KR20210050725A - Tube and substrate processing apparatus using the same - Google Patents

Tube and substrate processing apparatus using the same Download PDF

Info

Publication number
KR20210050725A
KR20210050725A KR1020190135121A KR20190135121A KR20210050725A KR 20210050725 A KR20210050725 A KR 20210050725A KR 1020190135121 A KR1020190135121 A KR 1020190135121A KR 20190135121 A KR20190135121 A KR 20190135121A KR 20210050725 A KR20210050725 A KR 20210050725A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
refrigerant
rim
tube
manifold
processing apparatus
Prior art date
Application number
KR1020190135121A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김기준
Original Assignee
주식회사 원익아이피에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 원익아이피에스 filed Critical 주식회사 원익아이피에스
Priority to KR1020190135121A priority Critical patent/KR20210050725A/en
Publication of KR20210050725A publication Critical patent/KR20210050725A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16LPIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L53/00Heating of pipes or pipe systems; Cooling of pipes or pipe systems
    • F16L53/70Cooling of pipes or pipe systems
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)

Abstract

According to the present invention, disclosed are a tube capable of cooling a rim forming an inlet and a substrate processing device using the same. By forming a cooling flow path in the rim in contact with a manifold, it is possible to prevent damage to an O-ring between the manifold and the rim of the tube.

Description

튜브 및 그를 이용한 기판처리장치{TUBE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS USING THE SAME}Tube and substrate processing apparatus using the same {TUBE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS USING THE SAME}

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 입구를 형성하는 테두리의 쿨링이 가능한 튜브 및 그를 이용한 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a tube capable of cooling an edge forming an inlet, and a substrate processing apparatus using the same.

기판처리장치는 웨이퍼와 같은 기판에 절연막, 보호막, 산화막, 금속막 등을 증착하기 위한 장치이다.The substrate processing apparatus is an apparatus for depositing an insulating film, a protective film, an oxide film, a metal film, etc. on a substrate such as a wafer.

기판처리장치의 일례로 리액터(Reactor)가 예시될 수 있다. A reactor may be exemplified as an example of a substrate processing apparatus.

리액터는 고온의 열처리를 통하여 웨이퍼에 박막을 증착하는 장치이며, 한 번에 많은 수의 웨이퍼를 처리하기 위하여 보트(Boat)를 이용하도록 구성된다.The reactor is a device that deposits a thin film on a wafer through high-temperature heat treatment, and is configured to use a boat to process a large number of wafers at once.

보트는 일정한 매수 단위(예시적으로 180매)로 웨이퍼들을 다층으로 차지(Charge)하도록 구성되며, 리액터는 웨이퍼들을 차지(Charge)한 보트를 수직으로 반입하거나 반출하는 구조를 갖는다. The boat is configured to charge wafers in multiple layers in a predetermined unit (e.g. 180 sheets), and the reactor has a structure in which the boat charged with the wafers is vertically carried in or out.

보트의 하부에는 단열부가 구성된다. 단열부는 웨이퍼 공정이 진행되는 보트가 위치한 공간의 온도 환경을 외부와 분리하기 위한 것이다.Insulation is formed in the lower part of the boat. The thermal insulation part is for separating the temperature environment of the space where the boat where the wafer process is performed is located from the outside.

공정의 진행을 위하여, 보트와 단열부는 리액터에 수직으로 반입되며, 반입된 보트와 단열부는 리액터의 튜브 내에 수용된다. In order to proceed with the process, the boat and the heat insulation part are carried vertically into the reactor, and the carried boat and the heat insulation part are accommodated in the tube of the reactor.

튜브는 웨이퍼 공정이 진행되는 보트가 위치한 공간을 외부와 분리하는 역할을 한다. The tube serves to separate the space in which the boat where the wafer process is performed is located from the outside.

리액터는 일반적으로 이너 튜브와 아우터 튜브를 포함하는 이중 튜브 구조로 설계된다. 이너 튜브는 보트 및 단열부를 수용하며 공정 환경을 형성하고, 아우터 튜브는 이너 튜브를 수용하며 이너 튜브를 보호한다.The reactor is generally designed in a double tube structure including an inner tube and an outer tube. The inner tube accommodates the boat and thermal insulation and forms a process environment, and the outer tube houses the inner tube and protects the inner tube.

아우터 튜브의 외부에는 히팅 블록이 구성되며, 히팅 블록은 이너 튜브의 내부 공간이 공정을 위한 온도 환경을 갖도록 발열된다.A heating block is formed outside the outer tube, and the heating block generates heat so that the inner space of the inner tube has a temperature environment for the process.

이너 튜브와 아우터 튜브의 하부에는 매니폴드가 구성된다. 그리고, 단열부의 하부에는 캡 플랜지가 구성된다.A manifold is formed under the inner tube and the outer tube. And, a cap flange is configured in the lower part of the heat insulation part.

캡 플랜지는 보트 및 단열부를 탑재하고 승강 또는 하강할 수 있다.The cap flange mounts the boat and insulation and can be raised or lowered.

캡 플랜지가 승강하면, 보트 및 단열부가 이너 튜브에 반입되고, 캡 플랜지의 테두리는 기밀을 유지하기 위하여 매니폴드의 하부와 조립된다. When the cap flange is raised and lowered, the boat and the heat insulating part are carried into the inner tube, and the rim of the cap flange is assembled with the lower part of the manifold to maintain airtightness.

캡 플랜지가 하강하면, 보트 및 단열부가 이너 튜브에서 반출되며, 캡 플랜지와 매니폴드의 조립 상태가 해제된다.When the cap flange is lowered, the boat and the heat insulating portion are carried out from the inner tube, and the assembled state of the cap flange and the manifold is released.

기밀을 유지하기 위하여, 캡 플랜지와 매니폴드 사이 및 매니폴드와 아우터 튜브 사이에 오링이 각각 구성된다.In order to maintain airtightness, O-rings are formed between the cap flange and the manifold and between the manifold and the outer tube, respectively.

아우터 튜브는 히팅 블록의 발열에 의해 가열된다. 히팅 블록은 캡 플랜지가 하강하여 보트 및 단열부가 이너 튜브에서 반출된 경우에도 발열을 지속하므로, 아우터 튜브도 보트 지속적으로 가열된다.The outer tube is heated by the heat generated by the heating block. The heating block continues to generate heat even when the cap flange is lowered and the boat and the heat insulating portion are taken out of the inner tube, so that the outer tube is also heated continuously.

상기와 같이 가열된 아우터 튜브에 의해, 열적 손상(Thermal Damage)이 매니폴드와 아우터 튜브 사이의 오링에 발생될 수 있다. 오링이 열적 손상되는 경우 기밀을 유지하는데 어려움이 있다.Due to the outer tube heated as described above, thermal damage may occur in the O-ring between the manifold and the outer tube. If the O-ring is thermally damaged, it is difficult to maintain airtightness.

상기한 오링의 열적 손상을 방지하기 위하여, 매니폴드는 오링이 구성되는 위치의 하측 내부에 프로세스 쿨링 워터(Process Cooling Water: PCW)가 순환되도록 구성될 수 있다. 매니폴드의 오링이 구성되는 위치는 쿨링 워터의 순환에 의해 쿨링될 수 있으며, 오링의 열적 손상은 쿨링된 매니폴드에 의해 방지될 수 있다.In order to prevent thermal damage to the O-ring, the manifold may be configured such that Process Cooling Water (PCW) circulates inside the lower side of the location where the O-ring is configured. The position where the O-ring of the manifold is configured can be cooled by circulation of cooling water, and thermal damage of the O-ring can be prevented by the cooled manifold.

그러나, 프로세스 쿨링 워터는 비열이 높은 액체 냉매이므로 오링에 대한 온도 조절에 한계가 있다.However, since the process cooling water is a liquid refrigerant having a high specific heat, there is a limit to temperature control for the O-ring.

