KR20160149245A - Temporary adhesion laminate, temporary adhesion laminate manufacturing method, and laminate equipped with device wafer - Google Patents

Temporary adhesion laminate, temporary adhesion laminate manufacturing method, and laminate equipped with device wafer Download PDF

Info

Publication number
KR20160149245A
KR20160149245A KR1020167032859A KR20167032859A KR20160149245A KR 20160149245 A KR20160149245 A KR 20160149245A KR 1020167032859 A KR1020167032859 A KR 1020167032859A KR 20167032859 A KR20167032859 A KR 20167032859A KR 20160149245 A KR20160149245 A KR 20160149245A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
elastomer
film
device wafer
laminate
Prior art date
Application number
KR1020167032859A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
유 이와이
이치로 코야마
미츠루 사와노
요시타카 카모치
아츠시 나카무라
Original Assignee
후지필름 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후지필름 가부시키가이샤 filed Critical 후지필름 가부시키가이샤
Publication of KR20160149245A publication Critical patent/KR20160149245A/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/10Adhesives in the form of films or foils without carriers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/18Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/20Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes for coatings strippable as coherent films, e.g. temporary coatings strippable as coherent films
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J201/00Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
    • C09J7/0228
    • C09J7/025
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)

Abstract

디바이스 웨이퍼나 지지체와의 접착면에 있어서의 평탄성이 양호하고, 디바이스 웨이퍼와 지지체를 안정적으로 가접착할 수 있음과 함께, 디바이스 웨이퍼와 지지체의 가접착을 용이하게 해제할 수 있는 가접착용 적층체, 가접착용 적층체의 제조 방법 및 디바이스 웨이퍼 부착 적층체를 제공한다.
이 가접착용 적층체는, 폴리스타이렌계 엘라스토머, 폴리에스터계 엘라스토머, 폴리올레핀계 엘라스토머, 폴리유레테인계 엘라스토머, 폴리아마이드계 엘라스토머, 폴리아크릴계 엘라스토머, 실리콘계 엘라스토머, 폴리이미드계 엘라스토머, 폴리에터에터케톤, 폴리페닐렌설파이드, 폴리페닐렌에터 및 폴리에터설폰으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 필름과, 필름의 적어도 한쪽 표면에, 불소 원자 및 규소 원자로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 이형제를 포함하는 이형층을 갖는다.
It is possible to stably adhere the device wafer and the support to each other with good flatness on the adhesion surface with the device wafer or the support and to easily release adhesion between the device wafer and the support, A method of manufacturing a laminate for adhesion, and a laminate having a device wafer.
The adhesive laminate may be a laminate of a polystyrene type elastomer, a polyester type elastomer, a polyolefin type elastomer, a polyurethane type elastomer, a polyamide type elastomer, a polyacrylic type elastomer, a silicone type elastomer, a polyimide type elastomer, , Polyphenylene sulfide, polyphenylene ether, and polyethersulfone, and a film comprising at least one surface of a film of a release agent containing at least one selected from a fluorine atom and a silicon atom And a release layer.

Description

가접착용 적층체, 가접착용 적층체의 제조 방법 및 디바이스 웨이퍼 부착 적층체{TEMPORARY ADHESION LAMINATE, TEMPORARY ADHESION LAMINATE MANUFACTURING METHOD, AND LAMINATE EQUIPPED WITH DEVICE WAFER}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a laminate for adhesion, a method for manufacturing a laminate for adhesion, and a laminate for device wafer lamination,

본 발명은, 가접착용 적층체, 가접착용 적층체의 제조 방법 및 디바이스 웨이퍼 부착 적층체에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 반도체 장치 등의 제조에 바람직하게 이용할 수 있는, 가접착용 적층체, 가접착용 적층체의 제조 방법 및 디바이스 웨이퍼 부착 적층체에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laminate for adhesion, a method for manufacturing a laminate for adhesion, and a laminate with a device wafer. More particularly, the present invention relates to a laminate for adhesion, a method for manufacturing a laminate for adhesion, and a laminate having a device wafer, which can be preferably used for manufacturing semiconductor devices and the like.

IC(집적회로)나 LSI(대규모 집적회로) 등의 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서는, 디바이스 웨이퍼 상에 다수의 IC 칩이 형성되어, 다이싱에 의하여 개편화(個片化)된다.In a manufacturing process of a semiconductor device such as an IC (integrated circuit) or an LSI (large-scale integrated circuit), a plurality of IC chips are formed on a device wafer and are diced into individual pieces.

전자 기기의 추가적인 소형화 및 고성능화의 요구에 따라, 전자 기기에 탑재되는 IC 칩에 대해서도 추가적인 소형화 및 고집적화가 요구되고 있지만, 디바이스 웨이퍼의 면방향에 있어서의 집적회로의 고집적화는 한계에 가까워지고 있다.Further miniaturization and high integration of IC chips mounted on electronic devices are required due to the demand for further miniaturization and high performance of electronic devices, but the integration of integrated circuits in the plane direction of device wafers is approaching the limit.

IC 칩 내의 집적회로로부터, IC 칩의 외부 단자로의 전기적인 접속 방법으로서는, 종래부터, 와이어 본딩법이 널리 알려져 있는데, IC 칩의 소형화를 도모하기 위하여, 최근, 디바이스 웨이퍼에 관통 구멍을 마련하고, 외부 단자로서의 금속 플러그를 관통 구멍 내를 관통하도록 집적회로에 접속하는 방법(이른바, 실리콘 관통 전극(TSV)을 형성하는 방법)이 알려져 있다. 그러나, 실리콘 관통 전극을 형성하는 방법만으로는, 상기한 최근의 IC 칩에 대한 추가적인 고집적화의 요구에 충분히 대응할 수 없다.Conventionally, a wire bonding method is widely known as an electrical connection method from an integrated circuit in an IC chip to an external terminal of an IC chip. In order to miniaturize the IC chip, a through hole is recently formed in the device wafer (A method of forming a so-called silicon through electrode (TSV)) is known in which a metal plug as an external terminal is connected to an integrated circuit so as to pass through the through hole. However, the method of forming the silicon penetrating electrode alone can not sufficiently cope with the recent demand for higher integration of the IC chip.

이상을 감안하여, IC 칩 내의 집적회로를 다층화함으로써, 디바이스 웨이퍼의 단위 면적당의 집적도를 향상시키는 기술이 알려져 있다. 그러나, 집적회로의 다층화는, IC 칩의 두께를 증대시키기 때문에, IC 칩을 구성하는 부재의 박형화가 필요하다. 이와 같은 부재의 박형화로서는, 예를 들면, 디바이스 웨이퍼의 박형화가 검토되고 있으며, IC 칩의 소형화로 이어질 뿐만 아니라, 실리콘 관통 전극의 제조에 있어서의 디바이스 웨이퍼의 관통 구멍 제조 공정을 생력화(省力化)할 수 있는 점에서, 유망시되고 있다. 또, 파워 디바이스·이미지 센서 등의 반도체 디바이스에 있어서도, 상기 집적도의 향상이나 디바이스 구조의 자유도 향상의 관점에서, 박형화가 시도되고 있다.In view of the above, there is known a technique for improving the degree of integration per unit area of a device wafer by making the integrated circuit in the IC chip multilayered. However, since the thickness of the IC chip is increased in the multilayered structure of the integrated circuit, it is necessary to reduce the thickness of the member constituting the IC chip. For example, thinning of the device wafer has been studied, leading to miniaturization of the IC chip, and also making the manufacturing process of the through-hole of the device wafer in the production of the silicon through- It is promising in that it can be done. In addition, in semiconductor devices such as power devices and image sensors, thinning has been attempted from the viewpoints of improvement of the degree of integration and freedom of device structure.

디바이스 웨이퍼로서는, 약 700~900μm의 두께를 갖는 것이 널리 알려져 있는데, 최근, IC 칩의 소형화 등을 목적으로, 디바이스 웨이퍼의 두께를 200μm 이하가 될 때까지 얇게 하는 것이 시도되고 있다.As device wafers, those having a thickness of about 700 to 900 mu m are widely known. In recent years, attempts have been made to thin device wafer thicknesses to 200 mu m or less for the purpose of miniaturization of IC chips and the like.

그러나, 두께 200μm 이하의 디바이스 웨이퍼는 매우 얇으며, 이것을 기재(基材)로 하는 반도체 디바이스 제조용 부재도 매우 얇기 때문에, 이와 같은 부재에 대하여 추가적인 처리를 실시하거나, 혹은 이와 같은 부재를 단순하게 이동시키거나 하는 경우 등에 있어서, 부재를 안정적으로, 또한 손상을 입히지 않고 지지하는 것은 어렵다.However, a device wafer having a thickness of 200 μm or less is extremely thin, and a semiconductor device manufacturing member made of a base material is very thin. Therefore, such a member is subjected to additional processing or simply moved It is difficult to support the member stably and without damaging it.

상기와 같은 문제를 해결하기 위하여, 표면에 디바이스가 마련된 박형화 전의 디바이스 웨이퍼와 가공용 지지 기판을 실리콘 점착제에 의하여 가접착하고, 디바이스 웨이퍼의 이면을 연삭하여 박형화한 후에, 디바이스 웨이퍼를 천공하여 실리콘 관통 전극을 마련하며, 그 후, 디바이스 웨이퍼로부터 가공용 지지 기판을 탈리시키는 기술이 알려져 있다(특허문헌 1 참조). 이 기술에 의하면, 디바이스 웨이퍼의 이면 연삭 시의 내연삭저항, 이방성 드라이 에칭 공정 등에 있어서의 내열성, 도금이나 에칭 시의 내약품성, 최종적인 가공용 지지 기판과의 순조로운 박리와 저피착체오염성을 동시에 달성하는 것이 가능하다고 되어 있다.In order to solve the problems described above, a device wafer before a thinning process, in which a device is provided on a surface thereof, and a working support substrate are adhered to each other by means of a silicon pressure sensitive adhesive and the back surface of the device wafer is ground to thin, And thereafter, the supporting substrate for processing is removed from the device wafer (refer to Patent Document 1). According to this technology, it is possible to simultaneously achieve the internal grinding resistance at the time of back grinding of the device wafer, the heat resistance in the anisotropic dry etching process, the chemical resistance at the time of plating and etching, the smooth peeling with the final supporting substrate for processing, It is said that it is possible to do.

또, 웨이퍼의 지지 방법으로서는, 웨이퍼를 지지층 시스템에 의하여 지지하는 방법으로서, 웨이퍼와 지지층 시스템의 사이에, 플라즈마 퇴적법에 의하여 얻어지는 플라즈마 폴리머층을 분리층으로서 개장(介裝)시키고, 지지층 시스템과 분리층의 사이의 접착 결합을, 웨이퍼와 분리층의 사이의 접합 결합보다 커지도록 하여, 웨이퍼를 지지층 시스템으로부터 탈리시킬 때에, 웨이퍼가 분리층으로부터 용이하게 탈리되도록 구성한 기술도 알려져 있다(특허문헌 2 참조).As a method for supporting the wafer, there is a method of supporting the wafer by the support layer system, in which a plasma polymer layer obtained by the plasma deposition method is interposed between the wafer and the support layer system as a separation layer, A technique is known in which the adhesive bond between the separation layers is made larger than the bonding bond between the wafer and the separation layer so that the wafer is easily separated from the separation layer when the wafer is detached from the support layer system Reference).

또, 폴리에터설폰과 점성 부여제를 사용하여, 가접착을 행하고, 가열에 의하여 가접착을 해제하는 기술이 알려져 있다(특허문헌 3 참조).Further, there is known a technique in which polyether sulfone and a viscosity-imparting agent are used to perform adhesion and releasing adhesion by heating (see Patent Document 3).

또, 카복실산류와 아민류로 이루어지는 혼합물에 의하여, 가접착을 행하고, 가열에 의하여 가접착을 해제하는 기술도 알려져 있다(특허문헌 4 참조).Further, there is also known a technique in which adhesion is performed by a mixture of carboxylic acids and amines and release of adhesion by heating (see Patent Document 4).

또, 셀룰로스 폴리머류 등으로 이루어지는 접합층을 가온한 상태에서, 디바이스 웨이퍼와 지지 기판을 압착함으로써 접착시키고, 가온하여 횡방향으로 슬라이드함으로써 디바이스 웨이퍼를 지지 기판으로부터 탈리시키는 기술이 알려져 있다(특허문헌 5 참조).Further, there is known a technique in which a device wafer and a supporting substrate are adhered to each other by pressing and bonding in a state in which a bonding layer made of cellulose polymers or the like is heated, and the device wafer is removed from the supporting substrate by heating and sliding in the lateral direction Reference).

또, 신디오택틱 1,2-폴리뷰타다이엔과 광중합 개시제로 이루어지며, 방사선의 조사에 의하여 접착력이 변화되는 점착 필름이 알려져 있다(특허문헌 6 참조).Further, an adhesive film made of syndiotactic 1,2-polybutadiene and a photopolymerization initiator and having an adhesive force changed by irradiation of radiation is known (refer to Patent Document 6).

또한, 폴리카보네이트류로 이루어지는 접착제에 의하여, 지지 기판과 디바이스 웨이퍼를 가접착하고, 디바이스 웨이퍼에 대하여 처리를 행한 후, 조사선을 조사하고, 이어서 가열함으로써, 처리가 완료된 디바이스 웨이퍼를 지지 기판으로부터 탈리시키는 기술이 알려져 있다(특허문헌 7 참조).Further, by the adhesive made of a polycarbonate, the support substrate and the device wafer are adhered to each other, the device wafer is treated, the irradiation line is irradiated, and then the wafer is heated, thereby removing the processed device wafer from the support substrate (See Patent Document 7).

또, 연화점이 상이한 2층으로, 지지 기판과 디바이스 웨이퍼를 가접착하고, 디바이스 웨이퍼에 대하여 처리를 행한 후, 가온하여 횡방향으로 슬라이드함으로써 지지 기판과 디바이스 웨이퍼를 탈리시키는 기술이 알려져 있다(특허문헌 8 참조).Further, there is known a technique in which a support substrate and a device wafer are adhered to each other with two layers having different softening points, a device wafer is processed, and then heated and slid in the lateral direction to thereby separate the support substrate and the device wafer 8).

또, 특허문헌 9에는, 사이클로올레핀 중합체와, 실리콘 구조, 불소화 알킬기 구조, 불소화 알켄일 구조 및 탄소수 8 이상의 알킬 구조 중 적어도 1종의 구조와, 폴리옥시알킬렌 구조, 인산기를 갖는 구조 및 설포기를 갖는 구조 중 적어도 1종의 구조를 갖는 화합물을 포함하는 가고정재를 통하여, 지지체와 기재를 가고정하는 것이 개시되어 있다.Patent Document 9 discloses a resin composition comprising a cycloolefin polymer and a structure having at least one of a silicone structure, a fluorinated alkyl group structure, an alkenyl fluoride structure and an alkyl structure having at least 8 carbon atoms, a structure having a polyoxyalkylene structure, , The support and the substrate are temporarily fixed by means of a temporary fixing material containing a compound having at least one kind of structure.

또, 특허문헌 10에는, 주쇄의 구성 단위로서 스타이렌 단위를 포함하는 엘라스토머와 왁스를 포함하는 접착제 조성물을 이용하여, 디바이스 웨이퍼와 지지체를 접착하는 것이 개시되어 있다.Patent Document 10 discloses that a device wafer and a support are adhered to each other by using an adhesive composition comprising an elastomer containing a styrene unit as a constituent unit of a main chain and a wax.

또, 특허문헌 11에는, 디바이스 웨이퍼의 디바이스면에 접착층을 도포 형성하고, 지지체의 표면에 불화 실레인 화합물을 포함하는 이형층을 도포 형성하며, 디바이스 웨이퍼 상의 접착층과 지지체 상의 이형층을 접착시켜, 디바이스 웨이퍼와 지지체를 접착하는 것이 개시되어 있다.Patent Document 11 discloses a method for manufacturing a semiconductor device in which an adhesive layer is applied and formed on the device surface of a device wafer, a release layer containing a fluorinated silane compound is applied and formed on the surface of the support, an adhesive layer on the device wafer and a release layer on the support are bonded, Thereby bonding the device wafer and the support.

또, 특허문헌 12에는, 특정의 폴리이미드 수지를 포함하여 이루어지는 가고정용 필름의 양면 또는 편면에, 저접착력층을 갖는 가고정용 필름 시트를 이용하여, 디바이스 웨이퍼와 지지체를 접착하는 것이 개시되어 있다.Patent Document 12 discloses that a device wafer and a support are adhered to each other by using a temporary film sheet having a low adhesion layer on both sides or one side of a temporary fixing film comprising a specific polyimide resin.

특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2011-119427호Patent Document 1: JP-A-2011-119427 특허문헌 2: 일본 공표특허공보 2009-528688호Patent Document 2: Japanese Published Patent Application No. 2009-528688 특허문헌 3: 일본 공개특허공보 2011-225814호Patent Document 3: JP-A-2011-225814 특허문헌 4: 일본 공개특허공보 2011-052142호Patent Document 4: JP-A-2011-052142 특허문헌 5: 일본 공표특허공보 2010-506406호Patent Document 5: Japanese Published Patent Application No. 2010-506406 특허문헌 6: 일본 공개특허공보 2007-045939호Patent Document 6: JP-A-2007-045939 특허문헌 7: 미국 특허공개공보 2011/0318938호Patent Document 7: U.S. Patent Application Publication No. 2011/0318938 특허문헌 8: 미국 특허공보 2012/0034437호Patent Document 8: U.S. Patent Publication No. 2012/0034437 특허문헌 9: 일본 공개특허공보 2013-241568호Patent Document 9: JP-A-2013-241568 특허문헌 10: 일본 공개특허공보 2014-34632호Patent Document 10: JP-A-2014-34632 특허문헌 11: 국제 공개공보 WO2013/119976호Patent Document 11: International Publication No. WO2013 / 119976 특허문헌 12: 일본 공개특허공보 2014-29999호Patent Document 12: JP-A-2014-29999

그런데, 디바이스가 마련된 디바이스 웨이퍼의 표면(즉, 디바이스 웨이퍼의 디바이스면)과 지지 기판(캐리어 기판)을, 특허문헌 1 등으로 알려져 있는 점착제로 이루어지는 층을 개재하여 가접착하는 경우에는, 디바이스 웨이퍼를 안정적으로 지지하기 위하여, 접착층에는 일정 강도의 점착도가 요구된다.In the case where the surface of the device wafer on which the device is provided (that is, the device surface of the device wafer) and the supporting substrate (carrier substrate) are adhered to each other via a layer made of a pressure sensitive adhesive known in Patent Document 1 or the like, In order to stably support the adhesive layer, a certain degree of tackiness is required for the adhesive layer.

이로 인하여, 디바이스 웨이퍼의 디바이스면의 전체면과 지지체를 점착제층을 개재하여 가접착하는 경우에 있어서는, 디바이스 웨이퍼와 지지체의 가접착을 충분한 것으로 하여, 디바이스 웨이퍼를 안정적으로, 또한 손상을 입히지 않고 지지하려고 할수록, 반면 디바이스 웨이퍼와 지지체의 가접착이 너무 강한 것에 의하여, 지지체로부터 디바이스 웨이퍼를 탈리시킬 때에, 디바이스가 파손되거나 디바이스 웨이퍼로부터 디바이스가 탈리되어 버린다는 결함이 발생하기 쉽다.Therefore, when the entire surface of the device surface of the device wafer and the support are adhered to each other with the adhesive layer interposed therebetween, sufficient adhesion between the device wafer and the support can be ensured and the device wafer can be supported stably On the other hand, a too strong adhesion between the device wafer and the support tends to cause defects such as breakage of the device or removal of the device from the device wafer when removing the device wafer from the support.

또, 특허문헌 2와 같이, 웨이퍼와 지지층 시스템의 접착이 너무 강해지는 것을 억제하기 위하여, 웨이퍼와 지지층 시스템의 사이에, 분리층으로서의 플라즈마 폴리머층을, 플라즈마 퇴적법에 의하여 형성하는 방법은, (1) 통상, 플라즈마 퇴적법을 실시하기 위한 설비 코스트는 크고; (2) 플라즈마 퇴적법에 의한 층 형성은, 플라즈마 장치 내의 진공화나 모노머의 퇴적에 시간을 필요로 하며; 및 (3) 플라즈마 폴리머층으로 이루어지는 분리층을 마련해도, 가공에 제공되는 웨이퍼를 지지하는 경우에 있어서는, 웨이퍼와 분리층의 접착 결합을 충분한 것으로 하면서, 반면 웨이퍼의 지지를 해제하는 경우에 있어서는, 웨이퍼가 용이하게 분리층으로부터 탈리되는 접착 결합으로 컨트롤하는 것은 용이하지 않은; 등의 문제가 있다.A method of forming a plasma polymer layer as a separation layer by a plasma deposition method between a wafer and a support layer system in order to suppress adhesion between the wafer and the support layer system from being too strong is as follows: 1) In general, the facility cost for carrying out the plasma deposition method is large; (2) Formation of a layer by the plasma deposition method requires time for vacuuming in the plasma apparatus or deposition of the monomers; And (3) even when a separation layer made of a plasma polymer layer is provided, in the case of supporting a wafer provided for processing, in the case of releasing the support of the wafer while making sufficient adhesion bonding between the wafer and the separation layer, It is not easy to control the wafer with an adhesive bond that is easily separated from the separation layer; And the like.

또, 특허문헌 3, 4, 5의 기재와 같이, 가열에 의하여 가접착을 해제하는 방법에서는, 지지체로부터 디바이스 웨이퍼를 탈리시킬 때에 디바이스가 파손되는 결함이 발생하기 쉽다.Also, in the method of releasing the adhesion by heating, as described in Patent Documents 3, 4 and 5, a defect that the device is damaged when the device wafer is detached from the support tends to occur.

또, 특허문헌 6, 7과 같이, 조사선을 조사하여 가접착을 해제하는 방법에서는, 조사선을 투과하는 지지체를 사용할 필요가 있다.In addition, as in Patent Documents 6 and 7, in the method of releasing adhesion by irradiating a radiation, it is necessary to use a support that transmits radiation.

또, 특허문헌 8과 같이, 디바이스 웨이퍼측의 접합층의 연화점이 기판측의 접합층의 연화점보다 20℃ 이상 큰 경우는, 박리 후에 기판측의 접합층이 디바이스 웨이퍼측의 접합층에 전사되어, 디바이스 웨이퍼의 세정성이 저하되는 문제가 발생한다.When the softening point of the bonding layer on the device wafer side is 20 ° C or more higher than the softening point of the bonding layer on the substrate side as in Patent Document 8, the bonding layer on the substrate side is transferred to the bonding layer on the device wafer side after peeling, The cleaning property of the device wafer is deteriorated.

또, 특허문헌 9의 접착제를 가고정재로서 사용한 경우, 박리성이 불충분하기 때문에, 디바이스 웨이퍼를 박리할 때에 디바이스가 파손되는 결함이 발생하기 쉬운 문제가 있었다.In addition, when the adhesive of Patent Document 9 is used as a temporary fixture, the peelability is insufficient, and there is a problem that a defect that the device is damaged when the device wafer is peeled easily occurs.

또, 특허문헌 10에서는, 접착제 조성물을, 디바이스 웨이퍼 또는 지지체에 도포하여 접착층을 형성하고 있다. 접착층을 도포 형성한 경우, 두께 편차가 발생하기 쉬웠다. 접착층에 두께 편차가 발생하면, 디바이스 웨이퍼나 지지체에 대한 접착성이 뒤떨어지는 경향이 있다. 또, 특허문헌 10에 개시된 방법에서는, 디바이스 웨이퍼로부터의 지지체의 박리성이 불충분했다.In Patent Document 10, the adhesive composition is applied to a device wafer or a support to form an adhesive layer. When the adhesive layer was applied and formed, the thickness deviation easily occurred. If a thickness variation occurs in the adhesive layer, the adhesion to the device wafer or the support tends to be poor. In addition, in the method disclosed in Patent Document 10, the peelability of the support from the device wafer was insufficient.

또, 특허문헌 11에서는, 접착층이나 이형층을 디바이스 웨이퍼나 지지체에 각각 도포 형성하고 있으므로, 접착층이나 이형층에 두께 편차가 발생하기 쉬워, 접착성이 뒤떨어지는 경향이 있는 점이나, 두께 편차가 발생한 결과 디바이스 웨이퍼의 이면을 균일하게 처리를 할 수 없는 문제가 있었다.In Patent Document 11, since the adhesive layer and the release layer are applied to the device wafer or the support respectively, the adhesive layer and the release layer tend to be easily varied in thickness, and the adhesion tends to be poor. However, Resulting in a problem that the back surface of the device wafer can not be treated uniformly.

또, 특허문헌 12에 개시된 방법에서는, 디바이스 표면의 형상에 대한 추종성이 불충분하여, 접착성이 충분하지 않고, 공공(空孔)이 발생하는 문제가 발생했다. 디바이스 이면을 연삭하여 박화하면, 균일한 두께로 박화할 수 없는 문제도 있었다.In the method disclosed in Patent Document 12, the followability to the shape of the surface of the device is insufficient, the adhesiveness is not sufficient, and vacancies are generated. If the back surface of the device is ground to be thinned, there is a problem that it can not be thinned to a uniform thickness.

본 발명은, 상기 배경을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은, 디바이스 웨이퍼나 지지체와의 접착면에 있어서의 평탄성이 양호하고, 디바이스 웨이퍼와 지지체를 안정적으로 가접착할 수 있음과 함께, 디바이스 웨이퍼와 지지체의 가접착을 용이하게 해제할 수 있는 가접착용 적층체, 가접착용 적층체의 제조 방법 및 디바이스 웨이퍼 부착 적층체를 제공하는 것에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above background, and an object of the present invention is to provide a device wafer and a method of manufacturing a device wafer, A method for manufacturing a laminate for adhesion, and a laminate having a device wafer, which can easily release adhesion of a support.

본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위하여 예의 검토한 결과, 후술하는 특정의 필름의 편면 또는 양면에, 불소 원자 및 규소 원자로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 이형제를 포함하는 이형층을 갖는 가접착용 적층체를 사용한바, 평탄성이 양호하고, 높은 접착력에 의하여 디바이스 웨이퍼와 지지체를 가접착할 수 있음과 함께, 디바이스 웨이퍼와 지지체의 가접착을 용이하게 해제할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 본 발명은, 이하를 제공한다.Means for Solving the Problems As a result of intensive investigations in order to solve the above problems, the present inventors have found that when an adhesive film having a release layer containing a releasing agent containing at least one selected from a fluorine atom and a silicon atom is formed on one side or both sides of a specific film It has been found that the device wafer and the support can be adhered to each other by a high adhesive force and the adhesion between the device wafer and the support can be easily released, I have come to completion. The present invention provides the following.

<1> 디바이스 웨이퍼의 디바이스면과 지지체를, 박리 가능하게 가접착하기 위하여 이용하는 가접착용 적층체로서, 폴리스타이렌계 엘라스토머, 폴리에스터계 엘라스토머, 폴리올레핀계 엘라스토머, 폴리유레테인계 엘라스토머, 폴리아마이드계 엘라스토머, 폴리아크릴계 엘라스토머, 실리콘계 엘라스토머, 폴리이미드계 엘라스토머, 폴리에터에터케톤, 폴리페닐렌설파이드, 폴리페닐렌에터 및 폴리에터설폰으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 필름과, 필름의 적어도 한쪽 표면에, 불소 원자 및 규소 원자로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 이형제를 포함하는 이형층을 갖는, 가접착용 적층체.≪ 1 > A laminate for adhesion, which is used for releasably adhering a device surface of a device wafer and a support in a peelable manner, comprising a polystyrene elastomer, a polyester elastomer, a polyolefin elastomer, a polyurethane elastomer, , A film comprising at least one selected from the group consisting of a polyacrylic elastomer, a silicone-based elastomer, a polyimide elastomer, a polyetheretherketone, polyphenylene sulfide, polyphenylene ether and polyether sulfone, And a releasing layer comprising a releasing agent containing at least one selected from a fluorine atom and a silicon atom on one surface thereof.

<2> 필름이, 폴리스타이렌계 엘라스토머 및 폴리에터설폰으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 <1>에 기재된 가접착용 적층체.≪ 2 > The adhesive laminate according to < 1 >, wherein the film comprises at least one selected from the group consisting of polystyrene elastomer and polyethersulfone.

<3> 필름이, 폴리스타이렌계 엘라스토머를 포함하는 <1>에 기재된 가접착용 적층체.≪ 3 > The adhesive laminate according to < 1 >, wherein the film comprises a polystyrene-based elastomer.

<4> 폴리스타이렌계 엘라스토머가, 수소 첨가물인 <1> 내지 <3> 중 어느 하나에 기재된 가접착용 적층체.≪ 4 > The adhesive layered laminate according to any one of < 1 > to < 3 >, wherein the polystyrene-based elastomer is a hydrogenated product.

<5> 폴리스타이렌계 엘라스토머의, 25℃로부터, 20℃/분으로 승온한 5% 열질량 감소 온도가 250℃ 이상인 <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 기재된 가접착용 적층체.<5> The laminate for adhesion according to any one of <1> to <4>, wherein the 5% thermal mass reduction temperature of the polystyrene-based elastomer heated from 25 ° C. to 20 ° C./min is 250 ° C. or higher.

<6> 이형제가, 실레인 커플링제인 <1> 내지 <5> 중 어느 하나에 기재된 가접착용 적층체.<6> The adhesive layered laminate according to any one of <1> to <5>, wherein the releasing agent is a silane coupling agent.

<7> 필름의 양쪽 표면에 이형층을 갖는 <1> 내지 <6> 중 어느 하나에 기재된 가접착용 적층체.<7> The laminate for adhesion according to any one of <1> to <6>, wherein the release layer is provided on both surfaces of the film.

<8> 필름의 한쪽 표면에만 이형층을 갖는 <1> 내지 <6> 중 어느 하나에 기재된 가접착용 적층체.<8> The laminate for adhesion according to any one of <1> to <6>, wherein the release layer is provided on only one surface of the film.

<9> 폴리스타이렌계 엘라스토머, 폴리에스터계 엘라스토머, 폴리올레핀계 엘라스토머, 폴리유레테인계 엘라스토머, 폴리아마이드계 엘라스토머, 폴리아크릴계 엘라스토머, 실리콘계 엘라스토머, 폴리이미드계 엘라스토머, 폴리에터에터케톤, 폴리페닐렌에터 및 폴리에터설폰으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 필름의 표면에, 불소 원자 및 규소 원자로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 이형제를 포함하는 이형층을 형성하는 공정을 포함하는, 가접착용 적층체의 제조 방법.<9> The resin composition according to any one of <1> to <9>, wherein the polyolefin elastomer is at least one selected from the group consisting of polystyrene elastomer, polyester elastomer, polyolefin elastomer, polyurethane elastomer, polyamide elastomer, polyacrylic elastomer, silicone elastomer, polyimide elastomer, Comprising a step of forming a release layer comprising a release agent containing at least one selected from a fluorine atom and a silicon atom on a surface of a film comprising at least one member selected from the group consisting of a fluorine atom and a polyethersulfone, Wherein the method comprises the steps of:

<10> 디바이스 웨이퍼와 지지체의 사이에, <1> 내지 <8> 중 어느 하나에 기재된 가접착용 적층체를 갖고, 가접착용 적층체의 한쪽 표면이 디바이스 웨이퍼의 디바이스면에 접하며, 다른 한쪽 표면이 지지체의 표면에 접하고 있는, 디바이스 웨이퍼 부착 적층체.<10> A laminate for adhering according to any one of <1> to <8>, which is provided between a device wafer and a support, wherein one surface of the adherent laminate is in contact with a device surface of the device wafer, Wherein the surface is in contact with the surface of the support.

<11> 가접착용 적층체는, 필름의 양쪽 표면에 이형층을 갖는, <10>에 기재된 디바이스 웨이퍼 부착 적층체.<11> The device wafer laminate according to <10>, wherein the adhesive laminate has a release layer on both surfaces of the film.

<12> 가접착용 적층체는, 필름의 한쪽 표면에만 이형층을 갖고, 이형층이 디바이스 웨이퍼의 표면에 접하고 있는, <10>에 기재된 디바이스 웨이퍼 부착 적층체.<12> The laminate for adhering a device wafer according to <10>, wherein the adhesive laminate has a release layer on only one surface of the film, and the release layer is in contact with the surface of the device wafer.

<13> 가접착용 적층체는, 필름의 한쪽 표면에만 이형층을 갖고, 이형층이 지지체에 접하고 있는, <10>에 기재된 디바이스 웨이퍼 부착 적층체.<13> The device wafer laminate according to <10>, wherein the adhesive layer laminate has a release layer on only one surface of the film, and the release layer is in contact with the support.

본 발명에 의하면, 디바이스 웨이퍼나 지지체와의 접착면에 있어서의 평탄성이 양호하고, 디바이스 웨이퍼와 지지체를 안정적으로 가접착할 수 있음과 함께, 디바이스 웨이퍼와 지지체의 가접착을 용이하게 해제할 수 있는 가접착용 적층체, 가접착용 적층체의 제조 방법 및 디바이스 웨이퍼 부착 적층체를 제공 가능하게 되었다.According to the present invention, it is possible to stably adhere the device wafer and the support to each other with good flatness on the adhesion surface with the device wafer or the support, and to easily release adhesion between the device wafer and the support It is possible to provide a laminate for adhesion, a method for manufacturing a laminate for adhesion, and a laminate with a device wafer.

도 1은 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 일 실시형태의 개략도이다.
도 2는 종래의 접착성 지지체와 디바이스 웨이퍼의 가접착 상태의 해제를 설명하는 개략 단면도이다.
1 is a schematic view of an embodiment showing a method of manufacturing a semiconductor device.
Fig. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating release of the adhesion state between a conventional adhesive support and a device wafer. Fig.

이하, 본 발명의 실시형태를 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.

본 명세서에 있어서의 기(원자단)의 표기에 있어서, 치환 및 무치환을 기재하지 않은 표기는, 치환기를 갖지 않는 것과 함께 치환기를 갖는 것도 포함하는 것이다. 예를 들면, "알킬기"란, 치환기를 갖지 않는 알킬기(무치환 알킬기)뿐만 아니라, 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함하는 것이다.In the notation of the group (atomic group) in the present specification, the notation in which substitution and non-substitution are not described includes those having a substituent and having a substituent. For example, the "alkyl group" includes not only an alkyl group having no substituent (an unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).

본 명세서 중에 있어서의 "활성광선" 또는 "방사선"은, 예를 들면, 가시광 선, 자외선, 원자외선, 전자선, X선 등을 포함하는 것을 의미한다.The term "actinic ray" or "radiation" in this specification includes, for example, visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, electron beam, X-ray and the like.

본 명세서에 있어서, "광"이란, 활성광선 또는 방사선을 의미하고 있다.In the present specification, the term "light" means an actinic ray or radiation.

본 명세서에 있어서, "노광"이란, 특별히 설명하지 않는 한, 수은등, 자외선, 엑시머 레이저로 대표되는 원자외선, X선, EUV광 등에 의한 노광뿐만 아니라, 전자선 및 이온빔 등의 입자선에 의한 묘화도 의미하고 있다.As used herein, the term "exposure" means not only exposure by deep ultraviolet rays such as mercury lamps, ultraviolet rays and excimer lasers, X-rays, EUV light, etc., but also drawing by particle beams such as electron beams and ion beams It means.

본 명세서에 있어서, "(메트)아크릴레이트"는, 아크릴레이트 및 메타아크릴레이트를 나타내고, "(메트)아크릴"은, 아크릴 및 메타아크릴을 나타내며, "(메트)아크릴로일"은, "아크릴로일" 및 "메타크릴로일"을 나타낸다.As used herein, "(meth) acrylate" refers to acrylate and methacrylate, "(meth) acrylic" refers to acrylic and methacrylic, "(meth) acryloyl" Quot; and "methacryloyl ".

본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량 및 수평균 분자량은, 젤 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC) 측정에 의한 폴리스타이렌 환산값으로서 정의된다. 본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)은, 예를 들면, HLC-8220(도소(주)제)을 이용하고, 칼럼으로서 TSKgel Super AWM-H(도소(주)제), 6.0mmID×15.0cm를, 용리액으로서 10mmol/L 리튬 브로마이드 NMP(N-메틸피롤리딘온) 용액을 이용함으로써 구할 수 있다.In the present specification, the weight average molecular weight and the number average molecular weight are defined as polystyrene reduced values by Gel Permeation Chromatography (GPC) measurement. In this specification, the weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) are measured by using, for example, HLC-8220 (manufactured by TOSOH CORPORATION), TSKgel Super AWM- 6.0 mm ID x 15.0 cm) of 10 mmol / L lithium bromide NMP (N-methylpyrrolidinone) solution as an eluent.

또한, 이하에 설명하는 실시형태에 있어서, 이미 참조한 도면에 있어서 설명한 부재 등에 대해서는, 도면 중에 동일 부호 혹은 상당 부호를 붙임으로써 설명을 간략화 혹은 생략화한다.In the embodiments described below, the members described in the drawings already referred to are denoted by the same reference numerals or signs in the drawings, thereby simplifying or omitting the description.

<가접착용 적층체>&Lt; Adhesive laminate &

본 발명의 가접착용 적층체는, 디바이스 웨이퍼의 디바이스면과 지지체를, 박리 가능하게 가접착하기 위하여 이용하는 가접착용 적층체로서, 폴리스타이렌계 엘라스토머, 폴리에스터계 엘라스토머, 폴리올레핀계 엘라스토머, 폴리유레테인계 엘라스토머, 폴리아마이드계 엘라스토머, 폴리아크릴계 엘라스토머, 실리콘계 엘라스토머, 폴리이미드계 엘라스토머, 폴리에터에터케톤, 폴리페닐렌설파이드, 폴리페닐렌에터 및 폴리에터설폰으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 필름(이하, 접착 필름이라고도 함)과, 필름의 적어도 한쪽 표면에, 불소 원자 및 규소 원자로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 이형제를 포함하는 이형층을 갖는다.The adhesive laminate according to the present invention is a laminate for adhesive lamination which is used for releasably adhering a device surface of a device wafer and a support in a peelable manner. The laminate is a polystyrene elastomer, a polyester elastomer, a polyolefin elastomer, At least one selected from the group consisting of phosphorus-based elastomer, polyamide-based elastomer, polyacrylic elastomer, silicone-based elastomer, polyimide elastomer, polyetheretherketone, polyphenylene sulfide, polyphenylene ether and polyether sulfone (Hereinafter also referred to as an adhesive film), and a release layer comprising a release agent containing at least one selected from a fluorine atom and a silicon atom on at least one surface of the film.

본 발명의 가접착용 적층체는, 필름을 이용하므로, 디바이스 웨이퍼나 지지체와의 접착면에 있어서의 평탄성이 양호하다. 즉, 도포에 의하여 형성되는 도포막 등을 접착층으로서 이용하면, 접착층 중에 용제를 포함하기 때문에, 건조 수축 등에 의하여 막두께가 균일하게 되기 어려워, 접착성이 뒤떨어지지만, 필름으로서 성형된 것을 접착층으로서 이용함으로써, 접착층 중의 용제의 함유량을 적게 할 수 있어, 접착층의 두께의 불균일성을 억제할 수 있고, 결과적으로 접착성을 향상시킬 수 있다. 또한, 접착 필름이 상술한 재료를 포함하므로, 디바이스 웨이퍼나 지지체의 미세한 요철에도 추종하여 적절한 앵커 효과에 의하여, 보다 우수한 접착성을 달성할 수 있다. 그리고, 접착 필름의 표층에는, 불소 원자 및 규소 원자로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 이형제를 포함하는 이형층을 가지므로, 우수한 박리성을 달성할 수 있다. 이로 인하여, 본 발명의 가접착용 적층체는, 평탄성, 접착성, 박리성이 우수하다.Since the adhesive laminate of the present invention uses a film, flatness on the adhesion surface with the device wafer or the support is good. That is, when a coating film or the like formed by coating is used as the adhesive layer, since the solvent is contained in the adhesive layer, the film thickness is unlikely to be uniform due to drying shrinkage or the like and the adhesiveness is lowered. However, The content of the solvent in the adhesive layer can be reduced and the nonuniformity of the thickness of the adhesive layer can be suppressed and consequently the adhesiveness can be improved. Further, since the adhesive film includes the above-described material, it is possible to achieve more excellent adhesiveness by following the fine irregularities of the device wafer and the support by appropriate anchor effect. Since the surface layer of the adhesive film has a release layer containing a release agent containing at least one selected from a fluorine atom and a silicon atom, excellent peelability can be achieved. As a result, the self-adhesive laminate of the present invention is excellent in flatness, adhesiveness, and peelability.

또한, 본 명세서에 있어서, "디바이스 웨이퍼의 디바이스면과 지지체를, 박리 가능하게 가접착한다"란, 디바이스 웨이퍼와 지지체를 가접착하여 일체화한 상태(디바이스 웨이퍼 부착 적층체)로부터, 디바이스 웨이퍼와 지지체의 가접착 상태를 해제하여, 양자를 분리하는 것을 의미한다. 가접착 상태의 해제는, 기계 박리에 의한 해제가 바람직하다.In this specification, "a device wafer and a supporting member are peelably adhered" in this specification means that a device wafer and a supporting member are adhered to each other, The bonding state is released to separate the two. It is preferable that release by the mechanical peeling is released.

본 명세서에 있어서, "필름"이란, 평탄한 막 형상 또는 판 형상의 것을 의미한다. "평탄"이란, 예를 들면, 후술하는 필름의 일방향을 따른 단면에 있어서, 최대 막두께와 최소 막두께의 차가, 필름의 평균 막두께의 20% 이하인 것이 바람직하고, 5% 이하인 것이 보다 바람직하다. 또는, 도포막은, 두께 편차가 발생하기 쉽고, 나아가서는 도포막은 용제를 포함하기 때문에, 건조 수축 등에 의하여 막두께가 균일하게 되기 어렵다.In the present specification, the term "film" means flat film or plate. Means that the difference between the maximum film thickness and the minimum film thickness is preferably 20% or less, more preferably 5% or less, of the average film thickness of the film in a cross section along one direction of the film . Alternatively, the coating film tends to cause a thickness variation, and further, since the coating film contains a solvent, it is difficult for the film thickness to become uniform due to drying shrinkage or the like.

