KR20190014984A - Display device and sensing method for sensing bonding resistance thereof - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a display device capable of checking whether the bonding is bad by sensing bonding resistance of a driving circuit unit using a driving IC with a sensing unit, and a method for sensing bonding resistance thereof. According to one embodiment of the present invention, the method comprises the following steps. An input voltage is supplied to a bonding resistance sensing path. Next, the input voltage goes by way of the bonding resistance sensing path and generates a voltage reflecting bonding resistance of a plurality of bonding pads at a sensing node between the bonding resistance sensing path and reference resistance. Next, an ADC embedded in the driving IC receives the voltage reflecting the bonding resistance from the sensing node, converts the voltage into sensing data, and output the sensing data. Then, it is determined whether the bonding of the driving circuit unit is bad using the sensing data.

Description

표시 장치와 그의 본딩 저항 센싱 방법{DISPLAY DEVICE AND SENSING METHOD FOR SENSING BONDING RESISTANCE THEREOF}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a display device and a method of sensing a bonding resistance thereof,

본 발명은 센싱부를 갖는 구동 회로를 이용하여 구동 회로부의 본딩 저항을 센싱할 수 있는 표시 장치 및 그의 본딩 저항 센싱 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a display device capable of sensing a bonding resistance of a driving circuit portion using a driving circuit having a sensing portion, and a bonding resistance sensing method for the same.

최근 디지털 데이터를 이용하여 영상을 표시하는 디스플레이 장치로는 액정을 이용한 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display; LCD), 유기 발광 다이오드를 이용한 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode; OLED) 디스플레이, 전기영동 입자를 이용한 전기영동 디스플레이(ElectroPhoretic Display; EPD) 등이 대표적이다.2. Description of the Related Art Recently, display devices using digital data to display images include liquid crystal displays (LCDs) using liquid crystals, organic light emitting diodes (OLED) displays using organic light emitting diodes, And an electrophoretic display (EPD).

표시 장치는 영상을 표시하는 패널과, 패널을 구동하는 구동 회로와, 구동 회로를 제어하는 타이밍 컨트롤러 등을 포함한다. 구동 회로는 IC(Integrated Circuit)가 개별적으로 회로 필름에 실장된 COF(Chip On Film) 형태로 마련된다.The display device includes a panel for displaying an image, a drive circuit for driving the panel, and a timing controller for controlling the drive circuit. The driving circuit is provided in the form of COF (Chip On Film) in which ICs (Integrated Circuits) are individually mounted on a circuit film.

본딩 공정을 통해 각 COF의 일측 패드부는 ACF(Anisotropic Conductive Film)를 통해 패널의 패드부와 본딩 및 접속되고, 타측 패드부는 ACF를 통해 PCB(Printed Circuit Board)의 패드부와 본딩 및 접속된다. 본딩 공정 후 검사 공정을 통해 각 COF의 본딩 저항을 측정하여 COF의 본딩 불량 여부를 확인한다.Through the bonding process, one pad portion of each COF is bonded and connected to the pad portion of the panel through an ACF (Anisotropic Conductive Film), and the other pad portion is bonded to and connected to the pad portion of the PCB (Printed Circuit Board) through the ACF. After the bonding process, the bonding resistance of each COF is measured through the inspection process to check whether the bonding of the COF is bad or not.

이를 위하여, 패널 및 PCB와 각 COF에는 본딩 저항 측정시 이용되는 본딩 패드가 마련되고, PCB에는 본딩 저항 측정을 위해 본딩 패드와 접속된 테스트 패드가 마련된다. 종래의 본딩 저항 측정 방법은 저항 측정기를 테스트 패드와 연결하여 본딩 패드의 본딩 저항을 측정하고 측정 결과에 따라 본딩 불량 여부를 판단한다.To this end, a bonding pad used for measuring a bonding resistance is provided on the panel, the PCB, and each COF, and a test pad connected to the bonding pad for bonding resistance measurement is provided on the PCB. In the conventional bonding resistance measuring method, a resistance measuring device is connected to a test pad to measure a bonding resistance of the bonding pad, and it is determined whether or not the bonding is bad according to the measurement result.

그러나, 종래의 본딩 저항 측정 방법은 저항 측정기를 이용하여 각 COF의 본딩 저항을 개별적으로 측정하므로, 본딩 저항의 검사 시간이 증가하여 공정 택트 타임(tact time)이 증가하고, 측정 오차가 발생하는 문제점이 있다.However, in the conventional bonding resistance measuring method, since the bonding resistance of each COF is individually measured by using the resistance measuring device, the inspection time of the bonding resistance is increased to increase the process tact time, .

또한, 종래의 본딩 저항 측정 방법은 제품 출하 후에는 표시 장치를 분해(Decapsulation)하지 않는 한 적용이 불가능하고, 본딩 저항이 진행성으로 증가하여 발생되는 구동 회로의 진행성 접속 불량은 확인하기 어려운 문제점이 있다.In addition, the conventional bonding resistance measuring method has a problem that it is impossible to apply a bonding method unless the display device is decapsulated after the product is shipped, and it is difficult to confirm the progressive connection failure of the driving circuit which is generated by increasing the bonding resistance progressively .

본 발명은 센싱부를 갖는 구동 IC를 이용하여 구동 회로부의 본딩 저항을 센싱함으로써 본딩 불량 여부를 확인할 수 있는 표시 장치 및 그의 본딩 저항 센싱 방법을 제공한다.The present invention provides a display device and a bonding resistance sensing method thereof that can confirm whether or not a bonding defect is caused by sensing a bonding resistance of a driving circuit portion using a driving IC having a sensing portion.

일 실시예에 따른 표시 장치는 회로 필름 상에 실장된 구동 IC를 포함하고, 패널과 PCB 사이에 본딩된 구동 회로부와, PCB와 회로 필름을 본딩 및 접속시키는 제1 본딩부와, 패널과 상기 회로 필름을 본딩 및 접속시키는 제2 본딩부에 위치하는 복수의 본딩 패드가 직렬 접속되어 마련된 본딩 저항 센싱 경로를 포함한다. 구동 IC는 제1 센싱 모드일 때 패널을 통해 각 서브픽셀의 특성이 반영된 신호를 센싱하여 ADC를 통해 제1 센싱 데이터를 출력한다. 구동 IC는 제2 센싱 모드일 때 본딩 저항 센싱 경로를 통해 복수의 본딩 패드의 본딩 저항이 반영된 신호를 센싱하여 ADC를 통해 제2 센싱 데이터를 출력한다.A display device according to an embodiment includes a driving IC mounted on a circuit film, a driving circuit portion bonded between the panel and the PCB, a first bonding portion bonding and connecting the PCB and the circuit film, And a bonding resistance sensing path in which a plurality of bonding pads located in a second bonding section for bonding and connecting the film are connected in series. When the driving IC is in the first sensing mode, the driving IC senses a signal reflecting the characteristics of each sub-pixel through the panel, and outputs the first sensing data through the ADC. The driving IC senses a signal reflecting a bonding resistance of a plurality of bonding pads through a bonding resistance sensing path and outputs second sensing data through the ADC when the sensing mode is the second sensing mode.

타이밍 컨트롤러는 구동 IC를 제1 및 제2 센싱 모드로 동작하도록 제어하고, 제2 센싱 데이터를 이용하여 구동 회로부의 본딩 불량 여부를 판단하여 출력한다.The timing controller controls the driving IC to operate in the first and second sensing modes, and determines whether or not the bonding of the driving circuit unit is defective by using the second sensing data, and outputs the result.

구동 회로부는 본딩 저항 센싱 경로와 그라운드 사이에 직렬 접속된 기준 저항과, 본딩 저항 센싱 경로와 기준 저항 사이의 센싱 노드와 ADC의 입력 단자를 제2 센싱 모드일 때 접속시키는 스위치를 추가로 구비한다.The driving circuit further includes a reference resistor connected in series between the bonding resistance sensing path and the ground and a switch connecting the sensing node between the bonding resistance sensing path and the reference resistor and the input terminal of the ADC when the sensing mode is in the second sensing mode.

일 실시예에 따른 본딩 저항 센싱 경로는 입력 전압의 공급 라인과 직렬 접속되고, PCB와 회로 필름 사이에서 본딩된 제1 본딩 패드와, 제1 본딩 패드와 직렬 접속되고, 패널과 회로 필름 사이에서 본딩된 제2 본딩 패드와, 제2 본딩 패드와 직렬 접속되고 제2 본딩 패드와 나란하게 배치되며, 패널과 회로 필름 사이에서 본딩된 제3 본딩 패드와, 제3 본딩 패드와 직렬 접속되고 제1 본딩 패드와 나란하게 배치되며, PCB와 회로 필름 사이에서 본딩된 제4 본딩 패드와, 제4 본딩 패드와 직렬 접속되고 제4 본딩 패드와 나란하게 배치되며, PCB와 회로 필름 사이에서 본딩된 제5 본딩 패드를 포함한다. 제1 내지 제5 본딩 패드 각각은 회로 필름과 PCB 또는 패널에서 마주하여 이방성 도전 필름에 의해 본딩 및 접속된 한 쌍의 패드를 포함한다.A bonding resistance sensing path according to one embodiment includes a first bonding pad connected in series with a supply line of the input voltage and bonded between the PCB and the circuit film, a second bonding pad connected in series with the first bonding pad, A third bonding pad connected in series with the second bonding pad and arranged in parallel with the second bonding pad, the third bonding pad being bonded between the panel and the circuit film, and a second bonding pad connected in series with the third bonding pad, A fourth bonding pad disposed in parallel with the pad and bonded between the PCB and the circuit film, a fourth bonding pad connected in series with the fourth bonding pad and disposed in parallel with the fourth bonding pad, Pad. Each of the first through fifth bonding pads includes a pair of pads bonded to and connected to the circuit film and the PCB or the panel by the anisotropic conductive film.

