KR20110064608A - Wafer cleaning apparatus with spin scrubber and cleaning method thereof - Google Patents

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KR20110064608A
KR20110064608A KR1020090121288A KR20090121288A KR20110064608A KR 20110064608 A KR20110064608 A KR 20110064608A KR 1020090121288 A KR1020090121288 A KR 1020090121288A KR 20090121288 A KR20090121288 A KR 20090121288A KR 20110064608 A KR20110064608 A KR 20110064608A
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Abstract

PURPOSE: A wafer cleaning device by a spin scrubber and cleaning method using the same are provided to have a double-side cleaning chamber which simultaneously cleans front and back sides, thereby reducing cleaning time. CONSTITUTION: A clamping member(610) contacts an edge of a wafer(20) to vertically support the wafer. A frontal nozzle unit includes a first nozzle(621) and a first transfer shaft(622). Cleaning liquid is sprayed onto the frontal side of the wafer supported by the clamping member. The first transfer shaft supports the first nozzle. A back nozzle unit(630) includes a second nozzle(631) and a second transfer shaft(632). Cleaning liquid is sprayed onto the back side of the wafer supported by the clamping member. The second transfer shaft supports the second nozzle.

Description

스핀 스크러버에 의한 반도체 웨이퍼의 세정 장치 및 이를 이용한 세정 방법{Wafer cleaning apparatus with spin scrubber and cleaning method thereof}Cleaning apparatus for semiconductor wafer by spin scrubber and cleaning method using same {Wafer cleaning apparatus with spin scrubber and cleaning method

본 발명은 스핀 스크러버에 의한 반도체 웨이퍼의 세정 장치 및 이를 이용한 세정 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼에 대한 세정 효과를 증대시킬 수 있는 동시에, 세정 시간을 단축시킬 수 있는 반도체 웨이퍼의 세정 장치 및 세정 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor wafer cleaning apparatus using a spin scrubber and a cleaning method using the same, and more particularly, to a semiconductor wafer cleaning apparatus capable of increasing the cleaning effect on the wafer and reducing the cleaning time. It relates to a cleaning method.

반도체 장치가 고 집적화되면서 웨이퍼 상에 구현해야 하는 회로의 패턴(Pattern) 역시 점차 미세화되고 있다. 상기 웨이퍼 상의 패턴은 아주 미세한 파티클(Particle)에 의해서도 반도체 소자의 불량을 발생시킬 수 있다. As semiconductor devices become highly integrated, patterns of circuits that must be implemented on wafers are also becoming smaller. The pattern on the wafer may cause defects of the semiconductor device even by very fine particles.

즉 메모리 반도체뿐만 아니라 비메모리 반도체 디자인 룰(design rule)은 점점 작아지는 추세이며, 그 종류에 있어서 다양한 제품군을 가진다. 디자인 룰이 작아질수록 반도체의 습식 세정(WET Cleaning)은 필수적이며 중요한 공정으로 인식이 바뀌고 있다.That is, the design rules of non-memory semiconductors as well as memory semiconductors are becoming smaller and smaller, and have various product groups in their kind. As design rules get smaller, wet cleaning of semiconductors is becoming an essential and important process.

일반적으로 세정 공정은 식각 용액을 이용하여 세정하는 화학적 세정 방법 과 소정의 기계적 장치를 이용하여 세정하는 물리적 세정 방법으로 구분된다. 상기 물리적 세정 방법에 사용되는 대표적인 장치로는 스핀 스크러버(Spin scrubber)가 있다. Generally, the cleaning process is classified into a chemical cleaning method using an etching solution and a physical cleaning method using a predetermined mechanical device. A representative apparatus used in the physical cleaning method is a spin scrubber.

이러한 스크러버(Scrubber)의 공정은 증착(Deposition) 공정 전, 후로 파티클 제거 및 웨이퍼 슬라이딩(Wafer sliding) 방지를 위해 필수적인 공정이다. 상기 스핀 스크러버는 브러시 스크러빙(brush scrubbing), 고압 제트 스크러빙(jet scrubbing) 및 소닉 스크러빙(sonic scrubbing) 등이 있다. Such a scrubber process is an essential process for removing particles and preventing wafer sliding before and after the deposition process. The spin scrubbers include brush scrubbing, jet scrubbing and sonic scrubbing.