필름의 용제 함유율은, 예를 들면, 20질량% 이하가 바람직하고, 5질량% 이하가 보다 바람직하며, 함유하지 않는 것이 특히 바람직하다. 필름의 용제 함유량은, 가스 크로마토그래피로 측정할 수 있다.The solvent content of the film is, for example, preferably 20 mass% or less, more preferably 5 mass% or less, and particularly preferably not contained. The solvent content of the film can be measured by gas chromatography.

필름은, 예를 들면, 후술하는 용융 제막법, 용액 제막법 등의 방법으로 제조할 수 있다.The film can be produced by, for example, a melt film-forming method, a solution film-forming method, or the like which will be described later.

이하, 본 발명의 가접착용 적층체에 대하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the adhesive layer laminate of the present invention will be described in detail.

<<접착 필름>><< Adhesive film >>

본 발명의 가접착용 적층체에 있어서, 접착 필름의 평균 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 0.1~500μm가 바람직하고, 0.1~200μm가 보다 바람직하며, 10~200μm가 더 바람직하고, 50~200μm가 특히 바람직하다. 접착 필름의 평균 두께가 상기 범위이면, 평탄성이 양호하다. 또한, 도포막의 경우, 두께가 커짐에 따라(예를 들면, 10μm 이상), 평탄성이 저하되는 경향이 있었지만, 필름이라면, 두께가 커도 평탄성이 우수하다.In the adhesive laminate of the present invention, the average thickness of the adhesive film is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 500 m, more preferably 0.1 to 200 m, further preferably 10 to 200 m , And particularly preferably from 50 to 200 mu m. When the average thickness of the adhesive film is within the above range, flatness is good. Further, in the case of the coated film, the flatness tends to decrease as the thickness increases (for example, 10 탆 or more), but the flatness is excellent even if the thickness is large.

본 발명에 있어서, 접착 필름의 평균 두께는, 접착 필름의 일방향을 따른 단면에 있어서, 한쪽의 단부면으로부터 다른 한쪽의 단부면을 향하여, 등간격으로 5개소의 장소에 있어서의 두께를, 엘립소메트리에 의하여 측정한 값의 평균값으로 정의한다.In the present invention, the average thickness of the adhesive film is set such that the thickness of the adhesive film in a section along one direction from the one end face to the other end face and at five places at equal intervals, It is defined as the average of the values measured by the tree.

또한, 본 발명에 있어서, "접착 필름의 일방향을 따른 단면"이란, 접착 필름이 직사각형상인 경우는, 장변 방향에 직교하는 단면으로 한다. 또, 접착 필름이 정방형상인 경우는, 어느 한쪽의 변에 직교하는 단면으로 한다. 또, 접착 필름이 원형 또는 타원형인 경우는, 무게중심을 통과하는 단면으로 한다.In the present invention, "a cross section along one direction of the adhesive film" is a cross section perpendicular to the long side direction when the adhesive film is rectangular. When the adhesive film is in the form of a square, the cross section is orthogonal to either one of the sides. When the adhesive film is circular or elliptical, it is a cross section passing through the center of gravity.

본 발명의 접착 필름은, 접착 필름의 일방향을 따른 단면에 있어서, 최대 막두께와 최소 막두께의 차가, 평균 막두께의 20% 이하인 것이 바람직하고, 5% 이하인 것이 보다 바람직하다.In the adhesive film of the present invention, the difference between the maximum film thickness and the minimum film thickness in a cross section along one direction of the adhesive film is preferably 20% or less of the average film thickness, and more preferably 5% or less.

본 발명의 가접착용 적층체에 있어서, 접착 필름은, 열가소성 필름이어도 되고, 열경화성 필름이어도 된다. 바람직하게는, 열가소성 필름이다. 열가소성 필름인 것에 의하여, 우수한 접착성이 얻어진다. 또, 디바이스 웨이퍼의 표면에 요철을 갖고 있어도, 요철 형상에 대한 추종성이 양호하다.In the adhesive laminate of the present invention, the adhesive film may be a thermoplastic film or a thermosetting film. Preferably, it is a thermoplastic film. By being a thermoplastic film, excellent adhesiveness can be obtained. In addition, even if the surface of the device wafer has irregularities, the conformability to the irregularities is good.

또한, 본 발명에 있어서, 열가소성 필름은, 예를 들면, 유리 전이 온도가 -50~300℃이며, 150~300℃에 있어서의 저장 탄성률이, 101~109Pa인 것이 바람직하고, 102~108Pa인 것이 보다 바람직하며, 103~107Pa인 것이 가장 바람직하다. 저장 탄성률은, 일정 승온 조건하에서 점탄성 측정 장치를 이용하여 측정한 값이다. 동적 점탄성 장치로서는, 예를 들면, Rheogel-E4000(유비엠사제)를 이용할 수 있다.In the present invention, the thermoplastic film of, for example, a glass transition temperature of -50 ~ 300 ℃, the storage elastic modulus at 150 ~ 300 ℃, preferably from 10 1 ~ 10 9 Pa preferably, 10 2 to 10 and more preferably of 8 Pa it is, 10 3 to 10 7 Pa, it is the most preferred. The storage elastic modulus is a value measured using a viscoelasticity measuring device under a constant temperature elevation condition. As the dynamic viscoelastic device, for example, Rheogel-E4000 (manufactured by UBM) can be used.

<<<폴리머 성분>>><<< Polymer Component >>>

본 발명의 가접착용 적층체에 있어서, 접착 필름은, 폴리스타이렌계 엘라스토머, 폴리에스터계 엘라스토머, 폴리올레핀계 엘라스토머, 폴리유레테인계 엘라스토머, 폴리아마이드계 엘라스토머, 폴리아크릴계 엘라스토머, 실리콘계 엘라스토머, 폴리이미드계 엘라스토머, 폴리에터에터케톤, 폴리페닐렌설파이드, 폴리페닐렌에터 및 폴리에터설폰으로부터 선택되는 1종 이상의 폴리머 성분을 포함한다. 폴리머 성분은, 폴리스타이렌계 엘라스토머, 폴리에스터계 엘라스토머, 폴리올레핀계 엘라스토머, 폴리유레테인계 엘라스토머, 폴리아마이드계 엘라스토머, 폴리아크릴계 엘라스토머, 실리콘계 엘라스토머 및 폴리이미드계 엘라스토머로부터 선택되는 1종 이상의 엘라스토머가 바람직하고, 폴리스타이렌계 엘라스토머가 특히 바람직하다. 또, 엘라스토머는, 수소 첨가물인 것이 바람직하다. 특히, 폴리스타이렌계 엘라스토머의 수소 첨가물이 바람직하다.In the adhesive laminate of the present invention, the adhesive film may be formed of a material selected from the group consisting of a polystyrene elastomer, a polyester elastomer, a polyolefin elastomer, a polyurethane elastomer, a polyamide elastomer, a polyacrylic elastomer, a silicone elastomer, a polyimide elastomer , Polyether ketone, polyphenylene sulfide, polyphenylene ether, and polyether sulfone. The polymer component is preferably at least one elastomer selected from a polystyrene elastomer, a polyester elastomer, a polyolefin elastomer, a polyurethane elastomer, a polyamide elastomer, a polyacrylic elastomer, a silicone elastomer and a polyimide elastomer, A polystyrenic elastomer is particularly preferred. The elastomer is preferably a hydrogenated product. Particularly, a hydrogenated product of a polystyrene type elastomer is preferable.

상기 폴리머 성분을 포함하는 접착 필름은, 지지체나 디바이스 웨이퍼의 미세한 요철에도 추종하여 적절한 앵커 효과에 의하여, 접착성이 우수한 접착층을 형성할 수 있다. 또, 지지체를 디바이스 웨이퍼로부터 박리할 때에, 디바이스 웨이퍼 등에 응력을 가하지 않고, 지지체를 디바이스 웨이퍼로부터 박리할 수 있어, 디바이스 등의 파손이나 박락을 방지할 수 있다. 특히 엘라스토머, 나아가서는 폴리스타이렌계 엘라스토머를 사용한 경우 상기 효과가 현저하다.The adhesive film containing the polymer component can follow the fine irregularities of the support and the device wafer, and can form an adhesive layer having excellent adhesiveness by an appropriate anchor effect. Further, when the support is peeled from the device wafer, the support can be peeled from the device wafer without applying stress to the device wafer or the like, so that breakage or peeling of the device or the like can be prevented. Particularly, when the elastomer and further the polystyrene-based elastomer are used, the above effect is remarkable.

또, 엘라스토머가 수소 첨가물이면, 열안정성이나 보존 안정성이 향상된다. 나아가서는, 박리성 및 박리 후의 가접착용 적층체의 세정 제거성이 향상된다. 폴리스타이렌계 엘라스토머의 수소 첨가물을 사용한 경우 상기 효과가 현저하다.When the elastomer is a hydrogenated product, the thermal stability and the storage stability are improved. Further, the peelability and the cleaning removability of the laminate for adhesion after peeling are improved. When the hydrogenated product of the polystyrenic elastomer is used, the above effect is remarkable.

또한, 본 명세서에 있어서, 엘라스토머란, 탄성 변형을 나타내는 고분자 화합물을 나타낸다. 즉 외력을 가했을 때에, 그 외력에 따라 순시에 변형되고, 또한 외력을 제거했을 때에는, 단시간에 원래 형상을 회복하는 성질을 갖는 고분자 화합물이라고 정의한다.In the present specification, the elastomer refers to a polymer compound exhibiting elastic deformation. That is, when an external force is applied, it is defined as a polymer compound that is instantaneously deformed according to its external force and has a property of recovering its original shape in a short time when an external force is removed.

본 발명의 엘라스토머는, 원래 크기를 100%라고 했을 때에, 실온(20℃)에 있어서 작은 외력으로 200%까지 변형시킬 수 있고, 또한 외력을 제거했을 때에, 단시간에 130% 이하로 되돌아오는 성질을 갖는 것이 바람직하다.The elastomer of the present invention can be deformed up to 200% at a room temperature (20 ° C) with a small external force when the original size is assumed to be 100%, and the property of returning to 130% or less in a short time when the external force is removed .

상기 폴리머 성분의 유리 전이 온도(이하, Tg라고도 함)는, -50~300℃가 바람직하고, 0~200℃가 보다 바람직하다. Tg가 상기 범위이면, 접착 시에 디바이스 웨이퍼 표면에 대한 추종성이 양호하고, 보이드가 없는 양호한 접착력의 가접착용 적층체를 제작할 수 있다. 또한, 폴리머 성분이 Tg를 2종류 이상 갖는 경우는, 상기 Tg의 값은, 낮은 쪽의 유리 전이 온도를 의미한다.The glass transition temperature of the polymer component (hereinafter also referred to as Tg) is preferably -50 to 300 ° C, more preferably 0 to 200 ° C. When the Tg is within the above range, it is possible to produce a laminate for adhesion having good adhesion with respect to the surface of the device wafer at the time of bonding and without voids. When the polymer component has two or more kinds of Tg, the value of Tg means a lower glass transition temperature.

상기 폴리머 성분의 융점은, -50~300℃가 바람직하고, 0~200℃가 보다 바람직하다. 융점이 상기 범위이면 접착 시에 디바이스 웨이퍼 표면에 대한 추종성이 양호하고, 보이드가 없는 양호한 접착력의 가접착용 적층체를 제작할 수 있다. 또한, 폴리머 성분이 융점을 2종류 이상 갖는 경우는, 상기 융점의 값은, 낮은 쪽의 융점을 의미한다.The melting point of the polymer component is preferably -50 to 300 占 폚, more preferably 0 to 200 占 폚. When the melting point is within the above range, it is possible to produce a laminate for adhesion which has good followability to the surface of the device wafer at the time of bonding and has good adhesion without voids. When the polymer component has two or more kinds of melting points, the melting point means a lower melting point.

상기 폴리머 성분의 중량 평균 분자량은, 2,000~200,000이 바람직하고, 10,000~200,000이 보다 바람직하며, 50,000~100,000이 가장 바람직하다. 이 범위에 있음으로써, 지지체를 디바이스 웨이퍼로부터 박리 후, 디바이스 웨이퍼 및/또는 지지체에 잔존하는 가접착용 적층체를 제거할 때에도, 용제에 대한 용해성이 우수하기 때문에, 디바이스 웨이퍼나 지지체에 잔사가 남지 않는 등 이점이 있다.The weight average molecular weight of the polymer component is preferably 2,000 to 200,000, more preferably 10,000 to 200,000, and most preferably 50,000 to 100,000. In this range, even when the support is peeled from the device wafer and the adhesive layer laminate remaining on the device wafer and / or the support is removed, the solubility in the solvent is excellent, so that the residue remains on the device wafer or the support There is an advantage such as not.

상기 폴리머 성분은, 25℃로부터, 20℃/분으로 승온한 5% 열질량 감소 온도가, 250℃ 이상인 것이 바람직하고, 300℃ 이상인 것이 보다 바람직하며, 350℃ 이상인 것이 더 바람직하고, 400℃ 이상인 것이 가장 바람직하다. 또, 상한값은 특별히 한정은 없지만, 예를 들면 1000℃ 이하가 바람직하고, 800℃ 이하가 보다 바람직하다. 이 양태에 의하면, 내열성이 우수한 가접착용 적층체를 형성하기 쉽다. 특히, 250℃ 이상의 환경에서 사용 가능한 가접착용 적층체를 형성하기 쉽다. 또한, 질량 감소 온도란, 열중량 측정 장치(TGA)에 의하여, 질소 기류하에 있어서, 상기 승온 조건에서 측정한 값이다.The polymer component preferably has a 5% thermal mass reduction temperature from 25 캜 to 20 캜 / min of 250 캜 or higher, more preferably 300 캜 or higher, still more preferably 350 캜 or higher, Is most preferable. The upper limit value is not particularly limited, but is preferably 1000 占 폚 or lower, for example, and more preferably 800 占 폚 or lower. According to this embodiment, it is easy to form a laminate for adhesion with excellent heat resistance. Particularly, it is easy to form a laminate for adhesion which can be used in an environment of 250 DEG C or more. The mass reduction temperature is a value measured under the temperature elevation condition under a nitrogen stream by a thermogravimetric analyzer (TGA).

<<<<폴리스타이렌계 엘라스토머>>>><<<< Polystyrene based elastomer >>>>

폴리스타이렌계 엘라스토머로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 스타이렌-뷰타다이엔-스타이렌 블록 공중합체(SBS), 스타이렌-아이소프렌-스타이렌 블록 공중합체(SIS), 스타이렌-에틸렌-뷰틸렌-스타이렌 블록 공중합체(SEBS), 스타이렌-뷰타다이엔-뷰틸렌-스타이렌 공중합체(SBBS) 및 이들의 수소 첨가물, 스타이렌-에틸렌-뷰틸렌스타이렌 블록 코폴리머(SEBS), 스타이렌-에틸렌-프로필렌-스타이렌 블록 공중합체(SEPS), 스타이렌-에틸렌-에틸렌-프로필렌-스타이렌 블록 공중합체 등을 들 수 있다.The polystyrene-based elastomer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose. For example, styrene-butadiene-styrene block copolymer (SBS), styrene-isoprene-styrene block copolymer (SIS), styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer ), Styrene-butadiene-butylene-styrene copolymers (SBBS) and their hydrogenated products, styrene-ethylene-butylene styrene block copolymer (SEBS), styrene-ethylene-propylene-styrene Block copolymer (SEPS), styrene-ethylene-ethylene-propylene-styrene block copolymer, and the like.

폴리스타이렌계 엘라스토머에 있어서의, 스타이렌 유래의 반복 단위의 함유량은 10~90질량%가 바람직하다. 이(易)박리성의 관점에서, 하한값은, 25질량% 이상이 바람직하고, 51질량% 이상이 보다 바람직하다.The content of the styrene-derived repeating unit in the polystyrene-based elastomer is preferably from 10 to 90% by mass. From the viewpoint of easy releasability, the lower limit value is preferably 25 mass% or more, more preferably 51 mass% or more.

폴리스타이렌계 엘라스토머는, 스타이렌과 다른 수지의 블록 공중합체인 것이 바람직하고, 편 말단 또는 양 말단이 스타이렌의 블록 중합체인 것이 보다 바람직하며, 양 말단이 스타이렌의 블록 중합체인 것이 특히 바람직하다. 폴리스타이렌계 엘라스토머의 양단을, 스타이렌의 블록 중합체(스타이렌 유래의 반복 단위)로 하면, 열안정성이 보다 향상되는 경향이 있다. 이는, 내열성이 높은 스타이렌 유래의 반복 단위가 말단에 존재하게 되기 때문이다. 특히, 스타이렌 유래의 반복 단위의 블록 부위가 반응성의 폴리스타이렌계 하드 블록인 것에 의하여, 내열성, 내약품성이 보다 우수한 경향이 있어 바람직하다. 또, 이들을 블록 공중합체로 하면, 200℃ 이상에 있어서 하드 블록과 소프트 블록에서의 상분리를 행한다고 생각된다. 그 상분리의 형상은 디바이스 웨이퍼의 기판 표면의 요철의 발생의 억제에 기여한다고 생각된다. 또한, 이와 같은 수지는, 용제에 대한 용해성 및 레지스트 용제에 대한 내성의 관점에서도 보다 바람직하다.The polystyrene-based elastomer is preferably a block copolymer of styrene and another resin. More preferably, the polystyrene-based elastomer is a block polymer of styrene at one terminal or both terminals, and particularly preferably a block polymer of styrene at both terminals. When the both ends of the polystyrene-based elastomer are styrene block polymers (repeating units derived from styrene), the thermal stability tends to be further improved. This is because the repeating unit derived from styrene having high heat resistance is present at the terminal. Particularly, since the block portion of the repeating unit derived from styrene is a reactive polystyrene-based hard block, it is preferable because heat resistance and chemical resistance tend to be better. When these are used as a block copolymer, it is considered that phase separation is performed between the hard block and the soft block at 200 캜 or higher. It is believed that the shape of the phase separation contributes to suppressing the generation of irregularities on the substrate surface of the device wafer. Such a resin is more preferable from the viewpoint of solubility in a solvent and resistance to a resist solvent.

또, 폴리스타이렌계 엘라스토머는 수소 첨가물이면, 열에 대한 안정성이 향상되어, 분해나 중합 등의 변질이 일어나기 어렵다. 또한, 용제에 대한 용해성 및 레지스트 용제에 대한 내성의 관점에서도 보다 바람직하다.In addition, if the polystyrene-based elastomer is a hydrogenated product, stability against heat is improved, and deterioration such as decomposition or polymerization is hardly caused. In view of solubility in a solvent and resistance to a resist solvent, it is more preferable.

또한, 본 명세서에 있어서 "스타이렌 유래의 반복 단위"란, 스타이렌 또는 스타이렌 유도체를 중합했을 때에 중합체에 포함되는 스타이렌 유래의 구성 단위이며, 치환기를 갖고 있어도 된다. 스타이렌 유도체로서는, 예를 들면, α-메틸스타이렌, 3-메틸스타이렌, 4-프로필스타이렌, 4-사이클로헥실스타이렌 등을 들 수 있다. 치환기로서는, 예를 들면, 탄소수 1~5의 알킬기, 탄소수 1~5의 알콕시기, 탄소수 1~5의 알콕시알킬기, 아세톡시기, 카복실기 등을 들 수 있다.In the present specification, the "repeating unit derived from styrene" is a structural unit derived from styrene contained in the polymer when the styrene or styrene derivative is polymerized, and may have a substituent. Examples of the styrene derivative include? -Methylstyrene, 3-methylstyrene, 4-propylstyrene and 4-cyclohexylstyrene. Examples of the substituent include an alkyl group of 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group of 1 to 5 carbon atoms, an alkoxyalkyl group of 1 to 5 carbon atoms, an acetoxy group, and a carboxyl group.

엘라스토머는, 25℃로부터, 20℃/분으로 승온한 5% 열질량 감소 온도가, 250℃ 이상인 것이 바람직하고, 300℃ 이상인 것이 보다 바람직하며, 350℃ 이상인 것이 더 바람직하고, 400℃ 이상인 것이 가장 바람직하다. 또, 상한값은 특별히 한정은 없지만, 예를 들면 1000℃ 이하가 바람직하고, 800℃ 이하가 보다 바람직하다. 이 양태에 의하면, 내열성이 우수한 가접착용 적층체를 형성하기 쉽다.The elastomer preferably has a 5% thermal mass reduction temperature from 25 占 폚 to 20 占 폚 / min of 250 占 폚 or higher, more preferably 300 占 폚 or higher, still more preferably 350 占 폚 or higher, desirable. The upper limit value is not particularly limited, but is preferably 1000 占 폚 or lower, for example, and more preferably 800 占 폚 or lower. According to this embodiment, it is easy to form a laminate for adhesion with excellent heat resistance.

폴리스타이렌계 엘라스토머의 시판품으로서는, 예를 들면, 터프프렌 A, 터프프렌 125, 터프프렌 126S, 솔프렌 T, 아사프렌 T-411, 아사프렌 T-432, 아사프렌 T-437, 아사프렌 T-438, 아사프렌 T-439, 터프텍 H1272, 터프텍 P1500, 터프텍 H1052, 터프텍 H1062, 터프텍 M1943, 터프텍 M1911, 터프텍 H1041, 터프텍 MP10, 터프텍 M1913, 터프텍 H1051, 터프텍 H1053, 터프텍 P2000, 터프텍 H1043(이상, 아사히 가세이(주)제), 엘라스토머 AR-850C, 엘라스토머 AR-815C, 엘라스토머 AR-840C, 엘라스토머 AR-830C, 엘라스토머 AR-860C, 엘라스토머 AR-875C, 엘라스토머 AR-885C, 엘라스토머 AR-SC-15, 엘라스토머 AR-SC-0, 엘라스토머 AR-SC-5, 엘라스토머 AR-710, 엘라스토머 AR-SC-65, 엘라스토머 AR-SC-30, 엘라스토머 AR-SC-75, 엘라스토머 AR-SC-45, 엘라스토머 AR-720, 엘라스토머 AR-741, 엘라스토머 AR-731, 엘라스토머 AR-750, 엘라스토머 AR-760, 엘라스토머 AR-770, 엘라스토머 AR-781, 엘라스토머 AR-791, 엘라스토머 AR-FL-75N, 엘라스토머 AR-FL-85N, 엘라스토머 AR-FL-60N, 엘라스토머 AR-1050, 엘라스토머 AR-1060, 엘라스토머 AR-1040(아론 가세이제), 크레이튼 D1111, 크레이튼 D1113, 크레이튼 D1114, 크레이튼 D1117, 크레이튼 D1119, 크레이튼 D1124, 크레이튼 D1126, 크레이튼 D1161, 크레이튼 D1162, 크레이튼 D1163, 크레이튼 D1164, 크레이튼 D1165, 크레이튼 D1183, 크레이튼 D1193, 크레이튼 DX406, 크레이튼 D4141, 크레이튼 D4150, 크레이튼 D4153, 크레이튼 D4158, 크레이튼 D4270, 크레이튼 D4271, 크레이튼 D4433, 크레이튼 D1170, 크레이튼 D1171, 크레이튼 D1173, 카리플렉스 IR0307, 카리플렉스 IR0310, 카리플렉스 IR0401, 크레이튼 D0242, 크레이튼 D1101, 크레이튼 D1102, 크레이튼 D1116, 크레이튼 D1118, 크레이튼 D1133, 크레이튼 D1152, 크레이튼 D1153, 크레이튼 D1155, 크레이튼 D1184, 크레이튼 D1186, 크레이튼 D1189, 크레이튼 D1191, 크레이튼 D1192, 크레이튼 DX405, 크레이튼 DX408, 크레이튼 DX410, 크레이튼 DX414, 크레이튼 DX415, 크레이튼 A1535, 크레이튼 A1536, 크레이튼 FG1901, 크레이튼 FG1924, 크레이튼 G1640, 크레이튼 G1641, 크레이튼 G1642, 크레이튼 G1643, 크레이튼 G1645, 크레이튼 G1633, 크레이튼 G1650, 크레이튼 G1651, 크레이튼 G1652, 크레이튼 G1654, 크레이튼 G1657, 크레이튼 G1660, 크레이튼 G1726, 크레이튼 G1701, 크레이튼 G1702, 크레이튼 G1730, 크레이튼 G1750, 크레이튼 G1765, 크레이튼 G4609, 크레이튼 G4610(Kraton제), TR2000, TR2001, TR2003, TR2250, TR2500, TR2601, TR2630, TR2787, TR2827, TR1086, TR1600, SIS5002, SIS5200, SIS5250, SIS5405, SIS5505, 다이나론 6100P, 다이나론 4600P, 다이나론 6200P, 다이나론 4630P, 다이나론 8601P, 다이나론 8630P, 다이나론 8600P, 다이나론 8903P, 다이나론 6201B, 다이나론 1321P, 다이나론 1320P, 다이나론 2324P, 다이나론 9901P(JSR(주)제), 덴카 STR 시리즈(덴키 가가쿠 고교(주)제), 퀸택 3520, 퀸택 3433N, 퀸택 3421, 퀸택 3620, 퀸택 3450, 퀸택 3460(닛폰 제온제), TPE-SB 시리즈(스미토모 가가쿠(주)제), 라발론 시리즈(미쓰비시 가가쿠(주)제), 셉톤 1001, 셉톤, 8004, 셉톤 4033, 셉톤 2104, 셉톤 8007, 셉톤 2007, 셉톤 2004, 셉톤 2063, 셉톤 HG252, 셉톤 8076, 셉톤 2002, 셉톤 1020, 셉톤 8104, 셉톤 2005, 셉톤 2006, 셉톤 4055, 셉톤 4044, 셉톤 4077, 셉톤 4099, 셉톤 8006, 셉톤 V9461, 하이브라 7311, 하이브라 7125, 하이브라 5127, 하이브라 5125(이상, 구라레제), 스미플렉스(스미토모 베이클라이트(주)제), 레오스토머, 액티머(이상, 리켄 바이닐 고교제) 등을 들 수 있다.Examples of commercially available polystyrene elastomers include toughprene A, toughprene 125, toughprene 126S, solfrene T, asaprene T-411, asaprene T-432, asaprene T-437, , Asafrene T-439, Tuftec H1272, Tuftec P1500, Tuftec H1052, Tuftec H1062, Tuftec M1943, Tuftec M1911, Tuftec H1041, Tuftec MP10, Tuftec M1913, Tuftec H1051, Tuftec H1053 (Manufactured by Asahi Kasei Corporation), Elastomer AR-850C, Elastomer AR-815C, Elastomer AR-840C, Elastomer AR-830C, Elastomer AR-860C, Elastomer AR-875C, Elastomer Elastomer AR-SC-0, elastomer AR-SC-5, elastomer AR-710, elastomer AR-SC-65, elastomer AR-SC-30, elastomer AR- , Elastomer AR-SC-45, elastomer AR-720, elastomer AR-741, elastomer AR-731, elastomer AR- FL-85N, elastomer AR-FL-60N, elastomer AR-1050, elastomer AR-1060, elastomer AR-1040, elastomer AR-760, elastomer AR- (Aaron Gassée now), Kraton D1111, Kraton D1113, Kraton D1114, Kraton D1117, Kraton D1119, Kraton D1124, Kraton D1126, Kraton D1161, Kraton D1162, Kraton D1163, Kraton D1164, Kraton D1165, Kraton D1183, Kraton D1193, Kraton DX406, Kraton D4141, Kraton D4150, Kraton D4153, Kraton D4158, Kraton D4270, Kraton D4271, Kraton D4433, Kraton D1170, Kraton Kleiton D1171, Kraton D1173, Kraton D1133, Kraton D1152, Kraton D1153, Kraton D1124, Kraton D1173, Creighton D1155 , Kraton D1184, Kraton D1186, Kraton D1189, Kraton D1191, Kraton D1192, Kraton DX405, Kraton DX408, Kraton DX410, Kraton DX414, Kraton DX415, Kraton A1535, Kraton A1536, Kr Leyton FG1901, Kraton FG1924, Kraton G1640, Kraton G1641, Kraton G1642, Kraton G1643, Kraton G1645, Kraton G1633, Kraton G1650, Kraton G1651, Kraton G1652, Kraton G1654, Kraton G1657 , Kraton G1660, Kraton G1726, Kraton G1701, Kraton G1702, Kraton G1730, Kraton G1750, Kraton G1765, Kraton G4609, Kraton G4610 (manufactured by Kraton), TR2000, TR2001, TR2003, TR2250, TR2500 , TR2601, TR2630, TR2787, TR2827, TR1086, TR1600, SIS5002, SIS5200, SIS5250, SIS5405, SIS5505, DYNARON 6100P, DYNARON 4600P, DYNARON 6200P, DYNARON 4630P, DYNARON 8601P, DYNARON 8630P, DYNARON 8600P , Dynalon 8903P, Dynalon (DENARON 1321P, DYNARON 1320P, DYNARON 2324P, DYNARON 9901P (manufactured by JSR Corporation), Denka STR series (Manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.), Quartz 3450, Quintax 3460 (manufactured by Nippon Zeon), TPE-SB series (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.), Lavalon series (manufactured by Mitsubishi Kagaku KK), Septon 1001, Septon, 8004, The following examples are provided to illustrate the invention and are not to be construed as limiting the scope of the present invention as defined by the appended claims. The invention is not limited to the following examples, but are not to be construed as limiting the scope of the present invention, as defined in the claims: 2104, Septon 8007, Septon 2007, Septon 2004, Septon 2063, Septon HG 252, Septon 8076, Septon 2002, Septon 1020, Septon 8104, Septon 2005, Septon 2006, Septon 4055, Septon 4044, Septon 4077, (Manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.), rheostomer (available from Riken Vinyl High Strength Co., Ltd.), stearic acid (manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) And the like.

<<<<폴리에스터계 엘라스토머>>>><<<< Polyester elastomer >>>>

폴리에스터계 엘라스토머로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 다이카복실산 또는 그 유도체와, 다이올 화합물 또는 그 유도체를 중축합하여 얻어지는 것을 들 수 있다.The polyester-based elastomer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose. For example, those obtained by polycondensation of a dicarboxylic acid or a derivative thereof with a diol compound or a derivative thereof.

다이카복실산으로서는, 예를 들면, 테레프탈산, 아이소프탈산, 나프탈렌다이카복실산 등의 방향족 다이카복실산 및 이들의 방향핵의 수소 원자가 메틸기, 에틸기, 페닐기 등으로 치환된 방향족 다이카복실산, 아디프산, 세바스산, 도데케인다이카복실산 등의 탄소수 2~20의 지방족 다이카복실산, 및 사이클로헥세인다이카복실산 등의 지환식 다이카복실산 등을 들 수 있다. 이들은, 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 병용해도 된다.Examples of the dicarboxylic acid include aromatic dicarboxylic acids such as terephthalic acid, isophthalic acid and naphthalene dicarboxylic acid and aromatic dicarboxylic acids in which the hydrogen atoms of the aromatic nuclei are substituted with methyl, ethyl, phenyl and the like, adipic acid, Alicyclic dicarboxylic acids having 2 to 20 carbon atoms such as dicarboxylic acid, and cycloaliphatic dicarboxylic acids such as cyclohexane dicarboxylic acid. These may be used alone or in combination of two or more.

다이올 화합물로서는, 예를 들면, 에틸렌글라이콜, 1,3-프로페인다이올, 1,4-뷰테인다이올, 1,6-헥세인다이올, 1,10-데케인다이올, 1,4-사이클로헥세인다이올 등의 지방족 다이올, 지환식 다이올, 하기 구조식으로 나타나는 2가의 페놀 등을 들 수 있다.Examples of the diol compounds include ethylene glycol, 1,3-propanediol, 1,4-butanediol, 1,6-hexanediol, 1,10-decanediol, Aliphatic diols such as 1,4-cyclohexanediol, alicyclic diols, and divalent phenols represented by the following structural formulas.

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

상기 식 중, YDO는, 탄소 원자수 1~10의 알킬렌기, 탄소 원자수 4~8의 사이클로알킬렌기, -O-, -S-, 및 -SO2- 중 어느 하나를 나타내거나, 벤젠환끼리의 직접 결합(단결합)을 나타낸다. RDO1 및 RDO2는 각각 독립적으로, 할로젠 원자 또는 탄소 원자수 1~12의 알킬기를 나타낸다. pdo1 및 pdo2는 각각 독립적으로, 0~4의 정수를 나타내고, ndo1은, 0 또는 1을 나타낸다. Wherein Y DO represents any one of an alkylene group of 1 to 10 carbon atoms, a cycloalkylene group of 4 to 8 carbon atoms, -O-, -S-, and -SO 2 - Represents a direct bond (single bond) between rings. R DO1 and R DO2 each independently represent a halogen atom or an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. p do1 and p do2 each independently represent an integer of 0 to 4, and n do1 represents 0 or 1;

폴리에스터계 엘라스토머의 구체예로서는, 비스페놀 A, 비스-(4-하이드록시페닐)메테인, 비스-(4-하이드록시-3-메틸페닐)프로페인, 레조신 등을 들 수 있다. 이들은, 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 병용하여 이용해도 된다.Specific examples of the polyester elastomer include bisphenol A, bis- (4-hydroxyphenyl) methane, bis- (4-hydroxy-3-methylphenyl) propane and resorcin. These may be used alone or in combination of two or more.

또, 폴리에스터계 엘라스토머로서, 방향족 폴리에스터(예를 들면, 폴리뷰틸렌테레프탈레이트) 부분을 하드 세그먼트 성분으로, 지방족 폴리에스터(예를 들면, 폴리테트라메틸렌글라이콜) 부분을 소프트 세그먼트 성분으로 한 멀티 블록 공중합체를 이용할 수도 있다. 멀티 블록 공중합체로서는, 하드 세그먼트와 소프트 세그먼트의 종류, 비율, 및 분자량의 차이에 따라 다양한 그레이드의 것을 들 수 있다. 구체예로서는, 하이트렐(도레이 듀폰(주)제), 펠프렌(도요 보세키(주)제), 프리말로이(미쓰비시 가가쿠제), 누베란(데이진 가세이제), 에스펠 1612, 1620(히타치 가세이 고교(주)제), 프리말로이 CP300(미쓰비시 가가쿠사제) 등을 들 수 있다.As the polyester elastomer, an aromatic polyester (e.g., polybutylene terephthalate) portion as a hard segment component and an aliphatic polyester (e.g., a polytetramethylene glycol) portion as a soft segment component One multi-block copolymer may be used. As the multi-block copolymer, various grades may be cited depending on the kind, ratio, and molecular weight of the hard segment and the soft segment. Specific examples thereof include Hytrel (manufactured by Toray DuPont), Pelprene (manufactured by Toyobo Co., Ltd.), Primaloy (manufactured by Mitsubishi Kagaku), Nuberan (manufactured by Deijin Gosei), Espel 1612 and 1620 Kasei Kogyo Co., Ltd.), and Primaloy CP300 (manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd.).

<<<<폴리올레핀계 엘라스토머>>>><<<< Polyolefinic Elastomer >>>>

폴리올레핀계 엘라스토머로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 에틸렌, 프로필렌, 1-뷰텐, 1-헥센, 4-메틸-펜텐 등의 탄소수 2~20의 α-올레핀의 공중합체 등을 들 수 있다. 예를 들면, 에틸렌-프로필렌 공중합체(EPR), 에틸렌-프로필렌-다이엔 공중합체(EPDM) 등을 들 수 있다. 또, 다이사이클로펜타다이엔, 1,4-헥사다이엔, 사이클로옥타다이엔, 메틸렌노보넨, 에틸리덴노보넨, 뷰타다이엔, 아이소프렌 등의 탄소수 2~20의 비공액 다이엔과 α-올레핀 공중합체 등을 들 수 있다. 또, 뷰타다이엔-아크릴로나이트릴 공중합체에 메타크릴산을 공중합한 카복시 변성 나이트릴 고무를 들 수 있다. 구체적으로는, 에틸렌·α-올레핀 공중합체 고무, 에틸렌·α-올레핀·비공액 다이엔 공중합체 고무, 프로필렌·α-올레핀 공중합체 고무, 뷰텐·α-올레핀 공중합체 고무 등을 들 수 있다.The polyolefin elastomer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose. Examples of the copolymer include copolymers of C2-C20? -Olefins such as ethylene, propylene, 1-butene, 1-hexene and 4-methyl-pentene. Examples thereof include ethylene-propylene copolymer (EPR), ethylene-propylene-diene copolymer (EPDM) and the like. The non-conjugated dienes having 2 to 20 carbon atoms such as dicyclopentadiene, 1,4-hexadiene, cyclooctadiene, methylene norbornene, ethylidene norbornene, butadiene, and isoprene, Olefin copolymers, and the like. Further, carboxy modified nitrile rubber obtained by copolymerizing methacrylic acid with a butadiene-acrylonitrile copolymer may be mentioned. Specific examples include ethylene /? - olefin copolymer rubber, ethylene /? - olefin / non-conjugated diene copolymer rubber, propylene /? - olefin copolymer rubber, and butene /? - olefin copolymer rubber.

시판품으로서, 밀라스토머(미쓰이 가가쿠(주)제), 써모런(미쓰비시 가가쿠제), EXACT(엑슨 가가쿠제), ENGAGE(다우 케미컬제), 에스폴렉스(스미토모 가가쿠제), Sarlink(도요보제), 뉴콘(니혼 폴리프로제), EXCELINK(JSR제) 등을 들 수 있다.(Manufactured by Mitsui Chemicals Co., Ltd.), Thermolun (Mitsubishi Kagaku Co., Ltd.), EXACT (Exxogaku Co., Ltd.), ENGAGE (manufactured by DOW CHEMICAL Co., Ltd.), S-pollex (Sumitomo Chemical Co., (New Jersey), EXCELINK (manufactured by JSR), and the like.

<<<<폴리유레테인계 엘라스토머>>>><<<< Polyurethane-based elastomer >>>>

폴리유레테인계 엘라스토머로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 저분자의 글라이콜 및 다이아이소사이아네이트로 이루어지는 하드 세그먼트와, 고분자(장쇄) 다이올 및 다이아이소사이아네이트로 이루어지는 소프트 세그먼트의 구조 단위를 포함하는 엘라스토머 등을 들 수 있다.The polyurethane-based elastomer is not particularly limited and may be appropriately selected according to the purpose. For example, an elastomer containing a structural unit of a soft segment composed of a polymer (long chain) diol and diisocyanate, and a hard segment composed of low molecular weight glycol and diisocyanate can be given.

고분자(장쇄) 다이올로서는, 폴리프로필렌글라이콜, 폴리테트라메틸렌옥사이드, 폴리(1,4-뷰틸렌아디페이트), 폴리(에틸렌·1,4-뷰틸렌아디페이트), 폴리카프로락톤, 폴리(1,6-헥실렌카보네이트), 폴리(1,6-헥실렌·네오펜틸렌아디페이트) 등을 들 수 있다. 고분자(장쇄) 다이올의 수평균 분자량은, 500~10,000이 바람직하다.Examples of the polymer (long chain) diol include polypropylene glycol, polytetramethylene oxide, poly (1,4-butylene adipate), poly (ethylene 1,4-butylene adipate), polycaprolactone, poly (1,6-hexylene carbonate), and poly (1,6-hexylene-neopentylene adipate). The number average molecular weight of the polymer (long chain) diol is preferably from 500 to 10,000.

저분자의 글라이콜로서는, 에틸렌글라이콜, 프로필렌글라이콜, 1,4-뷰테인다이올, 비스페놀 A 등의 단쇄 다이올을 이용할 수 있다. 단쇄 다이올의 수평균 분자량은, 48~500이 바람직하다.As a low molecular weight glycol, short chain diols such as ethylene glycol, propylene glycol, 1,4-butanediol, and bisphenol A can be used. The number-average molecular weight of the short-chain diol is preferably 48 to 500.

폴리유레테인계 엘라스토머의 시판품으로서는, PANDEX T-2185, T-2983N(DIC(주)제), 미락트란(닛폰 미락트란제), 엘라스톨란(BASF제), 레자민(다이니치 세이카 고교제), 펠레탄(다우·케미컬제), 아이언 러버(NOK사제), 모빌론(닛신보 케미컬제) 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products of the polyurethane-based elastomer include PANDEX T-2185, T-2983N (manufactured by DIC Corporation), miractran (manufactured by Nippon Miraclast), ELASTOLAN (manufactured by BASF) , Pelletan (manufactured by Dow Chemical), Iron Rubber (manufactured by NOK), Mobil Ron (manufactured by Nisshinbo Chemical), and the like.

<<<<폴리아마이드계 엘라스토머>>>><<<< Polyamide elastomer >>>>

폴리아마이드계 엘라스토머로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 폴리아마이드-6, 11, 12 등의 폴리아마이드를 하드 세그먼트에 이용하고, 폴리옥시에틸렌, 폴리옥시프로필렌, 폴리테트라메틸렌글라이콜 등의 폴리에터 및/또는 폴리에스터를 소프트 세그먼트에 이용한 엘라스토머 등을 들 수 있다. 이 엘라스토머는, 폴리에터 블록 아마이드형, 폴리에터에스터 블록 아마이드형의 2종류로 크게 구별된다.The polyamide-based elastomer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose. For example, a polyamide such as polyamide-6, 11, 12 or the like may be used for a hard segment and a polyether and / or polyester such as polyoxyethylene, polyoxypropylene, and polytetramethylene glycol may be used as a soft segment And the like. This elastomer is roughly classified into two types, a polyether block amide type and a polyetherester block amide type.

