KR20210079472A - Apparatus for treating substrate - Google Patents
Apparatus for treating substrate Download PDFInfo
- Publication number
- KR20210079472A KR20210079472A KR1020190171025A KR20190171025A KR20210079472A KR 20210079472 A KR20210079472 A KR 20210079472A KR 1020190171025 A KR1020190171025 A KR 1020190171025A KR 20190171025 A KR20190171025 A KR 20190171025A KR 20210079472 A KR20210079472 A KR 20210079472A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- plate
- support
- chamber
- support plate
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 기판을 가열 처리하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a substrate, and more particularly, to an apparatus for heat processing a substrate.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 기판 상에 감광액과 같은 액막을 형성하는 공정을 포함한다. In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as cleaning, deposition, photography, etching, and ion implantation are performed. Among these processes, a photographic process includes a process of forming a liquid film such as a photoresist on a substrate.
기판 상에 액막을 형성한 후에는 기판을 가열하는 베이크 공정이 진행되며, 베이크 공정은 상온에 비해 매우 높은 온도에서 진행된다. 따라서 기판이 지지되는 지지 플레이트에는 기판 가열을 위한 히터가 제공되며, 히터의 방열로 인한 주변 장치의 열 변형 등의 손상을 방지해야한다. 따라서 지지 플레이트는 지면으로부터 이격된 높이를 가지도록 위치되며, 지지 플레이트는 복수 개의 지지대에 의해 지지된다. After the liquid film is formed on the substrate, a baking process of heating the substrate is performed, and the baking process is performed at a very high temperature compared to room temperature. Therefore, a heater for heating the substrate is provided on the support plate on which the substrate is supported, and damage such as thermal deformation of peripheral devices due to heat dissipation of the heater should be prevented. Accordingly, the support plate is positioned to have a height spaced apart from the ground, and the support plate is supported by a plurality of supports.
도 1은 일반적인 지지 플레이트 및 이를 지지하는 장치를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 지지대(2)는 지지 플레이트(4) 및 히터(6)뿐만 아니라, 기판의 위치를 안내하기 위한 가이드 등 다양한 장치를 지지한다. 따라서 지지대(2)는 내열성을 가지며, 높은 강성을 가지는 재질로 제공되어야 한다. 이 경우, 지지대(2)는 전도성이 높은 금속 재질로 제공되며, 지지대(2)의 열전도로 인해 주변 장치에 고온이 전달되는 것이 차단하기 어려우며, 이는 주변 장치의 열 변형 등의 손상을 야기한다.1 is a cross-sectional view showing a general support plate and a device supporting the same. Referring to FIG. 1 , the
본 발명은 기판을 열 처리하는 과정에서 주변 장치의 열 손상을 방지할 수 있는 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide an apparatus capable of preventing thermal damage to peripheral devices in the process of thermally treating a substrate.
또한 본 발명은 기판을 열 처리하는 과정에서 주변 장치에 열전달되는 것을 최소화할 수 있는 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다. Another object of the present invention is to provide an apparatus capable of minimizing heat transfer to peripheral devices during the heat treatment of a substrate.
본 발명의 실시예는 기판을 가열 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 가열 처리하는 장치는 기판을 지지하는 지지 플레이트, 상기 지지 플레이트에 제공되며, 상기 지지 플레이트에 놓여진 기판을 가열하는 히터 유닛, 그리고 상기 히터 유닛의 방열을 차단하는 방열 차단 부재를 포함하되, 상기 방열 차단 부재는 상기 지지 플레이트를 지지한다. An embodiment of the present invention provides an apparatus for heat processing a substrate. An apparatus for heat-processing a substrate includes a support plate for supporting the substrate, a heater unit provided on the support plate to heat a substrate placed on the support plate, and a heat dissipation blocking member for blocking heat dissipation of the heater unit, wherein The heat dissipation blocking member supports the support plate.
상기 방열 차단 부재는 상기 지지 플레이트의 아래에서 상기 지지 플레이트와 마주하게 위치되는 차단판, 상기 차단판과 상기 지지 플레이트를 연결하는 상부 지지 부재, 상기 차단판을 지지하는 하부 지지 부재를 포함한다. The heat dissipation blocking member includes a blocking plate positioned to face the supporting plate under the supporting plate, an upper supporting member connecting the blocking plate and the supporting plate, and a lower supporting member supporting the blocking plate.
상기 상부 지지 부재는 복수 개의 상부 지지대를 포함하고, 상기 하부 지지 부재는 복수 개의 하부 지지대를 포함하되, 상부에서 바라볼 때 상기 상부 지지대와 상기 하부 지지대는 서로 이격되게 위치될 수 있다. The upper support member may include a plurality of upper supports, and the lower support member may include a plurality of lower supports, and the upper support and the lower support may be spaced apart from each other when viewed from above.
