KR20190098641A - Lighting unit - Google Patents

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신현수
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

According to an embodiment of the present invention, disclosed is a lighting unit for increasing the light uniformity. The lighting unit comprises: a substrate; a plurality of light sources disposed on the substrate; a resin layer disposed on the substrate and covering the light sources; an air layer disposed on the resin layer; a light shielding layer disposed on the resin layer; and an optical pattern disposed between the light shielding layer and the resin layer. The optical pattern has a central axis equal to each central axis of light sources and has the largest thickness in the central axis.

Description

조명 유닛{LIGHTING UNIT}Lighting unit {LIGHTING UNIT}

실시 예는 조명 유닛에 관한 것이다.Embodiments relate to a lighting unit.

광원에서 발광하는 광을 유도하여 조명을 구현하는 장치는 조명용 램프나 차량용 램프, 액정표시장치 등에서 다양하게 필요로 되고 있다. 이러한 조명장치에서는 장비의 구조를 얇게 하는 기술과 광 효율을 높일 수 있는 구조가 가장 중요한 기술로 인식되고 있다.A device for implementing lighting by inducing light emitted from a light source has been variously required in an illumination lamp, a vehicle lamp, and a liquid crystal display device. In such a lighting device, the technology of thinning the structure of the equipment and the structure that can increase the light efficiency is recognized as the most important technology.

이러한 조명장치가 작용되는 일예로서 액정표시장치를 들어 설명하면 다음과 같다.An example in which the lighting device works is described as follows.

도 1을 참조하면, 이러한 조명장치(1)는 기판(20) 상에 평탄한 도광판(30)이 배치되고 이 도광판(30)의 측면에는 복수의 측면형 LED(10)(하나만 도시)가 어레이 형태로 배치된다.Referring to FIG. 1, such a lighting apparatus 1 includes a flat light guide plate 30 disposed on a substrate 20, and a plurality of side surface type LEDs 10 (only one) is arranged on the side of the light guide plate 30. Is placed.

LED(10)에서 도광판(30)으로 입사된 빛(L)은 도광판(30)의 밑면에 제공된 미세한 반사 패턴 또는 반사 유닛(40)에 의해 상부로 반사되어 도광판(30)에서 출사된 다음 도광판(30) 상부의 LCD 패널(50)에 광을 제공하게 된다.The light L incident from the LED 10 to the light guide plate 30 is reflected upward by a minute reflection pattern or the reflection unit 40 provided on the bottom surface of the light guide plate 30, and exits from the light guide plate 30. 30) Light is provided to the upper LCD panel 50.

이러한 조명장치에는 도 2에 도시된 개념도와 같이, 상기 도광판(30)과 LCD 패널(50) 사이에 확산시트(31)나 프리즘 시트(32, 33), 보호시트(34) 등의 복수의 광학시트를 더 부가하는 구조로 형성될 수 있다.2, a plurality of optical devices, such as a diffusion sheet 31, a prism sheet 32 and 33, a protective sheet 34, and the like are disposed between the light guide plate 30 and the LCD panel 50. It can be formed into a structure for further adding a sheet.

따라서 이러한 도광판은 기본적으로 이러한 조명장치의 필수적인 부품으로 사용되지만, 이로 인해 도광판 자체의 두께로 인해 전체적인 제품의 두께를 박형화할 수 있는데 한계를 나타내고 있으며, 광 균일도가 저하되는 문제가 존재한다.Therefore, such a light guide plate is basically used as an essential component of such a lighting device, but due to this, the thickness of the entire product can be reduced due to the thickness of the light guide plate itself, and there is a problem in that light uniformity is degraded.

실시 예는 광 균일도를 개선하는 조명 유닛을 제공한다.Embodiments provide an illumination unit that improves light uniformity.

또한, 광 손실이 감소된 조명 유닛을 제공한다.It also provides an illumination unit with reduced light loss.

또한, 광원 개수를 절감하고 두께가 감소한 조명 유닛을 제공한다.In addition, the present invention provides a lighting unit which reduces the number of light sources and reduces the thickness.

실시 예에서 해결하고자 하는 과제는 이에 한정되는 것은 아니며, 아래에서 설명하는 과제의 해결수단이나 실시 형태로부터 파악될 수 있는 목적이나 효과도 포함된다고 할 것이다.The problem to be solved in the examples is not limited thereto, and the object or effect that can be grasped from the solution means or the embodiment described below will also be included.

실시예에 따른 조명 유닛은 기판; 상기 기판 상에 배치되는 복수 개의 광원; 상기 기판 상에 배치되어 상기 복수 개의 광원을 덮는 레진층; 상기 레진층 상에 배치되는 에어층; 및 상기 에어층 상에 배치되는 확산판;을 포함하고, 인접한 복수 개의 광원 사이의 이격 거리는 상기 기판과 상기 확산판 사이의 이격 거리와 거리 비가 1:0.8 내지 1:2이다.Lighting unit according to the embodiment includes a substrate; A plurality of light sources disposed on the substrate; A resin layer disposed on the substrate to cover the plurality of light sources; An air layer disposed on the resin layer; And a diffusion plate disposed on the air layer, wherein the separation distance between a plurality of adjacent light sources is in a distance ratio of 1: 0.8 to 1: 2 between the substrate and the diffusion plate.

상기 기판 상에 배치되고 홀을 포함하는 반사유닛;을 더 포함하고, 상기 복수 개의 광원은 상기 홀에 배치될 수 있다.A reflection unit may be disposed on the substrate and include a hole, wherein the plurality of light sources may be disposed in the hole.

상기 반사 유닛은 상기 복수 개의 광원을 둘러싸도록 배치될 수 있다.The reflection unit may be disposed to surround the plurality of light sources.

상기 레진층은 굴절률이 1.3 내지 1.7일 수 있다.The resin layer may have a refractive index of 1.3 to 1.7.

상기 레진층과 상기 확산판 사이에 배치되는 차광층; 및 상기 차광층과 상기 레진층 사이에 배치되는 광학 패턴;을 더 포함할 수 있다.A light blocking layer disposed between the resin layer and the diffusion plate; And an optical pattern disposed between the light blocking layer and the resin layer.

상기 복수 개의 광원은 상기 광학 패턴과 두께 방향으로 중첩될 수 있다.The plurality of light sources may overlap the optical pattern in the thickness direction.

상기 광학 패턴은 중심축이 상기 복수 개의 광원의 중심축과 동일한 배치될 수 있다.The optical pattern may have a central axis that is the same as a central axis of the plurality of light sources.

상기 광학 패턴은 상기 중심축을 기준으로 대칭 형태일 수 있다.The optical pattern may be symmetrical with respect to the central axis.

상기 광학 패턴은 TiO2, CaCO3, BaSO4, Al2O3, Silicon, PS 중 어느 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.The optical pattern may include at least one of TiO 2, CaCO 3, BaSO 4, Al 2 O 3, Silicon, and PS.

상기 광학 패턴은 상기 광원에 인접할수록 두께가 커질 수 있다.The optical pattern may have a thickness that is closer to the light source.

상기 광학 패턴의 최대 폭은 상기 광원의 최대 폭보다 클 수 있다.The maximum width of the optical pattern may be greater than the maximum width of the light source.

상기 광학 패턴의 최대 폭은 상기 인접한 복수 개의 광원 사이의 이격 거리보다 작을 수 있다.The maximum width of the optical pattern may be smaller than the separation distance between the plurality of adjacent light sources.

상기 에어층은, 상기 레진층의 상면을 기준으로 구획되는 제1 에어층과 제2 에어층을 포함하고, 상기 제2 에어층은, 상기 레진층 사이에 배치될 수 있다.상기 확산판 상에 배치되는 형광체층; 상기 형광체층 상에 배치되는 프리즘 시트; 및 상기 프리즘 시트 상에 배치되는 편광층;을 더 포함할 수 있다.The air layer may include a first air layer and a second air layer partitioned based on the top surface of the resin layer, and the second air layer may be disposed between the resin layers. A phosphor layer disposed; A prism sheet disposed on the phosphor layer; And a polarizing layer disposed on the prism sheet.

상기 기판과 상기 확산층 사이에 배치되는 지지부를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a support part disposed between the substrate and the diffusion layer.

실시 예에 따르면, 광 균일도가 개선된 조명 유닛을 구현할 수 있다.According to the embodiment, it is possible to implement an illumination unit with improved light uniformity.

또한, 광 손실이 감소된 조명 유닛을 제작할 수 있다.It is also possible to fabricate lighting units with reduced light loss.

또한, 광원 개수를 절감하고 두께가 감소한 조명 유닛을 제작할 수 있다.In addition, it is possible to manufacture a lighting unit with a reduced number of light sources and a reduced thickness.

본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.Various and advantageous advantages and effects of the present invention are not limited to the above description, and will be more readily understood in the course of describing specific embodiments of the present invention.

도 1은 백라이트 유닛의 구조를 도시한 개념도이고,
도 2는 제1 실시예에 따른 조명 유닛의 단면도이고,
도 3은 도 2에서 K부분의 확대도이고,
도 4는 실시예에 따른 광원의 개략도이고,
도 5 내지 도 7은 제1 실시예에 따른 효과를 설명하는 도면이고,
도 8a는 제1 실시예에 따른 조명 유닛의 하부 평면도도이고,
도 8b는 도 8a에서 M부분의 확대도이고,
도 9a는 실시예에 따른 차광층 및 광학 패턴의 평면도이고,
도 9b는 도8a에서 BB'로 절단된 단면도이고,
도 9c 내지 도 9d는 광학 패턴의 평면도이고,도 10는 제2 실시예에 따른 조명 유닛의 단면도이고,
도 10b는 제3 실시예에 따른 조명 유닛의 단면도이고,
도 10c는 제4 실시예에 따른 조명 유닛의 단면도이고,
도 10d는 제5 실시예에 따른 조명 유닛의 단면도이고,
도 10e는 제6 실시예에 따른 조명 유닛의 단면도이다.
1 is a conceptual diagram illustrating a structure of a backlight unit;
2 is a cross-sectional view of the lighting unit according to the first embodiment,
3 is an enlarged view of a portion K in FIG. 2,
4 is a schematic view of a light source according to an embodiment,
5 to 7 are views for explaining the effect according to the first embodiment,
8A is a bottom plan view of the lighting unit according to the first embodiment,
FIG. 8B is an enlarged view of a portion M in FIG. 8A,
9A is a plan view of a light blocking layer and an optical pattern according to an embodiment;
FIG. 9B is a cross-sectional view taken along the line BB ′ in FIG. 8A;
9C-9D are plan views of optical patterns, FIG. 10 is a cross-sectional view of the lighting unit according to the second embodiment,
10B is a cross-sectional view of the lighting unit according to the third embodiment,
10C is a cross-sectional view of the lighting unit according to the fourth embodiment,
10D is a cross-sectional view of the lighting unit according to the fifth embodiment,
10E is a sectional view of the lighting unit according to the sixth embodiment.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. As the invention allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated and described in the drawings. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

제2, 제1 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제1 구성요소도 제2 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다. Terms including ordinal numbers, such as second and first, may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the second component may be referred to as the first component, and similarly, the first component may also be referred to as the second component. The term and / or includes a combination of a plurality of related items or any item of a plurality of related items.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. When a component is referred to as being "connected" or "connected" to another component, it may be directly connected to or connected to that other component, but it may be understood that other components may be present in between. Should be. On the other hand, when a component is said to be "directly connected" or "directly connected" to another component, it should be understood that there is no other component in between.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, components, or a combination thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and the same or corresponding components will be given the same reference numerals regardless of the reference numerals, and redundant description thereof will be omitted.

