KR20140005801A - Adhesive tape for surface protection of a semiconductor wafer and method of producing a semiconductor wafer using the same - Google Patents

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KR20140005801A
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후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
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Abstract

Provided are an adhesive tape for protecting the surface of bump wafers and a method for manufacturing semiconductor wafers which are capable of preventing the damage of wafers, preventing seepages from generating, reducing peel strength, and suppressing a remaining part. The adhesive tape for protecting the surface is used for grinding the rear surface of the semiconductor wafers. An adhesive layer is included in a base film. The adhesive layer is a radiation curing adhesive layer. The thickness is thinner than the uneven surface of the semiconductor wafer. The variation of tackiness by the following formula (1) is 30% or greater. (1) [Tα-Tβ (air)] ÷ [Tα-Tβ (N2)] × 100 (Tα : measured tackiness value before irradiation, Tβ (air) : measured tackiness value after 500 mJ/cm^2 of irradiation in the air, Tβ (N2) : measured tackiness value after 500mJ / cm^2 of irradiation under a nitrogen atmosphere).

Description

반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프 및 그것을 이용한 반도체 웨이퍼의 제조방법{ADHESIVE TAPE FOR SURFACE PROTECTION OF A SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD OF PRODUCING A SEMICONDUCTOR WAFER USING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive tape for protecting a surface of a semiconductor wafer, and a method of manufacturing a semiconductor wafer using the pressure-

본 발명은, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프 및 그것을 이용한 반도체 웨이퍼의 제조방법에 관한 것이다. 더 자세하게는, 반도체 웨이퍼를 연삭할 때에 반도체 웨이퍼의 파손, 더스트 침입이나 시페이지(seepage) 등의 오염을 방지하기 위해서, 반도체 웨이퍼의 집적회로가 조립해 넣어진 측의 면을 보호하는데 사용되는 표면 보호용 점착테이프 및 그것을 이용한 반도체 웨이퍼의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive tape for protecting a surface of a semiconductor wafer and a method of manufacturing a semiconductor wafer using the same. More specifically, in order to prevent breakage of a semiconductor wafer, contamination of a dust, seepage, and the like when the semiconductor wafer is ground, a surface used to protect the side on which the integrated circuit of the semiconductor wafer is assembled And a method of manufacturing a semiconductor wafer using the adhesive tape.

반도체 패키지는, 고순도 실리콘 단결정 등을 슬라이스하여 반도체 웨이퍼로 한 후, 이온 주입, 에칭 등에 의해 그 웨이퍼 표면에 집적회로를 형성하여 제조된다. 집적회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭, 연마하는 것에 의해, 반도체 웨이퍼는 원하는 두께로 가공된다. 이 때, 반도체 웨이퍼 표면에 형성된 집적회로를 보호하기 위해서, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프가 이용된다. 이면(裏面) 연삭된 반도체 웨이퍼는, 이면 연삭이 종료된 후에 웨이퍼카세트에 수납되고, 다이싱 공정으로 운반되어, 반도체 칩으로 가공된다.The semiconductor package is manufactured by slicing a high-purity silicon single crystal or the like into a semiconductor wafer, forming an integrated circuit on the wafer surface by ion implantation, etching, or the like. By grinding and polishing the back surface of the semiconductor wafer on which the integrated circuit is formed, the semiconductor wafer is processed to a desired thickness. At this time, in order to protect the integrated circuit formed on the surface of the semiconductor wafer, a pressure-sensitive adhesive tape for protecting the surface of the semiconductor wafer is used. The back side semiconductor wafer is housed in the wafer cassette after the back side grinding is finished, and is carried to the semiconductor wafer by the dicing process.

종래, 연삭, 연마 공정에 있어서 반도체 웨이퍼의 파손, 오염을 방지하기 위해서 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프가 이용되고 있고, 구체적으로는 웨이퍼 표면에 반도체 웨이퍼 표면 보호 점착테이프를 그 점착제층을 통하여 첩착하여 웨이퍼 표면을 보호한 후, 그 웨이퍼의 이면을 기계적으로 연삭한다. 이 공정이 완료된 후, 그 점착테이프는 웨이퍼 표면으로부터 박리된다.BACKGROUND ART Conventionally, a pressure-sensitive adhesive tape for protecting a surface of a semiconductor wafer has been used to prevent breakage or contamination of a semiconductor wafer in a grinding and polishing process. More specifically, After the surface is protected, the back surface of the wafer is mechanically ground. After this process is completed, the adhesive tape is peeled from the wafer surface.

표면 보호용 점착테이프의 중요한 특성 중의 하나는, 웨이퍼 표면에 대한 밀착성이다. 웨이퍼 표면의 요철에 대한 밀착성은, 웨이퍼의 파손 방지, 시페이지 등의 오염성의 관점으로부터 구해지는 것이다. 통상, 반도체 웨이퍼의 표면에는, 조립해 넣어진 집적회로 디바이스에 기인하는 요철이 존재한다.One of the important characteristics of the surface protecting adhesive tape is the adhesion to the wafer surface. The adhesion to the concavities and convexities of the wafer surface is obtained from the viewpoint of preventing the wafer from being damaged, and staining the wafer. Generally, on the surface of a semiconductor wafer, irregularities are caused by integrated circuit devices incorporated.

최근, 반도체 업계의 기술 혁신에 수반하여, 종래의 반도체 테이프에서는 적용이 곤란한 표면 형상을 가지는 반도체 웨이퍼가 출현하고 있다. 특히, 반도체 집적회로 표면이 아래쪽에 배치되어 기판에 접속되는 플립 칩 실장이라 불리는 실장 방법이 있고, 이 실장 방법 등에 적합한 팁을 가지는 반도체 웨이퍼로서 돌기 형상 범프 전극을 가지고 있다. 구체적으로는, 돌기 형상 범프 전극 수식은 땜납, 금, 구리, 은 등이며, 형상은 볼 형상, 원기둥 형상 등이 있다. 범프 전극은 웨이퍼 표면으로부터 돌출되어 형성되어 있고, 웨이퍼 표면과 전극 정점과의 차이는 일반적으로는 100㎛ 정도이지만, 실장 신뢰성을 확보하기 위해서 200㎛를 넘는 것도 출현해 왔다.BACKGROUND ART [0002] With the recent technological innovation of the semiconductor industry, semiconductor wafers having surface shapes that are difficult to apply to conventional semiconductor tapes are emerging. Particularly, there is a mounting method called a flip chip mounting in which the surface of a semiconductor integrated circuit is disposed at a lower side and connected to a substrate, and a semiconductor wafer having a tip suitable for this mounting method has a protruding bump electrode. Specifically, the protruding bump electrode modification is solder, gold, copper, silver or the like, and the shape is a ball shape, a cylindrical shape, or the like. The bump electrode is formed protruding from the wafer surface. The difference between the wafer surface and the electrode peak is generally about 100 mu m, but in order to secure the reliability of the mounting, more than 200 mu m has also appeared.

또한, 최근, 전자 디바이스는 엄격한 비용 제약속에서 더욱 더 소형화, 경량화, 고성능화가 요구되고 있다. 그것에 따라서 반도체 칩은 증가나 소형화에 대응하기 위해, 실장 신뢰성 확보를 위한 높은 단차화 혹은 피치폭이 좁은 돌기 형상 범프 전극 수식에 의한 고밀화(高密化)의 필요가 생기고 있어, 종래의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프에서는 적응 곤란한 표면 형상을 가지는 웨이퍼가 출현해 왔다.In addition, in recent years, electronic devices have been required to be further downsized, lighter, and have higher performance in terms of strict cost and promise. Accordingly, in order to cope with the increase and miniaturization of the semiconductor chip, there is a need to provide a high level of step height for securing the mounting reliability or a high density by the projection type bump electrode modification with a narrow pitch width. In the case of the adhesive tape, wafers having a surface shape difficult to adapt to have appeared.

또한, 피치폭에 관해서는 웨이퍼 표면에 높이 100㎛ 정도의 땜납 볼 범프 전극이 설치되는 경우, 종래, 피치폭은 500㎛ 정도가 일반적이었지만, 현재는 300㎛ 미만인 것이 주류가 되고 있다. 또한, 피치가 200㎛ 정도인 것까지 볼 수 있게 되었다.Regarding the pitch width, when a solder ball bump electrode having a height of about 100 mu m is provided on the surface of the wafer, conventionally, the pitch width is generally about 500 mu m, but currently the mainstream is less than 300 mu m. In addition, it is possible to see that the pitch is about 200 탆 or so.

범프지름이 크고, 높고, 좁은 피치의 범프 전극을 가지는 웨이퍼에 대해서, 종래의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프로부터의 해결 어프로치로서, 점착제층의 탄성률을 낮춰서 부드럽게 하거나, 점착제 두께를 범프 이상의 높이로 하여 웨이퍼 표면의 요철에 추종시켜, 웨이퍼의 파손 방지, 시페이지를 억제하는 방법(예를 들면, 특허문헌 1 참조)이 사용되어 왔다.As a solution approach from a conventional semiconductor wafer surface protective adhesive tape for protecting a surface of a wafer having a bump electrode having a large bump diameter and a high and narrow pitch, the elastic modulus of the pressure sensitive adhesive layer is reduced and made smooth, A method of preventing breakage of wafers and suppressing page breakage (see, for example, Patent Document 1) has been used.

그러나, 범프 높이가 150㎛ 이상이 되면, 완전하게 추종시키기 위해서는 점착제를 매우 부드럽게 하지 않으면 안 되어, 연삭 후의 웨이퍼로부터 점착테이프를 박리할 때에, 웨이퍼의 표면에 점착제의 일부가 남아 버리는 것(이른바, 풀칠하고 남은 부분)이 문제가 되고 있다. 게다가, 그 풀칠하고 남은 부분이 웨이퍼 표면을 오염시켜, 집적회로 디바이스에 전기적 불량 등의 영향을 미치는 경우가 있다.However, when the bump height is 150 mu m or more, the pressure sensitive adhesive must be made very smooth in order to follow it completely, and a part of the pressure sensitive adhesive remains on the surface of the wafer when peeling off the adhesive tape from the wafer after grinding (so- The remaining part of the paste) is becoming a problem. In addition, the pasted portion may contaminate the wafer surface, which may affect the integrated circuit device such as electrical failure.

이것을 해결하기 위해, 점착제의 자외선 경화 반응에 의한 밀착성과 풀칠하고 남은 부분의 억제를 시도하는 방법이 제안(예를 들면, 특허문헌 2 참조)되어 있다. 자외선 경화 반응은, 광중합 개시제의 존재하에서, 광개시제가 자외선 조사(照射)에 의해 래디컬이 되어, 그 래디컬이 점착제의 중합성기를 가지는 폴리머, 올리고머 혹은 모노머에 반응하여 활성화되어 폴리머, 올리고머, 모노머끼리가 연쇄적으로 결합하는 것에 의해 일어난다. 그것에 따라서, 특성으로서는 점착력 저하와 점착제의 경화 수축이 생긴다. 점착력, 경화 수축은 이중 결합의 양과 광중합 개시제의 양이나 폴리머 종류에 따라서 다르고, 이것을 조정하는 것에 의해서 자외선 조사 전의 밀착성과 자외선 조사 후(박리 후)의 풀칠하고 남은 부분을 저감할 수 있다. 그러나, 이 방법에서는, 범프의 지름이 크고, 높고, 게다가 좁은 피치가 되면, 이 방법으로는 대응할 수 없게 되고 있다.In order to solve this problem, there is proposed a method (for example, refer to Patent Document 2) of attempting to suppress the adhesiveness due to the ultraviolet curing reaction of the pressure-sensitive adhesive and the remaining portion to be pasted. In the ultraviolet curing reaction, in the presence of a photopolymerization initiator, the photoinitiator becomes radical by irradiating ultraviolet rays, and the radical is activated in response to a polymer, oligomer or monomer having a polymerizable group of the pressure-sensitive adhesive so that the polymer, oligomer, It occurs by chain coupling. As a result, the adhesive strength is lowered and the curing shrinkage of the pressure-sensitive adhesive agent occurs. Adhesion and curing shrinkage depend on the amount of the double bond, the amount of the photopolymerization initiator, and the kind of the polymer. By adjusting the adhesion, the adhesive property before ultraviolet irradiation and the portion remaining after the ultraviolet irradiation (after peeling) can be reduced. However, in this method, if the diameter of the bump is large, high, and narrow, the pitch can not cope with this method.

예를 들면, 상기 범프에 점착제를 완전하게 밀착시키는 경우, 자외선 조사 전의 딱딱함을 부드럽게 하기 위해, 추종하여 자외선 경화 반응 후에 박리는 할 수 있지만, 추종하기 때문에 범프의 근원에 있는 점착제에는 조사된 자외선이 닿지 않고, 점착력이 저하하지 않기 때문에, 풀칠하고 남은 부분이 생겨 버리는 문제도 있다.For example, in the case of completely adhering the pressure-sensitive adhesive to the bump, peeling can be performed following the ultraviolet curing reaction in order to soften the hardness before irradiation with ultraviolet rays. However, since the pressure sensitive adhesive in the root of the bump is followed, ultraviolet There is a problem in that the adhesive force is not lowered, so that the remaining portion is formed by pasting.

또한, 자외선 경화전에 점착제를 부드럽게 하면, 점착력이 상승하는 경향에 있어, 자외선 조사 후의 점착력을 낮추고, 박리를 가볍게 하기 위해서 자외선에 의해 반응하는 광중합 개시제의 양이나 이중 결합의 양을 많게 할 필요가 있다. 그러나, 자외선에 의해 반응하는 광중합 개시제의 양이나 이중 결합의 양을 많게 하면 경화 수축도 커져, 점착제가 범프에 맞물려 들어가, 테이프의 박리시에 점착제가 테이프 표면과 범프에 밀착된 점착제 사이에서 끊어져, 풀칠하고 남은 부분을 생기게 하는 문제가 발생하고 있다. 나아가서는 박리 불량, 혹은 점착제의 범프에 대한 물려 들어감이 강한 경우에는, 범프 자체를 반도체 웨이퍼로부터 벗겨 버린다고 하는 문제가 발생하고 있다.When the pressure-sensitive adhesive is softened before the ultraviolet curing, the adhesive force tends to increase. In order to lower the adhesive force after irradiation with ultraviolet rays and to lighten the peeling, it is necessary to increase the amount of the photopolymerization initiator and the amount of double bonds reacting by ultraviolet rays . However, if the amount of the photopolymerization initiator and the amount of the double bond reacted by the ultraviolet ray is increased, the curing shrinkage also increases, and the pressure-sensitive adhesive is engaged with the bumps, so that, at the time of peeling off the tape, the adhesive is broken off between the tape surface and the pressure- There is a problem of causing the remaining portion to be pasted. Further, when the peeling failure or the intrusion of the pressure-sensitive adhesive onto the bumps is strong, there arises a problem that the bumps themselves are peeled off from the semiconductor wafer.

이 문제에 대해서, 점착제층 부분을 얇게 하는 것에 의해서, 범프에 추종시키지 않고 풀이 남아, 박리를 개선하는 것을 생각할 수 있지만, 일반적으로 이 방법에서는, 반도체 웨이퍼와 점착제의 사이에 공극이 발생하기 때문에, 공극의 산소에 의한 방사선 경화 저해나 반도체 웨이퍼 주변의 메워 넣음성이 문제가 된다.With respect to this problem, it is conceivable to thin the pressure-sensitive adhesive layer portion so as to improve the peeling without remaining following the bumps. Generally, in this method, a gap is generated between the semiconductor wafer and the pressure- The radiation curing inhibition by the oxygen in the cavity or the buried sound around the semiconductor wafer becomes a problem.

