KR20220016623A - Communication module - Google Patents

Communication module Download PDF

Info

Publication number
KR20220016623A
KR20220016623A KR1020200096752A KR20200096752A KR20220016623A KR 20220016623 A KR20220016623 A KR 20220016623A KR 1020200096752 A KR1020200096752 A KR 1020200096752A KR 20200096752 A KR20200096752 A KR 20200096752A KR 20220016623 A KR20220016623 A KR 20220016623A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
communication module
molding part
ground
integrated circuit
Prior art date
Application number
KR1020200096752A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
신원철
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020200096752A priority Critical patent/KR20220016623A/en
Publication of KR20220016623A publication Critical patent/KR20220016623A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3135Double encapsulation or coating and encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H01L23/485Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/528Geometry or layout of the interconnection structure
    • H01L23/5286Arrangements of power or ground buses
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0007Casings
    • H05K9/002Casings with localised screening
    • H05K9/0022Casings with localised screening of components mounted on printed circuit boards [PCB]
    • H05K9/0024Shield cases mounted on a PCB, e.g. cans or caps or conformal shields
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0007Casings
    • H05K9/002Casings with localised screening
    • H05K9/0022Casings with localised screening of components mounted on printed circuit boards [PCB]
    • H05K9/0024Shield cases mounted on a PCB, e.g. cans or caps or conformal shields
    • H05K9/0031Shield cases mounted on a PCB, e.g. cans or caps or conformal shields combining different shielding materials
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0007Casings
    • H05K9/002Casings with localised screening
    • H05K9/0039Galvanic coupling of ground layer on printed circuit board [PCB] to conductive casing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

According to an embodiment, provided is a communication module which comprises: a second substrate; a first integrated circuit disposed on an upper surface of the second substrate; and a first molding part prepared to surround the upper surface and a side surface of the second substrate to embed the first integrated circuit. A ground inside the second substrate protrudes from the outside of the second substrate and contacts the first molding part.

Description

통신 모듈{COMMUNICATION MODULE}Communication module {COMMUNICATION MODULE}

본 발명의 일실시예는 통신 모듈에 관한 것으로, 구체적으로는 랜드 그리드 배열(land grid array, LGA) 타입의 통신 모듈에 관한 것이다.An embodiment of the present invention relates to a communication module, and more particularly, to a land grid array (LGA) type communication module.

스마트폰에는 무선통신을 위한 여러 종류의 반도체칩이 사용된다. LTE 등의 통신이거나 블루투스 통신이거나 와이파이 통신 등의 여러종류의 무선통신을 위한 칩이 사용된다. 이러한 무선통신용 칩은 스마트폰 내에서 전자파를 많이 발생시키며, 전자파는 인체에 해로울 뿐만 아니라 스마트폰 내의 다른 반도체칩의 동작에도 영향을 미칠 수 있다.Various types of semiconductor chips for wireless communication are used in smartphones. A chip for various types of wireless communication such as LTE communication, Bluetooth communication, or Wi-Fi communication is used. This wireless communication chip generates a lot of electromagnetic waves in the smartphone, and the electromagnetic waves are not only harmful to the human body, but may also affect the operation of other semiconductor chips in the smartphone.

종래에는 전자파를 많이 발생시키는 반도체칩의 전자파를 차폐하기 위해서 금속덮개를 많이 사용하였으나, 스마트폰이 얇아지고 칩의 종류가 많아지면서 반도체칩간의 거리가 가까워져서 전자파차폐도 더 얇게 형성하는 기술이 필요하게 되었다.Conventionally, many metal covers have been used to shield the electromagnetic waves of semiconductor chips that generate a lot of electromagnetic waves. did it

최근에는 반도체 패키지에 직접 구리나 니켈같은 금속을 코팅하는 기술을 사용하고 있다. 반도체 패키지에 직접 EMI 차폐코팅을 위해서 종래에 사용되는 방법은 스퍼터링으로 금속을 코팅하는 것이며, 가장 많이 사용되는 금속은 구리이다.Recently, a technology of directly coating a semiconductor package with a metal such as copper or nickel is used. For direct EMI shielding coating on a semiconductor package, a conventionally used method is to coat a metal by sputtering, and the most used metal is copper.

이러한 방식은 반도체 패키지의 EMC(Epoxy Mold Compound) 소재로 된 패키지의 상면과 측면을 스퍼터링(Sputtering) 공법으로 구리를 코팅하는 것이다. 그러나, 스퍼터링의 문제점은 측면코팅이 어려우며, 코팅 속도가 느리며, 장치가격이 비싸다는 단점이 있다.In this method, copper is coated on the top and side surfaces of the package made of the EMC (Epoxy Mold Compound) material of the semiconductor package by a sputtering method. However, the problem of sputtering is that side coating is difficult, the coating speed is slow, and the device price is expensive.

또한, 쉴드 캔 보드(Shield Can Board)에 조립하는 형태로 차폐 강화가 요구 될 경우 구조 변화에 한계가 있으며, 차폐 강화를 위해 쉴드 캔을 2중으로 조립함으로써 공정이 복잡해지고 제품 두께가 상승하게 된다.In addition, when shielding reinforcement is required in the form of assembling on a shield can board, there is a limit to the structural change, and by assembling the shield can in double to strengthen the shield, the process becomes complicated and the product thickness increases.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 제조 공정이 단순화 된 통신 모듈을 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a communication module in which a manufacturing process is simplified.

또한, 전자파 차페 능력이 강화된 통신 모듈을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a communication module with enhanced electromagnetic shielding capability.

또한, 전체 사이즈가 감소된 통신 모듈을 제공하는데 있다.In addition, it is to provide a communication module with a reduced overall size.