제1 및 제2 본딩 패드는 회로 필름에 마련된 제1 연결 라인을 통해 직렬 접속된다. 제2 및 제3 본딩 패드는 패널에 마련된 제2 연결 라인을 통해 직렬 접속된다. 제3 및 제4 본딩 패드는 회로 필름에 제1 연결 라인과 나란하게 마련된 제3 연결 라인을 통해 직렬 접속된다. 제4 및 제5 본딩 패드는 PCB에 마련된 제4 연결 라인을 통해 직렬 접속된다. 본딩 저항 센싱 경로는 회로 필름에 마련되어 제5 본딩 패드와 구동 IC의 입력 단자를 접속시키는 제5 연결 라인을 추가로 구비한다.The first and second bonding pads are connected in series through a first connection line provided on the circuit film. The second and third bonding pads are connected in series through a second connection line provided on the panel. The third and fourth bonding pads are serially connected to the circuit film through a third connection line arranged in parallel with the first connection line. The fourth and fifth bonding pads are connected in series through a fourth connection line provided on the PCB. The bonding resistance sensing path further includes a fifth connection line which is provided on the circuit film and connects the fifth bonding pad and the input terminal of the driving IC.

구동 회로부는 PCB로부터 회로 필름을 통해 패널로 구동 전압을 공급하는 복수의 전원 배선을 더 포함하고, 제4 및 제5 본딩 패드는 복수의 전원 배선을 사이에 두고 이격 배치된다. 제5 본딩 패드는 복수의 전원 배선과 인접하여 회로 필름의 일측부에 배치되거나 회로 필름의 중앙부에 배치될 수 있다. 본딩 저항 센싱 경로는 구동 회로부의 일측부에 배치되거나, 구동 회로부의 양측부에 각각 배치될 수 있다.The driving circuit portion further includes a plurality of power wiring lines for supplying a driving voltage from the PCB to the panel through the circuit film, and the fourth and fifth bonding pads are spaced apart from each other with a plurality of power wiring lines interposed therebetween. The fifth bonding pad may be disposed at one side of the circuit film or at a central portion of the circuit film adjacent to the plurality of power supply wirings. The bonding resistance sensing path may be disposed on one side of the driving circuit portion or on both sides of the driving circuit portion.

일 실시예에 따른 표시 장치의 본딩 저항 센싱 방법은 전술한 본딩 저항 센싱 경로에 입력 전압을 공급하는 단계와, 입력 전압이 본딩 저항 센싱 경로를 경유하여 본딩 저항 센싱 경로와 기준 저항 사이의 센싱 노드에서 복수의 본딩 패드의 본딩 저항이 반영된 전압을 발생시키는 단계와, 구동 IC에 내장된 ADC가 센싱 노드로부터 본딩 저항이 반영된 전압을 공급받아 센싱 데이터로 변환하여 출력하는 단계와, 센싱 데이터를 이용하여 구동 회로부의 본딩 불량 여부를 판단하는 단계를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a method of sensing a bonding resistance of a display device, the method comprising: supplying an input voltage to the bonding resistance sensing path; sensing an input voltage at a sensing node between the bonding resistance sensing path and the reference resistance via a bonding resistance sensing path; A step of generating a voltage reflecting a bonding resistance of a plurality of bonding pads, converting the sensing resistor to a sensing voltage, receiving a voltage reflecting the bonding resistance from the sensing node, And judging whether or not the bonding of the circuit part is defective.

본 발명의 일 실시예는 구동 IC에 내장된 ADC를 이용하여 구동 회로부의 본딩 저항을 센싱하고 그 센싱 결과를 이용하여 구동 회로부의 본딩 불량 여부를 쉽게 확인할 수 있으므로 본딩 불량계 리스크를 감소시킬 수 있다.In one embodiment of the present invention, the bonding resistance of the driving circuit portion can be sensed by using the ADC incorporated in the driving IC, and it is possible to easily check whether the bonding of the driving circuit portion is bad or not by using the sensing result, .

본 발명의 일 실시예는 구동 회로부의 본딩 공정 후 본딩 저항을 검사하는 검사 시간을 감소시킬 수 있으므로 공정 택트 타임을 감소시킬 수 있고, 측정 오차를 감소시킬 수 있다.In one embodiment of the present invention, since the inspection time for inspecting the bonding resistance after the bonding process of the driving circuit portion can be reduced, the process tact time can be reduced and the measurement error can be reduced.

본 발명의 일 실시예는 제품 출하 후에도 구동 IC에 내장된 ADC를 이용하여 구동 회로부의 본딩 저항을 센싱함으로써 진행성 본딩 불량도 검출할 수 있으므로 구동 회로부의 진행성 접속 불량으로 인한 화면 이상이 발생하는 것을 사전에 방지할 수 있다.Since the advance bonding failure can be detected by sensing the bonding resistance of the driving circuit portion by using the ADC incorporated in the driving IC even after shipment of the product according to the embodiment of the present invention, .

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 표시 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에서 구동 회로부의 본딩 구조를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 본딩 저항 센싱부를 나타낸 등가 회로도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 구동 회로부의 본딩 저항 센싱 경로를 다양하게 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀 회로 및 구동 회로부의 일부를 나타낸 등가회로도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 표시 장치의 본딩 저항 센싱 방법을 나타낸 순서도이다.
1 is a block diagram schematically showing a configuration of an OLED display device according to an embodiment of the present invention.
2 is a view illustrating a bonding structure of a driving circuit portion in a display device according to an embodiment of the present invention.
3 is an equivalent circuit diagram illustrating a bonding resistance sensing unit according to an embodiment of the present invention.
4 is a view illustrating various ways of sensing a bonding resistance of a driving circuit according to an exemplary embodiment of the present invention.
5 is an equivalent circuit diagram showing a part of a pixel circuit and a driving circuit according to an embodiment of the present invention.
6 is a flowchart illustrating a bonding resistance sensing method of an OLED display according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예들을 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 표시 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 블록도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 본딩 저항 센싱을 위한 IC 패키지를 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a block diagram schematically showing a configuration of an OLED display device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a diagram illustrating an IC package for bonding resistance sensing according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 OLED 표시 장치는 패널(100), 게이트 드라이버(200), 데이터 드라이버(300), 타이밍 컨트롤러(400), 메모리(500), 전원부(600) 등을 포함한다.Referring to FIG. 1, an OLED display according to an embodiment includes a panel 100, a gate driver 200, a data driver 300, a timing controller 400, a memory 500, a power source 600, and the like. do.

패널(100)은 서브픽셀들(SP)이 매트릭스 형태로 배열된 픽셀 어레이를 통해 영상을 표시한다. 기본 픽셀은 화이트(W), 레드(R), 그린(G), 블루(B) 서브픽셀들 중 컬러 혼합으로 화이트 표현이 가능한 적어도 3개 서브픽셀들로 구성될 수 있다. 예를 들면, 기본 픽셀은 R/G/B 조합의 서브픽셀들, W/R/G 조합의 서브픽셀들, B/W/R 조합의 서브픽셀들, G/B/W 조합의 서브픽셀들로 구성되거나, W/R/G/B 조합의 서브픽셀들로 구성될 수 있다.The panel 100 displays an image through a pixel array in which sub-pixels SP are arranged in a matrix form. The basic pixel can be composed of at least three subpixels capable of white representation by color mixing among white (W), red (R), green (G) and blue (B) subpixels. For example, the basic pixel may be subpixels of R / G / B combination, subpixels of W / R / G combination, subpixels of B / W / R combination, subpixels of G / Or a combination of W / R / G / B combinations of subpixels.

전원부(600)는 입력 전압을 이용하여 타이밍 컨트롤러(400), 게이트 드라이버(200), 데이터 드라이버(300), 패널(100) 등과 표시 장치에서 필요한 다양한 구동 전압들을 생성하여 출력한다. 예를 들면, 전원부(600)는 데이터 드라이버(300) 및 타이밍 컨트롤러(400) 등에 공급되는 디지털 회로의 구동 전압, 데이터 드라이버(300)에 공급되는 아날로그 회로의 구동 전압, 게이트 드라이버(200)에서 이용되는 게이트 온 전압(게이트 하이 전압) 및 게이트 오프 전압(게이트 로우 전압) 등을 생성하여 공급한다. 전원부(600)는 패널(100) 구동시 필요한 복수의 구동 전압(EVDD, EVSS), 레퍼런스 전압을 생성하여 데이터 드라이버(300)를 통해 패널(100)에 공급한다.The power supply unit 600 generates various driving voltages required for the display controller and the timing controller 400, the gate driver 200, the data driver 300, the panel 100, and the like using the input voltage and outputs the generated driving voltages. For example, the power supply unit 600 may include a driving voltage of a digital circuit supplied to the data driver 300 and the timing controller 400, a driving voltage of an analog circuit supplied to the data driver 300, (Gate high voltage) and a gate-off voltage (gate low voltage) to be supplied to the gate electrode of the transistor. The power supply unit 600 generates a plurality of driving voltages EVDD and EVSS and a reference voltage required for driving the panel 100 and supplies the generated driving voltages EVDD and EVSS to the panel 100 through the data driver 300.

