KR20210000355A - Apparatus and Method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a device and method for treating a substrate with a liquid. The device for treating a substrate with a liquid comprises: a processing vessel providing a treatment space therein; a substrate support unit supporting the substrate in the processing space; and a liquid supply unit supplying the liquid to the substrate supported by the substrate support unit. The substrate support unit includes a rotatable support plate placed in the center of the substrate and supporting the substrate so that the edge of the substrate is exposed to the outside. The liquid supply unit includes a back nozzle supplying the liquid from a lower portion of the support plate to the bottom surface of the substrate and a driver driving the back nozzle so that a discharge position of the liquid discharged from the back nozzle is changed to a first position and a second position farther from the center of the substrate than the first position.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}Substrate processing apparatus and method {Apparatus and Method for treating substrate}

본 발명은 기판을 액 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for liquid processing a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 도포, 노광, 그리고 현상 단계를 순차적으로 수행한다. 도포 공정은 기판의 표면에 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정이다. 노광 공정은 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이다. 현상 공정에는 기판의 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상하는 공정이다. In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as cleaning, deposition, photography, etching, and ion implantation are performed. Among these processes, the photographic process sequentially performs coating, exposure, and development steps. The coating process is a process of applying a photosensitive liquid such as a resist to the surface of the substrate. The exposure process is a process of exposing a circuit pattern on a substrate on which a photosensitive film is formed. In the developing process, the exposed area of the substrate is selectively developed.

일반적으로 도포 공정은 기판 상에 감광액을 도포하고, 도포된 감광액막 중 일부를 제거한 후에, 노출된 기판 영역을 세정한다. 감광액막은 기판의 상면 전체에 도포되고, 도포된 감광액막 중 기판의 베벨부 영역은 제거되며, 기판의 저면에는 세정액이 공급된다.In general, in the coating process, a photoresist is applied on a substrate, a part of the applied photoresist film is removed, and then the exposed substrate area is cleaned. The photoresist film is applied to the entire upper surface of the substrate, the bevel portion of the substrate is removed from the applied photoresist film, and the cleaning liquid is supplied to the lower surface of the substrate.

그러나 기판의 베벨부의 막 제거 및 저면 세정은 동시 또는 순차적으로 진행되며, 서로 다른 노즐에 의해 액(L) 처리된다. 도 1은 일반적인 제1노즐 및 제2노즐을 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 제1노즐은 기판의 저면 세정을 위한 노즐이고, 제2노즐은 기판의 베벨부의 막 제거를 위한 노즐이다. 제2노즐은 제1노즐에 비해 기판의 중심축으로부터 멀리 떨어지게 위치되며, 제1노즐 및 제2노즐 각각은 그 위치가 고정된다. 따라서 베벨부의 막 제거 영역을 실시간 조절하는 것이 불가능하며, 도 2와 같이 베벨부와 인접하게 위치되는 영역의 칩은 손상된다.However, the film removal and bottom cleaning of the bevel portion of the substrate are performed simultaneously or sequentially, and liquid (L) is treated by different nozzles. 1 is a cross-sectional view showing a general first nozzle and a second nozzle. Referring to FIG. 1, a first nozzle is a nozzle for cleaning a bottom surface of a substrate, and a second nozzle is a nozzle for removing a film from a bevel portion of a substrate. The second nozzle is positioned farther away from the central axis of the substrate than the first nozzle, and the first nozzle and the second nozzle each have their positions fixed. Accordingly, it is impossible to adjust the film removal region of the bevel portion in real time, and chips in the region adjacent to the bevel portion as shown in FIG. 2 are damaged.

또한 막 제거 및 저면 세정을 위해서는 2 이상의 노즐들이 필요하며, 제1노즐과 제2노즐은 기판의 아래에서 많은 공간을 필요하는 동시에 기판에 사용된 액을 회수하는 컵과 간섭이 발생될 수 있다.In addition, two or more nozzles are required for film removal and bottom cleaning, and the first nozzle and the second nozzle require a lot of space under the substrate, and at the same time, interference with a cup for recovering liquid used for the substrate may occur.

본 발명은 기판의 베벨부와 저면 각각에 액을 공급함에 있어서, 노즐이 놓여지는 공간을 확보할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of securing a space in which a nozzle is placed in supplying a liquid to each of a bevel portion and a bottom surface of a substrate.

또한 본 발명은 기판을 액 처리하는 장치에 있어서, 장치들 간 간섭을 최소화할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of minimizing interference between devices in an apparatus for liquid processing a substrate.

또한 본 발명은 기판의 베벨부에 인접하게 위치되는 칩이 손상되는 것을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of preventing damage to a chip positioned adjacent to a bevel portion of a substrate.

본 발명의 실시예는 기판을 액 처리하는 장치 및 방법을 제공한다.An embodiment of the present invention provides an apparatus and method for liquid processing a substrate.

기판을 액 처리하는 장치는 내부에 처리 공간을 제공하는 처리 용기, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 그리고 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판으로 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 기판 지지 유닛은 기판의 중심 영역이 놓이며, 기판의 가장자리 영역이 외부에 노출되도록 기판을 지지하고, 회전 가능한 지지판을 포함하며, 상기 액 공급 유닛은 상기 지지판의 아래에서 기판의 저면으로 액을 공급하는 백노즐 및 상기 백노즐로부터 토출되는 액의 토출 위치가 제1위치와 상기 제1위치보다 기판의 중심에서 멀리 떨어진 제2위치로 변경되도록 상기 백노즐을 구동시키는 구동기를 포함한다. The apparatus for liquid processing a substrate includes a processing container providing a processing space therein, a substrate support unit supporting a substrate in the processing space, and a liquid supply unit supplying a liquid to a substrate supported by the substrate support unit, The substrate support unit supports a substrate such that a central region of the substrate is placed and an edge region of the substrate is exposed to the outside, and includes a rotatable support plate, and the liquid supply unit transfers liquid from under the support plate to the bottom surface of the substrate. And a driver for driving the back nozzle so that a supply back nozzle and a discharge position of the liquid discharged from the back nozzle are changed to a first position and a second position farther from the center of the substrate than the first position.

상기 구동기를 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 제2위치로 액을 토출하는 중에, 상기 구동기에 의해 상기 제2위치를 중심으로 일정 범위 내에서 토출 위치가 계속적으로 변경되도록 상기 구동기를 제어할 수 있다. Further comprising a controller for controlling the actuator, wherein the controller, while discharging the liquid to the second position, the actuator to continuously change the discharge position within a predetermined range around the second position by the actuator. Can be controlled.

상기 기판 지지 유닛은 상기 지지판을 지지하며, 회전되는 회전축과 상기 회전축을 감싸며, 상기 지지판보다 큰 직경을 가지는 지지 바디를 포함하되, 상기 백노즐은 상기 지지 바디에 설치될 수 있다. The substrate support unit supports the support plate and includes a rotating shaft that is rotated and a support body that surrounds the rotation shaft and has a larger diameter than the support plate, and the back nozzle may be installed on the support body.

상기 백노즐의 위치 변경은 상기 백노즐을 회전에 의해 이루어지도록 제공될 수 있다 상기 백노즐은 상기 구동기에 의해 회전 가능한 몸통부와 상기 몸통부에 지지되며, 액이 토출되는 토출구가 형성되는 토출부를 포함하되, 상기 토출구 및 상기 토출구에 액을 공급하는 토출 라인은 상기 몸통부의 중심축으로부터 이격되게 위치될 수 있다. 상기 토출구는 위로 갈수록 상기 중심축으로부터 멀어지거나 가까워지는 방향을 향할 수 있다. The position of the back nozzle may be changed by rotating the back nozzle. The back nozzle is supported by a rotatable body part and the body part by the actuator, and a discharge part in which a discharge port through which liquid is discharged is formed. Including, but the discharge port and the discharge line for supplying the liquid to the discharge port may be positioned to be spaced apart from the central axis of the body. The discharge port may be directed toward a direction closer to or away from the central axis as it goes upward.

상기 백노즐의 위치 변경은 상기 백노즐을 직선 이동에 의해 이루어지도록 제공될 수 있다. 상기 구동기는 길이 방향이 상부에서 바라볼 때 기판의 중심축으로부터 멀어지는 방향으로 연장되는 가이드, 상기 가이드의 길이 방향을 따라 이동 가능한 브라켓, 그리고 상기 브라켓이 이동되도록 구동력을 제공하는 모터를 포함하고, 상기 백노즐은 상기 브라켓에 설치될 수 있다. 상기 백노즐의 토출구는 기판의 중심축으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 형성될 수 있다. The change of the position of the back nozzle may be provided so as to be made by linearly moving the back nozzle. The driver includes a guide extending in a direction away from the central axis of the substrate when the longitudinal direction is viewed from the top, a bracket movable along the longitudinal direction of the guide, and a motor providing a driving force to move the bracket, the The back nozzle may be installed on the bracket. The discharge port of the back nozzle may be formed to be inclined upward as it moves away from the central axis of the substrate.

또한 기판을 액 처리하는 장치는 내부에 처리 공간을 제공하는 처리 용기, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 그리고 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판으로 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 기판 지지 유닛은 기판의 중심 영역이 놓이며, 기판의 가장자리 영역이 외부에 노출되도록 기판을 지지하고, 회전 가능한 지지판을 포함하며, 상기 액 공급 유닛은 상기 지지판의 아래에서 기판의 저면으로 액을 공급하는 백노즐을 포함하되, 상기 백 노즐에는 기판의 저면인 제1위치로 액을 토출하는 제1토출구와 상기 제1위치보다 기판의 중심에서 멀리 떨어진 기판의 저면인 제2위치로 액을 토출하는 제2토출구가 형성된다. In addition, the apparatus for liquid processing a substrate includes a processing container providing a processing space therein, a substrate support unit supporting the substrate in the processing space, and a liquid supply unit supplying a liquid to a substrate supported by the substrate support unit. , The substrate support unit supports the substrate so that the central region of the substrate is placed and the edge region of the substrate is exposed to the outside, and includes a rotatable support plate, and the liquid supply unit includes a liquid from below the support plate to the bottom of the substrate. It includes a back nozzle for supplying, wherein the back nozzle has a first discharge port for discharging the liquid to a first position that is a bottom surface of the substrate and a second position that is a bottom surface of the substrate further away from the center of the substrate than the first position. A second discharge port for discharging is formed.

