KR20090012471A - Method for processing a substrate - Google Patents

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KR20090012471A KR1020070076319A KR20070076319A KR20090012471A KR 20090012471 A KR20090012471 A KR 20090012471A KR 1020070076319 A KR1020070076319 A KR 1020070076319A KR 20070076319 A KR20070076319 A KR 20070076319A KR 20090012471 A KR20090012471 A KR 20090012471A
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박춘희
김희석
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세메스 주식회사
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Abstract

Method for treating substrates are provided to uniformly perform the etching process on the semiconductor substrate by controlling the amount of the drug solution sprayed on the front side of the semiconductor substrate. A method for treating substrates comprises the step for rotating the substrate(S100); the step for positioning a nozzle on the center of substrate(S110); the step for supplying the drug solution while moving the nozzle at the first speed(S120); the step for supplying the drug solution while moving the nozzle at the second speed(S130); the step for supplying the drug solution while moving the nozzle at the third speed(S140).

Description

기판 처리 방법{Method for processing a substrate}Method for processing a substrate

본 발명은 기판을 처리하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 가공을 위한 약액을 공급하는 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for processing a substrate, and more particularly, to a substrate processing method for supplying a chemical liquid for processing a substrate.

일반적으로 반도체 장치는 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 기판 상에 전기 소자들을 포함하는 전기적인 회로 패턴을 형성하기 위한 여러 공정을 통해 제조된다. 상기 반도체 제조 공정으로는 상기 기판 상에 막을 형성하는 도포 또는 증착 공정, 상기 기판 상에 형성된 막을 제거하는 식각 공정 및 상기 기판을 세정하기 위한 세정 공정 등을 포함한다BACKGROUND In general, semiconductor devices are manufactured through various processes to form electrical circuit patterns including electrical elements on semiconductor substrates such as silicon wafers. The semiconductor manufacturing process includes an application or deposition process for forming a film on the substrate, an etching process for removing the film formed on the substrate, a cleaning process for cleaning the substrate, and the like.

상기 여러 공정들 중 식각 공정(혹은 세정 공정)을 수행하는 장치는 상기 기판이 놓여지고, 공정이 진행됨에 따라 상기 기판을 회전시키는 지지부와, 상기 지지부에 놓여진 기판으로 상기 기판 상에 형성된 막을 식각하기 위한 약액(혹은 기판을 세정하기 위한 세정액)을 공급하는 노즐을 포함하다.Among the various processes, an apparatus for performing an etching process (or a cleaning process) includes etching a film formed on the substrate by a support part for rotating the substrate as the substrate is placed, and a substrate placed on the support part. And a nozzle for supplying a chemical liquid (or a cleaning liquid for cleaning the substrate).

이러한 장치에 의한 기판 처리 방법은 상기 노즐의 이동을 통해 상기 기판 전면에 대한 약액의 공급으로 수행된다.The substrate processing method by such an apparatus is performed by supplying a chemical liquid to the entire surface of the substrate through the movement of the nozzle.

도 1은 종래 기판 처리 방법에 따른 노즐이 이동 속도를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a moving speed of a nozzle according to a conventional substrate processing method.

도 1을 참조하면, 종래 기판 처리 방법은 상기 노즐이 상기 지지부에 놓여져 회전하는 상기 기판의 중심으로부터 가장자리로 이동하면서 상기 기판으로 약액을 공급하다.Referring to FIG. 1, the conventional substrate processing method supplies the chemical liquid to the substrate while the nozzle is placed on the support and moved from the center of the rotating substrate to the edge.

하지만, 종래의 기판 처리 방법의 경우 상기 노즐이 상기 기판의 중심으로부터 가장자리로 이동하면서 상기 약액을 공급할 때, 동일한 속도로 이동함으로써, 상기 기판의 가장자리로 갈수록 표면적당 공급되는 상기 약액량이 감소된다. 즉, 상기 기판의 가장자리로 갈수록 기판의 표면적이 넓어짐에 따라서 공급되는 약액량이 감소하여 기판에 대한 식각(혹은 세정) 균일성이 저하되는 문제점이 있다.However, in the conventional substrate processing method, when the nozzle supplies the chemical liquid while moving from the center of the substrate to the edge, the nozzle moves at the same speed, thereby reducing the amount of the chemical liquid supplied per surface area toward the edge of the substrate. That is, as the surface area of the substrate increases toward the edge of the substrate, the amount of the chemical liquid supplied decreases, thereby decreasing the uniformity of etching (or cleaning) of the substrate.