이 때문에, 산소 존재하에서 경화 저해되기 어렵고, 주변의 메워 넣음성이 좋은 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프가 요구되고 있다.Therefore, there is a demand for a pressure-sensitive adhesive tape for surface protection of semiconductor wafers which is hardly inhibited by curing in the presence of oxygen and which has a good buried sound in the surroundings.

일본 공개특허공보 2003-64329호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2003-64329 일본 공개특허공보 2007-302797호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-302797

따라서 본 발명은, 상기와 같은 문제점에 감안하여, 범프 높이가 높은 범프 웨이퍼의 이면 연삭에 이용하는 표면 보호용 점착테이프로, 웨이퍼를 연삭해도 웨이퍼의 파손 방지나 시페이지가 발생하지 않고, 박리력의 경감과 풀칠하고 남은 부분의 억제된 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프 및 반도체 웨이퍼의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In view of the above problems, it is an object of the present invention to provide a surface protecting adhesive tape for grinding a back surface of a bump wafer having a high bump height, which can prevent breakage of the wafer and prevent the wafer from being broken even when the wafer is ground, And a method for producing a pressure-sensitive adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer and a method for manufacturing the semiconductor wafer.

상기 과제에 감안하여, 본 발명자들은 예의 검토를 행한 결과, 방사선 조사 전후의 택크(tackiness)력의 변화율이 중요한 것을 발견하여, 더욱 더 검토를 거듭하여, 본 발명을 완성시키기에 이른 것이다.In view of the above problems, the inventors of the present invention have conducted intensive studies, and as a result, found that the rate of change of tackiness force before and after irradiation is important, and the present inventors have completed the present invention.

즉, 상기 과제는 이하의 수단에 의해 달성되었다.That is, the above object is achieved by the following means.

(1) 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭할 때에 이용하는 표면 보호용 점착테이프로서,(1) A pressure-sensitive adhesive tape for surface protection used when grinding the back surface of a semiconductor wafer,

기재(基材) 필름상에 점착제층을 가지고,A pressure-sensitive adhesive layer on a base film,

상기 점착제층이, 방사선 경화형 점착제층이며, 두께가, 상기 반도체 웨이퍼의 표면 요철보다 얇은 점착제층으로서, 공기중 또는 질소 분위기하에 있어서의 자외선 조사량 500mJ/㎠의 조사 전후에서, 하기 식(1)에서 구할 수 있는 택크력의 변화율이 30% 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프.Wherein the pressure-sensitive adhesive layer is a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer and the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is thinner than the surface unevenness of the semiconductor wafer, Wherein the change rate of the tack force is 30% or more.

식(1)Equation (1)

[Tα-Tβ(공기)]÷[Tα-Tβ(N2)]×100[Tα-Tβ (air)] ÷ [Tα-Tβ (N 2 )] × 100

(식중, Tα는 방사선 조사 전의 택크력의 측정치를 나타내고, Tβ(공기)는 공기중에서의 조사량 500mJ/㎠로 방사선 조사한 후의 택크력의 측정치를 나타내고, Tβ(N2)는 질소 분위기하 조사량 500mJ/㎠로 방사선 조사한 후의 택크력의 측정치를 나타낸다.)(N 2 ) represents a measurement value of the tack force after radiation irradiation at 500 mJ / cm 2 in air, T 硫 (N 2 ) represents a measurement value at 500 mJ / cm 2 in a nitrogen atmosphere, Lt; 2 >).≪ tb >< TABLE >

(2) 상기 점착제층의 조사량 500mJ/㎠에서의 스테인레스강에 대한 방사선 조사 전의 점착력의 저하율이 50% 이상으로서, 그 점착제층의 스테인레스강에 대한 점착력이, 방사선 조사 전이 2.0N/25㎜∼12.0N/25㎜이고, 방사선 조사 후가 0.05N/25㎜∼1.8N/25㎜인 것을 특징으로 하는 (1)에 기재된 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프.(2) The pressure-sensitive adhesive sheet according to any one of (1) to (3), wherein the rate of decrease of the adhesive force before irradiation with radiation to stainless steel at the irradiation dose of 500 mJ / N / 25 mm, and the thickness after irradiation is 0.05 N / 25 mm to 1.8 N / 25 mm.

(3) 상기 점착제층면의 순수(純水)의 접촉각이 70° 이상인 것을 특징으로 하는 (1) 또는 (2)에 기재된 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프.(3) The pressure-sensitive adhesive tape for protecting a surface of a semiconductor wafer according to (1) or (2), wherein a contact angle of pure water on the pressure-sensitive adhesive layer surface is 70 ° or more.

(4) 상기 점착제층의 두께가 범프 높이보다 얇은 것을 특징으로 하는 (1)∼(3) 중의 어느 한 항에 기재된 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프.(4) The pressure-sensitive adhesive tape for protecting a surface of a semiconductor wafer according to any one of (1) to (3), wherein the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is thinner than the bump height.

(5) 반도체 웨이퍼의 웨이퍼 표면을, 기재 필름상에 점착제층을 가지는 표면 보호용 점착테이프로 보호하고, 그 웨이퍼의 이면을 연삭하여 반도체 웨이퍼를 가공하는 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 제조방법으로서,(5) A method for manufacturing a semiconductor wafer, comprising the steps of: protecting a surface of a wafer of a semiconductor wafer with a surface protecting adhesive tape having a pressure-sensitive adhesive layer on a base film; and grinding the back surface of the wafer,

상기 표면 보호용 점착테이프에 상기 반도체 웨이퍼의 표면 요철보다 얇은 점착제층의 표면 보호용 점착테이프를 사용하고,Sensitive adhesive tape for surface protection of a pressure-sensitive adhesive layer thinner than the surface unevenness of the semiconductor wafer is used for the surface-protecting adhesive tape,

상기 표면 보호용 점착테이프의 상기 점착제층이, 방사선 경화형 점착제층이며, 그 점착제층과 웨이퍼 표면의 바닥부(오목부)와의, 하기 식(1)에서 구할 수 있는 택크력의 변화율이 30% 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 제조방법.Wherein the pressure sensitive adhesive layer of the surface protecting adhesive tape is a radiation curable pressure sensitive adhesive layer and the rate of change of the pressure sensitive adhesive force between the pressure sensitive adhesive layer and the bottom portion (concave portion) of the surface of the wafer is 30% Wherein the semiconductor wafer is a semiconductor wafer.

식(1)Equation (1)

[Tα-Tβ(공기)]÷[Tα-Tβ(N2)]×100[Tα-Tβ (air)] ÷ [Tα-Tβ (N 2 )] × 100

(식중, Tα는 방사선 조사 전의 택크력의 측정치를 나타내고, Tβ(공기)는 공기중에서의 조사량 500mJ/㎠로 방사선 조사한 후의 택크력의 측정치를 나타내고, Tβ(N2)는 질소 분위기하 조사량 500mJ/㎠로 방사선 조사한 후의 택크력의 측정치를 나타낸다.)(N 2 ) represents a measurement value of the tack force after radiation irradiation at 500 mJ / cm 2 in air, T 硫 (N 2 ) represents a measurement value at 500 mJ / cm 2 in a nitrogen atmosphere, Lt; 2 >).≪ tb >< TABLE >

(6) 상기 점착제층의 조사량 500mJ/㎠에서의 스테인레스강에 대한 방사선 조사 전의 점착력의 저하율이 50% 이상으로서, 그 점착제층의 스테인레스강에 대한 점착력이, 방사선 조사 전이 2.0N/25㎜∼12.0N/25㎜이고, 방사선 조사 후가 0.05N/25㎜∼1.8N/25㎜인 것을 특징으로 하는 (5)에 기재된 반도체 웨이퍼의 제조방법.(6) The pressure-sensitive adhesive sheet according to any one of the above items (1) to (3), wherein the pressure-sensitive adhesive layer has a reduction rate of adhesion strength before irradiation with radiation of 500 mJ / N / 25 mm, and the ratio after irradiation is 0.05 N / 25 mm to 1.8 N / 25 mm.

(7) 상기 점착제층면의 순수의 접촉각이 70° 이상인 것을 특징으로 하는 (5) 또는 (6)에 기재된 반도체 웨이퍼의 제조방법.(7) The method for producing a semiconductor wafer according to (5) or (6), wherein a contact angle of pure water on the pressure-sensitive adhesive layer surface is 70 ° or more.

(8) 상기 점착제층의 두께가 범프 높이보다 얇은 것을 특징으로 하는 (5)∼(7)중의 어느 한 항에 기재된 반도체 웨이퍼의 제조방법.(8) The method for producing a semiconductor wafer according to any one of (5) to (7), wherein the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is thinner than the bump height.

한편, 여기서 말하는 '점착력'은 구체적으로는, 점착테이프로부터 폭 25㎜×길이 150㎜의 시험편을 3점 채취하고, 그 시료를, JIS R 6253으로 규정하는 280번의 내수(耐水) 연마지로 마무리한 JIS G 4305로 규정하는 두께 1.5㎜∼2.0㎜의 SUS 강판상에 2kg의 고무 롤러를 3번 왕복하여 압착하고, 1시간 방치 후, 측정치가 그 용량의 15∼85%의 범위에 들어가는 JIS B 7721에 적합한 인장 시험기를 이용하여 인장 속도 50㎜/min로 90° 당겨 벗김법에 의해 상온(25℃)에서 측정한다. 또한, 방사선 조사 후의 점착력은, 방사선 경화형 점착제층을 가지는 점착테이프를 압착하여 1시간 경과한 상태로 점착테이프의 기재 필름면으로부터 500mJ/㎠의 자외선을 조사하여 경화시킨 후에 상기와 같이 하여 측정한다.In the meantime, the "adhesive force" referred to here specifically means that three test specimens having a width of 25 mm and a length of 150 mm are taken from the adhesive tape and the sample is finished with 280 water-resistant abrasive paper specified by JIS R 6253 A rubber roller of 2 kg was reciprocated three times on a SUS steel plate having a thickness of 1.5 mm to 2.0 mm specified by JIS G 4305 and pressed for three hours. After leaving for 1 hour, JIS B 7721 having a measured value within a range of 15 to 85% (25 캜) at a tensile rate of 50 mm / min by a 90 캜 pulling-off method. The adhesive force after the irradiation of radiation is measured in the same manner as described above after the adhesive tape having the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer is pressed and cured by irradiating ultraviolet rays of 500 mJ / cm2 from the base film surface of the adhesive tape in 1 hour.

또한, 택크력에 있어서의 방사선 조사 전후의 값은, 특별한 한정이 없는 것 이외는, 질소 분위기하에서 얻어진 값이다.The value before and after the irradiation of the radiation in the tack force is a value obtained under a nitrogen atmosphere, except that there is no particular limitation.

본 발명에 의해, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프를 범프의 지름이 크고, 높고, 좁은 피치의 범프 전극을 가지는 반도체 웨이퍼에 붙여 연삭해도 웨이퍼의 파손 방지나 시페이지가 발생하지 않고, 박리력의 경감과 풀칠하고 남은 부분을 억제할 수 있다.According to the present invention, even if the adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer is bonded to a semiconductor wafer having a bump electrode having a large diameter and a high and narrow pitch and is ground, it is possible to prevent breakage of the wafer, It is possible to suppress the remaining portion after pasting.

이하, 본 발명의 실시형태를 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.

≪반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프≫«Adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer»

본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프는, 기재 필름상에 점착제층을 가지고, 적어도 1종류의 점착제가 도포되어, 그 점착제층이 형성되어 있다.The pressure-sensitive adhesive tape for protecting a surface of a semiconductor wafer of the present invention has a pressure-sensitive adhesive layer on a base film, and at least one kind of pressure-sensitive adhesive is applied to form a pressure-sensitive adhesive layer.

＜점착제층＞<Pressure-sensitive adhesive layer>

본 발명에 있어서, 점착제층은 1종류의 점착제층으로 이루어지는 것이라도, 다른 2종류 이상의 점착제층이 적층되어도 좋지만, 반도체 웨이퍼 표면에 접촉하는 점착제층이 방사선 경화형이다.In the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer may be composed of one kind of pressure-sensitive adhesive layer or two or more different kinds of pressure-sensitive adhesive layers may be laminated, but the pressure-sensitive adhesive layer in contact with the surface of the semiconductor wafer is radiation-curable.

본 발명의 상기 방사선 경화형 점착제층은, 공기중 또는 질소 분위기하에 있어서의 자외선 조사량 500mJ/㎠로 조사했을 때의 방사선 조사 전후의 택크력의 변화율이 30% 이상이다. 여기서, 이 택크력의 변화율은, 점착제층 표면에 대한 달라붙는 척도의 변화율이며, 하기 식(1)에서 구할 수 있다.In the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer of the present invention, the rate of change of the picking force before and after irradiation with radiation in an air irradiation or an ultraviolet irradiation amount of 500 mJ / cm 2 under a nitrogen atmosphere is 30% or more. Here, the rate of change of the tack force is a rate of change of the sticking scale with respect to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer, and can be obtained from the following equation (1).

식(1)Equation (1)

[Tα-Tβ(공기)]÷[Tα-Tβ(N2)]×100[Tα-Tβ (air)] ÷ [Tα-Tβ (N 2 )] × 100

식(1)에 있어서, Tα는 방사선 조사 전의 택크력의 측정치를 나타내고, Tβ(공기)는 공기중에서의 조사량 500mJ/㎠로 방사선 조사한 후의 택크력의 측정치를 나타내고, Tβ(N2)는 질소 분위기하 조사량 500mJ/㎠로 방사선 조사한 후의 택크력의 측정치를 나타낸다.In the formula (1), Tα represents a measure of the tack keuryeok before irradiation, Tβ (air) represents a measure of the tack keuryeok after irradiated radiation to a dose in the air 500mJ / ㎠, Tβ (N 2 ) under nitrogen atmosphere And the measurement of the tack force after irradiation at 500 mJ / cm 2 under irradiation.

한편, 방사선[예를 들면, 자외선과 같은 광선(레이저광선도 포함한다), 전자선 등의 전리성(電離性) 방사선]은 어떠한 것이라도 상관없지만, 반도체 웨이퍼 가공, 보호용으로 사용되는 점착테이프의 경화에는 일반적으로 자외선이 사용되기 때문에, 본 발명에서는, 방사선 조사는, 택크력 및 후술하는 점착력도 포함하여, 자외선 조사로 얻어진 값을 채용한다.On the other hand, any kind of radiation (for example, ionizing radiation such as ultraviolet rays (including laser beams), electron beams, etc.) may be used, but the adhesive tape used for semiconductor wafer processing and protection Ultraviolet rays are generally used. Therefore, in the present invention, radiation irradiation employs a value obtained by ultraviolet irradiation, including a tack force and an adhesion force described later.

또한 택크력은, 택크 시험기(예를 들면, 시판되고 있는 '택크 시험기(상품명: TACII, 레스카 제품)'에 의해 측정할 수 있다.The tack force can be measured by a tack tester (for example, a commercially available 'Tack Tester (trade name: TACII, manufactured by Rescor)'.

구체적으로는, 방사선 경화형 점착제층을 가지는 점착테이프를, 폭 25㎜×길이 250㎜로 잘라내어 시험편으로 하고, 평행판상에 이 시험편을 설치하고, 시험편의 점착제면측에, 3㎜φ 원기둥 형상 프로브를 30㎜/min의 속도로 밀어넣어, 정지 하중 100g로 1sec 유지 후에 600㎜/min의 속도로 끌어올릴 때의 하중을 측정하는 것에 의해 얻을 수 있다. 한편, 측정 온도는 상온(25℃)이다.Specifically, a pressure-sensitive adhesive tape having a radiation-curing pressure-sensitive adhesive layer was cut into a test piece having a width of 25 mm and a length of 250 mm, and the test piece was placed on a parallel plate. A 3 mm diameter cylindrical probe was placed on the pressure- Mm / min, holding the specimen at a static load of 100 g for 1 sec, and then measuring the load when the specimen is lifted at a rate of 600 mm / min. On the other hand, the measurement temperature is room temperature (25 占 폚).

방사선 조사 후의 택크력은, 점착 테이프의 방사선 경화형 점착제층을, 세퍼레이터를 설치한 경우에는 세퍼레이터를 박리한 상태로, 500mJ/㎠의 자외선을 공기중 혹은 질소 분위기하에서 조사하여 경화시킨 후에 상기와 같이 하여 측정한다.The tack force after the irradiation with the radiation is determined by irradiating the radiation curable pressure sensitive adhesive layer of the pressure sensitive adhesive tape with ultraviolet rays of 500 mJ / cm 2 in the air or under a nitrogen atmosphere in the state of separator being peeled when the separator is provided, .

상기의 택크력의 변화율은 50% 이상이 바람직하고, 70% 이상이 더 바람직하다.The rate of change of the picking force is preferably 50% or more, and more preferably 70% or more.

택크력의 변화율이 30% 미만인 경우, 방사선 경화 점착제층이, 반도체 웨이퍼에 접촉하는 면에서의 표면 상태가 방사선(자외선) 조사 전과 대부분 변화하고 있지 않고, 이 때문에, 박리가 무겁고, 풀칠하고 남은 부분도 발생해 버린다. 택크력의 변화율을 30% 이상으로 함으로써 박리가 경감되어 풀칠하고 남은 부분도 억제할 수 있다.When the change rate of the tacking force is less than 30%, the surface state of the radiation-curing pressure-sensitive adhesive layer on the surface contacting the semiconductor wafer does not substantially change from that before the irradiation with radiation (ultraviolet ray), and therefore, . By setting the rate of change of the tack force to 30% or more, peeling can be reduced and the remaining portion can be suppressed.

여기서, 방사선 조사 전의 택크력 Tα는, 100∼450kPa가 바람직하고, 100∼250kPa가 보다 바람직하다.Here, the tack force T? Before irradiation with radiation is preferably 100 to 450 kPa, more preferably 100 to 250 kPa.

택크력의 조절은, 폴리머 공중합체의 분자량과 측쇄의 입체 구조 혹은 경화제, 점착제층의 두께를 조절하는 것에 의해서 행할 수 있다.The adjustment of the mechanical strength can be performed by adjusting the molecular weight of the polymer copolymer, the steric structure of the side chain, or the thickness of the curing agent and the pressure-sensitive adhesive layer.

본 발명의 방사선 경화형 점착제층은, 스테인레스강의 SUS#280 연마면에 대한 상온(25℃)에서의 방사선 조사 전의 점착력이 2.0N/25㎜∼12.0N/25㎜인 것이 바람직하다. 또한, 조사량 500mJ/㎠의 방사선을 조사 후의 상온(25℃)에서의 점착력은 0.05N/25㎜∼1.8N/25㎜인 것이 바람직하다.The radiation curable pressure sensitive adhesive layer of the present invention preferably has an adhesive force of 2.0 N / 25 mm to 12.0 N / 25 mm before irradiation with radiation at room temperature (25 캜) against a SUS # 280 polished surface of stainless steel. Further, it is preferable that the adhesive force at room temperature (25 캜) after irradiation with radiation of 500 mJ / cm 2 is 0.05 N / 25 mm to 1.8 N / 25 mm.

또한, 본 발명에 있어서는, 상기의 점착력의 방사선 조사 전후의 저하율이 50% 이상의 경우에, 점착력이 상기의 범위를 만족시키는 것이 특히 바람직하다.Further, in the present invention, it is particularly preferable that the adhesive force satisfies the above-described range when the decreasing rate of the adhesive force before and after irradiation is 50% or more.

방사선 조사 전의 점착력이 2.0N/25㎜ 미만이면, 연삭시, 반도체 웨이퍼 주변부와의 밀착성 부족에 의해, 시페이지 등의 오염을 일으켜, 반도체 웨이퍼를 파손할 가능성이 있고, 반대로, 12.0N/25㎜를 넘으면, 조사량 500mJ/㎠에서의 방사선 조사 후의 점착력이 1.8N/25㎜까지 저하하지 않는 경우가 있어, 이 결과 경화 후의 박리가 무거워진다. 또한, 점착력이 충분히 저하하지 않으면 경화 후의 박리때, 풀칠하고 남은 부분이 생긴다.If the adhesive force before the irradiation of the radiation is less than 2.0 N / 25 mm, there is a possibility that the semiconductor wafer may be damaged due to insufficient adhesion with the peripheral portion of the semiconductor wafer during grinding, thereby causing damage to the semiconductor wafer. Conversely, , The adhesive force after irradiation with radiation of 500 mJ / cm 2 may not decrease to 1.8 N / 25 mm. As a result, the peeling after curing becomes heavy. In addition, if the adhesive strength is not sufficiently lowered, a portion remaining after the curing is peeled off occurs.

또한, 12.0N/25㎜를 넘으면 2.0N/25㎜ 이하로 하기 위해서는 점착제에 존재하는 이중 결합의 양이나 광중합 개시제를 많이 필요로 하기 때문에, 방사선 조사 후의 경화 수축이 강하고, 범프의 물려 들어감이 일어나기 쉬워져, 박리 불량, 풀칠하고 남은 부분을 발생시킨다.If it exceeds 12.0 N / 25 mm, the amount of the double bonds present in the pressure-sensitive adhesive or the photopolymerization initiator is required to be large in order to set the pressure to 2.0 N / 25 mm or less. Therefore, the curing shrinkage after irradiation is strong, It becomes easy to peel off, and the remaining portion is formed.

방사선 조사 전의 점착력은, 바람직하게는 2.0N/25㎜∼10.0N/25㎜이고, 방사선 조사 후의 점착력은, 바람직하게는 0.05N/25㎜∼1.5N/25㎜이다.The adhesive force before irradiation with radiation is preferably 2.0 N / 25 mm to 10.0 N / 25 mm, and the adhesive force after irradiation with radiation is preferably 0.05 N / 25 mm to 1.5 N / 25 mm.

또한, 방사선 조사 전후의 점착력의 저하율[(조사 전의 점착력-조사 후의 점착력)/조사 전의 점착력]×100은, 50% 이상이 바람직하고, 60% 이상이 보다 바람직하고, 70% 이상이 더 바람직하고, 80% 이상이 특히 바람직하다.Further, the rate of decrease of the adhesive force before and after the irradiation of radiation is preferably 50% or more, more preferably 60% or more, still more preferably 70% or more, , And particularly preferably 80% or more.

점착력의 조절은, 조사 전의 점착력은 수산기, 산기의 비율, 경화제량에 따라서 조절할 수 있고, 조사 후의 점착력은 점착제중의 이중 결합의 양 또는 광중합 개시제량을 조절하는 것에 의해서 행할 수 있다.The adhesive strength before irradiation can be controlled by controlling the amount of double bonds in the pressure-sensitive adhesive or the amount of the photopolymerization initiator after the irradiation, and the adhesive force after irradiation can be adjusted by adjusting the hydroxyl groups, the proportion of the acid groups and the amount of the curing agent.

스테인레스강(SUS#280)에 대한 점착력 및 점착력의 저하율은, 인장 시험기를 이용하여 측정할 수 있다.The adhesive strength to stainless steel (SUS # 280) and the rate of decrease in adhesive strength can be measured using a tensile tester.

구체적으로는, 점착테이프로부터 폭 25㎜×길이 150㎜의 시험편을 3점 채취하고, 그 시료를, JIS R 6253으로 규정하는 280번의 내수 연마지로 마무리한 JIS G 4305로 규정하는 두께 1.5㎜∼2.0㎜의 SUS 강판상에 2kg의 고무 롤러를 3번 왕복하여 압착하고, 1시간 방치 후, 측정치가 그 용량의 15∼85%의 범위에 들어가는 JISB7721에 적합한 인장 시험기를 이용하여 인장 속도 50㎜/min로 90° 당겨 벗김법에 의해 상온(25℃)에서 측정한다. 또한, 방사선 조사 후의 점착력은, 방사선 경화형 점착제층을 가지는 점착테이프를 압착하여 1시간 경과한 상태로 점착테이프의 기재 필름면으로부터 500mJ/㎠의 자외선을 조사하여 경화시킨 후에 상기와 같이 하여 측정한다.Specifically, three test specimens having a width of 25 mm and a length of 150 mm were taken from the adhesive tape, and the test specimens were subjected to a water repellent finish with 280 water-resistant abrasive paper specified by JIS R 6253, having a thickness of 1.5 mm to 2.0 A tensile test was carried out at a tensile speed of 50 mm / min using a tensile tester suitable for JISB7721 in which the measured value falls within a range of 15 to 85% of the capacity. At a room temperature (25 ° C) by a 90 ° pull-off method. The adhesive force after the irradiation of radiation is measured in the same manner as described above after the adhesive tape having the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer is pressed and cured by irradiating ultraviolet rays of 500 mJ / cm2 from the base film surface of the adhesive tape in 1 hour.

본 발명의 점착제층은 순수를 이용한 테이프 점착제층면의 접촉각 φ가 방사선 경화전에 70° 이상을 나타내는 것이 바람직하다. 접촉각 φ의 값이 70° 미만이면, 친수성이 높아지기 때문에 연삭시에 시페이지가 일어나기 쉬워지는 경우가 있다.It is preferable that the pressure-sensitive adhesive layer of the present invention exhibits a contact angle? Of the tape pressure-sensitive adhesive layer surface using pure water at 70 ° or more before radiation curing. When the value of the contact angle? Is less than 70, the hydrophilic property becomes high, and therefore the seepage may easily occur at the time of grinding.

본 발명의 점착제층을 구성하는 점착제를 이하에 설명한다.The pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer of the present invention will be described below.

본 발명에서는, 적어도 반도체 웨이퍼에 접하는 점착제층은 방사선 경화형 점착제층이다.In the present invention, at least the pressure-sensitive adhesive layer in contact with the semiconductor wafer is a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer.

이 방사선 경화형 점착제층은, 점착제 폴리머와 방사선 중합성 화합물을 병용하거나, 또는 점착제를 구성하는 폴리머중에, 방사선으로 중합하는 관능기(바람직하게는 에틸렌성 불포화기)를 조립해 넣은 폴리머를 사용한다.The radiation-curing pressure-sensitive adhesive layer uses a polymer in which a pressure-sensitive adhesive polymer is combined with a radiation-polymerizable compound, or a polymer in which a functional group (preferably an ethylenic unsaturated group) polymerized by radiation is incorporated in the polymer constituting the pressure-sensitive adhesive.

방사선에서의 중합을 촉진하기 위해, 광중합 개시제를 포함하는 것이 바람직하다.In order to promote polymerization in radiation, it is preferable to include a photopolymerization initiator.

또한, 가교제를 함유하는 것도 바람직하다. 점착제를 구성하는 폴리머에 가교제와 반응할 수 있는 관능기를 가진 모노머를 조립해 넣음으로써, 막경도나 겔분율을 조정할 수 있다.It is also preferable to contain a crosslinking agent. The film hardness and the gel fraction can be adjusted by incorporating a monomer having a functional group capable of reacting with the crosslinking agent into the polymer constituting the pressure-sensitive adhesive.

또한, 필요에 따라서, 상기 이외의 첨가제나 첨가물을 함유시킬 수도 있다.If necessary, additives and additives other than the above may be added.

본 발명에 있어서의 택크력, 택크력의 변화율, 점착력, 점착력의 저하율 및 순수의 접촉각 φ의 바람직한 범위에의 조정은, 상기의 소재의 종류, 폴리머의 조성(조립해 넣는 모노머 성분의 종류와 양), 가교제나 광중합 개시제의 사용의 유무, 종류나 사용량에서 바람직한 범위로 조정할 수 있다.The adjustment of the tack force, the rate of change of the tack force, the rate of decrease of the adhesive force, the adhesion force, and the contact angle? Of the pure water in the present invention can be adjusted by adjusting the kind of the material, the composition of the polymer ), The use of the crosslinking agent or the photopolymerization initiator, the type and the amount of the crosslinking agent to be used can be adjusted within a preferable range.

구체적으로는, 이하에 설명하는 바람직한 범위, 혹은 그 조합은, 이들 조정에 유용하다.Specifically, the preferred ranges described below, or combinations thereof, are useful for these adjustments.

점착제를 구성하는 주성분의 폴리머(점착제의 폴리머로 베이스 폴리머라고도 칭한다)는, (메타)아크릴 수지, 에폭시 수지, 천연고무계의 수지, 합성고무계의 수지 등의 다양한 종류의 폴리머중에서 적절히 선택하여 이용할 수 있지만, 이들 중에서도 (메타)아크릴 수지인 것이 바람직하다. (메타)아크릴 수지는 점착력의 제어가 용이하다.The main component polymer constituting the pressure sensitive adhesive (polymer of the pressure sensitive adhesive, also referred to as a base polymer) can be suitably selected from a wide variety of polymers such as (meth) acrylic resin, epoxy resin, natural rubber resin, Among these, a (meth) acrylic resin is preferable. (Meth) acrylic resin is easy to control the adhesive force.

본 발명에 있어서, 점착제층의 주성분은 (메타)아크릴 공중합 수지인 것이 바람직하고, (메타)아크릴 수지로 하는 것에 의해서 점착력의 제어가 용이하게 되어, 겔분율 등을 컨트롤 할 수 있기 때문에, 풀칠하고 남은 부분이나 유기물에 의한 오염을 줄일 수 있다. 폴리머가 (메타)아크릴 수지인 경우, 폴리머를 구성하는 주모노머로서는, (메타)아크릴산 알킬에스테르 또는 2종 이상의 다른 (메타)아크릴산 알킬에스테르의 모노머 혼합물이 바람직하다.In the present invention, the main component of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably a (meth) acrylic copolymer resin. Since the (meth) acrylic resin makes it easy to control the adhesive force and can control the gel fraction and the like, It is possible to reduce the contamination caused by remaining parts or organic matter. When the polymer is a (meth) acrylic resin, a monomer mixture of (meth) acrylic acid alkyl ester or two or more other (meth) acrylic acid alkyl esters is preferable as the main monomer constituting the polymer.

(메타)아크릴산의 알킬 에스테르의 구체적인 예로서는, 예를 들면 (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산에틸, (메타)아크릴산프로필, (메타)아크릴산부틸, (메타)아크릴산이소부틸, (메타)아크릴산이소아밀, (메타)아크릴산헥실, (메타)아크릴산2-에틸헥실, (메타)아크릴산이소옥틸, (메타)아크릴산이소노닐, (메타)아크릴산이소데실 등을 들 수 있다. 이것들은 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합해 사용해도 좋다.Specific examples of the alkyl ester of (meth) acrylic acid include, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, (Meth) acrylate, isohexyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, isononyl (meth) acrylate and isodecyl (meth) acrylate. These may be used alone or in combination of two or more.

본 발명에서는 2종 이상을 혼합해서 이용되는 것이 바람직하고, 2종 이상을 혼합함으로써 다양한 점착제로서의 기능을 발휘시킬 수 있다. 3종 이상을 혼합하는 것이 더 바람직하고, (메타)아크릴산메틸, 아크릴산부틸, (메타)아크릴산2-에틸헥실, (메타)아크릴산, (메타)아크릴산2-하이드록시에틸, (메타)아크릴산글리시딜, 후술하는 2-이소시아네이토에틸(메타)아크릴레이트로부터 선택되는 3종 이상, 바람직하게는 4종 이상을 적어도 공중합하는 것이 특히 바람직하다. 3종류 이상의 모노머를 공중합함으로써 단차에의 밀착성 및 풀칠하고 남은 부분을 포함하는 비오염성을 양립할 수 있게 된다.In the present invention, it is preferable to use a mixture of two or more kinds, and by mixing two or more kinds thereof, various functions as a pressure-sensitive adhesive can be exhibited. (Meth) acrylic acid, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, and the like. (Meth) acrylate, 2-isocyanatoethyl (meth) acrylate, and 2-isocyanatoethyl (meth) acrylate described below. By copolymerizing three or more kinds of monomers, it is possible to make both the adhesion to the step difference and the non-staining property including the remaining portion to be pasted.

