KR20220082543A - Substrate Impurity Removal Method and Substrate Processing Apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판의 불순물 제거방법 및 기판처리장치에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 제1 챔버부 내에 제공된 기판을 불순물 제거온도로 승온시키는 승온과정; 상기 기판을 상기 제1 챔버부에서 제2 챔버부로 이송시키는 이송과정; 및 상기 제2 챔버부 내에 이송된 상기 기판을 상기 불순물 제거온도에서 유지시키는 유지과정; 을 포함하므로 불순물 제거의 시간을 단축시키고 불순물의 제거효율을 향상시킬 수 있는 기술이 개시된다. The present invention relates to a method and a substrate processing apparatus for removing impurities from a substrate, and according to the present invention, a temperature raising process of raising a temperature of a substrate provided in a first chamber part to an impurity removal temperature; a transfer process of transferring the substrate from the first chamber unit to the second chamber unit; and maintaining the substrate transferred into the second chamber unit at the impurity removal temperature. Since it includes, a technique capable of shortening the time of impurity removal and improving the removal efficiency of impurities is disclosed.

Description

기판의 불순물 제거방법 및 기판처리장치{Substrate Impurity Removal Method and Substrate Processing Apparatus} Substrate Impurity Removal Method and Substrate Processing Apparatus

본 발명은 기판의 불순물 제거방법 및 기판처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판에 포함된 불순물을 제거시키는데 소요되는 시간을 단축시킬 수 있으면서 불순물의 제거효율을 향상시킬 수 있는 기판의 불순물 제거방법 및 기판처리장치에 관한 것이다. The present invention relates to a method for removing impurities from a substrate and a substrate processing apparatus, and more particularly, to a method for removing impurities from a substrate that can reduce the time required to remove impurities contained in a substrate and improve the removal efficiency of impurities and to a substrate processing apparatus.

반도체 공정에 있어서, 기판 상에 포함되어 있는 수분과 같은 불순물은 박막의 형성을 저해하거나 생성된 박막의 특정을 변화시키는 등 각종 공정불량을 유발시키는 원인으로 작용한다. 특히 금속막 증착전에 기판의 표면에 수분이 존재하면 패드와 금속막 사이에 접착력에 문제가 발생되어 전기특성이 저하되는 문제가 발생된다. 따라서, 수분과 같은 불순물을 사전에 제거하기 위하여 디개싱과 같은 불순물 제거 공정이 수행되어야 한다. In a semiconductor process, impurities such as moisture contained on a substrate act as a cause of inducing various process defects, such as inhibiting the formation of a thin film or changing the characteristics of the produced thin film. In particular, if moisture exists on the surface of the substrate before deposition of the metal film, there is a problem in the adhesion between the pad and the metal film, resulting in a problem in that electrical characteristics are deteriorated. Therefore, in order to remove impurities such as moisture in advance, an impurity removal process such as degassing must be performed.

일반적으로 디개싱 장치는 챔버, 기판을 지지하는 캐리어, 기판에 열을 제공하는 열공급원이 마련되어 있다. 그리고, 챔버내부로 질소가스를 공급하여 디개싱을 위한 압력 예를 들어, 50 내지 100Torr로 조절하고, 열원을 작동시켜서 기판을 가열하면, 기판으로부터 수분과 같은 불순물이 가스 또는 기체상태로 빠져나오는 디개싱이 이루어지게 된다. 그러나, 기판의 소재나 상태에 따라서 수분과 같은 불순물이 함량에 차이가 있을 수 있으며 불순물 함량이 많은 기판의 경우에는 탈수분과 같은 불순물 제거공정이 장시간의 기판 가열시간이 요구되며, 이와 같은 장시간의 소요는 생산성을 저하시키는 요인이 된다. In general, a degassing apparatus is provided with a chamber, a carrier for supporting a substrate, and a heat source for providing heat to the substrate. In addition, when nitrogen gas is supplied into the chamber to adjust the pressure for degassing, for example, 50 to 100 Torr, and a heat source is operated to heat the substrate, impurities such as moisture escape from the substrate in a gas or gaseous state. Gashing takes place. However, depending on the material or condition of the substrate, the content of impurities such as moisture may be different, and in the case of a substrate with a high impurity content, the impurity removal process such as dehydration requires a long substrate heating time. is a factor that reduces productivity.

따라서, 기판의 불순물을 제거시키는데 소요되는 시간을 단축시킬 수 있고, 기판의 불순물 제거효율을 향상시킬 수 있는 기술이 요구된다. Accordingly, there is a need for a technology capable of reducing the time required to remove impurities from the substrate and improving the efficiency of removing impurities from the substrate.

등록특허 제10-1830124호Registered Patent No. 10-1830124

본 발명은 불순물 제거공정에서 수분과 같은 기판의 불순물을 제거시키는데 소요되는 시간을 단축시킬 수 있으며, 불순물의 제거 효율을 증진시킬 수 있는 기판의 불순물 제거방법 및 기판처리장치를 제공함에 있다.An object of the present invention is to provide a method for removing impurities from a substrate and a substrate processing apparatus capable of reducing the time required to remove impurities from a substrate such as moisture in an impurity removal process and improving efficiency of removing impurities.

본 발명의 실시 예에 따른 기판의 불순물 제거방법은, 제1 챔버부 내에 제공된 기판을 불순물 제거온도로 승온시키는 승온과정; 상기 기판을 상기 제1 챔버부에서 제2 챔버부로 이송시키는 이송과정; 및 상기 제2 챔버부 내에 이송된 상기 기판을 상기 불순물 제거온도에서 유지시키는 유지과정; 을 포함한다.A method for removing impurities from a substrate according to an embodiment of the present invention includes: a temperature raising process of raising a temperature of a substrate provided in a first chamber unit to an impurity removal temperature; a transfer process of transferring the substrate from the first chamber unit to the second chamber unit; and maintaining the substrate transferred into the second chamber unit at the impurity removal temperature. includes

여기서, 상기 승온과정에서, 상기 기판에 대하여 급속 열처리시킨다.Here, in the process of increasing the temperature, the substrate is subjected to a rapid heat treatment.

나아가 상기 승온과정에서, 램프로부터 방사되는 광에너지를 적어도 상기 기판의 일 평면에 조사하여 승온시킨다.Furthermore, in the temperature raising process, light energy emitted from the lamp is irradiated to at least one plane of the substrate to increase the temperature.

더 나아가 상기 기판의 평면 상에 설정되는 둘 이상의 광에너지 조사영역 중 적어도 어느 하나의 상기 광에너지 조사영역에 대하여 상기 광에너지의 양을 달리하여 조사시킨다.Furthermore, different amounts of the light energy are irradiated to at least one of the two or more light energy irradiation areas set on the plane of the substrate.

더 나아가, 둘 이상의 상기 광에너지 조사영역 각각에서의 온도를 동등하게 승온시킨다.Furthermore, the temperature in each of the two or more light energy irradiation areas is raised equally.

또한, 상기 유지과정에서, 핫플레이트의 열을 상기 기판에 공급하여 상기 불순물 제거온도를 유지시킨다.In addition, during the maintenance process, the heat of the hot plate is supplied to the substrate to maintain the impurity removal temperature.

여기서, 상기 유지과정에서, 서로에 대하여 이격되어 다층구조를 이루고 있는 다수개의 상기 핫플레이트의 사이에 상기 기판을 적재시킨다.Here, in the holding process, the substrate is placed between the plurality of hot plates spaced apart from each other to form a multi-layer structure.

나아가, 상기 핫플레이트에 대하여 상기 기판이 이격되는 상태로 상기 기판을 적재시킨다.Furthermore, the substrate is loaded in a state in which the substrate is spaced apart from the hot plate.

또한, 상기 승온과정은 상기 유지과정의 진행시간에 비하여 절반 이하의 시간동안 진행된다.In addition, the temperature increase process is performed for less than half of the duration of the maintenance process.

본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치는, 기판이 배치되는 공간을 제공하는 제1 챔버부; 상기 제1 챔버부에 배치되고, 상기 기판을 불순물 제거온도로 승온시키는 제1 가열부; 상기 불순물 제거온도로 승온된 상기 기판이 인입되어 배치되는 공간을 제공하는 제2 챔버부; 및 상기 제2 챔버부에 배치되고, 상기 기판을 상기 불순물 제거온도로 유지시키는 제2 가열부;를 포함한다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a first chamber unit providing a space in which a substrate is disposed; a first heating unit disposed in the first chamber unit and configured to raise the temperature of the substrate to an impurity removal temperature; a second chamber unit providing a space in which the substrate heated to the impurity removal temperature is introduced and disposed; and a second heating unit disposed in the second chamber unit and configured to maintain the substrate at the impurity removal temperature.

여기서, 상기 제1 가열부는, 상기 기판의 일 평면에 광에너지를 조사하여 급속 열처리시켜주는 램프를 포함한다.Here, the first heating unit includes a lamp for rapid heat treatment by irradiating light energy on one plane of the substrate.

나아가, 다수개의 상기 램프는, 상기 기판의 평면 상에 설정되는 둘 이상의 광에너지 조사영역 중 적어도 어느 하나의 상기 광에너지 조사영역에 대하여 상기 광에너지의 양을 달리하여 조사한다.Furthermore, the plurality of lamps irradiate the light energy with different amounts of light energy to at least one of the two or more light energy irradiation areas set on the plane of the substrate.

