KR20100053038A - Apparatus for detecting wafer crack and method for detecting wafer defect - Google Patents

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KR20100053038A
KR20100053038A KR1020080111991A KR20080111991A KR20100053038A KR 20100053038 A KR20100053038 A KR 20100053038A KR 1020080111991 A KR1020080111991 A KR 1020080111991A KR 20080111991 A KR20080111991 A KR 20080111991A KR 20100053038 A KR20100053038 A KR 20100053038A
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Abstract

PURPOSE: An apparatus and a method for detecting defects on a wafer are provided to perform a wafer defect inspection process regardless of the kinds of wafers by adjusting light source based on the physical or chemical property of the wafer. CONSTITUTION: A front illumination band(11) in a sphere strip shape is vertically expanded based on a pre-set point of the edge of a wafer. A front fixing unit is formed along the sphere strip shape of the front illumination band. A lamp is fixed to the front fixing unit. An optical camera(13) is arranged toward the pre-set point of the edge of the wafer. A side illumination band is vertically expanded based on the pre-set point of the edge of the wafer. An infrared lamp(14) is arranged under the wafer. An infrared camera(15) is arranged above the wafer.

Description

웨이퍼 결함의 검사장치 및 검사방법{Apparatus for Detecting Wafer Crack and Method for Detecting Wafer Defect} Apparatus for Detecting Wafer Crack and Method for Detecting Wafer Defect}

본 발명은 웨이퍼 결함의 검사장치 및 검사방법에 관한 것이고, 구체적으로 반도체 웨이퍼의 표면 또는 가장자리 부위에서 발생하는 크랙 또는 결함의 발생 유무를 검사하여 웨이퍼의 불량 여부를 판단하기 위한 검사장치 및 검사방법에 관한 것이다. The present invention relates to an inspection apparatus and an inspection method for a wafer defect, and more particularly, to an inspection apparatus and an inspection method for determining whether a wafer is defective by inspecting the occurrence of cracks or defects occurring on a surface or an edge of a semiconductor wafer. It is about.

일반적으로 반도체 소자는 실리콘웨이퍼에 막을 형성하는 증착공정, 막의 평탄을 위한 연마공정, 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정 및 마스크를 이용하여 회로패턴을 형성하는 공정과 같은 과정을 포함한다. 반도체 소자의 제조를 위한 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼는 단결정 규소로부터 원판 형상으로 예를 들어 6인치 또는 8인치와 같은 크기로 만들어질 수 있다. 원판 형상의 실리콘웨이퍼는 상하 표면과 가장자리로 나누어질 수 있고 그리고 이들 부분의 특정 부위에 크랙(crack) 또는 떨어져나감(chipping)과 같은 결함이 발생하는 경우 제조된 반도체 소자의 작동에 영향을 미치게 된다. 그러므로 각각의 반도체 제조공정에서 웨이퍼의 표면 또는 가장자리에 물리적 결함이 있는지 여부를 사전에 검사하게 된다. In general, semiconductor devices include processes such as a deposition process for forming a film on a silicon wafer, a polishing process for planarization of a film, a process for forming a photoresist pattern, and a process for forming a circuit pattern using a mask. Silicon wafers used as substrates for the manufacture of semiconductor devices can be made from monocrystalline silicon into disc shapes, for example 6 inches or 8 inches in size. Disk-shaped silicon wafers can be divided into upper and lower surfaces and edges, and if a defect such as cracking or chipping occurs in a specific portion of these portions, it affects the operation of the manufactured semiconductor device. . Therefore, in each semiconductor manufacturing process, the surface or edge of the wafer is inspected in advance for physical defects.

웨이퍼의 물리적 결함을 검사하기 위한 공지의 장치는 도 3에 도시된 것처럼, 3대의 CCD (Charge Coupled Device) 카메라(31a,31b,31c)를 포함한다. 각각의 CCD 카메라(31a, 31b, 31c)는 웨이퍼 둘레면(Wr), 웨이퍼(W) 가장자리 위쪽 면(Wu) 및 웨이퍼(W) 가장자리 아래쪽 면(Wd)을 각각 마주보고 웨이퍼 가장자리 면을 별도로 촬영하여 이미지를 저장한다. 그리고 저장된 이미지로부터 웨이퍼 자장자리에 크랙(crack) 또는 입자의 부착과 또는 떨어져 나감 같은 결함이 있는지 여부를 조사하게 된다. 이와 같은 공지의 검사방법은 서로 다른 위치에서 얻어진 이미지의 동기화가 요구되므로 복잡한 장치를 필요로 한다는 문제점을 가진다. The known apparatus for inspecting the physical defects of the wafer includes three CCD (Charge Coupled Device) cameras 31a, 31b and 31c, as shown in FIG. Each of the CCD cameras 31a, 31b, and 31c separately photographs the wafer edge surface facing the wafer circumferential surface Wr, the upper surface of the wafer W edge, and the lower surface of the wafer W edge, respectively. To save the image. From the stored image, the wafer magnetic field is examined for defects such as cracks or adhesion of particles or falling off. Such a known inspection method has a problem in that a complicated device is required because synchronization of images obtained at different positions is required.

공지의 검사 방법 또는 장치가 가진 문제점을 해결하기 위한 선행기술로 WO 2003/028089가 있다. 상기 선행기술은 반도체 웨이퍼를 흡착하여 유지하는 회전테이블, 반도체 웨이퍼의 적어도 가장자리 부분을 조명하는 조명장치, 조명된 반도체웨이퍼의 가장자리 부분을 촬영하는 촬영 장치, 촬영 장치에서 얻어진 이미지로부터 적어도 가장자리 커트 정도 또는 크랙을 검출하는 이미지 처리 장치 및 화상 처리하는 가장자리 부분의 이미지를 출력하는 표시장치를 포함한다.WO 2003/028089 is a prior art for solving the problems with known inspection methods or devices. The prior art includes a rotary table for absorbing and holding a semiconductor wafer, an illumination device for illuminating at least an edge portion of the semiconductor wafer, an imaging device for photographing the edge portion of the illuminated semiconductor wafer, at least an edge cut from an image obtained by the imaging device, or And a display device for outputting an image of an edge portion for image processing.

공지의 검사 방법 또는 장치의 문제점을 해결하기 위한 다른 선행기술로 특허공개번호 제2008-0000303호 “실리콘웨이퍼의 결함 검출방법 및 이를 수행하기 위한 장치”가 있다. 상기 선행기술은 실리콘웨이퍼의 가장자리 부분을 형광 물질로 코팅하여 광을 조사하고 그리고 발광 이미지를 획득하여 형광물질의 코팅 상태를 확인하여 실리콘웨이퍼의 결함을 탐지하는 방법에 대하여 개시하고 있다. Another prior art for solving the problems of the known inspection method or device is Patent Publication No. 2008-0000303 "Silicon Wafer Detecting Method and Device for Performing the Same". The prior art discloses a method of detecting a defect of a silicon wafer by coating the edge of the silicon wafer with a fluorescent material to irradiate light and obtaining a light emitting image to check the coating state of the fluorescent material.