그리고, 매니폴드가 낮은 온도를 유지하는 경우, 공정에 따라 매니폴드의 내벽에 파우더가 형성되는 문제점이 있다.In addition, when the manifold maintains a low temperature, there is a problem in that powder is formed on the inner wall of the manifold depending on the process.

본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 오링과 접하는 테두리가 순환되는 기체와 같은 냉매에 의해 쿨링됨으로써 하부에 접하는 매니폴드의 오링을 열적 손상으로부터 보호할 수 있는 기판처리장치의 튜브를 제공함을 목적으로 한다.The present invention is to solve the above-described problem, and provides a tube of a substrate processing apparatus capable of protecting the O-ring of a manifold in contact with the lower side from thermal damage by being cooled by a refrigerant such as a circulating gas. The purpose.

또한, 본 발명은 매니폴드와 접하는 아우터 튜브의 테두리가 순환되는 기체와 같은 냉매에 의해 쿨링됨으로써 아우터 튜브의 열이 하부의 매니폴드로 전달되는 것을 억제할 수 있는 기판처리장치를 제공함을 다른 목적으로 한다.In addition, another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of suppressing the transfer of heat from the outer tube to the lower manifold by cooling the rim of the outer tube in contact with the manifold by a refrigerant such as circulating gas. do.

상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 기판처리장치의 튜브는, 하부에 입구를 형성하는 테두리를 구비하며, 상기 테두리의 내부에 냉매의 흐름을 위한 쿨링 유로가 형성되고, 상기 냉매에 의해 상부의 열이 상기 테두리의 하부로 전달되는 것이 억제됨을 특징으로 한다.The tube of the substrate processing apparatus of the present invention for achieving the above technical problem has an edge forming an inlet at the lower portion, a cooling passage for the flow of refrigerant is formed in the inside of the edge, and the upper column is heated by the refrigerant. It is characterized in that the transmission to the lower portion of the rim is suppressed.

또한, 본 발명의 기판처리장치는, 이너 튜브; 하부에 입구를 형성하며 내부에 냉매의 흐름을 위한 쿨링 유로가 형성된 테두리를 구비하고, 상기 이너 튜브를 수용하는 아우터 튜브; 및 상기 아우터 튜브의 상기 테두리 하부에 조립되는 매니폴드;를 구비함을 특징으로 한다.In addition, the substrate processing apparatus of the present invention comprises: an inner tube; An outer tube having an inlet formed at a lower portion thereof and having a rim formed with a cooling passage for the flow of refrigerant therein, and accommodating the inner tube; And a manifold assembled under the rim of the outer tube.

본 발명에 의하면, 튜브의 하부에 입구를 형성하는 테두리가 기체와 같은 냉매에 의해 쿨링됨으로써 상부의 열이 하부의 매니폴드의 오링으로 전달되는 것이 억제될 수 있고, 그 결과 오링을 열적 손상으로부터 보호할 수 있다.According to the present invention, since the rim forming the inlet at the lower part of the tube is cooled by a refrigerant such as gas, it is possible to suppress the transfer of upper heat to the O-ring of the lower manifold, and as a result, protect the O-ring from thermal damage. can do.

또한, 본 발명에 의하면, 이너 튜브와 아우터 튜브 중 아우터 튜브의 테두리가 내부에 순환되는 기체와 같은 냉매에 의해 쿨링됨으로써 상부의 열이 하부의 매니폴드로 전달되는 것이 억제될 수 있다.In addition, according to the present invention, since the rim of the outer tube among the inner tube and the outer tube is cooled by a refrigerant such as gas circulating therein, it is possible to suppress the transfer of upper heat to the lower manifold.

그러므로, 매니폴드와 아우터 튜브의 사이에 실링을 위해 구성되는 오링이 열적 손상으로부터 보호될 수 있으며, 기판처리장치의 신뢰성이 개선될 수 있다.Therefore, the O-ring configured for sealing between the manifold and the outer tube can be protected from thermal damage, and the reliability of the substrate processing apparatus can be improved.

또한, 오링을 열적 손상으로부터 보호하기 위하여 매니폴드 자체를 쿨링시킬 필요가 없기 때문에, 매니폴드가 과도하게 낮은 온도를 유지하는 것이 방지될 수 있다. 그러므로, 공정에 따라 매니폴드의 내벽에 파우더가 생성되는 것을 방지할 수 있고, 그 결과 공정 신뢰성이 개선될 수 있는 이점이 있다.In addition, since it is not necessary to cool the manifold itself to protect the O-ring from thermal damage, the manifold can be prevented from maintaining an excessively low temperature. Therefore, it is possible to prevent the powder from being generated on the inner wall of the manifold according to the process, and as a result, there is an advantage that the process reliability can be improved.

도 1은 본 발명의 기판처리장치의 바람직한 실시예를 나타내는 단면도.
도 2는 도 1의 A 부분의 확대 단면도.
도 3은 도 2의 3-3 부분 횡 단면도.
도 4는 테두리, 결합 커버 및 포트들의 일부 분해 사시도.
도 5는 냉매 공급 장치와 모니터링 장치를 설명하기 위한 도면.
1 is a cross-sectional view showing a preferred embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention.
2 is an enlarged cross-sectional view of portion A of FIG. 1.
3 is a partial cross-sectional view of 3-3 in FIG. 2.
Figure 4 is a partial exploded perspective view of the rim, coupling cover and ports.
5 is a view for explaining a refrigerant supply device and a monitoring device.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. 본 명세서 및 특허청구범위에 사용된 용어는 통상적이거나 사전적 의미로 한정되어 해석되지 아니하며, 본 발명의 기술적 사항에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Terms used in the present specification and claims are not limited to a conventional or dictionary meaning and are not interpreted, but should be interpreted as meanings and concepts consistent with the technical matters of the present invention.

본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예이며, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것이 아니므로, 본 출원 시점에서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있다.Since the embodiments described in the present specification and the configurations shown in the drawings are preferred embodiments of the present invention, and do not represent all the technical spirit of the present invention, various equivalents and modifications that can replace them at the time of the present application are There may be.

도 1의 기판처리장치의 실시예는 아우터 튜브(10)와 이너 튜브(20)를 갖는 이중 튜브 구조를 갖는 리액터를 예시한 것이다. 그리고, 도 2는 도 1의 A 부분의 확대 단면도이고, 도 3은 도 2의 3-3 부분 횡 단면도이다. 또한, 도 4는 테두리(14), 결합 커버(16) 및 포트들의 일부 분해 사시도이다.The embodiment of the substrate processing apparatus of FIG. 1 illustrates a reactor having a double tube structure having an outer tube 10 and an inner tube 20. In addition, FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of portion A of FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view of portion 3-3 of FIG. 2. In addition, Figure 4 is a partial exploded perspective view of the rim 14, the coupling cover 16 and ports.

도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 기판처리장치의 실시예를 설명한다.An embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4.

도 1의 실시예는 아우터 튜브(10), 이너 튜브(20), 매니폴드(30), 캡 플랜지(40), 단열부(50), 보트(60), 가스 분사 노즐(70), 구동부(80) 및 조립 링(35)을 포함한다.The embodiment of FIG. 1 is an outer tube 10, an inner tube 20, a manifold 30, a cap flange 40, a heat insulation part 50, a boat 60, a gas injection nozzle 70, a driving part ( 80) and assembly ring 35.

아우터 튜브(10)는 이너 튜브(20)가 내부 및 외부의 환경 차(압력 차 및 온도 차)에 의해 손상되는 것을 방지하기 위한 완충 공간 즉 이격된 공간을 형성하기 위한 것이다.The outer tube 10 is for forming a buffer space, that is, a spaced apart space, for preventing the inner tube 20 from being damaged by an internal and external environmental difference (pressure difference and temperature difference).

