KR20160044972A - Fingerprint detecting apparatus canceling offset and control method thereof - Google Patents

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Abstract

An objective of the present invention is to prevent acquisition of a dark or a light fingerprint and allow an entire image of a fingerprint in a single fingerprint image to have uniform quality. According to an embodiment of the present invention, a fingerprint detecting apparatus comprises: a plurality of sensor pads to output response signals from fingers for a drive signal; a reference voltage providing unit to provide a reference voltage; and an offset adjustment unit to adjust an average voltage level of the response signals from the sensor pads based on the reference voltage.

Description

오프셋 조절 지문 검출 장치 및 이의 구동 방법{FINGERPRINT DETECTING APPARATUS CANCELING OFFSET AND CONTROL METHOD THEREOF}FIELD OF THE INVENTION [0001] The present invention relates to an offset-

본 발명은 지문 검출 장치 및 이의 구동 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 지문 검출 장치의 동작 상태에 따라 상이해지는 출력 신호의 오프셋을 제거하여 일정한 품질의 지문 이미지를 획득하는 지문 검출 장치 및 이의 구동 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a fingerprint detecting device and a driving method thereof, and more particularly to a fingerprint detecting device for obtaining a fingerprint image of a constant quality by removing an offset of an output signal, ≪ / RTI >

지문의 무늬는 사람마다 다르기 때문에, 개인 식별 분야에 많이 이용되고 있다. 특히, 지문은 개인 인증 수단으로서 금융, 범죄수사, 보안 등의 다양한 분야에서 널리 사용되고 있다.Since fingerprints vary from person to person, they are widely used in the field of personal identification. In particular, fingerprints are widely used in various fields such as finance, crime investigation and security as personal authentication means.

이러한 지문을 인식하여 개인을 식별하기 위해 지문 인식 센서가 개발되었다. 지문 인식 센서는 사람의 손가락을 접촉하고 손가락 지문을 인식하는 장치로서, 정당한 사용자인지 여부를 판단할 수 있는 수단으로 활용되고 있다.A fingerprint recognition sensor has been developed to recognize these fingerprints and identify them. The fingerprint recognition sensor is a device for recognizing a fingerprint of a finger by contacting a finger of a person, and is used as a means for determining whether or not the user is a legitimate user.

지문 인식 센서를 구현하는 방식으로는 광학방식, 열감지 방식 및 정전용량 방식 등의 다양한 인식 방식이 알려져 있다. 이 중 정전용량 방식의 지문 인식 센서는 사람의 손가락 표면이 도전성 감지 패턴에 접촉될 때 지문의 골과 융선 형상에 따른 정전용량의 변화를 검출함으로써 지문의 모양(지문 패턴)을 획득한다.Various recognition methods such as an optical method, a thermal sensing method, and a capacitive sensing method are known as a method of implementing a fingerprint recognition sensor. Among them, the capacitive type fingerprint recognition sensor acquires the shape of the fingerprint (fingerprint pattern) by detecting a change in capacitance depending on the shape of the ridge and the ridge of the finger when the finger surface of the person touches the conductive detection pattern.

최근에는 휴대용 장치를 통해, 전화, 문자 메시지 전송 서비스와 같은 통신 기능뿐 아니라, 금융, 보안 등 개인 정보가 활용되는 다양한 부가 기능이 제공되고 있으며, 휴대용 장치의 잠금 장치에 대한 필요성이 더욱 중요하게 부각되고 있다. 이러한 휴대용 장치의 잠금 효과를 향상시키기 위하여, 지문 인식을 통한 잠금 장치가 장착된 단말기를 본격적으로 개발하고 있다.In recent years, various additional functions utilizing personal information such as finance and security have been provided not only in communication functions such as telephone and text message transmission service through portable devices, but also in the necessity of locking devices of portable devices. . In order to improve the locking effect of such a portable device, a terminal equipped with a locking device through fingerprint recognition is being developed in earnest.

도 1은 기본적인 지문 인식 센서의 구조를 나타내는 도면이다.1 is a view showing the structure of a basic fingerprint recognition sensor.

정전용량 방식의 지문 인식 센서에서 지문의 골과 융선에 따른 정전용량의 변화를 검출하기 위해서는 도 1에서와 같이 인식 센서를 둘러싸고 있는 베젤(10)에 구동 신호(Vdrv)를 인가하여 이 신호가 손가락과 센서 어레이를 구성하고 있는 센서 패드(20)를 통해 출력되는 전압을 감지하고, 손가락이 접촉하지 않았을 경우의 출력 전압과 비교하였다.In order to detect a change in capacitance due to ridges and ridges of a fingerprint in a capacitive fingerprint recognition sensor, a drive signal (V drv ) is applied to the bezel 10 surrounding the recognition sensor as shown in FIG. 1, The voltage output through the sensor pad 20 constituting the finger and sensor array was sensed and compared with the output voltage when the finger was not in contact.

Figure pat00001
Figure pat00001

수학식 1은 도 1의 지문 인식 센싱 구조에서 손가락 지문의 골과 융선에 따른 전압 크기를 구하는 공식이다.Equation (1) is a formula for obtaining the voltage magnitude according to the ridges and ridges of the fingerprint in the fingerprint recognition sensing structure of FIG.

수학식 1을 참조하면, Vout은 출력 전압이고, Vref는 기준전압이며, CFB는 피드백 커패시터의 정전용량을 의미한다. Vdrv는 구동 전압이며, Cfinger는 손가락이 센서 패드에 접촉하였을 때 형성되는 정전용량이다.Referring to Equation (1), V out is the output voltage, V ref is the reference voltage, and C FB means the capacitance of the feedback capacitor. V drv is the driving voltage and C finger is the capacitance formed when the finger touches the sensor pad.

종래의 지문 인식 센서에서는, 동일한 손가락 지문이 센서 패드(20)에 접촉한 경우에도, 지문 인식 센서를 구성하는 기본 단위가 되는 지문 인식 소자에서 발생되는 오프셋이 서로 상이하여, 획득되는 전압값이 달라짐에 따라 최종적으로 획득되는 지문 이미지의 질이 저하되는 문제점이 발생하였다. 즉, 동일한 손가락 지문이 센서 패드(20)에 접촉되어 있는 상태에서도 지문의 각 부분에 해당하는 센서 패드(20)의 전압값이 오프셋에 의해 지속적으로 변화하는 경우가 존재하였다.In the conventional fingerprint recognition sensor, even when the same finger fingerprint is brought into contact with the sensor pad 20, the offsets generated in the fingerprint recognition element serving as the basic unit constituting the fingerprint recognition sensor are different from each other, The quality of the final fingerprint image is deteriorated. That is, even when the same fingerprint is in contact with the sensor pad 20, the voltage value of the sensor pad 20 corresponding to each part of the fingerprint continuously changes due to the offset.

따라서, 이러한 문제점을 방지하기 위해 상기와 같이 변화하는 출력 전압의 값에 포함되는 오프셋을 제거하여 획득되는 전압 레벨을 일정하게 변환하는 방법이 필요하였다.Therefore, in order to prevent such a problem, there has been a need for a method of constantly converting the voltage level obtained by removing the offset included in the value of the output voltage as described above.

본 발명은 전술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것을 그 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems of the prior art.

본 발명은 센서 어레이에서 발생하는 전압값의 오프셋을 조절함으로써 진하거나 흐린 지문이 획득 되는 것을 방지하고, 하나의 지문 이미지 내에서도 지문 전체 이미지가 일정한 품질을 갖도록 하는 것을 그 목적으로 한다.The object of the present invention is to prevent the dark or faint fingerprints from being obtained by adjusting the offset of the voltage value occurring in the sensor array and to ensure that the entire image of the fingerprint has a constant quality even in one fingerprint image.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따르면, 구동 신호에 대한 손가락으로부터의 응답 신호를 출력하는 복수의 센서 패드들; 기준 전압을 제공하는 기준 전압 제공부; 및 상기 기준 전압에 기초하여 상기 각 센서 패드로부터의 응답 신호의 평균 전압 레벨을 조정하는 오프셋 조절부를 포함하는, 지문 검출 장치가 제공된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a display device including: a plurality of sensor pads for outputting response signals from a finger to a driving signal; A reference voltage supplier for providing a reference voltage; And an offset adjusting section for adjusting an average voltage level of a response signal from each sensor pad based on the reference voltage.

