KR20190078941A - Polishing pad and method of processing wafer using the same - Google Patents

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KR20190078941A KR1020170180750A KR20170180750A KR20190078941A KR 20190078941 A KR20190078941 A KR 20190078941A KR 1020170180750 A KR1020170180750 A KR 1020170180750A KR 20170180750 A KR20170180750 A KR 20170180750A KR 20190078941 A KR20190078941 A KR 20190078941A
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Abstract

According to the present invention, a polishing pad and a method of processing a wafer using the same are provided. According to an embodiment of the present invention, the polishing pad comprises: a first pad; and a protrusion provided on a first surface of the first pad. The protrusion may be provided to an edge region of the first pad in a plane view.

Description

연마 패드 및 이를 사용한 웨이퍼 가공 방법 {Polishing pad and method of processing wafer using the same}[0001] The present invention relates to a polishing pad and a wafer processing method using the polishing pad,

본 발명은 연마 패드, 보다 구체적으로 웨이퍼의 연마에 사용되는 연마 패드에 관한 것이다. The present invention relates to a polishing pad, and more particularly to a polishing pad used for polishing a wafer.

집적 회로는 일반적으로 웨이퍼 상에 도체, 반도체 또는 절연체를 연속하여 증착하여 형성된다. 각각의 층이 증착된 후, 각 층은 회로 특성을 부여하기 위해 에칭된다. 층들이 연속적으로 증착되고 에칭됨에 따라, 웨이퍼의 노출면은 점점 거칠어진다. 웨이퍼의 노출면이 편평하게 되도록, 주기적으로 노출면을 평탄화시킬 필요가 있다. 화학적 기계적 연마 방법이 사용되어, 웨이퍼가 평탄화될 수 있다. 상기 화학적 기계적 연마 방법에서 연마 패드를 사용하여, 웨이퍼가 연마될 수 있다. An integrated circuit is generally formed by successively depositing a conductor, a semiconductor, or an insulator on a wafer. After each layer is deposited, each layer is etched to impart circuit characteristics. As the layers are continuously deposited and etched, the exposed surface of the wafer becomes increasingly rough. It is necessary to planarize the exposed surface periodically so that the exposed surface of the wafer becomes flat. A chemical mechanical polishing method may be used to planarize the wafer. Using the polishing pad in the chemical mechanical polishing method, the wafer can be polished.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 수명이 증가된 연마 패드를 제공하는 것에 있다. A problem to be solved by the present invention is to provide a polishing pad having an increased life.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 공정 시간이 단축된 웨이퍼 연마 방법을 제공하는 것에 있다. A problem to be solved by the present invention is to provide a wafer polishing method in which the process time is shortened.

본 발명은 연마 패드 및 이를 사용한 웨이퍼 가공 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시예들에 따르면, 연마 패드는 제1 패드; 및 상기 제1 패드의 상기 제1 면 상에 제공된 돌출부를 포함할 수 있다. 상기 돌출부는 평면적 관점에서 상기 제1 패드의 엣지 영역에 제공될 수 있다. The present invention relates to a polishing pad and a wafer processing method using the same. According to embodiments of the present invention, the polishing pad comprises a first pad; And a protrusion provided on the first surface of the first pad. The projection may be provided in an edge region of the first pad in plan view.

본 발명의 실시예들에 따르면, 연마 패드는 그루브가 제공된 상면; 상기 상면과 대향되고, 평면적 관점에서 센터 영역에 해당하는 제1 하면; 및 상기 상면과 대향되고, 평면적 관점에서 엣지 영역에 해당하는 제2 하면을 갖되, 상기 제2 하면은 상기 제1 하면보다 낮은 레벨에 배치될 수 있다. According to embodiments of the present invention, the polishing pad comprises a top surface provided with a groove; A first surface opposed to the upper surface and corresponding to a center area in plan view; And a second lower surface opposed to the upper surface and corresponding to an edge region in plan view, and the second lower surface may be disposed at a lower level than the first lower surface.

본 발명의 실시예들에 따르면, 웨이퍼 가공 방법은 제1 패드 및 돌출부를 포함하는 연마 패드를 준비하는 것, 상기 돌출부는 상기 제1 패드의 제1 면의 엣지 영역 상에 제공되고; 상기 연마 패드를 플래튼 상에 배치하는 것, 상기 제1 패드의 상기 제1 면은 상기 플래튼을 향하고; 및 상기 연마 패드를 사용하여 웨이퍼를 연마하는 것을 포함할 수 있다. 상기 연마 패드를 상기 플래튼 상에 배치하는 것은 상기 연마 패드의 상기 돌출부를 상기 플레튼의 측벽 상에 제공하는 것을 포함할 수 있다. According to embodiments of the present invention, a wafer processing method includes providing a polishing pad comprising a first pad and a projection, the projection being provided on an edge region of a first side of the first pad; Disposing the polishing pad on a platen, the first side of the first pad facing the platen; And polishing the wafer using the polishing pad. Arranging the polishing pad on the platen may include providing the projection of the polishing pad on a sidewall of the platen.

본 발명에 따르면, 연마 패드는 돌출부를 포함할 수 있다. 연마 패드가 플래튼의 상면 상에 제공될 수 있다. 이 때, 돌출부는 플래튼의 측벽 상에 제공될 수 있다. 돌출부에 의해 연마 패드가 플래튼에 정확하고 빠르게 정렬될 수 있다. 이에 따라, 공정 시간이 단축될 수 있다. 연마 패드는 돌출부에 의해 플래튼에 견고하게 고정될 수 있다. According to the present invention, the polishing pad may include protrusions. A polishing pad may be provided on the upper surface of the platen. At this time, the projection may be provided on the side wall of the platen. The projections can accurately and quickly align the polishing pad to the platen. Thus, the process time can be shortened. The polishing pad can be firmly fixed to the platen by the projection.

돌출부에 의해 연마 패드가 플래튼 상에서 아래로 휘어지는 것이 방지될 수 있다. 돌출부에 의해 연마 패드의 과도하게 마모되는 것이 방지되어, 연마 패드의 수명이 증가될 수 있다. The projection can prevent the polishing pad from bending down on the platen. It is possible to prevent the abrasive pad from being excessively abraded by the projection, so that the life of the polishing pad can be increased.