예시적으로, 아우터 튜브(10)는 실린더 형상을 가지며, 측벽의 하부에 이너 튜브(20)로부터 배기된 가스를 배기하기 위한 배기구(12)가 형성되고, 하부에 개방된 입구를 형성하는 테두리(14)를 구비한다. 아우터 튜브(10)는 예시적으로 석영 재질로 형성될 수 있다.Exemplarily, the outer tube 10 has a cylindrical shape, an exhaust port 12 for exhausting the gas exhausted from the inner tube 20 is formed at a lower portion of the side wall, and an edge forming an open inlet at the lower portion ( 14). The outer tube 10 may be formed of a quartz material as an example.

테두리(14)의 상부의 아우터 튜브(10)의 몸체는 이너 튜브(20)의 직경보다 큰 실린더형으로 예시되며, 아우터 튜브(10)는 이너 튜브(20)를 내부에 수용할 수 있는 볼륨을 갖는다.The body of the outer tube 10 on the upper portion of the rim 14 is illustrated in a cylindrical shape larger than the diameter of the inner tube 20, and the outer tube 10 has a volume capable of accommodating the inner tube 20 therein. Have.

그리고, 아우터 튜브(10)의 테두리(14)는 외측벽에서 소정 폭 돌출되며 소정 두께를 갖도록 형성된다. 그리고, 테두리(14)의 내부에는 쿨링 유로(CL)가 형성되며, 쿨링 유로(CL)는 냉매가 테두리(14)를 따라 순환되도록 형성된다. Further, the rim 14 of the outer tube 10 protrudes from the outer wall by a predetermined width and is formed to have a predetermined thickness. In addition, a cooling flow path CL is formed inside the rim 14, and the cooling flow path CL is formed so that the refrigerant circulates along the rim 14.

도 3과 같이, 쿨링 유로(CL)의 인렛 위치에는 인렛 포트(IP)가 구성되고, 쿨링 유로(CL)의 아웃렛 위치에는 아웃렛 포트(OP)가 구성된다. As shown in FIG. 3, an inlet port IP is configured at an inlet position of the cooling path CL, and an outlet port OP is configured at an outlet position of the cooling path CL.

인렛 포트(IP)는 냉매를 외부로부터 쿨링 유로(CL)로 공급하는 경로를 제공하며, 아웃렛 포트(OP)는 냉매를 쿨링 유로(CL)에서 외부로 배출하는 경로를 제공한다. 상기한 인렛 포트(IP)와 아웃렛 포트(OP)는 결합 커버(16)를 이용하여 테두리(14)의 인렛 위치 및 아웃렛 위치에 구성될 수 있다. 인렛 포트(IP)와 아웃렛 포트(OP)의 구체적인 구성의 설명은 도 3 및 도 4를 참조하여 후술한다.The inlet port IP provides a path for supplying the refrigerant from the outside to the cooling flow path CL, and the outlet port OP provides a path for discharging the refrigerant from the cooling flow path CL to the outside. The inlet port IP and the outlet port OP may be configured at the inlet position and the outlet position of the rim 14 using the coupling cover 16. A detailed description of the configuration of the inlet port IP and the outlet port OP will be described later with reference to FIGS. 3 and 4.

한편, 상기한 아우터 튜브(10)의 내부에 구성되는 이너 튜브(20)는 기판인 웨이퍼(WF)에 박막이 형성되는 반응 공간을 형성하기 위한 것이며, 하부의 입구를 통하여 반입되는 보트(60) 및 단열부(50)를 수용한다. 보트(60)는 반입되는 경우 이너 튜브(20)의 중앙의 상부에 위치하며, 단열부(50)는 반입되는 경우 이너 튜브(20)의 중앙의 하부에 위치한다.On the other hand, the inner tube 20 configured inside the outer tube 10 is for forming a reaction space in which a thin film is formed on the wafer WF, which is a substrate, and the boat 60 carried through the inlet of the lower portion And accommodates the heat insulating portion (50). The boat 60 is located above the center of the inner tube 20 when brought in, and the heat insulating part 50 is located below the center of the inner tube 20 when brought in.

이너 튜브(20)의 내부 공간의 일측에 수직으로 설치된 가스 분사 노즐(70)이 위치한다.A gas injection nozzle 70 installed vertically on one side of the inner space of the inner tube 20 is positioned.

이너 튜브(20)의 측벽 중 가스 분사 노즐(70)이 위치한 곳과 반대쪽에는 분사구들(24, 26)이 형성된다. In the side wall of the inner tube 20, injection ports 24 and 26 are formed on the opposite side of the side wall of the inner tube 20 from where the gas injection nozzle 70 is located.

이 중, 분사구들(24)은 보트(60)와 마주하는 위치에 수직으로 일렬로 형성되며, 분사구(26)는 아우터 튜브(10)의 분사구(12)와 적어도 일부가 마주하는 위치에 형성된다.Among them, the injection ports 24 are formed in a line vertically at a position facing the boat 60, and the injection ports 26 are formed at a position where at least a part of the injection hole 12 of the outer tube 10 faces. .

분사구들(24)은 보트(60)를 거치며 웨이퍼 공정에 이용된 이너 튜브(20) 내부의 공정 가스를 아우터 튜브(10)로 배기하기 위한 것이며, 분사구(26)는 단열부(50)를 거친 퍼지 가스를 아우터 튜브(10)로 배기하기 위한 것이다. The injection ports 24 are for exhausting the process gas inside the inner tube 20 used for the wafer process through the boat 60 to the outer tube 10, and the injection ports 26 are It is for exhausting the purge gas to the outer tube 10.

매니폴드(30)는 상기한 아우터 튜브(10)와 이너 튜브(20)의 하부에 구성된다.The manifold 30 is configured under the outer tube 10 and the inner tube 20 described above.

매니폴드(30)는 테두리(16)에 접하는 결합 커버(16)를 이용하여 아우터 튜브(10)의 테두리(14)와 결합될 수 있다. 매니폴드(30)는 결합 커버(16)와 볼트와 너트(도시되지 않음)를 이용하거나 별도의 클램프(도시되지 않음)를 이용하여 조립될 수 있으며, 이는 당업자에 의해 용이하게 실시될 수 있으므로 대한 구체적인 방법의 예시 및 설명은 생략한다. The manifold 30 may be coupled to the rim 14 of the outer tube 10 using the coupling cover 16 in contact with the rim 16. The manifold 30 may be assembled using a coupling cover 16 and bolts and nuts (not shown) or using a separate clamp (not shown), which can be easily implemented by a person skilled in the art. Examples and descriptions of specific methods are omitted.

여기에서, 결합 커버(16)는 테두리(14)의 상면과 측면을 커버하면서 접하는 "ㄱ" 형상으로 꺽어진 링 형태로 구성될 수 있으며, 인렛 포트(IP)와 아웃렛 포트(OP)를 결합하기 위한 구성을 가질 수 있다. 상기한 결합 커버(16)의 구체적인 구성의 설명은 후술하는 도 3 및 4를 참조하여 상세히 설명한다.Here, the coupling cover 16 may be configured in a ring shape bent in a "b" shape that covers the upper and side surfaces of the rim 14 and contacts the inlet port (IP) and the outlet port (OP). Can have a configuration for A detailed description of the configuration of the coupling cover 16 will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4 to be described later.

그리고, 매니폴드(30)의 내측의 상부에 조립 링(35)이 조립되며, 조립 링(35)은 입구를 형성하는 이너 튜브(20)의 하단을 지지한다. 조립 링(35)은 예시적으로 아우터 튜브(10)의 입구와 이너 튜브(20)의 입구 간의 이격된 간격을 밀폐하기 위하여 구성된 것으로 이해될 수 있다.In addition, the assembly ring 35 is assembled on the inner upper portion of the manifold 30, and the assembly ring 35 supports the lower end of the inner tube 20 forming an inlet. The assembly ring 35 may be illustratively understood to be configured to seal a spaced gap between the inlet of the outer tube 10 and the inlet of the inner tube 20.