본 발명에 있어서는, 상기에 더하여 중합성기를 가지는 모노머 성분, 다관능 모노머, 가교제와 반응할 수 있는 관능기를 가지는 모노머 성분을 사용하는 것이 바람직하다.In the present invention, it is preferable to use a monomer component having a polymerizable group, a polyfunctional monomer, and a monomer component having a functional group capable of reacting with the crosslinking agent.

방사선(바람직하게는 자외선)에 반응하기 위한 모노머로서, 알코올부에 이소시아네이트(-N=C=O)기를 가지는 (메타)아크릴산 에스테르를 들 수 있고, 그 중에서도 이소시아네이트(-N=C=O)기로 치환된 (메타)아크릴산 알킬에스테르가 바람직하다. 이러한 모노머로서는, 예를 들면, 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트, 2-이소시아네이토에틸아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이것들을 적절히, 아크릴 폴리머 공중합체에 더하여 아크릴 폴리머 공중합체의 측쇄의 수산기와 반응함으로써 공중합체에 중합성기를 조립해 넣을 수 있어, 방사선 조사 후의 점착력을 저하시킬 수 있다.(Meth) acrylate ester having an isocyanate (-N = C = O) group in the alcohol moiety and an isocyanate (-N = C = O) group as a monomer for reacting with radiation (preferably ultraviolet ray) Substituted (meth) acrylic acid alkyl esters are preferred. Examples of such a monomer include 2-isocyanatoethyl methacrylate, 2-isocyanatoethyl acrylate, and the like. These are properly added to the acrylic polymer copolymer and reacted with the hydroxyl group of the side chain of the acrylic polymer copolymer, so that the polymerizable group can be incorporated into the copolymer, and the adhesion after irradiation can be lowered.

방사선(바람직하게는 자외선)에 반응하는 모노머의 폴리머중에의 함유량은 10∼60질량%이 바람직하고, 20∼50질량%이 보다 바람직하다.The content of the monomer reactive with radiation (preferably ultraviolet ray) in the polymer is preferably from 10 to 60 mass%, more preferably from 20 to 50 mass%.

또한, 방사선(바람직하게는 자외선)에 반응하는 모노머의 폴리머중에 조립해 넣는 것은, 수산기, 카복실기, 에폭시기, 아미노기 등의 관능기를 측쇄에 가지는 폴리머를 합성한 후에, 이 관능기와 반응하는 관능기를 가지는 방사선(바람직하게는 자외선)에 반응하는 모노머를 더해 반응시키는 것에 의해서 얻을 수 있다.Further, incorporation into a polymer of a monomer which reacts with radiation (preferably ultraviolet rays) is carried out by synthesizing a polymer having a functional group such as a hydroxyl group, a carboxyl group, an epoxy group or an amino group in the side chain, And then adding a monomer reacting with radiation (preferably ultraviolet ray) to react.

점착제에 포함되는 폴리머는, 가교제와 반응할 수 있는 관능기를 가지고 있어도 좋고, 가교제와 반응할 수 있는 관능기로서는, 수산기, 카복실기, 에폭시기, 아미노기 등을 들 수 있다. 점착제 폴리머중에 이러한 가교제와 반응할 수 있는 관능기를 도입하는 방법으로서는, 폴리머를 중합할 때에 이러한 관능기를 가지는 모노머를 공중합시키는 방법이 일반적으로 이용된다.The polymer contained in the pressure-sensitive adhesive may have a functional group capable of reacting with the crosslinking agent, and examples of the functional group capable of reacting with the crosslinking agent include a hydroxyl group, a carboxyl group, an epoxy group and an amino group. As a method of introducing a functional group capable of reacting with such a crosslinking agent into the pressure-sensitive adhesive polymer, a method of copolymerizing a monomer having such a functional group at the time of polymerisation is generally used.

또한, 점착제층의 겔분율의 조정을 위해, 점착제에 포함되는 폴리머를 중합할 때에 다관능 모노머 성분을 공중합 할 수 있다.Further, in order to adjust the gel fraction of the pressure-sensitive adhesive layer, the polyfunctional monomer component can be copolymerized when the polymer contained in the pressure-sensitive adhesive is polymerized.

이러한 다관능 모노머 성분의 관능기로서는, (메타)아크릴로일기, 비닐기, 알릴기를 들 수 있다.Examples of the functional group of the polyfunctional monomer component include a (meth) acryloyl group, a vinyl group and an allyl group.

다관능 모노머로서는, 예를 들면 디에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디메타크릴레이트, 1,6-헥산디올 디아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디메타크릴레이트, 트리메틸롤프로판 트리아크릴레이트, 트리메틸롤프로판 트리메타크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리메타크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사메타크릴레이트, 디비닐 벤젠 등을 들 수 있다.Examples of the polyfunctional monomer include diethylene glycol diacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, ethylene glycol diacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, tetraethylene glycol dimethacrylate , Neopentyl glycol diacrylate, neopentyl glycol dimethacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate Pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol hexamethacrylate, divinylbenzene, and the like.

이들 다관능 모노머는, 점착제에 포함되는 폴리머 성분으로서 조립해 넣는 것 외에, 점착제 폴리머에 병용하여 함유하는 방사선 중합성 화합물로서 사용하는 것도 바람직하다.These multifunctional monomers are preferably used as a radiation-polymerizable compound contained in combination with a pressure-sensitive adhesive polymer in addition to being incorporated as a polymer component contained in a pressure-sensitive adhesive.

이 경우, 점착제 폴리머는 방사선의 중합성기를 가지고 있어도 가지지 않아도 상관없다.In this case, the pressure sensitive adhesive polymer may or may not have a polymerizable group of radiation.

점착제 폴리머에 병용하여 함유하는 방사선 중합성 화합물로서 사용하는 경우, 방사선 중합성 화합물의 배합량은, 베이스 폴리머의 점착제 폴리머 100질량부에 대해서, 50∼200질량부가 바람직하고, 100∼150질량부가 보다 바람직하다.When used as a radiation-polymerizable compound contained in combination with the pressure-sensitive adhesive polymer, the blending amount of the radiation-polymerizable compound is preferably 50 to 200 parts by mass, more preferably 100 to 150 parts by mass, per 100 parts by mass of the pressure- Do.

본 발명에서 사용하는 방사선 경화형 점착제층을 구성하는 점착제는, 예를 들면, 일본 공고특허공보 평성 1-56112호, 일본 공개특허공보 평성 7-135189호 등에 기재된 것이 바람직하게 사용되지만 이것들에 한정되는 일은 없다.The pressure-sensitive adhesives constituting the radiation-curing pressure-sensitive adhesive layer used in the present invention are preferably those described in, for example, Japanese Patent Publication Nos. 1-56112 and 7-135189, none.

점착제에는, 광중합 개시제를 함유시킴으로써, 방사선 조사에 의한 경화 반응을 효율적으로 행할 수 있어, 바람직하다.By containing a photopolymerization initiator in the pressure-sensitive adhesive, a curing reaction by irradiation with radiation can be performed efficiently, which is preferable.

광중합 개시제로서는, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 2-하이드록시-2-메틸프로피오페논, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 2-하이드록시-1-{4-[4-(2-하이드록시-2-메틸프로피오닐)-벤질]페닐}-2-메틸-프로판-1-온, 1-[4-(2-하이드록시에톡시)-페닐]-2-하이드록시-2-메틸-1-프로판-1-온 등을 들 수 있다.Examples of the photopolymerization initiator include 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone, 2-hydroxy-2-methylpropiophenone, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane- 1- [4- (2-hydroxy-2-methylpropionyl) -benzyl] phenyl} -2- methyl- Ethoxy) -phenyl] -2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one.

광중합 개시제의 배합량은, 베이스 폴리머 100질량부에 대해서, 0.5∼10질량부가 바람직하고, 2∼5질량부가 보다 바람직하다.The blending amount of the photopolymerization initiator is preferably 0.5 to 10 parts by mass, more preferably 2 to 5 parts by mass, per 100 parts by mass of the base polymer.

상기 베이스 폴리머에 응집력을 부가하기 위해서 가교제를 배합할 수 있다.A crosslinking agent may be added to impart cohesive force to the base polymer.

특히, 베이스 폴리머가 (메타)아크릴 수지의 경우, 경화제를 배합하는 것에 의해서 점착력이 제어된다. 경화제의 배합부수를 조정함으로써 소정의 점착력을 얻을 수 있다.In particular, when the base polymer is a (meth) acrylic resin, the adhesive force is controlled by blending a curing agent. A predetermined adhesive strength can be obtained by adjusting the number of components of the curing agent.

이러한 가교제로서는, 예를 들면 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제, 아지리딘계 가교제, 아민 수지 등을 들 수 있다.Examples of such crosslinking agents include isocyanate crosslinking agents, epoxy crosslinking agents, metal chelating crosslinking agents, aziridine crosslinking agents and amine resins.

가교제의 배합량은, 베이스 폴리머 100질량부에 대해서, 0.5∼10질량부가 바람직하고, 1∼5질량부가 보다 바람직하다.The blending amount of the crosslinking agent is preferably 0.5 to 10 parts by mass, more preferably 1 to 5 parts by mass, per 100 parts by mass of the base polymer.

또한 점착제에는, 본 발명의 목적이 손상되지 않는 범위에서, 원함에 따라, 각종 첨가 성분을 함유시킬 수 있다.In addition, the pressure-sensitive adhesive may contain various kinds of additive components in accordance with the desired range as long as the object of the present invention is not impaired.

본 발명에 있어서는, 적어도 반도체 웨이퍼와 접하는 점착제층은, 방사선 경화형 점착제층이지만, 복수의 점착제층을 가지는 경우는, 적어도 반도체 웨이퍼와 접하는 점착제층 이외의 층에, 가열 발포형의 점착제도 이용할 수 있다. 방사선 경화형의 점착제는, 자외선, 전자선 등으로 경화되고, 박리시에는 박리되기 쉬운 것이고, 가열 발포형의 점착제는, 발포제나 팽창제에 의해 박리되기 쉽게 하는 것이다.In the present invention, at least the pressure-sensitive adhesive layer in contact with the semiconductor wafer is a radiation-curing pressure-sensitive adhesive layer, but if it has a plurality of pressure-sensitive adhesive layers, a pressure-sensitive adhesive of a heating foaming type can be used for a layer other than the pressure- . The radiation-curable pressure-sensitive adhesive is cured by ultraviolet rays, electron beams, or the like, and is liable to be peeled off at the time of peeling, and the heat-expandable pressure-sensitive adhesive is easily peeled off by the foaming agent or the swelling agent.

또한, 점착제로서는 다이싱·다인본딩 겸용 가능한 접착제이더라도 좋다.As the pressure-sensitive adhesive, an adhesive capable of both dicing and dying bonding may be used.

본 발명의 방사선 경화형 점착제층의 두께는, 붙이는 반도체 웨이퍼의 표면 요철보다 얇다. 방사선 경화형 점착제층의 두께는 범프 높이보다 얇은 것이 바람직하고, 범프의 높이의 절반 이하인 것이 보다 바람직하다. 이 범위로 방사선 경화형 점착제층의 두께를 조정함으로써, 범프의 높이에 대해서 완전한 추종은 하지 않지만, 범프 표면의 요철에 대해서 추종하여, 범프가 없는 반도체 웨이퍼면과 같이 완전하게 밀착하는 것이다. 이와 같이, 범프에 대한 접촉 표면적을 줄임으로써, 박리를 가볍게 하여, 풀칠하고 남은 부분을 억제할 수 있다.The thickness of the radiation-curing pressure-sensitive adhesive layer of the present invention is thinner than the surface unevenness of the attached semiconductor wafer. The thickness of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer is preferably thinner than the bump height, and more preferably less than half the height of the bump. By adjusting the thickness of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer in this range, the bump height is not completely followed, but the bump is closely adhered to the surface of the semiconductor wafer without the bumps. By reducing the contact surface area with respect to the bumps in this way, the peeling can be lightened, and the remaining portion can be suppressed.

＜기재 필름＞<Base film>

기재 필름의 재질로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 및 폴리부텐과 같은 폴리올레핀; 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체 및 에틸렌-(메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 같은 에틸렌 공중합체; 연질 폴리염화비닐, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 반경질 폴리염화비닐, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리아미드, 폴리이미드, 천연고무 및 합성고무 등의 고분자 재료가 바람직하다.As the material of the base film, polyolefins such as polyethylene, polypropylene and polybutene; Ethylene copolymers such as ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer and ethylene- (meth) acrylic acid ester copolymer; Polymer materials such as flexible polyvinyl chloride, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, semi-rigid polyvinyl chloride, polyester, polyurethane, polyamide, polyimide, natural rubber and synthetic rubber are preferable.

본 발명에 있어서는, 에틸렌-초산비닐 공중합체가 바람직하다.In the present invention, an ethylene-vinyl acetate copolymer is preferable.

기재 필름은, 단층 필름, 또는 그들 2종 이상이 혼합 혹은 복층화된 필름으로서 이용할 수 있다.The base film can be used as a single layer film, or as a film in which two or more kinds thereof are mixed or layered.

기재 필름의 두께는 10∼500㎛가 바람직하고, 50∼200㎛가 보다 바람직하다.The thickness of the base film is preferably 10 to 500 mu m, more preferably 50 to 200 mu m.

기재 필름상에 상기의 점착제층을 형성하기 위해서는, 기재 필름의 적어도 한쪽면에, 적어도 1종류의 점착제, 본 발명에 있어서는, 방사선 경화형 점착제를 임의의 방법으로 도포하면 좋다. 점착제층의 두께는 5∼30㎛가 바람직하다. 또한, 기재 필름과 점착제층의 사이에, 필요에 따라서 프라이머층 등의 중간층을 형성해도 좋다.In order to form the pressure-sensitive adhesive layer on the base film, at least one pressure-sensitive adhesive may be applied to at least one surface of the base film, and in the present invention, a radiation-curable pressure-sensitive adhesive may be applied by an arbitrary method. The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 5 to 30 占 퐉. An intermediate layer such as a primer layer may be optionally formed between the base film and the pressure-sensitive adhesive layer.

≪반도체 웨이퍼의 제조방법≫&Lt; Method of manufacturing semiconductor wafer &

본 발명에 있어서의 반도체 웨이퍼의 제조방법에서는, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프로, 반도체 웨이퍼의 웨이퍼 표면을 보호하고, 그 웨이퍼의 이면을 연삭하여 반도체 웨이퍼를 가공하는 공정을 포함한다.The method of manufacturing a semiconductor wafer according to the present invention includes a step of protecting the wafer surface of a semiconductor wafer with an adhesive tape for protecting the surface of the semiconductor wafer and grinding the back surface of the wafer to machine the semiconductor wafer.

반도체 웨이퍼의 웨이퍼 표면을 보호할 때에 사용하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프의 점착제층의 두께, 특히 방사선 경화형 점착제층의 두께를, 보호하는 반도체 웨이퍼의 표면 요철의 높낮이에 맞추어 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프를 사용하는 것이 바람직하고, 반도체 웨이퍼의 표면 요철보다 얇은 점착제층의 표면 보호용 점착테이프를 사용한다.The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape for protecting the surface of the semiconductor wafer used for protecting the surface of the wafer of the semiconductor wafer, in particular, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer of the radiation- Sensitive adhesive tape for surface protection of a pressure-sensitive adhesive layer thinner than the surface unevenness of the semiconductor wafer is preferably used.

이와 같이, 보호하는 반도체 웨이퍼의 표면 요철을 사전에 조사(調査)하여, 표면 보호용 점착테이프의 점착제층의 두께를 조정하거나, 또는, 복수가 다른 두께의 표면 보호용 점착테이프를 제작해 두어, 지금부터 선택하여 사용함으로써, 대응할 수 있다.As described above, the surface unevenness of the semiconductor wafer to be protected is previously investigated to adjust the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer of the surface-protecting adhesive tape, or a plurality of different thicknesses of the surface- Can be selected and used.

반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프와 보호하는 반도체 웨이퍼의 표면 요철의 관계를 고려하여 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프를 사용하는 이외는, 통상의 반도체 웨이퍼의 제조공정을 적용할 수 있다.A general semiconductor wafer manufacturing process can be applied, except that a pressure-sensitive adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer is used in consideration of the relationship between the surface irregularities of the adhesive tape for protecting the surface of the semiconductor wafer and the protective semiconductor wafer.

실시예Example

이하, 본 발명을 실시예에 기초하여, 더 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples, but the present invention is not limited to these examples.

＜실시예 1＞&Lt; Example 1 &gt;

2-에틸헥실아크릴레이트를 65질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 33질량부, 메타크릴산을 2질량부, 초산에틸중에서 중합을 행하여, 공중합하여 얻어진 질량평균 분자량 80만의 공중합체 100질량부에 대해서, 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트를 60질량부 첨가하여, 아크릴계 공중합체를 얻었다. 중합한 아크릴계 공중합체에 어덕트(adduct)계 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 니폰폴리우레탄사 제품)을 2질량부, 광중합 개시제 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논을 2질량부 배합하여, 도공(塗工)하기 쉬운 점도로 조정하기 위해 초산에틸로 조정을 행하여, 점착제 조성물을 얻었다.65 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 33 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, 2 parts by mass of methacrylic acid, and 100 parts by mass of a copolymer having a weight average molecular weight of 800,000 obtained by copolymerization in ethyl acetate , 60 parts by mass of 2-isocyanatoethyl methacrylate was added to obtain an acrylic copolymer. 2 parts by mass of an adduct-based isocyanate-based crosslinking agent Colonate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) and 2 parts by mass of a photopolymerization initiator 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone were added to the polymerized acrylic copolymer And the mixture was adjusted with ethyl acetate so as to adjust the viscosity to a viscosity easy to coat (coating), to obtain a pressure-sensitive adhesive composition.

두께 25㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)의 세퍼레이터상에, 건조 후의 막 두께가 30㎛가 되도록 점착제 조성물을 도포하고, 건조시킨 후, 두께 100㎛의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 필름상에 맞붙임으로써 적층하여, 실시예 1에 관한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 제작하였다.A pressure-sensitive adhesive composition was applied on a separator of polyethylene terephthalate (PET) having a thickness of 25 占 퐉 so that the film thickness after drying was 30 占 퐉, dried, and then laminated on an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) To thereby produce a pressure-sensitive adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer according to Example 1.

＜실시예 2＞&Lt; Example 2 &gt;

2-에틸헥실아크릴레이트를 72질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 26질량부, 메타크릴산을 2질량부, 초산에틸중에서 중합을 행하여, 공중합하여 얻어진 질량평균 분자량 70만의 공중합체 100질량부에 대해서, 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트를 20질량부 첨가하여, 아크릴계 공중합체를 얻었다. 중합한 아크릴계 공중합체에 어덕트계 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 니폰폴리우레탄사 제품)를 1.5질량부, 광중합 개시제 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논을 2질량부 배합하여, 도공하기 쉬운 점도로 조정하기 위해 초산에틸로 조정을 행하여, 점착제 조성물을 얻었다.72 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 26 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, 2 parts by mass of methacrylic acid, and 100 parts by mass of a copolymer having a mass average molecular weight of 700,000 obtained by copolymerization in ethyl acetate , 20 parts by mass of 2-isocyanatoethyl methacrylate was added to obtain an acrylic copolymer. To the polymerized acrylic copolymer, 1.5 parts by mass of an isocyanate-based crosslinking agent Colonate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) and 2 parts by mass of 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone as a photopolymerization initiator , And adjustment was made with ethyl acetate so as to adjust the viscosity to be easy to apply, thereby obtaining a pressure-sensitive adhesive composition.

두께 25㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)의 세퍼레이터상에, 건조 후의 막 두께가 20㎛가 되도록 점착제 조성물을 도포하고, 건조시킨 후, 두께 100㎛의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 필름상에 맞붙임으로써 적층하여, 실시예 2에 관한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프를 제작하였다.A pressure-sensitive adhesive composition was applied on a separator of polyethylene terephthalate (PET) having a thickness of 25 占 퐉 so that the film thickness after drying was 20 占 퐉, dried, and then laminated on an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) To thereby produce a pressure-sensitive adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer according to Example 2.

＜실시예 3＞&Lt; Example 3 &gt;

2-에틸헥실아크릴레이트를 68질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 30질량부, 메타크릴산을 2질량부, 초산에틸중에서 중합을 행하여, 공중합하여 얻어진 질량평균 분자량 80만의 공중합체 100질량부에 대해서, 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트를 20질량부 첨가하여, 아크릴계 공중합체를 얻었다. 중합한 아크릴계 공중합체에 어덕트계 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 니폰폴리우레탄사 제품)을 2질량부, 광중합 개시제 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논을 2질량부 배합하여, 도공하기 쉬운 점도로 조정하기 위해 초산에틸로 조정을 행하여, 점착제 조성물을 얻었다.68 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 30 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, 2 parts by mass of methacrylic acid, and 100 parts by mass of a copolymer having a weight average molecular weight of 800,000 obtained by copolymerization in ethyl acetate , 20 parts by mass of 2-isocyanatoethyl methacrylate was added to obtain an acrylic copolymer. 2 parts by mass of an isocyanate-based crosslinking agent Colonate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) as the polymerized acrylic copolymer and 2 parts by mass of 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone as a photopolymerization initiator , And adjustment was made with ethyl acetate so as to adjust the viscosity to be easy to apply, thereby obtaining a pressure-sensitive adhesive composition.

두께 25㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)의 세퍼레이터상에, 건조 후의 막 두께가 30㎛가 되도록 점착제 조성물을 도포하고, 건조시킨 후, 두께 100㎛의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 필름상에 맞붙임으로써 적층하여, 실시예 3에 관한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프를 제작하였다.A pressure-sensitive adhesive composition was applied on a separator of polyethylene terephthalate (PET) having a thickness of 25 占 퐉 so that the film thickness after drying was 30 占 퐉, dried, and then laminated on an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) To thereby produce a pressure-sensitive adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer according to Example 3.

＜실시예 4＞<Example 4>

2-에틸헥실아크릴레이트를 77질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 10질량부, 메타크릴산 에틸 12질량부, 메타크릴산을 1질량부로서 초산에틸중에서 중합을 행하여, 공중합하여 얻어진 질량평균 분자량 40만의 공중합체 100질량부에 대해서, 분자량 2000의 4관능 아크릴레이트계 올리고머(신나카무라가가쿠(新中村化學) 제품)를 100질량부 첨가하고, 어덕트계 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 니폰폴리우레탄사 제품)을 2질량부, 광중합 개시제 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논을 2질량부 배합하여, 도공하기 쉬운 점도로 조정하기 위해 초산에틸로 조정을 행하여, 점착제 조성물을 얻었다.77 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 10 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, 12 parts by mass of ethyl methacrylate and 1 part by mass of methacrylic acid were polymerized in ethyl acetate to obtain a mass 100 parts by mass of a tetrafunctional acrylate oligomer having a molecular weight of 2000 (manufactured by Shin Nakamura Chemical Co., Ltd.) was added to 100 parts by mass of a copolymer having an average molecular weight of 400,000 and an isocyanate-based crosslinking agent colonnate L (Trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) and 2 parts by mass of 4, 4'-bis (diethylamino) benzophenone as a photopolymerization initiator were mixed and adjusted with ethyl acetate so as to adjust the viscosity to an easy- To obtain a pressure-sensitive adhesive composition.

두께 25㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)의 세퍼레이터상에, 건조 후의 막 두께가 20㎛가 되도록 점착제 조성물을 도포하고, 건조시킨 후, 두께 100㎛의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 필름상에 맞붙임으로써 적층하여, 실시예 4에 관한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프를 제작하였다.A pressure-sensitive adhesive composition was applied on a separator of polyethylene terephthalate (PET) having a thickness of 25 占 퐉 so that the film thickness after drying was 20 占 퐉, dried, and then laminated on an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) To thereby produce a pressure-sensitive adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer according to Example 4.

＜실시예 5＞&Lt; Example 5 &gt;

2-에틸헥실아크릴레이트를 78질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 20질량부, 메타크릴산을 2질량부, 초산에틸중에서 중합을 행하여, 공중합하여 얻어진 질량평균 분자량 75만의 공중합체 100질량부에 대해서, 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트를 25질량부 첨가하여, 아크릴계 공중합체를 얻었다. 중합한 아크릴계 공중합체에 어덕트계 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 니폰폴리우레탄사 제품)을 0.5질량부, 광개시제 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논을 2질량부 배합하여, 도공하기 쉬운 점도로 조정하기 위해 초산에틸로 조정을 행하여, 점착제 조성물을 얻었다.78 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 20 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, 2 parts by mass of methacrylic acid, and 100 parts by mass of a copolymer having a mass average molecular weight of 750,000 obtained by copolymerization in ethyl acetate , 25 parts by mass of 2-isocyanatoethyl methacrylate was added to obtain an acrylic copolymer. 0.5 part by mass of an isocyanate-based crosslinking agent Colonate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) and 2 parts by mass of 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone as a photoinitiator were blended with the polymerized acrylic copolymer, Adjustment was made with ethyl acetate so as to adjust the viscosity to be easy to apply, to obtain a pressure-sensitive adhesive composition.

두께 25㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)의 세퍼레이터상에, 건조 후의 막 두께가 20㎛가 되도록 점착제 조성물을 도포하고, 건조시킨 후, 두께 100㎛의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 필름상에 맞붙임으로써 적층하여, 실시예 5에 관한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프를 제작하였다.A pressure-sensitive adhesive composition was applied on a separator of polyethylene terephthalate (PET) having a thickness of 25 占 퐉 so that the film thickness after drying was 20 占 퐉, dried, and then laminated on an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) To thereby produce a pressure-sensitive adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer according to Example 5.

＜실시예 6＞&Lt; Example 6 &gt;

2-에틸헥실아크릴레이트를 82질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 16질량부, 메타크릴산을 2질량부, 초산에틸중에서 중합을 행하여, 공중합하여 얻어진 질량평균 분자량 100만의 공중합체 100질량부에 대해서, 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트를 40질량부 첨가하여, 아크릴계 공중합체를 얻었다. 중합한 아크릴계 공중합체에 어덕트계 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 니폰폴리우레탄사 제품)을 1질량부, 광중합 개시제 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논을 2질량부 배합하여, 도공하기 쉬운 점도로 조정하기 위해 초산에틸로 조정을 행하여, 점착제 조성물을 얻었다.82 mass parts of 2-ethylhexyl acrylate, 16 mass parts of 2-hydroxyethyl acrylate, 2 mass parts of methacrylic acid, and 100 mass parts of a copolymer having a mass average molecular weight of 1,000,000 obtained by copolymerization in ethyl acetate , 40 parts by mass of 2-isocyanatoethyl methacrylate was added to obtain an acrylic copolymer. 1 part by mass of an isocyanate-based crosslinking agent Colonate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) and 2 parts by mass of 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone as a photopolymerization initiator were blended with the polymerized acrylic copolymer , And adjustment was made with ethyl acetate so as to adjust the viscosity to be easy to apply, thereby obtaining a pressure-sensitive adhesive composition.

두께 25㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)의 세퍼레이터상에, 건조 후의 막 두께가 10㎛가 되도록 점착제 조성물을 도포하고, 건조시킨 후, 두께 100㎛의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 필름상에 맞붙임으로써 적층하여, 실시예 6에 관한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프를 제작하였다.The pressure-sensitive adhesive composition was applied on a separator of polyethylene terephthalate (PET) having a thickness of 25 占 퐉 so that the film thickness after drying was 10 占 퐉, dried, and then laminated on an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) To thereby produce a pressure-sensitive adhesive tape for surface protection of semiconductor wafer according to Example 6.

＜실시예 7＞&Lt; Example 7 &gt;

2-에틸헥실아크릴레이트를 69질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 29질량부, 메타크릴산을 2질량부, 초산에틸중에서 중합을 행하여, 공중합하여 얻어진 질량평균 분자량 80만의 공중합체 100질량부에 대해서, 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트를 30질량부 첨가하여, 아크릴계 공중합체를 얻었다. 중합한 아크릴계 공중합체에 어덕트계 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 니폰폴리우레탄사 제품)을 2.5질량부, 광중합 개시제 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논을 2질량부 배합하여, 도공하기 쉬운 점도로 조정하기 위해 초산에틸로 조정을 행하여, 점착제 조성물을 얻었다.69 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 29 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, 2 parts by mass of methacrylic acid, and 100 parts by mass of a copolymer having a mass average molecular weight of 800,000 obtained by copolymerization in ethyl acetate , 30 parts by mass of 2-isocyanatoethyl methacrylate was added to obtain an acrylic copolymer. To the polymerized acrylic copolymer was added 2.5 parts by mass of an isocyanate-based crosslinking agent Colonate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) and 2 parts by mass of 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone as a photopolymerization initiator , And adjustment was made with ethyl acetate so as to adjust the viscosity to be easy to apply, thereby obtaining a pressure-sensitive adhesive composition.

두께 25㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)의 세퍼레이터상에, 건조 후의 막 두께가 5㎛가 되도록 점착제 조성물을 도포하고, 건조시킨 후, 두께 100㎛의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 필름상에 맞붙임으로써 적층하여, 실시예 7에 관한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프를 제작하였다.The pressure-sensitive adhesive composition was applied on a separator of polyethylene terephthalate (PET) having a thickness of 25 占 퐉 so as to have a thickness of 5 占 퐉 after drying, and then dried on an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) To thereby produce a pressure-sensitive adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer according to Example 7.

＜실시예 8＞&Lt; Example 8 &gt;

2-에틸헥실아크릴레이트를 77질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 10질량부, 메타크릴산 에틸 12질량부, 메타크릴산을 1질량부로서 초산에틸중에서 중합을 행하여, 공중합하여 얻어진 질량평균 분자량 40만의 공중합체 100질량부에 대해서, 분자량 1000∼2000의 4관능 아크릴레이트계 올리고머(신나카무라가가쿠 제품)를 50질량부 첨가하고, 어덕트계 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 니폰폴리우레탄사 제품)을 2질량부, 광중합 개시제 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논을 2질량부 배합하여, 도공하기 쉬운 점도로 조정하기 위해 초산에틸로 조정을 행하여, 점착제 조성물을 얻었다.77 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 10 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, 12 parts by mass of ethyl methacrylate and 1 part by mass of methacrylic acid were polymerized in ethyl acetate to obtain a mass 50 parts by mass of a tetrafunctional acrylate oligomer having a molecular weight of 1000 to 2000 (manufactured by Shin Nakamura Chemical Co., Ltd.) was added to 100 parts by mass of a copolymer having an average molecular weight of 400,000 and an isocyanate-based crosslinking agent Colonate L Ltd.) and 2 parts by mass of 4, 4'-bis (diethylamino) benzophenone as a photopolymerization initiator were mixed and adjusted with ethyl acetate so as to obtain a viscosity which is easy to be coated, .

두께 25㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)의 세퍼레이터상에, 건조 후의 막 두께가 40㎛가 되도록 점착제 조성물을 도포하고, 건조시킨 후, 두께 100㎛의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 필름상에 맞붙임으로써 적층하여, 실시예 8에 관한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프를 제작하였다.A pressure-sensitive adhesive composition was applied on a separator of polyethylene terephthalate (PET) having a thickness of 25 占 퐉 so that the film thickness after drying was 40 占 퐉, dried, and then laminated on an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) To thereby produce a pressure-sensitive adhesive tape for protecting a surface of a semiconductor wafer according to Example 8.

＜실시예 9＞&Lt; Example 9 &gt;

2-에틸헥실아크릴레이트를 43질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 35질량부, 메타크릴산 에틸 20질량부, 메타크릴산을 2질량부, 초산에틸중에서 중합을 행하여, 공중합하여 얻어진 질량평균 분자량 40만의 공중합체 100질량부에 대해서, 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트를 20질량부 첨가하여, 아크릴계 공중합체를 얻었다. 중합한 아크릴계 공중합체에 어덕트계 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 니폰폴리우레탄사 제품)을 1.5질량부, 광중합 개시제 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논을 2질량부 배합하여, 도공하기 쉬운 점도로 조정하기 위해 초산에틸로 조정을 행하여, 점착제 조성물을 얻었다.43 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 35 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, 20 parts by mass of ethyl methacrylate, 2 parts by mass of methacrylic acid, and ethyl acetate, 20 parts by mass of 2-isocyanatoethyl methacrylate was added to 100 parts by mass of a copolymer having an average molecular weight of 400,000 to obtain an acrylic copolymer. To the polymerized acrylic copolymer, 1.5 parts by mass of an isocyanate-based crosslinking agent Colonate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) and 2 parts by mass of 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone as a photopolymerization initiator , And adjustment was made with ethyl acetate so as to adjust the viscosity to be easy to apply, thereby obtaining a pressure-sensitive adhesive composition.

두께 25㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)의 세퍼레이터상에, 건조 후의 막 두께가 3㎛가 되도록 점착제 조성물을 도포하고, 건조시킨 후, 두께 100㎛의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 필름상에 맞붙임으로써 적층하여, 실시예 9에 관한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프를 제작하였다.The pressure-sensitive adhesive composition was applied on a separator of polyethylene terephthalate (PET) having a thickness of 25 占 퐉 so as to have a thickness of 3 占 퐉 after drying, and then dried and patterned on an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) To thereby produce a pressure-sensitive adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer according to Example 9.

＜실시예 10＞&Lt; Example 10 &gt;

2-에틸헥실아크릴레이트를 56질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 42질량부, 메타크릴산을 2질량부, 초산에틸중에서 중합을 행하여, 공중합하여 얻어진 질량평균 분자량 100만의 공중합체 100질량부에 대해서, 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트를 60질량부 첨가하여, 아크릴계 공중합체를 얻었다. 중합한 아크릴계 공중합체에 어덕트계 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 니폰폴리우레탄사 제품)을 5질량부, 광중합 개시제 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논을 2질량부 배합하여, 도공하기 쉬운 점도로 조정하기 위해 초산에틸로 조정을 행하여, 점착제 조성물을 얻었다.56 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 42 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, 2 parts by mass of methacrylic acid, and 100 parts by mass of a copolymer having a mass average molecular weight of 1,000,000 obtained by copolymerization in ethyl acetate , 60 parts by mass of 2-isocyanatoethyl methacrylate was added to obtain an acrylic copolymer. 5 parts by mass of an isocyanate-based crosslinking agent Colonate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) as the polymerized acrylic copolymer and 2 parts by mass of 4, 4'-bis (diethylamino) benzophenone as a photopolymerization initiator , And adjustment was made with ethyl acetate so as to adjust the viscosity to be easy to apply, thereby obtaining a pressure-sensitive adhesive composition.

두께 25㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)의 세퍼레이터상에, 건조 후의 막 두께가 30㎛가 되도록 점착제 조성물을 도포하고, 건조시킨 후, 두께 100㎛의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 필름상에 맞붙임으로써 적층하여, 실시예 10에 관한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프를 제작하였다.A pressure-sensitive adhesive composition was applied on a separator of polyethylene terephthalate (PET) having a thickness of 25 占 퐉 so that the film thickness after drying was 30 占 퐉, dried, and then laminated on an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) To thereby produce a pressure-sensitive adhesive tape for protecting a surface of a semiconductor wafer according to Example 10.

＜실시예 11＞&Lt; Example 11 &gt;

2-에틸헥실아크릴레이트를 64질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 34질량부, 메타크릴산을 2질량부, 초산에틸중에서 중합을 행하여, 공중합하여 얻어진 질량평균 분자량 75만의 공중합체 100질량부에 대해서, 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트를 40질량부 첨가하여, 아크릴계 공중합체를 얻었다. 중합한 아크릴계 공중합체에 어덕트계 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 니폰폴리우레탄사 제품)을 0.5질량부, 광중합 개시제 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논을 2질량부 배합하여, 도공하기 쉬운 점도로 조정하기 위해 초산에틸로 조정을 행하여, 점착제 조성물을 얻었다.64 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 34 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, 2 parts by mass of methacrylic acid, and 100 parts by mass of a copolymer having a weight average molecular weight of 750,000 obtained by copolymerization in ethyl acetate , 40 parts by mass of 2-isocyanatoethyl methacrylate was added to obtain an acrylic copolymer. 0.5 part by mass of an isocyanate-based crosslinking agent Colonate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) and 2 parts by mass of 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone as a photopolymerization initiator were blended with the polymerized acrylic copolymer , And adjustment was made with ethyl acetate so as to adjust the viscosity to be easy to apply, thereby obtaining a pressure-sensitive adhesive composition.

두께 25㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)의 세퍼레이터상에, 건조 후의 막 두께가 20㎛가 되도록 점착제 조성물을 도포하고, 건조시킨 후, 두께 100㎛의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 필름상에 맞붙임으로써 적층하여, 실시예 11에 관한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프를 제작하였다.A pressure-sensitive adhesive composition was applied on a separator of polyethylene terephthalate (PET) having a thickness of 25 占 퐉 so that the film thickness after drying was 20 占 퐉, dried, and then laminated on an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) To thereby produce a pressure-sensitive adhesive tape for protecting a surface of a semiconductor wafer according to Example 11.

＜실시예 12＞&Lt; Example 12 &gt;

부틸아크릴레이트를 70질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 25질량부, 메타크릴산을 5질량부, 초산에틸중에서 중합을 행하여, 공중합하여 얻어진 질량평균 분자량 30만의 공중합체 100질량부에 대해서, 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트를 50질량부 첨가하여, 아크릴계 공중합체를 얻었다. 중합한 아크릴계 공중합체에 어덕트계 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 니폰폴리우레탄사 제품)을 1.5질량부, 광중합 개시제 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논을 2질량부 배합하여, 도공하기 쉬운 점도로 조정하기 위해 초산에틸로 조정을 행하여, 점착제 조성물을 얻었다.To 100 parts by mass of a copolymer having a mass average molecular weight of 300,000 obtained by copolymerizing 70 parts by mass of butyl acrylate, 25 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, 5 parts by mass of methacrylic acid and ethyl acetate, And 50 parts by mass of 2-isocyanatoethyl methacrylate were added to obtain an acrylic copolymer. To the polymerized acrylic copolymer, 1.5 parts by mass of an isocyanate-based crosslinking agent Colonate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) and 2 parts by mass of 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone as a photopolymerization initiator , And adjustment was made with ethyl acetate so as to adjust the viscosity to be easy to apply, thereby obtaining a pressure-sensitive adhesive composition.

두께 25㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)의 세퍼레이터상에, 건조 후의 막 두께가 30㎛가 되도록 점착제 조성물을 도포하고, 건조시킨 후, 두께 100㎛의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 필름상에 맞붙임으로써 적층하여, 실시예 12에 관한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프를 제작하였다.A pressure-sensitive adhesive composition was applied on a separator of polyethylene terephthalate (PET) having a thickness of 25 占 퐉 so that the film thickness after drying was 30 占 퐉, dried, and then laminated on an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) To thereby produce a pressure-sensitive adhesive tape for protecting a surface of a semiconductor wafer according to Example 12.

＜실시예 13＞&Lt; Example 13 &gt;

2-에틸헥실아크릴레이트를 80질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 20질량부, 초산에틸중에서 중합을 행하여, 공중합하여 얻어진 질량평균 분자량 90만의 공중합체 100질량부에 대해서, 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트를 50질량부 첨가하여, 아크릴계 공중합체를 얻었다. 중합한 아크릴계 공중합체에 어덕트계 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 니폰폴리우레탄사 제품)을 1질량부, 광중합 개시제 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논을 2질량부 배합하여, 도공하기 쉬운 점도로 조정하기 위해 초산에틸로 조정을 행하여, 점착제 조성물을 얻었다.80 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 20 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, and 100 parts by mass of a copolymer having a mass average molecular weight of 90,000 obtained by copolymerization in ethyl acetate, 2-iso And 50 parts by mass of an aneutoethyl methacrylate was added to obtain an acrylic copolymer. 1 part by mass of an isocyanate-based crosslinking agent Colonate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) and 2 parts by mass of 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone as a photopolymerization initiator were blended with the polymerized acrylic copolymer , And adjustment was made with ethyl acetate so as to adjust the viscosity to be easy to apply, thereby obtaining a pressure-sensitive adhesive composition.

두께 25㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)의 세퍼레이터상에, 건조 후의 막 두께가 80㎛가 되도록 점착제 조성물을 도포하고, 건조시킨 후, 두께 100㎛의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 필름상에 맞붙임으로써 적층하여, 실시예 13에 관한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프를 제작하였다.The pressure-sensitive adhesive composition was coated on a separator of polyethylene terephthalate (PET) having a thickness of 25 占 퐉 so as to have a thickness of 80 占 퐉 after drying, and then dried and patterned on an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) To thereby produce a pressure-sensitive adhesive tape for protecting a surface of a semiconductor wafer according to Example 13.

＜실시예 14＞&Lt; Example 14 &gt;

부틸아크릴레이트를 70질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 28질량부, 메타크릴산을 2질량부, 초산에틸중에서 중합을 행하여, 공중합하여 얻어진 질량평균 분자량 30만의 공중합체 100질량부에 대해서, 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트를 100질량부 첨가하여, 아크릴계 공중합체를 얻었다. 중합한 아크릴계 공중합체에 어덕트계 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 니폰폴리우레탄사 제품)을 2.5질량부, 광중합 개시제 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논을 2질량부 배합하여, 도공하기 쉬운 점도로 조정하기 위해 초산에틸로 조정을 행하여, 점착제 조성물을 얻었다.With respect to 100 parts by mass of a copolymer having a mass average molecular weight of 300,000 obtained by copolymerizing 70 parts by mass of butyl acrylate, 28 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, 2 parts by mass of methacrylic acid and ethyl acetate, And 100 parts by mass of 2-isocyanatoethyl methacrylate were added to obtain an acrylic copolymer. To the polymerized acrylic copolymer was added 2.5 parts by mass of an isocyanate-based crosslinking agent Colonate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) and 2 parts by mass of 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone as a photopolymerization initiator , And adjustment was made with ethyl acetate so as to adjust the viscosity to be easy to apply, thereby obtaining a pressure-sensitive adhesive composition.

두께 25㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)의 세퍼레이터상에, 건조 후의 막 두께가 50㎛가 되도록 점착제 조성물을 도포하고, 건조시킨 후, 두께 100㎛의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 필름상에 맞붙임으로써 적층하여, 실시예 14에 관한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프를 제작하였다.The pressure-sensitive adhesive composition was applied on a separator of polyethylene terephthalate (PET) having a thickness of 25 占 퐉 so that the film thickness after drying was 50 占 퐉, dried, and then laminated on an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) To thereby produce a pressure-sensitive adhesive tape for surface protection of semiconductor wafer according to Example 14.

＜실시예 15＞&Lt; Example 15 &gt;

2-에틸헥실아크릴레이트를 79질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 19질량부, 메타크릴산을 2질량부, 초산에틸중에서 중합을 행하여, 공중합하여 얻어진 질량평균 분자량 90만의 공중합체 100질량부에 대해서, 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트를 10질량부 첨가하여, 아크릴계 공중합체를 얻었다. 중합한 아크릴계 공중합체에 어덕트계 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 니폰폴리우레탄사 제품)을 2질량부, 광중합 개시제 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논을 2질량부 배합하여, 도공하기 쉬운 점도로 조정하기 위해 초산에틸로 조정을 행하여, 점착제 조성물을 얻었다.79 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 19 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, 2 parts by mass of methacrylic acid, and 100 parts by mass of a copolymer having a mass average molecular weight of 90,000 obtained by copolymerization in ethyl acetate , 10 parts by mass of 2-isocyanatoethyl methacrylate was added to obtain an acrylic copolymer. 2 parts by mass of an isocyanate-based crosslinking agent Colonate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) as the polymerized acrylic copolymer and 2 parts by mass of 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone as a photopolymerization initiator , And adjustment was made with ethyl acetate so as to adjust the viscosity to be easy to apply, thereby obtaining a pressure-sensitive adhesive composition.

두께 25㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)의 세퍼레이터상에, 건조 후의 막 두께가 70㎛가 되도록 점착제 조성물을 도포하고, 건조시킨 후, 두께 100㎛의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 필름상에 맞붙임으로써 적층하여, 실시예 15에 관한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프를 제작하였다.A pressure-sensitive adhesive composition was applied on a separator of polyethylene terephthalate (PET) having a thickness of 25 占 퐉 so that the film thickness after drying was 70 占 퐉, dried, and then laminated on an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) To thereby produce a pressure-sensitive adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer according to Example 15.

＜비교예 1＞&Lt; Comparative Example 1 &

2-에틸헥실아크릴레이트를 80질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 18질량부, 메타크릴산을 2질량부, 초산에틸중에서 중합을 행하여, 공중합하여 얻어진 질량평균 분자량 85만의 공중합체 100질량부에 대해서, 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트를 5질량부 첨가하여, 아크릴계 공중합체를 얻었다. 중합한 아크릴계 공중합체에 어덕트계 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 니폰폴리우레탄사 제품)을 1.5질량부, 광중합 개시제 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논을 2질량부 배합하여, 도공하기 쉬운 점도로 조정하기 위해 초산에틸로 조정을 행하여, 점착제 조성물을 얻었다.80 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 18 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, 2 parts by mass of methacrylic acid, and 100 parts by mass of a copolymer having a mass average molecular weight of 85,000 obtained by copolymerization in ethyl acetate , 5 parts by mass of 2-isocyanatoethyl methacrylate was added to obtain an acrylic copolymer. To the polymerized acrylic copolymer, 1.5 parts by mass of an isocyanate-based crosslinking agent Colonate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) and 2 parts by mass of 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone as a photopolymerization initiator , And adjustment was made with ethyl acetate so as to adjust the viscosity to be easy to apply, thereby obtaining a pressure-sensitive adhesive composition.

두께 25㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)의 세퍼레이터상에, 건조 후의 막 두께가 20㎛가 되도록 점착제 조성물을 도포하고, 건조시킨 후, 두께 100㎛의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 필름상에 맞붙임으로써 적층하여, 비교예 1에 관한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프를 제작하였다.A pressure-sensitive adhesive composition was applied on a separator of polyethylene terephthalate (PET) having a thickness of 25 占 퐉 so that the film thickness after drying was 20 占 퐉, dried, and then laminated on an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) To thereby produce a pressure-sensitive adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer according to Comparative Example 1. The pressure-

＜비교예 2＞&Lt; Comparative Example 2 &

2-에틸헥실아크릴레이트를 72질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 15질량부, 메타크릴산 에틸 12질량부, 메타크릴산을 1질량부로서 초산에틸중에서 중합을 행하여, 공중합하여 얻어진 질량평균 분자량 40만의 공중합체 100질량부에 대해서, 분자량 2000의 4관능 아크릴레이트계 올리고머(신나카무라가가쿠 제품)를 80질량부 첨가하고, 어덕트계 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 니폰폴리우레탄사 제품)을 2질량부, 광중합 개시제 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논을 2질량부 배합하여, 도공하기 쉬운 점도로 조정하기 위해 초산에틸로 조정을 행하여, 점착제 조성물을 얻었다.72 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 15 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, 12 parts by mass of ethyl methacrylate and 1 part by mass of methacrylic acid were polymerized in ethyl acetate to obtain a mass 80 parts by mass of a tetrafunctional acrylate oligomer having a molecular weight of 2000 (Shin-Nakamura Kagaku Co., Ltd.) was added to 100 parts by mass of a copolymer having an average molecular weight of 400,000 and an adduct-based isocyanate crosslinking agent Colonate L (trade name: Nippon Polyurethane Ltd.) and 2 parts by mass of 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone as a photopolymerization initiator were mixed and adjusted with ethyl acetate so as to adjust the viscosity so as to be easy to apply, thereby obtaining a pressure-sensitive adhesive composition.

두께 25㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)의 세퍼레이터상에, 건조 후의 막 두께가 160㎛가 되도록 점착제 조성물을 도포하고, 건조시킨 후, 두께 100㎛의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 필름상에 맞붙임으로써 적층하여, 비교예 2에 관한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프를 제작하였다.A pressure-sensitive adhesive composition was applied on a separator of polyethylene terephthalate (PET) having a thickness of 25 mu m such that the film thickness after drying was 160 mu m, dried, and then laminated on an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) To thereby produce a pressure-sensitive adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer according to Comparative Example 2. The pressure-

＜비교예 3＞&Lt; Comparative Example 3 &

2-에틸헥실아크릴레이트를 69질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 29질량부, 메타크릴산을 2질량부, 초산에틸중에서 중합을 행하여, 공중합하여 얻어진 질량평균 분자량 78만의 공중합체 100질량부에 대해서, 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트를 20질량부 첨가하여, 아크릴계 공중합체를 얻었다. 중합한 아크릴계 공중합체에 어덕트계 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 니폰폴리우레탄사 제품)을 2질량부, 광중합 개시제 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논을 2질량부 배합하여, 도공하기 쉬운 점도로 조정하기 위해 초산에틸로 조정을 행하여, 점착제 조성물을 얻었다.69 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 29 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, 2 parts by mass of methacrylic acid, and 100 parts by mass of a copolymer having a mass average molecular weight of 78,000 obtained by copolymerization in ethyl acetate , 20 parts by mass of 2-isocyanatoethyl methacrylate was added to obtain an acrylic copolymer. 2 parts by mass of an isocyanate-based crosslinking agent Colonate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) as the polymerized acrylic copolymer and 2 parts by mass of 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone as a photopolymerization initiator , And adjustment was made with ethyl acetate so as to adjust the viscosity to be easy to apply, thereby obtaining a pressure-sensitive adhesive composition.

두께 25㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)의 세퍼레이터상에, 건조 후의 막 두께가 250㎛가 되도록 점착제 조성물을 도포하고, 건조시킨 후, 두께 100㎛의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 필름상에 맞붙임으로써 적층하여, 비교예 3에 관한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프를 제작하였다.The pressure-sensitive adhesive composition was coated on a separator of polyethylene terephthalate (PET) having a thickness of 25 占 퐉 so that the film thickness after drying was 250 占 퐉, dried, and then laminated on an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) To thereby produce a pressure-sensitive adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer according to Comparative Example 3.

＜비교예 4＞&Lt; Comparative Example 4 &

2-에틸헥실아크릴레이트를 76질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 22질량부, 메타크릴산을 2질량부, 초산에틸중에서 중합을 행하여, 공중합하여 얻어진 질량평균 분자량 45만의 공중합체 100질량부에 대해서, 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트를 15질량부 첨가하여, 아크릴계 공중합체를 얻었다. 중합한 아크릴계 공중합체에 어덕트계 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 니폰폴리우레탄사 제품)을 2.5질량부, 광중합 개시제 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논을 2질량부 배합하여, 도공하기 쉬운 점도로 조정하기 위해 초산에틸로 조정을 행하여, 점착제 조성물을 얻었다.76 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 22 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, 2 parts by mass of methacrylic acid, and 100 parts by mass of a copolymer having a mass average molecular weight of 450,000 obtained by copolymerization in ethyl acetate , 15 parts by mass of 2-isocyanatoethyl methacrylate was added to obtain an acrylic copolymer. To the polymerized acrylic copolymer was added 2.5 parts by mass of an isocyanate-based crosslinking agent Colonate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) and 2 parts by mass of 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone as a photopolymerization initiator , And adjustment was made with ethyl acetate so as to adjust the viscosity to be easy to apply, thereby obtaining a pressure-sensitive adhesive composition.

두께 25㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)의 세퍼레이터상에, 건조 후의 막 두께가 100㎛가 되도록 점착제 조성물을 도포하고, 건조시킨 후, 두께 100㎛의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 필름상에 맞붙임으로써 적층하여, 비교예 4에 관한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프를 제작하였다.A pressure-sensitive adhesive composition was applied on a separator of polyethylene terephthalate (PET) having a thickness of 25 占 퐉 so that the film thickness after drying was 100 占 퐉, dried, and then laminated on an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) To form a laminate. Thus, a pressure-sensitive adhesive tape for protecting a surface of a semiconductor wafer according to Comparative Example 4 was produced.

＜비교예 5＞&Lt; Comparative Example 5 &

2-에틸헥실아크릴레이트를 72질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 26질량부, 메타크릴산을 2질량부, 초산에틸중에서 중합을 행하여, 공중합하여 얻어진 질량평균 분자량 70만의 공중합체 100질량부에 대해서, 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트를 10질량부 첨가하여, 아크릴계 공중합체를 얻었다. 중합한 아크릴계 공중합체에 어덕트계 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 니폰폴리우레탄사 제품)을 1.5질량부, 광중합 개시제 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논을 1질량부 배합하여, 도공하기 쉬운 점도로 조정하기 위해 초산에틸로 조정을 행하여, 점착제 조성물을 얻었다.72 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 26 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, 2 parts by mass of methacrylic acid, and 100 parts by mass of a copolymer having a mass average molecular weight of 700,000 obtained by copolymerization in ethyl acetate , 10 parts by mass of 2-isocyanatoethyl methacrylate was added to obtain an acrylic copolymer. To the polymerized acrylic copolymer was added 1.5 parts by mass of an isocyanate-based crosslinking agent Colonate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) and 1 part by mass of 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone as a photopolymerization initiator , And adjustment was made with ethyl acetate so as to adjust the viscosity to be easy to apply, thereby obtaining a pressure-sensitive adhesive composition.

두께 25㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)의 세퍼레이터상에, 건조 후의 막 두께가 200㎛가 되도록 점착제 조성물을 도포하고, 건조시킨 후, 두께 100㎛의 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 필름상에 맞붙임으로써 적층하여, 비교예 5에 관한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프를 제작하였다.A pressure-sensitive adhesive composition was applied on a separator of polyethylene terephthalate (PET) having a thickness of 25 占 퐉 so that the film thickness after drying was 200 占 퐉, dried, and then laminated on an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) To thereby produce a pressure-sensitive adhesive tape for protecting a surface of a semiconductor wafer according to Comparative Example 5.

상기와 같이 하여 제작한 각 실시예 및 각 비교예의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프의 택크력, 점착력 및 접촉각을 이하와 같이 하여 측정하였다.The tack strength, adhesive force and contact angle of the adhesive tape for protecting the surface of the semiconductor wafer of each of the examples and comparative examples prepared as described above were measured as follows.

얻어진 값을 하기 표 1∼3에 정리하여 나타낸다.The obtained values are summarized in the following Tables 1 to 3.

(택크력 및 택크력의 변화율의 측정)(Measurement of change rate of tack force and tack force)

택크력은, 응력 완화 측정 장치의 'tackiness 시험기(상품명: TACII, 레스카 제품)'에 의해, 이하와 같이 하여 상온(25℃)에서 측정하였다.The tack force was measured at room temperature (25 캜) by the tackiness tester (trade name: TACII, manufactured by Rescor) of the stress relaxation measuring apparatus as follows.

상기와 같이 하여 제작한 각 실시예 및 각 비교예의 방사선 조사 전의 점착테이프로부터, 폭 25㎜×길이 250㎜의 시험편을 채취하고, 이 시험편을 시험기에 설치하여, 압자를 이 시험편에 접촉시키고, 시험편의 기재 배면측(점착제 도공면과 반대측)에, 3㎜φ 원기둥 형상 프로브를 30㎜/min의 속도로 밀어 넣어, 정지 하중 100g로 1sec 유지 후에 600㎜/min의 속도로 끌어올릴 때의 하중(택크력 Tα)을 측정하였다. 한편, 상기 각 실시예 및 각 비교예를 질소 분위기하에서 자외선을 500mJ/㎠의 조사량으로 조사하여 경화시킨 점착테이프와 공기중에서 자외선을 500mJ/㎠의 조사량으로 조사하여 경화시킨 점착테이프를 각각 제작하고, 방사선 조사 전의 점착테이프와 같게 하여, 공기중의 택크력[Tβ(공기)]및 질소 분위기하에서의 택크력[Tβ(N2)]을 측정하였다. 한편, 택크력의 단위는 kPa이다. 얻어진 각 택크력의 값을÷ 이용하여, 하기 식(1)에 의해, 택크력의 변화율을 구하였다.A test piece having a width of 25 mm and a length of 250 mm was taken from the adhesive tape before irradiation in each of the examples and comparative examples prepared as described above and the test piece was placed in a testing machine and the indenter was brought into contact with the test piece, A cylindrical probe of 3 mm in diameter was pushed at a rate of 30 mm / min and held at a stationary load of 100 g for 1 sec and then pulled up at a rate of 600 mm / min ( Tackle strength Tα) was measured. On the other hand, each of the above-mentioned Examples and Comparative Examples was produced by subjecting each of the above-mentioned Examples and Comparative Examples to an adhesive tape which was cured by irradiating ultraviolet rays at an irradiation dose of 500 mJ / cm 2 in a nitrogen atmosphere and a cured adhesive tape irradiated with ultraviolet rays at an irradiation dose of 500 mJ / the same as the adhesive tape prior to irradiation, was measured in the air tack keuryeok [Tβ (air) chosen keuryeok under a nitrogen atmosphere and [Tβ (N 2)]. On the other hand, the unit of taxation power is kPa. Using the value of each of the obtained pick-up forces, the change rate of the pick-up force was obtained by the following equation (1).

식(1)Equation (1)

[Tα-Tβ(공기)]÷[Tα-Tβ(N2)]×100[Tα-Tβ (air)] ÷ [Tα-Tβ (N 2 )] × 100

(SUS#280의 점착력 및 점착력의 저하율의 측정)(Measurement of the adhesion of SUS # 280 and the rate of decrease of adhesion)

상기와 같이 하여 제작한 각 실시예 및 각 비교예의 방사선 조사 전의 점착테이프로부터 폭 25㎜×길이 150㎜의 시험편을 3점 채취하고, 그 시료를 JIS R 6253으로 규정하는 280번의 내수 연마지로 마무리한 JIS G 4305로 규정하는 두께 1.5㎜∼2.0㎜의 SUS 강판상에 2kg의 고무 롤러를 3번 왕복하여 압착하고, 1시간 방치 후, 측정치가 그 용량의 15∼85%의 범위에 들어가는 JIS B 7721에 적합한 인장 시험기를 이용하여 점착력을, 인장 속도 50㎜/min로 90° 당겨 벗김법에 의해 상온(25℃)에서 측정하였다.Three test specimens each having a width of 25 mm and a length of 150 mm were taken from the adhesive tape before irradiation in each of the Examples and Comparative Examples prepared as described above and the sample was finished with 280 water abrasive paper specified by JIS R 6253 A rubber roller of 2 kg was reciprocated three times on a SUS steel plate having a thickness of 1.5 mm to 2.0 mm specified by JIS G 4305 and pressed for three hours. After leaving for 1 hour, JIS B 7721 having a measured value within a range of 15 to 85% The adhesive force was measured at a room temperature (25 캜) by a pulling-off method at a tensile speed of 50 mm / min and a 90 ° pulling-off method.

또한, 방사선 조사 후의 점착력은, 방사선 경화형 점착제층을 가지는 점착테이프를 압착하고 1시간 경과한 상태로 점착테이프의 기재 필름면으로부터 500mJ/㎠의 자외선을 조사하여 경화시킨 후에 상기와 같이 하여 측정한다. 또한, 얻어진 각 점착력의 값으로부터, 방사선 조사 전후의 점착력의 저하율[(조사 전의 점착력-조사 후의 점착력)/조사 전의 점착력]×100을 구하였다.The adhesive force after irradiation with radiation is measured in the same manner as described above after irradiating ultraviolet rays of 500 mJ / cm 2 from the base film side of the adhesive tape in the state of 1 hour after the pressure-sensitive adhesive tape having the radiation-curable pressure sensitive adhesive layer is pressed and cured. Further, from the value of each obtained adhesion force, the rate of decrease of the adhesion force before and after the irradiation of radiation was calculated. [(Adhesion before irradiation - Adhesion after irradiation) / Adhesion before irradiation]

(점착제층의 표면의 순수의 접촉각 φ의 측정)(Measurement of contact angle? Of pure water on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer)

상기와 같이 하여 제작한 각 실시예 및 각 비교예의 점착제층의 표면에서의 순수의 접촉각 φ는, 접촉각계를 이용하여 θ/2법으로, 온도 23℃, 습도 50%의 조건으로 측정하여, 순수 2㎕의 액적 용량으로, 적하 30초 후에 판독하였다. 측정 장치는 쿄와가가쿠(協和化學)(주) 제품 FACE 접촉각계 CA-S150형을 이용하였다.　단위는 도(°)이다.The contact angle? Of pure water on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer of each of the examples and comparative examples thus prepared was measured under the conditions of a temperature of 23 占 폚 and a humidity of 50% by the? / 2 method using a contact angle meter, The droplet volume of 2 mu l was read after 30 seconds of dropping. The measuring device was a CA-S150 type contact angle meter manufactured by Kyowa Kagaku Co., Ltd. Unit is degrees (°).

상기와 같이 하여 제작한 각 실시예 및 각 비교예의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프에 대해서, 이하의 시험을 행하여, 그 성능을 평가하였다.The following tests were conducted on the pressure-sensitive adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer of each of the above-described Examples and Comparative Examples, and the performance thereof was evaluated.

얻어진 평가 결과를 하기 표 1∼3에 정리하여 나타낸다.The obtained evaluation results are summarized in Tables 1 to 3 below.

1. 연삭성 시험1. Grinding test

붙임기로서 닛토세이키(日東精機)가부시키가이샤 제품 DR8500II(상품명)를 이용하여, 두께가 725㎛의 8인치지름의 볼 범프로 높이 150㎛, 볼 범프 꼭대기로부터 인접하는 꼭대기까지의 거리(피치폭) 200㎛의 반도체 범프 웨이퍼에 실시예 및 비교예에서 제작한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프를 맞붙였다. 그 후, 각각 25매의 웨이퍼를 모두, 인라인 기구를 가지는 그라인더[가부시키가이샤사 디스코 제품 DFG8760(상품명)]를 사용하여 두께 200㎛까지 연마를 행하였다. 또한, 반도체 웨이퍼의 강도 향상을 위해, 드라이 폴리쉬로 최종 마무리를 행하였다.Using a DR8500II (trade name) manufactured by Nitto Seiki Co., Ltd. as an attachment, an 8-inch-diameter ball bump having a thickness of 725 μm was used to measure a height of 150 μm and a distance from the top of the ball bump to the adjacent top Width) of 200 mu m was bonded to the semiconductor wafer surface protective adhesive tape for semiconductor wafer surface protection prepared in Examples and Comparative Examples. Thereafter, all 25 wafers were polished to a thickness of 200 mu m by using a grinder (product name: DFG8760 (trade name) manufactured by Kabushiki Kaisha Disco Co., Ltd.) having an inline mechanism. Further, in order to improve the strength of the semiconductor wafer, final finishing was performed with a dry brush.

(연삭성 평가)(Evaluation of grinding property)

상기 방법으로 연삭한 각 반도체 범프 웨이퍼를, 육안으로 에지 크랙의 유무 및 균열을 관찰하였다.Each semiconductor bump wafer ground by the above method was visually observed for edge cracks and cracks.

에지 크랙이 거의 없고, 25매 모든 반도체 웨이퍼로 양호하게 연삭할 수 있었던 것을 우량품으로 하여 ◎, 에지 크랙을 약간 볼 수 있지만 반도체 웨이퍼에 균열은 없고 연삭할 수 있었던 것, 또는 25매의 반도체 웨이퍼중에 균열이 1매∼2매인 것을 우량품으로 하여 ○, 반도체 웨이퍼가 3매 이상 균열된 것을 불량품으로 하여 ×로 나타내었다.Excellent edge grinding was achieved with almost no edge cracks, and all 25 semiconductor wafers were satisfactorily grinded. Excellent, and edge cracks were slightly observed. However, no cracks were found in the semiconductor wafers and grinding was possible. The cracks were one to two cracks, and the cracks of three or more semiconductor wafers were regarded as defective products.

(더스트 침입 평가)(Dust Intrusion Evaluation)

상기 방법에서 연삭실험으로 200㎛ 두께까지 연삭한 반도체 범프 웨이퍼를 이용하여 현미경으로 더스트 침입 평가를 행하였다.In this method, dust penetration evaluation was carried out by a microscope using a semiconductor bump wafer ground to a thickness of 200 mu m by grinding experiments.

이하의 랭크로 평가하였다.And evaluated by the following ranks.

25매 모든 반도체 웨이퍼로 스크라이브라인에 더스트 또는 연삭수가 침입하지 않았던 것: ◎25 pieces No dust or grinding water penetrated into the scribe line by all semiconductor wafers: ◎

25매의 반도체 웨이퍼중에 스크라이브라인에 더스트 또는 연삭수가 1매∼2매 밖에 침입하지 않았던 것: ○There were only one or two pieces of dust or grinding water in the scribe line among 25 pieces of semiconductor wafers: ○

25매의 반도체 웨이퍼중 3매 이상이 스크라이브라인에 더스트 또는 연삭수가 침입한 것: ×More than three pieces of 25 pieces of semiconductor wafers penetrated the scribe line with dust or grinding water:

2. 박리 시험2. Peel test

(박리성 평가)(Evaluation of peelability)

상기 방법에서 연삭실험으로 200㎛ 두께까지 연삭한 반도체 범프 웨이퍼를, 인라인 기구를 가지는 마운터 RAD2700로 박리 실험을 행하였다. 박리시, 자외선 경화형 점착제를 적용한 표면 보호 테이프는, 조사량 500mJ/㎠의 자외선 조사를 행한 후, 박리를 행하여, 이하의 랭크로 평가하였다.In this method, a semiconductor bump wafer ground to a thickness of 200 mu m by a grinding test was peeled off with a mounter RAD2700 having an in-line mechanism. At the time of peeling, the surface protective tape to which the ultraviolet curing type pressure-sensitive adhesive was applied was subjected to ultraviolet irradiation at an irradiation dose of 500 mJ / cm 2, and peeling was carried out.

그대로 25매 모두 박리 가능했던 것 : ◎It was possible to remove all 25 pieces as it is: ◎

25매의 반도체 웨이퍼중에 박리 에러나 박리할 수 없었던 것, 반도체 범프 웨이퍼에 데미지가 생긴 것이 1∼2매 밖에 없었던 것: ○There were no peeling errors or peels in 25 semiconductor wafers, and only 1 or 2 semiconductor bump wafers were damaged.

25매의 반도체 웨이퍼중 3매 이상 박리 에러나 박리할 수 없었던 것, 반도체 범프 웨이퍼에 데미지가 생긴 것: ×Three or more of 25 semiconductor wafers could not be peeled off or peeled off, and semiconductor bump wafers were damaged: x

(풀칠하고 남은 부분 평가)(Pasting and remaining part evaluation)

박리 실험에서 박리를 실시한 반도체 범프 웨이퍼 표면의 관찰을 행하여, 풀칠하고 남은 부분의 유무를 이하의 랭크로 평가하였다.The surface of the semiconductor bump wafer subjected to peeling in the peeling test was observed, and the presence or absence of the remaining portion was evaluated by the following ranks.

25매 모든 반도체 웨이퍼로 풀칠하고 남은 부분 없음: ◎25 pieces All the semiconductor wafers are pasted and there is no residue: ◎

25매 모든 반도체 웨이퍼로 풀칠하고 남은 부분이 1매∼2매인 것: ○25 pieces All semiconductor wafers are pasted with 1 ~ 2 pieces remaining: ○

25매 모든 반도체 웨이퍼로 풀칠하고 남은 부분이 3매 이상인 것: ×25 pieces All of the remaining parts are pasted with all semiconductor wafers and have more than 3 pieces: ×

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Figure pat00003
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표 1∼3에 나타내는 바와 같이, 실시예 1∼15는, 두께가 범프 표면 높이보다 얇고, 공기중 또는 질소 분위기하에서 방사선 조사량 500mJ/㎠이고, 조사 전후의 택크력의 변화율이 30% 이상이기 때문에, 연삭성, 풀칠하고 남은 부분, 더스트 등의 침입, 박리성의 전부에 있어서, 양호한 결과였다. 특히 실시예 1∼8은, 방사선 조사 전후에서의 점착력의 저하율이 30% 이상으로서, 그 점착제층의 스테인레스강에 대한 점착력이, 방사선 조사 전이 2.0N/25㎜∼12.0N/25㎜이고, 방사선 조사 후가 0.05N/25㎜ ∼1.8N/25㎜이고, 점착제층면의 순수의 접촉각이 70° 이상이기 때문에, 연삭성, 풀칠하고 남은 부분, 더스트 등의 침입, 박리성의 전부에 있어서, 특별히 뛰어난 결과였다.As shown in Tables 1 to 3, in Examples 1 to 15, the thickness was thinner than the bump surface height, the irradiation dose was 500 mJ / cm 2 in air or under a nitrogen atmosphere, and the change rate of the picking force before and after irradiation was 30% Good results were obtained in all of the abrasion resistance, abrasion resistance, penetration remaining in the paste, invasion of dust and the like and peelability. Particularly, in Examples 1 to 8, the rate of decrease of the adhesive force before and after irradiation was 30% or more, and the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer to the stainless steel was 2.0 N / 25 mm to 12.0 N / 25 mm, Since the contact angle of the pure water on the pressure-sensitive adhesive layer surface is 70 ° or more after irradiation, it is 0.05 N / 25 mm to 1.8 N / 25 mm, and the contact angle of pure water on the pressure- Results.

한편, 비교예 1, 4 및 5는, 모두 탁 변화율이 30% 미만이기 때문에, 풀칠하고 남은 부분의 나쁜 결과가 되었다. 이것에 더하여, 비교예 5에서는, 점착층 두께가 범프 표면 높이 150㎛보다 두껍기 때문에, 풀칠하고 남은 부분과 박리가 나쁜 결과가 되었다.On the other hand, in Comparative Examples 1, 4, and 5, since the turbidity change rate was less than 30%, the result of pasting was bad. In addition, in Comparative Example 5, since the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer was thicker than the bump surface height of 150 mu m, peeling and peeling became worse.

비교예 2 및 3은, 모두 점착층 두께가 범프 표면 높이 150㎛보다 두껍기 때문에, 풀칠하고 남은 부분과 박리가 나쁜 결과가 되었다.
In Comparative Examples 2 and 3, since the thickness of the adhesive layer was thicker than the bump surface height of 150 mu m, the peeled portion and the peeling became bad results.

Claims (10)

반도체 웨이퍼의 이면을 연삭할 때에 이용하는 표면 보호용 점착테이프로서,
기재 필름상에 점착제층을 가지고,
상기 점착제층이, 방사선 경화형 점착제층이며, 두께가, 상기 반도체 웨이퍼의 표면 요철보다 얇은 점착제층으로서, 공기중 또는 질소 분위기하에 있어서의 자외선 조사량 500mJ/㎠의 조사 전후에서, 하기 식(1)에서 구할 수 있는 택크(tackiness)력의 변화율이 30% 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프.
식(1)
[Tα-Tβ(공기)]÷[Tα-Tβ(N2)]×100
(식중, Tα는 방사선 조사 전의 택크력의 측정치를 나타내고, Tβ(공기)는 공기중에서의 조사량 500mJ/㎠로 방사선 조사한 후의 택크력의 측정치를 나타내고, Tβ(N2)는 질소 분위기하 조사량 500mJ/㎠로 방사선 조사한 후의 택크력의 측정치를 나타낸다.)A surface protecting adhesive tape for use in grinding the back surface of a semiconductor wafer,
A pressure-sensitive adhesive layer on the base film,
Wherein the pressure-sensitive adhesive layer is a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer and the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is thinner than the surface unevenness of the semiconductor wafer, Wherein a rate of change of a tackiness force which can be obtained is 30% or more.
Equation (1)
[Tα-Tβ (air)] ÷ [Tα-Tβ (N 2 )] × 100
(N 2 ) represents a measurement value of the tack force after radiation irradiation at 500 mJ / cm 2 in air, T 硫 (N 2 ) represents a measurement value at 500 mJ / cm 2 in a nitrogen atmosphere, Lt; 2 &gt;).&Lt; tb &gt;&lt; TABLE &gt; 제 1 항에 있어서, 상기 점착제층의 조사량 500mJ/㎠에서의 스테인레스강에 대한 방사선 조사 전의 점착력의 저하율이 50% 이상으로서, 그 점착제층의 스테인레스강에 대한 점착력이, 방사선 조사 전이 2.0N/25㎜∼12.0N/25㎜이고, 방사선 조사 후가 0.05N/25㎜∼1.8N/25㎜인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프.The adhesive sheet according to any one of claims 1 to 3, wherein the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer to the stainless steel is 2.0 N / 25 Mm 2 to 12.0 N / 25 mm, and the thickness after irradiation is 0.05 N / 25 mm to 1.8 N / 25 mm. 제 1 항에 있어서, 상기 점착제층면의 방사선 경화전에 있어서의 순수(純水)의 접촉각이 70° 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프.The pressure-sensitive adhesive tape for protecting a surface of a semiconductor wafer according to claim 1, wherein a contact angle of pure water before the radiation curing of the pressure-sensitive adhesive layer surface is 70 ° or more. 제 2 항에 있어서, 상기 점착제층면의 방사선 경화전에 있어서의 순수의 접촉각이 70° 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프.The pressure-sensitive adhesive tape for protecting a surface of a semiconductor wafer according to claim 2, wherein the pressure-sensitive adhesive layer surface has a contact angle of pure water of 70 ° or more before radiation curing. 제 1 항 내지 제 4 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 점착제층의 두께가 범프 높이보다 얇은 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프.The pressure-sensitive adhesive tape for protecting a surface of a semiconductor wafer according to any one of claims 1 to 4, wherein a thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is thinner than a bump height. 반도체 웨이퍼의 웨이퍼 표면을, 기재 필름상에 점착제층을 가지는 표면 보호용 점착테이프로 보호하고, 그 웨이퍼의 이면을 연삭하여 반도체 웨이퍼를 가공하는 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 제조방법으로서,
상기 표면 보호용 점착테이프에 상기 반도체 웨이퍼의 표면 요철보다 얇은 점착제층의 표면 보호용 점착테이프를 사용하고,
상기 표면 보호용 점착테이프의 상기 점착제층이, 방사선 경화형 점착제층이며, 그 점착제층과 웨이퍼 표면의 바닥부(오목부)와의, 하기 식(1)에서 구할 수 있는 택크력의 변화율이 30% 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 제조방법.
식(1)
[Tα-Tβ(공기)]÷[Tα-Tβ(N2)]×100
(식중, Tα는 방사선 조사 전의 택크력의 측정치를 나타내고, Tβ(공기)는 공기중에서의 조사량 500mJ/㎠로 방사선 조사한 후의 택크력의 측정치를 나타내고, Tβ(N2)는 질소 분위기하 조사량 500mJ/㎠로 방사선 조사한 후의 택크력의 측정치를 나타낸다.)A method of manufacturing a semiconductor wafer comprising a step of protecting a surface of a wafer of a semiconductor wafer with a surface protecting adhesive tape having a pressure-sensitive adhesive layer on a base film, and grinding the back surface of the wafer,
Sensitive adhesive tape for surface protection of a pressure-sensitive adhesive layer thinner than the surface unevenness of the semiconductor wafer is used for the surface-protecting adhesive tape,
Wherein the pressure sensitive adhesive layer of the surface protecting adhesive tape is a radiation curable pressure sensitive adhesive layer and the rate of change of the pressure sensitive adhesive force between the pressure sensitive adhesive layer and the bottom portion (concave portion) of the surface of the wafer is 30% Wherein the semiconductor wafer is a semiconductor wafer.
Equation (1)
[Tα-Tβ (air)] ÷ [Tα-Tβ (N 2 )] × 100
(N 2 ) represents a measurement value of the tack force after radiation irradiation at 500 mJ / cm 2 in air, T 硫 (N 2 ) represents a measurement value at 500 mJ / cm 2 in a nitrogen atmosphere, Lt; 2 &gt;).&Lt; tb &gt;&lt; TABLE &gt; 제 6 항에 있어서, 상기 점착제층의 조사량 500mJ/㎠에서의 스테인레스강에 대한 방사선 조사 전의 점착력의 저하율이 50% 이상으로서, 그 점착제층의 스테인레스강에 대한 점착력이, 방사선 조사 전이 2.0N/25㎜∼12.0N/25㎜이고, 방사선 조사 후가 0.05N/25㎜∼1.8N/25㎜인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 제조방법.The pressure-sensitive adhesive sheet according to claim 6, wherein the pressure-sensitive adhesive layer has a decreasing rate of the adhesive force before irradiation with radiation of 500 mJ / cm 2 to the stainless steel of 50% Mm to 12.0 N / 25 mm, and the irradiation after irradiation is 0.05 N / 25 mm to 1.8 N / 25 mm. 제 6 항에 있어서, 상기 점착제층면의 방사선 경화전에 있어서의 순수의 접촉각이 70° 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor wafer according to claim 6, wherein a contact angle of pure water before the radiation curing of the pressure-sensitive adhesive layer surface is 70 ° or more. 제 7 항에 있어서, 상기 점착제층면의 방사선 경화전에 있어서의 순수의 접촉각이 70° 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor wafer according to claim 7, wherein a contact angle of pure water before the radiation curing of the pressure-sensitive adhesive layer surface is 70 ° or more. 제 6 항 내지 제 9 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 점착제층의 두께가 반도체 웨이퍼 표면의 범프 높이보다 얇은 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 제조방법.
The method of manufacturing a semiconductor wafer according to any one of claims 6 to 9, wherein the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is thinner than the bump height of the surface of the semiconductor wafer.
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