본 발명의 실시예들을 통해 해결하고자 하는 기술적 제는 기판의 균일한 처리(식각 혹은 세정)를 위하여 기판의 전면에 약액을 균일하게 공급하기 위한 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.The technical problem to be solved through embodiments of the present invention is to provide a substrate processing method for uniformly supplying a chemical liquid to the entire surface of the substrate for uniform processing (etching or cleaning) of the substrate.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 기판을 회전시킨다. 상기 기판의 중심 부위로 노즐을 위치시킨다. 상기 기판의 중심 부위로부터 상기 기판의 중심 부위를 벗어난 제1 부위까지 상기 노즐을 제1 속도로 이동시키면서 상기 기판으로 약액을 공급한다. 상기 제1 부위로부터 상기 제1 부위의 외곽으로 더 벗어난 제2 부위까지 상기 노즐을 상기 제1 속도보다 느린 제2 속도로 이동시키면서 상기 기판으로 약액을 공급한다.In order to achieve the object of the present invention, the substrate processing method according to the present invention rotates the substrate. The nozzle is positioned at the center of the substrate. The chemical liquid is supplied to the substrate while moving the nozzle at a first speed from the center portion of the substrate to the first portion outside the center portion of the substrate. The chemical liquid is supplied to the substrate while moving the nozzle at a second speed slower than the first speed from the first part to a second part which is further out of the first part.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 부위로부터 상기 제2 부위의 외곽으로 더 벗어난 제3 부위까지 상기 노즐을 상기 제2 속도보다 느린 제3 속도로 이동시키면서 상기 기판으로 약액을 공급할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the chemical liquid may be supplied to the substrate while moving the nozzle at a third speed slower than the second speed from the second part to a third part further deviated from the outside of the second part. .

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 노즐을 상기 중심 부위로부터 상기 제1 부위로 이동시킬 때, 상기 제1 부위에서 상기 노즐을 일정 시간 정지시킬 수 있고, 상기 노즐을 상기 제1 부위로부터 상기 제2 부위로 이동시킬 때, 상기 제2 부위에서 상기 노즐을 일정 시간 정지시킬 수 있다.According to another embodiment of the present invention, when the nozzle is moved from the center portion to the first portion, the nozzle may be stopped for a predetermined time at the first portion, and the nozzle may be removed from the first portion. When moving to two sites, the nozzle may be stopped for a predetermined time at the second site.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 노즐을 상기 기판의 가장자리 부위까지 이동시키면서 상기 기판으로 약액의 공급을 완료하면, 상기 제1 속도보다 빠른 속도로 상기 노즐을 상기 기판의 중심부위로 이동시킬 수 있으며, 상기 노즐 을 상기 기판의 중심부위로 이동시킨 후, 상기 기판으로 약액을 공급하는 단계를 반복 수행할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, when the supply of the chemical liquid to the substrate is completed while moving the nozzle to the edge portion of the substrate, the nozzle can be moved above the center of the substrate at a speed faster than the first speed And, after moving the nozzle to the center of the substrate, the step of supplying the chemical liquid to the substrate may be repeated.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 노즐은 상기 노즐을 구동하기 위한 구동축을 기준으로 회전 이동할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the nozzle may be rotated relative to a drive shaft for driving the nozzle.