타이밍 컨트롤러(400)는 외부 시스템으로부터 영상 데이터 및 기초 타이밍 제어 신호들을 공급받는다. 시스템은 컴퓨터, TV 시스템, 셋탑 박스, 태블릿이나 휴대폰 등과 같은 휴대 단말기의 시스템 중 어느 하나일 수 있다. 기초 타이밍 제어 신호들은 도트 클럭, 데이터 인에이블 신호, 수직 동기 신호, 수평 동기 신호 등을 포함할 수 있다.The timing controller 400 receives image data and basic timing control signals from an external system. The system may be any one of a system of a portable terminal such as a computer, a TV system, a set-top box, a tablet or a mobile phone. The basic timing control signals may include a dot clock, a data enable signal, a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal, and the like.

타이밍 컨트롤러(400)는 외부로부터 공급받은 기초 타이밍 제어 신호들과 내부 레지스터에 저장된 타이밍 설정 정보(스타트 타이밍, 펄스폭 등)를 이용하여 데이터 드라이버(300) 및 게이트 드라이버(200)의 구동 타이밍을 각각 제어하는 데이터 제어 신호들 및 게이트 제어 신호들을 생성하여 공급한다.The timing controller 400 sets the driving timings of the data driver 300 and the gate driver 200 using the basic timing control signals supplied from the outside and the timing setting information (start timing, pulse width, etc.) stored in the internal registers And generates and supplies data control signals and gate control signals to be controlled.

타이밍 컨트롤러(400)는 각 서브픽셀(SP)에 공급될 영상 데이터를 메모리(500)에 저장된 보상값을 이용하여 보상하고, 보상된 영상 데이터를 데이터 드라이버(300)로 공급한다. 타이밍 컨트롤러(400)는 OLED 소자의 열화 보상, 소비 전력 감소 등을 위한 다양한 영상 처리를 더 수행할 수 있다.The timing controller 400 compensates the image data to be supplied to each subpixel SP using the compensation value stored in the memory 500 and supplies the compensated image data to the data driver 300. [ The timing controller 400 may further perform various image processing for degradation compensation of OLED elements, power consumption reduction, and the like.

타이밍 컨트롤러(400)는 시스템으로부터 센싱 커맨드를 공급받아 표시 장치를 각 서브픽셀의 특성을 센싱하는 픽셀 센싱 모드로 동작하도록 제어하거나, 데이터 드라이버(300)를 구동 회로부의 본딩 저항을 센싱하는 본딩 저항 센싱 모드로 동작하도록 제어할 수 있다.The timing controller 400 receives the sensing command from the system and controls the display device to operate in a pixel sensing mode for sensing the characteristics of each subpixel or controls the data driver 300 to perform bonding resistance sensing Mode can be controlled.

시스템으로부터 픽셀 센싱 커맨드가 공급되면, 타이밍 컨트롤러(400)는 게이트 드라이버(200) 및 데이터 드라이버(300)와 패널(100) 등을 픽셀 센싱 모드로 동작하도록 제어할 수 있다. 타이밍 컨트롤러(400)는 데이터 드라이버(300)를 통해 패널(100)의 각 서브픽셀에 대한 특성(구동 TFT의 Vth, 이동도, OLED의 Vth 등)을 센싱하고 센싱 결과를 이용하여 메모리(500)에 저장된 각 서브픽셀의 보상값을 업데이트한다.When the pixel sensing command is supplied from the system, the timing controller 400 can control the gate driver 200, the data driver 300, the panel 100, etc. to operate in the pixel sensing mode. The timing controller 400 senses the characteristics (Vth of the driving TFT, mobility, Vth of the OLED, etc.) of each subpixel of the panel 100 through the data driver 300, Lt; RTI ID = 0.0 > subpixel < / RTI >

시스템으로부터 본딩 저항 센싱 커맨드가 공급되면, 타이밍 컨트롤러(400)는 데이터 드라이버(300)를 본딩 저항 센싱 모드로 동작하도록 제어할 수 있으며, 이에 대한 설명은 후술하기로 한다.When the bonding resistance sensing command is supplied from the system, the timing controller 400 can control the data driver 300 to operate in the bonding resistance sensing mode, and a description thereof will be described later.

게이트 드라이버(200)는 타이밍 컨트롤러(400)로부터 게이트 제어 신호를 공급받아 패널(100)의 다수의 게이트 라인을 구동한다. 게이트 드라이버(200)는 각 게이트 라인의 구동 기간에 게이트 온 전압의 펄스를 해당 게이트 라인에 공급하고, 비구동 기간에는 게이트 오프 전압을 공급한다. 게이트 드라이버(200)는 패널(100) 양측부에 각각 배치되고 게이트 신호를 각 게이트 라인의 양측부에서 동시에 공급함으로써 게이트 신호의 딜레이를 감소시킬 수 있다.The gate driver 200 receives a gate control signal from the timing controller 400 and drives a plurality of gate lines of the panel 100. The gate driver 200 supplies a pulse of the gate-on voltage to the corresponding gate line in the driving period of each gate line, and supplies a gate-off voltage in the non-driving period. The gate driver 200 may be disposed on both sides of the panel 100 and the gate signal may be simultaneously supplied from both sides of each gate line to reduce the delay of the gate signal.

게이트 드라이버(200)는 패널(100)의 일측부 또는 양측부와 접속되어 게이트 라인들을 분할 구동하는 복수의 게이트 IC(Integrated Circuit)를 포함한다. 게이트 IC는 회로 필름에 개별적으로 실장되어 TCP(Tape Carrier Package), COF(Chip On Film) 형태로 마련되고 ACF(Anisotropic Conductive Film)를 통해 패널(100)에 TAB(Tape Automatic Bonding) 방식으로 본딩되어 접속될 수 있다. 이와 달리, 게이트 드라이버(200)는 패널(100)의 픽셀 어레이의 TFT 어레이와 함께 기판의 비표시 영역에 직접 형성되어 패널(100)에 내장되는 GIP(Gate In Panel) 타입으로 형성될 수 있다. The gate driver 200 includes a plurality of gate ICs (Integrated Circuits) connected to one side or both sides of the panel 100 to divide and drive the gate lines. The gate ICs are individually mounted on the circuit film and are provided in the form of TCP (Tape Carrier Package), COF (Chip On Film), and bonded to the panel 100 through an ACF (Tape Automatic Bonding) Can be connected. Alternatively, the gate driver 200 may be formed in a GIP (Gate In Panel) type which is formed directly in the non-display area of the substrate together with the TFT array of the pixel array of the panel 100 and embedded in the panel 100. [

데이터 드라이버(300)는 타이밍 컨트롤러(400)로부터 공급된 데이터 제어 신호를 이용하여, 타이밍 컨트롤러(400)로부터 공급된 픽셀 데이터를 아날로그 데이터 전압으로 변환하고 데이터 전압을 패널(100)로 공급한다. 데이터 드라이버(300)는 감마 전압 생성부로부터 공급된 계조별 감마 전압을 이용하여 디지털 데이터를 아날로그 데이터 전압으로 변환한다.The data driver 300 converts the pixel data supplied from the timing controller 400 into an analog data voltage and supplies the data voltage to the panel 100 using the data control signal supplied from the timing controller 400. [ The data driver 300 converts the digital data into the analog data voltage using the gradation-specific gamma voltage supplied from the gamma voltage generator.

데이터 드라이버(300)는 타이밍 컨트롤러(400)의 제어에 따라 픽셀 센싱 모드와 본딩 저항 센싱 모드로 동작할 수 있다.The data driver 300 may operate in a pixel sensing mode and a bonding resistance sensing mode under the control of the timing controller 400.

타이밍 컨트롤러(400)의 제어에 따라 픽셀 센싱 모드일 때, 데이터 드라이버(300)는 타이밍 컨트롤러(400)로부터 공급받은 센싱용 데이터를 센싱용 데이터 전압으로 변환한 후 데이터 라인을 통해 각 서브픽셀에 공급하여 각 서브픽셀을 구동한다. 데이터 드라이버(300)는 구동된 서브픽셀(SP)의 구동 특성(구동 TFT의 Vth, 이동도, OLED의 Vth 등)을 나타내는 픽셀 전류를 레퍼런스 라인을 통해 전압으로 센싱하고 ADC(Analog-to-Digital Converter)를 통해 센싱 데이터로 변환하여 타이밍 컨트롤러(400)에 제공한다. 타이밍 컨트롤러(400)는 데이터 드라이버(300)로부터 공급된 센싱 결과를 이용하여 메모리(500)에 저장된 각 서브픽셀의 보상값을 업데이트한다.The data driver 300 converts the sensing data supplied from the timing controller 400 into a sensing data voltage and supplies the data voltage to each sub pixel through a data line, Thereby driving each sub-pixel. The data driver 300 senses the pixel current representing the driving characteristics (Vth of the driving TFT, mobility, Vth of the OLED, etc.) of the driven subpixel SP as a voltage through the reference line, Converter to provide the timing data to the timing controller 400. The timing controller 400 updates the compensation value of each subpixel stored in the memory 500 using the sensing result supplied from the data driver 300.