공지된 검사방법 또는 장치의 문제점을 해결하기 위한 다른 선행기술로 WO 2006/059647이 있다. 상기 선행기술은 복수 개 면의 상을 동일한 방향으로 유도하는 광학장치 및 이미지 획득 면을 이용하여 동일한 방향으로 유도된 상이 이미지 획득 면에 결상되도록 배치된 단일카메라에 의하여 웨이퍼의 결함을 탐지하는 방법에 대하여 개시하고 있다. Another prior art for solving the problems of known inspection methods or devices is WO 2006/059647. The prior art relates to a method of detecting defects in a wafer by a single camera arranged so that images derived in the same direction are formed on the image acquisition surface by using an optical device and an image acquisition surface for guiding a plurality of surfaces in the same direction. It is disclosed.

제시된 선행기술은 실질적으로 공지의 문제점을 그대로 가지고 있거나, 형광물질의 코팅이라는 웨이퍼 표면의 변형을 초래할 수 있는 공정을 포함하거나 또는 웨이퍼 가장자리 곡면에 빛을 비치고 균일한 영상을 얻기 쉽지 않으며 검사 과정에서 오류가 발생하기 쉽고 크랙과 같이 웨이퍼 내부의 결함은 거의 감지가 안 되는 문제점을 가지고 있다. The prior art presented has substantially known problems, or involves a process that can result in deformation of the wafer surface called the coating of phosphors, or it is not easy to shine light on the wafer edge surface and obtain a uniform image and error in the inspection process. There is a problem in that defects inside the wafer such as cracks are easily generated and are hardly detected.

본 발명은 공지된 또는 선행의 검사방법 또는 장치가 가진 문제점을 해결하기 위한 것으로 아래와 같은 목적을 가진다.The present invention has been made to solve the problems of known or prior inspection methods or apparatuses and has the following objectives.

본 발명의 목적은 웨이퍼의 표면 및 내부 또는 가장자리에 발생할 수 있는 결함을 간단한 방법으로 그리고 검사오류가 없이 탐지할 수 있는 웨이퍼 결함의 검사 장치를 제공하는 것이다. It is an object of the present invention to provide an apparatus for inspecting wafer defects that can detect defects that may occur on the surface and inside or the edge of the wafer in a simple manner and without inspection errors.

본 발명의 다른 목적은 웨이퍼 표면 및 가장자리의 결함의 유무를 간단하고 명확하게 탐지할 수 있는 웨이퍼 결함의 검사 방법을 제공하는 것이다. It is another object of the present invention to provide a method for inspecting wafer defects, which enables simple and clear detection of the presence or absence of defects on the wafer surface and edges.

본 발명의 적절한 실시 형태에 따르면, 웨이퍼 결함의 검사 장치는 웨이퍼 가장자리의 일정지점을 중심으로 상하 방향으로 연장되는 구형 띠 형상의 전방 조명 밴드; 전방 조명 밴드의 구형 띠 면을 따라 형성된 다수 개의 전방 고정 수단; 다수 개의 전방 고정 수단에 고정되는 조명등; 및 웨이퍼 가장자리의 일정한 지점을 향하여 배치된 광학 카메라를 포함한다. According to a preferred embodiment of the present invention, a wafer defect inspection apparatus includes a spherical band-shaped front illumination band extending vertically about a certain point of the wafer edge; A plurality of front fastening means formed along the spherical strip surface of the front lighting band; Lamps fixed to a plurality of front fixing means; And an optical camera disposed toward a certain point of the wafer edge.

본 발명의 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 웨이퍼 결함 검사 장치는 웨이퍼 가장자리의 일정 지점을 중심으로 상하 방향으로 연장되는 구형 띠 형상의 1개 이상의 측면 조명 밴드; 측면 조명 밴드의 구형 띠 면을 따라 형성된 다수 개의 측면 고정 수단; 다수 개의 측면 고정 수단에 고정되는 조명등; 및 웨이퍼 가장자리의 일정한 지점을 향하여 배치된 광학 카메라를 포함한다. According to another suitable embodiment of the present invention, a wafer defect inspection apparatus includes one or more side strips of light having a spherical strip shape extending vertically about a certain point of a wafer edge; A plurality of side fixing means formed along the spherical stripe surface of the side lighting band; Lamps fixed to a plurality of side fixing means; And an optical camera disposed toward a certain point of the wafer edge.

본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 웨이퍼의 아래쪽에 설치되는 적외선 조명장치 및 적외선 조명장치와 대향되는 웨이퍼의 위쪽에 설치되는 적외선 카메라를 더 포함한다. According to another suitable embodiment of the present invention, the apparatus further includes an infrared illuminator installed below the wafer and an infrared camera provided above the wafer facing the infrared illuminator.

본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 웨이퍼 결함의 검사 방법은 웨이퍼 가장자리의 일정지점을 중심으로 상하 방향으로 연장되는 구를 따라 배치된 다수개의 조명등으로부터 웨이퍼 가장자리의 이미지를 얻는 단계; 웨이퍼를 투과하는 적외선으로부터 웨이퍼 표면 및 내부의 이미지를 얻는 단계; 및 웨이퍼 가장자리의 이미지 및 웨이퍼 표면의 이미지로부터 웨이퍼의 결함을 탐지하는 단계를 포함한다. According to another suitable embodiment of the present invention, a method for inspecting a wafer defect includes obtaining an image of a wafer edge from a plurality of lights arranged along a sphere extending in a vertical direction about a certain point of the wafer edge; Obtaining an image of the wafer surface and the interior from infrared light passing through the wafer; And detecting defects in the wafer from the image of the wafer edge and the image of the wafer surface.

본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 구를 따라 배치된 다수 개의 조명등은 초점이 서로 일치한다. According to another suitable embodiment of the invention, the plurality of lamps arranged along the sphere are in focus with one another.

