KR20200042289A - Powder trap apparatus in manufacturing semiconductor - Google Patents

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KR20200042289A
KR20200042289A KR1020180122690A KR20180122690A KR20200042289A KR 20200042289 A KR20200042289 A KR 20200042289A KR 1020180122690 A KR1020180122690 A KR 1020180122690A KR 20180122690 A KR20180122690 A KR 20180122690A KR 20200042289 A KR20200042289 A KR 20200042289A
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Abstract

Disclosed in the present invention is a powder trap apparatus used for a semiconductor manufacturing process, which can remove powder from exhaust gas discharged from a processing chamber of a semiconductor manufacturing process. In particular, the powder trap apparatus used for a semiconductor manufacturing process of an embodiment of the present invention is a powder trap apparatus which is installed at the front end or the rear end of a vacuum pump connected to the processing chamber of the semiconductor manufacturing process in order to remove powder from exhaust gas discharged from the processing chamber. To this end, the present invention may comprise: a housing which is configured in a hollow cylindrical shape, wherein an inlet is formed at the lower portion of a side surface and an outlet is formed on an upper surface; a first flexion unit which is composed of a plurality of vertical plates which are installed to face the direction of the inlet in the housing such that bigger particles of powder may be removed from introduced exhaust gas; a second flexion unit which is located at the upper side of the first flexion unit, and allows the exhaust gas having passed through the first flexion unit to be rotated while being moved in a zigzag pattern such that smaller particles of the powder may be removed therefrom; and a filtering unit which collects the remaining powder from the exhaust gas which is firstly purified in the first and second flexion units.

Description

반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치{POWDER TRAP APPARATUS IN MANUFACTURING SEMICONDUCTOR}Powder trap device used in semiconductor manufacturing process {POWDER TRAP APPARATUS IN MANUFACTURING SEMICONDUCTOR}

개시된 내용은 반도체 제조공정의 공정챔버에서 배출되는 배기가스로부터 파우더를 제거하는 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치에 관한 것이다.Disclosed is a powder trap device used in a semiconductor manufacturing process for removing powder from exhaust gas discharged from a process chamber in a semiconductor manufacturing process.

일반적으로 반도체 제조공정은 웨이퍼를 산화시켜 웨이퍼 표면에 산화막을 만드는 산화공정, 웨이퍼 표면에 원하는 패턴을 형성하는 포토공정, 감광막 패턴이 형성된 웨치퍼 표면을 선택적으로 제거하는 식각공정, 웨이퍼 상에 분자나 원자 단위 물질을 증착하여 전기적 특성을 갖게 하는 증착공정 등 다양한 공정을 거치게 된다.In general, semiconductor manufacturing processes oxidize a wafer to form an oxide film on a wafer surface, an oxidation process to form a desired pattern on a wafer surface, an etching process to selectively remove a wafer surface on which a photosensitive film pattern is formed, a molecule or a wafer on the wafer. Various processes such as a deposition process to deposit atomic unit materials to have electrical properties are performed.

그런데, 이러한 공정들은 여러 유해가스를 사용하여 고온에서 수행되므로 공정챔버 내부에는 각종발화성 가스와 부식성 이물질 및 유독 성분을 함유한 유해가스 등이 발생하고 공정챔버에서 배출된 이 유해가스들은 온도가 낮아지면 고체상태인 파우더(Power)로 변화되어 배관이나 진공펌프 등에 영향을 미치게 된다. 따라서, 이러한 문제를 해결하기 위해 일반적으로 공정챔버와 진공펌프 사이에는 파우더 제거용 트랩장치가, 진공펌프의 후단에는 스크러버(Scrubber)가 설치된다.However, since these processes are performed at high temperature using various harmful gases, various ignitable gases and harmful gases containing corrosive foreign substances and toxic components are generated inside the process chamber, and when these gases discharged from the process chamber are lowered in temperature, It is changed to a solid powder (Power) and affects piping or vacuum pumps. Therefore, in order to solve this problem, a trap device for removing powder is generally provided between the process chamber and the vacuum pump, and a scrubber is installed at the rear end of the vacuum pump.

이와 관련된 종래기술은 대한민국 등록실용신안 제 20-03975247 호에 개시된 반도체 부산물 트랩장치가 있다.A related art is a semiconductor by-product trap device disclosed in Korean Registered Utility Model No. 20-03975247.

상기 종래기술에 따른 반도체 부산물 트랩장치는 프로세스챔버(공정챔버)와 연결을 위한 제 1 연결구(14)와, 진공펌프와의 연결을 위한 제 2 연결구(16)와, 내벽면을 따라 쿨링라인이 설치된 중공의 쿨링챔버(10)와, 상기 쿨링챔버(10)의 중공부에 상기 쿨링챔버(10)의 내벽면과 이격되어 설치되고 상기 프로세스 챔버로부터 반응부산물이 유입되는 히팅챔버(20)를 포함하고, 쿨링챔버에는 복수의 타공(12)이 형성된 제 1 플레이트(18)가 층을 이루며 상하 나란하게 배열되는 것을 특징으로 한다.The semiconductor by-product trap device according to the prior art has a first connection port 14 for connection with a process chamber (process chamber), a second connection port 16 for connection with a vacuum pump, and a cooling line along the inner wall surface. An installed hollow cooling chamber 10 and a heating chamber 20, which is installed spaced apart from the inner wall surface of the cooling chamber 10 in the hollow portion of the cooling chamber 10, and reactant by-products are introduced from the process chamber And, the cooling chamber is characterized in that a plurality of perforations 12 are formed, the first plate 18 is layered and arranged side by side.

KRKR 20-039752420-0397524 Y1Y1

개시된 내용의 목적은 진공챔버의 전단 또는 후단에 설치되어 공정챔버에서 배출되는 배기가스로부터 파우더를 제거함에 있어, 제작비용과 유지비용이 저렴하고 배기가스로부터 파우더를 획기적으로 제거할 수 있는 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치를 제공함에 있다.The purpose of the disclosed contents is to install the powder at the front end or rear end of the vacuum chamber to remove the powder from the exhaust gas discharged from the process chamber, and the manufacturing cost and maintenance cost are low and the semiconductor manufacturing process can significantly remove the powder from the exhaust gas. It is to provide a powder trap device used in.