데이터 드라이버(300)는 패널(100)의 일측부 또는 양측부와 접속되어 데이터 라인들을 분할 구동하는 복수의 데이터 IC(350; 도 2)를 포함한다. 도 2에 도시된 바와 같이 각 데이터 IC(350)는 회로 필름(360)에 개별적으로 실장되어 TCP, COF 형태의 구동 회로부(370)로 마련되고, 각 구동 회로부(370)는 ACF를 통해 패널(100) 및 PCB(700)에 TAB 방식으로 본딩 및 접속된다.The data driver 300 includes a plurality of data ICs 350 (FIG. 2) connected to one side or both sides of the panel 100 to divide and drive the data lines. 2, each of the data ICs 350 is individually mounted on the circuit film 360 and is provided as a driving circuit portion 370 of TCP or COF type. Each driving circuit portion 370 is connected to the panel 100 and the PCB 700 by a TAB method.

타이밍 컨트롤러(400)의 제어에 따라 본딩 저항 센싱 모드일 때, 데이터 드라이버(300), 즉 각 데이터 IC(350)는 입력 전압(Vin)이 구동 회로부(370)의 본딩 저항 센싱 경로(10)를 경유함으로써 본딩 저항이 반영된 전압을 센싱 전압으로 공급받고, ADC를 통해 센싱 데이터로 변환하여 타이밍 컨트롤러(400)에 제공한다. 각 구동 회로부(370)의 본딩 저항 센싱 경로(10)는 구동 회로부(370)와 PCB(700)가 본딩된 복수의 본딩 패드(12, 13)와, 구동 회로부(370)와 패널(100)이 본딩된 복수의 본딩 패드(11, 14, 15)가 직렬 접속된 구조로 마련된다. 본딩 저항 센싱 경로(10)는 구동 회로부(370)의 일측부에 마련되거나 구동 회로부(370)의 양측부에 각각 마련될 수 있다.The data driver 300 or the respective data ICs 350 may be configured such that the input voltage Vin is applied to the bonding resistance sensing path 10 of the driving circuit portion 370 in the bonding resistance sensing mode under the control of the timing controller 400 The voltage reflecting the bonding resistance is supplied to the timing controller 400 via the ADC, and the voltage is converted into sensing data and supplied to the timing controller 400. The bonding resistance sensing path 10 of each driving circuit unit 370 includes a plurality of bonding pads 12 and 13 to which the driving circuit unit 370 and the PCB 700 are bonded, a driving circuit unit 370, A plurality of bonded bonding pads 11, 14, and 15 are connected in series. The bonding resistance sensing path 10 may be provided on one side of the driving circuit unit 370 or on both sides of the driving circuit unit 370.

구동 회로부(370)의 본딩 상태는 중앙 부분의 본딩 상태가 가장 좋고 양측부의 본딩 상태가 상대적으로 좋지 않으므로, 구동 회로부(370)의 일측부 또는 양측부에 위치한 본딩 저항 센싱 경로(10)에 대한 본딩 저항을 센싱함으로써 구동 회로부(370)의 본딩 불량 여부를 판단할 수 있다.Since the bonding state of the driving circuit portion 370 is the best in the center bonding state and the bonding state in the both side portions is relatively poor, bonding of the bonding resistive sensing path 10, which is located on one side or both sides of the driving circuit portion 370, By sensing the resistance, it is possible to judge whether or not the driving circuit 370 is defective in bonding.

타이밍 컨트롤러(400)는 각 데이터 IC(350)로부터 공급받은 센싱 데이터를 이용하여 각 구동 회로부(370)의 본딩 불량 여부를 판단한다. 타이밍 컨트롤러(400)는 본딩 불량 여부의 판단 결과를 외부로 출력하여 본딩 불량시 작업자가 각 구동 회로부(370)의 본딩 불량을 수선할 수 있게 한다. 타이밍 컨트롤러(400)는 본딩 저항에 의한 전압 센싱값이 미리 설정된 기준값보다 작으면 본딩 저항이 증가한 것이므로 본딩 불량으로 판단하고, 본딩 저항에 의한 전압 센싱값이 기준값 이상이면 본딩 저항이 상대적으로 작은 정상 본딩으로 판단할 수 있다.The timing controller 400 determines whether or not the respective driving circuit portions 370 are defective in bonding by using the sensing data supplied from the respective data ICs 350. The timing controller 400 outputs the determination result of the bonding failure to the outside so that the operator can repair the bonding failure of each driving circuit unit 370 when the bonding is defective. If the voltage sensing value of the bonding resistor is less than the preset reference value, the timing controller 400 determines that the bonding resistance is increased because the bonding resistance is increased. If the voltage sensing value of the bonding resistor is higher than the reference value, .

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 각 구동 회로부(370)의 본딩 구조를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 3은 각 구동 회로부(370)의 본딩 저항 센싱 장치를 나타낸 등가회로도이다.FIG. 2 is a schematic view showing a bonding structure of each driving circuit unit 370 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing a bonding resistance sensing apparatus of each driving circuit unit 370.

도 2를 참조하면, 회로 필름(360)에 실장된 데이터 IC(350)를 포함하는 각 구동 회로부(370)에서 제1 본딩부(362)는 PCB(700)의 본딩부(710)의 전체 또는 일부 영역에서 ACF에 의해 본딩된다. 제1 본딩부(362)에 위치하는 복수의 본딩 패드들은 PCB(700)의 본딩부(710)에 위치하는 복수의 본딩 패드들과 ACF에 포함된 도전 입자들을 통해 개별적으로 접속된다.2, in each driving circuit portion 370 including the data IC 350 mounted on the circuit film 360, the first bonding portion 362 may be a whole or a part of the bonding portion 710 of the PCB 700 It is bonded by ACF in some areas. The plurality of bonding pads located in the first bonding portion 362 are individually connected to the plurality of bonding pads located in the bonding portion 710 of the PCB 700 through the conductive particles included in the ACF.

구동 회로부(370)에서 제1 본딩부(362)와 제1 방향(Y)으로 마주보는 제2 본딩부(364)는 패널(100)의 본딩부(110)의 전체 또는 일부 영역에서 ACF에 의해 본딩된다. 제2 본딩부(364)에 위치하는 복수의 본딩 패드들은 패널(100)의 본딩부(110)에 위치하는 복수의 본딩 패드들과 ACF에 포함된 도전 입자들을 통해 개별적으로 접속된다.The second bonding portion 364 facing the first bonding portion 362 in the first direction Y in the driving circuit portion 370 is electrically connected to the bonding portion 110 of the panel 100 by ACF Bonding. The plurality of bonding pads located in the second bonding portion 364 are individually connected to the plurality of bonding pads located in the bonding portion 110 of the panel 100 through the conductive particles included in the ACF.

각 구동 회로부(370)의 본딩 저항 센싱 경로(10)는 회로 필름(360)과 PCB(700) 사이에 본딩된 제1 본딩 패드(11)와, 회로 필름(360)과 패널(100) 사이에 본딩된 제2 및 제3 본딩 패드(12, 13)와, 회로 필름(360)과 PCB(700) 사이에 본딩된 제4, 제5 본딩 패드(11, 14, 15)가 직렬 접속된 구조를 갖는다.The bonding resistance sensing path 10 of each driving circuit portion 370 includes a first bonding pad 11 bonded between the circuit film 360 and the PCB 700 and a second bonding pad 11 between the circuit film 360 and the panel 100 Second and third bonding pads 12 and 13 bonded together and fourth and fifth bonding pads 11, 14 and 15 bonded between the circuit film 360 and the PCB 700 are connected in series, .

제1 본딩 패드(11)는 전원부(600)로부터 입력 전압(Vin)을 공급받는다. 제1 본딩 패드(11) 및 제2 본딩 패드(12)는 회로 필름(360)에 마련된 연결 라인(21)을 통해 직렬 접속된다. 제2 및 제3 본딩 패드(12, 13)은 패널(100)에 마련된 연결 라인(22)을 통해 직렬 접속된다. 제3 및 제4 본딩 패드(13, 14)는 회로 필름(360)에 마련된 연결 라인(23)을 통해 직렬 접속된다. 제4 및 제5 본딩 패드(14, 15)는 PCB(700)에 마련된 연결 라인(24)을 통해 직렬 접속된다. 제5 본딩 패드(15)는 회로 필름(360)에 마련된 연결 라인(25)을 통해 데이터 IC(350)의 입력 단자와 직렬 접속된다.The first bonding pad 11 receives the input voltage Vin from the power supply unit 600. The first bonding pad 11 and the second bonding pad 12 are connected in series through a connection line 21 provided in the circuit film 360. [ The second and third bonding pads 12 and 13 are connected in series through a connection line 22 provided in the panel 100. [ The third and fourth bonding pads 13 and 14 are connected in series through a connection line 23 provided on the circuit film 360. [ The fourth and fifth bonding pads 14 and 15 are connected in series through a connection line 24 provided on the PCB 700. The fifth bonding pad 15 is connected in series with the input terminal of the data IC 350 through a connection line 25 provided in the circuit film 360.