도 1a는 실시예들에 따른 연마 패드를 도시한 평면도이다.
도 1b는 실시예들에 따른 연마 패드의 그루브들을 도시한 도면이다.
도 1c는 도 1a의 Ⅰ-Ⅱ선을 따라 자른 단면이다.
도 2는 실시예들에 따른 연마 패드를 도시한 단면도이다.
도 3a는 실시예들에 따른 연마 패드를 도시한 평면도이다.
도 3b는 도 3a의 Ⅰ-Ⅱ선을 따라 자른 단면이다.
도 3c는 실시예들에 따른 접착층의 부착 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 실시예들에 따른 웨이퍼의 연마 방법을 나타낸 순서도이다.
도 5는 실시예들에 따른 연마 방법을 설명하기 위한 사시도이다.
도 6은 플래튼에 결합된 연마 패드를 도시한 단면도이다. 1A is a plan view showing a polishing pad according to the embodiments.
1B is a view showing the grooves of the polishing pad according to the embodiments.
1C is a cross section taken along the line I-II in FIG. 1A.
2 is a cross-sectional view showing a polishing pad according to the embodiments.
3A is a plan view showing a polishing pad according to the embodiments.
FIG. 3B is a section cut along the line I-II in FIG. 3A.
3C is a view for explaining a method of attaching the adhesive layer according to the embodiments.
4 is a flowchart showing a polishing method of a wafer according to the embodiments.
5 is a perspective view for explaining a polishing method according to the embodiments.
6 is a cross-sectional view showing the polishing pad bonded to the platen.

첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다. 명세서 전문에 걸쳐 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭할 수 있다.Embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Like reference characters throughout the specification may refer to the same elements.

본 발명의 개념에 따른 연마 패드 및 이를 사용한 웨이퍼 가공 방법을 설명한다. A polishing pad according to the concept of the present invention and a wafer processing method using the polishing pad will be described.

도 1a는 실시예들에 따른 연마 패드를 도시한 평면도이다. 도 1b는 실시예들에 따른 연마 패드의 그루브들을 도시한 도면으로, 연마 패드의 상면을 보여준다. 도 1c는 도 1a의 Ⅰ-Ⅱ선을 따라 자른 단면이다. 1A is a plan view showing a polishing pad according to the embodiments. Figure 1B shows grooves of the polishing pad according to embodiments, showing the top surface of the polishing pad. 1C is a cross section taken along the line I-II in FIG. 1A.

도 1a 내지 도 1c를 참조하면, 연마 패드(10)는 제1 패드(100) 및 돌출부(300)를 포함할 수 있다. 제1 패드(100)는 다수의 포어들을 가질 수 있다. 제1 패드(100)는 예를 들어, 폴리우레탄과 같은 폴리머를 포함할 수 있다. 연마 패드(10)의 포어들은 연마 대상의 화학적 기계적 연마를 위한 슬러리를 수용할 수 있다. 연마 대상은 웨이퍼일 수 있다. 1A through 1C, the polishing pad 10 may include a first pad 100 and a protrusion 300. The first pad 100 may have a plurality of pores. The first pad 100 may comprise, for example, a polymer such as polyurethane. The pores of the polishing pad 10 may receive a slurry for chemical mechanical polishing of the object to be polished. The object to be polished may be a wafer.

제1 패드(100)는 서로 대향하는 제1 면(100a) 및 제2 면(100b)을 가질 수 있다. 제1 패드(100)의 제2 면(100b)은 연마 패드(10)의 상면에 해당할 수 있다. 제1 패드(100)의 제2 면(100b)은 연마면으로 기능할 수 있다. 예를 들어, 제1 패드(100)는 제2 면(100b)은 연마 대상과 접촉하여, 연마 대상을 연마할 수 있다. 제1 패드(100)의 제2 면(100b)은 비교적 거칠 수 있다. 제1 패드(100)의 제2 면(100b)은 연마 패드(10)의 상면에 해당할 수 있다. 제1 패드(100)는 균일한 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 패드(100)의 센터 영역의 최대 두께는 제1 패드(100)의 엣지 영역의 최대 두께와 동일 또는 유사할 수 있다. 제1 패드(100)의 제2 면(100b)은 휘어지지 않을 수 있다. 예를 들어, 제1 패드(100)의 제2 면(100b)의 엣지 영역의 최상부는 센터 영역의 최상부와 실질적으로 동일한 레벨에 배치될 수 있다. 이 때, 제1 패드(100)의 제2 면(100b)의 엣지 영역은 돌출부(300)와 중첩되는 영역을 의미할 수 있다. 실질적으로 동일한 레벨에 배치된다는 것은 공정상 발생할 수 있는 의도하지 않은 오차 범위를 포함할 수 있다. The first pad 100 may have a first surface 100a and a second surface 100b opposite to each other. The second surface 100b of the first pad 100 may correspond to the upper surface of the polishing pad 10. [ The second surface 100b of the first pad 100 may function as a polishing surface. For example, the second surface 100b of the first pad 100 may be in contact with the object to be polished to polish the object to be polished. The second surface 100b of the first pad 100 may be relatively rough. The second surface 100b of the first pad 100 may correspond to the upper surface of the polishing pad 10. [ The first pad 100 may have a uniform thickness. For example, the maximum thickness of the center region of the first pad 100 may be the same or similar to the maximum thickness of the edge region of the first pad 100. The second surface 100b of the first pad 100 may not be bent. For example, the top of the edge area of the second surface 100b of the first pad 100 may be disposed at substantially the same level as the top of the center area. In this case, the edge area of the second surface 100b of the first pad 100 may mean an area overlapping the protrusion 300. [ Arrangement at substantially the same level may include unintentional error ranges that can occur in the process.

그루브들(210)이 제1 패드(100)의 제2 면(100b) 상에 제공될 수 있다. 도 1b와 같이 그루브들(210) 중 일부는 연마 패드(10)의 센터로부터 엣지를 향해 연장될 수 있다. 그루브들(210) 중 다른 일부는 동심원(concentric　circle)의 형상으로 배열될 수 있다. 도시된 바와 달리, 그루브들(210)은 나선형의 형상들을 가질 수 있다. 그루브들(210)의 평면적 형상은 다양하게 변형될 수 있다. 연마 공정 동안, 그루브들(210)은 슬러리의 통로로 제공될 수 있다. Grooves 210 may be provided on the second surface 100b of the first pad 100. [ 1B, some of the grooves 210 may extend from the center of the polishing pad 10 toward the edge. Other portions of the grooves 210 may be arranged in the form of concentric circles. Unlike what is shown, the grooves 210 may have helical shapes. The planar shape of the grooves 210 can be variously modified. During the polishing process, the grooves 210 may be provided as passages for the slurry.