더 나아가, 상호간에 이격되어 배치된 다수개의 상기 램프 각각은, 각기 대응되는 상기 광에너지 조사영역으로 상기 광에너지를 조사하여 둘 이상의 상기 광에너지 조사영역 각각에서의 온도를 동등하게 승온시킨다.Furthermore, each of the plurality of lamps arranged to be spaced apart from each other irradiates the light energy to the corresponding light energy irradiation area to equally increase the temperature in each of the two or more light energy irradiation areas.

또한, 상기 제2 가열부는, 상기 기판의 불순물 제거온도를 유지시켜주는 핫플레이트를 포함한다.In addition, the second heating unit includes a hot plate for maintaining the impurity removal temperature of the substrate.

나아가, 다수개의 상기 핫플레이트는 서로에 대하여 이격된 다층구조를 이루고 있다.Furthermore, a plurality of the hot plates form a multi-layered structure spaced apart from each other.

더 나아가, 서로에 대하여 이웃하는 상기 핫플레이트의 사이에 상기 기판이 상기 핫플레이트에 이격되어 배치된다.Furthermore, the substrates are disposed to be spaced apart from each other between the hot plates adjacent to each other.

또한, 상기 제1 챔버부와 상기 제2 챔버부 사이에 배치되고, 상기 기판의 이송을 중개하는 이송부;를 더 포함한다.The apparatus further includes a transfer unit disposed between the first chamber unit and the second chamber unit, and facilitating transfer of the substrate.

본 발명의 실시 예에 따른 기판의 불순물 제거방법 및 기판처리장치에 따르면, 기판을 급속 열처리하여 불순물제거온도로 급속히 승온시킴으로써 기판의 승온시간을 단축시키며, 불순물 제거온도에 도달된 다수의 기판에 대하여 제2 챔버부에서 불순물 제거온도를 유지시키는 유지과정을 통해 불순물 제거온도를 유지시키므로 온도균일도가 확보된다. 그리고, 기판의 불순물 제거가 진행되는 동안 기판에 공급되는 전체적인 열의 양이 증가되므로 불순물의 제거효율도 향상된다는 장점이 있다. According to the method and apparatus for removing impurities from a substrate according to an embodiment of the present invention, the temperature increase time of the substrate is shortened by rapidly heating the substrate to the impurity removal temperature through rapid heat treatment, and for a plurality of substrates that have reached the impurity removal temperature Since the impurity removal temperature is maintained through the maintenance process of maintaining the impurity removal temperature in the second chamber part, temperature uniformity is ensured. In addition, since the total amount of heat supplied to the substrate is increased while the impurity removal of the substrate is in progress, there is an advantage in that the impurity removal efficiency is also improved.

또한 기판을 급속히 승온을 시키는 과정에서 기판의 영역별로 온도차이가 발생되지 않도록 광에너지 조사영역별로 조사되는 광에너지의 양을 조절하므로 급속 열처리를 시키는 과정에서도 기판의 온도균일도가 확보되므로 온도불균일에 따른 불량발생을 억제시킬 수 있다.In addition, in the process of rapidly increasing the temperature of the substrate, the amount of light energy irradiated for each light energy irradiation area is adjusted so that a temperature difference does not occur for each area of the substrate. It can suppress the occurrence of defects.

기판의 승온시간이 단축됨에 따라 불순물 제거온도에서 유지되는 시간을 증가시킬 수 있으며, 불순물 예를 들어 수분의 제거 효율이 향상된다. 탈수분 효율의 향상으로 인하여 종래의 공정소요시간을 단축시킬 수 있으므로 생산성이 향상된다는 장점이 있다. As the temperature increase time of the substrate is shortened, the time maintained at the impurity removal temperature can be increased, and the removal efficiency of impurities, for example, moisture, is improved. Due to the improvement of the dehydration efficiency, it is possible to shorten the time required for the conventional process, so there is an advantage in that the productivity is improved.

이와 같이, 기판으로부터 불순물이 제거되는 효율이 증진되고, 불순물을 제거시키는데 소요되는 시간을 대폭 단축시키므로 전체적인 공정에 소요되는 시간이 단축되며, 나아가 생산성이 향상되는 효과가 있다.As described above, the efficiency of removing impurities from the substrate is improved, and the time required to remove impurities is greatly shortened, so that the time required for the entire process is shortened, and furthermore, productivity is improved.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판의 불순물 제거방법을 개략적으로 나타낸 순서도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치의 제1 챔버부를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치의 제2 챔버부를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 기판의 불순물 제거방법에서 기판의 온도변화를 개략적으로 나타낸 그래프 도면이다.1 is a flowchart schematically illustrating a method for removing impurities from a substrate according to an embodiment of the present invention.
2 is a view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view schematically illustrating a first chamber unit of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a diagram schematically illustrating a second chamber unit of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
5 is a graph schematically illustrating a temperature change of a substrate in a method for removing impurities from a substrate according to an embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 설명 중, 동일 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하도록 하고, 도면은 본 발명의 실시 예를 정확히 설명하기 위하여 크기가 부분적으로 과장될 수 있으며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and the scope of the invention to those of ordinary skill in the art completely It is provided to inform you. In the description, the same reference numerals are assigned to the same components, and the drawings may be partially exaggerated in size to accurately describe the embodiments of the present invention, and the same reference numerals refer to the same elements in the drawings.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판의 불순물 제거방법을 개략적으로 나타낸 순서도이다. 1 is a flowchart schematically illustrating a method for removing impurities from a substrate according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면 본 발명의 실시 예에 따른 기판의 불순물 제거방법은 제1 챔버부 내에 제공된 기판을 불순물 제거온도로 승온시키는 승온과정(S110); 상기 기판을 상기 제1 챔버부에서 제2 챔버부로 이송시키는 이송과정(S120); 및 상기 제2 챔버부 내에 이송된 상기 기판을 상기 불순물 제거온도에서 유지시키는 유지과정(S130);을 포함한다. Referring to FIG. 1 , the method for removing impurities from a substrate according to an embodiment of the present invention includes a temperature raising process ( S110 ) of raising a temperature of a substrate provided in a first chamber unit to an impurity removal temperature; a transfer process (S120) of transferring the substrate from the first chamber unit to the second chamber unit; and a holding process (S130) of maintaining the substrate transferred into the second chamber unit at the impurity removal temperature.

반도체 패키징과 같은 반도체 제조공정에서 기판 표면에서의 불순물 제거는 중요하다. 폴리머 계열의 기판의 경우 기판 표면에서 나오는 불순물의 양이 증가된다. 아웃개싱되는 불순물의 양의 증가는 공정시간을 증가시키는 요인이 된다. 따라서 기판의 불순물을 제거하는데 소요되는 시간을 단축시키면서 불순물 제거효율을 향상시킬 수 있는 것이 중요하다.In a semiconductor manufacturing process such as semiconductor packaging, it is important to remove impurities from the substrate surface. In the case of a polymer-based substrate, the amount of impurities coming out of the substrate surface is increased. An increase in the amount of outgassed impurities is a factor that increases the processing time. Therefore, it is important to be able to improve the impurity removal efficiency while shortening the time required to remove impurities from the substrate.

그러나 종래에는 하나의 챔버 내에서 다수개의 기판에 대하여 승온과 고온유지가 이루어졌었다. 다수의 기판을 균일하게 가열하기 위해서 저속으로 열처리 하였으나 승온시간이 오래걸리다보니 불순물 제거공정에 소요되는 시간을 단축시키기가 어려웠었다. However, in the prior art, temperature rise and high temperature maintenance were performed for a plurality of substrates in one chamber. Although heat treatment was performed at low speed to uniformly heat a number of substrates, it was difficult to shorten the time required for the impurity removal process because the temperature increase time was long.

그러나 본 발명에서는 기판을 승온시키는 제1 챔버부와 불순물 제거온도를 유지시키는 제2 챔버부로 구분하고, 제1 챔버부에서 기판을 급속히 승온시키고 제2 챔버부에서 불순물 제거온도로 유지되므로 불순물의 제거에 소요되는 시간이 단축되며, 불순물 제거온도를 유지하는 시간을 좀 더 확보할 수도 있으므로 불순물의 제거효율을 향상시킬 수 있다.However, in the present invention, the substrate is divided into a first chamber part for raising the temperature and a second chamber part for maintaining the impurity removal temperature, and the substrate is rapidly heated in the first chamber part and maintained at the impurity removal temperature in the second chamber part, so that the impurities are removed The time required for the process is shortened, and since it is possible to secure more time to maintain the impurity removal temperature, it is possible to improve the impurity removal efficiency.

승온과정(S110)에서는 제1 챔버부 내에 제공된 기판을 불순물 제거온도로 승온시킨다. 여기서, 기판에 대하여 급속 열처리시키는 것이 바람직하다. 기판에 대하여 급속 열처리를 하기 위하여 램프로부터 방사되는 광에너지를 적어도 기판의 일 평면에 조사하여 승온시켜 줄 수 있다. In the temperature raising process ( S110 ), the substrate provided in the first chamber unit is heated to a temperature for removing impurities. Here, it is preferable to rapidly heat-treat the substrate. In order to rapidly heat the substrate, light energy emitted from the lamp may be irradiated to at least one plane of the substrate to increase the temperature.