본 발명은 예컨대, LED(Light Emitting Diode)를 광원으로 이용하는 조명 유닛에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 광학 패턴과 광원 사이의 거리 및 에어층의 두께를 이용하여 광학특성을 개선하며, 도광판을 제거하고, 이를 레진층을 통해 조명 유닛의 전체 두께를 감소시키며, 광의 균일도(uniformity)를 개선할 수 있다. 아울러, 본 발명에 따른 조명 유닛은 상술한 액정표시장치의 백라이트 유닛으로 적용됨에 한정되지 않는다. 즉 조명이 필요로 하는 다양한 램프장치, 이를테면 차량용 램프, 가정용 조명장치, 산업용 조명장치에 적용이 가능함은 물론이다. 차량용 램프는 헤드라이트, 실내와 조명, 후방 라이트 등에도 적용이 가능함은 물론이다.The present invention relates to a lighting unit using, for example, a light emitting diode (LED) as a light source. In particular, the present invention improves the optical properties by using the distance between the optical pattern and the light source and the thickness of the air layer, removes the light guide plate, reduces the overall thickness of the lighting unit through the resin layer, and uniformity of light. Can be improved. In addition, the lighting unit according to the present invention is not limited to being applied to the backlight unit of the liquid crystal display device described above. That is, of course, it is possible to apply to a variety of lamp devices that require lighting, such as vehicle lamps, home lighting devices, industrial lighting devices. Automotive lamps can be applied to headlights, interior and lighting, and rear lights, of course.

도 2는 제1 실시예에 따른 조명 유닛의 단면도이고, 도 3은 도 2에서 K부분의 확대도이고, 도 4는 실시예에 따른 광원의 개략도이다.2 is a cross-sectional view of the lighting unit according to the first embodiment, FIG. 3 is an enlarged view of a portion K in FIG. 2, and FIG. 4 is a schematic view of a light source according to the embodiment.

도 2를 참조하면, 제1 실시예에 따른 조명 유닛은 기판(110), 기판(110) 상에 배치되는 반사 유닛(120), 기판(110) 상에 배치되는 복수 개의 광원(130), 기판(110) 상에 배치되어 복수 개의 광을 덮는 레진층(140), 레진층(140) 상에 배치되는 확산판(160), 확산판(160)과 레진층(140) 사이에 배치되는 차광층(150), 확산판(160) 상에 배치되는 형광체층(170), 형광체층(170) 상에 배치되는 프리즘 시트(180), 프리즘 시트(180) 상에 배치되는 편광층(190)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, the lighting unit according to the first embodiment includes a substrate 110, a reflection unit 120 disposed on the substrate 110, a plurality of light sources 130 disposed on the substrate 110, and a substrate. Resin layer 140 disposed on 110 to cover a plurality of lights, diffuser plate 160 disposed on resin layer 140, and light shielding layer disposed between diffuser plate 160 and resin layer 140. 150, a phosphor layer 170 disposed on the diffusion plate 160, a prism sheet 180 disposed on the phosphor layer 170, and a polarization layer 190 disposed on the prism sheet 180. can do.

먼저, 기판(110)은 인쇄회로기판 (Printed Circuit Borad, PCB)를 포함할 수 있다. 그리고 기판(110)은 열적 내구성, 절연성, 강도가 큰 재질을 포함할 수 있다. 예컨대, 기판(110)은 글래스를 포함하는 레진과 같은 에폭시, 패놀 수지 또는 금속의 경우 Al 등을 포함할 수 있으나, 이러한 재질에 한정되는 것은 아니다.First, the substrate 110 may include a printed circuit board (PCB). The substrate 110 may include a material having high thermal durability, insulation, and strength. For example, the substrate 110 may include an epoxy, such as a resin containing glass, a panol resin, or Al in the case of a metal, but is not limited thereto.

반사 유닛(120)은 기판(110) 상에 배치될 수 있다. 반사 유닛(120)은 기판(110)의 표면 상에 배치될 수 있으며, 반사 유닛(120)은 복수 개의 필름이 적층된 구조일 수 있다. 예컨대, 반사 유닛(120)은 복수 개의 반사 필름(미도시됨)이 이격 배치된 구조일 수 있다. 그리고 복수 개의 반사 필름(미도시됨)은 서로 이격 배치되어 에어 영역을 형성할 수 있다. 이러한 구성을 통해, 반사 유닛(120)은 광원(130)으로부터 발생한 광이 복수 개의 반사 필름(미도시됨)에서 재 반사할 수 있다. The reflective unit 120 may be disposed on the substrate 110. The reflection unit 120 may be disposed on the surface of the substrate 110, and the reflection unit 120 may have a structure in which a plurality of films are stacked. For example, the reflective unit 120 may have a structure in which a plurality of reflective films (not shown) are spaced apart from each other. The plurality of reflective films (not shown) may be spaced apart from each other to form an air region. Through this configuration, the reflection unit 120 may re-reflect light generated from the light source 130 in the plurality of reflective films (not shown).

복수 개의 반사 필름은 백색 PET(white polthylen terephthalate)를 포함할 수 있다. 이러한 구성에 의하여, 반사 유닛(120)은 휘도를 향상시킬 수 있다.The plurality of reflective films may include white polthylen terephthalate (PET). By this configuration, the reflection unit 120 can improve the brightness.

또한, 복수 개의 반사 필름은 금속반사 물질 예컨대, 은(Ag)를 포함할 수도 있다. 이와 같이, 복수 개의 반사 필름은 휘도 개선을 위해 다양한 재질을 포함할 수 있다. 다만, 반사 유닛(120)이 없을 수 있다. 이러한 경우에, 기판(110)은 화이트(white) 몰드 처리된 기판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In addition, the plurality of reflective films may include a metal reflective material such as silver (Ag). As such, the plurality of reflective films may include various materials to improve luminance. However, there may be no reflective unit 120. In this case, the substrate 110 may be a white mold processed substrate, but is not limited thereto.

반사 유닛(120)은 복수 개의 홀(h)을 포함할 수 있다. 그리고 복수 개의 홀(h)에 광원(130)이 배치될 수 있다. 반사 유닛(120)은 복수 개의 광원(130)을 둘러싸도록 배치되어, 광원(130)에서 측면으로 발생한 광을 상부로 반사하여 조명 유닛 상면에 암부가 형성되지 않도록하므로 광 균일도를 개선할 수 있다. 예컨대, 반사 유닛(120)에서 복수 개의 홀(h)은 이격 배치될 수 있다. 그리고 반사 유닛(120)은 복수 개의 광원(130)으로부터 동일한 거리로 이격 배치될 수 있다. 이러한 구성에 의하여, 반사 유닛(120)은 광원으로부터 출사된 광을 상부로 반사하는 광량 및 방향을 유지하여 균일한 광을 제공할 수 있다.The reflection unit 120 may include a plurality of holes h. The light source 130 may be disposed in the plurality of holes h. The reflection unit 120 is disposed to surround the plurality of light sources 130, thereby reflecting the light generated from the light source 130 to the upper side so that no dark portion is formed on the upper surface of the lighting unit, thereby improving light uniformity. For example, the plurality of holes h may be spaced apart from the reflection unit 120. The reflection unit 120 may be spaced apart from the plurality of light sources 130 by the same distance. By such a configuration, the reflection unit 120 may provide uniform light by maintaining the amount and direction of light reflecting the light emitted from the light source upwardly.

전술한 바와 같이, 복수 개의 홀(h)에는 광원(130)이 각각 배치되고, 광원(130)은 반사 유닛(120) 내에 배치될 수 있다. 이 경우, 광원(130)은 측면 발광형 구조일 수 있어, 광원(130)의 수를 대폭 절감할 수 있다. 또한, 광원(130)은 제1 방향(y축 방향)으로 길이가 반사 유닛(120)의 길이보다 작을 수 있다. 이러한 구성에 의하여, 광원(130)에서 측면으로 발생한 광을 상부로 반사할 수 있다. 또한, 반사 유닛(120)은 제1 방향으로 길이가 레진층(140)의 길이보다 작을 수 있다.As described above, the light sources 130 may be disposed in the plurality of holes h, and the light sources 130 may be disposed in the reflection unit 120. In this case, the light source 130 may have a side emission type structure, thereby greatly reducing the number of light sources 130. In addition, the light source 130 may have a length smaller than the length of the reflection unit 120 in the first direction (y-axis direction). By such a configuration, light generated from the light source 130 to the side can be reflected upward. In addition, the reflection unit 120 may have a length smaller than the length of the resin layer 140 in the first direction.

광원(130)은 기판(110) 상에 복수 개 배치될 수 있다. 광원(130)은 후술하는 바와 같이 수백 마이크로미터 내지 수 밀리미터의 길이를 가질 수 있다. 바람직하게, 광원(130)은 단면이 직사각형인 경우, 일변의 길이가 100um 내지 500um일 수 있다. 이러한 광원(130)의 크기에 따라, 복수 개의 광원(130)이 조명 유닛 내에서 각각 복수 개의 영역별로 배치되므로, 조명 유닛은 광원(130)의 제어로 디밍 제어가 수행될 수 있다. 이로써, 실시예에 따른 조명 유닛은 복수 개의 광원(130)을 포함하여 세밀한 디밍 제어가 이루어질 수 있다. A plurality of light sources 130 may be disposed on the substrate 110. The light source 130 may have a length of several hundred micrometers to several millimeters as described below. Preferably, when the light source 130 has a rectangular cross section, the length of one side may be 100 μm to 500 μm. According to the size of the light source 130, since the plurality of light sources 130 are disposed for each of the plurality of regions within the lighting unit, the lighting unit may be dimmed under the control of the light source 130. As a result, the lighting unit according to the embodiment may include a plurality of light sources 130 to perform fine dimming control.

또한, 광원(130)은 사이즈가 작아짐에 따라 에어층의 제1 방향(y축 방향) 길이도 감소하므로, 실시예에 따른 조명 유닛은 두께가 감소할 수 있다.In addition, as the light source 130 decreases in size, the length of the first direction (y-axis direction) of the air layer also decreases, and thus the thickness of the lighting unit according to the embodiment may decrease.

또한, 조명 유닛에서 각 광원(130)에 의해 광이 출사되는 면적이 감소하므로, 광학 패턴(151)의 사이즈도 작아질 수 있다. 다만, 에어층의 제1 방향(y축 방향)의 길이 감소에 따라 광원(130) 상부로 출사하는 광이 집중되므로, 광학 패턴(151)의 구조에 따라 균일도가 제어될 수 있다. 이에 대해서는 후술한다.In addition, since the area in which light is emitted by each light source 130 in the illumination unit is reduced, the size of the optical pattern 151 may also be reduced. However, since the light exiting the light source 130 is concentrated in accordance with the decrease in the length of the first direction (y-axis direction) of the air layer, the uniformity may be controlled according to the structure of the optical pattern 151. This will be described later.

도 4를 참조하면, 실시예에 따른 광원(130)은 반도체 소자로, 예컨대, LED일 수 있다. 그리고 반도체 소자는 투명기판(1010), 투명기판(1010) 하부에 배치되는 제1 비도전형 반도체층(1020), 제1 비도전형 반도체층(1020) 하부에 배치되는 제1 제어층(1030), 제1 제어층(1030) 하부에 배치되는 반도체 구조물(1100), 제1 도전형 반도체층(1110)에 연결된 제1 전극(1310), 제1 전극(1310)에 연결된 제1 기둥 전극(1410), 제2 도전형 반도체층(1130)에 연결된 제2 전극(1320) 및 제2 전극(1320)에 전기적으로 연결된 제2 기둥 전극(1420)를 포함할 수 있다.4, the light source 130 according to the embodiment may be a semiconductor device, for example, an LED. The semiconductor device may include a transparent substrate 1010, a first nonconductive semiconductor layer 1020 disposed under the transparent substrate 1010, a first control layer 1030 disposed under the first nonconductive semiconductor layer 1020, The semiconductor structure 1100 disposed under the first control layer 1030, the first electrode 1310 connected to the first conductive semiconductor layer 1110, and the first pillar electrode 1410 connected to the first electrode 1310. The semiconductor device may include a second electrode 1320 connected to the second conductive semiconductor layer 1130 and a second pillar electrode 1420 electrically connected to the second electrode 1320.