도 2를 참조하면, 제1 본딩 패드(11)는 PCB(700)와 회로 필름(360)에 마련된 한 쌍의 패드(11-1, 11-2)가 서로 마주하여 ACF에 의해 본딩 및 접속된 구조를 갖는다. 제1 본딩 패드(11)와 인접한 제4 본딩 패드(14)도 PCB(700)와 회로 필름(360)에 마련된 한 쌍의 패드(14-1, 14-2)가 서로 마주하여 ACF에 의해 본딩 및 접속된 구조를 갖는다. 제2 본딩 패드(15)도 PCB(700)와 회로 필름(360)에 각각 마련된 한 쌍의 패드가 ACF에 의해 본딩 및 접속된 구조를 갖는다. 이와 유사하게, 제2 및 제3 본딩 패드(12, 13) 각각도 패널(100)과 회로 필름(360)에 각각 마련된 각 쌍의 패드가 ACF에 의해 본딩 및 접속된 구조를 갖는다.Referring to FIG. 2, the first bonding pad 11 includes a pair of pads 11-1 and 11-2 provided on the PCB 700 and the circuit film 360, facing each other, Structure. The fourth bonding pad 14 adjacent to the first bonding pad 11 also has a pair of pads 14-1 and 14-2 provided on the PCB 700 and the circuit film 360 facing each other, And a connected structure. The second bonding pad 15 also has a structure in which a pair of pads respectively provided on the PCB 700 and the circuit film 360 are bonded and connected by the ACF. Likewise, each of the second and third bonding pads 12 and 13 has a structure in which each pair of pads provided on the panel 100 and the circuit film 360 are bonded and connected by ACF.

도 3을 참조하면, 제1 내지 제5 본딩 패드(11~15)는 입력 전압(Vin)의 공급 라인과 접속된 제1 내지 제5 본딩 저항(R1~R5)의 직렬 구조로 표현될 수 있다. 제2 및 제3 본딩 패드(12, 13)에 대응하는 제2 및 제3 본딩 저항(R2, R3)의 합(R2+R3)은 구동 회로부(370)와 PCB(700) 사이의 본딩 저항(Ra)을 나타낸다. 제1, 제4, 제5 본딩 패드(11, 14, 15)에 대응하는 제1, 제4, 제5 본딩 저항(R1, R4, R5)의 합(R1+R4+ R5)은 구동 회로부(370)와 패널(100) 사이의 본딩 저항(Rb)을 나타낸다. 따라서, 본딩 저항 센싱 경로(10)는 구동 회로부(370)와 PCB(700) 사이의 본딩 저항(Ra)과 구동 회로부(370)와 패널(100) 사이의 본딩 저항(Rb)이 직렬 접속된 구조를 갖는다.3, the first to fifth bonding pads 11 to 15 may be represented by a series structure of first to fifth bonding resistors R1 to R5 connected to a supply line of the input voltage Vin . The sum R2 + R3 of the second and third bonding resistors R2 and R3 corresponding to the second and third bonding pads 12 and 13 is equal to the sum of the bonding resistance between the driver circuit portion 370 and the PCB 700 Ra). The sum (R1 + R4 + R5) of the first, fourth and fifth bonding resistors R1, R4 and R5 corresponding to the first, fourth and fifth bonding pads 11, And a bonding resistance Rb between the panel 100 and the panel 100. [ The bonding resistance sensing path 10 is a structure in which a bonding resistor Ra between the driving circuit portion 370 and the PCB 700 and a bonding resistor Rb between the driving circuit portion 370 and the panel 100 are connected in series .

제1 내지 제5 본딩 저항(R1~R5)의 직렬 구조와 그라운드(GND) 사이에 기준 저항(Rf)이 직렬 접속되고, 제5 본딩 저항(R5)과 기준 저항(Rf) 사이의 센싱 노드(Ns)는 스위치(SW)를 통해 ADC(310)의 입력 단자와 접속된다. 기준 저항(Rf) 및 스위치(SW)는 ADC(310)와 함께 데이터 IC(350)에 내장된다. 기준 저항(Rf)은 회로 필름(360)에 위치할 수 있다.A reference resistor Rf is connected in series between the series structure of the first to fifth bonding resistors R1 to R5 and the ground GND and a sensing node Rf between the fifth bonding resistor R5 and the reference resistor Rf Ns are connected to the input terminal of the ADC 310 via the switch SW. The reference resistor Rf and the switch SW are embedded in the data IC 350 together with the ADC 310. [ The reference resistor Rf may be located on the circuit film 360. [

입력 전압(Vin; 1~2V)이 본딩 저항들(R1~R5)을 경유하면서 전압 강하되므로 센싱 노드(Ns)는 제1 내지 제5 본딩 패드(11~15)의 본딩 저항들(R1~R5)이 반영된 전압, 즉 본딩 저항에 의한 센싱 전압을 발생시킨다. ADC(320)는 센싱 노드(Ns)로부터 발생된 센싱 전압을 스위치(SW)를 통해 공급받아 센싱 데이터로 변환하여 타이밍 컨트롤러(400)로 제공한다. 타이밍 컨트롤러(400)의 제어에 의해 본딩 저항 센싱 모드일 때 스위치(SW)가 턴-온된다.The sensing node Ns is connected to the bonding resistors R1 to R5 of the first to fifth bonding pads 11 to 15 because the input voltage Vin is 1 to 2 V through the bonding resistors R1 to R5, ), That is, the sensing voltage by the bonding resistance. The ADC 320 receives the sensing voltage generated from the sensing node Ns through the switch SW, converts the sensing voltage into sensing data, and provides the sensed data to the timing controller 400. Under the control of the timing controller 400, the switch SW is turned on in the bonding resistance sensing mode.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 구동 회로부의 본딩 저항 센싱 경로를 다양하게 나타낸 도면이다.4 is a view illustrating various ways of sensing a bonding resistance of a driving circuit according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 4(a)를 참조하면, 패널(100) 및 기판(700) 사이에 본딩된 구동 회로부(370)에서 제2 방향(X)으로 마주하는 양측부에 제1 및 제2 본딩 저항 센싱 경로(10A, 10B)가 각각 위치할 수 있다. 데이터 IC(350)에 내장된 ADC는 제1 및 제2 본딩 저항 센싱 경로(10A, 10B)와 각각 접속되어 각 경로의 본딩 저항에 의한 센싱 전압을 각각 공급받을 수 있고, 제1 및 제2 본딩 저항 센싱 경로(10A, 10B) 각각에 대한 센싱 데이터를 타이밍 컨트롤러(400)로 제공할 수 있다.4 (a), first and second bonding resistance sensing paths (not shown) are formed on both sides of the driving circuit portion 370, which are bonded between the panel 100 and the substrate 700, 10A, and 10B, respectively. The ADC incorporated in the data IC 350 can be connected to the first and second bonding resistance sensing paths 10A and 10B to receive sensing voltages by the bonding resistors of the respective paths, The sensing data for each of the resistance sensing paths 10A and 10B can be provided to the timing controller 400. [

도 4(b), (c)를 참조하면, 구동 회로부(370)에서 제2 방향(X)의 양측부에는 PCB(700)로부터 패널(100)에 제1 및 제2 구동 전압(EVDD, EVSS)을 공급하는 복수의 전원 배선들(30, 32)이 위치할 수 있다.4B and 4C, first and second driving voltages EVDD and EVSS are applied to the panel 100 from the PCB 700 on both sides of the driving circuit unit 370 in the second direction X. [ A plurality of power supply wirings 30 and 32 for supplying a plurality of power supply wirings 30 and 32 may be located.

도 4(a)에 있어서, 본딩 저항 센싱 경로(10)와 데이터 IC(350) 사이에 도 4(b)와 같이 복수의 전원 배선들(30, 32)이 위치할 경우, 제5 본딩 패드(15)와 데이터 IC(350)를 연결하는 연결 라인(25)은 회로 필름(360)에서 전원 배선들(30, 32)과 서로 다른 층에 형성되어 교차되어야 한다.4 (a), when a plurality of power supply lines 30 and 32 are positioned between the bonding resistance sensing path 10 and the data IC 350 as shown in FIG. 4 (b), the fifth bonding pad 15 and the data IC 350 must be formed on different layers of the circuit film 360 and the power supply lines 30 and 32 and intersect with each other.

한편, 도 4(b), (c)와 같이 구동 회로부(370)에서 제5 본딩 패드(15A, 15B)의 위치를 변경함으로써 제5 본딩 패드(15A, 15B)와 데이터 IC(350)를 연결하는 연결 라인(25A, 25B)은 전원 배선들(30, 32)과 교차없이 동일층에 형성될 수 있다.The fifth bonding pads 15A and 15B and the data IC 350 are connected to each other by changing the positions of the fifth bonding pads 15A and 15B in the driving circuit unit 370 as shown in Figs. 4 (b) and 4 (c) The connection lines 25A and 25B may be formed on the same layer without crossing the power supply lines 30 and 32. [

도 4(b)에 있어서, 제5 본딩 패드(15A)는 전원 배선들(30)을 사이에 두고 제4 본딩 패드(14)와 이격되고, PCB(700)에 마련된 연결 라인(24)를 통해 제4 및 제5 본딩 패드(14, 15A)가 접속된다.4B, the fifth bonding pad 15A is spaced apart from the fourth bonding pad 14 with the power supply wires 30 interposed therebetween, and is electrically connected to the fourth bonding pad 14 via a connection line 24 provided on the PCB 700 And the fourth and fifth bonding pads 14 and 15A are connected.