여기서 램프는 할로겐램프를 이용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 할로겐램프 외에도 다른 램프가 이용될 수도 있다. 그리고 제1 챔버부 내에 제공된 기판이 하나인 경우 기판의 한 면에 대하여 광에너지를 조사시켜줄 수 있으며, 기판의 양 면에 대하여 광에너지를 조사시켜주는 것 또한 충분히 가능하다. Here, a halogen lamp may be used as the lamp, but is not limited thereto, and other lamps may be used in addition to the halogen lamp. And when there is only one substrate provided in the first chamber part, light energy can be irradiated to one surface of the substrate, and it is also sufficiently possible to irradiate light energy to both surfaces of the substrate.

기판의 옆측 면에 위치하는 램프로 기판을 가열시킬 수도 있겠으나, 이러한 경우 램프의 복사열에 의한 기판의 승온이 어려우며, 특히 기판의 온도균일도를 유지시키기가 어렵다. 기판에 광에너지가 입사되는 면이 매우 제한되기 때문이다. 특히 진공도가 높을수록 대류열에 의한 승온은 어려우므로 기판의 옆측 면에서 위치하는 램프가 기판의 옆측 면을 가열시키는 것에서 비하여 본 발명에서와 같이 기판의 평면에 대하여 광에너지를 조사시키는 것이 승온시간을 단축시킬 수 있으며 나아가 승온되는 기판의 온도균일도를 확보할 수가 있다.The substrate may be heated with a lamp located on the side surface of the substrate, but in this case, it is difficult to increase the temperature of the substrate by the radiant heat of the lamp, and in particular, it is difficult to maintain the temperature uniformity of the substrate. This is because the plane on which light energy is incident on the substrate is very limited. In particular, the higher the vacuum degree, the more difficult it is to raise the temperature by convective heat, so irradiating light energy to the flat surface of the substrate as in the present invention shortens the temperature increase time compared to the lamp located on the side of the substrate heating the side surface of the substrate. In addition, it is possible to secure the temperature uniformity of the substrate to be heated.

제1 챔버부 내에 두 개의 기판이 제공되는 경우, 각 기판의 하나의 평면에 대하여 광에너지를 조사하는 급속 열처리를 하여 승온시켜줄 수도 있다. 물론 두 개의 기판 모두 양 평면에서 광에너지를 조사하는 급속 열처리를 하여 승온시켜주는 것도 가능하다. 다만, 승온과정(S110)에서는 기판에 대한 급속 열처리를 하여 빠르게 불순물 제거온도로 승온시켜야 하므로 제1 챔버부에 제공되는 기판의 개수가 적은 것이 바람직하며, 좀 더 바람직하게는 하나 또는 두 개의 기판이 제1 챔버부에 제공되어 승온과정(S110)이 수행되는 것이 바람직하다.When two substrates are provided in the first chamber unit, a rapid heat treatment of irradiating light energy to one plane of each substrate may be performed to increase the temperature. Of course, it is also possible to raise the temperature of both substrates by performing a rapid heat treatment that irradiates light energy from both planes. However, in the temperature increasing process (S110), the substrate is subjected to rapid heat treatment to rapidly increase the temperature to the impurity removal temperature, so it is preferable that the number of substrates provided in the first chamber part is small, and more preferably one or two substrates. It is preferably provided in the first chamber unit and the temperature raising process (S110) is performed.

그리고 승온과정(S110)에서 제1 챔버부 내부에는 진공분위기가 형성된 것이 바람직하다. 램프로부터 방사되는 광에너지를 조사하여 기판을 급속하게 승온시키는 동안 기판으로부터 배출되는 불순물이 제1 챔버부로부터 배출되는 것이 바람직하다. And it is preferable that a vacuum atmosphere is formed inside the first chamber part in the temperature raising process (S110). It is preferable that impurities discharged from the substrate are discharged from the first chamber unit while the substrate is rapidly heated by irradiating light energy emitted from the lamp.

그리고 기판을 급속하게 승온시키는 과정에서 기판의 영역마다 온도가 균일하게 승온되는 것이 바람직하다. 따라서, 기판의 평면 상에 설정되는 둘 이상의 광에너지 조사영역 중 적어도 어느 하나의 상기 광에너지 조사영역에 대하여 상기 광에너지의 양을 달리하여 조사시키는 것이 바람직하다. And in the process of rapidly raising the temperature of the substrate, it is preferable that the temperature is uniformly increased for each region of the substrate. Accordingly, it is preferable to irradiate at least one light energy irradiation area of two or more light energy irradiation areas set on the plane of the substrate by varying the amount of light energy.

즉, 기판의 평면 상에 둘 이상의 광에너지 조사영역을 설정하고, 각각의 광에너지 조사영역마다 조사되는 광에너지의 양 즉, 광에너지의 출력을 조절하여 조사시키는 것이 바람직하다. 여기서 둘 이상의 광에너지 조사영역 각각에서의 온도를 동등하게 승온시키는 것이 바람직하다. 즉, 기판의 부분 별로 온도의 편차가 발생되지 않도록 기판의 각 부분의 온도가 동등하게 승온되도록 각 광에너지 조사영역 마다 광에너지를 조절하여 조사시키는 것이 바람직하다.That is, it is preferable to set two or more light energy irradiation areas on the plane of the substrate and adjust the amount of light energy irradiated for each light energy irradiation area, that is, the output of light energy. Here, it is preferable to raise the temperature equally in each of the two or more light energy irradiation areas. That is, it is preferable to control and irradiate light energy for each light energy irradiation area so that the temperature of each portion of the substrate is raised equally so that there is no temperature deviation for each portion of the substrate.

둘 이상의 상기 광에너지 조사영역 각각에 조사시키는 상기 광에너지의 양을 조절하여 서로 다른 상기 광에너지 조사영역에서의 온도를 동등하게 승온시키면 긴판의 온도균일도를 확보할 수 있으므로 바람직하다. By adjusting the amount of the light energy irradiated to each of the two or more light energy irradiation areas, it is preferable because the temperature uniformity of the long plate can be secured when the temperatures in the different light energy irradiation areas are equally raised.

승온과정(S110)에서 기판의 온도가 불순물 제거온도로 승온되면 이송과정(S120)으로 이어질 수 있다.When the temperature of the substrate is raised to the impurity removal temperature in the temperature raising process ( S110 ), it may lead to a transfer process ( S120 ).

이송과정(S120)에서는 상기 기판을 상기 제1 챔버부에서 제2 챔버부로 이송시킨다. 불순물 제거온도로 승온된 기판이 제1 챔버부에서 제2 챔버부로 이송되면 유지과정(S130)으로 이어진다.In the transfer process (S120), the substrate is transferred from the first chamber unit to the second chamber unit. When the substrate heated to the impurity removal temperature is transferred from the first chamber part to the second chamber part, the maintenance process ( S130 ) is continued.

유지과정(S130)에서는 상기 제2 챔버부 내에 이송된 상기 기판을 상기 불순물 제거온도에서 유지시킨다. 제2 챔버부 내에 배치된 핫플레이트의 열을 상기 기판에 공급하여 상기 불순물 제거온도를 유지시킬 수 있다.In the holding process ( S130 ), the substrate transferred into the second chamber unit is maintained at the impurity removal temperature. Heat of the hot plate disposed in the second chamber unit may be supplied to the substrate to maintain the impurity removal temperature.

제2 챔버부 내에서 핫플레이트는 다수개가 배치되어 있고 서로에 대하여 이격되어 다층구조를 이루고 있는 것이 바람직하다. 그리고 다층구조를 이루고 있는 다수개의 상기 핫플레이트의 사이에 하나 또는 다수개의 상기 기판을 적재시킨다. It is preferable that a plurality of hot plates are disposed in the second chamber unit and are spaced apart from each other to form a multi-layered structure. Then, one or a plurality of the substrates are stacked between the plurality of hot plates forming a multi-layered structure.

여기서 상기 핫플레이트에 대하여 상기 기판이 이격되는 상태로 상기 기판을 적재시키는 것이 바람직하다. 기판과 핫플레이트 사이에 이격된 공간이 있으면 기판으로부터 배출되는 불순물이 제2 챔버부에서 원활하게 배출될 수 있다. 제2 챔버부의 내부 또한 진공분위기가 형성된 것이 바람직하며, 제1 챔버부와 제2 챔버부의 진공도는 동등한 것이 바람직하다. Here, it is preferable to load the substrate in a state where the substrate is spaced apart from the hot plate. If there is a spaced apart space between the substrate and the hot plate, impurities discharged from the substrate may be smoothly discharged from the second chamber unit. It is preferable that a vacuum atmosphere is also formed inside the second chamber part, and it is preferable that the vacuum degree of the first chamber part and the second chamber part be equal.

그리고 상기 승온과정(S110)은 상기 유지과정(S130)의 진행시간에 비하여 절반 이하의 시간동안 진행되는 것이 바람직하다. 좀 더 바람직하게는 유지과정(S130)의 진행시간에 비하여 1/6 이하의 시간동안 승온과정(S110)이 이루어지는 것이 바람직하다. 또는 분당 15도 이상의 온도상승율로 기판을 승온시켜서 불순물 제거온도에 급속하게 도달시키는 것도 바람직하다. And it is preferable that the temperature raising process (S110) is carried out for less than half of the running time of the maintaining process (S130). More preferably, it is preferable that the temperature increase process (S110) is performed for 1/6 or less time compared to the progress time of the maintenance process (S130). Alternatively, it is also preferable to rapidly reach the impurity removal temperature by increasing the temperature of the substrate at a temperature increase rate of 15 degrees or more per minute.

