KR20110088614A - Temperature control apparatus for dram module test - Google Patents

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강정호
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Abstract

PURPOSE: A temperature control apparatus for dram module testing is provided to perform a DRAM module test in a proper temperature environment with high-speed and high-stability by detecting temperature differences. CONSTITUTION: A temperature control apparatus for dram module testing is provided to perform a DRAM module is comprised of a user interface part(104), a fan control part(106), an FET bridge control part(108), a heater(116), an SCR phase control part(110), a temperature sensor(118), and an MCU. The fan control part drives a fan(112). The FET bridge control part changes polarity of a thermoelectric element(114) and PWM-controls an amount of thermoelectric controlling. The SCR phase control part phase-controls the control of the heater. The MCU detects a temperature difference between a determined temperature provided through the user interface part and measured current temperature from the temperature sensor. The MCU controls the fan control part, the FET bridge control part, and the SCR phase control part according to a fuzzy method depending on the temperature difference.

Description

ＤＲＡＭ 모듈 테스트를 위한 온도제어장치{Temperature control apparatus for DRAM module test}Temperature control apparatus for DRAM module test {Temperature control apparatus for DRAM module test}

본 발명은 DRAM 모듈 테스트 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 DRAM 모듈 테스트를 위한 온도제어장치에 관한 것이다. The present invention relates to a DRAM module test apparatus, and more particularly, to a temperature control apparatus for a DRAM module test.

DRAM은 상온에서의 테스트는 물론이고 반도체 제품의 신뢰성을 높이기 위해 하자가 발생할 가능성이 높은 고온 환경에서도 테스트를 이행한다. In addition to testing at room temperature, DRAMs also test in high-temperature environments where defects are likely to occur to increase the reliability of semiconductor products.

이에 DRAM 모듈 테스트 장치는 테스트자의 요청에 따라 정확하고 신속하게 DRAM의 온도환경을 제어할 수 있는 기술의 개발이 절실하게 요망되었다. Therefore, the development of a DRAM module test apparatus that can accurately and quickly control the temperature environment of the DRAM at the request of the tester is urgently required.

DRAM 모듈 테스트를 위한 온도 제어 장치는 테스트자의 요청에 따라 DRAM이 장착된 PC 보드 등을 가열하거나 냉각하여 테스트자가 요망하는 온도환경을 제공하여, 테스트의 신뢰도를 높이고 있다. The temperature control device for testing a DRAM module heats or cools a PC board equipped with DRAM at the request of a tester to provide a temperature environment desired by the tester, thereby increasing the reliability of the test.

그러나 종래 DRAM 모듈 테스트를 위한 온도 제어 장치의 온도 제어가 고속 및 고안정으로 이루어지지 않아 고품위의 테스트가 이루어지지 않는 문제가 있었다. However, since the temperature control of the temperature control device for the conventional DRAM module test is not made at high speed and high stability, there is a problem that high quality test is not performed.

본 발명은 DRAM 모듈 테스트를 위한 온도환경을 고속 및 고안정으로 제어할 수 있는 DRAM 모듈 테스트를 위한 온도제어장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다. An object of the present invention is to provide a temperature control device for a DRAM module test that can control the temperature environment for the DRAM module test at high speed and high stability.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따르는 DRAM 모듈 테스트를 위한 온도제어장치는, 사용자 인터페이스부; 팬; 상기 팬을 구동하는 팬 제어부; 열전소자; 상기 열전소자의 극전환 및 상기 열전소자의 제어량을 PWM 제어하는 FET 브리지 제어부; 히터; 상기 히터의 제어량을 위상 제어하는 SCR 위상 제어부; 온도 센서; 상기 온도 센서로부터 측정된 현재 온도와 상기 사용자 인터페이스부를 통해 제공되는 설정온도의 차이를 검출하고, 상기 차이에 따라 상기 팬 제어부 및 상기 FET 브리지 제어부 및 상기 SCR 위상 제어부를 퍼지 방식에 따라 제어하는 MCU; 를 구비하는 것을 특징으로 한다. A temperature control apparatus for testing a DRAM module according to the present invention for achieving the above object, the user interface unit; Pan; A fan control unit which drives the fan; Thermoelectric elements; A FET bridge controller for PWM controlling the pole switching of the thermoelectric element and the control amount of the thermoelectric element; heater; An SCR phase controller configured to phase control a control amount of the heater; temperature Senser; A MCU which detects a difference between a current temperature measured by the temperature sensor and a set temperature provided through the user interface unit, and controls the fan control unit, the FET bridge control unit, and the SCR phase control unit according to the difference according to a purge method; Characterized in having a.