상부에서 바라볼 때 상기 상부 지지대는 상기 지지 플레이트의 중앙 영역과 가장자리 영역 중 어느 하나에 중첩되게 위치되고, 상기 하부 지지대는 다른 하나에 중첩되게 위치될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 상기 상부 지지대는 상기 히터 유닛과 이격되게 위치될 수 있다. When viewed from above, the upper support may be positioned to overlap one of a central region and an edge region of the support plate, and the lower support may be positioned to overlap the other. When viewed from above, the upper support may be positioned to be spaced apart from the heater unit.
상기 차단판은 상기 상부 지지 부재 및 상기 하부 지지 부재에 비해 열 전도도가 낮은 재질로 제공될 수 있다. 상기 차단판은 세라믹을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 상기 상부 지지 부재 및 상기 하부 지지 부재 각각은 상기 차단판에 비해 강성이 높은 재질로 제공될 수 있다. 상기 상부 지지 부재 및 상기 하부 지지 부재 각각은 서스(SUS)를 포함하는 재질로 제공될 수 있다. The blocking plate may be made of a material having lower thermal conductivity than the upper support member and the lower support member. The blocking plate may be made of a material including ceramic. Each of the upper support member and the lower support member may be made of a material having a higher rigidity than that of the blocking plate. Each of the upper support member and the lower support member may be provided with a material including SUS.
본 발명의 실시예에 의하면, 지지 플레이트의 아래에 차단판이 제공된다. 이로 인해 히터로부터 발생된 복사열을 차단할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a blocking plate is provided under the support plate. Due to this, it is possible to block the radiant heat generated from the heater.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 상부 지지대와 하부 지지대는 상부에서 바라볼 때 서로 이격되게 위치된다. 이로 인해 전도열이 전도되는 동선이 길어지며, 주변 장치에 전달되는 전도열을 최소화할 수 있다.Further, according to an embodiment of the present invention, the upper support and the lower support are positioned to be spaced apart from each other when viewed from the top. As a result, the copper wire through which the conductive heat is conducted becomes longer, and the conductive heat transmitted to the peripheral device can be minimized.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 상부 지지 부재와 하부 지지 부재는 차단판에 비해 강성이 큰 재질로 제공되고, 차단판은 상부 지지 부재와 하부 지지 부재에 비해 열 전도도가 낮은 재질로 제공된다. 이로 인해 열 전도를 최소화하면서, 지지 플레이트를 안정적으로 지지할 수 있다.Also, according to an embodiment of the present invention, the upper support member and the lower support member are provided with a material having greater rigidity than the blocking plate, and the blocking plate is provided with a material having lower thermal conductivity than the upper support member and the lower support member. Due to this, it is possible to stably support the support plate while minimizing heat conduction.
도 1은 일반적인 지지 플레이트 및 이를 지지하는 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 5는 도 4의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 6은 도 4의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6의 열처리 챔버의 정면도이다.
도 8은 도 7의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 8의 기판 지지 유닛을 보여주는 평면도이다.
도 10은 도 8의 상부 지지대와 하부 지지대의 위치를 보여주는 평면도이다.
도 11은 도 8에서 열이 전도되는 방향을 보여주는 도면이다.
도 12는 도 8의 방열 차단 부재의 다른 실시예를 보여주는 도면이다.
도 13은 도 4의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.1 is a cross-sectional view showing a general support plate and a device supporting the same.
2 is a perspective view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or the developing block of FIG. 2 .
4 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 2 .
FIG. 5 is a view showing an example of a hand of the transport robot of FIG. 4 .
6 is a plan view schematically illustrating an example of the heat treatment chamber of FIG. 4 .
7 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 6 .
FIG. 8 is a cross-sectional view showing the heating unit of FIG. 7 .
9 is a plan view illustrating the substrate support unit of FIG. 8 .
10 is a plan view showing the positions of the upper support and the lower support of FIG. 8 .
11 is a view showing a direction in which heat is conducted in FIG. 8 .
12 is a view showing another embodiment of the heat dissipation blocking member of FIG. 8 .
13 is a diagram schematically illustrating an example of the liquid processing chamber of FIG. 4 .
