KR20190128329A - Carrier for semiconductor package and preparing method thereof - Google Patents

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KR20190128329A
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Abstract

The present invention relates to a carrier for a semiconductor package, which is attached to one surface of a core substrate when packaging a semiconductor, increases thickness, and is possible to suppress generation of deflection. The carrier for a semiconductor package implements high heat-resistance and excellent adhesion and transfer properties, allows gas generated during a high temperature process to be easily discharged, and has a silicon adhesive layer with stability of the high temperature process.

Description

반도체 패키지용 캐리어 및 이의 제조방법{CARRIER FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE AND PREPARING METHOD THEREOF}Carrier for Semiconductor Package and Manufacturing Method Thereof {CARRIER FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE AND PREPARING METHOD THEREOF}

본 발명은 고내열성, 우수한 점착 특성과 전사특성을 나타내면서, 고온 공정 중에 발생되는 가스가 용이하게 배출되어 우수한 고온 공정 안정성을 갖는 실리콘 점착층을 구비하는 반도체 패키지용 캐리어에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a carrier for a semiconductor package having a silicon adhesive layer that exhibits high heat resistance, excellent adhesion characteristics, and transfer characteristics, and easily discharges gas generated during a high temperature process and has excellent high temperature process stability.

종래 반도체 패키징 공정은, 일반적으로 인쇄회로기판(PCB) 기재의 회로패턴 상에 칩을 배치한 후 EMC 몰딩(molding) 공정과 베이킹 공정 등의 후처리 공정을 거친다. BACKGROUND ART Conventionally, semiconductor packaging processes are generally disposed on a circuit pattern based on a printed circuit board (PCB) and then subjected to post-treatment processes such as an EMC molding process and a baking process.

그런데 인쇄회로기판 기재가 점점 박막화됨에 따라 패키징 공정 중에 휨(Warpage) 현상 및 이로 인한 최종제품의 불량 문제가 발생하게 된다. 이를 해결하고자, 패키징 공정중에 박막형 기재의 두께를 보강하고 원활한 공정을 진행할 수 있는 보강판과 점착층이 부착된 형태의 임시 캐리어(carrier)를 사용하는 방법이 등장하였다. 하지만 이러한 캐리어는 박막형 기재의 두께 보강효과를 도모할 수는 있으나, 패키징 공정 이후 박막형 기재로부터 캐리어를 탈착하는 공정 중에 잔사 및 오염발생 등이 초래된다. 또한 캐리어의 점착층 성분을 아크릴계 점착제로 사용할 경우, 낮은 열적 안정성으로 인해 220℃ 이상의 리플로우(reflow) 공정을 실시할 수 없게 된다. However, as printed circuit board substrates become thinner and thinner, warpage and packaging defects occur during the packaging process. In order to solve this problem, a method of using a temporary carrier in the form of a reinforcing plate and an adhesive layer that can reinforce the thickness of the thin film-based substrate and proceed a smooth process during the packaging process has emerged. However, such a carrier may achieve a thickness reinforcing effect of the thin film substrate, but residue and contamination may occur during the process of detaching the carrier from the thin film substrate after the packaging process. In addition, when the pressure-sensitive adhesive layer component of the carrier is used as an acrylic pressure-sensitive adhesive, the reflow process of 220 ° C. or higher cannot be performed due to low thermal stability.

따라서 220℃ 이상의 고내열성을 보유하면서, 우수한 점착 특성과 탈착 이후에 오염이 발생하지 않는 신규 캐리어의 개발이 요구되고 있다. Therefore, there is a demand for the development of a new carrier having high heat resistance of 220 ° C. or higher, and excellent adhesion characteristics and contamination after desorption.

본 발명자들은, 기재필름의 사용없이 점착 필름의 형성이 가능하고, 실리콘 성분에 기인한 고내열성, 고점착 특성 및 전사특성을 나타냄과 동시에, 탈착 이후 저분자 실리콘에 의한 오염이 발생하지 않는 조성을 갖는 실리콘 점착층을 구비하는 반도체 패키지용 캐리어를 개발하였다. The present inventors can form an adhesive film without using a base film, exhibit high heat resistance, high adhesion characteristics and transfer characteristics due to a silicone component, and have a composition that does not cause contamination by low molecular silicon after desorption. The carrier for semiconductor packages provided with the adhesion layer was developed.

한편 전술한 실리콘 점착층을 구비하는 반도체 패키지용 캐리어를 사용할 경우 고내열성과 우수한 점착 특성을 나타내는 반면, 리플로우(reflow) 등의 고온 공정 중에 발생되는 가스 및 휘발성 물질(VC)가 용이하게 배출되지 못하여 디라미네이션(delamination)과 같은 품질 저하가 초래되는 것을 최초로 인식하였다. On the other hand, when the carrier for a semiconductor package having the silicon adhesive layer described above exhibits high heat resistance and excellent adhesive properties, gas and volatile substances (VC) generated during a high temperature process such as reflow are not easily discharged. It was for the first time recognized that poor quality results such as delamination.

이에, 본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위해서 안출된 것으로서, 오염물질 발생 없이, 고온 공정 중에 발생되는 가스가 효과적으로 제거되어 고온 공정 안정성을 지속적으로 발휘할 수 있는 반도체 패키지용 캐리어를 제공하는 것을 목적으로 한다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a carrier for a semiconductor package that can be effectively removed to remove the gas generated during the high temperature process without contaminant generation, and to continuously exhibit high temperature process stability. do.

상기한 기술적 과제를 달성하고자, 본 발명은 금속적층판; 상기 금속적층판의 일면에 형성되고, 소정 간격으로 이격된 복수의 양각 또는 음각 점착패턴을 포함하는 실리콘 점착층; 및 상기 실리콘 점착층을 덮는 기재필름을 포함하는 패키지용 캐리어를 제공한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention is a metal laminated plate; A silicon adhesive layer formed on one surface of the metal laminate and including a plurality of embossed or intaglio adhesive patterns spaced at predetermined intervals; And it provides a carrier for a package comprising a base film covering the silicon adhesive layer.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 점착패턴은, 제1 방향을 따라서 형성되는 패턴 너비; 상기 제1 방향과 교차되는 제2 방향을 따라서 형성되는 패턴 길이; 및 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에 직교하며 상기 금속적층판에 수직한 방향을 따라서 형성되는 패턴 높이를 가지며, 복수의 점착패턴 간의 이격거리는, 상기 패턴 너비와 상기 패턴 길이 중 어느 하나와 같거나 작게 형성될 수 있다.According to the exemplary embodiment of the present invention, the adhesive pattern may include: a pattern width formed along a first direction; A pattern length formed along a second direction crossing the first direction; And a pattern height perpendicular to the first direction and the second direction and formed along a direction perpendicular to the metal laminate, wherein a separation distance between the plurality of adhesive patterns is equal to any one of the pattern width and the pattern length. It can be formed small.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 패턴 너비와 패턴 길이 중 어느 하나는, 50 내지 1000 ㎛의 크기를 가질 수 있다.According to one embodiment of the present invention, any one of the pattern width and the pattern length may have a size of 50 to 1000 ㎛.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 복수의 양각 또는 음각 점착패턴은 동일한 패턴 높이를 가지며, 상기 패턴 높이는 1 내지 50 ㎛일 수 있다. 본 발명에서 음각의 점착 패턴을 가질 경우 패턴 높이는 패턴 깊이로 대체될 수 있다.According to the exemplary embodiment of the present invention, the plurality of embossed or intaglio adhesive patterns have the same pattern height, and the pattern height may be 1 to 50 μm. In the present invention, the pattern height may be replaced by the pattern depth when the intaglio adhesion pattern is present.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 이격거리는 50 내지 1000 ㎛일 수 있다.According to one embodiment of the invention, the separation distance may be 50 to 1000 ㎛.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 점착패턴의 수평 단면 형상은 원형, 타원형, 스트라이프형, 마름모형 및 다각형 중 어느 하나일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the horizontal cross-sectional shape of the adhesive pattern may be any one of a circle, an oval, a stripe, a rhombus, and a polygon.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 복수의 양각 또는 음각 점착패턴의 면적의 합은, 상기 금속적층판 일면의 전체 면적을 기준으로 하여 50 내지 100%일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the sum of the areas of the plurality of embossed or intaglio adhesive patterns may be 50 to 100% based on the total area of one surface of the metal laminate.

본 발명의 일 구현예에 따르면, ASTM D3330에 의해서 측정된 기재필름 (예컨대, PET film)에 대한 실리콘 점착층의 점착력이 10~900 gf/inch일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the adhesive force of the silicone adhesive layer to the base film (eg, PET film) measured by ASTM D3330 may be 10 ~ 900 gf / inch.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 실리콘 점착층은, 열중량 분석(TGA)으로 측정된 3중량% 감소 열분해 온도가 330℃ 이상이며, 260℃에서의 중량 감소 비율이 0.5% 이하일 수 있다.According to the exemplary embodiment of the present invention, the silicon adhesive layer may have a 3% by weight reduction pyrolysis temperature measured by thermogravimetric analysis (TGA) of 330 ° C. or more and a weight reduction ratio of 260 ° C. of 0.5% or less.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 실리콘 점착층은, 200℃에서 5분간 노출 후 기체 크로마토그래피 질량 분광분석(GC/MS)으로 분석시, H2O 에 기인한 피크가 존재하고, 실리콘 유래 피크가 존재하지 않을 수 있다.According to the exemplary embodiment of the present invention, the silicon adhesive layer, after analysis at 200 ° C. for 5 minutes by gas chromatography mass spectrometry (GC / MS), has a peak due to H 2 O, and is derived from silicon. There may not be a peak.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 실리콘 점착층은, 수평균 분자량(Mn)이 100,000 내지 1,200,000인 실리콘 고분자 및 수평균 분자량(Mn)이 1,000~8,000인 저분자형 실록산계 점착부여제가 100~60 : 0~40 중량비로 포함된 실리콘 점착성 조성물의 경화물을 함유할 수 있다.According to the exemplary embodiment of the present invention, the silicon adhesive layer may include a silicone polymer having a number average molecular weight (Mn) of 100,000 to 1,200,000 and a low molecular siloxane tackifier having a number average molecular weight (Mn) of 1,000 to 8,000. : It can contain the hardened | cured material of the silicone adhesive composition contained in 0-40 weight ratio.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 실리콘 점착층은, 기재필름이 박리된 후 인쇄회로기판과 부착되어 220~260℃에서 리플로우(reflow) 공정을 거치고 인쇄회로기판과 탈착되되, 상기 탈착된 인쇄회로기판의 표면을 FT-IR 스펙트럼으로 분석시, 1265±15 cm-1 영역에서 관찰되는 Si-C 피크가 존재하지 않을 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the silicon adhesive layer is attached to the printed circuit board after the base film is peeled off and undergoes a reflow (reflow) process at 220 ~ 260 ℃ and detached from the printed circuit board, When the surface of the printed circuit board is analyzed by the FT-IR spectrum, there may be no Si-C peak observed in the 1265 ± 15 cm −1 region.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 인쇄회로기판은 두께가 100 ㎛ 이하인 박막형 인쇄회로기판일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the printed circuit board may be a thin film type printed circuit board having a thickness of 100 μm or less.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 기재 필름은 불소계 이형필름으로 이루어질 수 있다.According to one embodiment of the invention, the base film may be made of a fluorine-based release film.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 기재필름은 실리콘 점착층이 형성되기 이전에, 40~80℃에서 72~200시간 동안 에이징(aging) 처리된 것일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the base film may be an aging treatment for 72 to 200 hours at 40 ~ 80 ℃ before the silicon adhesive layer is formed.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 금속적층판은, 적어도 하나의 절연층;과 적어도 하나의 금속층이 적층된 단면형 또는 양면형 금속 적층판일 수 있다.According to the exemplary embodiment of the present invention, the metal laminate may include a single-sided or double-sided metal laminate in which at least one insulating layer and at least one metal layer are stacked.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 절연층은 폴리이미드 필름 또는 프리프레그(prepreg)이며, 상기 금속층은 구리(Cu), 철(Fe), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 은(Ag) 및 금(Au)으로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속 또는 이들의 합금(alloy)일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the insulating layer is a polyimide film or prepreg, and the metal layer is copper (Cu), iron (Fe), nickel (Ni), titanium (Ti), aluminum (Al). ), Silver (Ag) and gold (Au) may be at least one metal selected from the group consisting of or alloys thereof.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 금속층의 두께는 1 내지 15㎛ 이며, 상기 금속적층판의 두께는 25 내지 500 ㎛일 수 있다.According to one embodiment of the invention, the thickness of the metal layer is 1 to 15㎛, the thickness of the metal laminate may be 25 to 500㎛.