돌출부(300)가 제1 패드(100)의 제1 면(100a) 상에 제공될 수 있다. 제1 패드(100)의 제1 면(100a)은 비교적 편평할 수 있다. 도 1a와 같이 돌출부(300)는 평면적 관점에서 제1 패드(100)의 제1 면(100a)의 엣지 영역과 중첩될 수 있다. 돌출부(300)는 폐루프의 형상을 가질 수 있다. 돌출부(300)는 제1 패드(100)의 제1 면(100a)의 센터 영역을 노출시킬 수 있다. 돌출부(300)의 높이(H)는 대략 1mm 이상, 예를 들어, 1mm 내지 100mm일 수 있다. 돌출부(300)의 하부면(300a)은 제1 패드(100)의 제1 면(100a)과 다른 레벨에 제공될 수 있다. 예를 들어, 돌출부(300)의 하부면(300a)은 제1 패드(100)의 제1 면(100a)보다 낮은 레벨에 제공될 수 있다. 돌출부(300)의 너비(W)는 대략 2mm 내지 5mm일 수 있다. A protrusion 300 may be provided on the first surface 100a of the first pad 100. [ The first surface 100a of the first pad 100 may be relatively flat. As shown in FIG. 1A, the protrusion 300 may overlap the edge region of the first surface 100a of the first pad 100 in plan view. The protrusion 300 may have the shape of a closed loop. The protrusion 300 may expose the center area of the first surface 100a of the first pad 100. [ The height H of the protrusion 300 can be about 1 mm or more, for example, 1 mm to 100 mm. The lower surface 300a of the protrusion 300 may be provided at a different level from the first surface 100a of the first pad 100. [ For example, the lower surface 300a of the protrusion 300 may be provided at a lower level than the first surface 100a of the first pad 100. [ The width W of the protrusion 300 may be approximately 2 mm to 5 mm.

일 예로, 돌출부(300)는 제1 패드(100)와 일체형(single unit body)을 구성할 수 있다. 돌출부(300)는 제1 패드(100)와 경계면 없이 연결되며, 제1 패드(100)와 동일한 물질을 포함할 수 있다. 다른 예로, 별도의 구조물(예를 들어, 예비 돌출부)이 제1 패드(100)의 제1 면(100a) 상에 부착되어, 돌출부(300)를 형성할 수 있다. 이 경우, 돌출부(300)는 제1 패드(100)와 동일 또는 상이한 물질을 포함하고, 제1 패드(100) 및 돌출부(300) 사이에 접착부(미도시)가 더 개재될 수 있다. 돌출부(300)는 폴리머를 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. For example, the protrusion 300 may form a single unit body with the first pad 100. The protrusion 300 is connected to the first pad 100 without an interface and may include the same material as the first pad 100. As another example, a separate structure (e.g., a preliminary protrusion) may be attached on the first side 100a of the first pad 100 to form the protrusion 300. In this case, the protrusion 300 includes the same or different material as the first pad 100, and an adhesive (not shown) may further be interposed between the first pad 100 and the protrusion 300. The protrusions 300 may include, but are not limited to, polymers.

접착층(500)이 제1 패드(100)의 제1 면(100a) 상에 더 제공될 수 있다. 접착층(500)은 돌출부(300)에 의해 노출된 제1 패드(100)의 제1 면(100a) 상에 부착될 수 있다. 접착층(500)의 두께는 돌출부(300)의 높이(H)보다 작을 수 있다. 돌출부(300)의 하부면(300a)은 접착층(500)의 하부면보다 더 낮은 레벨에 배치될 수 있다. 접착층(500)은 돌출부(300)의 내측면(300c) 상으로 더 연장될 수 있다. 접착층(500)은 폴리머를 포함할 수 있다.An adhesive layer 500 may further be provided on the first surface 100a of the first pad 100. [ The adhesive layer 500 may be attached on the first surface 100a of the first pad 100 exposed by the protrusion 300. [ The thickness of the adhesive layer 500 may be smaller than the height H of the protrusion 300. [ The lower surface 300a of the protrusion 300 may be disposed at a lower level than the lower surface of the adhesive layer 500. [ The adhesive layer 500 may further extend on the inner surface 300c of the protrusion 300. [ The adhesive layer 500 may comprise a polymer.

도 2는 실시예들에 따른 연마 패드를 도시한 단면도로, 도 1a의 Ⅰ-Ⅱ선을 따라 자른 단면에 대응된다. 이하, 앞서 설명한 바와 중복되는 내용은 생략한다. Fig. 2 is a cross-sectional view showing the polishing pad according to the embodiments, corresponding to a section cut along the line I-II in Fig. 1a. Hereinafter, duplicated description will be omitted.

도 2를 참조하면, 연마 패드(11)는 돌출부(300), 제1 패드(100), 및 제2 패드(200)를 포함할 수 있다. 제1 패드(100) 및 돌출부(300)는 앞서 도 1a 및 도 1b에서 설명한 바와 동일할 수 있다. 연마 패드(11)는 평면적 관점에서 센터 영역에 해당하는 제1 하면 및 엣지 영역에 해당하는 제2 하면을 가질 수 있다. 이 때, 제1 하면은 돌출부(300)에 의해 노출된 제1 패드(100)의 제1 면(100a)에 해당하고, 제2 하면은 돌출부(300)의 하부면(300a)에 해당할 수 있다. 제2 하면은 제1 하면보다 낮은 레벨에 배치될 수 있다. 접착층(500)은 돌출부(300)에 의해 노출된 제1 패드(100)의 제1 면(100a)(예를 들어, 제1 하면)을 덮을 수 있다. 제1 패드(100)의 제2 면(100b)의 엣지 영역의 최상부는 센터 영역의 최상부와 동일 또는 유사한 레벨에 배치될 수 있다. 다만, 도 1b 및 도 1c와 달리, 제1 패드(100)의 제2 면(100b)은 연마면으로 기능하지 않고, 그루브들(210)은 제1 패드(100) 내에 형성되지 않을 수 있다. Referring to FIG. 2, the polishing pad 11 may include a protrusion 300, a first pad 100, and a second pad 200. The first pad 100 and the protrusion 300 may be the same as those described above with reference to FIGS. 1A and 1B. The polishing pad 11 may have a first lower surface corresponding to the center region in plan view and a second lower surface corresponding to the edge region. The first lower surface corresponds to the first surface 100a of the first pad 100 exposed by the protrusion 300 and the second lower surface corresponds to the lower surface 300a of the protrusion 300. In this case, have. The second lower surface may be disposed at a lower level than the first lower surface. The adhesive layer 500 may cover the first surface 100a of the first pad 100 exposed by the protrusion 300 (e.g., the first surface). The top of the edge region of the second surface 100b of the first pad 100 may be disposed at the same or similar level as the top of the center region. However, unlike in FIGS. 1B and 1C, the second surface 100b of the first pad 100 does not function as a polishing surface, and the grooves 210 may not be formed in the first pad 100.