시판품으로서, UBE 폴리아마이드 엘라스토머, UBESTA XPA(우베 고산(주)제), 다이아마이드(다이셀 휼스(주)제), PEBAX(도레이(주)제), 그릴론 ELY(엠스 재팬(주)제), 노바미드(미쓰비시 가가쿠(주)제), 그릴럭스(DIC(주)제), 폴리에터에스터아마이드 PA-200, PA-201, TPAE-12, TPAE-32, 폴리에스터아마이드 TPAE-617, TPAE-617C((주)T&K TOKA제) 등을 들 수 있다.As a commercial product, UBE polyamide elastomer, UBESTA XPA (manufactured by Ube Gosan Co., Ltd.), diamide (manufactured by Daicel Hulls), PEBAX (manufactured by Toray Industries, Inc.), Grilon ELY PAA-200, PA-201, TPAE-12, TPAE-32, polyester amide TPAE-32, 617, and TPAE-617C (manufactured by T & K TOKA Co., Ltd.).

<<<<폴리이미드계 엘라스토머>>>><<<< Polyimide elastomer >>>>

폴리이미드계 엘라스토머로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 방향족 폴리이미드 등의 엔지니어링 플라스틱과, 소프트 세그먼트인 분자량이 수백~천인 폴리에터나 폴리에스터나 폴리올레핀 등의 고무 성분으로 이루어지며, 하드 세그먼트와 소프트 세그먼트가 교대로 중축합된 블록 폴리머를 바람직하게 사용할 수 있다. 시판품의 구체예로서는, 예를 들면, UBESTA XPA9040F1(우베 고산(주)제) 등을 들 수 있다.The polyimide-based elastomer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose. For example, an engineering plastic such as an aromatic polyimide and a block polymer composed of a rubber segment such as polyether, polyester or polyolefin having a soft segment of several hundreds to several hundreds of molecular weight, and alternately hard segments and soft segments are polycondensed Can be preferably used. Specific examples of commercially available products include, for example, UBESTA XPA9040F1 (manufactured by Ube Kosan Co., Ltd.) and the like.

<<<<폴리아크릴계 엘라스토머>>>><<<< Polyacrylic elastomer >>>>

폴리아크릴계 엘라스토머로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 에틸아크릴레이트, 뷰틸아크릴레이트, 메톡시에틸아크릴레이트, 에톡시에틸아크릴레이트 등의 아크릴산 에스터를 주성분으로 한 것이나, 아크릴산 에스터와, 글리시딜메타크릴레이트, 알릴글리시딜에터 등을 들 수 있다. 또한, 아크릴로나이트릴이나 에틸렌 등의 가교점 모노머를 공중합하여 이루어지는 것 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 아크릴로나이트릴-뷰틸아크릴레이트 공중합체, 아크릴로나이트릴-뷰틸아크릴레이트-에틸아크릴레이트 공중합체, 아크릴로나이트릴-뷰틸아크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트 공중합체 등을 들 수 있다.The polyacrylic elastomer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose. For example, there may be mentioned acrylic acid esters such as ethyl acrylate, butyl acrylate, methoxyethyl acrylate, ethoxyethyl acrylate and the like as the main components, acrylic esters and glycidyl methacrylate, allyl glycidyl ether And the like. And those obtained by copolymerizing acrylonitrile and crosslinking point monomers such as ethylene and the like. Specific examples include acrylonitrile-butyl acrylate copolymer, acrylonitrile-butyl acrylate-ethyl acrylate copolymer, acrylonitrile-butyl acrylate-glycidyl methacrylate copolymer, and the like. .

<<<<실리콘계 엘라스토머>>>><<<< Silicone Elastomer >>>>

실리콘계 엘라스토머로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 오가노폴리실록세인을 주성분으로 한 것으로, 폴리다이메틸실록세인계, 폴리메틸페닐실록세인계, 폴리다이페닐실록세인 등을 들 수 있다. 시판품의 구체예로서는, KE 시리즈(신에쓰 가가쿠 고교(주)제), SE 시리즈, CY 시리즈, SH 시리즈(이상, 도레이 다우코닝 실리콘(주)제) 등을 들 수 있다.The silicone-based elastomer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose. Examples thereof include polydimethylsiloxane-based, polymethylphenylsiloxane-based, and polydiphenylsiloxane, which are mainly composed of organopolysiloxane. Specific examples of commercially available products include KE series (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), SE series, CY series, and SH series (manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.).

<<<<그 외 엘라스토머>>>><<<< Other elastomers >>>>

본 발명에서는, 엘라스토머로서, 고무 변성한 에폭시 수지(에폭시계 엘라스토머)를 이용할 수 있다. 에폭시계 엘라스토머는, 예를 들면, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 살리실알데하이드형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지 혹은 크레졸 노볼락형 에폭시 수지의 일부 또는 전부의 에폭시기를, 양 말단 카복실산 변성형 뷰타다이엔-아크릴로나이트릴 고무, 말단 아미노 변성 실리콘 고무 등에 의하여 변성함으로써 얻어진다.In the present invention, a rubber-modified epoxy resin (epoxy-based elastomer) can be used as the elastomer. The epoxy-based elastomer can be obtained by copolymerizing a part or all of the epoxy groups of a bisphenol F type epoxy resin, a bisphenol A type epoxy resin, a salicylaldehyde type epoxy resin, a phenol novolak type epoxy resin or a cresol novolak type epoxy resin, Terminal carboxylic acid-modified butadiene-acrylonitrile rubber, and terminal amino-modified silicone rubber.

<<<<폴리에터에터케톤>>>><<<< Polyetherketone >>>>

폴리에터에터케톤으로서는, 특별히 제한없이 사용할 수 있고, 예를 들면, 케트론 1000 PEEK 시리즈, 케트론 HPV PEEK 시리즈, 케트론 GF30 PEEK 시리즈, 케트론 GA30 PEEK 시리즈(콰드란트 폴리펜코 재팬제)를 들 수 있다.Examples of the polyetherketone include ketone 1000 PEEK series, ketron HPV PEEK series, ketron GF30 PEEK series, ketron GA30 PEEK series (manufactured by Quadrant Polyphenko Japan Co., Ltd.) ).

<<<<폴리페닐렌설파이드>>>><<<< Polyphenylene sulfide >>>>

폴리페닐렌설파이드로서는, 특별히 제한없이 사용할 수 있고, 예를 들면, 테크트론 1000 PPS, 테크트론 HPVPPS(콰드란트 폴리펜코 재팬제)를 들 수 있다.Polyphenylene sulfide can be used without particular limitation, and examples thereof include Techtron 1000 PPS and Techtron HPVPPS (manufactured by Quadrant Polyphenko Japan).

<<<<폴리페닐렌에터>>>><<<< Polyphenylene ether >>>>

폴리페닐렌에터로서는, 특별히 제한없이 사용할 수 있고, 예를 들면, 유피에이스 시리즈, 레말로이 시리즈(미쓰비시 엔지니어링 플라스틱사제), XYRON 시리즈(XYRON S201A 등)(아사히 가세이 케미컬즈사제), NORYL 시리즈(SABIC 이노베이티브 플라스틱스 재팬제)를 들 수 있다.As the polyphenylene ether, there can be used without particular limitation, and examples of the polyphenylene ether include Nippi Ace series, Remalo series (manufactured by Mitsubishi Engineering Plastic Co.), XYRON series (XYRON S201A etc.) (manufactured by Asahi Kasei Chemicals Co., Manufactured by SABIC Innovative Plastics Japan).

<<<폴리에터설폰>>><<< Polyether sulfone >>>

폴리에터설폰으로서는, 예를 들면, 일본 공개특허공보 2006-89595호, 일본 공개특허공보 2004-352920호, 일본 공개특허공보 2002-338688호, 일본 공개특허공보 평07-97447호 및 일본 공개특허공보 평04-20530호에 기재된 폴리에터설폰을 들 수 있다.As the polyethersulfone, there can be mentioned, for example, JP-A No. 2006-89595, JP-A No. 2004-352920, JP-A No. 2002-338688, JP-A No. 07-97447, And polyethersulfone disclosed in Japanese Patent Publication No. 04-20530.

폴리에터설폰 중에서도 폴리머 중에 아렌 구조를 갖는 폴리에터설폰을 이용함으로써, 필름의 결정성이 상승하여, 어느 일정 온도 이상의 고온 환경하에 있어서도 디바이스 웨이퍼의 처리 시에 부가되는 전단력에 대하여 디바이스 웨이퍼를 유지할 수 있는 전단 접착력을 유지하는 것이 가능한 가접착용 적층체가 얻어지기 쉽다. 아렌 구조를 갖는 폴리에터설폰으로서는, 예를 들면, 식 (IV)로 나타나는 구성 단위를 갖는 폴리에터설폰을 들 수 있다.By using polyethersulfone having an areene structure in the polymer among the polyethersulfone, the crystallinity of the film is increased, and the device wafer can be maintained with respect to the shearing force added during processing of the device wafer even under a high- It is easy to obtain a laminate for adhesion which is capable of maintaining a shear adhesive force which can be obtained. The polyethersulfone having an arene structure includes, for example, polyethersulfone having a constituent unit represented by the formula (IV).

[화학식 2](2)

Figure pct00002
Figure pct00002

식 (IV) 중, R1~R3은, 아렌 구조를 갖는 2가의 유기기이며, 단 식 (IV) 중의 결합손은 R1~R3 중의 아렌 구조에 직결되어 있다(즉, 식 (IV) 중의 -O-R1-O-, -O-R2-SO2- 및 -SO2-R3-O-에 있어서의 -O- 및 -SO2-는, R1~R3 중의 아렌 구조에 직결되어 있다). R1~R3은, 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.In the formula (IV), R 1 to R 3 are divalent organic groups having an arene structure, and the bond in formula (IV) is directly connected to the areene structure in R 1 to R 3 (that is, is directly connected to, R 1 ~ R 3 arene structure of -) of -OR 1 -O-, -OR 2 -SO 2 - and -SO 2 -R 3 -O- -O- and -SO 2 in the have). R 1 to R 3 may be the same or different.

2가의 유기기로서는, 예를 들면, 페닐렌기, 나프탈렌다이일기, 안트라센다이일기 및 피렌다이일기 등의 아릴렌기; -C6H4-C6H4- 등의 2개의 아릴렌기가 직접 결합하여 이루어지는 기; 식 (IV-1)~(IV-3)으로 나타나는 2개의 아릴렌기의 사이에 2가의 탄화 수소기를 갖는 기 등을 들 수 있다.Examples of the divalent organic group include an arylene group such as a phenylene group, a naphthalenediyl group, an anthracenediyl group and a pyrandiyl group; A group in which two arylene groups such as -C 6 H 4 -C 6 H 4 - are directly bonded; And groups having a bivalent hydrocarbon group between two arylene groups represented by the formulas (IV-1) to (IV-3).

[화학식 3](3)

Figure pct00003
Figure pct00003

식 (IV-1)~(IV-3) 중, *는 결합손을 나타낸다.In the formulas (IV-1) to (IV-3), * represents bonded hands.

폴리에터설폰의 중량 평균 분자량(Mw)은, 1,000~1,000,000이 바람직하고, 5,000~500,000이 보다 바람직하다. 폴리에터설폰의 수평균 분자량을 Mn이라고 할 때, Mw/Mn으로 나타나는 분자량 분포는, 1~5가 바람직하고, 1~3.5가 보다 바람직하다.The weight average molecular weight (Mw) of the polyethersulfone is preferably 1,000 to 1,000,000, more preferably 5,000 to 500,000. When the number average molecular weight of the polyethersulfone is Mn, the molecular weight distribution represented by Mw / Mn is preferably 1 to 5, more preferably 1 to 3.5.

폴리에터설폰으로서는, 시판품을 이용할 수도 있다. 폴리에터설폰의 시판품으로서는, 예를 들면, BASF사제의 "UltrasonE 시리즈"(UltrasonE6020 등), 솔베이 어드밴스트 폴리머사제의 "레이델 A 시리즈", 스미토모 가가쿠사제의 "스미카엑셀 시리즈"를 들 수 있다. "스미카엑셀 시리즈"로서는, 예를 들면, 스미카엑셀(등록상표) PES3600P, 스미카엑셀(등록상표) PES4100P, 스미카엑셀(등록상표) PES4100MP, 스미카엑셀(등록상표) PES4800P, 스미카엑셀(등록상표) PES5003P, 스미카엑셀(등록상표) PES5200P, 스미카엑셀(등록상표) PES5400P를 들 수 있다.As the polyethersulfone, a commercially available product may be used. Examples of commercially available products of polyether sulfone include "Ultrason E series" (Ultrason E 6020, etc.) manufactured by BASF, "Radial A series" manufactured by Solvay Advanced Polymer, and "Sumika Excel series" have. Examples of the "Sumika Excel series" include Sumika Excel (registered trademark) PES 3600P, Sumika Excel (registered trademark) PES4100P, Sumika Excel (registered trademark) PES4100MP, Sumika Excel (registered trademark) PES4800P, , Sumika Excel (registered trademark) PES5200P, and Sumika Excel (registered trademark) PES5400P.

접착 필름은, 상기 폴리머 성분을 필름의 전체 고형분에 대하여, 50~100질량% 함유하는 것이 바람직하고, 70~100질량%가 보다 바람직하며, 88~100질량%가 특히 바람직하다. 이 양태에 의하면, 접착성 및 박리성이 우수한 가접착용 적층체를 얻기 쉽다. 폴리머 성분은 상기에 든 종류를 복수 포함하고 있어도 된다.The adhesive film preferably contains the polymer component in an amount of 50 to 100 mass%, more preferably 70 to 100 mass%, and particularly preferably 88 to 100 mass%, based on the entire solid content of the film. According to this embodiment, it is easy to obtain a laminate for adhesion with excellent adhesion and peelability. The polymer component may contain plural kinds of the above-mentioned kinds.

또, 폴리머 성분은, 스타이렌계 엘라스토머를 50~100질량% 함유하는 것이 바람직하고, 80~100질량% 함유하는 것이 보다 바람직하며, 90~100질량% 함유하는 것이 더 바람직하고, 스타이렌계 엘라스토머만으로 구성되어 있는 것이 특히 바람직하다. 이 양태에 의하면, 접착성 및 박리성이 우수한 가접착용 적층체를 얻기 쉽다.The polymer component preferably contains a styrene-based elastomer in an amount of 50 to 100 mass%, more preferably 80 to 100 mass%, further preferably 90 to 100 mass%, more preferably a styrene- Is particularly preferable. According to this embodiment, it is easy to obtain a laminate for adhesion with excellent adhesion and peelability.

<<<산화 방지제>>><<< Antioxidants >>>

접착 필름은, 가열 시의 산화에 의한 폴리머 성분의 저분자화나 젤화를 방지하는 관점에서, 산화 방지제를 함유해도 된다. 산화 방지제로서는, 페놀계 산화 방지제, 황계 산화 방지제, 인계 산화 방지제, 퀴논계 산화 방지제, 아민계 산화 방지제 등을 사용할 수 있다.The adhesive film may contain an antioxidant from the viewpoint of preventing low molecular weight or gelation of the polymer component due to oxidation at the time of heating. As the antioxidant, phenol antioxidants, sulfur antioxidants, phosphorus antioxidants, quinone antioxidants, amine antioxidants and the like can be used.

페놀계 산화 방지제로서는 예를 들면, p-메톡시페놀, 2,6-다이-tert-뷰틸-4-메틸페놀, BASF(주)제 "Irganox(등록상표) 1010", "Irganox(등록상표) 1330", "Irganox(등록상표) 3114", "Irganox(등록상표) 1035", 스미토모 가가쿠(주)제 "Sumilizer(등록상표) MDP-S", "Sumilizer(등록상표) GA-80" 등을 들 수 있다.Examples of the phenolic antioxidant include p-methoxyphenol, 2,6-di-tert-butyl-4-methylphenol, Irganox (registered trademark) 1010, Irganox (registered trademark) 1350 ", "Irganox (registered trademark) 3114 "," Irganox (registered trademark) 1035 ", Sumilizer (registered trademark) MDP-S made by Sumitomo Chemical Co., .

황계 산화 방지제로서는 예를 들면, 3,3'-싸이오다이프로피오네이트다이스테아릴, 스미토모 가가쿠(주)제 "Sumilizer(등록상표) TPM", "Sumilizer(등록상표) TPS", "Sumilizer(등록상표) TP-D" 등을 들 수 있다.Examples of the sulfur-based antioxidant include 3,3'-thiodipropionate distearyl, Sumilizer (registered trademark) TPM, Sumilizer (registered trademark) TPS, Sumilizer (registered trademark) Registered trademark) TP-D ".

인계 산화 방지제로서는 예를 들면, 트리스(2,4-다이-tert-뷰틸페닐)포스파이트, 비스(2,4-다이-tert-뷰틸페닐)펜타에리트리톨다이포스파이트, 폴리(다이프로필렌글라이콜)페닐포스파이트, 다이페닐아이소데실포스파이트, 2-에틸헥실다이페닐포스파이트, 트라이페닐포스파이트, BASF(주)제 "Irgafos(등록상표) 168", "Irgafos(등록상표) 38" 등을 들 수 있다.Examples of the phosphorus antioxidant include tris (2,4-di-tert-butylphenyl) phosphite, bis (2,4-di-tert-butylphenyl) pentaerythritol diphosphite, poly Irgafos (registered trademark) 168, Irgafos (registered trademark) 38, etc., manufactured by BASF Co., Ltd., and the like can be used. .

퀴논계 산화 방지제로서는 예를 들면, p-벤조퀴논, 2-tert-뷰틸-1,4-벤조퀴논 등을 들 수 있다.Examples of the quinone antioxidant include p-benzoquinone, 2-tert-butyl-1,4-benzoquinone, and the like.

아민계 산화 방지제로서는 예를 들면, 다이메틸아닐린이나 페노싸이아진 등을 들 수 있다.Examples of the amine-based antioxidant include dimethyl aniline and phenothiazine.

산화 방지제는, Irganox(등록상표) 1010, Irganox(등록상표) 1330, 3,3'-싸이오다이프로피오네이트다이스테아릴, Sumilizer(등록상표) TP-D가 바람직하고, Irganox(등록상표) 1010, Irganox(등록상표) 1330이 보다 바람직하며, Irganox(등록상표) 1010이 특히 바람직하다.The antioxidant is preferably Irganox (registered trademark) 1010, Irganox (registered trademark) 1330, 3,3'-thiodipropionate distearyl, Sumilizer (registered trademark) TP- , Irganox (registered trademark) 1330 is more preferable, and Irganox (registered trademark) 1010 is particularly preferable.

또, 상기 산화 방지제 중, 페놀계 산화 방지제와, 황계 산화 방지제 또는 인계 산화 방지제를 병용하는 것이 바람직하고, 페놀계 산화 방지제와 황계 산화 방지제를 병용하는 것이 가장 바람직하다. 특히, 엘라스토머로서, 폴리스타이렌계 엘라스토머를 사용한 경우에 있어서, 페놀계 산화 방지제와 황계 산화 방지제를 병용하는 것이 바람직하다. 이와 같은 조합으로 함으로써, 산화 반응에 의한 엘라스토머의 열화를, 효율적으로 억제할 수 있는 효과를 기대할 수 있다. 페놀계 산화 방지제와 황계 산화 방지제를 병용하는 경우, 페놀계 산화 방지제와 황계 산화 방지제의 질량비는, 페놀계 산화 방지제:황계 산화 방지제=95:5~5:95가 바람직하고, 25:75~75:25가 보다 바람직하다.Among the above-mentioned antioxidants, phenol-based antioxidants and sulfur-based antioxidants or phosphorus-based antioxidants are preferably used in combination, and phenol-based antioxidants and sulfur-based antioxidants are most preferably used in combination. Particularly when a polystyrene-based elastomer is used as the elastomer, it is preferable to use a phenolic antioxidant and a sulfur-based antioxidant in combination. By using such a combination, it is expected that the deterioration of the elastomer by the oxidation reaction can be effectively suppressed. When the phenolic antioxidant and the sulfur antioxidant are used in combination, the mass ratio of the phenol antioxidant to the sulfur antioxidant is preferably 95: 5 to 5:95, : 25 is more preferable.

산화 방지제의 조합으로서는, Irganox(등록상표) 1010과 Sumilizer(등록상표) TP-D, Irganox(등록상표) 1330과 Sumilizer(등록상표) TP-D, 및 Sumilizer(등록상표) GA-80과 Sumilizer(등록상표) TP-D가 바람직하고, Irganox(등록상표) 1010과 Sumilizer(등록상표) TP-D, Irganox(등록상표) 1330과 Sumilizer(등록상표) TP-D가 보다 바람직하며, Irganox(등록상표) 1010과 Sumilizer(등록상표) TP-D가 특히 바람직하다.Examples of combinations of antioxidants include Irganox TM 1010, Sumilizer TM TP-D, Irganox TM 1330 and Sumilizer TM TP-D, and Sumilizer TM GA-80 and Sumilizer TM (registered trademark) Irganox TM 1010 and Sumilizer TM TP-D, Irganox TM 1330 and Sumilizer TM TP-D are more preferred, and Irganox TM (registered trademark) ) 1010 and Sumilizer (registered trademark) TP-D are particularly preferred.

산화 방지제의 분자량은 가열 중의 승화 방지의 관점에서, 400 이상이 바람직하고, 600 이상이 더 바람직하며, 750 이상이 특히 바람직하다.From the viewpoint of preventing sublimation during heating, the molecular weight of the antioxidant is preferably 400 or more, more preferably 600 or more, and particularly preferably 750 or more.

접착 필름이 산화 방지제를 갖는 경우, 산화 방지제의 함유량은, 접착 필름의 전체 고형분에 대하여, 0.001~20.0질량%가 바람직하고, 0.005~10.0질량%가 보다 바람직하다.When the adhesive film has an antioxidant, the content of the antioxidant is preferably 0.001 to 20.0% by mass, more preferably 0.005 to 10.0% by mass, based on the total solid content of the adhesive film.

산화 방지제는 1종류만이어도 되고, 2종류 이상이어도 된다. 산화 방지제가 2종류 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.The antioxidant may be of one kind alone or in combination of two or more kinds. When the amount of the antioxidant is two or more, the total amount is preferably in the above range.

<<<고분자 화합물>>><<< Polymer compound >>>

접착 필름은, 필요에 따라서 상술한 폴리머 성분 이외의 고분자 화합물을 갖고 있어도 된다.The adhesive film may have a polymer compound other than the above-mentioned polymer component, if necessary.

본 발명에 있어서는, 고분자 화합물은 임의의 것을 사용할 수 있다. 고분자 화합물은, 중량 평균 분자량이 2000 이상인 화합물이며, 통상은, 중합성기를 포함하지 않는 화합물이다. 고분자 화합물의 중량 평균 분자량은, 10,000~1,000,000인 것이 바람직하고, 50,000~500,000인 것이 바람직하며, 100,000~300,000인 것이 보다 바람직하다.In the present invention, any of the polymer compounds may be used. The polymer compound is a compound having a weight average molecular weight of 2000 or more, and is usually a compound that does not contain a polymerizable group. The weight average molecular weight of the polymer compound is preferably 10,000 to 1,000,000, more preferably 50,000 to 500,000, and further preferably 100,000 to 300,000.

고분자 화합물의 구체예로서는, 예를 들면, 탄화 수소 수지, 노볼락 수지, 페놀 수지, 에폭시 수지, 멜라민 수지, 유레아 수지, 불포화 폴리에스터 수지, 알키드 수지, 폴리 염화 바이닐 수지, 폴리아세트산 바이닐 수지, 테플론(등록상표), 폴리아마이드 수지, 폴리아세탈 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리뷰틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리설폰 수지, 폴리에터설폰 수지, 폴리아릴레이트 수지 등의 합성 수지나, 천연 고무 등의 천연 수지를 들 수 있다. 그 중에서도, 탄화 수소 수지, 노볼락 수지가 바람직하고, 탄화 수소 수지가 보다 더 바람직하다. 고분자 화합물은 필요에 따라서 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.Specific examples of the polymer compound include a hydrocarbon resin, a novolak resin, a phenol resin, an epoxy resin, a melamine resin, a urea resin, an unsaturated polyester resin, an alkyd resin, a polyvinyl chloride resin, a polyvinyl acetate resin, Synthetic resin such as polyamide resin, polyacetal resin, polycarbonate resin, polystyrene terephthalate resin, polyethylene terephthalate resin, polysulfone resin, polyethersulfone resin and polyarylate resin, and natural rubber And the like. Among them, a hydrocarbon resin and a novolac resin are preferable, and a hydrocarbon resin is more preferable. The polymer compound may be used in combination of two or more as necessary.

탄화 수소 수지로서 임의의 것을 사용할 수 있다.As the hydrocarbon resin, any one can be used.

탄화 수소 수지는, 기본적으로는 탄소 원자와 수소 원자만으로 이루어지는 수지를 의미하지만, 기본이 되는 골격이 탄화 수소 수지이면, 측쇄로서 그 외의 원자를 포함하고 있어도 된다. 즉, 탄소 원자와 수소 원자만으로 이루어지는 탄화 수소 수지에, 아크릴 수지, 폴리바이닐알코올 수지, 폴리바이닐아세탈 수지, 폴리바이닐피롤리돈 수지와 같이, 주쇄에 탄화 수소기 이외의 관능기가 직접 결합하는 경우도 본 발명에 있어서의 탄화 수소 수지에 포함되는 것이며, 이 경우, 주쇄에 탄화 수소기가 직접 결합되어 이루어지는 반복 단위의 함유량이, 수지의 전체 반복 단위에 대하여 30몰% 이상인 것이 바람직하다.A hydrocarbon resin basically means a resin composed only of carbon atoms and hydrogen atoms. However, if the basic skeleton is a hydrocarbon resin, it may contain other atoms as side chains. That is, when a functional group other than a hydrocarbon group is directly bonded to a main chain such as an acrylic resin, a polyvinyl alcohol resin, a polyvinyl acetal resin, and a polyvinyl pyrrolidone resin to a hydrocarbon resin composed only of carbon atoms and hydrogen atoms In this case, the content of the repeating unit in which the hydrocarbon group is directly bonded to the main chain is preferably 30 mol% or more with respect to the total repeating units of the resin.

상기 조건에 합치하는 탄화 수소 수지로서는 예를 들면, 터펜 수지, 터펜페놀 수지, 변성 터펜 수지, 수소 첨가 터펜 수지, 수소 첨가 터펜페놀 수지, 로진, 로진에스터, 수소 첨가 로진, 수소 첨가 로진에스터, 중합 로진, 중합 로진에스터, 변성 로진, 로진 변성 페놀 수지, 알킬페놀 수지, 지방족 석유 수지, 방향족 석유 수지, 수소 첨가 석유 수지, 변성 석유 수지, 지환족 석유 수지, 쿠마론 석유 수지, 인덴 석유 수지, 폴리스타이렌-폴리올레핀 공중합체, 올레핀 폴리머(예를 들면, 메틸펜텐 공중합체), 및 사이클로올레핀 폴리머(예를 들면, 노보넨 공중합체, 다이사이클로펜타다이엔 공중합체, 테트라사이클클로도데센 공중합체) 등을 들 수 있다.Examples of hydrocarbon resins conforming to the above conditions include terpene resins, terpene phenol resins, modified terpene resins, hydrogenated terpene resins, hydrogenated terpenephenol resins, rosins, rosin esters, hydrogenated rosins, hydrogenated rosin esters, An aliphatic petroleum resin, an aromatic petroleum resin, a hydrogenated petroleum resin, a modified petroleum resin, an alicyclic petroleum resin, a coumarone petroleum resin, an indene petroleum resin, a polystyrene Polyolefin copolymers, olefin polymers (e.g., methylpentene copolymers), and cycloolefin polymers (e.g., norbornene copolymers, dicyclopentadiene copolymers, tetracyclododecene copolymers) .

탄화 수소 수지는, 그 중에서도, 터펜 수지, 로진, 석유 수지, 수소화 로진, 중합 로진, 올레핀 폴리머, 또는 사이클로올레핀 폴리머인 것이 바람직하고, 터펜 수지, 로진, 올레핀 폴리머, 또는 사이클로올레핀 폴리머인 것이 보다 바람직하며, 터펜 수지, 로진, 올레핀 폴리머, 또는 사이클로올레핀 폴리머인 것이 보다 바람직하고, 터펜 수지, 로진, 사이클로올레핀 폴리머, 또는 올레핀 폴리머인 것이 더 바람직하며, 사이클로올레핀 폴리머인 것이 특히 바람직하다.The hydrocarbon resin is preferably a terpene resin, a rosin, a petroleum resin, a hydrogenated rosin, a polymerized rosin, an olefin polymer, or a cycloolefin polymer, more preferably a terpene resin, a rosin, an olefin polymer, or a cycloolefin polymer More preferably a terpene resin, a rosin, an olefin polymer, or a cycloolefin polymer, more preferably a terpene resin, a rosin, a cycloolefin polymer, or an olefin polymer, particularly preferably a cycloolefin polymer.

사이클로올레핀 폴리머로서는, 노보넨계 중합체, 단환의 환상 올레핀의 중합체, 환상 공액 다이엔의 중합체, 바이닐 지환식 탄화 수소 중합체, 및 이들 중합체의 수소화물 등을 들 수 있다. 사이클로올레핀 폴리머의 바람직한 예로서는, 하기 일반식 (II)로 나타나는 반복 단위를 적어도 1종 이상 포함하는 부가 (공)중합체, 및 일반식 (I)로 나타나는 반복 단위 중 적어도 1종 이상을 더 포함하여 이루어지는 부가 (공)중합체를 들 수 있다. 또, 사이클로올레핀 폴리머의 다른 바람직한 예로서는, 일반식 (III)으로 나타나는 환상 반복 단위를 적어도 1종 포함하는 개환 (공)중합체를 들 수 있다.Examples of the cycloolefin polymer include norbornene polymers, polymers of monocyclic cycloolefins, polymers of cyclic conjugated dienes, vinyl alicyclic hydrocarbon polymers, and hydrides of these polymers. Preferable examples of the cycloolefin polymer include an addition (co) polymer containing at least one repeating unit represented by the following general formula (II), and a copolymer comprising at least one repeating unit represented by the general formula (I) (Co) polymer. Another preferred example of the cycloolefin polymer is a ring-opening (co) polymer containing at least one cyclic repeating unit represented by the general formula (III).

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure pct00004
Figure pct00004

식 중, m은 0~4의 정수를 나타낸다. R1~R6은, 각각, 수소 원자 또는 탄소수 1~10의 탄화 수소기를 나타내고, X1~X3, 및 Y1~Y3은, 각각, 수소 원자, 탄소수 1~10의 탄화 수소기, 할로젠 원자, 할로젠 원자로 치환된 탄소수 1~10의 탄화 수소기, -(CH2)nCOOR11, -(CH2)nOCOR12, -(CH2)nNCO, -(CH2)nNO2, -(CH2)nCN, -(CH2)nCONR13R14, -(CH2)nNR15R16, -(CH2)nOZ, -(CH2)nW, 또는 X1과 Y1, X2와 Y2, 혹은 X3과 Y3으로 구성된 (-CO)2O, (-CO)2NR17을 나타낸다. R11, R12, R13, R14, R15, R16 및 R17은, 각각, 수소 원자, 또는 탄화 수소기(바람직하게는 탄소수 1~20의 탄화 수소기), Z는, 탄화 수소기, 또는 할로젠으로 치환된 탄화 수소기를 나타내고, W는, SiR18 pD3 -p(R18은 탄소수 1~10의 탄화 수소기를 나타내고, D는 할로젠 원자를 나타내며, -OCOR18 또는 -OR18을 나타내고, p는 0~3의 정수를 나타냄)를 나타낸다. n은 0~10의 정수를 나타낸다.In the formula, m represents an integer of 0 to 4. R 1 to R 6 each represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms; X 1 to X 3 and Y 1 to Y 3 each represent a hydrogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, (CH 2 ) n COOR 11 , - (CH 2 ) n OCOR 12 , - (CH 2 ) nNCO, - (CH 2 ) nNO 2 , - (CH 2) nCN, - ( CH 2) nCONR 13 R 14, - (CH 2) nNR 15 R 16, - (CH 2) nOZ, - (CH 2) nW, or X 1 and Y 1, X 2 and Y 2 , or (-CO) 2 O, (-CO) 2 NR 17 composed of X 3 and Y 3 . Each of R 11 , R 12 , R 13 , R 14 , R 15 , R 16 and R 17 is a hydrogen atom or a hydrocarbon group (preferably a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms) W represents SiR 18 p D 3 -p (R 18 represents a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, D represents a halogen atom, -OCOR 18 or - OR 18 , and p represents an integer of 0 to 3). n represents an integer of 0 to 10;

노보넨계 중합체는, 일본 공개특허공보 평10-7732호, 일본 공표특허공보 2002-504184호, US2004/229157A1호 공보 혹은 WO2004/070463A1호 공보 등에 개시되어 있다. 노보넨계 중합체는, 노보넨계 다환상 불포화 화합물끼리를 부가 중합함으로써 얻을 수 있다. 또, 필요에 따라, 노보넨계 다환상 불포화 화합물과, 에틸렌, 프로필렌, 뷰텐; 뷰타다이엔, 아이소프렌과 같은 공액 다이엔; 에틸리덴노보넨과 같은 비공액 다이엔을 부가 중합할 수도 있다. 이 노보넨계 중합체는, 미쓰이 가가쿠(주)로부터 아펠이라는 상품명으로 발매되고 있으며, 유리 전이 온도(Tg)가 상이한, 예를 들면 APL8008T(Tg 70℃), APL6013T(Tg 125℃) 혹은 APL6015T(Tg 145℃) 등의 그레이드가 있다. 폴리플라스틱(주)로부터 TOPAS8007, 동 5013, 동 6013, 동 6015 등의 펠릿이 발매되고 있다. 또한, Ferrania사로부터 Appear3000이 발매되고 있다.The norbornene polymer is disclosed in, for example, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 10-7732, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-504184, US2004 / 229157A1, and WO2004 / 070463A1. The norbornene polymer can be obtained by addition polymerization of norbornene polycyclic unsaturated compounds. If necessary, norbornene polycyclic unsaturated compounds and ethylene, propylene, butene; Conjugated dienes such as butadiene, isoprene; And non-conjugated dienes such as ethylidene norbornene may be addition polymerized. This norbornene polymer is commercially available from Mitsui Chemicals, Inc. under the trade name APEL and has a glass transition temperature (Tg) of, for example, APL8008T (Tg 70 DEG C), APL6013T (Tg 125 DEG C) or APL6015T 145 占 폚) and the like. Pellets such as TOPAS8007, 5013, 6013 and 6015 are commercially available from Polyplastics Co., Ltd. Appear3000 is also being released from Ferrania.

노보넨계 중합체의 수소화물은, 일본 공개특허공보 평1-240517호, 일본 공개특허공보 평7-196736호, 일본 공개특허공보 소60-26024호, 일본 공개특허공보 소62-19801호, 일본 공개특허공보 2003-1159767호 혹은 일본 공개특허공보 2004-309979호 등에 개시되어 있는 바와 같이, 다환상 불포화 화합물을 부가 중합 혹은 메타세시스 개환 중합한 후, 수소 첨가함으로써 제조할 수 있다.The hydrides of the norbornene-based polymers are disclosed in JP-A-1-240517, JP-A-7-196736, JP-A-60-26024, JP-A-62-19801, As disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-1159767 or Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-309979, by subjecting a polycyclic unsaturated compound to addition polymerization or metathesis ring-opening polymerization, followed by hydrogenation.

일반식 (III) 중, R5 및 R6은, 수소 원자 또는 메틸기인 것이 바람직하고, X3 및 Y3은 수소 원자인 것이 바람직하며, 그 외의 기는 적절히 선택된다. 이 노보넨계 중합체는, JSR(주)로부터 아톤(Arton) G 혹은 아톤 F라는 상품명으로 발매되고 있으며, 또 닛폰 제온(주)으로부터 제오노어(Zeonor) ZF14, ZF16, 제오넥스(Zeonex) 250, 동 280, 동 480R이라는 상품명으로 시판되고 있어, 이들을 사용할 수 있다.In the general formula (III), R 5 and R 6 are preferably a hydrogen atom or a methyl group, and X 3 and Y 3 are preferably a hydrogen atom, and other groups are appropriately selected. This norbornene polymer is commercially available from JSR Corporation under the trade name of Arton G or Aton F. Zeonor ZF14, ZF16, Zeonex 250, 280, and 480R, and these can be used.

접착 필름이, 고분자 화합물을 갖는 경우, 고분자 화합물의 함유량은, 접착 필름의 전체 고형분에 대하여, 5질량% 이상인 것이 바람직하고, 10질량% 이상인 것이 보다 바람직하며, 20질량% 이상인 것이 더 바람직하다. 또, 고분자 화합물의 함유량의 상한은, 가고정 접착제의 전체 고형분에 대하여, 70질량% 이하가 바람직하고, 60질량% 이하가 보다 바람직하며, 50질량% 이하가 더 바람직하고, 40질량% 이하가 특히 바람직하다.When the adhesive film has a polymer compound, the content of the polymer compound is preferably 5% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, further preferably 20% by mass or more based on the total solid content of the adhesive film. The upper limit of the content of the polymer compound is preferably 70% by mass or less, more preferably 60% by mass or less, more preferably 50% by mass or less, and even more preferably 40% by mass or less based on the total solid content of the temporary fixing adhesive Particularly preferred.

접착 필름은, 폴리머 성분 이외의 고분자 화합물을 실질적으로 함유하지 않는 구성으로 할 수도 있다. "고분자 화합물을 실질적으로 함유하지 않는다"란, 예를 들면, 접착 필름의 전체 고형부에 대하여, 고분자 화합물의 함유량이 1질량% 이하가 바람직하고, 0.1질량% 이하가 보다 바람직하며, 함유하지 않는 것이 더 바람직하다.The adhesive film may be configured so as not to substantially contain a polymer compound other than the polymer component. Means that the content of the polymer compound is preferably 1% by mass or less, more preferably 0.1% by mass or less, relative to the total solid portion of the adhesive film, and more preferably, Is more preferable.

<<<계면활성제>>><<< Surfactant >>>

접착 필름은, 계면활성제를 함유해도 된다. 계면활성제로서는, 불소계 계면활성제, 비이온계 계면활성제, 양이온계 계면활성제, 음이온계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등의 각종 계면활성제를 사용할 수 있으며, 불소계 계면활성제가 바람직하다. 계면활성제를 함유시킴으로써, 액특성(특히, 유동성)이 향상되어, 접착 필름을 도포 형성하는 경우에 있어서, 도포 두께의 균일성이나 성액성(省液性)을 보다 개선시킬 수 있다.The adhesive film may contain a surfactant. As the surfactant, various surfactants such as a fluorine-based surfactant, a nonionic surfactant, a cationic surfactant, an anionic surfactant, and a silicone-based surfactant can be used, and a fluorine-based surfactant is preferable. By containing the surfactant, the liquid property (particularly, the fluidity) is improved, and uniformity of the coating thickness and liquid-repellency can be further improved when the adhesive film is applied and formed.

불소계 계면활성제는, 불소 함유율이 3~40질량%인 것이 바람직하고, 5~30질량%가 보다 바람직하며, 7~25질량%가 더 바람직하다. 불소 함유율이 이 범위 내인 불소계 계면활성제는, 도포막의 두께의 균일성이나 성액성의 점에서 효과적이다. 나아가서는, 용해성도 양호하다.The fluorine-containing surfactant preferably has a fluorine content of 3 to 40% by mass, more preferably 5 to 30% by mass, and further preferably 7 to 25% by mass. The fluorine-based surfactant having a fluorine content within this range is effective in terms of uniformity of the thickness of the coating film and liquidity. Further, the solubility is also good.

불소계 계면활성제로서는, 예를 들면, 메가팍 F171, 동 F172, 동 F173, 동 F176, 동 F177, 동 F141, 동 F142, 동 F143, 동 F144, 동 R30, 동 F437, 동 F475, 동 F479, 동 F482, 동 F554, 동 F780, 동 F781(이상, DIC(주)제), 플루오라드 FC430, 동 FC431, 동 FC171(이상, 스미토모 3M(주)제), 서프론 S-382, 동 SC-101, 동 SC-103, 동 SC-104, 동 SC-105, 동 SC1068, 동 SC-381, 동 SC-383, 동 S393, 동 KH-40(이상, 아사히 글라스(주)제), PF636, PF656, PF6320, PF6520, PF7002(OMNOVA사제) 등을 들 수 있다.Examples of the fluorochemical surfactant include Megapak F171, F172, F173, F176, F177, F141, F142, F143, F144, R30, F437, F475, F479, (Manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.), Surflon S-382, SC-101 (manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.), F- (Manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), PF636, PF656 (manufactured by Asahi Kasei Corporation), SC-103, SC-104, SC-105, SC1068, SC- , PF6320, PF6520, PF7002 (manufactured by OMNOVA), and the like.

비이온계 계면활성제로서는, 글리세롤, 트라이메틸올프로페인, 트라이메틸올에테인과, 이들의 에톡실레이트 및 프로폭실레이트(예를 들면, 글리세롤프로폭실레이트, 글리세린에톡실레이트 등), 폴리옥시에틸렌라우릴에터, 폴리옥시에틸렌스테아릴에터, 폴리옥시에틸렌올레일에터, 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에터, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에터, 폴리에틸렌글라이콜다이라우레이트, 폴리에틸렌글라이콜다이스테아레이트, 소비탄 지방산 에스터(BASF사제의 플루로닉 L10, L31, L61, L62, 10R5, 17R2, 25R2, 테트로닉 304, 701, 704, 901, 904, 150R1, 솔스퍼스 20000(니혼 루브리졸(주)제) 등을 들 수 있다.Examples of the nonionic surfactant include glycerol, trimethylol propane, trimethylol ethane, and their ethoxylates and propoxylates (for example, glycerol propoxylate, glycerin ethoxylate and the like), polyoxyethylene Polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octyl phenyl ether, polyoxyethylene nonylphenyl ether, polyethylene glycol di-laurate, polyethylene glycol di Stearate and consumptive fatty acid ester (Pluronic L10, L31, L61, L62, 10R5, 17R2, 25R2, Tetronic 304, 701, 704, 901, 904, 150R1, Ltd.) and the like.

