KR20170053564A - Support body separation device and support body separation method - Google Patents

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Abstract

Regardless of a thickness of a support body, an end portion of an outer circumference of the support body is smoothly gripped for the support body to be separated from a stacking body. A support body separation device (100) comprises a separation plate (4) and a nail portion (1). The nail portion (1) comprises an inclined surface (1b) and an adjustment portion (1c). A spherical contact surface (4a) is spherically in contact with a flat surface portion of a support plate (17). The inclined surface (1b) is spherically in contact with a chamfer portion (17a) formed in an end portion of an outer circumference of the support plate (17) to grip the support plate (17).

Description

지지체 분리 장치 및 지지체 분리 방법{SUPPORT BODY SEPARATION DEVICE AND SUPPORT BODY SEPARATION METHOD}Technical Field [0001] The present invention relates to a support separating apparatus,

본 발명은, 지지체 분리 장치 및 지지체 분리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a support separating apparatus and a support separating method.

최근, IC 카드, 휴대 전화 등의 전자 기기의 박형화, 소형화, 경량화 등이 요구되고 있다. 이들 요구를 만족하기 위해서는, 내장되는 반도체 칩에 대해서도 박형의 반도체 칩을 사용해야 한다. 이 때문에, 반도체 칩의 기가 되는 웨이퍼 기판의 두께 (막 두께) 는 현 상황에서는 125 ㎛ ∼ 150 ㎛ 이지만, 차세대의 칩용으로는 25 ㎛ ∼ 50 ㎛ 로 해야 한다고 일컬어지고 있다. 따라서, 상기의 막 두께의 웨이퍼 기판을 얻기 위해서는, 웨이퍼 기판의 박판화 공정이 필요 불가결하다.BACKGROUND ART [0002] In recent years, electronic equipment such as IC cards and cellular phones have been required to be made thinner, smaller, and lighter. In order to satisfy these requirements, a thin semiconductor chip must be used for the embedded semiconductor chip. For this reason, it is said that the thickness (film thickness) of the wafer substrate used as a semiconductor chip base should be 125 μm to 150 μm in the current situation, but should be 25 μm to 50 μm for the next generation chip. Therefore, in order to obtain a wafer substrate having the above-described film thickness, a step of thinning the wafer substrate is indispensable.

웨이퍼 기판은, 박판화에 의해 강도가 저하하기 때문에, 박판화한 웨이퍼 기판의 파손을 방지하기 위해서, 제조 프로세스 중에는, 웨이퍼 기판에 서포트 플레이트를 첩합된 상태로 자동 반송하면서, 웨이퍼 기판 상에 회로 등의 구조물을 실장한다. 그리고, 제조 프로세스 후에, 웨이퍼 기판과 서포트 플레이트를 분리한다. 그래서, 지금까지, 웨이퍼로부터 지지체를 박리하는 다양한 방법이 이용되고 있다.In order to prevent breakage of a wafer substrate that has been thinned, the wafer substrate is reduced in strength due to the thinning of the wafer substrate. During the manufacturing process, the support plate is automatically transported in a state of being stuck to the wafer substrate, . Then, after the manufacturing process, the wafer substrate and the support plate are separated. So far, various methods of peeling the support from the wafer have been used.

특허문헌 1 에는, 기대에 회동 가능하게 배치 형성되는 아암체에 접속되고, 웨이퍼를 파지 (把持) 하여 반송하는 웨이퍼 반송 로봇에 있어서의 로봇 핸드로서, 웨이퍼의 외주면을 파지하는 파지부를 가져 구성되는 로봇 핸드가 기재되어 있다.Patent Document 1 discloses a robot hand in a wafer transfer robot that is connected to an arm body rotatably arranged on a base and grasps and transfers the wafer so as to have a grip portion for gripping an outer peripheral surface of the wafer A robot hand is described.

특허문헌 2 에는, 강성을 갖는 지지체에 첩착재를 개재하여 첩착된 반도체 웨이퍼를 박리하는 방법으로서, 첩착재에 삽입 부재를 삽입하는 삽입 공정과, 반도체 웨이퍼를 지지체로부터 박리하는 방향으로 탄성 지지하면서 첩착재에 진동을 가하는 가진 (加振) 공정을 구비한 반도체 웨이퍼의 박리 방법이 기재되어 있다.Patent Document 2 discloses a method for peeling a semiconductor wafer adhered to a support having rigidity through a bonding material with a rigid support, comprising the steps of: inserting an insertion member into a bonding material; and pressing the semiconductor wafer in a direction There is disclosed a method for peeling a semiconductor wafer having a vibration applying step for applying vibration to a bonding surface.

일본 공개특허공보 평11-116046호 (1999년 4월 27일 공개)Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-116046 (published on April 27, 1999) 일본 공개특허공보 2006-32506호 (2006년 2월 2일 공개)Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2006-32506 (published on Feb. 2, 2006)

특허문헌 1 은, 기판과 지지체를 분리할 때에, 기판이 파손되는 것을 방지할 수 있는 지지체 분리 장치 및 지지체 분리 방법을 개시하는 것은 아니다.Patent Document 1 does not disclose a support separating apparatus and a support separating method that can prevent a substrate from being broken when a substrate and a support are separated from each other.

특허문헌 2 에 기재된 지지체 분리 방법에서는, 웨이퍼와 지지체 사이에 블레이드의 선단을 삽입하기 때문에, 블레이드의 삽입시에 웨이퍼가 파손될 우려가 있다.In the support member separating method described in Patent Document 2, since the tip end of the blade is inserted between the wafer and the support, there is a possibility that the wafer is broken at the time of inserting the blade.

또한, 특허문헌 2 에 기재된 지지체 분리 방법은, 지지체의 두께에 상관없이, 당해 지지체의 외주 단부를 순조롭게 파지하여, 적층체로부터 당해 지지체를 분리하는 방법에 대하여 개시하는 것은 아니다.The method for separating a support member disclosed in Patent Document 2 does not disclose a method for separating the support member from the laminate by grasping the outer peripheral edge of the support member smoothly regardless of the thickness of the support member.

본 발명은 상기 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 지지체의 두께에 상관없이, 당해 지지체의 외주 단부를 순조롭게 파지하여, 적층체로부터 당해 지지체를 분리하는 지지체 분리 장치 및 그 관련 기술을 제공하는 것에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a support separating apparatus for separating a support body from a laminate body by grasping outer peripheral end portions of the support body irrespective of the thickness of the support body, It is on.

상기의 과제를 해결하기 위해서, 본 발명자가 예의 검토한 결과, 이하의 본 발명에 이르렀다.Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the present inventors have conducted intensive studies and have reached the following present invention.

본 발명에 관련된 지지체 분리 장치는, 기판과, 상기 기판을 지지하는 지지체를 첩부하여 이루어지는 적층체로부터, 상기 지지체를 분리하는 지지체 분리 장치로서, 상기 지지체의 평면부에 당접하는 당접면을 갖는 플레이트부와, 상기 플레이트부의 외주를 둘러싸도록 배치된 복수의 손톱부를 구비하고, 상기 손톱부는, 상기 당접면의 면 방향에 있어서 당해 당접면으로부터 멀어질수록, 당해 당접면의 외주로부터 내주를 향하는 경사가 커지는 경사면과, 상기 당접면의 면 방향에 있어서, 상기 경사면의 단변 (端邊) 과 상기 당접면 사이의 거리를 조정하는 조정부를 구비하고, 상기 당접면을 상기 지지체의 평면부에 당접하고, 상기 경사면을 상기 지지체의 외주 단부에 형성된 모따기 부위에 당접함으로써 상기 지지체를 파지하는 것을 특징으로 하고 있다.A supporting body separating apparatus according to the present invention is a supporting body separating apparatus for separating a supporting body from a laminate comprising a substrate and a supporting body for supporting the substrate, the supporting body separating apparatus comprising: a plate portion And a plurality of nail portions arranged to surround the outer periphery of the plate portion. The nail portion has a larger inclination toward the inner periphery from the outer periphery of the contact face as the distance from the contact face in the face direction of the contact face increases And a regulating portion for regulating the distance between the contact surface and the short side of the inclined surface in the plane direction of the contact surface, wherein the contact surface is in contact with the flat surface portion of the support, Is held in contact with the chamfered portion formed at the outer peripheral end of the support body have.

또한, 본 발명에 관련된 지지체 분리 방법은, 기판과, 상기 기판을 지지하는 지지체를 첩부하여 이루어지는 적층체로부터, 상기 지지체를 분리하는 지지체 분리 방법으로서, 상기 지지체의 평면부를 당접면에 당접하고, 상기 당접면의 면 방향에 있어서 당해 당접면으로부터 멀어질수록, 당해 당접면의 외주로부터 내주를 향하는 경사가 커지는 복수의 경사면에, 상기 지지체의 외주 단부에 형성된 모따기 부위에 당접하는 것에 의해, 상기 지지체를 파지하는 파지 공정과, 상기 파지 공정 전에, 상기 당접면의 면 방향에 있어서, 상기 경사면의 단변과, 상기 당접면 사이의 거리를 상기 지지체의 두께에 따라 조정하는 조정 공정을 포함하고 있는 것을 특징으로 하고 있다.A supporting body separating method according to the present invention is a supporting body separating method for separating a supporting body from a laminate formed by laminating a substrate and a supporting body for supporting the substrate, By contacting the chamfer formed on the outer peripheral end of the supporting member to a plurality of inclined surfaces whose inclination toward the inner periphery increases from the outer periphery of the contact face in the face direction of the contact face in the face direction, And adjusting the distance between the short side of the inclined surface and the contact surface in accordance with the thickness of the support in the surface direction of the contact surface before the gripping process. .

본 발명은, 지지체의 두께에 상관없이, 당해 지지체의 외주 단부를 순조롭게 파지하여, 적층체로부터 당해 지지체를 분리할 수 있는 지지체 분리 장치 및 그 관련 기술을 제공할 수 있다는 효과를 발휘한다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention exerts the effect of providing a support separating apparatus and related art capable of separating the support from the laminate by grasping the outer peripheral edge of the support smoothly regardless of the thickness of the support.

도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 관련된 지지체 분리 장치 (100) 의 개략을 설명하는 도면이다.
도 2 는 본 발명의 일 실시형태에 관련된 지지체 분리 장치 (100) 의 동작의 개략을 설명하는 도면이다.
도 3 은 본 발명의 일 실시형태에 관련된 지지체 분리 장치 (100) 가 구비하고 있는 손톱부 (1) 의 개략도이다.1 is a view for explaining the outline of a support separating apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.
2 is a view for explaining the outline of the operation of the support separating apparatus 100 according to one embodiment of the present invention.
Fig. 3 is a schematic view of a nail 1 provided in the support separating apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.