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 3은 도 2의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이고, 도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.2 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or the developing block of FIG. 2 , and FIG. 4 is the substrate processing apparatus of FIG. 2 is a plan view of
도 2 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.2 to 4 , the
인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The
용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the
인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. An
처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 3의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The
도 5를 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다. Referring to FIG. 5 , the
반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The
도 5는 도 4의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 핸드(3420)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다. FIG. 5 is a view showing an example of a hand of the transport robot of FIG. 4 . Referring to FIG. 5 , the
열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 도 4와 도 5를 참조하면, 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.A plurality of heat treatment chambers 3200 are provided. 4 and 5 , the heat treatment chambers 3200 are arranged in a row along the
도 6은 도 4의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 7은 도 6의 열처리 챔버의 정면도이다. 열처리 챔버(3200)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다. 6 is a plan view schematically illustrating an example of the heat treatment chamber of FIG. 4 , and FIG. 7 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 6 . The heat treatment chamber 3200 includes a
하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 제2 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(3230)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.The
냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각 부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. The
가열 유닛(3230)은 기판을 상온보다 높은 온도로 가열하는 장치(1000)로 제공된다. 가열 유닛(3230)은 상압 또는 이보다 낮은 감압 분위기에서 기판(W)을 가열 처리한다. 도 8은 도 7의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 8을 참조하면, 가열 유닛(1000)은 챔버(1100), 기판 지지 유닛(1200), 히터 유닛(1400), 배기 유닛(1500), 그리고 방열 차단 부재(1600)를 포함한다. The
챔버(1100)는 내부에 기판(W)을 가열 처리하는 처리 공간(1110)을 제공한다. 처리 공간(1110)은 외부와 차단된 공간으로 제공된다. 챔버(1100)은 상부 용기(1120), 하부 용기(1140), 그리고 실링 부재(1160)를 포함한다. The
상부 용기(1120)는 하부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 상부 용기(1120)의 상면에는 배기홀(1122) 및 유입홀(1124)이 형성된다. 배기홀(1122)은 상부 용기(1120)의 중심에 형성된다. 배기홀(1122)은 처리 공간(1110)의 분위기를 배기한다. 유입홀(1124)은 복수 개가 이격되도록 제공되며, 배기홀(1122)을 감싸도록 배열된다. 유입홀들(1124)은 처리 공간(1110)에 외부의 기류를 유입한다. 일 예에 의하면, 유입홀(1124)은 4 개이고, 외부의 기류는 에어일 수 있다.The
선택적으로, 유입홀들(1124)은 3 개 또는 5 개 이상으로 제공되거나, 외기는 비활성 가스일 수 있다.Optionally, three or five or more of the inlet holes 1124 may be provided, or the outside air may be an inert gas.
하부 용기(1140)는 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 하부 용기(1140)는 상부 용기(1120)의 아래에 위치된다. 상부 용기(1120) 및 하부 용기(1140)는 상하 방향으로 서로 마주보도록 위치된다. 상부 용기(1120) 및 하부 용기(1140)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간(1110)을 형성한다. 상부 용기(1120) 및 하부 용기(1140)는 상하 방향에 대해 서로의 중심축이 일치되게 위치된다. 하부 용기(1140)는 상부 용기(1120)와 동일한 직경을 가질 수 있다. 즉, 하부 용기(1140)의 상단은 상부 용기(1120)의 하단과 대향되게 위치될 수 있다.The lower container 1140 is provided in a cylindrical shape with an open top. The lower container 1140 is located below the