양이온계 계면활성제로서는, 프탈로사이아닌 유도체(상품명: EFKA-745, 모리시타 산교(주)제), 오가노실록세인 폴리머 KP341(신에쓰 가가쿠 고교(주)제), (메트)아크릴산계 (공)중합체 폴리플로 No. 75, No. 90, No. 95(교에이샤 가가쿠(주)제), W001(유쇼(주)제) 등을 들 수 있다.Examples of the cationic surfactant include phthalocyanine derivatives (trade name: EFKA-745, manufactured by Morishita Sangyo Co., Ltd.), organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) Lt; / RTI &gt; 75, No. 90, No. 95 (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) and W001 (manufactured by Yusoh Co., Ltd.).

음이온계 계면활성제로서는, W004, W005, W017(유쇼(주)제) 등을 들 수 있다.Examples of the anionic surfactant include W004, W005 and W017 (manufactured by Yusoh Co., Ltd.).

실리콘계 계면활성제로서는, 예를 들면, 도레이·다우코닝(주)제 "도레이 실리콘 DC3PA", "도레이 실리콘 SH7PA", "도레이 실리콘 DC11PA", "도레이 실리콘 SH21PA", "도레이 실리콘 SH28PA", "도레이 실리콘 SH29PA", "도레이 실리콘 SH30PA", "도레이 실리콘 SH8400", 모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈사제 "TSF-4440", "TSF-4300", "TSF-4445", "TSF-4460", "TSF-4452", 신에쓰 실리콘 가부시키가이샤제 "KP341", "KF6001", "KF6002", 빅케미사제 "BYK307", "BYK323", "BYK330" 등을 들 수 있다.Examples of silicone based surfactants include fluorine-based surfactants such as TORAY Silicon DC3PA, TORAY Silicone SH7PA, TORAY Silicon DC11PA, TORAY Silicone SH21PA, TORAY Silicone SH28PA, TSF-4440 "," TSF-4445 "," TSF-4460 "," TSF-4440 "," TSF- KP341 ", " KF6001 ", "KF6002 ", manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd., BYK307, BYK323 and BYK330 manufactured by Big Chemie.

접착 필름이 계면활성제를 갖는 경우, 계면활성제의 함유량은, 접착 필름의 전체 고형분에 대하여, 0.001~2.0질량%가 바람직하고, 0.005~1.0질량%가 보다 바람직하다.When the adhesive film has a surfactant, the content of the surfactant is preferably 0.001 to 2.0% by mass, more preferably 0.005 to 1.0% by mass, based on the total solid content of the adhesive film.

계면활성제는 1종류만이어도 되고, 2종류 이상이어도 된다. 계면활성제가 2종류 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.The surfactant may be one kind or two or more kinds. When two or more kinds of surfactants are used, the total amount is preferably in the above range.

<<그 외의 첨가제>><< Other additives >>

접착 필름은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 필요에 따라서, 각종 첨가물, 예를 들면, 경화제, 경화 촉매, 충전제, 밀착 촉진제, 자외선 흡수제, 응집 방지제 등을 배합할 수 있다. 이들 첨가제를 배합하는 경우, 그 합계 배합량은 접착 필름의 전체 고형분의 3질량% 이하가 바람직하다.The adhesive film may contain various additives, for example, a curing agent, a curing catalyst, a filler, an adhesion promoter, an ultraviolet absorber, an anti-aggregation agent, and the like within a range that does not impair the effects of the present invention. When these additives are compounded, the total amount is preferably 3% by mass or less of the total solid content of the adhesive film.

<<이형층>><< Disclaimer >>

본 발명의 가접착용 적층체는, 접착 필름의 한쪽 표면(편면) 또는 양쪽 표면(양면)에, 불소 원자 및 규소 원자로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 이형제를 포함하는 이형층을 갖는다.The adhesive laminate of the present invention has a release layer comprising a release agent containing at least one selected from a fluorine atom and a silicon atom on one surface (one surface) or both surfaces (both surfaces) of the adhesive film.

이형층의 막두께는, 박막이어도 효과가 얻어지므로, 특별히 한정은 없다. 예를 들면, 0.001~1μm가 바람직하고, 0.01~0.5μm가 보다 바람직하다. 상기 범위이면, 가접착용 적층체가 적절한 접착력을 가져, 디바이스 웨이퍼나 지지체와의 접착성이 양호함과 함께, 가접착용 적층체를 기재나 지지체로부터 용이하게 박리할 수 있다.The film thickness of the release layer is not particularly limited as it is effective even if it is a thin film. For example, it is preferably 0.001 to 1 μm, more preferably 0.01 to 0.5 μm. Within the above-mentioned range, the adhesive layer laminate has an appropriate adhesive force, so that the adhesiveness to the device wafer or the support is good, and the adhesive layer laminate can be easily peeled off from the substrate or the support.

본 발명에 있어서, 이형층의 평균 두께는, 이형층의 일방향을 따른 단면에 있어서, 한쪽의 단부면으로부터 다른 한쪽의 단부면을 향하여, 등간격으로 5개소의 장소에 있어서의 두께를, 엘립소메트리에 의하여 측정한 값의 평균값으로 정의한다. "이형층의 일방향을 따른 단면"은, 상술한 "접착 필름의 일방향을 따른 단면"과 동의이다.In the present invention, the average thickness of the release layer is set such that the thickness of the release layer in a section along one direction from one end face to the other end face and at five locations at equal intervals, It is defined as the average of the values measured by the tree. The "cross-section along one direction of the release layer" is synonymous with the above-mentioned "cross-section along one direction of the adhesive film ".

이형층의 불소 함유율은, 5~90질량%가 바람직하고, 20~80질량%가 보다 바람직하며, 50~75질량%가 특히 바람직하다. 불소 함유율은, "{(1분자 중의 불소 원자수×불소 원자의 질량)/1분자 중의 전체 원자의 질량}×100"으로 정의된다.The fluorine content of the release layer is preferably 5 to 90% by mass, more preferably 20 to 80% by mass, and particularly preferably 50 to 75% by mass. The fluorine content is defined as "{(the number of fluorine atoms in one molecule x the mass of fluorine atoms) / the mass of all atoms in one molecule} x 100".

이형층은, 불소 원자 및 규소 원자로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 이형제를, 이형층의 전체 고형분에 대하여, 5~100질량% 함유하는 것이 바람직하고, 50~100질량%가 보다 바람직하며, 90~100질량%가 더 바람직하다. 이형층은 복수의 종류의 이형제를 갖고 있어도 된다.The releasing layer preferably contains 5 to 100 mass%, more preferably 50 to 100 mass%, of the releasing agent containing at least one kind selected from a fluorine atom and a silicon atom based on the total solid content of the releasing layer, And more preferably 90 to 100 mass%. The releasing layer may have a plurality of kinds of releasing agents.

<<<이형제>>><<< Release Agent >>>

이형제는, 불소 원자를 적어도 포함하는 화합물이 바람직하고, 불소 원자와 규소 원자를 포함하는 화합물이 보다 바람직하다.The releasing agent is preferably a compound containing at least a fluorine atom, more preferably a compound containing a fluorine atom and a silicon atom.

또, 이형제는, 실레인 커플링제가 바람직하고, 불소 원자를 적어도 포함하는 실레인 커플링제가 더 바람직하다.The releasing agent is preferably a silane coupling agent, more preferably a silane coupling agent containing at least a fluorine atom.

불소 원자 및 규소 원자로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 이형제는, 열경화성의 화합물이어도 되고 비열경화성의 화합물이어도 된다. 열경화성의 화합물로서는, 예를 들면, 실레인 커플링제 등을 들 수 있다. 이와 같은 화합물로서는, 불소 원자가 1분자 중에 2개 이상 포함되는, 일반적으로 퍼플루오로기라고 불리는 기를 갖고 있는 화합물인 것이 바람직하다. 또한, 이형제가 모노머 성분을 포함하는 경우에 있어서는, 모노머 성분의 적어도 일부는, 중합하여 폴리머로서 존재하고 있다.The releasing agent containing at least one kind selected from a fluorine atom and a silicon atom may be a thermosetting compound or a non-thermosetting compound. As the thermosetting compound, for example, a silane coupling agent can be given. Such a compound is preferably a compound containing two or more fluorine atoms in one molecule and generally having a group called perfluoro group. When the releasing agent contains a monomer component, at least a part of the monomer component is polymerized to exist as a polymer.

<<<<열경화성의 화합물>>>><<<< Thermosetting compounds >>>>

열경화성의 화합물로서는, 불소 원자 및 가교성기를 갖는 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다. 가교성기로서는 예를 들면, 수산기 또는 가수분해 가능한 기를 갖는 실릴기(예를 들면 알콕시실릴기, 아실옥시실릴기 등), 반응성 불포화 이중 결합을 갖는 기((메트)아크릴로일기, 알릴기, 바이닐옥시기 등), 개환 중합 반응성기(에폭시기, 옥세탄일기, 옥사졸일기 등), 활성 수소 원자를 갖는 기(예를 들면 수산기, 카복실기, 아미노기, 카바모일기, 머캅토기, β-케토에스터기, 하이드로실릴기, 실란올기 등), 산무수물, 구핵제에 의하여 치환될 수 있는 기(활성 할로젠 원자, 설폰산 에스터 등) 등을 들 수 있다.As the thermosetting compound, a compound having a fluorine atom and a crosslinkable group can be preferably used. Examples of the crosslinkable group include a silyl group having a hydroxyl group or a hydrolyzable group (e.g., an alkoxysilyl group, an acyloxysilyl group, etc.), a group having a reactive unsaturated double bond (a (meth) acryloyl group, A hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, a carbamoyl group, a mercapto group, a β-ketoester group (eg, Group, hydrosilyl group, silanol group, etc.), acid anhydride, group which may be substituted by nucleophilic agent (active oxygen atom, sulfonic acid ester etc.).

이들 중에서도, 가교성기로서, 수산기 또는 가수분해 가능한 기를 갖는 실릴기(예를 들면 알콕시실릴기, 아실옥시실릴기 등), 또는 반응성 불포화 이중 결합을 갖는 기((메트)아크릴로일기, 알릴기, 바이닐옥시기 등)를 갖는 화합물이 바람직하다.Among them, a silyl group having a hydroxyl group or a hydrolyzable group (e.g., an alkoxysilyl group or an acyloxysilyl group) or a group having a reactive unsaturated double bond (such as a (meth) acryloyl group, an allyl group, A vinyloxy group, etc.) is preferable.

수산기 또는 가수분해 가능한 기를 갖는 실릴기를 갖는 화합물로서는, 구체적으로는, 불소 원자를 적어도 하나 갖는 기와, 실릴기를 적어도 하나 갖는 화합물을 들 수 있다. 불소 원자를 적어도 하나 갖는 기로서는, 불소 원자가 1분자 중에 2개 이상 포함되는, 일반적으로 퍼플루오로알킬기 또는 퍼플루오로에터기라고 불리는 기를 갖고 있는 화합물인 것이 바람직하다. 불소 원자를 갖는 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. 치환기로서는, 반응성이나 열안정성의 관점에서 임의로 선택할 수 있고, 예를 들면, 염소 원자, 브로민 원자 및 아이오딘 원자 등의 할로젠 원자; 메톡시기, 에톡시기 및 tert-뷰톡시기 등의 알콕시기; 페녹시기 및 p-톨릴옥시기 등의 아릴옥시기; 메톡시카보닐기, 뷰톡시카보닐기 및 페녹시카보닐기 등의 알콕시카보닐기; 아세톡시기, 프로피온일옥시기 및 벤조일옥시기 등의 아실옥시기; 아세틸기, 벤조일기, 아이소뷰티릴기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기 및 메톡살일기 등의 아실기; 메틸설판일기 및 tert-뷰틸설판일기 등의 알킬설판일기; 페닐설판일기 및 p-톨릴설판일기 등의 아릴설판일기; 메틸기, 에틸기, tert-뷰틸기 및 도데실기 등의 알킬기; 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 아다만틸기 등의 사이클로알킬기; 페닐기, p-톨릴기, 자일릴기, 큐멘일기, 나프틸기, 안트릴기 및 페난트릴기 등의 아릴기; 하이드록시기; 카복시기; 폼일기; 설폰일기; 사이아노기; 알킬아미노카보닐기; 아릴아미노카보닐기; 설폰아미도기; 실릴기; 아미노기; 모노알킬아미노기; 다이알킬아미노기; 아릴아미노기; 및 다이아릴아미노기 싸이옥시기; 또는 이들의 조합을 들 수 있다.Specific examples of the compound having a silyl group having a hydroxyl group or a hydrolyzable group include a group having at least one fluorine atom and a compound having at least one silyl group. The group having at least one fluorine atom is preferably a compound having two or more fluorine atoms in one molecule and generally having a group called a perfluoroalkyl group or a perfluoroether group. The group having a fluorine atom may have a substituent. The substituent may be arbitrarily selected from the viewpoints of reactivity and thermal stability, and includes, for example, a halogen atom such as a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom; An alkoxy group such as methoxy group, ethoxy group and tert-butoxy group; An aryloxy group such as a phenoxy group and a p-tolyloxy group; Alkoxycarbonyl groups such as a methoxycarbonyl group, a butoxycarbonyl group and a phenoxycarbonyl group; An acyloxy group such as acetoxy group, propionyloxy group and benzoyloxy group; An acyl group such as acetyl group, benzoyl group, isobutyryl group, acryloyl group, methacryloyl group and methoxyl group; Alkylsulfanyl groups such as methylsulfanyl group and tert-butylsulfanyl group; Arylsulfanyl groups such as phenylsulfanyl group and p-tolylsulfanyl group; Alkyl groups such as methyl group, ethyl group, tert-butyl group and dodecyl group; A cycloalkyl group such as a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group and an adamantyl group; An aryl group such as a phenyl group, a p-tolyl group, a xylyl group, a cumene group, a naphthyl group, an anthryl group and a phenanthryl group; A hydroxyl group; Carboxy group; Form Diary; Sulfone diazonium; Cyano; An alkylaminocarbonyl group; An arylaminocarbonyl group; Sulfonamido groups; Silyl group; An amino group; Monoalkylamino groups; A dialkylamino group; An arylamino group; And diarylamino group thio groups; Or a combination thereof.

실릴기로서는, 실란올기 또는 가수분해성 실릴기를 갖는 것이 바람직하다. 가수분해성 실릴기란, 가수분해성을 갖는 실릴기이며, 가수분해성기로서는, 알콕시기, 머캅토기, 할로젠 원자, 아미도기, 아세톡시기, 아미노기, 아이소프로펜옥시기 등을 들 수 있다. 실릴기는 가수분해하여 실란올기가 되고, 실란올기는 탈수 축합하여 실록세인 결합이 생성된다. 이와 같은 가수분해성 실릴기 또는 실란올기는 하기 식 (B-1)로 나타나는 것이 바람직하다.The silyl group is preferably a silyl group or a hydrolyzable silyl group. The hydrolyzable silyl group is a hydrolyzable silyl group. Examples of the hydrolyzable group include an alkoxy group, a mercapto group, a halogen atom, an amido group, an acetoxy group, an amino group, and an isopropenoxy group. The silyl group is hydrolyzed to a silanol group, and the silanol group is dehydrated and condensed to form a siloxane bond. Such a hydrolyzable silyl group or silanol group is preferably represented by the following formula (B-1).

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure pct00005
Figure pct00005

식 (B-1) 중, Rh1~Rh3 중 적어도 어느 하나는, 알콕시기, 머캅토기, 할로젠 원자, 아미도기, 아세톡시기, 아미노기, 및 아이소프로펜옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 가수분해성기, 또는 하이드록시기를 나타낸다. 나머지 Rh1~Rh3은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로젠 원자, 또는 1가의 유기 치환기(예를 들면, 알킬기, 아릴기, 알켄일기, 알카인일기, 아랄킬기를 들 수 있음)를 나타낸다.In formula (B-1), at least one of R h1 to R h3 is a substituent selected from the group consisting of an alkoxy group, a mercapto group, a halogen atom, an amido group, an acetoxy group, an amino group, and an isopropenoxy group A hydrolyzable group, or a hydroxyl group. The remaining R h1 to R h3 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, or a monovalent organic substituent group (for example, an alkyl group, an aryl group, an alkenyl group, an alkynyl group or an aralkyl group).

식 (B-1) 중, 규소 원자에 결합하는 가수분해성기로서는, 특히 알콕시기, 할로젠 원자가 바람직하고, 알콕시기가 보다 바람직하다.In the formula (B-1), as the hydrolyzable group bonded to the silicon atom, an alkoxy group and a halogen atom are particularly preferable, and an alkoxy group is more preferable.

알콕시기로서는, 박리성의 관점에서, 탄소수 1~30의 알콕시기가 바람직하다. 보다 바람직하게는 탄소수 1~15의 알콕시기, 더 바람직하게는 탄소수 1~5의 알콕시기, 특히 바람직하게는 탄소수 1~3의 알콕시기, 가장 바람직하게는 메톡시기 또는 에톡시기이다.The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms from the viewpoint of releasability. More preferably an alkoxy group having 1 to 15 carbon atoms, more preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, particularly preferably an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms, and most preferably a methoxy group or an ethoxy group.

할로젠 원자로서는, F 원자, Cl 원자, Br 원자, I 원자를 들 수 있으며, 합성의 용이성 및 안정성의 관점에서, 바람직하게는 Cl 원자 및 Br 원자이고, 보다 바람직하게는 Cl 원자이다.Examples of the halogen atom include an F atom, a Cl atom, a Br atom and an I atom. In view of ease of synthesis and stability, the halogen atom is preferably a Cl atom and a Br atom, and more preferably a Cl atom.

가수분해성 실릴기 및 실란올기 중 적어도 1종을 갖는 화합물은, 상기 식 (B-1)로 나타나는 기를 1개 이상 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 2개 이상 갖는 화합물도 사용할 수 있다.The compound having at least one of the hydrolyzable silyl group and silanol group is preferably a compound having at least one group represented by the above formula (B-1), and a compound having at least two groups may be used.

가수분해성기는 1개의 규소 원자에 1~4개의 범위로 결합할 수 있으며, 식 (B-1) 중에 있어서의 가수분해성기의 총 개수는 2 또는 3의 범위인 것이 바람직하다. 특히 3개의 가수분해성기가 규소 원자에 결합하고 있는 것이 바람직하다. 가수분해성기가 규소 원자에 2개 이상 결합할 때는, 이들은 서로 동일해도 되고, 상이해도 된다.The hydrolyzable group may be bonded to one silicon atom in a range of 1 to 4, and the total number of hydrolysable groups in the formula (B-1) is preferably in the range of 2 or 3. Particularly, it is preferable that three hydrolyzable groups are bonded to a silicon atom. When two or more hydrolyzable groups are bonded to a silicon atom, they may be the same or different.

바람직한 알콕시기로서, 구체적으로는, 예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 아이소프로폭시기, 뷰톡시기, tert-뷰톡시기, 페녹시기, 벤질옥시기 등을 들 수 있다. 이들 각 알콕시기를 복수 개 조합하여 이용해도 되고, 상이한 알콕시기를 복수 개 조합하여 이용해도 된다.Specific examples of the preferable alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group, a butoxy group, a tert-butoxy group, a phenoxy group and a benzyloxy group. A plurality of these alkoxy groups may be used in combination, or a plurality of different alkoxy groups may be used in combination.

알콕시기가 결합한 알콕시실릴기로서는, 예를 들면, 트라이메톡시실릴기, 트라이에톡시실릴기, 트라이아이소프로폭시실릴기, 트라이페녹시실릴기 등의 트라이알콕시실릴기; 다이메톡시메틸실릴기, 다이에톡시메틸실릴기 등의 다이알콕시모노알킬실릴기; 메톡시다이메틸실릴기, 에톡시다이메틸실릴기 등의 모노알콕시다이알킬실릴기를 들 수 있다.Examples of the alkoxysilyl group bonded with an alkoxy group include a trialkoxysilyl group such as a trimethoxysilyl group, a triethoxysilyl group, a triisopropoxysilyl group, and a triphenoxysilyl group; Dialkoxymonoalkylsilyl groups such as a dimethoxymethylsilyl group and a diethoxymethylsilyl group; A monoalkoxydialkylsilyl group such as a methoxydimethylsilyl group, an ethoxydimethylsilyl group and the like.

불소 원자 및 실릴기를 갖는 화합물로서는, 구체적으로는, 트라이클로로(1H,1H,2H,2H-헵타데카플루오로데실)실레인, 트라이메톡시(1H,1H,2H,2H-헵타데카플루오로데실)실레인, 메틸다이클로로(1H,1H,2H,2H-헵타데카플루오로데실)실레인, (3-헵타플루오로아이소프로폭시)프로필트라이클로로실레인, 트라이클로로(1H,1H,2H,2H-트라이데카플루오로-n-옥틸)실레인, 트라이에톡시(1H,1H,2H,2H-트라이데카플루오로-n-옥틸)실레인, 트라이메톡시(1H,1H,2H,2H-트라이데카플루오로-n-옥틸)실레인, 다이메틸클로로(1H,1H,2H,2H-트라이데카플루오로-n-옥틸)실레인, 메틸다이클로로(1H,1H,2H,2H-트라이데카플루오로-n-옥틸)실레인, 옵툴 DSX(다이킨(주)제), 에프톱 DB2-EOS(미쓰비시 머티리얼 덴시 가세이(주))를 들 수 있다.Specific examples of the compound having a fluorine atom and a silyl group include trichloro (1H, 1H, 2H, 2H-heptadecafluorodecyl) silane, trimethoxy (1H, 1H, 2H, 2H-heptadecafluorodecyl (1H, 1H, 2H, 2H), in the same manner as in Example 1, except that the starting materials were used in the same manner as in Example 1, 1H, 2H, 2H-tridecafluoro-n-octyl) silane, triethoxy (1H, (1H, 1H, 2H, 2H-tridecafluoro-n-octyl) silane, dimethylchloro Fluoro-n-octyl) silane, Optol DSX (manufactured by Daikin) and F-TOP DB2-EOS (manufactured by Mitsubishi Materials Denshi Kasei Co., Ltd.).

불소 원자를 갖는 기 및 반응성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물로서는, 불소 원자를 갖는 라디칼 중합성 모노머를 들 수 있으며, 이하의 일반식 (1)로 나타낼 수 있는 화합물이 바람직하다.Examples of the compound having a fluorine atom and a reactive unsaturated double bond include a radically polymerizable monomer having a fluorine atom, and a compound represented by the following general formula (1) is preferable.

일반식 (I): Rf{-L-Y}nGeneral formula (I): Rf {-L-Y} n

(식 중, Rf는 적어도 탄소 원자 및 불소 원자를 포함하고, 산소 원자 및 수소 원자 중 어느 하나를 포함해도 되는, 쇄상 또는 환상의 n가의 기를 나타내며, n은 2 이상의 정수를 나타낸다. L은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. Y는 중합성기를 나타낸다.)(Wherein Rf represents a straight or cyclic n-valent group containing at least a carbon atom and a fluorine atom, which may contain either an oxygen atom or a hydrogen atom, and n represents an integer of 2 or more.) L represents a single bond Or a divalent linking group, and Y represents a polymerizable group.

상기 일반식 (I)에 있어서, Y는 중합성기이며, 예를 들면, 수산기 또는 가수분해 가능한 기를 갖는 실릴기(예를 들면, 알콕시실릴기, 아실옥시실릴기 등), 반응성 불포화 이중 결합을 갖는 기((메트)아크릴로일기, 알릴기, 바이닐옥시기 등), 개환 중합 반응성기(에폭시기, 옥세탄일기, 옥사졸일기 등), 활성 수소 원자를 갖는 기(예를 들면 수산기, 카복실기, 아미노기, 카바모일기, 머캅토기, β-케토에스터기, 하이드로실릴기, 실란올기 등), 산무수물, 구핵제에 의하여 치환될 수 있는 기(활성 할로젠 원자, 설폰산 에스터 등) 등이 바람직하다.In the general formula (I), Y is a polymerizable group, and examples thereof include a silyl group having a hydroxyl group or a hydrolyzable group (e.g., an alkoxysilyl group, an acyloxysilyl group, etc.), a group having a reactive unsaturated double bond (Such as a (meth) acryloyl group, an allyl group, a vinyloxy group, etc.), ring-opening polymerization reactive groups (epoxy group, oxetanyl group, oxazolyl group, etc.), groups having active hydrogen atoms (e.g., An amino group, a carbamoyl group, a mercapto group, a? -Ketoester group, a hydrosilyl group, a silanol group, etc.), an acid anhydride, a group which may be substituted by a nucleophilic agent (an active hydrogen atom or a sulfonic acid ester) Do.

보다 바람직하게는, Y는, 라디칼 중합성기를 나타내고, 반응성 불포화 이중 결합을 갖는 기가 더 바람직하다. 구체적으로는, T는 하기 일반식 (9)로 나타나는 라디칼 중합성 관능기를 나타내는 것이 바람직하다.More preferably, Y represents a radical polymerizable group, and a group having a reactive unsaturated double bond is more preferable. Specifically, it is preferable that T represents a radical polymerizable functional group represented by the following general formula (9).

[화학식 6][Chemical Formula 6]

Figure pct00006
Figure pct00006

(일반식 (9) 중, R901~R903은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. 점선은, L에 연결되는 기로의 결합을 나타낸다.)(In the general formula (9), R 901 to R 903 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, and the dotted line represents a bond to a group connected to L.)

알킬기의 예는, 탄소수 1~8의 알킬기인 것이 바람직하고, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 옥틸기, 아이소프로필기, tert-뷰틸기, 아이소펜틸기, 2-에틸헥실기, 2-메틸헥실기, 사이클로펜틸기 등을 들 수 있다. 아릴기의 예는, 탄소수 6~12의 아릴기인 것이 바람직하고, 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기 등을 들 수 있다. R901~R903으로서는, 그 중에서도, 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.Examples of the alkyl group are preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, ethyl group, propyl group, octyl group, isopropyl group, tert-butyl group, isopentyl group, -Methylhexyl group, and cyclopentyl group. The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group, a 1-naphthyl group and a 2-naphthyl group. As R 901 to R 903 , a hydrogen atom or a methyl group is particularly preferable.

L은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. 2가의 연결기로서는, 2가의 지방족기, 2가의 방향족기, -O-, -S-, -CO-, -N(R)-, 및 이들을 2종 이상 조합하여 얻어지는 2가의 연결기를 나타낸다. 단, R은 수소 원자 또는 탄소수 1~5의 알킬기를 나타낸다.L represents a single bond or a divalent linking group. Examples of the divalent linking group include a divalent linking group obtained by combining two or more kinds of a divalent aliphatic group, a divalent aromatic group, -O-, -S-, -CO-, -N (R) -, Provided that R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

L이 알킬렌기 또는 아릴렌기를 갖는 경우, 알킬렌기 및 아릴렌기는 할로젠 원자로 치환되어 있는 것이 바람직하고, 불소 원자로 치환되어 있는 것이 보다 바람직하다.When L has an alkylene group or an arylene group, the alkylene group and the arylene group are preferably substituted with a halogen atom, and more preferably substituted with a fluorine atom.

Rf는, 적어도 탄소 원자 및 불소 원자를 포함하고, 산소 원자 및 수소 원자 중 어느 하나를 포함해도 되는, 쇄상 또는 환상의 n가의 기를 나타낸다. Rf는, 불소 원자를 갖는 반복 단위를 갖는 선상 또는 분기상의 고분자 구조여도 된다.Rf represents a straight or cyclic n-valent group which contains at least a carbon atom and a fluorine atom and may contain either an oxygen atom or a hydrogen atom. Rf may be a linear or branched polymer structure having a repeating unit having a fluorine atom.

이와 같은 불소 원자를 갖는 모노머로서는, 일본 공개특허공보 2011-48358호의 단락 번호 0019~0033에 기재된 화합물도 바람직하게 사용할 수 있으며, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.As such a monomer having a fluorine atom, compounds described in paragraphs 0019 to 0033 of JP-A No. 2011-48358 can also be preferably used, and these contents are incorporated herein by reference.

또, 불소 원자를 갖는 라디칼 중합성 모노머는, 하기 구조식 (1), (2), (3), (4) 및 (5)로 나타나는 화합물로부터 선택되는 적어도 1종인 것도 바람직하다.The radically polymerizable monomer having a fluorine atom is also preferably at least one selected from the compounds represented by the following structural formulas (1), (2), (3), (4) and (5)

CH2=CR1COOR2Rf···구조식 (1)CH 2 = CR 1 COOR 2 R f ????? (1)

(구조식 (1) 중, R1은, 수소 원자, 또는 메틸기를 나타낸다. R2는, -CpH2p-, -C(CpH2p+1)H-, -CH2C(CpH2p+1)H-, 또는 -CH2CH2O-를 나타낸다. Rf는, -CnF2n +1, -(CF2)nH, -CnF2n+1-CF3, -(CF2)pOCnH2nCiF2i +1, -(CF2)pOCmH2mCiF2iH, -N(CpH2p+1)COCnF2n +1, 또는 -N(CpH2p+1)SO2CnF2n+1을 나타낸다. 단, p는 1~10의 정수, n은 1~16의 정수, m은 0~10의 정수, i는 0~16의 정수를 각각 나타낸다.)(Formula (1) of, R 1 represents a hydrogen atom, or a methyl group R 2 is, -C p H 2p -., -C (C p H 2p + 1) H-, -CH 2 C (C p . H 2p + 1) H-, or -CH 2 CH 2 O- represents a R f is, -C n F 2n +1, - (CF 2) n H, -C n F 2n + 1 -CF 3, - (CF 2) p OC n H 2n C i F 2i +1, - (CF 2) p OC m H 2m C i F 2i H, -N (C p H 2p + 1) COC n F 2n +1, or represents a -N (C p H 2p + 1 ) SO 2 C n F 2n + 1. However, p is an integer of 1 ~ 10, n is an integer of 1 ~ 16, m is an integer of 0 ~ 10, i is Represents an integer from 0 to 16, respectively.)

CF2=CFORg···구조식 (2)CF 2 = CFOR g ????? (2)

(구조식 (2) 중, Rg는, 탄소수 1~20의 플루오로알킬기를 나타낸다.)(In the structural formula (2), R g represents a fluoroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms.)

CH2=CHRg···구조식 (3)CH 2 = CHR g ????? (3)

(구조식 (3) 중, Rg는, 탄소수 1~20의 플루오로알킬기를 나타낸다.)(In the structural formula (3), R g represents a fluoroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms.)

CH2=CR3COOR5RjR6OCOCR4=CH2···구조식 (4)CH 2 = CR 3 COOR 5 R j R 6 OCOCR 4 = CH 2 ????? (4)

(구조식 (4) 중, R3 및 R4는, 수소 원자, 또는 메틸기를 나타낸다. R5 및 R6은, -CqH2q-, -C(CqH2q + 1)H-, -CH2C(CqH2q+1)H- 또는 -CH2CH2O-, Rj는 -CtF2t를 나타낸다. q는 1~10의 정수이며, t는 1~16의 정수이다.)(Structure 4 of, R 3 and R 4 represent a hydrogen atom, a methyl group or R 5 and R 6 is, -C q H 2q -., -C (C q H 2q + 1) H-, - CH 2 C (C q H 2q + 1 ) H- or -CH 2 CH 2 O-, R j represents -C t F 2t , q is an integer of 1 to 10, and t is an integer of 1 to 16 .)

CH2=CHR7COOCH2(CH2Rk)CHOCOCR8=CH2···구조식 (5)CH 2 = CHR 7 COOCH 2 (CH 2 R k ) CHOCOCR 8 = CH 2 ????? (5)

(구조식 (5) 중, R7 및 R8은, 수소 원자, 또는 메틸기를 나타낸다. Rk는 -CyF2y +1이다. y는 1~16의 정수이다.)(In the structural formula (5), R 7 and R 8 represent a hydrogen atom or a methyl group, R k is -CyF 2y +1, and y is an integer of 1 to 16.)

구조식 (1)로 나타나는 모노머로서는, 예를 들면, CF3(CF2)5CH2CH2OCOCH=CH2, CF3CH2OCOCH=CH2, CF3(CF2)4CH2CH2OCOC(CH3)=CH2, C7F15CON(C2H5)CH2OCOC(CH3)=CH2, CF3(CF2)7SO2N(CH2)CH2CH2OCOCH=CH2, CF2(CF2)7SO2N(C3H7)CH2CH2OCOCH=CH2, C2F5SO2N(C3H7)CH2CH2OCOC(CH3)=CH2, (CF3)2CF(CF2)6(CH2)3OCOCH=CH2, (CF3)2CF(CF2)10(CH2)3OCOC(CH3)=CH2, CF3(CF2)4CH(CH3)OCOC(CH3)=CH2, CF3CH2OCH2CH2OCOCH=CH2, C2F5(CH2CH2O)2CH2OCOCH=CH2, (CF3)2CFO(CH2)5OCOCH=CH2, CF3(CF2)4OCH2CH2OCOC(CH3)=CH2, C2F5CON(C2H5)CH2OCOCH=CH2, CF3(CF2)2CON(CH3)CH(CH3)CH2OCOCH=CH2, H(CF2)6C(C2H5)OCOC(CH3)=CH2, H(CF2)8CH2OCOCH=CH2, H(CF2)4CH2OCOCH=CH2, H(CF2)CH2OCOC(CH3)=CH2, CF3(CF2)7SO2N(CH3)CH2CH2OCOC(CH3)=CH2, CF3(CF2)7SO2N(CH3)(CH2)10OCOCH=CH2, C2F5SO2N(C2H5)CH2CH2OCOC(CH3)=CH2, CF3(CF2)7SO2N(CH3)(CH2)4OCOCH=CH2, C2F5SO2N(C2H5) C(C2H5)HCH2OCOCH=CH2 등을 들 수 있다. 이들은, 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.Examples of the monomer represented by the structural formula (1) include CF 3 (CF 2 ) 5 CH 2 CH 2 OCOCH═CH 2 , CF 3 CH 2 OCOCH═CH 2 , CF 3 (CF 2 ) 4 CH 2 CH 2 OCOC (CH 3 ) ═CH 2 , C 7 F 15 CON (C 2 H 5 ) CH 2 OCOC (CH 3 ) ═CH 2 , CF 3 (CF 2 ) 7 SO 2 N (CH 2 ) CH 2 CH 2 OCOCH = CH 2, CF 2 (CF 2 ) 7 SO 2 N (C 3 H 7) CH 2 CH 2 OCOCH = CH 2, C 2 F 5 SO 2 N (C 3 H 7) CH 2 CH 2 OCOC (CH 3) = CH 2, (CF 3) 2 CF (CF 2) 6 (CH 2) 3 OCOCH = CH 2, (CF 3) 2 CF (CF 2) 10 (CH 2) 3 OCOC (CH 3) = CH 2, CF 3 (CF 2) 4 CH (CH 3) OCOC (CH 3) = CH 2, CF 3 CH 2 OCH 2 CH 2 OCOCH = CH 2, C 2 F 5 (CH 2 CH 2 O) 2 CH 2 OCOCH = CH 2, (CF 3) 2 CFO (CH 2) 5 OCOCH = CH 2, CF 3 (CF 2) 4 OCH 2 CH 2 OCOC (CH 3) = CH 2, C 2 F 5 CON (C 2 H 5) CH 2 OCOCH = CH 2, CF 3 (CF 2) 2 CON (CH 3) CH (CH 3) CH 2 OCOCH = CH 2, H (CF 2) 6 C (C 2 H 5) OCOC (CH 3) = CH 2, H (CF 2) 8 CH 2 OCOCH = CH 2, H (CF 2) 4 CH 2 OCOCH = CH 2, H (CF 2) CH 2 OCOC (CH 3) = CH 2, CF 3 (CF 2 ) 7 SO 2 N (CH 3 ) CH 2 CH 2 OCOC (CH 3) = CH 2, CF 3 (CF 2) 7 SO 2 N (CH 3) (CH 2) 10 OCOCH = CH 2 , C 2 F 5 SO 2 N (C 2 H 5) CH 2 CH 2 OCOC (CH 3) = CH 2, CF 3 (CF 2) 7 SO 2 N (CH 3) (CH 2) 4 OCOCH = CH 2 , C 2 F 5 SO 2 N (C 2 H 5 ) C (C 2 H 5 ) HCH 2 OCOCH = CH 2 , and the like. These may be used alone, or two or more kinds may be used in combination.

구조식 (2) 또는 (3)으로 나타나는 플루오로알킬화 올레핀으로서는, 예를 들면, C3F7CH=CH2, C4F9CH=CH2, C10F21CH=CH2, C3F7OCF=CF2, C7F15OCF=CF2, C8F17OCF=CF2 등을 들 수 있다.As the fluoroalkyl represented by the structural formula (2) or (3) alkylating olefins, e.g., C 3 F 7 CH = CH 2, C 4 F 9 CH = CH 2, C 10 F 21 CH = CH 2, C 3 F 7 OCF = CF 2 , C 7 F 15 OCF = CF 2 , C 8 F 17 OCF = CF 2 , and the like.

구조식 (4) 또는 (5)로 나타나는 모노머로서는, 예를 들면, CH2=CHCOOCH2(CF2)3CH2OCOCH=CH2, CH2=CHCOOCH2(CF2)6CH2OCOCH=CH2, CH2=CHCOOCH2CH(CH2C8F17)OCOCH=CH2 등을 들 수 있다.As the monomer represented by the structural formula (4) or (5), for instance, CH 2 = CHCOOCH 2 (CF 2) 3 CH 2 OCOCH = CH 2, CH 2 = CHCOOCH 2 (CF 2) 6 CH 2 OCOCH = CH 2 , CH 2 = CHCOOCH 2 CH (CH 2 C 8 F 17 ) OCOCH = CH 2 , and the like.

불소 원자를 갖는 라디칼 중합성 모노머 또는 올리고머로서, 불소 원자를 갖는 반복 단위와, 라디칼 중합성 관능기를 갖는 반복 단위를 갖는 올리고머도 바람직하게 사용할 수 있다.As the radically polymerizable monomer or oligomer having a fluorine atom, an oligomer having a repeating unit having a fluorine atom and a repeating unit having a radically polymerizable functional group is also preferably used.

불소 원자를 갖는 반복 단위로서는, 하기 식 (6), (7) 및 (10)으로 나타나는 반복 단위 중 적어도 1종으로부터 선택되는 것이 바람직하다.The repeating unit having a fluorine atom is preferably selected from at least one kind of repeating units represented by the following formulas (6), (7) and (10).

[화학식 7](7)

Figure pct00007
Figure pct00007

식 (6) 중, R1, R2, R3, 및 R4는, 각각 독립적으로 수소 원자, 할로젠 원자, 수산기, 또는 1가의 유기기를 나타내고, R1, R2, R3, 및 R4 중 적어도 하나는, 불소 원자, 또는 불소 원자를 갖는 1가의 유기기이다.(6) of, R 1, R 2, R 3, and R 4 are, each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, or a monovalent organic group for, R 1, R 2, R 3, and R at least one 4 is a monovalent organic group having a fluorine atom, or a fluorine atom.

식 (7) 중, R5, R6, R7은, 각각 독립적으로 수소 원자, 할로젠 원자, 수산기, 또는 1가의 유기기를 나타내고, Y1은, 단결합, 또는 -CO-, -O-, -NH-, 2가의 지방족기, 2가의 방향족기 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가의 연결기를 나타낸다. Rf는, 불소 원자, 또는 불소 원자를 갖는 1가의 유기기를 나타낸다.In formula (7), R 5 , R 6 and R 7 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group or a monovalent organic group, Y 1 represents a single bond or a group represented by -CO-, , -NH-, a divalent aliphatic group, a divalent aromatic group, and a combination thereof. Rf represents a fluorine atom or a monovalent organic group having a fluorine atom.

식 (10) 중, R8, R9, R10, R11, R12, R13은, 각각 독립적으로 수소 원자, 할로젠 원자, 수산기, 또는 1가의 유기기를 나타내고, Y2 및 Y3은, 단결합, 또는 -CO-, -O-, -NH-, 2가의 지방족기, 2가의 방향족기 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가의 연결기를 나타낸다. Rf는, 불소 원자를 갖는 2가의 유기기를 나타낸다.Equation (10), R 8, R 9, R 10, R 11, R 12, R 13 are, each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, or one group monovalent organic to, Y 2 and Y 3 are , A single bond or a divalent linking group selected from the group consisting of -CO-, -O-, -NH-, a bivalent aliphatic group, a bivalent aromatic group, and combinations thereof. Rf represents a divalent organic group having a fluorine atom.