본 발명에 따른 웨이퍼 표면의 검사 장치는 일반조명과 적외선조명을 이용하여 웨이퍼의 표면과 내부 및 가장자리 면의 결함을 탐지할 수 있다는 이점을 가진다. 또한 조명등의 위치를 적절히 조절하여 웨이퍼의 물리적 또는 화학적 성질에 따라 광원을 조절할 수 있어 웨이퍼의 종류에 관계없이 웨이퍼 결함의 검사가 가능하다는 장점을 가진다. The inspection apparatus of the wafer surface according to the present invention has the advantage that it is possible to detect defects on the surface, the inside and the edge surface of the wafer by using general illumination and infrared illumination. In addition, since the light source can be adjusted according to the physical or chemical properties of the wafer by appropriately adjusting the position of the illumination lamp, it is possible to inspect wafer defects regardless of the type of wafer.

아래에서 본 발명은 첨부된 도면에 제시된 실시 예를 참조하여 상세하게 설명이 되지만 제시된 실시 예는 본 발명의 명확한 이해를 돕기 위한 예시적인 것이므로 본 발명의 범위를 제한하기 위한 것으로 해석되지 않아야 한다. In the following the present invention will be described in detail with reference to the embodiments shown in the accompanying drawings, but the embodiments presented are intended to assist in a clear understanding of the invention and should not be construed as limiting the scope of the invention.

도 1a 내지 도 1c는 웨이퍼(W) 가장자리 면에 조사된 광이 반사되는 형태, 본 발명에 따른 검사 장치의 실시 예에 대한 사시도 및 정면도를 각각 도시한 것이다. 1A to 1C illustrate a perspective view and a front view of an embodiment of an inspection apparatus according to the present invention, in which light irradiated onto an edge surface of a wafer W is reflected.

도 1a를 참조하면, 웨이퍼(W)는 표면(S) 및 가장자리 면(R)으로 구분될 수 있고 크랙과 같은 결함은 주로 가장자리 면(R)에 발생하고 그리고 외부 입자는 표면(S) 또는 가장자리 면(R)에 부착될 수 있다. 가장자리 면(R)은 전체적으로 원형으로 형성되지만 일부 면은 직선 형태로 형성될 수 있다. 가장자리 면(R)은 전체적으로 원형의 단면을 가지고 구체적으로 위쪽 면(RU), 아래쪽 면(RD) 및 중앙 면(RC)로 구분될 수 있다. 각각의 면에 입사된 빛의 반사 경로(LU, LD, LC)가 도 1a에 도시되어 있다. 도 1a에 도시된 것처럼, 웨이퍼의 가장자리 면(R)에 입사된 빛은 반원 형태의 단면으로 인하여 주로 가장자리 면에 수직되는 방향으로 반사되는 것을 알 수 있다. 이와 같은 웨이퍼의 가장자리 면(R)의 형상에 부합되는 검사 장치에 대하여 아래에서 설명한다. Referring to FIG. 1A, the wafer W may be divided into the surface S and the edge face R, and defects such as cracks mainly occur in the edge face R, and the outer particles are the surface S or the edge. It may be attached to the face (R). The edge surface R is formed in a circular shape as a whole, but some surfaces may be formed in a straight shape. The edge face R has a circular cross section as a whole and may be specifically divided into an upper face R U , a lower face R D , and a central face R C. The reflection paths L U , L D , L C of light incident on each surface are shown in FIG. 1A. As shown in FIG. 1A, it can be seen that light incident on the edge surface R of the wafer is mainly reflected in a direction perpendicular to the edge surface due to the semicircular cross section. An inspection apparatus conforming to the shape of the edge R of such a wafer will be described below.

도 1b 및 도 1c를 참조하면, 본 발명에 따른 검사 장치(10)는 웨이퍼(W) 가장자리의 일정지점(P)을 중심으로 상하 방향으로 연장되는 원형 띠 형상의 전방 조명 밴드((11); 전방 조명 밴드(11)의 양 측면에 설치되고 그리고 상하 방향으로 연장되는 구형 띠 형상의 측면 조명 밴드(12a, 12b); 웨이퍼(W) 가장자리의 일정 지점(P)을 향하도록 배치된 광학카메라(13); 웨이퍼(W)의 아래쪽에 설치되는 적외선 조명 장치(14); 및 웨이퍼(W)의 위쪽에 설치되는 적외선 카메라(15)를 포함한다. 1B and 1C, the inspection apparatus 10 according to the present invention includes a circular band-shaped front illumination band 11 extending vertically about a certain point P of the edge of the wafer W; Spherical band-shaped side illumination bands 12a and 12b installed on both sides of the front illumination band 11 and extending in the vertical direction; an optical camera disposed to face a predetermined point P of the edge of the wafer W; 13) an infrared illuminating device 14 provided below the wafer W, and an infrared camera 15 provided above the wafer W.

웨이퍼(W)는 6인치, 8인치 또는 12인치와 같이 임의의 크기를 가질 수 있고 그리고 원 형상 부분(C)과 직선 형상 부분(L)으로 나누어질 수 있지만 본 발명에 따른 검사 장치(10)에 의하여 검사될 수 있는 웨이퍼(W)의 형상은 이에 제한되지 않는다. The wafer W can have any size, such as 6 inches, 8 inches or 12 inches and can be divided into a circular portion C and a straight portion L, but according to the inspection device 10 according to the invention. The shape of the wafer W that can be inspected by is not limited thereto.

전방 조명 밴드(11)는 웨이퍼(W)의 위쪽 표면으로부터 일정한 거리만큼 이격된 위치로부터 구형으로 웨이퍼(W)의 아래쪽 표면으로부터 적당한 거리만큼 이격된 위치까지 연장될 수 있다. 전방 조명 밴드(11)는 웨이퍼(W) 가장자리로부터 일부분이 개방된 구형의 띠 형상이 되고 그리고 구형의 띠 형상의 반지름은 일정 지점(P)을 중심으로 웨이퍼 가장자리의 바깥쪽 방향 방향으로 연장된다. 전방 조명 밴드(11)는 다수 개의 전방 고정 수단(111)을 포함하고 그리고 전방 고정 수단(111)에 다수 개의 조명등(도시되지 않음)이 설치될 수 있다. 도 1에서 전방 고정 수단(111)은 전방 조명 밴드(11)의 표면을 관통하는 홀 형태로 도시되어 있지만 이에 제한되지 않고 조명등이 설치될 수 있는 임의의 형태가 될 수 있다. 또한 전방 고정 수단(111)은 전방 조명 밴드(11)의 구형의 연장 면을 따라 일정간격으로 배치되지만 이에 제한되는 것은 아니다. 조명등은 다수 개의 전방 고정 수단(111)에 모두 설치되거나 또는 일부에 설치될 수 있지만 바람직하게 적어도 웨이퍼(W)의 위쪽 표면을 향하는 방향, 웨이퍼(W)의 가장자리를 향하는 방향 및 웨이퍼(W)의 아래쪽 표면을 향하는 방향에 각각 하나 이상씩 설치될 수 있다. 바람직하게 각각의 조명등은 일정지점(P) 또는 다른 지점에 초점이 일치하도록 설치될 수 있지만 반드시 필요한 것은 아니다. 조명등은 이 분야에서 공지된 임의의 조명을 위한 수단이 될 수 있지만 바람직하게 LED(Light Emitting Diode) 조명등이 될 수 있다. The front illumination band 11 may extend from a position spaced a certain distance from the upper surface of the wafer W to a position spherically spaced from the lower surface of the wafer W by an appropriate distance. The front illumination band 11 becomes a spherical strip shape with a portion open from the edge of the wafer W and the radius of the spherical strip shape extends in the outward direction of the wafer edge about a certain point P. The front lighting band 11 includes a plurality of front fixing means 111 and a plurality of lamps (not shown) may be installed in the front fixing means 111. Although the front fixing means 111 is shown in the form of a hole penetrating the surface of the front lighting band 11 in FIG. 1, the front fixing means 111 may be any shape in which the lamp may be installed. In addition, the front fixing means 111 is disposed at regular intervals along the spherical extension surface of the front lighting band 11, but is not limited thereto. The lamps may be installed on all or some of the plurality of front fastening means 111 but preferably at least toward the top surface of the wafer W, towards the edge of the wafer W and of the wafer W. One or more may be installed in the direction toward the lower surface, respectively. Preferably each of the lamps may be installed to be in focus at a certain point P or another point, but is not necessary. The luminaire may be a means for any illumination known in the art, but may preferably be an LED (Light Emitting Diode) luminaire.