제2 패드(200)는 제1 패드(100) 상에 제공될 수 있다. 제2 패드(200)는 다수의 포어들을 가질 수 있다. 제2 패드(200)는 예를 들어, 폴리우레탄과 같은 폴리머를 포함할 수 있다. 제2 패드(200)는 제1 패드(100)를 향하는 제1 면 및 제1 패드(100)와 대향되는 제2 면(200b)을 가질 수 있다. 제2 패드(200)의 제2 면(200b)은 연마 패드(11)의 상면에 해당할 수 있다. 제2 패드(200)의 제2 면(200b)이 연마면으로 기능할 수 있다. 그루브들(210)이 제2 패드(200)의 제2 면(200b) 상에 제공될 수 있다. 그루브들(210)의 평면적 형상 및 기능은 도 1b 및 도 1c의 그루브들(210)의 예에서 설명한 바와 실질적으로 동일할 수 있다. 제2 패드(200)의 센터 영역의 최대 두께는 제2 패드(200)의 엣지 영역의 최대 두께와 실질적으로 동일할 수 있다. 제2 패드(200)의 제2 면(200b)의 엣지 영역의 최상부는 센터 영역의 최상부와 실질적으로 동일한 레벨에 배치될 수 있다.The second pad 200 may be provided on the first pad 100. The second pad 200 may have a plurality of pores. The second pad 200 may comprise, for example, a polymer such as polyurethane. The second pad 200 may have a first surface facing the first pad 100 and a second surface 200b facing the first pad 100. The second surface 200b of the second pad 200 may correspond to the upper surface of the polishing pad 11. And the second surface 200b of the second pad 200 can function as a polishing surface. Grooves 210 may be provided on the second surface 200b of the second pad 200. [ The planar shape and function of the grooves 210 may be substantially the same as those described in the example of the grooves 210 in Figs. 1B and 1C. The maximum thickness of the center region of the second pad 200 may be substantially equal to the maximum thickness of the edge region of the second pad 200. [ The top of the edge area of the second surface 200b of the second pad 200 may be disposed at substantially the same level as the top of the center area.

접착 패턴(150)이 제1 패드(100) 및 제2 패드(200) 사이에 개재될 수 있다. 제2 패드(200)는 접착 패턴(150)에 의해 제1 패드(100)에 부착될 수 있다. 접착 패턴(150)은 절연성 폴리머를 포함할 수 있다. 접착 패턴(150)의 센터 영역의 최대 두께는 접착 패턴(150)의 엣지 영역의 최대 두께와 실질적으로 동일할 수 있다.An adhesive pattern 150 may be interposed between the first pad 100 and the second pad 200. [ The second pad 200 may be attached to the first pad 100 by an adhesive pattern 150. The adhesion pattern 150 may include an insulating polymer. The maximum thickness of the center region of the adhesion pattern 150 may be substantially equal to the maximum thickness of the edge region of the adhesion pattern 150. [

도 3a는 실시예들에 따른 연마 패드를 도시한 평면도이다. 도 3b는 도 3a의 Ⅰ-Ⅱ선을 따라 자른 단면이다. 이하, 앞서 설명한 바와 중복되는 내용은 생략한다. 3A is a plan view showing a polishing pad according to the embodiments. FIG. 3B is a section cut along the line I-II in FIG. 3A. Hereinafter, duplicated description will be omitted.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 연마 패드(12)는 제1 패드(100), 제2 패드(200), 및 돌출부(300)를 포함할 수 있다. 제1 패드(100), 제2 패드(200), 및 돌출부(300)는 앞서 도 1a 내지 도 1c 및 도 2에서 설명한 바와 실질적으로 동일할 수 있다. 도시된 바와 달리, 접착 패턴(150) 및 제2 패드(200)는 생략될 수 있다. 이 경우, 도 1b 및 도 1c에 도시된 바와 같이 그루브들(210)은 제1 패드(100) 내에 제공될 수 있다. 돌출부(300)는 서로 대향하는 내측면(300c) 및 외측면(300d)을 가질 수 있다. 돌출부(300)의 내측면(300c) 및 외측면(300d)은 제1 패드(100)의 제1 면(100a)과 교차하는 방향으로 연장될 수 있다.Referring to FIGS. 3A and 3B, the polishing pad 12 may include a first pad 100, a second pad 200, and a protrusion 300. The first pad 100, the second pad 200, and the protrusion 300 may be substantially the same as those described in FIGS. 1A through 1C and FIG. Unlike illustrated, the bonding pattern 150 and the second pad 200 may be omitted. In this case, the grooves 210 may be provided in the first pad 100 as shown in FIGS. 1B and 1C. The protrusion 300 may have an inner side surface 300c and an outer side surface 300d which are opposed to each other. The inner side surface 300c and the outer side surface 300d of the protrusion 300 may extend in a direction intersecting the first surface 100a of the first pad 100. [

벤트(vent) 그루브들(310)이 돌출부(300) 내에 제공될 수 있다. 벤트 그루브들(310)은 돌출부(300)의 하부면(300a) 상에 제공되며, 돌출부(300)의 하부면(300a)을 관통할 수 있다. 도 3b와 같이 벤트 그루브들(310)의 바닥면들(310a)은 제1 패드(100)의 제1 면(100a)과 실질적으로 동일한 레벨에 배치될 수 있다. 벤트 그루브들(310)의 바닥면들(310a)은 제1 패드(100)의 제1 면(100a)과 연결될 수 있다. 벤트 그루브들(310)은 도 3a와 같이 평면적 관점에서 돌출부(300)의 내측면(300c)으로부터 외측면(300d)을 향해 연장될 수 있다. 일 예로, 벤트 그루브들(310)은 돌출부(300)의 내측면(300c) 및 외측면(300d)을 관통할 수 있다. 도시된 바와 달리, 벤트 그루브들(310)을 돌출부(300)들의 내측면(300c)을 관통하되, 돌출부(300)들의 외측면(300d)을 관통하지 않을 수 있다. 벤트 그루브들(310)의 평면적 형상 및 개수는 도시된 바에 제한되지 않고 다양하게 변형될 수 있다. Vent grooves 310 may be provided in the protrusions 300. The vent grooves 310 are provided on the lower surface 300a of the protrusion 300 and can penetrate the lower surface 300a of the protrusion 300. [ The bottom surfaces 310a of the vent grooves 310 may be disposed at substantially the same level as the first surface 100a of the first pad 100 as shown in FIG. The bottom surfaces 310a of the vent grooves 310 may be connected to the first surface 100a of the first pad 100. [ The vent grooves 310 may extend from the inner surface 300c of the protrusion 300 toward the outer surface 300d in plan view as shown in FIG. For example, the vent grooves 310 may penetrate the inner side surface 300c and the outer side surface 300d of the protrusion 300. The vent grooves 310 may penetrate the inner surface 300c of the protrusions 300 but may not penetrate the outer surface 300d of the protrusions 300. [ The plan shape and the number of vent grooves 310 are not limited to those shown in the drawings and can be variously modified.