식 (6) 및 식 (7) 중의 불소 원자를 갖는 1가의 유기기로서는, 특별히 한정은 없지만, 탄소수 1~30의 함불소 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1~20이 보다 바람직하며, 탄소수 1~15의 함불소 알킬기가 특히 바람직하다. 이 함불소 알킬기는, 직쇄(예를 들면 -CF2CF3, -CH2(CF2)4H, -CH2(CF2)8CF3, -CH2CH2(CF2)4H 등)여도 되고, 분기 구조(예를 들면 -CH(CF3)2, -CH2CF(CF3)2, -CH(CH3)CF2CF3, -CH(CH3)(CF2)5CF2H 등)를 갖고 있어도 되며, 또 지환식 구조(바람직하게는 5원환 또는 6원환, 예를 들면 퍼플루오로사이클로헥실기, 퍼플루오로사이클로펜틸기 또는 이들로 치환된 알킬기 등)를 갖고 있어도 되고, 에터 결합(예를 들면, -CH2OCH2CF2CF3, -CH2CH2OCH2C4F8H, -CH2CH2OCH2CH2C8F17, -CH2CF2OCF2CF2OCF2CF2H 등)을 갖고 있어도 된다. 또, 퍼플루오로알킬기여도 된다.The monovalent organic group having a fluorine atom in the formulas (6) and (7) is not particularly limited, but is preferably a fluorinated alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, Of fluorinated alkyl groups are particularly preferred. The fluorinated alkyl group is a straight-chain (for example, -CF 2 CF 3, -CH 2 ( CF 2) 4 H, -CH 2 (CF 2) 8 CF 3, -CH 2 CH 2 (CF 2) 4 H , etc. ) being even, the branch structure (e.g. -CH (CF 3) 2, -CH 2 CF (CF 3) 2, -CH (CH 3) CF 2 CF 3, -CH (CH 3) (CF 2) 5 CF 2 H and the like), and may have an alicyclic structure (preferably a 5-membered ring or a 6-membered ring such as a perfluorocyclohexyl group, a perfluorocyclopentyl group or an alkyl group substituted with these) (E.g., -CH 2 OCH 2 CF 2 CF 3 , -CH 2 CH 2 OCH 2 C 4 F 8 H, -CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 C 8 F 17 , -CH 2 CF 2 OCF 2 CF 2 OCF 2 CF 2 H, etc.). It may also be a perfluoroalkyl group.

식 (10) 중의 불소 원자를 갖는 2가의 유기기로서는, 특별히 한정은 없지만, 탄소수 1~30의 함불소 알킬렌기가 바람직하고, 탄소수 1~20이 보다 바람직하며, 탄소수 1~15의 함불소 알킬렌기가 특히 바람직하다. 이 함불소 알킬렌기는, 직쇄(예를 들면 -CF2CF2-, -CH2(CF2)4-, -CH2(CF2)8CF2-, -CH2CH2(CF2)4- 등)여도 되고, 분기 구조(예를 들면 -CH(CF3)CF2-, -CH2CF(CF3)CF2-, -CH(CH3)CF2CF2-, -CH(CH3)(CF2)5CF2- 등)를 갖고 있어도 되며, 또 지환식 구조(바람직하게는 5원환 또는 6원환, 예를 들면 퍼플루오로사이클로헥실기, 퍼플루오로사이클로펜틸기 또는 이들로 치환된 알킬기 등)를 갖는 연결기여도 되고, 에터 결합(예를 들면 -CH2OCH2CF2CF2-, -CH2CH2OCH2C4F8-, -CH2CH2OCH2CH2C8F16-, -CH2CF2OCF2CF2OCF2CF2-, -CH2CF2OCF2CF2OCF2CF2-, 폴리퍼플루오로알킬렌에터쇄 등)을 갖고 있어도 된다. 또, 퍼플루오로알킬렌기여도 된다.The divalent organic group having a fluorine atom in formula (10) is not particularly limited, but is preferably a fluorinated alkylene group having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, a fluorinated alkyl group having 1 to 15 carbon atoms Rhenylene is particularly preferred. A fluorinated alkylene group, a straight-chain (for example, -CF 2 CF 2 -, -CH 2 (CF 2) 4 -, -CH 2 (CF 2) 8 CF 2 -, -CH 2 CH 2 (CF 2) 4 -, etc.), branched structures (for example, -CH (CF 3 ) CF 2 -, -CH 2 CF (CF 3 ) CF 2 -, -CH (CH 3 ) CF 2 CF 2 -, -CH CH 3) (CF 2) 5 CF 2 - which may have, etc.), and, again alicyclic structure (preferably, for a five-membered ring or 6-membered ring, such as perfluoro cyclohexyl group, perfluoro cyclo pentyl or their (E.g., -CH 2 OCH 2 CF 2 CF 2 -, -CH 2 CH 2 OCH 2 C 4 F 8 -, -CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 C 8 F 16 -, -CH 2 CF 2 OCF 2 CF 2 OCF 2 CF 2 -, -CH 2 CF 2 OCF 2 CF 2 OCF 2 CF 2 -, polyperfluoroalkylene ether chain, etc.) do. The perfluoroalkylene group may also be a perfluoroalkylene group.

식 (6), (7), (10) 중의 1가의 유기기는, 3~10가의 비금속 원자로 구성되는 유기기인 것이 바람직하고, 예를 들면, 1에서 60개까지의 탄소 원자, 0개에서 10개까지의 질소 원자, 0개에서 50개까지의 산소 원자, 1개에서 100개까지의 수소 원자, 및 0개에서 20개까지의 황 원자로부터 선택되는 적어도 1종 이상의 원소로 구성되는 유기기를 들 수 있다.The monovalent organic group in the formulas (6), (7) and (10) is preferably an organic group composed of 3 to 10 valent nonmetallic atoms and includes, for example, 1 to 60 carbon atoms, 0 to 10 An organic group composed of at least one element selected from the group consisting of nitrogen atoms from 0 to 50, oxygen atoms from 1 to 100, hydrogen atoms from 0 to 20, and sulfur atoms have.

보다 구체적인 예로서는, 하기의 구조가 단독 또는 복수 조합되어 구성되는 유기기를 들 수 있다.More specific examples include organic groups having the following structures singly or in combination.

1가의 유기기는, 치환기를 더 가져도 되며, 도입 가능한 치환기로서는, 예를 들면, 할로젠 원자, 하이드록시기, 카복시기, 설포나토기, 나이트로기, 사이아노기, 아미도기, 아미노기, 알킬기, 알켄일기, 알카인일기, 아릴기, 치환 옥시기, 치환 설폰일기, 치환 카보닐기, 치환 설핀일기, 설포기, 포스포노기, 포스포나토기, 실릴기, 복소환기 등을 들 수 있다. 또 유기기는, 에터 결합, 에스터 결합, 유레이도 결합을 포함하고 있어도 된다.The monovalent organic group may further have a substituent and examples of the substituent which can be introduced include a halogen atom, a hydroxyl group, a carboxy group, a sulfo group, a nitro group, a cyano group, an amido group, An alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, a substituted oxy group, a substituted sulfonyl group, a substituted carbonyl group, a substituted sulfonyl group, a sulfo group, a phosphono group, a phosphonato group, a silyl group and a heterocyclic group. The organic group may also include an ether bond, an ester bond, and a ureido bond.

1가의 유기기는, 알킬기, 알켄일기, 알카인일기, 아릴기가 바람직하다. 알킬기는, 탄소수 1~8의 알킬기인 것이 바람직하고, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 옥틸기, 아이소프로필기, t-뷰틸기, 아이소펜틸기, 2-에틸헥실기, 2-메틸헥실기, 사이클로펜틸기 등을 들 수 있다. 알켄일기, 탄소수 2~20의 알켄일기인 것이 바람직하고, 예를 들면, 바이닐기, 알릴기, 프렌일기, 제란일기, 올레일기 등을 들 수 있다. 알카인일기는, 탄소수 3~10의 알카인일기인 것이 바람직하고, 에타인일기, 프로파길기, 트라이메틸실릴에타인일기 등을 들 수 있다. 아릴기는, 탄소수 6~12의 아릴기인 것이 바람직하고, 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기 등을 들 수 있다. 또한, 헤테로환기는, 탄소수 2~10의 헤테로환기인 것이 바람직하고, 퓨란일기, 싸이오페닐기, 피리딘일기 등을 들 수 있다.The monovalent organic group is preferably an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group or an aryl group. The alkyl group is preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an octyl group, an isopropyl group, a t-butyl group, an isopentyl group, Hexyl group, and cyclopentyl group. An alkenyl group and an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, and examples thereof include a vinyl group, an allyl group, a furyl group, a geranyl group and an oleyl group. The alkanyl group is preferably an alkanyl group having 3 to 10 carbon atoms, and examples thereof include an ethynyl group, a propargyl group, and a trimethylsilylethynyl group. The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group, a 1-naphthyl group and a 2-naphthyl group. The heterocyclic group is preferably a heterocyclic group having 2 to 10 carbon atoms, and examples thereof include a furanyl group, a thiophenyl group, and a pyridinyl group.

식 (6) 중의 R1, R2, R3, 및 R4, 식 (7) 중, R5, R6, R7, 식 (10) 중, R8, R9, R10, R11, R12, R13으로 나타나는 1가의 유기기로서는, 알킬기 또는 아릴기가 바람직하다.In the formula (6) in the R 1, R 2, R 3 , and R 4, Equation (7), R 5, R 6, R 7, equation (10), R 8, R 9, R 10, R 11 , R 12 and R 13 is preferably an alkyl group or an aryl group.

알킬기의 예는, 탄소수 1~8의 알킬기인 것이 바람직하고, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 옥틸기, 아이소프로필기, tert-뷰틸기, 아이소펜틸기, 2-에틸헥실기, 2-메틸헥실기, 사이클로펜틸기 등을 들 수 있다. 아릴기의 예는, 탄소수 6~12의 아릴기인 것이 바람직하고, 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기 등을 들 수 있다. R901~R903으로서는, 그 중에서도, 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.Examples of the alkyl group are preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, ethyl group, propyl group, octyl group, isopropyl group, tert-butyl group, isopentyl group, -Methylhexyl group, and cyclopentyl group. The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group, a 1-naphthyl group and a 2-naphthyl group. As R 901 to R 903 , a hydrogen atom or a methyl group is particularly preferable.

식 (7) 중의 Y1 및, 식 (10) 중의 Y2 및 Y3으로 나타나는 -CO-, -O-, -NH-, 2가의 지방족기, 2가의 방향족기 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가의 연결기의 구체예를 이하에 든다. 또한, 하기 예에 있어서 좌측이 주쇄에 결합하고, 우측이 Rf에 결합한다.From the group consisting of -CO-, -O-, -NH-, bivalent aliphatic groups, bivalent aromatic groups and combinations thereof represented by Y 1 in the formula (7) and Y 2 and Y 3 in the formula (10) Specific examples of the divalent linking groups to be selected are described below. In the following example, the left side is bonded to the main chain and the right side is bonded to Rf.

L1: -CO-NH-2가의 지방족기-O-CO-NH-2가의 지방족기-O-CO-L1 is an aliphatic group of the -CO-NH-2 -O-CO-NH-2 aliphatic group -O-CO-

L2: -CO-NH-2가의 지방족기-O-CO-L2: -CO-NH-2 aliphatic group -O-CO-

L3: -CO-2가의 지방족기-O-CO-L3: -CO-2 aliphatic group -O-CO-

L4: -CO-O-2가의 지방족기-O-CO-L4: -CO-O-2 aliphatic group -O-CO-

L5: -2가의 지방족기-O-CO-L5: -valent aliphatic group -O-CO-

L6: -CO-NH-2가의 방향족기-O-CO-L6: -CO-NH-2 aromatic group -O-CO-

L7: -CO-2가의 방향족기-O-CO-L7: -CO-2 aromatic group -O-CO-

L8: -2가의 방향족기-O-CO-L8: -valent aromatic group -O-CO-

L9: -CO-O-2가의 지방족기-CO-O-2가의 지방족기-O-CO-L9: an aliphatic group of -CO-O-2, an aliphatic group of -CO-O-2,

L10: -CO-O-2가의 지방족기-O-CO-2가의 지방족기-O-CO-L10: an aliphatic group of -CO-O-2, an aliphatic group of -O-CO-2, an -O-

L11: -CO-O-2가의 방향족기-CO-O-2가의 지방족기-O-CO-L11 represents an aromatic group of -CO-O-2, -CO-O-2 represents an aliphatic group -O-CO-

L12: -CO-O-2가의 방향족기-O-CO-2가의 지방족기-O-CO-L12 represents an aromatic group of -CO-O-2, -O-CO-2 represents an aliphatic group -O-CO-

L13: -CO-O-2가의 지방족기-CO-O-2가의 방향족기-O-CO-L13: an aliphatic group of -CO-O-2, an aromatic group of -CO-O-2, -O-CO-

L14: -CO-O-2가의 지방족기-O-CO-2가의 방향족기-O-CO-L14: an aliphatic group of -CO-O-2, an aromatic group of -O-CO-2, -O-CO-

L15: -CO-O-2가의 방향족기-CO-O-2가의 방향족기-O-CO-L15 is an aromatic group of -CO-O-2, -CO-O-2 is an aromatic group of -O-CO-

L16: -CO-O-2가의 방향족기-O-CO-2가의 방향족기-O-CO-L16 represents an aromatic group of -CO-O-2, -O-CO-2 represents an aromatic group, -O-CO-

L17: -CO-O-2가의 방향족기-O-CO-NH-2가의 지방족기-O-CO-L17 represents an aromatic group of -CO-O-2, -O-CO-NH-2 represents an aliphatic group -O-CO-

L18: -CO-O-2가의 지방족기-O-CO-NH-2가의 지방족기-O-CO-L18 represents an aliphatic group of -CO-O-2, an aliphatic group of -O-CO-NH-2,

L19: -2가의 방향족기-2가의 지방족기L19: An aromatic group-bivalent aliphatic group

L20: -2가의 방향족기-2가의 지방족기-O-2가의 지방족기-L20: an aromatic group-having 2-valent aliphatic group -O-2 valent aliphatic group-

L21: -2가의 방향족기-2가의 지방족기-O-2가의 지방족기-O-L21: an aromatic group-having 2-valent aliphatic group -O-2 valent aliphatic group -O-

L22: -CO-O-2가의 지방족기-L22: -CO-O-2 Aliphatic group -

L23: -CO-O-2가의 지방족기-O-L23: -CO-O-2 Aliphatic group -O-

여기에서 2가의 지방족기란, 알킬렌기, 치환 알킬렌기, 알켄일렌기, 치환 알켄일렌기, 알카인일렌기, 치환 알카인일렌기 또는 폴리알킬렌옥시기를 의미한다. 그 중에서도 알킬렌기, 치환 알킬렌기, 알켄일렌기, 및 치환 알켄일렌기가 바람직하고, 알킬렌기 및 치환 알킬렌기가 더 바람직하다.Herein, the divalent aliphatic group means an alkylene group, a substituted alkylene group, an alkenylene group, a substituted alkenylene group, an alkenylene group, a substituted alkenylene group or a polyalkyleneoxy group. Among them, an alkylene group, a substituted alkylene group, an alkenylene group, and a substituted alkenylene group are preferable, and an alkylene group and a substituted alkylene group are more preferable.

2가의 지방족기는, 환상 구조보다 쇄상 구조가 바람직하고, 또한 분기를 갖는 쇄상 구조보다 직쇄상 구조가 바람직하다. 2가의 지방족기의 탄소 원자수는, 1~20인 것이 바람직하고, 1~15인 것이 보다 바람직하며, 1~12인 것이 더 바람직하고, 1~10인 것이 더욱 더 바람직하며, 1~8인 것이 보다 더 바람직하고, 1~4인 것이 특히 바람직하다.The divalent aliphatic group is preferably a chain structure rather than a cyclic structure and more preferably a straight chain structure rather than a branched chain structure. The number of carbon atoms of the divalent aliphatic group is preferably from 1 to 20, more preferably from 1 to 15, still more preferably from 1 to 12, still more preferably from 1 to 10, even more preferably from 1 to 8 Still more preferably 1 to 4 carbon atoms.

2가의 지방족기의 치환기의 예로서는, 할로젠 원자(F, Cl, Br, I), 하이드록시기, 카복시기, 아미노기, 사이아노기, 아릴기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카보닐기, 아릴옥시카보닐기, 아실옥시기, 모노알킬아미노기, 다이알킬아미노기, 아릴아미노기 및 다이아릴아미노기 등을 들 수 있다.Examples of the substituent of the divalent aliphatic group include a halogen atom (F, Cl, Br, I), a hydroxyl group, a carboxy group, an amino group, a cyano group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, An aryloxycarbonyl group, an acyloxy group, a monoalkylamino group, a dialkylamino group, an arylamino group, and a diarylamino group.

2가의 방향족기의 예로서는, 페닐렌기, 치환 페닐렌기, 나프탈렌기 및 치환 나프탈렌기를 들 수 있으며, 페닐렌기가 바람직하다. 2가의 방향족기의 치환기의 예로서는, 상기 2가의 지방족기의 치환기의 예에 더하여, 알킬기를 들 수 있다.Examples of the divalent aromatic group include a phenylene group, a substituted phenylene group, a naphthalene group and a substituted naphthalene group, and a phenylene group is preferable. Examples of the substituent of the divalent aromatic group include an alkyl group in addition to the examples of the substituent of the divalent aliphatic group.

불소 원자를 갖는 반복 단위의 함유량은, 불소 원자를 갖는 라디칼 중합성 올리고머의 전체 반복 단위에 대하여, 2몰%~98몰%인 것이 바람직하고, 10몰%~90몰%인 것이 보다 바람직하다.The content of the repeating unit having a fluorine atom is preferably from 2 mol% to 98 mol%, more preferably from 10 mol% to 90 mol%, based on the total repeating units of the fluorine atom-containing radically polymerizable oligomer.

라디칼 중합성 관능기를 갖는 반복 단위로서는, 하기 식 (8)로 나타나는 반복 단위가 바람직하다.The repeating unit having a radical polymerizable functional group is preferably a repeating unit represented by the following formula (8).

[화학식 8][Chemical Formula 8]

Figure pct00008
Figure pct00008

(일반식 (8)에 있어서, R801~R803은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 또는 할로젠 원자를 나타낸다. Y8은, 단결합, 또는 -CO-, -O-, -NH-, 2가의 지방족기, 2가의 방향족기 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가의 연결기를 나타낸다. T는 라디칼 중합성 관능기를 갖는 구조를 나타낸다.)(In the general formula (8), R 801 to R 803 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, or a halogen atom, and Y 8 represents a single bond or a group represented by -CO-, -O-, -NH -, a divalent aliphatic group, a divalent aromatic group, and a combination thereof, and T represents a structure having a radically polymerizable functional group.

R801~R803으로서의 알킬기는, 탄소수 1~6의 알킬기인 것이 바람직하다.The alkyl group as R 801 to R 803 is preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

T는 일반식 (9)로 나타나는 라디칼 중합성 관능기를 나타내는 것이 바람직하다.T is preferably a radical polymerizable functional group represented by the general formula (9).

[화학식 9][Chemical Formula 9]

Figure pct00009
Figure pct00009

(일반식 (9) 중, R901~R903은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. 점선은, Y8에 연결되는 기로의 결합을 나타낸다.)(In the general formula (9), R 901 to R 903 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, and the dotted line represents a bond to a group connected to Y 8 .

알킬기의 예는, 탄소수 1~8의 알킬기인 것이 바람직하고, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 옥틸기, 아이소프로필기, tert-뷰틸기, 아이소펜틸기, 2-에틸헥실기, 2-메틸헥실기, 사이클로펜틸기 등을 들 수 있다. 아릴기의 예는, 탄소수 6~12의 아릴기인 것이 바람직하고, 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기 등을 들 수 있다. R901~R903으로서는, 그 중에서도, 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.Examples of the alkyl group are preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, ethyl group, propyl group, octyl group, isopropyl group, tert-butyl group, isopentyl group, -Methylhexyl group, and cyclopentyl group. The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group, a 1-naphthyl group and a 2-naphthyl group. As R 901 to R 903 , a hydrogen atom or a methyl group is particularly preferable.

Y8은, 단결합, 또는 -CO-, -O-, -NH-, 2가의 지방족기, 2가의 방향족기 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가의 연결기를 나타낸다. 조합으로 이루어지는 Y8의 구체예를 이하에 든다. 또한, 하기 예에 있어서 좌측이 주쇄에 결합하고, 우측이 식 (9)에 결합한다.Y 8 represents a single bond or a divalent linking group selected from the group consisting of -CO-, -O-, -NH-, a bivalent aliphatic group, a bivalent aromatic group, and a combination thereof. A concrete example of Y 8 composed of a combination is shown below. In the following example, the left side is bonded to the main chain and the right side is bonded to the formula (9).

L1: -CO-NH-2가의 지방족기-O-CO-NH-2가의 지방족기-O-CO-L1 is an aliphatic group of the -CO-NH-2 -O-CO-NH-2 aliphatic group -O-CO-

L2: -CO-NH-2가의 지방족기-O-CO-L2: -CO-NH-2 aliphatic group -O-CO-

L3: -CO-2가의 지방족기-O-CO-L3: -CO-2 aliphatic group -O-CO-

L4: -CO-O-2가의 지방족기-O-CO-L4: -CO-O-2 aliphatic group -O-CO-

L5: -2가의 지방족기-O-CO-L5: -valent aliphatic group -O-CO-

L6: -CO-NH-2가의 방향족기-O-CO-L6: -CO-NH-2 aromatic group -O-CO-

L7: -CO-2가의 방향족기-O-CO-L7: -CO-2 aromatic group -O-CO-

L8: -2가의 방향족기-O-CO-L8: -valent aromatic group -O-CO-

L9: -CO-O-2가의 지방족기-CO-O-2가의 지방족기-O-CO-L9: an aliphatic group of -CO-O-2, an aliphatic group of -CO-O-2,

L10: -CO-O-2가의 지방족기-O-CO-2가의 지방족기-O-CO-L10: an aliphatic group of -CO-O-2, an aliphatic group of -O-CO-2, an -O-

L11: -CO-O-2가의 방향족기-CO-O-2가의 지방족기-O-CO-L11 represents an aromatic group of -CO-O-2, -CO-O-2 represents an aliphatic group -O-CO-

L12: -CO-O-2가의 방향족기-O-CO-2가의 지방족기-O-CO-L12 represents an aromatic group of -CO-O-2, -O-CO-2 represents an aliphatic group -O-CO-

L13: -CO-O-2가의 지방족기-CO-O-2가의 방향족기-O-CO-L13: an aliphatic group of -CO-O-2, an aromatic group of -CO-O-2, -O-CO-

L14: -CO-O-2가의 지방족기-O-CO-2가의 방향족기-O-CO-L14: an aliphatic group of -CO-O-2, an aromatic group of -O-CO-2, -O-CO-

L15: -CO-O-2가의 방향족기-CO-O-2가의 방향족기-O-CO-L15 is an aromatic group of -CO-O-2, -CO-O-2 is an aromatic group of -O-CO-

L16: -CO-O-2가의 방향족기-O-CO-2가의 방향족기-O-CO-L16 represents an aromatic group of -CO-O-2, -O-CO-2 represents an aromatic group, -O-CO-

L17: -CO-O-2가의 방향족기-O-CO-NH-2가의 지방족기-O-CO-L17 represents an aromatic group of -CO-O-2, -O-CO-NH-2 represents an aliphatic group -O-CO-

L18: -CO-O-2가의 지방족기-O-CO-NH-2가의 지방족기-O-CO-L18 represents an aliphatic group of -CO-O-2, an aliphatic group of -O-CO-NH-2,

여기에서 2가의 지방족기란, 알킬렌기, 치환 알킬렌기, 알켄일렌기, 치환 알켄일렌기, 알카인일렌기, 치환 알카인일렌기 또는 폴리알킬렌옥시기를 의미한다. 그 중에서도 알킬렌기, 치환 알킬렌기, 알켄일렌기, 및 치환 알켄일렌기가 바람직하고, 알킬렌기 및 치환 알킬렌기가 더 바람직하다.Herein, the divalent aliphatic group means an alkylene group, a substituted alkylene group, an alkenylene group, a substituted alkenylene group, an alkenylene group, a substituted alkenylene group or a polyalkyleneoxy group. Among them, an alkylene group, a substituted alkylene group, an alkenylene group, and a substituted alkenylene group are preferable, and an alkylene group and a substituted alkylene group are more preferable.

2가의 지방족기는, 환상 구조보다 쇄상 구조가 바람직하고, 또한 분기를 갖는 쇄상 구조보다 직쇄상 구조가 바람직하다. 2가의 지방족기의 탄소 원자수는, 1~20인 것이 바람직하고, 1~15인 것이 보다 바람직하며, 1~12인 것이 더 바람직하고, 1~10인 것이 더욱 더 바람직하며, 1~8인 것이 보다 더 바람직하고, 1~4인 것이 특히 바람직하다.The divalent aliphatic group is preferably a chain structure rather than a cyclic structure and more preferably a straight chain structure rather than a branched chain structure. The number of carbon atoms of the divalent aliphatic group is preferably from 1 to 20, more preferably from 1 to 15, still more preferably from 1 to 12, still more preferably from 1 to 10, even more preferably from 1 to 8 Still more preferably 1 to 4 carbon atoms.

2가의 지방족기의 치환기의 예로서는, 할로젠 원자(F, Cl, Br, I), 하이드록시기, 카복시기, 아미노기, 사이아노기, 아릴기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카보닐기, 아릴옥시카보닐기, 아실옥시기, 모노알킬아미노기, 다이알킬아미노기, 아릴아미노기 및 다이아릴아미노기 등을 들 수 있다.Examples of the substituent of the divalent aliphatic group include a halogen atom (F, Cl, Br, I), a hydroxyl group, a carboxy group, an amino group, a cyano group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, An aryloxycarbonyl group, an acyloxy group, a monoalkylamino group, a dialkylamino group, an arylamino group, and a diarylamino group.

2가의 방향족기의 예로서는, 페닐렌기, 치환 페닐렌기, 나프탈렌기 및 치환 나프탈렌기를 들 수 있으며, 페닐렌기가 바람직하다. 2가의 방향족기의 치환기의 예로서는, 상기 2가의 지방족기의 치환기의 예에 더하여, 알킬기를 들 수 있다.Examples of the divalent aromatic group include a phenylene group, a substituted phenylene group, a naphthalene group and a substituted naphthalene group, and a phenylene group is preferable. Examples of the substituent of the divalent aromatic group include an alkyl group in addition to the examples of the substituent of the divalent aliphatic group.

라디칼 중합성 관능기를 갖는 반복 단위의 함유량은, 불소 원자를 갖는 라디칼 중합성 올리고머의 전체 반복 단위에 대하여, 2몰%~98몰%인 것이 바람직하고, 10몰%~90몰%인 것이 보다 바람직하다.The content of the repeating unit having a radically polymerizable functional group is preferably from 2 mol% to 98 mol%, more preferably from 10 mol% to 90 mol%, based on the total repeating units of the fluoropolymerizable radically polymerizable oligomer Do.

불소 원자를 갖는 라디칼 중합성 올리고머의 젤 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC) 법에 의한 폴리스타이렌 환산의 중량 평균 분자량은, 2000~20000인 것이 바람직하고, 2000~15000이 보다 바람직하며, 2000~10000인 것이 가장 바람직하다.The weight average molecular weight of the radically polymerizable oligomer having a fluorine atom in terms of polystyrene as determined by gel permeation chromatography (GPC) is preferably 2,000 to 20,000, more preferably 2,000 to 15,000, and most preferably 2,000 to 10,000 desirable.

규소 원자를 갖는 라디칼 중합성 모노머 또는 올리고머는, 실리콘 모노머 또는 실리콘 올리고머인 것이 바람직하고, 예를 들면, 폴리다이메틸실록세인 결합의 적어도 편 말단이 (메트)아크릴로일기 및 스타이릴기 등의 에틸렌성 불포화기로 되어 있는 화합물을 들 수 있으며, (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물이 바람직하다.The radically polymerizable monomer or oligomer having a silicon atom is preferably a silicone monomer or a silicone oligomer. For example, at least one terminal of the polydimethylsiloxane bond may be an ethylene (meth) acryloyl group such as a Unsaturated group, and a compound having a (meth) acryloyl group is preferable.

규소 원자를 갖는 라디칼 중합성 올리고머의 젤 퍼미에이션 크로마토그래피법에 의한 폴리스타이렌 환산의 수평균 분자량은, 1,000~10,000인 것이 바람직하다.The number average molecular weight of a radically polymerizable oligomer having a silicon atom in terms of polystyrene determined by gel permeation chromatography is preferably 1,000 to 10,000.

규소 원자를 갖는 라디칼 중합성 모노머로서는, 일반식 (11) 또는 (12)로 나타나는 화합물이 바람직하다.As the radically polymerizable monomer having a silicon atom, a compound represented by the general formula (11) or (12) is preferable.

[화학식 10][Chemical formula 10]

Figure pct00010
Figure pct00010

(일반식 (11) 및 (12) 중, R11~R19는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 알콕시카보닐기, 또는 아릴기를 나타낸다. Z11, Z12, 및 Z13은, 각각 독립적으로, 라디칼 중합성기를 나타낸다. L11, L12, 및 L13은 각각 독립적으로, 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. n 및 m은, 각각 독립적으로 0 이상의 정수를 나타낸다.)(Formula (11) and (12) of, R 11 ~ R 19 are, each independently, represent a hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkoxycarbonyl group, or an aryl group. Z 11, Z 12, and Z 13 is L 11 , L 12 and L 13 each independently represent a single bond or a divalent linking group, and n and m each independently represent an integer of 0 or more.

일반식 (11) 및 (12) 중, R11~R19는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 알콕시카보닐기, 또는 아릴기를 나타낸다.In the general formulas (11) and (12), R 11 to R 19 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group or an aryl group.

알킬기는, 직쇄상이어도 되고, 분지쇄상이어도 되며, 탄소수 1~5의 알킬기인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기 등을 들 수 있다. 알콕시기는, -OR20을 의미하는 것이며, R20은 알킬기(바람직하게는 탄소수 1~5의 알킬기)를 나타내고, 구체적으로는, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 아이소프로폭시기, 뷰톡시기 등을 들 수 있다. 알콕시카보닐기는, -C(=O)R21을 의미하는 것이며, R21은 알콕시기(바람직하게는 탄소수 1~5의 알콕시기)를 나타내고, 구체적으로는, 메톡시카보닐, 에톡시카보닐, 프로폭시카보닐 등을 들 수 있다. 아릴기는, 페닐기, 톨릴기, 나프틸기 등을 들 수 있으며, 이들은 치환기를 갖고 있어도 되고, 페닐메틸(벤질)기, 페닐에틸기, 페닐프로필기, 페닐뷰틸기, 나프틸메틸기 등을 들 수 있다.The alkyl group may be linear, branched or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and specific examples thereof include a methyl group, ethyl group, n-propyl group and isopropyl group. The alkoxy group means -OR 20 , and R 20 represents an alkyl group (preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms), and specific examples thereof include a methoxy group, ethoxy group, propoxy group, isopropoxy group, And the like. The alkoxycarbonyl group means -C (= O) R 21 , and R 21 represents an alkoxy group (preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms), specifically, methoxycarbonyl, ethoxycarbonyl Propylcarbonyl, and the like. Examples of the aryl group include a phenyl group, a tolyl group and a naphthyl group. These groups may have a substituent. Examples of the aryl group include a phenylmethyl (benzyl) group, a phenylethyl group, a phenylpropyl group, a phenylbutyl group and a naphthylmethyl group.

L11, L12, 및 L13은 각각 독립적으로, 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. 2가의 연결기로서는, -CO-, -O-, -NH-, 2가의 지방족기, 2가의 방향족기 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가의 연결기를 나타낸다.L 11 , L 12 , and L 13 each independently represent a single bond or a divalent linking group. The divalent linking group is a divalent linking group selected from the group consisting of -CO-, -O-, -NH-, a bivalent aliphatic group, a bivalent aromatic group, and a combination thereof.

n 및 m은, 각각 독립적으로 0 이상의 정수를 나타내며, 0~100의 정수가 바람직하고, 0~50의 정수가 보다 바람직하다.n and m each independently represent an integer of 0 or more, preferably an integer of 0 to 100, more preferably an integer of 0 to 50.

Z11, Z12, 및 Z13은, 각각 독립적으로, 라디칼 중합성기를 나타내고, 하기 일반식 (i)~(iii) 중 어느 하나로 나타나는 관능기가 특히 바람직하다.Z 11 , Z 12 and Z 13 each independently represent a radical polymerizable group, and a functional group represented by any one of the following formulas (i) to (iii) is particularly preferable.

[화학식 11](11)

Figure pct00011
Figure pct00011

(일반식 (i) 중, R101~R103은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다. X101은, 산소 원자, 황 원자, 또는 -N(R104)-를 나타내고, R104는, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다.)(Wherein R 101 to R 103 each independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, X 101 represents an oxygen atom, a sulfur atom, or -N (R 104 ) -, and R 104 Represents a hydrogen atom or a monovalent organic group.)

일반식 (i)에 있어서, R101~R103은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다. R101은, 바람직하게는, 수소 원자 또는 치환기를 가져도 되는 알킬기 등을 들 수 있고, 그 중에서도, 수소 원자 및 메틸기는, 라디칼 반응성이 높은 점에서 바람직하다. 또, R102 및 R103은, 각각 독립적으로, 바람직하게는, 수소 원자, 할로젠 원자, 아미노기, 카복실기, 알콕시카보닐기, 설포기, 나이트로기, 사이아노기, 치환기를 가져도 되는 알킬기, 치환기를 가져도 되는 아릴기, 치환기를 가져도 되는 알콕시기, 치환기를 가져도 되는 아릴옥시기, 치환기를 가져도 되는 알킬아미노기, 치환기를 가져도 되는 아릴아미노기, 치환기를 가져도 되는 알킬설폰일기, 또는 치환기를 가져도 되는 아릴설폰일기를 나타내고, 그 중에서도, 수소 원자, 카복실기, 알콕시카보닐기, 치환기를 가져도 되는 알킬기, 치환기를 가져도 되는 아릴기가 라디칼 반응성이 높은 점에서 바람직하다.In the general formula (i), R 101 to R 103 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group. R 101 is preferably a hydrogen atom or an alkyl group which may have a substituent, and among these, a hydrogen atom and a methyl group are preferable because of high radical reactivity. R 102 and R 103 are each independently preferably a hydrogen atom, a halogen atom, an amino group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, a sulfo group, a nitro group, a cyano group, , An aryl group which may have a substituent, an alkoxy group which may have a substituent, an aryloxy group which may have a substituent, an alkylamino group which may have a substituent, an arylamino group which may have a substituent, , Or an arylsulfonyl group which may have a substituent, and among these, a hydrogen atom, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, an alkyl group which may have a substituent, and an aryl group which may have a substituent are preferable because of high radical reactivity.

X101은, 산소 원자, 황 원자, 또는 -N(R104)-를 나타내고, R104는, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다. 1가의 유기기로서는, 치환기를 가져도 되는 알킬기 등을 들 수 있다. R104가, 수소 원자, 메틸기, 에틸기, 또는 아이소프로필기인 것이, 라디칼 반응성이 높은 점에서 바람직하다.X 101 represents an oxygen atom, a sulfur atom, or -N (R 104 ) -, and R 104 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group. As the monovalent organic group, an alkyl group which may have a substituent may, for example, be mentioned. It is preferable that R 104 is a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, or an isopropyl group because of high radical reactivity.

도입할 수 있는 치환기로서는, 알킬기, 알켄일기, 알카인일기, 아릴기, 알콕시기, 아릴옥시, 할로젠 원자, 아미노기, 알킬아미노기, 아릴아미노기, 카복실기, 알콕시카보닐기, 설포기, 나이트로기, 사이아노기, 아미도기, 알킬설폰일기, 아릴설폰일기 등을 들 수 있다.Examples of the substituent which can be introduced include an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy, a halogen atom, an amino group, an alkylamino group, an arylamino group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, , A cyano group, an amido group, an alkylsulfonyl group, and an arylsulfonyl group.

[화학식 12][Chemical Formula 12]

Figure pct00012
Figure pct00012

(일반식 (ii) 중, R201~R205는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다. Y201은, 산소 원자, 황 원자, 또는 -N(R206)-을 나타낸다. R206은, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다.)(Wherein R 201 to R 205 each independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, Y 201 represents an oxygen atom, a sulfur atom, or -N (R 206 ) - R 206 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group.)

일반식 (ii)에 있어서, R201~R205는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다. R201~R205는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로젠 원자, 아미노기, 카복실기, 알콕시카보닐기, 설포기, 나이트로기, 사이아노기, 치환기를 가져도 되는 알킬기, 치환기를 가져도 되는 아릴기, 치환기를 가져도 되는 알콕시기, 치환기를 가져도 되는 아릴옥시기, 치환기를 가져도 되는 알킬아미노기, 치환기를 가져도 되는 아릴아미노기, 치환기를 가져도 되는 알킬설폰일기, 또는 치환기를 가져도 되는 아릴설폰일기인 것이 바람직하고, 수소 원자, 카복실기, 알콕시카보닐기, 치환기를 가져도 되는 알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 아릴기인 것이 보다 바람직하다.In formula (ii), R201 to R205 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group. R 201 to R 205 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an amino group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, a sulfo group, a nitro group, a cyano group, an alkyl group which may have a substituent, An aryloxy group which may have a substituent, an aryloxy group which may have a substituent, an alkylamino group which may have a substituent, an arylamino group which may have a substituent, an alkylsulfonyl group which may have a substituent, , And more preferably an aryl group which may have a hydrogen atom, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, an alkyl group which may have a substituent, or a substituent.

도입할 수 있는 치환기로서는, 일반식 (i)에서 기재한 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.The substituent which can be introduced includes the same substituents as those described in the general formula (i).

Y201은, 산소 원자, 황 원자, 또는 -N(R206)-을 나타낸다. R206은, 일반식 (i)의 R104와 동의이며, 바람직한 예도 동일하다.Y 201 represents an oxygen atom, a sulfur atom, or -N (R 206 ) -. R 206 is synonymous with R 104 in formula (i), and preferred examples are also the same.

[화학식 13][Chemical Formula 13]

Figure pct00013
Figure pct00013

(일반식 (iii) 중, R301~R303은, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다. Z301은, 산소 원자, 황 원자, -N(R304)- 또는 치환기를 가져도 되는 페닐렌기를 나타낸다. R304는, 일반식 (i)의 R104와 동의이다.)(In the general formula (iii), R 301 to R 303 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, and Z 301 represents an oxygen atom, a sulfur atom, -N (R 304 ) R 304 is the same as R 104 in the general formula (i).)

일반식 (iii)에 있어서, R301~R303은, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다. R301은, 수소 원자, 또는 치환기를 가져도 되는 알킬기인 것이 바람직하고, 그 중에서도, 수소 원자, 또는 메틸기인 것이, 라디칼 반응성이 높은 점에서 보다 바람직하다. R302 및 R303은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로젠 원자, 아미노기, 카복실기, 알콕시카보닐기, 설포기, 나이트로기, 사이아노기, 치환기를 가져도 되는 알킬기, 치환기를 가져도 되는 아릴기, 치환기를 가져도 되는 알콕시기, 치환기를 가져도 되는 아릴옥시기, 치환기를 가져도 되는 알킬아미노기, 치환기를 가져도 되는 아릴아미노기, 치환기를 가져도 되는 알킬설폰일기, 또는 치환기를 가져도 되는 아릴설폰일기인 것이 바람직하고, 수소 원자, 카복실기, 알콕시카보닐기, 치환기를 가져도 되는 알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 아릴기인 것이, 라디칼 반응성이 높은 점에서 보다 바람직하다.In formula (iii), R 301 to R 303 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group. R 301 is preferably a hydrogen atom or an alkyl group which may have a substituent, and among them, a hydrogen atom or a methyl group is more preferable because of high radical reactivity. R 302 and R 303 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an amino group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, a sulfo group, a nitro group, a cyano group, an alkyl group which may have a substituent, An aryloxy group which may have a substituent, an aryloxy group which may have a substituent, an alkylamino group which may have a substituent, an arylamino group which may have a substituent, an alkylsulfonyl group which may have a substituent, And more preferably an aryl group which may have a hydrogen atom, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, an alkyl group which may have a substituent, or an aryl group which may have a substituent, from the viewpoint of high radical reactivity.

도입할 수 있는 치환기로서는, 일반식 (i)에서 기재한 치환기와 동일한 것을 들 수 있다. Z301은, 산소 원자, 황 원자, -N(R304)- 또는 치환기를 가져도 되는 페닐렌기를 나타낸다. R304는, 일반식 (i)의 R104와 동의이며, 1가의 유기기로서는, 치환기를 가져도 되는 알킬기 등을 들 수 있고, 그 중에서도, 메틸기, 에틸기, 및 아이소프로필기가 라디칼 반응성이 높은 점에서 바람직하다.The substituent which can be introduced includes the same substituents as those described in the general formula (i). Z 301 represents an oxygen atom, a sulfur atom, -N (R 304 ) - or a phenylene group which may have a substituent. R 304 is the same as R 104 in the general formula (i), and examples of the monovalent organic group include an alkyl group which may have a substituent. Among them, the methyl group, the ethyl group and the isopropyl group have a high radical reactivity .

이형제가 규소 원자를 갖는 라디칼 중합성 모노머 또는 올리고머를 갖는 경우, 규소 원자를 갖는 라디칼 중합성 모노머 또는 올리고머의 함유량은, 이형제의 전체 고형분에 대하여, 0.01~15질량%가 바람직하다. 0.01질량% 이상이면, 충분한 박리성이 얻어진다. 15질량% 이하이면, 충분한 접착력이 얻어진다. 규소 원자를 갖는 라디칼 중합성 모노머 또는 올리고머는 1종류만이어도 되고, 2종류 이상이어도 된다. 규소 원자를 갖는 라디칼 중합성 모노머 또는 올리고머가 2종류 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.When the releasing agent has a radically polymerizable monomer or oligomer having a silicon atom, the content of the radically polymerizable monomer or oligomer having a silicon atom is preferably 0.01 to 15% by mass relative to the total solid content of the releasing agent. If it is 0.01% by mass or more, sufficient peeling property can be obtained. If it is 15 mass% or less, sufficient adhesion can be obtained. The radically polymerizable monomer or oligomer having a silicon atom may be only one kind or two or more kinds. When two or more types of radically polymerizable monomers or oligomers having a silicon atom are contained, the total amount is preferably in the above range.