측면 조명 밴드(12a,12b)는 선택적으로 설치될 수 있고 그리고 전방 조명 밴 드(11)의 어느 한쪽에 설치될 수 있지만 바람직하게 양쪽 방향에 설치될 수 있다. 측면 조명 밴드(12a,12b)는 웨이퍼(W) 가장자리의 일정위치(P)에서 웨이퍼(W) 표면에 평행하면서 동시에 웨이퍼(W) 가장자리에 접선이 되는 방향으로 연장되는 반지름을 가지는 구형의 띠 형상이 될 수 있다. 이러한 형상을 가지는 측면 조명 밴드(12a,12b)는 웨이퍼(W)의 위쪽 표면의 연장 면으로부터 아래쪽 표면의 연장 면에 이르도록 일정한 폭을 가지면서 일부분이 개방된 구형으로 연장될 수 있다. 전방 조명 밴드(11)와 유사하게 측면 조명 밴드(12a,12b)에 다수 개의 측면 고정 수단(121)이 형성되고 그리고 측면 고정 수단(121)에 조명등(도시되지 않음)이 고정될 수 있다. 도 1b 및 도 1c에서 측면 고정 수단(121)은 관통 홀의 형태로 도시되어 있지만 측면 고정 수단(121)은 조명등을 고정할 수 있는 임의의 형상이 될 수 있고 그리고 조명등은 웨이퍼(W)의 가장자리 방향을 향하여 배치된다. 조명등은 임의의 조명 수단이 될 수 있지만 바람직하게 LED 조명등이 될 수 있다. 측면 조명 밴드(12a,12b)에 설치되는 조명등의 수는 제한되지 않지만 바람직하게 웨이퍼(W)의 위쪽 부분, 가장자리 부분 및 아래쪽 부분에 각각 적어도 하나씩 설치될 수 있다. 측면 조명 밴드(12a,12b)에 설치되는 조명등은 서로 초점이 일치하거나 또는 전방 조명 밴드(11)에 설치되는 조명등과 초점이 일치하도록 배치될 수 있지만 반드시 필요한 것은 아니다. The side lighting bands 12a, 12b may be installed selectively and may be installed on either side of the front lighting band 11, but preferably in both directions. The side illumination bands 12a and 12b have a spherical band shape having a radius parallel to the surface of the wafer W at a predetermined position P of the edge of the wafer W and extending in a direction tangential to the edge of the wafer W. This can be The side illumination bands 12a and 12b having such a shape may extend in a spherical shape having a predetermined width so as to extend from the extending surface of the upper surface of the wafer W to the extending surface of the lower surface. Similar to the front lighting band 11, a plurality of side fixing means 121 may be formed in the side lighting bands 12a and 12b and a lighting lamp (not shown) may be fixed to the side fixing means 121. In FIGS. 1B and 1C, the side fixing means 121 is shown in the form of a through hole, but the side fixing means 121 may be of any shape capable of fixing the lamp and the lamp is in the direction of the edge of the wafer W. FIG. It is arranged toward. The luminaire can be any luminaire, but can preferably be an LED luminaire. The number of the lamps provided in the side light bands 12a and 12b is not limited, but preferably at least one of the lamps may be provided at the upper portion, the edge portion and the lower portion of the wafer W, respectively. The lamps provided in the side lighting bands 12a and 12b may be arranged to be in focus with each other or to be in focus with the lamps installed in the front lighting band 11 but are not necessarily required.

측면 조명 밴드(12a,12b)의 한쪽 측면 또는 웨이퍼(W)와 면하는 두께 면에 회전 홈(122)이 형성될 수 있다. 검사 과정에서 웨이퍼(W)가 회전하면 원 형상부분(C)과 직선 형상 부분(L)이 모두 검사되어야 한다. 만약 카메라 또는 조명등의 초점이 구 형상 부분(C)을 기초로 설정되어 있다면 직선 형상 부분(L)의 검사가 어렵게 된다. 그러므로 필요에 따라 웨이퍼(W)의 이동이 필요하므로 웨이퍼(W)의 이동과정에서 측면 조명 밴드(12a,12b)와 웨이퍼(W)의 간섭을 방지하기 위하여 회전 홈(122)이 형성된다. 도 1b에서 회전 홈(122)이 한쪽 면이 개방된 형태로 도시되어 있지만 회전하는 웨이퍼(W)의 가장자리 면이 통과할 수 있는 임의의 형태가 될 수 있다. Rotating grooves 122 may be formed on one side of the side illumination bands 12a and 12b or on a thickness surface facing the wafer W. When the wafer W rotates in the inspection process, both the circular portion C and the linear portion L should be inspected. If the focus of the camera or the lamp is set based on the spherical portion C, the inspection of the straight portion L becomes difficult. Therefore, since the movement of the wafer W is required as necessary, the rotation groove 122 is formed to prevent interference between the side illumination bands 12a and 12b and the wafer W during the movement of the wafer W. In FIG. 1B, the rotation groove 122 is shown in an open shape on one side, but may be any shape through which the edge surface of the rotating wafer W can pass.