＜지지체 분리 장치 (100)＞<Support Separation Apparatus 100>

도 1 ∼ 3 을 사용하여, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 지지체 분리 장치 (100) 에 대하여 상세하게 설명한다.1 to 3, a support separating apparatus 100 according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

도 1 의 (a) 는, 상면에서 보았을 때의, 승강 플레이트 (13) 에 형성된 걸림부 (6) 를 구성하는 베어링부 (7) 및 당접부 (8) 의 배치, 및, 승강 플레이트 (13) 아래에 위치하는 분리 플레이트 (플레이트부) (4) 에 형성된 손톱부 (1) 의 배치를 설명하는 도면이다. 또한, 도 1 의 (b) 는, 도 1 의 (a) 에 나타내는 A-A' 선의 화살표 방향에서 보았을 때의 단면에 기초하여, 지지체 분리 장치 (100) 의 개략을 설명하는 도면이다.1 (a) shows the arrangement of the bearing portion 7 and the contact portion 8 constituting the engaging portion 6 formed on the lifting plate 13 and the arrangement of the lifting plate 13, (Plate portion) 4 located below the nail portion 1 of the present invention. 1 (b) is a view for explaining the outline of the support separating apparatus 100, based on the section taken along the line A-A 'shown in Fig. 1 (a).

도 1 의 (a) 및 (b) 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 관련된 지지체 분리 장치 (100) 는, 복수의 손톱부 (파지부) (1), 복수의 걸림부 (6), 및 승강부 (10) 를 구비하고 있다. 여기서, 승강부 (10) 는, 승강 플레이트 (13) 를 개재하여, 걸림부 (6) 에 의해 분리 플레이트 (4) 를 걸고, 이에 의해, 분리 플레이트 (4) 의 외주 부분에 배치된 손톱부 (1) 를 상하 방향으로 승강시킨다. 또한, 손톱부 (1) 는, 구동부 (2) 에 의해 이동한다.1 (a) and 1 (b), the support separating apparatus 100 according to the present embodiment includes a plurality of nail portions (grip portions) 1, a plurality of engagement portions 6, (10). Here, the elevating portion 10 is configured such that the separating plate 4 is hooked by the engaging portion 6 via the lifting plate 13, whereby the nail portion (not shown) disposed on the outer peripheral portion of the separating plate 4 1) in the vertical direction. The nail portion 1 is moved by the driving portion 2.

또한, 지지체 분리 장치 (100) 는, 스테이지 (고정부) (14) 를 구비하고 있고, 스테이지 (14) 상에, 서포트 플레이트 (지지체) (17), 접착층 (18) 및 기판 (19) 를 이 순서로 적층하여 이루어지는 적층체 (20) 를 고정시킨다. 적층체 (20) 에 있어서의 접착층 (18) 은, 박리액 등에 의해, 팽윤함으로써 접착력이 저하되어 있다.The support separator 100 is provided with a stage (fixing portion) 14 and a support plate (support) 17, an adhesive layer 18 and a substrate 19 are placed on the stage 14, The stacked body 20 is stacked. The adhesive strength of the adhesive layer 18 in the layered product 20 is lowered by swelling by a peeling liquid or the like.

또한, 본 실시형태에 관련된 지지체 분리 장치 (100) 에 있어서, 스테이지 (14) 에 고정되어 있는 적층체 (20) 의 기판 (19) 측에는, 다이싱 테이프 (21) 가 첩착되어 있고, 다이싱 테이프 (21) 는, 다이싱 프레임 (22) 을 구비하고 있다.The dicing tape 21 is adhered to the side of the substrate 19 of the layered product 20 fixed to the stage 14 and the dicing tape 21 is adhered to the side of the substrate 19, (21) has a dicing frame (22).

도 1 의 (a) 에 나타내는 바와 같이, 지지체 분리 장치 (100) 에 있어서, 복수의 걸림부 (6) 를 구성하는 베어링부 (7) 와 당접부 (8) 는, 승강 플레이트 (13) 의 주연 부분에 있어서 등간격으로 배치되어 있다. 또한, 복수의 손톱부 (1) 는 구동부 (2) 를 개재하여, 분리 플레이트 (4) 에 등간격으로 배치되어 있다. 걸림부 (6) 와 손톱부 (1) 는 교대로 배치되어 있고, 또한, 걸림부 (6) 와 손톱부 (1) 는 상면에서 보았을 때 등간격으로 배치되어 있다. 따라서, 승강부 (10) 를 상승시킴으로써, 승강 플레이트 (13) 를 개재하여 걸림부 (6) 에 가해지는 힘은, 분리 플레이트 (4) 에 배치되어 있는 복수의 손톱부 (1) 에 균등하게 가해진다. 따라서, 복수의 손톱부 (1) 에 의해, 적층체 (20) 를 파지 (유지) 하고, 승강부 (10) 가 걸림부 (6) 를 개재하여 분리 플레이트 (4) 를 들어 올릴 때, 복수의 손톱부 (1) 로부터 적층체 (20) 에 균등하게 힘을 가할 수 있다.The bearing portion 7 and the abutting portion 8 constituting the plurality of engaging portions 6 of the supporter separating apparatus 100 are formed in the same manner as the peripheral portion of the lifting plate 13, And are arranged at regular intervals in a portion. The plurality of nail portions 1 are arranged at regular intervals on the separating plate 4 with the aid of the driving portion 2. The engaging portion 6 and the claw portion 1 are arranged alternately and the engaging portion 6 and the claw portion 1 are arranged at equal intervals when viewed from the upper surface. Therefore, by raising the elevating portion 10, the force exerted on the retaining portion 6 via the lifting plate 13 can be uniformly applied to the plurality of nail portions 1 arranged on the separating plate 4 All. Therefore, when the stacking body 20 is gripped (held) by the plurality of nail portions 1 and the elevating portion 10 lifts the separating plate 4 via the engaging portion 6, It is possible to apply force evenly from the nail portion 1 to the laminate 20. [

이하에, 지지체 분리 장치 (100) 가 구비하고 있는, 손톱부 (1), 구동부 (2), 자기 센서 (3), 분리 플레이트 (4), 걸림부 (6), 승강부 (10), 및 스테이지 (14) 에 대하여, 보다 상세하게 설명한다.The nail portion 1, the driving portion 2, the magnetic sensor 3, the separation plate 4, the engaging portion 6, the elevating portion 10, and the nail portion 1, which are provided in the support separating apparatus 100, The stage 14 will be described in more detail.

〔손톱부 (1)〕[Nail portion (1)]

도 2 및 도 3 을 사용하여, 본 실시형태에 관련된 지지체 분리 장치 (100) 가 구비하고 있는 손톱부 (1) 에 대하여, 보다 상세하게 설명한다.2 and 3, the nail portion 1 provided in the separating apparatus 100 according to the present embodiment will be described in more detail.

도 2 의 (a) ∼ (c) 는, 본 실시형태에 관련된 지지체 분리 장치 (100) 의 동작의 개략을 설명하는 도면이다. 또한, 도 2 의 (a) ∼ (c) 에 있어서, 지지체 분리 장치 (100) 가 구비하고 있는 승강부 (10) 는 생략되어 있다. 또한, 도 3 의 (a) 는, 손톱부 (1), 및 손톱부 (1) 에 형성된 조정부 (1c) 의 개략을 설명하는 도면이고, 도 3 의 (b) 는, 손톱부 (1) 에 있어서의 경사면 (경사부) (1b) 이, 적층체 (20) 에 있어서의 서포트 플레이트 (17) 의 모따기 부위 (17a) 에 당접되어 있는 상태를 설명하는 도면이고, 도 3 의 (c) 는, 도 3 의 (a) 에 있어서의 B-B' 선의 화살표 방향에서 보았을 때의 단면에 있어서, 포착면 (1a) 이, 적층체 (20) 에 있어서의 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부를 포착하기 전의 상태를 나타내는 도면이다.2 (a) to 2 (c) are diagrams for explaining the outline of the operation of the supporter separating apparatus 100 according to the present embodiment. 2 (a) to 2 (c), the elevating portion 10 provided in the supporter separating apparatus 100 is omitted. 3 (a) is a view for explaining the outline of the nail portion 1 and the adjusting portion 1c formed on the nail portion 1, and Fig. 3 (b) 3 (c) is a view for explaining a state in which the inclined surface (inclined portion) 1b in the laminated body 20 is in contact with the chamfered portion 17a of the support plate 17 in the laminated body 20, The catching surface 1a is in a state before capturing the outer peripheral end of the support plate 17 in the laminated body 20 in the cross section taken along the line BB ' Fig.

먼저, 도 2 의 (a) 에 나타내는 바와 같이, 복수의 손톱부 (1) 는, 분리 플레이트 (4) 가, 승강부 (10) 에 의해 Y 축 방향을 따라 강하함으로써, 분리 플레이트 (4) 의 당접면 (4a) 에 당접된 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부의 외측에 배치된다.First, as shown in Fig. 2A, the plurality of nail portions 1 are formed in such a manner that the separating plate 4 descends along the Y-axis direction by the elevating portion 10, Is disposed outside the outer peripheral end of the support plate (17) in contact with the contact surface (4a).

또한, 복수의 손톱부 (1) 의 각각은, 분리 플레이트 (4) 의 외주 단부에 대하여, 동일하게 거리를 두고 배치되어 있다 (도 1 의 (a)). 또한, 손톱부 (1) 의 각각은, 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부를 파지한 상태에 있어서, 분리 플레이트 (4) 의 외주 단부와의 사이에 클리어런스 (간극) 가 형성되어 있다 (도 2 의 (b)).Each of the plurality of nail portions 1 is disposed at the same distance from the outer peripheral end of the separation plate 4 (Fig. 1 (a)). Each of the nail portions 1 is provided with a clearance (clearance) between itself and the outer peripheral end portion of the separation plate 4 in a state where the outer peripheral end portion of the support plate 17 is held (b).