상기한 본 발명은 DRAM 모듈 테스트를 위한 온도환경을 고속 및 고안정으로 제어할 수 있게 한다. The present invention described above makes it possible to control the temperature environment for testing a DRAM module at high speed and high stability.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 DRAM 모듈 테스트를 위한 온도제어장치의 구성도.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 퍼지 제어 방식을 예시한 도면.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 제어 계통도를 도시한 도면.
도 4는 도 1의 FET 브리지 제어부의 상세회로도.
도 5는 도 1의 SCR 위상 제어부의 상세회로도.
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 퍼지 세트를 도시한 도면. 1 is a block diagram of a temperature control device for testing a DRAM module according to a preferred embodiment of the present invention.
2 is a diagram illustrating a purge control scheme according to a preferred embodiment of the present invention.
Figure 3 shows a control schematic diagram according to a preferred embodiment of the present invention.
4 is a detailed circuit diagram of the FET bridge controller of FIG.
5 is a detailed circuit diagram of the SCR phase controller of FIG.
6 shows a fuzzy set according to a preferred embodiment of the present invention.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 DRAM 모듈 테스트를 위한 온도제어장치의 구성을 도 1을 참조하여 설명한다. A configuration of a temperature control device for testing a DRAM module according to a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1.

상기 온도제어장치(100)는 MCU(102), 사용자 인터페이스부(104), 팬 제어부(106), FET 브리지 제어부(108), SCR 위상 제어부(110), 팬(112), 열전소자(114), 히터(116), 온도센서(118)로 구성된다. The temperature controller 100 includes the MCU 102, the user interface 104, the fan controller 106, the FET bridge controller 108, the SCR phase controller 110, the fan 112, and the thermoelectric element 114. , A heater 116, and a temperature sensor 118.

상기 MCU(102)는 온도센서(118)로부터의 센싱신호를 제공받아 팬(112), 열전소자(114), 히터(116)를 구동시켜 온도를 제어하며, 상기 온도제어의 신속성과 안정도를 유지하기 위해 퍼지 제어를 이행한다. 상기 MSU(102)의 퍼지 제어를 위한 퍼지 제어 맵 및 퍼지 알고리즘은 도 2에 도시한 바와 같다. 상기한 퍼지 제어 맵은 제어량 100%에서의 온도 상승 속도와 제어량 0%에서의 온도 하강 속도를 측정하여 결정한다. 상기한 바와 같이 구성된 퍼지 제어 맵은 실제 실험을 반복 실행하여 보완되어 완벽한 제어가 이루어지게 한다.The MCU 102 receives the sensing signal from the temperature sensor 118 to drive the fan 112, the thermoelectric element 114, and the heater 116 to control the temperature, and maintain the speed and stability of the temperature control. Purge control is carried out. A fuzzy control map and a fuzzy algorithm for fuzzy control of the MSU 102 are as shown in FIG. 2. The above-described purge control map is determined by measuring the temperature rising rate at the control amount 100% and the temperature falling rate at the control amount 0%. The fuzzy control map constructed as described above is supplemented by repeating the actual experiment to achieve perfect control.

상기한 퍼지 제어를 위한 퍼지 셋을 구성하는 과정을 상세히 설명한다. A process of configuring a fuzzy set for the purge control will be described in detail.

도 6의 (a)에 도시한 온도편차에 대한 퍼지 세트와 같은 온도의 편차(△t=t-t0)에 대해서 퍼지 세트를 구성하기 위하여 다음과 같은 퍼지 명제를 제시한다. The following purge propositions are proposed to construct a purge set for a temperature deviation (Δt = t−t0) such as a purge set with respect to the temperature deviation shown in FIG.

t는 감지된 온도, t0는 설정온도t is the detected temperature, t0 is the set temperature

△t가 -5 보다 작으면 온도가 매우 낮다. If Δt is less than −5, the temperature is very low.