상기 브러시 스크러빙은 기판 표면에 잔존하는 오염 입자를 브러시를 이용해 제거하며, 상기 소닉 스크러빙은 초음파를 이용하여 기판 표면에 잔존하는 오염 입자를 제거하고, 상기 고압 제트 스크러빙은 기판 표면으로 초순수를 고압으로 분사시켜 기판 표면에 잔존하는 오염 입자를 제거하여 세정한다.The brush scrubbing removes contaminant particles remaining on the substrate surface using a brush, the sonic scrubbing removes contaminant particles remaining on the substrate surface using ultrasonic waves, and the high pressure jet scrubbing sprays ultrapure water at a high pressure onto the substrate surface. To remove contaminant particles remaining on the surface of the substrate and to clean it.

상기 스핀 스크러버 장치를 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.The spin scrubber device will be described below with reference to the drawings.

도 1은 종래의 기술에 따른 스핀 스크러버 장치를 설명하기 위한 개략도이고, 도 2는 종래의 기술에 따른 스크러버 챔버의 구성을 보여주는 사시도이다. 1 is a schematic diagram for explaining a spin scrubber device according to the prior art, Figure 2 is a perspective view showing the configuration of a scrubber chamber according to the prior art.

첨부된 도 1에 도시한 바와 같이, 종래의 기술에 따른 스핀 스크러버 장치에 의한 웨이퍼 세정 장치(10)는 세정 대상물인 웨이퍼(20)의 로딩(loading) 및 언로딩(unloading)을 담당하는 인덱서 유닛(30)과, 웨이퍼를 세정하는 웨이퍼 세정부(40) 및 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 트렌스퍼 유닛(50)으로 구성되는데, 상기 웨이퍼 세정부(40)는 세부적으로 웨이퍼 전면 세정부(41), 웨이퍼 후면 세정부(42) 및 웨이퍼 반전 유닛(43)으로 이루어진다. As shown in FIG. 1, the wafer cleaning apparatus 10 using the spin scrubber apparatus according to the related art is an indexer unit that is responsible for loading and unloading the wafer 20 as a cleaning target. 30, a wafer cleaning unit 40 for cleaning the wafer, and a wafer transfer unit 50 for transporting the wafer, wherein the wafer cleaning unit 40 includes a wafer front cleaning unit 41 and a wafer in detail. It consists of the back cleaning part 42 and the wafer inversion unit 43.

종래의 기술에 따른 스핀 스크러버 장치에서 세정 처리하는 공간으로서 상기 웨이퍼 전면 세정부 및 웨이퍼 후면 세정부를 각각 2개씩 갖고 있으며, 상기 세정부(40)에는 첨부된 도 2에 도시한 바와 같은 스핀 스크러버 챔버(60)가 각각 구비되어 있다. 또한, 상기 웨이퍼 반전 유닛(43)은 웨이퍼 전·후면의 반전에 따라 제1 웨이퍼 반전 유닛과 제2 웨이퍼 반전 유닛으로 구분된다.In the spin scrubber apparatus according to the related art, the wafer scrubber and the wafer scrubber are respectively provided as two spaces, and the scrubber 40 includes a spin scrubber chamber as shown in FIG. 2. 60 are provided, respectively. In addition, the wafer inversion unit 43 is divided into a first wafer inversion unit and a second wafer inversion unit according to the inversion of the front and rear surfaces of the wafer.

이와 같은 구성을 갖는 종래의 웨이퍼 세정 시스템의 동작을 설명하면 다음과 같다. 먼저, 웨이퍼 트렌스퍼 유닛(50)에 의해 웨이퍼(20)를 상기 인덱서 유닛(30)으로부터 웨이퍼 세정부(40)로 로딩한다. The operation of the conventional wafer cleaning system having such a configuration will be described below. First, the wafer 20 is loaded from the indexer unit 30 into the wafer cleaner 40 by the wafer transfer unit 50.