손톱부 (1) 를 형성하기 위한 재료는, 파지해야 할 서포트 플레이트 (17) 의 재질에 따라 적절히 선택하면 된다. 따라서, 손톱부를 형성하기 위한 재료에는, 스테인리스나 알루미늄 등의 금속, 및, 엔지니어링 플라스틱 등을 사용할 수 있다. 또한, 서포트 플레이트 (17) 의 재질이 유리인 경우, 엔지니어링 플라스틱인, 방향족 폴리에테르케톤을 사용하여 형성하는 것이 보다 바람직하고, 방향족 폴리에테르케톤 중에서도, 방향족기를 갖는 폴리에테르에테르케톤 (PEEK), 방향족기를 갖는 폴리에테르케톤케톤 (PEKK) 및 방향족기를 갖는 폴리에테르에테르케톤케톤 (PEEKK) 이 바람직하고, PEEK 가 가장 바람직하다. 이에 의해, 유리로 이루어지는 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부를 손톱부 (1) 에 의해 파지했을 때에, 당해 서포트 플레이트 (17) 가 파손되는 것을 방지할 수 있다.The material for forming the nail portion 1 may be appropriately selected depending on the material of the support plate 17 to be held. Therefore, a metal such as stainless steel or aluminum, engineering plastic, or the like can be used as a material for forming the nail portion. When the material of the support plate 17 is glass, it is more preferable to use an aromatic polyether ketone which is an engineering plastic. Among the aromatic polyether ketones, polyether ether ketone (PEEK) having an aromatic group, aromatic Polyetherketone ketone ketone (PEKK) having a group and polyetheretherketone ketone (PEEKK) having an aromatic group are preferable, and PEEK is most preferable. Thereby, it is possible to prevent the support plate 17 from being damaged when the outer peripheral end portion of the support plate 17 made of glass is held by the claw portion 1. [

도 3 의 (a) ∼ (c) 에 나타내는 바와 같이, 손톱부 (1) 의 각각은, 포착면 (1a) 및 경사면 (1b) 을 갖고, 조정부 (1c) 를 구비하고 있다.As shown in Figs. 3 (a) to 3 (c), each of the nail portions 1 has a catching surface 1a and an inclined surface 1b, and has an adjusting portion 1c.

(포착면 (1a))(The catching surface 1a)

포착면 (1a) 은, 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부를 포착한다. 여기서, 포착면 (1a) 은, 분리 플레이트 (4) 의 당접면 (4a) 에 대하여 수직인 면이고, 또한, 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부와 동일하거나, 또는, 보다 큰 호를 그리도록 만곡되어 있는 면이다.The catching surface 1a catches the outer peripheral end portion of the support plate 17. Here, the catching surface 1a is a surface perpendicular to the contacting surface 4a of the separating plate 4, and may be the same as the outer circumferential end of the supporting plate 17, or may be curved Is the face that is.

복수의 손톱부 (1) 의 포착면 (1a) 은, 분리 플레이트 (4) 의 당접면 (4a) 에 서포트 플레이트 (17) 의 평면부를 당접한 상태에 있어서, 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부를 포위하고, 분리 플레이트 (4) 의 중심점을 향하도록 이동한다 (도 2 의 (a) 및 (b)). 여기서, 복수의 손톱부 (1) 의 포착면 (1a) 은, 구동부 (2) 에 의해, 동시에, 동일한 속도로, 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부에 가까워진다. 이 때문에, 포착면 (1a) 에 의해, 적층체 (20) 에 있어서의 서포트 플레이트 (17) 의 중심점과, 분리 플레이트 (4) 의 중심점이 겹치도록, 당해 적층체 (20) 를 유도하면서, 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부를 파지할 수 있다. 또한, 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부와 동일하거나, 또는, 보다 큰 호를 그리도록 만곡되어 있는 포착면 (1a) 은, 호의 중심점 부근이 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부에 당접하도록, 서포트 플레이트 (17) 를 포착한다. 이 때문에, 복수의 포착면 (1a) 의 각각에 있어서의 중심부에 있어서, 원 형상인 서포트 플레이트 (17) 를 파지할 수 있다. 따라서, 복수의 손톱부 (1) 에 의해, 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부를 등간격으로 순조롭게 파지할 수 있다. 이 때문에, 분리 플레이트 (4) 를 들어 올릴 때, 복수의 손톱부 (1) 에 의해 서포트 플레이트 (17) 에 가해지는 힘을 균등하게 할 수 있다.The catching surface 1a of the plurality of nail portions 1 is formed so that the outer peripheral end of the support plate 17 is in contact with the contact surface 4a of the separation plate 4 in contact with the flat surface portion of the support plate 17 And moves toward the center point of the separating plate 4 (Fig. 2 (a) and (b)). Here, the catching surface 1a of the plurality of nail portions 1 is brought close to the outer peripheral end of the support plate 17 at the same speed and at the same time by the driving portion 2. Therefore, while the laminated body 20 is guided by the catching surface 1a so that the center point of the support plate 17 in the laminated body 20 and the center point of the separating plate 4 overlap each other, The outer peripheral end of the plate 17 can be gripped. The catching surface 1a which is curved so as to draw a larger arc than the outer circumferential end of the support plate 17 is set so that the vicinity of the center point of the arc comes into contact with the outer circumferential end of the support plate 17, (17). Therefore, it is possible to grasp the circular support plate 17 at the center of each of the plurality of catching surfaces 1a. Therefore, the outer peripheral end portions of the support plate 17 can be smoothly held at equal intervals by the plurality of nail portions 1. Therefore, when lifting the separating plate 4, the force applied to the support plate 17 by the plurality of nail portions 1 can be made uniform.

(경사면 (1b))(Inclined surface 1b)

도 3 의 (b) 에 나타내는 바와 같이, 경사면 (경사부) (1b) 은, 적층체 (20) 에 있어서의 서포트 플레이트 (17) 의 모따기 부위 (17a) 에 당접되는 만곡되어 있지 않은 평면이다. 경사면 (1b) 은, 포착면 (1a) 의 단변에 있어서의 중심점을 포함하는 일부를 따라 형성되어 있다.As shown in Fig. 3 (b), the inclined surface (inclined portion) 1b is a non-curved plane that abuts the chamfered portion 17a of the support plate 17 in the laminate 20. The inclined surface 1b is formed along a part including the center point on the short side of the capture surface 1a.

경사면 (1b) 은, 분리 플레이트 (4) 의 당접면 (4a) 의 면 방향에 있어서, 당해 당접면 (4a) 으로부터 멀어질수록, 당해 당접면 (4a) 의 외주로부터 내주를 향하는 경사가 커지고 있다 (도 3 의 (b)). 이에 의해, 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부에 있어서, 분리 플레이트 (4) 에 대향하는 면의 이면측에 위치하는 모따기 부위 (17a) 에, 경사면 (1b) 을 당접할 수 있다.The inclined surface 1b is inclined toward the inner periphery from the outer periphery of the contact face 4a as the distance from the contact face 4a becomes larger in the face direction of the contact face 4a of the separation plate 4 (Fig. 3 (b)). The inclined surface 1b can be brought into contact with the chamfered portion 17a located on the back side of the surface facing the separation plate 4 at the outer peripheral end of the support plate 17. [

경사면 (1b) 은, 분리 플레이트 (4) 의 당접면 (4a) 에 대하여, 30°이상, 90°미만의 범위 내의 경사를 가지고 있다. 이에 의해, 서포트 플레이트 (17) 의 모따기 부위 (17a) 에 대하여, 경사면 (1b) 으로부터 과도한 힘이 가해지는 것을 방지할 수 있다. 또한, 분리 플레이트 (4) 의 당접면 (4a) 에 서포트 플레이트 (17) 의 평면부를 당접한 상태에 있어서, 경사면 (1b) 의 경사는, 서포트 플레이트 (17) 의 모따기 부위 (17a) 의 경사에 대하여 평행이 되도록 형성되어 있는 것이, 모따기 부위 (17a) 의 단부에 과도한 힘을 집중시키지 않기 때문에 가장 바람직하다.The inclined surface 1b has inclination within a range of 30 degrees or more and less than 90 degrees with respect to the contact surface 4a of the separation plate 4. [ Thereby, excessive force can be prevented from being applied to the chamfered portion 17a of the support plate 17 from the inclined surface 1b. The slope of the inclined surface 1b is inclined at the inclination of the chamfered portion 17a of the support plate 17 in a state in which the flat portion of the support plate 17 is in contact with the contact surface 4a of the separation plate 4 It is most preferable since it does not concentrate excessive force on the end portion of the chamfered portion 17a.

또한, 경사면 (1b) 은, 분리 플레이트 (4) 의 당접면 (4a) 으로부터 떨어진 포착면 (1a) 의 단변을 따라, 당해 단변의 중심점을 포함하는 일부에 형성되어 있다. 이에 의해, 손톱부 (1) 에 있어서의 포착면 (1a) 이 갖는 호의 중심점 부근에 포착된 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부를, 평면인 경사면 (1b) 에 대략 점 접촉에 가까운 상태로 순조롭게 당접할 수 있다. 따라서, 지지체 분리 장치 (100) 는, 분리 플레이트 (4) 를 둘러싸도록 등간격으로 배치된 복수의 경사면 (1b) 에 의해, 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부를 대략 점 접촉에 가까운 상태로 파지할 수 있다. 이 때문에, 복수의 경사면 (1b) 으로부터 균등하게 서포트 플레이트 (17) 를 파지하기 위한 힘을 가할 수 있고, 분리 플레이트 (4) 를 들어 올렸을 때, 복수의 경사면 (1b) 에 당접된 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부가, 경사면 (1b) 으로부터 탈리하는 것을 바람직하게 방지할 수 있다.The inclined surface 1b is formed along a short side of the trapping surface 1a away from the contact surface 4a of the separation plate 4 and at a part including the center point of the short side. Thereby, the outer peripheral end of the support plate 17 captured near the center of the arc of the catching surface 1a of the nail 1 can be smoothly attached to the planar inclined surface 1b, . Therefore, the support separating apparatus 100 grasps the outer peripheral end of the support plate 17 in a state close to point contact by a plurality of inclined surfaces 1b arranged at equal intervals so as to surround the separating plate 4 . Therefore, it is possible to apply a force for holding the support plate 17 uniformly from the plurality of inclined surfaces 1b, and when the separation plate 4 is lifted, the support plates 17 Can be desirably prevented from being detached from the inclined surface 1b.

또한, 도 3 의 (b) 에 나타내는 바와 같이, 경사면 (1b) 의 하단은, 서포트 플레이트 (17) 에 있어서의 기판 (19) 에 대향하는 측의 면과, 동일 평면 상에 배치되어 있다. 이에 의해, 기판 (19) 및 접착층 (18) 등에 경사면 (1b) 이 걸리는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 경사면 (1b) 을 서포트 플레이트 (17) 에만 당접하고, 당해 서포트 플레이트 (17) 를 손톱부 (1) 에 의해 순조롭게 파지할 수 있다.3 (b), the lower end of the inclined surface 1b is disposed on the same plane as the surface of the support plate 17 on the side opposite to the substrate 19. As shown in Fig. As a result, the inclined surface 1b can be prevented from being caught by the substrate 19, the adhesive layer 18, and the like. Therefore, the inclined surface 1b can be brought into contact with only the support plate 17, and the support plate 17 can be grasped smoothly by the nail 1.