상부 용기(1120) 및 하부 용기(1140) 중 하나는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치와 차단 위치로 이동되고, 다른 하나는 그 위치가 고정된다. 본 실시예에는 하부 용기(1140)의 위치가 고정되고, 상부 용기(1120)가 이동되는 것으로 설명한다. 개방 위치는 상부 용기(1120)와 하부 용기(1140)가 서로 이격되어 처리 공간(1110)이 개방되는 위치이다. 차단 위치는 하부 용기(1140) 및 상부 용기(1120)에 의해 처리 공간(1110)이 외부로부터 밀폐되는 위치이다. One of the
실링 부재(1160)는 상부 용기(1120)와 하부 용기(1140) 사이에 위치된다. 실링 부재(1160)는 상부 용기(1120)와 하부 용기(1140)가 접촉될 때 처리 공간이 외부로부터 밀폐되도록 한다. 실링 부재(1160)는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 실링 부재(1160)는 하부 용기(1140)의 상단에 고정 결합될 수 있다. The sealing
기판 지지 유닛(1300)은 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(1300)은 하부 용기(1140)에 고정 결합된다. 기판 지지 유닛(1300)은 지지 플레이트(1320), 리프트 핀(1340) 지지핀(1360), 그리고 방열 차단 부재를 포함한다. 도 9는 도 8의 기판 지지 유닛을 보여주는 평면도이다. 도 8 및 도 9를 참조하면, 지지 플레이트(1320)는 히터 유닛(1400)으로부터 발생된 열을 기판(W)으로 전달한다. 지지 플레이트(1320)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 지지 플레이트(1320)의 상면은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 지지 플레이트(1320)의 상면은 기판(W)이 놓이는 안착면(1320a)으로 기능한다. 안착면(1320a)에는 복수의 리프트 홀들(1322), 및 진공홀들(1326)이 형성된다. 리프트 홀들(1322) 및 진공홀들(1326)은 서로 상이한 영역에 위치된다. 상부에서 바라볼 때 리프트 홀들(1322) 및 진공홀들(1326)은 각각 지지 플레이트(1320)의 상면의 중심을 감싸도록 배열된다. 각각의 리프트 홀들(1322)은 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 각각의 진공홀들(1326)은 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 진공홀들(13260)은 안착면(1320a)과 기판(W) 사이에 음압을 제공하여, 기판(W)을 진공 흡착할 수 있다. 예컨대, 리프트 홀들(1322) 및 진공홀들(1326)은 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가지도록 배열될 수 있다. 리프트 홀들(1322)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치되고, 진공홀들(1326)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치될 수 있다. 삽입홀들(1324)은 리프트 홀들(1322) 및 진공홀(1326)과 다르게 배열된다. 삽입홀들(1324)은 안착면(1320a)의 전체 영역에 균등하게 배열될 수 있다. The
예컨대, 리프트 홀들(1322) 및 진공홀(1326)은 각각 3 개로 제공될 수 있다. 지지 플레이트(1320)는 질화 알루미늄(AlN)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.For example, three
리프트 핀(1340)은 지지 플레이트(1320) 상에서 기판(W)을 승하강시킨다. 리프트 핀(1342)은 복수 개로 제공되며, 각각은 수직한 상하 방향을 향하는 핀 형상으로 제공된다. 각각의 리프트 홀(1322)에는 리프트 핀(1340)이 위치된다. 구동 부재(미도시)는 각각의 리프트 핀들(1342)을 승강 위치와 하강 위치 간에 이동시킨다. 여기서 승강 위치는 리프트 핀(1342)의 상단이 안착면(1320a)보다 높은 위치이고, 하강 위치는 리프트 핀(1342)의 상단이 안착면(1320a)과 동일하거나 이보다 낮은 위치로 정의한다. 구동 부재(미도시)는 챔버(1100)의 외부에 위치될 수 있다. 구동 부재(미도시)는 실린더일 수 있다.The lift pins 1340 elevate the substrate W on the
지지핀(1360)은 기판(W)이 안착면(1320a)에 직접적으로 접촉되는 것을 방지한다. 지지핀(1360)은 리프트 핀(1342)과 평행한 길이 방향을 가지는 핀 형상으로 제공된다. 지지핀(1360)은 복수 개로 제공되며, 각각은 안착면(1320a)에 고정 설치된다. 지지핀들(1360)은 안착면(1320a)으로부터 위로 돌출되게 위치된다. 지지핀(1360)의 상단은 기판(W)의 저면에 직접 접촉되는 접촉면으로 제공되며, 접촉면은 위로 볼록한 형상을 가진다. 이에 따라 지지핀(1360)과 기판(W) 간의 접촉 면적을 최소화할 수 있다.The
가이드(1380)는 기판(W)이 정 위치에 놓여지도록 기판(W)을 가이드한다. 가이드(1380)는 안착면(1320a)을 감싸는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 가이드(1380)는 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가이드(1380)의 내측면은 지지 플레이트(1320)의 중심축에 가까워질수록 하향 경사진 형상을 가진다. 이에 따라 가이드(1380)의 내측면에 걸친 기판(W)은 그 경사면을 타고 정위치로 이동된다. The
방열 차단 부재(1600)는 히터 유닛(1400)으로부터 발생된 고온의 열이 주변 장치로 방열되는 것을 차단한다. 방열 차단 부재(1600)는 지지 플레이트(1320)의 아래 공간에 위치된 장치가 열 변형되는 것을 방지한다. 방열 차단 부재(1600)는 차단판(1620), 상부 지지 부재(1640), 그리고 하부 지지 부재(1660)를 포함한다. 도 10은 도 8의 상부 지지대와 하부 지지대의 위치를 보여주는 평면도이고, 도 11은 도 8에서 열이 전도되는 방향을 보여주는 도면이다. 도 10 및 도 11을 참조하면, 차단판(1620)은 지지 플레이트(1320)의 아래에 위치된다. 차단판(1620)은 지지 플레이트(1320)의 저면과 대향되게 위치된다. 차단판(1620)은 지지 플레이트(1320)의 저면으로부터 이격되게 위치된다. 차단판(1620)은 지지 플레이트(1320)로부터 발생된 고온의 열이 아래 방향을 방열되는 것을 차단한다. 차단판(1620)은 단열 재질로 제공될 수 있다. 차단판(1620)은 지지 플레이트(1320)에 비해 열전도성이 낮은 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 차단판(1620)은 세라믹을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.The heat dissipation blocking member 1600 blocks the high temperature heat generated from the