구체적으로 상기 웨이퍼 트렌스퍼 유닛(50)이 인덱서 유닛(30) 내에 구비되는 카세트(도시하지 않음)와 같은 웨이퍼 보관 장치로부터 웨이퍼(20)를 인출하여 상기 웨이퍼 세정부(40)의 웨이퍼 후면 세정부(42)로 이송한다. Specifically, the wafer transfer unit 50 extracts the wafer 20 from a wafer storage device such as a cassette (not shown) provided in the indexer unit 30 to clean the wafer rear surface of the wafer cleaner 40. Transfer to 42.

이때, 상기 웨이퍼 트렌스퍼 유닛(50)은 상기 웨이퍼 후면 세정부(42)의 2개의 공간 중 비어 있는 곳에 상기 웨이퍼(20)를 반입시킨다. 웨이퍼 후면 세정부(42)에 반입된 웨이퍼(20)는 상기 스핀 스크러버 챔버(60)에서 웨이퍼 후면(後面)에 대한 세정 공정이 진행된다.At this time, the wafer transfer unit 50 loads the wafer 20 into an empty place among two spaces of the wafer rear cleaning unit 42. The wafer 20 carried in the wafer back surface cleaning part 42 is cleaned in the spin scrubber chamber 60 with respect to the back surface of the wafer.

상기 웨이퍼 후면에 대한 세정 공정이 완료되면, 상기 웨이퍼 트렌스퍼 유닛(50) 은 상기 웨이퍼(20)를 상기 제1 웨이퍼 반전 유닛(43a)으로 이동시킨다. 상기 제1 웨이퍼 반전 유닛(43a)은 웨이퍼(20)를 180도 회전시키는 장치로서, 웨이퍼를 반전(reverse)시키는 웨이퍼 반전 장치(도시하지 않음)를 일측에 구비한다.When the cleaning process for the back surface of the wafer is completed, the wafer transfer unit 50 moves the wafer 20 to the first wafer reversing unit 43a. The first wafer reversing unit 43a is a device for rotating the wafer 20 by 180 degrees, and includes a wafer reversing device (not shown) for reversing the wafer.

상기 제1 웨이퍼 반전 유닛(43a)에서 웨이퍼(20)가 180도 회전되면, 상기 웨 이퍼 트렌스퍼 유닛(50)은 반전된 웨이퍼(20)를 상기 웨이퍼 전면 세정부(41)로 이동시킨다. 웨이퍼 전면 세정부(41)로 이동된 웨이퍼(20)는 웨이퍼 전면(前面)에 대한 세정 공정이 진행되고, 웨이퍼 전면 세정이 완료된 웨이퍼(20)는 제2 웨이퍼 반전 유닛(43b)을 통해 다시 재반전되어 웨이퍼 트렌스퍼 유닛(50)에 의해 인덱서 유닛(30)으로 언로딩(unloading)되어 일련의 웨이퍼 세정 공정을 완료한다.When the wafer 20 is rotated 180 degrees in the first wafer reversal unit 43a, the wafer transfer unit 50 moves the inverted wafer 20 to the wafer front cleaning part 41. The wafer 20 moved to the wafer front cleaning unit 41 is cleaned on the front surface of the wafer, and the wafer 20 on which the front surface of the wafer has been cleaned is restarted through the second wafer inversion unit 43b. Inverted and unloaded into the indexer unit 30 by the wafer transfer unit 50 to complete a series of wafer cleaning processes.

종래의 스핀 스크러버 장치에 의한 웨이퍼 세정 장치는 장비 내에 전면 및 후면의 웨이퍼에 대하여 세정 공정을 진행하는 챔버를 별도로 가지고 있어야 하며, 웨이퍼를 반전시키는 반전 유닛을 가지고 있어야 한다. The wafer cleaning apparatus by the conventional spin scrubber apparatus should have a separate chamber in which the cleaning process is performed on the front and back wafers in the equipment, and should have an inverting unit for inverting the wafer.