본 발명의 패키지용 캐리어는 260℃ 이상의 고내열성을 갖는 실리콘 점착층을 도입함에 따라, 리플로우(reflow) 공정 등의 패키징 공정 중에 점착력 저하가 없을 뿐만 아니라 기재필름을 제거한 이후 실리콘 점착층의 전사특성이 우수하여 공정 적용이 가능하다.As the carrier for a package of the present invention introduces a silicon adhesive layer having a high heat resistance of 260 ° C. or higher, there is no drop in adhesion during packaging processes such as a reflow process, and transfer characteristics of the silicon adhesive layer after removing the base film. It is excellent in process application.

또한 상기 패키지용 캐리어에 구비된 실리콘 점착층은, 일반 필름 형태가 아니라 상호 이격되도록 복수의 아일랜드(island) 형태로 형성되어 있으므로, 리플로우 등의 고온 공정 중에 발생되는 가스 및 휘발성 물질이 용이하게 배출되어 우수한 고온 공정 안정성을 지속적으로 나타낼 수 있다. In addition, since the silicon adhesive layer provided on the carrier for the package is formed in a plurality of islands so as to be spaced apart from each other rather than a general film, gas and volatile substances generated during a high temperature process such as reflow are easily discharged. Excellent high temperature process stability.

아울러, 상기 리플로우 공정 이후 점착물질의 잔사가 발생하지 않으므로, 실리콘 오염에 의한 문제점을 근본적으로 방지할 수 있으며, 이후 몰딩 등의 패키징 후공정에서 두께 단차 및 강성과 관련된 문제점을 개선하고, 인쇄회로기판(박막 PCB) 기재의 캐리어로서의 역할을 충실히 할 수 있다.In addition, since the residue of the adhesive material does not occur after the reflow process, it is possible to fundamentally prevent problems due to silicon contamination, and to improve the problems related to the thickness step and the rigidity in the post-packaging process such as molding, and to improve the printed circuit. The role as a carrier of a board | substrate (thin-film PCB) base material can be fulfilled.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 패키지용 캐리어의 단면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 패키지용 캐리어의 단면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3 내지 도 6은 본 발명에 따른 패키지용 캐리어의 실리콘 점착층을 구성하는 다양한 점착패턴 형태를 나타내는 평면 모식도이다.
도 7은 도 1의 패키지용 캐리어의 제조방법을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 8은 실시예 1의 패키지용 캐리어를 이용한 FT-IR 분석 그래프이다.
도 9는 실시예 1의 패키지용 캐리어를 이용한 GC/MS 분석 그래프이다.
도 10은 에이징 처리된 기재필름을 구비한 본 발명의 패키지용 캐리어의 FT-IR 분석 그래프이다.
도 11은 에이징 미처리된 기재필름을 구비한 본 발명의 패키지용 캐리어의 FT-IR 분석 그래프이다.
도 12는 에이징 처리 또는 미처리된 기재필름을 구비한 본 발명의 패키지용 캐리어의 전사 특성을 나타낸 사진이다.
도 13은 실시예 1의 패키지용 캐리어를 이용한 열중량분석(TGA) 그래프이다.
도 14는 상용화된 실리콘 점착필름 대조군을 이용한 열중량분석(TGA) 그래프이다.
도 15는 실시예 1의 패키지용 캐리어를 이용한 리플로우 공정 이전과 이후의 시차주사열량법(Differential Scanning Calorimetry, DSC) 결과 그래프이다.
도 16은 실리콘 점착 필름을 이용하여 리플로우 공정을 실시한 후의 SAT(Scanning Acoustic Tomography) 이미지이다.
도 17은 비교예 2의 패키지용 캐리어를 이용하여 리플로우 공정을 실시한 후의 SAT 이미지이다.
도 18은 실시예 1의 패키지용 캐리어를 이용한 리플로우 공정 이후 SAT(Scanning Acoustic Tomography) 이미지이다.
1 is a schematic cross-sectional view of a carrier for a package according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view of a carrier for a package according to another embodiment of the present invention.
3 to 6 are plan schematic diagrams illustrating various adhesive pattern forms constituting the silicone adhesive layer of the carrier for a package according to the present invention.
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view illustrating a method of manufacturing the carrier for a package of FIG. 1.
8 is a FT-IR analysis graph using a carrier for a package of Example 1. FIG.
9 is a graph of GC / MS analysis using a carrier for a package of Example 1. FIG.
10 is a graph of the FT-IR analysis of the carrier for a package of the present invention with an aging substrate film.
11 is an FT-IR analysis graph of a carrier for a package of the present invention with an aging untreated base film.
12 is a photograph showing the transfer characteristics of the carrier for a package of the present invention with an aging or untreated base film.
FIG. 13 is a thermogravimetric analysis (TGA) graph using a carrier for a package of Example 1. FIG.
14 is a thermogravimetric analysis (TGA) graph using a commercially available silicon adhesive film control.
FIG. 15 is a graph of differential scanning calorimetry (DSC) results before and after a reflow process using a carrier for a package of Example 1. FIG.
FIG. 16 is a scanning acoustic tomography (SAT) image after a reflow process using a silicon adhesive film. FIG.
17 is a SAT image after performing a reflow process using the carrier for a package of Comparative Example 2. FIG.
FIG. 18 is a scanning acoustic tomography (SAT) image after the reflow process using the carrier for a package of Example 1. FIG.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다. 그러나 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. In addition, the embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art.

<반도체 패키지용 캐리어><Carrier for semiconductor package>

본 발명은 적어도 일면에 실리콘 점착층이 형성되되, 상기 실리콘 점착층이 일반 필름형태가 아니라 상호 이격되도록 복수의 양각(엠보) 또는 음각 형태로 패턴화된 패키지용 캐리어를 제공한다. The present invention provides a carrier for a package in which a silicon adhesive layer is formed on at least one surface, and the silicon adhesive layers are patterned in a plurality of embossed or embossed shapes so as to be spaced apart from each other instead of a general film form.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 패키지용 캐리어의 단면 구조도이다. 1 is a cross-sectional structural view of a carrier for a package according to an embodiment of the present invention.

상기 도 1을 참조하여 설명하면, 본 발명의 패키지용 캐리어(100)는 금속적층판(110); 상기 금속적층판(110)의 일면에 형성되고, 소정 간격으로 이격된 복수의 점착패턴(121)을 포함하는 실리콘 점착층(120); 및 상기 실리콘 점착층(120)을 덮는 기재필름(130)을 포함한다. 여기서, 점착패턴(121)은 양각 또는 음각의 패턴일 수 있다. Referring to FIG. 1, the package carrier 100 of the present invention includes a metal laminated plate 110; A silicon adhesive layer 120 formed on one surface of the metal laminate 110 and including a plurality of adhesive patterns 121 spaced at predetermined intervals; And a base film 130 covering the silicon adhesive layer 120. Here, the adhesive pattern 121 may be an embossed or intaglio pattern.

금속적층판Metal laminate

본 발명에 따른 패키지용 캐리어(100)에 있어서, 금속적층판(110)은 반도체 패키징시 코어 기판의 일면에 부착되어 두께를 증대시키고 휘어짐(warpage) 발생을 억제시키는 보강재의 역할을 한다. In the carrier 100 for a package according to the present invention, the metal laminate 110 is attached to one surface of the core substrate during semiconductor packaging to increase the thickness and to act as a reinforcing material to suppress the occurrence of warpage (warpage).

금속적층판(110)은 하나 이상의 절연층과 하나 이상의 금속층이 적층된 당 분야의 통상적인 단면형 또는 양면형 금속 적층판을 제한 없이 사용할 수 있다. 일례로 동박적층판(CCL, copper clad laminate) 또는 연성 동박적층판(FCCL, flexible CCL)일 수 있다. 구체적으로, 상기 금속적층판(110)은 적어도 하나의 절연층을 중심으로 하고, 이의 일면 또는 양면상에 금속층이 배치된 구조일 수 있다. The metal laminate 110 may use any one-sided or double-sided metal laminate conventional in the art in which one or more insulating layers and one or more metal layers are stacked. For example, it may be a copper clad laminate (CCL) or a flexible copper clad laminate (FCCL). Specifically, the metal laminate 110 may have a structure in which a metal layer is disposed on at least one insulating layer and at least one surface thereof or at both surfaces thereof.

금속층은 당 업계에 공지된 금속 또는 합금을 사용할 수 있으며, 일례로 구리(Cu), 철(Fe), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 은(Ag) 및 금(Au)으로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속 또는 이들의 합금(alloy)일 수 있으며, 바람직하게는 동박일 수 있다. 이때, 사용 가능한 동박의 예로는, CFL (TZA_B, HFZ_B), Mitsui (HSVSP, MLS-G), Nikko (RTCHP), Furukawa, ILSIN 등을 들 수 있다. 또한 상기 동박은 압연법 또는 전해법으로 제조되는 모든 동박을 적용할 수 있다. 또한 상기 동박은 표면이 산화·부식되는 것을 방지하기 위해 녹방지 처리되어 있을 수 있다.The metal layer may use a metal or an alloy known in the art, for example, copper (Cu), iron (Fe), nickel (Ni), titanium (Ti), aluminum (Al), silver (Ag), and gold (Au). It may be one or more metals or alloys thereof selected from the group consisting of), preferably copper foil. At this time, examples of the copper foil which can be used include CFL (TZA_B, HFZ_B), Mitsui (HSVSP, MLS-G), Nikko (RTCHP), Furukawa, ILSIN and the like. Moreover, the said copper foil can apply all the copper foil manufactured by the rolling method or the electrolytic method. In addition, the copper foil may be rust-prevented to prevent the surface from being oxidized and corroded.