상기 액 공급 유닛은 상기 백노즐을 회전시키는 구동기를 더 포함하되, 상기 백노즐은 상기 구동기에 의해 회전 가능한 몸통부, 상기 몸통부의 상단으로부터 수직한 방향으로 연장되며 상기 제1토출구가 형성되는 제1토출부, 상기 몸통부의 상단으로부터 상기 제1토출부와 반대되는 방향으로 연장되며 상기 제2토출구가 형성되는 제2토출부를 포함할 수 있다. The liquid supply unit further includes a driver for rotating the back nozzle, wherein the back nozzle extends in a vertical direction from an upper end of the body portion and a body rotatable by the driver, and the first discharge port is formed. It may include a discharge part, a second discharge part extending in a direction opposite to the first discharge part from an upper end of the body part and forming the second discharge port.

상기 제1토출구 및 상기 제2토출구 각각은 기판의 중심축으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 제공될 수 있다. Each of the first discharge port and the second discharge port may be provided to face an upwardly inclined direction as the distance from the central axis of the substrate increases.

또한 기판을 액 처리하는 방법은 회전되는 상기 기판의 저면에 액을 공급하여 상기 기판을 액 처리하되, 상기 기판의 아래에 위치되는 백 노즐은 상기 액을 상기 기판의 저면인 제1위치로 토출하여 상기 기판의 저면을 액 처리하고, 상기 액을 상기 제1위치보다 상기 기판의 중심에서 멀리 떨어지며 상기 기판의 저면인 제2위치로 토출하여 상기 기판의 베벨부를 액 처리한다. In addition, the method of liquid treatment of the substrate is to liquid-process the substrate by supplying liquid to the bottom surface of the rotating substrate, and a back nozzle positioned under the substrate discharges the liquid to a first position, which is the bottom surface of the substrate. The bottom surface of the substrate is subjected to a liquid treatment, and the liquid is discharged to a second position, which is a lower surface of the substrate, farther from the center of the substrate than the first position, thereby processing the bevel portion of the substrate.

상기 액은 상기 제1위치로 토출된 후에 상기 제2위치로 토출될 수 있다. 상기 제1위치로 상기 액을 토출하는 것과 상기 제2위치로 상기 액을 토출하는 것 간의 변경은 상기 백 노즐을 회전 이동시킴으로써 이루어질 수 있다. The liquid may be discharged to the first position and then discharged to the second position. A change between discharging the liquid to the first position and discharging the liquid to the second position can be made by rotating the bag nozzle.

상기 제1위치에서 상기 기판을 액 처리하는 것은 상기 기판의 저면을 세정하는 세정 처리이고, 상기 제2위치에서 상기 기판을 액 처리하는 것은 상기 기판의 상면의 베벨부 영역에서 막질을 제거하는 제거 처리일 수 있다. 상기 제2위치로 상기 액을 토출하는 중에는 상기 제2위치를 중심으로 일정 범위 내에서 토출 위치가 계속적으로 변경될 수 있다. Liquid-treating the substrate at the first position is a cleaning treatment for cleaning the bottom of the substrate, and liquid-treating the substrate at the second position is a removal treatment for removing film quality from the bevel portion of the upper surface of the substrate Can be While discharging the liquid to the second position, the discharging position may be continuously changed within a predetermined range around the second position.

상기 기판의 상면에는 복수의 칩에 제공되며, 상기 제2위치를 중심으로 일정 범위 내에서 계속적으로 변경되는 토출되는 상기 칩에 액이 제공되지 않도록 하는 토출 위치일 수 있다. The upper surface of the substrate may be a discharge position that is provided to a plurality of chips and prevents liquid from being provided to the discharged chip that is continuously changed within a predetermined range around the second position.

상기 세정 처리 및 상기 제거 처리는 상기 기판에 포토레지스트를 공급하는 처리 이후에 이루어지고, 상기 제거 처리에서 제거되는 막질은 포토레지스트 막일 수 있다. The cleaning treatment and the removal treatment are performed after a treatment of supplying a photoresist to the substrate, and a film quality removed in the removal treatment may be a photoresist film.

본 발명의 실시예에 의하면, 기판의 베벨부 및 저면 각각은 단일의 노즐에 의해 세정된다. 이로 인해 노즐이 배치되는 공간 확보가 용이하다.According to an embodiment of the present invention, each of the bevel portion and the bottom surface of the substrate is cleaned by a single nozzle. This makes it easy to secure a space in which the nozzles are arranged.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 노즐은 구동기에 의해 토출 위치가 변경된다. 이에 따라 기판의 베벨부에 공급되는 영역을 조절 가능하며, 베벨부에 인접하게 배치된 칩 손상을 방지할 수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, the ejection position of the nozzle is changed by the actuator. Accordingly, an area supplied to the bevel portion of the substrate can be adjusted, and damage to chips disposed adjacent to the bevel portion can be prevented.

도 1은 일반적인 제1노즐 및 제2노즐을 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 제2노즐에 의해 기판의 상면에 액이 공급되는 영역을 보여주는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 4는 도 3의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 5는 도 3의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 6은 도 5의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 7은 도 5의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 8은 도 7의 열처리 챔버의 정면도이다.
도 9는 도 5의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 10은 도 9의 백노즐의 제1실시예를 보여주는 사시도이다.
도 11 내지 도 13은 도 8의 백노즐을 구동되는 과정을 보여주는 단면도들이다.
도 14는 도 12 및 도 13의 백노즐에서 공급되는 액의 토출 위치 보여주는 평면도이다.
도 15는 도 10의 제2실시예의 백 노즐의 구동 과정을 보여주는 단면도이다.
도 16은 도 10의 제3실시예의 백 노즐의 구동 과정을 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a general first nozzle and a second nozzle.
FIG. 2 is a plan view illustrating a region where a liquid is supplied to an upper surface of a substrate by the second nozzle of FIG. 1.
3 is a schematic perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus showing the coating block or the developing block of FIG. 3.
5 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 3.
6 is a diagram illustrating an example of a hand of the transfer robot of FIG. 5.
7 is a plan view schematically showing an example of the heat treatment chamber of FIG. 5.
8 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 7.
9 is a diagram schematically showing an example of the liquid processing chamber of FIG. 5.
10 is a perspective view showing a first embodiment of the back nozzle of FIG. 9.
11 to 13 are cross-sectional views illustrating a process of driving the back nozzle of FIG. 8.
14 is a plan view showing a discharge position of a liquid supplied from the back nozzle of FIGS. 12 and 13;
15 is a cross-sectional view showing a driving process of the bag nozzle of the second embodiment of FIG. 10.
16 is a cross-sectional view showing a driving process of the bag nozzle of the third embodiment of FIG. 10.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those with average knowledge in the industry. Therefore, the shape of the element in the drawings is exaggerated to emphasize a more clear description.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 4는 도 3의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 5는 도 3의 기판 처리 장치의 평면도이다.3 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 4 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing a coating block or a developing block of FIG. 3, and FIG. 5 is a substrate processing apparatus of FIG. It is a top view.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.3 to 5, the substrate processing apparatus 1 includes an index module 20, a treating module 30, and an interface module 40. According to an embodiment, the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are sequentially arranged in a row. Hereinafter, the direction in which the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are arranged is referred to as the first direction 12, and the direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top is referred to as The second direction 14 is referred to as, and a direction perpendicular to both the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as the third direction 16.

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The index module 20 transfers the substrate W from the container 10 in which the substrate W is stored to the processing module 30, and stores the processed substrate W into the container 10. The longitudinal direction of the index module 20 is provided in the second direction 14. The index module 20 has a load port 22 and an index frame 24. The load port 22 is located on the opposite side of the processing module 30 based on the index frame 24. The container 10 in which the substrates W are accommodated is placed on the load port 22. A plurality of load ports 22 may be provided, and a plurality of load ports 22 may be disposed along the second direction 14.

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the container 10, a container 10 for sealing such as a front open unified pod (FOUP) may be used. The container 10 may be placed on the load port 22 by an operator or a transport means (not shown) such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle. I can.

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. An index robot 2200 is provided inside the index frame 24. In the index frame 24, a guide rail 2300 in which the longitudinal direction is provided in the second direction 14 may be provided, and the index robot 2200 may be provided to be movable on the guide rail 2300. The index robot 2200 includes a hand 2220 on which the substrate W is placed, and the hand 2220 moves forward and backward, rotates about the third direction 16, and performs a third direction 16. It may be provided to be movable along the way.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 3의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The processing module 30 performs a coating process and a developing process on the substrate W. The processing module 30 has a coating block 30a and a developing block 30b. The coating block 30a performs a coating process on the substrate W, and the developing block 30b performs a developing process on the substrate W. A plurality of coating blocks 30a are provided, and they are provided to be stacked on each other. A plurality of developing blocks 30b are provided, and the developing blocks 30b are provided to be stacked on each other. According to the embodiment of FIG. 3, two coating blocks 30a are provided, and two developing blocks 30b are provided. The coating blocks 30a may be disposed under the developing blocks 30b. According to an example, the two coating blocks 30a perform the same process and may be provided in the same structure. In addition, the two developing blocks 30b perform the same process with each other, and may be provided with the same structure.

도 5를 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다. Referring to FIG. 5, the coating block 30a includes a heat treatment chamber 3200, a transfer chamber 3400, a liquid processing chamber 3600, and a buffer chamber 3800. The heat treatment chamber 3200 performs a heat treatment process on the substrate W. The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. The liquid processing chamber 3600 supplies a liquid on the substrate W to form a liquid film. The liquid film may be a photoresist film or an antireflection film. The transfer chamber 3400 transfers the substrate W between the heat treatment chamber 3200 and the liquid processing chamber 3600 within the coating block 30a.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The conveying chamber 3400 is provided with its longitudinal direction parallel to the first direction 12. A transfer robot 3422 is provided in the transfer chamber 3400. The transfer robot 3422 transfers the substrate between the heat treatment chamber 3200, the liquid treatment chamber 3600, and the buffer chamber 3800. According to an example, the transfer robot 3422 has a hand 3420 on which a substrate W is placed, and the hand 3420 moves forward and backward, a rotation about the third direction 16, and a third direction. It may be provided to be movable along (16). In the transfer chamber 3400, a guide rail 3300 whose longitudinal direction is provided parallel to the first direction 12 may be provided, and the transfer robot 3422 may be provided to be movable on the guide rail 3300. .

도 6은 도 5의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 6을 참조하면, 핸드(3420)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다. 6 is a diagram illustrating an example of a hand of the transfer robot of FIG. 5. 6, the hand 3420 has a base 3428 and a support protrusion 3429. The base 3428 may have an annular ring shape in which a part of the circumference is bent. The base 3428 has an inner diameter larger than the diameter of the substrate W. The support protrusion 3429 extends inwardly from the base 3428. A plurality of support protrusions 3429 are provided and support an edge region of the substrate W. According to an example, four support protrusions 3429 may be provided at equal intervals.