상기 지문 검출 장치는, 상기 기준 전압 제공부가 연결되는 기준 전압 노드와, 상기 복수의 센서패드들로부터의 응답 신호가 입력되는 응답 신호 입력 노드를 동일한 전압으로 초기화하는 스위치를 더 포함할 수 있다.The fingerprint detecting apparatus may further include a switch for initializing a reference voltage node to which the reference voltage providing unit is connected and a response signal input node to which a response signal from the plurality of sensor pads is inputted to the same voltage.

상기 기준 전압 제공부는, 드레인 전극에 입력 전압이 인가되며, 게이트 전극이 상기 기준 전압이 인가되는 기준 전압 노드와 연결되는 트랜지스터; 및 일단이 상기 트랜지스터의 소스 전극과 연결되며, 다른 일단은 상기 기준 전압 노드와 연결되는 저항으로 이루어질 수 있다.Wherein the reference voltage supply unit includes: a transistor having an input voltage applied to a drain electrode and a gate electrode connected to a reference voltage node to which the reference voltage is applied; And a resistor having one end connected to the source electrode of the transistor and the other end connected to the reference voltage node.

상기 지문 검출 장치는, 상기 복수의 센서 패드들 각각으로부터 응답 신호를 출력하는 센싱 회로; 상기 응답 신호를 샘플링하는 샘플 앤 홀드부; 상기 기준 전압 제공부 및 상기 오프셋 조절부를 포함하며, 상기 샘플링된 응답 신호들 간의 오프셋을 제거하는 오프셋 제거부; 및 상기 오프셋이 제거된 신호를 디지털 신호로 변환하는 아날로그-디지털 컨버터를 더 포함할 수 있다.The fingerprint detection device includes: a sensing circuit that outputs a response signal from each of the plurality of sensor pads; A sample and hold unit for sampling the response signal; An offset canceling unit that includes the reference voltage providing unit and the offset adjusting unit and removes an offset between the sampled response signals; And an analog-to-digital converter for converting the offset-removed signal into a digital signal.

상기 오프셋 조절부는 상기 기준 전압이 인가되는 기준 전압 노드와 드레인 전극이 연결되며, 게이트 전극이 입력 노드와 연결되는 트랜지스터; 상기 센서 패드로부터의 응답 신호가 입력되는 입력단과 응답 신호 입력 노드를 연결하는 제1 커패시터; 및 상기 기준 전압 노드와 상기 응답 신호 입력 노드를 연결하는 제2 커패시터로 이루어질 수 있다.Wherein the offset adjustment unit includes: a transistor having a reference voltage node to which the reference voltage is applied and a drain electrode connected to each other, and a gate electrode connected to the input node; A first capacitor connecting an input terminal to which a response signal from the sensor pad is input and a response signal input node; And a second capacitor connecting the reference voltage node and the response signal input node.

상기 지문 검출 장치는, 상기 오프셋 조절부로부터의 출력 신호를 증폭하는 증폭기를 더 포함할 수 있다.The fingerprint detection device may further include an amplifier for amplifying an output signal from the offset adjustment unit.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 구동 신호 인가에 따른 손가락으로부터의 응답 신호를 각각 출력하는 복수의 센서 패드들을 포함하는 지문 검출 장치의 동작 방법으로서, 기준 전압을 제공 받는 단계; 상기 복수의 센서 패드들로부터의 상기 응답 신호의 크기와 상기 기준 전압을 비교하여 오프셋 조절치를 결정하는 단계; 및 상기 오프셋 조절치에 기초하여 상기 복수의 센서 패드들로부터의 응답 신호의 평균 전압 레벨을 상기 기준 전압으로 조정하는 단계를 포함하는, 지문 검출 장치의 동작 방법이 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of operating a fingerprint detection apparatus including a plurality of sensor pads for outputting response signals from a finger in response to application of a driving signal, step; Comparing the magnitude of the response signal from the plurality of sensor pads with the reference voltage to determine an offset adjustment value; And adjusting an average voltage level of a response signal from the plurality of sensor pads to the reference voltage based on the offset adjustment value.

본 발명의 실시예에 따르면, 복수의 센서 패드들로부터의 응답 신호를 일정한 레벨의 전압으로 조정함에 따라, 일정한 품질의 지문 이미지가 획득 될 수 있다.According to the embodiment of the present invention, by adjusting the response signal from the plurality of sensor pads to a certain level of voltage, a fingerprint image of constant quality can be obtained.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 오프셋이 조절된 출력 값을 증폭시켜, 지문의 골과 융선으로부터 획득되는 신호의 차이를 노이즈 없이 보다 크게 증폭할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the offset-adjusted output value can be amplified so that the difference between the signal obtained from the ridges of the fingerprint and the ridge can be greatly amplified without noise.

본 발명의 지문 검출 장치에 따르면, 일정한 품질의 지문 이미지가 획득됨으로써 동일 지문에 대한 지문 인증률이 보다 향상될 수 있다.According to the fingerprint detection apparatus of the present invention, the fingerprint authentication rate for the same fingerprint can be further improved by obtaining a fingerprint image of a constant quality.

본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood that the effects of the present invention are not limited to the above effects and include all effects that can be deduced from the detailed description of the present invention or the configuration of the invention described in the claims.

도 1은 기본적인 지문 인식 센서의 구조를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 지문 검출 장치의 전체 구성을 개략적으로 나타내는 블록도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른, 지문 검출 장치의 동작환경에 따라 각 센서 패드마다 발생하는 오프셋의 영향으로 상이해지는 응답 신호의 모습을 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 오프셋 제거부의 형태를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 오프셋 제거부에 증폭기(Amplifer)가 추가된 형태를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른, 다양한 상태의 응답 신호의 오프셋을 제거하고 증폭하는 모습을 개략적으로 나타낸 도면이다.
1 is a view showing the structure of a basic fingerprint recognition sensor.
2 is a block diagram schematically showing the entire configuration of a fingerprint detecting apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram illustrating a response signal differentiated by the influence of an offset generated for each sensor pad according to an operation environment of the fingerprint detection device, according to an embodiment of the present invention.
4 is a diagram illustrating an embodiment of an offset removal unit according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a diagram illustrating a form in which an amplifier is added to an offset removing unit according to an embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 6 is a diagram schematically illustrating a state where an offset of a response signal in various states is removed and amplified according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and similar parts are denoted by like reference characters throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is referred to as being "connected" to another part, it includes not only "directly connected" but also "indirectly connected" . Also, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements, not excluding other elements unless specifically stated otherwise.

이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 지문 검출 장치의 전체 구성을 개략적으로 나타내는 블록도이다.2 is a block diagram schematically showing the entire configuration of a fingerprint detecting apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 일 실시예에 따른 지문 검출 장치는 베젤(110), 센서 패드(120), 센서 어레이(130), 센싱 회로(140), 샘플 앤 홀드부(150), 오프셋 제거부(160), ADC(170)를 포함할 수 있다.2, the fingerprint detection apparatus according to one embodiment includes a bezel 110, a sensor pad 120, a sensor array 130, a sensing circuit 140, a sample and hold unit 150, 160, and an ADC 170.

베젤(110)은 지문 검출 장치를 감싸는 테두리 부분으로, 일 실시예에 따르면, 베젤을 통해 손가락에 구동 신호가 인가되고, 복수개의 센서 패드(120)들은 손가락으로부터 구동 신호에 대한 응답 신호를 수신할 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 베젤(110)에 접지 단자가 연결되어, 주변부로부터의 노이즈가 센서 패드들에 영향을 미치지 않도록 하고, 센서 패드(120)들이 지문 검출 장치에 접촉된 손가락에 구동 신호를 전달한 후 그 응답 신호를 수신할 수 있다.The bezel 110 is a rim surrounding the fingerprint detection device. According to an embodiment, a drive signal is applied to the finger through the bezel, and the plurality of sensor pads 120 receive a response signal to the drive signal from the finger . According to another embodiment, a ground terminal is connected to the bezel 110 so that noise from the periphery does not affect the sensor pads, and the sensor pads 120 transmit drive signals to fingers touching the fingerprint detection device And then receive the response signal.