그러나 이로 인해 웨이퍼 세정 시스템의 크기(Size)는 커질 수밖에 없으며, 전면 및 후면에 대한 세정이 별도로 각각 진행됨으로 인한 공정 진행 시간도 길어질 수밖에 없다는 문제점이 있다.However, due to this, the size of the wafer cleaning system is inevitably increased, and a process progress time due to the cleaning of the front and rear surfaces of each of the wafer cleaning systems may be long.

따라서 본 발명은 상술한 제반 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 웨이퍼의 전면 및 후면을 동시에 세정할 수 있는 챔버를 구비하여 반전 유닛의 구성이 불필요함에 따라 장비의 사이즈를 줄이고 세정 공정의 진행시간을 줄일 수 있는 스핀 스크러버에 의한 반도체 웨이퍼의 세정 장치 및 이를 이용한 세정 방법을 제공함에 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and includes a chamber that can simultaneously clean the front and rear surfaces of the wafer, so that the configuration of the inversion unit is unnecessary, thereby reducing the size of the equipment and the progress of the cleaning process. It is an object of the present invention to provide a cleaning apparatus for a semiconductor wafer by a spin scrubber and a cleaning method using the same.

상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 스핀 스크러버에 의한 반도체 웨이퍼의 세정 장치는 웨이퍼의 가장자리를 접촉하여 수직으로 지지하는 클램핑 부재; 상기 클램핑 부재에 지지된 웨이퍼의 전면에 세정액을 분사하는 제1 노즐 및 상기 제1 노즐을 구동 가능하게 지지하는 제1 이송축을 포함하는 전면 노즐부; 그리고 상기 클램핑 부재에 지지된 웨이퍼의 후면에 세정액을 분사하는 제2 노즐 및 상기 제2 노즐을 구동 가능하게 지지하는 제2 이송축을 포함하는 후면 노즐부;로 이루어진 양면 세정 챔버를 포함하는 것을 특징으로 한다.The cleaning apparatus for a semiconductor wafer by the spin scrubber of the present invention for achieving the above object includes a clamping member for vertically contacting the edge of the wafer; A front nozzle unit including a first nozzle for spraying a cleaning liquid on a front surface of the wafer supported by the clamping member and a first feed shaft for driving the first nozzle to be operably supported; And a rear nozzle unit including a second nozzle for spraying a cleaning liquid on a rear surface of the wafer supported by the clamping member and a second transfer shaft for driving the second nozzle to be operably supported. do.

또한, 상기 양면 세정 챔버의 클램핑 부재에 지지된 웨이퍼의 주위에 스핀컵을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The apparatus may further include a spin cup around a wafer supported by the clamping member of the double-sided cleaning chamber.

또한, 상기 세정 장치는 4개의 양면 세정 챔버와 웨이퍼 트렌스퍼 유닛 및 인덱서 유닛으로 이루어진 것을 특징으로 한다.In addition, the cleaning device is characterized by consisting of four double-sided cleaning chamber, wafer transfer unit and indexer unit.

본 발명의 스핀 스크러버에 의한 반도체 웨이퍼의 세정 장치를 이용한 세정 방법은 웨이퍼 트렌스퍼 유닛에 의하여 인덱서 유닛에 존재하는 웨이퍼 카세트로부터 웨이퍼를 인출하여 양면 세정 챔버의 클램핑 부재로 이송하는 제1 단계; 전면 노즐부 및 후면 노즐부에 의하여 동시에 세정이 진행되는 제2 단계; 그리고 세정이 완료된 웨이퍼를 웨이퍼 트렌스퍼 유닛에 의하여 인덱서 유닛에 존재하는 웨이퍼 카세트로 이송하는 제3 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.The cleaning method using the apparatus for cleaning a semiconductor wafer by the spin scrubber of the present invention includes a first step of extracting a wafer from a wafer cassette present in the indexer unit by a wafer transfer unit and transferring the wafer to the clamping member of the double-sided cleaning chamber; A second step of simultaneously cleaning by the front nozzle part and the rear nozzle part; And a third step of transferring the cleaned wafer to the wafer cassette existing in the indexer unit by the wafer transfer unit.