열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 도 4와 도 5를 참조하면, 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.The heat treatment chamber 3200 is provided in plural. 4 and 5, the heat treatment chambers 3200 are arranged to be arranged along the first direction 12. The heat treatment chambers 3200 are located on one side of the transfer chamber 3400.

도 7은 도 5의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 8은 도 7의 열처리 챔버의 정면도이다. 열처리 챔버(3200)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다. 7 is a plan view schematically showing an example of the heat treatment chamber of FIG. 5, and FIG. 8 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 7. The heat treatment chamber 3200 has a housing 3210, a cooling unit 3220, a heating unit 3230, and a conveying plate 3240.

하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 제2 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(3230)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.The housing 3210 is generally provided in the shape of a rectangular parallelepiped. A carrying port (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the sidewall of the housing 3210. The entrance can be kept open. A door (not shown) may be provided to selectively open and close the entrance. A cooling unit 3220, a heating unit 3230, and a conveying plate 3240 are provided in the housing 3210. The cooling unit 3220 and the heating unit 3230 are provided side by side along the second direction 14. According to an example, the cooling unit 3220 may be located closer to the transfer chamber 3400 than the heating unit 3230.

냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. The cooling unit 3220 has a cooling plate 3222. The cooling plate 3222 may have a generally circular shape when viewed from the top. A cooling member 3224 is provided on the cooling plate 3222. According to an example, the cooling member 3224 is formed inside the cooling plate 3222 and may be provided as a flow path through which the cooling fluid flows.

가열 유닛(3230)은 가열판(3232), 커버(3234), 그리고 히터(3233)를 가진다. 가열판(3232)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가진다. 가열판(3232)은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가열판(3232)에는 히터(3233)가 설치된다. 히터(3233)는 전류가 인가되는 발열저항체로 제공될 수 있다. 가열판(3232)에는 제3 방향(16)을 따라 상하 방향으로 구동 가능한 리프트 핀(3238)들이 제공된다. 리프트 핀(3238)은 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로부터 기판(W)을 인수받아 가열판(3232) 상에 내려놓거나 가열판(3232)으로부터 기판(W)을 들어올려 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로 인계한다. 일 예에 의하면, 리프트 핀(3238)은 3개가 제공될 수 있다. 커버(3234)는 내부에 하부가 개방된 공간을 가진다.7 커버(3234)는 가열판(3232)의 상부에 위치되며 구동기(3236)에 의해 상하 방향으로 이동된다. 커버(3234)가 가열판(3232)에 접촉되면, 커버(3234)와 가열판(3232)에 의해 둘러싸인 공간은 기판(W)을 가열하는 가열 공간으로 제공된다. The heating unit 3230 has a heating plate 3232, a cover 3234, and a heater 3233. The heating plate 3232 has a generally circular shape when viewed from the top. The heating plate 3232 has a larger diameter than the substrate W. A heater 3233 is installed on the heating plate 3232. The heater 3233 may be provided as a heating resistor to which current is applied. The heating plate 3232 is provided with lift pins 3238 that can be driven in the vertical direction along the third direction 16. The lift pin 3238 receives the substrate W from the conveying means outside the heating unit 3230 and puts it down on the heating plate 3232 or lifts the substrate W from the heating plate 3232 to the outside of the heating unit 3230. Hand over by means of transport. According to an example, three lift pins 3238 may be provided. The cover 3234 has a space with an open lower portion therein. 7 The cover 3234 is located above the heating plate 3232 and is moved in the vertical direction by the actuator 3236. When the cover 3234 comes into contact with the heating plate 3232, the space surrounded by the cover 3234 and the heating plate 3232 is provided as a heating space for heating the substrate W.

반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 제1영역(3212)과 제2영역(3214) 간에 이동될 수 있다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 제1 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀(1340)이 서로 간섭되는 것을 방지한다. The transfer plate 3240 has a generally disk shape and has a diameter corresponding to the substrate W. A notch 3244 is formed at the edge of the transfer plate 3240. The notch 3244 may have a shape corresponding to the protrusion 3429 formed on the hand 3420 of the transfer robot 3422 and 3424 described above. In addition, the notch 3244 is provided in a number corresponding to the protrusion 3429 formed in the hand 3420 and is formed at a position corresponding to the protrusion 3429. When the vertical position of the hand 3420 and the transfer plate 3240 is changed in the position where the hand 3420 and the transfer plate 3240 are aligned in the vertical direction, the substrate W between the hand 3420 and the transfer plate 3240 is changed. Delivery takes place. The transfer plate 3240 is mounted on the guide rail 3249 and may be moved between the first area 3212 and the second area 3214 along the guide rail 3249 by a driver 3246. The conveying plate 3240 is provided with a plurality of slit-shaped guide grooves 3242. The guide groove 3242 extends from the end of the transfer plate 3240 to the inside of the transfer plate 3240. The guide groove 3242 is provided along the second direction 14 in its longitudinal direction, and the guide grooves 3242 are positioned to be spaced apart from each other along the first direction 12. The guide groove 3242 prevents the transfer plate 3240 and the lift pin 1340 from interfering with each other when the transfer of the substrate W is made between the transfer plate 3240 and the heating unit 3230.

기판(W)의 가열은 기판(W)이 지지 플레이트(1320) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 반송 플레이트(3240)가 냉각판(3222)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(3222)과 기판(W) 간에 열전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(3240)은 열전달율이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 플레이트(3240)은 금속 재질로 제공될 수 있다. The substrate W is heated while the substrate W is directly placed on the support plate 1320, and the substrate W is cooled by the transfer plate 3240 on which the substrate W is placed. It is made while in contact with. The transfer plate 3240 is made of a material having a high heat transfer rate so that heat transfer between the cooling plate 3222 and the substrate W is well performed. According to an example, the transfer plate 3240 may be made of a metal material.

열처리 챔버들(3200) 중 일부의 열처리 챔버에 제공된 가열 유닛(3230)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착률을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다. The heating unit 3230 provided in some of the heat treatment chambers 3200 may supply gas while heating the substrate W to improve the adhesion rate of the photoresist to the substrate W. According to an example, the gas may be hexamethyldisilane gas.

액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다. The liquid processing chamber 3600 is provided in plural. Some of the liquid treatment chambers 3600 may be provided to be stacked on each other. 4 and 5, the liquid processing chambers 3600 are disposed on one side of the transfer chamber 3402. The liquid processing chambers 3600 are arranged side by side along the first direction 12. Some of the liquid processing chambers 3600 are provided at positions adjacent to the index module 20. Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as a front liquid treatment chamber 3602 (front liquid treating chamber). Other portions of the liquid processing chambers 3600 are provided at positions adjacent to the interface module 40. Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as rear heat treating chambers 3604.

전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.The front-end liquid treatment chamber 3602 applies the first liquid onto the substrate W, and the rear-end liquid treatment chamber 3604 applies the second liquid onto the substrate W. The first liquid and the second liquid may be different types of liquids. According to an embodiment, the first liquid is an antireflection film, and the second liquid is a photoresist. The photoresist may be applied on the substrate W on which the antireflection film is applied. Optionally, the first liquid may be a photoresist, and the second liquid may be an antireflection film. In this case, the antireflection film may be applied on the substrate W on which the photoresist is applied. Optionally, the first liquid and the second liquid are of the same type, and they may all be photoresists.

액 처리 챔버(3602, 3604)은 모두 동일한 구조를 가지며, 전단 액처리 챔버(3602)를 일 예로 설명한다. 도 9는 도 5의 액 처리 챔버의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 9를 참조하면, 전단 액처리 챔버(3602)는 기판 상에 액막을 형성하는 장치(800)로 제공된다. 전단 액처리 챔버(3602,800)는 하우징(810), 기류 제공 유닛(820), 기판 지지 유닛(830), 처리 용기(850), 승강 유닛(890), 액 공급 유닛(840), 그리고 제어기를 포함한다. Both the liquid processing chambers 3602 and 3604 have the same structure, and the front end liquid processing chamber 3602 will be described as an example. 9 is a cross-sectional view illustrating an example of the liquid processing chamber of FIG. 5. Referring to FIG. 9, the front end liquid processing chamber 3602 is provided as an apparatus 800 for forming a liquid film on a substrate. The front end liquid treatment chambers 3602 and 800 include a housing 810, an airflow providing unit 820, a substrate support unit 830, a processing container 850, an elevating unit 890, a liquid supply unit 840, and a controller. Includes.

하우징(810)은 내부에 공간(812)을 가지는 직사각의 통 형상으로 제공된다. 하우징(810)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단하여 하우징(810)의 내부 공간(812)을 밀폐한다. 하우징(810)의 하부면에는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)가 형성된다. 하우징(810) 내에 형성된 기류는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)를 통해 외부로 배기된다. 일 예에 의하면, 처리 용기(850) 내에 제공된 기류는 내측 배기구(814)를 통해 배기되고, 처리 용기(850)의 외측에 제공된 기류는 외측 배기구(816)를 통해 배기될 수 있다.The housing 810 is provided in a rectangular cylindrical shape having a space 812 therein. An opening (not shown) is formed at one side of the housing 810. The opening functions as an inlet through which the substrate W is carried. A door is installed in the opening, and the door opens and closes the opening. When the substrate processing process proceeds, the door closes the opening to seal the inner space 812 of the housing 810. An inner exhaust port 814 and an outer exhaust port 816 are formed on the lower surface of the housing 810. The airflow formed in the housing 810 is exhausted to the outside through the inner exhaust port 814 and the outer exhaust port 816. According to an example, the airflow provided in the processing container 850 may be exhausted through the inner exhaust port 814, and the airflow provided outside the processing container 850 may be exhausted through the outer exhaust port 816.

기류 제공 유닛(820)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 제공 유닛(820)은 기류 공급 라인(822), 팬(824), 그리고 필터(826)를 포함한다. 기류 공급 라인(822)은 하우징(810)에 연결된다. 기류 공급 라인(822)은 외부의 에어를 하우징(810)에 공급한다. 필터(826)는 기류 공급 라인(822)으로부터 제공되는 에어를 필터(826)링 한다. 필터(826)는 에어에 포함된 불순물을 제거한다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에 설치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에서 중앙 영역에 위치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 공급 라인(822)으로부터 팬(824)에 에어가 공급되면, 팬(824)은 아래 방향으로 에어를 공급한다.The airflow providing unit 820 forms a downward airflow in the inner space of the housing 810. The airflow providing unit 820 includes an airflow supply line 822, a fan 824, and a filter 826. The airflow supply line 822 is connected to the housing 810. The airflow supply line 822 supplies external air to the housing 810. The filter 826 filters 826 the air provided from the airflow supply line 822. The filter 826 removes impurities contained in air. The fan 824 is installed on the upper surface of the housing 810. The fan 824 is located in a central area on the top surface of the housing 810. The fan 824 forms a downward airflow in the interior space of the housing 810. When air is supplied to the fan 824 from the airflow supply line 822, the fan 824 supplies air in a downward direction.