베젤(110)은 플라스틱, 메탈 등 다양한 소재로 구성될 수 있으며, 지문 검출을 수행하는 센서의 적어도 일부 테두리에 돌출된 형태로 구성될 수 있다. 또한, 일부의 전자기기에서는 베젤(110)이 존재하지 않으며, 복수의 센서 패드(120)들에 구동 신호를 전달하는 역할을 지문 검출 장치 내의 다른 구성 요소가 수행할 수도 있다.The bezel 110 may be formed of various materials such as plastic, metal, and the like, and may be configured to protrude from at least a part of the edge of the sensor for performing fingerprint detection. In some electronic devices, the bezel 110 does not exist, and other components in the fingerprint detection device may perform the role of transmitting driving signals to the plurality of sensor pads 120. [

일 실시예에 따른 센서 패드(120)는 손가락 지문의 골과 융선에 따른 정전용량의 변화를 인식하기 위한 기본 단위이며, 적어도 하나의 센서 패드(120)는 센싱 회로(140)에 연결되어, 손가락으로부터의 응답 신호를 센싱할 수 있다.The sensor pad 120 according to an embodiment is a basic unit for recognizing a change in capacitance due to ridges and ridges of the fingerprint fingerprint. At least one sensor pad 120 is connected to the sensing circuit 140, It is possible to sense a response signal from the sensor.

복수의 센서 패드(120)들은 원형, 사각형 또는 마름모꼴일 수 있으나 이와 다른 형태일 수도 있으며, 균일한 형태의 다각형 형태일 수도 있다. 센서 패드(120)는 인접한 다각형의 매트릭스 형태로 배열될 수 있다.The plurality of sensor pads 120 may be circular, rectangular, or rhombic, but may be other shapes or may be polygonal shapes in a uniform shape. The sensor pads 120 may be arranged in the form of a matrix of adjacent polygons.

사람의 손가락이 지문 검출 장치에 접촉되는 경우 손가락과 센서 패드(120) 사이에 형성되는 정전용량은 손가락의 어느 부위가 센서 패드(120)에 터치되었는지에 따라 상이한 값을 가질 수 있다.The capacitance formed between the finger and the sensor pad 120 may have a different value depending on which part of the finger is touched to the sensor pad 120 when the finger of the person is brought into contact with the fingerprint detection device.

상세하게는, 손가락 지문의 골(valley)과 융선(ridge)에 따라 형성되는 정전용량이 상이하게 되며, 지문 검출 장치는 이러한 정전용량의 차이를 통해 지문 이미지를 획득한다.Specifically, the capacitances formed by the valleys and the ridges of the fingerprint fingerprint are different, and the fingerprint detection device obtains the fingerprint image through the difference in capacitance.

일 실시예에 따른 센서 어레이(130)는 복수의 행과 열을 이루며 배치되는 복수의 센서 패드(120)들로 구성될 수 있으며, 복수의 센서 패드(120)들로부터 출력되는 응답 신호를 센싱 회로(140)로 전달할 수 있다.The sensor array 130 according to an exemplary embodiment may include a plurality of sensor pads 120 arranged in a plurality of rows and columns and may output a response signal output from the plurality of sensor pads 120 to a sensing circuit (140).

일 실시예에 따른 센싱 회로(140)는 센서 패드(120)들로부터의 출력 신호가 입력되는 회로로, 해당 출력 신호를 샘플 앤 홀드부(150)에 전달한다. 일 실시예에 따르면, 센싱 회로(140)는 적어도 하나의 증폭기 및 적어도 하나의 임피던스 소자를 포함하여, 응답 신호를 증폭기의 이득 및 임피던스 크기에 기초하여 증폭하여 출력할 수 있다.The sensing circuit 140 according to an exemplary embodiment of the present invention is a circuit to which an output signal from the sensor pads 120 is inputted and transmits the output signal to the sample and hold unit 150. According to one embodiment, the sensing circuit 140 may include at least one amplifier and at least one impedance element to amplify and output the response signal based on the gain and impedance magnitude of the amplifier.

센싱 회로(140)는 일 실시예에 따라 지문 검출 장치를 구성하는 각 센서 패드(120) 당 하나씩 구비될 수도 있고, 다른 실시예에 따라 하나의 센싱 회로(140)에 복수 개의 센서 패드(120) 그룹으로부터의 출력 신호가 입력될 수도 있다.One sensing circuit 140 may be provided for each sensor pad 120 constituting the fingerprint detecting device according to one embodiment. Alternatively, a plurality of sensor pads 120 may be provided to one sensing circuit 140 according to another embodiment. An output signal from the group may be input.

샘플 앤 홀드부(150)는 센싱 회로(140)로부터 출력되는 응답 신호에 대한 데이터를 샘플링하여 이를 유지하고, 그 값을 저장하는 기능을 한다. 샘플 앤 홀드부(150)의 샘플링 주기는 소정의 클록 신호에 의해 제어된다.The sample and hold unit 150 samples data of a response signal output from the sensing circuit 140, holds the sampled data, and stores the sampled data. The sampling period of the sample and hold unit 150 is controlled by a predetermined clock signal.

오프셋 제거부(160)는 샘플 앤 홀드부(150)의 출력 데이터에 대한 오프셋을 조절하는 역할을 수행한다. 상세하게는, 오프셋 제거부(160)는 일정한 레벨의 기준 전압을 제공하는 기준 전압 제공부(161)와, 샘플 앤 홀드부(150)로부터 획득되는 응답 신호를 기준 전압 제공부(161)에서 제공되는 기준 전압 레벨로 조정하는 오프셋 조절부(162)를 포함할 수 있다.The offset removing unit 160 adjusts the offset of the output data of the sample and hold unit 150. The offset eliminator 160 includes a reference voltage supplier 161 for providing a reference voltage of a constant level and a reference voltage supplier 161 for supplying a response signal obtained from the sample and hold unit 150 to the reference voltage supplier 161 And an offset adjusting unit 162 for adjusting the reference voltage level to a predetermined reference voltage level.

기준 전압 제공부(161)는 지문 검출 장치 내의 전압 공급 회로로부터 입력되는 전압을 일정한 레벨로 조절하여, 오프셋 제거를 위한 기준 전압을 제공한다.The reference voltage supply unit 161 adjusts the voltage input from the voltage supply circuit in the fingerprint detection device to a predetermined level to provide a reference voltage for offset elimination.

예를 들면, 지문 검출 장치 내의 전압 공급 회로가 5V를 오프셋 제거부(160)에 제공한다고 할 때, 지문 검출 장치가 동작하고 있는 상태 및 외부 환경 등에 따라, 입력된 5V의 전압이 4.8V나 5.1V와 같이 변동될 수 있다. 기준 전압 제공부(161)는 기준 전압이 5V일 때, 샘플 앤 홀드부(150)로부터 획득되는 응답 신호의 평균 전압 레벨이 기준 전압보다 높은 경우 이를 하강시키고, 응답 신호의 평균 전압 레벨이 기준 전압보다 낮은 경우 상승시키는, 네거티브 피드백 역할을 수행하여 응답 신호의 평균 전압 레벨을 안정시킬 수 있다.For example, when the voltage supply circuit in the fingerprint detection device supplies 5V to the offset removal section 160, the voltage of 5V inputted is 4.8V or 5.1 V, < / RTI > When the average voltage level of the response signal obtained from the sample and hold unit 150 is higher than the reference voltage when the reference voltage is 5 V, the reference voltage providing unit 161 lowers the average voltage level of the response signal, The average voltage level of the response signal can be stabilized by performing a negative feedback function.

이와 같이, 오프셋 제거부(160)는 지문 검출 장치의 동작 상태에 따라 나타나는 응답 신호의 불안정한 평균 전압 레벨 변화에 포함되는 오프셋을 기준 전압에 기초하여 제거함으로써, 지문 검출 장치에서 획득되는 지문 이미지의 질을 향상시킬 수 있다.As described above, the offset removing unit 160 removes the offset included in the unstable average voltage level change of the response signal, which is indicated by the operation state of the fingerprint detecting device, based on the reference voltage, so that the quality of the fingerprint image acquired by the fingerprint detecting device Can be improved.