도 4(c)에 있어서, 제5 본딩 패드(15B)는 구동 회로부(370)의 중앙부에 위치할 수 있고, PCB(700)에 마련된 연결 라인(24)를 통해 제4 및 제5 본딩 패드(14, 15A)가 접속된다. 다. 이 경우, 데이터 IC(350)에 내장된 ADC(310; 도 3)는 구동 회로부(370)의 일측부 또는 양측부뿐만 아니라 중앙부의 본딩 저항도 센싱 전압에 반영하여 센싱할 수 있다.4C, the fifth bonding pad 15B may be located at a central portion of the driving circuit portion 370 and connected to the fourth and fifth bonding pads (not shown) through a connection line 24 provided on the PCB 700 14 and 15A are connected. All. In this case, the ADC 310 (FIG. 3) incorporated in the data IC 350 can sense the bonding resistance at the center as well as the one side or both sides of the driving circuit 370 by sensing the sensing voltage.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀 회로 및 구동 회로부의 일부 구성을 나타낸 등가 회로도이다.5 is an equivalent circuit diagram showing a part of a pixel circuit and a driving circuit according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 패널(100)과 접속된 데이터 IC(350)는 내장된 ADC(310)를 이용하여 각 서브픽셀(SP)의 특성을 센싱하고, 구동 회로부(370)의 본딩 저항을 센싱한다.5, the data IC 350 connected to the panel 100 senses the characteristics of each subpixel SP using the built-in ADC 310 and senses the bonding resistance of the driving circuit 370 do.

타이밍 컨트롤러(400)의 제어에 따른 본딩 저항 센싱 모드일 때, ADC(310)는 구동 회로부(370)의 본딩 저항 센싱 경로(10)와 기준 저항(Rf) 사이의 센싱 노드(Ns)와 스위치(SW)를 통해 접속되어 본딩 저항에 의한 센싱 전압을 센싱할 수 있다. 본딩 저항 센싱 경로(10)에서 구동 회로부(370)와 PCB(700) 사이의 본딩 저항(Ra)과 구동 회로부(370)와 패널(100) 사이의 본딩 저항(Rb)은 입력 전압(Vin)의 공급 라인과 센싱 노드(Ns) 사이에 직렬 접속된다.The ADC 310 controls the sensing node Ns between the bonding resistance sensing path 10 and the reference resistance Rf of the driving circuit unit 370 and the sensing node Ns between the sensing resistor Rs and the sensing resistor Rf, SW to sense the sensing voltage by the bonding resistance. The bonding resistance Ra between the driving circuit portion 370 and the PCB 700 and the bonding resistance Rb between the driving circuit portion 370 and the panel 100 in the bonding resistance sensing path 10 are the same as those of the input voltage Vin Connected in series between the supply line and the sensing node (Ns).

타이밍 컨트롤러(400)의 제어에 따른 픽셀 센싱 모드일 때, ADC(310)는 샘플링 스위치(SAM) 및 레퍼런스 라인(REF)을 통해 각 서브픽셀(SP)의 특성을 센싱할 수 있다.In the pixel sensing mode under the control of the timing controller 400, the ADC 310 can sense the characteristics of each subpixel SP through the sampling switch SAM and the reference line REF.

패널(100)에 위치하는 각 서브픽셀(SP)은 고전위 구동전압(제1 구동전압; 이하 EVDD) 라인(PW1) 및 저전위 구동전압(제2 구동전압; 이하 EVSS) 라인(PW2) 사이에 접속된 OLED(10)와, OLED(10)를 독립적으로 구동하기 위하여 제1 및 제2 스위칭 TFT(ST1, ST2) 및 구동 TFT(DT)와 스토리지 커패시터(Cst)를 적어도 포함하는 픽셀 회로를 구비한다. 한편, 픽셀 회로는 도 5의 구성과 다른 다양한 구성이 적용될 수 있다.Each subpixel SP located in the panel 100 is connected between a high potential driving voltage (first driving voltage: EVDD) line PW1 and a low potential driving voltage (second driving voltage: EVSS) line PW2 A pixel circuit including at least a first and a second switching TFTs ST1 and ST2 and a driving TFT DT and a storage capacitor Cst to independently drive the OLED 10 Respectively. On the other hand, the pixel circuit may have various configurations different from the configuration of FIG.

스위칭 TFT(ST1, ST2) 및 구동 TFT(DT)는 아몰퍼스 실리콘 (a-Si) TFT, 폴리-실리콘(poly-Si) TFT, 산화물(Oxide) TFT, 또는 유기(Organic) TFT 등이 이용될 수 있다.The switching TFTs ST1 and ST2 and the driving TFT DT may be an amorphous silicon (a-Si) TFT, a poly-Si TFT, an oxide TFT, an organic TFT or the like have.

OLED(10)는 구동 TFT(DT)의 소스 노드(N2)와 접속된 애노드와, EVSS 라인(PW2)과 접속된 캐소드와, 애노드 및 캐소드 사이의 유기 발광층을 구비한다. 애노드는 서브픽셀별로 독립적이지만 캐소드는 전체 서브픽셀들이 공유하는 공통 전극일 수 있다. OLED 소자(10)는 구동 TFT(DT)로부터 구동 전류가 공급되면 캐소드로부터의 전자가 유기 발광층으로 주입되고, 애노드로부터의 정공이 유기 발광층으로 주입되어, 유기 발광층에서 전자 및 정공의 재결합으로 형광 또는 인광 물질을 발광시킴으로써, 구동 전류의 전류값에 비례하는 밝기의 광을 발생한다.The OLED 10 has an anode connected to the source node N2 of the driving TFT DT, a cathode connected to the EVSS line PW2, and an organic light emitting layer between the anode and the cathode. The anode is independent for each subpixel, but the cathode may be a common electrode shared by all the subpixels. When a driving current is supplied from the driving TFT DT, electrons from the cathode are injected into the organic light-emitting layer, holes from the anode are injected into the organic light-emitting layer, and electrons and holes recombine in the organic light- By emitting phosphors, light of brightness proportional to the current value of the drive current is generated.

제1 스위칭 TFT(ST1)는 게이트 드라이버(200)로부터 제1 게이트 라인(GLn1)에 공급되는 제1 게이트 신호(SCAN)에 의해 구동되고, 데이터 IC(350)로부터 데이터 라인(DL)에 공급되는 데이터 전압(Vdata)을 구동 TFT(DT)의 게이트 노드(N1)에 공급한다.The first switching TFT ST1 is driven by the first gate signal SCAN supplied from the gate driver 200 to the first gate line GLn1 and supplied from the data IC 350 to the data line DL And supplies the data voltage Vdata to the gate node N1 of the driving TFT DT.

제2 스위칭 TFT(ST2)는 게이트 드라이버(200)로부터 제2 게이트 라인(GLn2)에 공급되는 제2 게이트 신호(SENSE)에 의해 구동되고, 데이터 IC(350)로부터 레퍼런스 라인(REF)에 공급되는 레퍼런스 전압(Vref)을 구동 TFT(DT)의 소스 노드(N2)에 공급한다. 또한, 각 서브픽셀(SP)이 센싱 모드에서 구동될 때, 제2 스위칭 TFT(ST2)는 구동 TFT(DT)로부터 공급된 전류를 플로팅 상태의 레퍼런스 라인(REF)으로 출력한다.The second switching TFT ST2 is driven by the second gate signal SENSE supplied from the gate driver 200 to the second gate line GLn2 and supplied from the data IC 350 to the reference line REF And supplies the reference voltage Vref to the source node N2 of the driving TFT DT. Further, when each sub-pixel SP is driven in the sensing mode, the second switching TFT ST2 outputs the current supplied from the driving TFT DT to the floating reference line REF.

구동 TFT(DT)의 게이트 노드(N1) 및 소스 노드(N2) 사이에 접속된 스토리지 커패시터(Cst)는 스캔 기간 동안 턴-온된 제1 및 제2 스위칭 TFT(ST1, ST2)를 통해 게이트 노드(N1) 및 소스 노드(N2)에 각각 공급된 데이터 전압(Vdata)과 레퍼런스 전압(Vref)의 차전압을 구동 TFT(DT)의 구동 전압(Vgs)으로 충전하고, 제1 및 제2 스위칭 TFT(ST1, ST2)가 오프되는 발광 기간 동안 충전된 구동 전압(Vgs)을 홀딩한다.The storage capacitor Cst connected between the gate node N1 and the source node N2 of the driving TFT DT is connected to the gate node N1 through the first and second switching TFTs ST1 and ST2 turned on during the scan period The difference voltage between the data voltage Vdata and the reference voltage Vref supplied to the first and second switching TFTs N1 and N2 is charged to the driving voltage Vgs of the driving TFT DT, ST1, and ST2 are turned off.

구동 TFT(DT)는 EVDD 라인(PW1)으로부터 공급되는 전류를 스토리지 커패시터(Cst)로부터 공급된 구동 전압(Vgs)에 따라 제어하여 구동 전압(Vgs)에 의해 정해진 구동 전류를 OLED(10)로 공급함으로써 OLED(10)를 발광시킨다.The driving TFT DT controls the current supplied from the EVDD line PW1 according to the driving voltage Vgs supplied from the storage capacitor Cst to supply the driving current determined by the driving voltage Vgs to the OLED 10 Thereby causing the OLED 10 to emit light.