이러한 경우, 반도체 구조물(1100)에서 생성된 광은 반도체 소자의 측면 등을 통해 방출될 수 있다. 그리고 제1 기둥전극(1410)과 제2 기둥 전극(1420)은 회로 패턴(PT) 등과 전기적으로 연결되어 전원을 공급받을 수 있다.In this case, the light generated by the semiconductor structure 1100 may be emitted through the side of the semiconductor device. The first pillar electrode 1410 and the second pillar electrode 1420 may be electrically connected to the circuit pattern PT to receive power.

다만, 이러한 구조에 한정되는 것은 아니며, 실시예에 따른 조명 유닛은 반도체 소자의 패키지 타입의 반도체 모듈을 적용할 수 있다. 또한, 광원(130)은 일반적으로 다양한 종류의 광원(130)의 적용이 가능할 수 있다. 예컨대, 광원(130)은 측면 발광형(side view) 또는 상부 발광형(Top view)의 구조의 LED를 이용할 수 있다.However, the structure is not limited thereto, and the lighting unit according to the embodiment may apply a semiconductor module of a package type of a semiconductor device. In addition, the light source 130 may be generally applicable to various kinds of light source 130. For example, the light source 130 may use an LED having a side view or top view structure.

레진층(140)은 기판(110) 상에 배치되고, 복수 개의 광원(130)을 덮을 수 있다. 레진층(140)은 복수 개의 광원(130)을 각각 덮을 수 있다. 또한, 레진층(140)은 반사 유닛(120)의 홀(h)에 배치될 수 있다. 즉, 레진층(140)은 복수 개로 이격 배치될 수 있다.The resin layer 140 may be disposed on the substrate 110 and may cover the plurality of light sources 130. The resin layer 140 may cover the plurality of light sources 130, respectively. In addition, the resin layer 140 may be disposed in the hole h of the reflective unit 120. That is, the resin layer 140 may be spaced apart in plurality.

레진층(140)은 예컨대 광원(130)에서 측방향으로 출사하는 광을 유도하고, 광을 확산, 분산시킬 수 있다. 이로써, 레진층(140)은 광을 가이드할 수 있다.The resin layer 140 may induce light emitted laterally from the light source 130, and may diffuse and disperse the light. As a result, the resin layer 140 may guide light.

또한, 레진층(140)은 광을 확산할 수 있는 재질의 수지로 이루어질 수 있다. 예컨대, 레진층(140)은 우레탄 아크릴레이트 올리고머를 주원료로 포함하는 레진일 수 있다. 또한, 레진층(140)은 합성올리고머인 우레탄 아크릴레이트 올리고머를 폴리아크릴인 폴리머와 혼합된 재질을 포함할 수 있다. 뿐만 아니라, 레진층(140)은 저비점 희석형 반응성 모노머인 IBOA(isobornyl acrylate), HPA(Hydroxylpropyl acrylate, 2-HEA(2-hydroxyethyl acrylate) 등이 혼합된 모노머를 더 포함할 수 있으며, 첨가제로서 광개시제(이를 테면, 1-hydroxycyclohexyl phenyl-ketone 등) 또는 산화방지제 등을 혼합할 수 있다.In addition, the resin layer 140 may be formed of a resin of a material capable of diffusing light. For example, the resin layer 140 may be a resin including a urethane acrylate oligomer as a main raw material. In addition, the resin layer 140 may include a material in which a urethane acrylate oligomer which is a synthetic oligomer is mixed with a polymer which is polyacrylic. In addition, the resin layer 140 may further include a monomer containing a mixture of low boiling point dilution type reactive monomers such as IBOA (isobornyl acrylate), HPA (Hydroxylpropyl acrylate, 2-HEA (2-hydroxyethyl acrylate)), and photoinitiator as an additive. (Such as 1-hydroxycyclohexyl phenyl-ketone, etc.) or antioxidants.

아울러, 레진층(140)은 빛의 확산과 반사를 증가시키기 위해서 비드(bead)를 포함할 수 있다. 비드(bead)는 전체 레진층(140) 중량 대비 0.01~0.3% 포함할 수 있다. 즉, 광원(130)에서 측방향으로 출사되는 광은 레진층(140)과 비드를 통해 확산 및 반사되어 상부 방향으로 진행할 수 있게 된다.In addition, the resin layer 140 may include beads to increase light diffusion and reflection. Beads may include 0.01 to 0.3% of the total resin layer 140 weight. That is, the light emitted from the light source 130 in the lateral direction is diffused and reflected through the resin layer 140 and the beads to proceed upward.

그리고 레진층(140)은 상술한 본 발명에 따른 반사 유닛(120)과 더불어 반사 기능을 더욱 촉진시킬 수 있게 된다. 또한, 레진층(140)은 박형화가 가능하여, 두께 감소를 제공할 수 있다. 뿐만 아니라, 레진층(140)은 연성의 재질을 포함할 수 있어 플렉서블한 디스플레이에도 적용할 수 있는 범용성을 제공할 수 있다.In addition, the resin layer 140 may further promote a reflection function together with the reflection unit 120 according to the present invention. In addition, the resin layer 140 may be thin, thereby providing a thickness reduction. In addition, the resin layer 140 may include a soft material, thereby providing versatility applicable to a flexible display.

또한, 레진층(140)은 에어층(A)의 공기의 굴절율과 광원(130)의 굴절율 사이의 굴절율을 가질 수 있다. 에어층(A)의 굴절율은 광원(130)의 굴절율보다 작을 수 있다. 그리고 레진층(140)은 굴절율이 광원(130)의 굴절율보다 작고, 에어층(A)의 굴절율보다 클 수 있다. 이러한 구성에 의하여, 레진층(140)은 전반사율을 감소시켜 광 효율을 향상시킬 수 있다. 예컨대, 레진층(140)은 굴절율이 1.3 내지 1.7일 수 있으며, 광원(130)은 굴절율이 1.7 내지 2.4일 수 있다. 다만, 이러한 수치에 한정되는 것은 아니다.In addition, the resin layer 140 may have a refractive index between the refractive index of the air of the air layer A and the refractive index of the light source 130. The refractive index of the air layer A may be smaller than the refractive index of the light source 130. In addition, the resin layer 140 may have a refractive index smaller than that of the light source 130 and greater than that of the air layer A. FIG. By such a configuration, the resin layer 140 may improve the light efficiency by reducing the total reflectance. For example, the resin layer 140 may have a refractive index of 1.3 to 1.7, and the light source 130 may have a refractive index of 1.7 to 2.4. However, it is not limited to these numerical values.

에어층(A)은 레진층(140) 상에 배치될 수 있다. 에어층(A)은 레진층(140)을 덮을 수 있다. 그리고 에어층(A)은 레진층(140)이 이격 배치되는 경우 레진층(140) 사이에 배치될 수 있다. 이에 따라, 에어층(A)은 광을 균일하고 안정적으로 확산시킬 수 있다.The air layer A may be disposed on the resin layer 140. The air layer A may cover the resin layer 140. The air layer A may be disposed between the resin layers 140 when the resin layers 140 are spaced apart from each other. Accordingly, the air layer A can diffuse light uniformly and stably.

구체적으로, 에어층(A)은 레진층(140)의 상면을 기준으로 제1 에어층(A1)과 제2 에어층(A2)으로 구획될 수 있다. 제1 에어층(A1)은 에어층(A)에서 레진층(140) 상면의 상부 영역이고, 제2 에어층(A2)은 에어층(A)에서 레진층(140) 상면의 하부영역일 수 있다.In detail, the air layer A may be divided into a first air layer A1 and a second air layer A2 based on the top surface of the resin layer 140. The first air layer A1 may be an upper region of the upper surface of the resin layer 140 in the air layer A, and the second air layer A2 may be a lower region of the upper surface of the resin layer 140 in the air layer A. have.

그리고 제1 에어층(A1)은 광원(130) 상부에 배치될 수 있다. 제2 에어층(A2)은 레진층(140) 사이 또는 광원(130) 사이에 배치될 수 있다.The first air layer A1 may be disposed above the light source 130. The second air layer A2 may be disposed between the resin layer 140 or between the light sources 130.

제1 에어층(A1)은 레진층(140) 상에 배치되어 광이 확산판(160)까지 이동하는 통로일 수 있다. 그리고 제1 에어층(A1)은 빛의 편차를 감소시킬 수 있다. The first air layer A1 may be disposed on the resin layer 140 to pass through the light to the diffuser plate 160. The first air layer A1 may reduce light variation.

또한, 제2 에어층(A2)은 레진층(140)과 제1 에어층(A1) 사이에서 전반사된 광이 레진층(140) 내에서 손실되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 제2 에어층(A2)은 레진층(140)에 의해 광이 손실되는 것을 방지할 수 있다.In addition, the second air layer A2 may prevent the light totally reflected between the resin layer 140 and the first air layer A1 from being lost in the resin layer 140. That is, the second air layer A2 may prevent the light from being lost by the resin layer 140.

확산판(160)은 에어층(A) 상에 배치될 수 있다. 확산판(160)은 광원(130) 상부, 보다 구체적으로는 에어층(A) 또는 차광층(150) 상에 배치될 수 있다. 확산판(160)은 에어층(A)을 통과하여 출사되는 광을 전면에 걸쳐 균일하게 확산시킬 수 있다.The diffusion plate 160 may be disposed on the air layer A. FIG. The diffusion plate 160 may be disposed on the light source 130, more specifically, on the air layer A or the light blocking layer 150. The diffusion plate 160 may uniformly diffuse the light emitted through the air layer A over the entire surface.

확산판(160)은 두께가 0.5mm 내지 5mm의 범위에서 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고 조명 유닛의 크기에 따라 적절히 설계변경 가능하다. The diffusion plate 160 may be formed in a range of 0.5 mm to 5 mm in thickness, but is not limited thereto. The design can be changed according to the size of the lighting unit.

특히, 본 발명의 확산판(160)은 도 2에 도시된 바와 같이 상부면 및 상부면과 일체로 형성된 측벽(미도시됨)을 구비한 구조로 이루어질 수 있다. 그리고 측벽(미도시됨)은 광원(130)의 측면을 감싸게 된다. In particular, the diffuser plate 160 of the present invention may have a structure having a top surface and sidewalls (not shown) integrally formed with the top surface as shown in FIG. 2. The side wall (not shown) surrounds the side of the light source 130.

확산판(160)은 일반적으로 아크릴 수지로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 이외에도 폴리스티렌(PS), 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA), 환상 올레핀 코폴리(COC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 레진(resin)과 같은 고투과성 플라스틱 등 광 확산 기능을 수행할 수 있는 재질로 이루어질 수 있다.The diffusion plate 160 may be generally formed of an acrylic resin, but is not limited thereto. In addition, polystyrene (PS), polymethyl methacrylate (PMMA), cyclic olefin copoly (COC), and polyethylene terephthalate (PET) may be used. It may be made of a material capable of performing a light diffusing function such as a high permeability plastic such as resin.

차광층(150)은 에어층(A) 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 차광층(150)은 에어층(A)과 확산판(160) 사이에 배치될 수 있다. 차광층(150)은 에어층(A)의 일면(예컨대 상면)으로부터 출사되는 광을 투광할 수 있다. 차광층(150)은 광 투과율이 우수한 재질을 포함할 수 있다. 예컨대, 차광층(150)은 PET(Polyethylene Telephthalate)를 포함할 수 있다. 그리고 차광층(150)은 복수 개의 시트가 적층된 구조일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The light blocking layer 150 may be disposed on the air layer A. FIG. For example, the light blocking layer 150 may be disposed between the air layer A and the diffusion plate 160. The light blocking layer 150 may transmit light emitted from one surface (eg, an upper surface) of the air layer A. FIG. The light blocking layer 150 may include a material having excellent light transmittance. For example, the light blocking layer 150 may include polyethylene telephthalate (PET). The light blocking layer 150 may have a structure in which a plurality of sheets are stacked, but is not limited thereto.