상기 금속층은 상기 절연층과 접하는 면에 표면 조도(Rz)가 형성되어 있을 수 있다. 이때, 표면 조도(Rz) 범위는 특별히 한정되지 않으나, 0.6 내지 3.0 ㎛일 수 있다. 이러한 금속층의 두께는 특별히 한정되지 않으나, 적층 시트의 두께와 기계적 특성을 고려할 때, 1 내지 15 ㎛일 수 있으며, 바람직하게는 2 내지 12 ㎛ 범위이다.Surface roughness Rz may be formed on a surface of the metal layer in contact with the insulating layer. At this time, the surface roughness (Rz) range is not particularly limited, but may be 0.6 to 3.0 ㎛. The thickness of the metal layer is not particularly limited, but in consideration of the thickness and mechanical properties of the laminated sheet, it may be 1 to 15 ㎛, preferably 2 to 12 ㎛ range.

절연층은 당 분야에 공지된 절연필름을 제한 없이 사용할 수 있으며, 일례로 폴리이미드 필름, 에폭시수지 필름, 프리프레그(PPG) 등이 있다.The insulating layer may use an insulating film known in the art without limitation, and examples thereof include a polyimide film, an epoxy resin film, and a prepreg (PPG).

본 발명에서, 금속적층판(110)의 두께는 특별히 제한되지 않으며, 일례로 25 내지 500 ㎛, 바람직하게는 50 내지 300 ㎛일 수 있다.In the present invention, the thickness of the metal laminate 110 is not particularly limited, and may be, for example, 25 to 500 μm, preferably 50 to 300 μm.

한편 본 발명에서는 하나 이상의 절연층과 하나 이상의 금속층을 포함하는 금속적층판(110)을 예시하였으나, 그 외 금속층만으로 이루어진 금속적층판을 사용하는 것도 본 발명의 범주에 속한다.Meanwhile, in the present invention, the metal laminated plate 110 including at least one insulating layer and at least one metal layer is illustrated, but it is also within the scope of the present invention to use a metal laminated plate made of only the metal layer.

실리콘 silicon 점착층Adhesive layer

본 발명에 따른 패키지용 캐리어(100)에 있어서, 실리콘 점착층(120)은 금속적층판(110)의 일면에 형성되며, 고내열성을 가지면서 우수한 점착특성과 전사특성을 발휘하는 역할을 한다. In the carrier carrier 100 for packaging according to the present invention, the silicon adhesive layer 120 is formed on one surface of the metal laminate 110 and has a high heat resistance and serves to exhibit excellent adhesion and transfer characteristics.

상기 패키지용 캐리어(100)는 실리콘 점착층(120)의 조성에 기인하여 우수한 점착 특성을 나타낸다. 일 구현예를 들면, ASTM D3330에 의해서 측정된 기재필름, 예컨대 PET film에 대한 실리콘 점착층의 점착력이 10~900 gf/inch, 바람직하게는 10~400 gf/inch 일 수 있다. 여기서, 상기 측정된 점착력은 실리콘 점착층의 두께가 5 내지 40 ㎛를 기준으로 한다.The package carrier 100 exhibits excellent adhesive properties due to the composition of the silicone adhesive layer 120. In one embodiment, the adhesion of the silicone adhesive layer to the base film, such as PET film, measured by ASTM D3330 may be 10 ~ 900 gf / inch, preferably 10 ~ 400 gf / inch. Here, the measured adhesive force is based on the thickness of the silicon adhesive layer of 5 to 40 ㎛.

또한 본 발명의 패키지용 캐리어(100)에 구비된 실리콘 점착층(120)은, 상호 이격되면서 규칙적으로 배열된 복수의 양각 또는 음각 점착패턴(121)을 포함한다. 이러한 점착패턴(121)들 사이에는 실리콘 점착층이 미형성된 영역들이 존재하는데, 이러한 빈 공간을 통해 고온 공정 중에 발생되는 가스 및 휘발성 물질이 이동하여 외부로 제거될 수 있다. 이에 따라, 오염물질이나 디라미네이션(delamination) 발생 없이, 리플로우(reflow) 공정 등의 고온 공정 안정성을 발휘할 수 있다. In addition, the silicon adhesive layer 120 provided in the carrier 100 for a package of the present invention includes a plurality of embossed or intaglio adhesive patterns 121 regularly arranged while being spaced apart from each other. There are regions in which the silicon adhesive layer is not formed between the adhesive patterns 121. Gases and volatiles generated during a high temperature process may move and be removed to the outside through the empty space. Thereby, high temperature process stability, such as a reflow process, can be exhibited, without generation | occurrence | production of a contaminant and delamination.

실리콘 점착층(120)의 각 점착패턴(121)은, 제1 방향을 따라서 형성되는 패턴 너비; 상기 제1 방향과 교차되는 제2 방향을 따라서 형성되는 패턴 길이; 및 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에 직교하며 상기 금속적층판에 수직한 방향을 따라서 형성되는 패턴 높이를 갖는다. 일 구현예를 들면, 상기 점착패턴(121)의 패턴 너비와 패턴 길이 중 어느 하나는, 50 내지 1000 ㎛의 크기를 가질 수 있다. 바람직하게는 200 내지 700 ㎛일 수 있다.Each adhesive pattern 121 of the silicon adhesive layer 120 may include a pattern width formed along a first direction; A pattern length formed along a second direction crossing the first direction; And a pattern height formed in a direction perpendicular to the first direction and the second direction and perpendicular to the metal laminate. For example, one of the pattern width and the pattern length of the adhesive pattern 121 may have a size of 50 to 1000 μm. Preferably from 200 to 700 μm.

복수의 양각 또는 음각 점착패턴(121)은 실질적으로 동일한 패턴 높이를 갖는다. 이러한 패턴 높이는 특별히 제한되지 않으며, 일례로 1 내지 50 ㎛일 수 있으며, 구체적으로 5 내지 20 ㎛일 수 있다. 이때 점착패턴이 음각의 패턴일 경우, 전술한 패턴 높이는 패턴 깊이로 대체될 수 있다.The plurality of embossed or intaglio adhesive patterns 121 have substantially the same pattern height. The height of the pattern is not particularly limited, and may be, for example, 1 to 50 μm, and specifically 5 to 20 μm. In this case, when the adhesive pattern is an intaglio pattern, the above-described pattern height may be replaced by the pattern depth.

또한 복수의 점착패턴(121) 중 어느 하나의 점착패턴과, 이에 인접하는 다른 점착패턴 사이에는 소정의 이격 거리가 형성된다. 일 구현예를 들면, 상기 이격거리는 상기 패턴 너비와 패턴 길이 중 어느 하나와 같거나 이보다 작게 형성될 수 있다. 구체적으로, 이격거리는 50 내지 1,000 ㎛일 수 있으며, 바람직하게는 50 내지 700 ㎛일 수 있다.In addition, a predetermined separation distance is formed between any one of the plurality of adhesive patterns 121 and another adhesive pattern adjacent thereto. In one embodiment, the separation distance may be formed equal to or smaller than any one of the pattern width and the pattern length. Specifically, the separation distance may be 50 to 1,000 ㎛, preferably 50 to 700 ㎛.

실리콘 점착층(120)은 수평 단면 형상을 볼 때, 복수의 양각 또는 음각 점착패턴(121)과, 상기 패턴이 미형성된 평탄화 영역이 서로 교번하여 이루어진 규칙적인 패턴을 갖는다. 상기 양각 또는 음각 점착패턴(121)의 수평 단면 형상은 특별히 제한되지 않으며, 일례로 원형, 타원형, 스트라이프형, 마름모형 또는 삼각형 이상의 다각형일 수 있다. 그 외, 다양한 패턴 형상을 적용할 수 있다.The silicon adhesive layer 120 has a regular pattern in which a plurality of embossed or intaglio adhesive patterns 121 and a planarization region in which the pattern is not formed alternate with each other when viewing a horizontal cross-sectional shape. The horizontal cross-sectional shape of the embossed or intaglio adhesive pattern 121 is not particularly limited, and may be, for example, a circle, an ellipse, a stripe, a rhombus, or a polygon of triangle or more. In addition, various pattern shapes can be applied.

본 발명에서는 실리콘 점착층의 점착 특성과 고온 공정 안정성을 고려하여 점착패턴(121)의 전체 면적이나 개수를 조절하여 형성할 수 있다. 일 구현예를 들면, 상기 복수의 양각 또는 음각 점착패턴(121)의 면적의 합은, 상기 금속적층판(110) 일면의 전체 면적을 기준으로 하여 50 내지 100%일 수 있으며, 바람직하게는 50 내지 90%일 수 있다.In the present invention, in consideration of the adhesive properties of the silicon adhesive layer and high temperature process stability can be formed by adjusting the total area or number of the adhesive pattern 121. For example, the sum of the areas of the plurality of embossed or intaglio adhesive patterns 121 may be 50 to 100% based on the total area of one surface of the metal laminate 110, and preferably 50 to 100. 90%.

한편 종래 아크릴계 조성물을 이용한 점착필름은, 내열성에 한계가 있어 리플로우 공정(260℃, 1-3분) 등과 같이 고온 제조공정에 적용하기가 어려웠다. 이에 비해, 본 발명에서는 260℃ 이상의 고온 내열특성을 갖는 실리콘 점착층을 사용하므로, 점착성 저하 없이 리플로우 공정에 적용 가능하다.On the other hand, the conventional adhesive film using the acrylic composition has a limit in heat resistance, it was difficult to apply to high temperature manufacturing process, such as reflow process (260 ℃, 1-3 minutes). In contrast, in the present invention, since the silicon adhesive layer having a high temperature and heat resistance of 260 ° C. or more is used, the present invention can be applied to a reflow process without deterioration of adhesiveness.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 실리콘 점착층(120)은 리플로우 공정 온도(220~260℃)에서 중량감소가 거의 발생하지 않으며 열중량 분석(TGA)으로 측정된 3중량% 감소 열분해 온도가 330℃ 이상, 바람직하게는 330~370℃일 수 있다. 또한 리플로우 공정이 이루어지는 260℃에서의 중량 감소 비율은 0.5% 이하일 수 있으며, 구체적으로 0.1 내지 0.5%일 수 있다. 열분해온도 400℃ 부근에서의 중량감소 비율이 12% 이하일 수 있으며, 바람직하게는 11 중량% 이하일 수 있다.According to the exemplary embodiment of the present invention, the silicon adhesive layer 120 has almost no weight loss at the reflow process temperature (220 to 260 ° C.), and a 3 wt% reduction pyrolysis temperature measured by thermogravimetric analysis (TGA). Is 330 ° C. or higher, preferably 330 ° C.-370 ° C. In addition, the weight loss ratio at 260 ° C. at which the reflow process is performed may be 0.5% or less, and specifically 0.1 to 0.5%. The weight loss ratio near the pyrolysis temperature of 400 ° C. may be 12% or less, and preferably 11% or less.

실리콘 점착층(120)은 실리콘 고분자 및 저분자형 실록산계 점착부여제(tackifier)가 포함된 실리콘 점착 조성물을 경화시켜 형성된 것일 수 있다. The silicone adhesive layer 120 may include a silicone adhesive composition including a silicone polymer and a low molecular siloxane tackifier. It may be formed by curing .