본 실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 과제들에 한정되지 않으며 언급되지 않은 다른 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problem to be achieved by the present embodiment is not limited to the above-mentioned problems, and other problems that are not mentioned will be clearly understood by a person skilled in the art from the following description.

일 실시예에 따른 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치는, 반도체 제조공정의 공정챔버와연결된 진공펌프의 전단 또는 후단에 설치되어 상기 공정챔버에서 배출되는 배기가스로부터 파우더(Powder)를 제거하는 파우더 트랩장치장치로서, 중공의 원통형상으로 이루어지되 측면 하부에 유입구가 형성되고 상면에 유출구가 형성되는 하우징과; 유입된 배기가스로부터 파우더의 큰 입자들이 제거되도록, 상기 하우징 내부에 상기 유입구의 방향과 대향 설치되는 다수의 수직플레이트로 구성된 제 1 플렉션부와; 상기 제 1 플렉션부 상측에 위치되며, 상기 제 1 플렉션부를 거친 배기가스가 회전하면서 지그재그로 이동되도록 하여 파우더의 작은 입자들이 제거되도록 하는 제 2 플렉션부와; 상기 제 1 및 제 2 플렉션부로부터 1 차적으로 정화된 배기가스로부터 잔여 파우더를 포집하는 필터링부;를 포함할 수 있다.A powder trap device used in a semiconductor manufacturing process according to an embodiment is installed at a front end or a rear end of a vacuum pump connected to a process chamber of a semiconductor manufacturing process to remove powder from exhaust gas discharged from the process chamber. A trap device comprising: a housing formed of a hollow cylindrical shape, wherein an inlet is formed at a lower side and an outlet is formed at an upper surface; A first flexure portion composed of a plurality of vertical plates installed opposite to the direction of the inlet port in the housing to remove large particles of powder from the inflow exhaust gas; A second flexure portion located above the first flexure portion and allowing the exhaust gas that has passed through the first flexure portion to move in a zigzag manner while being rotated, thereby removing small particles of powder; It may include; a filtering unit for collecting the residual powder from the exhaust gas primarily purified from the first and second flexure units.

여기서, 상기 제 1 플렉션부의 다수의 수직플렉이트는, 사각 평판으로 이루어지되 하단은 하우징의하면과 접하고 상단은 상기 제 2 플렉션부 하단에 접하도록 이루어지며, 상기 유입구로부터 거리 d1 인 지점에 위치하되 양단과 상기 하우징과의 사이에 제 1 슬릿이 형성되는 제 1 수직플레이트와, 상기 d1 보다 원거리 지점인 상기 유입구로부터 거리 d2 지점에 위치하되 중심부에 제 2 슬릿이 형성되도록 서로 이격 설치되는 한 쌍의 제 2 수직플레이트와, 상기 d2 보다 원거리 지점인 상기 유입구로부터 거리 d3 지점에 위치하되 상기 하우징과의 사이에 제 3 슬릿이 형성되는 제 3 수직플레이트를 포함할 수 있다.Here, the plurality of vertical flexures of the first flexure portion is made of a rectangular flat plate, but the lower end is in contact with the lower surface of the housing and the upper end is made to contact the lower end of the second flexure portion, and is located at a point d1 from the inlet. A pair of first vertical plates in which a first slit is formed between both ends and the housing, and a pair of spaced apart from each other so that a second slit is formed in the center, but is located at a distance d2 from the inlet, which is a farther point than d1. The second vertical plate may include a third vertical plate positioned at a distance d3 from the inlet, which is a farther point than d2, but with a third slit formed between the housing.

또한, 상기 제 2 플렉션부는, 원판체로 이루어져 상하 나란하게 이격 배치되는 제 1 및 제 2 수평판과, 상기 제 1 수평판과 제 2 수평판 사이에 중심축을 기준으로 방사상으로 형성되는 다수의 격벽을 포함하되, 상기 제 1 수평판에는 상기 제 1 플렉션부로부터 배기가스가 유입되도록 제 1 통공이 형성되고, 상기 격벽은 상기 제 1 통공의 양측에 형성되는 한 쌍의 제 1 격벽과, 상기 한 쌍의 제 1 격벽과 반대편에 형성되는 한 쌍의 제 2 격벽과, 다수개로 이루어져 상기 제 1 격벽과 제 2 격벽 사이에 형성되는 제 3 격벽으로 구성될 수 있다.In addition, the second flexure portion, a plurality of partition walls formed of a disk body and radially formed on the basis of a central axis between the first and second horizontal plates, which are spaced vertically and horizontally, and the first horizontal plate and the second horizontal plate A first through hole is formed in the first horizontal plate so that exhaust gas flows in from the first flexure part, and the partition wall includes a pair of first partition walls formed on both sides of the first through hole, and the one A pair of second partition walls formed on opposite sides of the pair of first partition walls and a plurality of third partition walls formed between the first partition wall and the second partition wall may be formed.

여기서, 제 1 격벽의 내측 끝단은 상기 중심축과 접하고 외측 끝단은 상기 하우징의 내주연과 이격되며, 상기 제 2 격벽의 내측 끝단은 상기 중심축과 이격되고 외측 끝단은 상기 하우징의 내주연과 접하며, 상기 다수의 제 3 격벽은 내측 끝단이 상기 중심축과 접하고 외측 끝단이 상기 하우징과 이격되는 격벽과, 내측 끝단이 상기 중심축과 이격되고 외측 끝단이 상기 하우징과 접하는 격벽이 차례대로 배열되어 구성되는 것을 특징으로 한다.Here, the inner end of the first partition wall is in contact with the central axis, the outer end is spaced from the inner periphery of the housing, the inner end of the second partition wall is spaced from the central axis, and the outer end is in contact with the inner periphery of the housing , In the plurality of third partition walls, a partition wall having an inner end contacting the central axis and an outer end spaced apart from the housing, and a partition wall having an inner end spaced apart from the central axis and an outer end contacting the housing are arranged in order. It is characterized by being.

또한, 상기 제 2 플렉션부는, 제 2 수평판의 상부에 나란하게 이격 배치되는 제 3 수평판과, 상기제 2 수평판 및 상기 제 3 수평판 사이에 상기 중심축을 기준으로 방사상으로 형성되는 다수의 격벽을 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the second flexure portion, a plurality of radially formed on the basis of the central axis between the third horizontal plate and the second horizontal plate and the third horizontal plate are disposed parallel to each other on top of the second horizontal plate It characterized in that it comprises a partition wall.