광학 패턴(151)은 차광층(150) 하부에 배치될 수 있다. 광학 패턴(151)은 에어층(A)과 차광층(150) 사이에 배치될 수 있다. 광학 패턴(151)은 광원(130)에서 출사되는 광이 집중되지 않도록 할 수 있다. 즉, 광학 패턴(151)은 균일한 면 발광을 제공할 수 있다.The optical pattern 151 may be disposed under the light blocking layer 150. The optical pattern 151 may be disposed between the air layer A and the light blocking layer 150. The optical pattern 151 may prevent the light emitted from the light source 130 from being concentrated. That is, the optical pattern 151 can provide uniform surface light emission.

광학 패턴(151)은 광원(130)에서 출사된 광의 일부를 차광할 수 있다. 그리고 광학 패턴(151)은 광의 강도가 높아 광학 특성이 저하되거나 황색광이 도출(yellowish)되는 현상을 방지할 수 있다. 예컨대, 광학 패턴(151)은 광원(130)에 인접하는 영역에 광이 집중되는 것을 방지하고, 광을 분산시킬 수 있다.The optical pattern 151 may block some of the light emitted from the light source 130. In addition, the optical pattern 151 may have high light intensity to prevent a phenomenon of deterioration of optical characteristics or yellowish yellow light. For example, the optical pattern 151 may prevent light from being concentrated in an area adjacent to the light source 130 and may disperse the light.

광학 패턴(151)은 차광 잉크를 이용하여 차광층(150)의 하면에 인쇄 공정에 의해 형성될 수 있다. 광학 패턴(151)은 광을 일부 차광하고, 나머지 광은 확산할 수 있도록, 광학 패턴(151)의 밀도, 및/또는 크기가 조절될 수 있다. 이에 따라, 광확 패턴(151)은 차광도, 확산도를 조절할 수 있다. 예컨대, 광효율을 향상시키기 위하여 광학 패턴(151)은 광원(130)에서 멀어질수록 광학 패턴(151)의 밀도가 낮아지도록 조절될 수 있다. 또한, 광학 패턴(151)은 광의 효율과 강도, 차광율을 고려하여 다양하게 변형될 수 있다.The optical pattern 151 may be formed by a printing process on the bottom surface of the light blocking layer 150 using light blocking ink. The optical pattern 151 may partially adjust the density and / or the size of the optical pattern 151 so that the light is partially shielded and the remaining light is diffused. Accordingly, the light diffusion pattern 151 may adjust the light blocking degree and the diffusing degree. For example, in order to improve the light efficiency, the optical pattern 151 may be adjusted such that the density of the optical pattern 151 is lower as it moves away from the light source 130. In addition, the optical pattern 151 may be variously modified in consideration of light efficiency, intensity, and light blocking rate.

구체적으로, 광학 패턴(151)은 복합적인 패턴의 중첩인쇄구조로 형성될 수 있다. 즉, 광학 패턴(151)은 하나의 패턴이 형성된 이후에, 형성된 패턴 상부에 다른 패턴 형상을 중첩하여 인쇄하여 형성될 수 있다.Specifically, the optical pattern 151 may be formed of a superimposed printed structure of a complex pattern. That is, after one pattern is formed, the optical pattern 151 may be formed by overlapping and printing another pattern shape on the formed pattern.

예컨대, 광학 패턴(151)은 확산 패턴과 차광 패턴을 포함하고, 확산 패턴과 차광 패턴이 중첩되는 구조일 수 있다. 그리고 광학 패턴(151)은 TiO2, CaCO3, BaSO4, Al2O3, Silicon 중 선택되는 어느 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다. For example, the optical pattern 151 may include a diffusion pattern and a light shielding pattern, and may have a structure in which the diffusion pattern and the light shielding pattern overlap. The optical pattern 151 may include any one or more materials selected from TiO 2, CaCO 3, BaSO 4, Al 2 O 3, and Silicon.

형광체층(170)은 확산판(160) 상에 배치될 수 있다. 그리고 형광체층(170)은 형광체를 포함하여, 확산판(160)을 통과한 광의 파장을 변화시킬 수 있다. 형광체는 광원(130)에서 방출되는 광의 일부를 여기시켜 다른 파장을 피크 파장으로 하는 광을 방출할 수 있다. 예컨대, 광원(130)이 청색 광을 발생시키는 경우, 형광체가 황색인 경우 형광체층(170)을 통과한 청색 광은 여기되어 백생 광으로 변화할 수 있다. 또한, 형광체층(170)은 적색, 녹색, 청색의 형광체를 포함하여 백색광을 방출할 수 도 있다. 다만, 이러한 색에 한정되는 것은 아니며, 다양한 조합을 가질 수 있다.The phosphor layer 170 may be disposed on the diffusion plate 160. In addition, the phosphor layer 170 may include a phosphor to change the wavelength of light passing through the diffusion plate 160. The phosphor may excite a portion of the light emitted from the light source 130 to emit light having another wavelength as the peak wavelength. For example, when the light source 130 generates blue light, when the phosphor is yellow, the blue light passing through the phosphor layer 170 may be excited to change into white light. In addition, the phosphor layer 170 may include white, red, green, and blue phosphors. However, the present invention is not limited to this color and may have various combinations.

그리고 형광체층(170)은 확산판(160) 상에 배치되어, 광원(130)과 이격 배치될 수 있다. 이러한 구성에 의하여, 광 균일도가 개선될 수 있다.The phosphor layer 170 may be disposed on the diffusion plate 160 and spaced apart from the light source 130. By this configuration, the light uniformity can be improved.

프리즘 시트(180)는 형광체층(170) 상에 배치될 수 있다. 프리즘 시트(180)는 시트의 표면에 수직 또는 수평으로 형성된 프리즘 패턴을 포함할 수 있다. 그리고 프리즘 시트(180)는 확산판(160)에서 출력되는 광을 집광할 수 있다.The prism sheet 180 may be disposed on the phosphor layer 170. The prism sheet 180 may include a prism pattern formed vertically or horizontally on the surface of the sheet. The prism sheet 180 may collect light output from the diffuser 160.

프리즘 시트(180)는 집광 효율을 개선하기 위해, 프리즘 패턴을 삼각형 단면을 갖도록 형성할 수 있으나, 이러한 형상에 한정되는 것은 아니다.The prism sheet 180 may be formed to have a triangular cross section in order to improve the light collecting efficiency, but is not limited thereto.

편광층(190)은 프리즘 시트(180) 상부에 배치되고, 프리즘 시트(180)를 통과한 광의 휘도를 증가시킬 수 있다. 편광층(190)은 DBEF(Dual Brightness Enhancement Film)를 포함할 수 있다.The polarization layer 190 may be disposed on the prism sheet 180 and increase the luminance of light passing through the prism sheet 180. The polarization layer 190 may include a dual brightness enhancement film (DBEF).

도 3을 참조하면, 복수 개의 광원은 광학 패턴(151)과 제1 방향(y축 방향)으로 이격 배치될 수 있다. 여기서, 제1 방향은 y축 방향으로 광원에서 광학 패턴을 향한 방향으로 두께 방향이며, 제2 방향은 x축 방향으로 제1 방향에 수직한 방향이다.Referring to FIG. 3, the plurality of light sources may be spaced apart from the optical pattern 151 in a first direction (y-axis direction). Here, the first direction is a thickness direction in a direction from the light source to the optical pattern in the y-axis direction, and the second direction is a direction perpendicular to the first direction in the x-axis direction.

구체적으로, 중심축(C)은 복수 개의 광원 각각의 하면의 중심을 지나는 가상선일 수 있다. 예컨대, 중심축(C)은 광원이 사각형인 경우 하면의 마주보는 모서리를 이둥분선의 교점을 지나고, 광원이 원형인 경우 원점을 지날 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 중심축(C)은 광원(130)이 원형, 다각형인 경우에 광원(130)으로부터 광이 가장 많이 출사되는 가상의 선일 수 있다.In detail, the central axis C may be an imaginary line passing through the center of the lower surface of each of the plurality of light sources. For example, the central axis C may pass through the intersection of the dividing line on the opposite edge of the lower surface when the light source is a quadrangle, and may pass through the origin when the light source is circular. However, the present invention is not limited thereto, and the central axis C may be a virtual line in which the most light is emitted from the light source 130 when the light source 130 is circular or polygonal.

또한, 중심축(C)은 복수 개일 수 있다. 중심축(C)은 광원 상부에 배치된 광학 패턴(151)의 중심을 지날 수 있다. 이에 따라, 중심축(C)은 광원의 중심 및 광학 패턴(151)의 중심을 지날 수 있다. 그리고 광학 패턴(151)은 예를 들어, 원형, 다각형 등 다양한 형상으로 이루어질 수 있다. 광학 패턴(151)이 원형인 경우, 중심축(C)은 광학 패턴(151)의 원점을 지날 수 있다. 이에 따라, 광원은 중심축(C)을 기준으로 대칭된 구조를 가질 수 있다. 또한, 광학 패턴(151)은 중심축(C)을 기준으로 대칭된 구조를 가질 수 있다. 이러한 구성에 의하여, 광원의 상부로 출사되는 광의 차광 및 확산이 균일하게 제공할 수 있다.In addition, the central axis (C) may be a plurality. The central axis C may pass through the center of the optical pattern 151 disposed above the light source. Accordingly, the central axis C may pass through the center of the light source and the center of the optical pattern 151. In addition, the optical pattern 151 may be formed in various shapes such as a circle and a polygon. When the optical pattern 151 is circular, the central axis C may pass through the origin of the optical pattern 151. Accordingly, the light source may have a symmetrical structure with respect to the central axis C. In addition, the optical pattern 151 may have a structure symmetric with respect to the central axis (C). By such a configuration, light shielding and diffusion of light emitted to the upper portion of the light source can be provided uniformly.

그리고 조명 유닛은 제1 영역(S1)과 제2 영역(S2)을 포함할 수 있다. 제1 영역(S1)은 광원이 배치된 영역이며, 제2 영역(S2)은 광학 패턴(151)이 배치된 영역이다.The lighting unit may include a first region S1 and a second region S2. The first region S1 is a region where the light source is disposed, and the second region S2 is a region where the optical pattern 151 is disposed.

제1 영역(S1)은 제2 영역(S2)과 제1 방향으로 중첩될 수 있다. 즉, 제2 영역(S2)은 면적이 제1 영역(S1)의 면적보다 클 수 있다. 이러한 구성에 의하여, 광원에서 출사된 광이 광원의 상부로 집중되는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 실시예에 따른 조명 유닛은 광 균일도를 향상시킬 수 있다. 이에 대해서는 이하 도 9a 내지 도 9d에서 자세히 설명한다.The first region S1 may overlap the second region S2 in the first direction. That is, the area of the second region S2 may be larger than that of the first region S1. By such a configuration, it is possible to prevent the light emitted from the light source from concentrating on the upper portion of the light source. Thus, the lighting unit according to the embodiment can improve the light uniformity. This will be described in detail later with reference to FIGS. 9A to 9D.