상기 실리콘 고분자는 당 분야에 알려진 통상적인 고분자량 실리콘 함유 수지를 사용할 수 있다. 일례로, 수평균 분자량(Mn)이 100,000 내지 1,200,000인 오르가노폴리실록산 수지를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 수평균 분자량(Mn)이 400,000 내지 800,000인 오르가노폴리실록산 수지이다. 상기 실리콘 고분자의 수평균 분자량(Mn)이 100,000 미만인 경우 점착 특성이 저하될 수 있으며, 설령 점착 특성이 부여되더라도 안정적인 점착력을 나타낼 수 없고, 탈착 이후 저분자량 실리콘 물질(Si 부산물)에 의한 잔사나 오염이 발생하게 된다.The silicone polymer may be a conventional high molecular weight silicone-containing resin known in the art. As an example, an organopolysiloxane resin having a number average molecular weight (Mn) of 100,000 to 1,200,000 can be used, and preferably an organopolysiloxane resin having a number average molecular weight (Mn) of 400,000 to 800,000. When the number average molecular weight (Mn) of the silicone polymer is less than 100,000, the adhesive property may be deteriorated, and even if the adhesive property is given, it may not exhibit stable adhesive force, and residue or contamination by a low molecular weight silicon material (Si by-product) after desorption is achieved. This will occur.

구체적으로, 상기 실리콘 고분자는 하기 화학식 1로 표시될 수 있다.Specifically, the silicon polymer may be represented by the following formula (1).

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 1에서,In Chemical Formula 1,

R은 동일하거나 또는 상이하며, 각각 독립적으로 히드록시기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 알케닐기 및 탄소수 6 내지 18의 아릴기로 구성된 군에서 선택되며,R is the same or different and is each independently selected from the group consisting of a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms and an aryl group having 6 to 18 carbon atoms,

n은 100 내지 10,000이다.n is from 100 to 10,000.

또한 상기 저분자형 실록산계 점착부여제는 당 분야에 공지된 실리콘 함유 tackifier 레진을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 수평균 분자량(Mn)이 1,000 내지 8,000인 저분자량 MQ 수지이다.In addition, the low molecular siloxane tackifier may use a silicon-containing tackifier resin known in the art, preferably a low molecular weight MQ resin having a number average molecular weight (Mn) of 1,000 to 8,000.

구체적으로, 상기 저분자형 MQ 수지는 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.Specifically, the low molecular weight MQ resin may be represented by the following formula (2).

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 화학식 2에서, In Chemical Formula 2,

R은 서로 동일하거나 또는 상이하며, 각각 독립적으로 수소 원자, 1가 탄화수소, 1가 할로겐화 탄화수소 및 알케닐기로 구성된 군에서 선택될 수 있으며,R is the same as or different from each other, and each independently may be selected from the group consisting of a hydrogen atom, a monovalent hydrocarbon, a monovalent halogenated hydrocarbon and an alkenyl group,

w 및 z > 0 이고, x 및 y ≥ 0 이며, w + x + y + z = 1 이고, 0 ≤ {(x + y)/2} ≤ 0.4 이다.w and z> 0, x and y ≧ 0, w + x + y + z = 1, and 0 ≦ {(x + y) / 2} ≦ 0.4.

본 발명에서, 상기 실리콘 고분자 및 저분자형 실록산계 점착부여제(tackifier 레진)의 혼합비는 특별히 제한되지 않으며, 일례로 100~60 : 0~40 중량비로 포함될 수 있다. 필요에 따라, 상기 실리콘 점착 조성물은 당 분야에 공지된 가교제 및/또는 백금촉매를 더 포함할 수 있다. 이때 가교제 및/또는 백금촉매의 사용량은 특별히 제한되지 않으며, 당 분야에 공지된 함량 범위 내에서 적절히 조절할 수 있다.In the present invention, the mixing ratio of the silicone polymer and the low molecular siloxane tackifier (tackifier resin) is not particularly limited, for example 100 to 60: 0 to 40 may be included in the weight ratio. If necessary, the silicone adhesive composition may further include a crosslinking agent and / or a platinum catalyst known in the art. In this case, the amount of the crosslinking agent and / or the platinum catalyst is not particularly limited and may be appropriately controlled within a content range known in the art.

본 발명의 패키지용 캐리어(100)는, 기재필름(130)-실리콘 점착층(120)-금속적층판(110)이 순차적으로 적층되어 있는 구조이다. 상기 패키지용 캐리어(100)에서 기재필름(130)을 박리하면 실리콘 점착층이 금속적층판(110) 일면 상에 전사되는데 이러한 형태가 도 2에 도시된 패키지용 캐리어(101)의 구조이다. 이와 같이 기재필름(130)이 박리된 패키지용 캐리어(101)는, 실리콘 점착층(120)이 형성된 면을 다른 기재(예, 박막 PCB)의 일면 상에 부착시킴으로써 패키지용 캐리어로 사용할 수 있다. 이때 기재필름(130)을 제거한 후의 전사특성이 우수하다.The carrier 100 for a package of the present invention has a structure in which a base film 130, a silicon adhesive layer 120, and a metal laminate 110 are sequentially stacked. When the base film 130 is peeled off from the carrier 100 for the package, the silicon adhesive layer is transferred onto one surface of the metal laminated plate 110, which is a structure of the carrier 101 for the package shown in FIG. 2. Thus, the package carrier 101 from which the base film 130 was peeled off can be used as a package carrier by attaching the surface on which the silicon adhesive layer 120 is formed on one surface of another substrate (eg, a thin film PCB). At this time, the transfer characteristics after removing the base film 130 is excellent.

또한 실리콘 점착층(120)과 점착되는 다른 기재(예, 박막 PCB)는, 필요에 따라 리플로우(reflow) 등의 고온공정을 실시하거나, 또는 상기 리플로우 공정 이후 몰딩 등의 패키징 후속공정을 순차적으로 수행하고, 이어서 상기 기재로부터 실리콘 점착층(120)과 금속적층판(110)을 탈착하게 된다. 이때, 탈착된 기재 표면(예, 박막 PCB)에 실리콘 점착층의 잔사가 존재하지 않으므로, 실리콘 사용에 따른 오염이 발생하지 않게 된다. 또한 고온공정에 의해 발생되는 가스가 외부로 쉽게 제거 가능하므로 공정 안정성을 발휘할 수 있으며, 몰딩 등의 후속공정에서 두께 단차 발생을 억제할 수 있다. 아울러, 패키징 공정 중 박막형 기판의 두께 보강재로서의 역할을 충실히 수행하여 공정 중에 발생되는 휘어짐(warpage) 문제를 방지할 수 있으며, 패키징 공정 이후 용이하게 탈착될 수 있다.In addition, other substrates (eg, thin-film PCBs) adhered to the silicon adhesive layer 120 may be subjected to a high temperature process such as reflow if necessary, or to a subsequent packaging process such as molding after the reflow process. The silicon adhesive layer 120 and the metal laminate 110 are then detached from the substrate. At this time, since the residue of the silicon adhesive layer does not exist on the surface of the desorbed substrate (eg, thin film PCB), contamination due to the use of silicon does not occur. In addition, since the gas generated by the high temperature process can be easily removed to the outside, process stability can be exhibited, and generation of thickness steps can be suppressed in subsequent processes such as molding. In addition, by fulfilling a role as a thickness reinforcing material of the thin-film substrate during the packaging process, it is possible to prevent a warpage problem generated during the process, it can be easily removable after the packaging process.

전술한 고온 제조공정이 실시된 이후, 실리콘 점착층(120)의 잔류 존재 여부는 다양한 분석법에 의해 측정될 수 있다. 일례로, FT-IR, EDS, GC/MS 등을 들 수 있다. After the high temperature manufacturing process described above is performed, the presence or absence of the residual silicon adhesive layer 120 may be measured by various analytical methods. As an example, FT-IR, EDS, GC / MS, etc. can be mentioned.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 실리콘 점착층(120)은, 기재필름을 박리한 후 인쇄회로기판 기재의 일면 상에 부착되어 220~260℃에서 리플로우(reflow) 공정을 거치고 탈착되되, 상기 탈착된 인쇄회로기판 기재의 표면을 FT-IR 스펙트럼으로 분석시, 1265±15 cm-1 영역에서 관찰되는 Si-C 피크가 존재하지 않게 된다.According to one embodiment of the present invention, the silicon adhesive layer 120, after peeling off the base film is attached to one surface of the printed circuit board substrate is subjected to a reflow (reflow) process at 220 ~ 260 ℃ desorption, When the surface of the detached printed circuit board substrate is analyzed by the FT-IR spectrum, there is no Si-C peak observed in the 1265 ± 15 cm −1 region.

여기서, 상기 인쇄회로기판은 두께가 100 ㎛ 이하인 박막형 인쇄회로기판일 수 있으며, 구체적으로 10 내지 100 ㎛ 범위인 스트립(Strip) 형태의 인쇄회로기판일 수 있다.The printed circuit board may be a thin film printed circuit board having a thickness of 100 μm or less, and specifically, may be a printed circuit board having a strip shape having a range of 10 to 100 μm.

본 발명의 다른 일 구현예에 따르면, 상기 실리콘 점착층(120)은, 200℃에서 5분간 노출 후 기체 크로마토그래피 질량 분광분석(GC/MS)으로 분석시, H2O에 기인한 피크가 존재하고, 실리콘 유래 피크가 존재하지 않게 된다(하기 도 9 참조).According to another embodiment of the present invention, the silicon adhesive layer 120, when analyzed by gas chromatography mass spectrometry (GC / MS) after exposure for 5 minutes at 200 ℃, there is a peak due to H 2 O Then, the peak derived from silicon does not exist (refer FIG. 9).

또한 본 발명의 다른 일 구현예에 따르면, 상기 탈착된 기재 표면을 에너지 분산형 X선 분광기(EDS, Energy Dispersive X-ray Spectroscopy)로 분석시, 실리콘(Si) 원소의 함량이 미검출된다.In addition, according to another embodiment of the present invention, when the surface of the detached substrate is analyzed by Energy Dispersive X-ray Spectroscopy (EDS), the content of silicon (Si) element is not detected.

기재필름Base Film

본 발명에 따른 패키지용 캐리어(100)에 있어서, 기재필름(130)은 실리콘 점착층(120)을 형성하기 위한 코팅 기재로 사용되면서, 실리콘 점착층(120)을 지지하고 보호하는 역할을 한다. In the carrier 100 for a package according to the present invention, the base film 130 serves to support and protect the silicon adhesive layer 120 while being used as a coating substrate for forming the silicon adhesive layer 120.

