KR20160061129A - Method of fabricating stacked film - Google Patents
Method of fabricating stacked film Download PDFInfo
- Publication number
- KR20160061129A KR20160061129A KR1020140163648A KR20140163648A KR20160061129A KR 20160061129 A KR20160061129 A KR 20160061129A KR 1020140163648 A KR1020140163648 A KR 1020140163648A KR 20140163648 A KR20140163648 A KR 20140163648A KR 20160061129 A KR20160061129 A KR 20160061129A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- source gas
- forming
- film
- oxide film
- nitride film
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 32
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 56
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 130
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 36
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 31
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 31
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 20
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 154
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 12
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 7
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
- H01L21/02315—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
- H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
- H01L21/0234—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 적층막의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 질화막과 산화막으로 이루어진 적층막의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a laminated film, and more particularly, to a method of manufacturing a laminated film composed of a nitride film and an oxide film.
반도체 소자와 같은 전자 소자를 제조하는 과정에서 질화막과 산화막을 포함하여 구성하는 적층막을 도입하는 경우가 있다. 이러한 적층막의 형성과정에서 이종물질층 간의 계면제어, 파티클 발생, 제조비용 절감 등의 이슈가 수반될 수 있다. 또한 설비형태에서는 소스 구성이 많이 필요하고 퍼지 등의 문제로 설비가 복잡하게 구성되는 문제가 야기될 수 있다.A laminated film including a nitride film and an oxide film may be introduced in the course of manufacturing an electronic device such as a semiconductor device. In the process of forming such a multilayer film, problems such as interface control between hetero-material layers, particle generation, and manufacturing cost reduction may be involved. Also, in the equipment type, there is a problem that a lot of source configuration is required and facilities are complicated due to problems such as purging.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 이종물질 간의 계면을 제어하며 파티클 발생을 감소시키며 제조비용을 절감할 수 있는 적층막의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a laminated film which can control the interface between different materials, reduce the generation of particles, and reduce manufacturing costs. However, these problems are exemplary and do not limit the scope of the present invention.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 관점에 따른 적층막의 제조방법이 제공된다. 상기 적층막의 제조방법에서는 챔버 내에 배치된 기판 상에, 질화막 및 산화막을 인시츄 공정으로 순차적으로 형성하는 단계; 상기 질화막을 형성한 후 상기 산화막을 형성하기 이전에, 상기 챔버 내에 산소(O2)를 포함하는 제 1 분위기에서 제 1 플라즈마 처리를 수행하는 단계; 및 상기 산화막을 형성한 이후에, 상기 챔버 내에 산소(O2)를 포함하는 제 2 분위기에서 제 2 플라즈마 처리를 수행하는 단계; 를 구비하는 단위사이클을 적어도 1회 이상 수행하되, 상기 질화막을 형성하는 단계는, 탄소(C)를 함유하는 제 1 소스가스를 상기 기판 상에 제공하는 단계를 포함하고, 상기 산화막을 형성하는 단계는, 탄소(C)를 함유하는 제 2 소스가스를 상기 기판 상에 제공하는 단계를 포함한다. A method of manufacturing a laminated film according to one aspect of the present invention for solving the above problems is provided. In the method of manufacturing a laminated film, a step of sequentially forming a nitride film and an oxide film in an in-situ process on a substrate disposed in a chamber; Performing a first plasma treatment in a first atmosphere containing oxygen (O 2 ) in the chamber before forming the oxide film after forming the nitride film; And performing a second plasma treatment in a second atmosphere containing oxygen (O 2 ) in the chamber after forming the oxide film; Wherein the step of forming the nitride film comprises providing a first source gas containing carbon (C) on the substrate, the step of forming the oxide film Comprises providing a second source gas containing carbon (C) on the substrate.
상기 적층막의 제조방법은 상기 질화막을 형성한 후 상기 제 1 플라즈마 처리를 수행하기 이전에, 상기 챔버 내에 질소(N2)와 암모니아(NH3)를 포함하는 제 3 분위기에서 제 3 플라즈마 처리를 수행하는 단계; 를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 제 3 플라즈마 처리는 상기 질화막이 형성된 후에 상기 질화막을 형성하기 위하여 공급될 수 있는 상기 제 1 소스가스와 질소(N2) 및 암모니아(NH3)를 포함하는 반응가스의 플로우 중에서 상기 제 1 소스가스의 플로우를 중단하고 상기 반응가스의 플로우를 유지한 상태에서 수행될 수 있다.The method of manufacturing the laminated film may further include performing a third plasma treatment in a third atmosphere containing nitrogen (N 2 ) and ammonia (NH 3 ) in the chamber before performing the first plasma treatment after forming the nitride film ; . ≪ / RTI > In this case, in the third plasma treatment, the first source gas, which can be supplied to form the nitride film after the nitride film is formed, and the first source gas, the nitrogen (N 2 ), and the ammonia (NH 3 ) And stopping the flow of the first source gas and maintaining the flow of the reaction gas.
상기 적층막의 제조방법에서, 상기 제 2 플라즈마 처리는 상기 산화막이 형성된 후에 상기 산화막을 형성하기 위하여 공급될 수 있는 상기 제 2 소스가스와 산소(O2)를 포함하는 반응가스의 플로우 중에서 상기 제 2 소스가스의 플로우를 중단하고 상기 반응가스의 플로우를 유지한 상태에서 수행될 수 있다. In the method of manufacturing the laminated film, the second plasma treatment may be performed after the oxide film is formed, in the flow of the reactive gas including the second source gas and the oxygen (O 2 ) that can be supplied to form the oxide film, The flow of the source gas is stopped and the flow of the reaction gas is maintained.
상기 적층막의 제조방법에서, 상기 제 2 플라즈마 처리는 아르곤(Ar) 및 헬륨(He) 중 적어도 어느 하나와 상기 산소를 포함하는 분위기에서 수행될 수 있다. In the method of manufacturing the laminated film, the second plasma treatment may be performed in an atmosphere containing at least one of argon (Ar) and helium (He) and the oxygen.
상기 적층막의 제조방법에서, 상기 제 1 소스가스와 상기 제 2 소스가스는, 탄소(C)를 함유하는 동종의 소스가스일 수 있다. 이 경우, 상기 제 1 소스가스와 상기 제 2 소스가스는 동일한 소스가스라인을 통하여 상기 챔버 내로 제공될 수 있다. In the method for producing a laminated film, the first source gas and the second source gas may be the same type of source gas containing carbon (C). In this case, the first source gas and the second source gas may be provided into the chamber through the same source gas line.