△t가 -10 보다 크고 0보다 작으면 온도가 낮다.If Δt is greater than -10 and less than 0, the temperature is low.

△t가 -5 보다 크고 5보다 작으면 온도가 알맞다.If Δt is greater than -5 and less than 5, the temperature is moderate.

△t가 0 보다 크고 10보다 작으면 온도가 높다.If Δt is greater than 0 and less than 10, the temperature is high.

△t가 5 보다 크면 온도가 매우 높다.If Δt is greater than 5, the temperature is very high.

도 6의 (b)에 도시한 온도 변화에 대한 퍼지 세트와 같은 온도의 변화(△s=△t/△T)에 대해서 퍼지 세트를 구성하기 위하여 다음과 같은 퍼지 명제를 제시한다. The following purge propositions are proposed to construct a purge set for a temperature change (Δs = Δt / ΔT) such as a purge set with respect to the temperature change shown in FIG.

△t는 온도편차, △T는 시간편차Δt is temperature deviation, △ T is time deviation

△s가 -2 보다 작으면 온도가 하강으로 빠르게 변화한다.If DELTA s is less than -2, the temperature changes rapidly as it falls.

△s가 -5 보다 크고 0보다 작으면 하강으로 느리게 변화한다.If DELTA s is greater than -5 and less than 0, it slowly changes downward.

△s가 -2 보다 크고 1보다 작으면 변화속도가 알맞다.If Δs is greater than -2 and less than 1, the rate of change is appropriate.

△s가 0 보다 크고 4보다 작으면 상승으로 느리게 변화한다.If DELTA s is greater than 0 and less than 4, the change slowly increases.

△s가 1 보다 크면 상승으로 빠르게 변화한다.If Δs is greater than 1, it changes rapidly with an increase.

상기한 온도 변화에 따른 퍼지 세트가 등간격이 되지 않는 이유는 전달함수에서 상승속도가 빠르기 때문이다. 이에 대응하고자 간격 조정이 필요하다.The reason why the purge set is not evenly spaced according to the temperature change is that the ascending speed is high in the transfer function. In order to cope with this, the interval needs to be adjusted.

도 6의 (c)는 퍼지 맵을 도시한 것으로, 상기 퍼지 맵은 앞의 퍼지 세트를 결합한 것이다. FIG. 6C illustrates a fuzzy map, which is a combination of the previous fuzzy sets.

퍼지 산출 및 디퍼지 세트 구성과정을 설명한다. The process of fuzzy calculation and deferral set construction is explained.

상기 퍼지 산출은 Min-Max 법을 이용하여 산출된다. The fuzzy calculation is calculated using the Min-Max method.

도 6의 (d)는 무게 중심법을 이용하기 위한 디 퍼지 세트이며, 이를 위해 다음과 같은 디-퍼지 명제를 제시한다. FIG. 6 (d) shows a defuzzy set for using the center of gravity method, and for this purpose, the following de-fuzzy propositions are proposed.

F는 Fuzzy 산출량F is Fuzzy yield

F가 -50 보다 작으면 빠른 속도로 냉각시켜라Cool at high speed if F is less than -50

F가 -80 보다 크고 0보다 작으면 냉각시켜라Cool if F is greater than -80 and less than 0

F가 -50 보다 크고 50보다 작으면 유지하라Keep F if greater than -50 and less than 50

F가 0보다 크고 80보다 작으면 가열하라Heat if F is greater than 0 and less than 80

F가 50보다 크면 빠른 속도로 가열하라If F is greater than 50, heat it up quickly

또한 상기 MCU(102)는 RS-232 인터페이스를 통해 호스트 장치(PC)(300)와 통신을 이행하며, 상기 호스트 장치(PC)(300)를 통해 테스트자는 온도 설정 및 정지 등의 제어명령을 상기 MCU(102)에 제공하며, 상기 MCU(102)는 현재 온도 및 비상 통지 정보 등을 상기 호스트 장치(PC)(300)에 제공하여 테스트자에게 통지한다. In addition, the MCU 102 performs communication with a host device (PC) 300 through an RS-232 interface, and a tester issues control commands such as temperature setting and stop through the host device (PC) 300. The MCU 102 provides the host device (PC) 300 with current temperature and emergency notification information and notifies the tester.

