KR20240008497A - Mems micorpohone package - Google Patents

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KR20240008497A
KR20240008497A KR1020220085410A KR20220085410A KR20240008497A KR 20240008497 A KR20240008497 A KR 20240008497A KR 1020220085410 A KR1020220085410 A KR 1020220085410A KR 20220085410 A KR20220085410 A KR 20220085410A KR 20240008497 A KR20240008497 A KR 20240008497A
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mems microphone
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KR1020220085410A
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이대희
권진우
지칠영
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

발명의 실시 예에 개시된 멤스 마이크로폰 패키지는 음향 유입구를 갖는 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상의 일측에 배치되고 상기 음향 유입구의 출사 측에 배치된 트랜스듀서; 상기 베이스 기판 상의 타측에 배치되며 상기 트랜스듀서와 전기적으로 연결된 반도체부; 상기 베이스 기판 상에 배치되고 상기 트랜스듀서 및 상기 반도체부를 보호하기 위해 내부 공간을 갖는 케이스; 및 상기 케이스의 내면에 배치되며 외부 노이즈를 차단 또는 흡음하는 흡음 수단을 포함할 수 있다.The MEMS microphone package disclosed in an embodiment of the invention includes a base substrate having an acoustic inlet; a transducer disposed on one side of the base substrate and disposed on an exit side of the sound inlet; a semiconductor portion disposed on the other side of the base substrate and electrically connected to the transducer; a case disposed on the base substrate and having an internal space to protect the transducer and the semiconductor unit; and a sound-absorbing means disposed on the inner surface of the case and blocking or absorbing external noise.

Description

멤스 마이크로폰 패키지{MEMS MICORPOHONE PACKAGE}MEMS Microphone Package{MEMS MICORPOHONE PACKAGE}

발명은 멤스 마이크로폰 패키지에 관한 것이다.The invention relates to a MEMS microphone package.

음성을 전기적인 신호로 변환하는 장치이다. 마이크로폰은 이동용 단말기와 같은 이동통신기기, 이어폰 또는 보청기 등 다양한 통신기기에 적용될 수 있다. 이러한 마이크로폰은 양호한 전자/음향 성능, 신뢰성 및 작동성을 가져야 한다.It is a device that converts voice into electrical signals. Microphones can be applied to various communication devices such as mobile communication devices such as mobile terminals, earphones, or hearing aids. These microphones must have good electronic/acoustic performance, reliability and operability.

MEMS(MicroElectroMechanical System) 기반의 정전용량형 마이크로폰(Capacitive Microphone Based on MEMS, 이하에서는 간단히 ‘MEMS 마이크로폰’이라 함)은 종래의 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰(ECM 마이크로폰)에 비해 전자/음향 성능, 신뢰성 및 작동성이 우수하다.Capacitive microphone based on MEMS (MicroElectroMechanical System) (hereinafter simply referred to as 'MEMS microphone') has better electronic/acoustic performance, reliability, and operability compared to conventional electret condenser microphones (ECM microphones). This is excellent.

MEMS 마이크로폰은 MEMS 기반의 공정을 이용하여 제작되므로 6인치, 8인치 또는 CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor) 기반의 온 칩(On Chip) 형태의 마이크로폰 제작에 따라 12인치까지 공정이 가능하다. 따라서, MEMS 마이크로폰은 ECM 마이크로폰보다 수배 내지 수십 배 작은 크기로 구현할 수 있다. MEMS 마이크로폰은 소형화가 가능함으로, 휴대폰, 보청기 등과 같은 장치에 구비될 수 있다.MEMS microphones are manufactured using a MEMS-based process, so processes up to 6 inches, 8 inches, or 12 inches are possible depending on the manufacture of the microphone in the form of an on-chip based on CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor). Therefore, MEMS microphones can be implemented in sizes that are several to tens of times smaller than ECM microphones. MEMS microphones can be miniaturized, so they can be installed in devices such as mobile phones, hearing aids, etc.

MEMS 마이크로폰은 노이즈를 제거하기 위해 외부 노이즈를 실제를 감지하고, 동일한 크기의 정반대 제거 신호를 외부로 송출하고 있으나, 이를 구현하기 위해 회로적으로 복잡해지고, 주변의 소음 차이에 따라 효과가 미미한 문제가 있다. 또한 헤드셋 또는 이어폰 등 착용 방법에 따라 노이즈 제거 효과가 다르거나, 하울링이 발생할 수 있다. 또한 저주파 노이즈를 제거하기 위해 커패시터의 실장이 필요하지만, 모바일 기기의 공간상 제약으로 인해 커패시터의 실장이 어려운 문제 등이 있다.In order to remove noise, MEMS microphones actually detect external noise and transmit an opposite removal signal of the same size to the outside. However, the circuit becomes complex to implement this, and there is a problem of ineffectiveness due to differences in surrounding noise. there is. Additionally, depending on how you wear the headset or earphones, the noise removal effect may vary or howling may occur. In addition, capacitor mounting is necessary to eliminate low-frequency noise, but mounting capacitors is difficult due to space constraints in mobile devices.

발명의 실시 예는 상기와 같은 문제점들을 해결할 수 있는 새로운 멤스 마이크로폰 패키지를 제공한다. Embodiments of the invention provide a new MEMS microphone package that can solve the above problems.

발명의 실시 예는 특정 주파수 대역 또는 외부 노이즈를 흡수 또는 차단하는 수단 또는 부재를 갖는 멤스 마이크로폰 패키지를 제공한다.Embodiments of the invention provide a MEMS microphone package having a means or member for absorbing or blocking a specific frequency band or external noise.

발명의 실시 예는 금속 케이스의 내면 또는 음향 유입구의 내측 또는 외측에 메타물질 또는 메타표면을 갖는 흡음 수단 또는 흡음 부재를 갖는 멤스 마이크로폰 패키지를 제공한다.An embodiment of the invention provides a MEMS microphone package having a sound-absorbing means or sound-absorbing member having a metamaterial or metasurface on the inner surface of a metal case or the inner or outer side of the sound inlet.