본 발명에 따른 스핀 스크러버에 의한 반도체 웨이퍼의 세정 장치 및 이를 이용한 세정 방법에 의하면 웨이퍼의 전면 및 후면을 동시에 세정할 수 있는 챔버를 구비함으로써 반전 유닛의 구성이 불필요함에 따라 장비의 사이즈를 줄이고 세정 공정의 진행시간을 줄일 수 있는 효과가 있다. According to an apparatus for cleaning a semiconductor wafer by a spin scrubber and a cleaning method using the same according to the present invention, since a chamber capable of simultaneously cleaning the front and rear surfaces of the wafer is not required, the size of the equipment is reduced and the cleaning process is unnecessary. It is effective to reduce the progress time of.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 쉽게 실시할 수 있도록 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the configuration and operation of the preferred embodiment of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily practice.

다만, 도면에 도시되고 또 이것에 의해서 설명되는 본 발명의 구성과 작용은 적어도 하나의 실시예로서 설명되는 것이며, 이것에 의해서 상기한 본 발명의 기술적 사상과 그 핵심 구성 및 작용이 제한되지는 않는다.However, the configuration and operation of the present invention shown in the drawings and described by it are described as at least one embodiment, by which the technical spirit of the present invention and its core configuration and operation are not limited. .

즉 본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는바, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. That is, the present invention may be variously modified and have various embodiments, and it should be understood that the present invention includes all the transforms, equivalents, and substitutes included in the spirit and technical scope of the present invention.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 양면 세정 챔버를 설명하기 위한 구성도이고, 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 스핀 스크러버 장치에 의한 웨이퍼 세정 시스템을 설명하기 위한 개략도이다.3 is a block diagram illustrating a double-sided cleaning chamber according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a schematic diagram for explaining a wafer cleaning system by a spin scrubber device according to an embodiment of the present invention.

첨부된 도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 스핀 스크러버에 의한 반도체 웨이퍼의 세정 장치는 클램핑 부재(610), 전면 노즐부(620) 그리고 후면 노즐부(630)로 이루어진 양면 세정 챔버(600)를 포함하여 이루어진 것이다.As shown in FIG. 3, an apparatus for cleaning a semiconductor wafer by a spin scrubber according to an embodiment of the present invention may include a clamping member 610, a front nozzle part 620, and a rear nozzle part 630. It comprises a cleaning chamber 600.

상기 클램핑 부재(610)는 웨이퍼(20)의 가장자리를 접촉하여 수직으로 지지하는 역할을 한다. 즉 첨부된 도 3에 도시한 바와 같이, 상기 클램핑 부재(610)는 6개의 클램핑 핑거를 가지고 웨이퍼(20)의 가장자리와 접촉하고 회전 모터(도시되지 않음)의 구동력에 의하여 웨이퍼(20)를 회전시키는 구성으로 이루어질 수 있다.The clamping member 610 serves to vertically support the edge of the wafer 20 by contacting it. That is, as shown in FIG. 3, the clamping member 610 has six clamping fingers to contact the edge of the wafer 20 and rotate the wafer 20 by a driving force of a rotating motor (not shown). It can be made to the configuration.

이때, 웨이퍼(20)의 회전시 방사하는 세정액을 회수하기 위하여 클램핑 부재(610)에 지지된 웨이퍼(20)의 주위에 스핀컵(spin cup)(도시되지 않음)을 더 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.At this time, it is preferable that a spin cup (not shown) is further included around the wafer 20 supported by the clamping member 610 in order to recover the cleaning liquid radiated during the rotation of the wafer 20. .

상기 전면 노즐부(620)는 상기 클램핑 부재(610)에 지지된 웨이퍼(20)의 전면에 세정액을 분사하는 제1 노즐(621) 및 상기 제1 노즐(621)을 구동 가능하게 지지하는 제1 이송축(622)을 포함하여 이루어진 것이다.The front nozzle unit 620 may drive a first nozzle 621 for spraying a cleaning liquid onto the front surface of the wafer 20 supported by the clamping member 610 and a first support for driving the first nozzle 621. It includes a feed shaft 622.

상기 후면 노즐부(630)는 상기 클램핑 부재(610)에 지지된 웨이퍼(20)의 후면에 세정액을 분사하는 제2 노즐(631) 및 상기 제2 노즐(631)을 구동 가능하게 지지하는 제2 이송축(632)을 포함하여 이루어진 것이다. The rear nozzle unit 630 may drive a second nozzle 631 for spraying a cleaning liquid on the rear surface of the wafer 20 supported by the clamping member 610 and a second support for supporting the second nozzle 631. It comprises a feed shaft (632).

첨부된 도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 세정 장치는 4개의 양면 세정 챔버(400)와 웨이퍼 트렌스퍼 유닛(50) 및 인덱서 유닛(30)으로 이루어진 것이 바람직하다. As shown in FIG. 4, the cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention preferably includes four double-sided cleaning chambers 400, a wafer transfer unit 50, and an indexer unit 30.

본 발명의 스핀 스크러버에 의한 반도체 웨이퍼의 세정 장치를 이용한 세정 방법은 제1 단계 내지 제3 단계를 포함하여 이루어진 것이다. The cleaning method using the cleaning apparatus for a semiconductor wafer by the spin scrubber of the present invention comprises the first to third steps.

상기 제1 단계는 웨이퍼 트렌스퍼 유닛(50)에 의하여 인덱서 유닛(30)에 존재하는 웨이퍼 카세트(도시되지 않음)로부터 웨이퍼(20)를 인출하여 양면 세정 챔버(400)의 클램핑 부재로 이송하는 단계이다. The first step is to take out the wafer 20 from the wafer cassette (not shown) present in the indexer unit 30 by the wafer transfer unit 50 and transfer it to the clamping member of the double-sided cleaning chamber 400. to be.

상기 제2 단계는 전면 노즐부(620) 및 후면 노즐부(630)에 의하여 웨이퍼(20)의 전·후 양면을 동시에 세정이 진행되는 단계이다. In the second step, the front and rear surfaces of the wafer 20 are simultaneously cleaned by the front nozzle 620 and the rear nozzle 630.

상기 제3 단계는 세정이 완료된 웨이퍼(20)를 웨이퍼 트렌스퍼 유닛(50)에 의하여 인덱서 유닛(30)에 존재하는 웨이퍼 카세트로 이송하는 단계이다. The third step is to transfer the cleaned wafer 20 to the wafer cassette present in the indexer unit 30 by the wafer transfer unit 50.

따라서 본 발명의 스핀 스크러버에 의한 반도체 웨이퍼의 세정 장치를 이용한 세정 방법은 양면 세정 챔버를 구비함으로써 웨이퍼의 전면 및 후면을 동시에 세정할 수 있어 세정 공정 진행시간을 상당히 단축할 수 있다.Therefore, in the cleaning method using the apparatus for cleaning semiconductor wafers by the spin scrubber of the present invention, by providing a double-sided cleaning chamber, the front and rear surfaces of the wafer can be simultaneously cleaned, thereby significantly reducing the cleaning process progress time.

나아가 종래의 기술에 따른 반전 유닛부의 구성이 필요가 없기 때문에 세정 장비의 크기를 상당히 감소시킬 수 있는 장점이 있다. Furthermore, since the configuration of the inverting unit part according to the related art is not necessary, there is an advantage that the size of the cleaning equipment can be significantly reduced.

본 발명은 전술한 실시 예에 한정되지 아니하고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 아니하는 범위 내에서 다양하게 수정·변형되어 실시될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명한 것이다.It is apparent to those skilled in the art that the present invention is not limited to the above-described embodiments and can be practiced in various ways without departing from the spirit and scope of the present invention. It is.

도 1은 종래의 기술에 따른 스핀 스크러버 장치를 설명하기 위한 개략도,1 is a schematic diagram for explaining a spin scrubber device according to the prior art,

도 2는 종래의 기술에 따른 스크러버 챔버의 구성을 보여주는 사시도,Figure 2 is a perspective view showing the configuration of a scrubber chamber according to the prior art,

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 양면 세정 챔버를 설명하기 위한 구성도,3 is a block diagram illustrating a double-sided cleaning chamber according to an embodiment of the present invention,

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 스핀 스크러버 장치에 의한 웨이퍼 세정 장치를 설명하기 위한 개략도.Figure 4 is a schematic diagram for explaining a wafer cleaning apparatus by a spin scrubber apparatus according to an embodiment of the present invention.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

10 : 웨이퍼 세정 장치 20 : 웨이퍼10 wafer cleaning apparatus 20 wafer

30 : 인덱서 유닛 40 : 웨이퍼 세정부30 indexer unit 40 wafer cleaning unit

41 : 전면 세정부 42 : 후면 세정부41: front cleaning unit 42: rear cleaning unit

43 : 반전 유닛 50 : 트렌스퍼 유닛43: inversion unit 50: transfer unit

60 : 스크러버 챔버 600 : 양면 세정 챔버60: scrubber chamber 600: double-sided cleaning chamber

610 : 클램핑 부재 620 : 전면 노즐부610: clamping member 620: front nozzle portion

621 : 제1 노즐 622 : 제1 이송축621: first nozzle 622: first feed shaft

630 : 후면 노즐부 631 : 제2 노즐630: rear nozzle portion 631: second nozzle

632 : 제2 이송축632: second feed shaft

Claims (4)

웨이퍼의 가장자리를 접촉하여 수직으로 지지하는 클램핑 부재; 상기 클램핑 부재에 지지된 웨이퍼의 전면에 세정액을 분사하는 제1 노즐 및 상기 제1 노즐을 구동 가능하게 지지하는 제1 이송축을 포함하는 전면 노즐부; 그리고 상기 클램핑 부재에 지지된 웨이퍼의 후면에 세정액을 분사하는 제2 노즐 및 상기 제2 노즐을 구동 가능하게 지지하는 제2 이송축을 포함하는 후면 노즐부;로 이루어진 양면 세정 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀 스크러버에 의한 반도체 웨이퍼의 세정 장치.A clamping member for vertically supporting the edge of the wafer; A front nozzle unit including a first nozzle for spraying a cleaning liquid on a front surface of the wafer supported by the clamping member and a first feed shaft for driving the first nozzle to be operably supported; And a rear nozzle unit including a second nozzle for spraying a cleaning liquid on a rear surface of the wafer supported by the clamping member and a second transfer shaft for driving the second nozzle to be operably supported. An apparatus for cleaning a semiconductor wafer by using a spin scrubber. 제1항에 있어서, 상기 양면 세정 챔버의 클램핑 부재에 지지된 웨이퍼의 주위에 스핀컵을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀 스크러버에 의한 반도체 웨이퍼의 세정 장치.The apparatus of claim 1, further comprising a spin cup around a wafer supported by the clamping member of the double-sided cleaning chamber. 제1항에 있어서, 상기 세정 장치는 4개의 양면 세정 챔버와 웨이퍼 트렌스퍼 유닛 및 인덱서 유닛으로 이루어진 것을 특징으로 하는 스핀 스크러버에 의한 반도체 웨이퍼의 세정 장치.The cleaning apparatus of claim 1, wherein the cleaning apparatus comprises four double-sided cleaning chambers, a wafer transfer unit, and an indexer unit. 웨이퍼 트렌스퍼 유닛에 의하여 인덱서 유닛에 존재하는 웨이퍼 카세트로부터 웨이퍼를 인출하여 양면 세정 챔버의 클램핑 부재로 이송하는 제1 단계; 전면 노즐부 및 후면 노즐부에 의하여 동시에 세정이 진행되는 제2 단계; 그리고 세정이 완료된 웨이퍼를 웨이퍼 트렌스퍼 유닛에 의하여 인덱서 유닛에 존재하는 웨이퍼 카세트로 이송하는 제3 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀 스크러버에 의한 반도체 웨이퍼의 세정 장치를 이용한 세정 방법.Extracting the wafer from the wafer cassette present in the indexer unit by the wafer transfer unit and transferring the wafer to the clamping member of the double-sided cleaning chamber; A second step of simultaneously cleaning by the front nozzle part and the rear nozzle part; And a third step of transferring the cleaned wafer to a wafer cassette present in the indexer unit by a wafer transfer unit.
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