또한, 실시예에 따른 조명 유닛은 확산판(160)과 기판 사이의 이격 거리(d1)를 조절하여 광의 균일도를 개선할 수 있다. 여기서, 확산판(160)과 기판 사이의 이격 거리(d1)는 확산판(160) 하부에 차광층(150)이 존재하는 경우 차광층(150)이적용될 수 있다. 또한, 확산판과 기판 사이의 이격 거리(d1)는 도 2에서 에어층(A)의 최대 길이와 동일할 수 있다.In addition, the lighting unit according to the embodiment may improve the uniformity of light by adjusting the separation distance d1 between the diffusion plate 160 and the substrate. Here, the light shielding layer 150 may be applied to the separation distance d1 between the diffusion plate 160 and the substrate when the light shielding layer 150 exists under the diffusion plate 160. In addition, the separation distance d1 between the diffusion plate and the substrate may be equal to the maximum length of the air layer A in FIG. 2.

확산판과 기판 사이의 이격 거리(d1)는 제1 방향(y축 방향)으로 길이일 수 있다. 확산판과 기판 사이의 이격 거리(d1)가 커질수록 광원과 조명 유닛의 상면이 멀어져 균일도가 향상될 수 있다. 다만, 확산판과 기판 사이의 이격 거리(d1)가 커질수록 광 경로가 증가하여 광손실이 커지며 빛이 도달하지 않는 영역으로 인한 암부를 발생시킬 수 있는 문제점이 존재한다.The separation distance d1 between the diffusion plate and the substrate may be a length in the first direction (y-axis direction). As the separation distance d1 between the diffuser plate and the substrate increases, the top surface of the light source and the illumination unit may be farther away, thereby improving uniformity. However, as the separation distance d1 between the diffusion plate and the substrate increases, there is a problem in that a light path increases to generate a dark part due to an area where light does not reach.

그리고 실시예에 따른 조명 유닛은 광원 사이의 이격 거리(W1)를 조절하여 광의 균일도를 개선할 수 있다. 여기서, 광원 사이의 이격 거리(W1)는 인접한 광원의 중심축(c) 사이의 거리(W1)일 수 있다.The lighting unit according to the embodiment may improve the uniformity of the light by adjusting the separation distance W1 between the light sources. Here, the separation distance W1 between the light sources may be a distance W1 between the central axes c of adjacent light sources.

이 때, 광원 사이의 이격 거리(W1)는 제2 방향으로 길이일 수 있다. 그리고 광원 사이의 이격 거리가(W1)가 작아지면 조명 유닛의 균일도가 향상될 수 있다. 다만, 광원의 개수가 증가하며, 차광 영역이 넓어져 광이 서로 간섭하여 인지 가능한 명부가 발생하는 문제가 존재한다.In this case, the separation distance W1 between the light sources may be a length in the second direction. When the separation distance W1 between the light sources is small, the uniformity of the lighting unit may be improved. However, there is a problem in that the number of light sources is increased, and the light shielding area is widened so that the light interferes with each other to generate a noticeable light.

이에 따라, 실시예에 따른 조명 유닛은 확산판과 기판 사이의 이격 거리(d1)와 광원 사이의 이격 거리(W1) 간의 길이 비는 1:0.8 내지 1:2일 수 있다. Accordingly, in the lighting unit according to the embodiment, the length ratio between the separation distance d1 between the diffusion plate and the substrate and the separation distance W1 between the light source may be 1: 0.8 to 1: 2.

확산판과 기판 사이의 이격 거리(d1)와 광원 사이의 이격 거리(W1) 간의 길이 비가 1:0.8보다 작은 경우에, 광원의 개수가 증가하여 저항이 증가하고 전력 손실이 커지며, 광이 광원 상부로 집중되어 균일도가 저하되는 문제가 존재한다.When the length ratio between the separation distance d1 between the diffuser plate and the substrate and the separation distance W1 between the light source is smaller than 1: 0.8, the number of light sources increases, the resistance increases, the power loss increases, and the light is placed on the upper part of the light source. There is a problem that the concentration is lowered to uniformity.

그리고 확산판과 기판 사이의 이격 거리(d1)와 광원 사이의 이격 거리(W1) 간의 길이 비가 1:2보다 큰 경우에, 광 손실이 커지고, 광의 균일도가 저하되는 문제가 발생한다.In the case where the length ratio between the separation distance d1 between the diffusion plate and the substrate and the separation distance W1 between the light source is larger than 1: 2, the light loss is increased and the uniformity of the light is deteriorated.

그리고 도 5 내지 도 7은 제1 실시예에 따른 효과를 설명하는 도면이다.5 to 7 illustrate the effects of the first embodiment.

먼저, 도 5은 제1 실시예에 따른 조명 유닛에서 확산판과 기판 사이의 이격 거리가 3㎜ 이고 광원 사이의 이격 거리가 6㎜(도 5(a)), 10㎜(도 5(b)), 12㎜(도 5(c))인 경우에 조명 유닛 상부에서 촬영한 화상이다.First, FIG. 5 shows that the separation distance between the diffuser plate and the substrate is 3 mm and the separation distance between the light source is 6 mm (Fig. 5 (a)) and 10 mm (Fig. 5 (b)) in the lighting unit according to the first embodiment. And 12 mm (FIG. 5C), the image is taken from the upper portion of the lighting unit.

도 5(a)를 살펴보면, 광원 부위에 발생하는 핫 스팟이 없고, 면광원으론 전체에 균일한 화질을 제공할 수 있다. 반면, 도 5(b), (c)를 살펴보면, 광원 부위에 핫 스팟(DA)이 발생하여, 균일도가 낮은 화질이 발생하는 것을 알 수 있다. 이에 따라, 조명 유닛에서 확산판과 기판 사이의 이격 거리가 작아지거나, 광원 사이의 이격 거리가 커지면 균일도가 저하될 수 있다.Referring to Figure 5 (a), there is no hot spot occurs in the light source portion, it is possible to provide a uniform image quality over the entire surface light source. On the other hand, referring to Figure 5 (b), (c), it can be seen that the hot spot (DA) is generated in the light source region, the image quality with low uniformity occurs. Accordingly, the uniformity may decrease when the separation distance between the diffusion plate and the substrate in the illumination unit becomes small or the separation distance between the light sources becomes large.

그리고 도 6은 제1 실시예에 따른 조명 유닛에서 확산판과 기판 사이의 이격 거리가 5㎜ 이고 광원 사이의 이격 거리가 6㎜(도 6(a)), 10㎜(도 6(b)), 12㎜(도 6(c))인 경우에 조명 유닛 상부에서 촬영한 화상이다.6 shows a separation distance between the diffuser plate and the substrate of 5 mm and a separation distance of 6 mm (Fig. 6 (a)) and 10 mm (Fig. 6 (b)) between the light source in the lighting unit according to the first embodiment. , 12 mm (FIG. 6 (c)) is the image photographed from the upper part of a lighting unit.

마찬가지로, 도 6(a), (b)를 살펴보면, 광원 부위에 발생하는 핫 스팟이 없고, 면광원으로 전체에 균일한 광을 안정적으로 제공할 수 있다. 반면, 도 6(c)를 살펴보면, 광원 부위에 핫 스팟(DA)이 발생하여, 균일도가 낮은 화질이 발생하는 것을 알 수 있다. 이에 따라, 확산판과 기판 사이의 이격 거리와 광원 사이의 이격 거리 간의 길이 비에 따라 조명 유닛의 광 균일도가 제어될 수 있다.Similarly, referring to FIGS. 6 (a) and 6 (b), there is no hot spot occurring at the light source region, and the surface light source can stably provide uniform light to the whole. On the other hand, referring to Figure 6 (c), it can be seen that the hot spot (DA) is generated in the light source region, the image quality with low uniformity occurs. Accordingly, the light uniformity of the illumination unit can be controlled according to the length ratio between the separation distance between the diffusion plate and the substrate and the separation distance between the light source.

또한, 도 7은 제1 실시예에 따른 조명 유닛에서 확산판과 기판 사이의 이격 거리가 7㎜ 이고 광원 사이의 이격 거리가 6㎜(도 6(a)), 12㎜(도 6(b)), 15㎜(도 6(c))인 경우에 조명 유닛 상부에서 촬영한 화상이다.7 shows that the distance between the diffuser plate and the substrate is 7 mm and the distance between the light sources is 6 mm (Fig. 6 (a)) and 12 mm (Fig. 6 (b)) in the lighting unit according to the first embodiment. ) And 15 mm (FIG. 6 (c)) are the images photographed from the upper part of a lighting unit.

도 7(a), (b)를 살펴보면, 광원 부위에 발생하는 핫 스팟이 없고, 면광원 전체에 균일한 화질을 제공할 수 있다. 반면, 도 7(c)를 살펴보면, 균일도가 저하되고, 광원 부위에 핫 스팟(DA)이 발생하는 것을 알 수 있다.Referring to FIGS. 7A and 7B, there is no hot spot occurring at the light source, and uniform image quality can be provided to the entire surface light source. On the other hand, looking at Figure 7 (c), the uniformity is lowered, it can be seen that the hot spot (DA) occurs in the light source region.

도 8a는 제1 실시예에 따른 조명 유닛의 하부 평면도이고, 도 8b는 도 8a에서 M부분의 확대도이다.8A is a bottom plan view of the lighting unit according to the first embodiment, and FIG. 8B is an enlarged view of a portion M in FIG. 8A.

도 8a를 참조하면, 복수 개의 광원(130)이 기판(110) 상에 배치될 수 있다. 그리고 복수 개의 광원(130)은 이격 배치될 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 복수 개의 광원(130)은 각각 중심축(C)을 가지며, 중심축은 인접한 중심축과 일정한 거리로 이격 배치될 수 있다. Referring to FIG. 8A, a plurality of light sources 130 may be disposed on the substrate 110. The plurality of light sources 130 may be spaced apart from each other. As described above, each of the plurality of light sources 130 has a central axis C, and the central axis may be spaced apart from the adjacent central axis by a predetermined distance.

예컨대, 광원(130) 사이의 이격 거리 (W1)는 5㎜ 내지 30㎜일 수 있다. 다만, 이러한 길이에 한정되는 것은 아니며, 광원(130)의 폭 (W3)에 따라 변경될 수 있다. 그리고 광원(130)의 폭(W3)은 200㎛ 내지 1㎜일 수 있으나, 이러한 길이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 광원(130)은 길이가 긴 폭(W3)이 300㎛이고, 길이가 작은 폭은 150㎛일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the separation distance W1 between the light sources 130 may be 5 mm to 30 mm. However, the present invention is not limited to this length and may be changed according to the width W3 of the light source 130. The width W3 of the light source 130 may be 200 μm to 1 mm, but is not limited to this length. For example, the light source 130 may have a long width W3 of 300 µm and a small width of 150 µm, but the light source 130 is not limited thereto.

또한, 반사 유닛(120)과 레진층(140) 사이의 이격 길이(W2)는 300㎛ 내지 1㎜일 수 있다. 다만, 반사 유닛(120)과 레진층(140) 사이의 이격 길이(W2)는 광원의 폭과 광원 사이의 이격 거리(W1)에 따라 변경될 수 있다. 이러한 구성에 의하여, 광원으로부터 출사된 광은 반사 유닛(120)에서 반사되어 상부를 향해 출사될 수 있다. 이에 따라, 조명 유닛은 광 효율 및 균일도가 개선될 수 있다.In addition, the separation length W2 between the reflection unit 120 and the resin layer 140 may be 300 μm to 1 mm. However, the separation length W2 between the reflection unit 120 and the resin layer 140 may be changed depending on the width of the light source and the separation distance W1 between the light sources. By this configuration, the light emitted from the light source can be reflected by the reflection unit 120 and emitted toward the top. Accordingly, the lighting unit can be improved in light efficiency and uniformity.