돌출부(300)가 제1 패드(100) 상에 형성된 이후, 돌출부(300)의 일부가 제거되어 벤트 그루브들(310)을 형성할 수 있다. 다른 예로, 벤트 그루브들(310)의 형성은 복수의 예비 돌출부들(미도시)을 준비하는 것 및 예비 돌출부들을 제1 패드(100)의 제1 면(100a) 상에 서로 이격되도록 부착하는 것을 포함할 수 있다. 이 경우, 돌출부(300)는 서로 이격된 복수의 서브 돌출부들을 포함하고, 벤트 그루브들(310)은 서브 돌출부들 사이에 제공될 수 있다. After the protrusion 300 is formed on the first pad 100, a portion of the protrusion 300 may be removed to form the vent grooves 310. As another example, the formation of the vent grooves 310 may be accomplished by preparing a plurality of preliminary protrusions (not shown) and attaching the preliminary protrusions on the first surface 100a of the first pad 100, . In this case, the protrusions 300 may include a plurality of sub protrusions spaced from each other, and vent grooves 310 may be provided between the sub protrusions.

표지(400)가 돌출부(300)의 하부면(300a) 상에 더 제공될 수 있다. 표지(400)는 돌출부(300)의 하부면(300a) 상에 표시된 문자 또는 도형일 수 있다. 일 예로, 돌출부(300)의 하부면(300a) 상에 패턴이 부착되어, 표지(400)를 형성할 수 있다. 다른 예로, 표지(400)는 돌출부(300)의 하부면(300a) 상에 형성된 리세스일 수 있다. 표지(400)의 평면적 배치는 도시된 바에 제한되지 않고 다양하게 변형될 수 있다. A label 400 may further be provided on the lower surface 300a of the protrusion 300. [ The mark 400 may be a letter or a figure displayed on the lower surface 300a of the protrusion 300. [ For example, a pattern may be attached on the lower surface 300a of the protrusion 300 to form the label 400. [ In another example, the indicia 400 may be a recess formed on the lower surface 300a of the protrusion 300. The planar arrangement of the cover sheet 400 is not limited to that shown in the drawings and can be variously modified.

접착층(500)이 돌출부(300)에 의해 노출된 제1 패드(100)의 제1 면(100a) 상에 제공될 수 있다. 접착층(500)은 돌출부(300)의 내측면(300c)을 더 덮을 수 있다. 이하, 접착층(500)의 부착 공정 및 벤트 그루브들(310)의 기능에 대하여 설명한다. The adhesive layer 500 may be provided on the first surface 100a of the first pad 100 exposed by the protrusion 300. [ The adhesive layer 500 may further cover the inner surface 300c of the protrusion 300. [ Hereinafter, the process of adhering the adhesive layer 500 and the function of the vent grooves 310 will be described.

도 3c는 실시예들에 따른 접착층의 부착 방법을 설명하기 위한 도면으로, 도 3a의 Ⅰ-Ⅱ선을 따라 자른 단면에 대응된다. 이하, 앞서 설명한 바와 중복되는 내용은 생략한다. FIG. 3C is a view for explaining a method of attaching the adhesive layer according to the embodiments, corresponding to a section cut along the line I-II in FIG. 3A. Hereinafter, duplicated description will be omitted.

도 3a 및 도 3c를 참조하면, 접착층(500)이 제1 패드(100)의 제1 면(100a) 상에 부착될 수 있다. 접착층(500)의 부착 과정에서, 접착층(500) 및 제1 패드(100) 사이의 공기는 화살표로 표시한 바와 같이 벤트 그루브들(310)로 방출될 수 있다. 이에 따라, 접착층(500) 및 제1 패드(100) 사이에 공기 방울(air bubble)의 형성이 방지/감소될 수 있다. 접착층(500)은 제1 패드(100)에 양호하게 부착될 수 있다. 표지(400)는 접착층(500)의 부착 과정에서 접착층(500)의 부착 방향을 지시할 수 있다. 접착층(500)의 부착 방향은 벤트 그루브들(310)이 연장되는 방향들과 교차할 수 있다. 이에 따라, 접착층(500)의 부착 과정에서, 공기가 벤트 그루브들(310)로 더욱 용이하게 방출될 수 있다. Referring to FIGS. 3A and 3C, an adhesive layer 500 may be attached on the first surface 100a of the first pad 100. FIG. In the process of attaching the adhesive layer 500, the air between the adhesive layer 500 and the first pad 100 may be discharged into the vent grooves 310 as indicated by the arrows. Accordingly, the formation of air bubbles between the adhesive layer 500 and the first pad 100 can be prevented / reduced. The adhesive layer 500 may be adhered well to the first pad 100. The mark 400 may indicate the direction of attachment of the adhesive layer 500 during the adhesion of the adhesive layer 500. The attachment direction of the adhesive layer 500 may intersect the directions in which the vent grooves 310 extend. Thus, in the process of attaching the adhesive layer 500, air can be more easily discharged into the vent grooves 310.

실시예들에 따른 웨이퍼의 연마 방법을 설명한다. A method of polishing a wafer according to embodiments will be described.

도 4는 실시예들에 따른 웨이퍼의 연마 방법을 나타낸 순서도이다. 도 5는 실시예들에 따른 웨이퍼의 연마 방법을 설명하기 위한 사시도이다. 도 6은 플래튼에 결합된 연마 패드를 도시한 단면도이다. 이하, 앞서 설명한 바와 중복되는 내용은 생략한다. 4 is a flowchart showing a polishing method of a wafer according to the embodiments. 5 is a perspective view for explaining a wafer polishing method according to the embodiments. 6 is a cross-sectional view showing the polishing pad bonded to the platen. Hereinafter, duplicated description will be omitted.

도 4를 참조하면, 돌출부(300)를 포함하는 연마 패드(10, 11, 또는 12)가 준비될 수 있다.(S10) 예를 들어, 도 1a 내지 도 1c에서 설명한 연마 패드(10), 도 2에서 설명한 연마 패드(11), 및 도 3a 및 도 3b에서 설명한 연마 패드(12) 중에서 어느 하나의 연마 패드가 준비될 수 있다. 접착층(500)이 돌출부(300)에 의해 노출된 제1 패드(100)의 제1 면(100a) 상에 부착될 수 있다. 일 예로, 접착층(500)의 부착은 앞서 도 3c에서 설명한 바와 동일한 방법에 의해 수행될 수 있다. 설명의 편의를 위해 도 2의 연마 패드(11)를 사용한 웨이퍼의 연마 방법에 대하여 도시 및 설명한다. 이하의 설명에서 연마 패드(11)의 상면은 제2 패드(200)의 제2 면(200b)과 동일한 면을 지시할 수 있다. 다만, 도 1a 내지 도 1c의 연마 패드(10)가 사용되는 경우, 연마 패드(11)의 상면은 제1 패드(100)의 제2 면(100b)을 의미할 수 있다. Referring to FIG. 4, a polishing pad 10, 11, or 12 including a protrusion 300 may be prepared. (S10) For example, the polishing pad 10, Any one of the polishing pad 11 described in Figs. 2A and 2B and the polishing pad 12 described in Figs. 3A and 3B may be prepared. The adhesive layer 500 may be attached on the first surface 100a of the first pad 100 exposed by the protrusion 300. [ In one example, the attachment of the adhesive layer 500 can be performed by the same method as described above with reference to FIG. 3C. For convenience of explanation, a polishing method of a wafer using the polishing pad 11 of FIG. 2 is shown and described. The upper surface of the polishing pad 11 may indicate the same surface as the second surface 200b of the second pad 200 in the following description. However, when the polishing pad 10 of FIGS. 1A to 1C is used, the upper surface of the polishing pad 11 may mean the second surface 100b of the first pad 100. FIG.