기재필름(130)은 특별히 제한되지 않으며, 당 분야에서 통상적으로 알려진 보호필름 등의 플라스틱 필름을 제한 없이 사용할 수 있다. 사용 가능한 기재필름의 비제한적인 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스터 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 셀로판, 다이아세틸셀룰로스 필름, 트라이아세틸셀룰로스 필름, 아세틸셀룰로스부틸레이트 필름, 폴리염화비닐 필름, 폴리염화비닐리덴 필름, 폴리비닐알코올 필름, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름, 폴리스타이렌 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리설폰 필름, 폴리에터에터케톤 필름, 폴리에터설폰 필름, 폴리에터이미드 필름, 폴리이미드(PI) 필름, 불소수지 필름, 폴리아마이드 필름, 아크릴수지 필름, 노보넨계 수지 필름, 사이클로올레핀 수지 필름 등이 있다. 구체적인 예로는, 폴리이미드(PI) 필름, PET (polyethylene terephthalate) 필름, PEN (polyethylene naphthalate) 필름, 보호 필름, 캐리어 필름 및 불소계 이형처리(Fluorine release film)된 필름으로 구성된 군에서 선택될 수 있다. 바람직하게는 PET 필름을 이용한 불소계 이형필름일 수 있으며, 구체적으로 백금 촉매가 자체 포함된 불소실리콘 이형제, 불소형 경화제와 점착성 첨가제가 혼합된 불소 이형제로 이루어진 것이 바람직하다.The base film 130 is not particularly limited, and a plastic film such as a protective film commonly known in the art may be used without limitation. Non-limiting examples of the base film that can be used include polyester films such as polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene film, polypropylene film, cellophane, diacetylcellulose film , Triacetyl cellulose film, acetyl cellulose butyrate film, polyvinyl chloride film, polyvinylidene chloride film, polyvinyl alcohol film, ethylene-vinyl acetate copolymer film, polystyrene film, polycarbonate film, polymethylpentene film, polysulfone Film, polyether ether ketone film, polyether sulfone film, polyetherimide film, polyimide (PI) film, fluororesin film, polyamide film, acrylic resin film, norbornene-based resin film, cycloolefin resin film Etc. Specific examples may be selected from the group consisting of a polyimide (PI) film, a polyethylene terephthalate (PET) film, a polyethylene naphthalate (PEN) film, a protective film, a carrier film, and a fluorine release film. Preferably, the film may be a fluorine-based release film using a PET film, and specifically, a fluorine-based release agent containing a platinum catalyst, a fluorine-type curing agent, and an adhesive additive is preferably made of a fluorine-based release agent.

본 발명에서, 기재필름(130)은 실리콘 점착층(120)이 형성되기 이전에, 이미 에이징(aging) 처리된 것일 수 있다. 특히, 에이징 처리된 기재필름을 실리콘 점착층(120)의 코팅 기재로 사용하는 것이 바람직하다. 이와 같이 에이징 처리된 기재필름을 사용할 경우, 그 위에 형성되는 실리콘 점착층과의 화학결합이 유의적으로 감소되어 전사특성이 보다 상승할 수 있다. 상기 에이징 처리 조건은 특별히 제한되지 않으며, 일례로 40~80℃에서 72~200시간 동안 에이징(aging)할 수 있다. In the present invention, the base film 130 may be one that has already been aged before the silicon adhesive layer 120 is formed. In particular, it is preferable to use the aged base film as a coating base material of the silicon adhesive layer 120. In the case of using the aging-treated base film as described above, the chemical bond with the silicon adhesive layer formed thereon may be significantly reduced, and thus the transfer characteristics may be further increased. The aging treatment conditions are not particularly limited, and may be aged at 40 to 80 ° C. for 72 to 200 hours, for example.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 에이징 처리된 기재필름(130)은, FT-IR 스펙트럼으로 분석시, 800-950 cm-1 영역에서 관찰되는 Si-H 피크의 상대 강도가 하기 수학식 1의 관계를 만족하는 것일 수 있다.According to one embodiment, the aging treatment of the base film 130, FT-IR analysis When the spectrum, to the relative intensities of the Si-H peak is observed in the 800-950 cm -1 region formula (1) It may be to satisfy the relationship.

[수학식 1][Equation 1]

IA/IN ≤ 0.5I A / I N ≤ 0.5

상기 식에서, IA는 에이징 처리된 기재필름 상에 형성된 실리콘 점착층의 800-950 cm-1 피크의 강도를 나타내며, IN는 에이징 미처리된 기재필름 상에 형성된 실리콘 점착층의 800-950 cm-1 피크의 강도를 나타낸다.In the above formula, I A represents the intensity of the 800-950 cm -1 peak of the silicon adhesive layer formed on the aging base film, I N is 800-950 cm - of the silicon adhesive layer formed on the aging untreated base film The intensity of one peak is shown.

상기 기재필름(130)의 두께는 특별히 제한되지 않으며, 일례로 각각 10 내지 100 ㎛, 바람직하게는 25 내지 75 ㎛일 수 있다.The thickness of the base film 130 is not particularly limited, and may be, for example, 10 to 100 μm, preferably 25 to 75 μm.

한편 본 발명에서는 금속적층판을 구체적으로 예시하였으나, 상기 금속적층판 이외에, 당 분야에 알려진 고내열성 기판, 예컨대 260℃ 이상의 내열성을 갖는 고내열성 수지나 엔지니어링 플라스틱으로 구성된 기판을 사용하는 것도 본 발명의 범주에 속한다.Meanwhile, the present invention specifically illustrates a metal laminate, but in addition to the metal laminate, it is also within the scope of the present invention to use a high heat resistant substrate known in the art, for example, a substrate made of high heat resistant resin or engineering plastic having heat resistance of 260 ° C. or higher. Belong.

<패키지용 캐리어의 제조방법><Production method of carrier for package>

본 발명의 패키지용 캐리어는, 크게 하기 2가지 방법으로 제조될 수 있다. 그러나 하기 방법에 의해서만 한정되는 것은 아니며, 다양하게 변형 가능하다.The carrier for a package of the present invention can be produced by the following two methods. However, the present invention is not limited only to the following methods and can be variously modified.

상기 제조방법의 첫번째 실시형태는 음각 또는 양각의 패턴을 갖는 기재필름을 사용하는 것이다. 제1실시형태에 따른 패키지용 캐리어를 제조하는 일 구현예를 들면, (i) 일면에 복수의 음각 또는 양각 패턴을 갖는 기재필름을 준비하는 단계; (ii) 상기 기재필름의 음각 또는 양각 패턴 상에 실리콘 점착 조성물을 도포 및 건조하는 단계; 및 (iii) 상기 상기 기재필름의 일면 상에 금속적층판을 적층하여 합지하는 단계를 포함하여 구성될 수 있다. The first embodiment of the manufacturing method is to use a base film having a negative or embossed pattern. In one embodiment of manufacturing a carrier for a package according to the first embodiment, for example, (i) preparing a base film having a plurality of intaglio or embossed patterns on one surface; (ii) applying and drying the silicone adhesive composition on the intaglio or embossed pattern of the base film; And (iii) laminating and laminating a metal laminate on one surface of the base film.

도 7은 일 실시예에 따른 패키지용 캐리어의 제조방법을 개략적으로 도시한 단면도들이다. 이하, 도 7을 참고하여 각 제조공정을 상세히 설명한다.7 is a cross-sectional view schematically illustrating a method of manufacturing a carrier for a package according to an embodiment. Hereinafter, each manufacturing process will be described in detail with reference to FIG. 7.

먼저 도 7(a)에 도시된 바와 같이, 일면에 복수의 음각 패턴이 형성된 기재필름(310)을 실리콘 점착 조성물의 코팅 기재로 준비한다.First, as shown in FIG. 7A, a base film 310 having a plurality of intaglio patterns formed on one surface thereof is prepared as a coating base material of a silicone adhesive composition.

상기 기재필름(310)은 당 분야에 공지된 플라스틱 필름 등을 제한 없이 사용할 수 있으며, 바람직하게는 에이징 처리된 불소계 이형필름을 사용하는 것이다. 또한 기재필름(310) 내에 형성된 복수의 음각 또는 양각 패턴(311)의 형상, 개수, 크기 등은 특별히 한정되지 않으며, 실리콘 점착층의 점착특성과 고온 공정 안정성을 고려하여 적절히 조절할 수 있다.The base film 310 can be used without limitation, such as a plastic film known in the art, preferably to use an aging fluorine-based release film. In addition, the shape, number, size, etc. of the plurality of intaglio or embossed patterns 311 formed in the base film 310 are not particularly limited, and may be appropriately adjusted in consideration of adhesion characteristics and high temperature process stability of the silicon adhesive layer.

이어서, 도 7(b)에 도시된 바와 같이 기재필름(310)의 일면, 구체적으로 음각 패턴(311)이 형성된 일면 상에 실리콘 점착 조성물(320)을 코팅 및 경화시켜 실리콘 점착층을 형성한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 7B, a silicon adhesive layer is formed by coating and curing the silicon adhesive composition 320 on one surface of the base film 310, specifically, on one surface on which the intaglio pattern 311 is formed.

이때 실리콘 점착 조성물(320)을 기재필름(310) 상에 도포하는 방법으로는, 당 분야의 통상적인 도포 방법, 일례로 딥 코트법, 에어나이프 코트법, 커튼 코트법, 와이어 바 코트법, 그라비아 코트법, 콤마 코트법, 슬롯 코트법, 익스트루전 코트법, 스핀 코트 방법, 슬릿 스캔법, 잉크젯법 등을 들 수 있다.At this time, as the method for applying the silicone adhesive composition 320 on the base film 310, a conventional coating method in the art, for example, dip coating method, air knife coating method, curtain coating method, wire bar coating method, gravure The coating method, the comma coating method, the slot coating method, the extrusion coating method, the spin coating method, the slit scanning method, the inkjet method, etc. are mentioned.

건조와 경화공정은 당 분야에 알려진 통상적인 조건 내에서 적절히 실시할 수 있다. 일례로, 경화는 100 내지 250℃에서 1 내지 10분 동안 수행될 수 있다. 상기와 같이 형성된 실리콘 점착층은, 완전 경화된 상태로서 경화도가 90-100% 상태를 의미한다.Drying and curing processes may be appropriately carried out within conventional conditions known in the art. In one example, curing may be performed at 100 to 250 ° C. for 1 to 10 minutes. The silicone pressure-sensitive adhesive layer formed as described above is in a state of being completely cured and means a degree of curing of 90-100%.

필요에 따라, 도 7(c)에 도시된 바와 같이 실리콘 점착층(320) 상에 보호필름을 배치할 수 있다.If necessary, as shown in FIG. 7C, a protective film may be disposed on the silicon adhesive layer 320.

이후 도 7(d)에 도시된 바와 같이, 실리콘 점착층(320)이 형성된 기재필름(310)의 일면 상에 금속적층판(340)을 적층하고 합지한다. 이러한 합지 단계의 조건은 특별히 제한되지 않으며, 당 분야에 공지된 범위 내에서 적절히 조절할 수 있다.Thereafter, as shown in FIG. 7 (d), the metal laminate plate 340 is laminated and laminated on one surface of the base film 310 on which the silicon adhesive layer 320 is formed. The conditions of this lamination step are not particularly limited and may be appropriately adjusted within the range known in the art.

이어서, 상기 합지된 적층체에서 금속적층판(340)이 아래에 위치하도록 한 후, 상부에 위치하는 기재필름(310)을 제거하면 도 7(e)에 도시된 바와 같은 패키지용 캐리어의 제조가 완료된다.Subsequently, after the metal laminate plate 340 is positioned below the laminated laminate, the substrate film 310 positioned on the upper portion is removed, thereby completing the manufacture of a carrier for a package as shown in FIG. do.

한편 본 발명에서는 도 7을 예시로 하여 음각 패턴이 형성된 기재필름을 사용하여 패키지용 캐리어를 제조하는 것을 구체적으로 설명하였으나, 그 외 양각 패턴을 갖는 기재필름을 사용하는 것도 본 발명의 범주에 속한다.Meanwhile, in the present invention, the manufacturing of a carrier for a package using a base film having an intaglio pattern is described in detail with reference to FIG. 7, but the use of a base film having an embossed pattern is also within the scope of the present invention.