〔조정부 (1c)〕[Adjustment section 1c]

도 3 의 (a) 에 나타내는 바와 같이, 조정부 (1c) 는, 나사축 (1d) 과, 평면부 (1e) 를 구비하고 있고, 나사축 (1d) 을 평면부 (1e) 에 누름으로써 손톱부 (1) 를 분리 플레이트 (4) 의 당접면 (4a) 에 대하여 수직으로 이동시킨다. 이에 의해, 손톱부 (1) 에 있어서의 경사면 (1b) 의 하단과, 분리 플레이트 (4) 의 당접면 (4a) 사이의 거리를, 서포트 플레이트 (17) 의 두께에 따라 조정할 수 있다. 이 때문에, 적층체 (20) 에 있어서의 서포트 플레이트 (17) 의 두께에 상관없이, 손톱부 (1) 에 의해, 서포트 플레이트 (17) 의 모따기 부위 (17a) 를 보다 정확하게 파지할 수 있다. 또한, 조정부 (1c) 에 의한 분리 플레이트 (4) 의 당접면 (4a) 과의 사이의 거리의 조정은, 분리해야 할 지지체의 종류에 따라 미리 실시해 두는 것이 바람직하다.3 (a), the adjusting section 1c includes a screw shaft 1d and a flat surface portion 1e. By pressing the screw shaft 1d against the flat surface portion 1e, (1) is moved perpendicularly to the contacting surface (4a) of the separating plate (4). The distance between the lower end of the inclined surface 1b of the nail 1 and the contact surface 4a of the separation plate 4 can be adjusted according to the thickness of the support plate 17. [ Therefore, the chamfered portion 17a of the support plate 17 can be grasped more accurately by the claw portion 1, irrespective of the thickness of the support plate 17 in the laminate 20. It is preferable to adjust the distance between the adjusting portion 1c and the contacting surface 4a of the separating plate 4 in advance in accordance with the type of the supporting body to be separated.

〔구동부 (2)〕[Driving unit (2)]

구동부 (2) 는, 손톱부 (1) 를 이동시키는 이동축 (2a) 과, 당해 이동축 (2a) 을 가동으로 지지하는 지지부 (2b) 를 구비하고 있다. 구동부 (2) 의 각각은, 분리 플레이트 (4) 의 상면부에 등간격으로 배치되어 있고, 손톱부 (1) 의 각각을, 분리 플레이트 (4) 의 당접면 (4a) 에 평행하게 따라서, 분리 플레이트 (4) 의 외주 단부를 향하여 가까워지거나, 또는 멀어지도록 이동시킨다 (도 2 의 (a) 및 (b)). 또한, 구동부 (2) 는, 동시에 동일한 속도로, 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부를 향하여 손톱부 (1) 의 각각을 이동시킨다. 이에 의해, 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부를 손톱부 (1) 에 의해 둘러싸면서, 파지할 수 있다.The driving unit 2 includes a moving shaft 2a for moving the nail 1 and a supporting unit 2b for movably supporting the moving shaft 2a. Each of the driving portions 2 is disposed at an equal interval on the upper surface of the separating plate 4 so that each of the nail portions 1 is separated from the contacting surface 4a of the separating plate 4 in parallel (Fig. 2 (a) and Fig. 2 (b)) toward or away from the outer circumferential end of the plate 4. Fig. Further, the driving unit 2 moves each of the claw parts 1 toward the outer peripheral end of the support plate 17 at the same speed at the same time. As a result, the outer peripheral end of the support plate 17 can be gripped while being surrounded by the nail portion 1.

〔자기 센서 (3)〕[Magnetic sensor (3)]

자기 센서 (검지부) (3) 는, 구동부 (2) 가 이동시키는 손톱부 (1) 의 각각의 위치를 별개로 검지한다. 또한, 자기 센서 (3) 는, 제어부에 의해 제어되고 있다.The magnetic sensor (detecting unit) 3 separately detects the position of each of the nail portions 1 to which the driving unit 2 moves. The magnetic sensor 3 is controlled by a control unit.

도 2 의 (a) 및 (b) 에 나타내는 바와 같이, 자기 센서 (3) 는, 구동부 (2) 에 있어서의 이동축 (2a) 에 고정된 마그넷 (3a) 과, 당해 마그넷 (3a) 의 이동 방향의 전후에 배치되고, 당해 마그넷 (3a) 의 변위를 검지하는 2 개의 센서 헤드 (3b 및 3c) 를 구비하고 있다. 여기서, 마그넷 (3a) 은, 이동축 (2a) 이 손톱부 (1) 를 이동시킬 때에, 동시에 등거리 이동한다. 이 때, 2 개의 센서 헤드 (3b 및 3c) 는, 마그넷 (3a) 으로부터 발생되는 자기의 변화에 기초하여, 이동축 (2a) 이 이동함으로써, 마그넷 (3a) 이 변위, 즉 이동하고 있는 것을 검지한다.2 (a) and 2 (b), the magnetic sensor 3 includes a magnet 3a fixed to the moving shaft 2a of the driving unit 2, And two sensor heads 3b and 3c for detecting the displacement of the magnet 3a. Here, the magnet 3a moves equidistantly at the same time when the moving shaft 2a moves the nail portion 1. At this time, the two sensor heads 3b and 3c detect that the magnet 3a is displaced, that is, moving, by the movement of the moving shaft 2a based on the change of magnetism generated from the magnet 3a do.

2 개의 센서 헤드 (3b 및 3c) 는, 그것들 2 개의 위치를 기준으로 하여, 센서 헤드 (3b 및 3c) 사이의 거리를, 예를 들어, 0 ∼ 100 의 값으로 스케일링한다. 예를 들어, 센서 헤드 (3b 및 3c) 사이의 거리를 수 ㎜ 정도로 설정하면, 손톱부 (1) 의 위치를 ㎛ 오더로 판정할 수 있다. 이 스케일링 값에 기초하여, 센서 헤드 (3b 및 3c) 는, 마그넷 (3a) 의 위치를 판정한다. 이에 의해, 이동축 (2a) 에 의해 마그넷 (3a) 과 동시에 동등한 거리를 이동하는 손톱부 (1) 의 위치를 정확하게 판정할 수 있다. 보다 구체적으로는, 스케일링 값의 범위 별로, 손톱부 (1) 가 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부를 파지하기 전의 위치에 배치되어 있는지, 손톱부 (1) 가 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부를 파지하고 있는지, 또는, 손톱부 (1) 가 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부를 파지하고 있지 않은지를 판정한다. 예를 들어, 0 ∼ 100 의 범위에서 스케일링된 값의 60 보다 큰 값을 나타낼 때, 손톱부 (1) 가 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부를 파지하기 전의 위치에 배치되고, 10 보다 크고 60 이하의 값을 나타낼 때, 손톱부 (1) 가 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부를 파지할 수 있는 위치에 배치되고, 0 이상, 10 이하의 값을 나타낼 때, 손톱부 (1) 가 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부를 파지할 수 있는 위치보다 내측에 배치되어 있는 것을 판정할 수 있도록, 스케일링 값과 손톱부의 배치를 조정한다. 여기서, 손톱부 (1) 가 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부를 파지할 수 있는 위치보다 내측에 배치되어 있는 경우, 손톱부 (1) 가 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부를 파지하고 있지 않은 것을 확인할 수 있다. 이와 같이, 자기 센서 (3) 를 사용하는 것에 의해, 손톱부 (1) 가 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부를 파지하고 있는지 여부 뿐만 아니라, 손톱부 (1) 가 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부를 파지하고 있지 않은지 여부도 판정할 수 있다. 또한, 자기 센서 (3) 에 의한 판정을 복수의 구동부 (2) 의 각각에 있어서 실시한다. 이에 의해, 적어도 1 개의 손톱부 (1) 에 있어서, 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부를 파지하고 있지 않은 것을 확인하면, 서포트 플레이트 (17) 의 분리를 중단하고, 적층체 (20) 의 접착층을 박리액에 의해 팽윤시켜도 된다. 또는, 지지체 분리 장치 (100) 에 있어서의 복수의 손톱부 (1) 및 분리 플레이트 (4) 의 위치를 초기 상태로 되돌린 후, 재차, 서포트 플레이트 (17) 의 분리를 실시해도 된다. 이들 조작은, 제어부 (도시 생략) 에 의해 구동부 (2), 자기 센서 (3) 를 제어함으로써 실시한다.The two sensor heads 3b and 3c scale the distance between the sensor heads 3b and 3c to a value of, for example, 0 to 100, based on the two positions. For example, if the distance between the sensor heads 3b and 3c is set to about several millimeters, the position of the claw section 1 can be judged to be in the order of micrometers. Based on this scaling value, the sensor heads 3b and 3c determine the position of the magnet 3a. This makes it possible to accurately determine the position of the nail 1 moving at the same distance as the magnet 3a by the moving shaft 2a. More specifically, the nail portion 1 is disposed at a position before grasping the outer peripheral end portion of the support plate 17 or the nail portion 1 is positioned at the outer peripheral end portion of the support plate 17 It is judged whether the nail 1 is holding or not holding the outer peripheral end of the support plate 17. For example, when the nail portion 1 indicates a value larger than 60 of the scaled value in the range of 0 to 100, the nail portion 1 is disposed at a position before grasping the outer peripheral end portion of the support plate 17, When the nail portion 1 is disposed at a position where it can grip the outer peripheral end portion of the support plate 17 and when the nail portion 1 indicates a value of 0 or more and 10 or less, 17 are arranged on the inner side than the position where the outer peripheral end of the nail portion can be gripped, the scaling value and the arrangement of the nail portion are adjusted. When the nail portion 1 is disposed on the inner side than the position where the outer peripheral end portion of the support plate 17 can be held, the nail portion 1 does not hold the outer peripheral end portion of the support plate 17 Can be confirmed. As described above, by using the magnetic sensor 3, not only whether or not the nail portion 1 grasps the outer peripheral end portion of the support plate 17, but also whether or not the nail portion 1 is in contact with the outer peripheral end portion of the support plate 17 It can also be determined whether or not it is gripped. Further, the determination by the magnetic sensor 3 is performed in each of the plurality of driving units 2. [ As a result, if it is confirmed that at least one nail portion 1 does not hold the outer peripheral end of the support plate 17, the separation of the support plate 17 is stopped and the adhesive layer of the laminate 20 Or may be swelled by a peeling liquid. Alternatively, after the positions of the plurality of nail portions 1 and the separation plate 4 in the support separating apparatus 100 are returned to the initial state, the separation of the support plate 17 may be performed again. These operations are performed by controlling the driving unit 2 and the magnetic sensor 3 by a control unit (not shown).