전방 조명 밴드(11)에 조명등이 설치되어 웨이퍼(W)의 가장자리를 조사하는 경우 반사되는 빛은 광학카메라(3)로 입사될 수 있어야 한다. 그러므로 전방 조명 밴드(11)는 광학카메라(13)가 웨이퍼(W)의 가장자리를 향하는 방향으로부터 약간 경사진 형태로 설치될 수 있다. 경사 정도는 웨이퍼(W)의 가장자리에서 반사된 빛이 광학카메라(12)에 입사할 수 있는 임의의 크기가 될 수 있다. 대안으로 전방 조명 밴드(11)에서 웨이퍼(W) 가장자리의 일정지점(P)과 광학카메라(13)를 잇는 직선에 위치하는 부분을 개방시킬 수 있다. When the illumination lamp is installed in the front illumination band 11 and irradiates the edge of the wafer W, the reflected light should be able to be incident on the optical camera 3. Therefore, the front illumination band 11 may be installed in the form slightly inclined from the direction in which the optical camera 13 faces the edge of the wafer (W). The degree of inclination may be any size at which light reflected from the edge of the wafer W can enter the optical camera 12. Alternatively, the front lighting band 11 may open a portion located at a straight line connecting the optical camera 13 with a certain point P of the edge of the wafer W.

위에서 전방 조명 밴드(11) 및 측면 조명 밴드(12a,12b)가 모두 구형의 띠 형상을 가지는 것으로 설명을 하였지만 다른 형태가 가능하다. 예를 들어 전방 조명 밴드(11) 및 측면 조명 밴드(12a,12b)는 구체 표면의 일부분과 같은 형상을 가지거나 또는 타원구체의 일부분과 같은 형상을 가질 수 있다. 아래에서 구체 표면의 일부분과 같은 형상을 가지는 실시 예에 대하여 설명한다. Although the front illumination band 11 and the side illumination bands 12a and 12b are both described as having a spherical band shape, other forms are possible. For example, the front illumination band 11 and the side illumination bands 12a, 12b may have the same shape as a portion of the sphere surface or may have the same shape as a portion of the ellipsoid. Hereinafter, an embodiment having the same shape as a part of the surface of the sphere will be described.

도 1d는 전방 조명 밴드(11) 또는 측면 조명 밴드(12a,12b)가 구체 표면의 일부분이 되는 실시 예의 기하학적 형태를 도시한 것이다. FIG. 1D illustrates the geometry of the embodiment where the front illumination band 11 or side illumination bands 12a, 12b are part of the sphere surface.

도 1d를 참조하면, 웨이퍼(W)의 가장자리에서 일정지점(P)이 결정된다. 일정지점(P)은 가상의 점으로 웨이퍼(W) 가장자리에 위치하는 임의의 점이 될 수 있지만 검사과정에서 웨이퍼(W)가 회전하는 경우라 할지라도 일정지점(P)은 고정된 위치에 있다. 일정지점(P)이 결정되면 광학카메라(13)의 위치(LC)가 결정될 수 있다. 일정지점(P) 및 광학카메라 위치(LC)는 일직선(PL)이 되고 일정지점(P)이 중심이 되고 그리고 일직선(PL)의 길이보다 작은 반지름(r)을 가지는 구를 가정할 수 있다. 도 1d에 표시된 원(CR)은 반지름(r)을 가진 구에 포함되는 웨이퍼(W)와 평행한 대원을 표시한 것이다. 이와 같은 구 또는 원(CR)이 결정되면 전방 조명 밴드(11) 및 측면 조명 밴드(12a,12b)의 위치가 결정될 수 있다. 먼저 전방 조명 밴드(11)는 일정지점(P)과 광학카메라 위치(LC)를 잇는 직선 위의 전방 위치(F)를 기준으로 웨이퍼(W)의 위쪽 및 아래쪽 면으로 구면을 따라 연장된다. 그러나 실질적으로 전방 조명 밴드(11)에 설치된 조명등에 의하여 반사된 빛이 광학카메라(13)로 입사할 수 있도록 실제 전방 위치(F1)를 기준으로 웨이퍼(W)의 위쪽 및 아래쪽 면으로 구면을 따라 연장된다. Referring to FIG. 1D, a predetermined point P is determined at the edge of the wafer W. As shown in FIG. The predetermined point P may be an arbitrary point located at the edge of the wafer W as a virtual point, but the fixed point P may be at a fixed position even when the wafer W is rotated during the inspection process. When the predetermined point P is determined, the position LC of the optical camera 13 may be determined. It can be assumed that the constant point P and the optical camera position LC become a straight line PL, the constant point P is the center, and has a radius r smaller than the length of the straight line PL. Circle CR shown in FIG. 1D represents a circle parallel to the wafer W included in a sphere having a radius r. When such a sphere or circle CR is determined, the positions of the front illumination band 11 and the side illumination bands 12a and 12b may be determined. First, the front illumination band 11 extends along the sphere to the upper and lower surfaces of the wafer W with respect to the front position F on a straight line connecting the predetermined point P and the optical camera position LC. However, substantially the light reflected by the lamps installed in the front illumination band 11 can be incident on the optical camera 13 along the sphere to the upper and lower surfaces of the wafer W relative to the actual front position F1. Is extended.

측면 조명 밴드(12a,12b)는 각각 제1 측면 위치(S1) 및 제2 측면 위치(S2)를 기준으로 웨이퍼(W)의 위쪽 및 아래쪽 면으로 구면으로 따라 연장될 수 있다. 제1 측면 위치(S1) 및 제2 측면 위치(S2)는 일정지점(P)을 기준으로 대칭이 될 필요가 없고 임의의 적절한 위치가 선정될 수 있다. The side illumination bands 12a and 12b may extend spherically to the upper and lower surfaces of the wafer W based on the first side position S1 and the second side position S2, respectively. The first side position S1 and the second side position S2 do not need to be symmetrical with respect to a certain point P, and any suitable position can be selected.

전방 조명 밴드(11) 및 측면 조명 밴드(12a,12b)가 타원구체 면 또는 포물체 면을 따라 연장되는 경우에도 위에서 설명한 것과 유사한 방법으로 각각의 기준 위 치가 결정될 수 있다. Even when the front illumination band 11 and the side illumination bands 12a and 12b extend along the ellipsoidal or parabolic surface, each reference position can be determined in a similar manner as described above.

도 1b에 제시된 실시 예에서, 전방 조명 밴드(11) 및 측면 조명 밴드(12a,12b)에 각각 하나의 열 형태 및 다섯 개의 열 형태의 전방 고정 수단(111) 및 측면 고정 수단(121)이 도시되어 있지만 각각의 열 형태는 임의의 수로 제한될 수 있다. 전방 고정 수단(111) 또는 측면 고정 수단(121)은 조명등을 교체 가능한 형태로 고정할 수 있다. 이와 같은 교체 가능한 구조를 위하여 예를 들어 각각의 전방 고정 수단(111) 또는 측면 고정 수단(121)에 조명등을 고정하는 소켓이 설치될 수 있다.In the embodiment shown in FIG. 1B, the front fixing means 11 and the side fixing bands 12a and 12b are shown in the form of one row and five rows of front fastening means 111 and side fastening means 121, respectively. However, each column type can be limited to any number. The front fixing means 111 or the side fixing means 121 may fix the lamp in a replaceable form. For this replaceable structure, for example, a socket for fixing a lamp to each front fixing means 111 or side fixing means 121 may be installed.

광학카메라(13)는 전방 조명 밴드(11) 또는 측면 조명 밴드(12a,12b)에 설치된 조명등으로 인한 웨이퍼(W) 가장자리 면의 반사광을 집광할 수 있도록 설치될 수 있다. 광학카메라(13)는 예를 들어 웨이퍼(W) 가장자리의 일정 면을 향하도록 전방 조명 밴드(11)의 바깥쪽에 설치될 수 있다. 광학카메라(13)는 이 분야에서 공지된 임의의 형태가 될 수 있다. The optical camera 13 may be installed to collect the reflected light of the edge surface of the wafer W due to the illumination lamps installed in the front illumination band 11 or the side illumination bands 12a and 12b. The optical camera 13 may be installed outside of the front illumination band 11, for example, to face a certain surface of the wafer W edge. The optical camera 13 may be in any form known in the art.

전방조명 밴드(11)와 측면 조명 밴드(12)의 물리적 원리는 다음과 같다.The physical principle of the front lighting band 11 and the side lighting band 12 is as follows.

웨이퍼 가장자리에 전방 조명 밴드(11)로부터 조명되어 형성된 카메라 영상은 흰색바탕에 크랙 또는 칩핑이 있는 위치는 검게 보이는 것이 특징인데 이것이 밝은 영역(bright field) 방식이다. The camera image, which is formed by illuminating from the front illumination band 11 at the wafer edge, is characterized by a black background where cracks or chippings appear, which is a bright field method.

웨이퍼 가장자리에 측면 조명 밴드(12)로부터 조명되어 형성된 카메라 영상은 검정색 바탕에 크렉 또는 칩핑이 있는 위치는 희게 보이는 것이 특징인데 이것이 어두운 영역(dark field) 방식이다. 위 두 가지 조명 방식의 공통점인 원형 (circle type) 또는 구형 (sphere type)의 형태는 모든 방향의 빛이 원점에 초점이 형성되기 때문에 웨이퍼 가장자리 면이 반원(semicircle) 임을 가정할 때 반구 면에서 반사된 빛은 균일하게 카메라에 도달되어 웨이퍼 반구 면을 모두 하나의 카메라로 관찰할 수 있는 가능성을 준다. 또한 조명의 가장 밝은 영역을 검사하는데 사용되기 때문에 최대의 효율을 가져올 수 있으며 조명을 만드는데 낮은 전력과 저렴하다는 생산성의 이점을 갖게 한다. 또한 이와 같은 두 가지 조명 방법을 적절하게 사용하면 가장자리 결함을 보다 정밀하게 측정할 수 있다. The camera image formed by illuminating the side illumination band 12 at the edge of the wafer is characterized by the appearance of cracks or chipping on a black background, which is white, which is a dark field method. The circle or sphere type, which is common to the two lighting methods, reflects from the hemispherical surface assuming that the wafer edge is semicircle because light in all directions is focused on the origin. The light evenly reaches the camera, giving the possibility of viewing the wafer hemisphere face with one camera. It is also used to inspect the brightest areas of lighting, resulting in maximum efficiency and the productivity benefits of low power and low cost to create lighting. Appropriate use of these two lighting methods can also measure edge defects more precisely.

웨이퍼(W)의 아래쪽 면에 설치되는 적외선 조명 장치(14)로부터 나온 광은 웨이퍼(W)의 표면을 투과하여 적외선 카메라(15)로 입사된다. 적외선 조명 장치(14) 및 적외선 카메라(14)는 웨이퍼(W) 표면의 결점뿐만 아니라 웨이퍼 표면의 보기 힘든 내부 크랙 결함을 검사가 가능하다. 적외선 조명 장치(14) 또는 적외선 카메라(15)는 웨이퍼(W) 표면을 검사할 수 있는 임의의 위치에 설치될 수 있다. Light emitted from the infrared illuminating device 14 provided on the lower surface of the wafer W passes through the surface of the wafer W and enters the infrared camera 15. The infrared illuminating device 14 and the infrared camera 14 can inspect not only defects on the surface of the wafer W, but also difficult internal crack defects on the wafer surface. The infrared illuminating device 14 or the infrared camera 15 may be installed at any position capable of inspecting the wafer W surface.

적외선 조명 장치(14) 또는 적외선 카메라(15)는 이 분야에서 공지된 임의의 장치가 될 수 있고 그리고 웨이퍼(W)의 물리적 성질을 고려하여 적외선의 파장 범위가 결정될 수 있다.The infrared illuminating device 14 or the infrared camera 15 can be any device known in the art and the wavelength range of the infrared can be determined in consideration of the physical properties of the wafer W.

아래에서 위와 같은 검사 장치(10)에 의하여 웨이퍼(W)의 결함을 검사하는 과정에 대하여 설명한다. Hereinafter, a process of inspecting a defect of the wafer W by the inspection apparatus 10 as described above will be described.

도 2는 본 발명에 따른 검사 장치(10)에 의하여 웨이퍼의 결함을 검사하는 과정을 도시한 것이다. 2 illustrates a process of inspecting a defect of a wafer by the inspection apparatus 10 according to the present invention.

도 2를 참조하면, 웨이퍼(W)는 상하로 이동할 수 있는 척(31)에 설치된 회전 테이블(32)에 고정될 수 있다. 검사를 위하여 전방 조명 밴드(11)의 위치가 결정되고 또는 측면 조명 밴드의 위치가 결정된다. 그리고 전방 조명 밴드(11) 또는 측면 조명 밴드에 고정된 조명등의 웨이퍼(W) 가장자리 면에 반사된 빛을 집광할 수 있는 위치에 광학카메라(13)가 설치된다. 적외선 조명 장치(14) 및 적외선 카메라(15)는 전방 조명 밴드(11)가 설치된 위치 또는 다른 위치에 설치될 수 있다. 광학카메라(13) 또는 적외선 카메라(15)는 비디오 캡쳐 카드(33)에 연결된다. 비디오 캡쳐 카드(33)에서 획득된 이미지는 제어장치(34)로 전송되고 그리고 제어장치(34)는 전송된 이미지를 처리하여 디스플레이 장치에 표시할 수 있다. 비디오 캡쳐 카드(33)는 예를 들어 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환할 수 있는 장치가 될 수 있고 그리고 제어장치(34)는 퍼스널 컴퓨터가 될 수 있다. Referring to FIG. 2, the wafer W may be fixed to the rotary table 32 installed in the chuck 31 which may move up and down. For inspection the position of the front illumination band 11 is determined or the position of the side illumination band is determined. The optical camera 13 is installed at a position capable of collecting light reflected on the edge surface of the wafer W such as a lamp fixed to the front illumination band 11 or the side illumination band. The infrared illuminating device 14 and the infrared camera 15 may be installed at a position where the front lighting band 11 is installed or at another position. The optical camera 13 or infrared camera 15 is connected to a video capture card 33. The image obtained from the video capture card 33 is transmitted to the control device 34 and the control device 34 may process the displayed image and display it on the display device. The video capture card 33 may be a device capable of converting, for example, an analog signal into a digital signal, and the controller 34 may be a personal computer.

웨이퍼(W) 결함의 검사를 위하여 회전테이블(32)이 회전하면서 웨이퍼(W)의 가장자리 부분이 전방 조명 밴드(11) 또는 측면 조명 밴드(11)가 설치된 위치를 통과하게 된다. 전방 조면 밴드(11) 또는 측면 조명 밴드(11)에 설치된 조명등은 일정 위치에 초점에 맞춰지고 그리고 회전하는 웨이퍼(W)의 가장자리 면을 조명하게 된다. 그리고 웨이퍼(W)의 가장자리 면으로부터 반사된 빛은 광학카메라(13)에 집광되어 상을 형성하게 된다. 만약 웨이퍼(W)의 가장자리에 크랙과 같은 결점이 발생한 부분이 있다면 해당부분에서 난반사가 일어나게 되어 표면에서 반사된 빛은 광학카메라(13)에 맺힌다. 그러므로 결점이 있는 부분은 조명 방식의 선택에 따라 어두운 형상으로 나타나기도 하며 밝게 나타나기도 한다. 다양한 위치에 배치된 조명등으로 인하여 웨이퍼 가장자리에 균일하게 비추게 되며 모든 결점들이 광학카메 라(13)에 의하여 탐지될 수 있다. 광학카메라는 웨이퍼의 회전과 초점식 조명과 연관되어 라인스켄(line scan) 카메라가 사용될 수 있다. As the rotary table 32 rotates to inspect the defect of the wafer W, the edge portion of the wafer W passes through the position where the front illumination band 11 or the side illumination band 11 is installed. Illuminations installed on the front rough band 11 or side illumination band 11 will illuminate the edge surface of the wafer W that is focused and rotated at a certain position. Light reflected from the edge surface of the wafer W is collected by the optical camera 13 to form an image. If a defect such as a crack occurs at the edge of the wafer W, diffuse reflection occurs at the corresponding portion, and the light reflected from the surface is formed on the optical camera 13. Therefore, the defective part may appear dark or bright depending on the lighting method selected. Illuminations placed at various positions uniformly illuminate the wafer edge and all defects can be detected by the optical camera 13. Optical cameras can be used with line scan cameras in conjunction with wafer rotation and focused illumination.

다른 한편으로 적외선 조명 장치(14)로부터 나온 적외선은 웨이퍼(W) 표면에 수직으로 입사하여 웨이퍼(W) 표면을 투과하여 적외선 카메라(15)로 입사하게 된다. 만약 웨이퍼(W)의 표면 또는 내부에 결함이 발생한 부분이 있다면 해당부분에서 적외선의 투과율이 달라지고 그리고 적외선 카메라(15)에 의하여 탐지된다. 적외선 카메라의 종류 중에서 좁은 표면 영역에서는 면스켄(area scan) 카메라가, 넓은 표면 영역에서는 라인스켄 카메라가 적합하다. On the other hand, the infrared rays emitted from the infrared illuminating device 14 are incident perpendicularly to the surface of the wafer W to penetrate the surface of the wafer W and enter the infrared camera 15. If there is a portion where a defect occurs on the surface or inside of the wafer W, the transmittance of the infrared rays is changed at that portion and detected by the infrared camera 15. Among scan types of infrared cameras, an area scan camera is suitable for a narrow surface area and a line scan camera for a wide surface area.

광학카메라(13)와 적외선카메라(15)의 적절한 조합은 웨이퍼 표면과 표면내부의 결함을 더욱 선명하게 영상화 시킬 수 있다. Appropriate combinations of the optical camera 13 and the infrared camera 15 can more clearly image the defects on the wafer surface and within the surface.

광학카메라(13) 및 적외선카메라(15)에서 얻어진 상은 비디오 캡처 카드(33)로 전송되고 그리고 비디오 캡처 카드(33)는 전송된 상을 처리 가능한 이미지 신호로 변환하여 제어 장치(34)로 전송하게 된다. 제어장치(34)는 전송된 이미지 신호를 처리하여 디스플레이 장치에 표시할 수 있다. The images obtained from the optical camera 13 and the infrared camera 15 are transmitted to the video capture card 33 and the video capture card 33 converts the transmitted images into processable image signals for transmission to the control device 34. do. The controller 34 may process the transmitted image signal and display it on the display device.

전방 조명 밴드(11) 또는 측면 조명 밴드는 교체 가능하고 그리고 조명등은 다양한 형태의 광원이 될 수 있다. 그러므로 웨이퍼의 물리적 또는 화학적 성질에 따라 전방 조명 밴드(11) 또는 측면 조명 밴드에 고정되는 조명등의 위치, 수 또는 광원이 다양하게 선택될 수 있다. 그러므로 본 발명에 따른 검사 장치는 웨이퍼(W)의 종류에 관계없이 가장자리 및 표면에 발생할 수 있는 모든 결함을 탐지할 수 있다. The front lighting band 11 or the side lighting band is replaceable and the lighting can be various types of light sources. Therefore, according to the physical or chemical properties of the wafer, the position, number or light source of the lamps fixed to the front illumination band 11 or the side illumination band can be variously selected. Therefore, the inspection apparatus according to the present invention can detect all defects that may occur on the edges and surfaces regardless of the type of the wafer W.

위에서 본 발명은 실시 예를 이용하여 상세하게 설명이 되었다. 실시 예는 예시적인 것으로 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않고 실시 예에 대한 다양한 변형 및 수정 발명을 만들 수 있지만 이러한 변형 및 수정 발명에 의하여 본 발명의 범위는 제한되지 않고 다만 아래에 첨부된 청구범위에 의해서만 제한된다. The present invention has been described above in detail by using an embodiment. The embodiments are exemplary and can be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention. But is limited only by the claims appended hereto.

도 1a 내지 도 1c는 웨이퍼(W) 가장자리 면에 조사된 광이 반사되는 형태, 본 발명에 따른 검사 장치의 실시 예에 대한 사시도 및 정면도를 각각 도시한 것이다. 1A to 1C illustrate a perspective view and a front view of an embodiment of an inspection apparatus according to the present invention, in which light irradiated onto an edge surface of a wafer W is reflected.

도 1d는 전방 조명 밴드 또는 측면 조명 밴드가 구체 표면의 일부분이 되는 실시 예의 기하학적 형태를 도시한 것이다. FIG. 1D illustrates the geometry of an embodiment where the front illumination band or side illumination band is part of the sphere surface.

도 2는 본 발명에 따른 검사 장치에 의하여 웨이퍼의 결함을 검사하는 과정을 도시한 것이다. 2 illustrates a process of inspecting a defect of a wafer by an inspection apparatus according to the present invention.

도 3은 공지의 검사 장치를 도시한 것이다. 3 shows a known inspection apparatus.

Claims (5)

웨이퍼 결함의 검사 장치에 있어서, In the wafer defect inspection apparatus, 웨이퍼 가장자리의 일정지점을 중심으로 상하 방향으로 연장되는 구형 띠 형상의 전방 조명 밴드; A spherical strip-shaped front illumination band extending in a vertical direction about a certain point of the wafer edge; 전방 조명 밴드의 구형 띠 면을 따라 형성된 다수 개의 전방 고정 수단; 다수 개의 전방 고정 수단에 고정되는 조명등; 및 A plurality of front fastening means formed along the spherical strip surface of the front lighting band; Lamps fixed to a plurality of front fixing means; And 웨이퍼 가장자리의 일정한 지점을 향하여 배치된 광학 카메라를 포함하는 웨이퍼 결함의 검사 장치. An apparatus for inspecting wafer defects comprising an optical camera disposed facing a fixed point of the wafer edge. 웨이퍼 결함 검사 장치에 있어서,In the wafer defect inspection apparatus, 웨이퍼 가장자리의 일정 지점을 중심으로 상하 방향으로 연장되는 구형 띠 형상의 1개 이상의 측면 조명 밴드; At least one side illumination band having a spherical band shape extending in a vertical direction about a predetermined point of the wafer edge; 측면 조명 밴드의 구형 띠 면을 따라 형성된 다수 개의 측면 고정 수단; A plurality of side fixing means formed along the spherical stripe surface of the side lighting band; 다수 개의 측면 고정 수단에 고정되는 조명등; 및 Lamps fixed to a plurality of side fixing means; And 웨이퍼 가장자리의 일정한 지점을 향하여 배치된 광학 카메라를 포함하는 웨이퍼 결함의 검사 장치. An apparatus for inspecting wafer defects comprising an optical camera disposed facing a fixed point of the wafer edge. 청구항 1 또는 2에 있어서, 웨이퍼의 아래쪽에 설치되는 적외선 조명장치 및 적외선 조명장치와 대향되는 웨이퍼의 위쪽에 설치되는 적외선 카메라를 더 포함하 는 웨이퍼 결함 검사 장치. The wafer defect inspection apparatus according to claim 1 or 2, further comprising an infrared illuminating device provided below the wafer and an infrared camera provided above the wafer facing the infrared illuminating device. 웨이퍼 결함의 검사 방법에 있어서,In the wafer defect inspection method, 웨이퍼 가장자리의 일정지점을 중심으로 상하 방향으로 연장되는 구를 따라 배치된 다수개의 조명등으로부터 웨이퍼 가장자리의 이미지를 얻는 단계; Obtaining an image of the wafer edge from a plurality of lamps disposed along a sphere extending in a vertical direction about a certain point of the wafer edge; 웨이퍼를 투과하는 적외선으로부터 웨이퍼 표면 및 내부의 이미지를 얻는 단계; 및 Obtaining an image of the wafer surface and the interior from infrared light passing through the wafer; And 웨이퍼 가장자리의 이미지 및 웨이퍼 표면의 이미지로부터 웨이퍼의 결함을 탐지하는 단계를 포함하는 웨이퍼 결함의 검사방법.Detecting defects in the wafer from the image of the wafer edge and the image of the wafer surface. 청구항 4에 있어서, 구를 따라 배치된 다수 개의 조명등은 초점이 서로 일치하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 결함의 검사 방법.The method of claim 4, wherein the plurality of lamps disposed along the sphere are in focus.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101453638B1 (en) * 2011-03-30 2014-10-22 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 Substrate inspection device and substrate inspection method
KR20200026708A (en) * 2018-08-30 2020-03-11 엠아이 이큅먼트 (엠) 에스디엔. 비에이치디. An apparatus for infrared inspection of an electronic component and method thereof
KR20210092001A (en) 2020-01-15 2021-07-23 주식회사 커미조아 Apparatus and Method for Detecting of Awafer Edge
US11828713B1 (en) 2022-06-30 2023-11-28 Camtek Ltd Semiconductor inspection tool system and method for wafer edge inspection

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102161160B1 (en) 2013-10-31 2020-09-29 삼성전자주식회사 Method of inspecting a surface of a substrate and apparatus for performing the same

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000046743A (en) 1998-07-24 2000-02-18 Kobe Steel Ltd Defect-inspecting device
KR100460807B1 (en) 2002-07-08 2004-12-09 삼성전자주식회사 wafer shape inspection equipment of semiconductor devise manufacturing equipment, cleaning equipment the using and inspection method there of
JP4878907B2 (en) 2006-05-08 2012-02-15 三菱電機株式会社 Image inspection apparatus and image inspection method using the image inspection apparatus

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101453638B1 (en) * 2011-03-30 2014-10-22 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 Substrate inspection device and substrate inspection method
US9064922B2 (en) 2011-03-30 2015-06-23 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate inspection apparatus and substrate inspection method
KR20200026708A (en) * 2018-08-30 2020-03-11 엠아이 이큅먼트 (엠) 에스디엔. 비에이치디. An apparatus for infrared inspection of an electronic component and method thereof
KR20210092001A (en) 2020-01-15 2021-07-23 주식회사 커미조아 Apparatus and Method for Detecting of Awafer Edge
US11828713B1 (en) 2022-06-30 2023-11-28 Camtek Ltd Semiconductor inspection tool system and method for wafer edge inspection

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