상기 적층막의 제조방법에서, 상기 질화막은 실리콘 질화막이며, 상기 산화막은 실리콘 산화막이며, 상기 제 1 소스가스와 상기 제 2 소스가스는, 탄소(C)를 함유하는 동종의 실리콘계 소스가스일 수 있다. In the above-described method for producing a laminated film, the nitride film may be a silicon nitride film, and the oxide film may be a silicon oxide film, and the first source gas and the second source gas may be the same silicon-based source gas containing carbon (C).
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 질화막과 산화막을 인시츄 공정으로 형성함으로써 이종물질층의 계면을 효과적으로 제어할 수 있으며, 질화막 소스가스와 산화막 소스가스가 동종의 가스이므로 소스가스의 퍼지/펌핑 시간을 최소화하거나 생략할 수 있으며 가스라인을 단순화할 수 있으며 적층막 형성과정에서 파티클 발생을 감소시킬 수 있는 적층막 제조방법을 제공할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to some embodiments of the present invention as described above, the interface of the hetero-material layer can be effectively controlled by forming the nitride film and the oxide film by the in-situ process. Since the nitride film source gas and the oxide film source gas are the same kind of gas, The purging / pumping time of the gas can be minimized or omitted, the gas line can be simplified, and the generation of particles during the lamination film formation process can be reduced. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층막의 제조방법을 도해하는 순서도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 적층막의 제조방법을 도해하는 순서도이다.
도 3은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 적층막의 제조방법을 수행하는 적층막 제조장치 중 일부를 도해하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 비교예에 따른 적층막 제조장치의 일부를 도해하는 도면이다. 1 is a flow chart illustrating a method of manufacturing a laminated film according to an embodiment of the present invention.
2 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a laminated film according to another embodiment of the present invention.
3 is a view illustrating a part of a laminated film production apparatus that performs a method of manufacturing a laminated film according to some embodiments of the present invention.
4 is a diagram showing a part of a laminated film production apparatus according to a comparative example of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 여러 실시예들을 예시적으로 설명하기로 한다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described by way of example with reference to the accompanying drawings.
명세서 전체에 걸쳐서, 막, 영역 또는 기판 등과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 상기 다른 구성요소 "상에" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다. It is to be understood that throughout the specification, when an element such as a film, an area, or a substrate is referred to as being "on" another element, the element may directly "contact" It is to be understood that there may be other components intervening between the two. On the other hand, when an element is referred to as being "directly on" another element, it is understood that there are no other elements intervening therebetween.
본 명세서에서 제 1, 제 2, 제 3 등의 용어가 다양한 플라즈마 또는 분위기 등을 각각 구분하여 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 용어는 하나의 플라즈마 또는 분위기 등을 다른 플라즈마 또는 분위기 등과 구별하기 위하여만 사용되며, 플라즈마 또는 분위기의 구현순서가 제 1, 제 2, 제 3 등에 사용되는 숫자에 의하여 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제 1 플라즈마가 구현되는 단계와 제 3 플라즈마가 구현되는 단계의 시간적인 선후 관계는 제 1 및 제 3 이라는 용어에 나타나는 숫자에 의하여 결정되지 않는다. In this specification, the terms first, second, third, etc. are used to separately describe various plasma or atmosphere, but these terms are used only to distinguish one plasma or atmosphere from other plasma or atmosphere And the order in which the plasma or atmosphere is implemented is not limited by the numbers used in the first, second, third, and the like. For example, the temporal posterior relationship of the step in which the first plasma is implemented and the step in which the third plasma is implemented is not determined by the numbers shown in the first and third terms.
이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것일 수 있다. 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings schematically showing ideal embodiments of the present invention. In the figures, for example, variations in the shape shown may be expected, depending on manufacturing techniques and / or tolerances. Accordingly, the embodiments of the present invention should not be construed as limited to the particular shapes of the regions illustrated herein, but should include, for example, changes in shape resulting from manufacturing. Further, the thickness and the size of each layer in the drawings may be exaggerated for convenience and clarity of explanation. Like numbers refer to like elements.
본 발명의 일부 실시예들에 따른 적층막의 제조방법은 화학적 기상 증착법(CVD) 또는 원자층 증착법(ALD; Atomic Layer Deposition)으로 구현될 수 있다. The method of manufacturing the laminated film according to some embodiments of the present invention may be implemented by chemical vapor deposition (CVD) or atomic layer deposition (ALD).
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층막의 제조방법을 도해하는 순서도이고, 도 3은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 적층막의 제조방법을 수행하는 적층막 제조장치 중 일부를 도해하는 도면이다. FIG. 1 is a flow chart illustrating a method of manufacturing a laminated film according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a view illustrating a part of a laminated film producing apparatus performing a method of manufacturing a laminated film according to some embodiments of the present invention to be.
도 1 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 적층막의 제조방법은 질화막 및 산화막 중 어느 하나의 막과 나머지 다른 하나의 막을 챔버 내에서 인시츄(in-situ) 공정으로 순차적으로 형성하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 상기 적층막은 질화막과 산화막이 인시츄 공정으로 순차적으로 형성되어 이루어질 수 있다. 다른 예로서, 상기 적층막은 산화막과 질화막이 인시츄 공정으로 순차적으로 형성되어 이루어질 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 3, a method of manufacturing a laminated film according to some embodiments of the present invention includes sequentially forming a film of a nitride film and an oxide film, and the other film in an in-situ process As shown in FIG. For example, the laminated film may be formed by successively forming a nitride film and an oxide film in an in-situ process. As another example, the laminated film may be formed by successively forming an oxide film and a nitride film in an in-situ process.
여기에서, 인시츄 공정이라 함은 기판 상에 제 1 막과 제 2 막을 포함하는 적층막을 순차적으로 형성함에 있어서, 제 1 막을 형성하는 단계와 제 2 막을 형성하는 단계 사이에 외부대기에 노출되는 단계가 포함되지 않도록 구성하는 공정을 의미할 수 있다. 예를 들어, 하나의 챔버 내에 기판이 인입되고 챔버 내부의 압력을 소정의 범위로 유지한 상태에서, 상기 기판 상에 제 1 막과 제 2 막을 연속적으로 순차 형성하고, 그 이후에, 상기 챔버 외부로 상기 기판을 인출하도록 구성하여, 제 1 막과 제 2 막 사이의 계면이 외부대기에 노출되지 않도록 구성하는 공정을 포함할 수 있다. Here, the in situ process refers to a process of sequentially forming a laminated film including a first film and a second film on a substrate, a step of exposing to the outside atmosphere between the step of forming the first film and the step of forming the second film May be included. For example, the first film and the second film are successively formed on the substrate in a state in which the substrate is drawn into one chamber and the pressure inside the chamber is maintained within a predetermined range, and thereafter, And the step of constructing the substrate so that the interface between the first film and the second film is not exposed to the outside atmosphere.