기판 지지 유닛(830)은 하우징(810)의 내부 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(830)은 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지 유닛(830)은 지지판(832), 회전축(834), 지지 바디(836), 그리고 구동기(836)를 포함한다. 지지판(832)은 기판을 지지하며, 회전 가능한 스핀척(832)으로 제공된다. 스핀척(832)은 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 스핀척(832)의 상면에는 기판(W)이 접촉한다. 스핀척(832)은 기판(W)보다 작은 직경을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 스핀척(832)은 기판(W)을 진공 흡입하여 기판(W)을 척킹할 수 있다. 선택적으로, 스핀척(832)은 정전기를 이용하여 기판(W)을 척킹하는 정전척으로 제공될 수 있다. 또한 스핀척(832)은 기판(W)을 물리적 힘으로 척킹할 수 있다. The substrate support unit 830 supports the substrate W in the inner space of the housing 810. The substrate support unit 830 rotates the substrate W. The substrate support unit 830 includes a support plate 832, a rotation shaft 834, a support body 836, and a driver 836. The support plate 832 supports the substrate and is provided as a rotatable spin chuck 832. The spin chuck 832 is provided to have a circular plate shape. The substrate W is in contact with the upper surface of the spin chuck 832. The spin chuck 832 is provided to have a diameter smaller than that of the substrate W. According to an example, the spin chuck 832 may chuck the substrate W by vacuum suctioning the substrate W. Optionally, the spin chuck 832 may be provided as an electrostatic chuck for chucking the substrate W using static electricity. Also, the spin chuck 832 may chuck the substrate W with a physical force.

회전축(834) 및 구동기(미도시)는 스핀척(832)을 회전시키는 회전 구동 부재로 제공된다. 회전축(834)은 스핀척(832)의 아래에서 스핀척(832)을 지지한다. 회전축(834)은 그 길이방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 회전축(834)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 구동기(미도시)는 회전축(834)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(미도시)는 회전축(834)의 회전 속도를 가변 가능한 모터일 수 있다.The rotation shaft 834 and a driver (not shown) are provided as a rotation driving member that rotates the spin chuck 832. The rotation shaft 834 supports the spin chuck 832 under the spin chuck 832. The rotation shaft 834 is provided so that its longitudinal direction faces up and down. The rotation shaft 834 is provided so as to be rotatable about its central axis. The actuator (not shown) provides a driving force so that the rotation shaft 834 is rotated. For example, the driver (not shown) may be a motor capable of varying the rotation speed of the rotation shaft 834.

지지 바디(836)는 회전축(834)을 감싸는 원통 형상으로 제공된다. 지지 바디(836)는 회전축(834)에 액이 침투되어 오염되는 것을 방지한다. 이와 동시에 지지 바디(836)는 백노즐(920)을 지지한다. 지지 바디(836)는 스핀척(832)에 비해 큰 직경을 가진다. 지지 바디(836)는 스핀척(832)에 놓인 기판의 가장자리 영역과 마주하게 위치될 수 있다.The support body 836 is provided in a cylindrical shape surrounding the rotation shaft 834. The support body 836 prevents liquid from penetrating into the rotating shaft 834 and being contaminated. At the same time, the support body 836 supports the back nozzle 920. The support body 836 has a larger diameter than the spin chuck 832. The support body 836 may be positioned to face the edge region of the substrate placed on the spin chuck 832.

처리 용기(850)는 하우징(810)의 내부 공간(812)에 위치된다. 처리 용기(850)는 내부에 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(850)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(850)는 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 포함한다. The processing vessel 850 is located in the inner space 812 of the housing 810. The processing container 850 provides a processing space therein. The processing container 850 is provided to have a cup shape with an open top. The processing vessel 850 includes an inner cup 852 and an outer cup 862.

내측 컵(852)은 회전축(834)을 감싸는 원형의 판 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)은 내측 배기구(814)와 중첩되도록 위치된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)의 상면은 그 외측 영역과 내측 영역 각각이 서로 상이한 각도로 경사지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 내측 컵(852)의 외측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하며, 내측 영역은 기판 지지 유닛(830)에 가까워질수록 하향 경사진 방향을 향하도록 제공되고, 이후에 수평 방향으로 연장되게 제공된다. 내측 컵(852)의 외측 영역과 내측 영역이 서로 만나는 지점은 기판(W)의 측단부와 상하 방향으로 대응되게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 처리액이 흐르는 영역으로 제공될 수 있다. 내측 컵(852)의 상면 내측 영역에서 수평 방향으로 연장되는 영역은 세정 노즐이 설치되는 위치로 제공될 수 있다.The inner cup 852 is provided in a circular plate shape surrounding the rotation shaft 834. When viewed from the top, the inner cup 852 is positioned to overlap the inner exhaust port 814. When viewed from above, the upper surface of the inner cup 852 is provided so that each of the outer and inner regions are inclined at different angles. According to an example, the outer region of the inner cup 852 faces a downwardly inclined direction as it moves away from the substrate support unit 830, and the inner region faces a downwardly inclined direction as it approaches the substrate support unit 830. Is provided so as to extend in the horizontal direction thereafter. A point where the outer region and the inner region of the inner cup 852 meet each other is provided to correspond to the side end of the substrate W in the vertical direction. An area outside the upper surface of the inner cup 852 may be provided as an area through which the treatment liquid flows. A region extending in the horizontal direction from the region inside the upper surface of the inner cup 852 may be provided as a position where the cleaning nozzle is installed.

외측 컵(862)은 기판 지지 유닛(830) 및 내측 컵(852)을 감싸는 컵 형상을 가지도록 제공된다. 외측 컵(862)은 바닥벽(864), 측벽(866), 상벽(870), 그리고 경사벽(870)을 가진다. 바닥벽(864)은 중공을 가지는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 바닥벽(864)에는 회수 라인(865)이 형성된다. 회수 라인(865)은 기판(W) 상에 공급된 처리액을 회수한다. 회수 라인(865)에 의해 회수된 처리액은 외부의 액 재생 시스템에 의해 재사용될 수 있다. 측벽(866)은 기판 지지 유닛(830)을 감싸는 원형의 통 형상을 가지도록 제공된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)으로부터 위로 연장된다. The outer cup 862 is provided to have a cup shape surrounding the substrate support unit 830 and the inner cup 852. The outer cup 862 has a bottom wall 864, a side wall 866, an upper wall 870, and an inclined wall 870. The bottom wall 864 is provided to have a circular plate shape having a hollow. A recovery line 865 is formed on the bottom wall 864. The recovery line 865 recovers the processing liquid supplied on the substrate W. The treated liquid recovered by the recovery line 865 may be reused by an external liquid recovery system. The sidewall 866 is provided to have a circular cylindrical shape surrounding the substrate support unit 830. The side wall 866 extends in a vertical direction from the side end of the bottom wall 864. Side wall 866 extends upward from bottom wall 864.

경사벽(870)은 측벽(866)의 상단으로부터 외측 컵(862)의 내측 방향으로 연장된다. 경사벽(870)은 위로 갈수록 기판 지지 유닛(830)에 가까워지도록 제공된다. 경사벽(870)은 링 형상을 가지도록 제공된다. 경사벽(870)의 상단은 기판 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W)보다 높게 위치된다. The inclined wall 870 extends from the upper end of the side wall 866 in the inner direction of the outer cup 862. The inclined wall 870 is provided to be closer to the substrate support unit 830 as it goes upward. The inclined wall 870 is provided to have a ring shape. The upper end of the inclined wall 870 is positioned higher than the substrate W supported by the substrate support unit 830.

승강 유닛(890)은 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 각각 승강 이동시킨다. 승강 유닛(890)은 내측 이동 부재(892) 및 외측 이동 부재(894)를 포함한다. 내측 이동 부재(892)는 내측 컵(852)을 승강 이동 시키고, 외측 이동 부재(894)는 외측 컵(862)을 승강 이동시킨다. The lifting unit 890 lifts and moves the inner cup 852 and the outer cup 862, respectively. The lifting unit 890 includes an inner moving member 892 and an outer moving member 894. The inner moving member 892 moves the inner cup 852 up and down, and the outer moving member 894 moves the outer cup 862 up and down.

액 공급 유닛(840)은 기판(W) 상에 처리액, 프리 웨트액, 제거액, 그리고 세정액을 공급한다. 액 공급 유닛(840)은 프리 웨트 노즐(842), 감광액 노즐(844), 백노즐(920), 그리고 구동기(940)를 포함한다. The liquid supply unit 840 supplies a processing liquid, a pre-wet liquid, a removal liquid, and a cleaning liquid onto the substrate W. The liquid supply unit 840 includes a free wet nozzle 842, a photoresist nozzle 844, a back nozzle 920, and a driver 940.

프리 웨트 노즐(842) 및 감광액 노즐(844)은 아암(848)에 의해 함께 지지되어 함께 이동된다. 아암(848)은 수평 방향으로 이동되어 프리 웨트 노즐(842) 및 감광액 노즐(844)을 공정 위치와 대기 위치로 이동시킬 수 있다. 여기서 공정 위치는 프리 웨트 노즐(842) 및 감광액 노즐(844)이 기판(W)과 마주하는 위치이고, 대기 위치는 공정 위치를 벗어난 위치일 수 있다. 예컨대, 프리 웨트 노즐(842) 및 감광액 노즐(844)은 제1방향(12)과 평행한 방향으로 이동될 수 있다.The free wet nozzle 842 and the photoresist nozzle 844 are supported together by an arm 848 and moved together. The arm 848 may be moved in a horizontal direction to move the free wet nozzle 842 and the photoresist nozzle 844 to the process position and the standby position. Here, the process position may be a position where the free wet nozzle 842 and the photoresist nozzle 844 face the substrate W, and the standby position may be a position outside the process position. For example, the free wet nozzle 842 and the photoresist nozzle 844 may be moved in a direction parallel to the first direction 12.