이와 같이 구성된 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 기판으로 약액을 분사하는 노즐의 이동 속도를 기판의 중심 부위로부터 가장자리 부위로 갈수록 단계적으로 감속시킴으로써, 기판으로 공급되는 약액량의 균일성을 개선하여 상기 약액에 의한 상기 기판의 식각(혹은 세정) 균일성을 향상시킨다.In the substrate processing method according to the present invention configured as described above, the moving speed of the nozzle for injecting the chemical liquid into the substrate is gradually decreased from the center portion of the substrate to the edge portion, thereby improving the uniformity of the amount of the chemical liquid supplied to the substrate. Improves the etching (or cleaning) uniformity of the substrate.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법에 에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.Hereinafter, a substrate processing method according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing the drawings, similar reference numerals are used for similar elements. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are shown in an enlarged scale than actual for clarity of the invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나 의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described on the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 개략적인 도면이고, 도 3은 도 2에 도시된 노즐의 이동 경로를 나타내는 개략적인 도면이다.FIG. 2 is a schematic view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a schematic view showing a movement path of the nozzle shown in FIG. 2.

도 2 및 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치는 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 기판(W)으로 상기 기판(W) 상에 형성된 막을 식각하기 위한 약액을 공급하여 상기 기판(W)에 대한 식각 공정을 수행하기 위하여 사용될 수 있다.2 and 3, the substrate processing apparatus performs an etching process on the substrate W by supplying a chemical liquid for etching a film formed on the substrate W to a semiconductor substrate W such as a silicon wafer. Can be used to

상기 기판 처리 장치는 처리 용기(100), 기판 지지부(200), 노즐(300) 및 노즐 구동부(400)를 포함하여 이루어진다.The substrate processing apparatus includes a processing container 100, a substrate support 200, a nozzle 300, and a nozzle driver 400.

상기 처리 용기(100)는 상부 방향으로 개구된 통 형상을 갖고, 내측에 상호 적층되도록 다수의 약액 회수 챔버(110)가 배치된다. 상기 약액 회수 챔버(110) 각각은 원형의 링 구조로 상기 처리 용기(100)의 중심부를 향해서 개방된 형상을 갖는다. 통상 상기 약액 회수 챔버(110)는 각각 형성되어 상기 처리 용기(100) 내에 적층된다. 또한, 도시하진 않았지만, 상기 약액 회수 챔버(110) 각각의 외측벽(혹은 바닥벽)에는 상기 약액 회수 챔버(110)로 유입되는 약액을 회수하는 회수유로가 연결된다. 한편, 상기 처리 용기(100)에 형성되는 상기 약액 회수 챔버(110)의 수는 3개로 한정되지 않고 다양하게 변경하여 적용할 수 있다.The processing container 100 has a cylindrical shape opened in an upward direction, and a plurality of chemical liquid recovery chambers 110 are disposed to be stacked on the inside. Each of the chemical liquid recovery chambers 110 has a circular ring structure and has an open shape toward the center of the processing container 100. Typically, the chemical liquid recovery chambers 110 are each formed and stacked in the processing container 100. In addition, although not shown, a recovery passage for recovering the chemical liquid introduced into the chemical liquid recovery chamber 110 is connected to the outer wall (or bottom wall) of each of the chemical liquid recovery chamber 110. On the other hand, the number of the chemical liquid recovery chamber 110 formed in the processing container 100 is not limited to three can be variously applied.

상기 기판 지지부(200)는 원판 구조를 갖고, 상기 처리 용기(100) 내에 배치된다. 상기 기판 지지부(200)에는 상기 기판(W)을 놓여져 지지되며, 공정 진행 중 상기 기판(W)을 회전시킨다. 이를 위해, 상기 기판 지지부(200)의 하부에는 상기 기판 지지부(200)를 상하 이동 및 회전시키는 구동축(210)이 연결된다. 상기 구동축(210)은 상기 기판 지지부(200)를 회전시킴과 아울러 공정에 사용되고 있는 약액에 따라서 상기 기판 지지부(200)의 높이를 조절한다. 즉, 사용되는 약액에 따라서 상기 기판 지지부(200)를 대응하는 상기 약액 회수 챔버(110)에 대응되는 높이로 이동시킨다.The substrate support 200 has a disc structure and is disposed in the processing container 100. The substrate W is placed on and supported by the substrate support part 200, and the substrate W is rotated during the process. To this end, a drive shaft 210 for vertically moving and rotating the substrate support 200 is connected to a lower portion of the substrate support 200. The drive shaft 210 rotates the substrate support 200 and adjusts the height of the substrate support 200 according to the chemical liquid used in the process. That is, the substrate support 200 is moved to a height corresponding to the corresponding chemical liquid recovery chamber 110 according to the chemical liquid used.