도 5를 참조하면, 연마 장치가 준비될 수 있다. 연마 장치는 도 5와 같이 플래튼(platen)(1000), 웨이퍼 캐리어(2000), 슬러리 공급부(3000), 및 패드 컨디셔너(conditioner)(4000)를 포함할 수 있다. 플래튼(1000)은 예를 들어, 원기둥의 형상을 가질 수 있다. 플래튼(1000)은 모터(미도시)로부터 동력을 전달받아, 회전축(미도시)을 기준으로 회전할 수 있다. 상기 회전축은 플래튼(1000)의 상면과 수직할 수 있다. Referring to Fig. 5, a polishing apparatus can be prepared. The polishing apparatus may include a platen 1000, a wafer carrier 2000, a slurry supply unit 3000, and a pad conditioner 4000 as shown in FIG. The platen 1000 may have, for example, a cylindrical shape. The platen 1000 receives power from a motor (not shown) and can rotate based on a rotation axis (not shown). The rotation axis may be perpendicular to the upper surface of the platen 1000.

도 4, 도 5, 및 도 6를 참조하면, 제1 패드(100)의 제1 면(100a)이 플래튼(1000)의 상면을 향하도록, 연마 패드(11)가 플래튼(1000)의 상면 상에 배치될 수 있다.(S20) 연마 패드(11)는 접착층(500)에 의해 플래튼(1000)에 부착될 수 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 연마 패드(11)의 직경(A1)은 플래튼(1000)의 직경(A2)보다 더 클 수 있다. 돌출부(300)에 의해 노출된 제1 패드(100)의 제1 면(100a)의 부분(예를 들어, 제1 하면)의 직경은 플래튼(1000)의 직경(A2)과 동일하거나 더 클 수 있다. 돌출부(300)는 플래튼(1000)의 측벽(1000d) 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 연마 패드(11)가 플래튼(1000)에 정확하게 정렬될 수 있다. 예를 들어, 평면적 관점에서 연마 패드(11)의 중심점이 플래튼(1000)의 중심점과 정렬될 수 있다. 더불어, 연마 패드(11)가 플래튼(1000)과 빠르게 정렬되어, 공정 시간이 단축될 수 있다. 돌출부(300)에 의해 연마 패드(11)는 플래튼(1000)에 보다 견고하게 고정될 수 있다.4, 5, and 6, the polishing pad 11 is placed on the upper surface of the platen 1000 so that the first surface 100a of the first pad 100 faces the upper surface of the platen 1000. [ (S20) The polishing pad 11 may be attached to the platen 1000 by the adhesive layer 500. As shown in Fig. 6, the diameter A1 of the polishing pad 11 may be larger than the diameter A2 of the platen 1000. The diameter of the portion of the first surface 100a of the first pad 100 exposed by the protrusion 300 (for example, the first lower surface) is equal to or larger than the diameter A2 of the platen 1000 . The protrusion 300 may be disposed on the side wall 1000d of the platen 1000. [ Accordingly, the polishing pad 11 can be precisely aligned with the platen 1000. For example, the center point of the polishing pad 11 may be aligned with the center point of the platen 1000 in plan view. In addition, the polishing pad 11 is quickly aligned with the platen 1000, and the processing time can be shortened. The polishing pad 11 can be more firmly fixed to the platen 1000 by the projecting portion 300.

연마 패드(11)를 사용하여 웨이퍼(WF)가 연마될 수 있다.(S30) 실시예들에 따르면, 웨이퍼(WF)가 준비될 수 있다. 웨이퍼 캐리어(2000)는 진공압을 통해 웨이퍼(WF)의 연마 대상면이 연마 패드(11)를 향하도록 웨이퍼(WF)를 흡착할 수 있다. 웨이퍼 캐리어(2000)는 승강 유닛(미도시)에 의해 상하 방향으로 이동할 수 있다. 웨이퍼 캐리어(2000)는 연마 공정 시, 연마 패드(11)를 향해 하강하여, 연마 패드(11)와 접촉할 수 있다. 연마 공정 동안 웨이퍼 캐리어(2000)는 회전 운동하여, 웨이퍼(WF)를 회전시킬 수 있다. The wafer WF can be polished using the polishing pad 11. (S30) According to the embodiments, the wafer WF can be prepared. The wafer carrier 2000 can suck the wafer WF through the vacuum pressure so that the surface to be polished of the wafer WF faces the polishing pad 11. [ The wafer carrier 2000 can be moved up and down by an elevating unit (not shown). The wafer carrier 2000 can be lowered toward the polishing pad 11 and contact the polishing pad 11 in the polishing process. During the polishing process, the wafer carrier 2000 is rotated to rotate the wafer WF.

슬러리 공급부(3000)는 연마 패드(11)의 상면 상에 슬러리를 제공할 수 있다. 웨이퍼(WF)의 연마 대상면의 종류 및 물질에 따라, 슬러리의 물질이 결정될 수 있다. 슬러리는 웨이퍼(WF)의 연마 대상면과 접촉하여, 웨이퍼(WF)의 연마 대상면을 화학적으로 연마할 수 있다. 예를 들어, 슬러리와 반응에 의해, 웨이퍼(WF)의 연마 대상면이 제거되기 쉬운 상태로 변화될 수 있다.The slurry supply unit 3000 may provide slurry on the upper surface of the polishing pad 11. Depending on the type and material of the surface to be polished of the wafer WF, the material of the slurry can be determined. The slurry is in contact with the surface to be polished of the wafer WF, and can chemically polish the surface to be polished of the wafer WF. For example, by the reaction with the slurry, the surface to be polished of the wafer WF can be changed into a state in which it can be easily removed.