본 발명에 따른 패키지용 캐리어를 제조하는 두번째 실시형태는 소정의 규칙적인 양각 점착패턴을 형성할 수 있는 코팅법을 적용하는 것이다.A second embodiment of manufacturing a carrier for a package according to the present invention is to apply a coating method capable of forming a predetermined regular relief embossed adhesive pattern.

상기 제2실시형태에 따른 패키지용 캐리어를 제조하는 일 구현예를 들면, (i) 기재필름의 제1면 상에 실리콘 점착 조성물을 코팅하되, 소정의 간격으로 이격된 복수의 양각 점착패턴을 형성하고 경화하여 실리콘 점착층을 형성하는 단계; 및 (ii) 상기 기재필름의 실리콘 점착층과 금속적층판의 제1면이 접하도록 배치한 후 라미네이션 하는 단계를 포함하여 구성될 수 있다.In one embodiment of manufacturing a carrier for a package according to the second embodiment, (i) coating a silicone adhesive composition on the first surface of the base film, but forming a plurality of embossed adhesive patterns spaced at predetermined intervals And curing to form a silicon adhesive layer; And (ii) arranging the silicon adhesive layer of the base film and the first surface of the metal laminated plate to be in contact with each other.

여기서, 실리콘 점착 조성물의 코팅 기재로 사용되는 기재필름은 에이징 처리된 것을 사용하는 것이 바람직하다. Here, it is preferable that the base film used as the coating base material of a silicone adhesive composition uses what was aged.

본 발명에서, 실리콘 점착 조성물을 기재필름 상에 패턴화하여 도포하는 방법은 특별히 제한되지 않으며, 당 분야에 알려진 통상의 방법을 사용할 수 있다. 일례로 그라비아 오프셋, 마스크(Mask) 공정, 레이저 가공, 금형타발, 잉크젯(Inkjet)을 사용하거나 또는 리소그래피법 등을 사용할 수 있다.In the present invention, a method of patterning and applying the silicone adhesive composition onto the base film is not particularly limited, and conventional methods known in the art may be used. For example, a gravure offset, a mask process, a laser processing, a mold punching, an inkjet, or a lithography method may be used.

이후 건조와 경화공정은 당 분야에 알려진 통상적인 조건 내에서 적절히 실시할 수 있다. 일례로, 경화는 100 내지 250℃에서 1 내지 10분 동안 수행될 수 있다. 상기와 같이 형성된 실리콘 점착층은, 완전 경화된 상태로서 경화도가 90-100% 상태를 의미한다The drying and curing process may then be appropriately carried out within conventional conditions known in the art. In one example, curing may be performed at 100 to 250 ° C. for 1 to 10 minutes. The silicone pressure-sensitive adhesive layer formed as described above is in a state of being completely cured and refers to a state of curing of 90-100%.

또한 상기 라미네이션 단계는, 당 분야에 알려진 통상적인 범위 내에서 적절히 실시할 수 있으며, 20 내지 150℃의 온도 조건 하에서 수행될 수 있다. 일례로, 전술한 온도 조건의 가열 롤(heated roll)을 구비하는 라미네이션 공정을 통해 제조될 수 있다.In addition, the lamination step may be appropriately carried out within the conventional range known in the art, it may be carried out under a temperature condition of 20 to 150 ℃. For example, it may be manufactured through a lamination process having a heated roll of the aforementioned temperature conditions.

전술한 바와 같이 제조되는 패키지용 캐리어는, 고내열성 및 우수한 전사특성이 요구되는 다양한 분야에 적용 가능하다. 일례로, 반도체 패키징에서 두께가 얇은 인쇄회로기판 기재를 보강하기 위해 사용되는 반도체 패키징 제조용 내열성 캐리어 및 그 캐리어를 사용하는 반도체 패키징 제조방법에 적용될 수 있다. The carrier for a package manufactured as described above is applicable to various fields requiring high heat resistance and excellent transfer characteristics. For example, the present invention may be applied to a heat-resistant carrier for manufacturing a semiconductor packaging used to reinforce a thin printed circuit board substrate in a semiconductor packaging, and a method for manufacturing a semiconductor packaging using the carrier.

이하 본 발명을 실시예를 통하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the following Examples. However, the following examples are merely to illustrate the invention, the present invention is not limited by the following examples.

[[ 참조예Reference Example 1. 실리콘 (비)점착 조성물 선정] 1. Selection of silicone (non) adhesive composition]

본원 실시예 및 비교예에서 사용되는 실리콘 (비)점착 조성물 1 내지 7의 구체적인 조성은 하기 표 1과 같다. 여기서, 실리콘 점착 조성물 6의 조액 B를 제외한 실리콘 점착 조성물은 수평균 분자량(Mn)이 10만 이상인 실리콘 고분자 또는 상기 실리콘 고분자와 수평균 분자량(Mn)이 1,000 ~ 8,000인 저분자형 실록산계 점착부여제를 포함하는 조성을 갖는다.Specific compositions of the silicone (non) adhesive compositions 1 to 7 used in the Examples and Comparative Examples of the present application are shown in Table 1 below. Here, the silicone pressure-sensitive adhesive composition except for the crude liquid B of the silicone pressure-sensitive adhesive composition 6 is a silicone polymer having a number average molecular weight (Mn) of 100,000 or more, or a low molecular siloxane tackifier having the silicone polymer and the number average molecular weight (Mn) of 1,000 to 8,000. It has a composition comprising a.

또한 상기 실리콘 (비)점착 조성물 1 내지 7을 이용하여 형성된 실리콘 점착층의 두께에 따른 점착력 특성은 하기 표 2와 같다.In addition, the adhesive properties according to the thickness of the silicone adhesive layer formed using the silicone (non) adhesive compositions 1 to 7 are shown in Table 2 below.

조액 A
(wt%)
Amount A
(wt%)
조액 B
(wt%)
Crude amount B
(wt%)
상세 구성Detailed composition
실리콘 점착 조성물 1Silicone Adhesive Composition 1 8080 2020 조액A: 7657(다우코닝社),
조액B: 7654(다우코닝社)
Amount A: 7657 (Dow Corning)
Amount B: 7654 (Dow Corning)
실리콘 점착 조성물 2Silicone Adhesive Composition 2 100100 -- 조액A: 7657(다우코닝社)Amount A: 7657 (Dow Corning) 실리콘 점착 조성물 3Silicone Adhesive Composition 3 100100 -- 조액A: 7652(다우코닝社)Amount A: 7652 (Dow Corning) 실리콘 점착 조성물 4Silicone Adhesive Composition 4 100100 -- 조액A: SG6500A(KCC社) Amount A: SG6500A (KCC) 실리콘 점착 조성물 5Silicone Adhesive Composition 5 8080 2020 조액A: 7652(다우코닝社),조액B: 7651(다우코닝社) Amount A: 7652 (Dow Corning), Amount B: 7651 (Dow Corning) 실리콘 점착 조성물 6Silicone Adhesive Composition 6 6060 4040 조액A: 4580(다우코닝社), 조액B: 7646(다우코닝社, 실리콘 고분자의 Mn: 10만 미만)Crude A: 4580 (Dow Corning), Crude B: 7646 (Dow Corning, Mn of silicone polymer: less than 100,000) 실리콘 비점착 조성물 7Silicone Non-Adhesive Composition 7 100100 -- 조액A: SC3300L(KCC社)Amount A: SC3300L (KCC)

실리콘 (비)점착층 두께 (㎛)Silicone (Non) Adhesive Layer Thickness (㎛) 실리콘 (비)점착 조성물의 점착력 (gf/inch)Adhesive force of silicone (non) adhesive composition (gf / inch) 1One 22 33 44 55 66 77 55 3030 200200 5050 250250 1010 2020 00 1010 4040 300300 8080 340340 2020 3030 00 2020 7575 650650 120120 700700 4040 5050 00 3030 9090 730730 160160 800800 5555 6060 00 4040 120120 820820 200200 900900 7575 9090 00

[[ 실시예Example 1~5. 패키지용  1-5. For package 캐리어carrier 제조 (1)] Manufacturing (1)]

일면에 복수의 원형 음각패턴(패턴지름: 500 ㎛, 패턴간 이격거리: 250 ㎛)이 형성된 기재필름(Fluorine release film, 두께: 50 ㎛)의 일면 상에 실리콘 점착 조성물 1을 코팅하여 경화한 후, 상기 기재필름의 실리콘 점착성 조성물 1이 형성된 코팅층과 금속적층판 (PKG core with 12㎛ Cu foil)이 서로 접하도록 배치한 후, 라미네이터를 이용하여 100℃에서 접합시켜 실시예 1의 패키지용 캐리어를 제조하였다.After curing by coating the silicone adhesive composition 1 on one surface of a base film (Fluorine release film, thickness: 50 ㎛) formed with a plurality of circular intaglio patterns (pattern diameter: 500 ㎛, distance between patterns: 250 ㎛) on one side After the coating layer and the metal laminated plate (PKG core with 12㎛ Cu foil) on which the silicone adhesive composition 1 of the base film was formed were disposed to be in contact with each other, the carrier for the package of Example 1 was prepared by bonding at 100 ° C. using a laminator. It was.

또한 실리콘 점착 조성물 1 대신 하기 표 3에 기재한 실리콘 점착 조성물의 조성을 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일하게 필름 형태의 실리콘 점착층을 형성하여 실시예 2 내지 5의 패키지용 캐리어 (1)를 각각 제조하였다.In addition, except that the composition of the silicone pressure-sensitive adhesive composition shown in Table 3 instead of the silicone pressure-sensitive adhesive composition 1 was formed, the silicone pressure-sensitive adhesive layer in the form of a film was formed in the same manner as in Example 1 to package carriers of Examples 2 to 5 (1 ) Were prepared respectively.

실리콘 (비)점착층Silicone (Non) Adhesive Layer 필름 형태Film form 실시예 1Example 1 실리콘 점착 조성물 1Silicone Adhesive Composition 1 복수의 원형 음각 패턴 형성Forming a plurality of circular intaglio patterns 실시예 2Example 2 실리콘 점착 조성물 2Silicone Adhesive Composition 2 복수의 원형 음각 패턴 형성Forming a plurality of circular intaglio patterns 실시예 3Example 3 실리콘 점착 조성물 3Silicone Adhesive Composition 3 복수의 원형 음각 패턴 형성Forming a plurality of circular intaglio patterns 실시예 4Example 4 실리콘 점착 조성물 4Silicone Adhesive Composition 4 복수의 원형 음각 패턴 형성Forming a plurality of circular intaglio patterns 실시예 5Example 5 실리콘 점착 조성물 5Silicone Adhesive Composition 5 복수의 원형 음각 패턴 형성Forming a plurality of circular intaglio patterns 비교예 1Comparative Example 1 실리콘 점착 조성물 6Silicone Adhesive Composition 6 일반 시트형General sheet type 비교예 2Comparative Example 2 실리콘 점착 조성물 1Silicone Adhesive Composition 1 일반 시트형General sheet type

[[ 비교예Comparative example 1. 패키지용  1. Package 캐리어carrier 제조] Produce]

복수의 음각 패턴이 형성된 기재필름 대신 일반 시트형 기재 필름(Fluorine release film)을 사용하고, 실리콘 점착 조성물 1 대신 실리콘 점착 조성물 6을 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일하게 필름 형태의 실리콘 점착층을 형성하여 비교예 1의 캐리어를 제조하였다. Silicon adhesive in the form of a film in the same manner as in Example 1 except for using a general sheet-type base film (Fluorine release film) instead of a base film having a plurality of intaglio patterns, and a silicone adhesive composition 6 instead of the silicone adhesive composition 1 The carrier was prepared in Comparative Example 1 by forming a layer.