실시예에 따르면, 제2기판; 상기 제2기판의 상면에 배치되는 제1집적 회로; 및 상기 제2기판의 상면 및 측면을 둘러싸도록 마련되어 상기 제1집적 회로를 매립하는 제1몰딩부를 포함하며, 상기 제2기판 내부의 그라운드는 상기 제2기판 외부로 돌출되어 상기 몰딩부와 접촉하는 통신 모듈을 제공한다.According to an embodiment, a second substrate; a first integrated circuit disposed on an upper surface of the second substrate; and a first molding part provided to surround an upper surface and a side surface of the second substrate and embedding the first integrated circuit, wherein a ground inside the second substrate protrudes to the outside of the second substrate and comes into contact with the molding part Provides communication module.

상기 제1몰딩부는 전자파 차폐 물질을 포함할 수 있다.The first molding part may include an electromagnetic wave shielding material.

상기 제2기판 내부의 그라운드는 상기 제2기판의 측면으로 돌출되어 상기 제1몰딩부와 접촉할 수 있다.A ground inside the second substrate may protrude from a side surface of the second substrate and contact the first molding part.

상기 복수개의 전선은 상기 몰딩부의 전자파 차폐 물질과 접촉하여 쇼트(short)될 수 있다.The plurality of wires may be shorted in contact with the electromagnetic wave shielding material of the molding part.

상기 제2기판의 하부에 배치되는 패드부를 더 포함하며, 상기 패드부는 상기 제2기판의 가장자리로부터 적어도 수십 μm만큼 내측인 영역에 배치될 수 있다.The display device may further include a pad portion disposed under the second substrate, wherein the pad portion may be disposed in an inner region by at least several tens of μm from an edge of the second substrate.

상기 제2기판은 상기 그라운드, 상기 그라운드 상에 배치된 절연층 및 상기 절연층 상에 배치되는 금속층을 포함하며, 상기 제1몰딩부는 상기 제2기판의 측면으로 돌출되는 상기 그라운드의 표면 전체를 감싸도록 마련될 수 있다.The second substrate includes the ground, an insulating layer disposed on the ground, and a metal layer disposed on the insulating layer, and the first molding part surrounds the entire surface of the ground protruding from the side surface of the second substrate. catalog may be prepared.

상기 제2기판의 상부면을 덮는 쉴드부를 더 포함할 수 있다.The second substrate may further include a shield covering the upper surface.

상기 제2기판의 하면에 배치되는 제2집적 회로 및 상기 제2기판의 하면을 둘러싸도록 마련되어 상기 제2집적 회로를 매립하는 제2몰딩부를 더 포함할 수 있다.A second integrated circuit disposed on a lower surface of the second substrate and a second molding unit provided to surround the lower surface of the second substrate and embedding the second integrated circuit may be further included.

상기 제2몰딩부는 상기 제1몰딩부와 상이한 물질로 구성될 수 있다.The second molding part may be made of a material different from that of the first molding part.

본 발명인 통신 모듈은 제조 공정을 단순화 할 수 있다.The communication module of the present invention can simplify the manufacturing process.

또한, 전자파 차페 능력을 향상시킬 수 있다.In addition, it is possible to improve the electromagnetic wave shielding ability.

또한, 전체 사이즈를 감소시킬 수 있다.Also, it is possible to reduce the overall size.

도1은 실시예에 따른 통신 모듈의 단면도이다.
도2 는 실시예에 따른 통신 모듈의 부분 확대도이다.
도3은 실시예에 따른 통신 모듈의 사시도이다.
도4는 실시예에 따른 제2기판의 단면도이다.
도5는 실시예에 따른 그라운드와 몰딩부의 쇼트 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도6은 실시예에 따른 패드부의 배치 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도7은 다른 실시예에 따른 통신 모듈의 단면도이다.
1 is a cross-sectional view of a communication module according to an embodiment.
2 is a partially enlarged view of a communication module according to an embodiment.
3 is a perspective view of a communication module according to an embodiment;
4 is a cross-sectional view of a second substrate according to the embodiment.
5 is a view for explaining a structure of a short circuit between a ground and a molding part according to an embodiment.
6 is a view for explaining an arrangement structure of a pad part according to an embodiment.
7 is a cross-sectional view of a communication module according to another embodiment.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

다만, 본 발명의 기술 사상은 설명되는 일부 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있고, 본 발명의 기술 사상 범위 내에서라면, 실시 예들간 그 구성 요소들 중 하나 이상을 선택적으로 결합, 치환하여 사용할 수 있다.However, the technical spirit of the present invention is not limited to some of the described embodiments, but may be implemented in various different forms, and within the scope of the technical spirit of the present invention, one or more of the components may be selected between the embodiments. It can be used by combining or substituted with .

또한, 본 발명의 실시예에서 사용되는 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는, 명백하게 특별히 정의되어 기술되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일반적으로 이해될 수 있는 의미로 해석될 수 있으며, 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥상의 의미를 고려하여 그 의미를 해석할 수 있을 것이다.In addition, terms (including technical and scientific terms) used in the embodiments of the present invention may be generally understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs, unless specifically defined and described explicitly. It may be interpreted as a meaning, and generally used terms such as terms defined in advance may be interpreted in consideration of the contextual meaning of the related art.

또한, 본 발명의 실시예에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다.In addition, the terminology used in the embodiments of the present invention is for describing the embodiments and is not intended to limit the present invention.

본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함할 수 있고, "A 및(와) B, C 중 적어도 하나(또는 한 개 이상)"로 기재되는 경우 A, B, C로 조합할 수 있는 모든 조합 중 하나 이상을 포함할 수 있다.In the present specification, the singular form may also include the plural form unless otherwise specified in the phrase, and when it is described as "at least one (or more than one) of A and (and) B, C", it is combined as A, B, C It may include one or more of all possible combinations.

또한, 본 발명의 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다.In addition, in describing the components of the embodiment of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), (b), etc. may be used.

이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등으로 한정되지 않는다.These terms are only for distinguishing the component from other components, and are not limited to the essence, order, or order of the component by the term.