상기한 매니폴드(30)는 캡 플랜지(40)의 테두리의 상부에 구성되며, 캡 플랜지(40)와 이너 튜브(20) 사이에 가스를 공급하도록 구성된다. 이를 위하여, 매니폴드(30)의 측벽에는 가스를 공급하기 위한 인렛(74)이 설치되며, 인렛(74)은 가스 분사 노즐(70)의 하부와 결합된다.The manifold 30 is configured above the rim of the cap flange 40 and is configured to supply gas between the cap flange 40 and the inner tube 20. To this end, an inlet 74 for supplying gas is installed on the side wall of the manifold 30, and the inlet 74 is coupled to the lower portion of the gas injection nozzle 70.

매니폴드(30)의 상면에는 아우터 튜브(10)가 구성된다. 아우터 튜브(10)의 테두리(14)의 저면은 매니폴드(30)의 상면과 접하며,, 이들 사이는 오링(O-ring)(OR)이 기밀을 유지하기 위하여 구성된다. 오링(OR)은 매니폴드(30)의 상면에 아우터 튜브(10)의 테두리(14)를 따라 형성된 채널에 삽입되도록 구성되는 것으로 예시될 수 있다.An outer tube 10 is formed on the upper surface of the manifold 30. The bottom surface of the rim 14 of the outer tube 10 is in contact with the upper surface of the manifold 30, and an O-ring (OR) between them is configured to maintain airtightness. The O-ring OR may be illustrated as being configured to be inserted into a channel formed along the rim 14 of the outer tube 10 on the upper surface of the manifold 30.

그리고, 매니폴드(30)는 하측이 캡 플랜지(40)와 접하도록 구성되고, 이들 사이도 오링(OR)이 기밀을 유지하기 위하여 구성됨이 바람직하다.In addition, the manifold 30 is configured such that the lower side is in contact with the cap flange 40, and the O-ring (OR) is preferably configured to maintain airtightness between them.

캡 플랜지(40)는 상부에 구성되는 보트(60), 단열부(50)를 지지하며, 승강 또는 하강되도록 구성될 수 있다. The cap flange 40 supports the boat 60 and the heat insulating part 50 configured at the top, and may be configured to be elevated or lowered.

캡 플랜지(40)의 승강 또는 하강은 하부에 구성되는 승하강 모듈(도시되지 않음)에 의해 제어될 수 있다. The lifting or lowering of the cap flange 40 may be controlled by an elevating module (not shown) configured at the lower portion.

보트(60) 및 단열부(50)는 캡 플랜지(40)의 승강에 의해 이너 튜브(20) 내에 반입될 수 있다. 이때, 캡 플랜지(40)의 에지는 매니폴드(30)의 하측과 접하여 실링을 유지한다.The boat 60 and the heat insulation part 50 may be carried into the inner tube 20 by lifting the cap flange 40. At this time, the edge of the cap flange 40 is in contact with the lower side of the manifold 30 to maintain the sealing.

이와 반대로, 보트(60) 및 단열부(50)는 캡 플랜지(40)의 하강에 의해 이너 튜브(20)의 외부로 반출될 수 있다. 이때, 캡 플랜지(40)의 에지는 매니폴드(30)의 하측과 분리된다.Conversely, the boat 60 and the heat insulating part 50 may be carried out to the outside of the inner tube 20 by the lowering of the cap flange 40. In this case, the edge of the cap flange 40 is separated from the lower side of the manifold 30.

도 1은 캡 플랜지(40)의 승강에 의해, 이너 튜브(20) 내에 보트(60) 및 단열부(50)가 위치된 상태를 예시한 것이다.1 illustrates a state in which the boat 60 and the heat insulation part 50 are positioned in the inner tube 20 by the elevation of the cap flange 40.

구동부(80)는 캡 플랜지(40)의 하부에 구성되며 캡 플랜지(40)를 관통하여 단열부(50) 중 내부 단열부(52)와 결합되는 구동축을 구비한다.The drive unit 80 is configured under the cap flange 40 and includes a drive shaft that penetrates the cap flange 40 and is coupled to the inner heat insulation part 52 of the heat insulation part 50.

구동부(80)는 구동축을 회전시킴으로써 상부의 내부 단열부(52)에 회전력을 전달한다.The driving unit 80 transmits the rotational force to the upper inner heat insulating unit 52 by rotating the drive shaft.

한편, 단열부(50)는 보트(60)의 하부 및 캡 플랜지(40)의 상부에 구성된다. 단열부(50)는 내부 단열부(52)와 외부 단열부(54)를 포함한다. 내부 단열부(52)와 외부 단열부(54)는 단열재로써 구성된다. On the other hand, the heat insulating part 50 is configured on the lower portion of the boat 60 and the upper portion of the cap flange 40. The heat insulating part 50 includes an inner heat insulating part 52 and an outer heat insulating part 54. The inner heat insulating portion 52 and the outer heat insulating portion 54 are configured as a heat insulating material.

외부 단열부(54)는 중심에 세로 방향의 장공을 가지며 균일한 두께의 측벽을 가지며, 내부 단열부(52)는 외부 단열부(54)의 장공에 삽입되는 원 기둥 형상을 갖는다. 외부 단열부(54)는 캡 플랜지(40)의 상면과 접하면서 고정되도록 구성될 수 있다.The outer heat insulating part 54 has a long hole in the vertical direction at the center and has a side wall of a uniform thickness, and the inner heat insulating part 52 has a circular column shape inserted into the long hole of the outer heat insulating part 54. The outer heat insulating portion 54 may be configured to be fixed while in contact with the upper surface of the cap flange 40.

내부 단열부(52)는 구동부(80)로부터 전달되는 회전력을 상부의 보트(60)로 전달할 수 있다.The internal heat insulating part 52 may transmit the rotational force transmitted from the driving part 80 to the upper boat 60.

보트(60)는 기판들 즉 웨이퍼들(WF)을 차지(Charge)하도록 구성된다. 보트(60)는 상부 지지판(62), 하부 지지판(64) 및 복수의 라드(Rod, 66)를 구비한다. 상부 지지판(62)과 하부 지지판(64)은 서로 평행하게 이격 배치되며 이들 사이에 수직으로 설치되는 복수의 라드(66)에 의해 고정된다. 그리고, 복수의 라드(66) 각각에는 웨이퍼(WF)를 차지하기 위한 슬롯들이 복수의 층을 이루도록 형성된다. 각 층의 웨이퍼(WF)는 복수의 라드(36) 사이에 위치된 후 라드(66)의 동일 층의 슬롯들에 안착될 수 있다.The boat 60 is configured to charge substrates, that is, wafers WF. The boat 60 includes an upper support plate 62, a lower support plate 64 and a plurality of rods 66. The upper support plate 62 and the lower support plate 64 are spaced apart from each other in parallel and are fixed by a plurality of rods 66 vertically installed therebetween. In addition, slots for occupying the wafer WF are formed in each of the plurality of rods 66 to form a plurality of layers. The wafers WF of each layer may be positioned between the plurality of rods 36 and then seated in the slots of the same layer of the rod 66.

보트(60)는 상기한 단열부(50) 중 내부 단열부(52)의 상부와 결합되도록 구성된다.The boat 60 is configured to be coupled to the upper portion of the inner heat insulating part 52 of the heat insulating part 50.

상기한 구성에 의해, 보트(60)는 웨이퍼 공정 중에 내부 단열부(52)를 통해 전달되는 회전력에 의해 회전될 수 있다. 상기한 회전에 의해 공정 가스는 보트(60)에 차지된 웨이퍼들(WF)의 전면에 고르게 공급될 수 있다.With the above configuration, the boat 60 can be rotated by the rotational force transmitted through the inner heat insulating portion 52 during the wafer process. By the rotation described above, the process gas may be evenly supplied to the entire surface of the wafers WF occupied by the boat 60.

보트(60)와 단열부(50)의 일측에 가스 분사 노즐(70)이 수직으로 설치된다. 가스 분사 노즐(70)은 이너 튜브(20)의 노즐 영역에 설치되며 다양한 형상을 갖도록 다양하게 구성될 수 있다. 가스 분사 노즐(70)은 분사구들(72)을 구비한다.A gas injection nozzle 70 is vertically installed on one side of the boat 60 and the heat insulation part 50. The gas injection nozzle 70 is installed in the nozzle area of the inner tube 20 and may be variously configured to have various shapes. The gas injection nozzle 70 has injection ports 72.