발명의 실시 예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지는 음향 유입구를 갖는 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상의 일측에 배치되고 상기 음향 유입구의 출사 측에 배치된 트랜스듀서; 상기 베이스 기판 상의 타측에 배치되며 상기 트랜스듀서와 전기적으로 연결된 반도체부; 상기 베이스 기판 상에 배치되고 상기 트랜스듀서 및 상기 반도체부를 보호하기 위해 내부 공간을 갖는 케이스; 및 상기 케이스의 내면에 배치되며 외부 노이즈를 차단 또는 흡음하는 흡음 수단을 포함할 수 있다.A MEMS microphone package according to an embodiment of the invention includes a base substrate having an acoustic inlet; a transducer disposed on one side of the base substrate and disposed on an exit side of the sound inlet; a semiconductor portion disposed on the other side of the base substrate and electrically connected to the transducer; a case disposed on the base substrate and having an internal space to protect the transducer and the semiconductor unit; and a sound-absorbing means disposed on the inner surface of the case and blocking or absorbing external noise.

발명의 실시 예에 의하면, 상기 음향 유입구는 상기 베이스 기판의 하면에서 상기 트랜스듀서의 하부로 관통될 수 있다. According to an embodiment of the invention, the acoustic inlet may penetrate from the lower surface of the base substrate to the lower part of the transducer.

발명의 실시 예에 의하면, 상기 음향 유입구는 상기 베이스 기판의 측면에서 상기 트랜스듀서의 하부로 연결될 수 있다. According to an embodiment of the invention, the acoustic inlet may be connected to the lower part of the transducer from the side of the base substrate.

발명의 실시 예에 의하면, 상기 흡음 수단은 메타 표면일 수 있다.According to an embodiment of the invention, the sound absorbing means may be a meta surface.

발명의 실시 예에 의하면, 상기 메타 표면의 두께는 λ/30 이하이며, λ는 노이즈의 파장일 수 있다.According to an embodiment of the invention, the thickness of the meta surface is λ/30 or less, and λ may be the wavelength of noise.

발명의 실시 예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지는 음향 유입구를 갖는 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상의 일측에 배치되고 상기 음향 유입구의 출사 측에 배치된 트랜스듀서; 상기 베이스 기판 상의 타측에 배치되며 상기 트랜스듀서와 전기적으로 연결된 반도체부; 상기 베이스 기판 상에 배치되고 상기 트랜스듀서 및 상기 반도체부를 보호하기 위해 내부 공간을 갖는 케이스; 및 상기 베이스 기판의 외면 또는 내면에 배치되며 외부 노이즈를 차단 또는 흡음하는 제1 흡음 수단을 포함할 수 있다.A MEMS microphone package according to an embodiment of the invention includes a base substrate having an acoustic inlet; a transducer disposed on one side of the base substrate and disposed on an exit side of the sound inlet; a semiconductor portion disposed on the other side of the base substrate and electrically connected to the transducer; a case disposed on the base substrate and having an internal space to protect the transducer and the semiconductor unit; And it may include a first sound absorption means disposed on the outer or inner surface of the base substrate and blocking or absorbing external noise.

발명의 실시 예에 의하면, 상기 음향 유입구는 상기 트랜스듀서의 내부 홀과 연결되도록 상기 베이스 기판의 하면 또는 측면에 배치되며, 상기 제1 흡음 수단은 상기 음향 유입구의 입사측에 배치되고 상기 베이스 기판의 외면에 부착될 수 있다.According to an embodiment of the invention, the acoustic inlet is disposed on the lower surface or side of the base substrate to be connected to the internal hole of the transducer, and the first sound absorption means is disposed on the incident side of the acoustic inlet and is connected to the inner hole of the base substrate. Can be attached to the outside.

발명의 실시 예에 의하면, 상기 음향 유입구는 상기 트랜스듀서의 내부 홀과 연결되도록 상기 베이스 기판의 하면 또는 측면에 배치되며, 상기 제1 흡음 수단은 상기 음향 유입구의 출사 측에 배치되고 상기 베이스 기판의 상면에 부착될 수 있다.According to an embodiment of the invention, the acoustic inlet is disposed on the bottom or side of the base substrate to be connected to the internal hole of the transducer, and the first sound absorption means is disposed on the output side of the acoustic inlet and is connected to the internal hole of the transducer. Can be attached to the top.

발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1 흡음 수단은 메타 표면일 수 있다.According to an embodiment of the invention, the first sound absorption means may be a meta surface.

발명의 실시 예에 의하면, 상기 메타 표면의 두께는 λ/30 이하이며, λ는 노이즈의 파장이며, 상기 메타 표면의 흡음 율은 70% 이상일 수 있다.According to an embodiment of the invention, the thickness of the meta surface is λ/30 or less, λ is the wavelength of noise, and the sound absorption rate of the meta surface may be 70% or more.

발명의 실시 예에 의하면, 상기 케이스의 내면에 배치된 제2 흡음 수단을 포함하며, 상기 제1,2 흡음 수단은 서로 다른 중심 주파수를 갖는 외부 노이즈를 흡음 또는 차단할 수 있다. According to an embodiment of the invention, it includes a second sound-absorbing means disposed on the inner surface of the case, and the first and second sound-absorbing means can absorb or block external noise having different center frequencies.

발명의 실시 예에 의하면, 상기 반도체부를 밀봉하는 봉지재를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment of the invention, an encapsulant for sealing the semiconductor unit may be further included.

발명의 실시 예의 멤스 마이크로폰 패키지에 의하면, 노이즈에 해당되는 주파수 만을 흡음하는 흡음 수단 또는 부재로 외부 노이즈를 제거함으로써, 노이즈 제거에 대한 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. According to the MEMS microphone package of an embodiment of the invention, reliability of noise removal can be improved by removing external noise using a sound-absorbing means or member that absorbs only the frequencies corresponding to the noise.