상부 지지 부재(1640)는 지지 플레이트(1320)와 차단판(1620)을 연결한다. 상부 지지 부재(1640)는 차단판(1620)에 설치되어 지지 플레이트(1320)를 지지한다. 상부 지지 부재(1640)는 복수 개의 상부 지지대(1642)를 가진다. 각각의 상부 지지대(1642)는 길이 방향이 상하를 향하는 바 형상을 가진다. 예컨대, 상부에서 바라볼 때 상부 지지대(1642)는 히터(1420)와 중첩되지 않도록 위치될 수 있다. 이는 히터로부터 상부 지지대(1642)에 전달되는 전도열을 최소화하기 위함이다.The upper support member 1640 connects the
하부 지지 부재(1660)는 차단판(1620)을 지지한다. 하부 지지 부재(1660)는 복수 개의 하부 지지대(1662)를 가진다. 각각의 하부 지지대(1662)는 길이 방향이 상하를 향하는 바 형상을 가진다. 일 예에 의하면, 상부에서 바라볼 때 상부 지지대(1642)와 하부 지지대(1662)는 서로 중첩되지 않도록 위치될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 상부 지지대(1642)는 지지 플레이트(1320)의 중앙 영역과 가장자리 영역 중 어느 하나에 중첩되게 위치되고, 하부 지지대(1662)는 지지 플레이트(1320)의 중앙 영역과 가장자리 영역 중 다른 하나에 중첩되게 위치될 수 있다. 이러한 상부 지지대(1642)와 하부 지지대(1662)의 상대 위치로 인해, 상부 지지대(1642)와 하부 지지대(1662)를 통해 전달되는 전도열은 그 동선이 길어지며, 전도열에 의한 주변 장치의 열손상을 최소화할 수 있다. The lower support member 1660 supports the
또한 상부 지지 부재(1640)와 하부 지지 부재(1660) 각각은 차단판(1620)에 비해 강성이 높은 재질로 제공될 수 있다. 상부 지지 부재(1640) 및 하부 지지 부재(1660) 각각은 서스(SUS) 재질로 제공될 수 있다. 이에 따라 차단판(1620)은 복사열 및 전도열의 확산을 최소화하고, 상부 지지 부재(1640) 및 하부 지지 부재(1660) 각각은 지지 플레이트(1320) 및 차단판(1620)을 안정적으로 지지할 수 있다. In addition, each of the upper support member 1640 and the lower support member 1660 may be made of a material having higher rigidity than the blocking
선택적으로, 하부 지지 부재(1660)는 도 12와 같이, 지지 플레이트(1320)의 중앙 영역과 가장자리 영역 각각에 중첩되게 위치될 수 있다. 다만, 상부 지지 부재(1640)는 개수를 최소화하는 것이 바람직하므로, 지지 플레이트(1320)의 중앙 영역과 가장자리 영역 중 어느 하나에만 중첩되게 위치되는 것이 바람직하다.Optionally, the lower support member 1660 may be positioned to overlap each of the central area and the edge area of the
히터 유닛(1400)은 지지 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)을 가열 처리한다. 히터 유닛(1400)은 지지 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)보다 아래에 위치된다. 히터 유닛(1400)은 복수 개의 히터들(1420)을 포함한다. 히터들(1420)은 지지 플레이트(1320) 내에 위치된다. 선택적으로 히터들(1420)은 지지 플레이트(1320)의 저면에 위치될 수 있다. 히터들(1420)은 동일 평면 상에 위치된다. 히터들(1420)은 지지면의 서로 상이한 영역을 가열한다. 상부에서 바라볼 때 각 히터(1420)에 대응되는 지지 플레이트(1320)의 영역은 히팅존들로 제공될 수 있다. 히팅존들 중 일부는 지지 플레이트(1320)의 중앙 영역에 위치되고, 다른 일부는 가장자리 영역에 위치될 수 있다. 각각의 히터(1420)는 온도가 독립 조절 가능하다. 예컨대, 히팅존은 15 개일 수 있다. 각 히팅존은 측정 부재(미도시)에 의해 온도가 측정된다. 히터들(1420)은 프린팅된 패턴 또는 열선일 수 있다. 히터 유닛(1400)은 지지 플레이트(1320)를 공정 온도로 가열할 수 있다. The
배기 유닛(1500)은 처리 공간(1110) 내부를 강제 배기한다. 배기 유닛(1500)은 배기관(1530) 및 안내판(1540)을 포함한다. 배기관(1530)는 길이 방향이 수직한 상하 방향을 향하는 관 형상을 가진다. 배기관(1530)는 상부 용기(1120)의 상벽을 관통하도록 위치된다. 일 예에 의하면, 배기관(1530)는 배기홀(1122)에 삽입되게 위치될 수 있다. 즉, 배기관(1530)의 하단은 처리 공간(1110) 내에 위치되고, 배기관(1530)의 상단은 처리 공간(1110)의 외부에 위치된다. 배기관(1530)의 상단에는 감압 부재(1560)가 연결된다. 감압 부재(1560)는 배기관(1530)를 감압한다. 이에 따라 처리 공간(1110)의 분위기는 통공(1542) 및 배기관(1530)를 순차적으러 거쳐 배기된다.The
안내판(1540)은 중심에 통공(1542)을 가지는 판 형상을 가진다. 안내판(1540)은 배기관(1530)의 하단으로부터 연장된 원형의 판 형상을 가진다. 안내판(1540)은 통공(1542)과 배기관(1530)의 내부가 서로 통하도록 배기관(1530)에 고정 결합된다. 안내판(1540)은 지지 플레이트(1320)의 상부에서 지지 플레이트(1320)의 지지면과 마주하게 위치된다. 안내판(1540)은 하부 용기(1140)보다 높게 위치된다. 일 예에 의하면, 안내판(1540)은 상부 용기(1120)와 마주하는 높이에 위치될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 안내판(1540)은 유입홀(1124)과 중첩되게 위치되고, 상부 용기(1120)의 내측면과 이격되는 직경을 가진다. 이에 따라 안내판(1540)의 측단과 상부 용기(1120)의 내측면 간에는 틈이 발생되며, 이 틈은 유입홀(1124)을 통해 유입된 기류가 기판(W)으로 공급되는 흐름 경로로 제공된다.The guide plate 1540 has a plate shape having a through hole 1542 in the center. The guide plate 1540 has a circular plate shape extending from the lower end of the