본 발명의 기술적 사상에 따르면, 질소(N)를 함유하는 반응가스와 반응하여 상기 질화막을 형성할 수 있는 제 1 소스가스 및 산소(O)를 함유하는 반응가스와 반응하여 상기 산화막을 형성할 수 있는 제 2 소스가스는 동종의 가스이다. According to the technical idea of the present invention, the oxide film can be formed by reacting with a reaction gas containing nitrogen (N) and reacting with a first source gas capable of forming the nitride film and a reaction gas containing oxygen (O) The second source gas is a homogeneous gas.
예를 들어, 상기 질화막이 실리콘 질화막이고, 상기 산화막이 실리콘 산화막일 경우, 실리콘 질화막을 형성할 수 있는 상기 제 1 소스가스와 실리콘 산화막을 형성할 수 있는 상기 제 2 소스가스는 탄소(C)를 함유하는 동종의 실리콘계 소스가스일 수 있다. 다만, 본 발명자는, 상기 탄소(C)를 함유하는 실리콘계 소스가스가 산소(O)를 함유하는 경우 상기 소스가스로부터 실리콘 질화물이 형성되는 것이 용이하지 않음을 확인하였는바, 바람직하게는 상기 제 1 및 제 2 소스가스는 산소기를 함유하지 않을 수 있다. For example, when the nitride film is a silicon nitride film and the oxide film is a silicon oxide film, the first source gas capable of forming a silicon nitride film and the second source gas capable of forming a silicon oxide film include carbon (C) Based source gas containing silicon. However, the inventor of the present invention has confirmed that it is not easy to form silicon nitride from the source gas when the silicon-based source gas containing carbon (C) contains oxygen (O). Preferably, And the second source gas may not contain an oxygen group.
예컨대, 실리콘 질화막을 형성할 수 있는 상기 제 1 소스가스와 실리콘 산화막을 형성할 수 있는 상기 제 2 소스가스는 메틸기(CH3)를 함유하는 동일한 실리콘계 소스가스일 수 있다. For example, the first source gas capable of forming a silicon nitride film and the second source gas capable of forming a silicon oxide film may be the same silicon-based source gas containing a methyl group (CH 3 ).
한편, 달리 예컨대, 실리콘 질화막을 형성할 수 있는 상기 제 1 소스가스와 실리콘 산화막을 형성할 수 있는 상기 제 2 소스가스는 에틸기(C2H5)를 함유하는 동일한 실리콘계 소스가스일 수 있다. Alternatively, for example, the first source gas capable of forming a silicon nitride film and the second source gas capable of forming a silicon oxide film may be the same silicon-based source gas containing an ethyl group (C 2 H 5 ).
상기 제 1 소스가스와 상기 제 2 소스가스는 동종의 가스이므로, 적층막이 형성되는 챔버 내로 동일한 가스라인을 통하여 제공될 수 있다. 예컨대, 도 3을 참조하면, 실리콘 질화막을 형성할 수 있는 메인 소스로서의 상기 제 1 소스가스와 실리콘 산화막을 형성할 수 있는 메인 소스로서의 상기 제 2 소스가스는 동종의 가스이므로, 챔버 내에 구비된 샤워헤드(400)로 연결되는 메인 소스가스의 공급라인(100)은 동일할 수 있다. Since the first source gas and the second source gas are the same gases, they can be provided through the same gas line into the chamber in which the laminated film is formed. For example, referring to FIG. 3, the first source gas as a main source capable of forming a silicon nitride film and the second source gas as a main source capable of forming a silicon oxide film are the same kind of gas, The
이와는 달리, 질화물을 형성하는 과정에서 상기 제 1 소스가스와 반응하는 상기 질소(N)를 함유하는 반응가스(예를 들어, NH3 및/또는 N2) 및 산화물을 형성하는 과정에서 상기 제 2 소스가스와 반응하는 상기 산소(O)를 함유하는 반응가스(예를 들어, O2)는, 상기 제 1 소스가스 및 상기 제 2 소스가스가 제공되는 가스라인(100)과 별개인, 적어도 하나 이상의 다른 가스라인(200, 300)을 통하여 챔버 내에 구비된 샤워헤드(400)에 제공될 수 있다. Alternatively, in the process of forming a reaction gas (for example, NH 3 and / or N 2 ) and an oxide containing nitrogen (N) reacting with the first source gas in the process of forming a nitride, The reactive gas (e.g., O 2 ) containing oxygen (O) that reacts with the source gas may be at least one of the first source gas and the second source gas, The gas can be supplied to the
상술한 바와 같이, 질소(N)를 함유하는 반응가스와 반응하여 상기 질화막을 형성할 수 있는 제 1 소스가스 및 산소(O)를 함유하는 반응가스와 반응하여 상기 산화막을 형성할 수 있는 제 2 소스가스가 동종의 가스인 것이 본 발명의 중요한 기술적 사상이다. 이와 비교하여, 본 발명의 비교예로서 상기 제 1 소스가스와 상기 제 2 소스가스가 서로 다른 종류인 경우를 도 4를 참조하여 설명한다. As described above, the first source gas capable of reacting with the reaction gas containing nitrogen (N) to form the nitride film and the second source gas capable of reacting with the reaction gas containing oxygen (O) It is an important technical idea of the present invention that the source gas is the same kind of gas. In comparison with this, the case where the first source gas and the second source gas are different kinds as a comparative example of the present invention will be described with reference to FIG.
본 발명의 비교예에 따르면, 질소(N)를 함유하는 반응가스와 반응하여 질화막을 형성할 수 있는 제 1 소스가스는 실란(SiH4) 가스이며(화학식 1), 산소(O)를 함유하는 반응가스와 반응하여 산화막을 형성할 수 있는 제 2 소스가스는 테오스(TEOS; Si(C2H5O)4)이다(화학식 2). According to a comparative example of the present invention, the first source gas capable of reacting with a reaction gas containing nitrogen (N) to form a nitride film is a silane (SiH 4 ) gas (Formula 1) The second source gas that can react with the reaction gas to form an oxide film is TEOS (Si (C 2 H 5 O) 4 ) (Chemical Formula 2).