그리고, 상기 제 2 수평판에는, 상기 제 1 및 제 2 수평판 사이에서 지그재그로 이동된 배기가스가제 2 및 제 3 수평판 사이로 이동되도록 제 2 통공이 형성되고, 상기 제 3 수평판에는, 상기 제 2 및 제 3 수평판 사이에서 지그재그로 이동된 배기가스가 상기 필터링부로 이동될 수 있도록 제 3 통공이 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, a second through hole is formed in the second horizontal plate so that exhaust gas moved zigzag between the first and second horizontal plates is moved between the second and third horizontal plates, and in the third horizontal plate, It characterized in that the third through hole is formed so that the exhaust gas moved in the zigzag between the second and third horizontal plates can be moved to the filtering unit.

한편, 상기 필터링부는, 상기 플렉션부의 상측에 위치하고 상기 유출구와 연통되며 하면이 개방된필터 케이싱과, 하면이 폐쇄된 중공의 원통 형상으로 이루어져 상기 필터 케이싱 내부에 수직방향으로 설치되는 포집필터를 포함할 수 있다.On the other hand, the filtering unit is located on the upper side of the reflection portion and communicates with the outlet, and includes a filter casing with an open bottom surface and a hollow cylindrical shape with a bottom surface closed, and a collection filter installed vertically inside the filter casing. can do.

여기서, 상기 포집필터는,폴리아미드계 합성섬유가 열융착방식에 의해 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 한다.Here, the collecting filter is characterized in that the polyamide-based synthetic fibers are laminated by a heat fusion method.

개시된 내용에 따르면, 배기가스로부터 파우더를 효과적으로 제거할 수 있으며 내부 구성을 단순화함으로써 제작비용 및 유지비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.According to the disclosed contents, powder can be effectively removed from the exhaust gas, and there is an effect of reducing manufacturing cost and maintenance cost by simplifying the internal configuration.

본 실시예들의 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present embodiments are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.

도 1 은 종래기술에 따른 반도체 부산물 트랩장치.
도 2 는 일 실시예에 따른 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치.
도 3 은 일 실시예에 따른 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치의 설치상태를 나타내는 예시도.
도 4 는 일 실시예에 따른 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치의 종단면도.
도 5 는 일 실시예에 따른 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치의 구성 중 제 1 및 제 2 플렉션부의 사시도.
도 6 은 도 5 에 도시된 제 1 및 제 2 플렉션부의 타측방향 사시도.
도 7 은 도 4 및 도 5 에 도시된 제 1 플렉션부의 횡단면도.
도 8 은 일 실시예에 따른 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치의 구성 중 제 1 플렉션부에서의 배기가스 흐름을 보이기 위한 예시도.
도 9 는 일 실시예에 따른 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치의 구성 중 제 2 플렉션부에서의 구성 및 배기가스 흐름을 보이기 위한 예시도이다.
1 is a semiconductor by-product trap device according to the prior art.
2 is a powder trap device used in a semiconductor manufacturing process according to an embodiment.
3 is an exemplary view showing an installation state of a powder trap device used in a semiconductor manufacturing process according to an embodiment.
4 is a longitudinal sectional view of a powder trap device used in a semiconductor manufacturing process according to one embodiment.
Figure 5 is a perspective view of the first and second flexure portion of the configuration of the powder trap device used in the semiconductor manufacturing process according to an embodiment.
6 is a perspective view showing the first and second flexure portions shown in FIG. 5 in the other direction.
7 is a cross-sectional view of the first flexure portion shown in FIGS. 4 and 5.
8 is an exemplary view for showing the exhaust gas flow in the first flexure portion of the configuration of the powder trap device used in the semiconductor manufacturing process according to an embodiment.
9 is an exemplary view for showing the configuration of the powder trap device used in the semiconductor manufacturing process according to an embodiment, the configuration in the second flexure and the exhaust gas flow.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 바람직한 실시예에 따른 "반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치"(이하 "파우더 트랩장치"라 약칭함)에 대하여 구체적으로 설명한다. 참고로 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지의 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail with respect to the "powder trap device used in the semiconductor manufacturing process" (hereinafter abbreviated as "powder trap device") according to a preferred embodiment. For reference, in the description of the present invention, if it is determined that detailed descriptions of related well-known functions or configurations may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, detailed descriptions thereof will be omitted.

도 2 는 일 실시예에 따른 파우더 트랩장치이고, 도 3 은 일 실시예에 따른 파우더 트랩장치의 설치상태를 나타내는 예시도이며, 도 4 는 일 실시예에 따른 파우더 트랩장치의 종단면도이고, 도 5 및 도 6 은 일 실시예에 따른 파우더 트랩장치의 구성 중 제 1 및 제 2 플렉션부의 일측 및 타측 사시도이며, 도 7 은 도 4 및 도 5 에 도시된 제 1 플렉션부의 횡단면도이고, 도 8 은 제 1 플렉션부에서의 배기가스 흐름을 보이기 위한 예시도이며, 도 9 는 제 2 플렉션부에서의 구성 및 배기가스 흐름을 보이기 위한 예시도이다.2 is a powder trap device according to an embodiment, FIG. 3 is an exemplary view showing an installation state of a powder trap device according to an embodiment, and FIG. 4 is a longitudinal sectional view of the powder trap device according to an embodiment. 5 and 6 are perspective views of one side and the other side of the first and second flexure portions of the configuration of the powder trap device according to an embodiment, and FIG. 7 is a cross-sectional view of the first flexure portion shown in FIGS. 4 and 5, and 8 is an exemplary view for showing the exhaust gas flow in the first flexion unit, and FIG. 9 is an exemplary view for showing the configuration and the exhaust gas flow in the second flexion unit.

일 실시예에 따른 파우더 트랩장치(100)는, 도 3 의 (a)에 도시된 바와 같이, 공정챔버(10)와 공정챔버(10)를 진공상태로 만들어주는 진공펌프(30) 사이의 배관(20), 즉 공정챔버(10)의 전단에 설치되거나 (b)와 같이 공정챔버(10)와 공정챔버(10)로부터 배출된 배기가스를 정화하는 스크러버(50) 사이의 배관, 즉 공정챔버(10)의 후단에 설치될 수 있다.Powder trap apparatus 100 according to an embodiment, as shown in Figure 3 (a), the pipe between the process chamber 10 and the vacuum pump 30 to make the process chamber 10 in a vacuum state (20), that is, a pipe between the process chamber 10 or a scrubber 50 for purifying exhaust gas discharged from the process chamber 10 as shown in (b) or installed in the front end of the process chamber 10, that is, the process chamber It can be installed at the rear end of (10).