상기 노즐(300)은 상기 노즐 구동부(400)에 연결되고, 상기 기판 지지 부(200)에 놓여진 기판(W)으로 상기 기판(W) 상에 형성된 막을 제거(예컨대 식각)하기 위한 약액을 공급한다. 상기 노즐(300)은 도 2에 도시된 바와 같이 상기 기판(W)의 중심 부위로부터 가장자리 부위로 이동하면서 상기 기판(W)으로 약액을 공급하며, 경우에 따라서 상기 기판(W)의 중심 부위로부터 가장자리 부위로 이동하면서 상기 기판(W)으로 약액을 공급하는 동작을 수회 반복할 수 있다. 여기서, 상기 노즐(300)은 일측 가장자리 부위로부터 상기 기판(W)의 중심 부위를 지나 타측 가장자리 부위로 이동하면서 상기 기판(W)으로 약액을 공급할 수도 있다.The nozzle 300 is connected to the nozzle driver 400 and supplies a chemical liquid for removing (for example, etching) a film formed on the substrate W to the substrate W placed on the substrate support 200. . The nozzle 300 supplies the chemical liquid to the substrate W while moving from the center portion of the substrate W to the edge portion as shown in FIG. 2, and optionally from the center portion of the substrate W. The operation of supplying the chemical liquid to the substrate W while moving to the edge portion can be repeated several times. Here, the nozzle 300 may supply the chemical liquid to the substrate W while moving from one edge portion to the other edge portion through the center portion of the substrate W.

상기 노즐 구동부(400)는 크게 노즐 구동축(410)과 노즐 지지대(420)로 이루어지고, 상기 노즐(300)을 공정 진행에 따라 앞서 언급한 바와 같이 이동시킨다. 상기 노즐 구동축(410)은 길이가 긴 원통구조를 갖고, 상기 처리 용기(100)로부터 소정거리 이격되어 수직하게 배치된다. 상기 노즐 지지대(420)는 일측이 상기 노즐 구동축(410)에 수직하게 연결되고, 타측에는 상기 노즐(300)이 상기 기판(W)을 향하는 방향으로 연결된다. 즉, 상기 노즐(300)은 상기 구동축(410)을 기준으로 상기 기판(W)의 중심 부위로부터 가장자리 부위로 회전 이동한다. 한편, 상기 노즐 구동부(400)는 상기 노즐(300)을 상기 기판(W)의 반경을 따라 직선 이동시키도록 구성될 수도 있다.The nozzle driver 400 is largely composed of a nozzle drive shaft 410 and a nozzle support 420, and moves the nozzle 300 as described above as the process proceeds. The nozzle drive shaft 410 has a long cylindrical structure and is vertically spaced apart from the processing container 100 by a predetermined distance. One side of the nozzle support 420 is connected to the nozzle drive shaft 410 perpendicularly, and the other side of the nozzle support 420 is connected in a direction toward the substrate (W). That is, the nozzle 300 rotates from the central portion of the substrate W to the edge portion with respect to the driving shaft 410. On the other hand, the nozzle driver 400 may be configured to linearly move the nozzle 300 along the radius of the substrate (W).