이와 같은 유지과정(S130)을 거친 기판의 온도는 불순물 제거온도 예를 들어 섭씨 110도의 고온 상태이다. 따라서, 다음 차례의 공정챔버로 제공되어 증착공정 등이 수행되기 이전에 불순물 제거온도에 비하여 상대적으로 낮은 온도로 낮춰지는 감온과정이 추가될 수도 있다. 감온과정은 유지과정(S130)이 수행된 제2 챔버부와는 구분되는 제3 챔버부에서 수행될 수 있다. 이를 위해 제2 챔버부에서 제3 챔버부로 기판의 이송이 이루어질 수 있다. 이와 같이 제2 챔버부로부터 식각공정 또는 증착공정 등과 같은 공정이 이루어지는 공정챔버로 기판이 제공되기 전에 이러한 감온과정이 추가적으로 수행될 수도 있다. The temperature of the substrate that has undergone such a maintenance process ( S130 ) is a high temperature state of the impurity removal temperature, for example, 110 degrees Celsius. Accordingly, a temperature reduction process in which the temperature is lowered to a relatively low temperature compared to the impurity removal temperature before the deposition process is performed after being provided to the next process chamber may be added. The temperature reduction process may be performed in a third chamber part separated from the second chamber part on which the maintenance process ( S130 ) has been performed. To this end, the substrate may be transferred from the second chamber unit to the third chamber unit. In this way, such a temperature reduction process may be additionally performed before the substrate is provided from the second chamber unit to the process chamber where processes such as an etching process or a deposition process are performed.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 실시 예에 따른 기판의 불순물 제거방법에서 각 과정의 진행순서는 특정순서에 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 각 과정의 진행순서를 달리할 수도 있으며, 각 과정은 필요에 따라 반복하여 실행될 수도 있다. As described above, in the method for removing impurities from a substrate according to an embodiment of the present invention, the sequence of each process is not limited to a specific sequence, and the sequence of each process may be changed as necessary. may be repeatedly executed depending on the

이와 같은 기판의 불순물 제거방법은 다음과 같이 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치를 이용하여 수행될 수 있다. 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.Such a method of removing impurities from a substrate may be performed using the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention as follows. 2 is a view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치는 기판(10)이 배치되는 공간을 제공하는 제1 챔버부(110); 상기 제1 챔버부(110)에 배치되고, 상기 기판(10)을 불순물 제거온도로 승온시키는 제1 가열부; 상기 불순물 제거온도로 승온된 상기 기판(10)이 인입되어 배치되는 공간을 제공하는 제2 챔버부(120); 및 상기 제2 챔버부(120)에 배치되고, 상기 기판(10)을 상기 불순물 제거온도로 유지시키는 제2 가열부;를 포함한다. Referring to FIG. 2 , a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a first chamber unit 110 providing a space in which a substrate 10 is disposed; a first heating unit disposed in the first chamber unit 110 and configured to raise the temperature of the substrate 10 to an impurity removal temperature; a second chamber unit 120 providing a space in which the substrate 10 heated to the impurity removal temperature is introduced and disposed; and a second heating unit disposed in the second chamber unit 120 and maintaining the substrate 10 at the impurity removal temperature.

여기서, 상기 제1 가열부는, 상기 기판(10)의 일 평면에 광에너지를 조사하여 급속 열처리시켜주는 램프를 포함한다. Here, the first heating unit includes a lamp for rapid heat treatment by irradiating light energy on one plane of the substrate 10 .

여기서, 도 3을 더 참조하여 제1 챔버부(110)와 제1 가열부에 대해 설명한다. 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치에서 제1 챔버부의 내측 부분을 개략적으로 나타낸 평면도이다.Here, the first chamber unit 110 and the first heating unit will be described with further reference to FIG. 3 . 3 is a plan view schematically illustrating an inner portion of a first chamber unit in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3을 더 참조하면, 제1 챔버부(110)는 기판(10)이 배치되는 공간을 제공한다. 제1 챔버부(110)에서는 앞서 설명한 바와 같은 승온과정(S110)이 수행된다. 제1 챔버부(110)는 내부에 진공분위기가 형성될 수 있다. 승온과정(S110)이 진공분위기에서 진행될 수 있으며, 불순물 배출과 진공분위기 형성을 위한 진공펌프가 제1 챔버부(110)에 마련될 수 있다. 제1 챔버부(110)에는 제1 가열부가 배치되어 있다.Referring further to FIG. 3 , the first chamber unit 110 provides a space in which the substrate 10 is disposed. In the first chamber unit 110, the temperature raising process (S110) as described above is performed. The first chamber part 110 may have a vacuum atmosphere therein. The temperature raising process ( S110 ) may be performed in a vacuum atmosphere, and a vacuum pump for discharging impurities and forming a vacuum atmosphere may be provided in the first chamber unit 110 . A first heating unit is disposed in the first chamber unit 110 .

제1 가열부는 상기 제1 챔버부(110)에 배치되고, 상기 기판(10)을 불순물 제거온도로 승온시킨다. 이러한 제1 가열부는 상기 기판(10)의 일 평면에 광에너지를 조사하여 급속 열처리시켜주는 램프(200)를 포함한다. 따라서, 램프(200)로부터 조사되는 광에너지에 의해 기판(10)은 급속 열처리되어 불순물 제거온도로 승온될 수 있다.A first heating unit is disposed in the first chamber unit 110 , and the temperature of the substrate 10 is raised to an impurity removal temperature. The first heating unit includes a lamp 200 for rapid heat treatment by irradiating light energy on one plane of the substrate 10 . Accordingly, the substrate 10 may be rapidly heat-treated by the light energy irradiated from the lamp 200 to raise the temperature to the impurity removal temperature.

여기서 램프(200)는 할로겐램프(200)를 이용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 할로겐램프(200) 외에도 다른 종류의 램프가 이용될 수도 있다. 그리고 제1 챔버부(110) 내에 제공된 기판(10)이 하나인 경우 기판(10)의 한 면에 대하여 광에너지를 조사시켜줄 수 있으며, 기판(10)의 양 면에 대하여 광에너지를 조사시켜주는 것 또한 충분히 가능하다. Here, the lamp 200 may use the halogen lamp 200 , but is not limited thereto, and other types of lamps may be used in addition to the halogen lamp 200 . And when there is only one substrate 10 provided in the first chamber unit 110 , light energy can be irradiated to one surface of the substrate 10 , and light energy is irradiated to both surfaces of the substrate 10 . It is also quite possible.

기판의 옆측 면에 위치하는 램프로 기판을 가열시킬 수도 있겠으나, 이러한 경우 램프의 복사열에 의한 기판의 승온이 어려우며, 특히 기판의 온도균일도를 유지시키기가 어렵다. 기판에 광에너지가 입사되는 면이 매우 제한되기 때문이다. 특히 진공도가 높을수록 대류열에 의한 승온의 효과는 약해진다. 기판의 옆측 면에서 위치하는 램프가 기판의 옆측 면을 가열시키는 것에서 비하여 본 발명에서와 같이 기판의 평면에 대하여 광에너지를 조사시키는 것이 승온시간을 단축시킬 수 있으며 나아가 승온되는 기판의 온도균일도를 확보할 수가 있다.The substrate may be heated with a lamp located on the side surface of the substrate, but in this case, it is difficult to increase the temperature of the substrate by the radiant heat of the lamp, and in particular, it is difficult to maintain the temperature uniformity of the substrate. This is because the plane on which light energy is incident on the substrate is very limited. In particular, the higher the degree of vacuum, the weaker the effect of temperature increase by convective heat. Compared to the lamp located on the side surface of the substrate heating the side surface of the substrate, irradiating light energy to the flat surface of the substrate as in the present invention can shorten the heating time and furthermore ensure the temperature uniformity of the substrate to be heated. can do

기판(10)에 대한 급속 열처리를 하여 빠르게 불순물 제거온도로 승온시켜야 하므로 제1 챔버부(110)에 제공되는 기판(10)의 개수가 적은 것이 바람직하며, 좀 더 바람직하게는 하나 또는 두 개의 기판(10)이 제1 챔버부(110)에 제공되어 승온과정(S110)이 수행되는 것이 바람직하다. It is preferable that the number of substrates 10 provided in the first chamber unit 110 is small, and more preferably one or two substrates, because the substrate 10 must be rapidly heat-treated to quickly raise the temperature to the impurity removal temperature. (10) is provided in the first chamber unit 110, it is preferable that the temperature increase process (S110) is performed.

한편, 도 3에서 기판의 형상이 사각형인 것으로 도시되었으나 이러한 형상에 한정될 필요가 없고, 기판의 형상은 원형이나 사각형 등 다양한 형상의 기판이 적용 가능하다. On the other hand, although the shape of the substrate is illustrated as having a rectangular shape in FIG. 3 , it is not necessary to be limited to such a shape, and the shape of the substrate may be a substrate having various shapes such as a circle or a rectangle.

제1 챔버부(110) 내에 두 개의 기판(10)이 제공되는 경우, 각 기판(10)의 하나의 평면에 대하여 광에너지를 조사하는 급속 열처리를 하여 승온시켜줄 수도 있다. 물론 두 개의 기판(10) 모두 양 평면에서 광에너지를 조사하는 급속 열처리를 하여 승온시켜주는 것도 가능하다. When the two substrates 10 are provided in the first chamber unit 110 , the temperature may be increased by performing a rapid heat treatment for irradiating light energy to one plane of each substrate 10 . Of course, it is also possible to raise the temperature by performing a rapid heat treatment for irradiating light energy from both planes of the two substrates 10 .

