KR20120021025A - Substrate etching apparatus and substrate etching method - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An apparatus and method for etching a substrate are provided to increase use amount over whole etching gas input by including a thermal decomposition module which thermally decomposes an etching gas. CONSTITUTION: A process chamber(100) forms a process space which is shut tightly. A substrate support board(140) is arranged in the process chamber and supports a substrate. A gas injection part(130) sprays a etching gas to the process space. A thermal decomposition module(200) thermally decomposes a part or all of the etching gas and transfers to the gas injection part. A controlling part controls the thermal decomposition module and the supply of the etching gas.

Description

기판식각장치 및 기판식각방법 {Substrate Etching Apparatus and Substrate Etching Method}Substrate Etching Apparatus and Substrate Etching Method

본 발명은 기판식각장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판을 식각하는 기판식각장치 및 기판식각방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate etching apparatus, and more particularly, to a substrate etching apparatus and a substrate etching method for etching a substrate.

기판처리장치는 기판처리에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 일예로서, 밀폐된 처리공간에 기판처리의 수행을 위한 하나 이상의 가스를 처리공간으로 분사하여 기판지지대 위에 안착된 기판의 표면을 식각하는 식각공정을 수행하는 기판식각장치가 있다.The substrate treating apparatus may be configured in various ways according to the substrate treatment. For example, an etching process of etching the surface of the substrate seated on the substrate support by injecting one or more gases for performing substrate treatment into a closed treatment space into the treatment space. There is a substrate etching apparatus that performs the.

한편 종래의 기판식각장치의 식각공정에 사용되는 식각가스는 SF6, SF4 등이 사용되는데 전체 사용가스 대비 실제 식각에 사용되는 가스량은 3%도 되지 않는다. 여기서 전체 사용가스 대비 실제 식각에 사용되는 가스량은 부산물의 형성 정도에 따라서 확인할 수 있다.Meanwhile, as the etching gas used in the etching process of the conventional substrate etching apparatus, SF 6 , SF 4, etc. are used, but the amount of gas used in actual etching is less than 3% of the total used gas. Here, the amount of gas used for actual etching compared to the total used gas may be checked according to the degree of formation of byproducts.

따라서 종래의 기판식각장치는 일반적으로 식각가스 투입대비 가스의 사용효율이 매우 낮다.Therefore, the conventional substrate etching apparatus generally has a very low use efficiency of gas compared to etching gas input.

그런데 식각공정에 사용되는 SF6, SF4 등의 식각가스는 인체는 물론 대기오염을 유발하는 유해?유독가스인바 식각가스 투입대비 가스의 사용효율이 낮은 경우 전체공정비용을 증가시키는 것은 물론 유해?유독한 배출가스의 발생으로 인하여 이를 처리하기 위한 비용 또한 증가하는 문제점이 있다.However, the etching gases such as SF 6 and SF 4 used in the etching process are harmful and toxic gases that cause air pollution as well as the human body. Due to the generation of toxic emissions there is also a problem of increasing the cost for treating them.

예를 들면 SF6는 전기절연성이 우수하여 식각가스로 널리 사용되고 있다. 그러나 SF6 가스는 우수한 특성에도 불구하고 적외선 영역의 빛을 잘 흡수하여 지구 지표로부터 방출되는 적외선을 외계로 배출되는 것을 방해함으로써 지구온난화를 유발하는 대표적인 물질로 알려져 있다.For example, SF 6 is widely used as an etching gas because of its excellent electrical insulation. Despite its excellent properties, however, SF 6 gas is known as a representative material that causes global warming by absorbing light in the infrared region and preventing infrared radiation emitted from the earth's surface to the outside world.

더 나아가 SF6 가스는 매우 안정된 물질이기 때문에 CO2와 달리 자연상태에서 거의 분해되지 않으며, 단위 질량당 지구온난화에 미치는 영향이 CO2에 비해 23,900배가 크기 때문에 적은 양의 SF6 가스가 배출된다 하더라도 지구온난화에 미치는 영향은 매우 크다.Furthermore, since SF 6 gas is a very stable material, unlike CO 2 , it is hardly decomposed in the natural state, and since the impact on global warming per unit mass is 23,900 times larger than that of CO 2 , even if a small amount of SF 6 gas is emitted, The impact on global warming is very large.

따라서 SF6 가스와 같이 유해한 가스를 식각가스로서 사용하는 경우 사용 후 배출되는 가스 중 SF6 가스의 양을 최소화할 필요가 있다.Therefore, when the harmful gas such as SF 6 gas is used as an etching gas, it is necessary to minimize the amount of SF 6 gas in the gas discharged after use.

본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 식각공정시 식각가스의 사용효율을 현저히 높일 수 있는 기판식각장치 및 기판식각방법을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a substrate etching apparatus and a substrate etching method that can significantly increase the use efficiency of the etching gas during the etching process in order to solve the above problems.

본 발명의 다른 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 식각공정시 식각가스를 열분해한 후 처리공간으로 분사함으로써 식각률을 높여 기판처리의 효율을 높이는 동시에 전체 공정비용을 현저히 낮출 수 있는 기판식각장치 및 기판식각방법을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention, in order to solve the above problems, by etching the etching gas during the etching process and sprayed into the processing space by increasing the etching rate to increase the efficiency of substrate processing and at the same time significantly lower the overall process cost substrate etching apparatus And to provide a substrate etching method.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 기판에 대한 식각공정을 수행할 수 있도록 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 상기 공정챔버 내에 설치되어 기판을 지지하는 기판지지대와; 상기 기판지지대의 상부에 설치되어 처리공간으로 식각가스를 분사하는 가스분사부와; 상기 공정챔버와 연결되어 가스공급장치로부터 식각가스를 공급받아 가열에 의하여 식각가스의 전부 또는 일부를 열분해 한 후 상기 가스분사부로 전달하는 열분해모듈과; 상기 열분해모듈 및 식각가스의 공급을 제어하기 위한 제어부를 포함하는 기판식각장치를 개시한다.The present invention has been created to achieve the object of the present invention as described above, the present invention comprises a process chamber for forming a closed processing space to perform the etching process for the substrate; A substrate support installed in the process chamber to support a substrate; A gas injection unit installed on the substrate support to inject an etching gas into a processing space; A pyrolysis module connected to the process chamber and receiving an etching gas from a gas supply device to thermally decompose all or a portion of the etching gas by heating, and to deliver the etching gas to the gas injection unit; Disclosed is a substrate etching apparatus including a control unit for controlling the supply of the pyrolysis module and etching gas.

상기 식각가스는 염소 또는 불소를 포함하거나, NF3, C2F6, CF4, CHF3, SF6, Cl2, BCl3 및 C2HF5 중 전부 또는 일부를 포함할 수 있다.The etching gas may include chlorine or fluorine, or may include all or part of NF 3 , C 2 F 6 , CF 4 , CHF 3 , SF 6 , Cl 2 , BCl 3, and C 2 HF 5 .

또한 상기 식각가스는 불활성가스, H2 및 O2 중 전부 또는 일부를 더 포함할 수 있다.In addition, the etching gas may further include all or part of an inert gas, H 2 and O 2 .

상기 열분해모듈은 상기 가스공급장치와 연결된 가스주입부와; 상기 가스분사부와 연결된 가스배출부와; 상기 가스주입부와 상기 가스배출부를 연결하는 유로를 형성함과 아울러, 상기 유로를 흐르는 식각가스를 가열하여 열분해하기 위한 가열공간을 형성하는 하우징과; 상기 하우징에 설치되어 상기 가열공간에 흐르는 식각가스를 가열하는 히터부를 포함할 수 있다.The pyrolysis module includes a gas injection unit connected to the gas supply device; A gas discharge part connected to the gas injection part; A housing which forms a flow path connecting the gas injection part and the gas discharge part, and forms a heating space for pyrolyzing the etching gas flowing through the flow path; It may be installed in the housing may include a heater unit for heating the etching gas flowing in the heating space.

상기 히터부는 램프히터, 전기저항히터 및 유도가열히터 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The heater unit may include at least one of a lamp heater, an electric resistance heater, and an induction heating heater.

상기 열분해모듈은 상기 히터부의 열이 외부로 방출되는 것을 방지하는 단열부를 추가로 포함할 수 있다.The pyrolysis module may further include a heat insulating part that prevents heat of the heater part from being released to the outside.

또한 상기 열분해모듈은 그 외면을 냉각제어하기 위한 냉각부를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the pyrolysis module may further include a cooling unit for cooling the outer surface thereof.

상기 히터부의 가열온도를 제어할 수 있도록 상기 열분해모듈의 온도를 측정하는 온도감지부가 추가로 설치될 수 있다.A temperature sensing unit for measuring the temperature of the pyrolysis module may be additionally installed to control the heating temperature of the heater unit.

상기 열분해모듈의 가스유입부의 전단에는 가스의 유동을 제어하기 위한 제1체크밸브가 설치되며, 상기 열분해모듈을 우회하여 상기 가스공급장치로부터 식각가스를 상기 가스분사부로 전달할 수 있도록 제2체크밸브가 설치된 바이패스관이 추가로 설치될 수 있다.A first check valve for controlling the flow of gas is installed at the front end of the gas inlet of the pyrolysis module, and a second check valve is provided to bypass the pyrolysis module to transfer etching gas from the gas supply device to the gas injection unit. An installed bypass tube may be additionally installed.

상기 하우징은 석영, 세라믹, 스테인레스(SUS), 인코넬(INCONELL), 하스텔로이(Hastelloy), 티타늄합금 및 텅스텐합금 중 어느 하나의 재질을 포함할 수 있다.The housing may include any one material of quartz, ceramic, stainless steel (SUS), INCONELL, Hastelloy, titanium alloy and tungsten alloy.

상기 열분해모듈은 상기 공정챔버의 외부에 설치되거나, 상기 공정챔버의 일부가 상기 열분해모듈의 일부를 이룰 수 있다.The pyrolysis module may be installed outside the process chamber, or a portion of the process chamber may form part of the pyrolysis module.

상기 열분해모듈은 상기 가열공간의 온도가 580℃ 내지 1500℃로 제어될 수 있다.The pyrolysis module may be controlled to a temperature of the heating space to 580 ℃ to 1500 ℃.

본 발명은 또한 상기 기판식각장치에 의한 기판식각방법으로서, 식각가스의 전부 또는 일부를 상기 열분해모듈에 의하여 열분해하고, 상기 열분해모듈에서 열분해된 식각가스를 상기 가스분사부를 통하여 상기 처리공간으로 분사하여 상기 기판지지대에 안착된 기판에 대한 식각공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 기판식각방법를 개시한다.The present invention also provides a substrate etching method using the substrate etching apparatus, wherein all or part of an etching gas is thermally decomposed by the pyrolysis module, and the etching gas pyrolyzed in the pyrolysis module is injected into the processing space through the gas injection unit. Disclosed is a substrate etching method comprising performing an etching process on a substrate seated on the substrate support.

상기 식각가스가 불소계 가스를 포함하지 않은 경우 상기 열분해모듈을 우회하도록 상기 바이패스관을 통하여 식각가스를 상기 가스공급장치로부터 상기 가스분사부로 전달할 수 있다.When the etching gas does not include a fluorine-based gas, the etching gas may be transferred from the gas supply device to the gas injection unit through the bypass pipe to bypass the pyrolysis module.

상기 제어부는 식각가스의 열분해가 필요한 경우 식각가스를 상기 열분해모듈을 통하여 상기 가스공급장치로부터 상기 가스분사부로 전달하고, 식각가스의 열분해가 불필요한 경우에 식각가스를 상기 바이패스관을 통하여 상기 가스공급장치로부터 상기 가스분사부로 전달하도록 제어할 수 있다.The control unit transfers the etching gas from the gas supply device to the gas injection unit through the pyrolysis module when pyrolysis of the etching gas is necessary, and supplies the etching gas through the bypass pipe when the thermal decomposition of the etching gas is unnecessary. It can be controlled to transfer from the device to the gas injection unit.

본 발명에 따른 기판식각장치 및 기판식각방법은 식각공정을 수행하는 공정챔버의 처리공간으로 분사하기에 앞서 가열에 의하여 식각가스를 열분해하는 열분해모듈을 추가로 구비함으로써 전체 식각가스 투입 대비 사용량을 현저히 높여 공정비용을 현저히 절감할 수 있는 이점이 있다.Substrate etching apparatus and substrate etching method according to the present invention further comprises a pyrolysis module for pyrolyzing the etching gas by heating prior to spraying into the processing chamber of the process chamber for performing the etching process to significantly increase the amount used compared to the total etching gas input. In this case, there is an advantage that the process cost can be significantly reduced.

특히 본 발명에 따른 기판식각장치 및 기판식각방법은 전체 식각가스 투입 대비 사용량을 높임으로써 외부로 배출되는 유해한 식각가스의 양을 현저히 줄임으로써 대기오염을 방지하는 한편 배출가스에 대한 처리비용을 절감함으로써 전체 공정비용을 현저히 절감할 수 있는 이점이 있다.In particular, the substrate etching apparatus and the substrate etching method according to the present invention by reducing the amount of harmful etching gas discharged to the outside by increasing the amount of use compared to the total etching gas input by preventing the air pollution while reducing the processing cost for the exhaust gas There is an advantage that can significantly reduce the overall process cost.

또한 본 발명에 따른 기판식각장치 및 기판식각방법은 식각공정을 수행하는 공정챔버의 처리공간으로 분사하기에 앞서 가열에 의하여 식각가스를 열분해에 의하여 이온화 및 활성화된 가스의 양을 증가시켜 식각율을 높여 전체가스의 소모량을 현저히 줄여 공정비용을 현저히 절감할 수 있는 이점이 있다.In addition, the substrate etching apparatus and the substrate etching method according to the present invention increase the amount of gas ionized and activated by thermal decomposition of the etching gas by heating prior to spraying into the processing chamber of the process chamber performing the etching process. In this case, the total gas consumption is significantly reduced, thereby reducing the process cost.

도 1은 본 발명에 따른 기판식각장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판식각장치의 가스열분해부를 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate etching apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a gas pyrolysis unit of the substrate etching apparatus of FIG. 1.

이하 본 발명에 따른 기판식각장치 및 기판식각방법에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a substrate etching apparatus and a substrate etching method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 기판식각장치를 보여주는 단면도이고, 도 2는 도 1의 기판식각장치의 가스열분해부를 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate etching apparatus according to the present invention, Figure 2 is a cross-sectional view showing a gas pyrolysis unit of the substrate etching apparatus of FIG.

본 발명에 따른 기판식각장치 및 기판식각방법은 기판식각장치가 식각가스를 사용하여 식각공정을 수행할 때 가스분사부(130)를 통하여 처리공간(S)으로 분사되는 전체 식각가스 중 열분해된 가스량을 증가시켜 식각율을 높임과 동시에 식각공정에 사용되는 가스의 양을 증대시키는데 그 특징이 있다.In the substrate etching apparatus and the substrate etching method according to the present invention, when the substrate etching apparatus performs an etching process using the etching gas, the amount of pyrolyzed gas in the total etching gas injected into the processing space S through the gas injection unit 130 is performed. It is characterized by increasing the amount of gas used in the etching process by increasing the etching rate by increasing the.

여기서 열분해는 식각가스를 이온화하거나 기판의 특정성분과 반응할 수 있도록 활성화, 즉 라디칼(radical)화하는 것을 의미한다.Pyrolysis refers to activation, ie, radicalization, of an etching gas so as to ionize or react with specific components of the substrate.

상기와 같은 식각율 및 가스 사용량을 증대시키기 위한 방법으로서, 본 발명에 따른 기판식각방법은 식각가스를 공정챔버(100)의 처리공간(S)으로 분사하기 전에 식각가스의 전부 또는 일부를 후술하는 열분해모듈(200)에 의하여 열분해하고, 열분해모듈(200)에서 열분해된 식각가스를 가스분사부(130)를 통하여 처리공간(S)으로 분사하여 기판지지대(140)에 안착된 기판(10)에 대한 식각공정을 수행한다.As a method for increasing the etching rate and the amount of gas used as described above, the substrate etching method according to the present invention will be described later all or part of the etching gas before the etching gas is injected into the processing space (S) of the process chamber 100 Pyrolysis by the pyrolysis module 200, and spraying the etching gas pyrolyzed in the pyrolysis module 200 to the processing space (S) through the gas injection unit 130 to the substrate 10 seated on the substrate support 140 Perform an etching process.

본 발명에 따른 기판식각장치는 식각가스를 사용하여 기판(10)의 표면을 식각하는 식각공정을 수행하기 위한 장치로서, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판(10)에 대한 식각공정을 수행할 수 있도록 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 공정챔버(100) 내에 설치되어 기판(10)을 지지하는 기판지지대(140)와; 처리공간(S)의 상부에 설치되어 처리공간(S)으로 식각가스를 분사하는 가스분사부(130)와; 공정챔버(100)와 연결되어 가스공급장치(미도시)로부터 식각가스를 공급받아 가열에 의하여 식각가스의 전부 또는 일부를 열분해 한 후 가스분사부(140)로 전달하는 열분해모듈(200)과; 열분해모듈(200) 및 식각가스의 공급을 제어하기 위한 제어부(270)를 포함하여 구성된다.The substrate etching apparatus according to the present invention is an apparatus for performing an etching process for etching the surface of the substrate 10 by using an etching gas, as shown in FIG. 1, to perform an etching process for the substrate 10. A process chamber 100 forming a closed processing space S so as to be closed; A substrate support 140 installed in the process chamber 100 to support the substrate 10; A gas injection unit 130 installed at an upper portion of the processing space S to inject an etching gas into the processing space S; A pyrolysis module 200 connected to the process chamber 100 and receiving an etching gas from a gas supply device (not shown) to pyrolyze all or a portion of the etching gas by heating, and then transferring the etching gas to the gas injection unit 140; It includes a pyrolysis module 200 and a control unit 270 for controlling the supply of the etching gas.

식각공정의 대상인 기판(10)은 어떠한 기판도 가능하며, LCD 패널용 유리기판, 태양전지소자용 기판, LED 웨이퍼, 반도체 웨이퍼, 아몰레드(Amoled) 기판 등이 그 대상이 될 수 있다.The substrate 10, which is an object of the etching process, may be any substrate, and the substrate 10 may be a glass substrate for an LCD panel, a substrate for a solar cell device, an LED wafer, a semiconductor wafer, an amorphous substrate, or the like.

상기 공정챔버(100)는 식각공정을 수행하기 위한 처리공간(S)을 형성하기 위한 구성으로서, 다양한 구성이 가능하며, 도 1에 도시된 바와 같이, 상측이 개방된 챔버본체(110)와 챔버본체(110)와 탈착가능하게 결합되는 상부리드(120)를 포함하여 구성될 수 있다.The process chamber 100 is a configuration for forming a processing space (S) for performing an etching process, various configurations are possible, as shown in Figure 1, the chamber body 110 and the chamber is open on the upper side It may be configured to include an upper lead 120 that is detachably coupled to the body (110).

상기 챔버본체(110)는 상측이 개방된 그릇 형태를 가지며, 기판(10)이 입출될 수 있는 게이트(101)가 하나 이상 형성된다. 본 실시예에서는 장방형의 챔버본체(110)에서 하나의 게이트(101)가 형성된 구성을 도시하였다.The chamber body 110 has a bowl shape having an upper side open, and at least one gate 101 through which the substrate 10 can enter and exit is formed. In this embodiment, a configuration in which one gate 101 is formed in the rectangular chamber body 110 is illustrated.

상기 상부리드(120)는 챔버본체(110)의 상측에 실링부재가 개재되어 결합되어 밀폐된 처리공간(S)을 형성하기 위한 구성으로서, 플레이트 또는 하측이 개방된 그릇 형태를 가질 수 있다.The upper lead 120 is configured to form a sealed processing space (S) by being coupled to the sealing member is interposed above the chamber body 110, it may have a plate or a lower bowl shape.

이때 상기 챔버본체(110) 및 상부리드(120)의 재질은 염소(Cl) 또는 불소(F)를 포함하는 식각가스가 주입되어 식각공정이 이루어짐을 고려하여 내식성이 강한 알루미늄 또는 알루미늄 합금이 바람직하다. At this time, the material of the chamber body 110 and the upper lead 120 is preferably aluminum or aluminum alloy having high corrosion resistance in consideration of the etching process is performed by the injection of an etching gas containing chlorine (Cl) or fluorine (F). .

또한 상기 챔버본체(110) 및 상부리드(120)는 상대적으로 저가인 스테인레스의 재질을 사용하고 그 내벽에 내식성이 강한 세라믹, 텅스텐, 텅스텐합금, 니켈 합금, 알루미늄, 알루미늄 합금 재질을 가지거나 코팅된 복개부재(미도시)에 의하여 복개될 수 있다. 상기와 같은 복개부재는 공정챔버의 재질이 알루미늄 또는 알루미늄 합금인 경우에도 사용가능함을 물론이다.In addition, the chamber body 110 and the upper lead 120 is made of a relatively inexpensive stainless steel material and has a high corrosion resistance on the inner wall of the ceramic, tungsten, tungsten alloy, nickel alloy, aluminum, aluminum alloy material or coated It may be covered by a covering member (not shown). The cover member as described above can be used even when the material of the process chamber is aluminum or aluminum alloy.

상기 가스분사부(130)는 식각공정을 수행할 수 있도록 기판지지대(140)의 상측에 설치되어 가스공급장치(미도시)로부터 식각가스를 공급받아 처리공간(S)으로 공급하기 위한 구성으로서, 공정 및 가스공급방식에 따라서 다양한 구성이 가능하다.The gas injection unit 130 is installed on the upper side of the substrate support 140 to perform the etching process is configured to receive the etching gas from the gas supply device (not shown) to supply to the processing space (S), Various configurations are possible according to the process and gas supply method.

상기 기판지지대(140)는 식각공정이 원활하게 수행될 수 있도록 기판(10)을 지지하기 위한 구성으로서, 설계조건 및 공정조건에 따라서 다양한 구성이 가능하다.The substrate support 140 is a configuration for supporting the substrate 10 so that the etching process can be performed smoothly, various configurations are possible according to the design conditions and process conditions.

또한 상기 기판지지대(140)는 식각공정이 원활하게 수행될 수 있도록 소정의 온도를 유지하기 위한 열교환부(미도시)가 추가로 설치될 수 있다.In addition, the substrate support 140 may be further provided with a heat exchanger (not shown) for maintaining a predetermined temperature so that the etching process can be performed smoothly.

한편 상기 기판식각장치는 식각공정을 수행하기 위해서는 전원이 인가되도록 구성될 수 있는 데 이 경우 그 전원인가방식에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 일 예로서, 기판지지대(140)에 RF전원 또는 LF전원(160)을 인가하여 하부전원을 구성하고, 공정챔버(100) 및 가스분사부(130)를 접지시킴으로써 상부전원을 구성할 수 있다.On the other hand, the substrate etching apparatus may be configured so that power is applied to perform an etching process. In this case, various configurations are possible according to the power supply method. For example, the RF substrate or the LF power supply to the substrate support 140 The upper power source may be configured by applying the 160 to configure the lower power source, and grounding the process chamber 100 and the gas injection unit 130.

한편 상기 식각공정에 사용되는 식각가스는 식각대상의 재질에 따라서 선택되며 다양한 가스가 사용될 수 있으며, 단일가스가 아닌 복수 종의 가스들이 혼합된 혼합가스들로 구성될 수 있다.Meanwhile, the etching gas used in the etching process may be selected according to the material of the etching target, and various gases may be used, and the mixed gases may be mixed with a plurality of gases instead of a single gas.

상기 식각가스의 일예로서, 염소 또는 불소를 포함할 수 있다.As an example of the etching gas, chlorine or fluorine may be included.

상기 식각가스는 다른 예로서, NF3, C2F6, CF4, CHF3, SF6, Cl2, BCl3, C2HF5 등이 있으며 상기 가스들 중 전부 또는 일부를 포함할 수 있다.As another example, the etching gas includes NF 3 , C 2 F 6 , CF 4 , CHF 3 , SF 6 , Cl 2 , BCl 3 , C 2 HF 5 , and may include all or some of the gases. .

또한 상기 식각가스는 상기와 같은 가스 이외에 불활성가스, H2 및 O2 중 전부 또는 일부를 더 포함할 수 있다.In addition, the etching gas may further include all or part of an inert gas, H 2 and O 2 in addition to the above gas.

상기 열분해모듈(200)은 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 가스공급장치와 연결된 가스주입부(210)와; 가스분사부(130)와 연결된 가스배출부(220)와; 가스주입부(210)와 가스배출부(220)를 연결하는 유로를 형성함과 아울러, 유로를 흐르는 식각가스를 가열하여 열분해하기 위한 가열공간(250)을 형성하는 하우징(240)과; 하우징(240)에 설치되어 가열공간(250)에 흐르는 식각가스를 가열하는 히터부(230)를 포함한다.The pyrolysis module 200 includes a gas injection unit 210 connected to a gas supply device as shown in FIGS. 1 and 2; A gas discharge part 220 connected to the gas injection part 130; A housing 240 which forms a flow path connecting the gas injection part 210 and the gas discharge part 220, and forms a heating space 250 for heating and thermally etching the etching gas flowing through the flow path; It is installed in the housing 240 includes a heater 230 for heating the etching gas flowing in the heating space 250.

상기 가스주입부(210)는 및 가스배출부(220)는 각각 열분해모듈(200)의 하우징(240)이 형성하는 가열공간(250)과 연결되어, 가열공간(250) 내로 가스를 전달하기 위한 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The gas injection unit 210 and the gas discharge unit 220 are connected to the heating space 250 formed by the housing 240 of the pyrolysis module 200, respectively, to transfer gas into the heating space 250. Any configuration is possible as long as it is a configuration.

상기 하우징(240)은 후술하는 히터부(230)에 의하여 식각가스를 가열할 수 있는 가열공간(250)을 형성할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하며, 도 2에 도시된 바와 같이, 히터부(230)에 의하여 충분하게 열분해될 수 있도록 식각가스가 머무를 수 있는 공간이면 족하다.The housing 240 may have any configuration as long as it can form a heating space 250 capable of heating the etching gas by the heater unit 230 to be described later. As shown in FIG. 2, the heater unit It is sufficient if the space where the etching gas can stay so as to be sufficiently pyrolyzed by 230.

그리고 상기 하우징(240)의 재질은 가열공간(250)을 접하는 내면이 식각가스에 반응되지 않은 재질로 제작하거나 그 재질로 코팅됨이 바람직하며 석영, 세라믹, 스테인레스(SUS), 인코넬(INCONELL), 하스텔로이(Hastelloy), 티타늄합금 및 텅스텐합금 등 다양한 재질이 사용될 수 있다.And the material of the housing 240 is preferably made of a material that does not react to the etching gas on the inner surface in contact with the heating space 250 or coated with the material, quartz, ceramic, stainless (SUS), Inconel (INCONELL), Various materials such as Hastelloy, titanium alloy and tungsten alloy can be used.

여기서 상기 가열공간(250)은 히터부(230)와의 면접촉에 의하여 가스분사부(130)에서의 주입압력에 영향을 미치지 않으면서 충분한 시간 동안 효율적으로 열전달을 받을 수 있도록 다양한 형태의 유로로 구성될 수 있다.Here, the heating space 250 is composed of various types of flow paths so as to receive heat transfer efficiently for a sufficient time without affecting the injection pressure in the gas injection unit 130 by surface contact with the heater unit 230. Can be.

또한 상기 가열공간(250)은 식각가스의 열분해에 충분한 온도로 유지됨이 바람직하며, 가열공간(250)의 온도가 580℃ 내지 1500℃로 제어됨이 바람직하다.In addition, the heating space 250 is preferably maintained at a temperature sufficient for thermal decomposition of the etching gas, the temperature of the heating space 250 is preferably controlled to 580 ℃ to 1500 ℃.

상기 가열공간(250)의 온도가 580℃보다 작은 경우 주요 식각가스(SF6)의 열분해온도보다 낮아 열분해되는 가스의 양이 충분하지 않으며, 1500℃보다 높은 경우 열분해 온도보다 지나치게 높아 히터부(230)에 지나친 부하를 주거나 공정에 영향을 미쳐 바람직하지 않다.When the temperature of the heating space 250 is less than 580 ° C., the amount of gas that is pyrolyzed is lower than the thermal decomposition temperature of the main etching gas SF 6 , and when the temperature of the heating space 250 is higher than 1500 ° C., the heater part 230 is higher than the pyrolysis temperature. It is not desirable to overload or affect the process.

한편 상기 하우징(240)은 식각가스가 열분해되는데 충분히 가열될 수 있는 유로를 형성할 수 있는 구조이면 어떠한 구조도 가능하며, 도 2에 도시된 바와 같이, 복수개의 격벽들에 의하여 유로를 형성하도록 구성될 수 있다.Meanwhile, the housing 240 may have any structure as long as it can form a flow path that can be sufficiently heated for the etching gas to be pyrolyzed. As shown in FIG. 2, the housing 240 is configured to form a flow path by a plurality of partitions. Can be.

또한 상기 히터부(230)는 가열공간(250) 내에 설치되거나 하우징(240)의 내벽에 설치되는 등 다양하게 설치될 수 있다.In addition, the heater unit 230 may be installed in the heating space 250 or may be installed in various ways such as being installed on the inner wall of the housing 240.

상기 히터부(230)는 가열공간(250)에서 흐르는 식각가스와 직접 또는 간접적으로 가열시키는 구성으로서, 램프히터, 전기저항히터, 유도가열히터(induction heater) 등 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으며, 구성에 따라서 상기 히터들 일부 또는 전부를 조합하여 사용될 수 있다.The heater 230 is configured to directly or indirectly heat the etching gas flowing in the heating space 250, and may include at least one of a lamp heater, an electric resistance heater, an induction heater, and the like. Depending on the configuration, some or all of the heaters may be used in combination.

그리고 상기 히터부(230)의 전부 또는 일부 재질, 특히 식각가스에 노출되는 부분의 재질은 석영, 세라믹, 스테인레스(SUS), 인코넬(INCONELL), 하스텔로이(Hastelloy), 티타늄합금 및 텅스텐합금 등 다양한 재질이 사용될 수 있다.And all or part of the heater 230, in particular the material of the portion exposed to the etching gas is a variety of materials, such as quartz, ceramic, stainless (SUS), INCONELL, Hastelloy (Hastelloy), titanium alloy and tungsten alloy Material may be used.

특히 상기 히터부(230)는 가열공간(250)에서 노출되어 식각가스와 직접 가열시키도록 구성되는 경우 식각가스에 대한 반응성을 고려하여 불소 또는 염소를 포함하는 식각되지 않는 석영재질과 같이 내식성이 강한 재질 자체로 제작되거나 코팅됨이 바람직하다.In particular, the heater 230 is exposed to the heating space 250 is configured to be directly heated with the etching gas in consideration of the reactivity to the etching gas in consideration of the strong corrosion resistance, such as non-etched quartz material containing fluorine or chlorine It is preferred to be made or coated with the material itself.

한편 상기 히터부(230)는 식각가스의 열분해를 위하여 고열을 발생되는 데 열분해모듈(200) 부근의 공정챔버(100), 전기설비 등에 영향을 미칠 수 있다.Meanwhile, the heater 230 generates high heat for pyrolysis of the etching gas, which may affect the process chamber 100 and the electrical equipment near the pyrolysis module 200.

따라서 상기 열교환모듈(200)은 도 2에 도시된 바와 같이, 히터부(230)의 열이 외부로 방출하는 것을 방지하는 단열부(263)를 추가로 포함할 수 있다.Therefore, as shown in FIG. 2, the heat exchange module 200 may further include a heat insulating part 263 which prevents heat of the heater part 230 from being discharged to the outside.

상기 단열부(263)는 히터부(230)에서 발생되는 열이 식각가스의 열분해에만 사용되고 외부로 열이 방출되는 것을 방지하여 부근에 설치된 설비에 영향을 미치는 것을 방지하며, 열을 방출하지 않는 단열재질을 가지면 어떠한 재질도 가능하다.The heat insulating part 263 is used only for the thermal decomposition of the etching gas is used in the heat generated from the heater 230 to prevent the heat is released to the outside to prevent affecting the installed facilities in the vicinity, heat insulation that does not emit heat Any material can be used with the material.

한편 상기 히터부(230)의 열이 과열되어 가열공간(250) 내의 온도를 과도하게 상승시키거나 외부로 열이 방출되어 주변설비에 영향을 미칠 수 있는바 이를 방지하기 위한 방법으로서, 상기 열교환모듈(200)은 그 외면을 냉각제어하기 위한 냉각부(264)를 추가로 포함할 수 있다.On the other hand, the heat of the heater unit 230 is overheated to excessively increase the temperature in the heating space 250 or heat is released to the outside to affect the surrounding equipment bar as a method for preventing this, the heat exchange module 200 may further include a cooling unit 264 for cooling control the outer surface.

여기서 상기 냉각부(264)는 열교환모듈(200)의 외면을 냉각시킬 수 있는 구성이면 냉매가 내부에 흐르도록 냉매유로가 설치된 쿨링자켓, 냉매유로가 형성된 냉각판, 열전모듈 등 다양한 구성이 가능하다.If the cooling unit 264 is configured to cool the outer surface of the heat exchange module 200, various configurations such as a cooling jacket in which a coolant flow path is installed, a cooling plate formed with a coolant flow path, and a thermoelectric module may be used. .

특히 상기 냉각부(264)는 히터부(230)와 조합되어 히터부(230)에서 발생된 열이 외부로 방출되는 것을 방지하거나 히터부(230)의 열이 과열되어 가열공간(250) 내의 온도를 과도하게 상승시키는 것을 방지하는 기능을 수행할 수 있다.In particular, the cooling unit 264 is combined with the heater unit 230 to prevent the heat generated from the heater unit 230 to be discharged to the outside or the heat of the heater unit 230 is overheated, the temperature in the heating space 250 It is possible to perform a function to prevent the excessive rise.

더 나아가 상기 냉각부(264)는 히터부(230)와 조합되어 식각가스의 열분해에 최적의 상태로 유지할 수 있도록 가열공간(250) 내의 온도를 보다 능동적으로 제어할 수 있다.Furthermore, the cooling unit 264 may be combined with the heater unit 230 to more actively control the temperature in the heating space 250 to maintain the optimum state for the thermal decomposition of the etching gas.

한편 상기 식각가스의 종류가 달라지거나 히터부(230)의 상태 등으로 인하여 식각가스의 가열온도를 제어할 필요가 있는바, 상기 기판식각장치는 제어부(270)에 의하여 히터부(230)의 가열온도를 제어할 수 있도록 열분해모듈(200)의 온도를 측정하는 온도감지부(271)가 추가로 설치될 수 있다.On the other hand, it is necessary to control the heating temperature of the etching gas due to the type of the etching gas or the state of the heater 230, the substrate etching apparatus is heated by the control unit 270 of the heater 230 A temperature sensing unit 271 may be additionally installed to measure the temperature of the pyrolysis module 200 so as to control the temperature.

상기 온도감지부(271)는 하나 또는 복수개로 하우징(240) 및 가열공간(250) 등에 설치될 수 있다.One or more temperature sensing units 271 may be installed in the housing 240 and the heating space 250.

또한 상기 열분해모듈(200)은 공정챔버(100)의 외부에 설치되거나, 공정챔버(100)의 일부가 열분해모듈(200)의 일부를 이루도록 구성될 수 있다.In addition, the pyrolysis module 200 may be installed outside the process chamber 100 or may be configured such that a part of the process chamber 100 forms part of the pyrolysis module 200.

예를 들면 상기 열분해모듈(200)은 공정챔버(100)의 외부에서 공정챔버(100)와 간격을 두고 설치되거나, 열분해모듈(200)의 외면이 공정챔버(100)의 외면과 면접촉되도록 설치될 수 있다.For example, the pyrolysis module 200 is installed at a distance from the process chamber 100 at the outside of the process chamber 100, or is installed so that the outer surface of the pyrolysis module 200 is in surface contact with the outer surface of the process chamber 100. Can be.

또한 상기 열분해모듈(200)의 구성 일부가 공정챔버(100)의 일부, 예를 들면, 공정챔버(100)의 외벽이 열분해모듈(200)의 하우징(240)의 일부로서 구성되는 등 열분해모듈(200) 및 공정챔버(100)가 다양한 방식에 의하여 조합될 수 있다. In addition, a portion of the pyrolysis module 200 may be a part of the process chamber 100, for example, an outer wall of the process chamber 100 may be configured as a part of the housing 240 of the pyrolysis module 200. 200 and process chamber 100 may be combined in various ways.

한편 식각공정에 사용되는 식각가스는 단일의 가스 또는 여러 종의 가스가 혼합되어 사용될 수 있으며, 일부 가스만 가열될 필요가 있는 경우가 있다. 또한 식각공정에 따라서 식각가스의 가열이 불필요한 경우도 있다.Meanwhile, the etching gas used in the etching process may be used by mixing a single gas or several kinds of gases, and only some of the gases may need to be heated. In addition, depending on the etching process, heating of the etching gas may be unnecessary.

따라서 상기 열분해모듈(200)의 가스유입부(210)의 전단에는 가스의 유동을 제어하기 위한 제1체크밸브(320)가 설치되며, 가스공급장치로부터 식각가스의 전부 또는 일부가 열분해모듈(200)을 우회하여 가스분사부(130)로 전달될 수 있도록 제2체크밸브(330)가 설치된 바이패스관(340)이 추가로 설치될 수 있다.Therefore, the first check valve 320 for controlling the flow of the gas is installed at the front end of the gas inlet 210 of the pyrolysis module 200, all or part of the etching gas from the gas supply device is pyrolysis module 200 Bypass) may be additionally provided a bypass pipe 340, the second check valve 330 is installed to be delivered to the gas injection unit (130).

상기 바이패스관(340)이 설치되는 경우 상기 제어부(270)는 SF6 등과 같이 식각가스의 열분해가 필요한 가스를 포함하는 경우 제1체크밸브(320)을 개방하고 제2체크밸브(330)를 차단함으로써 식각가스를 열분해모듈(200)을 거치도록 하여 식각가스를 열분해 한 후 가스분사부(130)로 전달하도록 제어할 수 있다.When the bypass pipe 340 is installed, the control unit 270 opens the first check valve 320 and opens the second check valve 330 when it contains a gas that requires pyrolysis of an etching gas such as SF 6 . By blocking the etching gas to pass through the pyrolysis module 200, the etching gas may be pyrolyzed and then transferred to the gas injection unit 130.

그리고 상기와 같은 구성에 의하여 상기 제어부(270)는 식각가스의 열분해가 필요한 가스를 포함하지 않은 경우 제1체크밸브(320)을 차단하고 제2체크밸브(330)를 개방함으로써 식각가스를 열분해모듈(200)을 거치지 않고 가스분사부(130)로 전달하도록 제어할 수 있다.When the control unit 270 does not include a gas that requires pyrolysis of the etching gas, the controller 270 blocks the first check valve 320 and opens the second check valve 330 to pyrolyze the etching gas. It may be controlled to deliver to the gas injection unit 130 without passing through (200).

특히 상기 바이패스관(340)이 추가로 설치됨으로써 열분해가 필요한 식각가스만을 열분해모듈(200)을 통과시킴으로써 식각가스의 종류에 따라서 최적의 식각공정을 수행할 수 있다.In particular, since the bypass pipe 340 is additionally installed, only the etching gas requiring pyrolysis passes through the pyrolysis module 200, thereby performing an optimal etching process according to the type of etching gas.

또한 식각가스에 따라서 가열이 불필요하거나 가열이 오히려 식각공정을 방해할 수 있는바 바이패스관(340)을 추가로 설치하여 열분해가 불필요한 경우 식각가스를 바이패스관(340)으로 우회시켜 히터부(230)의 잦은 온오프-바이패스관(340)이 없는 경우 식각가스의 가열이 불필요하거나 바람직하지 않은 경우 히터부(230)를 오프시켜야 하며, 가열이 필요한 경우 다시 온시켜야 할 필요가 있게 된다-에 따라 공정의 지체 또는 히터부(230)를 구성하는 히터의 수명을 연장할 수 있다. 참고로 히터의 온오프가 잦은 경우 히터의 수명이 단축된다.In addition, according to the etching gas, heating is not necessary or heating may interfere with the etching process, and additionally installs a bypass tube 340, so that if pyrolysis is unnecessary, the etching gas is bypassed to the bypass tube 340 to provide a heater unit ( If there is no frequent on-off-bypass tube 340 of 230, heating of the etching gas is unnecessary or undesirable, the heater unit 230 should be turned off, and if heating is required, it will be necessary to turn it on again. As a result, the life of the heater constituting the delay or the heater 230 may be extended. For reference, if the heater is frequently turned on and off, the life of the heater is shortened.

한편 상기 가스공급장치와 연결되어 식각가스를 공급하는 가스공급관(350)은 하나의 관으로도 구성할 수 있으나, 공급되는 가스의 종류에 따라서 혼합이 바람직하지 않거나 혼합되면 안되는 경우를 위하여 수종의 가스들을 분리하여 공급할 수 있도록 복수개의 관으로도 구성이 가능하다.On the other hand, the gas supply pipe 350 connected to the gas supply device to supply the etching gas may be configured as a single pipe, but depending on the type of gas to be supplied is not preferred or mixed in the case of several kinds of gas It is also possible to configure a plurality of pipes so that they can be supplied separately.

상기와 같은 구성에 의하여 열분해모듈(200)의 가열에 의하여 식각가스를 열분해하여 가스분사부(130)를 통하여 분사하게 되면 처리공간(S)으로 분사되는 식각가스 중 열분해된 식각각스의 양이 증가시킬 수 있다.When the etching gas is thermally decomposed by the heating of the pyrolysis module 200 and sprayed through the gas injection unit 130 as described above, the amount of the pyrolyzed etching gas in the etching gas injected into the processing space S is increased. Can be increased.

따라서 본 발명에 따른 기판식각장치 및 식각방법은 식각공정시 열분해된 식각가스의 양의 증가에 따라서 기판(10)에 대한 식각반응을 향상시켜 식각율을 높이는 동시에 전체 식각가스 대비 사용량을 높여 기판(10)에 대한 공정비용을 절감할 수 있다.Accordingly, the substrate etching apparatus and the etching method according to the present invention improve the etching reaction to the substrate 10 according to the increase of the amount of the pyrolyzed etching gas during the etching process, thereby increasing the etching rate and increasing the amount of the substrate compared to the entire etching gas. The process cost for 10 can be reduced.

한편 도 2에서 설명되지 않은 도면부호 310은 가스공급장치로부터 공급되는 가스의 유량을 제어하기 위한 MFC를 가리킨다.Meanwhile, reference numeral 310 not described in FIG. 2 indicates an MFC for controlling the flow rate of the gas supplied from the gas supply device.

한편 상기 제어부(270)는 열분해모듈(200) 및 식각가스의 공급을 제어하기 위한 구성으로서, 물리적 구성보다는 회로적 구성으로서 하나로 구성되거나 복수개로 분산되어 구성될 수 있다.On the other hand, the control unit 270 is configured to control the supply of the pyrolysis module 200 and the etching gas, it may be configured as a circuit configuration rather than a physical configuration or distributed in plurality.

또한 상기 제어부(270)는 기판식각장치 전체의 제어를 위한 제어장치의 일부로서도 구성이 가능하다.
In addition, the controller 270 may be configured as a part of a control device for controlling the entire substrate etching apparatus.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.Since the above has been described only with respect to some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, the scope of the present invention, as is well known, should not be construed as limited to the above embodiments, the present invention described above It will be said that both the technical idea and the technical idea which together with the base are included in the scope of the present invention.

100 : 공정챔버
200 : 열분해모듈
230 : 히터부 240 : 하우징
250 : 가열공간100: process chamber
200: pyrolysis module
230: heater portion 240: housing
250: heating space

Claims (20)

기판에 대한 식각공정을 수행할 수 있도록 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와;
상기 공정챔버 내에 설치되어 기판을 지지하는 기판지지대와;
상기 기판지지대의 상부에 설치되어 처리공간으로 식각가스를 분사하는 가스분사부와;
상기 공정챔버와 연결되어 가스공급장치로부터 식각가스를 공급받아 가열에 의하여 식각가스의 전부 또는 일부를 열분해 한 후 상기 가스분사부로 전달하는 열분해모듈과;
상기 열분해모듈 및 식각가스의 공급을 제어하기 위한 제어부를 포함하는 기판식각장치.A process chamber for forming a closed processing space so as to perform an etching process on the substrate;
A substrate support installed in the process chamber to support a substrate;
A gas injection unit installed on the substrate support to inject an etching gas into a processing space;
A pyrolysis module connected to the process chamber and receiving an etching gas from a gas supply device to thermally decompose all or a portion of the etching gas by heating, and to deliver the etching gas to the gas injection unit;
And a controller for controlling the supply of the pyrolysis module and the etching gas. 청구항 1에 있어서,
상기 식각가스는 염소 또는 불소를 포함하는 가스인 것을 특징으로 하는 기판식각장치.The method according to claim 1,
The etching gas is a substrate etching apparatus, characterized in that the gas containing chlorine or fluorine. 청구항 1에 있어서,
상기 식각가스는 NF3, C2F6, CF4, CHF3, SF6, Cl2, BCl3 및 C2HF5 중 전부 또는 일부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판식각장치.The method according to claim 1,
The etching gas substrate etching apparatus comprising all or part of NF 3 , C 2 F 6 , CF 4 , CHF 3 , SF 6 , Cl 2 , BCl 3 and C 2 HF 5 . 청구항 2에 있어서,
상기 식각가스는 불활성가스, H2 및 O2 중 전부 또는 일부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판식각장치.The method according to claim 2,
The etching gas further comprises an inert gas, H 2 and O 2 or all of the substrate etching apparatus. 청구항 1에 있어서,
상기 열분해모듈은
상기 가스공급장치와 연결된 가스주입부와;
상기 가스분사부와 연결된 가스배출부와;
상기 가스주입부와 상기 가스배출부를 연결하는 유로를 형성함과 아울러, 상기 유로를 흐르는 식각가스를 가열하여 열분해하기 위한 가열공간을 형성하는 하우징과;
상기 하우징에 설치되어 상기 가열공간에 흐르는 식각가스를 가열하는 히터부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판식각장치.The method according to claim 1,
The pyrolysis module
A gas injection unit connected to the gas supply device;
A gas discharge part connected to the gas injection part;
A housing which forms a flow path connecting the gas injection part and the gas discharge part, and forms a heating space for pyrolyzing the etching gas flowing through the flow path;
And a heater unit installed in the housing to heat the etching gas flowing in the heating space. 청구항 5에 있어서,
상기 히터부는 램프히터, 전기저항히터 및 유도가열히터 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판식각장치.The method according to claim 5,
The heater unit substrate etching apparatus comprising at least one of a lamp heater, an electric resistance heater and an induction heating heater. 청구항 5에 있어서,
상기 열분해모듈은 상기 히터부의 열이 외부로 방출되는 것을 방지하는 단열부를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판식각장치.The method according to claim 5,
The pyrolysis module further comprises a thermal insulation to prevent the heat of the heater to be discharged to the outside. 청구항 5에 있어서,
상기 열분해모듈은 그 외면을 냉각제어하기 위한 냉각부를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판식각장치.The method according to claim 5,
The pyrolysis module further comprises a cooling unit for cooling the outer surface of the substrate etching apparatus. 청구항 5에 있어서,
상기 제어부가 상기 히터부의 가열온도를 제어할 수 있도록 상기 열분해모듈의 온도를 측정하는 온도감지부가 추가로 설치된 것을 특징으로 하는 기판식각장치.The method according to claim 5,
And a temperature sensing unit for measuring the temperature of the pyrolysis module so that the control unit controls the heating temperature of the heater unit. 청구항 5에 있어서,
상기 하우징은 석영, 세라믹, 스테인레스(SUS), 인코넬(INCONELL), 하스텔로이(Hastelloy), 티타늄합금 및 텅스텐합금 중 어느 하나의 재질을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판식각장치.The method according to claim 5,
The housing is a substrate etching apparatus comprising a material of any one of quartz, ceramic, stainless (SUS), INCONELL, Hastelloy (Hastelloy), titanium alloy and tungsten alloy. 청구항 1에 있어서,
상기 열분해모듈의 가스유입부의 전단에는 가스의 유동을 제어하기 위한 제1체크밸브가 설치되며,
상기 열분해모듈을 우회하여 상기 가스공급장치로부터 식각가스를 상기 가스분사부로 전달할 수 있도록 제2체크밸브가 설치된 바이패스관이 추가로 설치된 것을 특징으로 하는 기판식각장치.The method according to claim 1,
The first check valve for controlling the flow of gas is installed at the front end of the gas inlet of the pyrolysis module,
And a bypass tube provided with a second check valve to bypass the pyrolysis module so as to transfer the etching gas from the gas supply device to the gas injection unit. 청구항 1에 있어서,
상기 열분해모듈은 상기 공정챔버의 외부에 설치되거나, 상기 공정챔버의 일부가 상기 열분해모듈의 일부를 이루는 것을 특징으로 하는 기판식각장치.The method according to claim 1,
The pyrolysis module may be installed outside the process chamber, or part of the process chamber may form part of the pyrolysis module. 청구항 1에 있어서,
상기 열분해모듈은 상기 가열공간의 온도가 580℃ 내지 1500℃로 제어되는 것을 특징으로 하는 기판식각장치.The method according to claim 1,
The pyrolysis module is a substrate etching apparatus, characterized in that the temperature of the heating space is controlled to 580 ℃ to 1500 ℃. 청구항 1에 따른 기판식각장치에 의한 기판식각방법으로서,
식각가스의 전부 또는 일부를 상기 열분해모듈에 의하여 열분해하고, 상기 열분해모듈에서 열분해된 식각가스를 상기 가스분사부를 통하여 상기 처리공간으로 분사하여 상기 기판지지대에 안착된 기판에 대한 식각공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 기판식각방법.A substrate etching method using a substrate etching apparatus according to claim 1,
Thermally decomposing all or a portion of the etching gas by the pyrolysis module, and spraying the etching gas pyrolyzed in the pyrolysis module to the processing space through the gas injection unit to perform an etching process on the substrate mounted on the substrate support. Substrate etching method characterized in that. 청구항 14에 있어서,
상기 식각가스가 불소계 가스를 포함하지 않은 경우 상기 열분해모듈을 우회하도록 상기 바이패스관을 통하여 식각가스를 상기 가스공급장치로부터 상기 가스분사부로 전달하는 것을 특징으로 하는 기판식각방법.The method according to claim 14,
And the etching gas is transferred from the gas supply device to the gas injection unit through the bypass pipe to bypass the pyrolysis module when the etching gas does not include a fluorine-based gas. 청구항 14에 있어서,
상기 제어부는 식각가스의 열분해가 필요한 경우 식각가스를 상기 열분해모듈을 통하여 상기 가스공급장치로부터 상기 가스분사부로 전달하고, 식각가스의 열분해가 불필요한 경우에 식각가스를 상기 열분해모듈을 우회하는 바이패스관을 통하여 상기 가스공급장치로부터 상기 가스분사부로 전달하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판식각장치.The method according to claim 14,
The control unit transfers an etching gas from the gas supply device to the gas injection unit through the pyrolysis module when pyrolysis of the etching gas is necessary, and bypasses the etching gas to the pyrolysis module when pyrolysis of the etching gas is unnecessary. Substrate etching apparatus, characterized in that for controlling to transfer from the gas supply to the gas injection unit through. 청구항 14에 있어서,
상기 열분해모듈은 상기 가열공간의 온도가 580℃ 내지 1500℃로 제어되는 것을 특징으로 하는 기판식각방법.The method according to claim 14,
The pyrolysis module substrate etching method, characterized in that the temperature of the heating space is controlled to 580 ℃ to 1500 ℃. 청구항 14에 있어서,
상기 식각가스는 염소 또는 불소를 포함하는 가스인 것을 특징으로 하는 기판식각방법.The method according to claim 14,
The etching gas is a substrate etching method, characterized in that the gas containing chlorine or fluorine. 청구항 14에 있어서,
상기 식각가스는 NF3, C2F6, CF4, CHF3, SF6, Cl2, BCl3 및 C2HF5 중 전부 또는 일부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판식각방법.The method according to claim 14,
The etching gas is a substrate etching method comprising all or part of NF 3 , C 2 F 6 , CF 4 , CHF 3 , SF 6 , Cl 2 , BCl 3 and C 2 HF 5 . 청구항 18에 있어서,
상기 식각가스는 불활성가스, H2 및 O2 중 전부 또는 일부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판식각장치.The method according to claim 18,
The etching gas further comprises an inert gas, H 2 and O 2 or all of the substrate etching apparatus.
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