도 2 및 도 4 를 참조하면, 일 실시예에 따른 파우더 트랩장치(100)는 중공의 원통형상으로 이루어지되 측면 하부에 유입구(121)가 형성되고 상면에 유출구(123)가 형성되는 하우징(120)과, 하우징(120) 내부에 유입구(121)의 방향과 대향 설치되는 다수의 수직플레이트로 구성된 제 1 플렉션부와, 제 1 플렉션부 상측에 위치되며 제 1 플렉션부를 거친 배기가스가 회전하면서 지그재그로 이동되도록 하여 파우더의 작은 입자들이 제거되도록 하는 제 2 플렉션부와, 제 1 및 제 2 플렉션부로부터 1 차적으로 정화된 배기가스로부터 잔여 파우더를 포집하는 필터링부를 포함할 수 있다.2 and 4, the powder trap device 100 according to an embodiment is made of a hollow cylindrical shape, but the housing 120 is formed with an inlet 121 at the lower side and an outlet 123 at the upper surface. ), A first flexure portion composed of a plurality of vertical plates installed opposite to the direction of the inlet 121 inside the housing 120, and located above the first flexure portion and the exhaust gas passing through the first flexure portion rotates It may include a second reflection portion to be moved to the zigzag to remove the small particles of the powder, and a filtering portion for collecting the residual powder from the exhaust gas primarily purified from the first and second reflection portions.

하우징(120)은 다양한 형상으로 이루어질 수 있으나 바람직하게는 원통형상으로 구성될 수 있으며 상면은 측면과 일체로 제작되거나 상단캡(122)으로 이루어져 측면과 결합되도록 구성될 수 있으며, 측면 하부에는 유입구(121)가 상단캡(122)에는 유출구(123)가 형성될 수 있다. 이때 유입구(121)에는 공정챔버(10)로부터 배출된 배기가스가 펌프압에 의해 고압으로 유입되게 되는데 유입된 배기가스는 후술할 플렉션부(130, 140)와 필터링부(160)를 거친 다음 유출구(123)를 통해 유출된다.The housing 120 may be formed in various shapes, but may preferably be formed in a cylindrical shape, and the upper surface may be integrally manufactured with the side surface or may be configured to be combined with the side surface by being made of the upper cap 122, and the lower surface has an inlet port ( 121) the top cap 122, the outlet 123 may be formed. At this time, the exhaust gas discharged from the process chamber 10 is introduced into the inlet 121 at a high pressure by the pump pressure. The introduced exhaust gas passes through the reflection parts 130 and 140 and the filtering part 160, which will be described later, and then exits. 123.

하우징(120)의 하단에는 이동이 용이하도록 다수의 횔(126)이 구비되며 각각의 휠(126)의 일측에는 하우징 고정부재(128)가 구비될 수 있다.A plurality of fins 126 are provided at the bottom of the housing 120 to facilitate movement, and a housing fixing member 128 may be provided on one side of each wheel 126.

하우징(120)의 내부에는 배기가스로부터 파우더를 제거하기 위하여 제 1 플렉션부(130), 제 2 플렉션부(140) 및 필터링부(160) 위치하게 되는데 바람직하게는 하에서 상으로 제 1 플렉션부(130), 제 2 플렉션부(140) 및 필터링부(160)가 차례대로 위치될 수 있다.In the inside of the housing 120, the first flexure 130, the second flexure 140, and the filtering part 160 are positioned to remove powder from the exhaust gas. 130), the second reflection unit 140 and the filtering unit 160 may be sequentially positioned.

제 1 플렉션부(130)는 유입구(121)의 방향(배기가스의 유입방향)과 대향 설치되는 다수의 수직플레이트(132, 134, 136)로 구성될 수 있다. 이때 각각의 수직플레이트들(132, 134, 136)은 사각 평판으로 이루어지되 하단은 하우징(120)의 하면과 접하고 상단은 제 2 플렉션부(140) 하단, 구체적으로는 후술할 제 2 플렉션부(140)의 제 1 수평판(142)에 접하도록 이루어질 수 있다.The first flexure unit 130 may be composed of a plurality of vertical plates 132, 134, and 136 that are installed to face the direction of the inlet 121 (the inflow direction of exhaust gas). At this time, each of the vertical plates (132, 134, 136) is made of a square plate, but the lower end is in contact with the lower surface of the housing 120, the upper end of the second reflection unit 140, specifically, the second reflection unit (described later) 140) may be made to contact the first horizontal plate 142.

바람직한 실시예로, 다수의 수직플레이트(132, 134, 136)는, 도 7 에 도시된 바와 같이, 유입구(121)로부터 거리 d1 인 지점에 위치하되 양단과 하우징(120)과의 사이에 제 1 슬릿(s1)이 형성되는 제 1 수직플레이트(132)와, 상기 d1 보다 원거리 지점인 유입구로부터 거리 d2 지점에 위치하되 중심부에 제 2 슬릿(s2)이 형성되도록 서로 이격 설치되는 한 쌍의 제 2 수직플레이트(134)와, d2 보다 원거리 지점인 유입구로부터 거리 d3 지점에 위치하되 상기 하우징(120)과의 사이에 제 3 슬릿(s3)이 형성되는 제 3 수직플레이트(136)를 포함할 수 있다.In a preferred embodiment, a plurality of vertical plates (132, 134, 136), as shown in Figure 7, is located at a distance d1 from the inlet 121, the first end between the housing 120 and both ends The first vertical plate 132 on which the slit s1 is formed and a pair of second which are located at a distance d2 from the inlet, which is a remote point from the d1, but are spaced apart from each other so that the second slit s2 is formed in the center. It may include a vertical plate 134 and a third vertical plate 136 positioned at a distance d3 from the inlet, which is a farther point than d2, but with a third slit s3 formed between the housing 120. .