서브픽셀(SP)을 센싱하는 모드일 때, 제1 및 제2 게이트 신호(SCAN, SENSE)의 스캔 기간 동안 구동 TFT(DT)는 데이터 드라이버(300)로부터 데이터 라인(DL) 및 제1 스위칭 TFT(ST1)를 통해 공급되는 센싱용 데이터 전압(Vdata)과, 레퍼런스 라인(REF) 및 제2 스위칭 TFT(ST2)를 통해 공급되는 레퍼런스 전압(Vref)를 공급받아 구동하고, OLED(10)를 구동할 수 있다. 구동 TFT(DT)의 구동 특성(Vth, 이동도)이나 OLED(10)의 열화가 반영된 픽셀 전류는 제2 스위칭 TFT(ST2)를 통해 레퍼런스 라인(REF)의 라인 커패시터에 전압으로 충전된다. ADC(310)는 레퍼런스 라인(REF)으로부터 샘플링 스위치(SAM)을 통해 센싱 전압을 공급받아 각 서브픽셀(SP)의 센싱 데이터로 변환하여 출력한다.During the scan period of the first and second gate signals SCAN and SENSE, the driver TFT DT supplies data from the data driver 300 to the data line DL and the first switching TFT < RTI ID = 0.0 > And supplies the sensing data voltage Vdata supplied through the first switching TFT ST1 and the reference voltage Vref supplied through the reference line REF and the second switching TFT ST2 to drive the OLED 10 can do. The pixel current reflecting the driving characteristic (Vth, mobility) of the driving TFT DT or the degradation of the OLED 10 is charged to the line capacitor of the reference line REF through the second switching TFT ST2. The ADC 310 receives the sensing voltage from the reference line REF through the sampling switch SAM, converts the sensing voltage into sensing data of each subpixel SP, and outputs the sensed data.

이와 같이, 일 실시예에 따른 데이터 IC(350)는 픽셀 특성을 센싱하기 위하여 내장된 ADC(310)를 활용하여, 구동 회로부(370)의 본딩 저항 센싱 경로(10)를 통해 공급된 본딩 저항에 의한 센싱 전압을 센싱할 수 있고 그 센싱 결과를 타이밍 컨트롤러(400)에 센싱 데이터로 제공할 수 있다.As such, the data IC 350 according to one embodiment utilizes the built-in ADC 310 to sense the pixel characteristics, and is connected to the bonding resistance supplied through the bonding resistance sensing path 10 of the driver circuit portion 370 It is possible to sense the sensing voltage by the timing controller 400 and provide the sensing result to the timing controller 400 as sensing data.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 구동 회로부의 본딩 저항 센싱 방법을 나타낸 순서도이다.6 is a flowchart illustrating a bonding resistance sensing method of a driving circuit unit according to an embodiment of the present invention.

타이밍 컨트롤러(400)는 데이터 IC(350)를 제어하여 구동 회로부(370)의 본딩 저항 센싱 모드로 동작하도록 제어한다. 본딩 저항 센싱 모드는 제품 출하 이전의 검사 공정뿐만 아니라 제품 출하 후에도 진행하여 진행성 본딩 불량도 검출할 수 있다.The timing controller 400 controls the data IC 350 to operate in a bonding resistance sensing mode of the driving circuit unit 370. The bonding resistance sensing mode can be checked not only before the product shipment but also after the product shipment to detect progressive bonding defects.

전원부(500)로부터 구동 회로부(370)의 본딩 저항 센싱 경로(10)에 입력 전압(Vin)을 공급한다(S602).The input voltage Vin is supplied from the power supply unit 500 to the bonding resistance sensing path 10 of the driving circuit unit 370 (S602).

ADC(310)는 구동 회로부(370)의 본딩 저항 센싱 경로(10)를 경유하여 센싱 노드(Ns)에서 발생된 본딩 저항에 의한 센싱 전압을 스위치(SW)를 통해 센싱한다(S604). ADC(320)는 센싱 전압을 스위치(SW)를 통해 공급받아 센싱 데이터로 변환하여 타이밍 컨트롤러(400)로 제공한다.The ADC 310 senses the sensing voltage by the bonding resistance generated at the sensing node Ns via the switch SW via the bonding resistance sensing path 10 of the driving circuit unit 370 at step S604. The ADC 320 receives the sensing voltage through the switch SW, converts the sensing voltage into sensing data, and provides the sensed data to the timing controller 400.

타이밍 컨트롤러(400)는 각 데이터 IC(350)로부터 공급받은 센싱 데이터를 이용하여 각 구동 회로부(370)의 본딩 불량 여부를 판단한다(S606, S608, S6010). 타이밍 컨트롤러(400)는 본딩 저항에 의한 전압 센싱값이 미리 설정된 기준값보다 작으면(S606; Y) 본딩 저항이 증가한 것이므로 본딩 불량으로 판단하고(S610), 본딩 저항에 의한 전압 센싱값이 기준값 이상이면(S606; N) 본딩 저항이 상대적으로 작은 정상 본딩(S608)으로 판단할 수 있다.The timing controller 400 determines whether or not each driving circuit 370 is defective in bonding using the sensing data supplied from each data IC 350 (S606, S608, and S6010). If the voltage sensing value by the bonding resistor is equal to or greater than the reference value (S606; Y), the timing controller 400 determines that the bonding resistance is increased because the bonding resistance is increased (S606; N) can be determined as normal bonding (S608) having a relatively small bonding resistance.

타이밍 컨트롤러(400)는 본딩 불량 여부의 판단 결과를 외부로 출력하여 본딩 불량시 작업자가 각 구동 회로부(370)의 본딩 불량을 수선할 수 있게 한다.The timing controller 400 outputs the determination result of the bonding failure to the outside so that the operator can repair the bonding failure of each driving circuit unit 370 when the bonding is defective.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예는 구동 IC에 내장된 ADC를 이용하여 구동 회로부의 본딩 저항을 센싱하고 그 센싱 결과를 이용하여 구동 회로부의 본딩 불량 여부를 쉽게 확인할 수 있으므로 본딩 불량계 리스크를 감소시킬 수 있다.As described above, according to one embodiment of the present invention, the bonding resistance of the driving circuit portion can be sensed by using the ADC incorporated in the driving IC, and it is possible to easily check whether the bonding of the driving circuit portion is bad by using the sensing result. Can be reduced.

본 발명의 일 실시예는 구동 회로부의 본딩 공정 후 본딩 저항을 검사하는 검사 시간을 감소시킬 수 있으므로 공정 택트 타임을 감소시킬 수 있고, 측정 오차를 감소시킬 수 있다.In one embodiment of the present invention, since the inspection time for inspecting the bonding resistance after the bonding process of the driving circuit portion can be reduced, the process tact time can be reduced and the measurement error can be reduced.

본 발명의 일 실시예는 제품 출하 후에도 구동 IC에 내장된 ADC를 이용하여 구동 회로부의 본딩 저항을 센싱함으로써 진행성 본딩 불량도 검출할 수 있으므로 구동 회로부의 진행성 접속 불량으로 인한 화면 이상이 발생하는 것을 사전에 방지할 수 있다.Since the advance bonding failure can be detected by sensing the bonding resistance of the driving circuit portion by using the ADC incorporated in the driving IC even after shipment of the product according to the embodiment of the present invention, .

이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명을 한정하는 것이 아니다. 본 발명의 범위는 아래의 특허청구범위에 의해 해석되어야 하며, 그와 균등한 범위 내에 있는 모든 기술도 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing description is merely illustrative of the present invention, and various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. Accordingly, the embodiments disclosed in the specification of the present invention are not intended to limit the present invention. It is intended that the scope of the invention be interpreted by the claims appended hereto, and that all techniques within the scope of equivalents thereof should be construed as being included within the scope of the present invention.

100: 패널 200: 게이트 구동부
300: 데이터 구동부 400: 타이밍 컨트롤러
500: 메모리 600: 전원부
700: PCB 310: ADC
350: 데이터 IC 360: 회로 필름
370: 구동 회로부 10: 본딩 저항 센싱 경로
11, 12, 13, 14, 15: 본딩 패드 21, 22, 23, 24, 25: 연결 라인
362; 364: 제1, 제2 본딩부 110: 패널 본딩부
710: PCB 본딩부
100: panel 200: gate driver
300: Data driver 400: Timing controller
500: memory 600:
700: PCB 310: ADC
350: Data IC 360: Circuit film
370: Driving circuit part 10: Bonding resistance sensing path
11, 12, 13, 14, 15: bonding pads 21, 22, 23, 24, 25:
362; 364: first and second bonding parts 110: panel bonding part
710: PCB bonding part

Claims (10)