오프셋 조절부(162)는 기준 전압 제공부(161)에 의해 제공되는 기준 전압을 기초로, 각 센서 패드(120)로부터의 응답 신호의 평균 전압 레벨을 조정할 수 있다. The offset adjuster 162 may adjust the average voltage level of the response signal from each sensor pad 120 based on the reference voltage provided by the reference voltage supplier 161. [

지문 검출 장치에 동일한 손가락이 접촉하고 있는 동안에도, 센서 패드(120), 센서 어레이(130), 센싱 회로(140) 등에 의해서 각각의 센서 패드(120)에서 출력되는 응답 신호의 신호 평균 전압 레벨이 계속하여 변화할 수 있다. The signal average voltage level of the response signal output from each sensor pad 120 by the sensor pad 120, the sensor array 130, the sensing circuit 140, etc., It can be changed continuously.

각 센서 패드(120) 자체의 동작환경은 센서 어레이(130) 내에서의 센서 패드(120)의 위치, 공정상 설계에 의해 발생하는 센서 패드(120)의 설계상 차이, 온도와 습도와 같은 환경의 차이로 인하여 상이할 수 있다. 이에 따라 각 센서 패드(120)에서 출력되는 응답 신호의 오프셋이 상이하게 되며, 하나의 센서 패드(120)에서도 시간의 흐름에 따라 오프셋이 일정하지 않을 수 있다.The operating environment of each sensor pad 120 itself is determined by the position of the sensor pad 120 in the sensor array 130, the difference in design of the sensor pad 120 caused by the process design, Which may be different. Accordingly, the offset of the response signal output from each sensor pad 120 becomes different, and the offset may not be uniform over time even in one sensor pad 120. FIG.

오프셋 조절부(162)는 상기와 같은 이유로 발생하는 오프셋을 실시간으로 조절하여 각 센서 패드(120)에서의 응답 신호의 평균 전압 레벨을 기준 전압으로 조절하여 오프셋을 제거할 수 있다. The offset adjusting unit 162 adjusts an offset generated in the above-described manner in real time to remove an offset by adjusting an average voltage level of a response signal in each sensor pad 120 to a reference voltage.

상기 전술한 바에 따르면, 오프셋 제거부(160)의 동작으로 인하여, 동일 지문이 지문 검출 장치에 접촉하고 있을 때 센서 패드(120) 자체 동작에 따라 발생하는 오프셋을 제거할 수 있으며, 사람마다 상이한 손가락 특성 및 외부 환경 등에 따른 오프셋의 변화 또한 제거할 수 있다.According to the above description, since the operation of the offset removal unit 160 can remove the offset generated according to the operation of the sensor pad 120 when the same fingerprint is in contact with the fingerprint detection device, It is also possible to eliminate a change in offset due to characteristics and external environment.

ADC(Analog to Digital Converter)(170)는 아날로그 형태의 센싱 데이터를 디지털화하는 기능을 수행할 수 있다. ADC(170)를 통해 디지털 형태로 변환된 데이터는 지문 검출 장치의 메모리에 저장되며, 지문 검출 장치는 디지털 형태로 변환된 해당 데이터를 통해 지문 이미지를 획득할 수 있다.The ADC (Analog to Digital Converter) 170 can perform a function of digitizing the sensing data of the analog form. The data converted into digital form through the ADC 170 is stored in the memory of the fingerprint detection device, and the fingerprint detection device can acquire the fingerprint image through the corresponding data converted into the digital form.

일 실시예에 따른 지문 검출 장치는 구동 장치를 포함할 수 있으며, 구동 장치는 지문 정보 처리부, 메모리 및 제어부 등을 포함할 수 있고, 하나 이상의 집적회로(IC) 칩으로 구현될 수 있다.The fingerprint detection apparatus according to an exemplary embodiment may include a driver, and the driver may include a fingerprint information processing unit, a memory, a controller, and the like, and may be implemented with one or more integrated circuit (IC) chips.

메모리는 ADC(170)를 통해 디지털 형태로 변환된 데이터를 및 지문 위치 검출, 지문의 면적 산출, 지문 이미지의 골과 융선 구분 등에 이용되는 미리 정해진 데이터 또는 실시간 수신되는 데이터를 기억할 수 있다.The memory can store data converted into digital form through the ADC 170 and predetermined data or real-time received data used for fingerprint position detection, area calculation of the fingerprint, division of ridges and ridges of fingerprint images, and the like.

지문 정보 처리부는 메모리에 기억된 디지털 형식 데이터의 전압값을 통해 손가락 지문의 접촉 여부, 접촉된 지문의 면적 및 지문의 골과 융선 구분 등을 계산하여 필요한 정보를 생성할 수 있다.The fingerprint information processing unit can generate necessary information by calculating the contact of the fingerprint, the area of the fingerprint touched, and the ridge and ridge division of the fingerprint through the voltage value of the digital format data stored in the memory.

제어부는 마이크로 컨트롤 유닛(micro control unit, MCU)을 포함할 수 있으며, 샘플 앤 홀드부(150), 오프셋 제거부(160), ADC(170), 지문 정보 처리부, 메모리 등에서 각각 고유한 기능을 수행하도록 제어할 수 있으며, 상세하게는, 오프셋 제거부(160)에 포함되는 스위치의 온/오프 등을 제어할 수 있다. 제어부는 펌 웨어를 통해 정해진 신호 처리를 수행할 수 있다. The control unit may include a micro control unit (MCU), and performs a unique function in the sample and hold unit 150, the offset removal unit 160, the ADC 170, the fingerprint information processing unit, Off of the switch included in the offset removal unit 160, and the like. The control unit can perform the determined signal processing through the firmware.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른, 지문 검출 장치의 동작환경에 따라 각 센서 패드(120)마다 발생하는 오프셋의 영향으로 상이해지는 응답 신호의 모습을 나타낸 것이다.FIG. 3 illustrates a response signal differentiated by the influence of an offset generated for each sensor pad 120 according to an operation environment of the fingerprint detection device, according to an embodiment of the present invention.

도 3에서의 기생 정전용량(Cp)은 센서 패드(120)에 부수되는 정전용량을 의미하는 것으로 센서 패드(120), 지문 검출 장치를 구성하는 신호 배선 등에 의해 형성되는 일종의 기생 용량이다. 기생 정전용량(Cp)은 베젤(110), 센서 어레이(130) 또는 주변부에 의해 발생하는 임의의 기생 용량을 포함할 수 있다.The parasitic capacitance C p in FIG. 3 means a capacitance attached to the sensor pad 120, which is a kind of parasitic capacitance formed by the sensor pad 120, the signal wiring constituting the fingerprint detection device, and the like. The parasitic capacitance C p may include any parasitic capacitance generated by the bezel 110, the sensor array 130, or the periphery.

도 3에서의 공기 정전용량(Cair)은 손가락 지문의 골과 센서 패드(120) 사이에 형성되는 정전용량이다. 정전용량은 거리가 작을수록 증가하므로, 지문의 골(valley)과 센서 패드(120) 사이의 거리가 증가할수록 공기 정전용량(Cair)은 감소하게 된다.The air capacitance C air in FIG. 3 is a capacitance formed between the finger pad fingerprint and the sensor pad 120. Since the electrostatic capacitance increases as the distance decreases, the air capacitance C air decreases as the distance between the fingerprint valley and the sensor pad 120 increases.

도 3의 (a)를 평균적인 지문 인식 상황이라고 가정한다. 이에 따르면, 손가락 지문의 융선(ridge)과 센서 패드(120) 사이에서 형성되는 정전용량(Cridge)과 기생 정전용량(Cp)의 합은, 손가락 지문의 골(valley)과 센서 패드(120) 사이에서 형성되는 공기 정전용량(Cair)과 기생 정전용량(Cp)의 합보다 큰 것이 일반적이다.Assume that FIG. 3 (a) is an average fingerprint recognition situation. The sum of the capacitance C ridge and the parasitic capacitance C p formed between the ridge of the finger fingerprint and the sensor pad 120 is the sum of the valley of the fingerprint finger and the sensor pad 120 (C air ) and the parasitic capacitance (C p ), which are formed between the first and second electrodes.