상술한 바와 같이 구성된 본 발명의 실시예에 의하면, 공정 가스는 가스 분사 노즐(70)로 유입된 후 상부로 이동되는 과정에서 활성화되며 분사구들(72)를 통하여 보트(60)의 웨이퍼들(WF)로 분사될 수 있다. According to the embodiment of the present invention configured as described above, the process gas is activated in the process of flowing upward after flowing into the gas injection nozzle 70, and the wafers WF of the boat 60 through the injection holes 72 ) Can be sprayed.

그리고, 보트(60)의 웨이퍼들(WF)로 분사된 공정 가스는 보트(60)의 웨이퍼(WF)를 거치거나 이너 튜브(20)의 내벽을 따라 흐른 후 이너 튜브(20)의 배기구들(24)을 통하여 배기될 수 있다. 이너 튜브(20)의 배기구들(24)에서 배기된 대부분의 공정 가스는 아우터 튜브(10)의 배기구(12)를 통하여 외부로 배출된다.In addition, the process gas injected to the wafers WF of the boat 60 passes through the wafers WF of the boat 60 or flows along the inner wall of the inner tube 20 and then the exhaust ports of the inner tube 20 ( 24) can be exhausted. Most of the process gas exhausted from the exhaust ports 24 of the inner tube 20 is discharged to the outside through the exhaust port 12 of the outer tube 10.

그리고, 캡 플랜지(40) 또는 매니폴드(30)에 퍼지 가스를 위한 유입 구조(도시되지 않음)가 구성될 수 있으며, 이를 통하여 퍼지 가스가 단열부(50)의 하부로 공급될 수 있고 이너 튜브(20)의 배기구(26) 및 아우터 튜브(10)의 배기구(12)를 통하여 배기될 수 있다.In addition, an inlet structure (not shown) for the purge gas may be configured in the cap flange 40 or the manifold 30, through which the purge gas may be supplied to the lower portion of the heat insulating part 50, and the inner tube It can be exhausted through the exhaust port 26 of 20 and the exhaust port 12 of the outer tube 10.

상기한 도 1과 같이 구성되는 기판 처리 장치에서, 아우터 튜브(10)의 외부에 히팅 블록(도시되지 않음)이 구성된다.In the substrate processing apparatus configured as shown in FIG. 1, a heating block (not shown) is configured outside the outer tube 10.

히팅 블록은 아우터 튜브(10)의 측벽과 상면을 둘러싸도록 구성될 수 있으며, 이너 튜브(20) 내부의 반응 공간을 가열하기 위해서 발열된다.The heating block may be configured to surround the side wall and the upper surface of the outer tube 10, and generate heat to heat the reaction space inside the inner tube 20.

아우터 튜브(10)는 히팅 블록의 발열에 의해 가열된다. 히팅 블록은 캡 플랜지(40)가 하강하여 보트(60) 및 단열부(50)가 이너 튜브(10)에서 반출된 경우에도 발열을 지속한다. 그러므로, 아우터 튜브(10)는 보트(60) 및 단열부(50)의 반입 및 반출 여부와 무관하게 공정을 위하여 지속적으로 가열된다.The outer tube 10 is heated by the heat generated by the heating block. The heating block continues to generate heat even when the cap flange 40 descends and the boat 60 and the heat insulation part 50 are carried out from the inner tube 10. Therefore, the outer tube 10 is continuously heated for the process regardless of whether the boat 60 and the heat insulating part 50 are carried in or taken out.

아우터 튜브(10)의 열은 테두리(14)를 통하여 매니폴드(30) 쪽으로 전달될 수 있다. 이때, 열에 의한 열적 손상(Thermal Damage)이 매니폴드(30)와 아우터 튜브(10) 사이의 오링(OR)에 발생될 수 있다.The heat of the outer tube 10 may be transferred to the manifold 30 through the rim 14. In this case, thermal damage due to heat may be generated in the O-ring OR between the manifold 30 and the outer tube 10.

상기한 오링(OR)의 열적 손상을 방지하기 위하여, 본 발명의 실시예에서 상술한 바와 같이 아우터 튜브(10)의 테두리(14)에 쿨링 유로(CL)가 형성된다.In order to prevent thermal damage to the O-ring OR, the cooling passage CL is formed in the rim 14 of the outer tube 10 as described above in the embodiment of the present invention.

쿨링 유로(CL)는 매니폴드(30)와 아우터 튜브(10)의 테두리(14) 사이의 실링을 위한 오링(OR)과 중첩되는 상부에 형성된다. The cooling flow path CL is formed at an upper portion overlapping with the O-ring OR for sealing between the manifold 30 and the rim 14 of the outer tube 10.

냉매는 인렛 위치에서 쿨링 유로(CL)로 공급되고, 아우터 튜브(10)의 테두리(14) 내를 순환하며, 아웃렛 위치에서 쿨링 유로(CL)로부터 배출된다. 이때, 인렛 위치와 아웃렛 위치는 인접하게 형성될 수 있으며, 쿨링 유로(CL)는 인렛 위치에서 순환을 시작하며, 테두리(14)를 따라 형성되고, 아웃렛 위치에서 순환을 종료하도록 형성된다.The refrigerant is supplied to the cooling passage CL at the inlet position, circulates within the rim 14 of the outer tube 10, and discharged from the cooling passage CL at the outlet position. At this time, the inlet position and the outlet position may be formed adjacent to each other, and the cooling passage CL starts circulation at the inlet position, is formed along the rim 14, and is formed to end circulation at the outlet position.

쿨링 유로(CL)에 냉매가 순환되는 경우, 냉매에 의해 아우터 튜브(10)의 상부의 열이 테두리(14)의 하부로 전달되는 것이 억제될 수 있다. 즉, 아우터 튜브(10)의 상부의 열이 오링(OR)에 전달되는 것이 억제될 수 있으며, 오링(OR)의 열적 손상이 방지될 수 있다.When the refrigerant is circulated in the cooling passage CL, heat from the upper portion of the outer tube 10 may be suppressed from being transferred to the lower portion of the rim 14 by the refrigerant. That is, heat from the upper portion of the outer tube 10 may be suppressed from being transferred to the O-ring OR, and thermal damage to the O-ring OR may be prevented.

특히, 본 발명의 실시예는 쿨링 유로(CL)가 오링(OR)의 상부의 중첩된 위치에 형성된다. 그러므로, 보다 효과적으로 열이 오링(OR)에 전달되는 것을 억제할 수 있다.In particular, in the embodiment of the present invention, the cooling passage CL is formed in an overlapped position on the upper portion of the O-ring OR. Therefore, it is possible to more effectively suppress heat transfer to the O-ring (OR).

그리고, 쿨링 유로(CL)에 공급되는 냉매로서 기체가 공급됨이 바람직하다. 기체는 액체보다 비열이 낮아서 액체보다 테두리(14)의 온도 조절이 쉬운 용이한 이점이 있다.In addition, it is preferable that gas is supplied as a refrigerant supplied to the cooling passage CL. Since the gas has a lower specific heat than the liquid, there is an advantage that it is easy to control the temperature of the frame 14 than the liquid.

본 발명의 실시예는 쿨링 유로(CL)를 따라 냉매를 순환시키기 위하여, 인렛 포트(IP), 아웃렛 포트(OP) 및 결합 커버(16)를 구비한다.An embodiment of the present invention includes an inlet port IP, an outlet port OP, and a coupling cover 16 in order to circulate the refrigerant along the cooling passage CL.

인렛 포트(IP)는 상기한 인렛 위치에서 테두리(14)의 측면을 관통하며, 외부에서 쿨링 유로(CL)로 냉매를 공급하도록 구성된다.The inlet port IP penetrates the side surface of the rim 14 at the inlet position described above, and is configured to supply the refrigerant to the cooling passage CL from the outside.