이와 같이 구성되는 상기 기판 처리 장치에서 상기 노즐(300)을 상기 기판(W)의 중심 부위로부터 가장자리 부위로 이동시킬 때, 동일한 속도로 이동시키면서 상기 기판(W)으로 약액을 공급하는 경우 상기 기판(W)의 중심 부위로부터 가장자리 부위로 갈수록 표면적이 점차 넓어지므로 공급되는 약액량이 달라져 식각량이 달라지게 된다. 그러므로, 본 발명의 일 실시예에서는 상기 약액을 균일하게 공급할 수 있도록 상기 노즐(300)을 이동시키는 속도를 위치(구간)에 따라 단계적으로 변화시킨다.In the substrate processing apparatus configured as described above, when the nozzle 300 is moved from the center portion of the substrate W to the edge portion, when the chemical liquid is supplied to the substrate W while moving at the same speed, the substrate ( As the surface area gradually increases from the center portion of W) to the edge portion, the amount of chemical liquid supplied is changed, so that the etching amount is changed. Therefore, in one embodiment of the present invention, the speed of moving the nozzle 300 is changed in stages according to the position (section) so as to uniformly supply the chemical liquid.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 공정도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐의 이동 속도를 나타내는 도면이다.4 is a process chart for explaining a substrate processing method according to an embodiment of the present invention, Figure 5 is a view showing a moving speed of the nozzle according to an embodiment of the present invention.

도 4 및 도 5를 참조하면, 기판 처리 방법은 언급한 기판 처리 장치와 같이 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 기판(W)으로 상기 기판(W)의 처리(예컨대 막의 식각)를 위한 약액을 공급하여 상기 기판(W)을 처리하기 위하여 사용될 수 있다. 여기서, 상기 약액은 상기 기판(W)의 상부에 형성된 막의 제거를 위한 식각액 또는 상기 기판(W)을 세정하기 위한 세정액일 수 있다. 하지만, 상기 기판 처리 방법은 상기 예로 한정되는 것은 아니며, 약액을 공급하는 상기 노즐(300) 대신 세정을 위한 초음파 발생기 등에 의한 세정의 경우 등에 다양하게 사용될 수 있다.Referring to FIGS. 4 and 5, the substrate treating method supplies a chemical liquid for processing (eg, etching the film) of the substrate W to a semiconductor substrate W, such as a silicon wafer, as the substrate processing apparatus mentioned above. Can be used to process (W). Here, the chemical liquid may be an etching liquid for removing the film formed on the substrate W or a cleaning liquid for cleaning the substrate W. However, the substrate processing method is not limited to the above example, and may be variously used in the case of cleaning by an ultrasonic generator for cleaning instead of the nozzle 300 for supplying a chemical liquid.

상기 기판 처리 방법은 먼저 상기 기판(W)이 상기 기판 지지부(200)에 놓여(예컨대 기판이 로딩)지고, 상기 기판 지지부(200)가 상기 기판(W)을 회전시킨다(s100). 상기 기판(W)을 회전시키기에 앞서 상기 기판(W)이 상기 기판 지지부(200)에 놓여지면, 상기 기판 지지부(200)는 해당하는 상기 약액 회수 챔버(110)에 대응하는 위치로 이동한다.In the substrate processing method, the substrate W is first placed on the substrate support 200 (eg, the substrate is loaded), and the substrate support 200 rotates the substrate W (S100). If the substrate W is placed on the substrate support 200 before the substrate W is rotated, the substrate support 200 moves to a position corresponding to the corresponding chemical liquid recovery chamber 110.

다음으로, 상기 기판 지지부(200)에 놓여진 기판(W)의 중심 부위로 상기 노즐(300)을 위치시킨다(s110).Next, the nozzle 300 is positioned at the central portion of the substrate W placed on the substrate support 200 (S110).

상기 기판(W)의 중심 부위로 위치한 상기 노즐(300)을 상기 중심 부위로부터 상기 기판(W)의 중심 부위를 벗어난 제1 부위까지 제1 속도로 이동시키면서 상기 기판(W)으로 약액을 공급한다(S120). 즉, 상기 제1 부위는 상기 기판(W)의 중심 부위로부터 상기 기판(W)의 가장자리 부위로 일정한 거리 벗어난 곳에 위치한다. 따라서, 상기 노즐(300)을 상기 기판(W)의 중심 부위로부터 가장자리 부위 방향에 위치한 제1 부위까지 제1 속도로 이동시키면서 상기 기판(W)으로 약액을 공급한다. 이 때, 상기 노즐(300)을 상기 기판(W)의 중심 부위로부터 상기 제1 부위로 이동시킬 때, 상기 약액의 공급량 조절을 위하여 상기 노즐(300)을 상기 제1 부위에 일정 시간 정지시킬 수 있다.The chemical liquid is supplied to the substrate W while moving the nozzle 300 positioned at the center portion of the substrate W from the center portion to a first portion outside the center portion of the substrate W at a first speed. (S120). In other words, the first portion is positioned at a distance away from the central portion of the substrate W to the edge portion of the substrate W. Therefore, the chemical liquid is supplied to the substrate W while moving the nozzle 300 at the first speed from the center portion of the substrate W to the first portion located in the edge portion direction. In this case, when the nozzle 300 is moved from the center portion of the substrate W to the first portion, the nozzle 300 may be stopped at the first portion for a predetermined time to adjust the supply amount of the chemical liquid. have.