전술한 수학식 1에서, Cfinger는 손가락이 센서 패드(120)에 접촉하였을 때 형성되는 정전용량으로, 손가락의 골과 융선 중 어느 부분이 접촉하였는지에 따라 Cfinger_ridge와 Cfinger_valley값으로 나뉘게 된다. 수학식 1에서, 출력 전압인 Vout은 Cfinger에 Cfinger_ridge와 Cfinger_valley값 중 어느 것이 적용되었는지에 따라 Vridge와 Vvalley 값과 같이 상이한 출력이 된다. In the above Equation 1, C finger is an electrostatic capacitance formed when a finger touches the sensor pad 120, and is divided into C finger_ridge and C finger_valley values depending on which portion of the ridge of the finger is in contact. In equation (1), the output voltage, V out, is a different output, such as V ridge and V valley , depending on which of C finger_ridge and C finger_valley values are applied to C finger .

즉, 지문 검출 장치는, Vridge와 Vvalley 값의 차이를 통해 골과 융선이 센서 패드(120)에 접촉하였을 때의 차이를 판별할 수 있다. That is, the fingerprint detection apparatus can discriminate the difference when the ridge and the ridge contact the sensor pad 120 through the difference between the V ridge and the V valley .

다만, 지문의 융선과 센서 패드(120) 사이에서 형성되는 정전용량과, 지문의 골과 센서 패드(120) 사이에서 형성되는 정전용량의 차이는, 손가락 지문의 상태, 지문 검출 장치의 동작 상황, 외부 환경 또는 각 센서 패드(120)의 환경(예를 들면, 센서 패드의 위치, 공정상 설계에 의해 발생하는 센서 패드간 차이) 등이 변화함에 따라 상이해질 수 있으며, 그 차이가 동일한 경우에도 양 전압값의 평균 레벨이 상이할 수 있다. The difference between the electrostatic capacity formed between the ridges of the fingerprint and the sensor pad 120 and the capacitance formed between the fingerprint of the fingerprint and the sensor pad 120 is determined by the state of the fingerprint, The external environment or the environment of each sensor pad 120 (e.g., the position of the sensor pads, the difference between the sensor pads generated by the process design), and the like, The average level of the voltage value may be different.

예를 들어, Vridge와 Vvalley 의 차이는 그대로 0.2V를 유지하지만, 어느 경우에는 각각의 값이 1.0V 와 0.8V일 수 있고(평균 레벨 0.9V), 다른 경우에는 0.6V와 0.4V(평균 레벨 0.5V)를 유지함에 따라, 그 차이가 0.2V를 유지하는 것일 수 있다. 이러한 전압의 평균 레벨 차이, 즉, 오프셋에 따라 지문 검출 장치에서 획득되는 지문 이미지 일부가 진하거나 흐리게 되는 등의 문제점이 발생할 수 있다. 즉, 센서 어레이(130)의 동작 환경이나 설계 공정에 따라 각 센서 패드(120) 자체의 변화(Pixel variation)가 발생하여 응답 신호의 오프셋 변화가 발생하고, 그 결과 동일 손가락을 센서 어레이에 계속 대고 있어도 출력되는 지문 이미지가 흔들리게 나타날 수 있다(fluctuated fingerprint image).For example, the difference between V ridge and V valley remains 0.2V, but in some cases, each value can be 1.0V and 0.8V (average level 0.9V), while in other cases 0.6V and 0.4V Average level 0.5V), the difference may be to maintain 0.2V. A problem may occur such that a part of the fingerprint image acquired by the fingerprint detection device becomes darker or blurred depending on the average level difference of the voltages, that is, the offset. That is, a pixel variation of each sensor pad 120 itself occurs according to an operation environment of the sensor array 130 or a design process, and an offset change of a response signal occurs. As a result, The output fingerprint image may appear to be fluctuated (a fluctuated fingerprint image).

도 3(b)에 도시된 바와 같이, 각 센서 패드(120) 자체의 동작환경에 따른 변화(pixel variation)에 따라, 각 센서 패드(120)가 획득하는 전압 레벨도 상이하게 된다. 이렇게 출력 신호의 평균 전압 레벨이 일정하지 않은 지문 이미지를 그대로 데이터로 추출하거나 증폭할 경우, 노이즈가 효율적으로 제거되지 못할 뿐만 아니라 출력되는 지문 이미지의 품질도 나빠질 수 있다.As shown in FIG. 3 (b), the voltage levels obtained by the sensor pads 120 also vary according to the pixel variation according to the operating environment of each sensor pad 120 itself. If the fingerprint image having a constant average voltage level of the output signal is extracted or amplified as it is, not only the noise can be efficiently removed but also the quality of the outputted fingerprint image may be deteriorated.

따라서, 손가락 지문과 센서 패드(120)사이의 정전용량 변화에 따라 지문 검출 장치가 획득하는 전압 레벨을 지문 검출 장치의 상이한 동작환경 하에서 일정하게 하기 위해, 센서 패드(120)로부터 획득되는 평균 전압 레벨의 오프셋을 제거하여 일정한 기준 전압을 중심으로 변화하는 신호가 출력되도록 하는 역할을 하는 오프셋 제거부(160)가 필요하다.Thus, in order to keep the voltage level acquired by the fingerprint detection device in accordance with the capacitance change between the fingerprint fingerprint and the sensor pad 120 constant under the different operating environment of the fingerprint detection device, the average voltage level obtained from the sensor pad 120 The offset eliminator 160 is required to remove the offset of the reference voltage and to output a signal having a constant reference voltage.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 오프셋 제거부(160)의 형태를 나타내는 도면이다.4 is a diagram illustrating an embodiment of an offset removal unit 160 according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 오프셋 제거부(160)는 기준 전압 제공부(161) 및 오프셋 조절부(162)로 구성될 수 있다.Referring to FIG. 4, the offset removing unit 160 may include a reference voltage providing unit 161 and an offset adjusting unit 162.

일 실시예에 따르면, 기준 전압 제공부(161)는 제2 트랜지스터(M2) 및 저항(R1)으로 구성될 수 있으며, 오프셋 조절부(162)는 제1 트랜지스터(M1), 제1 및 제2 커패시터(C1, C2)로 구성될 수 있다.According to an embodiment, the reference voltage providing unit 161 may include a second transistor M2 and a resistor R1, and the offset adjusting unit 162 may include a first transistor M1, And capacitors C1 and C2.

본 발명에서의 제1 및 제2 트랜지스터(M1, M2)는 전계 효과 트랜지스터(field effet transistor)로서, 게이트(gate), 소스(source), 드레인(drain) 전극을 포함할 수 있다.The first and second transistors M1 and M2 in the present invention may be a field effect transistor and may include a gate, a source, and a drain electrode.

오프셋 제거부(160)의 배치를 살펴보면, 기준 전압 제공부(161) 내의 제2 트랜지스터(M2)의 드레인 전극에는 입력 전압(VDD)이 인가될 수 있고, 입력 전압(VDD)은 지문 검출 장치의 제어부에 의해 제어될 수 있다. 제2 트랜지스터(M2)의 소스 전극에는 저항(R1)이 연결되어 있을 수 있고, 저항의 다른 한쪽은 제2 노드(N2, 기준 전압 노드)에 제2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극과 함께 연결될 수 있다. Offset look at the arrangement of the removal unit 160, a reference voltage supply unit a second drain electrode of the transistor (M2) there can be applied the input voltage (V DD), the input voltage (V DD) in 161 is the fingerprint detection And can be controlled by a control unit of the apparatus. A resistor R1 may be connected to the source electrode of the second transistor M2 and the other of the resistor may be connected to the second node N2 and the reference voltage node together with the gate electrode of the second transistor M2. have.