아웃렛 포트(OP)는 상기한 인렛 위치와 가까운 상기한 아웃렛 위치에서 테두리(14)의 측면을 관통하며, 쿨링 유로(CL)를 순환한 냉매를 배출하도록 구성된다.The outlet port OP passes through the side surface of the rim 14 at the outlet position close to the inlet position and is configured to discharge the refrigerant circulating through the cooling passage CL.

결합 커버(16)는 테두리(14)의 측면과 상면을 커버하며 인렛 위치와 아웃렛 위치에 대응하는 관통구(18)를 구비한다. The coupling cover 16 covers the side and upper surfaces of the rim 14 and includes a through hole 18 corresponding to an inlet position and an outlet position.

상기한 인렛 포트(IO)와 아웃렛 포트(OP)는 노즐(100) 및 지지체(102)를 구비하도록 각각 구성된다. The inlet port IO and the outlet port OP are configured to have a nozzle 100 and a support 102, respectively.

노즐(100)은 일단이 테두리(14)의 측면의 인렛 위치 또는 아웃렛 위치를 관통하여 쿨링 유로(CL)에 도달하도록 구성되며 타단이 결합 커버(16)의 측벽을 관통하여 노출될 수 있는 길이를 가지며 내부에 냉매가 흐르는 관으로 구성될 수 있다. The nozzle 100 is configured such that one end penetrates the inlet position or the outlet position of the side of the rim 14 to reach the cooling flow path CL, and the other end penetrates the sidewall of the coupling cover 16 and has a length that can be exposed. And may be configured as a tube through which the refrigerant flows.

지지체(102)는 노즐(100)의 외벽에서 돌출되며 테두리(14)의 측면에 밀착되는 판상으로 구성될 수 있다. 지지체(102)는 테두리(14)의 측면과 결합 커버(16)의 측벽 사이에 개재됨으로써 인렛 포트(IO)와 아웃렛 포트(OP)의 위치를 고정하는 역할을 한다.The support 102 may be formed in a plate shape that protrudes from the outer wall of the nozzle 100 and is in close contact with the side surface of the rim 14. The support 102 serves to fix the positions of the inlet port IO and the outlet port OP by being interposed between the side wall of the rim 14 and the side wall of the coupling cover 16.

결합 커버(16)는 지지체의 개재 즉 수용을 위한 수용 공간(19)을 가지며, 수용 공간(19)은 결합 커버(16)의 관통구(18)가 형성된 위치의 내측면에 형성되고 지지체(102)를 수용할 수 있는 볼륨을 갖도록 형성된다.The coupling cover 16 has an accommodation space 19 for interposing the support, that is, accommodation, and the accommodation space 19 is formed on the inner surface of the position where the through hole 18 of the coupling cover 16 is formed, and the support 102 ) Is formed to have a volume that can accommodate.

테두리(14)가 매니폴드(30)와 조립된 상태는 결합 커버(16)와 매니폴드(30)의 결합에 의해 지지될 수 있으며, 매니폴드(30)는 결합 커버(16)는 상술한 바와 같이 볼트와 너트(도시되지 않음) 또는 별도의 클램프(도시되지 않음)를 이용하여 결합될 수 있다.The state in which the rim 14 is assembled with the manifold 30 may be supported by the coupling of the coupling cover 16 and the manifold 30, and the manifold 30 is the coupling cover 16 as described above. Likewise, it may be coupled using a bolt and a nut (not shown) or a separate clamp (not shown).

상술한 구성에 의하여, 본 발명의 실시예는 아우터 튜브(10)의 테두리(14)가 쿨링 유로(CL)을 따라 흐르는 기체와 같은 냉매에 의해 쿨링되며, 아우터 튜브(10)의 상부의 열이 테두리(14)를 경유하여 매니폴드(30)의 오링(OR)으로 전달되는 것이 억제될 수 있다. 그러므로, 열적 손상으로부터 매니폴드(30)와 아우터 튜브(10)의 테두리(14) 사이에 구성되는 오링(OR)이 보호될 수 있다.According to the above-described configuration, in the embodiment of the present invention, the rim 14 of the outer tube 10 is cooled by a refrigerant such as gas flowing along the cooling flow path CL, and the heat of the upper portion of the outer tube 10 is Transmission to the O-ring (OR) of the manifold 30 via the rim 14 can be suppressed. Therefore, the O-ring OR configured between the manifold 30 and the rim 14 of the outer tube 10 can be protected from thermal damage.

또한, 상기한 구성에 의하여, 아우터 튜브(10)의 열이 매니폴드(30)로 전달되는 것이 억제된다. 즉, 본 발명의 실시예는 낮은 온도를 유지하도록 매니폴드(30)를 쿨링 시킬 필요가 없다. 그러므로, 매니폴드(30)가 과도하게 낮은 온도를 유지하는 것이 방지될 수 있다. 따라서, 매니폴드(30)의 낮은 온도에 의해, 공정에 따라 매니폴드(30)의 내벽에 파우더가 생성되는 것을 방지할 수 있다.Further, by the above-described configuration, heat from the outer tube 10 is suppressed from being transferred to the manifold 30. That is, in the embodiment of the present invention, there is no need to cool the manifold 30 to maintain a low temperature. Therefore, the manifold 30 can be prevented from maintaining an excessively low temperature. Accordingly, the low temperature of the manifold 30 can prevent the generation of powder on the inner wall of the manifold 30 according to the process.

그리고, 본 발명의 실시예는 서로 다른 온도 환경에 대응하여 서로 다른 유속으로 냉매를 공급하도록 도 5와 같이 실시될 수 있다.In addition, the embodiment of the present invention may be implemented as shown in FIG. 5 to supply the refrigerant at different flow rates in response to different temperature environments.

도 5의 실시예는 냉매 공급 장치 및 온도 모니터(300)를 구비하도록 구성된다.The embodiment of FIG. 5 is configured to include a refrigerant supply device and a temperature monitor 300.

온도 모니터(300)는 온도 탐칩(RC)를 통하여 오링(OR)의 온도를 측정하는 모니터링 설비로 이해될 수 있다.The temperature monitor 300 may be understood as a monitoring facility that measures the temperature of the O-ring (OR) through a temperature tom chip (RC).

냉매 공급 장치는 서로 다른 온도 환경에 대응하여 서로 다른 유속의 상기 냉매의 공급을 스위칭하는 둘 이상의 공급 스위치를 포함도록 구성되며, 선택된 공급 스위치를 통하여 온도 환경에 대응하는 유속의 냉매를 인렛 위치로 공급하도록 구성될 수 있다.The refrigerant supply device is configured to include two or more supply switches for switching the supply of the refrigerant at different flow rates in response to different temperature environments, and supplies the refrigerant at a flow rate corresponding to the temperature environment to the inlet position through the selected supply switch. Can be configured to

보다 구체적으로, 냉매 공급 장치는 예시적으로 제1 냉매 공급원(200)과 제2 냉매 공급원(202)을 포함할 수 있으며, 제1 냉매 공급원(200)은 제1 온도 환경의 노멀 공정에 대응한 제1 유속으로 냉매의 공급 속도를 조절하는 공급 조절기(210) 및 선택된 경우 제1 유속의 냉매를 쿨링 유로(CL)로 공급하는 제1 공급 스위치(220)를 포함하도록 구성되고, 제2 냉매 공급원(202)은 제1 온도 환경보다 고온의 제2 온도 환경의 고온 공정에 대응한 제2 유속으로 냉매의 공급 속도를 조절하는 공급 조절기(212) 및 선택된 경우 제2 유속의 냉매를 쿨링 유로(CL)로 공급하는 제2 공급 스위치(222)를 포함하도록 구성된다.More specifically, the refrigerant supply device may include a first refrigerant supply source 200 and a second refrigerant supply source 202 as an example, and the first refrigerant supply source 200 corresponds to a normal process in a first temperature environment. It is configured to include a supply controller 210 for adjusting the supply speed of the refrigerant at the first flow rate and, if selected, a first supply switch 220 for supplying the refrigerant at the first flow rate to the cooling passage CL, and a second refrigerant supply source 202 is a supply controller 212 for controlling a supply rate of the refrigerant at a second flow rate corresponding to a high-temperature process in a second temperature environment that is higher than the first temperature environment, and if selected, the refrigerant at the second flow rate is transferred to the cooling channel CL. It is configured to include a second supply switch 222 to supply to).