불소 원자 또는 실리콘 원자를 갖는 라디칼 중합성 모노머로서는, 예를 들면, DIC 가부시키가이샤제의 RS-75, RS-72-K, RS-76-E, RS-72-K, 다이킨 고교 가부시키가이샤제의 옵툴 DAC-HP(불소계 실레인 커플링제), 신에쓰 가가쿠 고교 가부시키가이샤제의 X-22-164, X-22-164AS, X-22-164A, X-22-164B, X-22-164C, X-22-164E, 다이셀·사이텍 가부시키가이샤제의 EBECRYL350, EBECRYL1360, 데구사사제의 TEGORad2700, UV-3500B(BYK사제) 등도 예시된다.Examples of the radically polymerizable monomer having a fluorine atom or a silicon atom include RS-75, RS-72-K, RS-76-E, RS-72-K manufactured by DIC K.K. X-22-164AS, X-22-164A, X-22-164B, X-22-164B manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., fluorine-based silane coupling agents, -22-164C, X-22-164E, EBECRYL 350 and EBECRYL 1360 manufactured by Daicel-Cytech Corporation, TEGORAD 2700 and UV-3500B (manufactured by BYK) manufactured by Degussa.

불소 원자 또는 실리콘 원자를 갖는 재료로서는, 상술한 것 외에, 헵타데카플루오로-1,1,2-테트라하이드라데실)트라이클로로실레인, (플루오로)알킬포스포네이트, 불화 파릴렌, 실리콘아크릴레이트 코폴리머, 테트라플루오로에틸렌 및 2,2-비스-트라이플루오로메틸-4,5-다이플루오로-1,3-다이옥솔의 코폴리머류, 펜던트퍼플루오로알콕시기를 갖는 폴리머, 불화 에틸렌-프로필렌 코폴리머 등을 들 수 있다.As the material having a fluorine atom or a silicon atom, in addition to the above, heptadecafluoro-1,1,2-tetrahydradecyl) trichlorosilane, (fluoro) alkylphosphonate, parylene fluoride, silicon Acrylate copolymers, copolymers of tetrafluoroethylene and 2,2-bis-trifluoromethyl-4,5-difluoro-1,3-dioxole, polymers having pendant perfluoroalkoxy groups, Ethylene-propylene copolymers, and the like.

<<<<비열경화성의 화합물>>>><<<< Non-thermosetting compounds >>>>

비열경화성의 화합물로서는, 비중합성의 불소 원자를 갖는 고분자 화합물이 바람직하다. 비중합성의 불소 원자를 갖는 고분자 화합물로서는, 1종 또는 2종 이상의 함불소 단관능 모노머로 이루어지는 중합체를 바람직하게 사용할 수 있다. 보다 구체적으로는, 테트라플루오로에틸렌, 헥사플루오로프로펜, 테트라플루오로에틸렌옥사이드, 헥사플루오로프로펜옥사이드, 퍼플루오로알킬바이닐에터, 클로로트라이플루오로에틸렌, 바이닐리덴플루오라이드, 퍼플루오로알킬기 함유 (메트)아크릴산 에스터로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 함불소 단관능 모노머의 단독 중합체 또는 이들 모노머의 공중합체, 함불소 단관능 모노머의 1종 또는 2종 이상과 에틸렌의 공중합체, 함불소 단관능 모노머의 1종 또는 2종 이상과 클로로트라이플루오로에틸렌의 공중합체로부터 선택되는 적어도 1종의 함불소 수지 등을 들 수 있다.As the non-thermosetting compound, a polymer compound having a non-polymerizable fluorine atom is preferable. As the polymer compound having a non-polymerizable fluorine atom, a polymer composed of one kind or two or more kinds of fluorine monofunctional monomers can be preferably used. More specifically, there may be mentioned tetrafluoroethylene, hexafluoropropene, tetrafluoroethylene oxide, hexafluoropropene oxide, perfluoroalkyl vinyl ether, chlorotrifluoroethylene, vinylidene fluoride, purple (Meth) acrylic acid ester containing at least one fluoroalkyl group, a fluoroalkyl group-containing (meth) acrylic acid ester, and a fluoroalkyl group-containing (meth) acrylate ester, or copolymers of these monomers, , At least one fluorinated resin selected from a copolymer of one or more fluorinated monofunctional monomers and chlorotrifluoroethylene, and the like.

비중합성의 불소 원자를 갖는 고분자 화합물로서는, 퍼플루오로알킬기 함유 (메트)아크릴산 에스터로부터 합성할 수 있는 퍼플루오로알킬기 함유의 (메트)아크릴 수지인 것이 바람직하다.The polymer compound having a non-polymerizable fluorine atom is preferably a (meth) acrylic resin containing a perfluoroalkyl group, which can be synthesized from a perfluoroalkyl group-containing (meth) acrylic acid ester.

퍼플루오로알킬기 함유 (메트)아크릴산 에스터로서는, 구체적으로는 하기 식 (101)로 나타나는 화합물인 것이 바람직하다.As the (meth) acrylic acid ester containing a perfluoroalkyl group, specifically, it is preferably a compound represented by the following formula (101).

식 (101)(101)

[화학식 14][Chemical Formula 14]

Figure pct00014
Figure pct00014

일반식 (101) 중, R101, R102, R103은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 또는 할로젠 원자를 나타낸다. Y101은, 단결합, 또는 -CO-, -O-, -NH-, 2가의 지방족기, 2가의 방향족기 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가의 연결기를 나타낸다. Rf는 불소 원자 또는 불소 원자를 적어도 하나 갖는 1가의 유기기이다.In the general formula (101), R 101 , R 102 and R 103 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, or a halogen atom. Y 101 represents a single bond or a divalent linking group selected from the group consisting of -CO-, -O-, -NH-, a bivalent aliphatic group, a bivalent aromatic group and a combination thereof. Rf is a monovalent organic group having at least one of a fluorine atom and a fluorine atom.

일반식 (101) 중, R101, R102, R103으로 나타나는 알킬기의 예는, 탄소수 1~8의 알킬기인 것이 바람직하고, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 옥틸기, 아이소프로필기, tert-뷰틸기, 아이소펜틸기, 2-에틸헥실기, 2-메틸헥실기, 사이클로펜틸기 등을 들 수 있다. 아릴기의 예는, 탄소수 6~12의 아릴기인 것이 바람직하고, 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기 등을 들 수 있다. R101~R103으로서는, 그 중에서도, 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.Examples of the alkyl group represented by R 101 , R 102 and R 103 in the general formula (101) are preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an octyl group, , a tert-butyl group, an isopentyl group, a 2-ethylhexyl group, a 2-methylhexyl group, and a cyclopentyl group. The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group, a 1-naphthyl group and a 2-naphthyl group. As R 101 to R 103 , a hydrogen atom or a methyl group is particularly preferable.

Y101은, 단결합, 또는 -CO-, -O-, -NH-, 2가의 지방족기, 2가의 방향족기 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가의 연결기를 나타내며, 2가의 지방족기는, 환상 구조보다 쇄상 구조가 바람직하고, 또한 분기를 갖는 쇄상 구조보다 직쇄상 구조가 바람직하다. 2가의 지방족기의 탄소 원자수는, 1~20인 것이 바람직하고, 1~15인 것이 보다 바람직하며, 1~12인 것이 더 바람직하고, 1~10인 것이 더욱 더 바람직하며, 1~8인 것이 보다 더 바람직하고, 1~4인 것이 특히 바람직하다.Y 101 represents a single bond or a divalent linking group selected from the group consisting of -CO-, -O-, -NH-, a bivalent aliphatic group, a bivalent aromatic group and a combination thereof, A chain structure is preferable to a cyclic structure, and a straight chain structure is preferable to a chain structure having a branch. The number of carbon atoms of the divalent aliphatic group is preferably from 1 to 20, more preferably from 1 to 15, still more preferably from 1 to 12, still more preferably from 1 to 10, even more preferably from 1 to 8 Still more preferably 1 to 4 carbon atoms.

2가의 방향족기의 예로서는, 페닐렌기, 치환 페닐렌기, 나프탈렌기 및 치환 나프탈렌기를 들 수 있으며, 페닐렌기가 바람직하다.Examples of the divalent aromatic group include a phenylene group, a substituted phenylene group, a naphthalene group and a substituted naphthalene group, and a phenylene group is preferable.

Y101로서는, 2가의 직쇄상 구조의 지방족기인 것이 바람직하다.As Y 101 , it is preferable that the Y 101 is an aliphatic group having a bivalent straight-chain structure.

Rf로 나타나는, 불소 원자를 갖는 1가의 유기기로서는, 특별히 한정은 없지만, 탄소수 1~30의 함불소 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1~20이 보다 바람직하며, 탄소수 1~15의 함불소 알킬기가 특히 바람직하다. 이 함불소 알킬기는, 직쇄{예를 들면 -CF2CF3, -CH2(CF2)4H, -CH2(CF2)8CF3, -CH2CH2(CF2)4H 등}여도 되고, 분기 구조{예를 들면 -CH(CF3)2, -CH2CF(CF3)2, -CH(CH3)CF2CF3, -CH(CH3)(CF2)5CF2H 등}를 갖고 있어도 되며, 또 지환식 구조(바람직하게는 5원환 또는 6원환, 예를 들면 퍼플루오로사이클로헥실기, 퍼플루오로사이클로펜틸기 또는 이들로 치환된 알킬기 등)를 갖고 있어도 되고, 에터 결합(예를 들면 -CH2OCH2CF2CF3, -CH2CH2OCH2C4F8H, -CH2CH2OCH2CH2C8F17, -CH2CF2OCF2CF2OCF2CF2H 등)을 갖고 있어도 된다. 또, 퍼플루오로알킬기여도 된다.The monovalent organic group having a fluorine atom represented by Rf is not particularly limited, but is preferably a fluorinated alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably a fluorinated alkyl group having 1 to 15 carbon atoms desirable. The fluorinated alkyl group is a straight chain {e.g. -CF 2 CF 3, -CH 2 ( CF 2) 4 H, -CH 2 (CF 2) 8 CF 3, -CH 2 CH 2 (CF 2) 4 H , etc. }, and even, for example, {branch structure -CH (CF 3) 2, -CH 2 CF (CF 3) 2, -CH (CH 3) CF 2 CF 3, -CH (CH 3) (CF 2) 5 CF 2 H, etc.), and may have an alicyclic structure (preferably, a 5-membered ring or a 6-membered ring such as a perfluorocyclohexyl group, a perfluorocyclopentyl group, (E.g., -CH 2 OCH 2 CF 2 CF 3 , -CH 2 CH 2 OCH 2 C 4 F 8 H, -CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 C 8 F 17 , -CH 2 CF 2 OCF 2 CF 2 OCF 2 CF 2 H, etc.). It may also be a perfluoroalkyl group.

퍼플루오로알킬기 함유 (메트)아크릴 수지는, 하기 식 (102)로 나타나는 반복 단위를 갖는 것이 바람직하다.The (meth) acrylic resin having a perfluoroalkyl group preferably has a repeating unit represented by the following formula (102).

식 (102)Equation (102)

[화학식 15][Chemical Formula 15]

Figure pct00015
Figure pct00015

일반식 (102) 중, R101, R102, R103, Y101, Rf는 각각, 일반식 (101)과 동의이며, 바람직한 양태도 동의이다.In the general formula (102), R 101 , R 102 , R 103 , Y 101 and Rf each are the same as in the general formula (101), and the preferred embodiments are also synonymous.

퍼플루오로알킬기 함유 (메트)아크릴 수지는, 박리성의 관점에서 임의로 퍼플루오로알킬기 함유 (메트)아크릴산 에스터에 더하여, 공중합 성분을 선택할 수 있다. 공중합 성분을 형성할 수 있는 라디칼 중합성 화합물로서는, 예를 들면, 아크릴산 에스터류, 메타크릴산 에스터류, N,N-2치환 아크릴아마이드류, N,N-2치환 메타크릴아마이드류, 스타이렌류, 아크릴로나이트릴류, 메타크릴로나이트릴류 등으로부터 선택되는 라디칼 중합성 화합물을 들 수 있다.The (meth) acrylic resin containing a perfluoroalkyl group may optionally be selected from copolymerized components in addition to the (meth) acrylic acid ester containing a perfluoroalkyl group, in view of releasability. Examples of the radical polymerizable compound capable of forming a copolymerization component include acrylic acid esters, methacrylic acid esters, N, N-2 substituted acrylamides, N, N-2 substituted methacrylamides, styrene , Acrylonitrile, methacrylonitrile, and the like can be given.

보다 구체적으로는, 예를 들면, 알킬아크릴레이트(알킬기의 탄소 원자수는 1~20인 것이 바람직함) 등의 아크릴산 에스터류, (예를 들면, 아크릴산 메틸, 아크릴산 에틸, 아크릴산 프로필, 아크릴산 뷰틸, 아크릴산 아밀, 아크릴산 에틸헥실, 아크릴산 옥틸, 아크릴산-t-옥틸, 클로로에틸아크릴레이트, 2,2-다이메틸하이드록시프로필아크릴레이트, 5-하이드록시펜틸아크릴레이트, 트라이메틸올프로페인모노아크릴레이트, 펜타에리트리톨모노아크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 메톡시벤질아크릴레이트, 퓨퓨릴아크릴레이트, 테트라하이드로퓨퓨릴아크릴레이트 등), 아릴아크릴레이트(예를 들면, 페닐아크릴레이트 등), 알킬메타크릴레이트(알킬기의 탄소 원자는 1~20인 것이 바람직함) 등의 메타크릴산 에스터류(예를 들면, 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, 프로필메타크릴레이트, 아이소프로필메타크릴레이트, 아밀메타크릴레이트, 헥실메타크릴레이트, 사이클로헥실메타크릴레이트, 벤질메타크릴레이트, 클로로벤질메타크릴레이트, 옥틸메타크릴레이트, 4-하이드록시뷰틸메타크릴레이트, 5-하이드록시펜틸메타크릴레이트, 2,2-다이메틸-3-하이드록시프로필메타크릴레이트, 트라이메틸올프로페인모노메타크릴레이트, 펜타에리트리톨모노메타크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, 퓨퓨릴메타크릴레이트, 테트라하이드로퓨퓨릴메타크릴레이트 등), 아릴메타크릴레이트(예를 들면, 페닐메타크릴레이트, 크레실메타크릴레이트, 나프틸메타크릴레이트 등), 스타이렌, 알킬스타이렌 등의 스타이렌(예를 들면, 메틸스타이렌, 다이메틸스타이렌, 트라이메틸스타이렌, 에틸스타이렌, 다이에틸스타이렌, 아이소프로필스타이렌, 뷰틸스타이렌, 헥실스타이렌, 사이클로헥실스타이렌, 데실스타이렌, 벤질스타이렌, 클로로메틸스타이렌, 트라이플루오로메틸스타이렌, 에톡시메틸스타이렌, 아세톡시메틸스타이렌 등), 알콕시스타이렌(예를 들면, 메톡시스타이렌, 4-메톡시-3-메틸스타이렌, 다이메톡시스타이렌 등), 할로젠스타이렌(예를 들면, 클로로스타이렌, 다이클로로스타이렌, 트라이클로로스타이렌, 테트라클로로스타이렌, 펜타클로로스타이렌, 브로모스타이렌, 다이브로모스타이렌, 아이오도스타이렌, 플루오로스타이렌, 트라이플루오로스타이렌, 2-브로모-4-트라이플루오로메틸스타이렌, 4-플루오로-3-트라이플루오로메틸스타이렌 등), 아크릴로나이트릴, 메타크릴로나이트릴아크릴산, 카복실산을 함유하는 라디칼 중합성 화합물(아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 크로톤산, 아이소크로톤산, 말레산, p-카복실스타이렌, 및 이들 산기의 금속염, 암모늄염 화합물 등)을 들 수 있다. 박리성의 관점에서 특히, 탄소수 1~24의 탄화 수소기를 갖는 (메트)아크릴산 에스터가 바람직하고, 예를 들면 (메트)아크릴산의 메틸, 뷰틸, 2-에틸헥실, 라우릴, 스테아릴, 글리시딜에스터 등을 들 수 있으며, 2-에틸헥실, 라우릴, 스테아릴 등의 고급 알코올의 (메트)아크릴레이트, 특히 아크릴레이트가 바람직하다.More specifically, for example, acrylic acid esters such as alkyl acrylate (preferably the number of carbon atoms in the alkyl group is from 1 to 20), (e.g., methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, Amyl acrylate, ethylhexyl acrylate, octyl acrylate, t-octyl acrylate, chloroethyl acrylate, 2,2-dimethylhydroxypropyl acrylate, 5-hydroxypentyl acrylate, trimethylolpropane monoacrylate, (For example, phenylacrylate and the like), pentaerythritol monoacrylate, glycidyl acrylate, benzyl acrylate, methoxybenzyl acrylate, furfuryl acrylate, and tetrahydrofurfuryl acrylate) , And alkyl methacrylates (preferably, the alkyl group has 1 to 20 carbon atoms) (for example, methyl methacrylate Acrylate, isobutyl methacrylate, ethyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, isopropyl methacrylate, amyl methacrylate, hexyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, benzyl methacrylate, chlorobenzyl methacrylate, , 4-hydroxybutyl methacrylate, 5-hydroxypentyl methacrylate, 2,2-dimethyl-3-hydroxypropyl methacrylate, trimethylolpropane monomethacrylate, pentaerythritol monomethacrylate (Methacrylic acid, methacrylic acid, methacrylic acid, methacrylic acid, methacrylic acid, methacrylic acid, methacrylic acid, And the like), styrenes such as styrene and alkylstyrene (e.g., methylstyrene, dimethylstyrene, trimethylstyrene, ethylstyrene, Butylene styrene, isoprene styrene, isoprene, styrene, butylene, diene, styrene, isobutylene, styrene, , Acetoxymethylstyrene, etc.), alkoxystyrene (e.g., methoxystyrene, 4-methoxy-3-methylstyrene, dimethoxystyrene and the like), halogensilane (e.g., But are not limited to, chlorostyrene, chlorostyrene, dichlorostyrene, dichlorostyrene, trichlorostyrene, tetrachlorostyrene, pentachlorostyrene, bromostyrene, dibromostyrene, iodostyrene, fluorostyrene, 2-bromo-4-trifluoromethylstyrene, 4-fluoro-3-trifluoromethylstyrene, etc.), acrylonitrile, methacrylonitrile acrylic acid, and carboxylic acid There may be mentioned water (acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, isocrotonic acid, maleic acid, p- carboxyl styrene, and the metal salt, ammonium salt compounds of these acid groups, etc.). (Meth) acrylic acid esters having a hydrocarbon group of 1 to 24 carbon atoms are particularly preferred from the viewpoint of releasability, and examples thereof include methyl, butyl, 2-ethylhexyl, lauryl, stearyl, glycidyl And (meth) acrylates of higher alcohols such as 2-ethylhexyl, lauryl, stearyl and the like, especially acrylates, are preferred.

비중합성의 불소 원자를 갖는 고분자 화합물로서, 시판되고 있는 것으로서는, 테플론(등록상표)(듀폰사), 테프젤(듀폰사), 플루온(아사히 글라스사), 헤일러(SolvaySolexis사), 하일러(SolvaySolexis사), 루미플론(아사히 글라스사), 아플라스(아사히 글라스사), 세프럴 소프트(센트럴 글라스사), 세프럴 코트(센트럴 글라스사) 등의 불소 수지, 바이톤(듀폰사), 칼레츠(듀폰사), SIFEL(신에쓰 가가쿠 고교사) 등의 상표명의 불소 고무, 크라이톡스(듀폰사), 폼블린(다이토쿠 테크사), 뎀넘(다이킨 고교사) 등의 퍼플루오로폴리에터 오일을 비롯한 각종 불소 오일이나, 다이프리 FB962 등의 다이프리 FB 시리즈(다이킨 고교사), 메가팍 시리즈(DIC사) 등의 상표명의 불소 함유 이형제 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니며, 비중합성의 불소 원자를 갖는 고분자 화합물이면 어떠한 것이라도 적합하게 사용할 수 있다.As a polymer compound having a non-polymerizable fluorine atom, commercially available products include Teflon (registered trademark) (DuPont), Teflon (DuPont), Fluon (Asahi Glass Co.), Hyler (Solvay Solexis) (DuPont), fluoropolymers such as Lumipulon (Asahi Glass Co.), Arplight (Asahi Glass Co.), Sepharose Soft (Central Glass Co.) Perfluorooctanes such as fluororubber of trade names such as Calretz (Du Pont) and SIFEL (Shin-Etsuga Kagaku Kogyo), Krytox (DuPont), Pombulin (Daitoku Tech), and Dhamnum Fluorine oils including polyether oils, fluorine-containing mold release agents such as Daihof FB Series (Daikin Kogyu Co., Ltd.) and Megapak Series (DIC Co., Ltd.) such as DaiFree FB962, and the like. But are not limited to, polymer compounds having non-polymerizable fluorine atoms If any can also be suitably used would.

특히, DIC사제 메가팍 시리즈의 F-251, F-281, F-477, F-553, F-554, F-555, F-556, F-557, F-558, F-559, F-560, F-561, F-563, F-565, F-567, F-568, F-571, R-40, R-41, R-43, R-94나, 네오스사제 프터젠트 시리즈의 710F, 710FM, 710FS, 730FL, 730LM을 바람직하게 사용할 수 있다.Particularly, F-251, F-281, F-477, F-553, F-554, F-555, F-556, F-557, F- F-565, F-567, F-568, F-571, R-40, R-41, R-43 and R-94 manufactured by Neos Co., , 710FM, 710FS, 730FL, and 730LM can be preferably used.

비중합성의 불소 원자를 갖는 고분자 화합물의 중량 평균 분자량은, 2000~100000이 바람직하고, 2000~50000이 보다 바람직하며, 2000~10000이 가장 바람직하다.The weight average molecular weight of the polymer compound having a non-polymerizable fluorine atom is preferably from 2,000 to 100,000, more preferably from 2,000 to 50,000, and most preferably from 2,000 to 10,000.

<<<다른 성분>>><<< Other Ingredients >>>

이형층은, 이형제에 더하여, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 목적에 따라 다양한 화합물을 더 포함할 수 있다. 예를 들면, 열중합 개시제, 증감 색소, 연쇄 이동제, 산화 방지제, 계면활성제를 바람직하게 사용할 수 있다. 이들은, 상술한 접착 필름에서 설명한 것을 이용할 수 있다.In addition to the release agent, the releasing layer may further contain various compounds depending on the purpose insofar as the effect of the present invention is not impaired. For example, a thermal polymerization initiator, a sensitizing dye, a chain transfer agent, an antioxidant, and a surfactant can be preferably used. These may be those described in the above-mentioned adhesive films.

<가접착용 적층체의 제조 방법>&Lt; Method for producing laminate for adhesion &gt;

다음으로, 본 발명의 가접착용 적층체의 제조 방법에 대하여 설명한다.Next, a method of manufacturing the adhesive laminate of the present invention will be described.

본 발명의 가접착용 적층체의 제조 방법은, 상술한 접착 필름의 표면에, 불소 원자 및 규소 원자로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 이형제를 포함하는 이형층을 형성하는 공정을 포함한다.The method for producing a laminate for adhesion of the present invention comprises a step of forming a release layer comprising a release agent containing at least one selected from a fluorine atom and a silicon atom on the surface of the above-mentioned adhesive film.

<<접착 필름의 제조 방법>>&Lt; Production method of adhesive film &gt;

접착 필름은, 종래 공지의 방법에 의하여 제조할 수 있다. 예를 들면, 용융 제막법, 용액 제막법 등에 의하여 제조할 수 있다. 바람직하게는 용융 제막법이다. 용융 제막법이면, 평탄성을 유지하면서 후(厚)막화가 가능하다. 나아가서는, 용제에 용해하기 어려운 폴리머 성분이나 그 외의 첨가제를 사용할 수도 있어, 재료 선택의 자유도가 높다. 특히, 용제에 용해하기 어려운 경향이 있는, 고내열성 첨가제를 이용하는 것이 가능하고, 내열성이 우수한 접착 필름이 얻어지기 쉽다.The adhesive film can be produced by a conventionally known method. For example, it can be produced by a melt film formation method, a solution film formation method, or the like. Preferably, this is a melt film-forming method. In the case of the melt film-forming method, it is possible to form a film while maintaining flatness. Further, a polymer component which is difficult to dissolve in a solvent and other additives can be used, and the flexibility of material selection is high. Particularly, it is possible to use a high heat resistant additive which tends to be difficult to dissolve in a solvent, and an adhesive film excellent in heat resistance tends to be obtained.

용융 제막법은, 원료 조성물을 과열하여 용융함으로써 유동성을 실현하고, 이 융액을 압출 성형 장치나 사출 성형 장치를 사용하여 시트 형상으로 하며, 냉각함으로써 필름(시트)을 얻는 방법이다. 압출 성형법으로는, 양호한 평탄성의 장척 필름을 얻을 수 있다. 장척 필름의 길이는, 특별히 한정은 없지만, 하한은 예를 들면 5000mm 이상이 바람직하고, 1000mm 이상이 보다 바람직하다. 상한은 예를 들면 500000mm 이하가 바람직하고, 200000mm 이하가 보다 바람직하다. 사출 성형법으로는 장척 필름을 얻는 것은 어렵지만 높은 막두께 정밀도를 얻을 수 있다. 다른 첨가제도 혼합 용융 교반함으로써 첨가할 수 있다. 필름의 편면 또는 양면에 이형 필름을 첩합하여, "이형 필름 부착 접착 필름"으로 해도 된다.The melt film-forming method is a method of obtaining a film (sheet) by realizing fluidity by overheating a raw material composition and melting it, and forming the melt into a sheet form by using an extrusion molding apparatus or an injection molding apparatus and cooling. With the extrusion molding method, a long flat film with good flatness can be obtained. The length of the long film is not particularly limited, but the lower limit is preferably 5000 mm or more, for example, and more preferably 1000 mm or more. The upper limit is preferably 500000 mm or less, for example, and more preferably 200000 mm or less. With the injection molding method, it is difficult to obtain a long film, but a high film thickness accuracy can be obtained. Other additives may also be added by mixing and stirring. The release film may be applied to one side or both sides of the film to form a "release film-adhering film ".

용액 제막법은, 원료 조성물을 용제로 용해함으로써 유동성을 실현하고, 이 용액을 필름이나 드럼이나 밴드 등의 지지체에 도공하여 시트 형상으로 하며, 건조함으로써 필름(시트)을 얻는 방법이다.The solution film-forming method is a method for obtaining a film (sheet) by realizing fluidity by dissolving a raw material composition in a solvent and coating the solution on a support such as a film, a drum or a band to form a sheet, and drying.

용제로서는, 용제는, 공지의 것을 제한없이 사용할 수 있으며, 유기 용제가 바람직하다.As the solvent, any of known solvents can be used without limitation, and organic solvents are preferable.

유기 용제로서는, 아세트산 에틸, 아세트산-n-뷰틸, 아세트산 아이소뷰틸, 폼산 아밀, 아세트산 아이소아밀, 아세트산 아이소뷰틸, 프로피온산 뷰틸, 뷰티르산 아이소프로필, 뷰티르산 에틸, 뷰티르산 뷰틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 옥시아세트산 알킬(예: 옥시아세트산 메틸, 옥시아세트산 에틸, 옥시아세트산 뷰틸(예를 들면, 메톡시아세트산 메틸, 메톡시아세트산 에틸, 메톡시아세트산 뷰틸, 에톡시아세트산 메틸, 에톡시아세트산 에틸 등)), 3-옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 3-옥시프로피온산 메틸, 3-옥시프로피온산 에틸 등(예를 들면, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸 등)), 2-옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 2-옥시프로피온산 메틸, 2-옥시프로피온산 에틸, 2-옥시프로피온산 프로필 등(예를 들면, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸)), 2-옥시-2-메틸프로피온산 메틸 및 2-옥시-2-메틸프로피온산 에틸(예를 들면, 2-메톡시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-에톡시-2-메틸프로피온산 에틸 등), 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 피루브산 프로필, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 2-옥소뷰테인산 메틸, 2-옥소뷰테인산 에틸, 1-메톡시-2-프로필아세테이트 등의 에스터류;Examples of the organic solvent include ethyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, amyl formate, isoamyl acetate, isobutyl acetate, butyl propionate, isopropyl butyrate, butyl butyrate, butyl lactate, (For example, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, etc.)), 3-oxypropionic acid alkyl esters such as methyl 3-oxypropionate and ethyl 3-oxypropionate (for example, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, 3- Ethyl ethoxypropionate, etc.)), 2-oxypropionic acid alkyl esters (e.g., methyl 2-oxypropionate, ethyl 2-oxypropionate, Propyl methoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate), 2-oxy-2- (2-methoxypropionate, Methyl propionate and ethyl 2-oxy-2-methylpropionate (for example, methyl 2-methoxy-2-methylpropionate, ethyl 2-ethoxy-2-methylpropionate and the like), methyl pyruvate, ethyl pyruvate, , Esters such as methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl 2-oxobutoate, ethyl 2-oxobutoate, and 1-methoxy-2-propyl acetate;

다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 테트라하이드로퓨란, 에틸렌글라이콜모노메틸에터, 에틸렌글라이콜모노에틸에터, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노프로필에터아세테이트 등의 에터류;Diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol mono Diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether, Ethers such as acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate;

메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 2-헵탄온, 3-헵탄온, N-메틸-2-피롤리돈, γ뷰티로락톤 등의 케톤류;Ketones such as methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 2-heptanone, 3-heptanone, N-methyl-2-pyrrolidone and gamma butyrolactone;

톨루엔, 자일렌, 아니솔, 메시틸렌 등의 방향족 탄화 수소류;Aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, anisole, and mesitylene;

리모넨, p-멘테인 등의 탄화 수소류 등을 적합하게 들 수 있다.And hydrocarbons such as limonene and p-menthane.

이들 용제는, 도포면 형상의 개량 등의 관점에서, 2종 이상을 혼합하는 형태도 바람직하다. 이 경우, 특히 바람직하게는, 메시틸렌, p-멘테인, γ뷰티로락톤, 아니솔, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 에틸셀로솔브아세테이트, 락트산 에틸, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 아세트산 뷰틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 2-헵탄온, 사이클로헥산온, 에틸카비톨아세테이트, 뷰틸카비톨아세테이트, 프로필렌글라이콜메틸에터, 및 프로필렌글라이콜메틸에터아세테이트로부터 선택되는 2종 이상으로 구성되는 혼합 용액이다.These solvents are also preferably mixed with two or more kinds in view of improving the application surface shape and the like. In this case, it is particularly preferable to use at least one selected from the group consisting of mesitylene, p-mentine, gamma butyrolactone, anisole, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, ethylcellosolve acetate, Cyclohexanone, ethyl carbitol acetate, butyl carbitol acetate, propylene glycol methyl ether, and propylene glycol methyl ether, and the like. Ether acetate, and mixtures thereof.

용액의 도공 방법으로서는, 슬릿 형상의 개구로부터 용액을 압력으로 압출하여 도공하는 방법, 그라비어나 아로닉스 롤러로 용액을 전사하여 도공하는 방법, 스프레이나 디스펜서로부터 용액을 토출하면서 주사하여 도공하는 방법, 용액을 탱크에 담아 그 안에 필름이나 드럼이나 밴드를 통과시킴으로써 딥 도공하는 방법, 와이어 바로 용액을 압류(押流)시키면서 긁어냄으로써 도공하는 방법 등을 들 수 있다.Examples of the coating method of the solution include a method of extruding the solution from the slit-shaped opening by pressure and coating it, a method of transferring the solution by gravure or Aronix roller to coat the solution, a method of applying the solution by spraying or spraying from a sprayer or a dispenser, A dip coating method in which a film, a drum or a band is passed in a tank, and a method in which a wire bar solution is applied by scraping while pushing the solution.

지지체에 용액을 도공한 후에, 건조하여 고체화된 시트가 된 후, 시트를 지지체로부터 기계적으로 박리함으로써, 단일체의 필름(시트)을 얻을 수 있다. 박리하기 쉽도록, 미리 지지체 상에 박리성을 부여하는 처리로서, 이형층의 도포, 침지 처리, 가스 처리, 전자파 조사 처리, 플라즈마 조사 처리 등을 행해도 된다. 혹은, 필름을 지지체로부터 박리시키지 않고 그대로 남겨, 필름 지지체 상에 시트가 접착된 상태인 채로, "이형 필름 부착 접착 필름"으로 해도 된다. 이들 처리를 연속적으로 행함으로써, 롤 형상의 장척 필름을 얻을 수 있다. 또, 접착 필름의 양면에, 이형 필름을 첩합하여, "양면 이형 필름 부착 접착 필름"으로 해도 된다.After the solution is coated on the support and dried to form a solidified sheet, a single sheet (sheet) can be obtained by mechanically peeling the sheet from the support. As the treatment for giving the releasability on the support in advance, the releasing layer may be applied, immersed, gas treated, electromagnetic wave irradiated, plasma irradiated or the like so as to facilitate peeling. Alternatively, the film may be left as it is without being peeled off from the support, and the adhesive film with the release film may be left while the sheet is adhered on the film support. By performing these treatments continuously, a roll-shaped long film can be obtained. Alternatively, a release film may be laminated on both sides of the adhesive film to form an "adhesive film with a double-side release film ".

<<이형층의 형성 방법>>&Lt; Method of forming a release layer &gt;

접착 필름의 표면에 이형층을 형성시키는 방법으로서는, 래미네이팅법, 도공법, 공압출법을 들 수 있다.Examples of the method of forming the release layer on the surface of the adhesive film include a laminating method, a coating method and a co-extrusion method.

래미네이팅법은, 이형 필름에, 상기 이형제를 적어도 포함하는 조성물을 도공하여, 필름 형상의 이형층(이형층 필름)을 형성하고, 접착 필름의 이형 필름이 없는 면과, 이형층 필름의 이형 필름이 없는 면을 접촉시켜, 래미네이팅하는 방법이다.In the laminating method, a composition including at least the releasing agent is applied to a releasing film to form a releasing layer (releasing layer film) in the form of a film, and a releasing film of the releasing film And the laminating is carried out.

래미네이팅은, 롤러 래미네이팅(가열, 가압해도 됨), 진공 래미네이팅(가열해도 됨) 등, 공지의 장치를 사용 가능하다. 접착 필름의 양면에 이형층 필름을 래미네이팅함으로써, 접착 필름의 양면에 이형층을 마련할 수 있다.For the laminating, a known device such as roller laminating (heating, pressurization may be performed), vacuum laminating (may be heated), or the like may be used. By laminating the release layer film on both sides of the adhesive film, the release layer can be provided on both sides of the adhesive film.

도공법은, 접착 필름의 이형 필름이 없는 면에, 이형층 형성용 용액을 도포 후, 건조하여 형성하는 방법이다. 이형층 형성용 조성물은, 상술한 이형제와 용제를 포함하는 용액을 이용하는 것이 바람직하다. 용제로서는, 이형제를 용해 가능한 것이면, 모두 바람직하게 이용할 수 있다. 예를 들면, 플루오리너트 FC40(3M사제) 등을 들 수 있다.The coating method is a method in which a solution for forming a release layer is coated on the surface of the adhesive film on which no release film is formed, followed by drying. As the composition for forming a release layer, it is preferable to use a solution containing the above-described release agent and a solvent. Any solvent can be preferably used as long as the solvent can dissolve the release agent. For example, Fluorinert FC40 (manufactured by 3M), and the like.

접착 필름을 용액 제막법으로 제작하는 경우는, 인라인으로, 접착 필름 형성용 용액을 도포, 건조 후, 권취하지 않고, 이형층 형성용 용액을 도포, 건조해도 된다.When the adhesive film is prepared by a solution casting method, the solution for forming a release layer may be applied and dried in in-line without applying a solution for forming an adhesive film, drying, and winding.

또, 접착 필름 형성용 용액과, 이형층 형성용 용액이 상용성이 없도록 용액의 물성을 설계한 경우에는, 동시에 도포하고, 동시에 건조해도 된다.When the physical properties of the solution are designed so that the solution for forming an adhesive film and the solution for forming a release layer are not compatible with each other, they may be simultaneously applied and dried at the same time.

또, 접착 필름 형성용 용액을 도포 후, 건조하지 않고, 이형층 형성용 용액을 도포하고, 양자를 동시에 건조해도 된다.Alternatively, the solution for forming a release layer may be applied after the application of the solution for forming an adhesive film and without drying, and the both may be simultaneously dried.

또, 접착 필름 형성용 용액과 이형층 형성용 용액이 일단은 상용하지만, 건조하여 농도가 높아지면 상분리하는 물성으로 설계한 경우에는, 혼합 용액을 도포하고, 건조 중에 접착 필름과 이형층으로 분리하도록 해도 된다.When the solution for forming an adhesive film and the solution for forming a release layer are used at the same time, if the solution is designed to have a phase-separating property when it is dried and its concentration becomes high, a mixed solution is applied and separated into an adhesive film and a release layer You can.

또, 접착 필름의 양면에 이형층 형성용 용액을 도공함으로써, 접착 필름의 양면에 이형층을 마련할 수 있다.Further, by applying a solution for forming a release layer on both surfaces of the adhesive film, a release layer can be provided on both surfaces of the adhesive film.

공압출법은, 접착 필름 형성용의 재료와, 이형층 형성용의 재료를 각각 열 용융하고, 동시에 압출 성형하면서 일체화함으로써, 접착 필름과 이형층이 일체로 된 시트를 얻는 방법이다. 접착 필름 형성용의 재료의 양면에 이형층 형성용의 재료를 압출함으로써, 접착 필름의 양면에 이형층을 마련할 수 있다.In the co-extrusion method, a material for forming an adhesive film and a material for forming a release layer are thermally melted and simultaneously integrated by extrusion molding, thereby obtaining a sheet in which the adhesive film and the release layer are integrated. The release layer can be provided on both sides of the adhesive film by extruding the material for forming the release layer on both sides of the material for forming the adhesive film.

본 발명의 가접착용 적층체는, 용제 함유율이, 1질량% 이하가 바람직하고, 0.1질량% 이하가 보다 바람직하며, 함유하지 않는 것이 특히 바람직하다.In the adhesive laminate of the present invention, the content of the solvent is preferably 1% by mass or less, more preferably 0.1% by mass or less, and particularly preferably is not contained.

본 발명의 가접착용 적층체는, 가접착용 적층체의 편면 또는 양면에, 이형 필름을 첩합하여 "이형 필름 부착 가접착용 적층체"로 해도 된다. 이 양태에 의하면, 장척 형상의 가접착용 적층체를 롤 형상으로 권취할 때에, 가접착용 적층체의 표면에 흠집이 나거나, 보관 중에 첩부되거나 하는 트러블을 방지할 수 있다.The adhesive laminate of the present invention may be a laminate for adhering a release film and adhering a release film to one side or both sides of the adhesive laminate. According to this aspect, it is possible to prevent troubles such as scratches on the surface of the adhesive laminate or sticking to the adhesive tape during storage when the elongated adhesive layer laminate is rolled up in roll form.

이형 필름은, 사용할 때에 박리 제거할 수 있다. 예를 들면, 양면에 이형 필름이 첩합되어 있는 있는 경우에 있어서는, 편면의 이형 필름을 박리하고, 접착면을 디바이스 웨이퍼나 지지체 등에 래미네이팅한 후에, 남은 이형 필름을 박리함으로써, 시트면의 청정을 가능한 한 유지할 수 있다.The release film can be peeled and removed in use. For example, in the case where a release film is adhered to both sides, the release film on one side is peeled off, the adhesive surface is laminated to a device wafer or a support, and the remaining release film is peeled off, As much as possible.

<접착성 지지체><Adhesive Support>

다음으로, 본 발명의 가접착용 적층체를 이용한 접착성 지지체에 대하여 설명한다.Next, an adhesive support using the adhesive laminate of the present invention will be described.

접착성 지지체는, 지지체의 표면에, 상술한 가접착용 적층체를 갖는다.The adhesive support has the above-described adhesive layer laminate on the surface of the support.

가접착용 적층체는, 지지체 상에, 상술한 본 발명의 가접착용 적층체를 래미네이팅하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 가접착용 적층체를 진공 래미네이터에 세트하고, 본 장치에서 가접착용 적층체를 지지체 상에 위치시키며, 진공하에서, 가접착용 적층체와 지지체를 접촉시키고, 롤러 등으로 압착하여 가접착용 적층체를 지지체에 고정(적층)하는 방법 등을 들 수 있다. 또, 지지체에 고정된 가접착용 적층체는, 예를 들면 원형상 등, 원하는 형상으로 절단해도 된다.The adhesive laminate can be formed by laminating the above-described adhesive layer laminate of the present invention on a support. For example, the laminating adhesive laminate is set in a vacuum laminator. In this apparatus, the laminating adhesive laminate is placed on a support. Under vacuum, the laminating adhesive laminate and the support are brought into contact with each other, And a method of fixing (laminating) the adhesive laminate to a support. The adhesive layer laminate fixed to the support may be cut into a desired shape such as a circular shape.

접착성 지지체에 있어서, 가접착용 적층체는, 접착 필름의 편면에만 이형층이 형성되어 이루어지는 것이어도 되고, 양면에 이형층이 형성되어 이루어지는 것이어도 된다. 또, 편면에만 이형층이 형성되어 있는 경우는, 지지체측에 이형층이 배치되어 있어도 되고, 지지체와는 반대측의 면에 이형층이 배치되어 있어도 된다.In the adhesive support, the adhesive layer laminate may be formed by forming a release layer only on one side of the adhesive film, or by forming a release layer on both sides of the adhesive film. In the case where a release layer is formed only on one surface, the release layer may be disposed on the support side, or the release layer may be disposed on the surface opposite to the support.

접착성 지지체에 있어서, 지지체(캐리어 지지체라고도 함)는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 실리콘 기판, 유리 기판, 금속 기판, 화합물 반도체 기판 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 반도체 장치의 기판으로서 대표적으로 이용되는 실리콘 기판을 오염시키기 어려운 점이나, 반도체 장치의 제조 공정에 있어서 범용되고 있는 정전 척을 사용할 수 있는 점 등을 감안하면, 실리콘 기판인 것이 바람직하다.In the adhesive support, the support (also referred to as carrier support) is not particularly limited, and examples thereof include a silicon substrate, a glass substrate, a metal substrate, and a compound semiconductor substrate. Among them, a silicon substrate is preferable in view of the fact that it is difficult to contaminate a silicon substrate which is typically used as a substrate of a semiconductor device, and an electrostatic chuck generally used in a semiconductor device manufacturing process can be used.