이어서, 상기 기판(300)의 제1 부위로부터 상기 제1 부위의 외곽으로 더 벗어난 제2 부위까지 상기 노즐(300)을 제2 속도로 이동시키면서 상기 기판(W)으로 약액을 공급한다(s130). 즉, 상기 제2 부위는 상기 기판(W)의 중심 부위로부터 상기 제1 부위보다 더 벗어난 곳에 위치한다. 여기서, 상기 제2 속도는 상기 제1 속도보다 느린 속도를 갖는다. 따라서, 상기 제1 부위로부터 상기 제2 부위로 상기 노즐(300)을 이동시키는 속도는 상기 기판(W)의 중심 부위로부터 상기 제1 부위로 상기 노즐(300)을 이동시키는 속도보다 느리다. 이 때, 상기 노즐(300)을 상기 제1 부위로부터 상기 제2 부위로 이동시킬 때, 상기 약액의 공급량 조절을 위하여 상기 노즐(300)을 상기 제2 부위에 일정 시간 정지시킬 수 있다.Subsequently, the chemical liquid is supplied to the substrate W while moving the nozzle 300 at the second speed from the first portion of the substrate 300 to the second portion further away from the outside of the first portion (S130). . That is, the second portion is located further away from the central portion of the substrate W than the first portion. Here, the second speed has a slower speed than the first speed. Therefore, the speed of moving the nozzle 300 from the first portion to the second portion is slower than the speed of moving the nozzle 300 from the center portion of the substrate W to the first portion. At this time, when the nozzle 300 is moved from the first portion to the second portion, the nozzle 300 may be stopped at the second portion for a predetermined time to adjust the supply amount of the chemical liquid.

이어서, 상기 기판(300)의 제2 부위로부터 상기 제2 부위의 외곽으로 더 벗어난 제3 부위까지 상기 노즐(300)을 제3 속도로 이동시키면서 상기 기판(W)으로 약액을 공급한다(s140). 즉, 상기 제3 부위는 상기 기판(W)의 중심 부위로부터 상 기 제2 부위보다 더 벗어난 곳에 위치하며, 본 실시예에서 상기 제3 부위는 상기 기판(W)의 가장자리 부위에 대응한다. 여기서, 상기 제3 속도는 상기 제2 속도보다 느린 속도를 갖는다. 따라서, 상기 제2 부위로부터 상기 제3 부위로 상기 노즐(300)을 이동시키는 속도는 상기 제1 부위로부터 상기 제2 부위로 상기 노즐(300)을 이동시키는 속도보다 느리다.Subsequently, the chemical liquid is supplied to the substrate W while moving the nozzle 300 at a third speed from the second portion of the substrate 300 to the third portion further away from the outside of the second portion (S140). . That is, the third portion is located further away from the center portion of the substrate W than the second portion, and in this embodiment, the third portion corresponds to an edge portion of the substrate W. Here, the third speed has a slower speed than the second speed. Therefore, the speed of moving the nozzle 300 from the second part to the third part is slower than the speed of moving the nozzle 300 from the first part to the second part.

