음, 몰드(MD)의 일면(상면) 및 타면(하면)에 형성된 양극산화막부(60)의 전체 영역 중 제1, 2수평 연결부(31, 32)와 대응되는 영역에 존재하는 양극산화막부(60)를 제외한 나머지 영역의 양극산화막부(60)만을 CMP 등을 이용하여 제거하는 과정이 수행될 수 있다.In this case, anodic oxidation treatment is performed on the mold (MD) in which the vertical penetrating
그런 다음, 수직 관통부(110)에 전도성 물질(100)을 충진하여 수직 연결부(20)를 형성하는 과정이 수행될 수 있다.Then, a process of filling the
이와는 달리, 몰드(MD)를 양극 산화 처리한 다음, 수직 연결부(20)를 형성한 후, 수평 연결부(30)를 형성하기 이전에 몰드(MD)의 일면(상면) 및 타면(하면)에 형성된 양극산화막부(60)의 전체 영역 중 수평 연결부(30)와 대응되는 영역에 존재하는 양극산화막부(60)를 제외하고 나머지 영역에 존재하는 양극산화막부(60)를 제거하는 단계를 수행하여도 무방하다.In contrast, after anodizing the mold (MD), forming the
몰드(MD)를 제거하는 단계에서, 금속 재질의 몰드(MD)만이 제거됨에 따라, 몰드(MD)를 양극 산화 처리함으로써 수직 관통부(110)의 내벽에 형성되어 수직 연결부(20)와 결합된 양극산화막부(60)는 수직 연결부(20)의 외주면을 감싸는 형태로 그대로 남아있게 된다. 또한, 수평 연결부(30)와 대응되는 영역에 형성되어 제1수평 연결부(31)의 하부 표면과 결합된 양극산화막부(60) 및 제2수평 연결부(32)의 상부 표면에 결합된 양극산화막부(60)가 그대로 남아있게 된다. 다시 말해, 수직 연결부(20)는, 내벽에 양극산화막부(60)가 형성된 수직 관통부(110)에 형성된다. 따라서, 수직 연결부(20)의 외주면은 양극산화막부(60)와 일체화된 형태이다. 또한, 몰드(MD)의 상면 및 하면에 형성된 양극산화막부(60)의 전체 영역 중 수평 연결부(30)와 대응되는 영역에 존재하는 양극산화막부(60)는 제거되지 않는다. 따라서, 제1수평 연결부(31)의 하부 표면은 양극산화막부(60)와 일체화된 형태이고, 제2수평 연결부(32)의 상부 표면은 양극산화막부(60)와 일체화된 형태이다.In the step of removing the mold (MD), only the metal mold (MD) is removed, so that the mold (MD) is anodized to form a wall formed on the inner wall of the
본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 매립 물질(구체적으로, 저유전율의 특성을 갖는 물질 또는 고투자율의 특성을 갖는 물질)로 코일부(10)를 전체적으로 몰딩하여 내부에 코일부(10)가 매립 형태로 구비되도록 하는 바디(70)를 형성시키는 단계를 수행한다.The method of manufacturing the
도 13(a)는 코일부(10)를 감싸는 바디(70)를 형성한 상태의 평면도이고, 도 13(b)는 도 13(b)의 A-A'를 따라 절단한 면을 도시한 도이다.FIG. 13(a) is a plan view of the
본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 바디(70) 및 코일부(10)를 포함하는 구조의 인덕터(1)를 제조할 경우, 몰드(MD)를 제거하여 양극산화막부(60)를 포함하는 코일부(10)를 구비한 다음, 코일부(10)를 감싸는 바디(70)를 형성하는 단계를 수행할 수 있다.In the manufacturing method of the
바디(70)는 코일부(10)의 외측에서 코일부(10)를 전체적으로 몰딩함으로써 형성된다. 이에 따라 코일부(10)는 바디(70)의 내부에 매립 형태로 구비된다.The
이 때, 바디(70)는 코일부(10)의 제1단자 연결부(41)의 일면(도 13(a)의 좌측 외측면) 및 제2단자 연결부(42)의 일면(도 13(a)의 우측 외측면)을 외부로 노출시키는 형태로 코일부(10)를 감싸며 형성된다.At this time, the
바디(70)를 형성하는 단계에서, 바디(70)는 코일부(10)의 내부에 존재하는 빈 공간을 채우면서 코일부(10)의 외측에서 코일부(10)의 외주면을 따라 감싸는 형태로 형성될 수 있다. 이 경우, 바디(70)에 코일부(10)가 매립된 상태에서 코일부(10)의 내부에 바디(70)의 적어도 일부가 존재하는 형태가 형성된다.In the step of forming the