[[ 비교예Comparative example 2. 패키지용  2. Package 캐리어carrier 제조] Produce]

복수의 음각 패턴이 형성된 기재필름 대신 일반 시트형 기재필름(Fluorine release film)을 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일하게 필름 형태의 실리콘 점착층을 형성하여 비교예 2의 캐리어를 제조하였다.A carrier of Comparative Example 2 was prepared by forming a silicon adhesive layer in the same manner as in Example 1 except that a general sheet-type base film (Fluorine release film) was used instead of a base film having a plurality of intaglio patterns.

[[ 실험예Experimental Example 1. 실리콘  1.silicone 저분자Low molecular weight 오염 확인 평가 (1)] Pollution Check Assessment (1)]

패키지용 캐리어의 저분자형 실리콘의 오염도를 확인하기 위해서 FT-IR 분석을 실시하였다.In order to confirm the contamination degree of the low molecular weight silicon of the carrier for a package, FT-IR analysis was performed.

구체적으로, 실시예 1의 패키지용 캐리어에서 기재필름(불소계 이형필름)을 제거한 후 인쇄회로기판을 적층하여 260℃에서 리플로우(reflow) 공정을 적용하였으며, 이후 상기 인쇄회로기판을 탈착하여 FT-IR 분석을 통해 인쇄회로기판 표면에 있는 관능기를 확인하였다.Specifically, the substrate film (fluorine-based release film) was removed from the package carrier of Example 1, the printed circuit boards were laminated, and a reflow process was applied at 260 ° C. Then, the FT- was removed by removing the printed circuit board. IR analysis confirmed the functional groups on the surface of the printed circuit board.

실험 결과, 실시예 1에서 제조된 패키지용 캐리어의 FT-IR 에서는 1250-1280 cm-1에서 관찰되는 Si-C 피크가 확인되었으나, 상기 Reflow 공정을 적용한 인쇄회로기판에서는 Si-C 피크가 존재하지 않는 것으로 확인되었다(도 8 참조).As a result, the Si-C peak observed at 1250-1280 cm -1 was observed in the FT-IR of the package carrier prepared in Example 1, but the Si-C peak was not present in the printed circuit board to which the reflow process was applied. Not found (see FIG. 8).

[[ 실험예Experimental Example 2. 실리콘  2. silicone 저분자Low molecular weight 오염 확인 평가 (2)] Contamination Identification Assessment (2)]

패키지용 캐리어의 저분자형 실리콘의 오염도를 확인하기 위해서 GC/MS 분석을 실시하였다.GC / MS analysis was conducted to confirm the degree of contamination of the low molecular silicon of the carrier for the package.

구체적으로, 실시예 1의 패키지용 캐리어에서 기재필름을 제거하고 260℃에서 5분 동안 노출시킨 후, 발생하는 가스 성분(outgassing)을 확인하였다.Specifically, the base film was removed from the package carrier of Example 1 and exposed at 260 ° C. for 5 minutes, and then outgassing was confirmed.

실험 결과, 실시예 1의 실리콘 점착층에서는 1.65분 정도에 수분에 기인한 가스가 발생하였을 뿐, 그 외 실록산 등의 저분자 물질이 발생하지 않았음을 알 수 있었다. 이에 따라 잔류 및 outgassing에 의한 실리콘 오염이 전혀 발생하지 않는다는 확인할 수 있었다(도 9 참조).As a result of the experiment, it was found that in the silicon adhesive layer of Example 1, only gas generated due to moisture was generated in about 1.65 minutes, and other low-molecular substances such as siloxane did not occur. Accordingly, it could be confirmed that no silicon contamination caused by residual and outgassing occurred (see FIG. 9).

[[ 실험예Experimental Example 3.  3. 에이징Aging 처리에 따른 전사특성 평가] Evaluation of Transcription Characteristics by Processing]

실리콘 점착층의 코팅 기재로 사용되는 불소계 이형필름(기재필름)의 에이징(againg) 처리에 따른 전사특성을 하기와 같이 평가하였다.The transfer characteristics of the aging treatment of the fluorine-based release film (substrate film) used as the coating substrate of the silicone adhesive layer were evaluated as follows.

구체적으로, 불소계 이형필름(Fluorine release film)을 60℃에서 7일 동안 에이징 처리를 실시한 후, 해당 이형필름의 일면 상에 실리콘 점착층을 형성하였다. 또한 실리콘 점착층이 에이징 미처리된 이형필름의 일면 상에 형성된 것을 대조군으로 사용하였다. 전술한 2개의 패키지용 캐리어로부터 불소계 이형필름을 각각 탈착한 후, 불소계 이형필름에 존재하는 미반응 Si-H 관능기를 측정하고자 FT-IR 분석을 실시하였다.Specifically, the fluorine-based release film (Fluorine release film) after the aging treatment for 7 days at 60 ℃, to form a silicone adhesive layer on one surface of the release film. In addition, a silicone adhesive layer formed on one surface of the aging untreated release film was used as a control. After desorbing the fluorine-based release film from each of the two package carriers described above, FT-IR analysis was performed to measure the unreacted Si-H functional groups present in the fluorine-based release film.

실험 결과, 에이징 처리가 미실시된 대조군의 경우 950-980 cm-1에서 Si-H 관능기의 강도가 높게 나타는 반면(도 11 참조), 에이징 처리가 실시된 실시예에서는 950-980 cm-1에서 미반응 Si-H 관능기의 강도가 현저히 낮아졌음을 알 수 있었다(도 10 참조).Experimental results showed that the strength of the Si-H functional group was high at 950-980 cm −1 in the control group without aging treatment (see FIG. 11), while in the embodiment in which the aging treatment was performed at 950-980 cm −1 . It was found that the strength of the unreacted Si-H functional group was significantly lowered (see FIG. 10).

또한 에이징 처리된 이형필름을 사용하는 경우, Cu 기재상에 실리콘 점착층의 전사가 깨끗하게 이루어진 반면, 에이징 미처리된 이형필름을 사용하는 경우 실리콘 점착층의 전사 특성이 저하되는 것을 알 수 있었다(도 12 참조).In addition, in the case of using the aging release film, the transfer of the silicone adhesive layer on the Cu substrate was made clean, while using the aging untreated release film was found that the transfer characteristics of the silicone adhesive layer is reduced (Fig. 12). Reference).

이에 따라, 본 발명에서 에이징 공정을 추가 실시할 경우 불소계 이형필름과 실리콘 점착층 간의 결합력이 낮아져 실리콘 점착층의 전사특성이 개선될 수 있음을 확인할 수 있었다. Accordingly, in the present invention, when the aging process is further performed, the bonding strength between the fluorine-based release film and the silicon adhesive layer is lowered, thereby confirming that the transfer characteristics of the silicon adhesive layer may be improved.

[[ 실험예Experimental Example 4. 실리콘  4.silicone 점착층의Adhesive layer 고내열High heat resistance 특성 평가- Characteristic evaluation 열중량분석Thermogravimetric analysis ]]

실리콘 점착층의 고내열 특성을 평가하고자, 하기와 같이 열중량 분석(TGA, Thermogravimetric analyzer)을 실시하였다.In order to evaluate the high heat resistance characteristics of the silicon adhesive layer, a thermogravimetric analyzer (TGA) was performed as follows.

샘플로서 실시예 1의 패키지용 캐리어를 사용하였고, 대조군으로 상용화된 실리콘 점착필름을 사용하였다. 실시예 1의 샘플은 제조과정에서 상용화된 실리콘 점착필름 대비 가교밀도를 크게 개선시킨 샘플로서, 고내열 안정성이 기존 실리콘 점착필름 보다 크게 향상될 것으로 예상되었다.As a sample, a carrier for a package of Example 1 was used, and a commercially available silicone adhesive film was used as a control. The sample of Example 1 is a sample that greatly improved the crosslinking density compared to the commercially available silicone adhesive film, it was expected that the high heat resistance stability is significantly improved than the conventional silicone adhesive film.

구체적으로, 상기 제품들을 이용하여 10℃/분의 속도로 온도를 상승시키면서 3중량% 감소 온도를 측정하였으며, 또한 400℃에서 열분해되는 중량을 각각 측정하였다. Specifically, the 3 wt% reduction temperature was measured while raising the temperature at a rate of 10 ° C./min using the above products, and the weight of pyrolyzed at 400 ° C. was respectively measured.

실험 결과, 대조군의 경우 대략 260℃부터 중량감소가 발생하기 시작하며, 3중량% 감소 온도가 303℃이었다(도 14 참조). 이에 비해, 실시예 1에서는 300℃ 이하에서 중량감소가 거의 발생하지 않으며 3중량% 감소 온도가 366℃이었다(도 13 참조). 이에 따라, 본 발명의 실리콘 점착층은 고내열 특성을 보유하고 있음을 알 수 있었다. As a result, in the control group, weight loss began to occur from approximately 260 ° C., and the 3% by weight reduction temperature was 303 ° C. (see FIG. 14). In comparison, in Example 1, weight loss hardly occurred at 300 ° C. or lower, and the 3% by weight reduction temperature was 366 ° C. (see FIG. 13). Accordingly, it was found that the silicone pressure-sensitive adhesive layer of the present invention has high heat resistance characteristics.

[[ 실험예Experimental Example 5. 실리콘  5. Silicone 점착층의Adhesive layer 고내열High heat resistance 특성 평가-시차주사열량분석] Characteristic Evaluation-Differential Scanning Calorimetry]

시차주사열량분석(DSC, Differential Scanning Calorimetry)법을 실시하여 실리콘 점착층의 고내열 특성을 평가하였다.Differential Scanning Calorimetry (DSC) was performed to evaluate the high heat resistance characteristics of the silicon adhesive layer.

구체적으로, 상기 패키지용 캐리어의 기재필름에서 해당 실리콘 점착층을 분리하여 리플로우 공정을 5회 정도 반복 실시하였으며, 이후 실리콘 점착층에 대한 DSC 분석을 평가하였다.Specifically, the silicon adhesive layer was separated from the base film of the carrier for the package, and the reflow process was repeated about five times. Then, the DSC analysis of the silicon adhesive layer was evaluated.

도 15(A)는 리플로우 공정 이전의 실시예 1의 패키지용 캐리어를 이용한 DSC 결과 그래프이고, 도 15(B)는 260℃에서 리플로우 공정을 5회 실시한 후 실시예 1의 패키지용 캐리어를 이용한 DSC 결과 그래프이다.15 (A) is a graph of the DSC results using the package carrier of Example 1 before the reflow process, and FIG. 15 (B) shows the package carrier of Example 1 after five reflow processes at 260 ° C. DSC results graph used.