지지체의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 300μm~100mm가 바람직하고, 300μm~10mm가 보다 바람직하다.The thickness of the support is not particularly limited, but is preferably 300 탆 to 100 mm, more preferably 300 탆 to 10 mm, for example.

지지체의 표면에는, 이형층이 마련되어 있어도 된다. 즉, 지지체는, 이형층 부착 지지체여도 된다.The release layer may be provided on the surface of the support. That is, the support may be a release layer-attached support.

이형층으로서는, 불소 원자 및/또는 규소 원자를 포함하는 저표면 에너지층이 바람직하고, 불소 원자 및/또는 규소 원자를 포함하는 재료를 갖는 것이 바람직하다. 이형층의 불소 함유율은, 30~80질량%가 바람직하고, 40~76질량%가 보다 바람직하며, 60~75질량%가 특히 바람직하다.As the release layer, a low surface energy layer containing a fluorine atom and / or a silicon atom is preferable, and it is preferable to have a material containing a fluorine atom and / or a silicon atom. The fluorine content of the release layer is preferably 30 to 80 mass%, more preferably 40 to 76 mass%, and particularly preferably 60 to 75 mass%.

이형층의 재료로서는, 상술한 가접착용 적층체의 이형층으로 설명한 것과 동일한 것을 이용할 수 있다.As the material for the release layer, the same materials as those described for the release layer of the above-described pressure-sensitive adhesive laminate can be used.

<디바이스 웨이퍼 부착 적층체>&Lt; Device Wafer Laminate &gt;

다음으로, 본 발명의 디바이스 웨이퍼 부착 적층체에 대하여 설명한다.Next, the device wafer laminate of the present invention will be described.

본 발명의 디바이스 웨이퍼 부착 적층체는, 디바이스 웨이퍼와 지지체의 사이에, 상술한 본 발명의 가접착용 적층체를 갖고, 가접착용 적층체가 디바이스 웨이퍼 및 지지체에 접하여 이루어지는 것이다. 즉, 가접착용 적층체의 한쪽 표면이 디바이스 웨이퍼의 디바이스면에 접하며, 다른 한쪽 표면이 지지체의 표면에 접하고 있다.The device wafer stacking laminate of the present invention has the above-described adhesive laminate of the present invention between the device wafer and the support, and the adhesive laminate is in contact with the device wafer and the support. That is, one surface of the laminate for adhesion is in contact with the device surface of the device wafer, and the other surface is in contact with the surface of the support.

또한, 가접착용 적층체가, 접착 필름의 양면에 이형층을 갖는 경우는, 한쪽 면의 이형층은, 디바이스 웨이퍼와 접하고 있고, 다른 한쪽 면의 이형층은, 지지체와 접하고 있다. 또, 가접착용 적층체가, 접착 필름의 편면에만 이형층을 갖는 경우는, 이형층은, 디바이스 웨이퍼 또는 지지체 중 어느 한쪽과만 접하고 있다.When the adhesive layer for laminating has a release layer on both sides of the adhesive film, the release layer on one side is in contact with the device wafer and the release layer on the other side is in contact with the support. When the adhesive layer for laminating has a release layer on only one side of the adhesive film, the release layer is in contact with only one of the device wafer or the support.

디바이스 웨이퍼는, 공지의 것을 제한없이 사용할 수 있고, 예를 들면, 실리콘 기판, 화합물 반도체 기판 등을 들 수 있다. 화합물 반도체 기판의 구체예로서는, SiC 기판, SiGe 기판, ZnS 기판, ZnSe 기판, GaAs 기판, InP 기판, GaN 기판 등을 들 수 있다.The device wafer can be any known one without limitation, and examples thereof include a silicon substrate and a compound semiconductor substrate. Specific examples of the compound semiconductor substrate include SiC substrate, SiGe substrate, ZnS substrate, ZnSe substrate, GaAs substrate, InP substrate, GaN substrate and the like.

디바이스 웨이퍼의 표면에는, 기계 구조나 회로가 형성되어 있어도 된다. 기계 구조나 회로가 형성된 디바이스 웨이퍼로서는, 예를 들면, MEMS(Micro Electro Mechanical Systems), 파워 디바이스, 이미지 센서, 마이크로 센서, LED, 광학 디바이스, 인터포저, 매립형 디바이스, 마이크로 디바이스 등을 들 수 있다.A mechanical structure or a circuit may be formed on the surface of the device wafer. Examples of the device wafer on which the mechanical structure and the circuit are formed include MEMS (Micro Electro Mechanical Systems), a power device, an image sensor, a microsensor, an LED, an optical device, an interposer, a buried device and a microdevice.

디바이스 웨이퍼는, 금속 뱅크 등의 구조를 갖고 있는 것이 바람직하다. 본 발명에 의하면, 표면에 구조를 갖고 있는 디바이스 웨이퍼에 대해서도, 안정적으로 가접착할 수 있음과 함께, 디바이스 웨이퍼에 대한 가접착을 용이하게 해제할 수 있다. 구조의 높이는, 특별히 한정은 없지만, 예를 들면, 1~150μm가 바람직하고, 5~100μm가 보다 바람직하다.The device wafer preferably has a structure such as a metal bank. According to the present invention, it is possible to stably adhere to a device wafer having a structure on the surface, and to easily release adhesion to the device wafer. The height of the structure is not particularly limited, but is preferably 1 to 150 탆, more preferably 5 to 100 탆, for example.

기계적 또는 화학적인 처리를 실시하기 전의 디바이스 웨이퍼의 막두께는, 500μm 이상이 바람직하고, 600μm 이상이 보다 바람직하며, 700μm 이상이 더 바람직하다. 상한은, 예를 들면, 2000μm 이하가 바람직하고, 1500μm 이하가 보다 바람직하다.The thickness of the device wafer before mechanical or chemical treatment is preferably 500 탆 or more, more preferably 600 탆 or more, and more preferably 700 탆 or more. The upper limit is preferably, for example, not more than 2000 mu m, more preferably not more than 1500 mu m.

기계적 또는 화학적인 처리를 실시하여 박막화한 후의 디바이스 웨이퍼의 막두께는, 예를 들면, 500μm 미만이 바람직하고, 400μm 이하가 보다 바람직하며, 300μm 이하가 더 바람직하다. 하한은, 예를 들면, 1μm 이상이 바람직하고, 5μm 이상이 보다 바람직하다.The thickness of the device wafer after thinning by mechanical or chemical treatment is preferably, for example, less than 500 mu m, more preferably 400 mu m or less, and further preferably 300 mu m or less. The lower limit is, for example, preferably 1 m or more, more preferably 5 m or more.

본 발명의 디바이스 웨이퍼 부착 적층체에 있어서, 지지체(캐리어 지지체)로서는, 상술한 접착성 지지체에서 설명한 지지체와 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.In the device wafer stacking laminate of the present invention, the support (carrier support) is in agreement with the support described in the above-mentioned adhesive support, and the preferable range is also the same.

본 발명의 디바이스 웨이퍼 부착 적층체는, 상술한 접착성 지지체의, 가접착용 적층체가 형성된 측의 면과, 디바이스 웨이퍼를 가열 압착함으로써 제조할 수 있다. 가압 접착 조건은, 예를 들면, 온도 100~200℃, 압력 0.01~1MPa, 시간 1~15분이 바람직하다.The device wafer laminate of the present invention can be produced by heat-pressing a surface of the above-described adhesive support on the side where the adhesive laminate is formed and a device wafer. The pressure bonding conditions are, for example, a temperature of 100 to 200 DEG C, a pressure of 0.01 to 1 MPa, and a time of 1 to 15 minutes.

또, 지지체와 디바이스 웨이퍼의 사이에, 상술한 본 발명의 가접착용 적층체를 배치하고, 가열 압착하여 제조할 수도 있다.It is also possible to arrange the above-described adhesive laminate according to the present invention between the support and the device wafer, followed by hot pressing.

<반도체 장치의 제조 방법><Method of Manufacturing Semiconductor Device>

이하, 디바이스 웨이퍼 부착 적층체를 제조하는 공정을 거친 반도체 장치의 제조 방법의 일 실시형태에 대하여, 도 1을 함께 참조하면서 설명한다. 단, 본 발명은, 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device through a process for manufacturing a device wafer laminated body will be described with reference to FIG. However, the present invention is not limited to the following embodiments.

도 1(A)~(E)는, 각각, 지지체와 디바이스 웨이퍼의 가접착을 설명하는 개략 단면도(도 1(A), (B)), 지지체에 가접착된 디바이스 웨이퍼가 박형화된 상태(도 1(C)), 지지체와 디바이스 웨이퍼를 박리한 상태(도 1(D)), 디바이스 웨이퍼로부터 접착층을 제거한 후의 상태(도 1(E))를 나타내는 개략 단면도이다.1 (A) to 1 (E) are schematic cross-sectional views (Figs. 1A and 1B) for explaining adhesion between a support and a device wafer, a state in which a device wafer adhered to a support is thin 1 (C)), a state in which the support and the device wafer are separated (Fig. 1 (D)), and a state after the adhesive layer is removed from the device wafer (Fig. 1 (E)).

이 실시형태에서는, 도 1(A)에 나타내는 바와 같이, 먼저, 지지체(12)에 가접착용 적층체(11)가 마련되어 이루어지는 접착성 지지체(100)가 준비된다. 접착성 지지체(100)는, 상술한 방법으로 제조할 수 있다. 접착성 지지체(100)는, 실질적으로 용제를 포함하지 않는 양태인 것이 바람직하다.In this embodiment, as shown in Fig. 1 (A), first, an adhesive supporting body 100 comprising the supporting body 12 and the adhesive layer 11 is prepared. The adhesive support 100 can be manufactured by the above-described method. The adhesive support (100) is preferably an embodiment that does not substantially contain a solvent.

디바이스 웨이퍼(60)는, 실리콘 기판(61)의 표면(61a)에 복수의 디바이스 칩(62)이 마련되어 이루어진다.The device wafer 60 is formed by providing a plurality of device chips 62 on the surface 61a of the silicon substrate 61. [

실리콘 기판(61)의 두께는, 예를 들면, 200~1200μm가 바람직하다. 디바이스 칩(62)은 예를 들면 금속 구조체인 것이 바람직하고, 높이는 10~100μm가 바람직하다.The thickness of the silicon substrate 61 is preferably 200 to 1200 占 퐉, for example. The device chip 62 is preferably, for example, a metal structure, and the height is preferably 10 to 100 mu m.

이어서, 도 1(B)에 나타내는 바와 같이, 접착성 지지체(100)와 디바이스 웨이퍼(60)를 압착시켜, 지지체(12)와 디바이스 웨이퍼(60)를 가접착시킨다.Subsequently, as shown in Fig. 1 (B), the adhesive supporting body 100 and the device wafer 60 are pressed together to bond the supporting body 12 and the device wafer 60 together.

가접착용 적층체(11)는, 디바이스 칩(62)을 완전하게 덮고 있는 것이 바람직하고, 디바이스 칩의 높이가 Xμm, 가접착용 적층체의 두께가 Yμm인 경우, "X+100≥Y>X"의 관계를 충족시키는 것이 바람직하다.It is preferable that the adhesive laminate 11 completely covers the device chip 62. When the height of the device chip is X m and the thickness of the adhesive laminate is Y m, X "is satisfied.

가접착용 적층체(11)가 디바이스 칩(62)을 완전하게 피복하고 있는 것은, 박형 디바이스 웨이퍼의 TTV(Total Thickness Variation)를 보다 저하시키고자 하는 경우(즉, 박형 디바이스 웨이퍼의 평탄성을 보다 향상시키고자 하는 경우)에 유효하다.The reason why the adhesive layer stack 11 completely covers the device chip 62 is that the TTV (Total Thickness Variation) of the thin device wafer is further lowered (i.e., the flatness of the thin device wafer is further improved If you want to do so).

즉, 디바이스 웨이퍼를 박형화할 때에 있어서, 복수의 디바이스 칩(62)을 가접착용 적층체(11)에 의하여 보호함으로써, 지지체(12)와의 접촉면에 있어서, 요철 형상을 거의 없애는 것이 가능하다. 따라서, 이와 같이 지지한 상태에서 박형화해도, 복수의 디바이스 칩(62)에 유래하는 형상이, 박형 디바이스 웨이퍼의 이면(61b1)에 전사될 우려는 저감되고, 그 결과, 최종적으로 얻어지는 박형 디바이스 웨이퍼의 TTV를 보다 저하시킬 수 있다.That is, when the device wafer is thinned, it is possible to substantially eliminate the irregularities on the contact surface with the support member 12 by protecting the plurality of device chips 62 with the adhesive layer 11. Therefore, even if the substrate is thinned in such a supported state, the possibility that the shape derived from the plurality of device chips 62 is transferred to the back surface 61b1 of the thin device wafer is reduced. As a result, TTV can be lowered.

이어서, 도 1(C)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 기판(61)의 이면(61b)에 대하여, 기계적 또는 화학적인 처리(특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 글라이딩이나 화학 기계 연마(CMP) 등의 박막화 처리, 화학 기상 성장(CVD)이나 물리 기상 성장(PVD) 등의 고온·진공하에서의 처리, 유기 용제, 산성 처리액이나 염기성 처리액 등의 약품을 이용한 처리, 도금 처리, 활성광선의 조사, 가열·냉각 처리 등)를 실시하고, 도 1(C)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 기판(61)의 두께를 얇게 하여(예를 들면, 평균 두께 500μm 미만인 것이 바람직하고, 1~200μm인 것이 보다 바람직함), 박형 디바이스 웨이퍼(60a)를 얻는다.Subsequently, as shown in Fig. 1 (C), the back surface 61b of the silicon substrate 61 is subjected to a mechanical or chemical treatment (such as, but not limited to, gliding or chemical mechanical polishing Treatment with a chemical such as an organic solvent, an acidic treatment solution or a basic treatment solution, a plating treatment, an irradiation with an actinic ray, and heating (such as a chemical treatment) (For example, an average thickness of less than 500 占 퐉, and more preferably 1 to 200 占 퐉 is preferable) by thinning the silicon substrate 61 as shown in Fig. 1 (C) ) To obtain a thin device wafer 60a.

또, 기계적 또는 화학적인 처리로서, 박막화 처리 후에, 박형 디바이스 웨이퍼(60a)의 이면(61b1)으로부터 실리콘 기판을 관통하는 관통 구멍(도시하지 않음)을 형성하고, 이 관통 구멍 내에 실리콘 관통 전극(도시하지 않음)을 형성하는 처리를 행해도 된다. 구체적으로는, 가열 처리에 있어서의 최고 도달 온도는 130℃~400℃가 바람직하고, 180℃~350℃가 보다 바람직하다. 가열 처리에 있어서의 최고 도달 온도는, 접착 필름의 연화점보다 낮은 온도로 하는 것이 바람직하다. 가열 처리는, 최고 도달 온도에서의 30초~30분의 가열인 것이 바람직하고, 최고 도달 온도에서의 1분 ~10분의 가열인 것이 보다 바람직하다.As a mechanical or chemical treatment, a through hole (not shown) that penetrates the silicon substrate from the back surface 61b1 of the thin device wafer 60a is formed after the thinning process, and a silicon penetration electrode (Not shown) may be formed. Concretely, the maximum attained temperature in the heat treatment is preferably 130 ° C to 400 ° C, more preferably 180 ° C to 350 ° C. The maximum attained temperature in the heat treatment is preferably lower than the softening point of the adhesive film. The heat treatment is preferably heating for 30 seconds to 30 minutes at the maximum attained temperature, and more preferably for 1 minute to 10 minutes at the maximum attained temperature.

이어서, 도 1(D)에 나타내는 바와 같이, 지지체(12)를, 박형 디바이스 웨이퍼(60a)로부터 탈리시킨다. 탈리의 방법은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 어떠한 처리도 하지 않고 박형 디바이스 웨이퍼(60a)의 단부로부터 박형 디바이스 웨이퍼(60a)에 대하여 수직 방향으로 끌어올려 박리하는 것이 바람직하다. 이 때, 박리 계면은, 지지체(12)와 가접착용 적층체(11)의 계면에서 박리되는 것이 바람직하다. 이 경우, 지지체(12)와 가접착용 적층체(11)의 계면의 박리 강도를 A, 디바이스 웨이퍼 표면(61a)과 가접착용 적층체(11)의 박리 강도를 B라고 하면, 이하의 식을 충족시키는 것이 바람직하다.Subsequently, as shown in Fig. 1 (D), the support 12 is removed from the thin device wafer 60a. The method of desorption is not particularly limited, but it is preferable to pull up the end portion of the thin device wafer 60a in the vertical direction with respect to the thin device wafer 60a and peel it off without any treatment. At this time, it is preferable that the peeling interface be peeled from the interface between the support member 12 and the adhesive layer 11. In this case, assuming that A is the peel strength at the interface between the support 12 and the adhesive layer 11, and B is the peel strength between the device wafer surface 61a and the adhesive layer 11, Is satisfied.

A<B ····식 (1)A <B ... (1)

또, 가접착용 적층체(11)에 후술하는 박리액을 접촉시키고, 그 후, 필요에 따라서, 지지체(12)에 대하여 박형 디바이스 웨이퍼(60a)를 슬라이딩시킨 후에, 박형 디바이스 웨이퍼(60a)의 단부로부터 디바이스 웨이퍼에 대하여 수직 방향으로 끌어올려 박리할 수도 있다.When the thin film device wafer 60a is brought into contact with the peeling solution 11 described below and then the thin device wafer 60a is slid with respect to the support member 12 as required, It may be pulled up in the vertical direction with respect to the device wafer from the end portion and peeled off.

<박리액><Release liquid>

이하, 박리액에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the release liquid will be described in detail.

박리액으로서는, 물 및, 용제(유기 용제)를 사용할 수 있다.As the peeling solution, water and a solvent (organic solvent) can be used.

또, 박리액으로서는, 접착층(11)을 용해하는 유기 용제가 바람직하다. 유기 용제로서는, 예를 들면, 지방족 탄화 수소류(헥세인, 헵테인, 아이소파 E, H, G(에쏘 화학(주)제) 등), 방향족 탄화 수소류(톨루엔, 자일렌 등), 할로젠화 탄화 수소(메틸렌 다이클로라이드, 에틸렌 다이클로라이드, 트라이클렌, 모노클로로벤젠 등), 극성 용제를 들 수 있다. 극성 용제로서는, 알코올류(메탄올, 에탄올, 프로판올, 아이소프로판올, 1-뷰탄올, 1-펜탄올, 1-헥산올, 1-헵탄올, 1-옥탄올, 2-옥탄올, 2-에틸-1-헥산올, 1-노난올, 1-데칸올, 벤질알코올, 에틸렌글라이콜모노메틸에터, 2-에톡시에탄올, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노헥실에터, 트라이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 프로필렌글라이콜모노에틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 폴리에틸렌글라이콜모노메틸에터, 폴리프로필렌글라이콜, 테트라에틸렌글라이콜, 에틸렌글라이콜모노뷰틸에터, 에틸렌글라이콜모노벤질에터, 에틸렌글라이콜모노페닐에터, 프로필렌글라이콜모노페닐에터, 메틸페닐카비놀, n-아밀알코올, 메틸아밀알코올 등), 케톤류(아세톤, 메틸에틸케톤, 에틸뷰틸케톤, 메틸아이소뷰틸케톤, 사이클로헥산온 등), 에스터류(아세트산 에틸, 아세트산 프로필, 아세트산 뷰틸, 아세트산 아밀, 아세트산 벤질, 락트산 메틸, 락트산 뷰틸, 에틸렌글라이콜모노뷰틸아세테이트, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 다이에틸렌글라이콜아세테이트, 다이에틸프탈레이트, 레불린산 뷰틸 등), 그 외(트라이에틸포스페이트, 트라이크레실포스페이트, N-페닐에탄올아민, N-페닐다이에탄올아민, N-메틸다이에탄올아민, N-에틸다이에탄올아민, 4-(2-하이드록시에틸) 모폴린, N,N-다이메틸아세트아마이드, N-메틸피롤리돈 등) 등을 들 수 있다.As the peeling liquid, an organic solvent which dissolves the adhesive layer 11 is preferable. Examples of the organic solvent include aliphatic hydrocarbons (such as hexane, heptane, Isopar E, H, and G (manufactured by Esso Chemicals)), aromatic hydrocarbon (toluene, xylene, (Such as methylene dichloride, ethylene dichloride, tricylene, and monochlorobenzene), and polar solvents. Examples of the polar solvent include alcohols (such as methanol, ethanol, propanol, isopropanol, 1-butanol, 1-pentanol, 1-hexanol, 1-heptanol, But are not limited to, 1-hexanol, 1-nonanol, 1-decanol, benzyl alcohol, ethylene glycol monomethyl ether, 2-ethoxy ethanol, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monohexyl Ether, triethylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, polyethylene glycol monomethyl ether, polypropylene glycol, tetraethylene glycol Ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, propylene glycol monophenyl ether, methylphenyl carbinol, n-amyl alcohol, methyl amyl alcohol Etc.), ketones (acetone, methyl ethyl ketone, ethyl butyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, etc.) And examples thereof include esters (such as ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, amyl acetate, benzyl acetate, methyl lactate, butyl lactate, ethylene glycol monobutyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol acetate, N-phenyldiethanolamine, N-methyldiethanolamine, N-ethyldiethanolamine, 4-ethyldiethanolamine, 4-ethylhexylamine, - (2-hydroxyethyl) morpholine, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, etc.).

또한, 박리성의 관점에서, 박리액은, 알칼리, 산, 및 계면활성제를 포함하고 있어도 된다. 이들 성분을 배합하는 경우, 배합량은, 각각, 박리액의 0.1~5.0질량%인 것이 바람직하다.Further, from the viewpoint of releasability, the release liquid may contain an alkali, an acid, and a surfactant. When these components are blended, the blending amount is preferably 0.1 to 5.0% by mass of the peeling liquid, respectively.

또한 박리성의 관점에서, 2종 이상의 유기 용제 및 물, 2종 이상의 알칼리, 산 및 계면활성제를 혼합하는 형태도 바람직하다.From the viewpoint of releasability, a mode of mixing two or more kinds of organic solvents and water, two or more kinds of alkali, acid and surfactant is also preferable.

알칼리로서는, 예를 들면, 제3 인산 나트륨, 제3 인산 칼륨, 제3 인산 암모늄, 제2 인산 나트륨, 제2 인산 칼륨, 제2 인산 암모늄, 탄산 나트륨, 탄산 칼륨, 탄산 암모늄, 탄산 수소 나트륨, 탄산 수소 칼륨, 탄산 수소 암모늄, 붕산 나트륨, 붕산 칼륨, 붕산 암모늄, 수산화 나트륨, 수산화 암모늄, 수산화 칼륨 및 수산화 리튬 등의 무기 알칼리제나, 모노메틸아민, 다이메틸아민, 트라이메틸아민, 모노에틸아민, 다이에틸아민, 트라이에틸아민, 모노아이소프로필아민, 다이아이소프로필아민, 트라이아이소프로필아민, n-뷰틸아민, 모노에탄올아민, 다이에탄올아민, 트라이에탄올아민, 모노아이소프로판올아민, 다이아이소프로판올아민, 에틸렌이민, 에틸렌다이아민, 피리딘, 테트라메틸암모늄하이드록사이드 등의 유기 알칼리제를 사용할 수 있다. 이들 알칼리제는, 단독 혹은 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.Examples of the alkali include sodium tertiary phosphate, potassium tertiary phosphate, ammonium tertiary phosphate, sodium secondary phosphate, dibasic potassium phosphate, ammonium secondary phosphate, sodium carbonate, potassium carbonate, ammonium carbonate, sodium hydrogen carbonate, An inorganic alkali such as potassium hydrogen carbonate, ammonium hydrogen carbonate, sodium borate, potassium borate, ammonium borate, sodium hydroxide, ammonium hydroxide, potassium hydroxide and lithium hydroxide; Diethylamine, triethylamine, monoisopropylamine, diisopropylamine, triisopropylamine, n-butylamine, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, monoisopropanolamine, diisopropanolamine, ethylene Organic alkali agents such as imine, ethylenediamine, pyridine, and tetramethylammonium hydroxide can be used. These alkaline agents may be used alone or in combination of two or more.

산으로서는, 할로젠화 수소, 황산, 질산, 인산, 붕산 등의 무기산이나, 메테인설폰산, 에테인설폰산, 벤젠설폰산, p-톨루엔설폰산, 트라이플루오로메테인설폰산, 아세트산, 시트르산, 폼산, 글루콘산, 락트산, 옥살산, 타타르산 등의 유기산을 사용할 수 있다.Examples of the acid include inorganic acids such as hydrogen halide, sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid and boric acid, and organic acids such as methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, benzenesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, acetic acid, , Gluconic acid, lactic acid, oxalic acid, and tartaric acid.

계면활성제로서는, 음이온계, 양이온계, 비이온계, 양성(兩性) 이온계의 계면활성제를 사용할 수 있다. 이 경우, 계면활성제의 함유량은, 알칼리 수용액의 전체량에 대하여 1~20질량%인 것이 바람직하고, 1~10질량%인 것이 보다 바람직하다.As the surfactant, anionic, cationic, nonionic, amphoteric surfactants can be used. In this case, the content of the surfactant is preferably 1 to 20% by mass, more preferably 1 to 10% by mass with respect to the total amount of the alkali aqueous solution.

계면활성제의 함유량을 상기한 범위 내로 함으로써, 접착층(11)과 박형 디바이스 웨이퍼(60a)의 박리성을 보다 향상시킬 수 있는 경향이 된다.By setting the content of the surfactant within the above range, the peeling property of the adhesive layer 11 and the thin device wafer 60a can be further improved.

음이온계 계면활성제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 지방산염류, 아비에트산염류, 하이드록시알케인설폰산염류, 알케인설폰산염류, 다이알킬설포석신산염류, 직쇄 알킬벤젠설폰산염류, 분기쇄 알킬벤젠설폰산염류, 알킬나프탈렌설폰산염류, 알킬다이페닐에터(다이)설폰산염류, 알킬페녹시폴리옥시에틸렌알킬설폰산염류, 폴리옥시에틸렌알킬설포페닐에터염류, N-알킬-N-올레일타우린나트륨류, N-알킬설포석신산 모노아마이드 이나트륨염류, 석유 설폰산염류, 황산화 피마자유, 황산화 우지유, 지방산 알킬에스터의 황산 에스터염류, 알킬 황산 에스터염류, 폴리옥시에틸렌알킬에터 황산 에스터염류, 지방산 모노글리세라이드 황산 에스터염류, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에터 황산 에스터염류, 폴리옥시에틸렌스타이릴페닐에터 황산 에스터염류, 알킬 인산 에스터염류, 폴리옥시에틸렌알킬에터 인산 에스터염류, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에터 인산 에스터염류, 스타이렌-무수 말레산 공중합물의 부분 비누화물류, 올레핀-무수 말레산 공중합물의 부분 비누화물류, 나프탈렌설폰산염 포말린 축합물류 등을 들 수 있다. 이 중에서, 알킬벤젠설폰산염류, 알킬나프탈렌설폰산염류, 알킬다이페닐에터(다이)설폰산염류가 특히 바람직하게 이용된다.Examples of the anionic surfactant include, but are not limited to, fatty acid salts, abietic acid salts, hydroxyalkane sulfonic acid salts, alkane sulfonic acid salts, dialkyl sulfosuccinic acid salts, straight chain alkylbenzene sulfonic acid salts, Benzene sulfonic acid salts, alkyl naphthalene sulfonic acid salts, alkyl diphenyl ether (di) sulfonic acid salts, alkylphenoxy polyoxyethylene alkyl sulfonic acid salts, polyoxyethylene alkyl sulfophenyl ether salts, N-alkyl- Sodium oleyl taurate, sodium salt of N-alkylsulfosuccinic acid monoamide, petroleum sulfonic acid salts, sulfated castor oil, sulfuric acid waxy oil, sulfuric acid ester salts of fatty acid alkyl esters, alkylsulfuric ester salts, polyoxyethylene alkyl Ether sulfuric acid ester salts, fatty acid monoglyceride sulfuric acid ester salts, polyoxyethylene alkylphenyl ether sulfuric acid ester salts, polyoxyethylene styrylphenyl ether sulfuric acid ester salts, Phosphoric acid ester salts, polyoxyethylene alkyl ether phosphate ester salts, polyoxyethylene alkylphenyl ether phosphate ester salts, partial saponification products of styrene-maleic anhydride copolymer, partial saponification products of olefin-maleic anhydride copolymer, naphthalene sulfone And acid phosphomoline condensation products. Among them, alkylbenzenesulfonic acid salts, alkylnaphthalenesulfonic acid salts and alkyldiphenylether (di) sulfonic acid salts are particularly preferably used.

양이온계 계면활성제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 종래 공지의 것을 이용할 수 있다. 예를 들면, 알킬아민염류, 제4급 암모늄염류, 알킬이미다졸리늄염, 폴리옥시에틸렌알킬아민염류, 폴리에틸렌폴리아민 유도체를 들 수 있다.The cationic surfactant is not particularly limited, but conventionally known ones can be used. Examples thereof include alkylamine salts, quaternary ammonium salts, alkylimidazolinium salts, polyoxyethylene alkylamine salts, and polyethylene polyamine derivatives.

비이온계 계면활성제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 폴리에틸렌글라이콜형의 고급 알코올에틸렌옥사이드 부가물, 알킬페놀에틸렌옥사이드 부가물, 알킬나프톨에틸렌옥사이드 부가물, 페놀에틸렌옥사이드 부가물, 나프톨에틸렌옥사이드 부가물, 지방산 에틸렌옥사이드 부가물, 다가 알코올 지방산 에스터 에틸렌옥사이드 부가물, 고급 알킬아민에틸렌옥사이드 부가물, 지방산 아마이드에틸렌옥사이드 부가물, 유지(油脂)의 에틸렌옥사이드 부가물, 폴리프로필렌글라이콜에틸렌옥사이드 부가물, 다이메틸실록세인-에틸렌옥사이드 블록 코폴리머, 다이메틸실록세인-(프로필렌옥사이드-에틸렌옥사이드) 블록 코폴리머, 다가 알코올형의 글리세롤의 지방산 에스터, 펜타에리트리톨의 지방산 에스터, 소비톨 및 소비탄의 지방산 에스터, 자당의 지방산 에스터, 다가 알코올의 알킬에터, 알칸올아민류의 지방산 아마이드 등을 들 수 있다. 이 중에서, 방향환과 에틸렌옥사이드쇄를 갖는 것이 바람직하고, 알킬 치환 또는 무치환의 페놀에틸렌옥사이드 부가물 또는 알킬 치환 또는 무치환의 나프톨에틸렌옥사이드 부가물이 보다 바람직하다.Examples of nonionic surfactants include, but are not particularly limited to, polyethylene glycol type higher alcohol ethylene oxide adducts, alkylphenol ethylene oxide adducts, alkylnaphthol ethylene oxide adducts, phenol ethylene oxide adducts, naphthol ethylene oxide adducts, Fatty acid ethylene oxide adducts, fatty acid ethylene oxide adducts, polyhydric alcohol fatty acid ester ethylene oxide adducts, higher alkylamine ethylene oxide adducts, fatty acid amide ethylene oxide adducts, ethylene oxide adducts of fats and oils, polypropylene glycol ethylene oxide adducts, Dimethylsiloxane- (propylene oxide-ethylene oxide) block copolymers, fatty acid esters of polyhydric alcohol type glycerol, fatty acid esters of pentaerythritol, fatty acids of sorbitol and sorbitol Ester, fatty acid of sucrose Esters, alkyl ethers of polyhydric alcohols, fatty acid amides of alkanolamines, and the like. Of these, those having an aromatic ring and an ethylene oxide chain are preferable, and alkyl-substituted or unsubstituted phenol ethylene oxide adducts or alkyl-substituted or unsubstituted naphthol ethylene oxide adducts are more preferable.

양성 이온계 계면활성제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 알킬다이메틸아민옥사이드 등의 아민옥사이드계, 알킬베타인 등의 베타인계, 알킬아미노 지방산 나트륨 등의 아미노산계를 들 수 있다. 특히, 치환기를 가져도 되는 알킬다이메틸아민옥사이드, 치환기를 가져도 되는 알킬카복시베타인, 치환기를 가져도 되는 알킬설포베타인이 바람직하게 이용된다. 구체적으로는, 일본 공개특허공보 2008-203359호의 단락 번호 〔0256〕의 식 (2)로 나타나는 화합물, 일본 공개특허공보 2008-276166호의 단락 번호 〔0028〕의 식 (I), 식 (II), 식 (VI)으로 나타나는 화합물, 일본 공개특허공보 2009-47927호의 단락 번호 〔0022〕~〔0029〕로 나타나는 화합물을 이용할 수 있다.Examples of the amphoteric surfactant include, but are not limited to, amine oxides such as alkyl dimethyl amine oxide, betaine based ones such as alkyl betaine, and amino acid based ones such as alkylamino fatty acid sodium. In particular, alkyldimethylamine oxide which may have a substituent, alkylcarboxybetaine which may have a substituent, and alkylsulfobetaine which may have a substituent are preferably used. Specifically, the compound represented by the formula (2) in paragraph [0256] of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2008-203359, the compound represented by the formula (I), the formula (II) Compounds represented by the formula (VI) and compounds represented by the paragraphs [0022] to [0029] of JP-A No. 2009-47927 can be used.

또한 필요에 따라, 소포제 및 경수 연화제와 같은 첨가제를 함유할 수도 있다.If necessary, additives such as a defoaming agent and a water softening agent may also be contained.

그리고, 도 1(E)에 나타내는 바와 같이, 박형 디바이스 웨이퍼(60a)로부터 가접착용 적층체(11)를 제거함으로써, 박형 디바이스 웨이퍼를 얻을 수 있다.1 (E), a thin device wafer can be obtained by removing the adhesive layer 11 from the thin device wafer 60a.

가접착용 적층체(11)의 제거 방법은, 예를 들면, 가접착용 적층체를 필름 형상인 채로 박리 제거(기계 박리)하는 방법, 가접착용 적층체를 박리액으로 팽윤시킨 후에 박리 제거하는 방법, 가접착용 적층체에 박리액을 분사하여 파괴 제거하는 방법, 가접착용 적층체를 박리액에 용해시켜 용해 제거하는 방법, 가접착용 적층체를 활성광선, 방사선 또는 열의 조사에 의하여 분해, 기화시켜 제거하는 방법 등을 들 수 있다. 가접착용 적층체를 필름 형상인 채로 박리 제거하는 방법, 가접착용 적층체를 수용액 또는 유기 용제에 용해시켜 용해 제거하는 방법을 바람직하게 사용할 수 있다. 용제의 사용량 삭감의 관점에서, 필름 형상인 채로 제거하는 것이 바람직하고, 필름 형상인 채로 제거하기 위해서는, 디바이스 웨이퍼 표면(61a)과 가접착용 적층체(11)의 박리 강도 B가 이하의 식 (2)를 충족시키는 것이 바람직하다.The method of removing the adhesive laminate 11 may be, for example, a method of peeling off (removing the machine) the adhesive laminate as a film, a method of swelling the adhesive laminate with the peeling liquid, A method of dissolving and removing a laminate for adhesion by dissolving a laminate for adhesion in a peeling liquid, a method of dissolving and removing the laminate for adhesion by irradiation of an actinic ray, radiation, or heat Followed by decomposition and vaporization. A method in which the adhesive laminate is peeled off and removed in the form of a film, and a method of dissolving and removing the adhesive laminate in an aqueous solution or an organic solvent can be preferably used. It is preferable to remove the film in the form of a film from the viewpoint of reducing the use amount of the solvent. In order to remove the film while keeping the film shape, the peeling strength B between the device wafer surface 61a and the adhesive layer 11 2).

B≤4N/cm ····식 (2)B? 4 N / cm ... (2)

본 발명에서는, 지지체(12)를 박형 디바이스 웨이퍼(60a)로부터 박리할 때에, 어떠한 처리도 하지 않고 박형 디바이스 웨이퍼(60a)의 단부로부터 디바이스 웨이퍼에 대하여 수직 방향으로 끌어올려 박리하는 것이 바람직하고, 디바이스 웨이퍼 표면(61a) 상의 가접착용 적층체(11)를 제거하는 방법으로서는, 필름 형상인 채로 제거하는 것이 바람직하다.In the present invention, when peeling the support member 12 from the thin device wafer 60a, it is preferable to pull up the end portion of the thin device wafer 60a in the vertical direction with respect to the device wafer, As a method of removing the adhesive layer 11 on the wafer surface 61a, it is preferable to remove the adhesive layer 11 in a film form.

지지체(12)와 가접착용 적층체(11)의 계면의 박리 강도를 A, 디바이스 웨이퍼 표면(61a)과 접착층(11)의 박리 강도를 B라고 하면, 상술한 식 (1) 및 (2)를 모두 충족시킴으로써, 지지체(12), 가접착용 적층체(11)를, 상술한 양태로, 디바이스 웨이퍼로부터 제거할 수 있다.When the peel strength of the interface between the support 12 and the adhesive layer 11 is denoted by A and the peel strength between the surface of the device wafer 61a and the adhesive layer 11 is denoted by B, The support member 12 and the adhesive layer 11 can be removed from the device wafer in the above-described manner.

또한, 디바이스 웨이퍼로부터 지지체를 박리할 때, 디바이스 웨이퍼와 가접착용 적층체의 계면에서 박리하는 경우(즉, 디바이스 웨이퍼측에 가접착용 적층체가 남지 않는 경우)는, 도 1(E)의 공정은 생략할 수도 있다.In addition, when the support is peeled from the device wafer and peeled off at the interface between the device wafer and the adhesive laminate (that is, when the adhesive laminate does not remain on the device wafer side) May be omitted.

지지체(12)를 박형 디바이스 웨이퍼(60a)로부터 탈리한 후, 필요에 따라서, 박형 디바이스 웨이퍼(60a)에 대하여, 다양한 공지의 처리를 실시하여, 박형 디바이스 웨이퍼(60a)를 갖는 반도체 장치를 제조한다.After removing the support member 12 from the thin device wafer 60a, various known processes are performed on the thin device wafer 60a, if necessary, to manufacture a semiconductor device having the thin device wafer 60a .

또, 지지체에 가접착용 적층체가 부착되어 있는 경우는, 가접착용 적층체를 제거함으로써, 지지체를 재생시킬 수 있다. 가접착용 적층체를 제거하는 방법으로서는, 필름 형상인 채로 브러시, 초음파, 얼음 입자, 에어로졸의 분사에 의하여 물리적으로 제거하는 방법, 수용액 또는 유기 용제에 용해시켜 용해 제거하는 방법, 활성광선, 방사선, 열의 조사에 의하여 분해, 기화시키는 방법 등의 화학적으로 제거하는 방법을 들 수 있는데, 지지체에 따라, 종래 이미 알려진 세정 방법을 이용할 수 있다.Further, in the case where the adhesive laminate is attached to the support, the support can be regenerated by removing the adhesive laminate. Examples of the method for removing the adhesive laminate include a method of physically removing the film by spraying brushes, ultrasonic waves, ice particles, and aerosols while remaining in a film form, a method of dissolving and removing the film by dissolving in an aqueous solution or an organic solvent, And a method of chemical decomposition by decomposition or vaporization by irradiation of heat. Depending on the support, conventionally known cleaning methods can be used.

예를 들면, 지지체로서 실리콘 기판을 사용한 경우, 종래 이미 알려진 실리콘 웨이퍼의 세정 방법을 사용할 수 있고, 예를 들면 화학적으로 제거하는 경우에 사용할 수 있는 수용액 또는 유기 용제로서는, 강산, 강염기, 강산화제, 또는 이들의 혼합물을 들 수 있으며, 구체적으로는, 황산, 염산, 불산, 질산, 유기산 등의 산류, 테트라메틸암모늄, 암모니아, 유기염기 등의 염기류, 과산화 수소 등의 산화제, 또는 암모니아와 과산화 수소의 혼합물, 염산과 과산화 수소수의 혼합물, 황산과 과산화 수소수의 혼합물, 불산과 과산화 수소수의 혼합물, 불산과 불화 암모늄의 혼합물 등을 들 수 있다.For example, in the case of using a silicon substrate as a support, a conventionally known silicon wafer cleaning method can be used. For example, as an aqueous solution or an organic solvent that can be used for chemical removal, a strong acid, a strong base, And specific examples thereof include acids such as sulfuric acid, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, nitric acid and organic acids, bases such as tetramethylammonium, ammonia and organic bases, oxidizing agents such as hydrogen peroxide, A mixture of hydrochloric acid and hydrogen peroxide, a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide, a mixture of hydrofluoric acid and hydrogen peroxide, and a mixture of hydrofluoric acid and ammonium fluoride.

재생한 지지체를 사용한 경우의 접착성의 관점에서, 지지체 세정액을 이용하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of adhesiveness in the case of using a regenerated support, it is preferable to use a supporter cleaning liquid.

지지체 세정액은, pKa가 0 미만인 산(강산)과 과산화 수소를 포함하고 있는 것이 바람직하다. pKa가 0 미만인 산으로서는, 아이오딘화 수소, 과염소산, 브로민화 수소, 염화 수소, 질산, 황산 등의 무기산, 또는 알킬설폰산, 아릴설폰산 등의 유기산으로부터 선택된다. 지지체 상의 접착층의 세정성의 관점에서 무기산인 것이 바람직하고, 황산이 가장 바람직하다.The support cleaning liquid preferably contains an acid (strong acid) having a pKa of less than 0 and hydrogen peroxide. The acid having a pKa of less than 0 is selected from an inorganic acid such as hydrogen iodide, perchloric acid, hydrogen bromide, hydrogen chloride, nitric acid, sulfuric acid, or an organic acid such as alkylsulfonic acid or arylsulfonic acid. From the viewpoint of cleaning property of the adhesive layer on the support, it is preferably an inorganic acid, and sulfuric acid is most preferable.