본 실시형태에 관련된 지지체 분리 장치 (100) 에서는, 자기 센서를 채용하고 있지만, 검지부는, 자기 센서에 한정되지 않는다. 구체적으로는, 광, 초음파 또는 레이저 등에 의해 대상물의 변위를 검지할 수 있는 위치 계측 센서이면, 임의의 센서를 사용할 수 있다.Although the support separating apparatus 100 according to the present embodiment employs a magnetic sensor, the detection unit is not limited to the magnetic sensor. Specifically, any sensor can be used as long as it is a position measuring sensor capable of detecting the displacement of the object by light, ultrasonic waves, laser, or the like.

위치 계측 센서로는, 자기 센서 외에, 예를 들어, 초음파 센서, 와전류 센서, 레이저 센서, 및 접촉식 센서 등을 들 수 있다.Examples of the position measuring sensor include an ultrasonic sensor, an eddy current sensor, a laser sensor, and a contact sensor in addition to the magnetic sensor.

〔분리 플레이트 (4)〕[Separation plate (4)]

분리 플레이트 (플레이트부) (4) 는, 서포트 플레이트 (17) 와 동등한 원 형상이고, 분리 플레이트 (4) 의 직경은, 서포트 플레이트 (17) 의 직경과 동등하거나, 약간 작다. 또한, 분리 플레이트 (4) 는, 저면부측에 당접면 (4a) 을 가지고 있다 (도 1 의 (b)).The separating plate (plate portion) 4 has a circular shape equivalent to that of the support plate 17 and the diameter of the separating plate 4 is equal to or slightly smaller than the diameter of the support plate 17. The separating plate 4 has a contacting surface 4a on the bottom surface side (Fig. 1 (b)).

분리 플레이트 (4) 는, 그 상면부에, 복수의 구동부 (2) 에 장착된, 복수의 손톱부 (1) 가 등간격으로 설치되어 있다 (도 1 의 (a)).The separation plate 4 has a plurality of nail portions 1 mounted on the driving portions 2 at equal intervals on the upper surface thereof (FIG. 1 (a)).

〔걸림부 (6)〕(The engaging portion 6)

복수의 걸림부 (6) 는, 승강부 (10) 가 구비하고 있는 승강 플레이트 (13) 에 분리 플레이트 (4) 를 건다. 또한, 걸림부 (6) 는, 승강부 (10) 의 승강에 수반하여, 도 1 의 (b) 에 나타내는 Y 축 방향 (승강 방향) 을 따라 승강하면서, 걸린 분리 플레이트 (4) 를 승강시킨다. 이에 수반하여, 분리 플레이트 (4) 에 형성된 구동부 (2) 및 손톱부 (1) 를 승강시킨다.The plurality of engaging portions 6 engage the separating plate 4 with the lifting plate 13 of the lifting portion 10. The engaging portion 6 is moved up and down along the Y-axis direction (lifting direction) shown in Fig. 1 (b) with the lifting and lowering of the lifting portion 10, As a result, the driving unit 2 and the claw unit 1 formed on the separation plate 4 are raised and lowered.

복수의 걸림부 (6) 의 각각은, 베어링부 (7) 와 당접부 (8) 와 축부 (9) 를 구비하고 있다.Each of the plurality of engaging portions 6 includes a bearing portion 7, a contact portion 8, and a shaft portion 9.

베어링부 (7) 는, 도 1 의 (b) 에 나타내는 Y 축을 따라 상하 방향으로 관통하는 구멍을 가지고 있고, 당해 구멍에 당접부 (8) 를 구비한 축부 (9) 를 삽통시킨다. 여기서, 베어링부 (7) 는, Y 축 방향을 향하여 상측으로 확대되는 원추상의 테이퍼면 (개구면) (2a) 을 가지고 있다.The bearing portion 7 has a hole penetrating in the vertical direction along the Y axis shown in Fig. 1 (b), and the shaft portion 9 having the contact portion 8 is inserted into the hole. Here, the bearing portion 7 has a tapered surface (opening surface) 2a of a circular shape that expands upward toward the Y-axis direction.

당접부 (8) 는, 축부 (9) 에 있어서의 Y 축 방향을 향하여 상측에 형성되어 있고, 베어링부 (7) 의 테이퍼면 (7a) 에 대향하는 면에, 당해 테이퍼면 (7a) 에 감합하는 감합면 (8a) 을 구비하고 있다.The abutting portion 8 is formed on the upper side in the Y axis direction of the shaft portion 9 and is fitted to the tapered surface 7a on the surface facing the tapered surface 7a of the bearing portion 7. [ As shown in Fig.

또한, 도 1 의 (b) 에 나타내는 바와 같이, 분리 플레이트 (4) 에 있어서의 당접면 (4a) 이, 적층체 (20) 의 서포트 플레이트 (17) 에 당접되어 있지 않은 상태에 있어서, 당접부 (8) 에 있어서의 감합면 (8a) 은, 베어링부 (7) 에 있어서의 테이퍼면 (7a) 에 감합하고 있다. 이에 의해, 분리 플레이트 (4) 는, 걸림부 (6) 에 의해, 승강 플레이트 (13) 에 걸려 있다.1 (b), in a state in which the contact face 4a of the separation plate 4 is not in contact with the support plate 17 of the laminate body 20, The engagement surface 8a of the bearing portion 8 is fitted to the tapered surface 7a of the bearing portion 7. [ Thereby, the separating plate 4 is engaged with the lifting plate 13 by the engaging portion 6.

도 2 의 (a) ∼ (c) 는, 본 실시형태에 관련된 지지체 분리 장치 (100) 의 동작의 개략을 설명하는 도면이다. 또한, 도 2 의 (a) ∼ (c) 에 있어서, 지지체 분리 장치 (100) 가 구비하고 있는 승강부 (10) 는 생략되어 있다.2 (a) to 2 (c) are diagrams for explaining the outline of the operation of the supporter separating apparatus 100 according to the present embodiment. 2 (a) to 2 (c), the elevating portion 10 provided in the supporter separating apparatus 100 is omitted.

도 2 의 (a) 에 나타내는 바와 같이, 승강 플레이트 (13) 가, Y 축 방향을 따라 강하하고, 분리 플레이트 (4) 의 당접면 (4a) 에 적층체 (20) 에 있어서의 서포트 플레이트 (17) 의 평면부가 당접한 후, 추가로 승강 플레이트 (13) 가 강하했을 때, 걸림부 (6) 에 있어서의 베어링부 (7) 의 테이퍼면 (7a) 과, 축부 (9) 에 형성된 당접부 (8) 의 감합면 (8a) 이 이간하고, 축부 (9) 는 베어링부 (7) 가 갖는 구멍의 내측을 슬라이딩한다. 요컨대, 승강부 (10) 가 강하할 때에, 승강 플레이트 (13) 에 가해지는 힘은, 걸림부 (6) 가 승강 플레이트 (13) 에 분리 플레이트 (4) 를 걸지 않게 됨으로써, 승강 플레이트 (13) 로부터 분리 플레이트 (4) 에 전해지지 않는다. 이 때문에, 승강 플레이트 (13) 로부터, 분리 플레이트 (4) 의 당접면 (4a) 을 통하여, 적층체 (20) 에 힘이 가해지는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 적층체 (20) 에 과도한 힘이 가해져, 적층체 (20) 가 파손되는 것을 방지할 수 있다.2 (a), the lifting plate 13 descends along the Y-axis direction, and the supporting plate 17 (see Fig. 2 (a)) of the laminated body 20 is brought into contact with the contacting surface 4a of the separating plate 4, The tapered surface 7a of the bearing portion 7 in the engaging portion 6 and the abutting portion 7b formed in the shaft portion 9 when the lifting plate 13 is further lowered 8 are spaced apart from each other, and the shaft portion 9 slides inside the hole of the bearing portion 7. In other words, the force applied to the lifting plate 13 when the lifting unit 10 is lowered prevents the lifting plate 13 from being engaged with the lifting plate 13, Is not transmitted to the separation plate (4). Therefore, it is possible to prevent the stacking body 20 from being subjected to a force from the lifting plate 13 via the contacting surface 4a of the separating plate 4. [ Therefore, an excessive force is applied to the laminate 20 to prevent the laminate 20 from being broken.

또한, 적층체의 두께에 상관없이, 분리 플레이트 (4) 의 당접면 (4a) 이, 적층체에 당접하면, 베어링부 (7) 에 있어서의 테이퍼면 (7a) 과 축부 (9) 에 형성된 당접부 (8) 의 감합면 (8a) 이 이간하고, 승강 플레이트 (13) 로부터 분리 플레이트 (4) 에 힘이 전해지지 않게 할 수 있다. 요컨대, 분리 플레이트 (4) 에 의해 과도한 힘을 적층체에 가하는 것을, 적층체의 두께에 상관없이, 방지할 수 있다. 이로 인해, 분리 플레이트를 강하시키는 위치를, 적층체의 두께에 따라 조정할 필요가 없다. 따라서, 적층체의 두께에 상관없이, 분리 플레이트 (4) 의 당접면 (4a) 에 적층체 (20) 를 당접하고, 순조롭게 손톱부 (1) 에 의해, 적층체 (20) 에 있어서의 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부를 파지할 수 있다 (도 2 의 (b)).When the contact surface 4a of the separator plate 4 abuts on the laminate body regardless of the thickness of the laminate, the tapered surface 7a of the bearing portion 7 and the tapered surface 7a formed on the shaft portion 9 The engaging surface 8a of the abutment 8 can be spaced apart and the force can not be transmitted from the lifting plate 13 to the separating plate 4. [ In short, it is possible to prevent excessive force from being applied to the laminate by the separator plate 4 regardless of the thickness of the laminate. Therefore, it is not necessary to adjust the position at which the separation plate is lowered in accordance with the thickness of the laminate. Therefore, the laminated body 20 is brought into contact with the contacting face 4a of the separating plate 4 regardless of the thickness of the laminated body, and the nail portion 1 smoothly contacts the supporting plate (Fig. 2 (b)).