그리고 기판(110) 상에 복수 개의 지지부(PO)가 배치될 수 있다. 지지부(PO)는 기판(110)과 차광층(또는 확산판)사이에 배치될 수 있다. 이러한 구성에 의하여, 지지부(PO)는 차광층(150)(또는 확산판(160))을 지지할 수 있다. 또한, 지지부(PO)는 창광층(150) 상부에 배치되는 확산판(160), 형광체층(170), 프리즘 시트(180), 프리즘 시트(180) 상에 배치되는 편광층(190)을 지지할 수 있다.In addition, a plurality of support parts PO may be disposed on the substrate 110. The support part PO may be disposed between the substrate 110 and the light blocking layer (or diffuser plate). By this configuration, the support part PO may support the light blocking layer 150 (or the diffusion plate 160). In addition, the support part PO supports the diffusion plate 160, the phosphor layer 170, the prism sheet 180, and the polarization layer 190 disposed on the prism sheet 180 disposed on the window light layer 150. can do.

도 8b를 참조하면, 광원(130)은 함녀이 사각형일 수 있다. 다만, 이러한 형상에 한정되는 것은 아니며, 앞서 설명한 바와 같이 패키지 형상에 따라 원형 또는 다각형일 수 있다. 그리고 레진층(140)은 광원(130)의 형상에 따라 다양한 형상(예컨대, 육각형, 원형, 타원형 등)일 수 있다.Referring to FIG. 8B, the light source 130 may have a square shape. However, the present invention is not limited to this shape, and may be circular or polygonal according to the package shape as described above. The resin layer 140 may have various shapes (eg, hexagonal, circular, elliptical, etc.) according to the shape of the light source 130.

또한, 레진층(140)의 폭(W4)은 광원(130)의 폭(W3)에 따라 다양하게 변경될 수 있다.In addition, the width W4 of the resin layer 140 may be variously changed according to the width W3 of the light source 130.

도 9a는 실시예에 따른 차광층 및 광학 패턴의 평면도이고, 도 9b는 도8a에서 BB'로 절단된 단면도이고, 도 9c 내지 도 9d는 광학 패턴의 평면도이다.9A is a plan view of a light blocking layer and an optical pattern according to an exemplary embodiment, FIG. 9B is a cross-sectional view taken along line BB ′ in FIG. 8A, and FIGS. 9C to 9D are plan views of optical patterns.

도 9a를 참조하면, 광학 패턴(151)은 복수 개의 광원과 마찬가지로 복수 개일 수 있다. 또한, 복수 개의 광학 패턴(151)은 이격 배치될 수 있으며, 앞서 설명한 바와 같이, 광학 패턴(151)은 하부에 배치된 광원의 중심축과 동일한 중심축을 가질 수 있다.Referring to FIG. 9A, the optical pattern 151 may be a plurality of like the plurality of light sources. In addition, the plurality of optical patterns 151 may be spaced apart from each other. As described above, the optical patterns 151 may have the same central axis as the central axis of the light source disposed below.

그리고 광학 패턴(151)의 최대 폭(W5)은 광원의 최대 폭(W3)보다 클 수 있다. 이러한 구성에 의하여, 제1 영역(S1)으로 방출된 광을 차광 및 확산하여 상부로 집중된 광에 의해 명부가 생기는 현상을 방지할 수 있다. The maximum width W5 of the optical pattern 151 may be larger than the maximum width W3 of the light source. By such a configuration, it is possible to shield and diffuse the light emitted to the first region S1, thereby preventing the phenomenon caused by light concentrated to the top.

이를 위해, 앞서 설명한 바와 같이, 광원에 대한 제1 영역(S1)은 광학 패턴(151)에 대한 제2 영역(S2)에 중첩될 수 있다.To this end, as described above, the first region S1 for the light source may overlap the second region S2 for the optical pattern 151.

또한, 광학 패턴(151)의 최대 폭(W5)은 광원 사이의 이격 거리(W1)보다 작을 수 있다. 이러한 구성에 의하여, 광학 패턴(151)이 광원과 광원 사이의 영역 상부로 출사되는 광을 차광하여 광 손실이 발생하는 현상을 방지할 수 있다. In addition, the maximum width W5 of the optical pattern 151 may be smaller than the separation distance W1 between the light sources. By such a configuration, it is possible to prevent the optical pattern 151 from blocking light emitted from the light source and the region between the light sources and generating light loss.

도 9b 내지 도 9d를 참조하면, 광학 패턴(151)은 차광층(150) 하부에 인쇄 스크린에 의해 형성될 수 있으며, 복수 개의 패턴층(151a, 151b, 151c)을 포함할 수 있다. 예컨대, 광학 패턴(151)은 제1 패턴층(151a), 제2 패턴층(151b), 제3 패턴층(151c)를 포함할 수 있다. 복수 개의 패턴층(151a, 151b, 151c)은 광원에 인접할수록 제2 방향으로 길이가 증가할 수 있다. 9B to 9D, the optical pattern 151 may be formed by a printing screen under the light blocking layer 150, and may include a plurality of pattern layers 151a, 151b, and 151c. For example, the optical pattern 151 may include a first pattern layer 151a, a second pattern layer 151b, and a third pattern layer 151c. The plurality of pattern layers 151a, 151b, and 151c may increase in length in the second direction as they are adjacent to the light source.

구체적으로, 복수 개의 패턴층(151a, 151b, 151c)에서 제1 패턴층(151a)은 광원으로부터 이격 거리가 가장 가장 크므로 제2 방향으로 폭(W5-1)이 가장 클 수 있다. 이에 따라, 제2 패턴층(151b), 제3 패턴층(151c) 순으로 광원으로 이격 거리가 작아지므로, 제2 방향으로의 폭도 제2 패턴층(151b)의 폭(W5-2), 제3 패턴층(151c)의 폭(W5-3) 순으로 작아질 수 있다.In detail, the first pattern layer 151a of the plurality of pattern layers 151a, 151b, and 151c has the largest separation distance from the light source, and thus may have the largest width W5-1 in the second direction. Accordingly, since the separation distance is reduced by the light source in the order of the second pattern layer 151b and the third pattern layer 151c, the width W5-2 and the width in the second direction of the second pattern layer 151b are made. The widths of the three pattern layers 151c may be decreased in order of W5-3.

먼저, 제1 패턴층(151A)의 최대 폭(W5-1)은 광원(130)의 지향각과 차광층과 기판 사이의 이격 거리(da)에 따라 제어될 수 있다. 여기서, 지향각은 광원의 최대 밝기를 기준으로 1/2배의 밝기가 되는 각도를 나타낸다. 예컨대, 광원(130)의 지향각(θ)이 커질수록 제1 패턴층(151A)의 최대 폭(W5-1)은 커질 수 있다. 또한, 차광층과 기판 사이의 이격 거리(da)가 커질수록 제1 패턴층(151A)의 최대 폭(W5-1)은 작아질 수 있다. 이에 대해, 제1 패턴층(151A)의 최대 폭(W5-1)은 아래 수학식 1에 의해 결정될 수 있다.First, the maximum width W5-1 of the first pattern layer 151A may be controlled according to the directivity angle of the light source 130 and the separation distance da between the light blocking layer and the substrate. Here, the directivity angle represents an angle at which the brightness is 1/2 times the maximum brightness of the light source. For example, as the direction angle θ of the light source 130 increases, the maximum width W5-1 of the first pattern layer 151A may increase. In addition, as the separation distance da between the light blocking layer and the substrate increases, the maximum width W5-1 of the first pattern layer 151A may decrease. In contrast, the maximum width W5-1 of the first pattern layer 151A may be determined by Equation 1 below.

Figure pat00001
Figure pat00001

(여기서, W5-1은 제1 패턴층(151A)의 최대 폭(W5-1)이고, da는 차광층과 기판 사이의 이격 거리이고, θ는 광원의 지향각이다)(W5-1 is the maximum width W5-1 of the first pattern layer 151A, da is the separation distance between the light shielding layer and the substrate, and θ is the orientation angle of the light source)

제1 패턴층(151a)의 최대 폭(W5-1)과 제2 패턴층(151b)의 최대 폭(W5-2) 사이의 폭의 비는 1:0.55 내지 1:0.65일 수 있다.The ratio of the width between the maximum width W5-1 of the first pattern layer 151a and the maximum width W5-2 of the second pattern layer 151b may be 1: 0.55 to 1: 0.65.

제1 패턴층(151a)의 최대 폭(W5-1)과 제2 패턴층(151b)의 최대 폭(W5-2) 사이의 폭의 비가 1:0.55보다 작은 경우, 제2 패턴층(151b)의 면적이 감소하여 제2 패턴층(151b)과 제1 패턴층(151a) 사이에 밝은 영역의 링(ring)이 생기는 문제가 존재한다.When the ratio of the width between the maximum width W5-1 of the first pattern layer 151a and the maximum width W5-2 of the second pattern layer 151b is smaller than 1: 0.55, the second pattern layer 151b There is a problem in that a bright area ring is formed between the second pattern layer 151b and the first pattern layer 151a by decreasing the area of the.

제1 패턴층(151a)의 최대 폭(W5-1)과 제2 패턴층(151b)의 최대 폭(W5-2) 사이의 폭의 비가 1:0.65보다 큰 경우, 제1 패턴층(151a)과 제2 패턴층(151b) 사이에 어두운 영역의 링(ring)이 발생하는 문제가 존재한다.When the ratio of the width between the maximum width W5-1 of the first pattern layer 151a and the maximum width W5-2 of the second pattern layer 151b is larger than 1: 0.65, the first pattern layer 151a There is a problem that a ring of a dark region occurs between the and the second pattern layer 151b.

제1 패턴층(151a)의 최대 폭(W5-1)과 제3 패턴층(151c)의 최대 폭(W5-2) 사이의 폭의 비는 1:0.35 내지 1:0.45일 수 있다.The ratio of the width between the maximum width W5-1 of the first pattern layer 151a and the maximum width W5-2 of the third pattern layer 151c may be 1: 0.35 to 1: 0.45.

제1 패턴층(151a)의 최대 폭(W5-1)과 제3 패턴층(151c)의 최대 폭(W5-2) 사이의 폭의 비가 1:0.35보다 작은 경우 제2 패턴층(151b)과 제3 패턴층(151c) 사이에 명부가 발생하는 한계가 존재하고, 제1 패턴층(151a)의 최대 폭(W5-1)과 제3 패턴층(151c)의 최대 폭(W5-2) 사이의 폭의 비가 1:0.45보다 큰 경우에 제2 패턴층(151b)과 제3 패턴층(151c) 사이에 암부가 발생하는 문제가 존재한다.When the ratio of the width between the maximum width W5-1 of the first pattern layer 151a and the maximum width W5-2 of the third pattern layer 151c is smaller than 1: 0.35, the second pattern layer 151b and There is a limit in which a roll occurs between the third pattern layers 151c, and between the maximum width W5-1 of the first pattern layer 151a and the maximum width W5-2 of the third pattern layer 151c. There is a problem that a dark portion occurs between the second pattern layer 151b and the third pattern layer 151c when the ratio of the width is larger than 1: 0.45.

또한, 상기 설명한 바와 같이, 제1 패턴층(151a), 제2 패턴층(151b), 제3 패턴층(151c)은 순서대로 최대 폭이 감소함에 따라, 복수 개의 패턴층(151a, 151b, 151c)은 제1 패턴층(151a), 제2 패턴층(151b), 제3 패턴층(151c) 순으로 갈수록 면적이 감소할 수 있다.In addition, as described above, the first pattern layer 151a, the second pattern layer 151b, and the third pattern layer 151c sequentially decrease in width, and thus, the plurality of pattern layers 151a, 151b, and 151c. ) May decrease in area in order of the first pattern layer 151a, the second pattern layer 151b, and the third pattern layer 151c.

이로써, 제1 패턴층(151a)은 노출되는 영역(S3-1)을 포함할 수 있다. 노출되는 영역(S3-1)은 제1 패턴층(151a)에서 제2 패턴층(151b)과 중첩되는 영역을 제외한 영역일 수 있다.As a result, the first pattern layer 151a may include an exposed region S3-1. The exposed region S3-1 may be a region other than the region overlapping the second pattern layer 151b in the first pattern layer 151a.