오프셋 조절부(162) 내의 제1 트랜지스터(M1)의 드레인 전극은 제2 노드(N2, 기준 전압 노드)와 연결되며, 제2 노드(N2, 기준 전압 노드)는 기준 전압 제공부(161)로부터 제공되는 기준 전압(Vref)으로 유지되다가 오프셋 제거부(160)의 입력값(Vin)에 따라 변화하여, 오프셋 제거부(160)의 출력값(Vout)을 가질 수 있다. 제1 트랜지스터(M1)의 소스 전극은 그라운드 전위와 연결되며, 게이트 전극은 제1 노드(N1, 응답 신호 입력 노드)으로 연결되어 제1 및 제2 커패시터(C1, C2)의 전극과 연결될 수 있다.The drain electrode of the first transistor M1 in the offset adjustment unit 162 is connected to the second node N2 and the reference voltage node is connected to the reference voltage supply unit 161 May be maintained at the provided reference voltage Vref and vary according to the input value Vin of the offset eliminator 160 to have the output value Vout of the offset eliminator 160. [ The source electrode of the first transistor M1 is connected to the ground potential and the gate electrode of the first transistor M1 may be connected to the first and second capacitors C1 and C2 through a first node N1 .

본 발명의 일 실시예에 따른 지문 검출 장치에서, 샘플 앤 홀드부(150)로부터의 응답 신호는 오프셋 제거부(160)의 입력값(Vin)이 되어 제1 커패시터(C1)를 통해 제1 노드(N1, 응답 신호 입력 노드)에 입력될 수 있다.The response signal from the sample and hold unit 150 becomes the input value Vin of the offset removal unit 160 and is supplied to the first node C1 through the first capacitor C1, (N1, response signal input node).

제2 커패시터(C2)는 입력값(Vin)이 제1 커패시터(C1)를 통해 들어오는 제1 노드(N1, 응답 신호 입력 노드)와, 오프셋 제거부(160)의 최종 출력이 되는 출력값(Vout)이 형성되는 제2 노드(N2, 기준 전압 노드)를 연결할 수 있다.The second capacitor C2 is connected between the first node N1 (the response signal input node) through which the input value Vin is inputted through the first capacitor C1 and the output value Vout which is the final output of the offset eliminator 160, And a second node N2 (a reference voltage node).

이하, 오프셋 제거부(160)를 구성하는 기준 전압 제공부(161) 및 오프셋 조절부(162)에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, the reference voltage supplier 161 and the offset adjuster 162 constituting the offset eliminator 160 will be described.

기준 전압 제공부(161) 내의 제2 트랜지스터(M2)는 드레인 전극으로부터 들어오는 입력 전압(VDD)이 제2 트랜지스터(M2) 및 저항(R1)을 거쳐 형성되는 기준 전압(Vref)을 일정하게 유지시키는 역할을 수행할 수 있다. 예를 들어, 기준 전압(Vref)이 감소되면 제2 트랜지스터(M2)의 게이트 전압도 함께 감소하게 되고, 이에 따라 드레인 전류가 감소함으로써, 저항(R1)에서의 전압 강하량이 감소하게 되므로 기준 전압(Vref)이 상승되어 기준 전압(Vref)이 유지될 수 있다.The second transistor M2 in the reference voltage supplier 161 is controlled such that the input voltage V DD input from the drain electrode maintains a constant reference voltage Vref formed through the second transistor M2 and the resistor R1 . For example, when the reference voltage Vref is decreased, the gate voltage of the second transistor M2 is also decreased. As a result, the drain current is decreased, and the amount of voltage drop in the resistor R1 is reduced. Vref may be increased to maintain the reference voltage Vref.

이와 반대로, 기준 전압(Vref)이 증가하면 제2 트랜지스터(M2)의 게이트 전압도 함께 증가하여 드레인 전류가 증가하게 되고, 저항(R1)에서의 전압 강하량이 증가하여 기준 전압(Vref)이 다시 감소할 수 있다.On the contrary, when the reference voltage Vref increases, the gate voltage of the second transistor M2 also increases to increase the drain current, so that the voltage drop in the resistor R1 increases and the reference voltage Vref decreases again can do.

이와 같이, 기준 전압 제공부(161)내의 제2 트랜지스터(M2)가 가변 저항과 같이 동작함으로써, 지문 검출 장치의 동작 환경 및 각 센서 패드(120) 자체의 차이에 따라 기준 전압(Vref)이 변화하는 것을 방지할 수 있다.The second transistor M2 in the reference voltage supplier 161 operates as a variable resistor so that the reference voltage Vref changes according to the operating environment of the fingerprint detecting device and the difference between the sensor pads 120 itself Can be prevented.

일 실시예에 따른 오프셋 조절부(162)는 제1 트랜지스터(M1), 제1 및 제2 커패시터(C1, C2)로 이루어진다. 오프셋 조절부(162)는 오프셋 제거부(160)의 입력값(Vin)을 기준 전압 제공부(161)에서 제공되는 기준 전압(Vref) 레벨 값에 위치하도록 하여, 출력 전압(Vout)의 오프셋을 조절할 수 있다.The offset adjusting unit 162 includes a first transistor M1 and first and second capacitors C1 and C2. The offset adjusting unit 162 may cause the input value Vin of the offset removing unit 160 to be positioned at the reference voltage Vref level value provided by the reference voltage providing unit 161 so that the offset of the output voltage Vout Can be adjusted.

오프셋 조절부(162)의 동작을 예를 들어 설명하면, 오프셋 제거부(160)가 초기 동작을 수행하기 전의 제1 및 제2 노드(N1, N2: 응답 신호 입력 노드, 기준 전압 노드)는 동일한 전위로 셋팅될 수 있다. 제1 및 제2 노드(N1, N2: 응답 신호 입력 노드, 기준 전압 노드)가 동일한 전위를 갖게 됨에 따라, 제2 커패시터(C2)에는 충전된 전하량이 존재하지 않을 수 있다. The operation of the offset adjusting unit 162 will be described. For example, the first and second nodes N1 and N2 (response signal input node, reference voltage node) before the offset removing unit 160 performs the initial operation are the same It can be set to a potential. As the first and second nodes N1 and N2 (response signal input node, reference voltage node) have the same potential, there may not be a charged amount of charge in the second capacitor C2.

일 실시예에 따르면, 제1 및 제2 노드(N1, N2: 응답 신호 입력 노드, 기준 전압 노드)의 전위를 동일하게 하기 위하여, 도면의 S1과 같은 스위치가 존재하여, 오프셋 제거부(160)가 초기 동작을 수행하기 전에 단락 상태로 될 수 있으며, 오프셋 제거부(160)의 동작시 오픈 상태로 전환될 수 있다. 스위치(S1)는 지문 검출 장치 내의 제어부에 의해 온/오프가 수행될 수 있다. According to one embodiment, in order to equalize the potentials of the first and second nodes (N1, N2: response signal input node, reference voltage node), there is a switch such as S1 in the drawing, May be short-circuited before performing the initial operation, and may be switched to an open state upon operation of the offset eliminator 160. The switch S1 can be turned on / off by the control unit in the fingerprint detection device.

상기와 같은 상태에서 오프셋 제거부(160)의 입력값(Vin)이 인가되면, 입력값(Vin)과 기준 전압(Vref)과의 차이를 통해 제1 및 제2 커패시터(C1, C2)에 충전되는 전하량이 변화하며, 제1 트랜지스터(M1)는 입력값(Vin)의 변화량이 기준 전압(Vref)을 평균값으로 하여 변화하도록 하는 전압값을 출력할 수 있다.When the input value Vin of the offset eliminator 160 is applied in the above state, the first and second capacitors C1 and C2 are charged through the difference between the input value Vin and the reference voltage Vref And the first transistor M1 can output a voltage value that causes the amount of change of the input value Vin to change by using the reference voltage Vref as an average value.