도 8 를 참조하여 제 1 플렉션부(130)에서의 배기가스 흐름을 살펴보면, 먼저, 유입구(121)를 통해 유입된 배기가스는 유입구(121)와 대향 위치되는 제 1 수직플레이트(132)와 정면으로 충돌하여 양측으로 분기된다. 양측으로 분기된 배기가스는 각각 제 1 수직플레이트(132)를 따라 이동된 후 제 1 수직플레이트(132)의 양측에 위치한 제 1 슬릿(s1)에서 꺽인 후 한 쌍의 제 2 수직 플레이트(134)와 충돌한 다음 중앙부에서 수렴한 뒤 제 2 슬릿(s2)을 통과한다. 제 2 슬릿(s2)을 통과한 배기가스는 다시 한번 제 3 수직플레이트(s3)와 정면으로 충돌하여 양측으로 분기되며 양측으로 분기된 배기가스는 제 3 수직플레이트(s3)를 따라 이동하다 제 3 슬릿(s3)에서 꺽인 뒤 하우징(120)과 제 3 수직플레이트(136) 사이의 최종수렴공간(137)에 수렴하게 된다.Referring to FIG. 8, when looking at the flow of the exhaust gas from the first flexure unit 130, first, the exhaust gas introduced through the inlet 121 is front to the first vertical plate 132 positioned opposite to the inlet 121. It collides with and branches to both sides. The exhaust gas branched to both sides is moved along the first vertical plate 132, respectively, and then bent in the first slits s1 located at both sides of the first vertical plate 132, and then a pair of second vertical plates 134 After colliding with and converging at the center, it passes through the second slit s2. The exhaust gas that has passed through the second slit s2 once again collides with the third vertical plate s3 in front of it to branch to both sides, and the exhaust gas branched to both sides moves along the third vertical plate s3. After bending in the slit s3, the final converging space 137 between the housing 120 and the third vertical plate 136 converges.

본 실시예의 구성에 따르면, 유입구(121)를 통해 유입된 배기가스는 제 1 내지 3 수직플레이트(132, 134, 136)와 수회 정면으로 충돌함과 동시에 충돌 후 수직플레이트(132, 134, 136)를 따라 이동되도록 함으로써 파우더의 큰 입자들이 수직플레이트(132, 134, 136)에 부착 제거될 수 있다.According to the configuration of this embodiment, the exhaust gas introduced through the inlet 121 collides with the first to third vertical plates 132, 134, and 136 several times in front, and at the same time after the collision, the vertical plates 132, 134, and 136 By moving along the large particles of the powder can be attached and removed to the vertical plate (132, 134, 136).

또한 다수의 수직플레이트(132, 134, 136)를 거친 배기가스는 유입구(121)와 반대측에 위치한 최종수렴공간(137)에 수렴한 다음 후술한 제 2 플렉션부(140)의 제 1 수평판(142)에 형성된 제 1 통공(142a)을 따라 자연스럽게 제 1 플렉션부(130) 상측에 위치한 제 2 플렉션부(140)로 이동할 수 있다. 이때 제 1 플렉션부(130)에서의 파우더 제거율을 높이기 위해 제 1 및 제 2 수직플레이트(132, 134)는 유입구와 대향하는 하우징(120)의 횡단면 원의 직경(d)을 기준으로 내측에 위치될 수 있다.In addition, the exhaust gas that has passed through the plurality of vertical plates 132, 134, and 136 converges to the final converging space 137 located on the opposite side from the inlet 121, and then the first horizontal plate of the second reflection part 140 described later ( It is possible to move naturally to the second flexure part 140 located above the first flexure part 130 along the first through hole 142a formed in 142). At this time, in order to increase the powder removal rate in the first flexure portion 130, the first and second vertical plates 132 and 134 are positioned inside based on the diameter d of the cross-section circle of the housing 120 facing the inlet. Can be.

도 4 내지 6 및 도 9 를 참조하면, 제 2 플렉션부(140)는 원판체로 이루어져 상하 나란하게 이격 배치되는 제 1 및 제 2 수평판(142, 143)과, 제 1 및 제 2 수평판(142, 143) 사이에 중심축(141)을 기준으로 방사상으로 형성되는 다수의 격벽(145; 145-1, 145-2, 145-3)을 포함할 수 있다. 여기서 중심축(141)은 제 1 및 제 2 수평판(142, 143)에 형성된 관통공(미도시)에 삽입 결합되는 원통형 부재로 구성될 수 있다.4 to 6 and 9, the second flexure portion 140 is composed of a disk body, the first and second horizontal plates 142 and 143 spaced apart vertically, and the first and second horizontal plates ( Between 142, 143 may include a plurality of partition walls (145; 145-1, 145-2, 145-3) formed radially with respect to the central axis (141). Here, the central axis 141 may be formed of a cylindrical member that is inserted into and coupled to a through hole (not shown) formed in the first and second horizontal plates 142 and 143.

여기서, 제 1 수평판(142)에는 제 1 플렉션부(130)로부터 배기가스가 유입되도록 제 1 통공(142a)이 형성될 수 있다. 이때 제 1 통공(142a)은 다양한 형상으로 이루어질 수 있지만 바람직하게는 격벽(145)의 배열과 대응되도록 부채꼴 형상으로 이루어질 수 있다.Here, a first through hole 142a may be formed in the first horizontal plate 142 so that exhaust gas flows in from the first reflection part 130. At this time, the first through hole 142a may be formed in various shapes, but may be preferably formed in a fan shape to correspond to the arrangement of the partition walls 145.

제 1 및 제 2 수평판(142, 143) 사이에 위치하는 격벽(145)은 제 1 통공(142a)의 양측에 형성되는 한 쌍의 제 1 격벽(145-1)과, 한 쌍의 제 1 격벽(145-1)과 반대편에 형성되는 제 2 격벽(145-2)과, 다수개로 이루어져 제 1 격벽(145-1)과 제 2 격벽(145-2) 사이 양측에 형성되는 제 3 격벽(145-3)으로 구성될 수 있다.The partition wall 145 positioned between the first and second horizontal plates 142 and 143 includes a pair of first partition walls 145-1 formed on both sides of the first through hole 142a, and a pair of first The second partition wall 145-2 formed on the opposite side of the partition wall 145-1, and the third partition wall formed on both sides of the plurality of first partition walls 145-1 and the second partition wall 145-2 ( 145-3).

이러한 구성에 의해, 제 1 통공(142a)을 통해 유입된 배기가스는 한 쌍의 제 1 격벽(145-1)을 타고By such a configuration, the exhaust gas introduced through the first through hole 142a rides on the pair of first partition walls 145-1.