프리 웨트 노즐(842)은 기판(W) 상에 프리 웨트액을 공급하고, 감광액 노즐(844)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 예컨대, 프리 웨트액은 기판(W)의 표면을 처리액과 유사 또는 동일한 성질을 변화시킬 수 있는 액일 수 있다. 프리 웨트액은 기판(W)의 표면을 젖음 상태로 변화시킬 수 있다. 처리액은 포토 레지스트와 같은 감광액일 수 있다. 감광액 노즐(844)은 복수 개로 제공된다. 감광액 노즐(844)은 프리 웨트 노즐(842)을 사이에 두고 양측에 일렬로 배열되게 위치된다. 각각의 감광액 노즐(844)은 서로 다른 종류의 처리액을 토출할 수 있다. 각각의 처리 노즐들(844)은 서로 독립된 라인으로부터 처리액을 공급받는다. The pre-wet nozzle 842 supplies the pre-wet liquid onto the substrate W, and the photoresist nozzle 844 supplies the processing liquid onto the substrate W. For example, the pre-wet liquid may be a liquid capable of changing properties similar to or identical to the treatment liquid on the surface of the substrate W. The pre-wet liquid may change the surface of the substrate W into a wet state. The treatment liquid may be a photoresist such as a photoresist. The photoresist nozzle 844 is provided in plural. The photoresist nozzle 844 is positioned to be arranged in a line on both sides with the free wet nozzle 842 interposed therebetween. Each of the photoresist nozzles 844 may discharge different types of treatment liquids. Each of the treatment nozzles 844 receives treatment liquids from lines independent from each other.

프리 웨트 노즐(842) 및 감광액 노즐(844) 각각은 기판(W)의 중앙 위치에 프리 웨트액 및 처리액을 공급한다. 프리 웨트 노즐(842) 및 감광액 노즐(844) 각각은 그 토출구(926)가 수직한 아래방향을 향하도록 제공된다. Each of the pre-wet nozzle 842 and the photosensitive liquid nozzle 844 supplies a pre-wet liquid and a processing liquid to a central position of the substrate W. Each of the free wet nozzle 842 and the photoresist nozzle 844 is provided so that its discharge port 926 faces vertically downward.

백노즐(920)은 기판(W)의 저면 및 베벨부를 액 처리한다. 여기서 백노즐(920)에 의해 액 처리되는 저면은 기판(W)의 저면에서 스핀척(832)이 놓여지지 않는 영역을 포함한다. 또한 백노즐(920)에 의해 액 처리되는 베벨부는 기판(W)의 상면 끝단 및 저면 끝단 각각을 가지는 측부를 포함한다. 따라서 백노즐(920)은 기판(W)의 베벨부에 형성된 감광액막을 제거한다. 백노즐(920)은 복수 개로 제공되며, 서로 간에 일정 간격을 두고 이격되게 위치된다. 본 실시예에는 백노즐(920)이 2 개로 제공되며, 회전축을 사이에 두고 서로 마주하게 위치되는 것으로 설명한다. 백노즐(920)은 지지 바디(836)에 설치되며, 스핀척(832)에 놓여진 기판(W)과 상하로 마주하게 위치된다. 백노즐(920)은 구동기(940)에 의해 회전 이동하며 액의 토출 위치가 변경된다. 여기서 회전 이동은 백노즐(920)의 중심축을 중심으로 회전되는 이동과 상하 방향의 임의축을 중심으로 회전되는 스윙 이동을 포함한다. 구동기(940)는 모터일 수 있다. 본 실시예에는 백노즐(920)이 중심축을 중심으로 회전 이동되는 것으로 설명한다. The back nozzle 920 liquid-processes the bottom surface and the bevel portion of the substrate W. Here, the bottom surface to be liquid-processed by the back nozzle 920 includes a region on the bottom surface of the substrate W where the spin chuck 832 is not placed. In addition, the bevel portion processed by the back nozzle 920 includes a side portion having an upper end and a bottom end of the substrate W, respectively. Accordingly, the back nozzle 920 removes the photoresist film formed on the bevel portion of the substrate W. The back nozzle 920 is provided in plural, and is positioned to be spaced apart from each other at a predetermined interval. In this embodiment, two back nozzles 920 are provided, and it will be described that they are positioned to face each other with a rotation shaft therebetween. The back nozzle 920 is installed on the support body 836 and is positioned to face the substrate W placed on the spin chuck 832 vertically. The back nozzle 920 is rotated by the actuator 940 and the liquid discharge position is changed. Here, the rotational movement includes a movement rotated about a central axis of the back nozzle 920 and a swing movement rotated about an arbitrary axis in the vertical direction. The driver 940 may be a motor. In this embodiment, it will be described that the back nozzle 920 is rotated around a central axis.

백노즐(920)은 몸통부(922) 및 토출부(924)를 포함한다. 도 10은 도 9의 백노즐의 제1실시예를 보여주는 사시도이다. 도 10을 참조하면, 몸통부(922)는 지지 바디(836)의 상면에 설치된다. 상부에서 바라볼 때 몸통부(922)는 스핀척(832)에 놓인 기판(W)의 측단보다 내측에 위치된다. 몸통부(922)는 길이 방향이 상하로 제공되는 통 형상을 가진다. 토출부(924)는 몸통부(922)에 의해 지지된다. 토출부(924)는 몸통부(922)의 상단으로부터 몸통부(922)의 길이 방향과 상이한 방향으로 연장되게 제공된다. 일 예에 의하면, 토출부(924)는 몸통부(922)로부터 수직한 방향으로 연장되게 제공될 수 있다. 토출부(924)에는 상면 또는 측면에 기판(W)을 향하도록 제공되는 토출구(926)가 형성된다. 예컨대, 토출구(926) 및 토출구(926)에 액을 공급하며, 토출부(924)의 내부에 형성된 토출 라인은 몸통부(922)의 중심축으로부터 이격되게 위치될 수 있다. 토출구(926)는 위로 갈수록 기판(W)의 중심축에서 멀어지거나 가까워지는 방향을 향하도록 제공된다. 토출구(926)가 향하는 방향은 몸통부(922)의 회전에 의해 이루어진다. 백노즐(920)은 제1위치와 제2위치에 액을 토출하며, 이는 몸통부(922)의 회전에 의해 이루어진다. 제1위치는 기판(W)의 저면을 포함하고, 제2위치는 기판(W)의 저면에서 제1위치보다 기판(W)의 중심축으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 백노즐(920)은 토출구(926)가 위로 갈수록 기판(W)의 중심축에 가까워지는 상향 경사진 방향으로 액을 토출하여 제1위치에 액을 공급한다. 백노즐(920)은 토출구(926)가 위로 갈수록 기판(W)의 중심축에 멀어지는 상향 경사진 방향으로 액을 토출하여 제2위치에 액을 공급한다. 제2위치에 공급된 액은 일부가 기판(W)의 표면을 타고 기판(W)의 상면까지 공급된다. 이에 따라 제2위치에 액을 공급하여 기판(W)의 베벨부를 액 처리할 수 있다. 예컨대, 백노즐(920)로부터 토출되는 액은 감광액을 희석시키는 액일 수 있다. 희석액은 신나(Thinner)일 수 있다.The back nozzle 920 includes a body portion 922 and a discharge portion 924. 10 is a perspective view showing a first embodiment of the back nozzle of FIG. 9. Referring to FIG. 10, the body portion 922 is installed on the upper surface of the support body 836. When viewed from the top, the body portion 922 is located inside the side end of the substrate W placed on the spin chuck 832. The body portion 922 has a cylindrical shape in which the longitudinal direction is provided vertically. The discharge portion 924 is supported by the body portion 922. The discharge portion 924 is provided to extend from the upper end of the body portion 922 in a direction different from the longitudinal direction of the body portion 922. According to an example, the discharge portion 924 may be provided to extend in a vertical direction from the body portion 922. A discharge port 926 is formed in the discharge part 924 so as to face the substrate W on an upper surface or a side surface. For example, the liquid is supplied to the discharge port 926 and the discharge port 926, and a discharge line formed inside the discharge part 924 may be positioned to be spaced apart from the central axis of the body part 922. The discharge port 926 is provided so as to face a direction moving away from or closer to the central axis of the substrate W as it goes upward. The direction in which the discharge port 926 is directed is achieved by rotation of the body portion 922. The back nozzle 920 discharges liquid to the first position and the second position, which is achieved by rotation of the body portion 922. The first position includes the bottom surface of the substrate W, and the second position is a position farther from the central axis of the substrate W than the first position on the bottom surface of the substrate W. The back nozzle 920 discharges the liquid in an upwardly inclined direction closer to the central axis of the substrate W as the discharge port 926 goes upward, and supplies the liquid to the first position. The back nozzle 920 discharges the liquid in an upwardly inclined direction away from the central axis of the substrate W as the discharge port 926 goes upward to supply the liquid to the second position. A portion of the liquid supplied to the second position is supplied to the upper surface of the substrate W while riding the surface of the substrate W. Accordingly, the liquid may be supplied to the second position to process the bevel portion of the substrate W. For example, the liquid discharged from the back nozzle 920 may be a liquid that dilutes the photosensitive liquid. The diluent may be thinner.

제어기(990)는 액의 토출 위치를 계속적으로 변경되도록 구동기(940)를 제어한다. 제어기(990)는 제2위치에 액을 공급되는 중에 토출 위치가 계속적으로 변경되도록 구동기(940)를 제어할 수 있다. 제어기(990)는 기판(W)의 상면에 형성된 칩에 액이 공급되지 않도록 토출 위치를 계속적으로 변경할 수 있다. The controller 990 controls the driver 940 to continuously change the discharge position of the liquid. The controller 990 may control the driver 940 so that the discharge position is continuously changed while the liquid is supplied to the second position. The controller 990 may continuously change the discharge position so that the liquid is not supplied to the chip formed on the upper surface of the substrate W.

다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판(W) 상에 액막을 형성 및 제거하는 방법을 설명한다.Next, a method of forming and removing a liquid film on the substrate W using the substrate processing apparatus described above will be described.

기판(W)이 지지판(832)에 놓여지면, 지지판(832)은 회전되어 기판(W)을 회전시킨다. 감광액 노즐은 기판(W)의 상면 중심으로 감광액을 공급하여 기판(W)의 상면 전체 영역에 감광액막을 형성한다. 감광액막이 형성되면, 기판(W) 세정 및 막 제거 공정이 진행된다. 여기서 기판(W)의 세정 처리 및 막 제거 처리 공정은 순차적으로 진행된다. When the substrate W is placed on the support plate 832, the support plate 832 is rotated to rotate the substrate W. The photoresist nozzle supplies a photoresist to the center of the upper surface of the substrate W to form a photoresist film over the entire upper surface of the substrate W. When the photoresist film is formed, the substrate W cleaning and film removal processes are performed. Here, the cleaning process and the film removal process of the substrate W are sequentially performed.

