KR20150120981A - Exposure optics, exposure head, and exposure device - Google Patents

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Abstract

결상 광학계의 수차를 보정하는 마이크로 렌즈 어레이를 구비한 노광 광학계, 노광 헤드 및 노광 장치를 제공한다. 광원으로부터의 광(B)을 변조하는 화소부(74)가 배열된 공간 광변조 소자(34)와, 상기 공간 광변조 소자(34)에서 변조된 광을 집광하는 마이크로 렌즈(64a)가 평면 상에 배열된 마이크로 렌즈 어레이(64)와, 상기 공간 광변조 소자(34)에 의해 변조된 광(B)을 상기 마이크로 렌즈 어레이(64)에 결상하는 제 1 결상 광학계(52)와, 상기 마이크로 렌즈 어레이(64)에서 집광된 광(B)을 감광 재료(P) 상에 결상하는 제 2 결상 광학계(58)를 구비하고, 상기 마이크로 렌즈 어레이(64)는 상기 제 2 결상 광학계(58)의 광축(58c)으로부터의 거리에 따라서 형상이 다른 복수 종류의 마이크로 렌즈(64a)가 배열된 노광 광학계(100).An exposure optical system, an exposure head and an exposure apparatus provided with a microlens array for correcting aberration of an imaging optical system are provided. A spatial light modulation element 34 in which a pixel portion 74 for modulating light B from a light source is arranged and a microlens 64a for condensing light modulated in the spatial light modulation element 34 are arranged on a plane A first imaging optical system 52 for imaging the light B modulated by the spatial light modulation element 34 onto the microlens array 64, And a second imaging optical system 58 for imaging the condensed light B on the photosensitive material P in the array 64. The microlens array 64 is arranged on the optical axis of the second imaging optical system 58, And a plurality of kinds of microlenses 64a having different shapes are arranged according to the distance from the light source 58c.

Description

노광 광학계, 노광 헤드 및 노광 장치{EXPOSURE OPTICS, EXPOSURE HEAD, AND EXPOSURE DEVICE}EXPOSURE OPTICS, EXPOSURE HEAD, AND EXPOSURE DEVICE [0002]

본 발명은 노광 광학계, 노광 헤드 및 노광 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an exposure optical system, an exposure head, and an exposure apparatus.

노광 헤드를 구비하고, 그 노광 헤드에 의해 소망의 패턴을 감광 재료 상에 노광하는 화상 노광 장치가 알려져 있다. 이 종류의 화상 노광 장치의 노광 헤드는 기본적으로 광원과, 그 광원으로부터 조사된 광을 제어 신호에 따라서 각각 독립적으로 변조하는 다수의 화소부가 배열되어 이루어지는 공간 광변조 소자와, 그 공간 광변조 소자에 의해 변조된 광에 의한 상을 감광 재료 상에 결상하는 결상 광학계를 구비하고 있다.There is known an image exposure apparatus having an exposure head and exposing a desired pattern onto a photosensitive material by the exposure head. An exposure head of this type of image exposure apparatus basically comprises a light source, a spatial light modulation element in which a plurality of pixel sections for independently modulating the light irradiated from the light source are independently modulated, And an imaging optical system for imaging the image by the light modulated by the light source on the photosensitive material.

상기 화상 노광 장치의 노광 헤드의 구성예로서 광원과 다수의 마이크로 미러를 구비한 광변조 소자로서의 디지털·마이크로 미러·디바이스(이하, 「DMD」라 칭함)와, 그 다수의 마이크로 미러에 의해 변조된 다수의 광선 다발을 각각 개별적으로 집광하는 다수의 마이크로 렌즈가 배열된 마이크로 렌즈 어레이를 구비한 구성이 나타내어져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).(Hereinafter referred to as " DMD ") as a light modulation device having a light source and a plurality of micromirrors as an example of the configuration of the exposure head of the image exposure apparatus, and a micro- There is shown a configuration including a microlens array in which a plurality of microlenses for individually condensing a plurality of beam bundles are arranged (see, for example, Patent Document 1).

이러한 마이크로 렌즈 어레이를 사용한 구성에 의하면 감광 재료 상에 노광되는 화상의 사이즈를 확대하는 등 해도 공간 광변조 소자의 각 화소부로부터의 광선 다발은 마이크로 렌즈 어레이의 각 마이크로 렌즈에 의해 집광되므로 감광 재료 상에 있어서의 노광 화상의 화소 사이즈(=각 광선의 스팟 사이즈)는 압축되어 작게 유지되어 화상의 선예도를 높게 유지할 수 있다는 이점이 있다.With such a configuration using the microlens array, even if the size of the image exposed on the photosensitive material is enlarged, the bundle of rays from each pixel portion of the spatial light modulation element is condensed by each microlens of the microlens array, The pixel size (= spot size of each ray) of the exposed image in the exposure image is compressed and kept small so that sharpness of the image can be maintained at a high level.

일본 특허 공개 2007-33973호 공보에 나타내어져 있는 노광 헤드는 상기 마이크로 렌즈 어레이의 사출측에 결상 광학계를 더 구비하고, 감광 재료의 표면(노광면)에 공간 광변조 소자의 각 화소부로부터의 광선 다발을 스팟으로서 결상시키고 있다.The exposure head shown in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2007-33973 further includes an imaging optical system on the emission side of the microlens array and a light beam from each pixel portion of the spatial light modulation element on the surface (exposure surface) The bundle is focused as a spot.

그러나, 화상 노광 장치에 있어서 마이크로 렌즈 어레이의 사출측에 형성된 결상 광학계의 모든 수차가 감광면 상의 스팟 형상에 영향을 주어 스팟의 확대나 변형에 의해 초점을 열화시키고 있는 요인도 되어 있다.However, in the image exposure apparatus, all aberrations of the imaging optical system formed on the emission side of the microlens array have an influence on the shape of the spot on the photosensitive surface, which causes the focus to deteriorate due to expansion or deformation of the spot.

상기 일본 특허 공개 2007-33973호 공보에 기재되어 있는 예에서는 특히 화상 주변부에 있어서 현저한 결상 광학계의 축외 수차가 스팟 형상에 부여하는 영향을 면할 수는 없다.In the example described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-33973, the influence of off-axis aberration of a remarkable imaging optical system on the spot shape can not be avoided.

본 발명은 상기 사실을 고려하여 결상 광학계의 수차를 보정하는 마이크로 렌즈 어레이를 구비한 노광 광학계, 노광 헤드 및 노광 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an exposure optical system, an exposure head and an exposure apparatus provided with a microlens array for correcting aberration of an imaging optical system in consideration of the above facts.

본 발명의 제 1 실시형태는 광원으로부터의 광을 변조하는 화소부가 배열된 공간 광변조 소자와, 상기 공간 광변조 소자에서 변조된 광을 집광하는 마이크로 렌즈가 평면 상에 배열된 마이크로 렌즈 어레이와, 상기 공간 광변조 소자에 의해 변조된 광을 상기 마이크로 렌즈 어레이에 결상하는 제 1 결상 광학계와, 상기 마이크로 렌즈 어레이에서 집광된 광을 감광 재료 상에 결상하는 제 2 결상 광학계를 구비하고, 상기 마이크로 렌즈 어레이는 상기 제 2 결상 광학계의 광축으로부터의 거리에 따라서 형상이 다른 복수 종류의 마이크로 렌즈가 배열된다.According to a first aspect of the present invention, there is provided a spatial light modulation device comprising: a spatial light modulation device in which pixel portions for modulating light from a light source are arranged; a micro lens array in which microlenses for condensing light modulated by the spatial light modulation device are arranged on a plane; A first imaging optical system for imaging the light modulated by the spatial light modulation element on the microlens array and a second imaging optical system for imaging the light condensed on the microlens array on the photosensitive material, The array includes a plurality of kinds of microlenses different in shape according to the distance from the optical axis of the second imaging optical system.

상기 발명에 의하면 노광 광학계에 존재하는 수차를 형상이 다른 마이크로 렌즈를 배치한 마이크로 렌즈 어레이에서 보정할 수 있다. 이 구성에서는 어떤 보정 광학계를 광로 중에 삽입하지 않고 마이크로 렌즈 자체의 형상을 광축으로부터의 거리에서 변화시켜 결상 광학계의 축외 수차를 보정하고 있으므로 노광 광학계 전체의 성능(명도, 콘트라스트 등)을 열화시키지 않고 수차를 보정할 수 있다.According to the present invention, the aberration existing in the exposure optical system can be corrected by the microlens array in which microlenses having different shapes are arranged. In this configuration, since the off-axis aberration of the imaging optical system is corrected by changing the shape of the microlens itself at a distance from the optical axis without inserting any correction optical system into the optical path, the performance (brightness, contrast, etc.) of the entire exposure optical system is not deteriorated, Can be corrected.