과산화 수소로서는, 30질량% 과산화 수소수를 바람직하게 사용할 수 있으며, 상기 강산과 30질량% 과산화 수소수와의 혼합비는, 질량비로 0.1:1~100:1이 바람직하고, 1:1~10:1이 보다 바람직하며, 3:1~5:1이 가장 바람직하다.As the hydrogen peroxide, 30 mass% hydrogen peroxide can be preferably used. The mixing ratio of the strong acid to the 30 mass% hydrogen peroxide is preferably 0.1: 1 to 100: 1, more preferably 1: 1 to 10: 1, and most preferably from 3: 1 to 5: 1.

<<종래의 실시형태>><< Conventional Embodiment >>

이어서, 종래의 실시형태에 대하여 설명한다.Next, a conventional embodiment will be described.

도 2는, 종래의 접착성 지지체와 디바이스 웨이퍼의 가접착 상태의 해제를 설명하는 개략 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view for explaining the release of the adhesion state between the conventional adhesive support and the device wafer.

종래의 실시형태에 있어서는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 접착성 지지체로서, 지지체(12) 위에, 종래의 가접착제에 의하여 형성된 접착층(11b)이 마련되어 이루어지는 접착성 지지체(100a)를 사용하고, 그 이외에는, 도 1을 참조하여 설명한 순서와 마찬가지로, 접착성 지지체(100a)와 디바이스 웨이퍼를 가접착하며, 디바이스 웨이퍼에 있어서의 실리콘 기판의 박막화 처리를 행하고, 이어서, 상기한 순서와 마찬가지로, 접착성 지지체(100a)로부터 박형 디바이스 웨이퍼(60a)를 박리한다.In the conventional embodiment, as shown in Fig. 2, an adhesive supporting body 100a comprising an adhesive layer 11b formed by a conventional adhesive agent on a supporting body 12 is used as an adhesive supporting body, Otherwise, similar to the procedure described with reference to Fig. 1, the adhesive supporting body 100a and the device wafer are adhered to each other, the thinning treatment of the silicon substrate is performed on the device wafer. Subsequently, The thin device wafer 60a is peeled off from the thin device wafer 100a.

그러나, 종래의 가접착제에 의하면, 높은 접착력에 의하여 피처리 부재를 가지지하며, 처리가 완료된 부재에 손상을 입히지 않고, 처리가 완료된 부재에 대한 가지지를 용이하게 해제하는 것이 어렵다. 예를 들면, 디바이스 웨이퍼와 지지체의 가접착을 충분하게 하기 위하여, 종래의 가접착제 중, 접착성이 높은 것을 채용하면, 디바이스 웨이퍼와 지지체의 가접착이 너무 강한 경향이 된다. 따라서, 이 너무 강한 가접착을 해제하기 위하여, 예를 들면, 도 3에 나타내는 바와 같이, 박형 디바이스 웨이퍼(60a)의 이면에 테이프(예를 들면, 다이싱 테이프)(70)를 첩부하고, 접착성 지지체(100a)로부터 박형 디바이스 웨이퍼(60a)를 박리하는 경우에 있어서는, 구조체(63)가 마련된 디바이스 칩(62)으로부터, 구조체(63)가 탈리되는는 등 하여, 디바이스 칩(62)을 파손시키는 결함이 발생하기 쉽다.However, according to the conventional adhesive, it is difficult to easily dispose the treated member with the treated member without having damage to the processed member by having the treated member with high adhesive force. For example, if a high adhesion property is employed among conventional adhesive agents in order to sufficiently bond the device wafer and the support, adhesion between the device wafer and the support tends to be too strong. Therefore, as shown in Fig. 3, a tape (for example, a dicing tape) 70 is attached to the back surface of the thin device wafer 60a, The thin film device wafer 60a is peeled off from the supporting substrate 100a by breaking the device chip 62 such that the structure 63 is removed from the device chip 62 provided with the structure 63, Defects are likely to occur.

한편, 종래의 가접착제 중, 접착성이 낮은 것을 채용하면, 처리가 완료된 부재에 대한 가지지를 용이하게 해제할 수 있지만, 애초에 디바이스 웨이퍼와 캐리어 기판의 가접착이 너무 약하여, 디바이스 웨이퍼를 캐리어 기판으로 확실히 지지할 수 없다는 결함이 발생하기 쉽다.On the other hand, among conventional adhesive agents, if the adhesive agent having a low adhesiveness is used, the holding of the processed member can be easily released. However, since the adhesion between the device wafer and the carrier substrate is too weak, It is likely that defects can not be surely supported.

이에 대하여, 본 발명의 가접착용 적층체는, 충분한 접착성을 발현함과 함께, 디바이스 웨이퍼(60)와 지지체(11)의 가접착을 용이하게 해제할 수 있다. 즉, 본 발명의 가접착용 적층체에 의하면, 높은 접착력에 의하여 디바이스 웨이퍼(60)를 가접착할 수 있음과 함께, 박형 디바이스 웨이퍼(60a)에 손상을 입히지 않고, 박형 디바이스 웨이퍼(60a)에 대한 가접착을 용이하게 해제할 수 있다.On the other hand, the adhesive laminate of the present invention exhibits sufficient adhesiveness and can easily release the adhesion between the device wafer 60 and the supporting member 11. That is, according to the adhesive laminate of the present invention, the device wafer 60 can be adhered to the thin device wafer 60a with high adhesive force, and the device wafer 60 can be adhered to the thin device wafer 60a without damaging the thin device wafer 60a The adhesive can be easily released.

본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은, 상술한 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 적절한 변형, 개량 등이 가능하다.The manufacturing method of the semiconductor device of the present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be appropriately modified and improved.

또, 상술한 실시형태에 있어서는, 디바이스 웨이퍼로서 실리콘 기판을 예로 들었지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 기계적 또는 화학적인 처리에 제공될 수 있는 어느 피처리 부재여도 된다. 예를 들면, 화합물 반도체 기판을 들 수도 있으며, 화합물 반도체 기판의 구체예로서는, SiC 기판, SiGe 기판, ZnS 기판, ZnSe 기판, GaAs 기판, InP 기판, 및 GaN 기판 등을 들 수 있다.In the above-described embodiment, a silicon wafer is used as the device wafer. However, the present invention is not limited to this, but may be any workpiece that can be provided for mechanical or chemical treatment in the semiconductor device manufacturing method. Examples of the compound semiconductor substrate include SiC substrate, SiGe substrate, ZnS substrate, ZnSe substrate, GaAs substrate, InP substrate, GaN substrate, and the like.

또, 상술한 실시형태에 있어서는, 디바이스 웨이퍼(실리콘 기판)에 대한 기계적 또는 화학적인 처리로서, 디바이스 웨이퍼의 박막화 처리, 및 실리콘 관통 전극의 형성 처리를 예로 들었지만, 이들에 한정되는 것은 아니며, 반도체 장치의 제조 방법에 있어서 필요한 어느 처리도 들 수 있다.In the above-described embodiment, the thinning process of the device wafer and the process of forming the silicon through electrode are exemplified as the mechanical or chemical process for the device wafer (silicon substrate). However, the present invention is not limited to this, And the like.

그 외에, 상술한 실시형태에 있어서 예시한, 디바이스 웨이퍼에 있어서의 디바이스 칩의 형상, 치수, 수, 배치 개소 등은 임의이며, 한정되지 않는다.In addition, the shape, size, number, location, etc. of the device chip in the device wafer exemplified in the above-described embodiments are arbitrary and not limited.

실시예Example

이하, 본 발명을 실시예에 의하여 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 그 주지를 넘지 않는 한, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 특별히 설명하지 않는 한, "부", "%"는 질량 기준이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples unless it is beyond the ordinary knowledge. Unless otherwise specified, "part" and "%" are based on mass.

<가접착용 적층체의 제작 방법>&Lt; Method for producing laminate for adhesion &gt;

하기에 기재된 필름 제작용 조성물을, 두께 75μm의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(이형 필름) 상에, 속도 1m/분의 속도로 와이어 바에 의하여 도공하고, 140℃에서 10분간 건조함으로써, 필름 두께 100μm의 접착 필름을 제작했다.The composition for film production described below was coated on a polyethylene terephthalate film (release film) having a thickness of 75 占 퐉 at a speed of 1 m / min by a wire bar and dried at 140 占 폚 for 10 minutes to obtain a 100 占 퐉- .

또, 이하의 표 1에 기재된 가접착용 적층체 1-4, 1-5, 1-15, 1-16, 1-17, 1-18에 있어서의 필름 제작용 조성물은, 300℃ 5분간 용융 교반하고, 폭 100μm의 슬릿으로부터 압출함으로써, 필름 두께 100μm의 압출 성형 시트(접착 필름)를 제작했다.The composition for film production in the laminate for attachment layers 1-4, 1-5, 1-15, 1-16, 1-17, and 1-18 described in Table 1 below was melted at 300 ° C for 5 minutes And extruded from a slit having a width of 100 mu m to produce an extrusion-molded sheet (adhesive film) having a film thickness of 100 mu m.

또, 이하의 표 1에 기재된 가접착용 적층체 1-R2에 있어서의 필름 제작용 조성물은, 시판의 폴리이미드 필름(캡톤, 도레이 듀폰제)을 압출하여, 필름 두께 100μm의 압출 성형 시트(접착 필름)로서 사용했다.The commercially available polyimide film (Capton, Toray DuPont) was extruded from the composition for film production in the laminate for adhesive lamination 1-R2 shown in the following Table 1 to obtain an extrusion-molded sheet Film).

계속해서, 접착 필름 상에, 이하의 이형층 형성용 도포액을 바 도포하고, 120℃에서 1분간, 오븐 건조를 행하여, 접착 필름의 양면에, 두께 60nm의 이형층을 갖는 가접착용 적층체를 제작했다.Subsequently, the following coating liquid for forming a release layer was coated on the adhesive film, and oven drying was performed at 120 DEG C for 1 minute to form an adhesive layer laminate having a release layer having a thickness of 60 nm .

[필름 제작용 조성물][Composition for film production]

·표 1에 기재된 폴리머: 표 1에 나타내는 질량부Polymers listed in Table 1: The mass parts shown in Table 1

·Irganox(등록상표) 1010(BASF(주)제): 0.9질량부Irganox (registered trademark) 1010 (manufactured by BASF Corporation): 0.9 parts by mass

·Sumilizer(등록상표) TP-D(스미토모 가가쿠(주)제): 0.9질량부Sumilizer (registered trademark) TP-D (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.): 0.9 parts by mass

·표 1에 기재된 용제: 표 1에 기재된 질량부Solvents listed in Table 1: The mass parts shown in Table 1

[이형층 형성용 도포액][Application liquid for forming release layer]

·표 1에 기재된 이형제: 표 1에 기재된 질량부The release agent described in Table 1: The mass part

·표 1에 기재된 용제: 표 1에 기재된 질량부Solvents listed in Table 1: The mass parts shown in Table 1

[표 1][Table 1]

Figure pct00016
Figure pct00016

표 1 중에 기재된 화합물은 이하와 같다.The compounds listed in Table 1 are as follows.

<폴리머><Polymer>

(a-1) 셉톤 2104(수소 첨가 폴리스타이렌계 엘라스토머, 5% 열질량 감소 온도=400℃ 이상 450℃ 미만, Mw=5만 이상 10만 미만, 구라레(주)제)(a-1) Septon 2104 (hydrogenated polystyrene elastomer, 5% thermal mass reduction temperature = 400 ° C or more and less than 450 ° C, Mw = 50,000 or more and 100,000 or less, manufactured by Kuraray Co.,

(a-2) 터프텍 P2000(부분 선택적 수소 첨가 폴리스타이렌계 엘라스토머, 5% 열질량 감소 온도=400℃ 이상 450℃ 미만, Mw=5만 이상 10만 미만, 아사히 가세이(주)제)(a-2) Tuftec P2000 (partially selective hydrogenated polystyrene elastomer, 5% thermal mass reduction temperature = 400 占 폚 or more and less than 450 占 폚, Mw = 50,000 or more and less than 100,000, manufactured by Asahi Kasei Corporation)

(a-3) UltrasonE6020(폴리에터설폰, 5% 열질량 감소 온도=450℃ 이상, BASF사제)(a-3) Ultrason E6020 (polyether sulfone, 5% thermal mass reduction temperature = 450 ° C or higher, manufactured by BASF)

(a-4) 하이트렐 7247(폴리에스터계 엘라스토머, 5% 열질량 감소 온도=350℃ 이상 400℃ 미만, 도레이 듀폰사제)(a-4) Hytrel 7247 (polyester elastomer, 5% thermal mass reduction temperature = 350 DEG C or more and less than 400 DEG C, manufactured by Toray DuPont)

(a-5) 프리말로이 CP300(폴리에스터계 엘라스토머, 5% 열질량 감소 온도=350℃ 이상 400℃ 미만, 미쓰비시 가가쿠사제)(a-5) Primalloy CP300 (polyester elastomer, 5% thermal mass reduction temperature = 350 DEG C or more and less than 400 DEG C, manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd.)

(a-6) SIS-5200P(비수소 첨가 폴리스타이렌계 엘라스토머, 250℃ 이상 350℃ 미만, Mw=10만 이상 20만 미만, JSR(주)제)(a-6) SIS-5200P (non-hydrogenated polystyrene type elastomer, at least 250 DEG C and less than 350 DEG C, Mw = 100,000 or more and less than 200,000, manufactured by JSR Corporation)

(a-7) 써모런 Z102B(폴리올레핀계 엘라스토머, 미쓰비시 가가쿠(주)제)(a-7) Thermorun Z102B (polyolefin elastomer, manufactured by Mitsubishi Kagaku K.K.)

(a-8) PANDEX T-2185(폴리유레테인계 엘라스토머, DIC(주)제)(a-8) PANDEX T-2185 (polyurethane-based elastomer, manufactured by DIC Corporation)

(a-9) UBESTA XPA9040F1(폴리아마이드계 엘라스토머, 5% 열질량 감소 온도=350℃ 이상 400℃ 미만, 우베 고산(주)제)(a-9) UBESTA XPA9040F1 (polyamide elastomer, 5% thermal mass reduction temperature = 350 DEG C or more and less than 400 DEG C, manufactured by Ube Gosan Co., Ltd.)

(a-10) XYRON S201A(폴리페닐렌에터, 아사히 가세이(주)제)(a-10) XYRON S201A (polyphenylene ether, manufactured by Asahi Kasei Corporation)

(Ra-1) 캡톤(폴리이미드, 5% 열질량 감소 온도=450℃ 이상, 도레이 듀폰제)(Ra-1) capton (polyimide, 5% thermal mass reduction temperature = 450 ° C or higher, manufactured by Du Pont DuPont)

<이형제><Release Agent>

(b-1) 메가팍 F-553(불소기·친수기·친유기 함유 올리고머, 오일, Mw=0.2만 이상 2.0만 미만, DIC사제)(b-1) Megafac F-553 (oligomer having fluorine group, hydrophilic group and hydrophilic group, oil, Mw = 0.2 to less than 2.0 million, manufactured by DIC)

(b-2) 메가팍 F-557(불소기·친수기·친유기 함유 올리고머, 오일, Mw=0.2만 이상 2.0만 미만, DIC사제)(b-2) Megapac F-557 (fluorine group, hydrophilic group, hydrophilic group-containing oligomer, oil, Mw = 0.2 to less than 2.0 million, manufactured by DIC)

(b-3) 다이프리 FB962(불소계 이형제, Mw=0.2만 이상 2.0만 미만, 다이킨사제)(b-3) Dyepree FB962 (fluorine-based releasing agent, Mw = 0.2 to less than 2.0 million, manufactured by Daikin)

(b-4) 메가팍 RS-72-K(30질량% 용액, 반응성 불소 화합물, Mw=0.2만 이상 2.0만 미만, DIC사제)(b-4) Megaparc RS-72-K (30 mass% solution, reactive fluorine compound, Mw = 0.2 to less than 2.0 million, manufactured by DIC)

(b-5) 옵툴 DSX(20질량% 용액, 불소계 실레인 커플링제, 다이킨사제)(b-5) Optol DSX (20 mass% solution, fluorine-based silane coupling agent, manufactured by Daikin)

(b-6) 트라이클로로(1H,1H,2H,2H-트라이데카플루오로-n-옥틸)실레인(불소계 실레인 커플링제, 도쿄 가세이 고교제)(b-6) trichloro (1H, 1H, 2H, 2H-tridecafluoro-n-octyl) silane (fluorine-based silane coupling agent, manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co.,

(b-7) 트라이메톡시(1H,1H,2H,2H-헵타데카플루오로데실)실레인(불소계 실레인 커플링제, 도쿄 가세이 고교제)(b-7) trimethoxy (1H, 1H, 2H, 2H-heptadecafluorodecyl) silane (fluorine-based silane coupling agent, manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co.)

(b-8) 트라이에톡시(1H,1H,2H,2H-트라이데카플루오로-n-옥틸)실레인(불소계 실레인 커플링제, 도쿄 가세이 고교제)(b-8) triethoxy (1H, 1H, 2H, 2H-tridecafluoro-n-octyl) silane (fluorine-based silane coupling agent, manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co.,

(b-9) X-22-164(실리콘계 2관능 모노머 신에쓰 가가쿠 고교제)(b-9) X-22-164 (silicone-based bifunctional monomer manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

<용제><Solvent>

불소 용매 1: 플루오리너트 FC40(3M사제)Fluorine Solvent 1: Fluorinert FC40 (3M)

PGMEA: 프로필렌글라이콜-1-메틸에터아세테이트PGMEA: propylene glycol-1-methyl ether acetate

<접착성 지지체 1의 제작><Production of Adhesive Support 1>

상기 방법으로 제작한 접착 필름을, 진공 래미네이터에 세팅했다. 그리고, 본 장치에서, 접착 필름을 100mm Si 웨이퍼(지지체) 상에 위치시키고, 진공하에서 Si 웨이퍼와, 접착 필름의 이형층의 반대측 면을 접촉시켜, 롤러로, 접착 필름과 Si 웨이퍼를 고정하여, 접착성 지지체 1을 제작했다.The adhesive film produced by the above method was set on a vacuum laminator. Then, in this apparatus, the adhesive film was placed on a 100 mm Si wafer (support), the Si wafer was brought into contact with the opposite side of the release layer of the adhesive film under vacuum, the adhesive film and the Si wafer were fixed with a roller, An adhesive support 1 was produced.

<시험편의 제작>&Lt; Preparation of test piece &

접착성 지지체 1의 접착 필름이 형성된 측의 면과, 100mm Si 웨이퍼(디바이스 웨이퍼)의 디바이스면을, 진공하, 190℃, 0.11MPa의 압력으로 3분간 압착을 행하여, 시험편을 제작했다.The surface of the adhesive support 1 on which the adhesive film was formed and the device surface of a 100 mm Si wafer (device wafer) were pressed under vacuum at 190 DEG C and 0.11 MPa for 3 minutes to prepare test pieces.

<가접착용 적층체 (1-R3) 및 시험편의 제작 방법>&Lt; Adhesive layered product (1-R3) and method for producing test piece &gt;

상기 폴리머 (a-1)을 28.2질량부와, Irganox(등록상표) 1010(BASF(주)제)을 0.9질량부와, Sumilizer(등록상표) TP-D(스미토모 가가쿠(주)제)를 0.9질량부와, 메시틸렌 70질량부를 포함하는 조성물을, 100mm Si 웨이퍼에 스핀 코터 도포한 후, 110℃에서 1분 베이크하고, 추가로 190℃에서 4분 베이크함으로써 두께 100μm의 접착층을 형성했다.28.2 parts by mass of the above polymer (a-1), 0.9 parts by mass of Irganox (registered trademark) 1010 (manufactured by BASF), 10 parts by mass of Sumilizer (registered trademark) TP-D (manufactured by Sumitomo Chemical Co., , And 70 parts by mass of mesitylene was spin-coated on a 100 mm Si wafer, baked at 110 占 폚 for 1 minute, and further baked at 190 占 폚 for 4 minutes to form an adhesive layer having a thickness of 100 占 퐉.

다음으로, 접착층의 표면에, 상기 이형제 (b-5)를 0.5질량부와, 상기 불소 용매 1을 99.5질량부를 포함하는 조성물을 스핀 코트 도포하여 120℃에서 30초 베이크하고, 추가로 190℃에서 3분 가열하여, 두께 60nm의 이형층을 형성하여, 가접착용 적층체를 갖는 접착성 지지체 1을 제작했다.Next, on the surface of the adhesive layer, a composition containing 0.5 parts by mass of the above releasing agent (b-5) and 99.5 parts by mass of the above fluorine solvent 1 was applied by spin coating and baked at 120 DEG C for 30 seconds, Followed by heating for 3 minutes to form a release layer having a thickness of 60 nm to prepare an adhesive support 1 having the adhesive layer.

다음으로, 접착성 지지체 1의 가접착용 적층체가 형성된 측의 면과, 100mm Si 웨이퍼(디바이스 웨이퍼)의 디바이스면을, 진공하, 190℃, 0.11MPa의 압력으로 3분간 압착을 행하여, 시험편을 제작했다.Next, the side of the adhesive support 1 on which the adhesive laminate was formed and the device side of a 100 mm Si wafer (device wafer) were subjected to compression under vacuum at 190 DEG C and 0.11 MPa for 3 minutes, .

<평탄성><Flatness>

가접착용 적층체의 평균 두께를, 접착성 지지체의 한쪽의 단부면으로부터 다른 한쪽의 단부면을 향하여, 등간격으로 5개소의 장소에 있어서의 두께를, 엘립소메트리에 의하여 측정한 값의 평균값(평균 막두께)와, 최대 두께 혹은 최소 두께와의 차를 측정하고, 이하의 기준으로 평가했다.The average thickness of the adhesive laminate was measured from one end face of the adhesive support to the other end face at five places at equal intervals and the average value of the values measured by ellipsometry (Average film thickness), and the difference between the maximum thickness and the minimum thickness was measured and evaluated according to the following criteria.

A: |평균 막두께-최대 두께 혹은 최소 두께|가, 0μm 이상 5μm 미만A: | Average film thickness - Maximum thickness or minimum thickness | is 0 μm or more and less than 5 μm

B: |평균 막두께-최대 두께 혹은 최소 두께|가, 5μm 이상 20μm 미만B: Average film thickness - Maximum thickness or minimum thickness | is not less than 5 占 퐉 and less than 20 占 퐉

C: |평균 막두께-최대 두께 혹은 최소 두께|가, 20μm 이상C: Average film thickness - Maximum thickness or minimum thickness |

<접착성><Adhesiveness>

시험편의 전단 접착력을, 인장 시험기((주)이마다제 디지털 포스 게이지, 형식: ZP-50N)를 이용하여, 250mm/min의 조건으로 접착층의 면을 따른 방향으로 인장 측정하고, 이하의 기준으로 평가했다.The shear adhesive strength of the test specimen was measured in a direction along the face of the adhesive layer at a rate of 250 mm / min using a tensile tester (digital force gauge manufactured by Imada Corporation, model: ZP-50N) did.

A: 50N 이상의 접착력A: Adhesion of 50 N or more

B: 10N 이상 50N 미만의 접착력B: Adhesion of 10N or more and less than 50N

C: 10N 미만의 접착력C: Adhesion less than 10N

<박리성><Peelability>

시험편을, 다이싱 테이프 마운터의 중앙에 다이싱 프레임과 함께 세팅하고, 다이싱 테이프를 상방으로부터 위치시켰다. 롤러(및 진공)로 시험편과 다이싱 테이프를 고정하여, 다이싱 프레임 상에서 다이싱 테이프를 절단하고, 다이싱 테이프 상에 시험편을 마운트했다.The test piece was set together with the dicing frame in the center of the dicing tape mounter, and the dicing tape was placed from above. The test piece and the dicing tape were fixed with rollers (and vacuum), the dicing tape was cut on the dicing frame, and the test piece was mounted on the dicing tape.

시험편을 500mm/min의 조건으로 접착층의 수직 방향으로 인장하고, 박리성을 확인했다. 또, 제작된 시험편을 250℃에서 30분 가열한 후에, 마찬가지로 250mm/min의 조건으로 접착층의 수직 방향으로 인장하며, 열프로세스 후의 박리성을 확인하고, 이하의 기준으로 평가했다. 또한, Si 웨이퍼의 파손의 유무는 육안으로 확인했다.The test piece was pulled in the vertical direction of the adhesive layer under the condition of 500 mm / min to confirm the peelability. The prepared test piece was heated at 250 占 폚 for 30 minutes and then stretched in the vertical direction of the adhesive layer under the condition of 250 mm / min in the same manner. The peelability after the heat treatment was confirmed and evaluated according to the following criteria. The presence or absence of breakage of the Si wafer was visually confirmed.

A: 최대의 박리력이 6N 미만이며 박리할 수 있었다.A: The maximum peeling force was less than 6N and peeling was possible.

B: 최대의 박리력이 6N 이상 12N 미만이며 박리할 수 있었다.B: The maximum peeling force was 6N or more and less than 12N, and peeling was possible.

C: 최대의 박리력이 12N 이상 20N 미만이며 박리할 수 있었다.C: The maximum peel force was 12N or more and less than 20N, and peeling was possible.

D: 최대의 박리력이 20N 이상이며 박리할 수 있었지만, Si 웨이퍼가 파손되어 버렸다.D: The peeling force at the maximum was 20 N or more and could be peeled off, but the Si wafer was damaged.

<제거성(용해 제거)>&Lt; Removability (dissolution removal) &gt;

박리성 시험 종료 후의 접착 필름 부착 Si 웨이퍼를, 접착 필름을 위로 하여 스핀 코터에 세팅하고, 세정 용제로서 하기 표 2에 기재된 용제를 사용하여, 5분간 분무했다. 또한 스핀 건조를 행했다. 그 후, 외관을 관찰하여 Si 웨이퍼 상 잔존하는 접착 필름의 유무를 육안으로 체크하여, 이하의 기준으로 평가했다.After completion of the peelability test, the Si wafer with the adhesive film was set on a spin coater with the adhesive film facing up and sprayed for 5 minutes using the solvent shown in Table 2 as a cleaning solvent. Further, spin drying was performed. Thereafter, the appearance was observed to visually check the presence or absence of the adhesive film remaining on the Si wafer, and the evaluation was made according to the following criteria.

A: 접착 필름의 잔존이 확인되지 않는다A: Remaining adhesive film is not confirmed

B: 접착 필름의 잔존이 확인되었다B: Remaining adhesive film was confirmed

<제거성(필름 제거)><Removability (film removal)>

박리성 시험 종료 후의 접착 필름 부착 Si 웨이퍼 상에 박리용 테이프(린텍 가부시키가이샤제)를, Si 웨이퍼 외주부의 일부에 첩부하고, 박리용 테이프를 수직 방향으로 인장하며, Si 웨이퍼 상에서 접착 필름을 기계 박리했다. 그 후, 외관을 관찰하여 박형 디바이스 웨이퍼 상에 잔존하는 접착 필름의 박리 잔사의 유무를 육안으로 체크하여, 이하의 기준으로 평가했다.After the peelability test was completed, a peeling tape (manufactured by LINTEC CORPORATION) was affixed onto a Si wafer with an adhesive film attached to a part of the outer periphery of the Si wafer, the peeling tape was pulled in the vertical direction, Peeled. Thereafter, the appearance was observed, and the presence or absence of the peeling residue of the adhesive film remaining on the thin device wafer was visually checked and evaluated according to the following criteria.

A: 파단하지 않고 접착 필름을 제거할 수 있고, 접착 필름의 박리 잔사가 확인되지 않는다.A: The adhesive film can be removed without breaking, and the peeling residue of the adhesive film can not be confirmed.

B: 박리의 도중에 파단했다. 또는, 접착 필름을 제거할 수 있었지만 잔사가 남았다.B: I broke in the middle of peeling. Alternatively, the adhesive film could be removed, but the residue remained.

[표 2][Table 2]

Figure pct00017
Figure pct00017

상기 결과로부터, 실시예 1~18은, 평탄성, 접착성 및 박리성이 양호했다. 나아가서는, 접착층의 제거성이, 용해 제거, 필름 제거 중 어느 것에 있어서도 양호했다.From the above results, in Examples 1 to 18, flatness, adhesiveness and peelability were good. Further, the removability of the adhesive layer was satisfactory in both of dissolution removal and film removal.

한편, 비교예 1~3은, 평탄성, 접착성 및 박리성 중 어느 하나가 뒤떨어지는 것이었다.On the other hand, Comparative Examples 1 to 3 were inferior in flatness, adhesive property, and peelability.

11, 11a: 접착층
12: 지지체
60: 디바이스 웨이퍼
60a: 박형 디바이스 웨이퍼
61: 실리콘 기판
61a: 표면
61b, 61b1: 이면
62: 디바이스 칩
63: 구조체
100: 접착성 지지체
11, 11a:
12: Support
60: device wafer
60a: thin device wafer
61: silicon substrate
61a: Surface
61b, 61b1:
62: Device chip
63: structure
100: Adhesive support

Claims (13)

디바이스 웨이퍼의 디바이스면과 지지체를, 박리 가능하게 가접착하기 위하여 이용하는 가접착용 적층체로서,
폴리스타이렌계 엘라스토머, 폴리에스터계 엘라스토머, 폴리올레핀계 엘라스토머, 폴리유레테인계 엘라스토머, 폴리아마이드계 엘라스토머, 폴리아크릴계 엘라스토머, 실리콘계 엘라스토머, 폴리이미드계 엘라스토머, 폴리에터에터케톤, 폴리페닐렌설파이드, 폴리페닐렌에터 및 폴리에터설폰으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 필름과,
상기 필름의 적어도 한쪽 표면에, 불소 원자 및 규소 원자로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 이형제를 포함하는 이형층을 갖는, 가접착용 적층체.
A laminate for adhesive bonding, which is used for releasably adhering a device surface of a device wafer and a support,
Based elastomer, a polyimide elastomer, a polyether elastomer, a polyether elastomer, a polyether elastomer, a polyether elastomer, a polyurethane elastomer, a polyurethane elastomer, a polyamide elastomer, a polyacrylic elastomer, A film comprising at least one member selected from the group consisting of styrene,
And a releasing layer comprising a releasing agent containing at least one selected from a fluorine atom and a silicon atom on at least one surface of the film.
청구항 1에 있어서,
상기 필름이, 폴리스타이렌계 엘라스토머 및 폴리에터설폰으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 가접착용 적층체.
The method according to claim 1,
Wherein the film comprises at least one selected from a polystyrenic elastomer and a polyethersulfone.
청구항 1에 있어서,
상기 필름이, 폴리스타이렌계 엘라스토머를 포함하는 가접착용 적층체.
The method according to claim 1,
Wherein the film comprises a polystyrene type elastomer.
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 폴리스타이렌계 엘라스토머가, 수소 첨가물인 가접착용 적층체.
The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the polystyrene type elastomer is a hydrogenated product.
청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 폴리스타이렌계 엘라스토머의, 25℃로부터, 20℃/분으로 승온한 5% 열질량 감소 온도가 250℃ 이상인 가접착용 적층체.
The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the 5% thermal mass reduction temperature of the polystyrene-based elastomer heated from 25 占 폚 to 20 占 폚 / min is 250 占 폚 or higher.
청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
상기 이형제가, 실레인 커플링제인 가접착용 적층체.
The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the releasing agent is a silane coupling agent.
청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
상기 필름의 양쪽 표면에 상기 이형층을 갖는 가접착용 적층체.
The method according to any one of claims 1 to 6,
And the release layer is provided on both surfaces of the film.
청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
상기 필름의 한쪽 표면에만 상기 이형층을 갖는 가접착용 적층체.
The method according to any one of claims 1 to 6,
And the release layer is formed on only one surface of the film.
폴리스타이렌계 엘라스토머, 폴리에스터계 엘라스토머, 폴리올레핀계 엘라스토머, 폴리유레테인계 엘라스토머, 폴리아마이드계 엘라스토머, 폴리아크릴계 엘라스토머, 실리콘계 엘라스토머, 폴리이미드계 엘라스토머, 폴리에터에터케톤, 폴리페닐렌에터 및 폴리에터설폰으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 필름의 표면에, 불소 원자 및 규소 원자로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 이형제를 포함하는 이형층을 형성하는 공정을 포함하는, 가접착용 적층체의 제조 방법.Based elastomer, a polyimide-based elastomer, a polyetheretherketone, a polyphenylene ether, and a polyimide-based elastomer, which are selected from the group consisting of a polystyrene elastomer, a polystyrene elastomer, a polyester elastomer, a polyolefin elastomer, a polyurethane-based elastomer, A step of forming a release layer comprising a releasing agent containing at least one selected from a fluorine atom and a silicon atom on a surface of a film containing at least one kind selected from the group consisting of &Lt; / RTI &gt; 디바이스 웨이퍼와 지지체의 사이에, 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 기재된 가접착용 적층체를 갖고, 상기 가접착용 적층체의 한쪽 표면이 상기 디바이스 웨이퍼의 디바이스면에 접하며, 다른 한쪽 표면이 상기 지지체의 표면에 접하고 있는, 디바이스 웨이퍼 부착 적층체.The device according to any one of claims 1 to 8, characterized in that it has a laminate for adhesive bonding as set forth in any one of claims 1 to 8 between the device wafer and the support, wherein one surface of the laminate for adhesion is in contact with the device surface of the device wafer, Wherein the substrate is in contact with the surface of the support. 청구항 10에 있어서,
상기 가접착용 적층체는, 필름의 양쪽 표면에 이형층을 갖는, 디바이스 웨이퍼 부착 적층체.
The method of claim 10,
The adhesive layer laminate has a release layer on both surfaces of the film.
청구항 10에 있어서,
상기 가접착용 적층체는, 필름의 한쪽 표면에만 이형층을 갖고, 상기 이형층이 상기 디바이스 웨이퍼의 표면에 접하고 있는, 디바이스 웨이퍼 부착 적층체.
The method of claim 10,
Wherein the adhesive layer laminate has a release layer on only one surface of the film and the release layer is in contact with the surface of the device wafer.
청구항 10에 있어서,
상기 가접착용 적층체는, 필름의 한쪽 표면에만 이형층을 갖고, 상기 이형층이 상기 지지체에 접하고 있는, 디바이스 웨이퍼 부착 적층체.
The method of claim 10,
The adhesive layer laminate has a release layer on only one surface of the film, and the release layer is in contact with the support.
KR1020167032859A 2014-06-13 2015-06-09 Temporary adhesion laminate, temporary adhesion laminate manufacturing method, and laminate equipped with device wafer KR20160149245A (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014122523 2014-06-13
JPJP-P-2014-122523 2014-06-13
PCT/JP2015/066595 WO2015190478A1 (en) 2014-06-13 2015-06-09 Temporary adhesion laminate, temporary adhesion laminate manufacturing method, and laminate equipped with device wafer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20160149245A true KR20160149245A (en) 2016-12-27

Family

ID=54833568

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167032859A KR20160149245A (en) 2014-06-13 2015-06-09 Temporary adhesion laminate, temporary adhesion laminate manufacturing method, and laminate equipped with device wafer

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6321163B2 (en)
KR (1) KR20160149245A (en)
TW (1) TW201601918A (en)
WO (1) WO2015190478A1 (en)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016132962A1 (en) * 2015-02-20 2016-08-25 富士フイルム株式会社 Laminated body for temporary adhesion, laminated body, and kit
JP6624992B2 (en) * 2016-03-24 2019-12-25 三菱電機株式会社 Method for manufacturing semiconductor device
JP6738672B2 (en) * 2016-07-04 2020-08-12 倉敷紡績株式会社 Release film and method for manufacturing semiconductor package
WO2020045338A1 (en) * 2018-08-30 2020-03-05 三井化学東セロ株式会社 Release film
CN110289383B (en) * 2019-06-18 2021-12-03 深圳昌茂粘胶新材料有限公司 High-temperature-resistant microporous film material for power battery of lithium battery and preparation method of microporous film material
WO2023182138A1 (en) * 2022-03-24 2023-09-28 日産化学株式会社 Adhesive containing polyether-modified siloxane

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007045939A (en) 2005-08-10 2007-02-22 Jsr Corp Method for decreasing adhesive force of adhesive film
JP2009528688A (en) 2006-03-01 2009-08-06 ヤーコプ+リヒター イーペー−フェルヴェルツングスゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Method for processing wafers, particularly thin backsides of wafer-carrier structures, and methods for manufacturing wafer-carrier structures of the type mentioned above
JP2010506406A (en) 2006-10-06 2010-02-25 ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー. High temperature and spin-on bonding composition for temporary bonding of wafers using a sliding technique
JP2011052142A (en) 2009-09-03 2011-03-17 Jsr Corp Adhesive composition, method for processing or moving substrate using the same, and semiconductor element
JP2011119427A (en) 2009-12-03 2011-06-16 Shin-Etsu Chemical Co Ltd Method of manufacturing stacked semiconductor integrated device
JP2011225814A (en) 2010-04-02 2011-11-10 Jsr Corp Composition for provisional fixation, provisional fixation material, treatment method of substrate and semiconductor element
US20110318938A1 (en) 2009-06-15 2011-12-29 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Temporary bonding adhesive for a semiconductor wafer and method for manufacturing a semiconductor device using the same
US20120034437A1 (en) 2010-08-06 2012-02-09 Brewer Science Inc. Multiple bonding layers for thin-wafer handling
WO2013119976A1 (en) 2012-02-08 2013-08-15 Brewer Science Inc. Fluorinated silane coating compositions for thin wafer bonding and handling
JP2013241568A (en) 2012-04-27 2013-12-05 Jsr Corp Substrate treating method, temporary fixing composition and semiconductor device
JP2014029999A (en) 2012-06-29 2014-02-13 Hitachi Chemical Co Ltd Tentatively fixing film, tentatively fixing film sheet and manufacturing method of semiconductor device
JP2014034632A (en) 2012-08-08 2014-02-24 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Adhesive composition, adhesive film and adhesion method

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000071327A (en) * 1998-08-31 2000-03-07 Canon Inc Tubular film and production thereof
JP5962395B2 (en) * 2011-09-28 2016-08-03 Jsr株式会社 Method for temporarily fixing substrate, semiconductor device, and composition for temporary fixing
JP5661669B2 (en) * 2011-09-30 2015-01-28 東京応化工業株式会社 Adhesive composition, adhesive film and substrate processing method
JP6014455B2 (en) * 2012-10-19 2016-10-25 富士フイルム株式会社 Manufacturing method of semiconductor device

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007045939A (en) 2005-08-10 2007-02-22 Jsr Corp Method for decreasing adhesive force of adhesive film
JP2009528688A (en) 2006-03-01 2009-08-06 ヤーコプ+リヒター イーペー−フェルヴェルツングスゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Method for processing wafers, particularly thin backsides of wafer-carrier structures, and methods for manufacturing wafer-carrier structures of the type mentioned above
JP2010506406A (en) 2006-10-06 2010-02-25 ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー. High temperature and spin-on bonding composition for temporary bonding of wafers using a sliding technique
US20110318938A1 (en) 2009-06-15 2011-12-29 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Temporary bonding adhesive for a semiconductor wafer and method for manufacturing a semiconductor device using the same
JP2011052142A (en) 2009-09-03 2011-03-17 Jsr Corp Adhesive composition, method for processing or moving substrate using the same, and semiconductor element
JP2011119427A (en) 2009-12-03 2011-06-16 Shin-Etsu Chemical Co Ltd Method of manufacturing stacked semiconductor integrated device
JP2011225814A (en) 2010-04-02 2011-11-10 Jsr Corp Composition for provisional fixation, provisional fixation material, treatment method of substrate and semiconductor element
US20120034437A1 (en) 2010-08-06 2012-02-09 Brewer Science Inc. Multiple bonding layers for thin-wafer handling
WO2013119976A1 (en) 2012-02-08 2013-08-15 Brewer Science Inc. Fluorinated silane coating compositions for thin wafer bonding and handling
JP2013241568A (en) 2012-04-27 2013-12-05 Jsr Corp Substrate treating method, temporary fixing composition and semiconductor device
JP2014029999A (en) 2012-06-29 2014-02-13 Hitachi Chemical Co Ltd Tentatively fixing film, tentatively fixing film sheet and manufacturing method of semiconductor device
JP2014034632A (en) 2012-08-08 2014-02-24 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Adhesive composition, adhesive film and adhesion method

Also Published As

Publication number Publication date
TW201601918A (en) 2016-01-16
JP6321163B2 (en) 2018-05-09
WO2015190478A1 (en) 2015-12-17
JPWO2015190478A1 (en) 2017-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6321164B2 (en) Laminated body for temporary bonding, manufacturing method of laminated body for temporary bonding, and laminated body with device wafer
KR101959770B1 (en) Temporary adhesive, adhesive film, adhesive support, laminate, and kit
JP6321163B2 (en) Laminated body for temporary bonding, manufacturing method of laminated body for temporary bonding, and laminated body with device wafer
KR101927110B1 (en) Composition, process for producing sheet, sheet, layered product, and laminate with device wafer
JP6188614B2 (en) Laminate, composition for forming protective layer, kit, and method for manufacturing semiconductor device
JP6589766B2 (en) Wafer processing adhesive, wafer laminate, and thin wafer manufacturing method
TWI732764B (en) Temporary adhesive, adhesive film, adhesive support, laminate and adhesive kit
TWI779045B (en) Temporary bonding film roll for substrate processing, manufacturing method of thin substrate
KR101906879B1 (en) Method for manufacturing temporary adhesive film, temporary adhesive film, layered body, layered body provided with device wafer, and temporary adhesive composition
CN106992133A (en) The manufacture method of temporary transient sticking method and slim chip
KR101930721B1 (en) Laminated body for temporary adhesion, laminated body, and kit
JP6182491B2 (en) Laminate and its application
TW201728442A (en) Method for manufacturing laminate, method for manufacturing semiconductor device, and laminate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application