연마 공정 동안, 연마 패드(11)는 플래튼(1000)에 의해 지지되며, 플래튼(1000)과 함께 회전할 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이 제1 패드(100) 또는 제2 패드(200)의 포어들은 슬러리를 수용할 수 있다. 웨이퍼(WF)의 연마 대상면이 연마 패드(11)의 상면과 마찰하여, 웨이퍼(WF)의 연마 대상면을 기계적으로 연마할 수 있다. 그루브들(210)은 슬러리 및 연마 잔여물의 통로로 기능할 수 있다. 연마 패드(11)의 중심점이 플래튼(1000)의 중심점과 오정렬되는 경우, 그루브들(210) 내의 슬러리가 의도하지 않게 이동할 수 있다. 실시예들에 따르면, 돌출부(300)에 의해 연마 패드(11)가 플래튼(1000)과 높은 정확도로 정렬되므로, 플래튼(1000)의 회전 운동에 의해 슬러리가 그루브들(210) 내에서 균일하게 분배되고, 그루브들(210) 내의 잔여 슬러리가 외부로 양호하게 방출될 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(WF)의 연마 대상면이 균일하게 연마될 수 있다.  During the polishing process, the polishing pad 11 is supported by the platen 1000 and can rotate with the platen 1000. As described above, the pores of the first pad 100 or the second pad 200 can accommodate the slurry. The surface to be polished of the wafer WF rubs against the upper surface of the polishing pad 11 and the surface to be polished of the wafer WF can be mechanically polished. The grooves 210 may serve as passages for slurry and polishing residues. If the center point of the polishing pad 11 is misaligned with the center point of the platen 1000, the slurry in the grooves 210 may inadvertently move. According to the embodiments, since the polishing pad 11 is aligned with the platen 1000 with high accuracy by the protrusion 300, the rotational motion of the platen 1000 causes the slurry to be uniform in the grooves 210 And the remaining slurry in the grooves 210 can be well discharged to the outside. Thus, the surface to be polished of the wafer WF can be uniformly polished.

패드 컨디셔너 (4000)는 플래튼(1000)과 인접하게 배치될 수 있다. 패드 컨디셔너(4000)는 회전 및 왕복 운동을 할 수 있다. 패드 컨디셔너(4000)는 연마 패드(11)의 상면과 접촉하여, 연마 패드(11)의 상면의 표면 거칠기를 일정하게 유지시킬 수 있다. 이에 따라, 연마 공정이 장시간 진행되더라도 웨이퍼(WF)의 연마 대상면이 양호하게 연마될 수 있다. The pad conditioner 4000 may be disposed adjacent to the platen 1000. The pad conditioner 4000 can rotate and reciprocate. The pad conditioner 4000 is brought into contact with the upper surface of the polishing pad 11 to maintain the surface roughness of the upper surface of the polishing pad 11 constant. Thus, even if the polishing process is performed for a long time, the surface to be polished of the wafer WF can be polished well.

연마 패드(11)의 직경(A1)이 플래튼(1000)의 직경(A2)보다 작거나 동일한 경우, 패드 컨디셔너(4000)의 동작 과정에서 패드 컨디셔너(4000)가 플래튼(1000)(예를 들어, 플래튼(1000)의 엣지 부분)과 접촉할 수 있다. 이 경우, 패드 컨디셔너(4000) 또는 플래튼(1000)이 손상될 수 있다. 실시예들에 따르면, 연마 패드(11)의 직경(A1)이 플래튼(1000)의 직경(A2)보다 더 클 수 있다. 예를 들어, 연마 패드(11)의 직경(A1)은 플래튼(1000)의 직경(A2)보다 대략 5mm 내지 10mm 더 클 수 있다. 이에 따라, 패드 컨디셔너(4000) 및 플래튼(1000) 사이의 충돌이 방지될 수 있다.When the diameter A1 of the polishing pad 11 is smaller than or equal to the diameter A2 of the platen 1000, the pad conditioner 4000 is moved in the process of operating the pad conditioner 4000 to the platen 1000 For example, an edge portion of the platen 1000). In this case, the pad conditioner 4000 or the platen 1000 may be damaged. According to the embodiments, the diameter A1 of the polishing pad 11 may be greater than the diameter A2 of the platen 1000. For example, the diameter A1 of the polishing pad 11 may be approximately 5 mm to 10 mm larger than the diameter A2 of the platen 1000. Thus, collision between the pad conditioner 4000 and the platen 1000 can be prevented.

연마 패드(11)의 직경(A1)이 플래튼(1000)의 직경(A2)보다 큰 경우, 연마 패드(11)의 엣지 부분은 플래튼(1000)에 의해 지지되지 않을 수 있다. 돌출부(300)이 없다면, 제1 패드(100) 및 제2 패드(200)의 엣지 부분들이 센터 부분들보다 아래로 휘어질 수 있다. 이에 따라, 연마 패드(11)의 상면이 휘어질 수 있다. 연마 패드(11)의 상면의 휘어진 부분은 패드 컨디셔너(4000)에 의해 과도하게 마모되어, 연마 패드(11)의 수명이 감소할 수 있다. 실시예들에 따르면, 연마 패드(11)는 돌출부(300)를 포함할 수 있다. 돌출부(300)는 제1 패드(100)의 엣지 영역에 제공될 수 있다. 이에 따라, 연마 패드(11)의 엣지 부분들이 아래로 휘지는 현상이 방지될 수 있다. 돌출부(300)의 높이(H)가 1mm보다 작은 경우, 돌출부(300)가 연마 패드(11)의 휘어짐을 방지하기 불충분할 수 있다. 실시예들에 따르면, 돌출부(300)는 1mm 이상의 높이(H)를 가져, 연마 패드(11)의 휘어짐이 충분히 방지될 수 있다. 이에 따라, 연마 패드(11)의 상면이 과도하게 마모되는 현상이 방지될 수 있다. 연마 패드(11)의 수명이 증가될 수 있다. The edge portion of the polishing pad 11 may not be supported by the platen 1000 when the diameter A1 of the polishing pad 11 is larger than the diameter A2 of the platen 1000. [ Without the protrusions 300, the edge portions of the first pad 100 and the second pad 200 may be bent downward than the center portions. Thus, the upper surface of the polishing pad 11 can be bent. The bent portion of the upper surface of the polishing pad 11 is excessively worn by the pad conditioner 4000, so that the life of the polishing pad 11 can be reduced. According to embodiments, the polishing pad 11 may include a protrusion 300. The protrusion 300 may be provided in the edge region of the first pad 100. As a result, the edge portions of the polishing pad 11 can be prevented from being bent downward. When the height H of the protrusion 300 is smaller than 1 mm, the protrusion 300 may be insufficient to prevent the polishing pad 11 from warping. According to the embodiments, the protrusion 300 has a height H of 1 mm or more, and warping of the polishing pad 11 can be sufficiently prevented. Thus, excessive wear of the upper surface of the polishing pad 11 can be prevented. The life of the polishing pad 11 can be increased.

이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니며, 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.It is not intended to be exhaustive or to limit the invention to the precise form disclosed, and it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit of the invention. The appended claims should be construed to include other embodiments.