본 발명의 제 2 실시형태는 상기 제 2 결상 광학계에서의 좌표를 나타내는 극좌표를 ρL2, φL2, Zernike 표준 함수를 Zi(ρ,φ), 상기 제 2 결상 광학계의 제 i 항의 Zernike 표준 계수를 Δi로 했을 때, 상기 제 2 결상 광학계의 어느 상 위치에서 식 1로 나타내어지는 수차가 존재할 때, 상기 마이크로 렌즈 표면에서의 좌표를 나타내는 파라미터를 r, φML, 상기 마이크로 렌즈의 개구부의 최대 반경을 rmax, 보정 전의 상기 마이크로 렌즈의 면 형상의 곡률을 c, 상기 광의 파장을 λ, 상기 마이크로 렌즈 어레이의 소재의 굴절률을 n, Zernike 표준 함수를 Zi(r/rmax, φ)로 하면 상기 마이크로 렌즈의 일부는 상기 제 2 결상 광학계의 상기 수차를 보정하는 식 2, 3(후술)으로 기술되는 면 형상이다.The second embodiment of the present invention is characterized in that the polar coordinates indicating the coordinates in the second imaging optical system are represented by ρL2, φL2, the Zernike standard function is Zi (ρ, φ), the Zernike standard coefficient of the i-th term of the second imaging optical system is Δi A parameter representing coordinates on the surface of the microlens is denoted by r, phiML, a maximum radius of the aperture of the microlens is denoted by rmax, The refractive index of the material of the microlens array is denoted by n, and the Zernike standard function is denoted by Zi (r / rmax,?). Is a surface shape described by Equations 2 and 3 (described later) for correcting the aberration of the second imaging optical system.

상기 발명에 의하면 제 2 결상 광학계에 존재하는 축외 수차를 제 2 결상 광학계의 광축으로부터의 거리에 따라서 형상이 다른 복수 종류의 마이크로 렌즈를 배치한 마이크로 렌즈 어레이에 의해 보정함으로써 보정 광학계를 사용하지 않고 간단한 구조로 축외 수차 보정을 할 수 있다.According to the present invention, the off-axis aberration existing in the second imaging optical system is corrected by the microlens array in which a plurality of types of microlenses having different shapes are arranged according to the distance from the optical axis of the second imaging optical system, Off-axis aberration correction can be performed.

본 발명의 제 3 실시형태는 상기 마이크로 렌즈 어레이가 i≥4를 만족시키는 i의 일부에 관해서 상기 식 3을 만족시키고, 그 이외의 i에 관해서는 ΔM(i)=0을 만족시킨다.In the third embodiment of the present invention, the above-mentioned formula 3 is satisfied with respect to a part of i in which the microlens array satisfies i? 4 and? M (i) = 0 is satisfied with respect to other i.

상기 발명에 의하면 비점 수차나 3차 코마 수차 등 빔의 대칭성을 잃는 4차 이상의 고차 수차를 특별히 선택하여 보정함으로써 감광 재료 표면에 있어서의 빔 스팟의 형상을 유지할 수 있다.According to the present invention, the shape of the beam spot on the surface of the photosensitive material can be maintained by specifically selecting and correcting the fourth order or higher order aberration which loses the symmetry of the beam such as the astigmatism and the third order coma aberration.

본 발명의 제 4 실시형태는 제 1~제 3 실시형태 중 어느 한 항에 기재된 노광 광학계를 포함한다.A fourth embodiment of the present invention includes the exposure optical system described in any one of the first to third embodiments.

상기 발명에 의하면 노광 광학계에 존재하는 수차를 형상이 다른 복수 종류의 마이크로 렌즈를 배치함으로써 마이크로 렌즈 어레이에서 보정할 수 있다. 이 구성에서는 어떤 보정 광학계를 광로 중에 삽입하지 않고 마이크로 렌즈 자체의 형상을 광축으로부터의 거리에서 변화시켜 축외 수차를 보정하고 있으므로 노광 광학계의 성능을 열화시키지 않고 수차를 보정할 수 있다.According to the present invention, the aberration existing in the exposure optical system can be corrected in the microlens array by arranging a plurality of types of microlenses having different shapes. In this configuration, since the off-axis aberration is corrected by changing the shape of the microlens itself at the distance from the optical axis without inserting a certain correction optical system into the optical path, the aberration can be corrected without deteriorating the performance of the exposure optical system.

본 발명의 제 5 실시형태는 본 발명의 제 4 실시형태에 기재된 노광 헤드를 포함한다.A fifth embodiment of the present invention includes the exposure head described in the fourth embodiment of the present invention.

상기 발명에 의하면 노광 광학계에 존재하는 수차를 형상이 다른 복수 종류의 마이크로 렌즈를 배치함으로써 마이크로 렌즈 어레이에서 보정할 수 있다. 이 구성에서는 어떤 보정 광학계를 광로 중에 삽입하지 않고 마이크로 렌즈 자체의 형상을 광축으로부터의 거리에서 변화시켜 축외 수차를 보정하고 있으므로 노광 광학계의 성능을 열화시키지 않고 수차를 보정할 수 있다.According to the present invention, the aberration existing in the exposure optical system can be corrected in the microlens array by arranging a plurality of types of microlenses having different shapes. In this configuration, since the off-axis aberration is corrected by changing the shape of the microlens itself at the distance from the optical axis without inserting a certain correction optical system into the optical path, the aberration can be corrected without deteriorating the performance of the exposure optical system.

(발명의 효과)(Effects of the Invention)

본 발명은 상기 구성으로 했으므로 결상 광학계의 수차를 보정하는 마이크로 렌즈 어레이를 구비한 노광 광학계, 노광 헤드 및 노광 장치로 할 수 있다.Since the present invention has the above-described structure, an exposure optical system, an exposure head, and an exposure apparatus each having a microlens array for correcting the aberration of the imaging optical system can be used.