그리고, 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 '연결', '결합' 또는 '접속'된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결, 결합 또는 접속되는 경우뿐만 아니라, 그 구성 요소와 그 다른 구성 요소 사이에 있는 또 다른 구성 요소로 인해 '연결', '결합' 또는 '접속' 되는 경우도 포함할 수 있다.And, when it is described that a component is 'connected', 'coupled' or 'connected' to another component, the component is not only directly connected, coupled or connected to the other component, but also with the component It may also include a case of 'connected', 'coupled' or 'connected' due to another element between the other elements.

또한, 각 구성 요소의 "상(위) 또는 하(아래)"에 형성 또는 배치되는 것으로 기재되는 경우, 상(위) 또는 하(아래)는 두 개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되는 경우뿐만 아니라 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 형성 또는 배치되는 경우도 포함한다. 또한, "상(위) 또는 하(아래)"으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In addition, when it is described as being formed or disposed on "above (above) or under (below)" of each component, the top (above) or bottom (below) is one as well as when two components are in direct contact with each other. Also includes a case in which another component as described above is formed or disposed between two components. In addition, when expressed as "upper (upper) or lower (lower)", the meaning of not only an upper direction but also a lower direction based on one component may be included.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, the embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the same or corresponding components are assigned the same reference numerals regardless of reference numerals, and redundant description thereof will be omitted.

도1은 실시예에 따른 통신 모듈의 단면도이고, 도2는 실시예에 따른 통신 모듈의 부분 확대도이고, 도3은 실시예에 따른 통신 모듈의 사시도이다.Fig. 1 is a cross-sectional view of a communication module according to an embodiment, Fig. 2 is a partially enlarged view of the communication module according to the embodiment, and Fig. 3 is a perspective view of the communication module according to the embodiment.

도1 내지 도3을 참조하면, 실시예에 따른 통신 모듈(100)은 제1 기판(10) 상면에 배치될 수 있다. 통신 모듈(100)은 제2기판(20), 몰딩부(30), 집적 회로(40), 수동 소자(50), 패드부(60) 및 쉴드부(70)를 포함할 수 있다.1 to 3 , the communication module 100 according to the embodiment may be disposed on the upper surface of the first substrate 10 . The communication module 100 may include a second substrate 20 , a molding unit 30 , an integrated circuit 40 , a passive element 50 , a pad unit 60 , and a shield unit 70 .

제1기판(10)은 인쇄 회로 기판으로 구성될 수 있다. 제1 기판(10)은 평판 형상으로 구현될 수 있으며, 예를 들면 사각판 형상으로 구현될 수 있다. 제1기판(10)은 메인 보드(main board)와 혼용될 수 있다. 메인 보드는 TCU(telecommunication control unit)에 포함되는 인쇄 회로 기판일 수 있다.The first substrate 10 may be configured as a printed circuit board. The first substrate 10 may be implemented in a flat plate shape, for example, in a square plate shape. The first substrate 10 may be mixed with a main board. The main board may be a printed circuit board included in a telecommunication control unit (TCU).

제1기판(10)의 상부에는 수동 소자(50)와 제2기판(20)이 배치될 수 있다.The passive element 50 and the second substrate 20 may be disposed on the first substrate 10 .

제2기판(20)은 제1기판(10)의 상면에 배치될 수 있다. 제2기판(20)은 인쇄 회로 기판으로 구성될 수 있다. 제2 기판(20)은 평판 형상으로 구현될 수 있으며, 예를 들면 사각판 형상으로 구현될 수 있다.The second substrate 20 may be disposed on the upper surface of the first substrate 10 . The second substrate 20 may be configured as a printed circuit board. The second substrate 20 may be implemented in a flat plate shape, for example, in a square plate shape.

집적 회로(40)는 제2기판(20) 상면에 배치될 수 있다. 집적 회로(40)는 무선 통신 기능을 수행하는 무선 통신 칩일 수 있다. 집적 회로(40)는 중앙 처리 장치(CPU)를 포함할 수 있다. 집적 회로(40)는 블루투스, 와이파이, 셀룰러 모뎀 등의 통신 기능을 지원하는 칩으로 구성될 수 있다. The integrated circuit 40 may be disposed on the upper surface of the second substrate 20 . The integrated circuit 40 may be a wireless communication chip that performs a wireless communication function. The integrated circuit 40 may include a central processing unit (CPU). The integrated circuit 40 may be configured as a chip supporting communication functions such as Bluetooth, Wi-Fi, and a cellular modem.

몰딩부(30)는 제2기판(20)의 상면 및 측면을 둘러싸도록 마련되어 집적 회로(40)를 매립할 수 있다. 몰딩부(30)는 제2 기판(20)에 실장된 집적 회로(40)를 외부로부터 격리하여 보호하기 위한 것으로, 제2기판(20)의 집적 회로(40) 탑재면 전면과 양측면을 덮을 수 있다.The molding part 30 may be provided to surround the top and side surfaces of the second substrate 20 to embed the integrated circuit 40 . The molding part 30 is to isolate and protect the integrated circuit 40 mounted on the second substrate 20 from the outside, and can cover the front and both sides of the integrated circuit 40 mounting surface of the second substrate 20 . have.

몰딩부(30)는 에폭시 몰딩 컴파운드와 같은 절연성 폴리머를 포함할 수 있다.The molding part 30 may include an insulating polymer such as an epoxy molding compound.

또한, 몰딩부(30)는 전자파 차폐 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 전자파 차폐 물질은 금속 물질에 자성 물질이 분산된 형태로 구성될 수 있다. 이러한 전자파 차폐 물질은 몰딩부(30)를 구성하는 절연성 폴리머에 분산되어 몰딩부(30)를 구성할 수 있다.Also, the molding part 30 may include an electromagnetic wave shielding material. For example, the electromagnetic wave shielding material may be configured in a form in which a magnetic material is dispersed in a metal material. The electromagnetic wave shielding material may be dispersed in the insulating polymer constituting the molding unit 30 to form the molding unit 30 .