발명의 실시 예의 멤스 마이크로폰 패키지에 의하면, 흡음 수단 또는 부재를 금속 케이스의 내면에 설치하거나, 음향 유입구의 내측 또는 외측에 설치할 수 있어, 내부에 커패시터와 같은 부품을 기판 상에 실장하지 않거나 실장 공간을 필요하지 않는 효과가 있다. According to the MEMS microphone package of an embodiment of the invention, the sound absorbing means or member can be installed on the inner surface of the metal case, or on the inside or outside of the acoustic inlet, so that components such as capacitors are not mounted on the board or do not require mounting space. There is an effect that is not needed.

발명의 실시 예의 멤스 마이크로폰 패키지 및 이를 갖는 모바일 기기의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. The reliability of the MEMS microphone package of an embodiment of the invention and a mobile device having the same can be improved.

도 1은 발명의 실시 예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지의 구조를 나타낸 도면이다.
도 2는 멤스 마이크로폰 패키지에 유입되는 외부 노이즈를 설명하는 도면이다.
도 3은 발명의 실시 예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지의 제1 변형 예를 나타낸 도면이다.
도 4는 발명의 실시 예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지의 제2 변형 예를 나타낸 도면이다.
도 5는 발명의 실시 예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지의 제3 변형 예를 나타낸 도면이다.
도 6은 발명의 실시 예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지의 제4 변형 예를 나타낸 도면이다.
도 7은 발명의 멤스 마이크로폰 패키지에 의해 흡음되는 외부 노이즈를 설명한 도면이다.
도 8은 발명의 멤스 마이크로폰 패키지가 갖는 흡음 수단을 설명하기 위한 도면이다.
Figure 1 is a diagram showing the structure of a MEMS microphone package according to an embodiment of the invention.
Figure 2 is a diagram explaining external noise flowing into the MEMS microphone package.
Figure 3 is a diagram showing a first modified example of a MEMS microphone package according to an embodiment of the invention.
Figure 4 is a diagram showing a second modified example of the MEMS microphone package according to an embodiment of the invention.
Figure 5 is a diagram showing a third modified example of a MEMS microphone package according to an embodiment of the invention.
Figure 6 is a diagram showing a fourth modified example of a MEMS microphone package according to an embodiment of the invention.
Figure 7 is a diagram explaining external noise absorbed by the MEMS microphone package of the invention.
Figure 8 is a diagram for explaining the sound absorption means included in the MEMS microphone package of the invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나 모듈을 상세하게 설명한다. 설명하는 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 당업자가 용이하게 이해할 수 있도록 제공되는 것으로 이에 의해 본 발명이 한정되지 않는다. 또한, 첨부된 도면에 표현된 사항들은 본 발명의 실시 예들을 쉽게 설명하기 위해 도식화된 도면으로 실제로 구현되는 형태와 상이할 수 있다. 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성소자, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성소자, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.Hereinafter, an antenna module according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings. The described embodiments are provided so that those skilled in the art can easily understand the technical idea of the present invention, and the present invention is not limited thereto. In addition, the matters expressed in the attached drawings may be different from the actual implementation form in the schematic drawings to easily explain the embodiments of the present invention. In the specification, singular forms include plural forms, unless the context clearly states otherwise. As used in the specification, “comprises” and/or “comprising” means that a referenced element, step, operation and/or element precludes the presence of one or more other elements, steps, operations and/or elements. or does not rule out addition.

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. Hereinafter, embodiments will be clearly revealed through the accompanying drawings and descriptions of the embodiments. In the description of the embodiments, each layer (film), region, pattern or structure is formed “on” or “under” the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. In the case where it is described, “on” and “under” include both being formed “directly” or “indirectly” through another layer. Additionally, the standards for the top or bottom of each floor are explained based on the drawing.

도 1은 발명의 실시 예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지의 구조를 나타낸 도면이다.Figure 1 is a diagram showing the structure of a MEMS microphone package according to an embodiment of the invention.

도 1을 참조하면, 멤스 마이크로폰 패키지는 내부에 음향 유입구(112)가 구비된 베이스 기판(110); 상기 베이스 기판(110)의 상측에 구비되며, 유입된 음향을 전기적 신호로 변환하는 트랜스듀서(120); 상기 베이스 기판(110)의 상측에 구비되며, 상기 트랜스듀서(120)와 전기적으로 연결되어, 상기 트랜스듀서(120)에 의해 변환된 전기적 신호를 증폭하는 반도체부(130); 상기 트랜스듀서(120) 및 상기 반도체부(130)를 덮는 케이스(150), 상기 케이스(150)의 내면에 배치된 외부 노이즈를 흡음 또는 차단하는 부재 또는 수단(161)를 포함한다. 이하, 외부 노이즈를 흡음 또는 차단하는 부재 또는 수단(161)은 흡음 수단으로 설명하기로 한다.Referring to Figure 1, the MEMS microphone package includes a base substrate 110 provided with an acoustic inlet 112 therein; A transducer 120 provided on the upper side of the base substrate 110 and converting the incoming sound into an electrical signal; A semiconductor unit 130 provided on the upper side of the base substrate 110 and electrically connected to the transducer 120 to amplify the electrical signal converted by the transducer 120; It includes a case 150 covering the transducer 120 and the semiconductor unit 130, and a member or means 161 disposed on the inner surface of the case 150 for absorbing or blocking external noise. Hereinafter, the member or means 161 for absorbing or blocking external noise will be described as a sound absorption means.

본 발명에 따른 멤스 마이크로폰 패키지를 갖는 디바이스(device)는 휴대폰(cell phone), 녹음기(recorder), 헤드폰, 헤드셋, 이어폰, 마이크 등 음향 기능을 가진 디바이스를 의미한다.A device having a MEMS microphone package according to the present invention refers to a device with an acoustic function, such as a cell phone, recorder, headphone, headset, earphone, or microphone.