이처럼, 상기 기판 처리 방법에서 상기 노즐(300)을 이동시키는 속도는 상기 기판(W)의 중심 부위로부터 가장자리 부위 사이의 구간을 3구간으로 구분하고, 각 구간에 단계적으로 상기 노즐(300)을 이동시키는 속도를 단계적으로 감속하면서 상기 기판(W)으로 약액을 공급한다. 따라서, 상기 기판(W)의 가장자리 부위로 갈수록 상기 노즐(300)이 머무는 시간 즉, 상기 약액을 공급하는(예컨대 약액 공급량)이 증가되어 상기 기판(W)의 전면에 대해 표면적당 상기 약액의 공급량이 균일해 진다. 여기서, 상기 노즐(300)을 이동시키는 속도의 가변 구간을 3구간으로 나누어 설명하였으나, 이에 한정되지 않고 2구간 또는 3이상이 구간으로 나누어 단계적으로 감속되도록 상기 노즐(300)을 이동시키면서 상기 약액을 공급할 수 있다.As such, the speed of moving the nozzle 300 in the substrate processing method divides the section between the center portion and the edge portion of the substrate W into three sections, and moves the nozzle 300 step by step in each section. The chemical liquid is supplied to the substrate W while decelerating the speed of the step. Therefore, the time at which the nozzle 300 stays, that is, the supply of the chemical liquid (for example, the chemical liquid supply amount) increases with the edge portion of the substrate W, thereby supplying the chemical liquid per surface area with respect to the entire surface of the substrate W. This becomes uniform. Herein, the variable section of the speed for moving the nozzle 300 is divided into three sections, but the present invention is not limited thereto, and the chemical liquid is moved while moving the nozzle 300 so that the two sections or three or more sections are decelerated step by step. Can supply

한편, 상기 기판(W)의 중심 부위로부터 시작하여 가장자리 부위까지 상기 노즐(300)을 이동시키는 속도를 단계적으로 감속하면서 상기 약액의 공급이 완료되면, 상기 기판(W)의 중심 부위로 상기 노즐(300)을 다시 위치시키고, 상기 약액의 공급 동작을 수회 반복 할 수 있다. 여기서, 상기 기판(W) 가장자리 부위로부터 사익 중심 부위로 상기 노즐(300)을 이동시킬 때, 상기 제1 속도보다 빠른 속도로 상기 노즐(300)을 상기 기판(300)의 중심 부위로 이동시킨다.On the other hand, when the supply of the chemical liquid is completed while gradually decreasing the speed of moving the nozzle 300 starting from the center portion of the substrate W to the edge portion, the nozzle ( 300 may be repositioned and the operation of supplying the chemical liquid may be repeated several times. Here, when the nozzle 300 is moved from the edge portion of the substrate W to the center portion of the wing, the nozzle 300 is moved to the center portion of the substrate 300 at a speed faster than the first speed.

상기 노즐(300)을 통한 상기 기판(W)으로의 약액 공급 단계가 모두 완료되면, 상기 기판(W)을 상기 기판 지지부(200)로부터 제거(s150)하여 상기 기판(W)에 대한 처리 공정이 완료된다. 한편, 경우에 따라서는 상기 기판 지지부(200)로부터 상기 처리 공정이 완료된 상기 기판(W)을 제거하지 않고, 다음 처리 공정을 진행 할 수도 있다.When the step of supplying the chemical liquid to the substrate W through the nozzle 300 is completed, the substrate W is removed from the substrate support part 200 (s150) to thereby process the substrate W. Is done. In some cases, the next processing step may be performed without removing the substrate W from which the processing step is completed, from the substrate support part 200.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 처리 방법은 기판 지지부에 놓여진 기판의 중심 부위로부터 가장자리 부위로 노즐을 이동시키면서 상기 기판으로 약액을 공급할 때, 상기 노즐을 이동시키는 속도를 구간별로 단계적으로 감속시킴으로써, 상기 기판의 전면에 대해 표면적당 약액의 공급량을 균일하게 한다. 따라서, 약액에 의한 상기 기판의 식각(혹은 세정) 균일성을 향상시킨다.As described above, in the substrate processing method according to the preferred embodiment of the present invention, when the chemical liquid is supplied to the substrate while moving the nozzle from the center portion of the substrate placed on the substrate support portion to the edge portion, the speed at which the nozzle is moved is sectioned. By decelerating stepwise, the supply amount of the chemical liquid per surface area is uniform with respect to the entire surface of the substrate. Therefore, the uniformity of etching (or cleaning) of the substrate by the chemical liquid is improved.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