제2기판(20) 내부의 그라운드(21)은 제2기판(20) 외부로 돌출되어 몰딩부(30)와 접촉할 수 있다. 그라운드(21)의 돌출된 전선의 길이는 제2기판(20) 측면을 둘러싸는 몰딩부(30)의 두께보다는 작을 수 있다. 따라서, 그라운드(21)은 몰딩부(30) 외부로는 노출되지 않을 수 있다. 제2기판(20) 내부의 그라운드(21)은 구리를 포함할 수 있다. 그라운드(21)은 제2기판(20) 내부에서 격자 구조로 배치되어 있는 복수개의 전선을 포함할 수 있다. 제2기판(20) 내부의 그라운드(21)은 복수개의 전선이 제2기판(20)의 측면으로 각각 돌출되어 몰딩부(30)와 접촉할 수 있다. 복수개의 전선은 몰딩부(30)의 전자파 차폐 물질과 접촉하여 쇼트(short)될 수 있다.The ground 21 inside the second substrate 20 may protrude to the outside of the second substrate 20 to contact the molding part 30 . The length of the electric wire protruding from the ground 21 may be smaller than the thickness of the molding part 30 surrounding the side surface of the second substrate 20 . Accordingly, the ground 21 may not be exposed to the outside of the molding part 30 . The ground 21 inside the second substrate 20 may include copper. The ground 21 may include a plurality of wires arranged in a grid structure inside the second substrate 20 . In the ground 21 inside the second substrate 20 , a plurality of wires may respectively protrude from the side surface of the second substrate 20 to contact the molding unit 30 . The plurality of wires may be shorted by contacting the electromagnetic wave shielding material of the molding part 30 .

실시예에서, 제2기판(20)과 제2기판(20)에 배치되는 전자 부품들은 몰딩부(30)에 의하여 패키지 형태로 제작되어 제1기판(10)에 조립될 수 있다. 이러한 방식은 기존 모듈 제작시 적용되던 표면 실장 기술(SMT(Surface Mounter Technology) 방식으로 실장되어 언더필(under fill) 되던 방식과 비교하여, 집적 회로 및 주변 회로를 몰딩 패키지로 제조하여 기판에 조립하는 구조로써, 기존 언더필 공정이 생략 가능하다는 기술적 효과가 있다. 또한, 통신 모듈(100)에 실장되는 부품간의 하모닉 특성이 안정화 될 수 있다.In an embodiment, the second substrate 20 and the electronic components disposed on the second substrate 20 may be manufactured in the form of a package by the molding unit 30 and assembled on the first substrate 10 . This method is a structure in which integrated circuits and peripheral circuits are manufactured as a molding package and assembled on a substrate compared to the method that was mounted and underfilled using the SMT (Surface Mounter Technology) method applied to the existing module manufacturing. Accordingly, there is a technical effect that the existing underfill process can be omitted, and harmonic characteristics between components mounted on the communication module 100 can be stabilized.

도4는 실시예에 따른 제2기판의 단면도이다. 도4를 참조하면, 제2기판(20)은 그라운드(21), 그라운드(21) 상에 배치된 절연층(22), 그리고 절연층(22) 상에 배치된 금속층(23)을 포함할 수 있다.4 is a cross-sectional view of a second substrate according to the embodiment. Referring to FIG. 4 , the second substrate 20 may include a ground 21 , an insulating layer 22 disposed on the ground 21 , and a metal layer 23 disposed on the insulating layer 22 . have.

그라운드(21) 및 금속층(23)은, 예를 들어 구리(Cu) 및 니켈(Ni) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이로 제한되는 것은 아니며 전도성을 가지는 다양한 종류의 금속을 포함할 수 있다. 그리고, 금속층(23)은 회로패턴일 수 있다.The ground 21 and the metal layer 23 may include, for example, at least one of copper (Cu) and nickel (Ni), but are not limited thereto, and may include various types of metals having conductivity. In addition, the metal layer 23 may be a circuit pattern.

절연층(22)은 수지 및 무기충전재를 포함하는 수지 조성물을 포함할 수 있다. 수지는, 예를 들어 에폭시 화합물 및 경화제를 포함할 수 있다. 여기서, 에폭시 화합물은 결정성 에폭시 화합물, 비결정성 에폭시 화합물 및 실리콘 에폭시 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 무기충전재는, 산화알루미늄, 질화붕소, 질화알루미늄 등 절연층에 열전도성을 부여하기 위한 다양한 재료 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The insulating layer 22 may include a resin composition including a resin and an inorganic filler. The resin may include, for example, an epoxy compound and a curing agent. Here, the epoxy compound may include at least one of a crystalline epoxy compound, an amorphous epoxy compound, and a silicone epoxy compound. The inorganic filler may include at least one of various materials for imparting thermal conductivity to the insulating layer, such as aluminum oxide, boron nitride, and aluminum nitride.

제2기판(20)에는 복수의 인_아웃 핀 및 복수의 그라운드 핀이 형성될 수 있으며, 각 핀이 형성되는 영역은 제1기판과 제2기판 사이가 솔더 패드에 의하여 접합될 수 있다.A plurality of in_out pins and a plurality of ground pins may be formed on the second substrate 20 , and a region in which each pin is formed may be bonded between the first substrate and the second substrate by a solder pad.

몰딩부(30)는 제2기판(20)의 그라운드(21), 절연층(22), 금속층(23)을 둘러싸도록 마련될 수 있으며, 제2기판(20)의 측면으로 돌출되는 그라운드(21)의 표면 전체를 감싸도록 마련될 수 있다.The molding part 30 may be provided to surround the ground 21 , the insulating layer 22 , and the metal layer 23 of the second substrate 20 , and the ground 21 protruding from the side surface of the second substrate 20 . ) may be provided to cover the entire surface of the

도5는 실시예에 따른 그라운드와 몰딩부의 쇼트 구조를 설명하기 위한 도면이다. 도5를 참조하면, 그라운드(21)은 제2기판(20) 내부에서 측면으로 돌출될 수 있다. 즉, 그라운드(21)을 구성하는 복수개의 전선은 제2기판(20)의 외곽선(outline)에서 외측으로 더 연장되어 형성될 수 있다. 5 is a view for explaining a short structure of a ground and a molding part according to an embodiment. Referring to FIG. 5 , the ground 21 may protrude laterally from the inside of the second substrate 20 . That is, the plurality of wires constituting the ground 21 may be formed to further extend outward from the outline of the second substrate 20 .

이에 따라 몰딩부(30)의 전자파 차폐 물질과 그라운드(21)이 쇼트되어 접지됨으로써, 외부로부터 전달되어 온 전자기파는 몰딩부(30) 및 제2기판(20)의 그라운드(21)의 쇼트 구조에 의해 차폐될 수 있다. 아울러 집적 회로(40)에 의해 발생되는 전자기파는 몰딩부(30) 및 제2기판(20)의 그라운드(21)의 쇼트 구조에 의해 접지되어 제거될 수 있다. 결과적으로, 몰딩부(30)와 제2기판(20)의 그라운드(21)의 쇼트 구조로 인해 집적 회로(40)는 전자기파로 인한 손상 또는 장애를 받지 않을 수 있다.Accordingly, the electromagnetic wave shielding material of the molding part 30 and the ground 21 are short-circuited and grounded, so that the electromagnetic wave transmitted from the outside is in the short structure of the molding part 30 and the ground 21 of the second substrate 20. can be shielded by In addition, electromagnetic waves generated by the integrated circuit 40 may be removed by being grounded by the short structure of the molding unit 30 and the ground 21 of the second substrate 20 . As a result, due to the short structure between the molding part 30 and the ground 21 of the second substrate 20 , the integrated circuit 40 may not be damaged or damaged due to electromagnetic waves.

다시 도1 내지 도3을 참조하면, 패드부(60)는 제2기판(20)의 하부에 배치될 수 있다. 패드부(60)는 전도성 물질을 포함하며 솔더볼의 형상을 가질 수 있다. 전술한 바와 같이, 제2 기판(20)은 패키지 형태로 제조되어 제1기판(10) 에 조립될 수 있으며, 이에 따라, 제1기판(10) 및 제2기판(20)은 솔더 패드에 의하여 접합될 수 있다.Referring back to FIGS. 1 to 3 , the pad part 60 may be disposed under the second substrate 20 . The pad part 60 may include a conductive material and may have the shape of a solder ball. As described above, the second substrate 20 may be manufactured in the form of a package and assembled on the first substrate 10 . Accordingly, the first substrate 10 and the second substrate 20 are formed by solder pads. can be joined.

도6은 실시예에 따른 패드부의 배치 구조를 설명하기 위한 도면이다. 도6을 참조하면, 패드부(60)는 제2기판(20)의 가장자리로부터 일정 거리만큼 내측으로 배치될 수 있다. 예를 들면, 패드부(60)는 제2기판(20)의 가장자리로부터 적어도 수십 μm만큼 내측인 영역에 배치될 수 있다. 즉, 패드부(60)는 제2기판(20)의 하부에서 몰딩부(30)와 접촉되지 않도록, 제2기판(20)의 내측으로 일정 거리만큼 이동하여 배치될 수 있다. 여기서, 일정 거리란 패드부(60)와 몰딩부(30)의 전자파 차폐 물질간의 전기적 접촉 또는 간섭이 일어나지 않는 거리를 의미할 수 있으며, 적어도 수십 μm만큼 이격되어야 이러한 전기적 접촉 또는 간섭을 효과적으로 방지할 수 있다. 이를 통하여 몰딩부(30)의 전자파 차폐 물질과 패드부(60)간의 전기적 접촉을 방지할 수 있다.6 is a view for explaining an arrangement structure of a pad part according to an embodiment. Referring to FIG. 6 , the pad part 60 may be disposed inward by a predetermined distance from the edge of the second substrate 20 . For example, the pad part 60 may be disposed in an area inside by at least several tens of μm from the edge of the second substrate 20 . That is, the pad part 60 may be disposed to be moved to the inside of the second substrate 20 by a predetermined distance so as not to come into contact with the molding part 30 under the second substrate 20 . Here, the predetermined distance may mean a distance at which electrical contact or interference does not occur between the pad part 60 and the electromagnetic wave shielding material of the molding part 30, and must be separated by at least several tens of μm to effectively prevent such electrical contact or interference. can Through this, it is possible to prevent electrical contact between the electromagnetic wave shielding material of the molding part 30 and the pad part 60 .

다시 도1 내지 도3을 참조하면, 쉴드부(70)는 제1기판(10)의 상부면을 덮을 수 있다. 쉴드부(10)는 제2기판(20)과 집적 회로가 탑재된 제1기판(10)의 상부면 전체를 커버하도록 배치될 수 있다. 예를 들면, 쉴드부(70)는 구리 또는 실버 재질로 구성될 수 있다.Referring back to FIGS. 1 to 3 , the shield part 70 may cover the upper surface of the first substrate 10 . The shield unit 10 may be disposed to cover the entire upper surface of the second substrate 20 and the first substrate 10 on which the integrated circuit is mounted. For example, the shield 70 may be made of a copper or silver material.

도7은 다른 실시예에 따른 통신 모듈의 단면도이다.7 is a cross-sectional view of a communication module according to another embodiment.

도7을 참조하면, 실시예에 따른 통신 모듈(200)은 제1 기판(210) 상면에 배치될 수 있다. 통신 모듈(200)은 제2기판(220), 제1몰딩부(231), 제2몰딩부(232), 제1집적 회로(240), 제2집적 회로(250)패드부(260) 및 쉴드부(270)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 7 , the communication module 200 according to the embodiment may be disposed on the upper surface of the first substrate 210 . The communication module 200 includes a second substrate 220 , a first molding unit 231 , a second molding unit 232 , a first integrated circuit 240 , a second integrated circuit 250 , a pad unit 260 and A shield unit 270 may be included.

제1기판(210)은 인쇄 회로 기판으로 구성될 수 있다. 제1 기판(210)은 평판 형상으로 구현될 수 있으며, 예를 들면 사각판 형상으로 구현될 수 있다. 제1기판(210)은 메인 보드(main board)와 혼용될 수 있다. 메인 보드는 TCU(telecommunication control unit)에 포함되는 인쇄 회로 기판일 수 있다.The first substrate 210 may be configured as a printed circuit board. The first substrate 210 may be implemented in a flat plate shape, for example, in a square plate shape. The first substrate 210 may be mixed with a main board. The main board may be a printed circuit board included in a telecommunication control unit (TCU).

제1기판(210)의 상면에는 제2기판(220)이 배치될 수 있다.A second substrate 220 may be disposed on the upper surface of the first substrate 210 .

제2기판(220)은 제1기판(210)의 상면에 배치될 수 있다. 제2기판(220)은 인쇄 회로 기판으로 구성될 수 있다. 제2 기판(220)은 평판 형상으로 구현될 수 있으며, 예를 들면 사각판 형상으로 구현될 수 있다.The second substrate 220 may be disposed on the upper surface of the first substrate 210 . The second substrate 220 may be configured as a printed circuit board. The second substrate 220 may be implemented in a flat plate shape, for example, in a square plate shape.

제1집적 회로(240)는 제2기판(220)의 상면에 배치되고, 제2집적 회로(250)는 제2기판(220)의 하면에 배치될 수 있다. 제1집적 회로(240) 및 제2집적 회로(250)는 무선 통신 기능을 수행하는 무선 통신 칩일 수 있다. 제1집적 회로 및 제2집적 회로(240, 250)는 중앙 처리 장치(CPU)를 포함할 수 있다. 제1집적 회로 및 제2집적 회로(240, 250)는 블루투스, 와이파이, 셀룰러 모뎀 등의 통신 기능을 지원하는 칩으로 구성될 수 있다. 실시예에 따른 통신 모듈은 제2기판(220)의 상면과 하면에 집적 회로(240, 250)가 분산 배치됨으로써 통신 모듈(200)의 사이즈를 줄이고, 고집적화를 달성할 수 있다. 예를 들면, 제2기판의 일면에만 집적 회로가 배치되는 통신 모듈의 사이즈 14mm x 14mm와 비교하여, 제2기판의 양면에 집적 회로를 분산 배치할 경우, 통신 모듈의 사이즈는 13mm x 9.8mm로, 약 35% 감소될 수 있다.The first integrated circuit 240 may be disposed on the upper surface of the second substrate 220 , and the second integrated circuit 250 may be disposed on the lower surface of the second substrate 220 . The first integrated circuit 240 and the second integrated circuit 250 may be wireless communication chips that perform a wireless communication function. The first integrated circuit and the second integrated circuit 240 and 250 may include a central processing unit (CPU). The first and second integrated circuits 240 and 250 may be configured as chips supporting communication functions such as Bluetooth, Wi-Fi, and cellular modem. The communication module according to the embodiment can reduce the size of the communication module 200 and achieve high integration by distributing the integrated circuits 240 and 250 on the upper and lower surfaces of the second substrate 220 . For example, compared with the size of 14mm x 14mm of the communication module in which the integrated circuit is disposed only on one side of the second board, when the integrated circuit is distributed on both sides of the second board, the size of the communication module is 13mm x 9.8mm , can be reduced by about 35%.

제1몰딩부(231)는 제2기판(220)의 상면 및 측면을 둘러싸도록 마련되어 제1집적 회로(240)를 매립할 수 있다. 제1몰딩부(231)는 제2 기판(220)의 상면에 실장된 제1집적 회로(240)를 외부로부터 격리하여 보호하기 위한 것으로, 제2기판(220)의 제1집적 회로(240)의 탑재면 전면과 양측면을 덮을 수 있다.The first molding part 231 may be provided to surround the upper surface and the side surface of the second substrate 220 to embed the first integrated circuit 240 . The first molding part 231 is for isolating and protecting the first integrated circuit 240 mounted on the upper surface of the second substrate 220 from the outside,  The first integrated circuit 240 of the second substrate 220 . It can cover the front and both sides of the mounting surface of the

제1몰딩부(231)는 에폭시 몰딩 컴파운드와 같은 절연성 폴리머를 포함할 수 있다.The first molding part 231 may include an insulating polymer such as an epoxy molding compound.

또한, 제1몰딩부(231)는 전자파 차폐 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 전자파 차폐 물질은 금속 물질에 자성 물질이 분산된 형태로 구성될 수 있다. 이러한 전자파 차폐 물질은 제1몰딩부(231)를 구성하는 절연성 폴리머에 분산되어 제1몰딩부(231)를 구성할 수 있다.Also, the first molding part 231 may include an electromagnetic wave shielding material. For example, the electromagnetic wave shielding material may be configured in a form in which a magnetic material is dispersed in a metal material. The electromagnetic wave shielding material may be dispersed in the insulating polymer constituting the first molding part 231 to constitute the first molding part 231 .

제2몰딩부(232)는 제2기판(220)의 하면을 둘러싸도록 마련되어 제2집적 회로(250) 및 패드부(260)의 적어도 일부를 매립할 수 있다. 제2몰딩부(232)는 제2 기판(220)의 하면에 실장된 제2집적 회로(250)를 외부로부터 격리하여 보호하기 위한 것으로, 제2기판(220)의 제2집적 회로(250)의 탑재면 전면을 덮을 수 있다.The second molding part 232 may be provided to surround the lower surface of the second substrate 220 and may fill in at least a portion of the second integrated circuit 250 and the pad part 260 . The second molding part 232 is for isolating and protecting the second integrated circuit 250 mounted on the lower surface of the second substrate 220 from the outside,   the second integrated circuit 250 of the second substrate 220 . It can cover the front of the mounting surface of the

제2몰딩부는 제1몰딩부와 상이한 물질로 구성될 수 있다. 제2몰딩부(232)는 에폭시 몰딩 컴파운드와 같은 절연성 폴리머를 포함하여 구성될 수 있으며, 별도의 전자파 차폐 물질은 함유되지 않을 수 있다.The second molding part may be made of a material different from that of the first molding part. The second molding part 232 may include an insulating polymer such as an epoxy molding compound, and may not contain a separate electromagnetic wave shielding material.

제2기판(220) 내부의 그라운드(221)은 제2기판(220) 외부로 돌출되어 몰딩부(230)와 접촉할 수 있다. 그라운드(221)의 돌출된 전선의 길이는 제2기판(220) 측면을 둘러싸는 몰딩부(30)의 두께보다는 작을 수 있다. 따라서, 그라운드(221)은 몰딩부(230) 외부로는 노출되지 않을 수 있다. 제2기판(220) 내부의 그라운드(221)은 구리를 포함할 수 있다. 그라운드(221)은 제2기판(220) 내부에서 격자 구조로 배치되어 있는 복수개의 전선을 포함할 수 있다. 제2기판(220) 내부의 그라운드(221)은 복수개의 전선이 제2기판(220)의 측면으로 각각 돌출되어 몰딩부(230)와 접촉할 수 있다. 복수개의 전선은 몰딩부(230)의 전자파 차폐 물질과 접촉하여 쇼트(short)될 수 있다.The ground 221 inside the second substrate 220 may protrude to the outside of the second substrate 220 to contact the molding unit 230 . The length of the electric wire protruding from the ground 221 may be smaller than the thickness of the molding part 30 surrounding the side surface of the second substrate 220 . Accordingly, the ground 221 may not be exposed to the outside of the molding part 230 . The ground 221 inside the second substrate 220 may include copper. The ground 221 may include a plurality of wires disposed in a grid structure inside the second substrate 220 . The ground 221 inside the second substrate 220 may have a plurality of wires protruding from the side surface of the second substrate 220 to contact the molding unit 230 . The plurality of wires may be shorted by contacting the electromagnetic wave shielding material of the molding unit 230 .

패드부(260)는 제2기판(220)의 하부에 배치될 수 있다. 패드부(260)는 전도성 물질을 포함하며 솔더볼의 형상을 가질 수 있다. 전술한 바와 같이, 제2 기판(220)은 패키지로 제조되어 제1기판(210)에 조립될 수 있으며, 이에 따라, 제1기판(210) 및 제2기판(220)은 솔더 패드에 의하여 접합될 수 있다. 이 때, 패드부(260)의 높이는 제2기판(220) 하부에 배치된 제2집적 회로(250)의 높이보다 높게 형성되어 제2집적 회로(250)가 제1기판(210)에 접촉하는 것을 방지할 수 있다.The pad part 260 may be disposed under the second substrate 220 . The pad part 260 may include a conductive material and may have the shape of a solder ball. As described above, the second substrate 220 may be manufactured as a package and assembled on the first substrate 210 . Accordingly, the first substrate 210 and the second substrate 220 are bonded by a solder pad. can be At this time, the height of the pad part 260 is formed to be higher than the height of the second integrated circuit 250 disposed under the second substrate 220 so that the second integrated circuit 250 is in contact with the first substrate 210 . can prevent

패드부(260)는 제2기판(220)의 가장자리로부터 일정 거리만큼 내측으로 배치될 수 있다. 예를 들면, 패드부(260)는 제2기판(220)의 가장자리로부터 적어도 수십 μm만큼 내측인 영역에 배치될 수 있다. 즉, 패드부(260)는 제2기판(220)의 하부에서 제1몰딩부(231)와 접촉되지 않도록, 제2기판(220)의 내측으로 일정 거리만큼 이동하여 배치될 수 있다. 여기서, 일정 거리란 패드부(260)와 제1몰딩부(231)의 전자파 차폐 물질간의 전기적 접촉 또는 간섭이 일어나지 않는 거리를 의미할 수 있으며, 적어도 수십 μm만큼 이격되어야 이러한 전기적 접촉 또는 간섭을 효과적으로 방지할 수 있다. 이를 통하여 제1몰딩부(231)의 전자파 차폐 물질과 패드부(260)간의 전기적 접촉을 방지할 수 있다.The pad part 260 may be disposed inward by a predetermined distance from the edge of the second substrate 220 . For example, the pad part 260 may be disposed in an inner region by at least several tens of μm from the edge of the second substrate 220 . That is, the pad part 260 may be disposed to move to the inside of the second substrate 220 by a predetermined distance so as not to contact the first molding part 231 under the second substrate 220 . Here, the predetermined distance may mean a distance at which electrical contact or interference does not occur between the pad part 260 and the electromagnetic wave shielding material of the first molding part 231, and must be separated by at least several tens of μm to effectively prevent such electrical contact or interference. can be prevented Through this, electrical contact between the electromagnetic wave shielding material of the first molding part 231 and the pad part 260 may be prevented.

쉴드부(270)는 제1기판(210)의 상부면을 덮을 수 있다. 쉴드부(210)는 제2기판(220)과 집적 회로가 탑재된 제1기판(210)의 상부면 전체를 커버하도록 배치될 수 있다. 예를 들면, 쉴드부(270)는 구리 또는 실버 재질로 구성될 수 있다.The shield part 270 may cover the upper surface of the first substrate 210 . The shield unit 210 may be disposed to cover the entire upper surface of the second substrate 220 and the first substrate 210 on which the integrated circuit is mounted. For example, the shield unit 270 may be made of a copper or silver material.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. Although the above has been described with reference to the preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art can variously modify and change the present invention within the scope without departing from the spirit and scope of the present invention as described in the claims below. You will understand that it can be done.

