KR20130071823A - Organic light emitting display device and method for fabricating the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An organic electroluminescent display device and a manufacturing method thereof are provided to improve image quality by preventing the voltage drop of a cathode using an auxiliary electrode. CONSTITUTION: A driving thin film transistor (DT) includes a semiconductor layer (341), a gate electrode (343), a source electrode (342a), and a drain electrode (342b). An organic light emitting device includes a first electrode (350), an organic light emitting layer (370), and a second electrode (380). The first electrode and the second electrode are formed across the organic light emitting layer. An auxiliary electrode (391) is separated from the first electrode. A spacer (392) is formed on the auxiliary electrode. [Reference numerals] (AA) Auxiliary electrode forming region

Description

유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}Organic electroluminescent display and manufacturing method therefor {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}

본 발명은 유기 전계 발광 표시장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 전면 발광 방식의 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic electroluminescent display, and more particularly, to an organic electroluminescent display of a top emission type and a method of manufacturing the same.

평판표시장치로서 현재까지는 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device)가 널리 이용되었지만, 액정표시장치는 별도의 광원으로 백라이트가 필요하고, 밝기, 명암비 및 시야각 등에서 기술적 한계가 있다. 이에, 자체발광이 가능하여 별도의 광원이 필요하지 않고, 밝기, 명암비 및 시야각 등에서 상대적으로 우수한 유기 전계 발광 표시장치(Organic Light Emitting Device)에 대한 관심이 증대되고 있다. As a flat panel display device, a liquid crystal display device has been widely used until now, but a liquid crystal display device requires a backlight as a separate light source and has technical limitations in brightness, contrast ratio, and viewing angle. As a result, self-emission is not required, and a separate light source is not required, and interest in organic light emitting devices having excellent brightness, contrast ratio, and viewing angle is increasing.

유기 전계 발광 표시장치는 전자(electron)를 주입하는 음극(cathode)과 정공(hole)을 주입하는 양극(anode) 사이에 발광층이 형성된 구조로서, 음극에서 발생된 전자 및 양극에서 발생된 정공이 발광층 내부로 주입되면 주입된 전자 및 정공이 결합하여 액시톤(exciton)이 생성되고, 생성된 액시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 떨어지면서 발광을 일으킴으로써 화상을 표시하는 표시장치이다.　 The organic light emitting display device has a structure in which a light emitting layer is formed between a cathode for injecting electrons and an anode for injecting holes, wherein electrons generated in the cathode and holes generated in the anode are light emitting layers. When injected into the inside, the injected electrons and holes combine to generate an exciton, and the generated exciton falls from the excited state to the ground state, causing light emission to display an image. It is a display device.

유기 전계 발광 표시장치는 빛이 방출되는 방향에 따라 전면발광(Top emission) 방식, 후면발광(Bottom emission) 방식, 및 양면발광(Dual emission) 방식으로 구분될 수 있다. 전면발광형 유기 전계 발광 표시장치는 화소가 배열된 기판과 반대방향으로 광이 방출되는 것으로서, 화소가 배열된 기판 방향으로 광이 방출되는 후면발광 방식에 비하여 개구율을 증가시킬 수 있다는 장점이 있어 최근에 많이 사용되고 있다.The organic light emitting display device may be classified into a top emission method, a bottom emission method, and a dual emission method according to a direction in which light is emitted. The top emission type organic light emitting display device emits light in a direction opposite to the substrate on which the pixels are arranged, and has an advantage of increasing the aperture ratio compared to the back emission method in which light is emitted toward the substrate on which the pixels are arranged. It is used a lot in.

전면발광형 유기 전계 발광 표시장치는 상기 유기막의 하부에 양극을 형성하고, 빛이 투과되는 유기막의 상부에 음극을 형성한다. 이때, 음극은 일 함수가 낮은 반투과막으로 구현되기 위하여 얇게 형성되어야 한다. 이 경우 상기 음극은 높은 저향을 갖게 된다.In the top emission type organic light emitting display device, an anode is formed under the organic layer, and a cathode is formed on the organic layer through which light is transmitted. In this case, the cathode should be formed thin in order to implement a semi-permeable membrane having a low work function. In this case, the cathode has a high reluctance.

전면발광형 유기 전계 발광 표시장치는 음극의 높은 비저항에 의해 전압강하(IR drop)가 발생하고, 이에 따라 화소별로 서로 다른 레벨의 전압이 인가되어 휘도 또는 화질의 불균일을 초래하게 된다는 문제점이 있다. 특히, 표시 패널의 크기가 증가할수록 전압강하가 심화될 수 있다.In the top emission type organic light emitting display device, a voltage drop (IR drop) occurs due to a high specific resistance of a cathode, and accordingly, different levels of voltage are applied to each pixel, resulting in uneven brightness or image quality. In particular, as the size of the display panel increases, the voltage drop may increase.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 음극의 전압 강하를 방지할 수 있는 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 그 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, which can prevent a voltage drop of a cathode.

또한, 본 발명은 보조 전극과 캐소드 전극 간의 컨택을 용이하게 할 수 있는 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 다른 기술적 과제로 한다.Another object of the present invention is to provide an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same that can facilitate contact between the auxiliary electrode and the cathode.

또한, 본 발명은 균일한 휘도 및 화질을 구현할 수 있는 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 또 다른 기술적 과제로 한다.In addition, another object of the present invention is to provide an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, which can realize uniform luminance and image quality.

또한, 본 발명은 대형화가 가능한 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 또 다른 기술적 과제로 한다.Another object of the present invention is to provide an organic electroluminescent display and a method of manufacturing the same.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 유기 전계 발광 표시장치는, 유기발광층을 사이에 두고 형성된 제1 전극 및 제2 전극; 상기 제1 전극과 이격하여 형성된 보조 전극; 및 상기 유기발광층에 상기 보조 전극을 노출시키는 전극 컨택홀이 형성되도록 하는 스페이서를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, an organic light emitting display device includes: a first electrode and a second electrode formed with an organic light emitting layer interposed therebetween; An auxiliary electrode formed to be spaced apart from the first electrode; And a spacer for forming an electrode contact hole exposing the auxiliary electrode in the organic light emitting layer.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 유기 전계 발광 표시장치의 제조 방법은, 기판 상의 발광 영역에 위치하는 제1 전극과 상기 기판 상의 비발광 영역에 위치하는 보조 전극을 이격하여 형성하는 단계; 상기 보조 전극을 노출시키는 전극 컨택홀이 형성된 유기발광층을 형성하는 단계; 및 상기 유기발광층 및 상기 보조 전극 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting display device, which is formed by separating a first electrode located in a light emitting region on a substrate from an auxiliary electrode located in a non-light emitting region on the substrate. Making; Forming an organic light emitting layer having an electrode contact hole exposing the auxiliary electrode; And forming a second electrode on the organic light emitting layer and the auxiliary electrode.

본 발명에 따르면, 보조 전극을 사용하여 음극의 전압 강하를 방지함으로써 화질을 향상시킬 수 있다는 효과가 있다.According to the present invention, the image quality can be improved by preventing the voltage drop of the cathode by using the auxiliary electrode.

또한, 본 발명에 따르면, 음극의 전압 강하를 줄이면 소비 전력이 감소하기 때문에 장치의 수명 및 안정성이 향상될 수 있다는 다른 효과가 있다.Further, according to the present invention, there is another effect that reducing the voltage drop of the cathode reduces the power consumption, thereby improving the life and stability of the device.

또한, 본 발명에 따르면, 보조 전극 상부에 스페이서를 형성하여 보조 전극과 캐소드 전극 간의 컨택을 용이하게 할 수 있다는 또 다른 효과가 있다.In addition, according to the present invention, there is another effect that a spacer is formed on the auxiliary electrode to facilitate contact between the auxiliary electrode and the cathode electrode.

도 1은 유기 전계 발광 표시장치의 일반적인 화소의 구조를 설명하는 도면이다.
도 2는 종래의 유기 전계 발광 표시장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 4는 도 3의 보조 전극 형성 영역을 설명하는 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시장치의 제조 방법을 나타내는 단면도이다.1 illustrates a structure of a general pixel of an organic light emitting display device.
2 is a diagram schematically illustrating a conventional organic light emitting display device.
3 is a schematic view of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
4 is a view for explaining an auxiliary electrode formation region of FIG. 3.
5 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예를 설명함에 있어서 어떤 구조물이 다른 구조물 "상에" 또는 "아래에" 형성된다고 기재된 경우, 이러한 기재는 이 구조물들이 서로 접촉되어 있는 경우는 물론이고 이들 구조물들 사이에 제3의 구조물이 개재되어 있는 경우까지 포함하는 것으로 해석되어야 한다. 다만, "바로 위에" 또는 "바로 아래에"라는 용어가 사용될 경우에는, 이 구조물들이 서로 접촉되어 있는 것으로 제한되어 해석되어야 한다.In describing embodiments of the present invention, when a structure is described as being formed "on" or "below" another structure, this description is intended to provide a third term between these structures as well as when the structures are in contact with each other. It is to be interpreted as including even if the structure is interposed. However, if the terms "directly above" or "directly below" are used, these structures should be construed as limited to being in contact with each other.

도 1은 유기 전계 발광 표시장치의 일반적인 화소의 구조를 설명하는 도면이다.1 illustrates a structure of a general pixel of an organic light emitting display device.

도 1을 참조하면, 유기 전계 발광 표시장치는 제1 방향으로 배열된 게이트 라인(GL), 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 서로 이격하여 배열된 데이터 라인(DL)과 구동 전원 라인(VDDL)에 의해 화소영역이 정의된다. 상기 화소영역 내에는 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 구동 박막 트랜지스터(DT), 스토리지 커패시터(C), 및 유기발광소자(OLED)가 형성된다.Referring to FIG. 1, an organic light emitting display device includes a gate line GL arranged in a first direction, a data line DL, and a driving power line spaced apart from each other in a second direction crossing the first direction. The pixel region is defined by (VDDL). The switching thin film transistor ST, the driving thin film transistor DT, the storage capacitor C, and the organic light emitting diode OLED are formed in the pixel area.

스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 게이트 라인(GL)에 공급되는 게이트 신호에 따라 스위칭되어 데이터 라인(DL)에 공급되는 데이터 신호를 구동 박막 트랜지스터(DT)에 공급한다.The switching thin film transistor ST is switched according to a gate signal supplied to the gate line GL to supply a data signal supplied to the data line DL to the driving thin film transistor DT.

구동 박막 트랜지스터(DT)는 스위칭 박막 트랜지스터(ST)로부터 공급되는 데이터 신호에 따라 스위칭되어 구동 전원 라인(VDDL)으로부터 유기발광소자(OLED)로 흐르는 전류를 제어한다.The driving thin film transistor DT is switched according to a data signal supplied from the switching thin film transistor ST to control a current flowing from the driving power line VDDL to the organic light emitting diode OLED.

스토리지 커패시터(C)는 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 기저 전원 라인(VSSL) 사이에 접속되어 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 공급되는 데이터 신호에 대응되는 전압을 저장하고, 저장된 전압으로 구동 트랜지스터(DT)의 턴-온 상태를 1 프레임 동안 일정하게 유지시킨다.The storage capacitor C is connected between the gate electrode of the driving thin film transistor DT and the base power line VSSL to store a voltage corresponding to the data signal supplied to the gate electrode of the driving thin film transistor DT, and the stored voltage As a result, the turn-on state of the driving transistor DT is kept constant for one frame.

유기발광소자(OLED)는 구동 박막 트랜지스터(DT)의 소스 전극 또는 드레인 전극과 기저 전원 라인(VSSL) 사이에 전기적으로 접속되어 구동 박막 트랜지스터(DT)로부터 공급되는 데이터 신호에 대응되는 전류에 의해 발광한다.The organic light emitting diode OLED is electrically connected between the source electrode or the drain electrode of the driving thin film transistor DT and the base power line VSSL to emit light by a current corresponding to the data signal supplied from the driving thin film transistor DT. do.