그 후, 도 2 의 (c) 에 나타내는 바와 같이, 손톱부 (1) 에 의해 서포트 플레이트 (17) 를 파지한 상태에서, 승강 플레이트 (13) 를 Y 축 방향을 향하여 상측으로 상승시킨다. 이에 의해, 축부 (9) 는, 베어링부 (7) 의 구멍의 내측을 슬라이딩하고, 베어링부 (7) 에 있어서의 테이퍼면 (7a) 과, 당접부 (8) 에 있어서의 감합면 (8a) 이 감합한다. 이 때문에, 승강부 (10) 가 상승할 때에 승강 플레이트 (13) 를 들어 올리는 힘은, 걸림부 (6) 를 통하여 분리 플레이트 (4) 및 분리 플레이트 (4) 가 구비하고 있는 손톱부 (1) 에 전해진다. 여기서, 걸림부 (6) 가, 분리 플레이트 (4) 를 매달아 올렸을 때, 베어링부 (7) 에 있어서의 테이퍼면 (7a) 과, 당접부 (8) 에 있어서의 감합면 (8a) 을 감합시킴으로써, 승강 플레이트 (13) 에 대하여 분리 플레이트 (4) 를 특정한 위치에 배치할 수 있다. 따라서, 도 1 의 (a) 및 (b) 에 나타내는, 복수의 걸림부 (6) 와, 복수의 손톱부 (1) 에 의해 적층체 (20) 에 대하여, 균등하게 힘을 가할 수 있어, 순조롭게, 서포트 플레이트 (17) 를 분리할 수 있다 (도 2 의 (c)).Thereafter, as shown in Fig. 2 (c), the lifting plate 13 is lifted up toward the Y-axis direction in a state in which the support plate 17 is gripped by the nail 1. The shaft portion 9 slides on the inside of the hole of the bearing portion 7 so that the tapered surface 7a of the bearing portion 7 and the engagement surface 8a of the contact portion 8, Lt; / RTI &gt; Therefore, the force for lifting the lifting plate 13 when the lifting unit 10 is lifted is set to be higher than the force for lifting the lifting plate 13 from the nail 1, which is provided by the separating plate 4 and the separating plate 4, &Lt; / RTI &gt; By fitting the tapered surface 7a of the bearing portion 7 and the fitting surface 8a of the abutting portion 8 when the engaging portion 6 is hung up on the separating plate 4 , The separation plate (4) can be disposed at a specific position with respect to the lifting plate (13). Therefore, it is possible to uniformly apply force to the laminate 20 by the plurality of engagement portions 6 and the plurality of nail portions 1 shown in Figs. 1 (a) and 1 (b) , The support plate 17 can be separated (Fig. 2 (c)).

또한, 지지체 분리 장치 (100) 는, 걸림부 (6) 를 승강 플레이트 (13) 의 주연 부분에 등간격으로 3 개 구비하고 있지만, 분리 플레이트 (플레이트부) 를 걸 수 있으면, 걸림부의 수는 한정되지 않는다. 또한, 걸림부에 있어서의 당접부의 감합면과 베어링부의 개구면은 서로 감합하면 되고, 예를 들어, 당접부의 감합면은, 축부의 직경보다 큰 원주 형상의 볼록형이고, 개구면은, 볼록형에 감합하는 오목형이어도 된다.The support separating apparatus 100 is provided with three latching portions 6 at regular intervals on the peripheral portion of the lifting plate 13, but if the separating plate (plate portion) can be attached, the number of latching portions is limited It does not. The engagement surface of the contact portion and the opening surface of the bearing portion of the engagement portion may be fitted to each other. For example, the engagement surface of the contact portion is a columnar convex shape larger than the diameter of the shaft portion, .

〔승강부 (10)〕[Elevating portion 10]

승강부 (10) 는, 승강 플레이트 (13) 를 구비하고 있고, 당해 승강 플레이트 (13) 는 승강부 (10) 에 고정되어 있다. 승강부 (10) 는, 승강 플레이트 (13) 에, 복수의 걸림부 (6) 에 의해 걸린 분리 플레이트 (4) 를 상하 방향으로 승강시킨다.The elevating portion 10 is provided with a lifting plate 13 and the lifting plate 13 is fixed to the lifting portion 10. The elevating portion 10 elevates and separates the separating plate 4 caught by the plurality of engaging portions 6 in the vertical direction on the lifting plate 13.

기판 (19) 을 스테이지 (14) 상에 고정시킨 상태로 서포트 플레이트 (17) 를 유지하는 승강부 (10) 를 상승시키는 속도로는, 0.1 ㎜/초 이상, 2 ㎜/초 이하인 것이 바람직하다. 이에 의해, 기판 (19) 및 서포트 플레이트 (17) 에 과도한 힘이 가해지는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 서포트 플레이트 (17) 를 서서히 분리할 수 있다.It is preferable that the rate of raising the elevation portion 10 holding the support plate 17 in a state where the substrate 19 is fixed on the stage 14 is 0.1 mm / second or more and 2 mm / second or less. As a result, it is possible to prevent excessive force from being applied to the substrate 19 and the support plate 17. Therefore, the support plate 17 can be gradually separated.

〔스테이지 (14)〕[Stage (14)]

스테이지 (14) 는, 적층체 (20) 에 있어서의 기판 (19) 을 고정시키는 것이다. 본 실시형태에 관련된 지지체 분리 장치 (100) 에서는, 스테이지 (14) 는, 포러스부 (15) 와 외주부 (16) 를 구비하고 있다. 포러스부 (15) 상에 적층체 (20) 가 위치하도록, 다이싱 테이프 (21) 를 첩착한 적층체 (20) 가 스테이지 (14) 에 재치된다.The stage 14 fixes the substrate 19 in the laminate 20. In the support separating apparatus 100 according to the present embodiment, the stage 14 includes a porous portion 15 and an outer peripheral portion 16. The stacked body 20 to which the dicing tape 21 is attached is placed on the stage 14 so that the stacked body 20 is positioned on the porous portion 15. [

(포러스부 (15))(The porous portion 15)

포러스부 (15) 는, 외주부 (16) 에 형성된 다공성 부분을 말한다. 포러스부 (15) 는, 감압부 (도시 생략) 에 의해 그 다공성 부분에 다이싱 테이프 (21) 를 첩착한 적층체 (20) 에 있어서의 기판 (19) 을 흡인할 수 있다. 이에 의해, 스테이지 (14) 상에 기판 (19) 을 바람직하게 고정시킬 수 있다.The porous portion 15 refers to a porous portion formed in the outer peripheral portion 16. The porous portion 15 can suck the substrate 19 in the laminate 20 in which the dicing tape 21 is attached to the porous portion by a pressure-reducing portion (not shown). Thereby, the substrate 19 can be preferably fixed on the stage 14.

본 실시형태에서는, 스테이지 (14) 는, 포러스부 (15) 와 외주부 (16) 를 구비하는 것을 사용했지만, 본 발명에서는, 적층체 (20) 에 있어서의 기판 (19) 을 고정시킬 수 있으면, 임의의 것을 사용할 수 있다.In the present embodiment, the stage 14 is provided with the porous portion 15 and the outer peripheral portion 16. In the present invention, if the substrate 19 in the laminated body 20 can be fixed, Any one can be used.

〔적층체 (20)〕[Layered product (20)]

도 1 의 (b) 에 나타내는, 본 실시형태에 관련된 지지체 분리 장치 (100) 에 의해 서포트 플레이트 (17) 를 분리하는 적층체 (20) 에 대하여, 상세하게 설명한다. 적층체 (20) 는, 기판 (19) 과, 서포트 플레이트 (17) 를 접착층 (18) 을 개재하여 첩부하여 이루어진다.The laminate 20 separating the support plate 17 by the support separating apparatus 100 according to the present embodiment shown in FIG. 1 (b) will be described in detail. The laminate 20 is formed by pasting the substrate 19 and the support plate 17 with the adhesive layer 18 interposed therebetween.

(서포트 플레이트 (17))(Support plate 17)

서포트 플레이트 (17) 는, 기판 (19) 의 박화, 반송, 실장 등의 프로세스시에, 기판 (19) 의 파손 또는 변형을 방지하기 위해서 기판 (19) 을 지지하기 위한 것으로, 접착층 (18) 을 개재하여 기판 (19) 에 첩부된다.The support plate 17 is for supporting the substrate 19 in order to prevent breakage or deformation of the substrate 19 during the processes such as thinning, transportation and mounting of the substrate 19. The support plate 17 is provided with an adhesive layer 18 And is stuck to the substrate 19 interposed therebetween.

본 실시형태에 관련된 지지체 분리 장치 (100) 에 의해 분리하는 적층체 (20) 에 있어서, 서포트 플레이트 (17) 는, 상면에서 보았을 때의 형상이, 원형인 평판상이고, 두께 방향에 있어서 복수의 관통공이 형성되어 있다. 서포트 플레이트 (17) 는, 관통공으로부터, 박리액을 공급함으로써 접착층 (18) 을 팽윤시킬 수 있다.In the laminated body 20 separated by the support separating apparatus 100 according to the present embodiment, the support plate 17 has a circular plate-like shape when viewed from the top, and a plurality of through- A ball is formed. The support plate 17 can swell the adhesive layer 18 by supplying the peeling liquid from the through holes.

서포트 플레이트 (지지체) (18) 는, 기판 (19) 을 지지하는 지지체로, 접착층 (18) 을 개재하여, 기판 (19) 에 첩부된다. 그 때문에, 서포트 플레이트 (17) 로는, 기판 (19) 의 박화, 반송, 실장 등의 프로세스시에, 기판 (19) 의 파손 또는 변형을 방지하기 위해서 필요한 강도를 가지고 있는 것이 바람직하다. 또한, 서포트 플레이트에는, 접착층과 대향하는 측의 면에 광을 조사함으로써 변질되는 분리층이 형성된 것을 사용할 수도 있다. 따라서, 분리층을 변질시키기 위한 광을 투과시키는 것이 바람직하다. 이상의 관점에서, 서포트 플레이트 (17) 로는, 유리, 실리콘, 아크릴계 수지로 이루어지는 것 등을 들 수 있다.The support plate (support) 18 is a support for supporting the substrate 19 and is attached to the substrate 19 with an adhesive layer 18 interposed therebetween. Therefore, it is preferable that the support plate 17 has a strength necessary for preventing breakage or deformation of the substrate 19 during processing such as thinning, transportation, or mounting of the substrate 19. The support plate may be provided with a separation layer which is altered by irradiating light on the side opposite to the adhesive layer. Therefore, it is preferable to transmit light for altering the separation layer. In view of the above, the support plate 17 may be made of glass, silicon, or acrylic resin.

또한, 서포트 플레이트 (17) 는, 300 ∼ 1000 ㎛ 의 두께의 것을 사용할 수 있다. 본 실시형태에 관련된 지지체 분리 장치 (100) 에 의하면, 이와 같이, 두께가 얇은 지지체여도, 당해 지지체가 파손되는 것을 방지하면서, 당해 지지체의 외주 단부를 순조롭게 파지할 수 있다.The support plate 17 may have a thickness of 300 to 1000 mu m. The support separating apparatus 100 according to the present embodiment can smoothly grasp the outer circumferential end of the support body while preventing the support body from being damaged even if the support body is thin.