좌측과 우측으로 나뉘어져 이동하게 된다. 이때 좌측과 우측으로 이동된 배기가스는 각각 제 1 격벽(145-1)의 좌측과 우측에 위치한 다수의 제 2 격벽(145-2)에 의해 지그재그로 이동한 다음 한 쌍의 제 2 격벽(145-2) 사이로 수렴하게 된다. 여기서, 수렴된 배기가스는 제 2 수평판(143)에 위치한 제 2 통공(143a)을 통해 상측으로 이동하게 된다.It is divided into left and right to move. At this time, the exhaust gas moved to the left and right is moved in a zigzag manner by a plurality of second partition walls 145-2 located on the left and right sides of the first partition wall 145-1, and then a pair of second partition walls 145 -2) converge between. Here, the converged exhaust gas moves upward through the second through hole 143a located in the second horizontal plate 143.

제 2 플렉션부(140)의 구체적인 실시예로서, 제 1 격벽(145)의 내측 끝단은 중심축(141)과 접하고 외측 끝단은 상기 하우징(120)의 내주연과 이격되며, 제 2 격벽(145-2)의 내측 끝단은 중심축과 이격되고 외측 끝단은 상기 하우징(120)의 내주연과 접하도록 구성될 수 있다. As a specific embodiment of the second flexure portion 140, the inner end of the first partition wall 145 is in contact with the central axis 141 and the outer end is spaced apart from the inner periphery of the housing 120, and the second partition wall 145 The inner end of -2) is spaced apart from the central axis, and the outer end may be configured to contact the inner periphery of the housing 120.

또한 다수의 제 3 격벽(145-3)은 내측 끝단이 중심축과 접하고 외측 끝단이 상기 하우징(120)과 이격된 격벽(145-3)과, 내측 끝단이 중심축과 이격되고 외측 끝단이 상기 하우징(120)의 내주연과 접하는 격벽(145-3)이 차례대로 배열되도록 구성될 수 있다.In addition, the plurality of third partition walls 145-3 has an inner end contacting the central axis, an outer end partitioning the housing 120 from the partition wall 145-3, an inner end spaced apart from the central axis, and an outer end said The partition walls 145-3 contacting the inner periphery of the housing 120 may be configured in order.

한편, 제 2 플렉션부(140)는, 상술한 제 1 수평판(142) 및 제 2 수평판(143)에 의한 단일의 층으로 구성될 수 있지만 바람직하게는 별도의 수평판과 격벽을 추가하여 복층으로도 구성될 수 있다.On the other hand, the second flexure unit 140 may be composed of a single layer by the first horizontal plate 142 and the second horizontal plate 143 described above, but preferably by adding separate horizontal plates and partition walls It can also be composed of multiple layers.

이를 위해, 제 2 플렉션부(140)는, 제 2 수평판(143)의 상부에 나란하게 이격 배치되는 제 3 수평판(144)과, 제 2 수평판(143) 및 제 3 수평판(144) 사이에 중심축을 기준으로 방사상으로 형성되는 다수의 격벽(146)을 포함할 수 있다.To this end, the second flexure unit 140 includes a third horizontal plate 144 and a second horizontal plate 143 and a third horizontal plate 144 spaced apart from each other on top of the second horizontal plate 143. ) May include a plurality of partition walls 146 formed radially with respect to the central axis.

또한, 제 2 수평판(143)에는 제 1 및 제 2 수평판(142, 143) 사이에서 지그재그로 이동된 배기가스가 제 2 및 제 3 수평판(142, 143) 사이로 이동되도록 제 2 통공(143a)이 형성되고, 제 3 수평판(144)에는 상기 제 2 및 제 3 수평판(143, 144) 사이에서 지그재그로 이동된 배기가스가 필터링부(160)로 이동될 수 있도록 제 3 통공(144a)이 형성될 수 있다. 이때, 제 2 통공(143a)은 제 1 통공(142a)과 반대측에 위치되고 제 3 통공(144a)은 제 2 통공(143a)과 반대측에 위치될 수 있다. 참고로, 제 2 수평판(143)과 제 3 수평판(144) 사이에 위치되는 격벽(146)의 구성은 제 1 수평판(143)과 제 2 수평판(143) 사이에 위치되는 격벽(145)과 180 도 대칭 배열된 점을 제외하고 동일한 바 구체적 설명은 생략하기로 한다.In addition, the second horizontal plate 143 has a second through hole so that the exhaust gas moved zigzag between the first and second horizontal plates 142 and 143 is moved between the second and third horizontal plates 142 and 143. 143a) is formed, and the third horizontal plate 144 has a third through hole to allow the exhaust gas moved in a zigzag manner between the second and third horizontal plates 143 and 144 to be moved to the filtering unit 160 ( 144a) may be formed. At this time, the second through hole 143a may be located on the opposite side to the first through hole 142a, and the third through hole 144a may be located on the opposite side from the second through hole 143a. For reference, the configuration of the partition wall 146 positioned between the second horizontal plate 143 and the third horizontal plate 144 is a partition wall positioned between the first horizontal plate 143 and the second horizontal plate 143 ( 145) and 180 degrees of symmetrical arrangement, but the detailed description will be omitted.

본 실시예의 구성에 의하면, 제 1 플렉션부(130)으로부터 이동된 배기가스를 단일 또는 복층으로 구성된 제 2 플렉션부(140)에서 시계 또는 반시계 방향으로 회전하도록 하되, 다수의 격벽(145, 146)에 의해 지그재그로 이동하면서 다수의 격벽(145, 146)과의 접촉되도록 함으로써 제 1 플렉션부(130)에서 미쳐 제거 되지 못한 작은 입자의 파우더가 다수의 격벽(145, 146)에 부착 제거될 수 있다.According to the configuration of the present embodiment, the exhaust gas moved from the first flexure part 130 is rotated clockwise or counterclockwise in the second flexure part 140 composed of a single or multiple layers, but a plurality of partition walls 145 and 146 ) By moving in a zigzag manner to make contact with the plurality of partition walls 145 and 146, the powder of small particles that have not been removed from the first flexure unit 130 can be attached to and removed from the plurality of partition walls 145 and 146. have.