도 1은 종래 기판 처리 방법에 따른 노즐이 이동 속도를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a moving speed of a nozzle according to a conventional substrate processing method.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 개략적인 도면이다.2 is a schematic diagram illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 2에 도시된 노즐의 이동 경로를 나타내는 개략적인 도면이다.3 is a schematic diagram illustrating a movement path of the nozzle illustrated in FIG. 2.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 공정도이다.4 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐의 이동 속도를 나타내는 도면이다.5 is a view showing a moving speed of the nozzle according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100: 처리 용기 200: 기판 지지부100: processing container 200: substrate support

210: 구동축 300: 노즐210: drive shaft 300: nozzle

400; 노즐 구동부 410: 노즐 구동축400; Nozzle drive unit 410: nozzle drive shaft

420; 노즐 지지대 w: 기판420; Nozzle Support w: Substrate

Claims (5)

기판을 회전시키는 단계;Rotating the substrate; 상기 기판의 중심 상부로 노즐을 위치시키는 단계;Positioning a nozzle over a center of the substrate; 상기 기판의 중심 부위로부터 상기 기판의 중심 부위를 벗어난 제1 부위까지 상기 노즐을 제1 속도로 이동시키면서 상기 기판으로 약액을 공급하는 단계; 및Supplying a chemical liquid to the substrate while moving the nozzle at a first speed from a central portion of the substrate to a first portion outside the central portion of the substrate; And 상기 제1 부위로부터 상기 제1 부위의 외곽으로 더 벗어난 제2 부위가지 상기 노즐을 상기 제1 속도보다 느린 제2 속도로 이동시키면서 상기 기판으로 약액을 공급하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.And supplying the chemical liquid to the substrate while moving the nozzle at a second speed slower than the first speed, from the first part to the second part of the branch further out of the first part. 제1항에 있어서, 상기 제2 부위로부터 상기 제2 부위의 외곽으로 더 벗어난 제3 부위까지 상기 노즐을 상기 제2 속도보다 느린 제3 속도로 이동시키면서 상기 기판으로 약액을 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.2. The method of claim 1, further comprising: supplying a chemical liquid to the substrate while moving the nozzle at a third speed slower than the second speed from the second part to a third part further outside the second part. The substrate processing method characterized by the above-mentioned. 제1항에 있어서, 상기 노즐을 상기 중심 부위로부터 상기 제1 부위로 이동시킬 때, 상기 제1 부위에서 상기 노즐을 일정 시간 정지시키는 단계; 및The method of claim 1, further comprising: stopping the nozzle at the first portion for a predetermined time when the nozzle is moved from the central portion to the first portion; And 상기 노즐을 상기 제1 부위로부터 상기 제2 부위로 이동시킬 때, 상기 제2 부위에서 상기 노즐을 일정 시간 정지시키는 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.And stopping the nozzle at the second portion for a predetermined time when the nozzle is moved from the first portion to the second portion. 제1항에 있어서, 상기 노즐을 상기 기판의 가장자리까지 이동시키면서 상기 기판으로 약액을 공급하는 단계를 완료하면, 상기 제1 속도보다 빠른 속도로 상기 노즐을 상기 기판의 중심부위로 이동시키는 단계를 더 포함하고,The method of claim 1, further comprising: moving the nozzle onto the center of the substrate at a speed higher than the first speed when the step of supplying the chemical liquid to the substrate is completed while moving the nozzle to the edge of the substrate. and, 상기 노즐을 상기 기판의 중심부위로 이동시킨 후, 상기 기판으로 약액을 공급하는 단계를 반복 수행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And moving the nozzle onto the center of the substrate, and then repeatedly supplying the chemical liquid to the substrate. 제1항에 있어서, 상기 노즐은 상기 노즐을 구동하기 위한 구동축을 기준으로 회전 이동하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 1, wherein the nozzle is rotated about a driving shaft for driving the nozzle.
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