그리고 램프(200)로부터 방사되는 광에너지를 조사하여 기판(10)을 급속하게 승온시키는 동안 기판(10)으로부터 배출되는 불순물이 제1 챔버부(110)에 마련된 진공펌프에 의해 제1 챔버부(110)로부터 배출된다. And while the temperature of the substrate 10 is rapidly raised by irradiating light energy emitted from the lamp 200 , impurities discharged from the substrate 10 are removed from the first chamber unit ( 110 ) by a vacuum pump provided in the first chamber unit ( 110 ). 110) from

그리고 기판(10)을 급속하게 승온시키는 과정에서 기판(10)의 영역마다 온도가 균일하게 승온되는 것이 바람직하다. 따라서, 상기 램프(200)는, 상기 기판(10)의 평면 상에 설정되는 둘 이상의 광에너지 조사영역 중 적어도 어느 하나의 상기 광에너지 조사영역에 대하여 상기 광에너지의 양을 달리하여 조사한다. 이를 위해 제1 가열부의 램프(200)는 다수개일 수 있다. In addition, in the process of rapidly increasing the temperature of the substrate 10 , it is preferable that the temperature is uniformly increased for each region of the substrate 10 . Accordingly, the lamp 200 irradiates at least one light energy irradiation area of two or more light energy irradiation areas set on the plane of the substrate 10 by varying the amount of the light energy. For this purpose, the number of lamps 200 of the first heating unit may be plural.

즉, 기판(10)의 평면 상에 둘 이상의 광에너지 조사영역을 설정하고, 각각의 광에너지 조사영역마다 조사되는 광에너지의 양 즉, 광에너지의 출력을 조절하여 조사시키는 것이 바람직하다. 여기서 둘 이상의 광에너지 조사영역 각각에서의 온도를 동등하게 승온시키는 것이 바람직하다. 즉, 기판(10)의 부분 별로 온도의 편차가 발생되지 않도록 기판(10)의 각 부분의 온도가 동등하게 승온되도록 각 광에너지 조사영역 마다 광에너지를 조절하여 조사시키는 것이 바람직하다.That is, it is preferable to set two or more light energy irradiation areas on the plane of the substrate 10 and adjust the amount of light energy irradiated for each light energy irradiation area, that is, the output of light energy. Here, it is preferable to raise the temperature equally in each of the two or more light energy irradiation areas. That is, it is preferable to adjust and irradiate light energy for each light energy irradiation area so that the temperature of each portion of the substrate 10 is raised equally so that a temperature deviation does not occur for each portion of the substrate 10 .

예를 들어, 도 3에서 참조되는 바와 같이 기판(10) 상에 3개의 광에너지 조사영역이 설정될 수 있다. 그리고, 각 광에너지 조사영역에 광에너지를 조사시키는 다수개의 램프(200)가 마련된다. 기판(10)의 가운데 부분의 광에너지 조사영역을 제1 광에너지 조사영역(21), 기판(10)의 테두리측 표면 부분의 광에너지 조사영역을 제2 광에너지 조사영역(22), 기판(10)의 엣지측 표면 부분의 광에너지 조사영역을 제3 광에너지 조사영역(23)으로 설정할 수 있다. 그리고, 제1 광에너지 조사영역(21)에 광에너지를 조사하는 제1 램프(210), 제2 광에너지 조사영역(22)에 광에너지를 조사하는 제2 램프(220), 제3 광에너지 조사영역(23)에 광에너지를 조사하는 제3 램프(230)가 있다. For example, as shown in FIG. 3 , three light energy irradiation areas may be set on the substrate 10 . In addition, a plurality of lamps 200 for irradiating light energy to each light energy irradiation area are provided. The light energy irradiation area of the middle part of the substrate 10 is the first light energy irradiation area 21, the light energy irradiation area of the edge side surface of the substrate 10 is the second light energy irradiation area 22, the substrate ( 10), the light energy irradiation area of the edge side surface portion may be set as the third light energy irradiation area 23 . In addition, the first lamp 210 irradiating light energy to the first light energy irradiation region 21 , the second lamp 220 irradiating light energy to the second light energy irradiation region 22 , and the third light energy There is a third lamp 230 irradiating light energy to the irradiation area 23 .

제1 광에너지 조사영역(21)은 기판(10)의 가운데 표면부분으로서, 기판(10)의 다른 부분에 비하여 주변으로 열전도에 의한 열분산이 일어나기 쉽다. 따라서, 광에너지가 조사되었을 때 승온이 기판(10)의 다른 부분에 비하여 상대적으로 늦어질 수 있다. 따라서, 제1 램프(210)로부터 제1 광에너지 조상영역으로 조사되는 광에너지의 양 즉 출력이 상대적으로 높게 조절될 수 있다. The first light energy irradiation region 21 is a central surface portion of the substrate 10 , and heat dissipation is more likely to occur due to heat conduction to the periphery than other portions of the substrate 10 . Therefore, when light energy is irradiated, the temperature rise may be relatively slow compared to other portions of the substrate 10 . Accordingly, the amount of light energy irradiated from the first lamp 210 to the first light energy ancestor region, that is, the output can be adjusted to be relatively high.

제2 광에너지 조사영역(22)은 제1 광에너지 조사영역(21)의 옆 부분으로서, 기판(10)의 테두리측에 있는 표면에 광에너지가 조사되는 영역이다. 기판(10)의 가운데 부분에 비하여 열전도에 의한 열분산이 일어나기가 상대적으로 어렵지만, 기판(10)의 엣지 부분에 비해서는 열전도에 의한 열분산이 일어나기가 상대적으로 수월하다. 따라서, 제1 광에너지 조사영역(21)에 조사되는 광에너지의 양 즉 출력보다는 상대적으로 낮도록 제2 램프(220)로부터 제2 광에너지 조사영역(22)으로 조사되는 광에너지 양이 조절될 수 있다.The second light energy irradiation area 22 is a side portion of the first light energy irradiation area 21 , and is an area to which light energy is irradiated to the surface on the edge side of the substrate 10 . Compared to the central portion of the substrate 10 , heat dissipation by heat conduction is relatively difficult, but compared to the edge portion of the substrate 10 , heat dissipation by heat conduction is relatively easy. Accordingly, the amount of light energy irradiated from the second lamp 220 to the second light energy irradiating region 22 may be adjusted to be relatively lower than the amount of light energy irradiated to the first light energy irradiating region 21, that is, the output. can

제3 광에너지 조사영역(23)은 기판(10)의 엣지측의 표면부분으로서, 제1 광에너지 조사영역(21) 및 제2 광에너지 조사영역(22)에 비하여 상대적으로 열전도에 의한 열분산이 일어나기가 어렵다. 따라서, 기판(10)의 가운데 부분에 비하여 상대적으로 승온이 쉽게 될 수 있다. 따라서, 제3 램프(230)로부터 제3 광에너지 조사영역(23)으로 조사되는 광에너지의 양 즉 출력이 제1 램프(210) 또는 제2 램프(220)에 비하여 상대적으로 낮은 수준으로 조절될 수 있다. The third light energy irradiation area 23 is a surface portion on the edge side of the substrate 10 , and is relatively heat dissipated due to heat conduction compared to the first light energy irradiation area 21 and the second light energy irradiation area 22 . This is hard to happen. Accordingly, the temperature can be increased relatively easily compared to the central portion of the substrate 10 . Accordingly, the amount of light energy irradiated from the third lamp 230 to the third light energy irradiation region 23 , that is, the output is adjusted to a relatively low level compared to the first lamp 210 or the second lamp 220 . can

이와 같이, 광에너지 조사영역 별로 조사되는 광에너지의 양 즉, 출력을 조절함으로써 기판(10)을 급속히 열처리하여 승온시키되 기판(10)의 각 부분별 온도편차의 발생을 억제시킬 수 있다. 물론 필요에 따라서 각 제1 램프(210), 제2 램프(220) 및 제3 램프(230)의 광에너지 조사출력을 개별적으로 조절할 수 있다. In this way, by adjusting the amount of light energy irradiated for each light energy irradiation area, that is, the output, the substrate 10 is rapidly heat-treated to increase the temperature, but it is possible to suppress the occurrence of a temperature deviation for each part of the substrate 10 . Of course, the light energy irradiation output of each of the first lamp 210 , the second lamp 220 , and the third lamp 230 may be individually adjusted as needed.

그리고 다수개의 램프(200) 즉 제1 램프(210), 제2 램프(220) 및 제3 램프(230)는 각기 대응되는 광에너지 조사영역으로 광에너지를 조사하기 위하여 상호간 이격된다. 이격된 간격은 필요에 따라 적절히 설정될 수 있다. And the plurality of lamps 200, that is, the first lamp 210, the second lamp 220, and the third lamp 230 are spaced apart from each other in order to irradiate the light energy to the corresponding light energy irradiation area. The spaced interval may be appropriately set as needed.

이처럼 상호간에 이격되어 배치된 다수개의 상기 램프(200) 각각은, 각기 대응되는 상기 광에너지 조사영역으로 상기 광에너지를 조사하여 둘 이상의 상기 광에너지 조사영역 각각에서의 온도를 동등하게 승온시킨다.Each of the plurality of lamps 200 spaced apart from each other as described above irradiates the light energy to the corresponding light energy irradiation area to equally increase the temperature in each of the two or more light energy irradiation areas.