도 1은 본 발명의 실시형태에 의한 노광 장치의 주요부를 나타내는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태에 의한 노광 헤드의 주요부를 나타내는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시형태에 의한 광학계에 사용되는 DMD의 구조예를 나타내는 사시도이다.
도 4a는 본 발명의 실시형태에 사용되는 DMD의 온 상태를 나타내는 사시도이다.
도 4b는 본 발명의 실시형태에 사용되는 DMD의 오프 상태를 나타내는 사시도이다.
도 5는 본 발명의 실시형태에 의한 광학계의 DMD 이후의 광학 엘리먼트 배치를 나타내는 개념도이다.
도 6은 본 발명의 실시형태에 의한 광학계에 사용되는 마이크로 렌즈 어레이의 제 2 결상 광학계 광축에 대한 복수 종류의 마이크로 렌즈의 배열을 나타내는 개념도이다.
도 7a는 본 발명의 실시형태에 의한 광학계의 마이크로 미러에서 변조된 빔이 감광 재료(P) 상에서 빔 스팟(PB)으로서 결상될 때, 마이크로 렌즈, 제 2 결상 광학계, 감광 재료(P)에 있어서의 각 좌표계에서의 빔의 위치를 나타내는 광로도이다.
도 7b는 마이크로 렌즈의 면 형상에 있어서의 광축으로부터의 거리(동경 방향)와 방사 방향을 나타내는 도면이다.
도 7c는 마이크로 렌즈 표면에 있어서의 극좌표를 나타내는 도면이다.
도 7d는 제 2 결상 광학계에 있어서의 수차를 나타내는 동좌표계이다.
도 8a는 Zernike 표준 계수의 정의를 나타내는 수표이다.
도 8b는 도 8a를 사용한 표준 Zernike 다항식의 예이다.
도 9는 본 발명의 실시형태에 의한 광학계에 사용되는 마이크로 렌즈 어레이의 제 2 결상 광학계 광축으로부터의 거리에 대한 고차 수차의 증감에 의한 빔 스팟 형상의 변화를 나타내는 개념도이다.
도 10은 본 발명의 실시형태에 의한 마이크로 렌즈의 면 형상을 나타내는 개념도이다. 도 10a는 광축으로부터 묘화 범위까지의 상 위치(거리) 70%에 있어서의 수차를 보정하기 위한 면 형상이다.
도 10b는 상 위치(거리) 100%, 즉 묘화 범위 한계에 있어서의 수차를 보정하기 위한 면 형상이다.
도 11은 본 발명의 실시형태에 의한 마이크로 렌즈의 면 형상에 있어서의 광축으로부터의 거리(동경 방향)와 방사 방향으로 기술되는 좌표계와 이것에 대응하는 감광 재료 표면(초점면)에 있어서의 좌표계의 관계를 나타내는 개념도이다.
도 12는 종래의 광학계에 있어서의 물체 위치와, 결상 광학계의 축외 수차의 스팟 형상으로의 영향을 나타내는 개념도이다.
도 13a는 본원 발명의 실시형태에 의한 상 위치(상고) 70%에서의 결상면에 있어서의 보정 전후의 수차 계수값(임의 단위)의 비교표이다.
도 13b는 본원 발명의 실시형태에 의한 상 위치(상고) 100%에서의 결상면에 있어서의 보정 전후의 수차 계수값(임의 단위)의 비교표이다.
1 is a perspective view showing a main part of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view showing a main part of an exposure head according to an embodiment of the present invention.
3 is a perspective view showing an example of the structure of a DMD used in an optical system according to an embodiment of the present invention.
4A is a perspective view showing the ON state of the DMD used in the embodiment of the present invention.
4B is a perspective view showing an off state of the DMD used in the embodiment of the present invention.
5 is a conceptual diagram showing the arrangement of optical elements after the DMD of the optical system according to the embodiment of the present invention.
6 is a conceptual diagram showing an arrangement of a plurality of kinds of microlenses with respect to a second imaging optical system optical axis of the microlens array used in the optical system according to the embodiment of the present invention.
7A is a graph showing the relationship between the position of the beam spot PB on the photosensitive material P in the microlens, the second imaging optical system, and the photosensitive material P when the beam modulated by the micromirror of the optical system according to the embodiment of the present invention is imaged as the beam spot PB. And the position of the beam in each coordinate system.
7B is a view showing the distance (radial direction) and the radial direction from the optical axis in the plane shape of the microlens.
7C is a diagram showing the polar coordinates on the surface of the microlenses.
7D is a coordinate system showing aberrations in the second imaging optical system.
8A is a check showing the definition of the Zernike standard coefficient.
FIG. 8B is an example of a standard Zernike polynomial using FIG. 8A.
9 is a conceptual diagram showing a change in beam spot shape caused by an increase or decrease in a higher order aberration with respect to a distance from a second imaging optical system optical axis of a microlens array used in an optical system according to an embodiment of the present invention.
10 is a conceptual diagram showing a surface shape of a microlens according to an embodiment of the present invention. 10A is a surface shape for correcting aberration at an image position (distance) of 70% from the optical axis to the imaging range.
FIG. 10B shows a surface shape for correcting the aberration at the image position (distance) 100%, that is, the imaging range limit.
Fig. 11 is a graph showing the relationship between the distance (radial direction) and the radial direction from the optical axis in the plane shape of the microlens according to the embodiment of the present invention and the coordinate system described in the radial direction and the coordinate system FIG.
Fig. 12 is a conceptual diagram showing an object position in a conventional optical system and an influence of the off-axis aberration of the imaging optical system on the spot shape.
13A is a comparison chart of aberration coefficient values (arbitrary units) before and after correction on an image plane at an image position (image height) of 70% according to an embodiment of the present invention.
13B is a comparison chart of aberration coefficient values (arbitrary units) before and after correction on the image plane at an image position (image height) of 100% according to the embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 의한 실시형태의 일례에 대해서 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

<전체 구성><Overall configuration>

도 1, 도 2에 나타내는 바와 같이 본 실시형태에 의한 노광 광학계(100)를 포함하는 노광 장치(10)는 시트 형상의 감광 재료(P)를 표면에 흡착하여 유지하는 평판 형상의 이동 스테이지(14)를 구비하고 있다. 복수(예를 들면, 4개)의 다리부(16)에 지지된 후판 형상의 설치대(18)의 상면에는 스테이지 이동 방향을 따라 연장된 2개의 가이드(20)가 설치되어 있다. 이동 스테이지(14)는 그 길이 방향이 스테이지 이동 방향을 향하도록 배치됨과 아울러 가이드(20)를 따라 왕복 이동 가능하게 지지되어 있다. 또한, 이 노광 장치(10)에는 부주사 수단으로서의 이동 스테이지(14)를 가이드(20)를 따라 구동하는 스테이지 구동 장치(도시하지 않음)가 설치되어 있다.As shown in Figs. 1 and 2, the exposure apparatus 10 including the exposure optical system 100 according to the present embodiment includes a flat plate-like moving stage 14 . Two guides 20 extending along the stage moving direction are provided on the upper surface of a plate-shaped mounting table 18 supported by a plurality of (for example, four) leg portions 16. The movable stage 14 is arranged such that its longitudinal direction is directed toward the stage moving direction and is supported so as to be reciprocally movable along the guide 20. [ The exposure apparatus 10 is also provided with a stage driving device (not shown) for driving the moving stage 14 as the sub scanning means along the guide 20.

설치대(18)의 중앙부에는 이동 스테이지(14)의 이동 경로에 걸치도록 과선교 형상의 게이트(22)가 설치되어 있다. 게이트(22)의 단부의 각각은 설치대(18)의 양측 각 면에 고정되어 있다. 이 게이트(22)를 사이에 두고 한쪽측에는 스캐너(24)가 설치되고, 다른쪽측에는 감광 재료(P)의 선단 및 후단을 검지하는 복수(예를 들면, 2개)의 센서(26)가 설치되어 있다. 스캐너(24) 및 센서(26)는 게이트(22)에 각각 부착되어 이동 스테이지(14)의 이동 경로의 상류에 고정 배치되어 있다. 또한, 스캐너(24) 및 센서(26)는 이들을 제어하는 도시하지 않는 컨트롤러에 접속되어 있다.At the center of the mounting table 18, a gate 22 of an overbridge shape is provided so as to extend over the moving path of the moving stage 14. [ Each of the ends of the gate 22 is fixed to both sides of the mount 18. A scanner 24 is provided on one side with the gate 22 therebetween and a plurality of sensors 26 are provided on the other side to detect the leading edge and trailing edge of the photosensitive material P . The scanner 24 and the sensor 26 are respectively attached to the gate 22 and fixedly disposed upstream of the movement path of the moving stage 14. [ The scanner 24 and the sensor 26 are connected to a controller (not shown) for controlling them.

스캐너(24)는, 예로서 m행 n열의 대략 매트릭스 형상으로 배열된 복수(도면에서는 14개)의 노광 헤드(28)를 구비하고 있다. 각 노광 헤드(28)에 의한 노광 에리어(30)는 부주사 방향을 단변으로 하는 직사각형상이다. 따라서, 이동 스테이지(14)의 이동에 따라 감광 재료(P)에는 노광 헤드(28)마다 띠상의 노광 완료 영역(31)이 형성된다.The scanner 24 includes a plurality (14 in the figure) of exposure heads 28 arranged in a substantially matrix shape of m rows and n columns, for example. The exposure area 30 by each exposure head 28 is a rectangular shape with the short side in the sub scanning direction. Accordingly, the exposure completed area 31 is formed in the photosensitive material P in the form of a strip for each exposure head 28 as the moving stage 14 moves.

복수의 노광 헤드(28)는, 예를 들면 파장 400㎚의 레이저광을 사출하는 도시하지 않는 광원(예로서, 반도체 레이저(LD) 등)과, 광원으로부터 사출된 레이저광을 화상 데이터에 따라서 각 화소부마다 변조하는 공간 광변조 소자로서, 예를 들면 도 3에 나타내는 DMD(34)를 구비하고 있다. 이 DMD(34)는 데이터 처리부와 미러 구동 제어부를 구비한 도시하지 않는 컨트롤러에 접속되어 있다. 컨트롤러의 데이터 처리부에서는 입력된 상 데이터에 의거하여 각 노광 헤드(28)마다 DMD(34) 상의 사용 영역 내의 각 마이크로 미러(74)(후술)를 구동 제어하는 제어 신호를 생성한다. 또한, 미러 구동 제어부에서는 화상 데이터 처리부에서 생성한 제어 신호에 의거하여 각 노광 헤드(28)마다 DMD(34)의 각 마이크로 미러(74)의 반사면의 각도를 제어한다.The plurality of exposure heads 28 are formed by, for example, a light source (not shown) emitting a laser beam having a wavelength of 400 nm (for example, a semiconductor laser LD) For example, a DMD 34 shown in Fig. 3 as a spatial light modulation device modulating every pixel portion. The DMD 34 is connected to a controller (not shown) having a data processing section and a mirror drive control section. The data processing section of the controller generates a control signal for driving and controlling each of the micromirrors 74 (described later) in the use area on the DMD 34 for each of the exposure heads 28 based on the inputted image data. The mirror drive control unit controls the angle of the reflecting surface of each micromirror 74 of the DMD 34 for each exposure head 28 based on the control signal generated by the image data processing unit.