실험 결과, 본 발명의 실리콘 점착층은 고온의 리플로우 공정에 적용하더라도 우수한 열안정성을 갖는다는 것을 확인할 수 있었다. As a result of the experiment, it was confirmed that the silicone adhesive layer of the present invention had excellent thermal stability even when applied to a high temperature reflow process.

[[ 실험예Experimental Example 6.  6. 디라미네이션Delamination (( DelaminationDelamination ) 특성 평가]Evaluation of properties]

본 발명에 따른 패키지용 캐리어를 이용하여 디라미네이션 특성을 확인하였다.Delamination characteristics were confirmed using a carrier for a package according to the present invention.

구체적으로, 상기 패키지용 캐리어에서 기재필름을 제거한 후, 해당 실리콘 점착층에 인쇄회로기판을 부착시키고 리플로우 공정을 5회 정도 반복 실시하였으며, 이후 디라미네이션 발생 여부를 SAT(Scanning Acoustic Tomography) 측정으로 평가하였다. 이때 대조군으로서 상용화된 실리콘 점착필름 및 비교예 2의 패키지용 캐리어를 각각 사용하였다.Specifically, after removing the base film from the carrier for the package, the printed circuit board was attached to the silicon adhesive layer and the reflow process was repeated about 5 times, after which the delamination occurred by SAT (Scanning Acoustic Tomography) measurement. Evaluated. At this time, a commercially available silicone adhesive film and a carrier for a package of Comparative Example 2 were used.

도 16과 도 17은 각각 필름형태의 실리콘 점착층을 구비하는 상용화된 실리콘 점착 필름과 비교예 2의 패키지용 캐리어를 이용하여 리플로우(reflow) 공정을 실시한 후의 SAT 이미지이다. 이들은 모두 리플로우 공정 이후 디라미네이션이 발생하는 것을 확인할 수 있었다. 이는 고온 공정에 의해 발생되는 가스 및 휘발성 물질로 인해 디라미네이션이 초래되는 것으로 판단된다.FIG. 16 and FIG. 17 are SAT images after performing a reflow process using a commercially available silicone pressure-sensitive adhesive film each having a film-type silicone pressure-sensitive adhesive layer and a carrier for a package of Comparative Example 2. FIG. They all confirmed that delamination occurred after the reflow process. It is believed that the delamination is caused by the gas and volatile substances generated by the high temperature process.

이에 비해, 본 발명의 패키지용 캐리어는 리플로우 등 다른 공정을 적용하더라도, 디라미네이션 발생 없이 안정적인 점착 특성을 지속적으로 발휘하는 것을 확인할 수 있었다(도 18 참조).On the other hand, the carrier for a package of the present invention was confirmed to continue to exhibit a stable adhesion characteristics without generating a delamination, even if other processes such as reflow (see Fig. 18).

100, 101: 패키지용 캐리어
110, 340: 금속적층판
120, 320: 실리콘 점착층
121: 양각 점착패턴
130, 310: 기재필름
311: 음각 점착패턴
320: 실리콘 점착층 조성물
330: 보호필름
100, 101: carrier for package
110, 340: metal laminate
120, 320: silicon adhesive layer
121: embossed adhesive pattern
130, 310: base film
311: engraved adhesive pattern
320: silicone adhesive layer composition
330: protective film

Claims (18)

금속적층판;
상기 금속적층판의 일면에 형성되고, 소정 간격으로 이격된 복수의 양각 또는 음각 점착패턴을 포함하는 실리콘 점착층; 및
상기 실리콘 점착층을 덮는 기재필름;
을 포함하는 패키지용 캐리어.
Metal laminate;
A silicon adhesive layer formed on one surface of the metal laminate and including a plurality of embossed or intaglio adhesive patterns spaced at predetermined intervals; And
A base film covering the silicon adhesive layer;
Carrier for a package comprising a.
제1항에 있어서,
상기 복수의 양각 또는 음각 점착패턴은,
제1 방향을 따라서 형성되는 패턴 너비;
상기 제1 방향과 교차되는 제2 방향을 따라서 형성되는 패턴 길이; 및
상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에 직교하며 상기 금속적층판에 수직한 방향을 따라서 형성되는 패턴 높이를 가지며,
복수의 점착패턴 간의 이격거리는, 상기 패턴 너비와 상기 패턴 길이 중 어느 하나와 같거나 작게 형성되는 패키지용 캐리어.
The method of claim 1,
The plurality of embossed or engraved adhesive patterns,
A pattern width formed along the first direction;
A pattern length formed along a second direction crossing the first direction; And
It has a pattern height formed in a direction perpendicular to the first direction and the second direction and perpendicular to the metal laminate,
The separation distance between the plurality of adhesive patterns, the package carrier is formed equal to or smaller than any one of the pattern width and the pattern length.
제2항에 있어서,
상기 패턴 너비와 패턴 길이 중 어느 하나는, 50 내지 1,000 ㎛의 크기를 갖는 패키지용 캐리어.
The method of claim 2,
Any one of the pattern width and the pattern length, the carrier for a package having a size of 50 to 1,000 ㎛.
제1항에 있어서,
상기 복수의 양각 또는 음각 점착패턴은 동일한 패턴 높이를 가지며,
상기 패턴 높이는 1 내지 50 ㎛인 패키지용 캐리어.
The method of claim 1,
The plurality of embossed or intaglio adhesive patterns have the same pattern height,
The pattern height is a carrier for a package of 1 to 50 ㎛.
제2항에 있어서,
상기 이격거리는 50 내지 1,000 ㎛인 패키지용 캐리어.
The method of claim 2,
The separation distance is 50 to 1,000 ㎛ carrier for the package.
제1항에 있어서,
상기 점착패턴의 수평 단면 형상은 원형, 타원형, 스트라이프형, 마름모형 및 다각형 중 어느 하나인 패키지용 캐리어.
The method of claim 1,
The horizontal cross-sectional shape of the adhesive pattern is a carrier for a package which is any one of circular, oval, stripe, rhombus and polygon.
제1항에 있어서,
상기 복수의 양각 또는 음각 점착패턴의 면적의 합은, 상기 금속적층판 일면의 전체 면적을 기준으로 하여 50 내지 100%인 패키지용 캐리어.
The method of claim 1,
The sum of the areas of the plurality of embossed or intaglio adhesive patterns is 50 to 100% based on the total area of one surface of the metal laminated plate.
제1항에 있어서,
ASTM D3330에 의해서 측정된 기재필름에 대한 실리콘 점착층의 점착력이 10~900 gf/inch인 패키용 캐리어.
The method of claim 1,
A carrier for packaging, wherein the adhesive force of the silicone adhesive layer to the base film measured by ASTM D3330 is 10 to 900 gf / inch.
제1항에 있어서,
상기 실리콘 점착층은, 열중량 분석(TGA)으로, 측정된 3중량% 감소 열분해 온도가 330℃ 이상이며, 260℃에서의 중량 감소 비율이 0.5% 이하인 패키지용 캐리어.
The method of claim 1,
The silicone pressure-sensitive adhesive layer, the thermogravimetric analysis (TGA), the measured 3% by weight reduction pyrolysis temperature is 330 ℃ or more, the weight loss ratio at 260 ℃ is a carrier for packages.
제1항에 있어서,
상기 실리콘 점착층은, 200℃에서 5분간 노출 후 기체 크로마토그래피 질량 분광분석(GC/MS)으로 분석시, H2O에 기인한 피크가 존재하고, 실리콘 유래 피크가 존재하지 않는 패키지용 캐리어.
The method of claim 1,
The silicon adhesive layer, when analyzed by gas chromatography mass spectrometry (GC / MS) after exposure at 200 ° C. for 5 minutes, a peak due to H 2 O is present, and there is no silicon-derived peak.
제1항에 있어서,
상기 실리콘 점착층은, 수평균 분자량(Mn)이 100,000 내지 1,200,000인 실리콘 고분자 및 수평균 분자량(Mn)이 1,000~8,000인 저분자형 실록산계 점착부여제가 100~60 : 0~40 중량비로 포함된 실리콘 점착성 조성물의 경화물을 함유하는 패키지용 캐리어.
The method of claim 1,
The silicone adhesive layer may include a silicone polymer having a number average molecular weight (Mn) of 100,000 to 1,200,000 and a low molecular weight siloxane tackifier having a number average molecular weight (Mn) of 1,000 to 8,000 in a range of 100 to 60: 0 to 40 by weight. Carrier for packages containing hardened | cured material of an adhesive composition.
제1항에 있어서,
상기 실리콘 점착층은, 기재필름이 박리된 후 인쇄회로기판과 부착되어 220~260℃에서 리플로우(reflow) 공정을 거치고 인쇄회로기판과 탈착되되,
상기 탈착된 인쇄회로기판의 표면을 FT-IR 스펙트럼으로 분석시, 1265±15 cm-1 영역에서 관찰되는 Si-C 피크가 존재하지 않는 패키지용 캐리어.
The method of claim 1,
The silicone adhesive layer is attached to the printed circuit board after the base film is peeled off, and is subjected to a reflow process at 220 ~ 260 ℃ and detached from the printed circuit board,
When the surface of the detached printed circuit board is analyzed by the FT-IR spectrum, the carrier for a package does not have a Si-C peak observed in the 1265 ± 15 cm -1 region.
제12항에 있어서,
상기 인쇄회로기판은 두께가 100 ㎛ 이하인 박막형 인쇄회로기판인 패키지용 캐리어.
The method of claim 12,
The printed circuit board is a package carrier for a thin film printed circuit board having a thickness of 100 ㎛ or less.
제1항에 있어서,
상기 기재필름은 불소계 이형필름으로 이루어지는 패키지용 캐리어.
The method of claim 1,
The base film is a carrier for a package consisting of a fluorine-based release film.
제1항에 있어서,
상기 기재필름은 실리콘 점착층이 형성되기 이전에, 40~80℃에서 72~200시간 동안 에이징(aging) 처리된 것인 패키지용 캐리어.
The method of claim 1,
The base film is a carrier for a package that has been aged (aging) for 72 to 200 hours at 40 ~ 80 ℃ before the silicon adhesive layer is formed.
제1항에 있어서,
상기 금속적층판은, 적어도 하나의 절연층;과 적어도 하나의 금속층이 적층된 단면형 또는 양면형 금속 적층판인 패키지용 캐리어.
The method of claim 1,
The metal laminate plate is a carrier for a package, which is a single-sided or double-sided metal laminated plate laminated with at least one insulating layer and at least one metal layer.
제16항에 있어서,
상기 절연층은 폴리이미드 필름 또는 프리프레그이며,
상기 금속층은 구리(Cu), 철(Fe), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 은(Ag), 및 금(Au)으로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속 또는 이들의 합금(alloy)인 패키지용 캐리어.
The method of claim 16,
The insulating layer is a polyimide film or prepreg,
The metal layer is at least one metal selected from the group consisting of copper (Cu), iron (Fe), nickel (Ni), titanium (Ti), aluminum (Al), silver (Ag), and gold (Au) or A carrier for a package, which is an alloy of these.
제16항에 있어서,
상기 금속층의 두께는 1 내지 15㎛ 이며,
상기 금속적층판의 두께는 25 내지 500 ㎛인 패키지용 캐리어.
The method of claim 16,
The thickness of the metal layer is 1 to 15㎛,
The thickness of the metal laminate is a carrier for a package of 25 to 500 ㎛.
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