다시 도 6 및 도 7을 참조하면, 반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 제1영역(3212)과 제2영역(3214) 간에 이동될 수 있다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 제1 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀(1340)이 서로 간섭되는 것을 방지한다. Referring back to FIGS. 6 and 7 , the
기판(W)의 가열은 기판(W)이 지지 플레이트(1320) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 반송 플레이트(3240)가 냉각판(3222)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(3222)과 기판(W) 간에 열전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(3240)은 열전달율이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 플레이트(3240)은 금속 재질로 제공될 수 있다. The substrate W is heated in a state where the substrate W is placed directly on the
열처리 챔버들(3200) 중 일부의 열처리 챔버에 제공된 가열 유닛(3230)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착률을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다. The
액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다. A plurality of
전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.The front stage
도 13은 도 4의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 13을 참조하면, 액 처리 챔버(3602, 3604)는 하우징(3610), 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(3660)을 가진다. 하우징(3610)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3610)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 도어(도시되지 않음)에 의해 개폐될 수 있다. 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(3660)은 하우징(3610) 내에 제공된다. 하우징(3610)의 상벽에는 하우징(3260) 내에 하강 기류를 형성하는 팬필터유닛(3670)이 제공될 수 있다. 컵(3620)은 상부가 개방된 처리 공간을 가진다. 지지유닛(3640)은 처리 공간 내에 배치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지유닛(3640)은 액처리 도중에 기판(W)이 회전 가능하도록 제공된다. 액 공급유닛(3660)은 지지유닛(3640)에 지지된 기판(W)으로 액을 공급한다. 13 is a diagram schematically illustrating an example of the liquid processing chamber of FIG. 4 . Referring to FIG. 13 , the
다시 도 3 및 도 4를 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다. Referring back to FIGS. 3 and 4 , a plurality of buffer chambers 3800 are provided. Some of the buffer chambers 3800 are disposed between the
현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한된다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.The developing
인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. The
인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.A fan filter unit for forming a descending airflow therein may be provided at an upper end of the
인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The
일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to an example, the
반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The
제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. The
인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.The hands of the
일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 가열 유닛(3230)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다. According to one embodiment, the
또한, 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다. In addition, the
다음에는 상술한 기판 처리 장치(1)를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 실시예에 대해 설명한다. Next, an embodiment of a method for processing a substrate using the above-described
기판(W)에 대해 도포 처리 공정(S20), 에지 노광 공정(S40), 노광 공정(S60), 그리고 현상 처리 공정(S80)이 순차적으로 수행된다. A coating process ( S20 ), an edge exposure process ( S40 ), an exposure process ( S60 ), and a developing process ( S80 ) are sequentially performed on the substrate W .