둘 이상의 상기 광에너지 조사영역 각각에 조사시키는 상기 광에너지의 양을 조절하여 서로 다른 상기 광에너지 조사영역에서의 온도를 동등하게 승온시키면 긴판의 온도균일도를 확보할 수 있으므로 바람직하다. By adjusting the amount of the light energy irradiated to each of the two or more light energy irradiation areas, it is preferable because the temperature uniformity of the long plate can be secured when the temperatures in the different light energy irradiation areas are equally raised.

여기서, 도 4를 더 참조하여 제2 챔버부(120)와 제2 가열부에 대하여 설명한다.Here, the second chamber unit 120 and the second heating unit will be described with further reference to FIG. 4 .

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치의 제2 챔버부를 개략적으로 나타낸 도면이다. 4 is a diagram schematically illustrating a second chamber unit of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4를 더 참조하면, 제2 챔버부(120)는 상기 불순물 제거온도로 승온된 상기 기판(10)이 인입되어 배치되는 공간을 제공한다. 제2 챔버부(120)에서는 앞서 설명한 유지과정(S130)이 수행된다. 제1 챔버부(110)는 내부에 진공분위기가 형성될 수 있다. 유지과정(S130)이 진공분위기에서 진행될 수 있으며, 불순물 배출과 진공분위기 형성을 위한 진공펌프가 제2 챔버부(120)에 마련될 수 있다. 제2 챔버부(120)에는 제2 가열부가 배치되어 있다.4 , the second chamber unit 120 provides a space in which the substrate 10 heated to the impurity removal temperature is introduced and disposed. In the second chamber unit 120, the above-described maintenance process (S130) is performed. The first chamber part 110 may have a vacuum atmosphere therein. The maintenance process ( S130 ) may be performed in a vacuum atmosphere, and a vacuum pump for discharging impurities and forming a vacuum atmosphere may be provided in the second chamber unit 120 . A second heating unit is disposed in the second chamber unit 120 .

제2 가열부는 상기 제2 챔버부(120)에 배치되고, 상기 기판(10)을 상기 불순물 제거온도로 유지시킨다. 이러한 제2 가열부는, 상기 기판(10)의 불순물 제거온도를 유지시켜주는 핫플레이트(300)를 포함한다. 핫플레이트(300)의 열을 상기 기판(10)에 공급하여 상기 불순물 제거온도를 유지시킬 수 있다. 핫플레이트(300)의 열은 복사열로서 기판(10)으로 공급될 수 있다. 그리고, 도면에서 참조되는 바와 같이, 핫플레이트(300)와 기판(10)이 면 대 면으로서 대향되어 있으므로 기판(10)의 표면에 대하여 온도균일도를 유지하면서 불순물 제거온도를 유지시킬 수 있다. 이러한 제2 가열부의 핫플레이트(300)는 다수개일 수 있다. 다수개의 상기 핫플레이트(300)는 서로에 대하여 이격된 다층구조를 이루고 있다.A second heating unit is disposed in the second chamber unit 120 and maintains the substrate 10 at the impurity removal temperature. The second heating unit includes a hot plate 300 that maintains an impurity removal temperature of the substrate 10 . The heat of the hot plate 300 may be supplied to the substrate 10 to maintain the impurity removal temperature. The heat of the hot plate 300 may be supplied to the substrate 10 as radiant heat. And, as referenced in the drawings, since the hot plate 300 and the substrate 10 face to face, it is possible to maintain the impurity removal temperature while maintaining temperature uniformity with respect to the surface of the substrate 10 . There may be a plurality of hot plates 300 of the second heating unit. A plurality of the hot plates 300 form a multi-layered structure spaced apart from each other.

다수개의 상기 핫플레이트(300)는 서로에 대하여 이격된 다층구조를 이루고 있을 수 있도록 제2 챔버부(120) 내부에 카세트(400)가 마련될 수 있다. 카세트(400)는 여러개의 슬롯을 마련하고 있으며, 다수개의 핫플레이트(300)가 서로에 대하여 이격된 다층구조를 이룰 수 있도록 도면에서 참조되는 바와 같이 다수개의 핫플레이트(300)를 받쳐주면서 지지할 수 있다. A cassette 400 may be provided inside the second chamber unit 120 so that the plurality of hot plates 300 may form a multi-layered structure spaced apart from each other. The cassette 400 is provided with a plurality of slots, and a plurality of hot plates 300 can be supported while supporting the plurality of hot plates 300 as shown in the drawings to form a multi-layered structure spaced apart from each other. can

그리고, 서로에 대하여 이웃하는 상기 핫플레이트(300)의 사이에 상기 기판(10)이 상기 핫플레이트(300)에 이격되어 배치된다. 도면에서 참조되는 바와 같이 기판(10)의 상측과 하측에 있는 핫플레이트(300)에 대하여 이격되어 배치될 수 있다. 도면에서 참조되는 바와 같이, 카세트(400)에 마련된 슬롯에 기판(10)이 삽입되면서 서로에 대하여 이웃하는 상기 핫플레이트(300)의 사이에 상기 기판(10)이 상기 핫플레이트(300)에 이격되어 배치될 수 있다.In addition, the substrate 10 is disposed to be spaced apart from the hot plate 300 between the hot plates 300 adjacent to each other. As referenced in the drawings, it may be disposed to be spaced apart from the hot plate 300 on the upper and lower sides of the substrate 10 . As shown in the drawing, the substrate 10 is spaced apart from the hot plate 300 between the hot plates 300 adjacent to each other while the substrate 10 is inserted into the slot provided in the cassette 400 . and can be placed.

그리고, 제2 챔버부(120)에서 다수개의 기판(10) 중 어느 하나의 기판(10)의 일면이 핫플레이트(300)으로부터 열을 전달받지 못하는 경우가 생기지 않도록 카세트(400)에서 맨 위의 슬롯과 맨 아래의 슬롯에 핫플레이트가 배치되어 있는 형태도 바람직하다.And, in the second chamber unit 120 , in the cassette 400 , the uppermost surface of the substrate 10 does not receive heat from the hot plate 300 . A form in which a hot plate is disposed in the slot and the bottom slot is also preferable.

이와 같이 다수개의 핫플레이트(300)과 기판(10)이 서로 이격된 공간이 마련되어 있으므로 기판(10)으로부터 배출되는 불순물이 제2 챔버부(120)에서 효율적으로 제거될 수 있다.As described above, since the plurality of hot plates 300 and the substrate 10 are spaced apart from each other, impurities discharged from the substrate 10 can be efficiently removed in the second chamber unit 120 .

제2 챔버부(120)의 내부 또한 진공분위기가 형성된 것이 바람직하며, 제1 챔버부(110)와 제2 챔버부(120)의 진공도는 동등한 것이 바람직하다. It is preferable that a vacuum atmosphere is also formed inside the second chamber part 120 , and it is preferable that the vacuum degrees of the first chamber part 110 and the second chamber part 120 are equal.

제2 챔버부(120)에서 진행되는 승온과정(S110)은 상기 유지과정(S130)의 진행시간에 비하여 절반 이하의 시간동안 진행되는 것이 바람직하다. 좀 더 바람직하게는 유지과정(S130)의 진행시간에 비하여 1/6 이하의 시간동안 승온과정(S110)이 이루어지는 것이 바람직하다. 또는 분당 15도 이상의 온도상승율로 기판(10)을 승온시켜서 불순물 제거온도에 급속하게 도달시키는 것도 바람직하다. It is preferable that the temperature increase process (S110) performed in the second chamber unit 120 is carried out for less than half the duration of the maintenance process (S130). More preferably, it is preferable that the temperature increase process (S110) is performed for 1/6 or less time compared to the progress time of the maintenance process (S130). Alternatively, it is also preferable to rapidly reach the impurity removal temperature by increasing the temperature of the substrate 10 at a temperature increase rate of 15 degrees or more per minute.

그리고, 이송부(130)는 상기 제1 챔버부(110)와 상기 제2 챔버부(120) 사이에 배치되고, 상기 기판(10)의 이송을 중개한다. 이러한 이송부(130)를 통해 앞서 설명한 이송과정(S120)이 수행될 수 있다. 이와 같은 이송부(130)의 예로서 이송로봇이 내재된 트랜스퍼챔버가 있을 수 있다. 이송부(130), 제1 챔버부(110) 및 제2 챔버부(120)의 진공도는 동등한 수준인 것이 바람직하다.In addition, the transfer unit 130 is disposed between the first chamber unit 110 and the second chamber unit 120 , and mediates the transfer of the substrate 10 . The transfer process S120 described above may be performed through the transfer unit 130 . As an example of such a transfer unit 130, there may be a transfer chamber in which a transfer robot is embedded. The vacuum degree of the transfer unit 130 , the first chamber unit 110 , and the second chamber unit 120 is preferably at the same level.

한 편 도면에서는 제2 챔버부(120) 및 제2 가열부가 하나 마련된 것을 예로서 도시하였으나, 필요에서 따라서는 제2 챔버부(120) 및 제2 가열부가 복수개로 마련된 형태도 바람직하다. 즉, 제1 챔버부(110)에서 승온된 하나의 기판(10)이 하나의 제2 챔버부(120)에 제공되고, 다음 차례의 기판(10)이 다른 하나의 제2 챔버부(120)로 제공되는 형태도 충분히 가능하다. 다수의 기판(10)에 대하여 유지과정(S130)이 수행되는 제2 챔버부가 복수개가 마련되어 있는 형태도 충분히 가능하다는 것이다.On the other hand, although the drawing shows as an example that the second chamber part 120 and one second heating part are provided, a form in which the second chamber part 120 and the second heating part are provided in plurality is also preferable if necessary. That is, one substrate 10 heated in the first chamber unit 110 is provided to one second chamber unit 120 , and the next substrate 10 is the other second chamber unit 120 . A form provided as . A form in which a plurality of second chamber units in which the holding process ( S130 ) is performed for a plurality of substrates 10 is sufficiently possible.