도 5에 DMD(34) 이후의 광학계를 개념도로 나타낸다. DMD(34)의 광반사측(출사측, 사출측)에는 DMD(34)에서 반사된 레이저광(B)을 감광 재료(P) 상에 결상하는 주광학계가 배치되어 있다. 이 주광학계는 DMD(34)에서 변조된 빔을 확대하는 제 1 결상 광학계(52)와, 감광 재료(P) 상에 빔을 결상시키는 제 2 결상 광학계(58)와, 이들 결상 광학계 사이에 삽입된 마이크로 렌즈 어레이(64)와, 마이크로 렌즈 어레이(64)의 출사측 바로 근방에 배치된 제 1 개구 어레이(66)와, 마이크로 렌즈 어레이(64)의 초점 위치에 배치된 제 2 개구 어레이(68)로 구성되어 있다.5 shows the optical system after the DMD 34 in a conceptual view. A main optical system for imaging the laser beam B reflected by the DMD 34 onto the photosensitive material P is disposed on the light reflecting side (emitting side and irradiation side) of the DMD 34. [ The main optical system includes a first imaging optical system 52 for magnifying a beam modulated by the DMD 34, a second imaging optical system 58 for imaging a beam on the photosensitive material P, A first aperture array 66 disposed near the exit side of the microlens array 64 and a second aperture array 68 disposed at the focal point of the microlens array 64 ).

제 1 결상 광학계(52)는, 예를 들면 입사측의 렌즈(52A), 출사측의 렌즈(52B)로 이루어지고, DMD(34)는 렌즈(52A)의 초점면 상에 배치되어 있다. 렌즈(52A)와 렌즈(52B)는 초점면이 일치하고, 또한 렌즈(52B)의 출사측의 초점면 상에 마이크로 렌즈 어레이(64)가 배치되어 있다. 제 2 결상 광학계(58)도 또한, 예를 들면 입사측의 렌즈(58A), 출사측의 렌즈(58B)로 이루어지고, 렌즈(58A)와 렌즈(58B)는 초점면이 일치하고, 또한 제 2 개구 어레이(68)가 배치된 마이크로 렌즈 어레이(64)의 초점 위치는 렌즈(58A)의 초점면이다. 렌즈(58B)의 출사측의 초점면에 감광 재료(P)가 배치되어 있다.The first imaging optical system 52 is composed of, for example, an incident-side lens 52A and an emergent-side lens 52B, and the DMD 34 is disposed on the focal plane of the lens 52A. The lens 52A and the lens 52B have the same focal plane and the microlens array 64 is disposed on the focal plane on the exit side of the lens 52B. The second imaging optical system 58 also includes a lens 58A on the incident side and a lens 58B on the exit side and the lenses 58A and 58B have the same focal plane, The focal position of the microlens array 64 in which the two aperture arrays 68 are disposed is the focal plane of the lens 58A. And the photosensitive material P is disposed on the focal plane on the exit side of the lens 58B.

상기 제 1 결상 광학계(52)는 DMD(34)에 의한 상을 확대하여 마이크로 렌즈 어레이(64) 상에 결상된다. 또한, 제 2 결상 광학계(58)는 마이크로 렌즈 어레이(64)를 거친 상을 감광 재료(P) 상에 결상, 투영한다. 또한, 제 1 결상 광학계(52) 및 제 2 결상 광학계(58)는 모두 DMD(34)로부터의 다수의 광선 다발을 서로 대략 평행한 광선 다발로서 출사시킨다.The first imaging optical system 52 expands the image by the DMD 34 and forms an image on the microlens array 64. Further, the second imaging optical system 58 projects an image formed by the microlens array 64 onto the photosensitive material P to form an image. The first imaging optical system 52 and the second imaging optical system 58 all emit a plurality of bundles of rays from the DMD 34 as a bundle of rays substantially parallel to each other.

본 실시형태에 사용되는 DMD(34)는 도 3에 나타내는 바와 같이 SRAM셀(메모리셀)(72) 상에 각각 화소(픽셀)를 구성하는 다수(예를 들면, 1024개×768개)의 미소 미러(마이크로 미러(74))가 격자 형상으로 배열되는 미러 디바이스이다. 각 픽셀에 있어서 최상부에는 지주에 지지된 직사각형의 마이크로 미러(74)가 설치되어 있고, 마이크로 미러(74)의 표면에는, 예를 들면 알루미늄 등의 반사율이 높은 재료가 증착되어 있다.As shown in Fig. 3, the DMD 34 used in the present embodiment has a plurality of (for example, 1024 x 768) smiles constituting pixels (pixels) on an SRAM cell (memory cell) And mirror (micro mirror 74) are arranged in a lattice shape. For each pixel, a rectangular micro-mirror 74 supported by a support is provided at the uppermost portion, and a material having a high reflectivity such as aluminum is deposited on the surface of the micro-mirror 74.

DMD(34)의 SRAM셀(72)에 디지털 신호가 입력되면 지주에 지지된 각 마이크로 미러(74)가 대각선을 중심으로 하여 DMD(34)가 배치된 기판측에 대하여 ±α° 중 어느 하나로 기울어진다. 도 4a는 마이크로 미러(74)가 온 상태인 +α°로 기운 상태를 나타내고, 도 4b는 마이크로 미러(74)가 오프 상태인 -α°로 기운 상태를 나타낸다. 따라서, 화상 신호에 따라서 DMD(34)의 각 픽셀에 있어서의 마이크로 미러(74)의 경사를 도 4a, 도 4b에 나타내는 바와 같이 제어함으로써 DMD(34)에 입사된 레이저광(B)은 각각의 마이크로 미러(74)의 경사 방향으로 반사된다.When a digital signal is inputted to the SRAM cell 72 of the DMD 34, each of the micromirrors 74 supported on the support is tilted at any one of +/- 占 with respect to the substrate side on which the DMD 34 is disposed, Loses. FIG. 4A shows a state in which the micromirror 74 is in an on state and + a ° in an on state, and FIG. 4B shows a state in which the micromirror 74 is in an off state -?. Therefore, by controlling the inclination of the micromirror 74 in each pixel of the DMD 34 in accordance with the image signal as shown in Figs. 4A and 4B, the laser light B incident on the DMD 34 is reflected by the respective And is reflected in the oblique direction of the micromirror 74.

또한, 도 4a, 도 4b에는 DMD(34)의 일부(1매의 마이크로 미러 부분)를 확대하여 마이크로 미러(74)가 +α° 또는 -α°로 제어되어 있는 상태의 일례를 나타낸다. 각각의 마이크로 미러(74)의 온오프 제어는 DMD(34)에 접속된 도시하지 않는 컨트롤러에 의해 행해진다.4A and 4B show an example of a state in which a part (one micromirror portion) of the DMD 34 is enlarged and the micromirror 74 is controlled at +? Degrees or-? Degrees. The ON / OFF control of each of the micromirrors 74 is performed by a controller (not shown) connected to the DMD 34. [

<마이크로 렌즈 어레이><Micro Lens Array>

마이크로 렌즈 어레이(64)는 DMD(34) 상의 각 마이크로 미러(74)에 대응하는 다수의 마이크로 렌즈(64a)가, 예를 들면 1024개×768개 정도의 2차원 형상으로 배열되어 있다. 본 실시형태에서는 석영 유리로 형성된 평철 렌즈를 사용하고 있다. 각 마이크로 렌즈(64a)는 후술하는 바와 같이 제 2 결상 광학계의 수차를 보정하는 면 형상으로 되어 있다.The microlens array 64 has a plurality of microlenses 64a corresponding to the respective micromirrors 74 on the DMD 34 arranged in a two-dimensional shape of, for example, about 1024 x 768. In this embodiment, a flat steel lens formed of quartz glass is used. Each microlens 64a has a surface shape that corrects the aberration of the second imaging optical system as described later.