도 11 내지 도 13은 도 8의 백노즐이 기판에 액을 공급하는 과정을 보여주는 단면도들이고, 도 14는 도 12 및 도 13의 백노즐에서 공급되는 액의 토출 위치 보여주는 평면도이다. 도 11 내지 도 14를 참조하면, 백노즐(920)은 제1위치에 액을 공급한다. 제1위치에 공급된 액(L)은 기판(W)의 저면 잔류물을 제거한다. 제1위치에 공급된 액(L)은 기판(W) 상에 감광액막이 형성되는 중에 비산되어 부착된 감광액을 세정한다. 제1위치의 액(L) 토출에 의해 기판(W) 세정 처리가 완료되면, 기판(W)의 막 제거 공정이 수행된다. 막 제거 공정이 진행되면, 토출구(926)가 제2위치를 향하도록 백노즐(920)이 회전된다. 백노즐(920)은 액(L)을 토출하는 중에 회전될 수 있다. 백노즐(920)은 제2위치에 액(L)을 공급하는 중에 계속적으로 토출 위치를 변경할 수 있다. 여기서 토출 위치의 변경은 기판(W)의 상면에 액(L)이 공급되는 영역을 조절하기 위함이다. 백노즐(920)은 기판(W)의 상면에 액(L) 공급영역을 조절하여 기판(W) 상에 제공된 칩에 액(L)이 접촉되는 것을 방지한다. 따라서 칩 및 칩 상에 형성된 감광액막에는 액(L)이 미접촉되는 반면, 칩이 제공되는 않은 영역에는 감광액이 제거된다. 11 to 13 are cross-sectional views showing a process in which the back nozzle of FIG. 8 supplies liquid to the substrate, and FIG. 14 is a plan view showing a discharge position of the liquid supplied from the back nozzle of FIGS. 12 and 13. 11 to 14, the back nozzle 920 supplies the liquid to the first position. The liquid L supplied to the first position removes the residue on the bottom of the substrate W. The liquid L supplied to the first position is scattered while the photoresist film is formed on the substrate W to clean the attached photoresist. When the substrate W cleaning process is completed by discharging the liquid L at the first position, a film removal process of the substrate W is performed. When the film removal process proceeds, the back nozzle 920 is rotated so that the discharge port 926 faces the second position. The back nozzle 920 may be rotated while discharging the liquid L. The back nozzle 920 may continuously change the discharge position while supplying the liquid L to the second position. Here, the change of the discharge position is to adjust the area where the liquid L is supplied to the upper surface of the substrate W. The back nozzle 920 prevents the liquid L from contacting the chip provided on the substrate W by adjusting the liquid L supply region on the upper surface of the substrate W. Accordingly, the liquid L is not in contact with the chip and the photosensitive film formed on the chip, while the photosensitive liquid is removed in the region where the chip is not provided.

상술한 실시예에는 백노즐(920)의 토출 위치 변경이 백노즐(920)의 회전에 의해 이루어지는 것으로 설명하였다. 그러나 백노즐(920)의 제2실시예에 따르면 도 15와 같이, 백노즐(920)의 토출 위치 변경은 직선 이동에 의해 이루어질 수 있다. 백노즐(920)의 토출구(926)는 위로 갈수록 기판(W)의 중심축에 멀어지는 방향을 향하도록 고정되고, 구동기(940)는 백노즐(920)을 기판(W)의 중심으로부터 멀어지거나 가까워지는 방향으로 직선이동시킬 수 있다. 구동기(960)는 가이드(962), 브라켓(964), 그리고 모터(미도시)를 포함할 수 있다. 가이드(962)는 상부에서 바라볼 때 길이 방향이 기판(W)의 중심축으로부터 멀어지는 방향을 향하도록 제공된다. 예컨대 가이드(962)는 기판(W)의 반경 방향과 평행하게 제공될 수 있다. 가이드(962) 상에는 브라켓(964)이 설치되며, 브라켓(964)은 가이드(962)의 길이 방향을 따라 직선 이동될 수 있다. 모터(미도시)는 브라켓(964)이 직선 이동되는 구동력을 제공하며, 백노즐(920)은 브라켓에 설치되어 브라켓과 함께 이동될 수 있다. 백노즐(920)이 제2위치에 액을 공급하는 중에는 일정 범위 내에 토출 위치가 계속적 변경되도록, 백노즐(920)이 기판(W)의 중심축과 가까워지거나 멀어지는 방향으로 직선 이동될 수 있다. In the above-described embodiment, it has been described that the discharge position of the back nozzle 920 is changed by rotation of the back nozzle 920. However, according to the second embodiment of the back nozzle 920, as shown in FIG. 15, the discharge position of the back nozzle 920 may be changed by linear movement. The discharge port 926 of the back nozzle 920 is fixed to face a direction away from the central axis of the substrate W as it goes upward, and the driver 940 moves the back nozzle 920 away from or closer to the center of the substrate W. You can move in a straight line in the losing direction. The driver 960 may include a guide 962, a bracket 964, and a motor (not shown). The guide 962 is provided so that the longitudinal direction faces away from the central axis of the substrate W when viewed from the top. For example, the guide 962 may be provided parallel to the radial direction of the substrate W. A bracket 964 is installed on the guide 962, and the bracket 964 may be linearly moved along the length direction of the guide 962. A motor (not shown) provides a driving force for linearly moving the bracket 964, and the back nozzle 920 may be installed on the bracket and moved together with the bracket. While the back nozzle 920 supplies the liquid to the second position, the back nozzle 920 may be linearly moved in a direction closer to or away from the central axis of the substrate W so that the discharge position continuously changes within a certain range.

또한 본 실시예에는 백노즐(920)이 제1위치로 액을 공급하고, 이후에 제2위치로 액을 공급하는 것으로 설명하였다. 그러나 백노즐(920)의 제3실시예에 의하면, 도 16과 같이 백노즐(980)은 제1위치와 제2위치에 액을 동시 토출할 수 있다. 도 16을 참조하면, 백노즐(980)은 몸통부(982), 제1토출부(984), 그리고 제2토출부(986)를 가질 수 있다. 몸통부(982)는 지지 바디(836)에 설치되며, 구동기에 의해 회전 가능하도록 제공될 수 있다. 제1토출부(984)는 몸통부(982)의 상단으로부터 몸통부(982)의 길이 방향과 수직한 방향으로 연장되게 제공될 수 있다. 제1토출부(984)에는 제1토출구가 형성될 수 있다. 제2토출부(986)는 몸통부(982)의 상단으로부터 몸통부(982)의 길이 방향과 수직하게 연장되되, 제1토출부(984)와 반대되는 방향으로 연장될 수 있다. 제2토출부(986)에는 제2토출구가 형성될 수 있다. 제1토출구 및 제2토출구 각각에는 동일한 종류의 액이 토출될 수 있다. 제1토출부(984)는 제2토출부(986)에 비해 기판(W)의 중심축에 가깝게 위치될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 제1토출부(984)와 제2토출부(986) 각각은 길이 방향이 기판(W)의 반경 방향과 평행하게 제공될 수 있다. 제1토출구로부터 토출되는 액은 제1위치로 공급되고, 제2토출구로부터 토출되는 액은 제2위치로 공급될 수 있다. 제1토출구 및 제2토출구 각각은 기판(W)의 중심축으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 이에 따라 기판(W)으로부터 비산되는 액이 회전축에 부착되는 것을 방지할 수 있다. In addition, in this embodiment, it has been described that the back nozzle 920 supplies the liquid to the first position and then supplies the liquid to the second position. However, according to the third embodiment of the back nozzle 920, as shown in FIG. 16, the back nozzle 980 may simultaneously discharge liquid to the first position and the second position. Referring to FIG. 16, the back nozzle 980 may have a body portion 982, a first discharge portion 984, and a second discharge portion 986. The body portion 982 is installed on the support body 836 and may be provided to be rotatable by a driver. The first discharge portion 984 may be provided to extend from an upper end of the body portion 982 in a direction perpendicular to the length direction of the body portion 982. A first discharge port may be formed in the first discharge part 984. The second discharge part 986 may extend vertically from the upper end of the body part 982 to the longitudinal direction of the body part 982, and may extend in a direction opposite to the first discharge part 984. A second discharge port may be formed in the second discharge part 986. The same type of liquid may be discharged to each of the first discharge port and the second discharge port. The first discharge part 984 may be positioned closer to the central axis of the substrate W than the second discharge part 986. When viewed from the top, each of the first discharge part 984 and the second discharge part 986 may be provided in a longitudinal direction parallel to the radial direction of the substrate W. The liquid discharged from the first discharge port may be supplied to the first position, and the liquid discharged from the second discharge port may be supplied to the second position. Each of the first discharge port and the second discharge port may be provided to face an upward inclined direction as the distance from the central axis of the substrate W increases. Accordingly, it is possible to prevent the liquid scattered from the substrate W from adhering to the rotating shaft.

다시 도 3 및 도 4를 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다. Referring back to FIGS. 3 and 4, a plurality of buffer chambers 3800 are provided. Some of the buffer chambers 3800 are disposed between the index module 20 and the transfer chamber 3400. Hereinafter, these buffer chambers are referred to as a front buffer 3802 (front buffer). The shear buffers 3802 are provided in plural, and are positioned to be stacked with each other along the vertical direction. Other portions of the buffer chambers 3802 and 3804 are disposed between the transfer chamber 3400 and the interface module 40 below. These buffer chambers are referred to as a rear buffer 3804. The rear buffers 3804 are provided in plural, and are positioned to be stacked with each other along the vertical direction. Each of the front buffers 3802 and the rear buffers 3804 temporarily stores a plurality of substrates W. The substrate W stored in the shear buffer 3802 is carried in or taken out by the index robot 2200 and the transfer robot 3422. The substrate W stored in the rear buffer 3804 is carried in or taken out by the transfer robot 3422 and the first robot 4602.

현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한된다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.The developing block 30b has a heat treatment chamber 3200, a transfer chamber 3400, and a liquid treatment chamber 3600. The heat treatment chamber 3200, the transfer chamber 3400, and the liquid treatment chamber 3600 of the developing block 30b are the heat treatment chamber 3200, the transfer chamber 3400, and the liquid treatment chamber 3600 of the coating block 30a. ) And is provided in a generally similar structure and arrangement, so it is for this. However, in the developing block 30b, all of the liquid processing chambers 3600 are provided as a developing chamber 3600 for developing and processing a substrate by supplying a developer in the same manner.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. The interface module 40 connects the processing module 30 to an external exposure apparatus 50. The interface module 40 has an interface frame 4100, an additional process chamber 4200, an interface buffer 4400, and a conveying member 4600.