<화학식 1>≪ Formula 1 >
3SiH4 + 4NH3 → Si3N4 + 12H2 ↑ 3SiH 4 + 4NH 3 → Si 3 N 4 + 12H 2 ↑
<화학식 2>(2)
TEOS(Si(C2H5O)4) + 12O2 → SiO2 + 10H2O↑ + 8CO2↑ TEOS (Si (C 2 H 5 O) 4) + 12O 2 → SiO 2 + 10H 2 O ↑ + 8CO 2 ↑
이 경우, 질소(N)를 함유하는 반응가스와 반응하여 질화막을 형성할 수 있는 제 1 소스가스 및 산소(O)를 함유하는 반응가스와 반응하여 산화막을 형성할 수 있는 제 2 소스가스는 이종의 가스이므로, 챔버 내로 연결되는 가스라인이 서로 상이하여 구성이 복잡하게 된다. In this case, the first source gas capable of reacting with the reaction gas containing nitrogen (N) to form a nitride film and the second source gas capable of reacting with the reaction gas containing oxygen (O) The gas lines connected to the chamber are different from each other, complicating the structure.
구체적으로, 질소(N)를 함유하는 반응가스와 반응하여 질화막을 형성할 수 있는 제 1 소스가스로서의 실란(SiH4) 가스가 제공되는 가스라인(30)과 산소(O)를 함유하는 반응가스와 반응하여 산화막을 형성할 수 있는 제 2 소스가스로서의 테오스(TEOS)가 제공되는 가스라인(10)은 구분되어야 한다. Specifically, a
질화물을 형성하기 위한 제 1 소스인 실란(SiH4) 가스와 산화물을 형성하기 위한 제 2 소스인 테오스(TEOS)는 챔버 내에 동시에 플로우되면 폭발할 수 있다. 나아가, 질화물을 형성하기 위한 실란(SiH4) 가스가 산소(O)기를 포함한 가스와 만나게 되면 서로 반응하여 파티클을 유발하기 때문에, 질화물을 형성한 이후에 인시츄 공정으로 산화물을 형성하고자 하는 경우에는, 질화물을 형성하고 충분한 퍼지 및 펌핑 공정을 수행한 이후에 산화물을 형성하기 위한 가스를 플로우하여야 한다. 마찬가지로, 산화물을 형성한 이후에 인시츄 공정으로 질화물을 형성하고자 하는 경우에는, 산화물 증착 이후에 테오스(TEOS)와 O2 가스는 실란(SiH4) 가스와 만나지않도록 충분한 퍼지 및 펌핑 공정을 수행하여야 한다. A first source of silane for forming a nitride (SiH 4) the Teos (TEOS) for forming a second source gas and the oxide may explode if flow into the chamber at the same time. Further, when a silane (SiH 4 ) gas for forming a nitride is brought into contact with a gas containing an oxygen (O) group, they react with each other to induce particles. Therefore, if an oxide is to be formed by an in situ process after the formation of a nitride , A gas must be flowed to form an oxide after forming a nitride and performing a sufficient purging and pumping process. Likewise, in the case where a nitride is to be formed by the in situ process after the oxide is formed, a sufficient purge and pumping process is performed so that the TEOS and the O 2 gas do not meet the silane (SiH 4 ) gas after the oxide deposition shall.
즉, 이종의 소스가스를 사용하여 인시츄 공정으로 질화물 및 산화물을 형성하기 때문에 가스 공급라인 구성이 복잡하게 되며, 챔버와 가스라인에서 가스 퍼지 및 펌핑 소요시간이 길어지며 파티클이 유발되는 문제점이 야기될 수 있다. 이와 비교하여, 본 발명의 실시예에 의하면, 동종의 메인 소스가스를 사용하여 인시츄 공정으로 질화물 및 산화물을 형성하기 때문에 가스 공급라인 구성이 단순하게 되며, 가스 퍼지 및 펌핑 소요시간이 단축되며 파티클 발생이 감소되는 유리한 효과를 기대할 수 있다. That is, since the nitride and oxide are formed by the in situ process using different kinds of source gas, the configuration of the gas supply line becomes complicated, and the time required for gas purging and pumping in the chamber and the gas line becomes long, . In contrast, according to the embodiment of the present invention, since the nitride and oxide are formed by the in-situ process using the homogenous main source gas, the gas supply line configuration is simplified, the gas purging and pumping time are shortened, An advantageous effect of reducing the occurrence can be expected.
한편, 본 발명의 기술적 사상에 따르면, 질소(N)를 함유하는 반응가스와 반응하여 상기 질화막을 형성할 수 있는 제 1 소스가스 및 산소(O)를 함유하는 반응가스와 반응하여 상기 산화막을 형성할 수 있는 제 2 소스가스는 각각 탄소를 함유하는 가스이므로, 질화막과 산화막을 인시츄로 형성하는 과정에서 챔버 내벽에 탄소 불순물이 흡착될 수 있다. 특히, 질화막 및 산화막 중 어느 하나의 제 1 막을 형성하는 과정에서 챔버 내벽에 흡착된 탄소 불순물은 질화막 및 산화막 중 다른 어느 하나의 제 2 막을 형성하는 과정에서 의도하지 않은 결과를 초래할 수 있다. 예를 들어, 질화막을 형성하는 과정에서 챔버 내벽에 흡착된 탄소 불순물은 인시츄 공정에서 후속으로 산화막을 형성하는 과정에 의도하지 않는 방식으로 참여하여 산화막의 막질을 열화시킬 수 있다. 또 다른 예를 들어, 질화막과 산화막을 인시츄로 형성하는 단위사이클을 복수 회 반복하는 공정에 있어서, 산화막을 형성하는 과정에서 챔버 내벽에 흡착된 탄소 불순물은 인시츄 공정에서 후속으로 질화막을 형성하는 과정에 의도하지 않는 방식으로 참여하여 질화막의 막질을 열화시킬 수 있다.According to the technical idea of the present invention, a reaction gas containing a first source gas and oxygen (O) capable of reacting with a reaction gas containing nitrogen (N) to form the nitride film reacts with a reaction gas containing oxygen Since the second source gas is a gas containing carbon, carbon impurities can be adsorbed on the inner wall of the chamber during the process of forming the nitride film and the oxide film in situ. Particularly, in the process of forming the first film of either the nitride film or the oxide film, the carbon impurities adsorbed on the inner wall of the chamber may cause unintended results in the process of forming the second film of any one of the nitride film and the oxide film. For example, the carbon impurities adsorbed on the inner wall of the chamber during the process of forming a nitride film may participate in a process of forming the oxide film subsequently in the in-situ process, thereby deteriorating the quality of the oxide film. As another example, in a process of repeating a unit cycle of forming a nitride film and an oxide film in a plurality of times, the carbon impurities adsorbed on the inner wall of the chamber in the process of forming the oxide film form a nitride film in the in situ process It may deteriorate the film quality of the nitride film by participating in an unintended manner in the process.