또한, 상기 예에 한정되지 않고 양철 렌즈 등을 기본 형태로서 사용해도 좋다. 또한, 각 마이크로 렌즈(64a)와, 그들을 어레이 형상으로 연결하는 연결 부분을 동일한 재료에 의해 일체 성형하여 마이크로 렌즈 어레이(64)로 해도 좋고, 또는 마이크로 미러(74)의 각각에 대응시킨 다수의 개구를 형성한 기반의 개구의 각각에 각 마이크로 렌즈(64a)를 끼워 넣어도 좋다. 또한, 렌즈 파워를 갖는 2층의 마이크로 렌즈 어레이를 포개어 마이크로 렌즈 어레이(64)로 해도 좋다.Further, the present invention is not limited to the above example, and a tin lens or the like may be used as a basic form. The microlenses 64a may be formed integrally with the connection portions connecting the microlenses 64a in the form of an array by using the same material or may be a microlens array 64 or a plurality of openings The micro lenses 64a may be sandwiched between the base openings. Further, a two-layer microlens array having lens power may be superimposed to form a microlens array 64. [

또한, 각 마이크로 렌즈(64a)에 대응하는 다수의 개구가 형성된 개구 어레이(68)가 마이크로 렌즈 어레이(64)의 출사측에 설치되어 있다.An aperture array 68 in which a plurality of openings corresponding to the respective microlenses 64a are formed is provided on the emission side of the microlens array 64. [

개구 어레이(68)는 마이크로 렌즈(64a)의 출사측면의 개구부 이외의 개소에 크롬 마스크(크롬으로 이루어지는 차광막)를 형성한 것 또는 투과성/반투과성 코팅을 실시하여 마스크로 한 것이어도 좋고, 또는 직접 마이크로 렌즈(64a)에 접촉시키지 않고 출사면의 근방에 투명한 마스크판에 차광막을 형성한 것을 배치해도 좋다.The aperture array 68 may be a mask in which a chrome mask (light shielding film made of chrome) is formed at a portion other than the opening on the exit side of the microlens 64a or a mask made of a permeable / semi-permeable coating, A light shielding film may be formed on a transparent mask plate in the vicinity of the exit surface without being brought into contact with the lens 64a.

<마이크로 렌즈의 형상과 배치><Shape and arrangement of microlenses>

상술한 바와 같이 마이크로 렌즈 어레이(64)를 통과한 빔(레이저광(B))은 제 2 결상 광학계(58)에 의해 감광 재료(P) 상에 빔 스팟(PB)으로서 결상된다. 이 때, 특히 제 2 결상 광학계(58)에 존재하는 축외 수차에 의해 도 12에 나타내는 바와 같이 빔 스팟(PB)의 형상이 변형되어 스팟 지름이 확대되어 소망의 해상력이 얻어지지 않을 우려가 있다.The beam (laser beam B) that has passed through the microlens array 64 as described above is imaged as the beam spot PB on the photosensitive material P by the second imaging optical system 58. [ At this time, there is a possibility that the off-axis aberration existing in the second imaging optical system 58 deforms the shape of the beam spot PB as shown in Fig. 12, thereby enlarging the spot diameter and not obtaining a desired resolution.

즉, 도 12와 같이 단순히 동일 형상의 물체(164a)를 광축(58C)으로부터의 거리가 다른 위치에 배열했을 경우, 제 2 결상 광학계(58)의 수차(축외 수차)가 상(=빔 스팟(PB))의 형상에 영향을 주고, 제 2 결상 광학계(58)의 광축(58C)으로부터 멀어지면 상(빔 스팟(PB))의 형상이 변형될 우려가 있다. 이것에 의해 결상면에서 소망의 해상도가 얻어지지 않을 가능성이 있다.That is, when the object 164a of the same shape is simply arranged at a position different from the optical axis 58C as shown in Fig. 12, the aberration (off-axis aberration) of the second imaging optical system 58 is shifted PB), and the shape of the beam spot PB (beam spot PB) may be deformed away from the optical axis 58C of the second imaging optical system 58. [ Thereby, there is a possibility that a desired resolution can not be obtained on the image plane.

그래서, 본 실시형태에서는 도 5에 나타내는 마이크로 렌즈 어레이(64)를 구성하는 마이크로 렌즈(64a)의 형상을 제 2 결상 광학계(58)의 광축(58C)으로부터의 거리에 따라서 변화시켜 제 2 결상 광학계(58)의 축외 수차를 보정한다. 이것에 의해 감광 재료(P) 상에 결상되는 빔 스팟(PB)의 형상의 변형을 방지하고, 빔 스팟(PB)의 확대를 억제함으로써 화상 주변부의 해상력을 높인다.Therefore, in the present embodiment, the shape of the microlens 64a constituting the microlens array 64 shown in Fig. 5 is changed according to the distance from the optical axis 58C of the second imaging optical system 58, Off-axis aberration of the zoom lens 58 is corrected. This prevents deformation of the shape of the beam spot PB formed on the photosensitive material P and suppresses enlargement of the beam spot PB, thereby enhancing the resolution of the peripheral portion of the image.

구체적으로는, 예를 들면 도 6에 나타내는 바와 같이 마이크로 렌즈 어레이(64)를 형상이 다른 3종류의 마이크로 렌즈(64a~64c)로 구성한다. 마이크로 렌즈(64)는 제 2 결상 광학계(58)의 광축(58C)으로부터의 거리에 따라서 3종류의 마이크로 렌즈(64a1~64a3)로부터 선택되어 제 2 결상 광학계(58)의 광축(58C)에 대하여 소정의 방향성을 갖고 배치된다. 즉, 후술하는 바와 같이 마이크로 렌즈(64a2, 64a3)는 비구면 렌즈이며, 또한 형상에 방향성을 갖고 있기 때문에 소정의 방향을 광축(58)을 향해서 배치할 필요가 있다.Specifically, for example, as shown in Fig. 6, the microlens array 64 is formed of three types of microlenses 64a to 64c having different shapes. The microlens 64 is selected from the three kinds of microlenses 64a1 to 64a3 in accordance with the distance from the optical axis 58C of the second imaging optical system 58 and is optically coupled to the optical axis 58C of the second imaging optical system 58 And are arranged with a predetermined directionality. That is, as described later, the microlenses 64a2 and 64a3 are aspherical lenses, and since the shape of the microlenses 64a2 and 64a3 is also directional, it is necessary to dispose the microlenses 64a2 and 64a3 in a predetermined direction toward the optical axis 58. [

도 6의 예에서는 광축(58C)의 바로 근방에서는 축외 수차 보정을 위한 면 형상 가공을 행하고 있지 않는 (구면의) 마이크로 렌즈(64a1)를 사용한다. 이어서, 광축(58C)으로부터의 거리에 의해 축외 수차 보정을 위한 면 형상을 갖는 마이크로 렌즈(64a2, 64a3)를 방사 형상으로 배치하여 마이크로 렌즈 어레이(64)로서 구성한다.In the example of Fig. 6, a microlens 64a1 (spherical surface) which is not subjected to surface shaping for off-axis aberration correction is used in the immediate vicinity of the optical axis 58C. Next, microlenses 64a2 and 64a3 having a planar shape for off-axis aberration correction are arranged radially in accordance with the distance from the optical axis 58C to constitute a microlens array 64. [

도 7a에 나타내는 광학계에 있어서 어떤 마이크로 렌즈(64a)를 통과하는 빔(B)이 제 2 결상 광학계(58)에 의해 감광 재료(P) 상에 빔 스팟(PB)으로서 결상되는 것으로 한다. 이 때, 마이크로 렌즈(64a)는 직경(rMAX)의 원 형상을 한 평철 렌즈로 하고, 도 7b와 같이 광축(58C)으로부터의 거리를 ξML, 이것과 직교하는 좌표를 ηML로 했을 때, 마이크로 렌즈(64a)의 면 상에서의 극좌표를 도 7c와 같이 중심으로부터의 거리(r), 각도(φML)로 기술할 수 있다.It is assumed that the beam B passing through a certain microlens 64a in the optical system shown in Fig. 7A is imaged as the beam spot PB on the photosensitive material P by the second imaging optical system 58. Fig. 7B, when the distance from the optical axis 58C is? ML, and the coordinate orthogonal to the optical axis 58C is? ML, the microlens 64a has a circular shape with a diameter rMAX, The polar coordinates on the plane of the surface 64a can be described by the distance r from the center and the angle phi ML, as shown in Fig. 7C.

마찬가지로 제 2 결상 광학계(58)에 있어서 동좌표계로서 (ξL2, ηL2)의 좌표값에 있어서의 수차를 기술할 때에 도 7d와 같이 극좌표를 사용하여 ρL2, φL2로 나타낼 수 있다. 또한, 감광 재료(P) 상에 빔 스팟(PB)이 결상되었을 때, 제 2 결상 광학계(58)의 광축(58C)으로부터의 거리를 Y_end, 이것과 직교하는 좌표를 X_end로 하여 마찬가지로 기술할 수 있다.Likewise, when describing an aberration in coordinate values of (? L2,? L2) as the coordinate system in the second imaging optical system 58, polar coordinates can be used as? L2 and? L2, as shown in Fig. 7d. Further, when the beam spot PB is formed on the photosensitive material P, the distance from the optical axis 58C of the second imaging optical system 58 is Y_end, and the coordinate orthogonal to this is X_end. have.

또한, 도 11에 나타내는 바와 같이 마이크로 렌즈 어레이(64)를 구성하는 마이크로 렌즈(64a)의 각각에 대하여 좌표계(ξML, ηML), 그것에 대응하는 감광 재료(P) 표면에서의 좌표계(X_end, Y_end)는 일정하지는 않고, 변화된다. 광학계 전체를 DMD(34)측으로부터 보았을 때, 제 2 결상 광학계(58)의 광축(58C)에 대하여 각각의 광학계의 대응은 ηML축 및 Y_end축은 동경 방향(광축(58C)으로부터의 접리 방향), ξML 및 X_end는 동경 방향과 직교하는 방사 방향이 된다. 이 때문에 감광 재료(P)의 특정 개소에 있어서의 빔 스팟(PB)에 대해서 대응할 경우 등은 마이크로 렌즈(64a)측에서 상당하는 위치를 고려할 필요가 있다.As shown in Fig. 11, the coordinate system (xML, eta M) and the coordinate system (X_end, Y_end) on the surface of the photosensitive material P corresponding to each of the microlenses 64a constituting the microlens array 64, Is not constant but is changed. When the entire optical system is viewed from the DMD 34 side, the correspondence of the respective optical systems to the optical axis 58C of the second imaging optical system 58 is such that the? ML axis and the Y_end axis correspond to the long axis direction (the refraction direction from the optical axis 58C) and X_ML and X_end are radial directions orthogonal to the radial direction. For this reason, it is necessary to consider a position equivalent to the beam spot PB at a specific position of the photosensitive material P on the side of the microlens 64a.

상기 점을 근거로 하여 마이크로 렌즈(64a)의 형상에 대해서 설명한다. 수차를 기술하는데 사용되는 표준 Zernike 다항식은 도 8b와 같이 기술된다.The shape of the microlenses 64a will be described based on the above points. The standard Zernike polynomial used to describe the aberration is described as FIG. 8b.

Zernike 표준 계수란 도 8a와 같이 여러 가지 수차를 각 차수마다 분해하여 파악하는 것이며, 예를 들면 제 4 항은 초점 위치의 어긋남을 나타내지만, 빔 스팟(PB)의 형상에 관계되는 것은 제 4 항(Z4) 이상의 고차 수차이다.For example, the fourth term represents the deviation of the focal position, but what relates to the shape of the beam spot PB is the fourth term (Z4).

제 2 결상 광학계(58)의 어떤 상 위치에서는 하기와 같은 함수로 나타내어지는 수차가 존재한 것으로 한다.It is assumed that an aberration represented by the following function exists at an image position of the second imaging optical system 58.

(식 1)(Equation 1)

ΣΔi×λ×Zi(ρL2, φL2)? I x lambda x Zi (? L2,? L2)

ii

ρL2, φL2: 제 2 결상 광학계(58)의 동좌표를 나타내는 파라미터? L2,? L2: a parameter indicating the same coordinates of the second imaging optical system 58

Zi(ρ, φ): Zernike 표준 함수Zi (ρ, φ): Zernike standard function

Δi: 제 2 결상 광학계(58)의 수차 계수? I: the aberration coefficient of the second imaging optical system 58

(제 i 항의 Zernike 표준 계수, 단위는 λ: 광파장)(Zernike standard coefficient in the i-th measure, unit: λ: optical wavelength)

마이크로 렌즈(64a)가 평철 렌즈이었을 때에는 이것을 보정하기 위해서 대응하는 마이크로 렌즈(64a)의 면 형상을 변경하고, Δi의 수차를 보정할 경우에 있어서 필요한 마이크로 렌즈(64a)의 면 형상은 통상의 구면 형상(제 1 항, 마이크로 렌즈(64a1))에 추가하여 제 2 항을 추가한 식 2로 기술되는 면 형상으로 된다.When the microlens 64a is a flat lens, the surface shape of the corresponding microlens 64a is changed in order to correct this, and the surface shape of the microlens 64a necessary for correcting the aberration of? (2) in which the second term is added in addition to the shape (the first term, the microlens 64a1).

(식 2)(Equation 2)

SagZ(r, φ)=(c×r^2)/(1+√(1-c^2×r^2))SagZ (r, φ) = (c × r ^ 2) / (1 + √ (1-c ^ 2 × r ^ 2)

+(Δi×λ)/(n-1)×Zi(r/rmax, φML)             + (? I x?) / (N-1) x Zi (r / rmax,

r, φML: 마이크로 렌즈(64a) 표면에서의 좌표를 나타내는 파라미터r,? ML: a parameter indicating coordinates on the surface of the microlens 64a

rmax: 마이크로 렌즈(64a) 개구부의 최대 반경rmax: the maximum radius of the opening of the microlens 64a

c: 마이크로 렌즈(64a) 보정 전의 곡률c: curvature before correction of the microlenses 64a

λ: 광파장λ: optical wavelength

n: 마이크로 렌즈 어레이(64)의 소재의 굴절률n: the refractive index of the material of the microlens array 64

Zi(r/rmax, φ): Zernike 표준 함수Zi (r / rmax, φ): Zernike standard function

여기서, 마이크로 렌즈 어레이(64)을 구성하는 개개의 마이크로 렌즈(64a)에 대해서 상기 방법으로 표면 형상을 구하고, 빔 스팟 형상에 관계되는 제 4 항(Z4) 이상의 모든 i에 관해서 마이크로 렌즈 어레이(64)의 전체면에 걸쳐서 제 2 결상 광학계(58)의 수차를 보정하는 것이 이상적이다.The surface shape of each microlens 64a constituting the microlens array 64 is determined in the same manner as described above and the microlens array 64 It is ideal to correct the aberration of the second imaging optical system 58.

마이크로 렌즈 어레이(64)를 광리소그래피에 의해 제작할 경우에는 개개의 마이크로 렌즈(64a)마다 그 형상을 변경하는 것은 비교적 용이하게 실현 가능하다. 또한, 저차원이며(i의 숫자가 작으며), Δ의 수치가 크고, 감광 재료로의 영향이 큰 항만 선택적으로 보정하면 마이크로 렌즈 어레이(64)의 형상이 복잡화되지 않기 때문에 저비용으로 큰 효과를 기대할 수 있다.When the microlens array 64 is manufactured by optical lithography, it is relatively easy to change the shape of each microlens 64a. In addition, since the shape of the microlens array 64 is not complicated by selectively correcting a port having a low dimension (a small number of i) and a large value of? And a large influence on the photosensitive material, You can expect.

이하, 마이크로 렌즈(64a)의 면 형상에 대해서 구체적인 예를 사용하여 설명한다. 제 2 결상 광학계(58)의 광학적 특성은 용도에 따라서 여러 가지 고려된다. 감광 재료(P) 상에 결상된 빔 스팟(PB)의 광축(58C)으로부터의 거리에 의한 Zernike 표준 계수 저차항의 증감에 대해서 대표예를 도 9에 나타낸다. 좌표축의 선택의 방법에 의해 Z5, Z8, Z10은 원리적으로 제로가 되므로 표시하고 있지 않다.Hereinafter, the surface shape of the microlenses 64a will be described using specific examples. The optical characteristics of the second imaging optical system 58 are variously considered depending on the use. A representative example of the increase / decrease of the Zernike standard coefficient lowering term due to the distance from the optical axis 58C of the beam spot PB formed on the photosensitive material P is shown in Fig. Z5, Z8, and Z10 are zero in principle because of the method of selecting the coordinate axes.