또한, 제1 챔버부(110)가 다수개가 구비되고, 각 제1 챔버부(110)에서 승온된 기판이 하나 또는 다수개의 제2 챔버부(120)으로 이송되어 불순물 제거온도가 유지되는 것도 충분히 가능하며 이 또한 바람직하다. 이와 같이 제1 챔버부(110) 또는 제2 챔버부(120)가 복수개로 마련되는 경우 제1 챔버부(110)에서는 하나 또는 두 개의 기판에 대해 불순물 제거온도로 급속히 승온시키는 과정이 수행되며, 제2 챔버부(120)는 다수개의 제1 챔버부(110)으로부터 이송되어 오는 기판을 다수 수용하여 적재하고 불순물 제거온도를 유지시키는 과정이 수행될 수 있다.In addition, it is sufficient that a plurality of first chamber units 110 are provided, and the substrate heated in each first chamber unit 110 is transferred to one or a plurality of second chamber units 120 to maintain the impurity removal temperature. It is possible and this is also preferable. In this way, when a plurality of the first chamber unit 110 or the second chamber unit 120 is provided, a process of rapidly increasing the temperature of one or two substrates to an impurity removal temperature is performed in the first chamber unit 110, The second chamber unit 120 may receive and load a plurality of substrates transferred from the plurality of first chamber units 110 , and a process of maintaining an impurity removal temperature may be performed.

그리고, 제2 챔버부(120)에서 유지과정(S130)을 거친 기판의 온도는 불순물 제거온도 예를 들어 섭씨 110도의 고온 상태이다. 따라서, 식각 또는 증착 공정 등이 수행되는 공정챔버로 제공되어 식각 또는 증착 공정 등이 수행되기 이전에 불순물 제거온도에 비하여 상대적으로 낮은 온도로 낮춰지는 감온과정이 수행될 수 있는 제3 챔버부가 추가적으로 마련된 형태도 충분히 가능하다. 감온과정은 유지과정(S130)이 수행된 제2 챔버부와는 구분되는 제3 챔버부에서 수행될 수 있다. 이를 위해 제2 챔버부(120)에서 제3 챔버부로 기판의 이송이 이루어질 수 있다. 이와 같이 제2 챔버부(120)로부터 식각 또는 증착 공정과 같은 공정이 이루어지는 공정챔버로 기판이 제공되기 전에 제3 챔버부에서 기판의 온도를 감온시켜주는 감온과정이 추가적으로 수행될 수도 있다. In addition, the temperature of the substrate that has undergone the maintenance process ( S130 ) in the second chamber unit 120 is a high temperature state of removing impurities, for example, 110 degrees Celsius. Therefore, it is provided as a process chamber in which an etching or deposition process is performed, and a third chamber part in which a temperature reduction process of lowering the temperature to a relatively low temperature compared to the impurity removal temperature before the etching or deposition process is performed is additionally provided. The form is also quite possible. The temperature reduction process may be performed in a third chamber part separated from the second chamber part on which the maintenance process ( S130 ) has been performed. To this end, the substrate may be transferred from the second chamber unit 120 to the third chamber unit. In this way, before the substrate is provided from the second chamber unit 120 to the process chamber in which a process such as an etching or deposition process is performed, a temperature reduction process for reducing the temperature of the substrate may be additionally performed in the third chamber unit.

도 5는 불순물의 제거가 진행되는 동안 기판의 온도변화를 개략적으로 나타낸 그래프 도면으로서, 도 5(a)는 종래 기술에 따라 기판의 불순물의 제거가 진행되는 동안 기판의 온도변화를 나타낸 것이고, 도 5(b)는 본 발명의 실시 예에 따른 기판의 불순물 제거방법에 따라 기판의 불순물의 제거가 진행되는 동안 기판의 온도변화를 나타낸 것이다. 5 is a graph schematically showing the temperature change of the substrate while the removal of impurities is in progress, and FIG. 5(b) shows the temperature change of the substrate during the removal of impurities from the substrate according to the method for removing impurities from the substrate according to the embodiment of the present invention.

도 5(a)와 도 5(b)에서 참조되는 바와 같이, 종래에는 하나의 챔버 내에서 다수의 기판(10)을 균일하게 가열하기 위해서 저속으로 열처리하여 승온시킬 수 밖에 없었다. 따라서, 불순물 제거온도까지 승온시키기까지 시간이 오래걸릴 수 밖에 없었다. 즉, 승온시간단축과 온도균일도를 동시에 확보하기가 불가능하였었다.5(a) and 5(b), in the prior art, in order to uniformly heat a plurality of substrates 10 in one chamber, the temperature had to be increased by heat treatment at a low speed. Therefore, it took a long time to raise the temperature to the impurity removal temperature. That is, it was impossible to shorten the temperature increase time and secure the temperature uniformity at the same time.

그러나 본 발명의 실시 예에 따른 기판(10)의 불순물 제거방법에 따라 제1 챔버부(110)에서 승온과정(S110)을 통해 하나 또는 두 개의 기판(10)을 급속 열처리하여 불순물제거온도로 급속히 승온시키므로 승온시간을 단축시키며, 불순물 제거온도에 도달된 다수의 기판(10)을 제2 챔버부(120)에서 유지과정(S130)을 통해 불순물 제거온도를 유지시키므로 온도균일도가 확보되며, 기판(10)의 불순물 제거가 진행되는 동안 기판(10)에 공급되는 전체적인 열의 양이 증가되므로 불순물의 제거효율도 향상된다. However, according to the method for removing impurities from the substrate 10 according to the embodiment of the present invention, one or two substrates 10 are rapidly heat-treated in the first chamber unit 110 through a temperature raising process ( S110 ) to rapidly reach the impurity removal temperature. By increasing the temperature, the temperature increase time is shortened, and since the impurity removal temperature is maintained through the holding process (S130) of the plurality of substrates 10 that have reached the impurity removal temperature in the second chamber part 120, temperature uniformity is ensured, and the substrate ( While the impurity removal of 10) is in progress, the total amount of heat supplied to the substrate 10 is increased, so that the impurity removal efficiency is also improved.

기판(10)의 승온시간이 단축됨에 따라 불순물 제거온도에서 유지되는 시간을 증가시킬 수 있으며, 불순물 예를 들어 수분의 제거 효율이 향상된다. 탈수분 효율의 향상으로 인하여 종래의 공정소요시간을 단축시킬 수 있으므로 생산성이 향상된다. As the temperature increase time of the substrate 10 is shortened, the time maintained at the impurity removal temperature can be increased, and the removal efficiency of impurities, for example, moisture, is improved. Due to the improvement of the dehydration efficiency, the time required for the conventional process can be shortened, and thus the productivity is improved.

종래의 기술에 따라 하나의 단일챔버 내에서 온도를 천천히 승온시키고 불순물 제거온도인 섭씨 110도에서 불순물을 제거 시킨 후 물의 분압은 2.3E-09 Torr로 나타났으나, 본 발명의 실시 예에 따른 기판의 불순물 제거방법에 의해 기판의 불순물을 제거시킨 후 물의 분압은 7.1E-10 Torr로 나타났다. 즉, 불순물의 물의 분압이 70% 이상 경감되는 효과가 있음을 확인할 수 있다. According to the prior art, after slowly raising the temperature in one single chamber and removing impurities at 110 degrees Celsius, the impurity removal temperature, the partial pressure of water was 2.3E-09 Torr, but the substrate according to the embodiment of the present invention After removing impurities from the substrate by the impurity removal method, the partial pressure of water was 7.1E-10 Torr. That is, it can be confirmed that there is an effect of reducing the partial pressure of water as an impurity by 70% or more.

이와 같이 기판에 대하여 급속 열처리하여 승온시간을 단축시키고 불순물의 제거온도를 유지시킴으로써 불순물 제거 효율을 대폭 증가시킬 수 있다.As described above, the rapid heat treatment of the substrate shortens the temperature increase time and maintains the removal temperature of the impurities, thereby greatly increasing the impurity removal efficiency.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명의 실시 예에 따른 기판의 불순물 제거방법 및 기판처리장치에 따르면, 기판(10)을 급속 열처리하여 불순물제거온도로 급속히 승온시키므로 승온시간을 단축시키며, 불순물 제거온도에 도달된 다수의 기판(10)을 제2 챔버부(120)에서 유지과정(S130)을 통해 불순물 제거온도를 유지시키므로 온도균일도가 확보되며, 기판(10)의 불순물 제거가 진행되는 동안 기판(10)에 공급되는 전체적인 열의 양이 증가되므로 불순물의 제거효율도 향상된다는 장점이 있다. As described above, according to the method and apparatus for removing impurities from a substrate according to an embodiment of the present invention, the substrate 10 is rapidly heat-treated to rapidly increase the temperature to the impurity removal temperature, thereby shortening the temperature increase time and reaching the impurity removal temperature. By maintaining the impurity removal temperature of the plurality of substrates 10 in the second chamber unit 120 through the holding process ( S130 ), temperature uniformity is secured, and while the impurity removal of the substrate 10 is in progress, the substrate 10 . Since the total amount of heat supplied to the device is increased, the removal efficiency of impurities is improved.