100: 통신 모듈
10: 제1인쇄 회로 기판
20: 제2기판
30: 몰딩부
40: 집적 회로
50: 수동 소자
60: 패드부
70: 쉴드부
100: communication module
10: first printed circuit board
20: second substrate
30: molding unit
40: integrated circuit
50: passive element
60: pad part
70: shield unit

Claims (9)

제2기판;
상기 제2기판의 상면에 배치되는 제1집적 회로; 및
상기 상면 및 상기 제2기판의 측면을 둘러싸도록 마련되어 상기 제1집적 회로를 매립하는 제1몰딩부를 포함하며,
상기 제2기판 내부의 그라운드는 상기 제2기판 외부로 돌출되어 상기 제1몰딩부와 접촉하는 통신 모듈.
a second substrate;
a first integrated circuit disposed on an upper surface of the second substrate; and
a first molding part provided to surround the upper surface and a side surface of the second substrate to bury the first integrated circuit;
A communication module in which a ground inside the second substrate protrudes out of the second substrate and contacts the first molding part.
제1항에 있어서,
상기 제1몰딩부는 전자파 차폐 물질을 포함하는 통신 모듈.
According to claim 1,
The first molding part is a communication module including an electromagnetic wave shielding material.
제2항에 있어서,
상기 제2기판 내부의 그라운드는 상기 제2기판의 측면으로 돌출되어 상기 제1몰딩부와 접촉하는 통신 모듈.
3. The method of claim 2,
A ground inside the second substrate protrudes from a side surface of the second substrate to contact the first molding unit.
제3항에 있어서,
상기 그라운드는 상기 제1몰딩부의 전자파 차폐 물질과 접촉하여 쇼트(short)되는 통신 모듈.
4. The method of claim 3,
The ground is short-circuited in contact with the electromagnetic wave shielding material of the first molding part.
제1항에 있어서,
상기 제2기판의 하부에 배치되는 패드부를 더 포함하며,
상기 패드부는 상기 제2기판의 가장자리로부터 적어도 수십 μm만큼 내측인 영역에 배치되는 통신 모듈.
According to claim 1,
Further comprising a pad portion disposed under the second substrate,
The communication module is disposed in an area inside the pad part by at least several tens of μm from an edge of the second substrate.
제1항에 있어서,
상기 제2기판은 상기 그라운드, 상기 그라운드 상에 배치된 절연층 및 상기 절연층 상에 배치되는 금속층을 포함하며,
상기 제1몰딩부는 상기 제2기판의 측면으로 돌출되는 상기 그라운드의 표면 전체를 감싸도록 마련되는 통신 모듈.
According to claim 1,
The second substrate includes the ground, an insulating layer disposed on the ground, and a metal layer disposed on the insulating layer,
The first molding part is provided to surround the entire surface of the ground protruding from the side surface of the second substrate.
제1항에 있어서,
상기 제2기판의 상부면을 덮는 쉴드부를 더 포함하는 통신 모듈.
According to claim 1,
The communication module further comprising a shield portion covering the upper surface of the second substrate.
제1항에 있어서,
상기 제2기판의 하면에 배치되는 제2집적 회로 및 상기 제2기판의 하면을 둘러싸도록 마련되어 상기 제2집적 회로를 매립하는 제2몰딩부를 더 포함하는 통신 모듈.
According to claim 1,
The communication module further comprising: a second integrated circuit disposed on a lower surface of the second substrate; and a second molding unit provided to surround the lower surface of the second substrate and embedding the second integrated circuit.
제8항에 있어서,
상기 제2몰딩부는 상기 제1몰딩부와 상이한 물질로 구성되는 통신 모듈.
9. The method of claim 8,
The second molding part is a communication module composed of a material different from that of the first molding part.
KR1020200096752A 2020-08-03 2020-08-03 Communication module KR20220016623A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200096752A KR20220016623A (en) 2020-08-03 2020-08-03 Communication module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200096752A KR20220016623A (en) 2020-08-03 2020-08-03 Communication module

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220016623A true KR20220016623A (en) 2022-02-10

Family

ID=80253654

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200096752A KR20220016623A (en) 2020-08-03 2020-08-03 Communication module

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20220016623A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6667546B2 (en) Ball grid array semiconductor package and substrate without power ring or ground ring
US10062582B2 (en) Fabrication method of package having ESD and EMI preventing functions
US7261596B2 (en) Shielded semiconductor device
US8049119B2 (en) Integrated circuit package having integrated faraday shield
US8012868B1 (en) Semiconductor device having EMI shielding and method therefor
US5153379A (en) Shielded low-profile electronic component assembly
US8008753B1 (en) System and method to reduce shorting of radio frequency (RF) shielding
US8241966B2 (en) Methods of making an electronic component package and semiconductor chip packages
US20070176281A1 (en) Semiconductor package
US9362209B1 (en) Shielding technique for semiconductor package including metal lid
US20080185692A1 (en) Package-level electromagnetic interference shielding
US20060091517A1 (en) Stacked semiconductor multi-chip package
SG172670A1 (en) Integrated circuit package system forshielding electromagnetic interference
CN111244067B (en) Semiconductor package, semiconductor package with compartment-in-package shielding and method of making the same
US10923435B2 (en) Semiconductor package with in-package compartmental shielding and improved heat-dissipation performance
CN109378276B (en) Method for manufacturing electronic packaging module and electronic packaging module
US10396040B2 (en) Method for fabricating electronic package having a protruding barrier frame
US10347571B1 (en) Intra-package interference isolation
KR20110020548A (en) Semiconductor package and method for fabricating the same
US20090260872A1 (en) Module for packaging electronic components by using a cap
KR20120101965A (en) Semiconductor package and method of manufacturing the same
US20120248585A1 (en) Electromagnetic interference shielding structure for integrated circuit substrate and method for fabricating the same
KR20220016623A (en) Communication module
US20180240738A1 (en) Electronic package and fabrication method thereof
CN108807294B (en) Package structure and method for fabricating the same