한편, 도 4 를 참조하면, 필터링부(160)는 필터 케이싱(162)과, 포집필터(164)를 포함할 수 있다. 필터 케이싱(162)은 플렉션부(140)의 상측에 위치하게 되는데 바람직하게는 중공의 원통형상으로 이루어지며 플렉션부(140)로부터 배기가스가 유입되도록 하면이 개방되도록 구성된다.Meanwhile, referring to FIG. 4, the filtering unit 160 may include a filter casing 162 and a collection filter 164. The filter casing 162 is located on the upper side of the reflection portion 140, and preferably is formed in a hollow cylindrical shape and is configured to open when the exhaust gas is introduced from the reflection portion 140.

또한 필터 케이싱(162)은 유출구가 형성된 하우징(120)의 상단캡(122)에 그 상단이 밀착 결합될 수 있는데, 바람직하게는 나사결합방식이나 끼움 결합방식에 의해 결합될 수 있다.In addition, the filter casing 162 may be closely coupled to the upper end of the top cap 122 of the housing 120 in which the outlet is formed, and may be preferably coupled by a screwing method or a fitting method.

포집필터(164)는 하면이 폐쇄된 중공의 원통 형상으로 이루어지고 필터 케이싱(162) 내부에 수직방향으로 설치될 수 있다. 그리고, 포집필터(164)와 필터 케이싱(162) 사이에 포집필터(164) 외측둘레를 따라 균일한 이격공간이 형성될 수 있도록, 그 중심축(161)은 필터 케이싱(162)의 중심축(161)과 일치하도록 설치되고 직경은 필터 케이싱(162)의 직경보다 작게 이루어질 수 있다.The collecting filter 164 may be formed in a hollow cylindrical shape with a closed bottom surface, and may be installed vertically inside the filter casing 162. In addition, the central axis 161 is the central axis of the filter casing 162 so that a uniform separation space can be formed along the outer circumference of the collection filter 164 between the collection filter 164 and the filter casing 162 ( 161) and the diameter may be smaller than the diameter of the filter casing 162.

포집필터(164)는 다양한 방식으로 제작할 수 있으나 바람직하게는 올레핀계 복합수지 또는 폴리아미드계 합성섬유를 적층시키거나 이들을 혼합 적층시켜 제작할 수 있다. 이때 성형방식으로는 바람직하게는 영융착 방식이 이용될 수 있다.The collection filter 164 may be manufactured in various ways, but may be preferably produced by laminating olefinic composite resins or polyamide-based synthetic fibers or by mixing and laminating them. At this time, as the forming method, a fusion method may be preferably used.

종래 트랩장치에 사용되는 일반적인 필터들은 아크릴섬유를 바인더로 성형 제작하였으나 이 경우 제작공정이 길어지고 비용이 상당한 문제점이 있었다. 본 실시예는 이러한 단점을 보완하기 위해 필터의 성분을 비교적 저렴한 폴리아미드계 복합수지 또는 폴리아미드계 합성섬유로 하고 이들을 열융착에 의해 적층 성형 제작하므로 제작비용이 저렴한 이점이 있다.Conventional filters used in the trap device are formed by molding acrylic fiber with a binder, but in this case, there is a problem in that the production process is long and the cost is considerable. In order to compensate for this disadvantage, the present embodiment has an advantage of low manufacturing cost because the components of the filter are made of a relatively inexpensive polyamide-based composite resin or a polyamide-based synthetic fiber and manufactured by lamination molding by heat fusion.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였지만, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the embodiments described in the specification and the configurations shown in the drawings are only the most preferred embodiments of the present invention and represent all technical spirits of the present invention. It should be understood that there may be various equivalents and modifications that can replace them at the time of application.

100: 파우더 트랩장치
120: 하우징
121: 유입구 122: 상단캡
123: 유출구
126: 휠
130: 제 1 플렉션부
132, 134, 136: 수직플레이트
140: 제 2 플렉션부
142, 143, 144: 제 1 내지 제 3 수평판
142a, 143a, 144a: 제 1 내지 제 3 통공
145, 146: 격벽
160: 필터링부
162: 필터 케이싱
164: 포집필터
s1~s3: 제 1 내지 제 3 슬릿
100: powder trap device
120: housing
121: inlet 122: top cap
123: outlet
126: wheel
130: first flexion unit
132, 134, 136: vertical plate
140: second flexion unit
142, 143, 144: first to third horizontal plates
142a, 143a, 144a: first through third through holes
145, 146: bulkhead
160: filtering unit
162: filter casing
164: collection filter
s1 to s3: first to third slits

Claims (8)