도 2a는 종래의 유기 전계 발광 표시장치를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 2b는 종래의 유기 전계 발광 표시장치를 개략적으로 나타내는 평면도이다.2A is a cross-sectional view schematically illustrating a conventional organic electroluminescent display, and FIG. 2B is a plan view schematically illustrating a conventional organic electroluminescent display.

도 2a 및 도 2b를 참조하면, 종래의 유기 전계 발광 표시장치는 기판(200), 구동 박막 트랜지스터(DT), 및 유기발광소자(OLED)를 포함한다.2A and 2B, a conventional organic light emitting display device includes a substrate 200, a driving thin film transistor DT, and an organic light emitting diode OLED.

기판(200)은 유리, 플라스틱, 석영, 실리콘 또는 금속의 재질로 이루어지며, 투명한 재질로 이루어질 수 있다.The substrate 200 may be made of glass, plastic, quartz, silicon, or metal, and may be made of a transparent material.

구동 박막 트랜지스터(DT)은 반도체층(241), 게이트 전극(243), 소스 전극(241a), 및 드레인 전극(241b)을 포함한다.The driving thin film transistor DT includes a semiconductor layer 241, a gate electrode 243, a source electrode 241a, and a drain electrode 241b.

반도체층(241)과 게이트 전극(243) 사이에는 게이트 절연막(210)이 형성되어 있다. 게이트 전극(243) 및 게이트 절연막(210) 상부에는 층간 절연막(230)이 형성되어 있다. 또한, 구동 박막 트랜지스터(DT)의 상부에는 평탄화막(230)이 형성되어 있다.A gate insulating film 210 is formed between the semiconductor layer 241 and the gate electrode 243. An interlayer insulating layer 230 is formed on the gate electrode 243 and the gate insulating layer 210. In addition, a planarization layer 230 is formed on the driving thin film transistor DT.

게이트 절연막(210) 및 층간 절연막(230)에는 반도체층 컨택홀이 형성되어 있고, 반도체층 컨택홀을 통해 소스 전극(241a) 및 드레인 전극(241b)이 반도체층(241)과 연결되어 있다.A semiconductor layer contact hole is formed in the gate insulating layer 210 and the interlayer insulating layer 230, and the source electrode 241a and the drain electrode 241b are connected to the semiconductor layer 241 through the semiconductor layer contact hole.

평탄화막(230) 상부에는 제1 전극(250), 유기발광층(270), 및 제2 전극(280)으로 이루어진 유기발광소자(OLED)가 형성된다. 이때, 유기발광소자(OLED)는 구동 박막 트랜지스터(DT)와 전기적으로 연결되게 된다. 보다 구체적으로는, 평탄화막(230)에는 구동 박막 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(242b)을 노출시키는 드레인 컨택홀이 형성되어 있으며, 상기 드레인 컨택홀을 통해 유기발광소자(OLED)의 제1 전극(250)이 구동 박막 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(242b)과 연결되어 있다.An organic light emitting diode (OLED) including the first electrode 250, the organic light emitting layer 270, and the second electrode 280 is formed on the planarization film 230. In this case, the organic light emitting diode OLED is electrically connected to the driving thin film transistor DT. More specifically, the planarization layer 230 has a drain contact hole that exposes the drain electrode 242b of the driving thin film transistor DT, and the first electrode of the organic light emitting diode OLED is formed through the drain contact hole. 250 is connected to the drain electrode 242b of the driving thin film transistor DT.

도 3a은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시장치를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시장치를 개략적으로 나타내는 평면도이다.3A is a cross-sectional view schematically illustrating an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a plan view schematically illustrating an organic electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 전면발광 방식의 유기 전계 발광 표시장치는 기판(300), 구동 박막 트랜지스터(DT), 유기발광소자(OLED), 및 보조 전극 라인(VSSLa)을 포함한다.3A and 3B, an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes a substrate 300, a driving thin film transistor DT, an organic light emitting diode OLED, and an auxiliary electrode line. VSSLa).

먼저, 구동 박막 트랜지스터(DT)는 반도체층(341), 게이트 전극(343), 소스 전극(341a), 및 드레인 전극(341b)을 포함한다.First, the driving thin film transistor DT includes a semiconductor layer 341, a gate electrode 343, a source electrode 341a, and a drain electrode 341b.

반도체층(341)은 기판(300) 상에 형성된다. 반도체층(341)은 비정질 실리콘막 또는 비정질 실리콘을 결정화한 다결정 실리콘막으로 구현될 수 있다. 기판(300)과 반도체층(341) 사이에는 버퍼층(미도시)이 더 형성될 수 있다. 버퍼층(미도시)은 반도체층(341)의 결정화시 기판(300)으로부터 유출되는 알칼리 이온과 같은 불순물로부터 박막 트랜지스터를 보호하기 위해서 형성될 수 있다.The semiconductor layer 341 is formed on the substrate 300. The semiconductor layer 341 may be implemented with an amorphous silicon film or a polycrystalline silicon film obtained by crystallizing amorphous silicon. A buffer layer (not shown) may be further formed between the substrate 300 and the semiconductor layer 341. The buffer layer (not shown) may be formed to protect the thin film transistor from impurities such as alkali ions flowing out of the substrate 300 during crystallization of the semiconductor layer 341.

게이트 전극(343)은 게이트 절연막(310) 상에 반도체층(341)과 중첩되는 영역 내에 형성된다. 이때, 게이트 전극(343)은 게이트 신호를 공급하는 게이트 라인(GL)과 연결되어 있다. 게이트 전극(343)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 구리(Cu) 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.The gate electrode 343 is formed in the region overlapping the semiconductor layer 341 on the gate insulating layer 310. In this case, the gate electrode 343 is connected to the gate line GL for supplying a gate signal. The gate electrode 343 is a single layer or multiple layers of aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), copper (Cu), or alloys thereof. It can be formed in layers.

소스 전극(342a)과 드레인 전극(342b)은 소정 간격으로 이격하여 형성되어 있으며, 반도체층(341)과 전기적으로 연결된다. 보다 구체적으로는, 게이트 절연막(310) 및 층간 절연막(330)에는 반도체층(341)을 노출시키는 반도체층 컨택홀이 형성되어 있으며, 반도체층 컨택홀을 통해 소스/드레인 전극(342a, 342b)이 반도체층(341)과 연결되어 있다.The source electrode 342a and the drain electrode 342b are formed to be spaced apart at predetermined intervals, and are electrically connected to the semiconductor layer 341. More specifically, a semiconductor layer contact hole exposing the semiconductor layer 341 is formed in the gate insulating layer 310 and the interlayer insulating layer 330, and the source / drain electrodes 342a and 342b are formed through the semiconductor layer contact hole. It is connected to the semiconductor layer 341.

다음으로, 유기발광소자(OLED)는 제1 전극(350), 유기발광층(370), 및 제2 전극(380)을 포함한다. 유기발광소자(OLED)는 구동 박막 트랜지스터(DT)와 전기적으로 연결된다. 보다 구체적으로, 구동 박막 트랜지스터(DT) 상부에 형성된 평탄화막(330)은 구동 박막 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(342b)을 노출시키는 드레인 컨택홀이 형성되어 있다. 유기발광소자(OLED)은 드레인 컨택홀을 통해 구동 박막 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(342b)과 연결된다.Next, the organic light emitting diode OLED includes a first electrode 350, an organic light emitting layer 370, and a second electrode 380. The organic light emitting diode OLED is electrically connected to the driving thin film transistor DT. More specifically, the planarization layer 330 formed on the driving thin film transistor DT has a drain contact hole exposing the drain electrode 342b of the driving thin film transistor DT. The organic light emitting diode OLED is connected to the drain electrode 342b of the driving thin film transistor DT through the drain contact hole.

제1 전극(350)은 평탄화막(330) 상에 형성되고 드레인 컨택홀을 통해 구동 박막 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(341b)과 연결된다. 제1 전극(350)은 유기발광층(370)에 전류(또는 전압)을 공급하는 것으로서, 소정 면적의 발광 영역을 정의한다.The first electrode 350 is formed on the planarization layer 330 and is connected to the drain electrode 341b of the driving thin film transistor DT through the drain contact hole. The first electrode 350 supplies a current (or voltage) to the organic light emitting layer 370 and defines a light emitting area having a predetermined area.

또한, 제1 전극(350)은 양극(anode)으로서 역할을 수행한다. 이에 따라, 제1 전극(350)은 일 함수가 비교적 큰 투명 도전성 물질로 이루어지고, 예를 들어, 투명 도전성 물질은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)을 포함할 수 있다. 그리고, 반사효율을 향상시키기 위해서, 제1 전극(350)은 하부에 반사효율이 높은 금속 물질로 이루어진 반사막(미도시)을 더 포함할 수 있고, 예를 들어, 금속 물질은 은(Ag), 알루미늄(Al) 및 이들의 화합물을 포함할 수 있다.In addition, the first electrode 350 serves as an anode. Accordingly, the first electrode 350 may be made of a transparent conductive material having a relatively large work function. For example, the transparent conductive material may include indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). In addition, in order to improve reflection efficiency, the first electrode 350 may further include a reflection film (not shown) made of a metal material having a high reflection efficiency at the bottom thereof. For example, the metal material may include silver (Ag), Aluminum (Al) and compounds thereof.

제1 전극(350) 상에는 제1 전극(350)의 일부를 노출시키는 제1 개구부를 포함하는 뱅크(260)가 형성되어 있다. 본 실시예에서, 뱅크(260)는 후술할 보조 전극(391)의 일부를 노출시키는 제2 개구부를 더 포함한다.The bank 260 including the first opening exposing a part of the first electrode 350 is formed on the first electrode 350. In this embodiment, the bank 260 further includes a second opening that exposes a part of the auxiliary electrode 391 to be described later.

유기발광층(370)은 제1 전극(350)과 제2 전극(380) 사이에 형성된다. 유기발광층(370)은 제1 전극(350)으로부터 공급되는 정공과 제2 전극(380)으로부터 공급되는 전자의 결합에 의해 발광한다.The organic light emitting layer 370 is formed between the first electrode 350 and the second electrode 380. The organic light emitting layer 370 emits light by combining holes supplied from the first electrode 350 and electrons supplied from the second electrode 380.

도 3a에 도시된 일 실시예에서는, 기판 상의 전면에 유기발광층(370)이 형성되어 있으나, 다른 일 실시예에서는, 제1 전극(350) 상에만 유기발광층(370)이 형성될 수 있다.In the exemplary embodiment illustrated in FIG. 3A, the organic light emitting layer 370 is formed on the entire surface of the substrate. In another exemplary embodiment, the organic light emitting layer 370 may be formed only on the first electrode 350.

유기발광층(370)은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 및 전자 주입층을 포함한다. 정공 주입층(Hole Injecting Layer: HIL, 미도시)은 제1 전극(350) 상에 형성되어 정공을 이동시키는 역할을 수행한다. 정공 수송층(Hole Transport Layer: HTL, 미도시)는 정공 주입층(미도시) 상에 형성되어 정공 주입층(미도시)으로부터 주입되는 정공을 발광층(미도시)에 전달하는 역할을 수행한다.The organic light emitting layer 370 includes a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. Hole Injecting Layer (HIL, not shown) is formed on the first electrode 350 serves to move the hole. Hole transport layer (HTL, not shown) is formed on the hole injection layer (not shown) serves to transfer holes injected from the hole injection layer (not shown) to the light emitting layer (not shown).

발광층(미도시)은 정공 수송층(미도시)와 전자 수송층(미도시) 사이에 형성되어 제1 전극(350)으로부터 공급되는 정공과 제2 전극(380)으로부터 공급되는 전자의 결합에 의해 백색 광을 방출한다.The light emitting layer (not shown) is formed between the hole transporting layer (not shown) and the electron transporting layer (not shown) to form white light by a combination of holes supplied from the first electrode 350 and electrons supplied from the second electrode 380. Emits.