(접착층 (18))(Adhesive layer 18)

접착층 (18) 은, 기판 (19) 과 서포트 플레이트 (17) 를 첩합하는 것으로, 기판 (19) 에 접착제를 도포함으로써 형성된다. 기판 (19) 또는 서포트 플레이트 (17) 에 대한 접착제의 도포 방법으로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 스핀 코트, 딥핑, 롤러 블레이드, 스프레이 도포, 슬릿 도포 등의 방법을 들 수 있다. 또한, 접착층 (18) 은, 예를 들어, 접착제를 직접, 기판 (19) 에 도포하는 대신에, 접착제가 양면에 미리 도포되어 있는 필름 (이른바, 드라이 필름) 을, 기판 (19) 에 첩부함으로써 형성해도 된다.The adhesive layer 18 is formed by applying an adhesive to the substrate 19 by bonding the substrate 19 and the support plate 17 together. The method of applying the adhesive to the substrate 19 or the support plate 17 is not particularly limited, and examples thereof include spin coating, dipping, roller blade, spray coating, slit coating and the like. The adhesive layer 18 can be formed by affixing a film (so-called dry film), on both surfaces of which an adhesive is previously applied, to the substrate 19, instead of applying the adhesive directly to the substrate 19 .

접착층 (18) 의 두께는, 첩합의 대상이 되는 기판 (19) 및 서포트 플레이트 (17) 의 종류, 접착 후에 실시되는 기판 (19) 에 실시되는 처리 등에 따라 적절히 설정하는 것이 가능하지만, 10 ∼ 150 ㎛ 인 것이 바람직하고, 15 ∼ 100 ㎛ 인 것이 보다 바람직하다.The thickness of the adhesive layer 18 can be suitably set according to the kind of the substrate 19 and the support plate 17 to be subjected to the adhesion and the treatment to be performed on the substrate 19 to be applied after bonding, Mu] m, more preferably 15 to 100 [mu] m.

접착층 (18) 을 형성하는 접착제로는, 특별히 한정되지 않고 사용할 수 있지만, 가열하는 것에 의해 열 유동성이 향상되는 열 가소성의 접착 재료가 바람직하다. 열 가소성의 접착 재료로는, 예를 들어, 아크릴계 수지, 스티렌계 수지, 말레이미드계 수지, 탄화수소계 수지, 엘라스토머, 폴리설폰계 수지 등을 들 수 있다.The adhesive for forming the adhesive layer 18 is not particularly limited and may be used. However, it is preferable that the thermoplastic adhesive material is improved in heat flowability by heating. Examples of thermoplastic bonding materials include acrylic resins, styrene resins, maleimide resins, hydrocarbon resins, elastomers, polysulfone resins, and the like.

(기판 (19))(Substrate 19)

기판 (19) 은, 접착층 (18) 을 개재하여 서포트 플레이트 (17) 에 지지된 상태로, 박화, 실장 등의 프로세스에 제공될 수 있다. 기판 (19) 으로는, 실리콘 웨이퍼 기판에 한정되지 않고, 세라믹스 기판, 얇은 필름 기판, 플렉시블 기판 등의 임의의 기판을 사용할 수 있다.The substrate 19 can be provided in processes such as thinning, mounting and the like while being supported by the support plate 17 with the adhesive layer 18 interposed therebetween. The substrate 19 is not limited to a silicon wafer substrate but may be any substrate such as a ceramic substrate, a thin film substrate, or a flexible substrate.

(다이싱 테이프 (21))(Dicing tape 21)

다이싱 테이프 (21) 는, 적층체 (20) 의 기판 (19) 측에 첩착되어 있고, 서포트 플레이트 (17) 를 박리한 후의 기판 (19) 을 다이싱하기 위해서 사용된다.The dicing tape 21 is adhered to the side of the substrate 19 of the layered product 20 and is used for dicing the substrate 19 after the support plate 17 has been peeled off.

다이싱 테이프 (21) 로는, 예를 들어 베이스 필름에 점착층이 형성된 구성의 다이싱 테이프 (21) 를 사용할 수 있다. 베이스 필름으로는, 예를 들어, PVC (폴리염화비닐), 폴리올레핀 또는 폴리프로필렌 등의 수지 필름을 사용할 수 있다.As the dicing tape 21, for example, a dicing tape 21 having a configuration in which an adhesive layer is formed on the base film can be used. As the base film, for example, a resin film such as PVC (polyvinyl chloride), polyolefin, or polypropylene can be used.

(다이싱 프레임 (22))(Dicing frame 22)

다이싱 테이프 (21) 의 노출면의 더욱 외주에는, 다이싱 테이프 (21) 의 휨을 방지하기 위한 다이싱 프레임 (22) 이 장착되어 있다. 다이싱 프레임 (22) 으로는, 예를 들어, 알루미늄 등의 금속제의 다이싱 프레임, 스테인리스 스틸 (SUS) 등의 합금제의 다이싱 프레임, 및 수지제의 다이싱 프레임을 들 수 있다.A dicing frame 22 for preventing warpage of the dicing tape 21 is mounted on the outer periphery of the exposed surface of the dicing tape 21. As the dicing frame 22, for example, a dicing frame made of metal such as aluminum, an alloyed dicing frame made of stainless steel (SUS) or the like, and a resin dicing frame can be given.

＜지지체 분리 방법＞&Lt; Support separation method &gt;

본 발명의 일 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법은, 기판 (19) 과, 기판 (19) 을 지지하는 서포트 플레이트 (17) 를 첩부하여 이루어지는 적층체 (20) 로부터, 서포트 플레이트 (17) 를 분리하는 지지체 분리 방법으로서, 서포트 플레이트 (17) 의 평면부를 당접면 (4a) 에 당접하고, 당접면 (4a) 의 면 방향에 있어서 당접면 (4a) 으로부터 멀어질수록, 당접면 (4a) 의 외주로부터 내주를 향하는 경사가 커지는 복수의 경사면 (1b) 을, 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부에 형성된 모따기 부위 (17a) 에 당접하는 것에 의해, 서포트 플레이트 (17) 를 파지하는 파지 공정과, 파지 공정 전에, 당접면 (4a) 의 면 방향에 있어서의 경사면 (1b) 의 단변과, 당접면 (4a) 사이의 거리를 서포트 플레이트 (17) 의 두께에 따라 조정하는 조정 공정을 포함하고 있다.A support separating method according to an embodiment of the present invention is a method of separating a support plate 17 from a laminated body 20 formed by pasting a substrate 19 and a support plate 17 for supporting the substrate 19 As a method for separating a support member, a planar portion of a support plate 17 is brought into contact with a contact face 4a, and as the contact face 4a is away from the contact face 4a in the face direction of the contact face 4a, A holding step of gripping the support plate 17 by contacting a plurality of inclined surfaces 1b inclining toward the inner periphery to a chamfered portion 17a formed on the outer peripheral end of the support plate 17, And an adjustment step of adjusting the distance between the short side of the inclined face 1b in the plane direction of the contact face 4a and the contact face 4a in accordance with the thickness of the support plate 17. [

또한, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법은, 파지 공정에서는, 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부를 포착하는 포착면 (1a) 에 의해 서포트 플레이트 (17) 를 포착하면서, 당접면 (4a) 으로부터 보다 떨어진 포착면 (1a) 의 단변의 적어도 일부에, 당해 단변을 따라 형성된 경사면 (1b) 을, 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부에 형성된 모따기 부위 (17a) 에 당접하는 것이 바람직하다.The support separating method according to the embodiment of the present invention is a method of separating the support plate 17 by the catching surface 1a for capturing the outer peripheral end portion of the support plate 17, It is preferable that the inclined surface 1b formed along the short side is brought into abutment with the chamfered portion 17a formed at the outer peripheral end of the support plate 17 at least at a part of the short side of the capture surface 1a remote from the support plate 17.

또한, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법에서는, 서포트 플레이트 (17) 의 상면에서 보았을 때의 형상은, 원 형상이고, 포착면 (1a) 은, 당접면 (4a) 에 대하여 수직인 면이고, 또한 서포트 플레이트 (17) 의 외주 단부보다 큰 호를 그리도록 만곡되어 있는 면이고, 경사면 (1b) 은, 포착면 (1a) 의 단변에 있어서의 중심점을 포함하는 일부를 따라 형성되어 있는 것이 보다 바람직하다.In the support separating method according to the embodiment of the present invention, the shape of the support plate 17 as viewed from the upper surface is circular, and the capture surface 1a is a surface perpendicular to the contact surface 4a And the inclined surface 1b is formed along a part including the center point on the short side of the capture surface 1a More preferable.

또한, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법은, 파지 공정에서는, 당접면 (4a) 을 구비하고, 상하 방향으로 가동하도록 걸린 분리 플레이트 (4) 를 강하시켜, 서포트 플레이트 (17) 의 평면부에 당접면 (4a) 을 당접한다.In the supporting member separation method according to the embodiment of the present invention, in the holding step, the separating plate 4 having the contacting surface 4a and movable in the up-and-down direction is lowered, And contacts the contact surface (4a).

즉, 상기 서술한 지지체 분리 장치 (100 및 101) 의 각 실시형태이고, 본 발명에 관련된 지지체 분리 방법은, 상기 서술한 실시형태 및 도 1 ∼ 3 의 설명에 준한다.That is, each of the support separating apparatuses 100 and 101 described above is the embodiment, and the support separating method according to the present invention is based on the above-described embodiment and the description of Figs.

본 발명은 상기 서술한 각 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 청구항에 나타낸 범위에서 다양한 변경이 가능하고, 상이한 실시형태에 각각 개시된 기술적 수단을 적절히 조합하여 얻어지는 실시형태에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, but various modifications may be made within the scope of the claims, and embodiments obtained by suitably combining the technical means disclosed in the different embodiments may be included in the technical scope of the present invention. do.

본 발명에 관련된 지지체 분리 장치 및 지지체 분리 방법은, 예를 들어, 미세화된 반도체 장치의 제조 공정에 있어서 광범위하게 이용할 수 있다.The support separating apparatus and support separating method according to the present invention can be widely used, for example, in a manufacturing process of a micronized semiconductor device.