따라서, 냉매 공급 장치는 선택된 공급 스위치(제1 공급 스위치(220) 또는 제2 공급 스위치(222))를 통하여 온도 환경에 대응하는 유속의 냉매를 테두리(14)의 인렛 위치로 공급할 수 있다.Accordingly, the refrigerant supply device may supply the refrigerant having a flow rate corresponding to the temperature environment to the inlet position of the rim 14 through the selected supply switch (the first supply switch 220 or the second supply switch 222 ).

예시적으로, 웨이퍼 공정이 진행되거나 대기 중인 경우 히팅 블록이 600℃로 가열되고, 클리닝 공정인 경우 히팅 블록이 800℃로 가열하는 것으로 예시할 수 있다. For example, when the wafer process is in progress or waiting, the heating block is heated to 600°C, and in the case of the cleaning process, the heating block is heated to 800°C.

본 발명의 실시예는 히팅 블록이 600℃로 가열되는 경우의 제1 온도 환경과 히팅 블록이 800℃로 가열되는 경우의 제2 온도 환경으로 구분하여 동작될 수 있고, 제1 온도 환경인 경우 제1 공급 스위치(220)가 냉매를 공급할 수 있으며, 제2 온도환경인 경우 제2 공급 스위치(222)가 냉매를 공급할 수 있다.The embodiment of the present invention can be operated by dividing into a first temperature environment when the heating block is heated to 600°C and a second temperature environment when the heating block is heated to 800°C. The first supply switch 220 may supply the refrigerant, and in the second temperature environment, the second supply switch 222 may supply the refrigerant.

제1 공급 스위치(220)와 제2 공급 스위치(222)의 제어는 온도 모니터(300)로부터 제어 신호를 수신함에 따른 자동 제어 또는 작업자에 의한 매뉴얼 제어 등 다양하게 구현될 수 있다.Control of the first supply switch 220 and the second supply switch 222 may be variously implemented, such as automatic control according to receiving a control signal from the temperature monitor 300 or manual control by an operator.

또한, 도 5에서 설명되지 않은 부호 400은 보조적으로 이용될 수 있는 카트리지 블록 히터로 이해될 수 있으며, 카트리지 블록 히터(400)는 매니폴드(30)가 일정한 온도 이상(예시적으로 180℃ 이상)이 유지될 필요성이 있는 경우 설치될 수 있으며 매니폴드(30)의 온도를 제어하기 위한 것이다.In addition, reference numeral 400 not described in FIG. 5 may be understood as a cartridge block heater that can be used as an auxiliary, and the cartridge block heater 400 has a manifold 30 at a certain temperature or higher (e.g., 180° C. or higher). It can be installed if there is a need to be maintained and is for controlling the temperature of the manifold 30.

이상과 같이, 본 발명은 쿨링 유로(CL)가 형성된 아우터 튜브(10)의 테두리에 의해 고온이 매니폴드(30)의 오링(OR)으로 전달되는 것이 억제될 수 있으며, 그 결과 오링(OR)이 열적 손상으로부터 보호될 수 있으며, 기판처리장치의 신뢰성이 개선될 수 있다.As described above, in the present invention, high temperature can be suppressed from being transmitted to the O-ring OR of the manifold 30 by the rim of the outer tube 10 in which the cooling flow path CL is formed, and as a result, the O-ring OR It can be protected from this thermal damage, and the reliability of the substrate processing apparatus can be improved.

또한, 매니폴드가 과도하게 낮은 온도를 유지하는 것이 방지될 수 있으며, 그 결과, 공정에 따라 매니폴드의 내벽에 파우더가 생성되는 것을 방지할 수 있고, 그 결과 공정 신뢰성이 개선될 수 있다.In addition, it is possible to prevent the manifold from maintaining an excessively low temperature, and as a result, it is possible to prevent powder from being generated on the inner wall of the manifold depending on the process, and as a result, process reliability may be improved.

Claims (14)