이와는 달리, 바디(70)를 형성하는 단계에서, 바디(70)는 코일부(10)의 내부에는 형성되지 않고, 코일부(10)의 외측에서 코일부(10)의 외주면을 따라 감싸는 형태로 형성될 수도 있다. 이 경우, 바디(70)에 코일부(10)가 매립된 상태에서 코일부(10)의 내부에 바디(70)의 적어도 일부가 존재하지 않고 빈 공간이 존재하는 형태가 형성된다. In contrast, in the step of forming the
본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 바디(70)를 형성하는 단계에서, 코일부(10)의 내부에 바디(70)를 형성하지 않고 코일부(10)의 외측에만 바디(70)를 형성함으로써 코일부(10)의 내부에 공간부(80)를 형성할 수 있다. 본 발명의 인덕터(1)는 공간부(80)를 형성하는 과정을 포함하는 바디(70)를 형성하는 단계를 포함하는 본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법을 통해 제조될 경우, 코일부(10)의 내부에 빈 공간으로 이루어지는 공간부(80)를 구비할 수 있다.In the manufacturing method of the
본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 바디(70)를 형성하는 단계를 포함할 경우, 바디(70)를 형성하는 단계를 수행한 다음, 수직 연결부(20)의 일측에 제1단자(51)를 형성하고, 타측에 제2단자(52)를 형성하는 단계를 수행한다.When the manufacturing method of the
도 14는 코일부(10)가 매립된 상태의 바디(70)의 일측에 제1단자(51)를 형성하고, 타측에 제2단자(52)를 형성한 상태의 평면도이다. 다시 말해, 바디(70), 코일부(10) 및 제1, 2단자(51, 52)를 포함하는 본 발명의 인덕터(1)의 평면도이다.Figure 14 is a plan view of the
제1, 2단자(51, 52)는 공지된 금속 패터닝 기술을 이용하여 형성된다.The first and
제1단자(51)는 바디(70)에 의해 감싸지지 않고 외부로 노출된 제1단자 연결부(41)의 일면(도 13(a)에서 좌측 외측면)을 커버하며 바디(70)의 일측(좌측)에 형성된다.The
제1단자(51)는 바디(70)의 상면의 전체 영역 중 일단부(좌측 단부)의 영역과, 바디(70)의 일측 외측면(좌측 외측면) 및 바디(70)의 하면의 전체 영역 중 일단부(좌측 단부)의 영역을 감싸는 형태로 형성된다. 코일부(10)가 바디(70)에 매립된 상태에서 외부로 노출된 제1단자 연결부(41)의 좌측 외측면은, 바디(70)의 좌측 외측면에 형성되는 제1단자(51)의 적어도 일부를 통해 노출되지 않는 형태로 커버된다.The
제1단자(51)는 바디(70)의 좌측 외측면에 적어도 일부가 형성됨에 따라 제1단자 연결부(41)의 좌측 외측면에 접촉되고, 이를 통해 제1단자(51)와 코일부(10)가 전기적으로 연결된다.The
제2단자(52)는 바디(70)에 의해 감싸지지 않고 외부로 노출된 제2단자 연결부(42)의 일면(도 13(a)에서 우측 외측면)을 커버하며 바디(70)의 타측(우측)에 형성된다.The
제2단자(52)는 바디(70)의 상면의 전체 영역 중 타단부(우측 단부)의 영역과, 바디(70)의 타측 외측면(우측 외측면) 및 바디(70)의 하면의 전체 영역 중 타단부(우측 단부)의 영역을 감싸는 형태로 형성된다. 코일부(10)가 바디(70)에 매립된 상태에서 외부로 노출된 제2단자 연결부(42)의 우측 외측면은, 바디(70)의 우측 외측면에 형성되는 제2단자(52)의 적어도 일부를 통해 노출되지 않는 형태로 커버된다.The
제2단자(52)는 바디(70)의 우측 외측면에 적어도 일부가 형성됨에 따라 제2단자 연결부(42)의 우측 외측면에 접촉되고, 이를 통해 제2단자(52)와 코일부(10)가 전기적으로 연결된다.The
한편, 본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 몰드(MD)를 제거하는 단계를 수행하여 양극산화막부(60)를 포함하는 코일부(10)를 구비한 다음, 제1, 2단자(51, 52)를 형성하는 단계를 수행할 수 있다.Meanwhile, the method of manufacturing the