본 발명에서는 이러한 문제점을 해결하기 위하여, 챔버 내에 배치된 기판 상에, 질화막 및 산화막을 인시츄 공정으로 순차적으로 형성하는 단계; 상기 질화막을 형성한 후 상기 산화막을 형성하기 이전에, 상기 챔버 내에 산소(O2)를 포함하는 제 1 분위기에서 제 1 플라즈마 처리를 수행하는 단계; 및 상기 산화막을 형성한 이후에, 상기 챔버 내에 산소(O2)를 포함하는 제 2 분위기에서 제 2 플라즈마 처리를 수행하는 단계; 를 구비하는 단위사이클을 적어도 1회 이상 수행한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of sequentially forming a nitride film and an oxide film on a substrate disposed in a chamber by an in situ process; Performing a first plasma treatment in a first atmosphere containing oxygen (O 2 ) in the chamber before forming the oxide film after forming the nitride film; And performing a second plasma treatment in a second atmosphere containing oxygen (O 2 ) in the chamber after forming the oxide film; Is performed at least once.
상기 단위사이클에 있어서, 질화막을 형성한 후 산화막을 형성하기 이전에, 챔버 내에 산소(O2)를 포함하는 제 1 분위기에서 제 1 플라즈마 처리를 수행함으로써, 질화막을 형성하는 과정에서 챔버 내벽에 흡착된 탄소 불순물이 제거될 수 있다. 따라서, 제 1 플라즈마 처리 단계는 산소 플라즈마 세정 처리 단계로서 일종의 클리닝(cleaning) 단계로 이해될 수 있다. In the unit cycle, the first plasma treatment is performed in the first atmosphere containing oxygen (O 2 ) in the chamber before the oxide film is formed after the nitride film is formed, The removed carbon impurities can be removed. Therefore, the first plasma treatment step can be understood as a kind of cleaning step as the oxygen plasma cleaning treatment step.
한편, 상기 단위사이클에 있어서, 산화막을 형성한 후에, 챔버 내에 산소(O2)를 포함하는 제 2 분위기에서 제 2 플라즈마 처리를 수행함으로써, 산화막을 형성하는 과정에서 챔버 내벽에 흡착된 탄소 불순물이 제거될 수 있다. 따라서, 제 2 플라즈마 처리 단계는 산소 플라즈마 세정 처리 단계로서 일종의 클리닝(cleaning) 단계로 이해될 수 있다. 나아가, 상기 제 2 플라즈마 처리는 상기 산화막의 막질 특성을 개선할 수 있는바, 이러한 의미에서, 상기 제 2 플라즈마 처리 단계는 막질 처리 단계로 이해될 수도 있다.On the other hand, by performing the second plasma treatment in the second atmosphere containing oxygen (O 2 ) in the chamber after forming the oxide film in the unit cycle, carbon impurities adsorbed on the inner wall of the chamber during the formation of the oxide film Can be removed. Thus, the second plasma treatment step can be understood as a kind of cleaning step as the oxygen plasma cleaning treatment step. Furthermore, the second plasma treatment can improve the film quality characteristic of the oxide film, and in this sense, the second plasma treatment step may be understood as a film quality treatment step.
이하에서는, 본 발명에 의한 적층막 제조방법의 구체적인 실시예들을 설명한다. Hereinafter, specific examples of the laminated film production method according to the present invention will be described.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 적층막의 제조방법에서, 적층막을 형성하기 위하여 적어도 1회 이상 수행되는 단위 사이클은, 실리콘 질화막을 형성하는 단계(S220), 챔버 내벽에 흡착된 탄소 불순물을 제거하기 위하여 챔버 내에 산소(O2)를 포함하는 제 1 분위기에서 제 1 플라즈마 처리를 수행하는 단계 (S250), 상기 실리콘 질화막 상에 실리콘 산화막을 형성하는 단계(S270) 및 챔버 내벽에 흡착된 탄소 불순물을 제거하고 실리콘 산화막의 막질을 개선하기 위하여 챔버 내에 산소(O2)를 포함하는 제 2 분위기에서 제 2 플라즈마 처리를 수행하는 단계(S280)를 포함한다. Referring to FIG. 1, in a method of manufacturing a laminated film according to an embodiment of the present invention, a unit cycle performed at least once to form a laminated film includes forming a silicon nitride film (S220) performing a first plasma treatment in a first atmosphere including oxygen (O 2) in the chamber in order to remove carbon impurities (S250), a step (S270) and the inner wall of the chamber to form a silicon oxide film on the silicon nitride film removing the adsorbed carbon impurity and a step (S280) of performing a second plasma treatment in a second atmosphere including oxygen (O 2) in the chamber in order to improve the film quality of the silicon oxide film.
나아가, 상기 단위 사이클은 실리콘 질화막을 형성하는 단계(S220)와 제 1 플라즈마 처리를 수행하는 단계(S250) 사이에 수행되는 퍼지 단계(S240)를 더 포함할 수 있으며, 제 2 플라즈마 처리를 수행하는 단계(S280) 이후에 수행되는 퍼지 단계(S290)를 더 포함할 수 있다. Further, the unit cycle may further include a purging step (S240) performed between the step S220 of forming the silicon nitride film and the step S250 of performing the first plasma treatment, and the second plasma treatment may be performed May further include a purge step S290 performed after step S280.
한편, 상술한 바와 같이, 실리콘 질화막을 형성할 수 있는 제 1 소스가스와 실리콘 산화막을 형성할 수 있는 제 2 소스가스는 탄소(C)를 함유하는 동종의 실리콘계 소스가스일 수 있다. 유기 소스로부터 실리콘 질화막을 형성하는 과정에서 챔버 내벽에 탄소 불순물이 흡착될 수 있는바, 이러한 탄소 불순물을 제거하기 위하여 상기 챔버 내에 산소(O2) 플라즈마 세정 처리를 수행할 수 있다. 예컨대, 적층막을 형성하기 위하여 챔버 내로 제공된 상기 유기 소스 중 반응하지 않고 남은 탄소 성분이 상기 챔버 내에 남아, 후속 공정에 영향을 미칠 수 있는바, 상기 산소 플라즈마 세정 처리(예를 들어, 제 1 플라즈마 처리, 제 2 플라즈마 처리)를 통하여 잔류 탄소의 환원 반응을 유도하여 탄화수소 계열(예를 들어, 이산화탄소)의 물질을 챔버 외부로 배출할 수 있다. On the other hand, as described above, the first source gas capable of forming the silicon nitride film and the second source gas capable of forming the silicon oxide film can be silicon-based source gases of the same type containing carbon (C). In the process of forming a silicon nitride film from an organic source, carbon impurities may be adsorbed on the inner wall of the chamber. An oxygen (O 2 ) plasma cleaning process may be performed in the chamber to remove the carbon impurities. For example, unreacted carbon remains in the chamber of the organic source provided into the chamber to form a laminate film may remain in the chamber and affect the subsequent process so that the oxygen plasma cleaning process (e.g., the first plasma process , The second plasma treatment) to induce the reduction reaction of the residual carbon to discharge the hydrocarbon-based material (for example, carbon dioxide) to the outside of the chamber.