패널 및 인쇄 회로 기판(PCB)과,
회로 필름 상에 실장된 구동 집적 회로(IC)를 포함하고, 상기 패널과 상기 PCB 사이에 본딩된 구동 회로부와,
상기 PCB와 상기 회로 필름을 본딩 및 접속시키는 제1 본딩부와, 상기 패널과 상기 회로 필름을 본딩 및 접속시키는 제2 본딩부에 위치하는 복수의 본딩 패드가 직렬 접속되어 마련된 본딩 저항 센싱 경로를 포함하고,
상기 구동 IC는
제1 센싱 모드일 때 상기 패널을 통해 각 서브픽셀의 특성이 반영된 신호를 센싱하여 아날로그-디지털 컨버터(ADC)를 통해 제1 센싱 데이터를 출력하고,
제2 센싱 모드일 때 상기 본딩 저항 센싱 경로를 통해 상기 복수의 본딩 패드의 본딩 저항이 반영된 신호를 센싱하여 상기 ADC를 통해 제2 센싱 데이터를 출력하는 표시 장치.
A panel and a printed circuit board (PCB)
A drive circuit portion including a drive IC mounted on a circuit film and bonded between the panel and the PCB;
And a bonding resistance sensing path in which a plurality of bonding pads located in a second bonding section for bonding and connecting the panel and the circuit film are connected in series, and,
The driving IC
When the first sensing mode is selected, the first sensing data is outputted through the analog-to-digital converter (ADC) by sensing a signal reflecting the characteristic of each sub-pixel through the panel,
And sensing a signal reflecting the bonding resistance of the plurality of bonding pads through the bonding resistance sensing path when in the second sensing mode and outputting second sensing data through the ADC.
청구항 1에 있어서,
상기 구동 IC를 상기 제1 및 제2 센싱 모드로 동작하도록 제어하는 타이밍 컨트롤러를 더 구비하고,
상기 타이밍 컨트롤러는
상기 제2 센싱 데이터를 이용하여 상기 구동 회로부의 본딩 불량 여부를 판단하여 출력하는 표시 장치.
The method according to claim 1,
Further comprising a timing controller for controlling the driving IC to operate in the first and second sensing modes,
The timing controller
And judging whether or not the bonding of the driving circuit unit is defective using the second sensing data.
청구항 1에 있어서,
상기 구동 회로부는
상기 본딩 저항 센싱 경로와 그라운드 사이에 직렬 접속된 기준 저항과,
상기 본딩 저항 센싱 경로와 상기 기준 저항 사이의 센싱 노드와 상기 ADC의 입력 단자를 상기 제2 센싱 모드일 때 접속시키는 스위치를 추가로 구비하는 표시 장치.
The method according to claim 1,
The driving circuit
A reference resistor serially connected between the bonding resistance sensing path and the ground,
Further comprising a switch for connecting a sensing node between the bonding resistance sensing path and the reference resistor and an input terminal of the ADC when the sensing mode is in the second sensing mode.
청구항 1에 있어서,
상기 본딩 저항 센싱 경로는
입력 전압의 공급 라인과 직렬 접속되고, 상기 PCB와 상기 회로 필름 사이에서 본딩된 제1 본딩 패드와,
상기 제1 본딩 패드와 직렬 접속되고, 상기 패널과 상기 회로 필름 사이에서 본딩된 제2 본딩 패드와,
상기 제2 본딩 패드와 직렬 접속되고 상기 제2 본딩 패드와 나란하게 배치되며, 상기 패널과 상기 회로 필름 사이에서 본딩된 제3 본딩 패드와,
상기 제3 본딩 패드와 직렬 접속되고 상기 제1 본딩 패드와 나란하게 배치되며, 상기 PCB와 상기 회로 필름 사이에서 본딩된 제4 본딩 패드와,
상기 제4 본딩 패드와 직렬 접속되고 상기 제4 본딩 패드와 나란하게 배치되며, 상기 PCB와 상기 회로 필름 사이에서 본딩된 제5 본딩 패드를 포함하고,
상기 제1 내지 제5 본딩 패드 각각은
상기 회로 필름과 상기 PCB 또는 패널에서 마주하여 이방성 도전 필름에 의해 본딩 및 접속된 한 쌍의 패드를 포함하는 표시 장치.
The method according to claim 1,
The bonding resistance sensing path
A first bonding pad connected in series with a supply line of an input voltage and bonded between the PCB and the circuit film,
A second bonding pad connected in series with the first bonding pad and bonded between the panel and the circuit film,
A third bonding pad connected in series with the second bonding pad and arranged in parallel with the second bonding pad, the third bonding pad being bonded between the panel and the circuit film,
A fourth bonding pad connected in series with the third bonding pad and disposed in parallel with the first bonding pad, the fourth bonding pad being bonded between the PCB and the circuit film,
And a fifth bonding pad connected in series with the fourth bonding pad and disposed in parallel with the fourth bonding pad and bonded between the PCB and the circuit film,
Each of the first through fifth bonding pads
And a pair of pads bonded and connected by the anisotropic conductive film facing the circuit film and the PCB or the panel.
청구항 4에 있어서,
상기 제1 및 제2 본딩 패드는 상기 회로 필름에 마련된 제1 연결 라인을 통해 직렬 접속되고,
상기 제2 및 제3 본딩 패드는 상기 패널에 마련된 제2 연결 라인을 통해 직렬 접속되고,
상기 제3 및 제4 본딩 패드는 상기 회로 필름에 상기 제1 연결 라인과 나란하게 마련된 제3 연결 라인을 통해 직렬 접속되고,
상기 제4 및 제5 본딩 패드는 상기 PCB에 마련된 제4 연결 라인을 통해 직렬 접속되며,
상기 회로 필름에 마련되어 상기 제5 본딩 패드와 상기 구동 IC의 입력 단자를 접속시키는 제5 연결 라인을 추가로 구비하는 표시 장치.
The method of claim 4,
Wherein the first and second bonding pads are connected in series through a first connection line provided in the circuit film,
The second and third bonding pads are connected in series through a second connection line provided in the panel,
The third and fourth bonding pads are serially connected to the circuit film through a third connection line arranged in parallel with the first connection line,
The fourth and fifth bonding pads are connected in series through a fourth connection line provided on the PCB,
And a fifth connection line provided on the circuit film for connecting the fifth bonding pad to an input terminal of the driving IC.
청구항 5에 있어서,
상기 구동 회로부는
상기 PCB로부터 상기 회로 필름을 통해 상기 패널로 구동 전압을 공급하는 복수의 전원 배선을 더 포함하고,
상기 제4 및 제5 본딩 패드는 상기 복수의 전원 배선을 사이에 두고 이격 배치되고,
상기 제5 본딩 패드는 상기 복수의 전원 배선과 인접하여 상기 회로 필름의 일측부에 배치되거나 상기 회로 필름의 중앙부에 배치되는 표시 장치.
The method of claim 5,
The driving circuit
Further comprising a plurality of power wiring lines for supplying a driving voltage from the PCB to the panel through the circuit film,
Wherein the fourth and fifth bonding pads are spaced apart from each other with the plurality of power supply wirings therebetween,
Wherein the fifth bonding pad is disposed at one side of the circuit film adjacent to the plurality of power supply wirings or at a central portion of the circuit film.
청구항 6에 있어서,
상기 본딩 저항 센싱 경로는
상기 구동 회로부의 일측부에 배치되거나,
상기 구동 회로부의 양측부에 각각 배치되는 표시 장치.
The method of claim 6,
The bonding resistance sensing path
A driver circuit portion disposed on one side of the driver circuit portion,
And are disposed on both side portions of the driving circuit portion.
회로 필름 상에 실장된 구동 IC를 포함하고, PCB와 회로 필름을 본딩 및 접속시키는 제1 본딩부와, 패널과 상기 회로 필름을 본딩 및 접속시키는 제2 본딩부에 위치하는 복수의 본딩 패드가 직렬 접속되어 마련된 본딩 저항 센싱 경로에 입력 전압을 공급하는 단계와,
상기 입력 전압이 상기 본딩 저항 센싱 경로를 경유하여 상기 본딩 저항 센싱 경로와 기준 저항 사이의 센싱 노드에서 상기 복수의 본딩 패드의 본딩 저항이 반영된 전압을 발생시키는 단계와;
상기 구동 IC에 내장된 ADC가 상기 센싱 노드로부터 상기 본딩 저항이 반영된 전압을 공급받아 센싱 데이터로 변환하여 출력하는 단계와;
상기 센싱 데이터를 이용하여 상기 구동 회로부의 본딩 불량 여부를 판단하는 단계를 포함하는 표시 장치의 본딩 저항 센싱 방법.
A plurality of bonding pads located in a second bonding section for bonding and connecting the panel and the circuit film are connected in series to each other, Supplying an input voltage to a bonding resistance sensing path connected thereto,
The input voltage generating a voltage reflecting the bonding resistance of the plurality of bonding pads at a sensing node between the bonding resistance sensing path and the reference resistance via the bonding resistance sensing path;
The ADC incorporated in the driving IC receives a voltage reflecting the bonding resistance from the sensing node, converts the voltage into sensing data, and outputs the sensed data;
And determining whether or not the bonding of the driving circuit unit is defective using the sensing data.
청구항 8에 있어서,
상기 구동 IC에 내장된 상기 ADC는
제1 센싱 모드일 때, 제1 스위치를 통해 상기 패널을 통해 각 서브픽셀의 특성을 나타내는 신호를 공급받아 제1 센싱 데이터로 변환하여 출력하고,
제2 센싱 모드일 때, 제2 스위치를 통해 상기 센싱 노드로부터 상기 본딩 저항이 반영된 전압을 공급받아 제2 센싱 데이터로 변환하여 출력하는 표시 장치의 본딩 저항 센싱 방법.
The method of claim 8,
The ADC incorporated in the driving IC
In the first sensing mode, a signal indicating the characteristics of each sub-pixel is supplied through the first switch to the first sensing data,
And a second sensing mode, wherein the sensing resistor receives a voltage reflected from the sensing node through a second switch, converts the voltage into second sensing data, and outputs the second sensing data.
청구항 8에 있어서,
상기 센싱 데이터를 이용하여 상기 구동 회로부의 본딩 불량 여부를 판단하는 단계는
상기 센싱 데이터를 기준값과 비교하는 단계와,
상기 센싱 데이터가 상기 기준값 이상이면 상기 구동 회로부의 본딩을 정상으로 판단하는 단계와,
상기 센싱 데이터가 상기 기준값보다 작으면 상기 구동 회로부의 본딩을 불량으로 판단하는 단계를 포함하는 표시 장치의 본딩 저항 센싱 방법.
The method of claim 8,
The step of determining whether or not the driving circuit unit is defective in bonding using the sensing data
Comparing the sensing data with a reference value,
Determining that bonding of the driving circuit unit is normal if the sensing data is equal to or greater than the reference value;
And determining that the bonding of the driving circuit unit is defective if the sensing data is smaller than the reference value.
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