하부에 입구를 형성하는 테두리를 구비하며,
상기 테두리의 내부에 냉매의 흐름을 위한 쿨링 유로가 형성되고,
상기 냉매에 의해 상부의 열이 상기 테두리의 하부로 전달되는 것이 억제됨이 특징으로 하는 기판처리장치의 튜브.
It has an edge forming an entrance at the bottom,
A cooling passage for the flow of refrigerant is formed in the inside of the rim,
The tube of the substrate processing apparatus, characterized in that the heat from the upper part is suppressed from being transferred to the lower part of the rim by the refrigerant.
제1 항에 있어서,
상기 테두리는 하부의 매니폴드와 접하도록 조립되며,
상기 쿨링 유로는 상기 매니폴드와 상기 튜브 사이의 실링을 위한 오링과 중첩되는 상부에 형성되는 기판처리장치의 튜브.
The method of claim 1,
The rim is assembled to be in contact with the lower manifold,
The cooling passage is a tube of the substrate processing apparatus that is formed on an upper portion overlapping with an O-ring for sealing between the manifold and the tube.
제1 항에 있어서,
상기 테두리의 측면을 관통하며, 외부에서 상기 쿨링 유로로 상기 냉매를 공급하는 인렛 포트;
상기 인렛 포트와 가까운 위치에서 상기 테두리의 측면을 관통하며 상기 쿨링 유로를 순환한 상기 냉매를 배출하는 아웃렛 포트; 및
적어도 상기 테두리의 측면을 커버하며 상기 인렛 포트와 상기 아웃렛 포트가 인출되는 관통구들이 형성되는 결합 커버;를 구비하며,
상기 인렛 포트와 상기 아웃렛 포트가 상기 테두리에 결합된 상태는 상기 결합 커버에 의해 지지되는 기판처리장치의 튜브.
The method of claim 1,
An inlet port penetrating a side surface of the rim and supplying the refrigerant to the cooling passage from the outside;
An outlet port passing through a side surface of the rim at a position close to the inlet port and discharging the refrigerant circulating through the cooling passage; And
And a coupling cover that covers at least a side surface of the rim and has through holes through which the inlet port and the outlet port are drawn out,
The tube of the substrate processing apparatus supported by the coupling cover when the inlet port and the outlet port are coupled to the rim.
제3 항에 있어서,
상기 인렛 포트와 상기 아웃렛 포트는,
상기 냉매가 흐르는 노즐; 및
상기 노즐의 외벽에서 돌출되며 상기 테두리의 측면에 밀착되는 지지체;를 구비하며,
상기 지지체를 수용하는 수용 공간이 상기 결합 커버의 상기 관통구가 형성된 위치의 내측면에 형성되고,
상기 지지체가 상기 수용 공간에 삽입됨으로써 상기 인렛 포트와 상기 아웃렛 포트가 상기 결합 커버에 의해 지지되는 기판처리장치의 튜브.
The method of claim 3,
The inlet port and the outlet port,
A nozzle through which the refrigerant flows; And
It has a; a support protruding from the outer wall of the nozzle and in close contact with the side surface of the rim,
An accommodation space for accommodating the support is formed on the inner surface of the coupling cover at the position where the through hole is formed,
The tube of the substrate processing apparatus in which the inlet port and the outlet port are supported by the coupling cover by inserting the support into the accommodation space.
제3 항에 있어서,
상기 결합 커버는 상기 테두리의 측면에 접하는 커버 측면과 상기 테두리의 상면과 접하는 커버 상면이 일체로 형성된 링 형태로 구성되며,
상기 테두리가 상기 매니폴드와 조립된 상태는 상기 결합 커버와 상기 매니폴드의 결합에 의해 지지되는 기판처리장치의 튜브.
The method of claim 3,
The coupling cover is configured in a ring shape in which a cover side in contact with a side surface of the frame and a cover top surface in contact with an upper surface of the frame are integrally formed,
The tube of the substrate processing apparatus is supported by the coupling of the coupling cover and the manifold when the rim is assembled with the manifold.
제1 항에 있어서,
기체가 상기 냉매로서 공급되는 기판처리장치의 튜브.
The method of claim 1,
A tube of a substrate processing apparatus in which gas is supplied as the refrigerant.
이너 튜브;
하부에 입구를 형성하며, 내부에 냉매의 흐름을 위한 쿨링 유로가 형성된 테두리를 구비하고, 상기 이너 튜브를 수용하는 아우터 튜브; 및
상기 아우터 튜브의 상기 테두리 하부에 조립되는 매니폴드;를 구비함을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
Inner tube;
An outer tube forming an inlet at a lower portion, having an edge formed with a cooling passage for the flow of refrigerant therein, and accommodating the inner tube; And
And a manifold assembled under the rim of the outer tube.
제7 항에 있어서,
상기 쿨링 유로는 상기 매니폴드와 상기 튜브 사이의 실링을 위한 오링과 중첩되는 상부에 형성되는 기판처리장치.
The method of claim 7,
The cooling flow path is a substrate processing apparatus formed on an upper portion overlapping with an O-ring for sealing between the manifold and the tube.
제7 항에 있어서,
상기 테두리의 측면을 관통하며, 외부에서 상기 쿨링 유로로 상기 냉매를 공급하는 인렛 포트;
상기 인렛 포트와 가까운 위치에서 상기 테두리의 측면을 관통하며 상기 쿨링 유로를 순환한 상기 냉매를 배출하는 아웃렛 포트; 및
적어도 상기 테두리의 측면을 커버하며 상기 인렛 포트와 상기 아웃렛 포트가 인출되는 관통구들이 형성되는 결합 커버;를 구비하며,
상기 인렛 포트와 상기 아웃렛 포트가 상기 테두리에 결합된 상태는 상기 결합 커버에 의해 지지되는 기판처리장치.
The method of claim 7,
An inlet port penetrating a side surface of the rim and supplying the refrigerant to the cooling passage from the outside;
An outlet port passing through a side surface of the rim at a position close to the inlet port and discharging the refrigerant circulating through the cooling passage; And
And a coupling cover that covers at least a side surface of the rim and has through holes through which the inlet port and the outlet port are drawn out,
When the inlet port and the outlet port are coupled to the edge, the substrate processing apparatus is supported by the coupling cover.
제9 항에 있어서,
상기 인렛 포트와 상기 아웃렛 포트는,
상기 냉매가 흐르는 노즐; 및
상기 노즐의 외벽에서 돌출되며 상기 테두리의 측면에 밀착되는 지지체;를 구비하며,
상기 지지체를 수용하는 수용 공간이 상기 결합 커버의 상기 관통구가 형성된 위치의 내측면에 형성되고,
상기 지지체가 상기 수용 공간에 삽입됨으로써 상기 인렛 포트와 상기 아웃렛 포트가 상기 결합 커버에 의해 지지되는 기판처리장치.
The method of claim 9,
The inlet port and the outlet port,
A nozzle through which the refrigerant flows; And
It has a; a support protruding from the outer wall of the nozzle and in close contact with the side surface of the rim,
An accommodation space for accommodating the support is formed on the inner surface of the coupling cover at the position where the through hole is formed,
The substrate processing apparatus in which the inlet port and the outlet port are supported by the coupling cover by inserting the support into the accommodation space.
제9 항에 있어서,
상기 결합 커버는 상기 테두리의 측면에 접하는 커버 측면과 상기 테두리의 상면과 접하는 커버 상면이 일체로 형성된 링 형태로 구성되며,
상기 테두리가 상기 매니폴드와 조립된 상태는 상기 결합 커버와 상기 매니폴드의 결합에 의해 지지되는 기판처리장치.
The method of claim 9,
The coupling cover is configured in a ring shape in which a cover side in contact with a side surface of the frame and a cover top surface in contact with an upper surface of the frame are integrally formed,
When the rim is assembled with the manifold, the substrate processing apparatus is supported by the coupling of the coupling cover and the manifold.
제7 항에 있어서,
기체가 상기 냉매로서 공급되는 기판처리장치.
The method of claim 7,
A substrate processing apparatus in which gas is supplied as the refrigerant.
제7 항에 있어서,
서로 다른 온도 환경에 대응하여 서로 다른 유속의 상기 냉매의 공급을 스위칭하는 둘 이상의 공급 스위치를 포함하는 냉매 공급 장치를 더 포함하며, 상기 냉매 공급 장치는 선택된 공급 스위치를 통하여 상기 온도 환경에 대응하는 유속의 상기 냉매를 상기 인렛 위치로 공급하는 기판처리장치.
The method of claim 7,
Further comprising a refrigerant supply device including two or more supply switches for switching the supply of the refrigerant at different flow rates in response to different temperature environments, wherein the refrigerant supply device includes a flow rate corresponding to the temperature environment through a selected supply switch The substrate processing apparatus for supplying the refrigerant of the inlet to the inlet position.
제13 항에 있어서,
상기 냉매 공급 장치는
제1 온도 환경의 노멀 공정에 대응한 제1 유속의 상기 냉매를 공급하는 제1 공급 스위치; 및
상기 제1 온도 환경보다 고온의 제2 온도 환경의 고온 공정에 대응하여 상기 제1 유속보다 빠른 제2 유속의 상기 냉매를 공급하는 제2 공급 스위치를 포함하는 기판 처리 장치.
The method of claim 13,
The refrigerant supply device
A first supply switch for supplying the refrigerant at a first flow rate corresponding to a normal process in a first temperature environment; And
And a second supply switch for supplying the refrigerant at a second flow rate faster than the first flow rate in response to a high-temperature process in a second temperature environment that is higher than the first temperature environment.
KR1020190135121A 2019-10-29 2019-10-29 Tube and substrate processing apparatus using the same KR20210050725A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190135121A KR20210050725A (en) 2019-10-29 2019-10-29 Tube and substrate processing apparatus using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190135121A KR20210050725A (en) 2019-10-29 2019-10-29 Tube and substrate processing apparatus using the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210050725A true KR20210050725A (en) 2021-05-10

Family

ID=75917206

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190135121A KR20210050725A (en) 2019-10-29 2019-10-29 Tube and substrate processing apparatus using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20210050725A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5960028B2 (en) Heat treatment equipment
US10748795B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
EP0480181A2 (en) Method and apparatus for batch processing of a semiconductor wafer
US5908292A (en) Semiconductor processing furnace outflow cooling system
TWI517252B (en) Apparatus for thermal processing with micro-environment
WO2007047055A2 (en) Reaction chamber with opposing pockets for gas injection and exhaust
JP2000003918A (en) Semiconductor heat-treating device and method
WO2003085710A1 (en) Vertical heat treating equipment
EP1015831B1 (en) Semiconductor processing furnace heating subassembly
US20180144953A1 (en) Substrate processing apparatus, exhaust system and method of manufacturing semiconductor device
US20210092798A1 (en) Substrate Processing Apparatus and Gas Box
US11367633B2 (en) Heat treatment apparatus and heat treatment method
TWI676213B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101392378B1 (en) Apparatus for processing substrate
KR20210050725A (en) Tube and substrate processing apparatus using the same
JP4969127B2 (en) Substrate processing equipment
JP7269307B2 (en) Support unit and substrate processing equipment
KR20210047064A (en) Substrate processing apparatus
JP4718054B2 (en) Vertical heat treatment equipment
WO1998039609A1 (en) Semiconductor processing furnace
JPH07115066A (en) Semiconductor heat treatment device
JP5252850B2 (en) Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method
JP2001068425A (en) Method and device for semiconductor thermal process
JP2004063661A (en) Device for manufacturing semiconductor
JP2012089603A (en) Substrate processing device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal