KR20150097483A - Holding membrane forming film - Google Patents

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Abstract

지지체에 가고정한 보호막 형성용 필름을 경화 후에 있어서 지지체로부터 박리되는 것이 용이하고, 칩의 접착 강도가 우수한 보호막 형성용 필름을 제공하는 것.
본 발명에 따른 보호막 형성용 필름은 제1 표면과 제2 표면을 갖는 경화성 보호막 형성용 필름으로서, 경화 후에 있어서의 제1 표면의 실리콘 웨이퍼에 대한 접착력이 경화 후에 있어서의 제2 표면의 실리콘 웨이퍼에 대한 접착력보다 높다.
Provided is a film for forming a protective film which is easy to peel off from a support after curing a protective film forming film fixed on a support and has excellent bonding strength of chips.
The film for forming a protective film according to the present invention is a film for forming a curable protective film having a first surface and a second surface, wherein the adhesive strength of the first surface to the silicon wafer after curing is higher than that of the silicon wafer Adhesive strength.

Description

보호막 형성용 필름{HOLDING MEMBRANE FORMING FILM}{HOLDING MEMBRANE FORMING FILM}

본 발명은 반도체 웨이퍼나 반도체 칩에 보호막을 형성할 수 있고, 또한, 반도체 칩의 제조 효율의 향상이 가능한 보호막 형성용 필름에 관한 것이다. 특히 이른바 페이스 다운(face down) 방식으로 실장되는 반도체 칩의 제조에 사용되는 보호막 형성용 필름에 관한 것이다.The present invention relates to a protective film forming film capable of forming a protective film on a semiconductor wafer or a semiconductor chip and capable of improving the production efficiency of the semiconductor chip. To a film for forming a protective film used for manufacturing a semiconductor chip mounted in a so-called face-down manner.

근래에는 이른바 페이스 다운(face down) 방식으로 불리는 실장법을 이용한 반도체 장치의 제조가 행해지고 있다. 페이스 다운 방식에 있어서는, 회로면 위에 범프 등의 전극을 갖는 반도체 칩(이하, 단지 「칩」이라고도 한다)이 사용되고, 당해 전극이 기판과 접합된다. 이 때문에, 칩의 회로면과는 반대측의 면(칩 이면)은 노출되는 경우가 있다.2. Description of the Related Art Recently, a semiconductor device using a mounting method called a face down method has been manufactured. In the face down system, a semiconductor chip (hereinafter simply referred to as " chip ") having an electrode such as a bump is used on a circuit surface, and the electrode is bonded to the substrate. For this reason, the surface (the back surface of the chip) opposite to the circuit surface of the chip may be exposed.

이 노출된 칩 이면은 유기막에 의해 보호되는 경우가 있다. 종래, 이 유기막으로 이루어지는 보호막을 갖는 칩은 액상의 수지를 스핀 코트법에 의해 웨이퍼 이면에 도포하고, 건조시키고, 경화하여 웨이퍼와 함께 보호막을 절단하여 얻어진다. 그러나, 이와 같이 하여 형성되는 보호막의 두께 정밀도는 충분하지 않기 때문에, 제품의 수율이 저하되는 경우가 있었다.The back surface of the exposed chip may be protected by the organic film. Conventionally, a chip having a protective film made of this organic film is obtained by applying a liquid resin on the back surface of a wafer by a spin coating method, drying, and curing to cut the protective film together with the wafer. However, since the thickness precision of the protective film thus formed is not sufficient, the yield of the product may be lowered.

상기 문제를 해결하기 위해, 박리 시트 상에 형성된 에너지선 경화형 칩 보호용 필름이 개시되어 있다(특허문헌 1).In order to solve the above problem, there is disclosed an energy ray-curable chip protective film formed on a release sheet (Patent Document 1).

종래, 칩 자체가 충분히 두껍고, 파손의 우려가 없는 경우에는 특허문헌 1에 개시된 칩 보호용 필름은 사용되지 않고, 칩 이면에 직접 레이저 인자되어 있었다. 칩 이면은 평활하기 때문에, 레이저 인자된 문자 등의 시인성이 우수하였다.Conventionally, in the case where the chip itself is sufficiently thick and there is no fear of breakage, the chip protective film disclosed in Patent Document 1 is not used, and the back side of the chip is directly laser-printed. Since the back surface of the chip is smooth, the visibility of characters such as laser-printed characters is excellent.

근래에는 칩이 얇아져, 파손 방지 등의 목적으로 칩 이면에 칩 보호용 필름을 첩부하고, 경화하여 보호막을 형성할 때, 칩 보호용 필름의 일방의 면은 노출 상태로 경화된다. 이 때문에, 경화 후의 표면의 평활성이 반드시 유지되지 않고, 외관이 거칠게 보이는 경우가 있었다. 칩 보호용 필름의 경화 후에 있어서의 표면의 평활성이 저하되면 레이저 인자된 문자 등의 시인성이 저하되는 경우가 있다. 또한, 웨이퍼나 칩이 얇아짐으로써, 칩 보호용 필름을 경화할 때의 휨이 염려되고 있다.In recent years, when the chip is thinned and the chip protecting film is attached to the back of the chip for the purpose of preventing breakage and the like, and the protective film is formed by curing, one side of the chip protecting film is cured in the exposed state. For this reason, the smoothness of the surface after curing is not necessarily maintained, and the appearance of the surface is sometimes rough. When the smoothness of the surface of the chip protective film after curing is lowered, the visibility of laser-printed characters and the like may be lowered. Further, since the wafer or the chip is thinned, there is a fear of warping when the chip protective film is cured.

일본 공개특허공보 2009-138026호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2009-138026

경화 후에 있어서의 표면의 평활한 칩 보호용 필름은 웨이퍼 또는 칩에 첩부된 칩 보호용 필름의 노출면에, 표면이 평활한 지지체를 가고정하고, 경화 후에 지지체를 박리함으로써 얻어진다. 즉, 칩 보호용 필름을 표면이 평활한 지지체에 가고정한 상태로 칩 보호용 필름을 경화함으로써, 경화 반응에서 기인한 칩 보호용 필름의 표면에 있어서의 변형을 억제할 수 있다. 경화 후의 칩 보호용 필름을 지지체로부터 박리하면, 지지체의 평활성이 경화 후의 칩 보호용 필름에 전사되어 종래의 칩 보호용 필름을 사용하지 않은 칩 이면과 동일한 정도의 표면 형상을 경화 후의 칩 보호용 필름에 부여할 수 있다. 그 결과, 경화 후의 칩 보호용 필름에 레이저 인자된 문자 등의 시인성이 향상된다.The smooth chip-protecting film on the surface after curing is obtained by temporarily fixing a smooth surface-supporting member to the exposed surface of the chip or the chip-protecting film attached to the chip, and peeling the support after curing. That is, deformation of the surface of the chip-protecting film caused by the curing reaction can be suppressed by curing the chip-protecting film while keeping the chip-protecting film fixed on the support having a smooth surface. When the cured chip protecting film is peeled from the support, the smoothness of the cured support is transferred to the cured chip protecting film, so that the same surface shape as that of the backside of the chip not using the conventional chip protecting film can be imparted to the cured chip protecting film have. As a result, visibility of characters and the like laser-printed on the chip protective film after curing is improved.

그러나, 경화 후의 칩 보호용 필름과 지지체의 접착력이 지나치게 높으면, 지지체로부터 칩 보호용 필름을 박리할 때, 웨이퍼 또는 칩으로부터 경화 후의 칩 보호용 필름이 박리되는 경우가 있었다.However, if the adhesive force between the chip protective film after curing and the support is excessively high, the chip protective film after curing from the wafer or chip may peel off when peeling the chip protective film from the support.

본 발명의 과제는 지지체에 가고정한 보호막 형성용 필름을 경화 후에 있어 지지체로부터 박리하는 것이 용이하고, 칩과의 접착 강도가 우수한 보호막 형성용 필름을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a film for forming a protective film which is easy to peel off from a support after hardening a protective film forming film fixed on a support and has excellent bonding strength to a chip.

본 발명자들은 상기 과제를 해결할 수 있도록 예의 검토를 행하였다. 그 결과, 경화 후에 있어서의 보호막 형성용 필름의 각 표면에 있어서의 접착력에 차이를 갖게 함으로써 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.The inventors of the present invention have conducted extensive studies to solve the above problems. As a result, it has been found that the above problems can be solved by making a difference in the adhesive force on each surface of the protective film-forming film after curing, thereby completing the present invention.

즉, 본 발명의 요지는 이하와 같다.That is, the gist of the present invention is as follows.

[1] 제1 표면과 제2 표면을 갖는 경화성 보호막 형성용 필름으로서, [1] A film for forming a curable protective film having a first surface and a second surface,

경화 후에 있어서의 제1 표면의 실리콘 웨이퍼에 대한 접착력이 경화 후에 있어서의 제2 표면의 실리콘 웨이퍼에 대한 접착력보다 높은 보호막 형성용 필름.Wherein the adhesion of the first surface to the silicon wafer after curing is higher than the adhesion of the second surface to the silicon wafer after curing.

[2] 경화 후에 있어서의 제1 표면의 실리콘 웨이퍼에 대한 접착력과 경화 후에 있어서의 제2 표면의 실리콘 웨이퍼에 대한 접착력의 비(제1 표면의 실리콘 웨이퍼에 대한 접착력/제2 표면의 실리콘 웨이퍼에 대한 접착력)가 1.2∼100인 [1]에 기재된 보호막 형성용 필름.[2] A method for producing a silicon wafer, comprising the steps of: (1) preparing a silicone wafer having a first surface and a second surface, the first surface being bonded to the silicon wafer, Is about 1.2 to 100. The film for forming a protective film according to [1]

[3] 제1 표면은 보호막을 형성하는 피착체에 첩부되는 [1] 또는 [2]에 기재된 보호막 형성용 필름.[3] The film for forming a protective film according to [1] or [2], wherein the first surface is attached to an adherend forming a protective film.

[4] 제2 표면은 지지체에 가고정되는 [1]∼[3] 중 어느 것에 기재된 보호막 형성용 필름.[4] The protective film forming film according to any one of [1] to [3], wherein the second surface is fixed to the support.

[5] 경화 후에 있어서의 제2 표면의 실리콘 웨이퍼에 대한 접착력이 0.01∼100N인 [1]∼[4] 중 어느 것에 기재된 보호막 형성용 필름.[5] The protective film forming film according to any one of [1] to [4], wherein the adhesion of the second surface to the silicon wafer after curing is 0.01 to 100 N.

[6] 제2 표면의 프로브 택값이 0.01∼3N/5mmΦ인 [1]∼[5] 중 어느 것에 기재된 보호막 형성용 필름.[6] The protective film forming film according to any one of [1] to [5], wherein the second surface has a probe tack value of 0.01 to 3 N / 5 mmΦ.

[7] 조성이 상이한 2층 이상의 수지층으로 이루어지는 [1]∼[6] 중 어느 것에 기재된 보호막 형성용 필름.[7] A protective film forming film according to any one of [1] to [6], wherein the protective film comprises two or more resin layers having different compositions.

[8] 적어도 제2 표면을 포함하는 수지층이 박리제를 함유하고, 제2 표면을 포함하는 수지층에 있어서의 박리제의 함유량이 제1 표면을 포함하는 수지층에 있어서의 박리제의 함유량보다 많은 [7]에 기재된 보호막 형성용 필름.[8] A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: preparing a resin layer containing at least a second surface containing a releasing agent and containing a releasing agent in the resin layer including the second surface, 7].

[9] 제1 표면을 포함하는 수지층에 있어서의 박리제의 함유량이 제1 표면을 포함하는 수지층을 구성하는 전체 고형분 중 박리제를 제외한 고형분 100질량부에 대해 0∼0.001질량부이며, [9] The method according to any one of [1] to [9], wherein the content of the releasing agent in the resin layer including the first surface is 0 to 0.001 part by mass based on 100 parts by mass of the solid content excluding the releasing agent among all the solid components constituting the resin layer including the first surface,

제2 표면을 포함하는 수지층에 있어서의 박리제의 함유량이 제2 표면을 포함하는 수지층을 구성하는 전체 고형분 중 박리제를 제외한 고형분 100질량부에 대해 0.001∼20질량부인 [8]에 기재된 보호막 형성용 필름.The protective film according to [8], wherein the content of the releasing agent in the resin layer including the second surface is 0.001 to 20 parts by mass based on 100 parts by mass of the solid content excluding the releasing agent among all the solid contents constituting the resin layer including the second surface Film.

본 발명에 의하면, 지지체를 가고정한 상태로 보호막 형성용 필름을 경화해도, 지지체로부터의 박리가 용이하고, 웨이퍼 또는 칩으로부터 경화 후의 보호막 형성용 필름이 박리되는 경우는 없다. 이 때문에, 경화 후의 보호막 형성용 필름의 표면에 원하는 평활성을 부여할 수 있다. 그 결과, 경화 후의 보호막 형성용 필름에 레이저 인자된 문자 등의 시인성이 향상된다.According to the present invention, even if the film for forming a protective film is cured in a state where the substrate is temporarily fixed, peeling from the substrate is easy, and the protective film forming film after curing from the wafer or chip is not peeled off. For this reason, a desired smoothness can be imparted to the surface of the protective film-forming film after curing. As a result, visibility of letters and the like laser-printed on the protective film-forming film after curing is improved.

도 1은 본 발명에 따른 보호막 형성용 필름의 단면도를 나타낸다.
도 2는 본 발명에 따른 보호막 형성용 필름을 사용하여 형성되는 보호막 형성용 복합 시트의 제1 양태를 나타낸다.
도 3은 본 발명에 따른 보호막 형성용 필름을 사용하여 형성되는 보호막 형성용 복합 시트의 제2 양태를 나타낸다.
도 4는 본 발명에 따른 보호막 형성용 필름을 사용하여 형성되는 보호막 형성용 복합 시트의 제3 양태를 나타낸다.
도 5는 본 발명에 따른 보호막 형성용 필름을 사용하여 형성되는 보호막 형성용 복합 시트의 제4 양태를 나타낸다.
도 6은 본 발명에 따른 보호막 형성용 필름의 제2 표면에 있어서의 재박리성 평가 방법의 개략도를 나타낸다.
도 7은 본 발명에 따른 보호막 형성용 필름의 접착력 평가 방법의 개략도를 나타낸다.
Fig. 1 shows a cross-sectional view of a film for forming a protective film according to the present invention.
Fig. 2 shows a first embodiment of a protective film-forming composite sheet formed using a protective film-forming film according to the present invention.
Fig. 3 shows a second embodiment of a protective film-forming composite sheet formed using the protective film-forming film according to the present invention.
Fig. 4 shows a third embodiment of a protective film-forming composite sheet formed using the protective film-forming film according to the present invention.
Fig. 5 shows a fourth embodiment of a protective film-forming composite sheet formed using the protective film-forming film according to the present invention.
6 is a schematic view of a method for evaluating releasability on a second surface of a protective film forming film according to the present invention.
7 shows a schematic view of a method for evaluating the adhesion of a film for forming a protective film according to the present invention.

이하, 본 발명의 보호막 형성용 필름의 상세를 설명한다.Hereinafter, the protective film forming film of the present invention will be described in detail.

[보호막 형성용 필름] [Film for forming a protective film]

도 1에 나타내는 바와 같이, 보호막 형성용 필름(10)은 제1 표면(a)과 제2 표면(b)을 갖고, 경화 후에 있어서의 제1 표면(a)의 실리콘 웨이퍼에 대한 접착력이 경화 후에 있어서의 제2 표면(b)의 실리콘 웨이퍼에 대한 접착력보다 높다.As shown in Fig. 1, the protective film forming film 10 has a first surface (a) and a second surface (b), and the adhesive strength of the first surface (a) to the silicon wafer after curing (B) of the second surface (b) on the silicon wafer.

보호막 형성용 필름은 그 제1 표면을 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩 등의 피착체에 첩부한 상태로 경화된다. 이 때문에, 노출된 제2 표면은 경화 반응에서 기인한 변형에 의해, 그 표면의 평활성을 유지하는 것이 곤란해지는 경우가 있다. 경화 후의 보호막 형성용 필름(보호막)에 있어서의 제2 표면의 평활성이 저하되면 그 후에 행해지는 레이저 인자 공정에 있어서, 보호막의 제2 표면에 레이저 인자된 문자의 시인성이 저하되는 경우가 있었다.The film for forming a protective film is cured in a state where the first surface is attached to an adherend such as a semiconductor wafer or a semiconductor chip. Therefore, the exposed second surface may be deformed due to the curing reaction, making it difficult to maintain the smoothness of the surface. When the smoothness of the second surface in the protective film for forming a protective film (protective film) after curing is lowered, the visibility of the laser-printed characters on the second surface of the protective film sometimes deteriorates in the subsequent laser process.

여기서, 보호막 형성용 필름(10)을 경화할 때, 그 제2 표면에 평활성을 부여하기 위한 지지체로서 예를 들면, 실리콘 웨이퍼 등을 가고정하면, 제2 표면(b)에는 실리콘 웨이퍼의 표면 형상이 전사된다. 이 때문에, 칩 이면과 동일한 정도의 표면 형상을 보호막의 제2 표면(b)에 부여할 수 있다.Here, when the protective film forming film 10 is cured, for example, a silicon wafer or the like is temporarily fixed as a support for imparting smoothness to the second surface, the surface shape of the silicon wafer Transferred. Therefore, the surface shape of the same degree as the back surface of the chip can be imparted to the second surface (b) of the protective film.

또한, 보호막 형성용 필름(10)의 제1 표면(a)에는 보호막을 형성하는 피착체로서 예를 들면, 실리콘 웨이퍼 등이 첩부되는 경우가 있고, 상기와 같이 보호막 형성용 필름의 제2 표면(b)에 실리콘 웨이퍼 등을 가고정하고, 보호막 형성용 필름을 경화하는 경우에는 경화 후의 보호막 형성용 필름의 제2 표면(b)에 가고정된 실리콘 웨이퍼 등의 박리가 용이할 필요가 있다.A silicon wafer or the like may be attached to the first surface (a) of the protective film forming film 10 as an adherend for forming a protective film. As described above, the second surface (a) of the protective film forming film b, it is necessary to easily peel the fixed silicon wafer or the like on the second surface (b) of the cured protective film forming film after curing the protective film forming film.

본 발명에 따른 보호막 형성용 필름에 의하면, 경화 후에 있어서의 제1 표면(a)의 실리콘 웨이퍼에 대한 접착력이 경화 후에 있어서의 제2 표면(b)의 실리콘 웨이퍼에 대한 접착력보다 높기 때문에, 제1 표면(a)에 실리콘 웨이퍼 등의 피착체를 첩부하고, 제2 표면(b)에 실리콘 웨이퍼 등의 지지체를 가고정하여 보호막 형성용 필름을 경화했을 경우에, 제2 표면(b)에 있어서 경화 반응에서 기인한 변형이 억제되고, 또한, 제2 표면(b)으로부터 지지체를 박리하는 것이 용이해진다. 지지체상에서 보호막 형성용 필름을 경화시킴으로써, 지지체 표면의 평활성을 제2 표면(b)에 전사할 수 있기 때문에, 경화 후의 제2 표면(b)의 평활성이 향상되어, 레이저 인자된 문자의 시인성이 우수한 보호막을 피착체에 형성할 수 있다.According to the protective film forming film of the present invention, since the adhesion of the first surface (a) to the silicon wafer after curing is higher than the adhesion of the second surface (b) to the silicon wafer after curing, When the adherend such as a silicon wafer is attached to the surface a and the support film such as a silicon wafer is temporarily fixed to the second surface b to cure the protective film forming film, Deformation caused by the second surface (b) is suppressed, and the support can be easily peeled off from the second surface (b). Since the smoothness of the surface of the support can be transferred to the second surface (b) by curing the protective film forming film on the support, the smoothness of the second surface (b) after curing is improved and the visibility of laser- A protective film can be formed on the adherend.

경화 후에 있어서의 제1 표면의 실리콘 웨이퍼에 대한 접착력과 경화 후에 있어서의 제2 표면의 실리콘 웨이퍼에 대한 접착력의 비(제1 표면의 실리콘 웨이퍼에 대한 접착력/제2 표면의 실리콘 웨이퍼에 대한 접착력)는 바람직하게는 1.2∼100, 보다 바람직하게는 1.3∼50, 더욱 바람직하게는 1.5∼30, 특히 바람직하게는 3∼20이다. 상기 접착력의 비가 1.2보다 작으면 경화 후에 있어서의 제1 표면과 제2 표면의 접착력 차이가 작기 때문에, 제2 표면(b)으로부터 지지체를 박리할 때, 제1 표면(a)으로부터 피착체도 박리될 우려가 있다. 한편, 상기 접착력의 비가 100보다 크면 지지체에 대한 접착력이 부족하고, 보호막 형성용 필름의 경화 중에 지지체로부터 보호막 형성용 필름이 박리될 우려가 있다.The ratio of the adhesion of the first surface to the silicon wafer after curing and the adhesion strength of the second surface to the silicon wafer after curing (adhesion to the silicon wafer on the first surface / adhesion to the silicon wafer on the second surface) Is preferably 1.2 to 100, more preferably 1.3 to 50, still more preferably 1.5 to 30, and particularly preferably 3 to 20. When the ratio of the adhesive force is smaller than 1.2, the difference in adhesion between the first surface and the second surface after curing is small, so that when the support is peeled from the second surface (b), the adherend is also peeled off from the first surface (a) There is a concern. On the other hand, if the ratio of the adhesive force is larger than 100, the adhesion to the support is insufficient, and there is a fear that the protective film forming film peels off from the support during curing of the protective film forming film.

경화 후에 있어서의 제2 표면의 실리콘 웨이퍼에 대한 접착력은 바람직하게는 0.01∼100N, 보다 바람직하게는 0.05∼20N, 더욱 바람직하게는 0.1∼5N이며, 특히 바람직하게는 0.4∼5N이다. 경화 후에 있어서의 제2 표면의 실리콘 웨이퍼에 대한 접착력을 상기 범위로 함으로써, 지지체에 대한 첩부성이 우수하고, 경화 반응 중이나 경화 후의 반송 중에 지지체로부터 보호막 형성용 필름이 박리되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 접착력은 후술하는 실시예에 있어서의 측정 방법으로 측정하는 2㎜×2㎜ 사이즈의 보호막이 형성된 칩의 접착력이다.The adhesion of the second surface to the silicon wafer after curing is preferably 0.01 to 100 N, more preferably 0.05 to 20 N, more preferably 0.1 to 5 N, and particularly preferably 0.4 to 5 N. When the adhesive strength of the second surface to the silicon wafer after the curing is in the above range, the adhesion to the support is excellent and peeling of the protective film forming film from the support during the curing reaction and during the conveyance after curing can be suppressed. The adhesive force is an adhesive force of a chip having a protective film of 2 mm x 2 mm size, which is measured by a measuring method in Examples to be described later.

또한, 보호막 형성용 필름의 제2 표면의 프로브 택값은 바람직하게는 0.01∼3N/5mmΦ, 보다 바람직하게는 0.1∼1.5N/5mmΦ이며, 더욱 바람직하게는 0.3∼1.5N/5mmΦ이다. 제2 표면의 프로브 택값을 상기 범위로 함으로써, 경화 반응 중에, 보호막 형성용 필름이 첩부된 피착체가 지지체로부터 이탈하는 것을 방지할 수 있다. 그리고, 지지체의 평활성을 경화 후의 보호막 형성용 필름에 부여하는 것이 용이해지기 때문에, 경화 후의 보호막 형성용 필름에 레이저 인자된 문자 등의 시인성이 향상된다. 또한, 제2 표면의 프로브 택값은 70℃의 프로브로 측정되는 경화 전의 보호막 형성용 필름의 프로브 택값으로, 구체적으로는 후술하는 실시예에 있어서의 측정 방법에 의해 측정된다.The probe surface value of the second surface of the protective film-forming film is preferably 0.01 to 3 N / 5 mmΦ, more preferably 0.1 to 1.5 N / 5 mmΦ, further preferably 0.3 to 1.5 N / 5 mmΦ. By setting the probe tack value of the second surface within the above range, it is possible to prevent the adherend to adhere to the protective film forming film from the support during the curing reaction. Since the smoothness of the support can be easily imparted to the protective film-forming film after curing, the visibility of characters and the like laser-printed on the protective film-forming film after curing is improved. The probe tack value of the second surface is a probe tack value of the film for forming a protective film before curing, which is measured by a probe at 70 캜, and specifically measured by a measuring method in Examples described later.

상기와 같은 물성을 갖는 보호막 형성용 필름의 제조 방법으로는, 보호막 형성용 필름을 구성하는 각 성분의 배합을 바꾸어 조성이 상이한 2층 이상의 수지층을 얻고, 당해 수지층을 적층하는 방법; 단층의 보호막 형성용 필름에 있어서, 그 두께 방향으로 조성을 경사시키는(농도 구배를 갖게 하는) 방법; 그 제2 표면만을 사전에 가열 및/또는 에너지 조사를 행하여 반경화 상태로 하고, 제2 표면에 있어서의 접착력을 저하시켜 보호막 형성용 필름을 얻는 방법 등을 들 수 있다.The method for producing a protective film having such physical properties as described above includes a method of obtaining two or more resin layers having different compositions by changing the composition of each component constituting the protective film forming film and laminating the resin layers; A method of inclining the composition in the thickness direction of the single-layer protective film-forming film (having a concentration gradient); A method in which only the second surface is previously heated and / or irradiated with energy to form a semi-cured state, and the adhesion on the second surface is lowered to obtain a film for forming a protective film.

또한, 본 발명의 보호막 형성용 필름이 조성이 상이한 2층 이상의 수지층을 적층하는 구성의 경우는 수지층 사이에 접착층 등의 다른 층을 개재시켜도 된다. 접착층은 본 발명의 목적을 해치지 않는 범위이면 특별히 한정되지 않는다.In the case where the protective film forming film of the present invention is a laminate of two or more resin layers having different compositions, another layer such as an adhesive layer may be interposed between the resin layers. The adhesive layer is not particularly limited as long as the object of the present invention is not impaired.

보호막 형성용 필름에 적어도 요구되는 기능은 (1) 시트 형상 유지성, (2) 초기 접착성 및 (3) 경화성이다.At least functions required for the protective film-forming film are (1) sheet shape retainability, (2) initial adhesion, and (3) curability.

보호막 형성용 필름에는 바인더 성분의 첨가에 의해 (1) 시트 형상 유지성 및 (3) 경화성을 부여할 수 있고, 바인더 성분으로는, 중합체 성분(A) 및 경화성 성분(B)를 함유하는 제1 바인더 성분 또는 (A)성분 및 (B)성분의 성질을 겸비한 경화성 중합체 성분(AB)를 함유하는 제2 바인더 성분을 사용할 수 있다.The film for forming a protective film can be provided with (1) a sheet-form retaining property and (3) a curing property by adding a binder component, and as the binder component, a first binder containing a polymer component (A) and a curing component Or a second binder component containing a curable polymer component (AB) having properties of the component (A) and the component (B) can be used.

또한, 보호막 형성용 필름을 경화까지의 사이에 피착체에 가착해두기 위한 기능인 (2) 초기 접착성은 감압 접착성이어도 되고, 열에 의해 연화되어 접착되는 성질이어도 된다. (2) 초기 접착성은 통상 바인더 성분의 제특성이나, 후술하는 무기 필러(C)의 배합량의 조정 등에 의해 제어된다.In addition, the initial adhesive property, which is a function for adhering the protective film forming film to the adherend during curing, may be pressure sensitive adhesive property or may be softened and adhered by heat. (2) The initial adhesive property is usually controlled by adjusting the properties of the binder component and the amount of the inorganic filler (C) to be described later.

(제1 바인더 성분) (First binder component)

제1 바인더 성분은 중합체 성분(A)와 경화성 성분(B)를 함유함으로써, 보호막 형성용 필름에 시트 형상 유지성과 경화성을 부여한다. 또한, 제1 바인더 성분은 제2 바인더 성분과 구별의 편의상, 경화성 중합체 성분(AB)를 함유하지 않는다.The first binder component contains the polymer component (A) and the curing component (B), thereby imparting sheet-like retention and curability to the protective film-forming film. Further, the first binder component does not contain the curable polymer component (AB) for the sake of distinction from the second binder component.

(A) 중합체 성분(A) the polymer component

중합체 성분(A)는 보호막 형성용 필름에 시트 형상 유지성을 부여하는 것을 주목적으로 하여 보호막 형성용 필름에 첨가된다.The polymer component (A) is added to a film for forming a protective film with a primary purpose of imparting sheet-like retention to the protective film-forming film.

상기 목적을 달성하기 위해, 중합체 성분(A)의 중량 평균 분자량(Mw)은 통상 20,000이상이며, 20,000∼3,000,000인 것이 바람직하다. 중량 평균 분자량(Mw)의 값은 겔·퍼미에이션·크로마토그래피법(GPC)(폴리스티렌 표준)에 의해 측정되는 경우의 값이다. 이러한 방법에 따르는 측정은 예를 들면, 도소사 제조의 고속 GPC 장치 「HLC-8120GPC」에 고속 컬럼 「TSK gurd column HXL-H」, 「TSK Gel GMHXL」, 「TSK Gel G2000 HXL」(이상, 전부 도소사 제조)을 이 순서로 연결한 것을 사용하여 컬럼 온도: 40℃, 송액 속도: 1.0㎖/분의 조건으로, 검출기를 시차 굴절률계로 하여 행해진다.In order to achieve the above object, the weight average molecular weight (Mw) of the polymer component (A) is usually 20,000 or more, preferably 20,000 to 3,000,000. The value of the weight average molecular weight (Mw) is a value measured by Gel Permeation Chromatography (GPC) (polystyrene standard). For example, a high-speed GPC apparatus "HLC-8120GPC" manufactured by Tosoh Corporation, a high-speed column "TSK gurd column H XL -H", "TSK Gel GMH XL ", "TSK Gel G2000 H XL " (All manufactured by TOSOH CORPORATION) were connected in this order and the detector was set to a differential refractometer at a column temperature of 40 DEG C and a feed rate of 1.0 mL / min.

또한, 후술하는 경화성 중합체(AB)와 구별의 편의상, 중합체 성분(A)는 후술하는 경화 기능 관능기를 갖지 않는다.For the sake of distinction from the curable polymer (AB) described later, the polymer component (A) has no curing functional group which will be described later.

중합체 성분(A)로는, 아크릴계 중합체, 폴리에스테르, 페녹시 수지(후술하는 경화성 중합체(AB)와 구별의 편의상, 에폭시기를 갖지 않는 것에 한정한다), 폴리카보네이트, 폴리에테르, 폴리우레탄, 폴리실록산, 고무계 중합체 등을 사용할 수 있다. 또한, 이들의 2종 이상이 결합한 것, 예를 들면, 수산기를 갖는 아크릴계 중합체인 아크릴 폴리올에, 분자 말단에 이소시아네이트기를 갖는 우레탄 프레 폴리머를 반응시킴으로써 얻어지는 아크릴 우레탄 수지 등이어도 된다. 또한, 2종 이상이 결합한 중합체를 포함하고, 이들의 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.Examples of the polymer component (A) include an acrylic polymer, a polyester, and a phenoxy resin (limited to those having no epoxy group for the sake of clarity from the curable polymer (AB) described later), polycarbonate, polyether, polyurethane, polysiloxane, Polymers and the like can be used. Further, it may be an acryl urethane resin obtained by reacting two or more of these, for example, an urethane prepolymer having an isocyanate group at the molecular end with an acrylic polyol, which is an acrylic polymer having a hydroxyl group. In addition, polymers containing two or more kinds of polymers bonded together may be used, or a combination of two or more of them may be used.

(A1) 아크릴계 중합체(A1) Acrylic polymer

중합체 성분(A)로는, 아크릴계 중합체(A1)이 바람직하게 사용된다. 아크릴계 중합체(A1)의 유리 전이 온도(Tg)는 바람직하게는 -60∼50℃, 보다 바람직하게는 -50∼40℃, 더욱 바람직하게는 -40∼30℃의 범위에 있다. 아크릴계 중합체(A1)의 유리 전이 온도가 높으면 보호막 형성용 필름의 프로브 택값은 저하되는 경향이 있고, 또한, 경화 후에 있어서의 접착성이 저하되는 경향이 있다. 이러한 경향이 있는 점에서, 2층 이상의 수지층으로 보호막 형성용 필름을 형성하는 경우, 제2 표면(b)을 포함하는 수지층에 사용되는 아크릴계 중합체(A1)의 유리 전이 온도(Tg)는 -40∼-5℃의 범위에 있는 것이 특히 바람직하다.As the polymer component (A), an acrylic polymer (A1) is preferably used. The glass transition temperature (Tg) of the acrylic polymer (A1) is preferably in the range of -60 to 50 占 폚, more preferably -50 to 40 占 폚, and still more preferably -40 to 30 占 폚. When the glass transition temperature of the acrylic polymer (A1) is high, the proton value of the protective film forming film tends to decrease, and the adhesion after curing tends to deteriorate. In view of this tendency, when a protective film forming film is formed of two or more resin layers, the glass transition temperature (Tg) of the acrylic polymer (A1) used in the resin layer including the second surface (b) And particularly preferably in the range of 40 to -5 占 폚.

아크릴계 중합체(A1)의 중량 평균 분자량은 100,000∼1,500,000인 것이 바람직하다. 아크릴계 중합체(A1)의 중량 평균 분자량이 높으면 보호막 형성용 필름의 프로브 택값은 저하되는 경향이 있고, 또한, 경화 후에 있어서의 접착성이 저하되는 경향이 있다. 이러한 경향이 있는 점에서, 2층 이상의 수지층으로 보호막 형성용 필름을 형성하는 경우, 제2 표면(b)을 포함하는 수지층에 사용되는 아크릴계 중합체(A1)의 중량 평균 분자량은 600,000∼1,200,000인 것이 보다 바람직하다.The weight average molecular weight of the acrylic polymer (A1) is preferably 100,000 to 1,500,000. When the weight average molecular weight of the acrylic polymer (A1) is high, the value of the proton value of the protective film forming film tends to be lowered, and the adhesiveness after curing tends to decrease. In view of such tendency, when a protective film forming film is formed of two or more resin layers, the weight average molecular weight of the acrylic polymer (A1) used in the resin layer including the second surface (b) is preferably 600,000 to 1,200,000 Is more preferable.

아크릴계 중합체(A1)은 적어도 구성하는 단량체에 (메타)아크릴산에스테르를 포함한다.The acrylic polymer (A1) includes at least a monomer constituting (meth) acrylic acid ester.

(메타)아크릴산에스테르로는, 알킬기의 탄소수가 1∼18인 알킬(메타)아크릴레이트, 구체적으로는 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 프로필(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트 등; 고리형 골격을 갖는 (메타)아크릴레이트, 구체적으로는 시클로알킬(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 이소보르닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸(메타)아크릴레이트, 이미드(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 후술하는 수산기를 갖는 단량체, 카르복실기를 갖는 단량체, 아미노기를 갖는 단량체로서 예시하는 것 중, (메타)아크릴산에스테르인 것을 예시할 수 있다.Examples of the (meth) acrylic esters include alkyl (meth) acrylates having 1 to 18 carbon atoms in the alkyl group, specifically methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, ) Acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate and the like; (Meth) acrylate having a cyclic skeleton, specifically, cycloalkyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (Meth) acrylate, dicyclopentenyloxyethyl (meth) acrylate, imide (meth) acrylate, and the like. Examples of the monomer having a hydroxyl group, the monomer having a carboxyl group and the monomer having an amino group, which will be described later, include (meth) acrylic acid esters.

또한, 본 명세서에서 (메타)아크릴은 아크릴 및 메타크릴 양자를 포함하는 의미로 사용하는 경우가 있다.Further, in the present specification, (meth) acrylic is sometimes used to mean both acryl and methacryl.

아크릴계 중합체(A1)을 구성하는 단량체로서 수산기를 갖는 단량체를 사용해도 된다. 이러한 단량체를 사용함으로써, 아크릴계 중합체(A1)에 수산기가 도입되고, 보호막 형성용 필름이 별도 에너지선 경화성 성분(B2)를 함유하는 경우에, 이것과 아크릴계 중합체(A1)의 상용성이 향상된다. 수산기를 갖는 단량체로는, 2-히드록실에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트 등의 수산기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르; N-메틸올(메타)아크릴아미드 등을 들 수 있다.A monomer having a hydroxyl group may be used as a monomer constituting the acrylic polymer (A1). When such a monomer is used, the compatibility of the acrylic polymer (A1) with the acrylic polymer (A1) is improved when a hydroxyl group is introduced into the acrylic polymer (A1) and the protective film forming film contains a separate energy ray curable component (B2). Examples of the monomer having a hydroxyl group include (meth) acrylic acid esters having a hydroxyl group such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxypropyl (meth) acrylate; N-methylol (meth) acrylamide, and the like.

아크릴계 중합체(A1)을 구성하는 단량체로서 카르복실기를 갖는 단량체를 사용해도 된다. 이러한 단량체를 사용함으로써, 아크릴계 중합체(A1)에 카르복실기가 도입되고, 보호막 형성용 필름이 별도 에너지선 경화성 성분(B2)를 함유하는 경우에, 이것과 아크릴계 중합체(A1)의 상용성이 향상된다. 카르복실기를 갖는 단량체로는, (메타)아크릴산, 말레산, 푸마르산, 이타콘산 등을 들 수 있다. 후술하는 경화성 성분(B)로서 에폭시계 열경화성 성분을 사용하는 경우에는 카르복실기와 에폭시계 열경화성 성분 중의 에폭시기가 반응하기 때문에, 카르복실기를 갖는 단량체의 사용량은 적은 것이 바람직하다.As the monomer constituting the acrylic polymer (A1), a monomer having a carboxyl group may be used. When such a monomer is used, the compatibility of the acrylic polymer (A1) with the carboxyl polymer is improved when the carboxyl group is introduced into the acrylic polymer (A1) and the protective film forming film contains a separate energy ray curable component (B2). Examples of the monomer having a carboxyl group include (meth) acrylic acid, maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, and the like. When the epoxy-based thermosetting component is used as the curable component (B) to be described later, since the carboxyl group and the epoxy group in the epoxy-based thermosetting component react with each other, the amount of the monomer having a carboxyl group is preferably small.

아크릴계 중합체(A1)을 구성하는 단량체로서 아미노기를 갖는 단량체를 사용해도 된다. 이러한 단량체로는, 모노에틸아미노(메타)아크릴레이트 등의 아미노기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르 등을 들 수 있다.As the monomer constituting the acrylic polymer (A1), a monomer having an amino group may be used. Examples of such a monomer include a (meth) acrylic acid ester having an amino group such as monoethylamino (meth) acrylate.

아크릴계 중합체(A1)을 구성하는 단량체로서 이 외의 초산비닐, 스티렌, 에틸렌, α-올레핀 등을 사용해도 된다.As the monomer constituting the acrylic polymer (A1), other vinyl acetate, styrene, ethylene,? -Olefin and the like may be used.

아크릴계 중합체(A1)은 가교되어 있어도 된다. 가교는 가교되기 전의 아크릴계 중합체(A1)이 수산기 등의 가교성 관능기를 갖고 있고, 보호막 형성용 필름을 형성하기 위한 조성물 중에 가교제를 첨가함으로써 가교성 관능기와 가교제가 갖는 관능기가 반응함으로써 행해진다. 아크릴계 중합체(A1)을 가교함으로써, 보호막 형성용 필름의 응집력을 조절하는 것이 가능해진다.The acrylic polymer (A1) may be crosslinked. The crosslinking is carried out by reacting the acrylic polymer (A1) before crosslinking with a crosslinkable functional group such as a hydroxyl group, and by adding a crosslinking agent to the composition for forming a protective film forming film, by reacting the crosslinkable functional group and the functional group possessed by the crosslinking agent. By crosslinking the acrylic polymer (A1), it is possible to control the cohesive force of the protective film forming film.

가교제로는 유기 다가 이소시아네이트 화합물, 유기 다가 이민 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the crosslinking agent include an organic polyvalent isocyanate compound and an organic polyvalent organic compound.

유기 다가 이소시아네이트 화합물로는, 방향족 다가 이소시아네이트 화합물, 지방족 다가 이소시아네이트 화합물, 지환족 다가 이소시아네이트 화합물 및 이들 유기 다가 이소시아네이트 화합물의 3량체 및 이들 유기 다가 이소시아네이트 화합물과 폴리올 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트 우레탄 프레 폴리머등을 들 수 있다.Examples of the organic polyisocyanate compound include an aromatic polyisocyanate compound, an aliphatic polyisocyanate compound, an alicyclic polyisocyanate compound, a trimer of these organic polyisocyanate compounds, and a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting these organic polyisocyanate compounds with a polyol compound .

유기 다가 이소시아네이트 화합물로서 구체적으로는, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 1,3-자일리렌디이소시아네이트, 1,4-자일렌디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디페닐메탄-2,4'-디이소시아네이트, 3-메틸디페닐메탄디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-2,4'-디이소시아네이트, 리신이소시아네이트 및 이들의 다가 알코올 어덕트체를 들 수 있다.Specific examples of the organic polyisocyanate compound include 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylene diisocyanate, diphenylmethane- Diisocyanate, diphenylmethane-2,4'-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, dicyclohexyl Methane-2,4'-diisocyanate, lysine isocyanate, and polyhydric alcohol adducts thereof.

유기 다가 이민 화합물로서 구체적으로는, N,N'-디페닐메탄-4,4'-비스(1-아지리딘카르복시아미드), 트리메틸올프로판-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 테트라메틸올메탄-트리-β-아지리디닐프로피오네이트 및 N,N'-톨루엔-2,4-비스(1-아지리딘카르복시아미드)트리에틸렌멜라민 등을 들 수 있다.Specific examples of the organic polyhydric compound include N, N'-diphenylmethane-4,4'-bis (1-aziridinecarboxamide), trimethylolpropane-tri- Ol methane-tri-? - aziridinyl propionate and N, N'-toluene-2,4-bis (1-aziridine carboxamide) triethylene melamine.

가교제는 가교하기 전의 아크릴계 중합체(A1) 100질량부에 대해 통상 0.01∼20질량부, 바람직하게는 0.1∼10질량부, 보다 바람직하게는 0.5∼5질량부의 비율로 사용된다.The crosslinking agent is used in an amount of usually 0.01 to 20 parts by mass, preferably 0.1 to 10 parts by mass, more preferably 0.5 to 5 parts by mass based on 100 parts by mass of the acrylic polymer (A1) before crosslinking.

본 발명에 있어서, 보호막 형성용 필름을 구성하는 성분의 함유량 양태에 대해, 중합체 성분(A)의 함유량을 기준으로서 정하는 경우, 중합체 성분(A)가 가교 된 아크릴계 중합체일 때는 그 기준으로 하는 함유량은 가교되기 전의 아크릴계 중합체의 함유량이다.In the present invention, when the content of the component (A) is determined on the basis of the content of the component constituting the film for forming a protective film, when the polymer component (A) is a crosslinked acrylic polymer, Is the content of the acrylic polymer before crosslinking.

(A2) 비아크릴계 수지(A2) Non-acrylic resin

또한, 중합체 성분(A)로서 폴리에스테르, 페녹시 수지(후술하는 경화성 중합체(AB)와 구별의 편의상, 에폭시기를 갖지 않는 것에 한정한다), 폴리카보네이트, 폴리에테르, 폴리우레탄, 폴리실록산, 고무계 중합체 또는 이들의 2종 이상이 결합한 것으로부터 선택되는 비아크릴계 수지(A2)의 1종 단독 또는 2종 이상의 조합을 사용해도 된다. 이러한 수지로는, 중량 평균 분자량이 20,000∼100,000인 것이 바람직하고, 20,000∼80,000인 것이 더욱 바람직하다.As the polymer component (A), a polyester, a phenoxy resin (limited to those having no epoxy group for the sake of distinction from the curable polymer (AB) described later), polycarbonate, polyether, polyurethane, polysiloxane, Acrylic resin (A2) selected from a combination of two or more thereof, or a combination of two or more thereof. Such a resin preferably has a weight average molecular weight of 20,000 to 100,000, more preferably 20,000 to 80,000.

비아크릴계 수지(A2)의 유리 전이 온도는 바람직하게는 -30∼150℃, 더욱 바람직하게는 -20∼120℃의 범위에 있다.The glass transition temperature of the non-acrylic resin (A2) is preferably in the range of -30 to 150 占 폚, more preferably -20 to 120 占 폚.

비아크릴계 수지(A2)를 상기 서술한 아크릴계 중합체(A1)과 병용했을 경우에는 후술하는 보호막 형성용 복합 시트를 사용하여 피착체에 보호막 형성용 필름을 전사할 때, 지지 시트와 보호막 형성용 필름의 층간 박리를 용이하게 행할 수 있고, 추가로 전사면에 보호막 형성용 필름이 추종하여 보이드 등의 발생을 억제할 수 있다.When the non-acrylic resin (A2) is used in combination with the above-mentioned acrylic polymer (A1), when a protective film forming film is transferred to an adherend using a composite sheet for forming a protective film described later, The interlayer delamination can be easily performed, and further, the film for forming the protective film can follow the transfer surface to suppress the occurrence of voids and the like.

비아크릴계 수지(A2)를 상기 서술한 아크릴계 중합체(A1)과 병용하는 경우에는 비아크릴계 수지(A2)의 함유량은 비아크릴계 수지(A2)와 아크릴계 중합체(A1)의 질량비(A2:A1)에 있어서, 통상 1:99∼60:40, 바람직하게는 1:99∼30:70의 범위에 있다. 비아크릴계 수지(A2)의 함유량이 이 범위에 있음으로써, 상기 효과를 얻을 수 있다.When the non-acrylic resin (A2) is used in combination with the acrylic polymer (A1) described above, the content of the non-acrylic resin (A2) is preferably in the range of the mass ratio A2: A1 of the non-acrylic resin (A2) , Usually in the range of 1:99 to 60:40, preferably 1:99 to 30:70. When the content of the non-acrylic resin (A2) is within this range, the above effects can be obtained.

(B) 경화성 성분(B) a curable component

경화성 성분(B)는 보호막 형성용 필름에 경화성을 부여하는 것을 주목적으로하여 보호막 형성용 필름에 첨가된다. 경화성 성분(B)는 열경화성 성분(B1), 또는 에너지선 경화성 성분(B2)를 사용할 수 있다. 또한, 이들을 조합하여 사용해도 된다. 열경화성 성분(B1)은 적어도 가열에 의해 반응하는 관능기를 갖는 화합물을 함유한다. 또한, 에너지선 경화성 성분(B2)는 에너지선 조사에 의해 반응하는 관능기를 갖는 화합물(B21)을 함유하고, 자외선, 전자선 등의 에너지선의 조사를 받으면 중합 경화된다. 이들 경화성 성분이 갖는 관능기끼리가 반응하여, 삼차원 그물 구조가 형성됨으로써 경화가 실현된다. 경화성 성분(B)는 중합체 성분(A)와 조합하여 사용하기 때문에 보호막 형성용 필름을 형성하기 위한 도공용 조성물의 점도를 억제하고, 취급성을 향상시키는 등의 관점에서, 통상 그 중량 평균 분자량(Mw)은 10,000 이하이며, 100∼10,000인 것이 바람직하다.The curable component (B) is added to the film for forming a protective film mainly for imparting curability to the protective film forming film. The thermosetting component (B1) or the energy ray-curable component (B2) can be used as the curable component (B). They may be used in combination. The thermosetting component (B1) contains a compound having a functional group which reacts at least by heating. The energy ray curable component (B2) contains a compound (B21) having a functional group which reacts by energy ray irradiation, and undergoes polymerization and curing upon irradiation with energy rays such as ultraviolet rays and electron beams. The functional groups of these curable components react with each other to form a three-dimensional network structure, whereby curing is realized. Since the curable component (B) is used in combination with the polymer component (A), it is preferable that the curable component (B) has a weight average molecular weight Mw) is 10,000 or less, preferably 100 to 10,000.

(B1) 열경화성 성분(B1) Thermosetting component

열경화성 성분으로는, 예를 들면, 에폭시계 열경화성 성분이 바람직하다.As the thermosetting component, for example, an epoxy thermosetting component is preferable.

에폭시계 열경화성 성분은 에폭시기를 갖는 화합물(B11)을 함유하고, 에폭시기를 갖는 화합물(B11)과 열경화제(B12)를 조합한 것을 사용하는 경우가 바람직하다.The epoxy-based thermosetting component preferably contains a compound (B11) having an epoxy group and a combination of the compound (B11) having an epoxy group and the thermosetting agent (B12).

(B11) 에폭시기를 갖는 화합물(B11) a compound having an epoxy group

에폭시기를 갖는 화합물(B11)(이하, 「에폭시 화합물(B11)」로 하는 경우가 있다)로는, 종래 공지의 것을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 다관능계 에폭시 수지나, 비스페놀 A 디글리시딜에테르나 그 수첨물, 오르토크레졸노볼락에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페닐렌 골격형 에폭시 수지 등, 분자 중에 2관능 이상 갖는 에폭시 화합물을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.As the compound (B11) having an epoxy group (hereinafter occasionally referred to as " epoxy compound (B11) "), conventionally known compounds may be used. Specific examples thereof include polyfunctional epoxy resins, bisphenol A diglycidyl ether and its hydrides, orthocresol novolak epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, bisphenol A type epoxy resins, Bisphenol F type epoxy resin, and phenylene skeleton type epoxy resin, epoxy compounds having two or more functionalities in the molecule. These may be used alone or in combination of two or more.

에폭시 화합물(B11)을 사용하는 경우에는 보호막 형성용 필름에는 중합체 성분(A) 100질량부에 대해, 에폭시 화합물(B11)이 바람직하게는 1∼1500질량부 포함되고, 보다 바람직하게는 3∼1200질량부 포함된다. 에폭시 화합물(B11)이 적으면 보호막 형성용 필름의 경화 후에 있어서의 접착성이 저하되는 경향이 있다. 또한, 에폭시 화합물(B11)로서 상온에 있어서 고체인 것만을 사용했을 경우에는 에폭시 화합물(B11)이 적은, 즉, 상대적으로 중합체 성분(A)가 많으면 보호막 형성용 필름의 프로브 택값이 상승하는 경향이 있다. 또한, 상온은 25℃를 가리키고, 이하 동일하다.When the epoxy compound (B11) is used, the film for forming a protective film preferably contains the epoxy compound (B11) in an amount of 1 to 1,500 parts by mass, more preferably 3 to 1200 parts by mass, per 100 parts by mass of the polymer component (A) Mass part. When the amount of the epoxy compound (B11) is small, the adhesiveness after curing of the protective film forming film tends to be lowered. When only the epoxy compound (B11) which is solid at room temperature is used, the probe tack value of the protective film forming film tends to increase when the amount of the epoxy compound (B11) is small, that is, have. In addition, the room temperature refers to 25 占 폚, and so on.

이러한 경향이 있는 점에서, 2층 이상의 수지층으로 보호막 형성용 필름을 형성하는 경우는 제2 표면(b)을 포함하는 수지층에 있어서, 에폭시 화합물(B11)로서 상온에 있어서 고체인 것만을 사용할 때는 중합체 성분(A) 100질량부에 대해, 에폭시 화합물(B11)이 70∼150질량부 포함되는 것이 특히 바람직하다.In the case of forming a film for forming a protective film with two or more resin layers in view of this tendency, only the epoxy compound (B11) which is solid at normal temperature is used in the resin layer including the second surface (b) It is particularly preferable that the epoxy compound (B11) is contained in an amount of 70 to 150 parts by mass based on 100 parts by mass of the polymer component (A).

(B12) 열경화제 (B12) Heat curing agent

열경화제(B12)는 에폭시 화합물(B11)에 대한 경화제로서 기능한다. 바람직한 열경화제로는, 1분자 중에 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기를 2개 이상 갖는 화합물을 들 수 있다. 그 관능기로는 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 아미노기, 카르복실기 및 산무수물 등을 들 수 있다. 이들 중 바람직하게는 페놀성 수산기, 아미노기, 산무수물 등을 들 수 있고, 더욱 바람직하게는 페놀성 수산기, 아미노기를 들 수 있다.The thermosetting agent (B12) functions as a curing agent for the epoxy compound (B11). Preferred examples of the heat curing agent include compounds having two or more functional groups capable of reacting with an epoxy group in one molecule. Examples of the functional group include a phenolic hydroxyl group, an alcoholic hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group and an acid anhydride. Of these, phenolic hydroxyl groups, amino groups, acid anhydrides and the like are preferable, and phenolic hydroxyl groups and amino groups are more preferable.

페놀계 경화제의 구체적인 예로는, 다관능계 페놀 수지, 비페놀, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔계 페놀 수지, 자이록형 페놀 수지, 아르알킬페놀 수지를 들 수 있다. 아민계 경화제의 구체적인 예로는, DICY(디시안디아미드)를 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로, 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.Specific examples of the phenol-based curing agent include a polyfunctional phenol resin, a biphenol, a novolac phenol resin, a dicyclopentadiene phenol resin, a xylyl phenol resin, and an aralkyl phenol resin. A specific example of the amine-based curing agent is DICY (dicyandiamide). These may be used singly or in combination of two or more.

열경화제(B12)의 함유량은 에폭시 화합물(B11) 100질량부에 대해, 0.1∼500질량부인 것이 바람직하고, 1∼200질량부인 것이 보다 바람직하다. 열경화제의 함유량이 적으면 경화 후에 있어서의 접착성이 저하되는 경향이 있다.The content of the thermosetting agent (B12) is preferably 0.1 to 500 parts by mass, more preferably 1 to 200 parts by mass, per 100 parts by mass of the epoxy compound (B11). If the content of the thermosetting agent is small, the adhesiveness after curing tends to be lowered.

(B13) 경화 촉진제(B13) Curing accelerator

경화 촉진제(B13)을 보호막 형성용 필름의 열경화 속도를 조정하기 위해 사용해도 된다. 경화 촉진제(B13)은 특히, 열경화성 성분(B1)로서 에폭시계 열경화성 성분을 사용할 때 바람직하게 사용된다.The curing accelerator (B13) may be used for adjusting the thermal hardening rate of the protective film forming film. The curing accelerator (B13) is preferably used particularly when an epoxy-based thermosetting component is used as the thermosetting component (B1).

바람직한 경화 촉진제로는, 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올 아민, 디메틸아미노에탄올, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 3급 아민류; 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸 등의 이미다졸류; 트리부틸포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀 등의 유기 포스핀류; 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀테트라페닐보레이트 등의 테트라페닐붕소염 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로, 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.Preferred curing accelerators include tertiary amines such as triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol and tris (dimethylaminomethyl) phenol; 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl- Imidazoles such as hydroxymethylimidazole; Organic phosphines such as tributylphosphine, diphenylphosphine and triphenylphosphine; And tetraphenylboron salts such as tetraphenylphosphonium tetraphenylborate and triphenylphosphine tetraphenylborate. These may be used singly or in combination of two or more.

경화 촉진제(B13)은 에폭시 화합물(B11) 및 열경화제(B12)의 합계량 100질량부에 대해, 바람직하게는 0.01∼10질량부, 더욱 바람직하게는 0.1∼5질량부의 양으로 포함된다. 경화 촉진제(B13)을 상기 범위의 양으로 함유함으로써, 고온도 고습도하에 노출되어도 우수한 접착성을 갖고, 엄격한 리플로우 조건에 노출되었을 경우여도 높은 신뢰성을 달성할 수 있다. 경화 촉진제(B13)을 첨가함으로써, 보호막 형성용 필름의 경화 후의 접착성을 향상시킬 수 있다. 이러한 작용은 경화 촉진제(B13)의 함유량이 많을수록 강해진다.The curing accelerator (B13) is contained in an amount of preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.1 to 5 parts by mass, based on 100 parts by mass of the total amount of the epoxy compound (B11) and the thermosetting agent (B12). By containing the curing accelerator (B13) in an amount within the above range, it is possible to achieve high reliability even when exposed to severe reflow conditions, even when exposed to high temperature and high humidity. By adding the curing accelerator (B13), the adhesion after curing of the protective film-forming film can be improved. This action becomes stronger as the content of the curing accelerator (B13) increases.

(B2) 에너지선 경화성 성분(B2) Energy ray curable component

보호막 형성용 필름이 에너지선 경화성 성분을 함유함으로써, 다량의 에너지와 긴 시간을 필요로 하는 열경화 공정을 행하지 않고, 보호막 형성용 필름의 경화를 행할 수 있다. 이로써, 제조 비용의 저감을 도모할 수 있다.Since the film for forming a protective film contains an energy ray curable component, it is possible to cure the protective film forming film without performing a heat curing step requiring a large amount of energy and a long time. As a result, the manufacturing cost can be reduced.

에너지선 경화성 성분은 에너지선 조사에 의해 반응하는 관능기를 갖는 화합물(B21)을 단독으로 사용해도 되지만, 에너지선 조사에 의해 반응하는 관능기를 갖는 화합물(B21)과 광중합 개시제(B22)를 조합한 것을 사용하는 것이 바람직하다.The energy ray curable component may be a compound (B21) having a functional group which reacts by energy ray irradiation alone, but a compound (B21) having a functional group which reacts by energy ray irradiation and a photopolymerization initiator Is preferably used.

(B21) 에너지선 조사에 의해 반응하는 관능기를 갖는 화합물(B21) a compound having a functional group which reacts by irradiation of energy rays

에너지선 조사에 의해 반응하는 관능기를 갖는 화합물(B21)(이하 「에너지선 반응성 화합물(B21)」로 하는 경우가 있다)로는, 구체적으로는, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 혹은 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트 등의 아크릴레이트계 화합물을 들 수 있고, 또한, 올리고에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트계 올리고머, 에폭시아크릴레이트, 폴리에테르아크릴레이트 및 이타콘산올리고머 등의 아크릴레이트계 화합물 등의 중합 구조를 갖는 아크릴레이트 화합물로서, 비교적 저분자량의 것을 들 수 있다. 이러한 화합물은 분자 내에 적어도 1개의 중합성 이중 결합을 갖는다.Specific examples of the compound (B21) having a functional group which reacts with energy ray irradiation (hereinafter sometimes referred to as "energy ray-reactive compound (B21)") include trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate , Pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate or 1,4-butylene glycol diacrylate, and 1,6-hexanediol diacrylate. And acrylate compounds having a polymerization structure such as oligomer ester acrylate, urethane acrylate oligomer, epoxy acrylate, polyether acrylate and itaconic acid oligomer, and the like, And those having a relatively low molecular weight. Such a compound has at least one polymerizable double bond in the molecule.

에너지선 반응성 화합물(B21)을 사용하는 경우, 보호막 형성용 필름에는 중합체 성분(A) 100질량부에 대해, 에너지선 반응성 화합물(B21)이 바람직하게는 1∼1500질량부 포함되고, 보다 바람직하게는 3∼1200질량부 포함된다.When the energy ray-reactive compound (B21) is used, the film for forming a protective film preferably contains 1 to 1,500 parts by mass of the energy ray-reactive compound (B21) based on 100 parts by mass of the polymer component (A) Is contained in an amount of 3 to 1200 parts by mass.

(B22) 광중합 개시제(B22) Photopolymerization initiator

에너지선 반응성 화합물(B21)에 광중합 개시제(B22)를 조합함으로써, 중합 경화 시간을 짧게 하고, 또한 광선 조사량을 줄일 수 있다.By combining the photopolymerization initiator (B22) with the energy ray-reactive compound (B21), the polymerization curing time can be shortened and the amount of light beam irradiation can be reduced.

이러한 광중합 개시제(B22)로서 구체적으로는, 벤조페논, 아세토페논, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인벤조산, 벤조인벤조산메틸, 벤조인디메틸케탈, 2,4-디에틸티옥산톤, α-히드록시시클로헥실페닐케톤, 벤질디페닐술파이드, 테트라메틸티우람모노 술파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 벤질, 디벤질, 디아세틸, 1,2-디페닐메탄, 2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로판온, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 및 β-크롤안트라퀴논 등을 들 수 있다. 광중합 개시제(B22)는 1 종류 단독으로, 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Specific examples of such a photopolymerization initiator (B22) include benzophenone, acetophenone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, methyl benzoin benzoate , Benzoin dimethyl ketal, 2,4-diethyl thioxanthone,? -Hydroxycyclohexyl phenyl ketone, benzyl diphenyl sulfide, tetramethyl thiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, benzyl, dibenzyl , Diacetyl, 1,2-diphenylmethane, 2-hydroxy-2-methyl-1- [4- (1-methylvinyl) phenyl] propanone, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide And? -Cholanthraquinone. The photopolymerization initiator (B22) may be used singly or in combination of two or more.

광중합 개시제(B22)의 배합 비율은 에너지선 반응성 화합물(B21) 100질량부에 대해 0.1∼10질량부 포함되는 것이 바람직하고, 1∼5질량부 포함되는 것이 보다 바람직하다. The blending ratio of the photopolymerization initiator (B22) is preferably 0.1 to 10 parts by mass, more preferably 1 to 5 parts by mass, per 100 parts by mass of the energy ray-reactive compound (B21).

광중합 개시제(B22)의 배합 비율이 0.1질량부 미만이면 광중합이 부족하여 만족스러운 경화성이 얻어지지 않는 경우가 있고, 10질량부를 초과하면 광중합에 기여하지 않는 잔류물이 생성되어, 문제의 원인이 되는 경우가 있다.When the blending ratio of the photopolymerization initiator (B22) is less than 0.1 part by mass, photopolymerization is insufficient and satisfactory curing property may not be obtained. When it exceeds 10 parts by mass, residues which do not contribute to photopolymerization are generated, There is a case.

(제2 바인더 성분) (Second binder component)

제2 바인더 성분은 경화성 중합체 성분(AB)를 함유함으로써, 보호막 형성용 필름에 시트 형상 유지성과 경화성을 부여한다.By containing the curable polymer component (AB), the second binder component imparts sheet-like retention and curability to the protective film-forming film.

(AB) 경화성 중합체 성분(AB) curable polymer component

경화성 중합체 성분은 경화 기능 관능기를 갖는 중합체이다. 경화 기능 관능기는 서로 반응하여 삼차원 그물 구조를 구성할 수 있는 관능기로서, 가열에 의해 반응하는 관능기나, 에너지선에 의해 반응하는 관능기를 들 수 있다. The curable polymer component is a polymer having a curing functional group. Curable functional groups are functional groups capable of reacting with each other to form a three-dimensional network structure, and examples thereof include functional groups that react by heating, and functional groups that react with energy rays.

경화 기능 관능기는 경화성 중합체(AB)의 골격이 되는 연속 구조의 단위 중에 부가되어 있어도 되고, 말단에 부가되어 있어도 된다. 경화 기능 관능기가 경화성 중합체 성분(AB)의 골격이 되는 연속 구조의 단위 중에 부가되어 있는 경우, 경화 기능 관능기는 측쇄에 부가되어 있어도 되고, 주쇄에 직접 부가되어 있어도 된다. 경화성 중합체 성분(AB)의 중량 평균 분자량(Mw)은 보호막 형성용 필름에 시트 형상 유지성을 부여하는 목적을 달성하는 관점에서, 통상 20,000 이상이다.The curing functional group may be added to the unit of the continuous structure which becomes the skeleton of the curable polymer (AB), or may be added to the terminal. When the curing functional group is added to the unit of the continuous structure which becomes the skeleton of the curable polymer component (AB), the curing functional group may be added to the side chain or directly to the main chain. The weight average molecular weight (Mw) of the curable polymer component (AB) is usually 20,000 or more from the viewpoint of achieving the object of imparting sheet-like retention to the protective film forming film.

가열에 의해 반응하는 관능기로는 에폭시기를 들 수 있다. 에폭시기를 갖는 경화성 중합체 성분(AB)로는, 고분자량의 에폭시기 함유 화합물이나, 에폭시기를 갖는 페녹시 수지를 들 수 있다.Examples of the functional group which reacts by heating include an epoxy group. Examples of the curable polymer component (AB) having an epoxy group include a high molecular weight epoxy group-containing compound and a phenoxy resin having an epoxy group.

또한, 상기 서술한 아크릴계 중합체(A1)과 동일한 중합체로서, 단량체로서 에폭시기를 갖는 단량체를 사용하여 중합한 것(에폭시기 함유 아크릴계 중합체)이어도 된다. 이러한 단량체로는, 예를 들면, 글리시딜(메타)아크릴레이트 등의 글리시딜기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르를 들 수 있다. The same polymer as the above-described acrylic polymer (A1) may be a polymer obtained by polymerization using a monomer having an epoxy group as a monomer (an epoxy group-containing acrylic polymer). Examples of such a monomer include a (meth) acrylic acid ester having a glycidyl group such as glycidyl (meth) acrylate.

에폭시기 함유 아크릴계 중합체를 사용하는 경우, 그 바람직한 양태는 아크릴계 중합체(A1)과 동일하다.When an epoxy group-containing acrylic polymer is used, the preferred embodiment thereof is the same as that of the acrylic polymer (A1).

에폭시기를 갖는 경화성 중합체 성분(AB)를 사용하는 경우에는 경화성 성분(B)로서 에폭시계 열경화성 성분을 사용하는 경우와 동일하게 열경화제(B12)나, 경화 촉진제(B13)을 병용해도 된다.In the case of using the curable polymer component (AB) having an epoxy group, the heat curing agent (B12) or the curing accelerator (B13) may be used in combination as in the case of using the epoxy thermosetting component as the curable component (B).

에너지선에 의해 반응하는 관능기로는, (메타)아크릴로일기를 들 수 있다. 에너지선에 의해 반응하는 관능기를 갖는 경화성 중합체 성분(AB)로는, 폴리에테르 아크릴레이트 등의 중합 구조를 갖는 아크릴레이트계 화합물 등으로서, 고분자량의 것을 사용할 수 있다.Examples of the functional group that reacts with the energy ray include a (meth) acryloyl group. As the curable polymer component (AB) having a functional group which reacts with an energy ray, an acrylate compound having a polymerization structure such as polyether acrylate, etc., can be used.

또한, 예를 들면, 측쇄에 수산기 등의 관능기 X를 갖는 원료 중합체에 관능기 X와 반응할 수 있는 관능기 Y(예를 들면, 관능기 X가 수산기인 경우에는 이소시아네이트기 등) 및 에너지선 조사에 의해 반응하는 관능기를 갖는 저분자 화합물을 반응시켜 제조한 중합체를 사용해도 된다.For example, the functional group Y capable of reacting with the functional group X (for example, an isocyanate group when the functional group X is a hydroxyl group, etc.) is reacted with the raw polymer having the functional group X such as a hydroxyl group in the side chain, A low molecular weight compound having a functional group capable of reacting with a functional group.

이 경우에 있어서, 원료 중합체가 상기 서술한 아크릴계 중합체(A1)에 해당할 때는 그 원료 중합체의 바람직한 양태는 아크릴계 중합체(A1)과 동일하다.In this case, when the raw material polymer corresponds to the above-mentioned acrylic polymer (A1), a preferred embodiment of the raw material polymer is the same as the acrylic polymer (A1).

에너지선에 의해 반응하는 관능기를 갖는 경화성 중합체 성분(AB)를 사용하는 경우에는 에너지선 경화성 성분(B2)를 사용하는 경우와 동일하게 광중합 개시제(B22)를 병용해도 된다.In the case of using the curable polymer component (AB) having a functional group reacting with the energy ray, the photopolymerization initiator (B22) may be used in combination as in the case of using the energy ray curable component (B2).

제2 바인더 성분은 경화성 중합체 성분(AB)와 합하여, 상기 서술한 중합체 성분(A)나 경화성 성분(B)를 함유하고 있어도 된다.The second binder component may contain the above-mentioned polymer component (A) and the curing component (B) together with the curable polymer component (AB).

2층 이상의 수지층으로 보호막 형성용 필름을 형성하는 경우, 각 수지층에 있어서, 바인더 성분을 구성하는 중합체 성분(A), 경화성 성분(B)나 경화성 중합체 성분(AB)의 종류(특성)나 함유 비율을 변경함으로써, 보호막 형성용 필름의 제1 표면에 있어서의 접착력과 제2 표면에 있어서의 접착력을 조정할 수 있다. 또한, 각 수지층에 있어서, 열경화제(B12) 또는 경화 촉진제(B13)의 함유량을 변경함으로써, 보호막 형성용 필름의 제1 표면에 있어서의 접착력과 제2 표면에 있어서의 접착력을 조정할 수 있다.(A), the curing component (B) and the curing polymer component (AB) constituting the binder component and the curing component (AB) of the binder component in the case where the protective film forming film is formed of two or more resin layers By changing the content ratio, it is possible to adjust the adhesive force on the first surface and the adhesive force on the second surface of the protective film forming film. Further, by changing the content of the thermosetting agent (B12) or the curing accelerator (B13) in each resin layer, it is possible to adjust the adhesive force on the first surface and the adhesive force on the second surface of the protective film forming film.

또한, 이 경우에 있어서, 제1 표면(a)을 포함하는 수지층 및 제2 표면(b)을 포함하는 수지층이 함유하는 바인더 성분을 구성하는 중합체 성분(A), 경화성 성분(B)나 경화성 중합체 성분(AB)의 종류(특성)나 함유 비율 또는 열경화제(B12) 또는 경화 촉진제(B13)의 함유량(이하 「바인더 성분 주요 조성」이라고도 한다)에 따라서는 보호막 형성용 필름의 제1 표면에 있어서의 접착력과 제2 표면에 있어서의 접착력에 실질적으로 차이가 생기지 않도록 하는 한편, 후술하는 무기 필러(C), 커플링제(E), 박리제(F) 등의 배합에 의해 보호막 형성용 필름의 제1 표면에 있어서의 접착력과 제2 표면에 있어서의 접착력에 차이가 생기도록 해도 된다.In this case, the polymer component (A) and the curing component (B) constituting the binder component contained in the resin layer including the resin layer including the first surface (a) and the second surface (b) Depending on the type (content) or content of the curable polymer component (AB) or the content of the thermosetting agent (B12) or the curing accelerator (B13) (hereinafter also referred to as " binder component main composition "), (C), the coupling agent (E), and the releasing agent (F), which are described later, so as not to cause a substantial difference in the adhesive force between the protective film There may be a difference between the adhesive force on the first surface and the adhesive force on the second surface.

예를 들면, 우선, 제2 표면(b)을 포함하는 수지층의 바인더 성분 주요 조성을 조정하고, 또한 박리제(F)의 첨가에 의해, 보호막 형성용 필름의 제2 표면에 있어서의 접착력이나 프로브 택값을 소정의 범위에 제어한다. 한편으로, 제1 표면(a)을 포함하는 수지층의 바인더 성분 주요 조성을 제2 표면(b)을 포함하는 수지층의 바인더 성분 주요 조성과 근사한 것으로 하면서, 제1 표면(a)을 포함하는 수지층에는 박리제(F)를 첨가하지 않거나, 또는 제2 표면(b)을 포함하는 수지층에 첨가했던 것보다도 적은 양 첨가한다. 이로써, 보호막 형성용 필름의 제2 표면에 있어서의 접착력과 보호막 형성용 필름의 제1 표면에 있어서의 접착력은 바인더 성분 주요 조성에 따라서는 실질적으로 차이가 생기지 않게 된다. 그러나, 제2 표면(b)을 포함하는 수지층에는 제1 표면(a)을 포함하는 수지층보다 박리제(F)가 많이 첨가되어 있기 때문에, 보호막 형성용 필름의 제2 표면에 있어서의 접착력이 보호막 형성용 필름의 제1 표면에 있어서의 접착력보다 낮아지도록 제어할 수 있다.For example, first, by adjusting the main composition of the binder component of the resin layer including the second surface (b) and by adding the releasing agent (F), the adhesive force on the second surface of the protective film forming film, To a predetermined range. On the other hand, while the main component of the binder component of the resin layer including the first surface (a) is approximated to the main component of the binder component of the resin layer including the second surface (b) The stripping agent (F) is not added to the layer or added in an amount smaller than that added to the resin layer containing the second surface (b). As a result, the adhesive force on the second surface of the protective film-forming film and the adhesive force on the first surface of the protective film-forming film do not differ substantially depending on the main composition of the binder component. However, since the resin layer containing the second surface (b) contains much of the releasing agent (F) than the resin layer including the first surface (a), the adhesive force on the second surface of the protective film- Can be controlled so as to be lower than the adhesive force on the first surface of the protective film forming film.

이와 같이, 바인더 성분 주요 조성에 따라서는 보호막 형성용 필름의 제1 표면에 있어서의 접착력과 제2 표면에 있어서의 접착력에 실질적으로 차이가 생기지 않도록 하는 경우에는 제1 표면(a)을 포함하는 수지층에 대해 다음과 같이 기재할 수 있다.As described above, depending on the main composition of the binder component, in order to prevent a difference between the adhesive force on the first surface and the adhesive force on the second surface of the protective film forming film, The strata can be described as follows.

제1 표면(a)을 포함하는 수지층에 아크릴계 중합체(A1)을 사용하는 경우, 제2 표면(b)을 포함하는 수지층에 있어서의 아크릴계 중합체(A1)의 유리 전이 온도(Tg)와 동일하게 그 유리 전이 온도(Tg)는 -40∼-5℃의 범위에 있는 것이 바람직하다.When the acrylic polymer (A1) is used for the resin layer including the first surface (a), the glass transition temperature (Tg) of the acrylic polymer (A1) in the resin layer including the second surface And the glass transition temperature (Tg) thereof is preferably in the range of -40 to -5 ° C.

제1 표면(a)을 포함하는 수지층에 아크릴계 중합체(A1)을 사용하는 경우, 제2 표면(b)을 포함하는 수지층에 있어서의 아크릴계 중합체(A1)의 중량 평균 분자량과 동일하게 그 중량 평균 분자량은 600,000∼1,200,000인 것이 바람직하다.When the acrylic polymer (A1) is used for the resin layer containing the first surface (a), the weight average molecular weight of the acrylic polymer (A1) in the resin layer including the second surface (b) The average molecular weight is preferably 600,000 to 1,200,000.

제1 표면(a)을 포함하는 수지층에 있어서, 에폭시 화합물(B11)로서 상온에 있어서 고체인 것만을 사용할 때는 제2 표면(b)을 포함하는 수지층에 있어서의 에폭시 화합물(B11)의 함유량과 동일하게 중합체 성분(A) 100질량부에 대해, 에폭시 화합물(B11)이 70∼150질량부 포함되는 것이 바람직하다.In the resin layer containing the first surface (a), when only the epoxy compound (B11) which is solid at room temperature is used, the content of the epoxy compound (B11) in the resin layer including the second surface (b) , It is preferable that 70 to 150 parts by mass of the epoxy compound (B11) is contained relative to 100 parts by mass of the polymer component (A).

바인더 성분 주요 조성에 따라 보호막 형성용 필름의 제1 표면에 있어서의 접착력과 제2 표면에 있어서의 접착력에 실질적으로 차이가 생기지 않도록 하는 경우에 있어서, 제1 표면(a)을 포함하는 수지층의 바인더 성분 주요 조성과 제2 표면(b)을 포함하는 수지층의 바인더 성분 주요 조성이 근사하면, 양층의 경화시의 체적 수축의 차이가 작아지는 경향이 있다. 이 때문에, 경화시의 보호막 형성용 필름의 휨이 억제된다는 효과가 얻어지는 경우가 있다.In the case where the protective film forming film according to the main composition of the binder component is not substantially different from the adhesive force on the first surface and the adhesive force on the second surface, When the main composition of the binder component and the main component of the binder component of the resin layer including the second surface (b) are approximate, there is a tendency that the difference in volume shrinkage upon curing of both layers tends to be small. Therefore, the effect of suppressing the warp of the protective film forming film at the time of curing may be obtained.

보호막 형성용 필름에는 바인더 성분 이외에 이하의 성분을 함유시켜도 된다.The protective film forming film may contain the following components in addition to the binder component.

(C) 무기 필러(C) Inorganic filler

보호막 형성용 필름은 무기 필러(C)를 함유하고 있어도 된다. 무기 필러(C)를 보호막 형성용 필름에 배합함으로써, 경화 후의 보호막에 있어서의 열팽창 계수를 조정하는 것이 가능해지고, 피착체에 대해 경화 후의 보호막의 열팽창 계수를 최적화함으로써 반도체 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 경화 후의 보호막의 흡습성을 저감시키는 것도 가능해진다.The protective film-forming film may contain an inorganic filler (C). By adding the inorganic filler (C) to the protective film forming film, the thermal expansion coefficient of the protective film after curing can be adjusted, and the reliability of the semiconductor device can be improved by optimizing the thermal expansion coefficient of the protective film after curing have. In addition, it becomes possible to reduce the hygroscopicity of the protective film after curing.

또한, 보호막에 레이저 마킹을 실시함으로써, 레이저광에 의해 절삭된 부분에 무기 필러(C)가 노출되어, 반사광이 확산되기 때문에 백색에 가까운 색을 나타낸다. 이로써, 보호막 형성용 필름이 후술하는 착색제(D)를 함유하는 경우, 레이저 마킹 부분과 다른 부분에 콘트라스트 차가 얻어져, 인자가 명료해진다는 효과가 있다.Further, by performing laser marking on the protective film, the inorganic filler C is exposed to the portion cut by the laser light, and the reflected light is diffused, thereby exhibiting a color close to white. Thus, when the protective film forming film contains a coloring agent (D) described later, a contrast difference is obtained at a portion different from the laser marking portion, and the effect is clarified.

바람직한 무기 필러로는, 실리카, 알루미나, 탤크, 탄산칼슘, 산화티탄, 산화철, 탄화규소, 질화붕소 등의 분말, 이들을 구형화한 비즈, 단결정 섬유 및 유리 섬유 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 실리카 필러 및 알루미나 필러가 바람직하다. 상기 무기 필러(C)는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.Preferred examples of the inorganic filler include powders of silica, alumina, talc, calcium carbonate, titanium oxide, iron oxide, silicon carbide, boron nitride and the like, spherical beads thereof, single crystal fibers and glass fibers. Among these, silica filler and alumina filler are preferable. The inorganic fillers (C) may be used alone or in combination of two or more.

2층 이상의 수지층으로 보호막 형성용 필름을 형성하는 경우, 무기 필러(C)의 함유량은 제1 표면(a)을 포함하는 수지층을 구성하는 전체 고형분의 질량에서 차지하는 비율이 바람직하게는 0∼70질량%, 보다 바람직하게는 30∼60질량%이며, 제2 표면(b)을 포함하는 수지층을 구성하는 전체 고형분의 질량에서 차지하는 비율이 바람직하게는 40∼80질량%, 보다 바람직하게는 50∼75질량%이다. 상기와 같이, 조성이 상이한 2층 이상의 수지층으로 보호막 형성용 필름을 형성함으로써, 보호막 형성용 필름의 제1 표면에 있어서의 접착력과 제2 표면에 있어서의 접착력을 조정할 수 있다.When the protective film forming film is formed of two or more resin layers, the content of the inorganic filler (C) in the mass of the total solid content constituting the resin layer including the first surface (a) Is preferably 70 to 70 mass%, more preferably 30 to 60 mass%, and the ratio of the total solid content constituting the resin layer including the second surface (b) to the mass thereof is preferably 40 to 80 mass% 50 to 75% by mass. By forming the protective film forming film with two or more resin layers having different compositions as described above, it is possible to adjust the adhesive force on the first surface and the adhesive force on the second surface of the protective film forming film.

또한, 보호막 형성용 필름을 단층으로 형성하는 경우, 그 두께 방향에 무기 필러(C)의 농도 구배를 갖게 함으로써, 보호막 형성용 필름의 제1 표면에 있어서의 접착력과 제2 표면에 있어서의 접착력을 조정해도 된다. 이 경우, 보호막 형성용 필름의 제1 표면측은 제2 표면측과 비교하여 무기 필러(C)의 농도가 낮기 때문에, 반도체 웨이퍼나 칩 등의 피착체에 대해 우수한 젖음성 및 접착성을 나타낸다. 또한, 제2 표면측은 제1 표면측과 비교하여 무기 필러(C)의 농도가 높기 때문에, 레이저 인자의 시인성이 향상된다. 무기 필러(C)의 함유량이 또한, 보호막 형성용 필름을 구성하는 전체 고형분의 질량에서 차지하는 비율이 50∼80질량%이면, 이러한 효과가 현저해지는 경향이 있기 때문에 바람직하고, 보다 바람직하게는 60∼80질량%이다. 보호막 형성용 필름에 있어서, 그 두께 방향에 대해 무기 필러(C)의 농도 구배를 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 이하의 방법을 들 수 있다. 우선, 박리 시트 상에 무기 필러(C)를 함유하는 보호막 형성용 조성물을 도포하고, 일정 시간 방치함으로써, 보호막 형성용 필름 중에 있어서 무기 필러(C)의 침강이 일어난다. 그 후, 건조시킴으로써 무기 필러(C)의 농도가 경사 구배가 된 보호막 형성용 필름이 얻어진다.When the film for forming a protective film is formed as a single layer, the adhesive force on the first surface and the adhesive force on the second surface of the protective film-forming film are adjusted to have a concentration gradient of the inorganic filler (C) It may be adjusted. In this case, since the concentration of the inorganic filler (C) is lower than that of the second surface side, the first surface side of the protective film-forming film exhibits excellent wettability and adhesion to an adherend such as a semiconductor wafer or chip. Further, since the concentration of the inorganic filler (C) is higher on the second surface side than on the first surface side, the visibility of the laser factor is improved. The content of the inorganic filler (C) is preferably from 50 to 80 mass% in the mass of the total solids constituting the protective film-forming film, because such effect tends to become remarkable, more preferably from 60 to 80 mass% 80% by mass. The method for forming the concentration gradient of the inorganic filler (C) in the thickness direction of the protective film-forming film is not particularly limited, but the following methods can be used. First, the composition for forming a protective film containing the inorganic filler (C) is applied on the release sheet and left for a predetermined time, whereby the inorganic filler (C) precipitates in the protective film formation film. Thereafter, by drying, a film for forming a protective film having an inclined gradient of the inorganic filler (C) is obtained.

(D) 착색제(D) Colorant

보호막 형성용 필름에는 착색제(D)를 배합할 수 있다. 착색제를 배합함으로써, 반도체 장치를 기기에 장착했을 때, 주위 장치로부터 발생하는 적외선 등에 의한 반도체 장치의 오작동을 방지할 수 있다. 또한, 레이저 마킹 등의 수단에 의해 보호막에 각인을 행했을 경우에, 문자, 기호 등의 마크를 인식하기 쉬워진다는 효과가 있다. 즉, 보호막이 형성된 반도체 장치나 반도체 칩으로는, 보호막의 표면에 품번 등이 통상 레이저 마킹법(레이저광에 의해 보호막 표면을 절삭하여 인자를 행하는 방법)에 의해 인자되지만, 보호막이 착색제(D)를 함유함으로써, 보호막의 레이저광에 의해 절삭된 부분과 그렇지 않은 부분의 콘트라스트 차가 충분히 얻어져, 시인성이 향상된다.The film for forming a protective film may contain a colorant (D). By mixing the coloring agent, it is possible to prevent malfunction of the semiconductor device caused by infrared rays or the like generated from the peripheral device when the semiconductor device is mounted on the device. Further, when engraving is performed on the protective film by means such as laser marking, it is easy to recognize marks such as characters and symbols. That is, in the semiconductor device or the semiconductor chip having the protective film formed thereon, the part number or the like is printed on the surface of the protective film by the usual laser marking method (a method of cutting the protective film surface by laser light to perform printing) The difference in contrast between the portion cut by the laser light of the protective film and the portion not cut by the laser light is sufficiently obtained, and the visibility is improved.

착색제로는, 유기 또는 무기 안료 및 염료가 사용된다. 이들 중에서도 전자파나 적외선 차폐성의 점에서 흑색 안료가 바람직하다. 흑색 안료로는, 카본 블랙, 산화철, 이산화망간, 아닐린 블랙, 활성탄 등이 사용되지만, 이들에 한정되지 않는다. 반도체 장치의 신뢰성을 높이는 관점에서는 카본 블랙이 특히 바람직하다. 착색제(D)는 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. As the colorant, organic or inorganic pigments and dyes are used. Among them, a black pigment is preferable in terms of electromagnetic wave shielding and infrared ray shielding. Examples of the black pigment include carbon black, iron oxide, manganese dioxide, aniline black, activated carbon, and the like, but are not limited thereto. From the viewpoint of enhancing the reliability of the semiconductor device, carbon black is particularly preferable. The colorant (D) may be used alone or in combination of two or more.

착색제(D)의 배합량은 보호막 형성용 필름을 구성하는 전체 고형분 100질량부에 대해, 바람직하게는 0.1∼35질량부, 더욱 바람직하게는 0.5∼25질량부, 특히 바람직하게는 1∼15질량부이다.The blending amount of the colorant (D) is preferably 0.1 to 35 parts by mass, more preferably 0.5 to 25 parts by mass, and particularly preferably 1 to 15 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the total solid content of the protective film- to be.

(E) 커플링제(E) Coupling agent

무기물과 반응하는 관능기 및 유기 관능기와 반응하는 관능기를 갖는 커플링제(E)를 보호막 형성용 필름의 피착체에 대한 접착성, 밀착성 및/또는 보호막의 응집성을 향상시키기 위해 사용해도 된다. 또한, 커플링제(E)를 사용함으로써, 보호막 형성용 필름을 경화하여 얻어지는 보호막의 내열성을 해치지 않고, 그 내수성을 향상시킬 수 있다. 이러한 커플링제로는, 티타네이트계 커플링제, 알루미네이트계 커플링제, 실란 커플링제 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 실란 커플링제가 바람직하다.The coupling agent (E) having a functional group reacting with an inorganic substance and a functional group reacting with an organic functional group may be used for improving adhesion, adhesion and / or cohesiveness of a protective film to an adherend of a protective film forming film. Further, by using the coupling agent (E), the heat resistance of the protective film obtained by curing the protective film-forming film can be prevented, and the water resistance can be improved. Examples of such a coupling agent include titanate-based coupling agents, aluminate-based coupling agents, and silane coupling agents. Among them, a silane coupling agent is preferable.

실란 커플링제로는, 그 유기 관능기와 반응하는 관능기가 중합체 성분(A), 경화성 성분(B)나 경화성 중합체 성분(AB) 등이 갖는 관능기와 반응하는 기인 실란 커플링제가 바람직하게 사용된다.As the silane coupling agent, a silane coupling agent is preferably used, in which a functional group reactive with the organic functional group is a group which reacts with a functional group contained in the polymer component (A), the curing component (B), the curable polymer component (AB) and the like.

이러한 실란 커플링제로는 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-(메타크릴옥시프로필)트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-6-(아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-6-(아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸디에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-우레이도프로필트리에톡시실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필메틸디메톡시실란, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)테트라술판, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 이미다졸실란 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로, 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.Examples of such silane coupling agents include? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropylmethyldiethoxysilane,? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane,? - Aminopropyltrimethoxysilane, N-6- (aminoethyl) -? - aminopropyltrimethoxysilane, N-6- (aminoethyl) (Meth) acrylate, N-phenyl-gamma -aminopropyltrimethoxysilane,? -Ureidopropyltriethoxysilane,? -Mercaptopropyltrimethoxysilane,? -Mercaptopropylmethyldimethoxysilane, bis Triethoxysilylpropyl) tetrasulfane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, imidazolylsilane and the like. These may be used singly or in combination of two or more.

실란 커플링제는 중합체 성분(A), 경화성 성분(B) 및 경화성 중합체 성분(AB)의 합계 100질량부에 대해, 통상 0.1∼20질량부, 바람직하게는 0.2∼10질량부, 보다 바람직하게는 0.3∼5질량부의 비율로 포함된다. 실란 커플링제의 함유량이 0.1질량부 미만이면 상기 효과가 얻어지지 않을 가능성이 있고, 20질량부를 초과하면 아웃 가스의 원인이 될 가능성이 있다.The silane coupling agent is used in an amount of usually 0.1 to 20 parts by mass, preferably 0.2 to 10 parts by mass, more preferably 0.2 to 10 parts by mass, per 100 parts by mass of the total of the polymer component (A), the curing component (B) and the curable polymer component (AB) 0.3 to 5 parts by mass. If the content of the silane coupling agent is less than 0.1 part by mass, the above effect may not be obtained. If the content is more than 20 parts by mass, there is a possibility of causing outgas.

2층 이상의 수지층으로 보호막 형성용 필름을 형성하는 경우, 커플링제(E)의 함유량은 제1 표면(a)을 포함하는 수지층을 구성하는 전체 고형분의 질량에서 차지하는 비율이 바람직하게는 0.03∼2질량%, 보다 바람직하게는 0.05∼1질량%이며, 제2 표면(b)을 포함하는 수지층을 구성하는 전체 고형분의 질량에서 차지하는 비율이 바람직하게는 0∼1.5질량%, 보다 바람직하게는 0.01∼1질량%이다. 상기와 같이, 조성이 상이한 2층 이상의 수지층으로 보호막 형성용 필름을 형성함으로써, 보호막 형성용 필름의 제1 표면에 있어서의 접착력과 제2 표면에 있어서의 접착력을 조정할 수 있다.When a film for forming a protective film is formed by a resin layer of two or more layers, the content of the coupling agent (E) is preferably 0.03 to 10 mass% in the mass of all the solid components constituting the resin layer including the first surface (a) Is preferably 2% by mass, more preferably 0.05% by mass to 1% by mass, and preferably 0% by mass to 1.5% by mass, more preferably 0% by mass to 5% by mass of the total solid content constituting the resin layer including the second surface (b) 0.01 to 1% by mass. By forming the protective film forming film with two or more resin layers having different compositions as described above, it is possible to adjust the adhesive force on the first surface and the adhesive force on the second surface of the protective film forming film.

또한, 보호막 형성용 필름을 단층으로 형성하는 경우, 그 두께 방향으로 커플링제(E)의 농도 구배를 갖게 함으로써, 보호막 형성용 필름의 제1 표면에 있어서의 접착력과 제2 표면에 있어서의 접착력을 조정해도 된다. 보호막 형성용 필름의 제1 표면측은 제2 표면측과 비교하여 커플링제(E)의 농도가 높기 때문에, 반도체 웨이퍼나 칩 등의 피착체에 대해 우수한 접착성을 나타낸다. 이러한 경우에 있어서의 커플링제(E)의 함유량은 보호막 형성용 필름을 구성하는 전체 고형분의 질량에서 차지하는 비율이 바람직하게는 0.01∼2질량%, 보다 바람직하게는 0.05∼1질량%이다. 보호막 형성용 필름에 있어서, 그 두께 방향에 대해 커플링제(E)의 농도 구배를 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 상기 서술한 무기 필러(C)의 농도 구배를 형성하는 방법과 동일하다.When the film for forming a protective film is formed into a single layer, by having the concentration gradient of the coupling agent (E) in the thickness direction, the adhesive force on the first surface and the adhesive force on the second surface It may be adjusted. Since the first surface side of the protective film forming film has a high concentration of the coupling agent (E) as compared with the second surface side, it exhibits excellent adhesion to an adherend such as a semiconductor wafer or chip. The content of the coupling agent (E) in such a case is preferably 0.01 to 2% by mass, more preferably 0.05 to 1% by mass, in the mass of the total solid content constituting the protective film forming film. The method for forming the concentration gradient of the coupling agent (E) in the thickness direction of the protective film-forming film is not particularly limited and is the same as the method for forming the concentration gradient of the inorganic filler (C) described above.

(F) 박리제(F) Remover

보호막 형성용 필름의 제1 표면에 있어서의 접착력과 제2 표면에 있어서의 접착력을 조정하기 위해, 박리제를 첨가할 수도 있다. 박리제로는, 폴리디메틸실록산, 폴리페닐메틸실록산, 폴리디페닐실록산 등의 실리콘 화합물이나 불소 화합물을 들 수 있다. A releasing agent may be added to adjust the adhesive force on the first surface and the adhesive force on the second surface of the protective film forming film. Examples of the releasing agent include silicone compounds such as polydimethylsiloxane, polyphenylmethylsiloxane and polydiphenylsiloxane, and fluorine compounds.

이들 중에서도, 실리콘 화합물이 바람직하고, 측쇄로서 방향 고리 함유기를 갖는 오르가노폴리실록산으로서, 또한, 25℃에 있어서의 동점도가 50∼100,000㎟/s인 것이 보다 바람직하다. 폴리실록산이란, -Si(X)2-O-로 나타내는 단위 구조(X는 측쇄를 나타낸다)가 복수 연결된 화합물로서, 이 단위 구조의 수는 특별히 한정되지 않지만, 통상 3 이상이다. 단위 구조의 수의 증감에 의해, 상기 동점도의 값을 제어할 수 있다.Among them, a silicone compound is preferable, and as the organopolysiloxane having an aromatic ring-containing group as a side chain, it is more preferable that the kinematic viscosity at 25 캜 is 50 to 100,000 mm 2 / s. The polysiloxane is a compound in which a plurality of unit structures represented by -Si (X) 2 -O- (X is a side chain) are linked. The number of the unit structures is not particularly limited, but is usually three or more. The value of the kinematic viscosity can be controlled by increasing or decreasing the number of unit structures.

실리콘 화합물은 오르가노폴리실록산의 실록산 부분에 의해 지지체와의 밀착력을 낮춤과 함께, 상기 방향 고리 함유기를 측쇄에 가짐으로써 지용성이 높고, 보호막 형성용 조성물 중의 다른 성분과의 상용성이 높다. 또한, 보호막 형성용 조성물 중의 경화 성분(B)는 구성 성분이 방향 고리를 갖는 경우가 많아, 이러한 경우에는 실리콘 화합물의 상기 방향 고리 함유기에 의해 서로 상용성이 더욱 높아진다.The silicone compound has a high adhesiveness with the other components in the composition for forming a protective film by lowering the adhesiveness to the support by the siloxane moiety of the organopolysiloxane and having the aromatic ring-containing group on the side chain. In addition, the curing component (B) in the composition for forming a protective film often has an aromatic ring in its constituent component, and in such a case, compatibility with the aromatic ring-containing group of the silicone compound is further enhanced.

상기 방향 고리 함유기의 예로는, 페닐기, 아르알킬기를 들 수 있다. 여기서 말하는 아르알킬기란, 알킬부가 직쇄상 또는 분기쇄상이며, 알킬부의 탄소수가 바람직하게는 1∼5, 보다 바람직하게는 1∼3이며, 아릴부의 탄소수가 바람직하게는 6∼10, 보다 바람직하게는 6인 아르알킬기이다. 아르알킬기가 바람직한 예로는, 벤질기, 페닐에틸기, 페닐프로필기, 페닐이소프로필기를 들 수 있다. 상기 방향 고리 함유기로는, 아르알킬기가 바람직하다.Examples of the aromatic ring-containing group include a phenyl group and an aralkyl group. The term "aralkyl group" as used herein means an alkyl group in the form of a linear or branched chain, the number of carbon atoms in the alkyl moiety is preferably 1 to 5, more preferably 1 to 3, and the number of carbon atoms in the aryl moiety is preferably 6 to 10, Lt; / RTI > Preferred examples of the aralkyl group include a benzyl group, a phenylethyl group, a phenylpropyl group and a phenylisopropyl group. The aromatic ring-containing group is preferably an aralkyl group.

2층 이상의 수지층으로 보호막 형성용 필름을 형성하는 경우, 적어도 제2 표면(b)을 포함하는 수지층이 박리제를 함유하고, 제2 표면(b)을 포함하는 수지층에 있어서의 박리제(F)의 함유량이 제1 표면(a)을 포함하는 수지층에 있어서의 박리제(F)의 함유량보다 많은 것이 바람직하다. 이러한 구성으로 함으로써, 보호막 형성용 필름의 제1 표면에 있어서의 접착력과 제2 표면에 있어서의 접착력을 조정할 수 있다. 구체적으로는, 박리제(F)의 함유량은 제1 표면(a)을 포함하는 수지층을 구성하는 전체 고형분 중 박리제를 제외한 고형분 100질량부에 대해, 바람직하게는 0∼0.001질량부, 보다 바람직하게는 0∼0.0005질량부이며, 제2 표면(b)을 포함하는 수지층을 구성하는 전체 고형분 중 박리제를 제외한 고형분 100질량부에 대해, 바람직하게는 0.001∼20질량부, 보다 바람직하게는 0.01∼10질량부, 더욱 바람직하게는 0.05∼5질량부이다. 상기와 같이, 조성이 상이한 2층 이상의 수지층으로 보호막 형성용 필름을 형성함으로써, 보호막 형성용 필름의 제1 표면에 있어서의 접착력과 제2 표면에 있어서의 접착력을 조정할 수 있다. 제2 표면(b)을 포함하는 수지층에 있어서, 박리제(F)의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 지지체에 대한 재박리 성능과 지지체의 접착력의 밸런스가 우수하여 보호막 형성용 필름의 경화 중에 보호막 형성용 필름이 지지체로부터 박리되는 것을 방지할 수 있다.In the case of forming a film for forming a protective film with two or more resin layers, at least the resin layer containing the second surface (b) contains the releasing agent and the releasing agent (F) in the resin layer including the second surface ) Is preferably larger than the content of the releasing agent (F) in the resin layer including the first surface (a). With such a constitution, it is possible to adjust the adhesive force on the first surface and the adhesive force on the second surface of the protective film forming film. Specifically, the content of the releasing agent (F) is preferably 0 to 0.001 part by mass, more preferably 0 to 100 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the solid content excluding the releasing agent among all the solid components constituting the resin layer including the first surface (a) Is preferably from 0.001 to 20 parts by mass, more preferably from 0.01 to 20 parts by mass, based on 100 parts by mass of the solid content excluding the releasing agent, of all the solid components constituting the resin layer including the second surface (b) 10 parts by mass, more preferably 0.05 to 5 parts by mass. By forming the protective film forming film with two or more resin layers having different compositions as described above, it is possible to adjust the adhesive force on the first surface and the adhesive force on the second surface of the protective film forming film. When the content of the releasing agent (F) in the resin layer including the second surface (b) is within the above range, the balance between the re-peeling performance of the support and the adhesive force of the support is excellent, The film for use can be prevented from peeling off from the support.

(G) 범용 첨가제(G) General purpose additives

보호막 형성용 필름에는 상기 이외에 필요에 따라 각종 첨가제가 배합되어도 된다. 각종 첨가제로는, 레벨링제, 가소제, 대전 방지제, 산화 방지제, 이온 포착제, 게터링제, 연쇄 이동제 등을 들 수 있다.In addition to the above, various additives may be added to the protective film forming film. Examples of the various additives include a leveling agent, a plasticizer, an antistatic agent, an antioxidant, an ion trap agent, a gettering agent, and a chain transfer agent.

보호막 형성용 필름은 초기 접착성과 경화성을 갖고, 미경화 상태에서는 반도체 웨이퍼나 칩 등에 가압함으로써 용이하게 접착한다. 또한, 가압할 때 보호막 형성용 필름을 가열해도 된다. 그리고 경화를 거쳐 최종적으로는 내충격성이 높은 보호막을 부여할 수 있고, 접착 강도도 우수하며, 엄격한 고온도 고습도 조건하에 있어서도 충분한 보호 기능을 유지할 수 있다. 또한, 보호막 형성용 필름은 단층 구조여도 되고, 또한 다층 구조여도 된다. The film for forming a protective film has initial adhesiveness and curability, and is readily adhered to a semiconductor wafer, chip or the like by pressing it in an uncured state. Further, the protective film forming film may be heated at the time of pressing. And finally cured to give a protective film having a high impact resistance, excellent adhesive strength, and sufficient protection even under severe high temperature and high humidity conditions. The protective film forming film may have a single-layer structure or a multi-layer structure.

보호막 형성용 필름은 예를 들면, 상기 각 성분을 적절한 비율로 혼합하여 얻어지는 조성물(보호막 형성용 조성물)을 사용하여 얻어진다. 보호막 형성용 조성물은 미리 용매로 희석해 두어도 되고, 또한 혼합시에 용매에 첨가해도 된다. 또한, 보호막 형성용 조성물의 사용시에 용매로 희석해도 된다. The protective film-forming film is obtained, for example, by using a composition (composition for forming a protective film) obtained by mixing the respective components in an appropriate ratio. The protective film forming composition may be diluted with a solvent in advance, or may be added to a solvent at the time of mixing. The composition for forming a protective film may be diluted with a solvent at the time of use.

이러한 용매로는, 초산에틸, 초산메틸, 디에틸에테르, 디메틸에테르, 아세톤, 메틸에틸케톤, 아세토니트릴, 헥산, 시클로헥산, 톨루엔, 헵탄 등을 들 수 있다.Examples of such solvents include ethyl acetate, methyl acetate, diethyl ether, dimethyl ether, acetone, methyl ethyl ketone, acetonitrile, hexane, cyclohexane, toluene and heptane.

보호막 형성용 필름의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 3∼300㎛, 보다 바람직하게는 5∼250㎛, 특히 바람직하게는 7∼200㎛이다.The thickness of the protective film-forming film is not particularly limited, but is preferably 3 to 300 占 퐉, more preferably 5 to 250 占 퐉, and particularly preferably 7 to 200 占 퐉.

보호막 형성용 필름에 있어서의 가시광선 및/또는 적외선과 자외선의 투과성을 나타내는 척도인, 파장 300∼1200㎚에 있어서의 최대 투과율은 20% 이하인 것이 바람직하고, 0∼15%인 것이 보다 바람직하고, 0%를 초과하고 10% 이하인 것이 더욱 바람직하며, 0.001∼8%인 것이 특히 바람직하다. 파장 300∼1200㎚에 있어서의 보호막 형성용 필름의 최대 투과율을 상기 범위로 함으로써, 가시광선 파장 영역 및/또는 적외선 파장 영역의 투과성의 저하가 생겨 반도체 장치의 적외선 기인의 오작동 방지나, 인자 시인성 향상이라는 효과가 얻어진다. 파장 300∼1200㎚에 있어서의 보호막 형성용 필름의 최대 투과율은 상기 착색제(D)에 의해 조정할 수 있다. 또한, 보호막 형성용 필름의 최대 투과율은 UV-vis 스펙트럼 검사 장치((주) 시마즈 제작소 제조)를 이용하여, 경화 후의 보호막 형성용 필름(두께 25㎛)의 300∼1200㎚에서의 전광선 투과율을 측정하여, 투과율이 가장 높은 값(최대 투과율)으로 한다.The maximum transmittance at a wavelength of 300 to 1200 nm, which is a measure of the transmittance of visible light and / or infrared and ultraviolet light in the protective film forming film, is preferably 20% or less, more preferably 0 to 15% More preferably more than 0% and not more than 10%, particularly preferably 0.001 to 8%. By setting the maximum transmittance of the protective film forming film at the wavelength of 300 to 1200 nm within the above-mentioned range, the transmittance of the visible light wavelength region and / or the infrared wavelength region is lowered to prevent malfunction of the infrared device of the semiconductor device and improve the print visibility Is obtained. The maximum transmittance of the protective film forming film at a wavelength of 300 to 1200 nm can be adjusted by the colorant (D). The maximum transmittance of the protective film-forming film was measured using a UV-vis spectrum analyzer (manufactured by Shimadzu Corporation) to measure the total light transmittance at 300 to 1200 nm of the protective film-forming film , And the transmittance is the highest value (maximum transmittance).

본 발명의 보호막 형성용 필름은 실리콘이나 갈륨-비소 등을 재료로 하는 반도체 웨이퍼나 칩을 피착체로 하여 이들 보호막으로서 사용된다.The protective film forming film of the present invention is used as a protective film by using a semiconductor wafer or a chip made of silicon or gallium-arsenic as an adherend.

본 발명에 따른 보호막 형성용 필름의 제조 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 보호막 형성용 필름을 공정 필름 상에 제막할 수 있다. 제막은 공정 필름 상에 보호막 형성용 필름을 형성하기 위한 조성물을 롤 나이프 코터, 그라비아 코터, 다이 코터, 리버스 코터 등 일반적으로 공지의 방법에 따라서 도공하고, 건조시킴으로써 행한다.The method for producing the protective film forming film according to the present invention is not particularly limited. For example, a film for forming a protective film can be formed on a process film. The film formation is performed by coating a composition for forming a protective film forming film on a process film by a generally known method such as a roll knife coater, a gravure coater, a die coater, a reverse coater, and the like.

공정 필름은 그대로 후술하는 지지 시트나 커버 필름으로서 사용할 수 있다.The process film can be used as a support sheet or cover film to be described later.

또한, 보호막 형성용 필름을 그 제막 후에 공정 필름으로부터 지지 시트나 커버 필름에 전사해도 된다. 공정 필름이 지지 시트 또는 커버 필름 중 어느 일방이고, 또한, 전사되는 재료가 지지 시트 또는 커버 필름의 다른 일방이어도 된다.Further, the protective film forming film may be transferred from the process film to the support sheet or the cover film after the film formation. The process film may be either the support sheet or the cover film, and the material to be transferred may be the other one of the support sheet or the cover film.

또한, 조성이 상이한 2층 이상의 수지층을 적층하여 보호막 형성용 필름을 제조하는 경우에는 우선, 상기와 동일한 방법에 의해 공정 필름 상에 수지층을 제막한다. 다음으로, 다른 공정 필름 상에 조성이 상이한 수지층을 제막한다. 그 후, 얻어진 수지층끼리를 첩합함으로써 보호막 형성용 필름을 제조할 수 있다.When a film for forming a protective film is produced by laminating two or more resin layers having different compositions, a resin layer is first formed on the film by the same method as described above. Next, a resin layer having a different composition is formed on another process film. Thereafter, a protective film-forming film can be produced by bonding the obtained resin layers to each other.

[보호막 형성용 복합 시트] [Composite sheet for forming a protective film]

보호막 형성용 복합 시트는 보호막 형성용 필름의 제2 표면측에 지지 시트를 박리 가능하도록 형성하여 얻어진다. 보호막 형성용 복합 시트의 형상은 매엽 형상의 것에 한정되지 않고, 장척의 띠형상의 것이어도 되며, 이것을 권취해도 된다. 지지 시트로는, 박리 시트를 들 수 있고, 또한, 후술하는 점착 시트를 사용할 수 있다.The composite sheet for forming a protective film is obtained by forming the supporting sheet on the second surface side of the protective film forming film so as to be peelable. The shape of the composite sheet for forming a protective film is not limited to one having a sheet-like shape, and may be a long strip-shaped sheet or it may be wound. As the support sheet, a release sheet can be exemplified, and a pressure-sensitive adhesive sheet to be described later can be used.

보호막 형성용 복합 시트는 각종 피착체에 첩부되고, 경우에 따라서는 보호막 형성용 복합 시트 상에서 피착체에 다이싱 등의 필요한 가공이 실시된다. 그 후, 보호막 형성용 필름을 피착체에 고착 잔존시켜 지지 시트를 박리한다. 즉, 보호막 형성용 필름을 지지 시트로부터 피착체에 전사하는 공정을 포함하는 프로세스에 사용된다.The composite sheet for forming a protective film is attached to various adherends, and in some cases, the adherend is subjected to necessary processing such as dicing on the composite sheet for forming a protective film. Thereafter, the film for forming a protective film is fixed and remained on the adherend, and the supporting sheet is peeled off. That is, it is used in a process including a step of transferring the protective film forming film from the support sheet to the adherend.

보호막 형성용 필름은 지지 시트와 동일 형상으로 할 수 있다. 또한, 보호막 형성용 복합 시트는 보호막 형성용 필름이 웨이퍼와 대략 동일 형상 또는 웨이퍼의 형상을 전부 포함할 수 있는 형상으로 조제된 것으로, 보호막 형성용 필름보다 큰 사이즈의 지지 시트 상에 적층되어 있는, 이른바 사전 성형 구성을 취하고 있어도 된다.The protective film forming film may have the same shape as the supporting sheet. The composite sheet for forming a protective film is prepared in such a manner that the film for forming a protective film has substantially the same shape as the wafer or a shape that can fully include the shape of the wafer and is formed on a support sheet having a size larger than that of the protective film- Called pre-forming configuration may be adopted.

박리 시트로는, 예를 들면, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌초산비닐 공중합체 필름, 아이오노머 수지 필름, 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌·(메타)아크릴산에스테르 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리이미드 필름, 불소 수지 필름 등이 사용된다. 또한, 이들 가교 필름도 사용된다. 또한, 이들 적층 필름이어도 된다.Examples of the release sheet include a polyethylene film, a polypropylene film, a polybutene film, a polybutadiene film, a polymethylpentene film, a polyvinyl chloride film, a vinyl chloride copolymer film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, (Meth) acrylic acid copolymer film, an ethylene / (meth) acrylic acid ester copolymer film, a polystyrene film, a polycarbonate film, a polypropylene film, a polypropylene film, a polybutylene terephthalate film, , A polyimide film, a fluororesin film, and the like are used. These crosslinked films are also used. These laminated films may also be used.

박리 시트의 보호막 형성용 필름에 접하는 면의 표면 장력은 바람직하게는 40mN/m 이하, 더욱 바람직하게는 37mN/m 이하, 특히 바람직하게는 35mN/m 이하이다. 하한값은 통상 25mN/m 정도이다. 이러한 표면 장력이 비교적 낮은 박리 시트는 재질을 적절히 선택하여 얻는 것이 가능하고, 또한, 박리 시트의 표면에 박리제를 도포하여 박리 처리를 실시함으로써 얻을 수도 있다.The surface tension of the surface of the release sheet in contact with the protective film forming film is preferably 40 mN / m or less, more preferably 37 mN / m or less, particularly preferably 35 mN / m or less. The lower limit value is usually about 25 mN / m. Such a release sheet having a relatively low surface tension can be obtained by appropriately selecting a material and can also be obtained by applying a release agent to the surface of the release sheet and carrying out a release treatment.

박리 처리에 사용되는 박리제로는, 알키드계, 실리콘계, 불소계, 불포화 폴리에스테르계, 폴리올레핀계, 왁스계 등이 사용되지만, 특히 알키드계, 실리콘계, 불소계의 박리제가 내열성을 가지므로 바람직하다.As the releasing agent to be used for the peeling treatment, an alkyd type, a silicone type, a fluorine type, an unsaturated polyester type, a polyolefin type, a wax type and the like are used, but an alkyd type, a silicone type and a fluorine type releasing agent are particularly preferable because they have heat resistance.

상기 박리제를 사용하여 박리 시트의 기체가 되는 필름 등의 표면을 박리 처리하기 위해서는 박리제를 그대로 무용제로, 또는 용제 희석이나 에멀션화하고, 그라비아 코터, 메이어 바 코터, 에어 나이프 코터, 롤 코터 등에 의해 도포하여, 박리제가 도포된 박리 시트를 상온하 또는 가열하에 제공하거나, 또는 전자선에 의해 경화시켜 박리제층을 형성시키면 된다.In order to peel off the surface of a film or the like to be the base of the release sheet by using the release agent, the release agent may be directly applied as a solvent or diluted with solvent or emulsified and applied by a gravure coater, a Meyer bar coater, an air knife coater, The release sheet coated with the release agent may be provided at room temperature or under heating or may be cured by electron beam to form the release agent layer.

또한, 웨트 라미네이션이나 드라이 라미네이션, 열 용융 라미네이션, 용융 압출 라미네이션, 공압출 가공 등에 의해 필름의 적층을 행함으로써 박리 시트의 표면 장력을 조정해도 된다. 즉, 적어도 일방의 면의 표면 장력이 상기 서술한 박리 시트의 보호막 형성용 필름과 접하는 면의 것으로서 바람직한 범위 내에 있는 필름을 당해 면이 보호막 형성용 필름과 접하는 면이 되도록, 다른 필름과 적층한 적층체를 제조하여, 박리 시트로 해도 된다.Further, the surface tension of the release sheet may be adjusted by laminating the films by wet lamination, dry lamination, hot melt lamination, melt extrusion lamination, coextrusion processing or the like. That is, a film having a surface tension of at least one surface which is in contact with the protective film forming film of the above-mentioned peeling sheet is within a preferable range, so that the surface of the film is in contact with the protective film forming film, A release sheet may be produced.

보호막 형성용 복합 시트 상에서 피착체에 다이싱 등의 필요한 가공이 실시되는 경우에는 기재 상에 점착제층을 형성한 점착 시트를 지지 시트로서 사용하는 것이 바람직하다. 이 양태에 있어서는 보호막 형성용 필름은 지지 시트에 형성된 점착제층 상에 적층된다. 점착 시트의 기재로는, 박리 시트로서 예시한 상기 필름을 들 수 있다. 점착제층은 보호막 형성용 필름을 박리할 수 있을 정도의 점착력을 갖는 약점착성의 것을 사용해도 되고, 에너지선 조사에 의해 점착력이 저하되는 에너지선 경화성 것을 사용해도 된다.In the case where an adherend is subjected to necessary processing such as dicing on a protective sheet-forming composite sheet, it is preferable to use a pressure-sensitive adhesive sheet having a pressure-sensitive adhesive layer formed thereon as a supporting sheet. In this embodiment, the protective film-forming film is laminated on the pressure-sensitive adhesive layer formed on the support sheet. As the base material of the adhesive sheet, the above-mentioned films exemplified as the release sheet can be mentioned. The pressure-sensitive adhesive layer may be a weakly adhesive one having an adhesive force enough to peel off the protective film forming film, or an energy ray curable one having an adhesive force lowered by energy ray irradiation.

점착제층은 종래부터 공지의 여러 점착제(예를 들면, 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 우레탄계, 비닐에테르계 등의 범용 점착제, 표면 요철이 있는 점착제, 에너지선 경화형 점착제, 열팽창 성분 함유 점착제 등)에 의해 형성할 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer is formed by a conventionally known various pressure-sensitive adhesives (for example, general-purpose pressure-sensitive adhesives such as rubber, acrylic, silicone, urethane, and vinyl ether adhesives, pressure-sensitive adhesives with surface roughness, energy ray curable pressure sensitive adhesives, can do.

보호막 형성용 복합 시트의 구성이 이러한 구성이면, 보호막 형성용 복합 시트가 다이싱 공정에 있어서 피착체를 지지하기 위한 다이싱 시트로서 기능하는 경우에 지지 시트와 보호막 형성용 필름 사이의 밀착성이 유지되고, 다이싱 공정에 있어서 보호막 형성용 필름이 형성된 칩이 지지 시트로부터 박리되는 것을 억제한다는 효과가 얻어진다. 보호막 형성용 복합 시트가 다이싱 공정에 대해 피착체를 지지하기 위한 다이싱 시트로서 기능하는 경우, 다이싱 공정에 있어서 보호막 형성용 필름이 형성된 웨이퍼에 별도 다이싱 시트를 첩합하여 다이싱을 할 필요가 없어져, 반도체 장치의 제조 공정을 간략화할 수 있다.If the composite sheet for forming a protective film has such a constitution, the adhesion between the support sheet and the protective film-forming film is maintained when the protective sheet-forming composite sheet functions as a dicing sheet for supporting the adherend in the dicing step , It is possible to obtain an effect of suppressing peeling of the chip on which the protective film forming film is formed from the supporting sheet in the dicing step. When the protective sheet-forming composite sheet functions as a dicing sheet for supporting an adherend with respect to the dicing step, it is necessary to dice another dicing sheet on the wafer on which the protective film forming film is formed in the dicing step So that the manufacturing process of the semiconductor device can be simplified.

보호막 형성용 복합 시트가 사전 성형 구성을 취하는 경우에 있어서는 보호막 형성용 복합 시트를 다음의 제1, 제2 또는 제3 구성으로 해도 된다. 이하, 보호막 형성용 복합 시트(100)의 각 구성에 대해 도 2∼4를 사용하여 설명한다.In the case where the composite sheet for forming a protective film has a preforming configuration, the composite sheet for forming a protective film may be the following first, second, or third configuration. Hereinafter, each configuration of the protective sheet-forming composite sheet 100 will be described with reference to Figs. 2 to 4. Fig.

제1 구성은 도 2에 나타내는 바와 같이, 보호막 형성용 필름(10)의 제2 표면측에, 기재(1) 상에 점착제층(2)이 형성된 점착 시트(3)가 박리 가능하게 형성된 구성으로서, 당해 점착제층은 에너지선 경화성이며, 보호막 형성용 필름이 적층되는 영역에 미리 에너지선 조사를 행하여, 점착성을 저감시키는 한편, 다른 영역은 에너지선 조사를 행하지 않고, 점착력을 높은 그대로 유지한 구성이다. 다른 영역에만 에너지선 조사를 행하지 않게 하려면, 예를 들면, 지지 시트의 다른 영역에 대응하는 영역에 인쇄 등에 의해 에너지선 차폐층을 형성하고, 지지 시트측으로부터 에너지선 조사를 행하면 된다.As shown in Fig. 2, the first configuration is a configuration in which a pressure-sensitive adhesive sheet 3 on which a pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed on a substrate 1 is removably formed on a second surface side of the protective film- , The pressure-sensitive adhesive layer is energy ray-curable, and the area where the protective film-forming film is laminated is previously subjected to energy ray irradiation to reduce the tackiness, while the other area is kept without being subjected to energy ray irradiation and the adhesive strength is kept high . In order not to irradiate the energy ray only to other regions, for example, an energy ray shielding layer may be formed by printing or the like in a region corresponding to another region of the support sheet, and energy ray irradiation may be performed from the support sheet side.

제2 구성은 도 3에 나타내는 바와 같이, 보호막 형성용 복합 시트(100)의 점착제층(2) 상에, 보호막 형성용 필름(10)과 겹치지 않는 영역에 별도 지그 접착층(4)을 형성한 구성이다. 지그 접착층으로는, 심재를 갖는 양면 점착 시트나, 점착제의 단층으로 이루어지는 층을 채용할 수 있다.As shown in FIG. 3, the second structure is a structure in which a separate jig adhesive layer 4 is formed on the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the composite sheet 100 for forming a protective film, to be. As the jig adhesive layer, a double-sided pressure-sensitive adhesive sheet having a core material or a single layer of a pressure-sensitive adhesive may be employed.

제3 구성은 도 4에 나타내는 바와 같이, 보호막 형성용 필름(10)과 점착제층(2) 사이에, 추가로 보호막 형성용 필름의 형상을 전부 포함할 수 있는 형상의 계면 접착 조정층(5)을 형성한 구성이다. 계면 접착 조정층은 소정의 필름이어도 되고, 계면 접착 조정 점착제층이어도 된다. 계면 접착 조정 점착제층은 에너지선 경화성 점착제에 미리 에너지선 조사를 행하여 경화시킨 것인 것이 바람직하다.4, an interfacial adhesion adjustment layer 5 is formed between the protective film forming film 10 and the pressure-sensitive adhesive layer 2 so as to further include the shape of the protective film forming film, . The interfacial adhesion adjustment layer may be a predetermined film or an interfacial adhesion adjustment pressure-sensitive adhesive layer. It is preferable that the interfacial adhesion adjustment pressure-sensitive adhesive layer is formed by curing the energy beam curable pressure-sensitive adhesive with energy ray irradiation in advance.

보호막 형성용 복합 시트를, 이들 제1 내지 제3 구성으로 함으로써, 보호막 형성용 필름을 둘러싸는 영역에 있어서는, 점착제층 또는 지그 접착층의 충분한 접착성에 의해, 보호막 형성용 복합 시트를 지그에 접착할 수 있다. 이와 함께, 보호막 형성용 필름과 점착제층 또는 계면 접착 조정층의 계면에 있어서의 접착성을 제어하여, 보호막 형성용 필름 또는 보호막이 고착된 칩의 픽업을 용이하게 할 수 있다.By forming the composite sheet for forming a protective film with these first to third constitutions, it is possible to adhere the protective sheet-forming composite sheet to the jig by the sufficient adhesiveness of the pressure-sensitive adhesive layer or the jig adhesive layer in the region surrounding the protective film- have. In addition, it is possible to facilitate the pickup of a chip to which a protective film-forming film or a protective film is adhered by controlling the adhesiveness at the interface between the protective film-forming film and the pressure-sensitive adhesive layer or the interfacial adhesion adjusting layer.

보호막 형성용 복합 시트가 사전 성형 구성을 취하지 않는 경우, 즉, 도 5에 나타내는 바와 같이, 보호막 형성용 필름(10)과 지지 시트(도 5에 있어서는, 기재(1) 상에 점착제층(2)이 형성된 점착 시트(3))를 동일 형상으로 했을 경우에 있어서, 보호막 형성용 필름(10)의 표면(제1 표면)의 외주부에는 지그 접착층(4)이 형성되어 있어도 된다. 지그 접착층으로는, 상술한 것과 동일한 것을 사용할 수 있다.5, the protective film forming film 10 and the supporting sheet (in Fig. 5, the pressure-sensitive adhesive layer 2 on the substrate 1) The jig adhesive layer 4 may be formed on the outer peripheral portion of the surface (first surface) of the protective film forming film 10 in the case where the adhesive sheet 3 in which the adhesive film 3 is formed has the same shape. As the jig adhesive layer, the same materials as those described above can be used.

지지 시트의 두께는 통상은 10∼500㎛, 바람직하게는 15∼300㎛, 특히 바람직하게는 20∼250㎛이다. 점착제층을 형성하는 경우에는 지지 시트 중 3∼50㎛가 점착제층의 두께이다.The thickness of the support sheet is usually 10 to 500 mu m, preferably 15 to 300 mu m, particularly preferably 20 to 250 mu m. When the pressure-sensitive adhesive layer is formed, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is 3 to 50 占 퐉 in the supporting sheet.

보호막 형성용 필름의 제1 표면에는 커버 필름을 가착해 두어도 된다. 커버 필름은 지지 시트가 점착 시트인 경우의 점착제층이나, 지그 접착층을 덮고 있어도 된다. 커버 필름은 상기 서술한 박리 시트와 동일한 것을 사용할 수 있다.A cover film may be adhered to the first surface of the protective film-forming film. The cover film may cover the pressure-sensitive adhesive layer or the jig adhesive layer when the support sheet is an adhesive sheet. The cover film may be the same as the above-mentioned release sheet.

커버 필름의 막두께는 통상은 5∼300㎛, 바람직하게는 10∼200㎛, 특히 바람직하게는 20∼150㎛ 정도이다.The film thickness of the cover film is usually 5 to 300 mu m, preferably 10 to 200 mu m, particularly preferably 20 to 150 mu m or so.

이러한 보호막 형성용 복합 시트의 보호막 형성용 필름은 피착체의 보호막으로 할 수 있다. 보호막 형성용 필름은 페이스 다운 방식의 칩용 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩의 이면에 첩부되고, 적당한 수단에 의해 경화되어 봉지 수지의 대체로서 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩을 보호하는 기능을 갖는다. 반도체 웨이퍼에 첩부했을 경우에는 보호막이 웨이퍼를 보강하는 기능을 갖기 때문에 웨이퍼의 파손등을 방지할 수 있다.The film for forming a protective film of such a composite sheet for forming a protective film may be a protective film for an adherend. The film for forming a protective film is attached to the back face of a semiconductor wafer for a face-down chip or a semiconductor chip, and has a function of protecting the semiconductor wafer or the semiconductor chip as a substitute for the sealing resin by being cured by appropriate means. When the semiconductor wafer is attached to the semiconductor wafer, the protective film has a function of reinforcing the wafer, so that damage to the wafer can be prevented.

[반도체 장치의 제조 방법][Method of Manufacturing Semiconductor Device]

다음으로, 본 발명의 보호막 형성용 필름의 사용 방법에 대해, 상술한 보호막 형성용 복합 시트를 반도체 장치의 제조에 적용했을 경우를 예로 들어 설명한다.Next, a method of using the protective film forming film of the present invention will be described by taking the case of applying the above-described protective film forming composite sheet to the production of a semiconductor device as an example.

본 발명에 있어서의 반도체 장치의 제조 방법은 상기 보호막 형성용 복합 시트의 보호막 형성용 필름을 반도체 웨이퍼에 첩부하여, 보호막을 갖는 반도체 칩을 얻는 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 이면에, 보호막 형성용 복합 시트의 보호막 형성용 필름을 첩부하고, 그 후, 이면에 보호막을 갖는 반도체 칩을 얻는다. 당해 보호막은 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩의 보호막인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서의 반도체 장치의 제조 방법은 바람직하게는 이하의 공정(1)∼(5)를 추가로 포함하고, 공정(1)∼(4)를 이 순서로 행하고, 공정(5)를 임의의 순서로 행하는 것을 특징으로 하고 있다. 또한, 상술한 바와 같이 지지 시트로서 점착 시트를 사용하는 경우에는 반도체 장치의 제조 공정을 간략화하는 관점에서, 공정(5)를 공정(1)의 전에 행하는 것이 바람직하다.The method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention preferably includes a step of attaching the protective film forming film of the composite sheet for forming a protective film to a semiconductor wafer to obtain a semiconductor chip having a protective film. Specifically, a film for forming a protective film of a composite sheet for protecting film is attached to the back surface of a semiconductor wafer having a circuit formed on its surface, and then a semiconductor chip having a protective film on the back surface thereof is obtained. The protective film is preferably a protective film of a semiconductor wafer or a semiconductor chip. The manufacturing method of the semiconductor device according to the present invention preferably further includes the following steps (1) to (5), and the steps (1) to (4) Are performed in an arbitrary order. When the adhesive sheet is used as the support sheet as described above, the step (5) is preferably carried out before the step (1) in order to simplify the manufacturing process of the semiconductor device.

공정(1): 보호막 형성용 필름과 지지 시트를 박리함.Step (1): The protective film-forming film and the supporting sheet are peeled off.

공정(2): 보호막 형성용 필름을 지지체에 재치함.Step (2): A film for forming a protective film is placed on a support.

공정(3): 보호막 형성용 필름을 경화하여 보호막을 얻음.Step (3): The film for forming a protective film is cured to obtain a protective film.

공정(4): 보호막과 지지체를 박리함.Step (4): The protective film and the support are peeled off.

공정(5): 반도체 웨이퍼와, 보호막 형성용 필름 또는 보호막을 다이싱함.Step (5): A semiconductor wafer and a protective film-forming film or protective film are diced.

또한, 본 발명에 있어서의 반도체 장치의 제조 방법은 상기 공정(1)∼(5) 이외에, 하기 공정(6)을 추가로 포함하고 있어도 되고, 상기 공정(4)의 뒤에, 공정(6)을 행할 수도 있다.The method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention may further include the following step (6) in addition to the steps (1) to (5) .

공정(6): 보호막에 레이저 인자함.Step (6): laser beam is applied to the protective film.

반도체 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼여도 되고, 또한 갈륨·비소 등의 화합물 반도체 웨이퍼여도 된다. 웨이퍼 표면에 대한 회로의 형성은 에칭법, 리프트 오프법 등의 종래부터 범용되고 있는 방법을 포함하는 여러 방법에 의해 행할 수 있다. 이어서, 반도체 웨이퍼의 회로면의 반대면(이면)을 연삭한다. 연삭법은 특별히 한정은 되지 않고, 그라인더 등을 사용한 공지의 수단으로 연삭해도 된다. 이면 연삭시에는 표면의 회로를 보호하기 위해 회로면에 표면 보호 시트로 불리는 점착 시트를 첩부한다. 이면 연삭은 웨이퍼의 회로면측(즉, 표면 보호 시트측)을 척 테이블 등에 의해 고정하고, 회로가 형성되어 있지 않은 이면측을 그라인더에 의해 연삭한다. 웨이퍼의 연삭 후의 두께는 특별히 한정은 되지 않지만, 통상은 50∼500㎛ 정도이다.The semiconductor wafer may be a silicon wafer or a compound semiconductor wafer such as gallium arsenide. The formation of a circuit with respect to the wafer surface can be performed by various methods including a conventionally used method such as an etching method and a lift-off method. Then, the opposite surface (back surface) of the circuit surface of the semiconductor wafer is ground. The grinding method is not particularly limited, and may be ground by a known means using a grinder or the like. When grinding the back side, an adhesive sheet called a surface protection sheet is attached to the circuit surface to protect the circuit on the surface. The back surface grinding is performed by grinding the back surface side on which the circuit is not formed by the grinder while the circuit surface side (i.e., the surface protective sheet side) of the wafer is fixed by a chuck table or the like. The thickness of the wafer after grinding is not particularly limited, but is usually about 50 to 500 mu m.

그 후, 필요에 따라 이면 연삭시에 생긴 파쇄층을 제거한다. 파쇄층의 제거는 케미컬 에칭이나, 플라스마 에칭 등에 의해 행해진다.Thereafter, if necessary, the crushed layer formed during the back grinding is removed. The removal of the crushed layer is performed by chemical etching, plasma etching, or the like.

이어서, 반도체 웨이퍼의 이면에, 상기 보호막 형성용 복합 시트의 보호막 형성용 필름을 첩부한다. 그 후, 공정(1)∼(4)를 이 순서로 행하고, 공정(5)를 임의의 순서로 행한다. 일례로서 공정(5), (1), (2), (3), (4)의 순서로 행하는 경우에 대해 설명한다.Then, a film for forming a protective film of the above-mentioned composite sheet for protecting film is pasted on the back surface of the semiconductor wafer. Thereafter, the steps (1) to (4) are performed in this order and the step (5) is performed in an arbitrary order. As an example, the case of performing in the order of steps (5), (1), (2), (3), and (4) will be described.

우선, 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 이면에, 상기 보호막 형성용 복합 시트의 보호막 형성용 필름(제1 표면)을 첩부한다.First, a protective film forming film (first surface) of the above-described composite sheet for protecting film is pasted on the back surface of a semiconductor wafer having a circuit formed on its surface.

이어서, 반도체 웨이퍼와 보호막 형성용 필름을 웨이퍼 표면에 형성된 회로마다 다이싱한다. 다이싱은 웨이퍼와 보호막 형성용 필름을 함께 절단하도록 행해진다. 보호막 형성용 복합 시트 상에서 반도체 웨이퍼를 다이싱하는 경우(공정(5)를 공정(1)보다 전에 행하는 경우)에는 보호막 형성용 복합 시트의 지지 시트로서 점착 시트를 사용하는 것이 바람직하고, 이 점착 시트가 보호막 형성용 필름을 개재하여 반도체 웨이퍼를 지지하는 다이싱 시트의 역할을 완수할 수 있다. 이 경우, 보호막 형성용 복합 시트의 내주부에 보호막 형성용 필름을 개재하여 반도체 웨이퍼가 첩부되고, 보호막 형성용 복합 시트의 외주부가 링 프레임 등의 다른 지그와 접합함으로써, 반도체 웨이퍼에 첩부된 보호막 형성용 복합 시트가 장치에 고정되고, 다이싱이 행해진다. 보호막 형성용 복합 시트 상에서의 반도체 웨이퍼의 다이싱은 공지의 다이싱 시트를 사용한 상법과 동일하게 행해진다.Subsequently, the semiconductor wafer and the protective film forming film are diced for each circuit formed on the wafer surface. The dicing is performed to cut the wafer and the protective film forming film together. It is preferable to use an adhesive sheet as a supporting sheet of a composite sheet for forming a protective film when dicing a semiconductor wafer on a protective sheet forming composite sheet (in the case of performing the step (5) before the step (1)), Can fulfill the role of the dicing sheet for supporting the semiconductor wafer via the protective film forming film. In this case, the semiconductor wafer is bonded to the inner peripheral portion of the protective film-forming composite sheet through the protective film forming film, and the outer peripheral portion of the protective film forming composite sheet is bonded to another jig such as a ring frame, Is fixed to the apparatus, and dicing is performed. The dicing of the semiconductor wafer on the protective sheet-forming composite sheet is carried out in the same manner as the conventional method using a dicing sheet.

그 후, 다이싱된 칩(보호막 형성용 필름이 형성된 칩)을 콜릿 등의 범용 수단에 의해 픽업함으로써, 보호막 형성용 필름의 제2 표면으로부터 지지 시트를 박리한다.Thereafter, the dicing chip (chip on which the protective film forming film is formed) is picked up by a general means such as a collet to peel the support sheet from the second surface of the protective film forming film.

이어서, 보호막 형성용 필름(제2 표면)에 지지체를 가고정하고, 칩, 보호막 형성용 필름 및 지지체의 순서로 적층된 적층체를 얻는다.Subsequently, the support is temporarily fixed on the protective film-forming film (second surface), and a laminate obtained by laminating the chip, the protective film-forming film and the support in this order is obtained.

지지체는 그 표면이 평활성을 갖는 재질이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 실리콘 웨이퍼, 유리판, 폴리메틸메타크릴레이트판 등의 유기 수지로 이루어지는 판 등을 들 수 있다. 이들 지지체의 표면 조도(Ra)는 바람직하게는 200㎚ 이하, 보다 바람직하게는 0.01∼100㎚이다. 본 발명에 있어서의 표면 조도(산술 평균 조도 Ra)는 JIS B0601;2001에 기초하여, 측정 길이 10㎜, 주사 속도 0.1mm/초, 데이터 샘플링 피치 80㎛로서 표면 조도계((주)미츠토요 제조 SV-3000S4)에 의해 측정되는 값이다. 또한, 보호막 형성용 필름이 열경화성을 갖는 경우에는 지지체는 내열성을 갖는 것이 바람직하다. 내열성을 갖는 지지체로는, 예를 들면, 실리콘 웨이퍼, 유리판을 들 수 있다.The support is not particularly limited as long as its surface is a material having smoothness, and examples thereof include a plate made of an organic resin such as a silicon wafer, a glass plate, and a polymethyl methacrylate plate. The surface roughness (Ra) of these supports is preferably 200 nm or less, and more preferably 0.01 to 100 nm. The surface roughness (arithmetic mean roughness Ra) in the present invention was measured with a surface roughness meter (manufactured by Mitsutoyo Co., Ltd., SV) under the conditions of a measuring length of 10 mm, a scanning speed of 0.1 mm / sec, and a data sampling pitch of 80 탆 based on JIS B0601; -3000S4). When the protective film forming film has a thermosetting property, the support preferably has heat resistance. Examples of the support having heat resistance include a silicon wafer and a glass plate.

그 후, 보호막 형성용 필름을 열경화 또는 에너지선 경화하여, 칩 이면에 보호막을 형성한다. 보호막 형성용 필름에 열경화성 성분(B1) 또는 열경화성의 경화성 중합성 성분(AB)가 배합되고, 또한 에너지선 경화성 성분(B2) 또는 에너지선 경화성의 경화성 중합체 성분(AB)가 배합되어 있는 경우에는 가열 및 에너지선 조사에 의한 경화를 동시에 행해도 되고, 순차적으로 행해도 된다. 조사되는 에너지선으로는, 자외선(UV) 또는 전자선(EB) 등을 들 수 있고, 바람직하게는 자외선이 사용된다. 이 결과, 칩 이면에 경화 수지로 이루어지는 보호막이 형성되고, 칩 단독의 경우와 비교하여 강도가 향상되므로, 얇아진 칩 취급시의 파손을 저감시킬 수 있다. 또한, 칩의 이면에 직접 수지막용 도포액을 도포·피막화하는 코팅법과 비교하여, 보호막의 두께의 균일성이 우수하다.Thereafter, the protective film forming film is heat-cured or energy cured to form a protective film on the back surface of the chip. When the protective film forming film is blended with the thermosetting component (B1) or the thermosetting curable polymerizable component (AB) and the energy ray curable component (B2) or the energy ray curable curable polymer component (AB) And curing by energy ray irradiation may be performed at the same time or sequentially. Examples of the energy ray to be irradiated include ultraviolet (UV) rays or electron beams (EB), and ultraviolet rays are preferably used. As a result, a protective film made of a hardened resin is formed on the back surface of the chip, and the strength is improved as compared with the case of a single chip, so that breakage at the time of handling a thin chip can be reduced. In addition, the uniformity of the thickness of the protective film is superior to the coating method in which the coating liquid for the resin film is applied directly to the back surface of the chip.

이어서, 보호막으로부터 지지체를 박리하여, 보호막이 형성된 칩을 얻는다. 이러한 본 발명에 의하면, 두께의 균일성이 높은 보호막을 칩 이면에 간편하게 형성할 수 있고, 다이싱 공정이나 패키징 후의 크랙이 발생하기 어려워진다. 또한, 지지체를 보호막 형성용 필름(제2 표면)에 가고정하고, 그 후 경화하기 때문에, 제2 표면에 있어서 경화 반응에서 기인한 변형이 억제되고, 지지체 표면의 평활성을 제2 표면에 전사할 수 있다. 그 결과, 경화 후의 제2 표면의 평활성이 향상되고, 후술하는 레이저 인자 공정에 있어서, 보호막의 제2 표면에 레이저 인자된 문자의 시인성이 향상된다.Then, the support is peeled off from the protective film to obtain a chip on which the protective film is formed. According to the present invention, a protective film having high uniformity in thickness can be easily formed on the back surface of the chip, and cracking after the dicing step or packaging becomes difficult to occur. Further, since the support is temporarily fixed on the protective film-forming film (second surface), and then hardened, the deformation caused by the curing reaction on the second surface is suppressed and the smoothness of the surface of the support can be transferred to the second surface have. As a result, the smoothness of the second surface after curing is improved, and the visibility of the laser-printed characters on the second surface of the protective film is improved in the later-described laser printing process.

이어서, 보호막(제2 표면)에 레이저 인자하는 것이 바람직하다. 레이저 인자는 레이저 마킹법에 의해 행해지고, 레이저광의 조사에 의해 보호막의 표면을 절삭함으로써 보호막에 품번 등을 마킹한다. 본 발명에 있어서의 반도체 장치의 제조 방법에 의하면, 보호막의 제2 표면은 지지체의 평활성이 전사되어 있기 때문에, 지지체와 동일한 정도의 평활성을 갖는다. 이 때문에, 보호막의 제2 표면에 인자된 품번 등의 시인성이 우수하다.Then, it is preferable to laser-coat the protective film (second surface). Laser marking is performed by laser marking, and the surface of the protective film is cut by irradiation with laser light to mark the protective film on the part number or the like. According to the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, since the smoothness of the support is transferred to the second surface of the protective film, the second surface has the same level of smoothness as the support. Therefore, the visibility such as the part number printed on the second surface of the protective film is excellent.

마지막으로, 보호막이 형성된 칩을 페이스 다운 방식으로 소정의 기대 상에 실장함으로써 반도체 장치를 제조할 수 있다. 또한, 이면에 보호막을 갖는 반도체 칩을 다이 패드부 또는 다른 반도체 칩 등의 다른 부재 상(칩 탑재부 상)에 접착함으로써, 반도체 장치를 제조할 수도 있다.Finally, a semiconductor device can be manufactured by mounting a chip on which a protective film is formed in a face-down manner on a predetermined base. The semiconductor device may also be manufactured by bonding a semiconductor chip having a protective film on its back surface to another member (chip mounting portion) such as a die pad portion or another semiconductor chip.

본 발명의 보호막 형성용 필름이나 당해 필름을 사용한 보호막 형성용 복합 시트는 상기와 같은 사용 방법 이외에, 반도체 화합물, 유리, 세라믹스, 금속 등의 보호에 사용할 수도 있다.The protective film-forming film or the protective film-forming composite sheet using the film of the present invention may be used for protecting semiconductor compounds, glass, ceramics, metals, etc., in addition to the above-described methods of use.

실시예Example

이하, 본 발명을 실시예에 의해 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하의 실시예 또는 비교예에 있어서, <제2 표면에 있어서의 재박리성>, <제1 표면 및 제2 표면의 접착력>, <프로브 택값> 및 <레이저 마킹 적성>은 이하와 같이 측정·평가하였다.Hereinafter, the present invention will be described by way of examples, but the present invention is not limited to these examples. <Re-peelability on the second surface>, <Adhesion of the first and second surfaces>, <Probe tack> and <Laser marking suitability> in the following examples or comparative examples are as follows Respectively.

<제2 표면에 있어서의 재박리성> &Lt; Re-peelability on the second surface &gt;

점착 시트 첩부 장치(린텍(주) 제조 Adwill RAD3600F12)를 이용하여, 테이블 온도 60℃에서 보호막 형성용 필름의 제1 표면을 350㎛ 두께로 연마한 실리콘 웨이퍼의 연마면(2000번 마무리)에 첩부하여, 실리콘 웨이퍼와 보호막 형성용 필름의 적층체를 얻었다.The first surface of the protective film forming film was affixed to a polished surface (finish No. 2000) of a silicon wafer polished to a thickness of 350 占 퐉 at a table temperature of 60 占 폚 using an adhesive sheet attaching device (Adwill RAD3600F12 manufactured by Lintec Co., Ltd.) , A laminate of a silicon wafer and a film for forming a protective film was obtained.

이어서, 상기 적층체의 보호막 형성용 필름측(제2 표면)에 다이싱 테이프(린텍(주) 제조 D-676H)를 첩부하고, 상기 적층체를 2㎜×2㎜로 다이싱하고, 픽업함으로써 보호막 형성용 필름이 형성된 칩을 얻었다.Subsequently, a dicing tape (D-676H, manufactured by LINTEC CO., LTD.) Was stuck to the protective film forming film side (second surface) of the laminate, and the laminate was diced to 2 mm x 2 mm and picked up A chip having a film for forming a protective film was formed.

도 6에 나타내는 바와 같이, 상기 칩의 보호막 형성용 필름의 제2 표면을 지지체(7)(500㎛ 두께 실리콘 웨이퍼)의 연마면(2000번 마무리) 위에, 100℃, 300g, 10초간 첩부하였다. 이어서, 보호막 형성용 필름을 130℃에서 2시간 열경화하고, 지지체(7)와 보호막(11)과 칩(8)의 적층체를 얻었다.6, the second surface of the protective film-forming film of the chip was stuck on the polished surface (finish No. 2000) of the support 7 (500 탆 thick silicon wafer) at 100 캜, 300 g, and 10 seconds. Then, the protective film forming film was thermally cured at 130 캜 for 2 hours to obtain a laminate of the support 7, the protective film 11 and the chip 8.

그 후, 전단 강도 측정기(Dage사 제조 본드 테스터 Dage series4000)의 전단 강도 측정 툴(6)을 사용하여 상기 적층체의 지지체(7)를 고정하고, 측정 속도 200㎛/초, 측정 온도 23℃의 조건으로 보호막이 형성된 칩(20)에 측면으로부터 하중을 가하여 지지체(7)로부터 박리하였다. 이 때, 보호막(11)과 지지체(7)의 계면에서 박리할 수 있는 경우를 「양호」로 평가하고, 보호막(11)과 칩(8)의 계면에서 보호막(11)이 부분 박리를 일으키고, 칩(8)이 노출되었을 경우나, 지지체(7) 상에 보호막(11)이 남아 있는 경우를 「불량」으로 평가하였다. 지지체(7)와 보호막(11)과 칩(8)의 적층체 10개에 대해, 상기 평가를 행하여, 평가가 「양호」인 개수를 세었다.Thereafter, the support 7 of the laminate was fixed by using a shearing strength measuring tool 6 of a shear strength meter (Dage series Dage series 4000 manufactured by Dage), and the measurement was carried out at a measurement speed of 200 m / A chip was peeled from the support 7 by applying a load from the side to the chip 20 having the protective film formed thereon. The case where the protective film 11 can be peeled off at the interface between the protective film 11 and the support 7 is evaluated as "good", and the protective film 11 causes partial peeling at the interface between the protective film 11 and the chip 8, The case where the chip 8 was exposed or the case where the protective film 11 remained on the support 7 was evaluated as &quot; defective &quot;. The above evaluation was made on 10 stacked bodies of the support 7, the protective film 11 and the chip 8, and the number of evaluations was evaluated as &quot; good &quot;.

<제1 표면 및 제2 표면의 접착력> &Lt; Adhesion of first surface and second surface &gt;

점착 시트 첩부 장치(린텍(주) 제조 Adwill RAD3600F12)를 이용하여, 테이블 온도 60℃에서 보호막 형성용 필름의 제1 표면을, 500㎛ 두께로 연마한 실리콘 웨이퍼의 연마면(2000번 마무리)에 첩부하여, 실리콘 웨이퍼와 보호막 형성용 필름의 적층체를 얻었다.The first surface of the film for forming a protective film was attached to a polishing surface (finish No. 2000) of a silicon wafer polished to a thickness of 500 mu m at a table temperature of 60 DEG C using an adhesive sheet attaching device (Adwill RAD3600F12 manufactured by Lintec Co., Ltd.) Thus, a laminated body of a silicon wafer and a film for forming a protective film was obtained.

이어서, 상기 적층체의 보호막 형성용 필름측(제2 표면)에 다이싱 테이프(린텍(주) 제조 D-676H)를 첩부하고, 상기 적층체를 2㎜×2㎜로 다이싱하고, 픽업함으로써 보호막 형성용 필름을 갖는 칩을 얻었다.Subsequently, a dicing tape (D-676H, manufactured by LINTEC CO., LTD.) Was stuck to the protective film forming film side (second surface) of the laminate, and the laminate was diced to 2 mm x 2 mm and picked up A chip having a film for forming a protective film was obtained.

이어서, 보호막 형성용 필름을 130℃에서 2시간 열경화하여, 보호막이 형성된 칩을 얻었다. 보호막이 형성된 칩의 보호막(제2 표면)을 금속판에 접착제로 고정하였다.Then, the protective film forming film was thermally cured at 130 캜 for 2 hours to obtain a chip having a protective film formed thereon. The protective film (second surface) of the chip with the protective film formed thereon was fixed to the metal plate with an adhesive.

그 후, 도 7에 나타내는 바와 같이, 전단 강도 측정기(Dage사 제조 본드 테스터 Dage series4000)의 전단 강도 측정 툴(6)을 사용하여 금속판(9)을 고정하고, 측정 속도 200㎛/초, 측정 온도 23℃의 조건으로 보호막이 형성된 칩(20)의 측면으로부터 칩(8)에 하중을 가하여, 보호막(11)의 제1 표면과 칩(8) 사이의 접착력(경화 후에 있어서의 제1 표면의 실리콘 웨이퍼에 대한 접착력)을 측정하였다. 또한, 상기 접착력은 칩(8)이 보호막(11)으로부터 박리되었을 때(파괴시)에 있어서의 하중의 최대값으로 하였다.Thereafter, as shown in Fig. 7, the metal plate 9 was fixed by using a shear strength measuring tool 6 of a shear strength measuring instrument (Dage bond tester Dage series4000), and the measurement speed was 200 m / A load is applied to the chip 8 from the side surface of the chip 20 on which the protective film is formed under the condition of 23 캜 so that the adhesive force between the first surface of the protective film 11 and the chip 8 Adhesive force to the wafer) was measured. The adhesive force was set to the maximum value of the load when the chip 8 was peeled from the protective film 11 (at the time of breaking).

또한, 보호막 형성용 필름의 제2 표면을 실리콘 웨이퍼에 첩부하고, 제1 표면측에 다이싱 테이프를 첩부한 것 이외에는 상기와 동일하게 하여, 보호막의 제2 표면과 칩 사이의 접착력(경화 후에 있어서의 제2 표면의 실리콘 웨이퍼에 대한 접착력)을 측정하였다.The adhesive strength between the second surface of the protective film and the chip (after curing) was measured in the same manner as described above except that the second surface of the protective film-forming film was attached to the silicon wafer and the dicing tape was stuck to the first surface side The adhesion of the second surface to the silicon wafer) was measured.

상기에서 얻어진 접착력으로부터, 이들 비(제1 표면의 실리콘 웨이퍼에 대한 접착력/제2 표면의 실리콘 웨이퍼에 대한 접착력)를 산출하였다.These ratios (the adhesion of the first surface to the silicon wafer / the adhesion of the second surface to the silicon wafer) were calculated from the adhesive force obtained above.

<프로브 택값> <Probe value>

실시예 또는 비교예에서 제작한 보호막 형성용 필름의 제2 표면에 있어서, 리가쿠 공업사 제조 PROBE TACK TESTER를 사용해 JIS Z0237:1991 참고 5에 준거하여, 프로브 택값을 측정하였다. 구체적으로는, 열경화 전의 보호막 형성용 필름을 25㎜×25㎜의 시험편으로 잘라내고, 23℃의 환경하, 그 시험편의 제2 표면에 70℃로 가열된 직경 5㎜의 스테인리스제 프로브를 10초간, 접촉 하중 0.98N/㎠로 접촉시킨 후, 프로브를 10㎜/초의 속도로 시험편으로부터 떼어내어, 그 때의 응력을 측정하였다.Probe values were measured on the second surface of the protective film-forming film prepared in the example or the comparative example using PROBE TACK TESTER manufactured by Rigaku Kogyo Co., Ltd., in accordance with JIS Z0237: 1991 Reference 5. Specifically, a film for forming a protective film before heat curing was cut out with a test piece of 25 mm x 25 mm, and a stainless steel probe having a diameter of 5 mm heated to 70 ° C was applied to the second surface of the test piece at 10 ° C After a contact was made with a contact load of 0.98 N / cm 2, the probe was removed from the test piece at a rate of 10 mm / sec, and the stress at that time was measured.

<레이저 마킹 적성> <Laser marking suitability>

제2 표면에 있어서의 재박리성의 평가에 있어서 얻은 보호막 형성용 필름이 형성된 칩을 지지체에 가고정하지 않고, 보호막 형성용 필름을 130℃에서 2시간 열경화하고, 지지체와 보호막과 칩의 적층체를 얻어, 시료로 하였다.The protective film forming film was thermally cured at 130 DEG C for 2 hours without attaching the chip on which the protective film forming film obtained on the second surface was evaluated to the support body to obtain a laminate of the support, To obtain a sample.

또한, 제2 표면에 있어서의 재박리성의 평가에 있어서, 지지체 상에서 열경화하여 얻은 보호막과 칩의 적층체 중, 평가가 「양호」인 것을 시료로 하였다.In the evaluation of the re-peelability on the second surface, the evaluation was "good" among the laminate of the protective film and the chip obtained by thermosetting on the support.

각각의 시료의 보호막에, 레이저 마커(히타치 건기 파인텍(주) 제조 YAG 레이저 마커 LM5000)에 의해 세로 400㎛ 가로 200㎛의 문자를 인자하고, 그 문자를 현미경에 의해 주로 콘트라스트와 광의 반사(90°직하광)에 의한 인식성에 대해 관찰하였다.Characters of 400 mu m in width and 200 mu m in width were printed by a laser marker (YAG laser marker LM5000, manufactured by Hitachi dry finetech Co., Ltd.) on the protective film of each sample, and the characters were mainly reflected by a microscope And direct light).

인식성의 평가는 현미경이 탑재된 CCD 카메라를 사용하여 행하였다. 그 평가 기준은 하기와 같다.The recognition performance was evaluated using a CCD camera equipped with a microscope. The evaluation criteria are as follows.

양호: CCD 카메라에 의한 콘트라스트 값이 70% 초과Good: Contrast value exceeded 70% by CCD camera

가능: CCD 카메라에 의한 콘트라스트 값이 30∼70% Possible: Contrast value by CCD camera is 30 to 70%

불량: CCD 카메라에 의한 콘트라스트 값이 30% 미만Bad: Contrast value less than 30% by CCD camera

[보호막 형성용 조성물(α)] [Composition for forming a protective film (?)]

보호막 형성용 조성물(α)을 구성하는 각 성분과 그 배합량을 하기에 나타낸다. 각 성분의 배합량은 고형분 환산의 질량부를 나타내고, 본 발명에 있어서 고형분이란 용매 이외의 전체 성분을 말한다.The components constituting the protective film forming composition (?) And the amounts thereof are shown below. The blending amount of each component represents a part by mass in terms of solid content, and in the present invention, the solid content means all the components other than the solvent.

(A) 중합체 성분: n-부틸아크릴레이트 55질량부, 메틸메타크릴레이트 15질량부, 글리시딜메타크릴레이트 20질량부 및 2-히드록시에틸아크릴레이트 10질량부를 공중합하여 이루어지는 아크릴계 중합체(중량 평균 분자량: 90만, 유리 전이 온도: -28℃)/100질량부(A) Polymer Component: An acryl-based polymer obtained by copolymerizing 55 parts by mass of n-butyl acrylate, 15 parts by mass of methyl methacrylate, 20 parts by mass of glycidyl methacrylate, and 10 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate Average molecular weight: 90,000, glass transition temperature: -28 占 폚) / 100 parts by mass

(B) 경화성 성분: (B) Curable component:

(B11) 비스페놀 A형 에폭시 수지(에폭시 당량 180∼200g/eq, 상온에 있어서 고체임) 50질량부 및 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(다이닛폰 잉크 화학 공업(주) 제조 에피클론 HP-7200HH, 상온에 있어서 고체임) 50질량부로 이루어지는 열경화성 성분/100질량부 (B11) 50 parts by mass of a bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent 180-200 g / eq, solid at room temperature) and 50 parts by mass of dicyclopentadiene type epoxy resin (Epiclon HP-7200HH manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, 50 parts by mass in a solid state at room temperature) / 100 parts by mass

(B12) 열활성 잠재성 에폭시 수지 경화제(디시안디아미드(아사히 전화 제조 아데카 하드너 3636AS))/2.8질량부 (B12) A thermally active latent epoxy resin curing agent (dicyandiamide (ADEKA HARDNER 3636 AS, manufactured by Asahi Chemical Co., Ltd.)) / 2.8 parts by mass

(B13) 경화 촉진제(2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸(시코쿠 화성 공업(주) 제조 큐아졸 2PHZ))/2.8질량부(B13) A curing accelerator (2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole (Kyuprazole 2PHZ, manufactured by Shikoku Chemical Industry Co., Ltd.)) / 2.8 parts by mass

(C) 무기 필러: 실리카 필러(용융 석영 필러(평균 입경 3㎛))/300질량부(C) Inorganic filler: silica filler (fused quartz filler (average particle diameter 3 mu m)) / 300 parts by mass

(D) 착색제: 흑색 안료(카본 블랙(미츠비시 화학사 제조 #MA650, 평균 입경 28㎚))/10질량부(D) Colorant: black pigment (carbon black (# MA650, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, average particle size 28 nm) / 10 parts by mass

(E) 커플링제: 실란 커플링제(일본 유니카 제조 A-1110)/1질량부(E) Coupling agent: Silane coupling agent (A-1110 manufactured by Japan Unicar Co., Ltd.) / 1 part by mass

(F) 박리제: 실리콘 화합물(모멘티브·퍼포먼스·머테리얼즈·재팬사 제조 XF42-334)/(A)∼(F)의 합계 100질량부에 대해 0.1질량부(F) Exfoliant: 0.1 part by mass (100 parts by mass) of a total of 100 parts by mass of the silicone compound (XF42-334 manufactured by Momentive Performance Materials, Japan) / (A)

[보호막 형성용 조성물(β)][Composition (β) for forming a protective film]

(F) 성분의 배합량을 (A)∼(F)의 합계 100질량부에 대해 0.5질량부로 한 것 이외에는 보호막 형성용 조성물(α)와 동일하다.(Α) except that the amount of the component (F) is 0.5 part by mass relative to 100 parts by mass of the total of the components (A) to (F).

[보호막 형성용 조성물(γ)][Composition (γ) for forming a protective film]

(F) 성분의 배합량을 (A)∼(F)의 합계 100질량부에 대해 1.5질량부로 한 것 이외에는 보호막 형성용 조성물(α)와 동일하다.Is the same as the composition (?) For forming a protective film except that the amount of the component (F) is 1.5 parts by mass based on 100 parts by mass of the total of the components (A) to (F).

[보호막 형성용 조성물(δ)][Composition for forming a protective film (隆)]

(F) 성분의 배합량을 (A)∼(F)의 합계 100질량부에 대해 3.0질량부로 한 것 이외에는 보호막 형성용 조성물(α)와 동일하다.Is the same as the protective film forming composition (?) Except that the amount of the component (F) is changed to 3.0 parts by mass relative to 100 parts by mass of the total of the components (A) to (F).

[보호막 형성용 조성물(ε)] [Composition for forming protective film (?)]

중합체 성분(A) 대신에, 하기 중합체 성분(A')를 사용한 것 이외에는 보호막 형성용 조성물(α)와 동일하다.Is the same as the protective film forming composition (?) Except that the polymer component (A ') is used instead of the polymer component (A).

(A') 중합체 성분: n-부틸아크릴레이트 15질량부, 메틸메타크릴레이트 50질량부, 글리시딜메타크릴레이트 20질량부 및 2-히드록시에틸아크릴레이트 15질량부를 공중합하여 이루어지는 아크릴계 중합체(중량 평균 분자량: 90만, 유리 전이 온도: -1℃)(A ') Polymer component: An acrylic polymer (15 parts by mass) obtained by copolymerizing 15 parts by mass of n-butyl acrylate, 50 parts by mass of methyl methacrylate, 20 parts by mass of glycidyl methacrylate, and 15 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate Weight average molecular weight: 90,000, glass transition temperature: -1 DEG C)

[보호막 형성용 조성물(ζ)][Composition for forming protective film (?)]

(F) 성분의 배합량을 (A)∼(F)의 합계 100질량부에 대해 0질량부로 한 것 이외에는 보호막 형성용 조성물(α)와 동일하다.Is the same as the protective film forming composition (?) Except that the amount of the component (F) is 0 part by mass relative to 100 parts by mass of the total of (A) to (F).

(실시예 1) (Example 1)

박리 시트로서 한쪽 면에 박리 처리를 행한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(린텍사 제조 SP-P502010, 두께 50㎛)을 준비하였다. 보호막 형성용 조성물(α)의 메틸에틸케톤 용액(고형분 농도 61중량%)을 상기 박리 시트의 박리 처리면 위에 건조 후의 두께가 25㎛가 되도록 도포, 건조(건조 조건: 오븐에서 120℃, 3분간) 시키고, 박리 시트 상에 수지층(α)를 형성하였다.As a release sheet, a polyethylene terephthalate film (SP-P502010, manufactured by Lintec Corp., thickness 50 占 퐉) having been subjected to a release treatment on one side thereof was prepared. A methyl ethyl ketone solution (solid content concentration: 61% by weight) of the protective film forming composition (?) Was coated on the exfoliated surface of the release sheet so that the thickness after drying became 25 占 퐉 and dried (drying condition: ), And a resin layer (?) Was formed on the release sheet.

또한, 다른 박리 시트로서 한쪽 면에 박리 처리를 행한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(린텍사 제조 SP-P502010, 두께 50㎛)을 준비하였다. Further, as another release sheet, a polyethylene terephthalate film (SP-P502010, manufactured by Lin Tec Co., Ltd., thickness 50 탆) in which a release treatment was performed on one side was prepared.

이어서, 보호막 형성용 조성물(ζ)의 메틸에틸케톤 용액(고형분 농도 61중량%)을 상기 박리 시트의 박리 처리면 위에 건조 후의 두께가 25㎛가 되도록 도포, 건조(건조 조건: 오븐에서 120℃, 3분간)시키고, 박리 시트 상에 수지층(ζ)을 형성하였다.Subsequently, a methyl ethyl ketone solution (solid concentration: 61% by weight) of the protective film forming composition (?) Was coated on the exfoliated surface of the release sheet so that the thickness after drying became 25 占 퐉, dried (drying conditions: 3 minutes), and a resin layer (?) Was formed on the release sheet.

그 후, 수지층(α)와 수지층(ζ)을 첩합함으로써, 그 양면에 박리 시트가 가착된 보호막 형성용 필름을 얻었다. 이 보호막 형성용 필름의 수지층(α)측의 표면이 본 발명에 있어서의 제2 표면이고, 수지층(ζ) 측의 표면이 본 발명에 있어서의 제1 표면이다. 각 평가 결과를 표 1에 나타낸다.Thereafter, the resin layer (alpha) and the resin layer (zeta) were bonded to each other to obtain a protective film-forming film adhered to both sides of the release sheet. The surface on the side of the resin layer (?) Of the protective film forming film is the second surface in the present invention, and the surface on the side of the resin layer (?) Is the first surface in the present invention. The evaluation results are shown in Table 1.

(실시예 2) (Example 2)

보호막 형성용 조성물(α)를 대신하여, 보호막 형성용 조성물(β)를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 보호막 형성용 필름을 얻었다. 각 평가 결과를 표 1에 나타낸다.A film for forming a protective film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the protective film forming composition (?) Was used instead of the protective film forming composition (?). The evaluation results are shown in Table 1.

(실시예 3) (Example 3)

보호막 형성용 조성물(α)를 대신하여, 보호막 형성용 조성물(γ)을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 보호막 형성용 필름을 얻었다. 각 평가 결과를 표 1에 나타낸다.A film for forming a protective film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the protective film forming composition (?) Was used instead of the protective film forming composition (?). The evaluation results are shown in Table 1.

(실시예 4) (Example 4)

보호막 형성용 조성물(α)를 대신하여, 보호막 형성용 조성물(δ)을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 보호막 형성용 필름을 얻었다. 각 평가 결과를 표 1에 나타낸다.A film for forming a protective film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the protective film forming composition (?) Was used instead of the protective film forming composition (?). The evaluation results are shown in Table 1.

(실시예 5) (Example 5)

보호막 형성용 조성물(α)를 대신하여, 보호막 형성용 조성물(ε)을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 보호막 형성용 필름을 얻었다. 각 평가 결과를 표 1에 나타낸다.A film for forming a protective film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the protective film forming composition (?) Was used instead of the protective film forming composition (?). The evaluation results are shown in Table 1.

(비교예 1) (Comparative Example 1)

보호막 형성용 조성물(α)를 대신하여, 보호막 형성용 조성물(ζ)을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 보호막 형성용 필름을 얻었다. 각 평가 결과를 표 1에 나타낸다.A film for forming a protective film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the protective film forming composition (?) Was used instead of the protective film forming composition (?). The evaluation results are shown in Table 1.

Figure pct00001
Figure pct00001

10: 보호막 형성용 필름
a: 제1 표면
b: 제2 표면
100: 보호막 형성용 복합 시트
1: 기재
2: 점착제층
3: 점착 시트
4: 지그 접착층
5: 계면 접착 조정층
6: 전단 강도 측정 툴
7: 지지체
8: 칩
9: 금속판
11: 보호막
20: 보호막이 형성된 칩
10: Film for forming a protective film
a: first surface
b: second surface
100: Composite sheet for forming a protective film
1: substrate
2: Pressure-sensitive adhesive layer
3: Pressure sensitive adhesive sheet
4: Jig adhesive layer
5: Interfacial adhesion adjustment layer
6: Shear strength measurement tool
7: Support
8: Chip
9: metal plate
11: Shield
20: Chip formed with a protective film

Claims (9)

제1 표면과 제2 표면을 갖는 경화성 보호막 형성용 필름으로서,
경화 후에 있어서의 제1 표면의 실리콘 웨이퍼에 대한 접착력이 경화 후에 있어서의 제2 표면의 실리콘 웨이퍼에 대한 접착력보다 높은 보호막 형성용 필름.
A film for forming a curable protective film having a first surface and a second surface,
Wherein the adhesion of the first surface to the silicon wafer after curing is higher than the adhesion of the second surface to the silicon wafer after curing.
제 1 항에 있어서,
경화 후에 있어서의 제1 표면의 실리콘 웨이퍼에 대한 접착력과 경화 후에 있어서의 제2 표면의 실리콘 웨이퍼에 대한 접착력의 비(제1 표면의 실리콘 웨이퍼에 대한 접착력/제2 표면의 실리콘 웨이퍼에 대한 접착력)가 1.2∼100인 보호막 형성용 필름.
The method according to claim 1,
The ratio of the adhesion of the first surface to the silicon wafer after curing and the adhesion strength of the second surface to the silicon wafer after curing (adhesion to the silicon wafer on the first surface / adhesion to the silicon wafer on the second surface) Is 1.2-100.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
제1 표면은 보호막을 형성하는 피착체에 첩부되는 보호막 형성용 필름.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the first surface is attached to an adherend forming a protective film.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
제2 표면은 지지체에 가고정되는 보호막 형성용 필름.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
And the second surface is fixed to the support.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
경화 후에 있어서의 제2 표면의 실리콘 웨이퍼에 대한 접착력이 0.01∼100N인 보호막 형성용 필름.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the adhesive force of the second surface to the silicon wafer after curing is 0.01 to 100 N.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
제2 표면의 프로브 택값이 0.01∼3N/5mmΦ인 보호막 형성용 필름.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
And the second surface has a probe tack value of 0.01 to 3 N / 5 mm PHI.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
조성이 상이한 2층 이상의 수지층으로 이루어지는 보호막 형성용 필름.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the protective film comprises two or more resin layers having different compositions.
제 7 항에 있어서,
적어도 제2 표면을 포함하는 수지층이 박리제를 함유하고, 제2 표면을 포함하는 수지층에 있어서의 박리제의 함유량이 제1 표면을 포함하는 수지층에 있어서의 박리제의 함유량보다 많은 보호막 형성용 필름.
8. The method of claim 7,
Wherein the resin layer containing at least the second surface contains a releasing agent and the content of the releasing agent in the resin layer including the second surface is larger than the content of the releasing agent in the resin layer including the first surface, .
제 8 항에 있어서,
제1 표면을 포함하는 수지층에 있어서의 박리제의 함유량이 제1 표면을 포함하는 수지층을 구성하는 전체 고형분 중 박리제를 제외한 고형분 100질량부에 대해 0∼0.001질량부이며,
제2 표면을 포함하는 수지층에 있어서의 박리제의 함유량이 제2 표면을 포함하는 수지층을 구성하는 전체 고형분 중 박리제를 제외한 고형분 100질량부에 대해 0.001∼20질량부인 보호막 형성용 필름.
9. The method of claim 8,
The content of the releasing agent in the resin layer including the first surface is 0 to 0.001 part by mass based on 100 parts by mass of the solid content excluding the releasing agent among all the solid components constituting the resin layer including the first surface,
Wherein the content of the releasing agent in the resin layer including the second surface is 0.001 to 20 parts by mass based on 100 parts by mass of the solid content excluding the releasing agent among all the solid components constituting the resin layer including the second surface.
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