상기 사용자 인터페이스부(104)는 상기 MCU(102)의 제어에 따른 온도제어장치(100)의 상태를 표시하는 표시장치와 테스트자로부터의 각종 명령 및 정보를 입력받기 위한 키 입력부를 구비한다. 상기 표시장치는 설정온도 및 현재 온도, 기능을 표시하고, 상기 키 입력부는 동작/중지를 입력하기 위한 맨(man) 버튼, 설정값을 변경하기 위한 모드(mode) 버튼, 설정값 변경을 위한 업(Up)/다운(Down) 버튼, 온도제어 파라메터를 자동으로 설정하는 AT(Auto Tuning) 버튼 등이 구비된다. The user interface unit 104 includes a display device for displaying a state of the temperature control device 100 under the control of the MCU 102 and a key input unit for receiving various commands and information from a tester. The display device displays a set temperature, a current temperature, and a function, and the key input unit includes a man button for inputting an operation / stop, a mode button for changing a set value, and an up for changing a set value. Up / Down buttons and AT (Auto Tuning) buttons to automatically set temperature control parameters are provided.

상기 팬 제어부(106)는 MCU(102)의 제어에 따라 온도 상승시의 온도 상승 속도 개선을 목적으로 대류 현상을 가속시키기 위해 팬(112)을 구동한다.The fan control unit 106 drives the fan 112 to accelerate the convection phenomenon for the purpose of improving the speed of temperature rise when the temperature rises under the control of the MCU 102.

상기 팬(112)은 상기 팬 제어부(106)의 제어에 따라 구동하여 온도 상승시의 온도 상승 속도 개선을 목적으로 대류 현상을 가속시킨다.The fan 112 is driven under the control of the fan control unit 106 to accelerate the convection phenomenon for the purpose of improving the temperature rise rate at the time of temperature rise.

상기 FET 브리지 제어부(108)는 MCU(102)의 제어에 따라 열전소자(114)의 극전환을 이행하는 NMOS FET FULL BRIDGE 회로이며, 이는 도 4에 도시한 바와 같다. 상기 FET 브리지 제어부(108)는 제어량에 따른 PWM 제어를 통해 정밀 제어를 이행한다. 상기 FET 브리지 제어부(108)는 상기 열전소자(114)의 극성을 전환하고 온도안정도를 유지하기 위한 제어를 이행하며, 이를 위해 브리지를 통해 극성을 전환하고 PWM 펄스를 이용하여 온도제어를 실시한다. 이는 고온 상승시에는 상승속도를 가속하고, 냉각시에도 냉각속도를 가속하여 생산성을 향상시키는 역할을 하며, 고온에서도 안정적인 온도유지가 가능하게 한다. The FET bridge controller 108 is an NMOS FET FULL BRIDGE circuit for performing pole switching of the thermoelectric element 114 under the control of the MCU 102, as shown in FIG. 4. The FET bridge controller 108 performs precise control through PWM control according to the control amount. The FET bridge controller 108 performs control to switch the polarity of the thermoelectric element 114 and maintain temperature stability. To this end, the FET bridge controller 108 switches the polarity through the bridge and performs temperature control using a PWM pulse. This accelerates the rise rate at high temperatures, accelerates the cooling rate at the time of cooling and improves productivity, and enables stable temperature maintenance even at high temperatures.

상기 열전소자(114)는 FET 브리지 제어부(108)의 제어에 따라 극전환을 이루어 냉각 또는 가열을 이행한다. The thermoelectric element 114 performs pole switching under the control of the FET bridge controller 108 to perform cooling or heating.

상기 SCR 위상 제어부(110)는 위상 제어를 통하여 히터(116)를 정밀하게 제어하여, 이는 도 5에 도시한 바와 같이 구성될 수 있다. 상기 SCR 위상 제어부(110)는 내장 히터의 발열량을 제어하기 위하여 위상제어를 이행하여 고온 온도 제어를 미세하게 할 수 있다. The SCR phase controller 110 precisely controls the heater 116 through phase control, which may be configured as shown in FIG. 5. The SCR phase controller 110 may perform phase control to finely control the high temperature temperature in order to control the amount of heat generated by the built-in heater.

상기 히터(116)는 상기 SCR 위상 제어부(110)의 제어에 따라 히팅을 이행한다. The heater 116 performs heating under the control of the SCR phase control unit 110.