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.A fan filter unit may be provided at an upper end of the interface frame 4100 to form a downward airflow therein. The additional process chamber 4200, the interface buffer 4400, and the transfer member 4600 are disposed inside the interface frame 4100. The additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the coating block 30a, is carried into the exposure apparatus 50. Optionally, the additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed by the exposure apparatus 50, is carried into the developing block 30b. According to an example, the additional process is an edge exposure process of exposing the edge region of the substrate W, a top surface cleaning process of cleaning the upper surface of the substrate W, or a bottom surface cleaning process of cleaning the lower surface of the substrate W. I can. A plurality of additional process chambers 4200 may be provided, and they may be provided to be stacked on each other. All of the additional process chambers 4200 may be provided to perform the same process. Optionally, some of the additional process chambers 4200 may be provided to perform different processes.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The interface buffer 4400 provides a space in which the substrate W transferred between the coating block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b temporarily stays during the transfer process. A plurality of interface buffers 4400 may be provided, and a plurality of interface buffers 4400 may be provided to be stacked on each other.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to an example, an additional process chamber 4200 may be disposed on one side and an interface buffer 4400 may be disposed on the other side based on an extension line in the longitudinal direction of the transfer chamber 3400.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The conveying member 4600 conveys the substrate W between the coating block 30a, the addition process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b. The transfer member 4600 may be provided as one or a plurality of robots. According to an example, the carrying member 4600 has a first robot 4602 and a second robot 4606. The first robot 4602 transfers the substrate W between the coating block 30a, the additional process chamber 4200, and the interface buffer 4400, and the interface robot 4606 includes the interface buffer 4400 and the exposure apparatus ( 50), and the second robot 4604 may be provided to transport the substrate W between the interface buffer 4400 and the developing block 30b.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. Each of the first robot 4602 and the second robot 4606 includes a hand on which the substrate W is placed, and the hand moves forward and backward, rotates about an axis parallel to the third direction 16, and It may be provided to be movable along the three directions 16.

인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.The hand of the index robot 2200, the first robot 4602, and the second robot 4606 may all be provided in the same shape as the hand 3420 of the transfer robots 3422 and 3424. Optionally, the hand of the robot that directly exchanges the substrate (W) with the transfer plate 3240 of the heat treatment chamber is provided in the same shape as the hand 3420 of the transfer robots 3422 and 3424, and the hands of the other robots have a different shape. Can be provided.

일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 가열 유닛(3230)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다. According to an embodiment, the index robot 2200 is provided to directly exchange the substrate W with the heating unit 3230 of the shear heat treatment chamber 3200 provided in the coating block 30a.

또한, 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다. In addition, the transfer robot 3422 provided in the coating block 30a and the developing block 30b may be provided to directly exchange the substrate W with the transfer plate 3240 positioned in the heat treatment chamber 3200.

다음에는 상술한 기판 처리 장치(1)를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 실시예에 대해 설명한다. Next, an embodiment of a method of processing a substrate using the substrate processing apparatus 1 described above will be described.

기판(W)에 대해 도포 처리 공정(S20), 에지 노광 공정(S40), 노광 공정(S60), 그리고 현상 처리 공정(S80)이 순차적으로 수행된다. A coating process (S20), an edge exposure process (S40), an exposure process (S60), and a developing process (S80) are sequentially performed on the substrate W.

도포 처리 공정(S20)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S21), 전단 액처리 챔버(3602)에서 반사방지막 도포 공정(S22), 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S23), 후단 액처리 챔버(3604)에서 포토레지스트막 도포 공정(S24), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S25)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. The coating treatment process (S20) is a heat treatment process (S21) in the heat treatment chamber 3200, an antireflective coating process (S22) in the front liquid treatment chamber 3602, a heat treatment process (S23) in the heat treatment chamber 3200, and a liquid treatment at the subsequent stage. A photoresist film application process (S24) in the chamber 3604 and a heat treatment process (S25) in the heat treatment chamber 3200 are sequentially performed.

이하, 용기(10)에서 노광 장치(50)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다. Hereinafter, an example of a conveyance path of the substrate W from the container 10 to the exposure apparatus 50 will be described.

인덱스 로봇(2200)은 기판(W)을 용기(10)에서 꺼내서 전단 버퍼(3802)로 반송한다. 반송 로봇(3422)은 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)을 전단 열처리 챔버(3200)로 반송한다. 기판(W)은 반송 플레이트(3240)에 의해 가열 유닛(3230)에 기판(W)을 반송한다. 가열 유닛(3230)에서 기판의 가열 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)는 기판을 냉각 유닛(3220)으로 반송한다. 반송 플레이트(3240)는 기판(W)을 지지한 상태에서, 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 기판(W)의 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출하여 전단 액처리 챔버(3602)로 반송한다. The index robot 2200 takes out the substrate W from the container 10 and transfers the substrate W to the front end buffer 3802. The transfer robot 3422 transfers the substrate W stored in the front end buffer 3802 to the front end heat treatment chamber 3200. The substrate W transfers the substrate W to the heating unit 3230 by the transfer plate 3240. When the heating process of the substrate in the heating unit 3230 is completed, the transfer plate 3240 transfers the substrate to the cooling unit 3220. The transfer plate 3240 is in contact with the cooling unit 3220 while supporting the substrate W to perform a cooling process of the substrate W. When the cooling process is completed, the transfer plate 3240 is moved to the upper portion of the cooling unit 3220, and the transfer robot 3422 carries out the substrate W from the heat treatment chamber 3200 to the front end liquid treatment chamber 3602. Return.

전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W) 상에 반사 방지막을 도포한다. An anti-reflection film is applied on the substrate W in the shear liquid processing chamber 3602.

반송 로봇(3422)이 전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 반출하여 후단 액처리 챔버(3604)로 반송한다. The transfer robot 3422 carries the substrate W from the front end liquid processing chamber 3602 and carries the substrate W into the heat treatment chamber 3200. The above-described heating process and cooling process are sequentially performed in the heat treatment chamber 3200, and when each heat treatment process is completed, the transfer robot 3422 carries out the substrate W and transfers the substrate W to the subsequent liquid treatment chamber 3604.

이후, 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W) 상에 포토레지스트막을 도포한다. Thereafter, a photoresist film is applied on the substrate W in a liquid processing chamber 3604 at a later stage.

반송 로봇(3422)이 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)으로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 후단 버퍼(3804)로 반송한다. 인터페이스 모듈(40)의 제1로봇(4602)이 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 보조 공정챔버(4200)로 반송한다. The transfer robot 3422 carries the substrate W out of the liquid processing chamber 3604 at the rear stage, and carries the substrate W into the heat treatment chamber 3200. The above-described heating process and cooling process are sequentially performed in the heat treatment chamber 3200, and when each heat treatment process is completed, the transfer robot 3422 transfers the substrate W to the rear buffer 3804. The first robot 4602 of the interface module 40 carries out the substrate W from the rear buffer 3804 and transfers the substrate W to the auxiliary process chamber 4200.

보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)에 대해 에지 노광 공정이 수행된다.An edge exposure process is performed on the substrate W in the auxiliary process chamber 4200.

이후, 제1로봇(4602)이 보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.Thereafter, the first robot 4602 carries out the substrate W from the auxiliary process chamber 4200 and transfers the substrate W to the interface buffer 4400.

이후, 제2로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 노광 장치(50)로 반송한다.Thereafter, the second robot 4606 takes out the substrate W from the interface buffer 4400 and transfers it to the exposure apparatus 50.

현상 처리 공정(S80)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S81), 액처리 챔버(3600)에서 현상 공정(S82), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S83)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. The development treatment process (S80) is performed by sequentially performing a heat treatment process (S81) in the heat treatment chamber 3200, a development process (S82) in the liquid treatment chamber 3600, and a heat treatment process (S83) in the heat treatment chamber 3200 do.

이하, 노광 장치(50)에서 용기(10)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다, Hereinafter, an example of a conveyance path of the substrate W from the exposure apparatus 50 to the container 10 will be described.

제2로봇(4606)이 노광 장치(50)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.The second robot 4606 unloads the substrate W from the exposure apparatus 50 and transfers the substrate W to the interface buffer 4400.

이후, 제1로봇(4602)이 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 후단 버퍼(3804)로 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(3422)은 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반송한다. 열처리 챔버(3200)에는 기판(W)의 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)로 반송한다. Thereafter, the first robot 4602 carries out the substrate W from the interface buffer 4400 and transfers the substrate W to the rear buffer 3804. The transfer robot 3422 carries out the substrate W from the rear buffer 3804 and transfers the substrate W to the heat treatment chamber 3200. A heating process and a cooling process of the substrate W are sequentially performed in the heat treatment chamber 3200. When the cooling process is completed, the substrate W is transferred to the developing chamber 3600 by the transfer robot 3422.

현상 챔버(3600)에는 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. A developing process is performed by supplying a developer onto the substrate W to the developing chamber 3600.

기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)에서 반출되어 열처리 챔버(3200)로 반입된다. 기판(W)은 열처리 챔버(3200)에서 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행된다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출되어 전단 버퍼(3802)로 반송한다. The substrate W is carried out from the developing chamber 3600 by the transfer robot 3422 and carried into the heat treatment chamber 3200. A heating process and a cooling process are sequentially performed on the substrate W in the heat treatment chamber 3200. When the cooling process is completed, the substrate W is carried out from the heat treatment chamber 3200 by the transfer robot 3422 and transferred to the front end buffer 3802.

이후, 인덱스 로봇(2200)이 전단 버퍼(3802)에서 기판(W)을 꺼내어 용기(10)로 반송한다. Thereafter, the index robot 2200 takes out the substrate W from the shear buffer 3802 and transfers it to the container 10.

상술한 기판 처리 장치(1)의 처리 블럭은 도포 처리 공정과 현상 처리 공정을 수행하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 기판 처리 장치(1)는 인터페이스 모듈 없이 인덱스 모듈(20)과 처리 블럭(37)만을 구비할 수 있다. 이 경우, 처리 블럭(37)은 도포 처리 공정만을 수행하고, 기판(W) 상에 도포되는 막은 스핀 온 하드마스크막(SOH)일 수 있다.The processing block of the above-described substrate processing apparatus 1 has been described as performing a coating treatment process and a development treatment process. However, unlike this, the substrate processing apparatus 1 may include only the index module 20 and the processing block 37 without an interface module. In this case, the processing block 37 performs only a coating process, and a film applied on the substrate W may be a spin-on hard mask film SOH.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The detailed description above is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and/or the skill or knowledge of the art. The above-described embodiments describe the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application fields and uses of the present invention are possible. Therefore, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiment. In addition, the appended claims should be construed as including other embodiments.