한편, 산화막을 형성한 이후에 수행되는 제 2 플라즈마 처리 단계는 산소(O2)를 포함하는 제 2 분위기에서 구현된다. 제 2 플라즈마 처리는 산화막을 형성하는 과정에서 챔버 내벽에 흡착된 탄소 불순물을 제거할 수 있으며, 나아가, 상기 산화막의 막질 특성을 개선할 수 있다. 상기 제 2 플라즈마 처리는 산화막이 형성된 후에 상기 산화막을 형성하기 위하여 공급될 수 있는 상기 제 2 소스가스와 산소(O2)를 포함하는 반응가스의 플로우 중에서 상기 제 2 소스가스의 플로우만 중단하고 상기 반응가스의 플로우를 유지한 상태에서 수행될 수 있다. 즉, 상기 제 2 분위기는 상기 산화막을 형성하기 위한 상기 챔버 내 분위기에서 상기 제 2 소스가스만 제거된 분위기를 포함한다. 예를 들어, 산화막을 형성하기 위한 분위기는 플라즈마 상태로 존재하는 반응가스(산소 함유), 제 2 소스가스, 및 캐리어 가스로서 불활성 가스 등을 포함할 수 있다. 이러한 산화막 형성 분위기에서 제 2 소스가스만 제거된 제 2 분위기에서 상기 제 2 플라즈마가 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 제 2 분위기는 아르곤(Ar) 및 헬륨(He) 중 적어도 어느 하나와 산소를 포함하는 분위기를 포함할 수 있다. 이 경우, 산화물 형성 분위기와 제 2 플라즈마를 구현하기 위한 제 2 분위기에서의 플라즈마 공정 조건은 동일할 수 있다. On the other hand, the second plasma treatment step performed after forming the oxide film is implemented in the second atmosphere including oxygen (O 2 ). The second plasma treatment can remove the carbon impurities adsorbed on the inner wall of the chamber during the formation of the oxide film, and further improve the film quality of the oxide film. Wherein the second plasma treatment stops only the flow of the second source gas in the flow of the reactive gas including the second source gas and the oxygen (O 2 ) that can be supplied to form the oxide film after the oxide film is formed, Can be performed while maintaining the flow of the reaction gas. That is, the second atmosphere includes an atmosphere in which only the second source gas is removed in the atmosphere in the chamber for forming the oxide film. For example, the atmosphere for forming the oxide film may include a reactive gas (containing oxygen) present in a plasma state, a second source gas, and an inert gas as a carrier gas. The second plasma can be realized in the second atmosphere in which only the second source gas is removed in this oxide film forming atmosphere. For example, the second atmosphere may include an atmosphere containing at least one of argon (Ar) and helium (He) and oxygen. In this case, the plasma processing conditions in the oxide forming atmosphere and the second atmosphere for realizing the second plasma may be the same.
적층막을 형성함에 있어서, 상술한 단위 사이클을 수행하기 이전에 챔버 내로 웨이퍼를 인입하는 단계(S100)를 먼저 수행하며, 상술한 단위 사이클을 수행한 이후에 상기 챔버 내부의 압력을 외부와 맞추기 위하여 펌핑하는 단계(S320), 상기 챔버 외부로 웨이퍼를 인출하는 단계(S330)를 후속으로 수행할 수 있다. In forming the laminated film, a step S100 of introducing a wafer into the chamber before performing the above-described unit cycle is performed first. After performing the above-described unit cycle, the pressure inside the chamber is pumped (S320), and a step of withdrawing the wafer from the chamber (S330).
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 적층막의 제조방법을 도해하는 순서도이다. 도 2에 도시된 제조방법은 도 1에 도시된 제조방법을 포함하되 추가적인 단계들을 더 포함하는바, 동일한 단계에 대한 설명은 중복되므로 생략할 수 있다. 2 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a laminated film according to another embodiment of the present invention. The manufacturing method shown in FIG. 2 includes the manufacturing method shown in FIG. 1, but further includes additional steps, and descriptions of the same steps are redundant and can be omitted.
도 2를 참조하면, 적층막을 형성하기 위한 단위사이클은 질화막을 형성하는 단계(S220) 이후 및 제 1 플라즈마 처리를 수행하는 단계(S250) 이전에, 챔버 내에 질소(N2)와 암모니아(NH3)를 포함하는 제 3 분위기에서 제 3 플라즈마 처리를 수행하는 단계(S230); 를 포함할 수 있다. 제 3 플라즈마 처리에 의하여 질화막의 막질이 개선될 수 있다. 상기 제 3 플라즈마 처리는 상기 질화막이 형성된 후에 상기 질화막을 형성하기 위하여 공급될 수 있는 상기 제 1 소스가스와 질소(N2) 및 암모니아(NH3)를 포함하는 반응가스의 플로우 중에서 상기 제 1 소스가스의 플로우만 중단하고 상기 반응가스의 플로우를 유지한 상태에서 수행될 수 있다. 즉, 상기 제 3 플라즈마 처리를 수행하기 위한 상기 제 3 분위기는 상기 질화막을 형성하기 위한 상기 챔버 내 분위기에서 상기 제 1 소스가스만 제거된 분위기를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 2, the unit cycle for forming the laminated film includes nitrogen (N 2 ) and ammonia (NH 3 ) in the chamber after the step of forming the nitride film (S220) and before the step of performing the first plasma treatment (S230) of performing a third plasma process in a third atmosphere including the first plasma process; . ≪ / RTI > The film quality of the nitride film can be improved by the third plasma treatment. Wherein the third plasma treatment is performed in a flow of the first source gas, nitrogen (N 2 ), and ammonia (NH 3 ) that can be supplied to form the nitride film after the nitride film is formed, It is possible to stop the flow of the gas and to maintain the flow of the reaction gas. That is, the third atmosphere for performing the third plasma treatment may include an atmosphere in which only the first source gas is removed in the chamber atmosphere for forming the nitride film.