반도체 제조공정의 공정챔버와 연결된 진공펌프의 전단 또는 후단에 설치되어 상기 공정챔버에서 배출되는 배기가스로부터 파우더(Powder)를 제거하는 파우더 트랩장치장치로서,
중공의 원통형상으로 이루어지되 측면 하부에 유입구가 형성되고 상면에 유출구가 형성되는 하우징;
유입된 배기가스로부터 파우더의 큰 입자들이 제거되도록, 상기 하우징 내부에 상기 유입구의 방향과 대향 설치되는 다수의 수직플레이트로 구성된 제 1 플렉션부;
상기 제 1 플렉션부 상측에 위치되며, 상기 제 1 플렉션부를 거친 배기가스가 회전하면서 지그재그로 이동되도록 하여 파우더의 작은 입자들이 제거되도록 하는 제 2 플렉션부;
상기 제 1 및 제 2 플렉션부로부터 1 차적으로 정화된 배기가스로부터 잔여 파우더를 포집하는 필터링부;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치.
A powder trap device that is installed at the front end or the rear end of a vacuum pump connected to a process chamber in a semiconductor manufacturing process to remove powder from exhaust gas discharged from the process chamber,
A housing formed of a hollow cylindrical shape, but having an inlet opening at a lower side and an outlet opening at an upper surface;
A first flexure portion composed of a plurality of vertical plates installed opposite to the direction of the inlet port in the housing to remove large particles of powder from the inflow exhaust gas;
A second flexure portion located above the first flexure portion and allowing the exhaust gas passing through the first flexure portion to move in a zigzag manner while being rotated to remove small particles of the powder;
And a filtering unit for collecting residual powder from the exhaust gas primarily purified from the first and second flexure units, wherein the powder trap device is used in a semiconductor manufacturing process.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 플렉션부의 다수의 수직플렉이트는,
사각 평판으로 이루어지되 하단은 하우징의 하면과 접하고 상단은 상기 제 2 플렉션부 하단에 접하도록 이루어지며,
상기 유입구로부터 거리 d1 인 지점에 위치하되 양단과 상기 하우징과의 사이에 제 1 슬릿이 형성되는 제 1 수직플레이트와, 상기 d1 보다 원거리 지점인 상기 유입구로부터 거리 d2 지점에 위치하되 중심부에 제 2 슬릿이 형성되도록 서로 이격 설치되는 한 쌍의 제 2 수직플레이트와, 상기 d2 보다 원거리 지점인 상기 유입구로부터 거리 d3 지점에 위치하되 상기 하우징과의 사이에 제 3 슬릿이 형성되는 제 3 수직플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치.
According to claim 1,
The plurality of vertical flexures of the first flexure portion,
It is made of a square plate but the bottom is made to contact the bottom of the housing and the top is made to contact the bottom of the second flexure,
A first vertical plate positioned at a distance d1 from the inlet but having a first slit between both ends and the housing, and a second slit in the center located at a distance d2 from the inlet, which is a greater distance than d1. A pair of second vertical plates that are installed to be spaced apart from each other and a third vertical plate which is located at a distance d3 from the inlet, which is a remote point from the d2, but is formed with a third slit between the housing. Characterized in that, the powder trap device used in the semiconductor manufacturing process.
상기 제 2 플렉션부는,
원판체로 이루어져 상하 나란하게 이격 배치되는 제 1 및 제 2 수평판과, 상기 제 1 수평판과 제 2 수평판 사이에 중심축을 기준으로 방사상으로 형성되는 다수의 격벽을 포함하되,
상기 제 1 수평판에는 상기 제 1 플렉션부로부터 배기가스가 유입되도록 제 1 통공이 형성되고,
상기 격벽은 상기 제 1 통공의 양측에 형성되는 한 쌍의 제 1 격벽과, 상기 한 쌍의 제 1 격벽과 반대편에 형성되는 한 쌍의 제 2 격벽과, 다수개로 이루어져 상기 제 1 격벽과 제 2 격벽 사이에 형성되는 제 3 격벽으로 구성되는 것을 특징으로 하는, 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치.
The second flexure portion,
It comprises a first and second horizontal plates made of a disk body spaced vertically and horizontally, and a plurality of partition walls formed radially with respect to a central axis between the first horizontal plate and the second horizontal plate,
A first through hole is formed in the first horizontal plate so that exhaust gas flows in from the first reflection part,
The partition wall includes a pair of first partition walls formed on both sides of the first through hole, a pair of second partition walls formed opposite to the pair of first partition walls, and a plurality of first partition walls and the second partition walls. A powder trap device used in a semiconductor manufacturing process, characterized in that it comprises a third partition formed between partition walls.
제 3 항에 있어서,
제 1 격벽의 내측 끝단은 상기 중심축과 접하고 외측 끝단은 상기 하우징의 내주연과 이격되며, 상기 제 2 격벽의 내측 끝단은 상기 중심축과 이격되고 외측 끝단은 상기 하우징의 내주연과 접하며,
상기 다수의 제 3 격벽은 내측 끝단이 상기 중심축과 접하고 외측 끝단이 상기 하우징과 이격되는 격벽과, 내측 끝단이 상기 중심축과 이격되고 외측 끝단이 상기 하우징과 접하는 격벽이 차례대로 배열되어 구성되는 것을 특징으로 하는, 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치.
The method of claim 3,
The inner end of the first partition wall is in contact with the central axis, the outer end is spaced from the inner periphery of the housing, the inner end of the second partition wall is spaced from the central axis, and the outer end is in contact with the inner periphery of the housing,
In the plurality of third partition walls, a partition wall having an inner end contacting the central axis and an outer end spaced apart from the housing, and a partition wall having an inner end spaced apart from the center axis and an outer end contacting the housing, are configured in order. Characterized in that, the powder trap device used in the semiconductor manufacturing process.
제 3 항에 있어서,
상기 제 2 플렉션부는,
제 2 수평판의 상부에 나란하게 이격 배치되는 제 3 수평판과, 상기 제 2 수평판 및 상기 제 3 수평판 사이에 상기 중심축을 기준으로 방사상으로 형성되는 다수의 격벽을 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치.
The method of claim 3,
The second flexure portion,
It characterized in that it comprises a third horizontal plate spaced apart from the top of the second horizontal plate and a plurality of partition walls formed radially with respect to the central axis between the second horizontal plate and the third horizontal plate. , Powder trap device used in semiconductor manufacturing process.
제 5 항에 있어서,
상기 제 2 수평판에는,
상기 제 1 및 제 2 수평판 사이에서 지그재그로 이동된 배기가스가 제 2 및 제 3 수평판 사이로 이동되도록 제 2 통공이 형성되고,
상기 제 3 수평판에는, 상기 제 2 및 제 3 수평판 사이에서 지그재그로 이동된 배기가스가 상기 필터링부로 이동될 수 있도록 제 3 통공이 형성되는 것을 특징으로 하는, 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치.
The method of claim 5,
On the second horizontal plate,
A second through hole is formed so that the exhaust gas moved zigzag between the first and second horizontal plates is moved between the second and third horizontal plates,
A powder trap used in a semiconductor manufacturing process is characterized in that a third through hole is formed in the third horizontal plate so that exhaust gas moved zigzag between the second and third horizontal plates can be moved to the filtering unit. Device.
제 1 항에 있어서,
상기 필터링부는,
상기 플렉션부의 상측에 위치하고 상기 유출구와 연통되며 하면이 개방된 필터 케이싱과, 하면이 폐쇄된 중공의 원통 형상으로 이루어져 상기 필터 케이싱 내부에 수직방향으로 설치되는 포집필터를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치.
According to claim 1,
The filtering unit,
Characterized in that it comprises a filter casing which is located on the upper side of the flexion part and communicates with the outlet and has a lower surface with an open filter casing, and a lower surface with a closed hollow cylindrical shape and installed vertically inside the filter casing. Powder trap device used in semiconductor manufacturing process.
제 7 항에 있어서,
상기 포집필터는,
폴리아미드계 합성섬유가 열융착방식에 의해 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 하는, 반도체 제조공정에 사용되는 파우더 트랩장치.
The method of claim 7,
The collection filter,
A powder trap device used in a semiconductor manufacturing process, characterized in that the polyamide-based synthetic fibers are laminated by a heat fusion method.
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