기판(10)을 급속히 승온을 시키는 과정에서 기판(10)의 영역별로 온도차이가 발생되지 않도록 광에너지 조사영역별로 조사되는 광에너지의 양을 조절하므로 급속 열처리를 시키는 과정에서도 기판(10)의 온도균일도가 확보되므로 온도불균일에 따른 불량발생을 억제시킬 수 있다.In the process of rapidly increasing the temperature of the substrate 10, the amount of light energy irradiated for each light energy irradiation area is adjusted so that a temperature difference does not occur for each area of the substrate 10, so the temperature of the substrate 10 even in the process of rapid heat treatment Since uniformity is ensured, it is possible to suppress the occurrence of defects due to temperature unevenness.

기판의 승온시간이 단축됨에 따라 불순물 제거온도에서 유지되는 시간을 증가시킬 수 있으며, 불순물 예를 들어 수분의 제거 효율이 향상된다. 탈수분 효율의 향상으로 인하여 종래의 공정소요시간을 단축시킬 수 있으므로 생산성이 향상된다는 장점이 있다. As the temperature increase time of the substrate is shortened, the time maintained at the impurity removal temperature can be increased, and the removal efficiency of impurities, for example, moisture, is improved. Due to the improvement of the dehydration efficiency, it is possible to shorten the time required for the conventional process, so there is an advantage in that the productivity is improved.

이와 같이, 기판에 포함된 불순물의 제거공정에 소요되는 시간을 단축되고, 기판에 포함된 불순물의 제거효율을 향상되며 나아가 생산성이 향상된다. In this way, the time required for the process of removing the impurities contained in the substrate is shortened, the removal efficiency of the impurities contained in the substrate is improved, and furthermore, the productivity is improved.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다. Although preferred embodiments of the present invention have been illustrated and described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and common knowledge in the field to which the present invention pertains without departing from the gist of the present invention as claimed in the claims Those having the above will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Accordingly, the technical protection scope of the present invention should be defined by the following claims.

10 : 기판 21 : 제1 광에너지 조사영역
22 : 제2 광에너지 조사영역 23 : 제3 광에너지 조사영역
110 : 제1 챔버부 120 : 제2 챔버부
130 : 이송부 200 : 램프
300 : 핫플레이트10: substrate 21: first light energy irradiation area
22: second light energy irradiation area 23: third light energy irradiation area
110: first chamber part 120: second chamber part
130: transfer unit 200: ramp
300: hot plate

Claims (17)

제1 챔버부 내에 제공된 기판을 불순물 제거온도로 승온시키는 승온과정;
상기 기판을 상기 제1 챔버부에서 제2 챔버부로 이송시키는 이송과정; 및
상기 제2 챔버부 내에 이송된 상기 기판을 상기 불순물 제거온도에서 유지시키는 유지과정; 을 포함하는 기판의 불순물 제거방법.
a temperature raising process of raising the temperature of the substrate provided in the first chamber unit to an impurity removal temperature;
a transfer process of transferring the substrate from the first chamber unit to the second chamber unit; and
a holding process of maintaining the substrate transferred into the second chamber unit at the impurity removal temperature; A method of removing impurities from a substrate comprising a.
 제 1항에 있어서,
상기 승온과정에서,
상기 기판에 대하여 급속 열처리시키는 기판의 불순물 제거방법.
The method of claim 1,
In the process of raising the temperature,
A method of removing impurities from a substrate in which the substrate is subjected to rapid heat treatment.
 제 2항에 있어서,
상기 승온과정에서,
램프로부터 방사되는 광에너지를 적어도 상기 기판의 일 평면에 조사하여 승온시키는 기판의 불순물 제거방법.
3. The method of claim 2,
In the process of raising the temperature,
A method of removing impurities from a substrate by irradiating at least one plane of the substrate with light energy emitted from a lamp to increase the temperature.
 제 3항에 있어서,
상기 기판의 평면 상에 설정되는 둘 이상의 광에너지 조사영역 중 적어도 어느 하나의 상기 광에너지 조사영역에 대하여 상기 광에너지의 양을 달리하여 조사시키는 기판의 불순물 제거방법.
4. The method of claim 3,
A method of removing impurities from a substrate by irradiating at least one light energy irradiation area of two or more light energy irradiation areas set on a plane of the substrate by varying the amount of light energy.
 제 4항에 있어서,
둘 이상의 상기 광에너지 조사영역 각각에서의 온도를 동등하게 승온시키는 기판의 불순물 제거방법.
5. The method of claim 4,
A method of removing impurities from a substrate by equally raising the temperature in each of the two or more light energy irradiation regions.
 제 1항에 있어서,
상기 유지과정에서,
핫플레이트의 열을 상기 기판에 공급하여 상기 불순물 제거온도를 유지시키는 기판의 불순물 제거방법.
The method of claim 1,
In the maintenance process,
A method of removing impurities from a substrate by supplying heat from a hot plate to the substrate to maintain the impurity removal temperature.
 제 6항에 있어서,
상기 유지과정에서,
서로에 대하여 이격되어 다층구조를 이루고 있는 다수개의 상기 핫플레이트의 사이에 상기 기판을 적재시키는 기판의 불순물 제거방법.
7. The method of claim 6,
In the maintenance process,
A method of removing impurities from a substrate in which the substrate is placed between a plurality of the hot plates spaced apart from each other to form a multi-layer structure.
 제 7항에 있어서,
상기 핫플레이트에 대하여 상기 기판이 이격되는 상태로 상기 기판을 적재시키는 기판의 불순물 제거방법.
8. The method of claim 7,
A method of removing impurities from a substrate in which the substrate is loaded in a state in which the substrate is spaced apart from the hot plate.
 제 1항에 있어서,
상기 승온과정은 상기 유지과정의 진행시간에 비하여 절반 이하의 시간동안 진행되는 기판의 불순물 제거방법.
The method of claim 1,
The method for removing impurities from the substrate is that the temperature raising process is performed for less than half of the duration of the maintaining process.
 기판이 배치되는 공간을 제공하는 제1 챔버부;
상기 제1 챔버부에 배치되고, 상기 기판을 불순물 제거온도로 승온시키는 제1 가열부;
상기 불순물 제거온도로 승온된 상기 기판이 인입되어 배치되는 공간을 제공하는 제2 챔버부; 및
상기 제2 챔버부에 배치되고, 상기 기판을 상기 불순물 제거온도로 유지시키는 제2 가열부;를 포함하는 기판처리장치.
a first chamber unit providing a space in which a substrate is disposed;
a first heating unit disposed in the first chamber unit and configured to raise the temperature of the substrate to an impurity removal temperature;
a second chamber unit providing a space in which the substrate heated to the impurity removal temperature is introduced and disposed; and
and a second heating unit disposed in the second chamber unit and configured to maintain the substrate at the impurity removal temperature.
 제 10항에 있어서,
상기 제1 가열부는,
상기 기판의 일 평면에 광에너지를 조사하여 급속 열처리시켜주는 램프를 포함하는 기판처리장치.
11. The method of claim 10,
The first heating unit,
and a lamp for rapid heat treatment by irradiating light energy on one plane of the substrate.
 제 11항에 있어서,
다수개의 상기 램프는,
상기 기판의 평면 상에 설정되는 둘 이상의 광에너지 조사영역 중 적어도 어느 하나의 상기 광에너지 조사영역에 대하여 상기 광에너지의 양을 달리하여 조사하는 기판처리장치.
12. The method of claim 11,
A plurality of the lamps,
A substrate processing apparatus for irradiating at least one light energy irradiation area of two or more light energy irradiation areas set on the plane of the substrate by varying the amount of light energy.
 제 12항에 있어서,
상호간에 이격되어 배치된 다수개의 상기 램프 각각은,
각기 대응되는 상기 광에너지 조사영역으로 상기 광에너지를 조사하여 둘 이상의 상기 광에너지 조사영역 각각에서의 온도를 동등하게 승온시키는 기판처리장치.
13. The method of claim 12,
Each of the plurality of lamps disposed spaced apart from each other,
A substrate processing apparatus for equally increasing the temperature in each of the two or more light energy irradiation areas by irradiating the light energy to the corresponding light energy irradiation areas.
 제 10항에 있어서,
상기 제2 가열부는,
상기 기판의 불순물 제거온도를 유지시켜주는 핫플레이트를 포함하는 기판처리장치.
11. The method of claim 10,
The second heating unit,
and a hot plate for maintaining an impurity removal temperature of the substrate.
 제 14항에 있어서,
다수개의 상기 핫플레이트는 서로에 대하여 이격된 다층구조를 이루고 있는 기판처리장치.
15. The method of claim 14,
A substrate processing apparatus in which a plurality of the hot plates form a multi-layer structure spaced apart from each other.
 제 15항에 있어서,
서로에 대하여 이웃하는 상기 핫플레이트의 사이에 상기 기판이 상기 핫플레이트에 이격되어 배치되는 기판처리장치.
16. The method of claim 15,
A substrate processing apparatus in which the substrates are disposed to be spaced apart from each other between the hot plates adjacent to each other.
 제 10항에 있어서,
상기 제1 챔버부와 상기 제2 챔버부 사이에 배치되고, 상기 기판의 이송을 중개하는 이송부;를 더 포함하는 기판처리장치.
11. The method of claim 10,
and a transfer unit disposed between the first chamber unit and the second chamber unit, the transfer unit facilitating transfer of the substrate.
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