예를 들어, 질화막을 형성하기 위한 분위기는 플라즈마 상태로 존재하는 반응가스(질소 함유), 제 1 소스가스, 및 캐리어 가스로서 불활성 가스 등을 포함할 수 있다. 이러한 질화막 형성 분위기에서 제 1 소스가스만 제거된 제 3 분위기에서 상기 제 3 플라즈마가 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 제 3 분위기는 질소(N2)와 암모니아(NH3)를 포함하는 분위기를 포함할 수 있다. 이 경우, 질화물 형성 분위기와 제 3 플라즈마를 구현하기 위한 제 3 분위기에서의 플라즈마 공정 조건은 동일할 수 있다.For example, the atmosphere for forming the nitride film may include a reactive gas (containing nitrogen) present in a plasma state, a first source gas, and an inert gas as a carrier gas. The third plasma may be realized in a third atmosphere in which only the first source gas is removed in the nitride film forming atmosphere. For example, the third atmosphere may include an atmosphere containing nitrogen (N 2 ) and ammonia (NH 3 ). In this case, the nitride forming atmosphere and the plasma processing conditions in the third atmosphere for realizing the third plasma may be the same.
이를 종합하여 도 2를 참조하면, 상기 단위사이클은 가스 안정화 단계(S210), 실리콘 질화막을 형성하는 단계(S220), 제 3 플라즈마 처리를 수행하는 단계(S230), 퍼지 단계(S240), 제 1 플라즈마 처리를 수행하는 단계(S250), 가스 안정화 단계(S260), 실리콘 산화막을 형성하는 단계(S270), 제 2 플라즈마 처리를 수행하는 단계(S280) 및 퍼지 단계(S290)를 포함할 수 있다. 2, the unit cycle includes a gas stabilization step S210, a silicon nitride film formation step S220, a third plasma processing step S230, a purge step S240, (S250), a gas stabilization step (S260), a step of forming a silicon oxide film (S270), a step of performing a second plasma treatment (S280), and a purge step (S290).
여기에서, 제 3 플라즈마 처리를 수행하는 단계(S230) 및 제 2 플라즈마 처리를 수행하는 단계(S280)는 형성된 박막의 막질 특성을 개선하기 위한 후처리 단계로 이해될 수 있으며, 제 1 플라즈마 처리를 수행하는 단계(S250) 및 제 2 플라즈마 처리를 수행하는 단계(S280)는 탄소를 함유하는 소스가스에 기인하여 챔버 내벽에 흡착된 탄소 불순물을 제거하는 세정 단계로 이해될 수 있다. Here, the step of performing the third plasma process (S230) and the step of performing the second plasma process (S280) can be understood as a post-process step for improving the film quality property of the formed thin film, and the first plasma process The performing step S250 and the step S280 of performing the second plasma treatment can be understood as a cleaning step for removing carbon impurities adsorbed on the inner wall of the chamber due to the carbon source gas.
한편, 본 발명의 실시예에 의하면, 동종의 메인 소스가스를 사용하여 인시츄 공정으로 질화물 및 산화물을 형성하기 때문에 가스 공급라인 구성이 단순하게 되며, 가스를 퍼지하고 펌핑하는 단계의 수행시간을 단축할 수 있다. 나아가, 도 3에 도시된 메인 소스가스 공급라인(100)의 최종 밸브(final valve, 130)를 샤워헤드(400)를 구비한 챔버에 최대한 가깝게 설치하고, 부가적인 가스라인(200, 300)은 쓰리웨이 밸브(3 way valve, 220)로 플로우를 구별함으로써 단위 사이클 동안 챔버 내의 상기 제 1 소스가스와 상기 제 2 소스가스를 퍼지하고 펌핑하는 단계를 생략할 수 있다. On the other hand, according to the embodiment of the present invention, since the nitride and oxide are formed by the in situ process using the main source gas of the same kind, the gas supply line configuration is simplified, and the execution time of the step of purging and pumping the gas is shortened can do. Further, the
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.
Claims (10)
상기 질화막을 형성한 후 상기 산화막을 형성하기 이전에, 상기 챔버 내에 산소(O2)를 포함하는 제 1 분위기에서 제 1 플라즈마 처리를 수행하는 단계; 및
상기 산화막을 형성한 이후에, 상기 챔버 내에 산소(O2)를 포함하는 제 2 분위기에서 제 2 플라즈마 처리를 수행하는 단계;
를 구비하는 단위사이클을 적어도 1회 이상 수행하되,
상기 질화막을 형성하는 단계는, 탄소(C)를 함유하는 제 1 소스가스를 상기 기판 상에 제공하는 단계를 포함하고,
상기 산화막을 형성하는 단계는, 탄소(C)를 함유하는 제 2 소스가스를 상기 기판 상에 제공하는 단계를 포함하는,
적층막 제조방법.Sequentially forming a nitride film and an oxide film in an in-situ process on a substrate disposed in the chamber;
Performing a first plasma treatment in a first atmosphere containing oxygen (O 2 ) in the chamber before forming the oxide film after forming the nitride film; And
Performing a second plasma treatment in a second atmosphere containing oxygen (O 2 ) in the chamber after forming the oxide film;
And at least one unit cycle,
Wherein forming the nitride film comprises providing a first source gas containing carbon (C) on the substrate,
Wherein forming the oxide film comprises providing a second source gas containing carbon (C) on the substrate.
Laminated film.
상기 질화막을 형성한 후 상기 제 1 플라즈마 처리를 수행하기 이전에,
상기 챔버 내에 질소(N2) 및 암모니아(NH3)를 포함하는 제 3 분위기에서 제 3 플라즈마 처리를 수행하는 단계;
를 포함하는, 적층막 제조방법.The method according to claim 1,
Before forming the nitride film and performing the first plasma treatment,
Performing a third plasma treatment in a third atmosphere comprising nitrogen (N 2 ) and ammonia (NH 3 ) in the chamber;
Wherein the film forming step comprises the steps of:
상기 제 3 플라즈마 처리는 상기 질화막이 형성된 후에 상기 질화막을 형성하기 위하여 공급될 수 있는 상기 제 1 소스가스와 질소(N2) 및 암모니아(NH3)를 포함하는 반응가스의 플로우 중에서 상기 제 1 소스가스의 플로우를 중단하고 상기 반응가스의 플로우를 유지한 상태에서 수행되는, 적층막 제조방법.3. The method of claim 2,
Wherein the third plasma treatment is performed in a flow of the first source gas, nitrogen (N 2 ), and ammonia (NH 3 ) that can be supplied to form the nitride film after the nitride film is formed, The flow of the gas is stopped and the flow of the reaction gas is maintained.