1 ; 손톱부
1a ; 포착면
1b ; 경사면
1c ; 조정부
4 ; 분리 플레이트 (플레이트부)
4a ; 당접면
6 ; 걸림부
7 ; 베어링부 (걸림부)
7a ; 테이퍼면 (개구면, 걸림부)
8 ; 당접부 (걸림부)
8a ; 감합면 (걸림부)
9 ; 축부 (걸림부)
10 ; 승강부
14 ; 스테이지 (고정부)
15 ; 포러스부 (고정부)
16 ; 외주부 (고정부)
17 ; 서포트 플레이트 (지지체)
17a ; 모따기 부위 (지지체)
18 ; 접착층
19 ; 기판
20 ; 적층체
100 ; 지지체 분리 장치One ; Nail
1a; Capture plane
1b; incline
1c; Adjustment section
4 ; Separation plate (plate part)
4a; Incoming
6; [0030]
7; Bearing (locking)
7a; Tapered surface (opening, hook)
8 ; The contact portion (fastening portion)
8a; The fitting surface (fastening portion)
9; The shaft (hook)
10; Elevating portion
14; Stage (fixed portion)
15; Porous section (fixed section)
16; Outer part (fixed part)
17; Support plate (support)
17a; Chamfer area (support)
18; Adhesive layer
19; Board
20; The laminate
100; Support separator

Claims (10)

기판과, 상기 기판을 지지하는 지지체를 첩부하여 이루어지는 적층체로부터, 상기 지지체를 분리하는 지지체 분리 장치로서,
상기 지지체의 평면부에 당접하는 당접면을 갖는 플레이트부와,
상기 플레이트부의 외주를 둘러싸도록 배치된 복수의 손톱부를 구비하고,
상기 손톱부는, 상기 당접면의 면 방향에 있어서 당해 당접면으로부터 멀어질수록, 당해 당접면의 외주로부터 내주를 향하는 경사가 커지는 경사면과,
상기 당접면의 면 방향에 있어서, 상기 경사면의 단변과 상기 당접면 사이의 거리를 조정하는 조정부를 구비하고,
상기 당접면을 상기 지지체의 평면부에 당접하고, 상기 경사면을 상기 지지체의 외주 단부에 형성된 모따기 부위에 당접함으로써 상기 지지체를 파지하는 것을 특징으로 하는 지지체 분리 장치.A supporting body separating apparatus for separating a supporting body from a laminate comprising a substrate and a supporting body for supporting the substrate,
A plate portion having a contact surface to be in contact with a flat surface portion of the support,
And a plurality of claw portions arranged to surround the outer periphery of the plate portion,
Wherein the fingernail has an inclined face that increases in inclination from the outer periphery of the contact face to the inner periphery in the face direction of the contact face,
And an adjustment unit for adjusting a distance between the short side of the inclined surface and the contact surface in the surface direction of the contact surface,
Wherein said contact surface is held in contact with a flat surface portion of said support member and said slope surface is brought into contact with a chamfered portion formed on an outer peripheral end portion of said support member to grasp said support member. 제 1 항에 있어서,
상기 손톱부의 각각은, 당해 지지체의 외주 단부를 포착하는 포착면을 가지고 있고, 상기 손톱부의 경사면은, 상기 플레이트부의 당접면으로부터 떨어진 당해 포착면의 단변의 적어도 일부에, 당해 단변을 따라 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 지지체 분리 장치.The method according to claim 1,
Each of the nail portions has a catching surface for catching the outer peripheral end portion of the support body and the inclined surface of the nail portion is formed along at least a part of the short side of the catching surface remote from the contact surface of the plate portion along the short side Wherein the support separating device comprises: 제 2 항에 있어서,
상기 지지체의 상면에서 보았을 때의 형상은, 원 형상이고,
상기 손톱부의 포착면은, 상기 플레이트부의 당접면에 대하여 수직인 면이고, 또한 당해 지지체의 외주 단부와 동일하거나, 또는, 보다 큰 호를 그리도록 만곡되어 있는 면이고,
상기 경사면은, 상기 포착면의 단변에 있어서의 중심점을 포함하는 일부를 따라 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 지지체 분리 장치.3. The method of claim 2,
The shape of the support as viewed from the upper surface is circular,
The catching surface of the claw is a surface which is perpendicular to the contact surface of the plate portion and which is curved so as to draw a larger arc than the outer peripheral end of the support body,
Wherein the inclined surface is formed along a part including a center point at a short side of the trapping surface. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 경사면은, 상기 플레이트부의 당접면에 대하여, 30°이상, 90°미만의 범위 내의 경사를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 지지체 분리 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the inclined surface has an inclination in a range of 30 DEG or more and less than 90 DEG with respect to a contacting surface of the plate portion. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 손톱부는, 방향족 폴리에테르케톤을 포함하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 지지체 분리 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the nail portion is made of a material containing an aromatic polyether ketone. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 플레이트부와,
상기 플레이트부를 상하 방향으로 승강시키는 승강부와,
상기 승강부에 상기 플레이트부를 거는 걸림부와,
상기 적층체에 있어서의 기판측을 고정시키는 고정부를 구비하고,
상기 플레이트부는, 상기 걸림부에 의해 상하 방향으로 가동하도록 상기 승강부에 걸리는 것을 특징으로 하는 지지체 분리 장치.The method according to claim 2 or 3,
The plate portion,
An elevating portion for elevating and lowering the plate portion in the vertical direction,
An engaging portion for engaging the plate portion with the elevating portion,
And a fixing portion for fixing the substrate side of the laminate,
Wherein the plate portion is engaged with the lifting and lowering portion so as to be movable up and down by the latching portion. 기판과, 상기 기판을 지지하는 지지체를 첩부하여 이루어지는 적층체로부터, 상기 지지체를 분리하는 지지체 분리 방법으로서,
상기 지지체의 평면부를 당접면에 당접하고,
상기 당접면의 면 방향에 있어서 당해 당접면으로부터 멀어질수록, 당해 당접면의 외주로부터 내주를 향하는 경사가 커지는 복수의 경사면을, 상기 지지체의 외주 단부에 형성된 모따기 부위에 당접하는 것에 의해, 상기 지지체를 파지하는 파지 공정과,
상기 파지 공정 전에, 상기 당접면의 면 방향에 있어서, 상기 경사면의 단변과, 상기 당접면 사이의 거리를 상기 지지체의 두께에 따라 조정하는 조정 공정을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 지지체 분리 방법.A supporting body separating method for separating a supporting body from a laminate comprising a substrate and a supporting body for supporting the substrate,
A planar portion of the support being in contact with the contact surface,
Wherein a plurality of inclined surfaces whose inclination from the outer periphery to the inner periphery of the abutting surface increases toward the inner periphery of the abutting surface in contact with the chamfered portion formed on the outer peripheral end of the supporting abutment surface in the surface direction of the abutting surface, A gripping step of gripping the gripper,
And adjusting the distance between the short side of the inclined surface and the contact surface in accordance with the thickness of the support in the plane direction of the contact surface before the gripping step. 제 7 항에 있어서,
상기 파지 공정에서는, 상기 지지체의 외주 단부를 포착하는 포착면에 의해 상기 지지체를 포착하면서, 상기 당접면으로부터 보다 떨어진 당해 포착면의 단변의 적어도 일부에, 당해 단변을 따라 형성된 상기 경사면을, 상기 지지체의 외주 단부에 형성된 모따기 부위에 당접하는 것을 특징으로 하는 지지체 분리 방법.8. The method of claim 7,
The holding step may include a step of grasping the slope formed along the short side of at least a part of the short side of the capturing surface remote from the contact surface while capturing the supporting body by the capturing surface for capturing the outer peripheral end of the support, Wherein the chamfering portion is in contact with a chamfered portion formed on an outer peripheral end of the support member. 제 8 항에 있어서,
상기 지지체의 상면에서 보았을 때의 형상은, 원 형상이고,
상기 포착면은, 상기 당접면에 대하여 수직인 면이고, 또한 당해 지지체의 외주 단부보다 큰 호를 그리도록 만곡되어 있는 면이고,
상기 경사면은, 상기 단변에 있어서의 중심점을 포함하는 일부를 따라 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 지지체 분리 방법.9. The method of claim 8,
The shape of the support as viewed from the upper surface is circular,
The catching surface is a surface that is perpendicular to the contact surface and is curved so as to draw a larger arc than the outer peripheral end of the support body,
Wherein the inclined surface is formed along a part including a center point in the short side. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
상기 파지 공정에서는, 상기 당접면을 구비하고, 상하 방향으로 가동하도록 걸린 플레이트부를 강하시켜, 상기 지지체의 평면부에 상기 당접면을 당접하는 것을 특징으로 하는 지지체 분리 방법.10. The method according to claim 8 or 9,
Wherein in the holding step, the plate portion engaged with the contact surface and moved to move in the up-and-down direction is lowered to bring the contact surface into contact with the flat surface portion of the support.
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6422742A (en) * 1987-07-20 1989-01-25 Tel Sagami Ltd Wafer pushup tool and device for transfer of wafer
JPH11116046A (en) 1997-10-20 1999-04-27 Mecs Corp Robot hand for wafer carrying robot
JP2003197724A (en) * 2001-12-28 2003-07-11 Mitsubishi Electric Corp Apparatus and method for separating pasted wafer
JP2006032506A (en) 2004-07-14 2006-02-02 Taiyo Yuden Co Ltd Method and device for peeling semiconductor wafer
JP2007165399A (en) * 2005-12-09 2007-06-28 Nikon Corp Polishing apparatus, semiconductor device manufacturing method using it, and semiconductor device manufactured by method
JP2010010207A (en) * 2008-06-24 2010-01-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Separating apparatus and separating method
JP2014060347A (en) * 2012-09-19 2014-04-03 Tokyo Electron Ltd Peeling device, peeling system, and peeling method

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3656254B2 (en) * 1994-02-28 2005-06-08 三菱住友シリコン株式会社 Method and apparatus for peeling adhesive wafer

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6422742A (en) * 1987-07-20 1989-01-25 Tel Sagami Ltd Wafer pushup tool and device for transfer of wafer
JPH11116046A (en) 1997-10-20 1999-04-27 Mecs Corp Robot hand for wafer carrying robot
JP2003197724A (en) * 2001-12-28 2003-07-11 Mitsubishi Electric Corp Apparatus and method for separating pasted wafer
JP2006032506A (en) 2004-07-14 2006-02-02 Taiyo Yuden Co Ltd Method and device for peeling semiconductor wafer
JP2007165399A (en) * 2005-12-09 2007-06-28 Nikon Corp Polishing apparatus, semiconductor device manufacturing method using it, and semiconductor device manufactured by method
JP2010010207A (en) * 2008-06-24 2010-01-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Separating apparatus and separating method
JP2014060347A (en) * 2012-09-19 2014-04-03 Tokyo Electron Ltd Peeling device, peeling system, and peeling method

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