Claims (20)

제1 패드; 및
상기 제1 패드의 제1 면 상에 제공된 돌출부를 포함하되,
상기 돌출부는 평면적 관점에서 상기 제1 패드의 엣지 영역에 제공되는 연마 패드. A first pad; And
A protrusion provided on a first side of the first pad,
Wherein the projection is provided in an edge region of the first pad in plan view. 제 1항에 있어서,
상기 돌출부는 제1 패드의 상기 제1 면의 센터 영역을 노출시키고, 평면적 관점에서 상기 제1 패드의 상기 센터 영역들 둘러싸는 연마 패드. The method according to claim 1,
The protrusions exposing a center area of the first surface of the first pad and surrounding the center areas of the first pad in plan view. 제 1항에 있어서,
상기 돌출부의 하부면 상에 벤트 그루브가 제공되고, 상기 벤트 그루브는 상기 돌출부의 내측면을 관통하는 연마 패드.The method according to claim 1,
A vent groove is provided on the lower surface of the projection, the vent groove penetrating the inner surface of the projection. 제 3항에 있어서,
상기 벤트 그루브의 바닥면은 상기 제1 패드의 상기제1 면과 실질적으로 동일한 레벨에 배치되는 연마 패드. The method of claim 3,
Wherein a bottom surface of the vent groove is disposed at substantially the same level as the first surface of the first pad. 제 3항에 있어서,
상기 돌출부의 하부면 상에 제공된 표지를 더 포함하는 연마 패드. The method of claim 3,
And a cover provided on the lower surface of the projection. 제 3항에 있어서,
상기 제1 패드의 상기 제1 면의 일부를 덮는 접착층을 더 포함하되,
상기 제1 패드의 상기 제1 면의 상기 일부는 상기 돌출부에 의해 노출된 연마 패드. The method of claim 3,
Further comprising an adhesive layer covering a portion of the first surface of the first pad,
Wherein the portion of the first side of the first pad is exposed by the projection. 제 1 항에 있어서,
그루브가 상기 제1 패드의 제2 면 상에 제공되며,
상기 제1 패드의 상기 제2 면은 상기 제1 면과 대향되는 연마 패드. The method according to claim 1,
A groove is provided on the second side of the first pad,
Wherein the second surface of the first pad is opposite the first surface. 제 1항에 있어서,
상기 제1 패드 상에 제공된 제2 패드; 및
상기 제1 패드 및 상기 제2 패드 사이에 개재된 접착층을 더 포함하는 연마 패드. The method according to claim 1,
A second pad provided on the first pad; And
And an adhesive layer interposed between the first pad and the second pad. 제 8항에 있어서,
상기 제2 패드는 상기 제1 패드와 대향되는 제2 면을 갖고,
그루브가 상기 제2 패드의 상기 제2 면 상에 제공된 연마 패드. 9. The method of claim 8,
The second pad has a second surface facing the first pad,
And a groove is provided on the second side of the second pad. 제 1항에 있어서,
상기 제1 패드의 제2 면의 엣지 영역의 최상부는 센터 영역의 최상부와 실질적으로 동일한 레벨에 배치되고,
상기 제1 패드의 상기 제2 면은 상기 제1 면과 대향되는 연마 패드.
The method according to claim 1,
The uppermost portion of the edge region of the second surface of the first pad is disposed at substantially the same level as the uppermost portion of the center region,
Wherein the second surface of the first pad is opposite the first surface.
그루브가 제공된 상면;
상기 상면과 대향되고, 평면적 관점에서 센터 영역에 해당하는 제1 하면; 및
상기 상면과 대향되고, 평면적 관점에서 엣지 영역에 해당하는 제2 하면을 갖되,
상기 제2 하면은 상기 제1 하면보다 낮은 레벨에 배치되는 연마 패드.
A top surface provided with a groove;
A first surface opposed to the upper surface and corresponding to a center area in plan view; And
A second lower surface opposed to the upper surface and corresponding to an edge region in plan view,
And the second lower surface is disposed at a lower level than the first lower surface.
제 11항에 있어서,
상기 제2 하면은 평면적 관점에서 폐루프의 형상을 갖는 연마 패드.12. The method of claim 11,
Wherein the second lower surface has a closed loop shape in plan view. 제 11항에 있어서,
상기 제2 하면 상에 제공된 벤트 그루브를 더 가지되,
상기 벤트 그루브의 바닥면은 상기 제1 하면과 연결되는 연마 패드. 12. The method of claim 11,
Further comprising a vent groove provided on the second lower surface,
And the bottom surface of the vent groove is connected to the first bottom surface. 제 13항에 있어서,
상기 제1 하면 상에 부착된 접착층을 더 포함하는 연마 패드.
14. The method of claim 13,
And an adhesive layer attached on the first lower surface.
제1 패드 및 돌출부를 포함하는 연마 패드를 준비하는 것, 상기 돌출부는 상기 제1 패드의 제1 면의 엣지 영역 상에 제공되고;
상기 연마 패드를 플래튼 상에 배치하는 것, 상기 제1 패드의 상기 제1 면은 상기 플래튼을 향하고; 및
상기 연마 패드를 사용하여 웨이퍼를 연마하는 것을 포함하고,
상기 연마 패드를 상기 플래튼 상에 배치하는 것은:
상기 연마 패드의 상기 돌출부를 상기 플레튼의 측벽 상에 제공하는 것을 포함하는 웨이퍼 가공 방법. Preparing a polishing pad comprising a first pad and a protrusion, the protrusion being provided on an edge region of a first side of the first pad;
Disposing the polishing pad on a platen, the first side of the first pad facing the platen; And
And polishing the wafer using the polishing pad,
Placing the polishing pad on the platen includes:
And providing the projection of the polishing pad on the sidewall of the platen. 제 15항에 있어서,
상기 연마 패드의 직경은 상기 플레튼의 직경보다 더 큰 웨이퍼 가공 방법. 16. The method of claim 15,
Wherein the diameter of the polishing pad is greater than the diameter of the platen. 제 15항에 있어서,
상기 연마 패드는 상기 제1 패드의 상기 제1 면 상에 부착된 접착층을 더 포함하되,
상기 돌출부의 하부면 상에 벤트 그루브가 제공되고,
상기 벤트 그루브는 상기 돌출부의 내면을 관통하는 웨이퍼 가공 방법. 16. The method of claim 15,
Wherein the polishing pad further comprises an adhesive layer attached on the first side of the first pad,
A vent groove is provided on the lower surface of the projection,
Wherein the vent grove penetrates the inner surface of the protrusion. 제 17항에 있어서,
상기 벤트 그루브의 바닥면은 상기 연마 패드의 상기 제1 면과 연결되는 웨이퍼 가공 방법. 18. The method of claim 17,
Wherein a bottom surface of the vent groove is connected to the first surface of the polishing pad. 제 15항에 있어서,
상기 연마 패드는:
상기 제1 패드 상의 접착층; 및
상기 접착층 상의 제2 패드를 더 포함하는 웨이퍼 가공방법. 16. The method of claim 15,
The polishing pad comprises:
An adhesive layer on the first pad; And
And a second pad on the adhesive layer. 제 15항에 있어서,
상기 돌출부의 하부면은 상기 제1 패드의 상기 제1 면보다 낮은 레벨에 제공되는 큰 웨이퍼 가공 방법.
16. The method of claim 15,
Wherein the lower surface of the protrusion is provided at a lower level than the first surface of the first pad.
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