상세하게는, 샘플 앤 홀드부(150)로부터 오프셋 제거부(160)에 인가되는 입력값(Vin)이 제1 노드(N1, 응답 신호 입력 노드)의 초기 전압인 기준 전압(Vref)과 갖는 차이에 의해 커패시터(C1)에 전하가 충전되며 이의 영향으로 제1 노드(N1, 응답 신호 입력 노드)의 전압이 변화하게 된다. 제1 노드(N1, 응답 신호 입력 노드)는 제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극과 연결되어 있으므로, 제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극 전압이 변화함에 따라 드레인 전극의 전류값이 변화하게 되고, 그 영향으로 제2 노드(N2, 기준 전압 노드)의 전압(Vref)이 변화하여 변화된 전압값이 오프셋 제거부(160)의 출력값(Vout)이 될 수 있다. 다만, 제2 트랜지스터(M2)와 저항(R1)으로 이루어지는 기준 전압 제공부(161)는 제2 노드(N2, 기준 전압 노드)에 일정한 전압을 유지하려고 하므로, 입력값(Vin)의 변화량만이 제2 노드(N2, 기준 전압 노드)에 반영되게 되고, 그에 따라 입력값(Vin)와 기준 전압(Vref)의 차이, 즉 출력 전압(Vout)의 오프셋이 제거되는 효과를 얻게 된다.More specifically, the input value Vin applied to the offset removal unit 160 from the sample and hold unit 150 is compared with the reference voltage Vref, which is the initial voltage of the first node N1 (response signal input node) And the voltage of the first node N1 (response signal input node) changes due to the charge. Since the first node N1 and the response signal input node are connected to the gate electrode of the first transistor M1, the current value of the drain electrode changes as the gate electrode voltage of the first transistor M1 changes, The voltage value changed by the voltage Vref of the second node N2 (reference voltage node) may become the output value Vout of the offset eliminator 160 due to the influence. However, since the reference voltage supply unit 161 including the second transistor M2 and the resistor R1 is intended to maintain a constant voltage at the second node N2 (reference voltage node), only the change amount of the input value Vin The effect is obtained that the difference between the input value Vin and the reference voltage Vref, that is, the offset of the output voltage Vout, is removed.

이와 같이 출력된 출력값(Vout)은 오프셋 제거부(160)로부터 ADC(170)로 전달되고, ADC(170)에서 디지털 데이터로 변환되어 지문 이미지를 획득하는 데에 사용될 수 있다. The output value Vout thus output is transferred from the offset eliminator 160 to the ADC 170 and converted into digital data by the ADC 170 to be used for acquiring a fingerprint image.

이와 같이, 오프셋 제거부(160)를 통하여 지문 검출 장치에서 획득되는 지문 이미지의 질을 향상시킬 수 있다. 상세하게는, 오프셋 제거부(160)의 입력값(Vin)의 평균 레벨이 기준 전압(Vref)으로 조절됨에 따라, 획득되는 지문 이미지의 품질이 향상될 수 있다.As described above, the quality of the fingerprint image acquired by the fingerprint detection device can be improved through the offset removal unit 160. In particular, as the average level of the input value Vin of the offset eliminator 160 is adjusted to the reference voltage Vref, the quality of the obtained fingerprint image can be improved.

지문 검출 장치 내의 각 센서 패드(120)는 동일한 스펙으로 생산되어 동일한 성능을 보여야 하는 것이 이상적이나, 센서 어레이(130) 내에서의 센서 패드(120)의 위치, 센서 패드(120)의 제조 공정상 발생하는 차이, 지문 검출 장치의 동작 상황, 외부 환경 등에 의해 센서 패드의 출력 신호에 오프셋이 발생할 수 있다. 이러한 오프셋이 제거 되지 않는 경우, 하나의 지문 이미지 내에서도 어느 부분은 흐리게 획득되고, 어느 부분은 진하게 획득되는 등 지문 이미지의 품질이 저하될 수 있으며, 오프셋이 제거 되지 않는 상태로 출력이 증폭되게 되면, 노이즈가 효율적으로 제거되지 않아 획득되는 지문 이미지에서도 손가락 지문과 관련 없는 노이즈 이미지가 포함될 수 있다.It is ideal that each sensor pad 120 in the fingerprint detection device should be produced with the same specifications and show the same performance. However, the position of the sensor pad 120 in the sensor array 130, An offset may occur in the output signal of the sensor pad due to the difference, the operation status of the fingerprint detection device, and the external environment. If such an offset is not removed, the quality of the fingerprint image may be deteriorated, such that some of the fingerprint image may be acquired blurred and some of the fingerprint image may be obtained darkly, and if the output is amplified without the offset being removed, A noise image that is not related to the fingerprint may be included in the fingerprint image that is acquired because the noise is not efficiently removed.

이와 같이, 본 발명의 오프셋 제거부(160)를 통하여 응답 신호의 평균 전압 레벨을 기준 전압에 맞춤으로써, 지문 검출 장치가 어떠한 상황에서 동작하더라도 각 센서 패드(120) 자체의 동작환경에 따른 변화(pixel variation)을 최소화할 수 있게 된다. Thus, by adjusting the average voltage level of the response signal to the reference voltage through the offset eliminator 160 of the present invention, even if the fingerprint detection device operates under any circumstances, pixel variation of the image.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 오프셋 제거부(160)에 증폭기(Amplifer)가 추가된 형태를 나타내는 도면이다.5 is a diagram illustrating an embodiment in which an amplifier is added to the offset eliminator 160 according to an embodiment of the present invention.

도 5의 실시예에 따르면, 오프셋 제거부(160)의 출력단에 증폭기가 추가되어 기준 전압으로부터의 오프셋이 제거된 출력 전압을 증폭시킬 수 있다. 증폭기는 입력을 증폭하여 출력하고, 신호 증폭 역할 이외에 출력 저항을 낮추는 역할 등을 함께 수행할 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 증폭기는 신호 증폭 또는 신호 고정을 수행할 수 있는 복수의 버퍼 등의 다른 소자들로 대체될 수도 있다.According to the embodiment of FIG. 5, an amplifier may be added to the output of the offset eliminator 160 to amplify the output voltage from which the offset from the reference voltage is removed. The amplifier can amplify and output the input, and perform the role of lowering the output resistance in addition to the function of amplifying the signal. According to another embodiment, the amplifier may be replaced by other elements such as a plurality of buffers capable of signal amplification or signal anchoring.

일 실시예에 따르면, 오프셋 제거부(160) 내의 증폭기에 의해, 오프셋이 제거되어 일정한 기준 전압에 기초하여 출력된 응답 신호가 증폭됨으로써, 손가락 지문의 골과 융선에 따라 달라지는 전압의 차이만이 증폭되게 되며, 이에 따른 정전용량의 변화를 검출하여 지문 이미지를 획득함에 있어, 지문의 골과 융선 부분의 차이가 뚜렷한 이미지를 획득할 수 있다.According to one embodiment, the offset in the offset eliminator 160 is removed and the response signal output based on the constant reference voltage is amplified, so that only the difference in voltage depending on the ridge and ridge of the fingerprint of the finger is amplified The fingerprint image can be obtained by detecting a change in the electrostatic capacity, thereby obtaining an image having a clear difference between the ridge and ridge portions of the fingerprint.

일 실시예에 따르면, 증폭기는 복수개가 직렬로 연결되어 구성될 수 있다. 예를 들어, 증폭기 2개를 연결한 이단 증폭기를 사용함으로써, 보다 큰 전압 이득을 얻을 수 있으며, 하나의 증폭기를 사용하는 경우보다 노이즈를 감소시킬 수 있다.According to one embodiment, a plurality of amplifiers may be constituted by being connected in series. For example, by using a two-stage amplifier with two amplifiers connected, a larger voltage gain can be obtained and noise can be reduced than when using one amplifier.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른, 다양한 상태의 응답 신호의 오프셋을 제거하고 증폭하는 모습을 개략적으로 나타낸 도면이다.FIG. 6 is a diagram schematically illustrating a state where an offset of a response signal in various states is removed and amplified according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.

도 6의 (a)를 참조하면, 각 센서 패드(120) 간의 동작환경에 따른 변화에 따라, 센서 패드(120)들간의 동일한 입력에 대한 응답 신호들이 상이한 오프셋을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 6A, response signals to the same input between the sensor pads 120 may form different offsets according to changes in the operating environment between the sensor pads 120.

도 6의 (b)를 참조하면, 상기 응답 신호들은 샘플 앤 홀드부(150)를 거쳐 오프셋 제거부(160)에서 기준 전압을 중심으로 오프셋이 조절된다. 일 실시예에 따르면, 응답 신호가 갖는 전압의 평균이 기준 전압이 될 수 있으며, 오프셋 제거부(160)에 인가되는 응답 신호의 시작 전압이 기준 전압이 되도록 오프셋이 조절될 수 있다.Referring to FIG. 6 (b), the response signals are adjusted in offset from the offset eliminator 160 through the sample and hold unit 150, with respect to the reference voltage. According to one embodiment, the average of the voltage of the response signal may be the reference voltage, and the offset may be adjusted so that the start voltage of the response signal applied to the offset removal unit 160 becomes the reference voltage.