도 9의 세로축에서 나타내는 Zernike 표준 계수의 각 항마다의 계수값은 절대값이 클수록 수차가 크고, 빔 스팟(PB)의 형상이 무너지는 관계에 있다. 즉, 도 9에 나타내는 바와 같이 감광 재료(P) 상에 제 2 결상 광학계(58)에 의해 빔 스팟(PB)이 결상되었을 때, 광축(58C)으로부터의 거리에 의해 Zernike 표준 계수의 각 항마다의 계수값도 다르게 된다.The larger the absolute value of the coefficient value for each term of the Zernike standard coefficient shown in the vertical axis of FIG. 9 is, the larger the aberration is, and the shape of the beam spot PB is collapsed. 9, when the beam spot PB is imaged by the second imaging optical system 58 on the photosensitive material P, the distance from the optical axis 58C to the beam spot PB is calculated for each term of the Zernike standard coefficient The coefficient values of the first and second embodiments are different.

여기서, 감광 재료(P)의 종류에 따라 빔 스팟(PB)의 비대칭성(진원(眞円)으로부터의 괴리)을 꺼리므로 도 9에 나타내는 Z6, Z7, Z9 등의 수차를 우선적으로 보정하는 것이 노광 시의 해상도를 유지하기 위해서 효과적이다. 이후, 이 절대값이 0.25(임의 단위, arbitrary unit: 도면 중에서는 a. u.로 표기)를 초과하는 것과 같은 개소에 대해서 마이크로 렌즈(64a)의 형상으로 보정을 행하는 것으로서 설명을 진행한다.Here, since the asymmetry (deviation from the circle) of the beam spot PB is reluctant depending on the type of the photosensitive material P, it is preferable to preferentially correct the aberrations of Z6, Z7, and Z9 shown in Fig. 9 It is effective to maintain the resolution at the time of exposure. Thereafter, correction is performed on the shape of the microlens 64a for the portion where the absolute value exceeds 0.25 (arbitrary unit, arbitrary unit: denoted by a. U. In the drawing).

도 9에 나타내는 예에서는 Z4(초점 어긋남)를 제외하고 가로축의 상 위치 70% 부근(광축(58C)으로부터의 거리)에서 Z6, 상 위치 100% 부근에서 Z7, Z9의 영향이 큰 것을 알 수 있다. 이후, 상 위치 70% 위치 및 상 위치 100% 위치를 대표예로서 Z6, Z9를 마이크로 렌즈(64a)의 형상에 의해 보정하는 방법에 대해서 설명한다.In the example shown in Fig. 9, it can be seen that the influence of Z7 and Z9 is large in the vicinity of the image position 70% (distance from the optical axis 58C) and in the vicinity of the image position 100% in the image position except for Z4 (focus shift) . A description will now be given of a method of correcting Z6 and Z9 by the shape of the microlens 64a as a representative example of the image position 70% position and the image position 100% position.

도 10a에는 도 9의 상 위치 70%에 상당하는 개소의 Z6, Z9 수차를 보정하기 위한 면 형상을 구비한 마이크로 렌즈(64a)의 구면으로부터의 어긋남량이 퍼센테이지로 나타내어져 있다. 도면 중 우측이 광축으로부터 멀어지는 ηML이며, 즉 도면 중 좌측 방향이 광축(58C)측으로 되어 있다.In FIG. 10A, the amount of shift from the spherical surface of the microlens 64a having the surface shape for correcting the Z6 and Z9 aberrations of the portion corresponding to the image position 70% in FIG. 9 is expressed by a percentage. In the drawing, the right side is eta ML away from the optical axis, that is, the left side in the figure is the optical axis 58C side.

Z6, Z9를 보정하기 위한 면 형상은 이하의 식으로 규정된다. 사용 파장을 400㎚, 이 파장에 있어서의 마이크로 렌즈 어레이(64)의 소재의 굴절률을 1.47로 했을 경우, 면 형상은 이하의 식 3으로 기술된다.The surface shape for correcting Z6 and Z9 is defined by the following formula. When the wavelength used is 400 nm and the refractive index of the material of the microlens array 64 at this wavelength is 1.47, the surface shape is described by the following formula (3).

(식 3)(Equation 3)

+4.5×10^-4×Z6(r/rmax, φML)-1.7×10^-4×Z9(r/rmax, φML)+ 4.5 x 10 ^ -4 x Z6 (r / rmax,? ML) -1.7 x 10 ^ -4 x Z9 (r / rmax,

이러한 면 형상을 구비한 마이크로 렌즈(64a)를 사용했을 때의 Z4~Z11의 수차의 보정 상황을 구면과의 비교로 표 1로서 도 13a에 나타낸다.The correction of the aberrations of Z4 to Z11 when the microlens 64a having such a surface shape is used is shown in Table 1 as a comparison with the spherical surface in Fig.

동일하게 도 10b에는 도 9의 상 위치 100%에 상당하는 개소의 Z6, Z9 수차를 보정하기 위한 면 형상을 구비한 마이크로 렌즈(64a)의 구면으로부터의 편차량이 퍼센테이지로 나타내어져 있다. 도면 중 우측이 광축으로부터 멀어지는 ηML이며, 즉 도면 중 좌측 방향이 광축측으로 되어 있는 점은 도 10a와 마찬가지이다.In FIG. 10B, a deviation from the spherical surface of the microlens 64a having a surface shape for correcting Z6 and Z9 aberrations corresponding to the image position 100% in FIG. 9 is indicated by a percentage. In the drawing, the right side is eta ML away from the optical axis, that is, the left side in the figure is on the optical axis side is the same as that in Fig. 10A.

Z6, Z9을 보정하기 위한 면 형상은 이하의 식 4로 규정된다.Z6, and Z9 is defined by the following expression (4).

(식 4)(Equation 4)

-4.4×10^-4×Z6(r/rmax, φML)-5.0×10^-4×Z9(r/rmax, φML)-4.4 × 10 -4 -4 × Z6 (r / rmax, φML) -5.0 × 10 -4 -4 × Z9 (r / rmax, φML)

이 면 형상을 구비한 마이크로 렌즈(64a)를 사용했을 때의 Z4~Z11의 수차의 보정 상황을 구면과의 비교로 표 2로서 도 13b에 나타낸다.A correction situation of the aberration of Z4 to Z11 when the microlens 64a having this surface shape is used is shown in Table 2 as a comparison with the spherical surface in Fig.

상기와 같은 마이크로 렌즈(64a)를 각각 상 위치 70%, 100%의 위치에 배치함으로써 각각의 위치에 있어서 각 수차 중 수치가 큰 것을 양호하게 보정할 수 있다. 또한, 상기 설명에 있어서는 상고 70% 위치와 상고 100% 위치를 구체예에 나타냈지만, 이 위치와 다른 개소에 관해서도 마찬가지의 검토에 의해 개별적으로 수차를 보정하는 것이 가능하다.By disposing the above-mentioned microlenses 64a at the positions of 70% and 100%, respectively, it is possible to satisfactorily correct large aberrations in each position. In the above description, the 70% position of image height and the 100% position of image height are shown in specific examples. However, it is possible to correct the aberrations separately at this position and other positions by similar examination.

또한, 요구되는 정밀도에 따라서는 마이크로 렌즈(64a)의 형상을 개별적으로 변경할 필요는 없다. 결상 광학계(2)의 수차의 분포에 따라서 마이크로 렌즈(64a)의 형상을 단계적으로 변경해도 좋다. 예를 들면, 결상 광학계(2)의 수차량이 비교적 작은 영역에 있어서는 구면 형상 그대로 할 수 있다. 또한, 인접하는 마이크로 렌즈(64a) 중 몇개에 관해서 대응하는 범위 내에 있어서의 결상 광학계(2)의 대표적인 수차값을 보정하는 형상으로 통일해도 좋다.In addition, it is not necessary to individually change the shape of the microlenses 64a depending on the required accuracy. The shape of the microlens 64a may be changed stepwise according to the distribution of the aberration of the imaging optical system 2. [ For example, in a region where the number of the imaging optical systems 2 is relatively small, the spherical shape can be maintained. Further, some of the adjacent microlenses 64a may be unified into a shape for correcting typical aberration values of the imaging optical system 2 within a corresponding range.