마찬가지로, 제2 패턴층(151b)은 노출되는 영역(S4-1)을 포함할 수 있다. 노출되는 영역(S4-1)은 제2 패턴층(151b)에서 제3 패턴층(151c)과 중첩되는 영역을 제외한 영역일 수 있다.Similarly, the second pattern layer 151b may include an exposed region S4-1. The exposed region S4-1 may be a region other than the region overlapping the third pattern layer 151c in the second pattern layer 151b.

제3 패턴층(151c)은 광학 패턴(151)의 최하부에 배치되어 전체가 노출되는 영역(S5-1)일 수 있다.The third pattern layer 151c may be a region S5-1 that is disposed at the lowermost portion of the optical pattern 151 and is entirely exposed.

제1 패턴층(151a)의 노출되는 영역(S3-1), 제2 패턴층(151b)의 노출되는 영역(S4-1), 제3 패턴층(151c)의 노출되는 영역(S5-1)은 각각 광원(130)으로부터 출사된 광을 반사할 수 있다. 또한, 제1 패턴층(151a)의 노출되는 영역(S3-1), 제2 패턴층(151b)의 노출되는 영역(S4-1), 제3 패턴층(151c)의 노출되는 영역(S5-1)은 순서대로 광원(130)으로부터 이격 거리가 커지므로 광원(130)으로부터 출사된 광에 대한 반사율이 커질 수 있다.Exposed areas S3-1 of the first pattern layer 151a, exposed areas S4-1 of the second pattern layer 151b, and exposed areas S5-1 of the third pattern layer 151c. Each may reflect light emitted from the light source 130. In addition, the exposed region S3-1 of the first pattern layer 151a, the exposed region S4-1 of the second pattern layer 151b, and the exposed region S5- of the third pattern layer 151c. 1), since the separation distance from the light source 130 increases in order, the reflectance of light emitted from the light source 130 may increase.

즉, 제1 패턴층(151a)의 노출되는 영역(S3-1)은 광에 대한 반사율이 70% 내지 78%이고, 제2 패턴층(151b)의 노출되는 영역(S4-1)은 광에 대한 반사율이 78% 내지 83%이고, 제3 패턴층(151c)의 노출되는 영역(S5-1)은 광에 대한 반사율이 83% 내지 90%일 수 있다. 이로써, 광원으로부터 출사된 광이 거리에 따라 복수 개의 패턴층에서 반사되는 광이 제어됨에 따라, 실시예에 따른 조명 유닛은 광 균일도를 개선할 수 있다.That is, the region S3-1 of the exposed first pattern layer 151a has a reflectance of 70% to 78% for light, and the region S4-1 of the exposed second pattern layer 151b is exposed to light. The reflectance is 78% to 83% and the exposed region S5-1 of the third pattern layer 151c may have a reflectance to light of 83% to 90%. Thus, as the light emitted from the light source is reflected by the plurality of pattern layers according to the distance is controlled, the illumination unit according to the embodiment can improve the light uniformity.

그리고 제1 패턴층(151a)은 면적(S3)이 광학 패턴(151)의 전체 면적과 동일할 수 있다. 즉, 제1 패턴층(151a)의 면적(S3)은 제2 영역(S2)의 면적과 동일할 수 있다.이러한 구성에 의하여, 광학 패턴(151)은 중심축에서 두께가 가장 클 수 있다. 또한, 광학 패턴(151)은 중심축을 기준으로 제1 방향(y축 방향)으로 두께(d2)가 커질 수 있다. 광학 패턴(151)은 중심축을 기준으로 단차를 형성하면서 두께가 커질 수 있다. 다만, 이러한 구성에 한정되는 것은 아니며, 소정의 기울기로 두께가 커질 수 있다.In addition, the area S3 of the first pattern layer 151a may be equal to the total area of the optical pattern 151. That is, the area S3 of the first pattern layer 151a may be the same as the area of the second area S2. With this configuration, the optical pattern 151 may have the largest thickness on the central axis. In addition, the optical pattern 151 may have a thickness d2 in the first direction (y-axis direction) with respect to the central axis. The optical pattern 151 may increase in thickness while forming a step with respect to the central axis. However, the configuration is not limited thereto, and the thickness may be increased by a predetermined slope.

이러한 구성에 의하여, 광원의 상부로 광이 집중되고, 광의 간섭에 의해 명부가 발생하는 현상이 방지될 수 있다. 이로써, 실시예에 따른 조명 유닛은 광 균일도가 개선될 수 있다.By such a configuration, light can be concentrated on the upper part of the light source, and a phenomenon in which light occurs due to interference of light can be prevented. As a result, the lighting unit according to the embodiment may improve light uniformity.

또한, 일예로 조명 유닛은 확산판과 기판 사이의 이격 거리가 작아질수록 제1 패턴층(151a)의 두께(d3), 제2 패턴층(151b)의 두께(d4), 제3 패턴층(151c)의 두께(d5)는 0.008mm 내지 0.01mm일 수 있다. 각 패턴층의 두께는 차광층과 기판 사이의 이격 거리(da)에 의해 변경될 수 있다. 구체적으로, 차광층과 기판 사이의 이격 거리(da)와 광학 패턴(151)의 최대 두께(d2) 간의 길이 비는 1:0.08 내지 1:0.1일 수 있다. 차광층과 기판 사이의 이격 거리(da)와 광학 패턴(151)의 최대 두께(d2) 간의 길이 비가 1:0.08보다 작은 경우, 광학 패턴(151)에서 광원(130)으로부터 출사된 광의 반사율이 감소하여 균일도가 감소하고, 이에 따라 광원과 광원 사이에 암부가 발생할 수 있다. 또한, 차광층과 기판 사이의 이격 거리(da)와 광학 패턴(151)의 최대 두께(d2) 간의 길이 비가 1:0.1보다 큰 경우, 광학 패턴(151)에서 광원(130)으로부터 출사된 광을 흡수하여 광효율이 저감하는 한계가 존재한다.For example, as the distance between the diffusion plate and the substrate decreases, the lighting unit may have a thickness d3 of the first pattern layer 151a, a thickness d4 of the second pattern layer 151b, and a third pattern layer ( The thickness d5 of 151c may be 0.008 mm to 0.01 mm. The thickness of each pattern layer may be changed by the separation distance da between the light blocking layer and the substrate. Specifically, the length ratio between the separation distance da between the light blocking layer and the substrate and the maximum thickness d2 of the optical pattern 151 may be 1: 0.08 to 1: 0.1. When the length ratio between the separation distance da between the light shielding layer and the substrate and the maximum thickness d2 of the optical pattern 151 is smaller than 1: 0.08, the reflectance of the light emitted from the light source 130 in the optical pattern 151 is reduced. As a result, uniformity may be reduced, and dark portions may occur between the light source and the light source. In addition, when the length ratio between the separation distance da between the light shielding layer and the substrate and the maximum thickness d2 of the optical pattern 151 is greater than 1: 0.1, the light emitted from the light source 130 in the optical pattern 151 is extracted. There is a limit to absorb and reduce the light efficiency.

. 이에 따라, 확산판과 기판 사이의 이격 거리가 작아질수록 광원의 상부로 광이 집중되는 현상이 강해지므로, 중심축(C)에 대한 광 집중도가 커지나, 광학 패턴(151)의 두께도 중심축(C)에 인접할수록 증가하여 광이 집중되는 현상을 방지할 수 있다.. Accordingly, the smaller the separation distance between the diffuser plate and the substrate, the stronger the phenomenon that light is concentrated on the upper portion of the light source. Therefore, the light concentration of the central axis C increases, but the thickness of the optical pattern 151 is also the central axis. It increases as it adjoins (C) and can prevent the phenomenon which light concentrates.

즉, 상기에서 설명한 조명 유닛은 확산판과 기판 사이의 이격 거리(d1)와 광원 사이의 이격 거리(W1) 간의 길이 비를 제어하거나, 광학 패턴의 두께 제어로 균일한 면광원을 구현할 수 있다.That is, the above-described lighting unit may control the length ratio between the separation distance d1 between the diffuser plate and the substrate and the separation distance W1 between the light source, or implement a uniform surface light source by controlling the thickness of the optical pattern.

도 10a는 제2 실시예에 따른 조명 유닛의 단면도이고, 도 10b는 제3 실시예에 따른 조명 유닛의 단면도이고, 도 10c는 제4 실시예에 따른 조명 유닛의 단면도이고, 도 10d는 제5 실시예에 따른 조명 유닛의 단면도이고, 도 10e는 제6 실시예에 따른 조명 유닛의 단면도이다.10A is a sectional view of a lighting unit according to a second embodiment, FIG. 10B is a sectional view of a lighting unit according to a third embodiment, FIG. 10C is a sectional view of a lighting unit according to a fourth embodiment, and FIG. 10D is a fifth 10 is a cross-sectional view of the lighting unit according to the embodiment, and FIG. 10E is a cross-sectional view of the lighting unit according to the sixth embodiment.

먼저, 도 10a를 참조하면, 제2 실시예에 따른 조명 유닛은 에어층(A)이 제1 에어층(A1)으로 이루어진 구조일 수 있다. 앞서 언급한 바와 같이, 레진층(140)이 기판 또는 반사 유닛 상에 배치될 수 있다. 그리고 레진층(140)은 광원(130) 및 반사 유닛(120)의 상면보다 큰 두께를 가질 수 있다. 이에 따라, 레진층(140)은 반사 유닛(120)과 광원(130)을 덮을 수 있다. First, referring to FIG. 10A, the lighting unit according to the second embodiment may have a structure in which the air layer A includes the first air layer A1. As mentioned above, the resin layer 140 may be disposed on the substrate or the reflective unit. The resin layer 140 may have a thickness greater than the top surfaces of the light source 130 and the reflection unit 120. Accordingly, the resin layer 140 may cover the reflective unit 120 and the light source 130.

이러한 구성에 의하여, 레진층(140)은 광 확산을 향상시켜 광 효율을 개선하면서 반사 유닛(120)과 광원(130)을 보호하여 신뢰성을 개선할 수 있다.By such a configuration, the resin layer 140 may improve light diffusion to improve light efficiency while protecting the reflection unit 120 and the light source 130 to improve reliability.

이외에 도 2에서 설명한 구조는 동일하게 적용될 수 있다.In addition, the structure described in FIG. 2 may be equally applied.

도 10b를 참조하면, 제3 실시예에 따른 조명 유닛은 광원(130) 상부에 반사층(221)이 배치될 수 있다. 예컨대, 반사층(221)은 DBR(Distributed Bragg Reflector)일 수 있으며, 금속, 산화물을 포함할 수 있다. 예컨대, 반사층(221)은 TiO2로 이루어질 수 있으나, 이러한 재질에 한정되는 것은 아니다.Referring to FIG. 10B, in the lighting unit according to the third exemplary embodiment, a reflective layer 221 may be disposed on the light source 130. For example, the reflective layer 221 may be a distributed bragg reflector (DBR), and may include a metal and an oxide. For example, the reflective layer 221 may be made of TiO 2 , but is not limited thereto.

반사층(221)은 도 4에서 투명 기판(1010) 상에 배치될 수 있다. 반사층(221)은 투명 기판(1010)을 통해 방출되는 광을 일부 투과(L1)하고 나머지는 반사(L2)할 수 있다. 반사층(221)은 투과율이 반사율보다 낮을 수 있다. 예컨대, 반사층(221)은 투과율이 35% 내지 45%이고, 반사율이 55% 내지 65%일 수 있다.The reflective layer 221 may be disposed on the transparent substrate 1010 in FIG. 4. The reflective layer 221 may partially transmit (L1) the light emitted through the transparent substrate 1010 and reflect the others (L2). The reflective layer 221 may have a transmittance lower than the reflectance. For example, the reflective layer 221 may have a transmittance of 35% to 45% and a reflectance of 55% to 65%.