상기 제 2 플라즈마 처리는 상기 산화막이 형성된 후에 상기 산화막을 형성하기 위하여 공급될 수 있는 상기 제 2 소스가스와 산소(O2)를 포함하는 반응가스의 플로우 중에서 상기 제 2 소스가스의 플로우를 중단하고 상기 반응가스의 플로우를 유지한 상태에서 수행되는, 적층막 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the second plasma treatment stops the flow of the second source gas in a flow of the reactive gas including the second source gas and oxygen (O 2 ) that can be supplied to form the oxide film after the oxide film is formed Wherein the reaction is carried out while maintaining the flow of the reaction gas.
상기 제 2 플라즈마 처리는 아르곤(Ar) 및 헬륨(He) 중 적어도 어느 하나와 상기 산소를 포함하는 분위기에서 수행되는, 적층막 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the second plasma treatment is performed in an atmosphere containing at least one of argon (Ar) and helium (He) and the oxygen.
상기 제 1 소스가스와 상기 제 2 소스가스는, 탄소(C)를 함유하는 동종의 소스가스인, 적층막 제조방법.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the first source gas and the second source gas are the same type of source gas containing carbon (C).
상기 질화막은 실리콘 질화막이며, 상기 산화막은 실리콘 산화막이며, 상기 제 1 소스가스와 상기 제 2 소스가스는, 탄소(C)를 함유하는 동종의 실리콘계 소스가스인, 적층막 제조방법.The method according to claim 6,
Wherein the nitride film is a silicon nitride film, the oxide film is a silicon oxide film, and the first source gas and the second source gas are the same silicon-based source gas containing carbon (C).
상기 탄소(C)를 함유하는 동종의 실리콘계 소스가스는 메틸기(CH3) 또는 에틸기(C2H5)를 함유하는 실리콘계 소스가스인, 적층막 제조방법.8. The method of claim 7,
Wherein the silicon-based source gas containing carbon (C) is a silicon-based source gas containing a methyl group (CH 3 ) or an ethyl group (C 2 H 5 ).
상기 탄소(C)를 함유하는 동종의 실리콘계 소스가스는 산소(O)를 함유하지 않으면서 탄소(C)를 함유하는 실리콘계 소스가스인, 적층막 제조방법.9. The method of claim 8,
Wherein the silicon-based source gas containing carbon (C) is a silicon-based source gas containing no oxygen (O) and containing carbon (C).
상기 제 1 소스가스와 상기 제 2 소스가스는 동일한 소스가스라인을 통하여 상기 챔버 내로 제공되는, 적층막 제조방법.
The method according to claim 6,
Wherein the first source gas and the second source gas are provided into the chamber through the same source gas line.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140163648A KR20160061129A (en) | 2014-11-21 | 2014-11-21 | Method of fabricating stacked film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140163648A KR20160061129A (en) | 2014-11-21 | 2014-11-21 | Method of fabricating stacked film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160061129A true KR20160061129A (en) | 2016-05-31 |
Family
ID=56099088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140163648A KR20160061129A (en) | 2014-11-21 | 2014-11-21 | Method of fabricating stacked film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20160061129A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018186178A (en) * | 2017-04-25 | 2018-11-22 | 東京エレクトロン株式会社 | Film deposition method |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070065663A (en) * | 2005-12-20 | 2007-06-25 | 삼성전자주식회사 | Apparatus for fabricating semiconductor device |
| KR20080106984A (en) * | 2006-03-31 | 2008-12-09 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Method to improve the step coverage and pattern loading for dielectric films |
| JP2010530127A (en) * | 2007-03-30 | 2010-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | Strained silicon nitride film and device manufacturing method including the film |
| KR101115750B1 (en) * | 2006-05-30 | 2012-03-07 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | A novel deposition-plasma cure cycle process to enhance film quality of silicon dioxide |
| KR20140113037A (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-24 | 주식회사 원익아이피에스 | Apparatus for processing substrate and method for manufacturing complex film |
-
2014
- 2014-11-21 KR KR1020140163648A patent/KR20160061129A/en not_active Application Discontinuation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070065663A (en) * | 2005-12-20 | 2007-06-25 | 삼성전자주식회사 | Apparatus for fabricating semiconductor device |
| KR20080106984A (en) * | 2006-03-31 | 2008-12-09 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Method to improve the step coverage and pattern loading for dielectric films |
| KR101115750B1 (en) * | 2006-05-30 | 2012-03-07 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | A novel deposition-plasma cure cycle process to enhance film quality of silicon dioxide |
| JP2010530127A (en) * | 2007-03-30 | 2010-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | Strained silicon nitride film and device manufacturing method including the film |
| KR20140113037A (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-24 | 주식회사 원익아이피에스 | Apparatus for processing substrate and method for manufacturing complex film |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018186178A (en) * | 2017-04-25 | 2018-11-22 | 東京エレクトロン株式会社 | Film deposition method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11251040B2 (en) | Cyclical deposition method including treatment step and apparatus for same | |
| US9790595B2 (en) | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber | |
| US9349587B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device and method of processing substrate and substrate processing apparatus | |
| US10163625B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device, substrate-processing apparatus, and recording medium | |
| US9508543B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and non-transitory computer-readable recording medium | |
| US8828890B2 (en) | Method for depositing cyclic thin film | |
| US20180286674A1 (en) | Two-step process for gapfilling high aspect ratio trenches with amorphous silicon film | |
| US9005459B2 (en) | Film deposition method and film deposition apparatus | |
| TWI601209B (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing method, substrate processing apparatus, and recording medium | |
| JP4396547B2 (en) | Film forming method, film forming apparatus, and storage medium | |
| US20070065578A1 (en) | Treatment processes for a batch ALD reactor | |
| KR20150079470A (en) | Plasma enhanced atomic layer deposition with pulsed plasma exposure | |
| US20150031216A1 (en) | Cleaning method, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium | |
| KR102489044B1 (en) | Deposition Methods for Uniform and Conformal Hybrid Titanium Oxide Films | |
| US8734901B2 (en) | Film deposition method and apparatus | |
| TWI474399B (en) | Method of depositing cyclic thin film | |
| CN110265298B (en) | Method for manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus | |
| KR101551199B1 (en) | Cyclic deposition method of thin film and manufacturing method of semiconductor, semiconductor device | |
| TW201448043A (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium | |
| JP6441494B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program | |
| JP6110420B2 (en) | Method of manufacturing nitride film and method of controlling compressive stress of nitride film | |
| KR102046163B1 (en) | Method of fabricating semiconductor device | |
| KR20160061129A (en) | Method of fabricating stacked film | |
| CN114561630A (en) | Method for manufacturing semiconductor device, substrate processing method, recording medium, and substrate processing apparatus | |
| KR20160046458A (en) | Method of fabricating stacked film |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |