KR20140071312A - Apparatus for Processing Substrate - Google Patents

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KR20140071312A
KR20140071312A KR1020140061787A KR20140061787A KR20140071312A KR 20140071312 A KR20140071312 A KR 20140071312A KR 1020140061787 A KR1020140061787 A KR 1020140061787A KR 20140061787 A KR20140061787 A KR 20140061787A KR 20140071312 A KR20140071312 A KR 20140071312A
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이택엽
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세메스 주식회사
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Abstract

A substrate processing apparatus of the present invention comprises a substrate support member in which a substrate is placed and a moving spraying member for supplying a fluid to the substrate on the substrate support member, wherein the moving spraying member includes: a first nozzle arm which rotates for spraying at least one fluid; and a second nozzle arm which rotates with an additional rotary shaft and a driving source on the first nozzle arm to spray at least one fluid.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for Processing Substrate}[0001] Apparatus for Processing Substrate [

본 발명은 기판 처리 시스템에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판으로 약액을 분사하여 기판 표면을 세정하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing system, and more particularly, to a substrate processing apparatus for cleaning a substrate surface by spraying a chemical liquid onto the substrate.

반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다.As semiconductor devices become more dense, highly integrated, and have high performance, circuit patterns become finer, so that contaminants such as particles, organic contaminants, and metal contaminants remaining on the surface of the substrate greatly affect the characteristics of devices and yield do. Therefore, a cleaning process for removing various contaminants adhered to the surface of the substrate is becoming very important in the semiconductor manufacturing process, and a process of cleaning the substrate at the front and rear stages of each unit process for manufacturing a semiconductor is being carried out.

일반적으로 포토레지스트를 제거하기 위해 다양한 약액이 사용되며 서로 다른 약액은 각각의 독립된 노즐 유닛을 통해 기판으로 제공된다. 따라서, 사용하는 약액이 많을수록 노즐 유닛도 증가됨으로 설비 면적이 증가된다. Generally, various chemical fluids are used to remove the photoresist, and different chemical fluids are supplied to the substrate through respective independent nozzle units. Therefore, the more the chemical solution is used, the more the nozzle unit is increased, and the facility area is increased.

본 발명의 목적은 설비 면적으로 줄일 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of reducing a facility area.

본 발명의 다른 목적은 공정시간을 단축할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of shortening a processing time.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited thereto, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판이 놓여지는 기판 지지부재; 상기 기판 지지부재에 놓여진 기판 상으로 유체를 공급하는 이동 분사 부재를 포함하되; 상기 이동 분사 부재는 하나 이상의 유체를 분사하기 위해 회전 동작하는 제1노즐 암; 및 하나 이상의 유체를 분사하기 위해 상기 제1노즐 암 상에 설치되는 제2 노즐 암을 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including: a substrate supporting member on which a substrate is placed; And a moving injection member for supplying a fluid onto the substrate placed on the substrate supporting member; Wherein the moving injection member includes: a first nozzle arm rotatably operated to inject one or more fluids; And a second nozzle arm installed on the first nozzle arm to jet one or more fluids.

또한, 상기 제 2 노즐 암은 상기 제1 노즐 암 상에서 별도의 회전축과 구동원을 가지고 회전 동작될 수 있다.In addition, the second nozzle arm may be rotated with a separate rotation axis and a driving source on the first nozzle arm.

또한, 상기 제2노즐 암은 상기 제1노즐 암의 회전 동작시 함께 회전될 수 있다.In addition, the second nozzle arm may be rotated together with the first nozzle arm in the rotating operation.

또한, 상기 제 1 노즐 암과 상기 제 2 노즐 암은 서로 다른 처리 유체를 분사하는 노즐을 포함할 수 있다.In addition, the first nozzle arm and the second nozzle arm may include nozzles for jetting different processing fluids.

또한, 상기 이동 분사 부재는 상기 제1노즐암을 회전 동작시키는 제1구동부; 및 상기 제2노즐암을 회전 동작시키는 제2구동부를 더 포함할 수 있다.In addition, the moving injection member may include a first driving unit for rotating the first nozzle arm; And a second driving unit for rotating the second nozzle arm.

또한, 상기 제 2 구동부는 상기 제1노즐 암에 설치될 수 있다.The second driving unit may be installed in the first nozzle arm.

또한, 상기 이동 분사 부재는 상기 제1구동부와 상기 제2구동부를 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다.The moving injection member may further include a controller for controlling the first driving unit and the second driving unit.

또한, 상기 이동 분사 부재는 상기 제2노즐 암은 상기 제1노즐 암에 복수개 제공될 수 있다.The moving nozzle member may be provided with a plurality of the second nozzle arms on the first nozzle arm.

또한, 상기 이동 분사 부재는 하나 이상의 유체를 분사하기 위해 상기 제2노즐 암 상에서 별도의 회전축과 구동원을 가지고 회전 동작하는 제3노즐 암을 더 포함할 수 있다.In addition, the moving injection member may further include a third nozzle arm rotating on the second nozzle arm to rotate with a separate rotation axis and a driving source for jetting one or more fluids.

본 발명의 일 측면에 따르면, 제1노즐을 갖는 제1노즐 암과, 상기 제1노즐 암에 독립 구동이 가능하고 제2노즐을 갖는 제2노즐 암을 이용하여 기판 표면을 처리하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method for processing a substrate surface using a first nozzle arm having a first nozzle, and a second nozzle arm capable of independently driving the first nozzle arm and having a second nozzle Can be provided.

또한, 제1노즐 암은 상기 제2노즐 암과 함께 원점 위치에서 기판 상부의 일지점으로 회동되는 단계; 상기 제2노즐 암은 상기 기판 상부의 일지점으로부터 기판 가장자리를 향해 회동하면서 상기 제2노즐을 통해 기판 상으로 처리 유체를 분사하는 단계; 및 상기 제2노즐의 처리 유체 분사가 완료되면, 상기 제1노즐 암은 기판 상부의 일지점으로부터 기판 가장자리를 향해 회동하면서 상기 제1노즐을 통해 기판 상으로 처리 유체를 분사하는 단계를 포함할 수 있다.The first nozzle arm is rotated with the second nozzle arm from the origin position to a point on the upper portion of the substrate. Spraying a process fluid onto the substrate through the second nozzle while rotating the second nozzle arm from a point above the substrate toward a substrate edge; And when the processing fluid injection of the second nozzle is completed, the first nozzle arm may include spraying the processing fluid onto the substrate through the first nozzle while pivoting from a point on the top of the substrate toward the substrate edge have.

또한, 상기 제1노즐의 처리 유체 분사 단계에서 상기 제2노즐 암은 위치가 변경되지 않도록 상기 제1노즐 암의 회전방향과 반대방향으로 회전될 수 있다.In addition, the second nozzle arm may be rotated in a direction opposite to the rotation direction of the first nozzle arm so that the position of the second nozzle arm is not changed in the process fluid injection step of the first nozzle.

또한, 상기 제1노즐의 처리 유체 분사 단계에서 상기 제1노즐 암의 회동과 상기 제2노즐 암의 회동은 동일할 수 있다.In addition, the rotation of the first nozzle arm and the rotation of the second nozzle arm may be the same in the process fluid injection step of the first nozzle.

본 발명에 의하면, 제1노즐이 장착된 제1노즐 암에 제2노즐이 장착된 제2노즐 암이 제공됨으로써, 복수의 암들을 제공시 설비 면적으로 줄일 수 있고, 제2노즐과 제1노즐의 처리유체 토출을 연속적으로 처리할 수 있어 공정 시간 단축으로 기판 처리량을 향상시킬 수 있다. According to the present invention, by providing the second nozzle arm with the second nozzle mounted on the first nozzle arm equipped with the first nozzle, it is possible to reduce the facility area when providing a plurality of arms, and the second nozzle and the first nozzle It is possible to improve the throughput of the substrate by shortening the process time.

도 1은 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 평면 구성도이다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 측단면 구성도이다.
도 4는 도 3에 표시된 제1이동 분사 부재의 요부 확대도이다.
도 5는 제1노즐 암과 제2노즐 암의 제어 스퀸스를 보여주는 표이다.
도 6 내지 도 9는 제1이동 분사 부재의 동작을 단계적으로 보여주는 도면들이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing system.
2 is a plan view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention.
3 is a side cross-sectional view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention.
Fig. 4 is an enlarged view of the main part of the first moving injection member shown in Fig. 3;
Fig. 5 is a table showing the control spans of the first nozzle arm and the second nozzle arm.
Figs. 6 to 9 are views showing the operation of the first moving injection member in a step-by-step manner.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다. 한편, 이하에서는 웨이퍼를 기판의 일례로 설명하나, 본 발명의 기술적 사상과 범위는 이에 한정되지 않는다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following, the wafer is described as an example of the substrate, but the technical idea and scope of the present invention are not limited thereto.

도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 시스템(1000)은 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부(50)를 포함할 수 있다. 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부는 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부(50)가 배열된 방향을 제 1 방향이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제 1 방향의 수직인 방향을 제 2 방향이라 하며, 제 1 방향과 제 2 방향을 포함한 평면에 수직인 방향을 제 3 방향이라 정의한다. Referring to FIG. 1, the substrate processing system 1000 of the present invention may include an index unit 10, a buffer unit 20, and a processing unit 50. The index unit 10, the buffer unit 20, and the processing unit are arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the index unit 10, the buffer unit 20, and the processing unit 50 are arranged is referred to as a first direction, the direction perpendicular to the first direction as viewed from above is referred to as a second direction, And a direction perpendicular to the plane including the first direction and the second direction is defined as a third direction.

인덱스부(10)는 기판 처리 시스템(1000)의 제 1 방향의 전방에 배치된다. 인덱스부(10)는 4개의 로드 포트(12) 및 1개의 인덱스 로봇(13)을 포함한다. The index portion 10 is disposed in front of the substrate processing system 1000 in the first direction. The index section 10 includes four load ports 12 and one index robot 13.

4개의 로드 포트(12)는 제 1 방향으로 인덱스부(10)의 전방에 배치된다. 로드 포트(12)는 복수 개가 제공되며 이들은 제 2 방향을 따라 배치된다. 로드 포트(12)의 개수는 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 로드 포트(12)들에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(예컨대, 카세트, FOUP등)가 안착된다. 캐리어(16)에는 기판들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다. The four load ports 12 are disposed in front of the index portion 10 in the first direction. A plurality of load ports 12 are provided and they are disposed along the second direction. The number of load ports 12 may increase or decrease depending on the process efficiency and footprint conditions of the substrate processing system 1000. In the load ports 12, a substrate W to be supplied to the process and a carrier (e.g., cassette, FOUP, etc.) in which the processed substrate W is placed are placed. The carrier 16 is formed with a plurality of slots for accommodating the substrates horizontally arranged with respect to the paper surface.

인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 이웃하여 제 1 방향으로 배치된다. 인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 버퍼부(20) 사이에 설치된다. 인덱스 로봇(13)은 버퍼부(20)의 상층에 대기하는 기판(W)을 캐리어(16)로 이송하거나, 캐리어(16)에서 대기하는 기판(W)을 버퍼부(20)의 하층으로 이송한다. The index robot 13 is disposed in the first direction adjacent to the load port 12. [ The index robot 13 is installed between the load port 12 and the buffer unit 20. The index robot 13 transfers the substrate W waiting on the upper layer of the buffer unit 20 to the carrier 16 or transfers the substrate W waiting on the carrier 16 to the lower layer of the buffer unit 20 do.

버퍼부(20)는 인덱스부(10)와 처리부 사이에 설치된다. 버퍼부(20)는 인덱스 로봇(13)에 의해 이송되기 전에 공정에 제공될 기판(W) 또는 메인 이송 로봇(30)에 의해 이송되기 전에 공정 처리가 완료된 기판(W)이 일시적으로 수납되어 대기하는 장소이다. The buffer unit 20 is provided between the index unit 10 and the processing unit. The buffer unit 20 temporarily stores the substrate W to be supplied to the process before being transferred by the index robot 13 or the substrate W whose processing has been completed before being transferred by the main transfer robot 30, .

메인 이송 로봇(30)은 이동 통로(40)에 설치되며, 각 기판 처리 장치(1)들 및 버퍼부(20) 간에 기판을 이송한다. 메인 이송 로봇(30)은 버퍼부(20)에서 대기하는 공정에 제공될 기판을 각 기판 처리 장치(1)로 이송하거나, 각 기판 처리 장치(1)에서 공정 처리가 완료된 기판을 버퍼부(20)로 이송한다. The main transfer robot 30 is installed in the transfer passage 40 and transfers substrates between the substrate processing apparatuses 1 and the buffer unit 20. [ The main transfer robot 30 transfers the substrate to be provided to the process waiting in the buffer unit 20 to each substrate processing apparatus 1 or transfers the substrate that has been processed in each substrate processing apparatus 1 to the buffer unit 20 ).

이동 통로(40)는 처리부 내의 제 1 방향을 따라 배치되며, 메인 이송 로봇(30)이 이동하는 통로를 제공한다. 이동 통로(40)의 양측에는 기판 처리 장치(1)들이 서로 마주보며 제 1 방향을 따라 배치된다. 이동 통로(40)에는 메인 이송 로봇(30)이 제 1 방향을 따라 이동하며, 기판 처리 장치(1)의 상하층, 그리고 버퍼부(20)의 상하층으로 승강할 수 있는 이동 레일이 설치된다. The transfer passage 40 is disposed along a first direction in the processing section and provides a passage through which the main transfer robot 30 moves. On both sides of the transfer passage 40, the substrate processing apparatuses 1 are disposed to face each other and along the first direction. The main transfer robot 30 moves along the first direction to the transfer passage 40 and the upper and lower layers of the substrate processing apparatus 1 and the upper and lower layers of the buffer unit 20 are provided with movable rails .

기판 처리 장치(1)는 메인 이송 로봇(30)이 설치되는 이동통로(40)의 양측에 서로 마주하게 배치된다. 기판 처리 시스템(1000)은 상하층으로 된 다수개의 기판 처리 장치(1)를 구비하나, 기판 처리 장치(1)의 개수는 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 각각의 기판 처리 장치(1)는 독립적인 하우징으로 구성되며, 이에 각각의 기판 처리 장치 내에서는 독립적인 형태로 기판을 처리하는 공정이 이루어질 수 있다. The substrate processing apparatus 1 is disposed on both sides of the moving path 40 on which the main transfer robot 30 is installed so as to face each other. The substrate processing system 1000 includes a plurality of upper and lower substrate processing apparatuses 1 but the number of the substrate processing apparatuses 1 is increased or decreased depending on the process efficiency and the footprint conditions of the substrate processing system 1000 You may. Each of the substrate processing apparatuses 1 is constituted by an independent housing, and a process of processing the substrate in an independent form in each of the substrate processing apparatuses can be performed.

아래의 실시예에서는 고온의 황산, 알카리성 약액(오존수 포함), 산성 약액, 린스액, 그리고 건조가스(IPA가 포함된 가스)와 같은 처리유체들을 사용하여 기판을 세정하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 식각 공정 등과 같이 기판을 회전시키면서 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 모두 적용될 수 있다.
In the following examples, an apparatus for cleaning a substrate by using processing fluids such as hot sulfuric acid, an alkaline chemical solution (including ozone water), an acidic chemical solution, a rinsing solution, and a dry gas (gas containing IPA) is taken as an example. However, the technical idea of the present invention is not limited thereto, and can be applied to various kinds of apparatuses that perform a process while rotating a substrate such as an etching process.

도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 평면 구성도이다. 도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 측단면 구성도이다. 도 3에서는 도면 편의상 고정 노즐 부재를 생략하였다. 2 is a plan view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention. 3 is a side cross-sectional view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention. In Fig. 3, the fixed nozzle member is omitted for convenience of illustration.

본 실시예에서는 매엽식 기판 처리 장치(1)가 처리하는 기판으로 반도체 기판를 일례로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 유리 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다. In the present embodiment, the semiconductor substrate is exemplarily described as the substrate processed by the single wafer processing apparatus 1, but the present invention is not limited to this and can be applied to various kinds of substrates such as a glass substrate.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 매엽식 기판 처리 장치(1)는 다양한 처리유체들을 사용하여 기판 표면에 잔류하는 이물질 및 막질을 제거하는 장치로써, 챔버(800), 처리 용기(100), 기판 지지부재(200), 이동 노즐 부재(300), 고정 노즐(500) 및 배기부재(400)를 포함한다. 2 and 3, the single wafer processing apparatus 1 according to the present invention is an apparatus for removing foreign matter and film quality remaining on the surface of a substrate using various processing fluids, 100, a substrate support member 200, a movable nozzle member 300, a fixed nozzle 500, and an exhaust member 400.

챔버(800)는 밀폐된 내부 공간을 제공하며, 상부에는 팬필터유닛(810)이 설치된다. 팬필터유닛(810)은 챔버(800) 내부에 수직기류를 발생시킨다.The chamber 800 provides a closed internal space, and a fan filter unit 810 is installed on the upper part. The fan filter unit 810 generates a vertical air flow inside the chamber 800.

팬필터유닛(810)은 필터와 공기공급팬이 하나의 유니트로 모듈화된 것으로, 청정공기를 필터링하여 챔버 내부로 공급해주는 장치이다. 청정공기는 팬 필터 유닛(810)을 통과하여 챔버 내부로 공급되어 수직기류를 형성하게 된다. 이러한 공기의 수직기류는 기판 상부에 균일한 기류를 제공하게 되며, 처리유체에 의해 기판 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 오염물질(흄)들은 공기와 함께 처리 용기(100)의 흡입덕트들을 통해 배기부재(400)로 배출되어 제거됨으로써 처리 용기 내부의 고청정도를 유지하게 된다. The fan filter unit 810 is a unit in which the filter and the air supply fan are modularized into one unit and supplies clean air to the inside of the chamber by filtering. The clean air passes through the fan filter unit 810 and is supplied into the chamber to form a vertical airflow. The vertical airflow of the air provides a uniform airflow on the substrate. The contaminants (fumes) generated during the processing of the substrate surface by the processing fluid flow through the suction ducts of the processing vessel 100 together with the air, So that the cleanliness of the inside of the processing container can be maintained.

도 2에 도시된 바와 같이, 챔버(800)는 수평 격벽(814)에 의해 공정 영역(816)과 유지보수 영역(818)으로 구획된다. 도면에는 일부만 도시하였지만, 유지보수 영역(818)에는 처리 용기(100)와 연결되는 배출라인(141,143,145), 서브배기라인(410) 이외에도 승강유닛의 구동부과, 이동 노즐 부재(300)의 이동 노즐(310)들과 연결되는 구동부, 공급라인 등이 위치되는 공간으로, 이러한 유지보수 영역(818)은 기판 처리가 이루어지는 공정 영역으로부터 격리되는 것이 바람직하다. As shown in FIG. 2, the chamber 800 is partitioned into a process area 816 and a maintenance area 818 by a horizontal partition 814. In the maintenance area 818, the driving unit of the elevating unit, the moving nozzle (not shown) of the moving nozzle member 300, and the driving unit of the elevating unit, as well as the discharging lines 141, 143 and 145 and the sub- 310, and the like, and the maintenance area 818 is preferably isolated from the processing area where the substrate processing is performed.

처리 용기(100)는 상부가 개구된 원통 형상을 갖고, 기판(w)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 개구된 상면은 기판(w)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 공정 공간에는 기판 지지부재(200)가 위치된다. 기판 지지부재(200)는 공정 진행시 기판(W)을 지지하고, 기판를 회전시킨다. The processing vessel 100 has a cylindrical shape with an open top, and provides a processing space for processing the substrate w. The open upper surface of the processing vessel 100 is provided as a take-out and carry-in passage of the substrate w. The substrate support member 200 is located in the process space. The substrate support member 200 supports the substrate W and rotates the substrate during the process.

처리 용기(100)는 스핀헤드(210)가 위치되는 상부공간(132a)과, 상부공간(132a)과는 스핀헤드(210)에 의해 구분되며 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기덕트(190)가 연결된 하부공간(132b)을 제공한다. 처리 용기(100)의 상부공간(132a)에는 회전되는 기판상에서 비산되는 약액과 기체를 유입 및 흡입하는 환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)가 다단으로 배치된다. The processing vessel 100 is divided into an upper space 132a where the spin head 210 is located and an upper space 132a by the spin head 210. An exhaust duct 190 is provided at the lower end of the processing vessel 100 And provides a connected lower space 132b. In the upper space 132a of the processing vessel 100, annular first, second and third suction ducts 110, 120 and 130 for introducing and sucking chemical fluids and gases scattered on the rotating substrate are arranged in multiple stages .

환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 하나의 공통된 환형공간(용기의 하부공간에 해당)과 통하는 배기구(H)들을 갖는다. 하부공간(132b)에는 배기부재(400)와 연결되는 배기덕트(190)가 제공된다. The annular first, second and third suction ducts 110, 120 and 130 have exhaust ports H communicating with one common annular space (corresponding to the lower space of the container). In the lower space 132b, an exhaust duct 190 connected to the exhaust member 400 is provided.

구체적으로, 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽을 구비한다. 제2 흡입덕트(120)는 제1 흡입덕트(110)를 둘러싸고, 제1 흡입덕트(110)로부터 이격되어 위치한다. 제3 흡입덕트(130)는 제2 흡입덕트(120)를 둘러싸고, 제2 흡입덕트(120)로부터 이격되어 위치한다.Specifically, the first to third suction ducts 110, 120, and 130 each have a bottom surface having an annular ring shape and a side wall having a cylindrical shape extending from the bottom surface. The second suction duct 120 surrounds the first suction duct 110 and is located apart from the first suction duct 110. The third suction duct 130 surrounds the second suction duct 120 and is located apart from the second suction duct 120.

제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 기판(w)으로부터 비산된 처리액 및 흄이 포함된 기류가 유입되는 제1 내지 제3 회수공간(RS1, RS2, RS3)을 제공한다. 제1 회수 공간(RS1)은 제1 흡입덕트(110)에 의해 정의되고, 제2 회수공간(RS2)은 제1 흡입덕트(110)와 제2 흡입덕트(120) 간의 이격 공간에 의해 정의되며, 제3 회수공간(RS3)은 제2 흡입덕트(120)와 제3 흡입덕트(130) 간의 이격 공간에 의해 정의된다. The first to third suction ducts 110, 120 and 130 provide the first to third collection spaces RS1, RS2 and RS3 through which the air flow containing the processing solution and the fumes scattered from the substrate w flows . The first collection space RS1 is defined by the first intake duct 110 and the second collection space RS2 is defined by the spacing space between the first intake duct 110 and the second intake duct 120 And the third collection space RS3 is defined by the spacing space between the second suction duct 120 and the third suction duct 130. [

제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 각 상면은 중앙부가 개구되고, 연결된 측벽으로부터 개구부측으로 갈수록 대응하는 바닥면과의 거리가 점차 증가하는 경사면으로 이루어진다. 이에 따라, 기판(w)으로부터 비산된 처리액은 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 상면들을 따라 회수 공간들(RS1, RS2, RS3) 안으로 흘러간다.Each of the upper surfaces of the first to third suction ducts 110, 120, and 130 has an inclined surface whose center portion is open and whose distance from the corresponding side surface gradually increases from the connected side wall to the opening side. Accordingly, the processing liquid scattered from the substrate w flows into the recovery spaces RS1, RS2, and RS3 along the upper surfaces of the first to third suction ducts 110, 120, and 130.

제1 회수공간(RS1)에 유입된 제1 처리액은 제1 회수라인(141)을 통해 외부로 배출된다. 제2 회수공간(RS2)에 유입된 제2 처리액은 제2 회수라인(143)을 통해 외부로 배출된다. 제3 회수공간(RS3)에 유입된 제3 처리액은 제3 회수라인(145)을 통해 외부로 배출된다. The first treatment liquid flowing into the first collection space RS1 is discharged to the outside through the first collection line 141. [ The second process liquid that has flowed into the second recovery space RS2 is discharged to the outside through the second recovery line 143. The third treatment liquid flowing into the third water collection space RS3 is discharged to the outside through the third collection line 145. [

한편, 처리 용기(100)는 처리 용기(100)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(600)와 결합된다. 승강 유닛(600)은 처리 용기(100)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(100)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(210)에 대한 처리 용기(100)의 상대 높이가 변경된다. On the other hand, the processing vessel 100 is combined with the elevation unit 600 that changes the vertical position of the processing vessel 100. The elevating unit 600 moves the processing vessel 100 linearly in the vertical direction. The relative height of the processing vessel 100 to the spin head 210 is changed as the processing vessel 100 is moved up and down.

승강 유닛(600)은 브라켓(612), 이동 축(614), 그리고 구동기(616)를 가진다. 브라켓(612)은 처리 용기(100)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(612)에는 구동기(616)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(614)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(210)에 로딩 또는 스핀 헤드(210)로부터 언로딩될 때 스핀 헤드(210)가 처리 용기(100)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(100)는 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 흡입덕트(110, 120, 130)로 유입될 수 있도록 처리 용기(100)의 높이가 조절된다. 이에 따라, 처리 용기(100)와 기판(w) 간의 상대적인 수직 위치가 변경된다. 따라서, 처리 용기(100)는 상기 각 회수공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다. The lifting unit 600 has a bracket 612, a moving shaft 614, and a driver 616. The bracket 612 is fixed to the outer wall of the processing container 100 and a moving shaft 614 which is moved upward and downward by a driver 616 is fixedly coupled to the bracket 612. The processing vessel 100 is lowered so that the spin head 210 protrudes to the upper portion of the processing vessel 100 when the substrate W is loaded into the spin head 210 or unloaded from the spin head 210. The height of the processing vessel 100 is adjusted so that the processing liquid can flow into the predetermined suction ducts 110, 120 and 130 depending on the type of the processing liquid supplied to the substrate W. Thus, the relative vertical position between the processing container 100 and the substrate w is changed. Accordingly, the processing vessel 100 can differentiate the kinds of the processing liquid and the polluting gas recovered for each of the recovery spaces RS1, RS2, and RS3.

이 실시예에 있어서, 기판 처리장치(1)는 처리 용기(100)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킨다. 그러나, 기판 처리장치(1)는 기판 지지부재(200)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킬 수도 있다.In this embodiment, the substrate processing apparatus 1 vertically moves the processing vessel 100 to change the relative vertical position between the processing vessel 100 and the substrate supporting member 200. However, the substrate processing apparatus 1 may change the relative vertical position between the processing container 100 and the substrate supporting member 200 by vertically moving the substrate supporting member 200.

기판 지지 부재(200)는 처리 용기(100)의 내측에 설치된다. 기판 지지 부재(200)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 후술할 구동부(240)에 의해 회전될 수 있다. 기판 지지 부재(200)는 원형의 상부 면을 갖는 스핀헤드(210)를 가지며, 스핀헤드(210)의 상부 면에는 기판(W)을 지지하는 지지 핀(212)들과 척킹 핀(214)들을 가진다. 지지 핀(212)들은 스핀헤드(210)의 상부 면 가장자리부에 소정 간격 이격되어 일정 배열로 배치되며, 스핀헤드(210)으로부터 상측으로 돌출되도록 구비된다. 지지 핀(212)들은 기판(W)의 하면을 지지하여 기판(W)이 스핀헤드(210)로부터 상측 방향으로 이격된 상태에서 지지되도록 한다. 지지 핀(212)들의 외 측에는 척킹 핀(214)들이 각각 배치되며, 척킹 핀(214)들은 상측으로 돌출되도록 구비된다. 척킹 핀(214)들은 다수의 지지 핀(212)들에 의해 지지된 기판(W)이 스핀헤드(210) 상의 정 위치에 놓이도록 기판(W)을 정렬한다. 공정 진행시 척킹 핀(214)들은 기판(W)의 측부와 접촉되어 기판(W)이 정 위치로부터 이탈되는 것을 방지한다.The substrate support member 200 is installed inside the processing vessel 100. The substrate support member 200 supports the substrate W during the process and can be rotated by a driving unit 240, which will be described later, during the process. The substrate supporting member 200 has a spin head 210 having a circular upper surface and support pins 212 and chucking pins 214 for supporting the substrate W are formed on the upper surface of the spin head 210 I have. The support pins 212 are disposed at predetermined intervals on the upper edge of the spin head 210 to be arranged in a predetermined array and protrude upward from the spin head 210. The support pins 212 support the lower surface of the substrate W so that the substrate W is supported in a state of being spaced upward from the spin head 210. Chucking pins 214 are disposed on the outer sides of the support pins 212, and the chucking pins 214 are provided to protrude upward. The chucking pins 214 align the substrate W such that the substrate W supported by the plurality of support pins 212 is in position on the spin head 210. The chucking pins 214 contact the side of the substrate W to prevent the substrate W from being displaced from the correct position.

스핀헤드(210)의 하부에는 스핀헤드(210)를 지지하는 지지축(220)이 연결되며, 지지축(220)은 그 하단에 연결된 구동부(230)에 의해 회전한다. 구동부(230)는 모터 등으로 마련될 수 있다. 지지축(220)이 회전함에 따라 스핀헤드(210) 및 기판(W)이 회전한다. A support shaft 220 for supporting the spin head 210 is connected to the lower portion of the spin head 210 and the support shaft 220 is rotated by a drive unit 230 connected to the lower end of the support shaft 220. The driving unit 230 may be a motor or the like. As the support shaft 220 rotates, the spin head 210 and the substrate W rotate.

배기부재(400)는 공정시 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)중 처리액을 회수하는 흡입덕트에 배기압력(흡입압력)을 제공하기 위한 것이다. 배기부재(400)는 배기덕트(190)와 연결되는 서브배기라인(410), 댐퍼(420)를 포함한다. 서브배기라인(410)은 배기펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인(팹)의 바닥 공간에 매설된 메인배기라인과 연결된다. The exhaust member 400 is for providing the exhaust pressure (suction pressure) to the suction duct for recovering the process liquid among the first to third suction ducts 110, 120 and 130 in the process. The exhaust member 400 includes a sub-exhaust line 410 connected to the exhaust duct 190, and a damper 420. The sub-exhaust line 410 is supplied with an exhaust pressure from an exhaust pump (not shown) and is connected to a main exhaust line embedded in the bottom space of the semiconductor production line (Fab).

고정 노즐(500)들은 처리 용기(100) 상단에 설치된다. 고정 노즐(500)은 스핀헤드(210)에 놓여진 기판(W)으로 처리유체를 분사한다. 고정 노즐(500)은 기판의 처리 위치에 따라 분사 각도 조절이 가능하다. Fixing nozzles 500 are installed at the top of the processing vessel 100. The fixed nozzle 500 ejects the processing fluid to the substrate W placed on the spin head 210. The fixed nozzle 500 can adjust the spray angle according to the processing position of the substrate.

도 4는 도 3에 표시된 제1이동 분사 부재의 요부 확대도이다.Fig. 4 is an enlarged view of the main part of the first moving injection member shown in Fig. 3;

도 2 내지 도 4를 참조하면, 제1이동 분사 부재(300)는 스윙 이동을 통해 기판의 중심 상부로 이동되어 기판상에 세정 또는 식각하기 위한 처리유체를 공급한다. Referring to Figs. 2 to 4, the first moving injection member 300 is moved over the center of the substrate through the swing movement to supply the processing fluid for cleaning or etching on the substrate.

제1이동 분사 부재(300)는 지지축(310), 제1구동부(320), 제1노즐 암(330), 제2노즐 암(340) 그리고 제2구동부(350)를 포함한다. The first moving injection member 300 includes a supporting shaft 310, a first driving part 320, a first nozzle arm 330, a second nozzle arm 340 and a second driving part 350.

제1노즐 암(330)과 제2노즐 암(340)에는 처리유체를 분사하는 제1노즐(332)과 제2노즐(342)이 각각 설치된다. 제1노즐(332)과 제2노즐(342)은 서로 다른 처리 유체를 분사할 수 있다. 일 예로, 제1노즐은 질소가스를 분사하고, 제2노즐은 초순수를 분사할 수 있다.The first nozzle arm 330 and the second nozzle arm 340 are respectively provided with a first nozzle 332 and a second nozzle 342 for spraying the processing fluid. The first nozzle 332 and the second nozzle 342 can jet different processing fluids. For example, the first nozzle may inject nitrogen gas and the second nozzle may inject ultra-pure water.

지지축(310)은 그 길이 방향이 제 3 방향으로 제공되며, 지지축(310)의 하단은 제1구동부(320)와 결합된다. 제1구동부(320)는 제1노즐 암(330)이 스윙 이동되도록 지지축(310)을 회전시킨다. 일 예로, 제1구동부(320)는 모터, 벨트, 풀리를 가지는 어셈블리에 의해 제공될 수 있다. The support shaft 310 is provided in the third direction in its longitudinal direction and the lower end of the support shaft 310 is engaged with the first drive unit 320. The first driving unit 320 rotates the supporting shaft 310 so that the first nozzle arm 330 swings. In one example, the first drive 320 may be provided by an assembly having a motor, a belt, and a pulley.

제1노즐 암(330)은 지지축(310)에 결합된다. 제1노즐 암(330)의 단부에는 제1노즐(332)이 설치되며, 제1노즐 암(330)은 제1구동부(320)에 의해 지지축을 중심축(제1축)으로 기판 중심에서 가장자리까지 스윙 이동된다. The first nozzle arm 330 is coupled to the support shaft 310. A first nozzle 332 is provided at an end of the first nozzle arm 330. The first nozzle arm 330 is driven by a first driving unit 320 to move the support shaft from a center axis .

도시하지 않았지만, 제1이동 분사 부재(300)는 제1노즐 암(330)이 회전될 때 주변의 인접한 구성들과 충돌하는 것을 방지하기 위해 제1노즐 암(330) 또는 지지축(310)을 승강시키는 구동력을 제공하는 승강 구동부를 포함할 수 있다. 일 예로, 승강 구동부는 실린더, 리니어 모터와 같은 직선 구동장치로 제공될 수 있다. Although not shown, the first moving injection member 300 may include a first nozzle arm 330 or a support shaft 310 to prevent the first moving nozzle member 330 from colliding with neighboring neighboring structures when the first nozzle arm 330 rotates And a lifting drive unit for lifting and lowering the lifting drive unit. For example, the lifting and lowering driving part may be provided as a linear driving device such as a cylinder or a linear motor.

제2노즐 암(340)은 제1노즐 암(330) 상에서 별도의 회전축과 구동원을 가지고 회전될 수 있다. 제2노즐 암(340)은 일단이 제1노즐 암(330)에 제2축(348) 결합된다. 제2노즐 암(340)은 타단에 제2노즐(342)이 설치된다. 제2노즐 암(340)은 제2구동부(350)에 의해 제2축(348)을 중심으로 스윙 이동된다. 본 실시예에서, 제2구동부(350)는 실린더로 도시하였으나, 제2구동부(350)는 모터, 벨트, 풀리를 가지는 어셈블리와 같이 제2노즐 암(340)을 회동시킬 수 있는 다양한 회전장치가 적용될 수 있다. The second nozzle arm 340 may be rotated on the first nozzle arm 330 with a separate rotation axis and a driving source. The second nozzle arm 340 has one end coupled to the second nozzle arm 330 on the second axis 348. And the second nozzle arm 340 is provided with a second nozzle 342 at the other end thereof. The second nozzle arm 340 is swung about the second axis 348 by the second driving unit 350. Although the second driving unit 350 is shown as a cylinder in the present embodiment, the second driving unit 350 may include various rotating devices capable of rotating the second nozzle arm 340, such as an assembly having a motor, a belt, and a pulley Can be applied.

기판 처리 공정에 사용되는 처리유체는 불산(HF), 황산(H3SO4), 과산화수소(H2O2), 질소가스, 질산(HNO3), 인산(H3PO4), 오존수, 그리고 SC-1 용액(수산화암모늄(NH4OH), 과산화수소(H2O2) 및 물(H2O)의 혼합액)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다. 린스액으로는 초순수(DIW:Deionized Water)가 사용될 수 있고, 건조 가스로는 이소프로필 알코올 가스(IPA:Isopropyl alcohol gas)가 사용될 수 있다. Process to be used in the substrate processing process fluid is hydrofluoric acid (HF), sulfuric acid (H3SO4), hydrogen peroxide (H 2 O 2), nitrogen gas, nitric acid (HNO3), phosphoric acid (H3PO4), ozone water, and SC-1 solution (ammonium hydroxide (NH 4 OH), hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), and water (H 2 O)). Deionized water (DIW) may be used as the rinse solution, and isopropyl alcohol gas (IPA) may be used as the drying gas.

상기와 같이, 제1이동 분사 부재(300)는 복수의 노즐 암을 제공함으로써 설비 면적이 줄어들고 제2노즐에 대한 공정 완료시 제1노즐이 기판의 중앙에 대기할 수 있어 공정 시간을 단축할 수 있다. As described above, since the first moving injection member 300 provides a plurality of nozzle arms, the area of the equipment is reduced and the first nozzle can wait at the center of the substrate when the process for the second nozzle is completed, have.

본 실시예에서는 제1노즐 암(330)의 회전축과 제2노즐 암(240)의 회전축이 서로 상이한 것으로 도시하였으나, 이는 일 예에 불과하며, 제1노즐 암과 제2노즐 암은 동일한 회전축으로 제공될 수 있다. 또한, 제1이동 분사 부재(300)는 2개의 노즐 암을 갖는 것으로 설명하였으나, 이는 일 예에 불과하며, 제1이동 분사 부재(300)는 2개 이상의 노즐 암을 포함할 수 있으며, 각각의 노즐 암은 서로 동일한 회전 축 또는 서로 다른 회전 축을 갖고 회전될 수 있다.
In this embodiment, the rotation axis of the first nozzle arm 330 and the rotation axis of the second nozzle arm 240 are different from each other. However, this is merely an example, and the first nozzle arm and the second nozzle arm may have the same rotation axis Can be provided. In addition, although the first moving injection member 300 has been described as having two nozzle arms, this is merely an example, and the first moving injection member 300 may include two or more nozzle arms, The nozzle arms can be rotated with the same rotation axis or different rotation axes.

도 5는 제1노즐 암과 제2노즐 암의 제어 스퀸스를 보여주는 표이고, 도 6 내지 도 9는 제1이동 분사 부재의 동작을 단계적으로 보여주는 도면들이다.FIG. 5 is a table showing the control spans of the first nozzle arm and the second nozzle arm, and FIGS. 6 to 9 are views showing the operation of the first moving injection member in a stepwise manner.

도 5 및 도 6을 참조하면, 제1이동 분사 부재(300)는 원점 상태에서 대기한다. 원점 상태에서 대기하는 제1이동 분사 부재(300)는 제1노즐 암(330)과 제2노즐 암(340)이 나란하게 위치된다. 제1노즐 암(330)과 제2노즐 암(340)은 하나의 승강 구동부를 사용하거나 또는 별도의 승강 구동부를 사용하여 높낮이가 조절될 수 있다. 또는, 제1노즐 암(330)과 제2노즐 암(340)은 높낮이 조절을 위한 승강 구동부를 생략할 수 있다. Referring to FIGS. 5 and 6, the first moving injection member 300 stands by in the origin state. In the first moving injection member 300 waiting in the origin state, the first nozzle arm 330 and the second nozzle arm 340 are positioned side by side. The height of the first nozzle arm 330 and the second nozzle arm 340 may be adjusted by using one elevating driving part or by using a separate elevating driving part. Alternatively, the first nozzle arm 330 and the second nozzle arm 340 may be omitted from the elevation driving unit for height adjustment.

도 5 내지 도 8을 참조하면, 제1노즐 암(330)은 제1축을 중심으로 기판 방향인 반시계방향(CCW)으로 회전한다. 예컨대, 제1노즐 암(330)의 회전 방향은 설비 구성에 따라 시계방향이나 반시계방향이 될 수 있다. 제1노즐 암(330)이 정해진 각도만큼 회전되면, 제2노즐(342)로부터 처리유체 분사가 시작된다. 제1노즐 암(330)과 나란히 위치한 제2노즐 암(340)은 시계방향(CW)으로 회전한다. 즉, 제2노즐 암(340)은 제2축을 관장하는 제2구동부(350)에 의해 기판 중앙에서 가장자리로 스캔 동작하거나 또는 기설정된 지점에서 일정시간 처리 유체 분사가 가능하도록 동작한다. 5 to 8, the first nozzle arm 330 rotates counterclockwise (CCW), which is the substrate direction, about the first axis. For example, the rotation direction of the first nozzle arm 330 may be clockwise or counterclockwise depending on the equipment configuration. When the first nozzle arm 330 is rotated by a predetermined angle, the process fluid injection from the second nozzle 342 is started. The second nozzle arm 340 located in parallel with the first nozzle arm 330 rotates in the clockwise direction (CW). In other words, the second nozzle arm 340 is operated by the second driving unit 350 that controls the second axis to perform scanning operation from the center to the edge of the substrate, or to enable the process fluid injection at a predetermined point for a predetermined time.

제2노즐 암(340)의 토출이 완료되면, 제2노즐(342)로부터 토출되는 처리유체의 비정상적인 흐름(밸브 이상에 따른 처리 유체 떨어짐)을 방지하기 위해 제2노즐 암(340)은 제2구동부(350)에 의해 기판 상부로부터 원점 위치로 복귀한다. 이때, 제2노즐 암(340)은 기판 상부의 한 지점에서 처리유체의 토출을 끊고 원점 복귀하거나 또는 기판 가장자리까지 스캔 동작으로 토출한 후 가장자리 끝에서 토출을 정지한 후 복귀할 수 있다.When the discharge of the second nozzle arm 340 is completed, in order to prevent an abnormal flow of the processing fluid discharged from the second nozzle 342 (the processing fluid drops due to the valve abnormality), the second nozzle arm 340 is moved to the second The driving unit 350 returns to the origin position from the upper portion of the substrate. At this time, the second nozzle arm 340 may discharge the processing fluid at a point above the substrate and return to the home position, or may discharge the substrate at the edge of the substrate by the scanning operation, stop the discharge at the edge, and then return.

도 5 및 도 9를 참조하면, 제2노즐(342)의 토출이 완료되면, 제1노즐(332)로부터 처리유체 분사가 시작된다. 제1노즐 암(330)은 제1구동부(320)에 의해 기판 중앙에서 가장자리로 스캔 동작하거나 또는 기설정된 지점에서 제1노즐(332)이 일정시간 처리유체를 분사하도록 동작한다. 제1노즐(332)의 토출이 완료되면, 제1노즐 암(330)은 원점 위치로의 복귀를 시작한다. 이때, 제2노즐 암(340)은 제1노즐 암(330)의 회전방향과 반대방향으로 회전하여 제1노즐 암(330)이 원점 복귀 완료시 제2노즐 암(340)은 원점 위치를 유지하게 된다. 제1노즐 암(330)의 원점 복귀 동작시 제2노즐 암(340)의 원점 위치가 변경되지 않도록 제1노즐 암(330)과 제2노즐 암(340)의 회전 속도는 동일하게 제공될 수 있다. 한편, 제1노즐 암(330)은 원점 복귀 동작시 기판 상부의 한 지점에서 토출을 끊고 원점 복귀하거나 기판 가장자리까지 스캔 동작으로 토출한 후 기판 가장자리 끝에서 토출을 정지하고 복귀할 수 있다. 5 and 9, when the ejection of the second nozzle 342 is completed, the ejection of the processing fluid from the first nozzle 332 is started. The first nozzle arm 330 is operated by the first driving unit 320 to scan from the center to the edge of the substrate, or the first nozzle 332 is operated to inject the processing fluid for a predetermined time at a predetermined point. When the discharge of the first nozzle 332 is completed, the first nozzle arm 330 starts to return to the home position. At this time, the second nozzle arm 340 rotates in a direction opposite to the rotation direction of the first nozzle arm 330, and when the first nozzle arm 330 completes the home return, the second nozzle arm 340 maintains the home position . The rotational speeds of the first nozzle arm 330 and the second nozzle arm 340 may be the same so that the origin position of the second nozzle arm 340 is not changed during the home return operation of the first nozzle arm 330 have. Meanwhile, the first nozzle arm 330 may stop discharging at one point on the upper part of the substrate during the home return operation, return to the home position, or discharge the scan to the edge of the substrate, and then stop discharging at the edge of the substrate.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims. It will be possible.

100 : 처리 용기
200 : 기판 지지부재
300 : 이동 분사 부재
330 : 제1노즐 암
340 : 제2노즐 암100: Processing vessel
200: substrate supporting member
300: moving injection member
330: first nozzle arm
340: second nozzle arm

Claims (9)

기판 처리 장치에 있어서:
기판이 놓여지는 기판 지지부재;
상기 기판 지지부재에 놓여진 기판 상으로 유체를 공급하는 이동 분사 부재를 포함하되;
상기 이동 분사 부재는
하나 이상의 유체를 분사하기 위해 회전 동작하는 제1노즐 암; 및
하나 이상의 유체를 분사하기 위해 상기 제1노즐 암 상에 설치되는 제2 노즐 암을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus comprising:
A substrate support member on which the substrate is placed;
And a moving injection member for supplying a fluid onto the substrate placed on the substrate supporting member;
The moving injection member
A first nozzle arm that rotates to inject one or more fluids; And
And a second nozzle arm mounted on the first nozzle arm for jetting one or more fluids. 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 노즐 암은 상기 제1 노즐 암 상에서 별도의 회전축과 구동원을 가지고 회전 동작하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the second nozzle arm rotates with a separate rotation axis and a driving source on the first nozzle arm. 제 1 항에 있어서,
상기 제2노즐 암은 상기 제1노즐 암의 회전 동작시 함께 회전되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the second nozzle arm is rotated together with the first nozzle arm in a rotating operation. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 노즐 암과 상기 제 2 노즐 암은 서로 다른 처리 유체를 분사하는 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the first nozzle arm and the second nozzle arm each include a nozzle for jetting different processing fluids. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 이동 분사 부재는
상기 제1노즐암을 회전 동작시키는 제1구동부; 및
상기 제2노즐암을 회전 동작시키는 제2구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The moving injection member
A first driving unit for rotating the first nozzle arm; And
And a second driving unit for rotating the second nozzle arm. 제 5 항에 있어서,
상기 제 2 구동부는 상기 제1노즐 암에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
And the second driving unit is installed in the first nozzle arm. 제 5 항에 있어서,
상기 이동 분사 부재는
상기 제1구동부와 상기 제2구동부를 제어하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
The moving injection member
Further comprising a controller for controlling the first driving unit and the second driving unit. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 이동 분사 부재는
상기 제2노즐 암은 상기 제1노즐 암에 복수개 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The moving injection member
Wherein a plurality of the second nozzle arms are provided to the first nozzle arm. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 이동 분사 부재는
하나 이상의 유체를 분사하기 위해 상기 제2노즐 암 상에서 별도의 회전축과 구동원을 가지고 회전 동작하는 제3노즐 암을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.

3. The method according to claim 1 or 2,
The moving injection member
Further comprising a third nozzle arm rotating with a separate rotation axis and a drive source on said second nozzle arm for ejecting one or more fluids.

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