이 경우, 양극산화막부(60)를 포함하는 코일부(10) 및 제1, 2단자(51, 52)를 포함하는 본 발명의 인덕터(1)가 제조된다. 다시 말해, 바디(70)를 포함하지 않는 구조의 본 발명의 인덕터(1)가 제조된다.In this case, the
본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 몰드(MD)를 제거하는 단계를 통해 수직 연결부(20)의 외주면에 양극산화막부(60)를 구비하고, 제1수평 연결부(31)의 하부 표면 및 제2수평 연결부(32)의 상부 표면에 양극산화막부(60)를 구비하는 코일부(10)를 구비한다. 또는 몰드(MD)를 제거하는 단계를 통해 수직 연결부(20)의 외주면에만 양극산화막부(60)를 구비하는 코일부(10)를 구비한다.The manufacturing method of the
그런 다음, 코일부(10)의 제1단자 연결부(41)의 좌측 외측면에 제1단자(51)를 형성하는 단계를 수행한다. Then, the step of forming the
제1단자(51)는, 제1단자 연결부(41)의 좌측 외측면에 접촉되며 평평한 면으로 형성되는 중간 부위와, 중간 부위의 상단에서 제1단자 연결부(41)가 위치하는 내측 방향으로 연장되는 상부 연장부 및 중간 부위의 하단에서 제1단자 연결부(41)가 위치하는 내측 방향으로 연장되는 하부 연장부를 포함하는 형태로 형성될 수 있다. 제1단자(51)의 형태는 이에 한정되지 않는다.The
본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 코일부(10)의 제2단자 연결부(42)의 우측 외측면에 제2단자(52)를 형성하는 단계를 수행한다.The method of manufacturing the
제2단자(52)는 제2단자 연결부(42)의 우측 외측면에 접촉되며 평평한 면으로 형성되는 중간 부위와, 중간 부위의 상단에서 제2단자 연결부(42)가 위치하는 내측 방향으로 연장되는 상부 연장부 및 중간 부위의 하단에서 제2단자 연결부(42)가 위치하는 내측 방향으로 연장되는 하부 연장부를 포함하는 형태로 형성될 수 있다. 이 경우, 제2단자(52)는 코일부(10)의 수직 중심선을 기준으로 제1단자(51)와 대칭되는 형태로 구비될 수 있다. 제2단자(52)의 형태는 이에 한정되지 않는다.The
본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 코일부(10)의 일단에 제1단자(51)을 연결하고, 타단에 제2단자(52)를 연결하고, 코일부(10)의 외측에서 코일부(10)를 감싸는 바디(70)를 포함하지 않는 구조로 본 발명의 인덕터(1)를 제조할 수 있다.The method of manufacturing the
이 경우, 코일부(10)의 외측과 코일부(10)의 내측(내부)에 공간부(80)가 구비된다. 보다 구체적으로, 코일부(10)의 외측에 공간부(80)의 적어도 일부가 구비되고, 코일부(10)의 내측에 공간부(80)의 나머지 일부가 구비된다. 이 경우, 본 발명의 인덕터(1)는 공간부(80)에 존재하는 공기를 통해 높은 품질 계수 값을 갖는 유전체를 구비하는 인덕터(1)로서 기능할 수 있다.In this case, a
본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 코일부(10)를 형성하기 위해 이용된 금속 재질의 몰드(MD)를 완전히 제거하고, 저유전율의 특성을 갖는 물질 또는 고투자율의 특성을 갖는 매립 물질로 구성된 바디(70)를 구비하여 코일부(10)를 바디(70)의 내부에 매립하는 형태의 인덕터(1)를 제조한다.The manufacturing method of the
이 때, 코일부(10)는 제거된 몰드(MD)에 의해 복수개의 수직 연결부(20)의 외주면에 양극산화막부(60)를 구비하고, 제1수평 연결부(31)의 하부 표면 및 제2수평 연결부(32)의 상부 표면에 양극산화막부(60)를 구비하여 수직 연결부(20) 내측에 구비되는 매립 물질과 수평 연결부(30) 및 수직 연결부(20)를 절연시키는 기능을 갖도록 제조된다.At this time, the
이에 따라 본 발명의 인덕터(1)는, 수평 연결부(30) 및 수직 연결부(20)와 매립 물질간이 절연되는 기능을 갖는 코일부(10)를 구비하고, 코일부(10)를 제조하기 위한 모재로서 이용되는 금속 재질의 몰드(MD)는 완전히 제거된 구조로 구비된다. 본 발명의 인덕터(1)는 코일부(10)의 외측에만 구비되거나, 코일부(10)의 외측 및 코일부(10)의 내측에 새롭게 형성된 매립 물질의 바디(70)를 구비하는 구조를 갖는다.Accordingly, the
따라서, 본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법에 의해 제조된 본 발명의 인덕터(1)는, 세라믹, 실리콘 또는 글라스 재질의 모재를 유전체로서 이용하여 모재를 제거하지 않고 그대로 남기는 구조 대비 유전율의 손실을 낮추거나, 높은 인덕턴스가 보장될 수 있다.Therefore, the
본 발명의 인덕터(1)는, 바람직하게는, 저유전율의 특성을 갖는 바디(70)를 구비하거나, 바디(70)를 구비하지 않고도 코일부(10)의 내측 또는 코일부(10)의 외측과 코일부(10)의 내측에 저유전율의 특성을 갖는 공기가 존재하는 공간부(80)를 구비하여 유전율의 손실을 낮출 수 있다. 이 경우, 본 발명의 인덕터(1)는 보다 높은 주파수에서 높은 품질 계수 값을 갖는 인덕터(1)로서 기능할 수 있다.The
또한, 본 발명의 인덕터(1)는, 바람직하게는, 고투자율의 특성을 갖는 바디(70)에 코일부(10)를 매립하는 구조로 제조되어 높은 인덕턴스를 갖는 인덕터(1)로서 기능할 수 있다.In addition, the
한편, 본 발명의 인덕터(1)는, 모재인 금속 재질의 몰드(MD)를 제거하지 않고, 양극 산화 처리한 상태로 구비되어 양극 산화 처리된 금속 재질의 몰드(MD)가 코일부(10)를 지지하는 구조로 제조될 수도 있다.On the other hand, the
도 15a는 수직 관통부(110) 및 홈부(HP)를 형성한 상태의 금속 재질의 몰드(MD)의 평면도이고, 도 15b는 도 15a의 A-A'를 따라 절단한 면을 도시한 도이고, 도 16은 양극 산화 처리된 금속 재질의 몰드(MD)가 코일부(10)를 지지하는 구조를 갖는 본 발명의 인덕터(1)의 단면도이다.FIG. 15A is a plan view of the metal mold (MD) in which the vertical penetrating
본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은 금속 재질의 몰드(MD)를 준비하는 단계, 몰드(MD)의 전체 영역 중 일부 영역에 몰드(MD)를 관통하지 않도록 오목한 형태의 홈부(HP)를 형성하는 단계, 몰드(MD)의 전체 영역 중 홈부(HP)를 형성하지 않은 영역을 제외한 다른 영역에 수직 관통부(110)를 형성하는 단계, 몰드(MD)를 양극 산화 처리하는 단계, 홈부(HP)에 코어(CR)를 형성하는 단계, 수직 관통부(110)에 수직 연결부(20)를 형성하는 단계 및 수직 연결부(20)를 연결하는 수평 연결부(30)를 형성하는 단계를 포함하여 양극 산화 처리된 금속 재질의 몰드(MD)가 코일부(10)를 지지하는 구조의 인덕터(1)를 제조할 수 있다.The manufacturing method of the
이하에서, 바디(70), 코일부(10) 및 단자부(50)를 포함하는 본 발명의 인덕터(1) 또는 코일부(10) 및 단자부(50)를 포함하는 본 발명의 인덕터(1)를 제조하는 본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법의 단계와 동일한 단계에 대한 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, the
도 15a 및 도 15b를 참조하면, 본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 준비된 금속 재질의 몰드(MD)에 홈부(HP)를 형성하는 단계를 수행한다. 몰드(MD)는 에칭을 통해 중앙부에 홈부(HP)가 형성된다. 홈부(HP)는 소정의 깊이를 갖고 바닥면 및 벽부를 갖는 형태로 형성된다. 바닥면 및 벽부는 금속 재질의 몰드(MD)에 의해 구성된다. 홈부(HP)의 단면적은, 수직 관통부(110)의 단면적보다 크게 구비된다.Referring to FIGS. 15A and 15B, the manufacturing method of the
본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 홈부(HP)를 형성한 중앙부 영역을 제외하고 외곽부 영역에 몰드(MD)의 상면 및 하면을 관통하도록 몰드(MD)에 수직 관통부(110)를 형성하는 단계를 수행한다. 본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법에서는 일 예로서 홈부(HP)를 형성하는 단계가 수직 관통부(110)를 형성하는 단계보다 먼저 수행되나, 홈부(HP)를 형성하는 단계 및 수직 관통부(110)를 형성하는 단계 중 어느 하나가 먼저 수행되고 나머지 하나가 순차적으로 수행될 수 있다.The manufacturing method of the
수직 관통부(110)는 몰드(MD)를 에칭하여 형성된다. 수직 관통부(110)는 홈부(HP)의 외곽부에 형성된다. 구체적으로, 도 15a에서 홈부(110)의 하부 방향에 수직 관통부(110)가 형성되어 전방 수직 관통부가 구비되고, 홈부(110)의 상부 방향에 수직 관통부(110)가 형성되어 후방 수직 관통부가 구비된다. 다시 말해, 홈부(110)는 전방 및 후방에 형성되는 수직 관통부(110) 사이에 구비된다. 도 15b를 참조하면, 홈부(110)의 일측(좌측)에 전방 수직 관통부가 구비되고, 홈부(110)의 우측에 후방 수직 관통부가 구비된다.The
그런 다음, 홈부(HP) 및 수직 관통부(110)를 구비하는 금속 재질의 몰드(MD)를 양극 산화 처리하는 단계가 수행된다. 이를 통해, 도 16을 참조하면, 홈부(HP)의 바닥면 및 벽면에 양극산화막부(60)가 형성되고, 수직 관통부(110)의 내벽에 양극산화막부(60)가 형성된다. 또한, 금속 재질의 몰드(MD)의 상부 표면, 하부 표면 및 좌우 외측면을 포함하는 표면에 양극산화막부(60)가 형성된다.Then, a step of anodizing the metal mold (MD) having the groove portion (HP) and the
그런 다음, 홈부(HP)에 자성체의 고투자율의 특성을 갖는 물질을 충진하여 코어(CR)를 형성하는 단계가 수행된다. 고투자율의 특성을 갖는 물질은, 홈부(HP)의 전체 면적 중 적어도 일부 면적을 차지하도록 충진된다. 이에 따라 도 15b에서 길이 방향으로 홈부(HP)의 하부에 고투자율의 특성을 갖는 물질이 충진된 상태가 형성된다. 본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 홈부(HP)의 적어도 일부(하부 영역)에 고투자율의 특성을 갖는 물질을 충진하고, 나머지 일부(상부 영역)에 절연 물질로 구성된 패시베이션층을 형성한다. 이에 따라 홈부(HP)의 내측에는 고투자율의 특성을 갖는 물질로 구성된 코어(CR)가 구비되고, 코어(CR)의 상부에 패시베이션층이 구비된다. 다시 말해, 홈부(HP)의 내측에 코어(CR) 및 코어(CR)의 상부에 구비되는 패시베이션층이 존재한다.Then, a step of forming the core CR is performed by filling the groove HP with a material having the high permeability characteristics of a magnetic material. A material having high permeability characteristics is filled to occupy at least a portion of the total area of the groove (HP). Accordingly, in Figure 15b, a state in which a material having high permeability characteristics is filled in the lower part of the groove (HP) in the longitudinal direction is formed. The method of manufacturing the
그런 다음, 수직 연결부(20)를 연결하는 복수개의 수평 연결부(30)를 형성하는 단계가 수행된다. 이에 따라 수직 연결부(20)의 상부에 제1수평 연결부(31)가 형성되고, 하부에 제2수평 연결부(32)가 형성된다. 이는 상술한 수평 연결부(30)를 형성하는 단계와 동일하므로 자세한 설명은 생략한다.Then, the step of forming a plurality of
그런 다음, 양극 산화 처리된 금속 재질의 몰드(MD)의 좌우 외측면에 단자부(50)를 형성하는 단계를 수행한다. 도 16에서 단자부(50)는 생략되어 도시된다.Then, a step is performed to form
제1, 2단자(51, 52)중 적어도 하나의 일측은, 바람직하게는, 제1수평 연결부(31)의 상부 표면에 접촉되고, 타측은 제2수평 연결부(32)의 하부 표면에 접촉되도록 구비된다. 예를 들어, 제1단자(51)의 상부는 제1수평 연결부(31)의 상부 표면의 일단부에 접촉되고, 하부는 제2수평 연결부(32)의 하부 표면의 일단부에 접촉되도록 구비된다. 제2단자(52)의 상부는 제1수평 연결부(31)의 상부 표면의 타단부에 접촉되고, 하부는 제2수평 연결부(32)의 하부 표면의 타단부에 접촉되도록 구비된다.One side of at least one of the first and
본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 이와 같은 방법으로 양극 산화 처리된 금속 재질의 몰드(MD)를 이용하여 내부에 코어(CR)를 구비하고 몰드(MD)를 통해 코일부(10)를 지지하는 구조의 인덕터(1)를 제조할 경우, 자성체의 코어(CR)를 형성하는 것이 용이하다. 또한, 홈부(HP)의 벽면 및 바닥면에 형성된 양극산화막부(60)에 의해 코어(CR)와 금속 재질의 몰드(MD)간의 절연 처리가 용이하다.The method of manufacturing the
본 발명의 인덕터(1)는, 본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법에 의해 양극 산화 처리된 금속 재질의 몰드(MD)의 내부에 자성체의 코어(CR)가 매립되고, 몰드(MD)를 통해 코일부(10)를 지지하는 구조로 제조될 수 있다.The inductor (1) of the present invention has a core (CR) of a magnetic material embedded inside a mold (MD) made of metal that has been anodized by the manufacturing method of the inductor (1) of the present invention, and the mold (MD) is It can be manufactured into a structure that supports the
도 3(a) 내지 도 16을 참조하여 본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 본 발명의 인덕터(1)를 개별적으로 제조할 수 있다.Referring to FIGS. 3(a) to 16, the method for manufacturing the
이와는 달리, 본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 패키지 기판(200)을 이용하여 복수개의 인덕터(1)를 제조할 수도 있다. Alternatively, the manufacturing method of the
본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 패키지 기판(200)을 이용하여 복수개의 인덕터(1)를 제조할 경우, 바람직하게는, 단자 연결부(40)를 형성하는 단계를 생략하여 단자 연결부(40)를 포함하지 않는 구조의 코일부(10)를 제조한다. 이에 따라 패키지 기판(200)에 단자 연결부(40)를 포함하지 않는 구조의 코일부(10)가 실장된다.In the manufacturing method of the
도 17은 일면(상면)에 복수개의 제1전극 패드(201)를 구비하고 타면(하면)에 복수개의 제2전극 패드(202)를 구비하는 패키지 기판(200)의 평면도이고, 도 18은 복수개의 실장 영역 중 적어도 하나에 코일부(10)를 실장한 상태를 도시한 도이다.FIG. 17 is a plan view of a
도 17 및 도 18을 참조하면, 패키지 기판(200)상에 복수개의 제1전극 패드(201)가 구비된다. 패키지 기판(200)은 제1전극 패드(201)와 대응되는 위치의 하면에 제2전극 패드(202)를 구비한다. 패키지 기판(200)은 점선으로 표시된 절단 라인(CL)에 의해 구분되는 복수개의 실장 영역을 구비한다. 패키지 기판(200)은, 1개의 실장 영역에 인접하는 2개의 제1전극 패드(201)를 구비한다.Referring to Figures 17 and 18, a plurality of
패키지 기판(200)은, 일면(상면)에 제1전극 패드(201)가 구비되고, 대응되는 위치의 타면(하면)에 제2전극 패드(202)가 구비된다. 패키지 기판(200)은 패키지 기판(200)의 상면 및 하면을 관통하는 비아홀의 내부에 비아도체(203)를 구비한다. 이에 따라 제1, 2전극 패드(201, 202)간을 연결하는 비아도체(203)가 패키지 기판(200)에 구비된다. 제1, 2전극 패드(201, 202)가 비아도체(203)를 통해 전기적으로 연결되어 단자부(50)로서 기능한다. 따라서, 본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 패키지 기판(200)을 이용하여 본 발명의 인덕터(1)를 복수개 제조하는 경우, 단자부(50)를 형성하는 단계를 생략한다.The
본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 패키지 기판(200)의 각각의 실장 영역에 코일부(10)를 실장하는 과정을 수행한다.The manufacturing method of the
도 18을 참조하면, 1개의 실장 영역에 대응하여 1개의 코일부(10)가 실장된다. Referring to FIG. 18, one
코일부(10)는, 코일부(10)의 일단부에 위치하는 제2수평 연결부(32)가 인접하는 2개의 제1전극 패드(201) 중 하나의 상부에 구비되고, 타단부에 위치하는 제2수평 연결부(32)가 다른 하나의 제1전극 패드(202)의 상부에 구비되도록 실장 영역에 실장된다.The
그런 다음, 본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 제1전극 패드(202)와, 그 상부에 위치하는 제2수평 연결부(32) 사이에 개재되는 솔더 접합층을 통해 제1전극 패드(202) 및 제2수평 연결부(32)를 접합하는 과정을 수행한다. 이를 통해 패키지 기판(200)의 각각의 실장 영역에 코일부(10)가 제1전극 패드(201)와 접합된 상태로 실장된다.Then, the method of manufacturing the
본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 패키지 기판(200)의 각각의 실장 영역에 코일부(10)를 실장시킴으로써, 패키지 기판(200)상에 복수개의 코일부(10)를 접합한 상태로 구비한다.The manufacturing method of the
그런 다음, 매립 물질로 복수개의 코일부(10)를 전체적으로 몰딩하는 과정이 수행된다. 패키지 기판(200)에 구비된 복수개의 코일부(10)는 일괄적으로 몰딩된다. 이에 따라 패키지 기판(200)상에 매립 물질로 구성된 하나의 바디(70)에 복수개의 코일부(10)가 매립된 형태가 제조된다.Then, a process of entirely molding the plurality of
그런 다음, 패키지 기판(200)의 절단 라인(CL)을 따라 전체적으로 몰딩된 복수개의 코일부(10)를 개별화하는 과정이 수행된다. 이에 따라 복수개의 본 발명의 인덕터(1)가 구비된다. 이 경우, 인덕터(1)는 제1, 2전극 패드(201, 202)를 포함하는 패키지 기판(200) 및 패키지 기판(200)에 접합된 코일부(10)를 포함한다.Then, a process of individualizing the plurality of
본 발명의 인덕터(1)의 제조 방법은, 패키지 기판(200)을 이용하여 복수개의 인덕터(1)를 제조함으로써 제조 효율을 향상시킬 수 있다.The manufacturing method of the
전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.As described above, although the present invention has been described with reference to preferred embodiments, those skilled in the art may modify the present invention in various ways without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the following patent claims. Or, it can be carried out in modification.
*도면의 주요 부호
1: 인덕터
10: 코일부
60: 양극산화막부
70: 바디
80: 공간부*Main symbols in drawings
1: inductor
10: coil part 60: anodized film part
70: body 80: space part
Claims (11)
상기 몰드의 상, 하면을 관통하도록 복수개의 수직 관통부를 형성하는 단계;
상기 몰드를 양극 산화 처리하는 단계;
상기 수직 관통부에 전도성 물질을 충진하여 복수개의 수직 연결부를 형성하는 단계; 및
상기 몰드의 상부에 형성되어 상기 수직 연결부의 상면을 연결하는 제1수평 연결부를 형성하는 단계 및 상기 몰드의 하부에 형성되어 상기 수직 연결부의 하면을 연결하는 제2수평 연결부를 형성하여 상기 수직 연결부의 상부에서 상기 수직 연결부를 연결하는 복수개의 수평 연결부를 형성하는 단계;를 포함하는, 인덕터의 제조 방법.
A preparatory step of preparing a mold made of metal;
forming a plurality of vertical penetrating portions to penetrate the upper and lower surfaces of the mold;
anodizing the mold;
forming a plurality of vertical connection parts by filling the vertical penetration part with a conductive material; and
Forming a first horizontal connector formed at the top of the mold to connect the upper surface of the vertical connector; and forming a second horizontal connector formed at the bottom of the mold to connect the lower surface of the vertical connector to form the vertical connector. A method of manufacturing an inductor comprising: forming a plurality of horizontal connectors connecting the vertical connectors at the top.
하부 표면에 양극산화막부를 구비하는 상기 제1수평 연결부와 상부 표면에 양극산화막부를 구비하는 상기 제2수평 연결부 및 외주면에 양극산화막부를 구비한 상기 수직 연결부의 연결로 이루어진 코일부만 남도록 상기 몰드를 제거하는 단계;를 포함하는, 인덕터의 제조 방법.
According to paragraph 1,
Removing the mold so that only the coil portion remaining is a connection of the first horizontal connecting portion having an anodic oxide layer on the lower surface, the second horizontal connecting portion having an anodizing layer on the upper surface, and the vertical connecting portion having an anodizing layer on the outer peripheral surface. A method of manufacturing an inductor, comprising:
상기 몰드는 양극 산화 처리 가능한 금속인, 인덕터의 제조 방법.
According to paragraph 1,
A method of manufacturing an inductor, wherein the mold is a metal that can be anodized.
상기 수직 연결부의 일측에 제1단자를 형성하고, 타측에 제2단자를 형성하는 단계를 포함하는, 인덕터의 제조 방법.
According to paragraph 1,
A method of manufacturing an inductor, comprising forming a first terminal on one side of the vertical connection part and forming a second terminal on the other side.
매립 물질로 상기 코일부를 전체적으로 몰딩하여 내부에 상기 코일부가 매립 형태로 구비되도록 하는 바디를 형성시키는 단계;를 포함하는, 인덕터의 제조 방법.
According to paragraph 1,
A method of manufacturing an inductor comprising: molding the entire coil portion with an embedded material to form a body in which the coil portion is provided in an embedded form.
상기 코일부의 일단에 연결되는 제1단자 및 타단에 연결되는 제2단자를 포함하는 단자부; 및
상기 수직 연결부의 외주면을 감싸는 양극산화막부;를 포함하는, 인덕터.
A coil unit including a plurality of vertical connectors and a plurality of horizontal connectors including a first horizontal connector connecting the plurality of vertical connectors at the top and a second horizontal connector connecting the vertical connectors at the bottom;
A terminal unit including a first terminal connected to one end of the coil unit and a second terminal connected to the other end of the coil unit; and
An inductor comprising: an anodized film portion surrounding an outer peripheral surface of the vertical connection portion.
상기 제1수평 연결부의 하부 표면 및 상기 제2수평 연결부의 상부 표면에 양극산화막부가 구비되는, 인덕터.
According to clause 6,
An inductor wherein an anodized film portion is provided on a lower surface of the first horizontal connection portion and an upper surface of the second horizontal connection portion.
공간부를 포함하고,
상기 공간부의 적어도 일부는 상기 코일부의 내부에 구비되는, 인덕터.
According to clause 6,
Includes a space part,
An inductor, wherein at least a portion of the space portion is provided inside the coil portion.
상기 코일부가 매립되는 바디를 포함하는, 인덕터.
According to clause 6,
An inductor including a body in which the coil portion is embedded.
상기 바디는 이산화규소(SiO2), COP(Cyclic Clefin Polymer), 플루오린화 산화규소(SiOF), 폴리이미드(Polyimides), 파릴렌(Parylene), 플루오린화 파릴렌(Fluorinated Parylene), 벤조시클로부텐(Benzocyclobutene), 테프론(Teflon) 중 어느 하나로 이루어진, 인덕터.
According to clause 6,
The body is made of silicon dioxide (SiO2), COP (Cyclic Clefin Polymer), fluorinated silicon oxide (SiOF), polyimides, Parylene, Fluorinated Parylene, and Benzocyclobutene. ), an inductor made of any one of Teflon.
상기 바디는 페라이트를 포함하는 자성체로 이루어진, 인덕터.
According to clause 6,
An inductor wherein the body is made of a magnetic material containing ferrite.
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---|---|---|---|
KR1020220085871A KR20240008697A (en) | 2022-07-12 | 2022-07-12 | Manufacturing method of inductor and inductor manufactured by using the same |
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