또한, 반사층(221)이 DBR인 경우, 광은 방출 방향에 따라 투과되거나 반사될 수 있다. 이와 같이, 광원(130)에서 방출되는 광은 일부만 상부로 투과되므로 반사층(221)은 광이 광원(130) 상부에 집중되는 현상을 완화할 수 있다. 이로써, 조명 유닛은 광 균일도를 개선할 수 있다. In addition, when the reflective layer 221 is DBR, light may be transmitted or reflected depending on the emission direction. As such, since only a portion of the light emitted from the light source 130 is transmitted upward, the reflective layer 221 may alleviate a phenomenon in which light is concentrated on the light source 130. In this way, the illumination unit can improve the light uniformity.

도 10c를 참조하면, 제4 실시예에 따른 조명 유닛은 도 2의 조명 유닛에서 차광층(150)과 차광층(150) 하부의 광학 패턴(151)이 제거된 구조일 수 있다.Referring to FIG. 10C, the lighting unit according to the fourth embodiment may have a structure in which the light blocking layer 150 and the optical pattern 151 under the light blocking layer 150 are removed from the lighting unit of FIG. 2.

즉, 제4 실시예에 따른 조명 유닛은 기판(110), 기판(110) 상에 배치되는 반사 유닛(120), 기판(110) 상에 배치되는 복수 개의 광원(130), 기판(110) 상에 배치되어 복수 개의 광을 덮는 레진층(140), 레진층(140) 상에 배치되는 확산판(160), 확산판(160) 상에 배치되는 형광체층(170), 형광체층(170) 상에 배치되는 프리즘 시트(180), 프리즘 시트(180) 상에 배치되는 편광층(190)을 포함하는 구조를 가질 수 있다.That is, the lighting unit according to the fourth exemplary embodiment includes a substrate 110, a reflection unit 120 disposed on the substrate 110, a plurality of light sources 130 disposed on the substrate 110, and a plurality of light sources 130 disposed on the substrate 110. On the resin layer 140 disposed on the plurality of lights, the diffusion plate 160 disposed on the resin layer 140, the phosphor layer 170 disposed on the diffusion plate 160, and the phosphor layer 170. It may have a structure including a prism sheet 180 disposed on the polarizing layer 190 disposed on the prism sheet 180.

앞서 도 2 내지 도 3에서 설명한 바와 같이, 확산판(160)과 기판(110) 사이의 이격 거리(d1) 및 광원(130) 사이의 이격 거리(W1)를 조절하여, 광 균일도를 개선할 수 있다. 또한, 제2 에어층(A2)을 통해 광 효율을 개선할 수 있다.As described above with reference to FIGS. 2 and 3, by adjusting the separation distance d1 between the diffusion plate 160 and the substrate 110 and the separation distance W1 between the light source 130, the light uniformity may be improved. have. In addition, the light efficiency may be improved through the second air layer A2.

도 10d를 참조하면, 제5 실시예에 따른 조명 유닛은 도 10c에서 광원(130) 상부에 반사층(221)이 배치될 수 있다. 앞서 도 10b와 마찬가지로, 반사층(221)은 DBR(Distributed Bragg Reflector)일 수 있으며, 금속, 산화물을 포함할 수 있다. 예컨대, 반사층(221)은 TiO2로 이루어질 수 있으나, 이러한 재질에 한정되는 것은 아니다.Referring to FIG. 10D, in the lighting unit according to the fifth embodiment, a reflective layer 221 may be disposed on the light source 130 in FIG. 10C. As shown in FIG. 10B, the reflective layer 221 may be a distributed bragg reflector (DBR), and may include a metal and an oxide. For example, the reflective layer 221 may be made of TiO 2 , but is not limited thereto.

반사층(221)은 도 4에서 투명 기판(1010) 상에 배치될 수 있다. 반사층(221)은 투명 기판(1010)을 통해 방출되는 광을 일부 투과(L1)하고 나머지는 반사(L2)할 수 있다. 반사층(221)은 투과율이 반사율보다 낮을 수 있다. 예컨대, 반사층(221)은 투과율이 35% 내지 45%이고, 반사율이 55% 내지 65%일 수 있다.The reflective layer 221 may be disposed on the transparent substrate 1010 in FIG. 4. The reflective layer 221 may partially transmit (L1) the light emitted through the transparent substrate 1010 and reflect the others (L2). The reflective layer 221 may have a transmittance lower than the reflectance. For example, the reflective layer 221 may have a transmittance of 35% to 45% and a reflectance of 55% to 65%.

또한, 반사층(221)이 DBR인 경우, 광은 방출 방향에 따라 투과되거나 반사될 수 있다. 이와 같이, 광원(130)에서 방출되는 광은 일부만 상부로 투과되므로 반사층(221)은 광이 광원(130) 상부에 집중되는 현상을 완화할 수 있다. 이로써, 조명 유닛은 광 균일도를 개선할 수 있다. 반사층(221) 이외의 구성은 도 10c와 동일하게 적용될 수 있다.In addition, when the reflective layer 221 is DBR, light may be transmitted or reflected depending on the emission direction. As such, since only a portion of the light emitted from the light source 130 is transmitted upward, the reflective layer 221 may alleviate a phenomenon in which light is concentrated on the light source 130. In this way, the illumination unit can improve the light uniformity. Configurations other than the reflective layer 221 may be applied in the same manner as in FIG. 10C.

도 10e를 참조하면, 제6 실시예에 따른 조명 유닛은 도 10c의 조명 유닛에서 레진층(140) 상에 배치되는 반사층(211')을 더 포함하는 구조일 수 있다.Referring to FIG. 10E, the lighting unit according to the sixth exemplary embodiment may further include a reflective layer 211 ′ disposed on the resin layer 140 in the lighting unit of FIG. 10C.

반사층(211')은 앞서 도 10b와 도 10d에서 설명한 바와 같이 광원(130)에서 방출되는 광을 투과 및 반사할 수 있다. 마찬가지로 반사층(221')은 DBR(Distributed Bragg Reflector)일 수 있으며, 금속, 산화물을 포함할 수 있다. 예컨대, 반사층(221)은 TiO2로 이루어질 수 있으나, 이러한 재질에 한정되는 것은 아니다.The reflective layer 211 ′ may transmit and reflect light emitted from the light source 130 as described above with reference to FIGS. 10B and 10D. Similarly, the reflective layer 221 ′ may be a distributed bragg reflector (DBR) and may include a metal and an oxide. For example, the reflective layer 221 may be made of TiO 2 , but is not limited thereto.

또한, 반사층(221)은 도 4에서 투명 기판(1010) 상에 배치될 수 있으므로, 반사층(221)은 투명 기판(1010)을 통해 방출되는 광을 일부 투과(L1')하고 나머지는 반사(L2')할 수 있다. 반사층(221)은 투과율이 반사율보다 낮을 수 있다. 예컨대, 반사층(221)은 투과율이 35% 내지 45%이고, 반사율이 55% 내지 65%일 수 있다.In addition, since the reflective layer 221 may be disposed on the transparent substrate 1010 in FIG. 4, the reflective layer 221 partially transmits the light emitted through the transparent substrate 1010 (L1 ′), and the others reflect the L2. ')can do. The reflective layer 221 may have a transmittance lower than the reflectance. For example, the reflective layer 221 may have a transmittance of 35% to 45% and a reflectance of 55% to 65%.

이와 같이, 광원(130)에서 방출되는 광은 일부만 상부로 투과되므로 반사층(221)은 광이 광원(130) 상부에 집중되는 현상을 완화할 수 있다. 이에 따라, 조명 유닛은 광 균일도를 개선할 수 있다.As such, since only a portion of the light emitted from the light source 130 is transmitted upward, the reflective layer 221 may alleviate a phenomenon in which light is concentrated on the light source 130. Thus, the illumination unit can improve the light uniformity.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the above description has been made based on the embodiments, these are merely examples and are not intended to limit the present invention. Those skilled in the art to which the present invention pertains may not have been exemplified above without departing from the essential characteristics of the present embodiments. It will be appreciated that many variations and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

Claims (10)

기판;
상기 기판 상에 배치되는 복수 개의 광원;
상기 기판 상에 배치되어 상기 복수 개의 광원을 덮는 레진층;
상기 레진층 상에 배치되는 에어층;
상기 레진층 상에 배치되는 차광층; 및
상기 차광층과 상기 레진층 사이에 배치되는 광학 패턴;을 포함하고,
상기 광학 패턴은 중심축이 상기 복수 개의 광원의 중심축과 각각 동일하며, 상기 중심축에서 두께가 가장 큰 조명 유닛.
Board;
A plurality of light sources disposed on the substrate;
A resin layer disposed on the substrate to cover the plurality of light sources;
An air layer disposed on the resin layer;
A light blocking layer disposed on the resin layer; And
And an optical pattern disposed between the light blocking layer and the resin layer.
And the optical pattern has a central axis equal to the central axis of the plurality of light sources, respectively, and has the largest thickness in the central axis.
제1항에 있어서,
상기 차광층과 기판 사이의 이격 거리와 상기 광학 패턴의 최대 두께 간의 길이 비는 1:0.08 내지 1:0.1인 조명 유닛.
The method of claim 1,
And a length ratio between the separation distance between the light shielding layer and the substrate and the maximum thickness of the optical pattern is from 1: 0.08 to 1: 0.1.
제1항에 있어서,
상기 광학 패턴은 상기 중심축을 기준으로 대칭 형태인 조명 유닛.
The method of claim 1,
And the optical pattern is symmetrical with respect to the central axis.
제1항에 있어서,
상기 기판 상에 배치되고 홀을 포함하는 반사유닛을 포함하고,
상기 복수 개의 광원은 상기 홀에 배치되는 조명 유닛
The method of claim 1,
A reflection unit disposed on the substrate and including a hole;
The plurality of light sources are lighting units disposed in the hall
제1항에 있어서,
상기 복수 개의 광원은 상기 광학 패턴과 두께 방향으로 중첩되는 조명 유닛.
The method of claim 1,
And the plurality of light sources overlap the optical pattern in a thickness direction.
제1항에 있어서,
상기 광학 패턴은 상기 중심축을 기준으로 대칭 형태인 조명 유닛.
The method of claim 1,
And the optical pattern is symmetrical with respect to the central axis.
제1항에 있어서,
상기 광학 패턴은 복수 개의 패턴층을 포함하고,
상기 복수 개의 패턴층은 상기 광원에 인접할수록 폭이 감소하는 조명 유닛.
The method of claim 1,
The optical pattern includes a plurality of pattern layers,
And the plurality of pattern layers decrease in width closer to the light source.
제1항에 있어서,
상기 광학 패턴은 상기 광원에 인접할수록 두께가 커지는 조명 유닛.
The method of claim 1,
And the optical pattern is larger in thickness as it is adjacent to the light source.
제1항에 있어서,
상기 광학 패턴은 TiO2, CaCO3, BaSO4, Al2O3, Silicon, PS 중 어느 하나 이상의 물질을 포함하는 조명 유닛.
The method of claim 1,
The optical pattern includes an illumination unit including any one or more of TiO 2, CaCO 3, BaSO 4, Al 2 O 3, Silicon, and PS.
제1항에 있어서,
상기 광학 패턴의 최대 폭은 상기 광원의 최대 폭보다 크고, 인접한 상기 복수 개의 광원 사이의 이격 거리보다 작은 조명 유닛.
The method of claim 1,
And a maximum width of the optical pattern is greater than a maximum width of the light source and smaller than a separation distance between the plurality of adjacent light sources.
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