결상 광학계(2)의 광축으로부터의 거리에 따라서 마이크로 렌즈(64a)의 형상을 3단계로 변경한 예를 도 6에 나타낸다. 되도록 상 위치마다 상세하게 면 형상의 종류 분류를 행한 편이 정밀도가 높은 보정을 행할 수 있는 것은 말할 필요도 없다. 이 때, 도 9에 나타내는 바와 같이 각 상 위치에 있어서의 Zernike 표준 계수의 변화를 확인하면서 빔 스팟 형상에 강하게 영향을 주는 수차에 관해서 우선적으로 보정을 행하는 것이 효율적인 수차의 보정에 필요해진다. 특히, Zernike 표준 계수가 심하게 변동하는 상 위치의 근방에 있어서 마이크로 렌즈(64a)의 면 형상을 변화시킴으로써 효율이 좋은 보정을 행할 수 있다.6 shows an example in which the shape of the microlens 64a is changed to three levels in accordance with the distance from the optical axis of the imaging optical system 2. [ Needless to say, it is possible to carry out correction with high precision by performing surface type classification in detail for each image position. At this time, as shown in Fig. 9, it is necessary to correct the aberration that strongly affects the beam spot shape while confirming the change of the Zernike standard coefficient at each image position, in order to correct the aberration efficiently. In particular, efficient correction can be performed by changing the surface shape of the microlens 64a in the vicinity of the image position where the Zernike standard coefficient fluctuates severely.

<기타><Others>

이상, 본 발명의 실시예에 대해서 기술했지만, 본 발명은 상기 실시예에 조금도 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에 있어서 여러 가지 실시형태로 실시할 수 있는 것은 말할 필요도 없다.Although the embodiments of the present invention have been described above, it is needless to say that the present invention is not limited to the above-described embodiments, but can be carried out in various embodiments within the range not deviating from the gist of the present invention .

예를 들면, 상기 실시형태에서는 레이저광으로 노광하는 노광 장치의 구성을 예로 들었지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 통상의 가시광 또는 자외선 등을 사용해도 좋다. 또는 노광 장치 이외에도 스팟광을 사용하는 여러 가지 구성에 응용할 수도 있다.For example, in the above embodiment, the configuration of the exposure apparatus for exposing with laser light is described as an example, but the present invention is not limited thereto, and for example, ordinary visible light or ultraviolet light may be used. Or may be applied to various configurations using spot light in addition to the exposure apparatus.

또는 감광 재료(P) 상에 형성되는 이미지의 주변 광량 저하를 보정하기 위해서 제 2 결상 광학계(58)의 광축(58C)에 가까울수록 농도가 높은 센터 필터를 병용하거나 또는 광축(58C)에 가까운 마이크로 렌즈(64a)일수록 투과 농도를 높게 하는 등의 대책을 실시해도 좋다.It is preferable to use a center filter having a higher density or a micro-filter close to the optical axis 58C toward the optical axis 58C closer to the optical axis 58C of the second imaging optical system 58 in order to correct a decrease in the peripheral light quantity of the image formed on the photosensitive material P, And measures such as increasing the transmittance density for the lens 64a may be performed.

또한, 본 실시형태에서는 반사형 공간 변조 소자인 DMD(34)를 사용하여 설명했지만, 이것 대신에 예를 들면 액정을 사용한 투과형 공간 변조 소자를 사용해도 좋다.In the present embodiment, the DMD 34, which is a reflective spatial modulation device, is used. Instead, a transmissive spatial modulation device using, for example, liquid crystal may be used.

일본 특허 출원 2013-033344의 개시는 그 전체가 참조에 의해 본 명세서에 원용된다. 본 명세서에 기재된 모든 문헌, 특허출원 및 기술 규격은 개개의 문헌, 특허출원 및 기술 규격이 참조에 의해 원용되는 것이 구체적이고, 또한 개개로 기재된 경우와 동일한 정도로 본 명세서 중에 참조에 의해 원용된다.The disclosure of Japanese Patent Application No. 2013-033344 is hereby incorporated by reference in its entirety. All publications, patent applications, and technical specifications described in this specification are herein incorporated by reference in their entirety to the same extent as if each individual article, patent application, and technical specification were specifically and individually indicated to be incorporated by reference.

Claims (5)

광원으로부터의 광을 변조하는 화소부가 배열된 공간 광변조 소자와,
상기 공간 광변조 소자에서 변조된 광을 집광하는 마이크로 렌즈가 평면 상에 배열된 마이크로 렌즈 어레이와,
상기 공간 광변조 소자에 의해 변조된 광을 상기 마이크로 렌즈 어레이에 결상하는 제 1 결상 광학계와,
상기 마이크로 렌즈 어레이에서 집광된 광을 감광 재료 상에 결상하는 제 2 결상 광학계를 구비하고,
상기 마이크로 렌즈 어레이는 상기 제 2 결상 광학계의 광축으로부터의 거리에 따라서 형상이 다른 복수 종류의 마이크로 렌즈가 배열된 것을 특징으로 하는 노광 광학계.
A spatial light modulation element in which a pixel portion for modulating light from a light source is arranged,
A microlens array in which microlenses for condensing the modulated light in the spatial light modulation device are arranged on a plane;
A first imaging optical system for imaging the light modulated by the spatial light modulation element on the microlens array,
And a second imaging optical system for imaging the light condensed by the microlens array on the photosensitive material,
Wherein the microlens array has a plurality of types of microlenses arranged in different shapes according to a distance from an optical axis of the second imaging optical system.
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 결상 광학계의 동좌표를 ρL2, φL2, Zernike 표준 함수를 Zi(ρ, φ), 상기 제 2 결상 광학계의 제 i 항의 Zernike 표준 계수를 Δ(i)로 했을 때, 상기 제 2 결상 광학계의 어떤 상 위치에서 이하의 식 1로 나타내어지는 수차가 존재할 때,
(식 1)
ΣΔ(i)×λ×Zi(ρL2, φL2)
i
상기 상 위치에 대응하는 상기 마이크로 렌즈의 형상은 상기 제 2 결상 광학계의 상기 수차를 보정하도록 마이크로 렌즈 표면에서의 좌표를 나타내는 파라미터를 r, φML, 상기 마이크로 렌즈의 개구부의 최대 반경을 rmax, 보정 전의 상기 마이크로 렌즈의 면 형상의 곡률을 c, 상기 광의 파장을 λ, 상기 마이크로 렌즈 어레이의 소재의 굴절률을 n, Zernike 표준 함수를 Zi(r/rmax, φ)로 하고, 상기 마이크로 렌즈의 일부는 이하의 식 2 및 식 3으로 기술되는 면 형상인 것을 특징으로 하는 노광 광학계.
(식 2)
SagZ(r, ψ)=(c×r2)/(1+√(1-c2×r2))
+Σ(ΔM(i)×λ)/(n-1)×Zi(r/rmax, φML),
i≥4
(식 3)
ΔM(i)=Δ(i)(i≥4)
The method according to claim 1,
And the Zernike standard coefficient of the i-th term of the second imaging optical system is DELTA (i), where? L2 is the coordinate of the second imaging optical system,? L2 is the Zernike standard function of the Zernike standard function, When there is an aberration represented by the following formula 1 at an image position of the optical system,
(Equation 1)
?? (i) x? Xi (? L2,? L2)
i
Wherein the shape of the microlens corresponding to the image position is a parameter expressing coordinates on the surface of the microlens so as to correct the aberration of the second imaging optical system by r and? ML, a maximum radius of the aperture of the microlens by rmax, A refractive index of a material of the microlens array is denoted by n, a Zernike standard function is denoted by Zi (r / rmax, phi), and a portion of the microlens is denoted by (2) and (3): &quot; (2) &quot;
(Equation 2)
SagZ (r, ψ) = (c × r2) / (1 + √ (1-c2 × r2))
+? (? M (i) x? / N-1) Zi (r / rmax,
i? 4
(Equation 3)
? M (i) =? (I) (i? 4)
제 2 항에 있어서,
상기 마이크로 렌즈 어레이는 i≥4를 만족시키는 i의 일부에 관해서 상기 식 3을 만족시키고,
그 이외의 i에 관해서는 ΔM(i)=0을 만족시키는 것을 특징으로 하는 노광 광학계.
3. The method of claim 2,
The microlens array satisfies the formula (3) with respect to a part of i satisfying i? 4,
(I) = 0 is satisfied for the other i.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 노광 광학계를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 헤드.An exposure head comprising the exposure optical system according to any one of claims 1 to 3. 제 4 항에 기재된 노광 헤드를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.An exposure apparatus comprising the exposure head according to claim 4.
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