도포 처리 공정(S20)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S21), 전단 액처리 챔버(3602)에서 반사방지막 도포 공정(S22), 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S23), 후단 액처리 챔버(3604)에서 포토레지스트막 도포 공정(S24), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S25)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. The coating process (S20) is a heat treatment process (S21) in the heat treatment chamber 3200, an anti-reflective film application process (S22) in the
이하, 용기(10)에서 노광 장치(50)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다. Hereinafter, an example of the transport path of the substrate W from the
인덱스 로봇(2200)은 기판(W)을 용기(10)에서 꺼내서 전단 버퍼(3802)로 반송한다. 반송 로봇(3422)은 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)을 전단 열처리 챔버(3200)로 반송한다. 기판(W)은 반송 플레이트(3240)에 의해 가열 유닛(3230)에 기판(W)을 반송한다. 가열 유닛(3230)에서 기판의 가열 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)는 기판을 냉각 유닛(3220)으로 반송한다. 반송 플레이트(3240)는 기판(W)을 지지한 상태에서, 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 기판(W)의 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출하여 전단 액처리 챔버(3602)로 반송한다. The
전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W) 상에 반사 방지막을 도포한다. An anti-reflection film is applied on the substrate W in the front stage
반송 로봇(3422)이 전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 반출하여 후단 액처리 챔버(3604)로 반송한다. The
이후, 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W) 상에 포토레지스트막을 도포한다. Thereafter, a photoresist film is applied on the substrate W in the downstream
반송 로봇(3422)이 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)으로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 후단 버퍼(3804)로 반송한다. 인터페이스 모듈(40)의 제1로봇(4602)이 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 보조 공정챔버(4200)로 반송한다. The
보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)에 대해 에지 노광 공정이 수행된다.An edge exposure process is performed on the substrate W in the
이후, 제1로봇(4602)이 보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.Thereafter, the
이후, 제2로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 노광 장치(50)로 반송한다.Thereafter, the
현상 처리 공정(S80)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S81), 액처리 챔버(3600)에서 현상 공정(S82), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S83)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. The developing process ( S80 ) is performed by sequentially performing the heat treatment process ( S81 ) in the heat treatment chamber 3200 , the developing process ( S82 ) in the
이하, 노광 장치(50)에서 용기(10)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다, Hereinafter, an example of a transport path of the substrate W from the
제2로봇(4606)이 노광 장치(50)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.The
이후, 제1로봇(4602)이 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 후단 버퍼(3804)로 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(3422)은 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반송한다. 열처리 챔버(3200)에는 기판(W)의 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)로 반송한다. Thereafter, the
현상 챔버(3600)에는 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. A developing process is performed by supplying a developer onto the substrate W to the developing
기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)에서 반출되어 열처리 챔버(3200)로 반입된다. 기판(W)은 열처리 챔버(3200)에서 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행된다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출되어 전단 버퍼(3802)로 반송한다. The substrate W is unloaded from the developing
이후, 인덱스 로봇(2200)이 전단 버퍼(3802)에서 기판(W)을 꺼내어 용기(10)로 반송한다. Thereafter, the
상술한 기판 처리 장치(1)의 처리 블럭은 도포 처리 공정과 현상 처리 공정을 수행하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 기판 처리 장치(1)는 인터페이스 모듈 없이 인덱스 모듈(20)과 처리 블럭(37)만을 구비할 수 있다. 이 경우, 처리 블럭(37)은 도포 처리 공정만을 수행하고, 기판(W) 상에 도포되는 막은 스핀 온 하드마스크막(SOH)일 수 있다.The processing block of the above-described
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed as including other embodiments.
1600: 방열 차단 부재
1620: 차단판
1640: 상부 지지 부재
1642: 상부 지지대
1660: 하부 지지 부재
1662: 하부 지지대1600: heat dissipation blocking member 1620: blocking plate
1640: upper support member 1642: upper support
1660: lower support member 1662: lower support
Claims (9)
기판을 지지하는 지지 플레이트와;
상기 지지 플레이트에 제공되며, 상기 지지 플레이트에 놓여진 기판을 가열하는 히터 유닛과;
상기 히터 유닛의 방열을 차단하는 방열 차단 부재를 포함하되,
상기 방열 차단 부재는 상기 지지 플레이트를 지지하는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate, comprising:
a support plate for supporting the substrate;
a heater unit provided on the support plate to heat a substrate placed on the support plate;
Including a heat dissipation blocking member for blocking the heat dissipation of the heater unit,
The heat dissipation blocking member supports the support plate.