상세하게는, 오프셋 제거부(160) 내의 오프셋 조절부가 기준 전압 제공부에서 제공되는 기준 전압 레벨과, 복수의 센서 패드(120)들로부터의 응답 신호의 전압 레벨을 비교하여, 응답 신호의 전압이 기준 전압보다 낮으면 응답 신호의 전압을 해당하는 차이만큼 상승시키게 되고, 반대의 경우 응답 신호의 전압을 하강시키게 된다.More specifically, the offset adjuster in the offset eliminator 160 compares the reference voltage level provided in the reference voltage supply and the voltage level of the response signal from the plurality of sensor pads 120, If it is lower than the reference voltage, the voltage of the response signal is raised by the corresponding difference, and in the opposite case, the voltage of the response signal is lowered.

도 6의 (c)를 참조하면, 전압 오프셋이 조절된 상태의 응답 신호는 오프셋 제거부(160) 내에 포함되는 증폭기에 의해 증폭되어, 응답 신호 내에서의 차이가 더욱 부각될 수 있다. Referring to FIG. 6 (c), the response signal in which the voltage offset is adjusted may be amplified by the amplifier included in the offset eliminator 160, so that the difference in the response signal can be more emphasized.

오프셋 제거부(160)를 통해 오프셋이 조절되고 증폭이 된 응답 신호는 ADC(170)를 통해 디지털 신호로 변환되며, 지문 검출 장치는 변환된 디지털 신호를 조합하여 지문 이미지를 획득하게 된다. 상기와 같은 응답 신호의 조절을 통해, 획득되는 지문 이미지는 각 센서 패드(120)의 동작환경에 따른 변화에 의한 오프셋이 최소화된, 일정한 품질의 이미지일 수 있으며, 지문 이미지 내에서 골과 융선이 뚜렷이 구분될 수 있다. 또한, 일정한 품질의 이미지가 획득됨으로써, 지문 검출 장치를 통해 수행하는 본인 인증 등이 신속히 수행됨에 따라, 사용자가 지문 검출 장치에 손가락을 접촉해야 하는 시간이 짧아질 수 있다.The offset signal is adjusted through the offset removing unit 160 and the amplified response signal is converted into a digital signal through the ADC 170. The fingerprint detecting apparatus combines the converted digital signals to obtain a fingerprint image. Through the adjustment of the response signal, the obtained fingerprint image may be an image of a constant quality with a minimum offset due to a change in the operating environment of each sensor pad 120, Can be clearly distinguished. Further, by acquiring an image of a constant quality, the authentication of the user performed through the fingerprint detection device is performed quickly, and thus the time required for the user to touch the fingerprint detection device can be shortened.

전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.It will be understood by those skilled in the art that the foregoing description of the present invention is for illustrative purposes only and that those of ordinary skill in the art can readily understand that various changes and modifications may be made without departing from the spirit or essential characteristics of the present invention. will be. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. For example, each component described as a single entity may be distributed and implemented, and components described as being distributed may also be implemented in a combined form.

본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
The scope of the present invention is defined by the appended claims, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.

110: 베젤
120: 센서 패드
130: 센서 어레이
140: 센싱 회로
150: 샘플 앤 홀드부
160: 오프셋 제거부
161: 기준전압 제공부
162: 오프셋 조절부
170: ADC
110: Bezel
120: Sensor pad
130: sensor array
140: sensing circuit
150: sample and hold section
160: Offset removal
161: Reference voltage supply
162:
170: ADC

Claims (7)

구동 신호에 대한 손가락으로부터의 응답 신호를 출력하는 복수의 센서 패드들;
기준 전압을 제공하는 기준 전압 제공부; 및
상기 기준 전압에 기초하여 상기 각 센서 패드로부터의 응답 신호의 평균 전압 레벨을 조정하는 오프셋 조절부를 포함하는, 지문 검출 장치.
A plurality of sensor pads for outputting response signals from the finger to the driving signal;
A reference voltage supplier for providing a reference voltage; And
And an offset adjusting section for adjusting an average voltage level of a response signal from each sensor pad based on the reference voltage.
제1항에 있어서,
상기 기준 전압 제공부가 연결되는 기준 전압 노드와, 상기 복수의 센서패드들로부터의 응답 신호가 입력되는 응답 신호 입력 노드를 동일한 전압으로 초기화하는 스위치를 더 포함하는, 지문 검출 장치.
The method according to claim 1,
A reference voltage node to which the reference voltage providing unit is connected and a response signal input node to which a response signal from the plurality of sensor pads is inputted to the same voltage.
제1항에 있어서,
상기 기준 전압 제공부는,
드레인 전극에 입력 전압이 인가되며, 게이트 전극이 상기 기준 전압이 인가되는 기준 전압 노드와 연결되는 트랜지스터; 및
일단이 상기 트랜지스터의 소스 전극과 연결되며, 다른 일단은 상기 기준 전압 노드와 연결되는 저항으로 이루어지는, 지문 검출 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the reference voltage supply unit includes:
A drain electrode to which an input voltage is applied, and a gate electrode connected to a reference voltage node to which the reference voltage is applied; And
Wherein one end of the resistor is connected to the source electrode of the transistor, and the other end of the resistor is connected to the reference voltage node.
제1항에 있어서,
상기 복수의 센서 패드들 각각으로부터 응답 신호를 출력하는 센싱 회로;
상기 응답 신호를 샘플링하는 샘플 앤 홀드부;
상기 기준 전압 제공부 및 상기 오프셋 조절부를 포함하며, 상기 샘플링된 응답 신호들 간의 오프셋을 제거하는 오프셋 제거부; 및
상기 오프셋이 제거된 신호를 디지털 신호로 변환하는 아날로그-디지털 컨버터를 더 포함하는, 지문 검출 장치.
The method according to claim 1,
A sensing circuit for outputting a response signal from each of the plurality of sensor pads;
A sample and hold unit for sampling the response signal;
An offset canceling unit that includes the reference voltage providing unit and the offset adjusting unit and removes an offset between the sampled response signals; And
And an analog-to-digital converter for converting the offset-removed signal into a digital signal.
제1항에 있어서,
상기 오프셋 조절부는,
상기 기준 전압이 인가되는 기준 전압 노드와 드레인 전극이 연결되며, 게이트 전극이 입력 노드와 연결되는 트랜지스터;
상기 센서 패드로부터의 응답 신호가 입력되는 입력단과 응답 신호 입력 노드를 연결하는 제1 커패시터; 및
상기 기준 전압 노드와 상기 응답 신호 입력 노드를 연결하는 제2 커패시터로 이루어지는, 지문 검출 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the offset adjusting unit comprises:
A transistor having a reference voltage node to which the reference voltage is applied and a drain electrode connected to each other, and a gate electrode connected to the input node;
A first capacitor connecting an input terminal to which a response signal from the sensor pad is input and a response signal input node; And
And a second capacitor for connecting the reference voltage node and the response signal input node.
제1항에 있어서,
상기 오프셋 조절부로부터의 출력 신호를 증폭시키는 증폭기를 더 포함하는, 지문 검출 장치.
The method according to claim 1,
And an amplifier for amplifying an output signal from the offset adjustment unit.
구동 신호 인가에 따른 손가락으로부터의 응답 신호를 각각 출력하는 복수의 센서 패드들을 포함하는 지문 검출 장치의 동작 방법으로서,
기준 전압을 제공 받는 단계;
상기 복수의 센서 패드들로부터의 상기 응답 신호의 크기와 상기 기준 전압을 비교하여 오프셋 조절치를 결정하는 단계; 및
상기 오프셋 조절치에 기초하여 상기 복수의 센서 패드들로부터의 응답 신호의 평균 전압 레벨을 상기 기준 전압으로 조정하는 단계를 포함하는, 지문 검출 장치의 동작 방법.
And a plurality of sensor pads for outputting a response signal from a finger in accordance with application of a driving signal,
Providing a reference voltage;
Comparing the magnitude of the response signal from the plurality of sensor pads with the reference voltage to determine an offset adjustment value; And
And adjusting an average voltage level of a response signal from the plurality of sensor pads to the reference voltage based on the offset adjustment value.
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