본 발명에 따른 베이스 기판(110)은 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board)을 포함하며, 예컨대, 연성 재질의 PCB 또는 경성 재질의 PCB를 포함할 수 있다. 상기 베이스 기판(110)은 다양한 소재로 기판이 구현될 수 있으며, 베이스 기판(110)의 형상 및 크기 등은 제한되지 않는다. 상기 베이스 기판(110)의 상면 또는/및 내부에 회로 패턴을 갖고, 상기 반도체부(130)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 베이스 기판(110)은 음향 유입구(112)를 구비하며, 상기 음향 유입구(112)는 상기 베이스 기판(110)의 외면에서 트랜스듀서(120)의 하면 또는 상기 베이스 기판(110)의 상면까지 수직하게 관통될 수 있다. The base board 110 according to the present invention includes a printed circuit board (PCB), and may include, for example, a PCB made of a flexible material or a PCB made of a rigid material. The base substrate 110 may be made of various materials, and the shape and size of the base substrate 110 are not limited. It may have a circuit pattern on the top surface and/or inside of the base substrate 110 and be electrically connected to the semiconductor unit 130. The base substrate 110 has an acoustic inlet 112, and the acoustic inlet 112 is vertical from the outer surface of the base substrate 110 to the lower surface of the transducer 120 or the upper surface of the base substrate 110. It can be easily penetrated.

상기 트랜스듀서(120)는 음향으로 인한 진동을 감지하여 전기 신호로 변환한다. 상기 트랜스듀서(120)에는 도 2와 같이, 일반적인 음향 신호(DC)에 저주파 잡음이 혼합되어 유입될 수 있다. The transducer 120 detects vibration caused by sound and converts it into an electrical signal. As shown in FIG. 2, low-frequency noise mixed with a general acoustic signal (DC) may be introduced into the transducer 120.

상기 트랜스듀서(120)는 본드 등의 접착제를 이용하여 본딩 처리되어 상기 기판(110)의 상면에 결합될 수 있다. 상기 트랜스듀서(120)는 내부에 다이아프램(diaphragm)(121)과 백 플레이트(122)을 구비하고 있으며, 외부의 음향(S1)에 의해 다이아프램(diaphragm)이 진동할 경우, 이 진동을 감지하게 된다. 상기 다이아프램(121)은 멤브레인으로 형성되며, 상기 백 플레이트(122)는 상기 다이아프램(121)과 대향되는 대향 전극일 수 있다. 상기 다이아프램(121)과 상기 백 플레이트(122)는 멤스 기판의 표면 위에 실장될 수 있다. 상기 멤스 기판은 내부에 홀(123)을 구비하고 있으며, 상기 홀(123)은 상기 음향 유입구(112)와 연결되거나 대향될 수 있다. 상기 트랜스듀서(120)는 상기 베이스 기판(110) 상에 하나 또는 복수로 배치될 수 있다.The transducer 120 may be bonded to the upper surface of the substrate 110 using an adhesive such as a bond. The transducer 120 has a diaphragm 121 and a back plate 122 inside, and detects this vibration when the diaphragm vibrates due to external sound S1. I do it. The diaphragm 121 is formed of a membrane, and the back plate 122 may be an opposing electrode facing the diaphragm 121. The diaphragm 121 and the back plate 122 may be mounted on the surface of the MEMS substrate. The MEMS substrate has a hole 123 therein, and the hole 123 may be connected to or face the acoustic inlet 112. The transducer 120 may be disposed one or more on the base substrate 110.

상기 트랜스듀서(120)는 전선 기능을 수행하는 본딩 와이어(bonding wire)(191)에 의해 반도체부(130)와 전기적으로 연결되어 진동에 따른 전기 신호를 반도체부(130)에 전달한다. 상기 반도체부(130)는 베이스 기판(110)와 와이어(193)로 연결되거나 플립 본딩될 수 있다.The transducer 120 is electrically connected to the semiconductor unit 130 by a bonding wire 191 that functions as a wire and transmits an electrical signal due to vibration to the semiconductor unit 130. The semiconductor unit 130 may be connected to the base substrate 110 with a wire 193 or may be flip bonded.

상기 반도체부(130)는 트랜스듀서(120)에서 발생된 전기 신호를 전달받고, 이 전기 신호를 증폭하고 필터링하여 사용 가능한 전기 신호로 바꿔주는 집적회로(Integrated Circuit: IC)이다. 상기 반도체부(130)는, 예를 들어, 특정한 용도에 맞도록 주문에 따라 제작된 주문형 반도체(ASIC, application specific integrated circuit)일 수 있다.The semiconductor unit 130 is an integrated circuit (IC) that receives the electrical signal generated by the transducer 120, amplifies and filters the electrical signal, and converts it into a usable electrical signal. For example, the semiconductor unit 130 may be an application specific integrated circuit (ASIC) manufactured to suit a specific purpose.

상기 트랜스듀서(120)와 상기 반도체부(130)는 와이어(191)로 전기적으로 연결된다. 봉지재(135)는 상기 베이스 기판(110) 상에서 상기 반도체부(130)를 밀봉되며, 습기로부터 상기 반도체부(130)를 보호할 수 있으며, 상기 와이어(191,193)를 지지하게 된다. 상기 봉지재(135)는 상기 트랜스듀서(120)로부터 이격되며, 상기 케이스(150)의 내면으로부터 이격될 수 있다. The transducer 120 and the semiconductor unit 130 are electrically connected with a wire 191. The encapsulant 135 seals the semiconductor unit 130 on the base substrate 110, protects the semiconductor unit 130 from moisture, and supports the wires 191 and 193. The encapsulant 135 may be spaced apart from the transducer 120 and from the inner surface of the case 150.

상기 음향 유입구(112)를 통해 외부의 음향이 유입되면 트랜스듀서(120)의 다이아프램(121)이 진동을 하게 되고, 진동에 따라 정전용량(Capacitance)이 변하게 된다. 이 정전용량의 작은 변화를 반도체부(130)에서 증폭하여 사용 가능한 전기 신호로 변환한다. 여기서, 상기 다이아프램(121) 상에 배치된 백 플레이트(122)는 상기 와이어(191)로 반도체부(130)과 연결되고, 진동에 의한 전기 신호를 반도체부(130)에 전달하기 위해 전극으로 기능한다. 상기 트랜스듀서(120)와 상기 반도체부(130)에 의한 전기신호의 생성 및 변환은 해당 기술분야에서 널리 사용되는 기술이므로, 생략 가능할 것이다. When external sound flows in through the sound inlet 112, the diaphragm 121 of the transducer 120 vibrates, and the capacitance changes according to the vibration. This small change in capacitance is amplified in the semiconductor unit 130 and converted into a usable electrical signal. Here, the back plate 122 disposed on the diaphragm 121 is connected to the semiconductor unit 130 with the wire 191 and serves as an electrode to transmit an electric signal by vibration to the semiconductor unit 130. It functions. Since the generation and conversion of electrical signals by the transducer 120 and the semiconductor unit 130 is a widely used technology in the relevant technical field, it can be omitted.

상기 케이스(150)은 상면부(151) 및 측면부(152)를 포함하며, 상기 상면부(151)는 상기 트랜스듀서(120)와 상기 반도체부(130)로부터 이격된 상부 영역을 커버하며, 상기 측면부(152)는 상기 상면부(151)로부터 베이스 기판(110)의 상면을 향해 절곡되고, 상기 트랜스듀서(120)와 상기 반도체부(130)의 외측으로부터 이격된 측면 영역들을 커버하게 된다. 상기 케이스(150)는 내부에 울림 공간인 내부 공간(155)을 갖는다. 상기 케이스(150)는 금속 재질로 형성될 수 있으며, 내부 공간(155)이 육면체 형상을 가질 수 있다. The case 150 includes a top portion 151 and a side portion 152, and the top portion 151 covers an upper area spaced apart from the transducer 120 and the semiconductor portion 130. The side portion 152 is bent from the upper surface portion 151 toward the upper surface of the base substrate 110 and covers side areas spaced apart from the outside of the transducer 120 and the semiconductor unit 130. The case 150 has an internal space 155, which is an echo space. The case 150 may be made of a metal material, and the internal space 155 may have a hexahedral shape.

상기 케이스(150)의 외측 하단은 상기 베이스 기판(110)의 상면에서 외측으로 절곡될 수 있다. 상기 베이스 기판(110)의 상면은 상기 케이스(150)의 하면 면적보다 큰 면적으로 제공될 수 있다.The outer lower end of the case 150 may be bent outward from the upper surface of the base substrate 110. The upper surface of the base substrate 110 may be provided with a larger area than the lower surface of the case 150.

상기 흡음 수단(161)은 외부 전자기기에서 발생되는 각종 전자파 노이즈(S2)의 반사를 차단하거나 흡수하여 상기 음향의 전기적인 왜곡 현상을 방지할 수 있다. 상기 흡음 수단(161)은 상기 케이스(150)의 내면 전체 영역에 부착되거나, 상기 케이스(150)의 내면 일부 영역 영역에 부착될 수 있다. The sound absorption means 161 can prevent electrical distortion of the sound by blocking or absorbing the reflection of various electromagnetic noises (S2) generated from external electronic devices. The sound absorption means 161 may be attached to the entire inner surface of the case 150 or may be attached to a portion of the inner surface of the case 150.

상기 흡음 수단(161)이 상기 케이스(150)의 내면 전체 영역에 부착된 경우, 상기 상면부(151)의 내면 전체 및 상기 측면부(152)의 내면 전체에 형성될 수 있다. When the sound absorption means 161 is attached to the entire inner surface area of the case 150, it may be formed on the entire inner surface of the upper surface portion 151 and the entire inner surface of the side portion 152.

상기 흡음 수단(161)이 상기 케이스(150)의 내면 일부 영역 영역에 부착될 경우, 상기 베이스 기판(110)과 대향되는 상면부(151)의 내면 또는 상면부(151)의 내면과 상기 상면부(151)과 측면부(152) 사이의 코너부 내면을 따라 부착될 수 있다. When the sound absorbing means 161 is attached to a portion of the inner surface of the case 150, the inner surface of the upper surface 151 facing the base substrate 110 or the inner surface of the upper surface 151 and the upper surface portion It may be attached along the inner surface of the corner portion between (151) and the side portion (152).

상기 베이스 기판(110)과 대향되는 상면부(151)의 내면이 상기 트랜스듀서(120)의 홀(123)과 대향하는 영역을 포함하므로, 음향의 입사량 또는 반사 량이 가장 높은 영역이므로, 상기 흡음 수단(161)이 부착될 경우, 특정 주파수 대역 또는 외부 노이즈(S2)를 효과적으로 차단 또는 흡음할 수 있다. Since the inner surface of the upper surface 151 facing the base substrate 110 includes an area facing the hole 123 of the transducer 120, it is an area where the incident or reflected amount of sound is the highest, so the sound absorption When the means 161 is attached, it is possible to effectively block or absorb a specific frequency band or external noise (S2).

상기 흡음 수단(161)은 메타표면(Meta surface)을 포함할 수 있다. 상기 메타표면은 도 7과 같이, 2차원상 박막 구조에서 각각의 단위 구조를 원자 또는 분자 크기의 캐비티를 갖는 나노 격자 구조로 조절하여 특정 주파수 대역 또는 외부 노이즈를 흡음하거나 차단할 수 있다. 상기 메타 표면의 두께는 λ/30 이하일 수 있다. 여기서, λ는 음향 또는 노이즈 주파수의 파장이다. 또한 상기 메타 표면의 두께가 상기 범위일 경우, 외부 노이즈 즉, 특정 주파수 대역에 대한 흡음 율은 70% 이상 예컨대, 70% 내지 80% 범위으로, 노이즈 차단 효과가 개선되며, 상기 범위보다 작을 경우 상기 흡음 율은 70% 미만으로서, 노이즈 차단 효과가 저하될 수 있다. The sound absorption means 161 may include a meta surface. As shown in FIG. 7, the metasurface can absorb or block a specific frequency band or external noise by adjusting each unit structure in a two-dimensional thin film structure into a nanolattice structure with atomic or molecule-sized cavities. The thickness of the meta surface may be λ/30 or less. Here, λ is the wavelength of the sound or noise frequency. In addition, when the thickness of the meta surface is within the above range, the sound absorption rate for external noise, that is, a specific frequency band, is 70% or more, for example, in the range of 70% to 80%, improving the noise blocking effect, and if it is less than the above range, the If the sound absorption rate is less than 70%, the noise blocking effect may be reduced.

이러한 상기 메타 표면은 마이크로 헬름헬츠 공명기로 기능하여, 특정 주파수(예, S2)를 흡수, 공진시켜 간섭을 통해 상쇄시켜 줄 수 있다. 즉, 상기 캐비티는 특정 주파수에 공진되어, 특정 주파수를 흡수 또는 차단할 수 있다. This meta-surface functions as a micro Helmheltz resonator, absorbing and resonating a specific frequency (eg, S2) and canceling it out through interference. That is, the cavity resonates at a specific frequency and can absorb or block the specific frequency.

다른 예로서, 상기 흡음 수단(161)은 특정 주파수 대역의 소음을 흡음 또는 차단하기 위해, 상기 격자 구조 위에 멤브레인을 더 부착한 흡음 구조를 제공할 수 있다.As another example, the sound-absorbing means 161 may provide a sound-absorbing structure in which a membrane is further attached to the lattice structure in order to absorb or block noise in a specific frequency band.

상기 흡음 수단(161)의 흡음 율은 도 8의 (A)와 같이, 300Hz의 중심 주파수를 갖는 저주파 잡음을 흡음 또는 차단하며, 도 8의 (B)와 같이, 300Hz와 400Hz의 중심 주파수를 갖는 저주파 잡음을 흡음 또는 차단할 수 있다.The sound absorption rate of the sound absorption means 161 absorbs or blocks low-frequency noise with a center frequency of 300 Hz, as shown in (A) of FIG. 8, and has a center frequency of 300 Hz and 400 Hz, as shown in (B) of FIG. 8. It can absorb or block low-frequency noise.

발명의 실시 예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지는 케이스(150)의 내면에 배치된 흡음 수단(161)에 의해 노이즈 반사에 의한 잡음과 하울링이 발생하지 않게 되므로, 음향 감지의 성능이 개선될 수 있다. 또한 케이스(150)의 내면에 흡음 수단(161)을 부착하므로, 설치 공간을 줄일 수 있는 효과가 있다. In the MEMS microphone package according to an embodiment of the invention, noise and howling due to noise reflection are not generated by the sound absorption means 161 disposed on the inner surface of the case 150, and thus the performance of sound detection can be improved. Additionally, since the sound absorbing means 161 is attached to the inner surface of the case 150, the installation space can be reduced.

도 3 내지 도 6은 발명의 실시 예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지에서의 흡음 수단의 변형 예들이다. 상기 흡음 수단의 특징은 상기의 설명을 참조하기로 한다. 3 to 6 show modified examples of sound absorption means in the MEMS microphone package according to an embodiment of the invention. The characteristics of the sound absorbing means will be referred to the above description.

도 3과 같이, 흡음 수단(162)은 상기 베이스 기판(110)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 흡음 수단(162)은 상기 베이스 기판(110)에 구비된 상기 음향 유입구(112)의 하면에 배치될 수 있다. As shown in FIG. 3 , the sound absorbing means 162 may be disposed on the lower surface of the base substrate 110 . The sound absorption means 162 may be disposed on the lower surface of the sound inlet 112 provided in the base substrate 110.

상기 흡음 수단(162)은 상기 음향 유입구(112)의 하면 면적보다 큰 면적을 갖고, 상기 베이스 기판(110)의 하면에 부착될 수 있다. 상기 흡음 수단(162)이 상기 음향 유입구(112)의 입사 측에 위치하므로, 상기 베이스 기판(110)의 외측에서 외부 노이즈를 반사하거나 흡음할 수 있다. 상기 흡음 수단(162)이 상기 트랜스듀서(120)의 홀(123)보다 외부에 위치하므로, 상기 홀(123) 내로 진행하는 외부 노이즈의 유입을 차단할 수 있다.The sound absorption means 162 may have an area larger than that of the sound inlet 112 and may be attached to the bottom of the base substrate 110 . Since the sound absorption means 162 is located on the incident side of the sound inlet 112, it can reflect or absorb external noise from the outside of the base substrate 110. Since the sound absorption means 162 is located outside the hole 123 of the transducer 120, the inflow of external noise into the hole 123 can be blocked.

도 4과 같이, 흡음 수단(164)은 상기 베이스 기판(110)의 상면에 배치될 수 있다. 상기 흡음 수단(163)은 상기 베이스 기판(110)에 구비된 상기 음향 유입구(112)의 상면에 배치될 수 있다. 상기 흡음 수단(163)은 상기 트랜스듀서(120)의 홀(123)의 바닥에 배치될 수 있다. As shown in FIG. 4 , the sound absorbing means 164 may be disposed on the upper surface of the base substrate 110 . The sound absorption means 163 may be disposed on the upper surface of the sound inlet 112 provided in the base substrate 110. The sound absorption means 163 may be disposed at the bottom of the hole 123 of the transducer 120.

상기 흡음 수단(163)은 상기 음향 유입구(112)의 상면 면적보다 큰 면적을 갖고, 상기 베이스 기판(110)의 상면에 부착될 수 있다. 상기 흡음 수단(163)이 상기 음향 유입구(112)의 출사 측 또는 상기 트랜스듀서(120)의 하면에 위치하므로, 상기 트랜스듀서(120)의 하부에서 외부 노이즈를 반사하거나 흡음할 수 있다. 상기 흡음 수단(163)이 상기 트랜스듀서(120)의 홀(123) 바닥에 위치하므로, 상기 홀(123) 내로 진행하는 외부 노이즈의 유입을 차단할 수 있다.The sound absorption means 163 may have an area larger than the top surface area of the sound inlet 112 and may be attached to the top surface of the base substrate 110. Since the sound absorption means 163 is located on the output side of the sound inlet 112 or the lower surface of the transducer 120, external noise can be reflected or absorbed from the lower part of the transducer 120. Since the sound absorption means 163 is located at the bottom of the hole 123 of the transducer 120, the inflow of external noise into the hole 123 can be blocked.

도 5과 같이, 제1 흡음 수단(164)은 상기 베이스 기판(110)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 제1 흡음 수단(164)은 상기 베이스 기판(110)에 구비된 상기 음향 유입구(112A)의 외면에 배치될 수 있다. 상기 음향 유입구(112A)는 상기 베이스 기판(110)의 측면에서 상기 홀(123)의 바닥으로 연장될 수 있다. As shown in FIG. 5 , the first sound absorption means 164 may be disposed on the side of the base substrate 110 . The first sound absorption means 164 may be disposed on the outer surface of the sound inlet 112A provided in the base substrate 110. The acoustic inlet 112A may extend from the side of the base substrate 110 to the bottom of the hole 123.

상기 제1 흡음 수단(164)은 상기 음향 유입구(112)의 외면 면적보다 큰 면적을 갖고, 상기 베이스 기판(110)의 측면에 부착될 수 있다. 상기 제1 흡음 수단(164)이 상기 음향 유입구(112)의 입사 측에 위치하므로, 상기 베이스 기판(110)의 외측에서 외부 노이즈를 반사하거나 흡음할 수 있다. 상기 제1 흡음 수단(164)은 상기 트랜스듀서(120)의 홀(123)보다 외부에 위치하므로, 상기 홀(123) 내로 진행하는 외부 노이즈의 유입을 차단할 수 있다.The first sound absorption means 164 may have an area larger than the outer surface area of the sound inlet 112 and may be attached to the side of the base substrate 110. Since the first sound absorption means 164 is located on the incident side of the sound inlet 112, it can reflect or absorb external noise from the outside of the base substrate 110. Since the first sound absorption means 164 is located outside the hole 123 of the transducer 120, it can block the inflow of external noise into the hole 123.

제2 흡음 수단(165)은 상기 케이스(150)의 내면 전체 또는 일부에 배치될 수 있다. The second sound absorption means 165 may be disposed on all or part of the inner surface of the case 150.

상기 제1,2 흡음 수단(164,165)은 서로 다른 저주파 예컨대, 중심 주파수가 서로 다른 외부 노이즈를 반사하거나 흡음할 수 있다. 이에 따라 멤스 마이크로폰 패키지는 보다 넓은 대역의 외부 노이즈의 차단 효과를 줄 수 있다.The first and second sound absorption means 164 and 165 may reflect or absorb external noise having different low frequencies, for example, different center frequencies. Accordingly, the MEMS microphone package can provide a blocking effect from external noise in a wider band.

다른 예로서, 상기 도 3 및 도 4의 구조에서도, 제1,2 흡음 수단을 서로 다른 위치에 배치할 수 있다. 예컨대, 케이스의 내면과 음향 유입구의 하면에 각각 배치하거나, 케이스의 내면과 음향 유입구의 상면에 각각 배치하거나, 음향 유입구의 하면과 상면에 각각 배치할 수 있다.As another example, in the structures of FIGS. 3 and 4, the first and second sound absorbing means may be placed at different positions. For example, it can be placed on the inner surface of the case and the lower surface of the acoustic inlet, respectively, on the inner surface of the case and the upper surface of the acoustic inlet, or on the lower surface and upper surface of the acoustic inlet, respectively.

다른 예로서, 흡음 수단은 상기 트랜스듀서(120)의 다이어프램(121)과 백플레이트(122) 사이에 배치될 수 있다. 다른 예로서, 흡음 수단은 상기 트랜스듀서(120)의 다이어프램(121)의 하면 또는 상면에 배치될 수 있다. 이러한 트랜스듀서(120)는 내부에 흡음 수단을 구비할 수 있다.As another example, the sound absorbing means may be disposed between the diaphragm 121 and the back plate 122 of the transducer 120. As another example, the sound absorbing means may be disposed on the lower or upper surface of the diaphragm 121 of the transducer 120. This transducer 120 may be provided with sound absorption means therein.

도 6과 같이, 흡음 수단(151A)은 상기 케이스(150)의 내면에 형성된 캐비티를 갖는 격자 구조에 의해 구현될 수 있다. 상기 흡음 수단(151A)은 상기 케이스(150)의 상면부(151)의 내측에 일체로 형성되거나, 상면부(151)와 측면부(152)의 내면에 일체로 형성될 수 있다. 이와 같이 케이스(150)의 내면에 흡음 수단(151A)이 일체로 형성됨으로써, 별도로 노이즈를 흡음하거나 차단하기 위한 수단을 부착하는 공정을 제거할 수 있다. As shown in FIG. 6, the sound absorbing means 151A may be implemented by a lattice structure having a cavity formed on the inner surface of the case 150. The sound absorption means 151A may be integrally formed inside the upper surface portion 151 of the case 150, or may be integrally formed on the inner surfaces of the upper surface portion 151 and the side portion 152. As the sound-absorbing means 151A is formed integrally with the inner surface of the case 150, the process of attaching a separate means for absorbing or blocking noise can be eliminated.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects, etc. described in the embodiments above are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment can be combined or modified and implemented in other embodiments by a person with ordinary knowledge in the field to which the embodiments belong. Therefore, contents related to such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the present invention.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, although the above description has been made focusing on the examples, this is only an example and does not limit the present invention, and those skilled in the art will understand the above examples without departing from the essential characteristics of the present embodiment. You will be able to see that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the examples can be modified and implemented. And these variations and differences in application should be construed as being included in the scope of the present invention as defined in the appended claims.

110: 베이스 기판
112: 음향 유입구
120: 트랜스듀서
121: 다이아프램
122: 백 플레이트
130: 반도체부
135: 봉지재
150: 케이스
161,162,163,164,151A: 흡음 수단
110: base substrate
112: acoustic inlet
120: transducer
121: diaphragm
122: back plate
130: Semiconductor department
135: Encapsulation material
150: case
161,162,163,164,151A: sound absorbing means

Claims (12)

음향 유입구를 갖는 베이스 기판;
상기 베이스 기판 상의 일측에 배치되고 상기 음향 유입구의 출사 측에 배치된 트랜스듀서;
상기 베이스 기판 상의 타측에 배치되며 상기 트랜스듀서와 전기적으로 연결된 반도체부;
상기 베이스 기판 상에 배치되고 상기 트랜스듀서 및 상기 반도체부를 보호하기 위해 내부 공간을 갖는 케이스; 및
상기 케이스의 내면에 배치되며 외부 노이즈를 차단 또는 흡음하는 흡음 수단을 포함하는 멤스 마이크로폰 패키지.
a base substrate having an acoustic inlet;
a transducer disposed on one side of the base substrate and disposed on an exit side of the sound inlet;
a semiconductor portion disposed on the other side of the base substrate and electrically connected to the transducer;
a case disposed on the base substrate and having an internal space to protect the transducer and the semiconductor unit; and
A MEMS microphone package disposed on the inner surface of the case and including sound absorption means for blocking or absorbing external noise.
제1 항에 있어서,
상기 음향 유입구는 상기 베이스 기판의 하면에서 상기 트랜스듀서의 하부로 관통되는 멤스 마이크로폰 패키지.
According to claim 1,
The sound inlet is a MEMS microphone package that penetrates from the bottom of the base substrate to the bottom of the transducer.
제1 항에 있어서,
상기 음향 유입구는 상기 베이스 기판의 측면에서 상기 트랜스듀서의 하부로 연결되는 멤스 마이크로폰 패키지.
According to claim 1,
The sound inlet is a MEMS microphone package connected to the bottom of the transducer from the side of the base substrate.
제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 흡음 수단은 메타 표면인 멤스 마이크로폰 패키지.
According to any one of claims 1 to 3,
A MEMS microphone package in which the sound absorption means is a meta surface.
제4 항에 있어서,
상기 메타 표면의 두께는 λ/30 이하이며, λ는 노이즈의 파장인 멤스 마이크로폰 패키지.
According to clause 4,
A MEMS microphone package where the thickness of the meta surface is λ/30 or less, and λ is the wavelength of noise.
음향 유입구를 갖는 베이스 기판;
상기 베이스 기판 상의 일측에 배치되고 상기 음향 유입구의 출사 측에 배치된 트랜스듀서;
상기 베이스 기판 상의 타측에 배치되며 상기 트랜스듀서와 전기적으로 연결된 반도체부;
상기 베이스 기판 상에 배치되고 상기 트랜스듀서 및 상기 반도체부를 보호하기 위해 내부 공간을 갖는 케이스; 및
상기 베이스 기판의 외면 또는 내면에 배치되며 외부 노이즈를 차단 또는 흡음하는 제1 흡음 수단을 포함하는 멤스 마이크로폰 패키지.
a base substrate having an acoustic inlet;
a transducer disposed on one side of the base substrate and disposed on an exit side of the sound inlet;
a semiconductor portion disposed on the other side of the base substrate and electrically connected to the transducer;
a case disposed on the base substrate and having an internal space to protect the transducer and the semiconductor unit; and
A MEMS microphone package disposed on the outer or inner surface of the base substrate and including a first sound absorption means for blocking or absorbing external noise.
제6 항에 있어서,
상기 음향 유입구는 상기 트랜스듀서의 내부 홀과 연결되도록 상기 베이스 기판의 하면 또는 측면에 배치되며,
상기 제1 흡음 수단은 상기 음향 유입구의 입사측에 배치되고 상기 베이스 기판의 외면에 부착되는 멤스 마이크로폰 패키지.
According to clause 6,
The acoustic inlet is disposed on the bottom or side of the base substrate to be connected to the internal hole of the transducer,
The first sound absorption means is disposed on the incident side of the sound inlet and attached to the outer surface of the base substrate.
제6 항에 있어서,
상기 음향 유입구는 상기 트랜스듀서의 내부 홀과 연결되도록 상기 베이스 기판의 하면 또는 측면에 배치되며,
상기 제1 흡음 수단은 상기 음향 유입구의 출사 측에 배치되고 상기 베이스 기판의 상면에 부착되는 멤스 마이크로폰 패키지.
According to clause 6,
The acoustic inlet is disposed on the bottom or side of the base substrate to be connected to the internal hole of the transducer,
The MEMS microphone package wherein the first sound absorption means is disposed on an emission side of the sound inlet and attached to the upper surface of the base substrate.
제6 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 흡음 수단은 메타 표면인 멤스 마이크로폰 패키지.
According to any one of claims 6 to 8,
The MEMS microphone package wherein the first sound absorption means is a meta surface.
제9 항에 있어서,
상기 메타 표면의 두께는 λ/30 이하이며, λ는 노이즈의 파장이며,
상기 메타 표면의 흡음 율은 70% 이상인 멤스 마이크로폰 패키지.
According to clause 9,
The thickness of the meta surface is λ/30 or less, λ is the wavelength of noise,
A MEMS microphone package in which the meta surface has a sound absorption rate of 70% or more.
제6 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 케이스의 내면에 배치된 제2 흡음 수단을 포함하며,
상기 제1,2 흡음 수단은 서로 다른 중심 주파수를 갖는 외부 노이즈를 흡음 또는 차단하는 멤스 마이크로폰 패키지.
According to any one of claims 6 to 8,
It includes a second sound absorbing means disposed on the inner surface of the case,
A MEMS microphone package in which the first and second sound absorption means absorb or block external noise having different center frequencies.
제6 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 반도체부를 밀봉하는 봉지재를 더 포함하는 멤스 마이크로폰 패키지.
According to any one of claims 6 to 8,
A MEMS microphone package further comprising an encapsulant that seals the semiconductor unit.
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