상기 팬(112), 열전소자(114), 히터(16)는 DRAM(202)이 장착된 PC 메인 보드(204)가 내장된 챔버(200)의 내부에 설치된다. The fan 112, the thermoelectric element 114, and the heater 16 are installed in the chamber 200 in which the PC main board 204 on which the DRAM 202 is mounted is mounted.

상기 온도센서(118)는 상기 챔버(200)에 설치되어 상기 챔버(200)내의 온도를 센싱하고, 그에 따른 센싱신호를 상기 MCU(102)로 제공한다. The temperature sensor 118 is installed in the chamber 200 to sense a temperature in the chamber 200, and provides the sensing signal to the MCU 102.

상기한 본 발명에 따르는 온도제어장치(100)의 제어계통도를 도시한 도 3을 토대로 상기 온도제어장치(100)의 동작을 상세히 설명한다. The operation of the temperature control device 100 will be described in detail based on FIG. 3 showing the control system diagram of the temperature control device 100 according to the present invention.

상기 온도제어장치(100)는 호스트 장치(PC)(300)로부터 설정온도를 제공받으면, 상기 설정온도와 온도센서(118)에 의해 측정된 현재온도의 차이를 토대로 온도 또는 전압을 가변하면, 열전소자 전달함수 및 AL 열전도 전달함수 및 내부 온도 전달함수에 따라 내부 온도가 가변되고, 상기 내부 온도는 다시 온도 센서(118)에 의해 측정되어 상기 설정온도와의 차이를 검출하는 과정을 반복하면서, 상기 챔버(200)의 내부 온도가 상기 설정온도가 되도록 제어한다. When the temperature control device 100 receives the set temperature from the host device (PC) 300, if the temperature or voltage is changed based on the difference between the set temperature and the present temperature measured by the temperature sensor 118, The internal temperature is varied according to the device transfer function and the AL heat transfer transfer function and the internal temperature transfer function, and the internal temperature is measured by the temperature sensor 118 again to repeat the process of detecting a difference from the set temperature. The internal temperature of the chamber 200 is controlled to be the set temperature.

상기한 전달 함수를 구하는 과정을 설명하면 다음과 같다. The process of obtaining the transfer function described above is as follows.

설정 온도(R(s)) 설정 값에 의하여 제어가 시작되므로 R(s)=T(설정온도)가 된다. 온도 vs 전압 변환 함수(V(s))는 설정 값과 온도 센서(118)에 의해 센싱된 값에 대하여 MCU(102)에서 발생할 전압 함수이다. 1초 미만의 짧은 시간에 모든 진행이 끝나므로 시간 지연이 없는 것으로 보고 V(s)=K(Tr(s)-R(s)) 함수로 본다.Since control is started by the set temperature (R (s)) set value, R (s) = T (set temperature). The temperature vs voltage conversion function V (s) is a voltage function that will occur in MCU 102 with respect to the set value and the value sensed by temperature sensor 118. Since all progress is completed in a short time of less than 1 second, there is no time delay and V (s) = K (Tr (s) -R (s)) function.

열전 소자 전달 함수(G1(s)) 열전소자(114)의 흡열 효율은 약 70%이며 발열 성능을 자체 발열을 포함하여 130%정도 된다.The heat absorption efficiency of the thermoelectric element transfer function G1 (s) thermoelectric element 114 is about 70% and the heat generation performance is about 130% including self-heating.

Figure pat00001
Figure pat00001

QT(T) : 열전 소자의 흡발열량Q T (T): heat absorption of the thermoelectric element

V(T) : 열전 소자에 공급되는 전압V (T): Voltage supplied to the thermoelectric element

RT : 열전 소자의 흡발열 저항RT: Endothermic Resistance of Thermoelectric Element

Figure pat00002
Figure pat00002

QHT(T) : 발열측 열량Q HT (T): Heat generation side

Figure pat00003
Figure pat00003

QLT(T) : 흡열측 열량Q LT (T): endothermic heat

그리고 계통에 가해지는 열량은 저장열과 손실열을 합한 것과 같다.And the amount of heat applied to the system is equal to the sum of storage heat and loss heat.

Figure pat00004
Figure pat00004

Qh : 공급되는 열Q h : heat supplied

Qc : 세라믹 열판에 저장된 열량Q c : Calories stored in the ceramic hotplate

Ql : 단열재에 의해서 손실되는 열량Q l : The amount of heat lost by the insulation

Figure pat00005
Figure pat00005

C : 세라믹 열판의 비열C: Specific Heat of Ceramic Hot Plate

Tt : 세라믹 열판의 현재 온도T t : current temperature of ceramic hotplate

Figure pat00006
Figure pat00006

R : 단열재 열저항R: heat insulation

Te : 외부 온도T e : External temperature

Figure pat00007
Figure pat00007

초기상태에서는 외부온도와 열전소자의 온도가 같으므로In the initial state, the external temperature is the same as that of the thermoelectric element.

Figure pat00008
Figure pat00008

Laplace 변환에 의해서 By Laplace conversion

Figure pat00009
Figure pat00009

전달 함수는The transfer function

Figure pat00010
Figure pat00010

전압에 따른 전달 함수는The transfer function depends on the voltage

Figure pat00011
Figure pat00011

Figure pat00012
Figure pat00012

AL 열 전도 전달 함수는 열전 소자(114)의 전달과 같은 방법으로 구할 수 있다.The AL heat conduction transfer function can be obtained in the same way as the transfer of the thermoelectric element 114.

Figure pat00013
Figure pat00013

Cc : 세라믹 소자의 비열C c : specific heat of ceramic elements

CAL : 알루미늄의 비열C AL : specific heat of aluminum

내부 열 전달 함수Internal heat transfer function

Figure pat00014
Figure pat00014

(전체 전달 함수)(Full transfer function)

CAIR : 공기의 비열C AIR : Specific heat of air

온도 센서(118)는 현재 온도를 표시만 하는 것으로 Gain이 1인 실시간 소자로 본다. 또한 도출된 전달함수를 모두 결합하여 하나의 전달 함수로 간략화시킬 수도 있다. The temperature sensor 118 only displays the current temperature and is regarded as a real-time device having a gain of 1. You can also combine all of the derived transfer functions and simplify them into a single transfer function.

100: 온도제어장치
102 : MCU
104 : 사용자 인터페이스부
106 : 팬 제어부
108 : FET 브리지 제어부
110 : SCR 위상 제어부
112 : 팬
114 : 열전소자
116 : 히터
118 : 온도센서100: temperature controller
102: MCU
104: user interface unit
106: fan control unit
108: FET bridge control unit
110: SCR phase control
112: fan
114: thermoelectric element
116: heater
118: temperature sensor

Claims (1)

DRAM 모듈 테스트를 위한 온도제어장치에 있어서,
사용자 인터페이스부;
팬;
상기 팬을 구동하는 팬 제어부;
열전소자;
상기 열전소자의 극전환 및 상기 열전소자의 제어량을 PWM 제어하는 FET 브리지 제어부;
히터;
상기 히터의 제어량을 위상 제어하는 SCR 위상 제어부;
온도 센서;
상기 온도 센서로부터 측정된 현재 온도와 상기 사용자 인터페이스부를 통해 제공되는 설정온도의 차이를 검출하고, 상기 차이에 따라 상기 팬 제어부 및 상기 FET 브리지 제어부 및 상기 SCR 위상 제어부를 퍼지 방식에 따라 제어하는 MCU;
를 구비하는 것을 특징으로 하는 DRAM 모듈 테스트를 위한 온도제어장치.
A temperature control device for testing a DRAM module,
A user interface unit;
Pan;
A fan control unit which drives the fan;
Thermoelectric elements;
A FET bridge controller for PWM controlling the pole switching of the thermoelectric element and the control amount of the thermoelectric element;
heater;
An SCR phase controller configured to phase control a control amount of the heater;
temperature Senser;
A MCU which detects a difference between a current temperature measured by the temperature sensor and a set temperature provided through the user interface unit, and controls the fan control unit, the FET bridge control unit, and the SCR phase control unit according to the difference according to a purge method;
Temperature control device for testing a DRAM module, characterized in that it comprises a.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR102088116B1 (en) * 2018-11-12 2020-03-11 한국기초과학지원연구원 Electron microscope based on heat transfer model prediction technique and control method thereof
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