상기 방열 차단 부재는,
상기 지지 플레이트의 아래에서 상기 지지 플레이트와 마주하게 위치되는 차단판과;
상기 차단판과 상기 지지 플레이트를 연결하는 상부 지지 부재와;
상기 차단판을 지지하는 하부 지지 부재를 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The heat dissipation blocking member,
a blocking plate positioned under the support plate to face the support plate;
an upper support member connecting the blocking plate and the support plate;
and a lower support member supporting the blocking plate.
상기 상부 지지 부재는 복수 개의 상부 지지대를 포함하고,
상기 하부 지지 부재는 복수 개의 하부 지지대를 포함하되,
상부에서 바라볼 때 상기 상부 지지대와 상기 하부 지지대는 서로 이격되게 위치되는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
The upper support member includes a plurality of upper supports,
The lower support member includes a plurality of lower supports,
A substrate processing apparatus in which the upper support and the lower support are spaced apart from each other when viewed from above.
상부에서 바라볼 때 상기 상부 지지대는 상기 지지 플레이트의 중앙 영역과 가장자리 영역 중 어느 하나에 중첩되게 위치되고, 상기 하부 지지대는 다른 하나에 중첩되게 위치되는 기판 처리 장치.4. The method of claim 3,
The upper support is positioned to overlap one of a central region and an edge region of the support plate, and the lower support is positioned to overlap the other when viewed from above.
상부에서 바라볼 때 상기 상부 지지대는 상기 히터 유닛과 이격되게 위치되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
When viewed from above, the upper support is positioned to be spaced apart from the heater unit.
상기 차단판은 상기 상부 지지 부재 및 상기 하부 지지 부재에 비해 열 전도도가 낮은 재질로 제공되는 기판 처리 장치.6. The method according to any one of claims 2 to 5,
The blocking plate may be formed of a material having lower thermal conductivity than that of the upper support member and the lower support member.
상기 차단판은 세라믹을 포함하는 재질로 제공되는 기판 처리 장치.7. The method of claim 6,
The blocking plate is a substrate processing apparatus provided with a material including a ceramic.
상기 상부 지지 부재 및 상기 하부 지지 부재 각각은 상기 차단판에 비해 강성이 높은 재질로 제공되는 기판 처리 장치.6. The method according to any one of claims 2 to 5,
Each of the upper support member and the lower support member is provided with a material having a higher rigidity than that of the blocking plate.
상기 상부 지지 부재 및 상기 하부 지지 부재 각각은 서스(SUS)를 포함하는 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
9. The method of claim 8,
Each of the upper support member and the lower support member is provided with a material including a SUS.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190171025A KR20210079472A (en) | 2019-12-19 | 2019-12-19 | Apparatus for treating substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190171025A KR20210079472A (en) | 2019-12-19 | 2019-12-19 | Apparatus for treating substrate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210079472A true KR20210079472A (en) | 2021-06-30 |
Family
ID=76601961
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020190171025A KR20210079472A (en) | 2019-12-19 | 2019-12-19 | Apparatus for treating substrate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20210079472A (en) |
-
2019
- 2019-12-19 KR KR1020190171025A patent/KR20210079472A/en not_active IP Right Cessation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110896043B (en) | Apparatus for treating substrate | |
US20070048979A1 (en) | Heating apparatus, and coating and developing apparatus | |
KR102139615B1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
KR102098031B1 (en) | Apparatus for treating substrate and Method for manufacturing heater unit | |
KR102282145B1 (en) | Apparatus and Method for treating substrate | |
KR102397850B1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
KR102385266B1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
CN111048444B (en) | Heating plate cooling method and substrate processing apparatus and method | |
KR20210079472A (en) | Apparatus for treating substrate | |
KR102136130B1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
KR102280035B1 (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
KR102319197B1 (en) | Apparatus and Method for treating substrate | |
KR102296280B1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
KR102319198B1 (en) | Apparatus and Method for treating substrate | |
KR102324409B1 (en) | Apparatus and Method for treating substrate | |
KR20210055362A (en) | Transfering unit, substrate treating apparatus including the unit and substrate treating method | |
KR102264292B1 (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
KR102303596B1 (en) | Apparatus and Method for treating substrate | |
KR102282146B1 (en) | Apparatus and Method for treating substrate | |
KR102387934B1 (en) | Method for cooling hot plate, Apparatus and Method for treating substrate | |
KR102315665B1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
CN111048445B (en) | Heating plate cooling method and substrate processing apparatus | |
KR102256689B1 (en) | Apparatus and Method for treating substrate | |
KR102277549B1 (en) | Apparatus and Method for treating a substrate | |
KR102204883B1 (en) | Apparatus for treating substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
X091 | Application refused [patent] | ||
AMND | Amendment | ||
X601 | Decision of rejection after re-examination |