전자 수송층(Electron Transport Layer: ETL, 미도시)은 발광층(미도시) 상에 형성되어 전자 주입층(미도시)으로부터 주입되는 전자를 발광층(미도시)으로 수송한다. 전자 주입층(Electron Injecting Layer: EIL, 미도시)은 전자 수송층(미도시) 상에 형성된다. 이러한 전자 주입층(미도시)은 생략될 수 있다.An electron transport layer (ETL, not shown) is formed on the light emitting layer (not shown) to transport electrons injected from the electron injection layer (not shown) to the light emitting layer (not shown). An electron injecting layer (EIL, not shown) is formed on the electron transport layer (not shown). Such an electron injection layer (not shown) may be omitted.

제2 전극(380)은 유기발광층(370) 상에 형성되어 유기발광층(370)에 전자를 제공한다. 제2 전극(380)은 음극(cathod)으로서 역할을 수행한다. 이에 따라, 제2 전극(350)은 투명 도전성 물질로 이루어지고, 예를 들어, 투명 도전성 물질은 ITO 또는 IZO을 포함할 수 있다. 제2 전극(380)은 유기발광층(370)과 접하는 쪽에 일 함수가 낮은 금속 물질로 이루어진 얇은 금속막(미도시)을 더 포함할 수 있고, 예를 들어, 금속 물질은 마그네슘(Mg), 은(Ag) 및 이들의 화합물을 포함할 수 있다.The second electrode 380 is formed on the organic light emitting layer 370 to provide electrons to the organic light emitting layer 370. The second electrode 380 serves as a cathode. Accordingly, the second electrode 350 may be made of a transparent conductive material, for example, the transparent conductive material may include ITO or IZO. The second electrode 380 may further include a thin metal film (not shown) made of a metal material having a low work function on the side in contact with the organic light emitting layer 370. For example, the metal material may be magnesium (Mg) or silver. (Ag) and compounds thereof.

전면발광 방식의 경우 제2 전극(380)은 일 함수가 낮고 반투과성을 만족해야 하기 때문에 얇게 형성되어야 한다. 이에 따라, 제2 전극(380)은 저항이 높아지게 되고, 높은 저항에 의하여 전압 강하(IR drop)가 발생하게 되는 단점이 있다.In the case of the top emission method, the second electrode 380 must be thin because the work function is low and the transflectivity must be satisfied. Accordingly, the second electrode 380 has a disadvantage in that the resistance is increased and a voltage drop (IR drop) occurs due to the high resistance.

본 발명의 실시예에서는 제2 전극(370)의 저항을 감소시키기 위해서 보조 전극 라인(VSSLa)이 제1 전극(350)과 동일층 상에 형성되어 있다. 여기에서, 보조 전극 라인(VSSLa)은 보조 전극(391) 및 스페이서(spacer, 392)을 포함한다.In an embodiment of the present invention, the auxiliary electrode line VSSLa is formed on the same layer as the first electrode 350 to reduce the resistance of the second electrode 370. Here, the auxiliary electrode line VSSLa includes an auxiliary electrode 391 and a spacer 392.

보조 전극(391)은 제1 전극(350)과 동일층 상에 이격하여 형성된다. 도 3b에서 알 수 있듯이, 보조 전극(391)은 좌우 방향으로 연속적으로 연장되어 외부의 VSS 패드(미도시)와 연결된다.The auxiliary electrode 391 is spaced apart from the first electrode 350 on the same layer. As shown in FIG. 3B, the auxiliary electrode 391 extends continuously in the horizontal direction and is connected to an external VSS pad (not shown).

보조 전극(391)은 제1 전극(350)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 바람직하게는, 제1 전극(350) 및 보조 전극(391)은, 제2 전극(380)의 전압 강하를 최소화하고 유기발광층(370)의 반사율을 증대시키기 위해서, 비저항이 낮으며 반사율이 높은 Al-ITO, Mo-ITO, Ti-ITO 또는 Ag-ITO으로 이루어질 수 있다.The auxiliary electrode 391 may be formed of the same material as the first electrode 350. Preferably, in order to minimize the voltage drop of the second electrode 380 and to increase the reflectance of the organic light emitting layer 370, the first electrode 350 and the auxiliary electrode 391 have a low specific resistance and high reflectance. It may be made of -ITO, Mo-ITO, Ti-ITO or Ag-ITO.

보조 전극(391)은 제2 전극(380)과 연결된다. 보다 구체적으로는, 유기발광층(370)에는 보조 전극(391)을 노출시키는 전극 컨택홀이 형성된다. 보조 전극(391)은 전극 컨택홀을 통해 제2 전극(380)과 전기적으로 연결된다.The auxiliary electrode 391 is connected to the second electrode 380. More specifically, an electrode contact hole for exposing the auxiliary electrode 391 is formed in the organic light emitting layer 370. The auxiliary electrode 391 is electrically connected to the second electrode 380 through an electrode contact hole.

스페이서(392)는 보조 전극(391) 상에 형성된다. 이때, 스페이서(392)는 상부에서 하부로 갈수록 단면적이 작아지는 역 테이퍼(taper) 형상을 가진다. 일 실시예에서, 스페이서(392)의 측면과 보조 전극(391)이 이루는 각도는 20도 내지 80도로 이루어질 수 있다.The spacer 392 is formed on the auxiliary electrode 391. In this case, the spacer 392 has a reverse taper shape in which the cross-sectional area decreases from the top to the bottom. In an embodiment, the angle formed between the side of the spacer 392 and the auxiliary electrode 391 may be 20 degrees to 80 degrees.

스페이서(392)는 유기발광층(370)에 보조 전극(391)을 노출시키는 전극 컨택홀을 형성시킨다. 유기발광층(370)은 쉐이딩(shading) 효과에 의하여 스페이서(392)의 상부에 형성되고, 스페이서(392)의 상부 아래에 형성되지 않는다. 이에 따라, 유기발광층(370)에 전극 컨택홀이 형성된다.The spacer 392 forms an electrode contact hole exposing the auxiliary electrode 391 in the organic light emitting layer 370. The organic light emitting layer 370 is formed on the spacer 392 by the shading effect and is not formed below the spacer 392. Accordingly, electrode contact holes are formed in the organic light emitting layer 370.

스페이서(392)는, 복수인 경우, 보조 전극(391) 상에 서로 이격하여 형성된다. 스페이서(392)가 많을수록 제2 전극(370)의 저항을 감소시키는 효과가 커지게 되므로, 바람직하게, 스페이서(392)의 간격은 작게 형성될 수 있다.In the case of a plurality of spacers 392, the spacers 392 are formed to be spaced apart from each other on the auxiliary electrode 391. As the number of spacers 392 increases, the effect of reducing the resistance of the second electrode 370 is increased. Therefore, the spacing of the spacers 392 may be reduced.

그러나, 스페이서(392)의 간격이 너무 작아지면, 보조 전극(391)과 제2 전극(370)이 접촉되는 영역이 작아져서 오히려 효과가 줄어들 수 있다. 이것은 각 스페이서의 상부가 인접하는 면 아래에 제2 전극이 형성되지 않을 수 있기 때문이다. 이에 따라, 스페이서(392)는 최소한 2um만큼의 거리를 두고 배치될 수 있다.However, if the spacing between the spacers 392 is too small, the area where the auxiliary electrode 391 and the second electrode 370 come into contact with each other becomes smaller, so that the effect may be reduced. This is because the second electrode may not be formed below the surface adjacent to the upper portion of each spacer. Accordingly, the spacer 392 may be disposed at a distance of at least 2 μm.

스페이서(392)의 두께는 뱅크(260)의 두께와 동일하거나 클 수 있다. 바람직하게는, 스페이서(392)의 두께는 뱅크(260)의 두께 이상이거나 5um 이하로 형성될 수 있다.The thickness of the spacer 392 may be equal to or larger than the thickness of the bank 260. Preferably, the thickness of the spacer 392 may be greater than the thickness of the bank 260 or less than 5um.

스페이서(392) 상에는 유기발광층(370)과 제2 전극(380)이 순차적으로 적층된다.The organic light emitting layer 370 and the second electrode 380 are sequentially stacked on the spacer 392.

도 3b에 도시된 일 실시예에서는 스페이서(392)의 상부가 원형으로 형성되어 있으나, 다른 일 실시예에서는 스페이서(392)의 상부가 다각형으로 형성될 수 있다.In the exemplary embodiment illustrated in FIG. 3B, the upper portion of the spacer 392 is formed in a circular shape, but in another exemplary embodiment, the upper portion of the spacer 392 may be formed in a polygon.

또한, 도 3b에 도시된 일 실시예에서는 스페이서(392)를 포함하고 있으나, 다른 일 실시예에서는 스페이서(392)를 포함하지 않고, 유기발광층(370) 증착시 보조 전극(391) 위에 마스크판을 이격하여 배치시킴으로써 전극 컨택홀을 형성할 수 있다.In addition, although one embodiment includes a spacer 392 in FIG. 3B, the spacer 392 is not included in another embodiment, and a mask plate is disposed on the auxiliary electrode 391 when the organic light emitting layer 370 is deposited. The electrode contact holes may be formed by being spaced apart from each other.

도 4a는 도 3의 보조 전극 형성 영역을 설명하는 단면도이고, 도 4b는 도 3의 보조 전극 형성 영역을 설명하는 평면도이다.4A is a cross-sectional view illustrating the auxiliary electrode formation region of FIG. 3, and FIG. 4B is a plan view illustrating the auxiliary electrode formation region of FIG. 3.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 보조 전극(391) 상에는 스페이서(392), 뱅크(360), 유기발광층(370), 및 제2 전극(380)이 형성되어 있다.4A and 4B, a spacer 392, a bank 360, an organic light emitting layer 370, and a second electrode 380 are formed on the auxiliary electrode 391.

보조 전극(391)은 유기발광층(370)에 형성된 전극 컨택홀을 통해 제2 전극(380)과 연결된다. 보조 전극(391) 상에는 스페이서(392)에 의하여 유기발광층(370)이 형성되지 않는 제1 영역(b)이 형성된다. 그리고, 상기 제1 영역(b) 내에 제2 전극(380)이 형성된다.The auxiliary electrode 391 is connected to the second electrode 380 through an electrode contact hole formed in the organic light emitting layer 370. The first region b in which the organic light emitting layer 370 is not formed is formed on the auxiliary electrode 391 by the spacer 392. In addition, a second electrode 380 is formed in the first region b.

제2 전극(380)의 저항은 보조 전극(391)과 제2 전극(380)이 접촉된 제2 영역(a)이 클수록 크게 감소된다. 이를 위해서, 본 발명에서는 보조 전극(391) 상에 형성된 스페이서(392)의 개수 및 상부의 모양을 다양하게 변형시킬 수 있다.The resistance of the second electrode 380 is greatly reduced as the second region a in which the auxiliary electrode 391 and the second electrode 380 contact each other becomes larger. To this end, in the present invention, the number and shape of the spacers 392 formed on the auxiliary electrode 391 may be variously modified.

도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시장치의 제조공정을 보여주는 공정 단면도로서, 이는 도 3 및 도 4에 도시한 하나의 화소를 제조하는 공정을 보여주는 단면도이다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 각각의 구성들의 재료 등에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다. 5A through 5F are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, which is a cross-sectional view illustrating a process of manufacturing one pixel illustrated in FIGS. 3 and 4. Therefore, like reference numerals refer to like elements, and detailed descriptions of materials and the like of the respective elements will be omitted.

우선, 도 5a에서 알 수 있듯이, 기판(300) 상에 반도체층(341), 게이트 절연막(310), 게이트 전극(343), 층간 절연막(320), 소스/드레인 전극(342a, 342b), 및평탄화막(330)을 순차적으로 형성한다.First, as shown in FIG. 5A, the semiconductor layer 341, the gate insulating layer 310, the gate electrode 343, the interlayer insulating layer 320, the source / drain electrodes 342a and 342b are disposed on the substrate 300. The planarization film 330 is sequentially formed.

반도체층(341) 및 게이트 전극(343)은 기판(300) 상에 소정 금속물질을 적층하고, 포토 레지스트(PR)를 도포하고 노광 및 현상하여 마스크 패턴을 형성하고, 상기 마스크 패턴을 이용하여 상기 금속물질의 소정 영역을 식각한 후, 상기 마스크 패턴을 제거하는 소위 포토리소그라피(Photolithography) 공정을 통해 패턴 형성할 수 있다.The semiconductor layer 341 and the gate electrode 343 form a mask pattern by stacking a predetermined metal material on the substrate 300, applying a photoresist PR, exposing and developing the photoresist, and using the mask pattern. After etching a predetermined region of the metal material, a pattern may be formed through a so-called photolithography process of removing the mask pattern.

다만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 금속물질의 페이스트를 이용하여 스크린 프린팅(screen printing), 잉크젯 프린팅(inkjet printing), 그라비아 프린팅(gravure printing), 그라비아 오프셋 프린팅(gravure offset printing), 리버스 오프셋 프린팅(reverse offset printing, 플렉소 프린팅(flexo printing), 또는 마이크로 컨택 프린팅(microcontact printing)과 같은 인쇄 공정으로 반도체층(341) 및 게이트 전극(343)을 직접 패턴 형성할 수도 있다. However, the present invention is not limited thereto, and screen printing, inkjet printing, gravure printing, gravure offset printing, and reverse offset printing using a paste of a metallic material may be performed. The semiconductor layer 341 and the gate electrode 343 may be directly patterned by a printing process such as reverse offset printing, flexo printing, or microcontact printing.

이하에서 설명하는 각각의 구성에 대한 패턴 형성 공정도 구성 재료에 따라 포토리소그라피 공정을 이용하거나 또는 인쇄 공정을 이용하여 수행할 수 있으며, 그에 대한 반복 설명은 생략하기로 한다.The pattern forming process for each component described below can also be performed using a photolithography process or a printing process, depending on the constituent material, and the repeated description thereof will be omitted.

그리고, 게이트 절연막(310) 및 층간 절연막(320)에는 반도체층 컨택홀이 형성된다. 상기 반도체층 컨택홀은 반도체층(341)의 일부가 노출되도록 게이트 절연막(310) 및 층간 절연막(320)을 식각하여 형성한다.In addition, a semiconductor layer contact hole is formed in the gate insulating layer 310 and the interlayer insulating layer 320. The semiconductor layer contact hole is formed by etching the gate insulating layer 310 and the interlayer insulating layer 320 to expose a portion of the semiconductor layer 341.

소스/드레인 전극(342a, 342b)는 반도체층 컨택홀을 통해 반도체층(341)과 연결되고, 게이트 전극(343)과 이격되도록 패턴 형성한다.The source / drain electrodes 342a and 342b are connected to the semiconductor layer 341 through the semiconductor layer contact hole and are patterned to be spaced apart from the gate electrode 343.

평탄화막(330)에는 드레인 컨택홀이 형성된다. 상기 드레인 컨택홀은 드레인 전극(342b)의 일부가 노출되도록 평탄화막(330)을 식각하여 형성한다.A drain contact hole is formed in the planarization layer 330. The drain contact hole is formed by etching the planarization layer 330 so that a part of the drain electrode 342b is exposed.

다음, 도 5b에서 알 수 있듯이, 평탄화막(330)이 형성된 기판(300) 상에 제1 전극(350) 및 보조 전극(391)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 5B, the first electrode 350 and the auxiliary electrode 391 are formed on the substrate 300 on which the planarization film 330 is formed.

제1 전극(350)은 상기 드레인 컨택홀을 통해 드레인 전극(342b)과 연결되도록 패턴 형성한다. 보조 전극(391)은 제1 전극(350)과 이격되도록 패턴 형성한다.The first electrode 350 is patterned to be connected to the drain electrode 342b through the drain contact hole. The auxiliary electrode 391 is formed in a pattern to be spaced apart from the first electrode 350.

이와 같은, 제1 전극(350) 및 보조 전극(391)은 동일한 재료를 이용하여 동일한 패턴 공정을 통해 동시에 형성할 수 있다.As such, the first electrode 350 and the auxiliary electrode 391 may be simultaneously formed through the same pattern process using the same material.

다음, 도 5c에서 알 수 있듯이, 제1 전극(350) 상에 제1 개구부 및 보조 전극(391) 상에 제2 개구부를 구비한 뱅크(360)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 5C, a bank 360 having a first opening on the first electrode 350 and a second opening on the auxiliary electrode 391 is formed.

뱅크(360)는 기판(300) 전면에 소정 물질을 적층한 후 적층된 물질의 소정 영역을 식각공정을 통해 제거함으로써 제1 개구부 및 제2 개구부를 형성한다. 따라서, 제1 개구부를 통해 제1 전극(350)이 노출되고, 제2 개구부를 통해 보조 전극(391)이 노출되게 된다.The bank 360 forms a first opening and a second opening by stacking a predetermined material on the entire surface of the substrate 300 and then removing a predetermined region of the stacked material through an etching process. Therefore, the first electrode 350 is exposed through the first opening, and the auxiliary electrode 391 is exposed through the second opening.

다음, 도 5d에서 알 수 있듯이, 보조 전극(391)이 노출된 제2 개구부 상에 스페이서(392)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 5D, a spacer 392 is formed on the second opening where the auxiliary electrode 391 is exposed.

스페이서(392)는 복수인 경우 서로 이격되고, 상부에서 하부로 갈수록 단면적이 작아지는 역 테이퍼 모양을 가지도록 패턴 형성한다.The plurality of spacers 392 are spaced apart from each other, and a pattern is formed to have an inverse taper shape in which the cross-sectional area decreases from the top to the bottom.

다음, 도 5e에서 알 수 있듯이, 기판(300) 전면에 유기발광층(270)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 5E, the organic light emitting layer 270 is formed on the entire surface of the substrate 300.

유기발광층(270)은 열 진공 증착을 사용하여 형성한다. 열 진공 증착은 유기물질이 기판(300)에 대해 수직으로 입사되도록 한다.The organic light emitting layer 270 is formed using thermal vacuum deposition. Thermal vacuum deposition allows the organic material to be incident perpendicularly to the substrate 300.

유기발광층(270)은 제1 개구부를 통해 제1 전극(350)과 전기적으로 연결되도록 형성한다. 또한, 유기발광층(270)은 보조 전극(391)을 노출시키는 전극 컨택홀을 형성한다. 전극 컨택홀은 제2 개구부 상에 형성된 스페이서(392)에 의하여 형성된다.The organic light emitting layer 270 is formed to be electrically connected to the first electrode 350 through the first opening. In addition, the organic light emitting layer 270 forms an electrode contact hole exposing the auxiliary electrode 391. The electrode contact hole is formed by a spacer 392 formed on the second opening.

다음, 도 5f에서 알 수 있듯이, 기판(300) 전면에 제2 전극(380)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 5F, the second electrode 380 is formed on the entire surface of the substrate 300.

제2 전극(380)은 소정의 금속 물질의 열 진공 증착을 사용하여 형성한다. 이때, 소정의 금속 물질은 기판(300)에 대해 수직으로 입사되어 유기발광층(370) 위에 증착된다.The second electrode 380 is formed using thermal vacuum deposition of a predetermined metal material. In this case, a predetermined metal material is incident perpendicularly to the substrate 300 and deposited on the organic light emitting layer 370.

제2 전극(380)은 전극 컨택홀을 통해 보조 전극(391)과 전기적으로 연결되도록 형성한다.The second electrode 380 is formed to be electrically connected to the auxiliary electrode 391 through an electrode contact hole.

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

300: 기판 350: 제1 전극
360: 뱅크 370: 유기발광층
380: 제2 전극 391: 보조 전극
392: 스페이서300: substrate 350: first electrode
360: bank 370: organic light emitting layer
380: second electrode 391: auxiliary electrode
392: spacer

Claims (10)

유기발광층을 사이에 두고 형성된 제1 전극 및 제2 전극;
상기 제1 전극과 이격하여 형성된 보조 전극; 및
상기 보조 전극 상에 상기 보조 전극의 일부를 노출시키는 전극 컨택홀이 형성되도록 하는 스페이서를 포함하는 유기 전계 발광 표시장치.A first electrode and a second electrode formed with the organic light emitting layer interposed therebetween;
An auxiliary electrode formed to be spaced apart from the first electrode; And
And a spacer for forming an electrode contact hole exposing a part of the auxiliary electrode on the auxiliary electrode. 제1항에 있어서,
상기 스페이서는 상부에서 하부로 갈수록 단면적이 작아지는 역 테이퍼(taper) 형태인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.The method of claim 1,
And the spacer has an inverse taper shape in which the cross-sectional area decreases from top to bottom. 제1항에 있어서,
상기 보조 전극은 상기 전극 컨택홀을 통해 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.The method of claim 1,
And the auxiliary electrode is electrically connected to the second electrode through the electrode contact hole. 제1항에 있어서,
상기 보조 전극은 상기 제1 전극과 동일한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.The method of claim 1,
The auxiliary electrode is made of the same material as the first electrode. 제1항에 있어서,
상기 제1 전극에서 상기 유기발광층이 형성되는 영역을 노출시키는 제1 개구부 및 상기 보조 전극에서 상기 유기발광층, 상기 제2 전극, 및 상기 스페이서가 형성되는 영역을 노출시키는 제2 개구부가 형성된 뱅크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.The method of claim 1,
A bank having a first opening exposing a region where the organic light emitting layer is formed in the first electrode and a second opening exposing a region where the organic light emitting layer, the second electrode, and the spacer are formed in the auxiliary electrode; An organic electroluminescent display comprising a. 기판 상의 발광 영역에 위치하는 제1 전극과 상기 기판 상의 비발광 영역에 위치하는 보조 전극을 이격하여 형성하는 단계;
상기 보조 전극의 일부를 노출시키는 전극 컨택홀을 형성하는 단계;
상기 발광 영역 및 비발광 영역에 유기발광층을 형성하는 단계; 및
상기 유기발광층 및 상기 보조 전극 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.Forming a first electrode positioned in a light emitting region on a substrate and an auxiliary electrode positioned in a non-light emitting region on the substrate;
Forming an electrode contact hole exposing a portion of the auxiliary electrode;
Forming an organic light emitting layer in the light emitting area and the non-light emitting area; And
And forming a second electrode on the organic light emitting layer and the auxiliary electrode. 제6항에 있어서, 상기 전극 컨택홀을 형성하는 단계는
상기 보조 전극 상에 스페이서를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.The method of claim 6, wherein the forming of the electrode contact hole is performed.
And forming a spacer on the auxiliary electrode. 제7항에 있어서,
상기 스페이서는 상부에서 하부로 갈수록 단면적이 작아지는 역 테이퍼(taper) 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.The method of claim 7, wherein
And the spacer has an inverse taper shape in which the cross-sectional area decreases from the top to the bottom. 제7항에 있어서, 상기 스페이서를 형성하는 단계는
상기 제1 전극의 일부분을 노출시키는 제1 개구부 및 상기 보조 전극의 일부분을 노출시키는 제2 개구부가 포함된 뱅크를 형성하는 단계; 및
상기 제2 개구부 상에 상기 스페이서를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.The method of claim 7, wherein forming the spacers
Forming a bank including a first opening exposing a portion of the first electrode and a second opening exposing a portion of the auxiliary electrode; And
And forming the spacers on the second openings. 제6항에 있어서,
상기 제2 전극은 상기 전극 컨택홀을 통해 상기 보조 전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.The method according to claim 6,
The second electrode is connected to the auxiliary electrode through the electrode contact hole.
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