830: 기판 지지 유닛 832; 지지판
834: 회전축 836: 지지 바디
920: 백노즐 922: 몸통부
924; 토출부830: substrate support unit 832; Support plate
834: rotation shaft 836: support body
920: back nozzle 922: body
924; Discharge

Claims (19)

기판을 액 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 제공하는 처리 용기와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판으로 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되,
상기 기판 지지 유닛은,
기판의 중심 영역이 놓이며, 기판의 가장자리 영역이 외부에 노출되도록 기판을 지지하고, 회전 가능한 지지판을 포함하며,
상기 액 공급 유닛은,
상기 지지판의 아래에서 기판의 저면으로 액을 공급하는 백노즐과;
상기 백노즐로부터 토출되는 액의 토출 위치가 제1위치와 상기 제1위치보다 기판의 중심에서 멀리 떨어진 제2위치로 변경되도록 상기 백노즐을 구동시키는 구동기를 포함하는 기판 처리 장치.In the apparatus for liquid processing a substrate,
A processing container providing a processing space therein;
A substrate support unit supporting a substrate in the processing space;
Including a liquid supply unit for supplying a liquid to the substrate supported by the substrate support unit,
The substrate support unit,
The center region of the substrate is placed, and the substrate supports the substrate so that the edge region of the substrate is exposed to the outside, and includes a rotatable support plate,
The liquid supply unit,
A back nozzle for supplying a liquid to a bottom surface of the substrate under the support plate;
A substrate processing apparatus comprising a driver for driving the back nozzle such that a discharge position of the liquid discharged from the back nozzle is changed to a first position and a second position farther from the center of the substrate than the first position. 제1항에 있어서,
상기 구동기를 제어하는 제어기를 더 포함하되,
상기 제어기는 상기 제2위치로 액을 토출하는 중에, 상기 구동기에 의해 상기 제2위치를 중심으로 일정 범위 내에서 토출 위치가 계속적으로 변경되도록 상기 구동기를 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
Further comprising a controller for controlling the driver,
The controller controls the driver so that the discharge position is continuously changed within a predetermined range around the second position by the driver while the liquid is discharged to the second position. 제2항에 있어서,
상기 기판 지지 유닛은
상기 지지판을 지지하며, 회전되는 회전축과;
상기 회전축을 감싸며, 상기 지지판보다 큰 직경을 가지는 지지 바디를 포함하되,
상기 백노즐은 상기 지지 바디에 설치되는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
The substrate support unit
A rotating shaft supporting the support plate and rotating;
Comprising a support body surrounding the rotating shaft and having a larger diameter than the support plate,
The back nozzle is a substrate processing apparatus installed on the support body. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 백노즐의 위치 변경은 상기 백노즐을 회전에 의해 이루어지도록 제공되는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 3,
The substrate processing apparatus is provided to change the position of the back nozzle by rotating the back nozzle. 제4항에 있어서,
상기 백노즐은,
상기 구동기에 의해 회전 가능한 몸통부와;
상기 몸통부에 지지되며, 액이 토출되는 토출구가 형성되는 토출부를 포함하되,
상기 토출구 및 상기 토출구에 액을 공급하는 토출 라인은 상기 몸통부의 중심축으로부터 이격되게 위치되는 기판 처리 장치.The method of claim 4,
The back nozzle,
A body rotatable by the driver;
It is supported on the body and includes a discharge portion formed with a discharge port through which the liquid is discharged,
The discharge port and the discharge line for supplying the liquid to the discharge port are positioned to be spaced apart from a central axis of the body. 제5항에 있어서,
상기 토출구는 위로 갈수록 상기 중심축으로부터 멀어지거나 가까워지는 방향을 향하는 기판 처리 장치.The method of claim 5,
The substrate processing apparatus of the discharge port toward a direction closer to or away from the central axis as it goes upward. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 백노즐의 위치 변경은 상기 백노즐을 직선 이동에 의해 이루어지도록 제공되는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 3,
The substrate processing apparatus is provided to change the position of the back nozzle by linearly moving the back nozzle. 제7항에 있어서,
상기 구동기는,
길이 방향이 상부에서 바라볼 때 기판의 중심축으로부터 멀어지는 방향으로 연장되는 가이드와;
상기 가이드의 길이 방향을 따라 이동 가능한 브라켓과;
상기 브라켓이 이동되도록 구동력을 제공하는 모터를 포함하고,
상기 백노즐은 상기 브라켓에 설치되는 기판 처리 장치.The method of claim 7,
The driver,
A guide extending in a direction away from the central axis of the substrate when the longitudinal direction is viewed from above;
A bracket movable along the length direction of the guide;
It includes a motor that provides a driving force to move the bracket,
The back nozzle is a substrate processing apparatus installed on the bracket. 제8항에 있어서,
상기 백노즐의 토출구는 기판의 중심축으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 형성되는 기판 처리 장치.The method of claim 8,
A substrate processing apparatus wherein the discharge port of the back nozzle is formed to be inclined upward as it moves away from the central axis of the substrate. 기판을 액 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 제공하는 처리 용기와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판으로 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되,
상기 기판 지지 유닛은,
기판의 중심 영역이 놓이며, 기판의 가장자리 영역이 외부에 노출되도록 기판을 지지하고, 회전 가능한 지지판을 포함하며,
상기 액 공급 유닛은,
상기 지지판의 아래에서 기판의 저면으로 액을 공급하는 백노즐을 포함하되,
상기 백 노즐에는 기판의 저면인 제1위치로 액을 토출하는 제1토출구와 상기 제1위치보다 기판의 중심에서 멀리 떨어진 기판의 저면인 제2위치로 액을 토출하는 제2토출구가 형성되는 기판 처리 장치.In the apparatus for liquid processing a substrate,
A processing container providing a processing space therein;
A substrate support unit supporting a substrate in the processing space;
Including a liquid supply unit for supplying a liquid to the substrate supported by the substrate support unit,
The substrate support unit,
The center region of the substrate is placed, and the substrate supports the substrate so that the edge region of the substrate is exposed to the outside, and includes a rotatable support plate,
The liquid supply unit,
Including a back nozzle for supplying a liquid to the bottom of the substrate under the support plate,
The back nozzle has a first discharge port for discharging the liquid to a first position, which is the bottom of the substrate, and a second discharge port for discharging the liquid to a second position, which is a lower surface of the substrate further from the center of the substrate than the first position. Processing device. 제10항에 있어서,
상기 액 공급 유닛은,
상기 백노즐을 회전시키는 구동기를 더 포함하되,
상기 백노즐은,
상기 구동기에 의해 회전 가능한 몸통부와;
상기 몸통부의 상단으로부터 수직한 방향으로 연장되며 상기 제1토출구가 형성되는 제1토출부와;
상기 몸통부의 상단으로부터 상기 제1토출부와 반대되는 방향으로 연장되며 상기 제2토출구가 형성되는 제2토출부를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 10,
The liquid supply unit,
Further comprising a driver for rotating the back nozzle,
The back nozzle,
A body rotatable by the driver;
A first discharge portion extending in a vertical direction from an upper end of the body portion and having the first discharge port;
A substrate processing apparatus comprising a second discharge part extending in a direction opposite to the first discharge part from an upper end of the body part and in which the second discharge port is formed. 제11항에 있어서,
상기 제1토출구 및 상기 제2토출구 각각은 기판의 중심축으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 11,
Each of the first discharge port and the second discharge port is provided to face an upwardly inclined direction as the distance from the central axis of the substrate increases. 기판을 액 처리하는 방법에 있어서
회전되는 상기 기판의 저면에 액을 공급하여 상기 기판을 액 처리하되,
상기 기판의 아래에 위치되는 백 노즐은 상기 액을 상기 기판의 저면인 제1위치로 토출하여 상기 기판의 저면을 액 처리하고, 상기 액을 상기 제1위치보다 상기 기판의 중심에서 멀리 떨어지며 상기 기판의 저면인 제2위치로 토출하여 상기 기판의 베벨부를 액 처리하는 기판 처리 방법.In the method of liquid treatment of the substrate
Liquid-processing the substrate by supplying a liquid to the bottom of the rotating substrate,
The back nozzle positioned below the substrate discharges the liquid to a first position, which is the bottom surface of the substrate, and processes the bottom surface of the substrate. The liquid is further away from the center of the substrate than the first position, and the substrate A substrate processing method in which the bevel portion of the substrate is liquid-treated by discharging it to a second position that is the bottom of the substrate. 제13항에 있어서,
상기 액은 상기 제1위치로 토출된 후에 상기 제2위치로 토출되는 기판 처리 방법.The method of claim 13,
The substrate processing method wherein the liquid is discharged to the first position and then discharged to the second position. 제14항에 있어서,
상기 제1위치로 상기 액을 토출하는 것과 상기 제2위치로 상기 액을 토출하는 것 간의 변경은 상기 백 노즐을 회전 이동시킴으로써 이루어지는 기판 처리 방법.The method of claim 14,
A substrate processing method wherein a change between discharging the liquid to the first position and discharging the liquid to the second position is performed by rotating the back nozzle. 제13항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1위치에서 상기 기판을 액 처리하는 것은 상기 기판의 저면을 세정하는 세정 처리이고,
상기 제2위치에서 상기 기판을 액 처리하는 것은 상기 기판의 상면의 베벨부 영역에서 막질을 제거하는 제거 처리인 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 13 to 14,
Liquid treatment of the substrate at the first position is a cleaning treatment for cleaning the bottom surface of the substrate,
The liquid treatment of the substrate at the second position is a removal treatment of removing a film quality from a bevel portion of the upper surface of the substrate. 제16항에 있어서,
상기 제2위치로 상기 액을 토출하는 중에는 상기 제2위치를 중심으로 일정 범위 내에서 토출 위치가 계속적으로 변경되는 기판 처리 방법.The method of claim 16,
While discharging the liquid to the second position, the discharging position is continuously changed within a predetermined range around the second position. 제17항에 있어서,
상기 기판의 상면에는 복수의 칩에 제공되며,
상기 제2위치를 중심으로 일정 범위 내에서 계속적으로 변경되는 토출되는 상기 칩에 액이 제공되지 않도록 하는 토출 위치인 기판 처리 방법.The method of claim 17,
It is provided on a plurality of chips on the upper surface of the substrate,
The substrate processing method of a substrate processing method in which a liquid is not provided to the discharged chip that is continuously changed within a predetermined range around the second position. 제18항에 있어서,
상기 세정 처리 및 상기 제거 처리는 상기 기판에 포토레지스트를 공급하는 처리 이후에 이루어지고,
상기 제거 처리에서 제거되는 막질은 포토레지스트 막인 기판 처리 방법.


The method of claim 18,
The cleaning treatment and the removal treatment are performed after a treatment of supplying a photoresist to the substrate,
A substrate processing method wherein the film quality removed in the removal treatment is a photoresist film.
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