KR20080023437A - Processing method of sector pattern groove using semiconductor wafer sawing machine - Google Patents

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Abstract

A method for machining sector-patterned grooves on a surface of a graphite plate is provided to facilitate the machining of the grooves with the desired numbers and angles regardless of the size of the graphite plate, by using a conventional semiconductor wafer sawing machine. A method for machining grooves that are arranged in a sector pattern onto a surface of a graphite plate using a semiconductor wafer sawing machine, comprises the steps of: programming a center point positioning information of the sector pattern to be machined on a graphite plate, a sector angle, and machining times of the groove by a controller of the sawing machine; mounting the plate onto a vacuum chuck; adjusting the controller while monitoring an image of the plate taken by a camera for aligning an X-axis of the machine and an X-directional line of the plate; positioning of an image of a center line of the camera to four edges of the plate for obtaining and inputting four coordinates of X and Y; lowering a blade to a predetermined cutting height under control of a controller, moving the vacuum chuck to the X-axis for first groove machining; and progressively repeating the groove machining for forming a sector pattern through vertical movement of the blade, rotation of the vacuum chuck by the sector angle, X-axis directional movement of the vacuum chuck, and Y-directional movement of the blade.

Description

반도체 웨이퍼 쏘잉 장치를 이용한 부채꼴 패턴의 홈 가공 방법{Processing method of sector pattern groove using semiconductor wafer sawing machine}Processing method of sector pattern groove using semiconductor wafer sawing machine}

도 1은 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치를 도시한 사시도,1 is a perspective view showing a semiconductor wafer sawing apparatus,

도 2a 내지 도 2c는 부채꼴 패턴의 홈이 가공된 판재를 도시한 사시도로서, 도 2a는 사시도이고, 도 2b는 평면도이며, 도 2c는 정면도,2a to 2c is a perspective view showing a flat plate-shaped grooved material, Figure 2a is a perspective view, Figure 2b is a plan view, Figure 2c is a front view,

도 3은 가상의 대형 진공척을 사용할 경우 홈 가공 방법을 설명하기 위한 참고도,3 is a reference view for explaining a groove processing method when using a virtual large vacuum chuck,

도 4a와 도 4b는 본 발명의 홈 가공시에 사용될 수 있는 쏘잉 장치의 일 예를 도시한 도면으로, 도 4a는 정면도이고, 도 4b는 측면도,Figures 4a and 4b is a view showing an example of a sawing device that can be used in the grooving of the present invention, Figure 4a is a front view, Figure 4b is a side view,

도 5는 본 발명에 따른 부채꼴 패턴의 홈 가공 과정을 나타낸 흐름도, 5 is a flow chart showing a groove processing process of the fan-shaped pattern according to the present invention,

도 6은 진공척과 그 위에 실장된 판재를 나타낸 도면으로서, 본 발명의 홈 가공 방법을 설명하기 위한 참고도.Figure 6 is a view showing a vacuum chuck and a plate mounted thereon, reference diagram for explaining the groove processing method of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1 : 판재 2 : 홈1: Plate 2: Home

110 : 블레이드 어셈블리 111 : 블레이드110: blade assembly 111: blade

112 : 제1모터 113 : 볼 스크류112: first motor 113: ball screw

120 : 진공척 어셈블리 121 : 진공척120: vacuum chuck assembly 121: vacuum chuck

122 : 제2모터 123 : 볼 스크류122: second motor 123: ball screw

124 : 이송대 125 : 제3모터124: feeder 125: third motor

126 : 볼 스크류 C1 : 판재의 중심점126: ball screw C1: center of the plate

C2 : 부채꼴 패턴의 중심점 C3 : 진공척의 중심점C2: center point of fan pattern C3: center point of vacuum chuck

L1 : 기준거리 α : 분할설정각도L1: Reference distance α: Division setting angle

본 발명은 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치를 이용한 부채꼴 패턴의 홈 가공 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기존의 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치를 이용하여 판재에 부채꼴 모양으로 배치되는 다수개의 홈들을 가공할 수 있는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a groove pattern processing method of a fan shape using a semiconductor wafer sawing device, and more particularly, to a method for processing a plurality of grooves arranged in a fan shape on a plate using a conventional semiconductor wafer sawing device. will be.

주지된 바와 같이, 반도체 소자를 제조함에 있어서 웨이퍼(wafer)에 전기회로로 이루어진 소자를 형성한 뒤에는 이 웨이퍼를 단위 소자인 각각의 칩(chip)들로 분리하게 된다. As is well known, in manufacturing a semiconductor device, after forming a device consisting of an electric circuit on a wafer, the wafer is separated into individual chips as unit devices.

그리고, 분리된 칩들을 리드 프레임(lead frame)에 실장하고 와이어 본딩(wire bonding) 및 몰딩(molding)한 후 리드 프레임을 절단 및 절곡하여 패키징(packaging)을 완료한다.Then, the separated chips are mounted in a lead frame, wire bonding and molding, and the lead frame is cut and bent to complete packaging.

상기에서 웨이퍼를 단위 소자인 각각의 칩(chip)들로 분리하는 것을 쏘잉 또는 다이싱(dicing) 공정이라 한다.In the above, separating the wafer into individual chips, which are unit devices, is called a sawing or dicing process.

쏘잉 공정에서는 웨이퍼 상에 소자의 제조 공정을 완료한 뒤 먼저 웨이퍼 상태에서 각각의 칩들을 전기적으로 검사하여 불량품을 선별하게 된다. In the sawing process, after completing the manufacturing process of the device on the wafer, each chip is electrically inspected in the wafer state to sort out defective products.

그리고, 쏘잉시에 칩들이 분산되지 않도록 웨이퍼의 소자가 형성되지 않은 배면에 접착 테이프를 접착하고 각각의 칩으로 분리한다.Then, the adhesive tape is adhered to the back surface where the elements of the wafer are not formed so that the chips are not dispersed at the time of sawing and separated into respective chips.

여기서, 칩 분리는 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치(다이싱 머신이라고도 함)를 사용하여 웨이퍼의 칩 영역이 아닌 다수개의 스크라이브 라인(scribe line)을 따라 쏘잉함으로써 이루어진다. Here, chip separation is accomplished by sawing along a plurality of scribe lines rather than a chip region of the wafer using a semiconductor wafer sawing device (also called a dicing machine).

다수개의 스크라이브 라인은 일방향으로 다수개가 평행하고 이 일방향과 수직하는 다른 방향으로 다수 개가 평행하도록 매트릭스(matric) 상으로 형성된다.The plurality of scribe lines are formed in a matrix such that the plurality of scribe lines are parallel in one direction and parallel in the other direction perpendicular to the one direction.

상기와 같이 웨이퍼 쏘잉(또는 다이싱)을 위해서는 웨이퍼 상에 매트릭스 상으로 형성된 스크라이브 라인, 즉 가로방향과 세로방향의 다수개 스크라이브 라인을 따라 웨이퍼를 쏘잉하는데, 이때 사용하는 장치가 바로 쏘잉 장치이다.As described above, for sawing (or dicing), the wafer is sawed along a scribe line formed in a matrix on the wafer, that is, a plurality of scribe lines in a horizontal direction and a vertical direction. In this case, a sawing device is used.

이러한 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치에 대해서는 공개특허 제2003-71호(2003.1.6)에 개시되어 있는 바, 도 1은 이에 개시된 쏘잉 장치의 개략 사시도로서, 이를 참조로 통상의 쏘잉 장치에 대해 간단히 설명하면 다음과 같다.Such a semiconductor wafer sawing apparatus is disclosed in Korean Patent Laid-Open No. 2003-71 (2003.1.6). FIG. 1 is a schematic perspective view of a sawing apparatus disclosed herein. Same as

쏘잉 장치에서는 X축 방향으로 이송되는 이송대(17) 상에 진공척(vacuum chuck)(13)이 설치되며, 이 진공척(13) 상에 배면에 접착 테이프가 접착된 가공될 웨이퍼(11)가 실장된다.In the sawing apparatus, a vacuum chuck 13 is installed on a conveyance table 17 conveyed in the X-axis direction, and a wafer 11 to be processed on which an adhesive tape is adhered to the rear surface of the vacuum chuck 13. Is mounted.

상기 진공척(13)은 이송대(17)에 대하여 θ축 방향으로 회전이 제어되도록 되어 있다.The vacuum chuck 13 is controlled to rotate in the θ-axis direction with respect to the feed table 17.

그리고, 상기 쏘잉 장치에는 회전에 의해 웨이퍼(11)를 쏘잉하도록 다이아몬드가 코팅(coating)된 원판 형상의 블레이드(blade)(47)가 설치되는데, 상기 블레이드(47)는 Y축 및 Z축 방향으로 이동이 가능하다. The sawing apparatus is provided with a disk-shaped blade 47 coated with diamond to saw the wafer 11 by rotation, wherein the blade 47 is provided in the Y-axis and Z-axis directions. It is possible to move.

즉, 웨이퍼 쏘잉을 위해 블레이드(47)는 쏘잉될 웨이퍼(11)의 스크라이브 라인과 접촉되게 Z축을 따라 하강하도록 되어 있으며, 또한 쏘잉 후에는 다시 Z축을 따라 상승하도록 되어 있다.That is, the blade 47 is configured to descend along the Z axis to be in contact with the scribe line of the wafer 11 to be sawed for wafer shooting, and to rise along the Z axis again after the sawing.

쏘잉시에는 블레이드(47)가 소정 높이로 하강 및 회전되는 상태에서 웨이퍼(11)가 실장된 진공척(13)을 X축 방향으로 이동시켜 블레이드(47)로 웨이퍼(11)를 일 방향의 스크라이브 라인을 따라 쏘잉한 뒤, 평행하는 다음 스크라이브 라인을 따라 쏘잉하기 위해 Z축을 따라 상승시킨 다음 Y축 방향으로 이동시킨다.At the time of sawing, while the blade 47 is lowered and rotated to a predetermined height, the vacuum chuck 13 on which the wafer 11 is mounted is moved in the X-axis direction to scribe the wafer 11 in one direction with the blade 47. Saw along the line, then raise along the Z axis and then move in the Y axis direction to shoot along the next parallel scribe line.

여기서, 웨이퍼(11)를 쏘잉하기 전에 진공척(13)을 X축 및 θ축을 따라, 그리고, 블레이드(47)를 Y축을 따라 미세하게 이동하여 초기 위치를 정렬하여야 하며, 초기 위치 정렬시 광원으로 웨이퍼(11)의 초기 위치에 빛을 조사하면서 카메라로 촬상하여 모니터(59)의 화면을 보면서 정렬할 수 있도록 되어 있다.Here, before the wafer 11 is sawed, the vacuum chuck 13 must be finely moved along the X and θ axes, and the blade 47 is moved along the Y axis to align the initial positions. The camera is imaged while irradiating light to the initial position of the wafer 11 and aligned while viewing the screen of the monitor 59.

그리고, 초기 위치 정렬된 웨이퍼(11)를 진공척(13)을 X축으로 이동시키면서 일 방향의 스크라이브 라인을 따라 쏘잉하며, 웨이퍼(11)를 일방향의 다수개의 스크라이브 라인을 따라 순차적으로 쏘잉한 후, 진공척을 θ축을 따라 90°회전시켜 다른 방향 의 쏘잉되지 않은 다수개의 스크라이브 라인을 따라 다시 순차적으로 쏘 잉하여 쏘잉 공정을 완료한다.Then, the wafer 11 is initially aligned and the vacuum chuck 13 is moved along the scribe line in one direction while the X-axis is moved, and the wafer 11 is sequentially sawed along the plurality of scribe lines in one direction. The sawing process is then completed by sequentially rotating the vacuum chuck 90 ° along the θ axis, again sequentially along a number of non-sawed scribe lines in different directions.

요약컨대, 쏘잉 장치를 이용하여 웨이퍼(11)를 쏘잉하는 작업은 가로, 세로 직교방향으로 형성된 스크라이브 라인을 따라 웨이퍼를 쏘잉하되, 일방향의 평행한 다수개 스크라이브 라인을 차례로 쏘잉한 후, 이를 완료하면 진공척(13)을 θ축을 따라 90°회전시켜 다른 방향의 평행한 다수개 스크라이브 라인을 차례로 쏘잉한다.In summary, the sawing operation of the wafer 11 using a sawing apparatus is performed by sawing a wafer along a scribe line formed in a horizontal or vertical orthogonal direction, and then sequentially sawing a plurality of parallel scribe lines in one direction. The vacuum chuck 13 is rotated 90 degrees along the θ axis to sequentially saw a plurality of parallel scribe lines in different directions.

이때, 하나의 스크라이브 라인을 따라 쏘잉한 후 이에 평행한 다음의 스크라이브 라인을 쏘잉하기 위해서는 블레이드(47)가 Y축 및 Z축 방향으로 이동하여 위치를 새로이 잡은 뒤 진공척(13)이 X축 방향으로 이동하면서 쏘잉이 이루어지며, 이를 반복하여 같은 방향의 평행한 다수개 스크라이브 라인을 차례로 쏘잉하게 된다.At this time, in order to shoot the next scribe line parallel to it after sawing along one scribe line, the blade 47 moves in the Y-axis and Z-axis direction to reposition the vacuum chuck 13 in the X-axis direction. The sawing takes place while moving to, and iteratively repeats sawing a plurality of parallel scribe lines in the same direction.

한편, X-Ray 장비의 소자 중에 그래파이트(graphite) 판에 부채꼴 모양으로 배치되는 다수개의 홈을 형성하여 이를 부품으로 사용하는 소자가 있으며, 이와 같이 부채꼴 모양의 홈이 형성된 그래파이트 판을 도 2a 내지 도 2c에 도시하였다.On the other hand, there is a device forming a plurality of grooves arranged in a fan shape in the graphite (graphite) of the device of the X-ray equipment using the device as a component, such as a graphite plate formed with a fan-shaped groove is shown in Figure 2a to FIG. Shown in 2c.

도 2a는 사시도, 도 2b는 평면도, 도 2c는 정면도이며, 도 2b에서 α는 부채꼴 패턴의 홈(2)과 홈이 이루는 각도(분할설정각도)를 나타내고, 도 2c에서 K는 홈 폭을, D는 홈 깊이를 각각 나타낸다. FIG. 2A is a perspective view, FIG. 2B is a plan view, and FIG. 2C is a front view. In FIG. 2B, α represents an angle (division setting angle) between the groove 2 of the fan-shaped pattern and the groove, and in FIG. D represents the groove depth, respectively.

도 2a 내지 도 2c에 나타낸 바와 같이, 소정의 각도(이하, 분할설정각도라 함)(α)로 배치된 홈(2)들이 전체적으로 부채꼴 모양을 이루고 있으며, 가공하고자 하는 판재(1)의 표면에 소정 깊이 및 폭의 홈(2)을 부채꼴 모양으로 배치되게 반복 하여 가공하는 작업이 필요하다. As shown in Fig. 2A to Fig. 2C, the grooves 2 arranged at a predetermined angle (hereinafter referred to as the dividing set angle) α have an overall fan shape, and are formed on the surface of the plate 1 to be processed. It is necessary to repeatedly process the grooves 2 having a predetermined depth and width so as to be arranged in a fan shape.

물론, 상기와 같이 판재(1)에 부채꼴 모양으로 배치되는 다수개의 홈(2), 즉 부채꼴 패턴의 홈들을 가공하기 위해서는 특수한 장비를 이용하여야 한다.Of course, in order to process a plurality of grooves (2), that is, the fan-shaped grooves arranged in a fan shape on the plate 1 as described above, it is necessary to use a special equipment.

그러나, 판재(1)에 부채꼴 패턴의 홈(2)들을 가공할 수 있는 별도의 특수 장비를 제작하고 구성하는 데 소요되는 비용을 감안할 때 이는 경제적이지 못하며, 따라서 기존에 널리 사용되고 있는 장비를 이용하는 것이 바람직하다. However, in view of the cost of manufacturing and constructing a separate special equipment that can process the fan-shaped grooves (2) in the plate (1), it is not economical, so using the equipment widely used desirable.

예컨대, 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치는 블레이드(47)를 이용하여 대상 소재를 절삭하는 가공이 가능하므로, 블레이드(47)의 높이 및 위치를 조정하여 절삭작업을 진행하면, 판재의 표면에 소정 깊이 및 폭의 홈을 가공할 수 있다.For example, since the semiconductor wafer sawing apparatus can process the cutting of the target material using the blade 47, when the cutting operation is performed by adjusting the height and the position of the blade 47, the surface of the sheet material has a predetermined depth and width. The groove can be machined.

이와 같이 전술한 쏘잉 장치는 판재에 홈을 가공하는데 이용할 수도 있으며, 다만 현재는 판재에 단순히 평행하게 배치되는 홈들을 가공하는 수준에 그치고 있는 바, 아직까지는 쏘잉 장치를 이용하여 부채꼴 패턴의 홈을 가공하는 방법에 대해서 알려진 바 없다.As described above, the above-described sawing apparatus may be used to process grooves in a plate, but at present, it is only a level of processing grooves arranged in parallel with the plate. Thus, the groove of a fan-shaped pattern is processed using a sawing device. It is not known how.

상기와 같이 부채꼴 패턴의 홈이 가공된 판재가 소요되고 있는 상황에서 전용의 특수 장비가 아닌 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치를 이용하여 판재의 표면에 부채꼴 패턴의 홈을 가공할 수 있는 방법이 필요하게 되었다. As described above, in the situation where the plate-shaped grooves are processed, there is a need for a method of processing the grooves of the fan-shaped pattern on the surface of the plate using a semiconductor wafer sawing device instead of a special equipment.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 점을 고려하여 발명한 것으로서, 기존의 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치를 이용하여 판재에 부채꼴 모양으로 배치되는 다수개의 홈 들을 가공할 수 있는 방법을 제공함으로써, 별도의 전용 장치를 이용하지 않고도 기존의 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치를 이용하여 부채꼴 패턴의 홈 가공을 할 수 있도록 하고, 이를 통해 전용 장치를 제작하고 구성하는 데 소요되는 비용을 절감할 수 있도록 하며, 기존의 쏘잉 장치만으로 부채꼴 패턴의 홈이 가공된 판재의 수요에 효과적으로 대응이 가능하도록 하는데 그 목적이 있다. Accordingly, the present invention has been invented in view of the above, and provides a method for processing a plurality of grooves arranged in a fan shape on a plate by using a conventional semiconductor wafer sawing device, thereby providing a separate dedicated device. It is possible to groove the fan-shaped pattern using a conventional semiconductor wafer sawing device without using it, thereby reducing the cost of manufacturing and configuring a dedicated device, and using a conventional sawing device alone. The purpose of this is to be able to effectively respond to the demands of the grooved sheet material.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명은, 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치를 이용하여 판재에 부채꼴 패턴으로 배치되는 다수개의 홈들을 가공하기 위하여,The present invention, in order to process a plurality of grooves arranged in a fan-shaped pattern on a plate using a semiconductor wafer sawing device,

쏘잉 장치의 조작수단을 통해 판재에 가공될 부채꼴 패턴의 중심점 위치 정보 및 분할설정각도, 홈 가공 횟수를 프로그램 입력하는 단계와;Program inputting the center point position information, the division set angle, and the number of times of groove processing of the fan-shaped pattern to be processed on the sheet through the operation means of the sawing apparatus;

진공척 위에 판재를 실장하는 단계와;Mounting a plate on a vacuum chuck;

상기 판재가 실장된 상태에서 모니터로 카메라에 의해 촬상된 부분을 보면서 조작수단을 조작하여 장치의 X축 선상과 판재의 X 방향 라인을 정렬하는 단계와;Aligning the X-axis line of the apparatus with the X-direction line of the plate by operating the operation means while watching the portion captured by the camera with the monitor while the plate is mounted;

조작수단을 조작하여 모니터를 통해 카메라 중심선 상을 정렬된 판재의 네 모서리 끝점으로 차례로 위치 이동시켜가면서 네 모서리 끝점의 X, Y 좌표를 차례로 획득, 입력하는 단계와;Acquiring and inputting the X and Y coordinates of the four corner end points in sequence while operating the operation means to move the position on the camera center line to the four corner end points of the aligned sheet material through the monitor;

조작수단으로 작업 개시하여 제어부의 제어하에 블레이드가 미리 설정된 절삭높이까지 하강한 후 진공척이 X축 방향으로 이동하면서 첫 번째 홈 가공이 수행 되도록 하는 단계와; Starting the operation by the operation means, and after the blade is lowered to a preset cutting height under the control of the control unit, performing the first groove processing while the vacuum chuck is moved in the X-axis direction;

이어 블레이드의 상하 이동, 진공척의 분할설정각도 회전 및 진공척의 X축 방향 이동, 블레이드의 Y축 방향 이동에 의해 단계적으로 홈 가공을 반복하여 부채꼴 패턴을 형성하는 단계; Forming a fan-shaped pattern by repeating the groove machining stepwise by the vertical movement of the blade, the rotation of the divided set angle of the vacuum chuck, the movement of the vacuum chuck in the X-axis direction, and the movement of the blade in the Y-axis direction;

를 포함하여 이루어지는 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치를 이용한 부채꼴 패턴의 홈 가공 방법을 제공한다.It provides a groove processing method of the fan-shaped pattern using a semiconductor wafer sawing device comprising a.

여기서, 상기 제어부는 각각의 홈 가공시마다 프로그램된 산출식에 의해 블레이드의 Y축 절삭위치를 계산하되, 가공하고자 하는 부채꼴 패턴의 중심점 위치 정보 및 분할설정각도, 진공척의 중심점 좌표, 초기 획득된 진공척 위 판재의 네 모서리 끝점 좌표로부터 계산하여 블레이드의 Y축 방향 이동을 제어하는 것을 특징으로 한다.Here, the control unit calculates the Y-axis cutting position of the blade according to the calculation formula programmed for each groove processing, the center point position information and splitting angle of the fan-shaped pattern to be processed, the center point coordinates of the vacuum chuck, the initially obtained vacuum chuck It is characterized by controlling the Y-axis movement of the blade by calculating from the coordinates of the four corners of the upper plate.

또한 상기 산출식에서 이용되는 부채꼴 패턴의 중심점 위치 정보는 판재의 중심점으로부터 가공하고자 하는 부채꼴 패턴의 중심점까지의 거리인 것을 특징으로 한다.In addition, the center point position information of the fan-shaped pattern used in the above formula is characterized in that the distance from the center point of the plate to the center point of the fan-shaped pattern to be processed.

특히, 상기 산출식은 하기 식(E)인 것을 특징으로 한다.In particular, the calculation formula is characterized by the following formula (E).

식(E): L5 = {[L1 + tan(90-α) ×D2] - D1} × sinαFormula (E): L5 = {[L1 + tan (90-α) × D2]-D1} × sinα

여기서, here,

L5: 해당 홈 가공시 블레이드의 Y축 절삭위치L5: Y-axis cutting position of the blade in the corresponding grooving

L1: 판재의 중심점으로부터 가공하고자 하는 부채꼴 패턴의 중심점까지의 거리L1: Distance from the center point of the plate to the center point of the fan pattern to be machined

α: 분할설정각도 × 현재 가공카운터(해당 홈 가공의 순번)α: Divided setting angle × Current machining counter (Sequence of the corresponding grooving)

D1: 진공척의 중심점과 판재의 중심점 간에 X축 방향 편차D1: deviation in the X-axis direction between the center point of the vacuum chuck and the center point of the plate

D2: 진공척의 중심점과 판재의 중심점 간에 Y축 방향 편차임.D2: Y-axis deviation between the center point of the vacuum chuck and the center point of the plate.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명은 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치를 이용하여 판재에 부채꼴 패턴의 홈을 가공하는 방법에 관한 것으로서, 별도의 홈 가공 장치를 이용하지 않고도 기존의 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치를 이용하여 판재에 부채꼴 패턴의 홈 가공을 할 수 있는 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치를 이용한 부채꼴 패턴의 홈 가공 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of processing a flat pattern groove in a plate using a semiconductor wafer sawing apparatus, and to a groove processing of a flat pattern in a plate using a conventional semiconductor wafer sawing apparatus without using a separate groove processing apparatus. A method of grooving a fan pattern using a semiconductor wafer sawing device that can be used.

통상 쏘잉 장치에서는 가공 대상이 되는 반도체 웨이퍼를 진공척 위에 고정시키기 위하여 전용 지그를 사용하며, 이때 상기 전용 지그의 접착 테이프 위에 웨이퍼를 부착한 후(접착 테이프에 웨이퍼의 배면이 부착되도록 함) 전용 지그와 함께 웨이퍼를 진공척 위에 올려놓고 진공척의 흡착력으로 전용 지그와 웨이퍼를 함께 고정하게 된다.In general, a sawing apparatus uses a dedicated jig to fix a semiconductor wafer to be processed on a vacuum chuck, and at this time, attaches the wafer on the adhesive tape of the dedicated jig (so that the back side of the wafer is attached to the adhesive tape), and then the dedicated jig. The wafer is placed on the vacuum chuck and the jig and the wafer are fixed together by the suction force of the vacuum chuck.

한편, 판재를 쏘잉 장치의 진공척 위에 올려 고정시킨 상태에서 판재에 부채꼴 패턴의 홈을 가공하기 위해서는 종래의 단순 가공 방법을 적용하고자 할 경우 진공척이 대형화되어야 하며, 이와 같이 대형 진공척을 갖춘 쏘잉 장치를 제작하는 것은 장치를 새로이 제작 및 구성해야 하는 문제점이 있는 동시에 실제 쏘잉 장치에서 진공척을 대형으로 장착한다는 것이 쉽지 않기에 바람직하지 않다.On the other hand, in order to process the grooves of the fan-shaped pattern on the plate while the plate is fixed on the vacuum chuck of the sawing device, if the conventional simple processing method is to be applied, the vacuum chuck must be enlarged. Making a device is not desirable because it is difficult to mount a vacuum chuck largely in a real sawing device while at the same time there is a problem that the device must be newly manufactured and configured.

즉, 부채꼴 패턴의 홈 가공을 위하여 대형 진공척을 장착한 별도 쏘잉 장치 를 제작하는 것이 장치를 구성하는 것 자체도 그러하지만 비용 면에서도 현실적으로 불가능하고, 진공척을 대형으로 장착한다는 것은 곧 부채꼴 패턴의 홈 가공을 위한 전용 장치를 제작한다는 의미가 된다. In other words, manufacturing a separate sawing device equipped with a large vacuum chuck for grooving a fan-shaped pattern is practically impossible in terms of cost, but it is practically impossible in terms of cost. It means making a dedicated device for grooving.

따라서, 본 발명은 기존의 쏘잉 장치 및 진공척에 가공 대상이 되는 판재를 실장한 후 부채꼴 패턴의 홈을 간단히 형성할 수 있는 방법을 제공하고자 한 것이다.Accordingly, the present invention is to provide a method that can simply form a groove of the fan-shaped pattern after mounting the plate to be processed in the existing sawing apparatus and vacuum chuck.

첨부한 도 3에서 도면부호 3은 가상의 대형 진공척을 나타내며, 도면부호 4는 실제 쏘잉 장치의 진공척을 나타내는 바, 도시한 가상의 대형 진공척을 사용한다고 가정할 때를 먼저 설명하면 다음과 같다.In FIG. 3, reference numeral 3 denotes a virtual large vacuum chuck, and reference numeral 4 denotes a vacuum chuck of an actual sawing apparatus. same.

대형 진공척(3)은 통상의 쏘잉 장치에서와 마찬가지로 θ축 방향으로 회전 위치가 제어 가능한 바, 부채꼴 패턴을 형성하는 일직선의 홈(2)들이 만나는 점, 즉 부채꼴 패턴의 중심점(C2)을 대형 진공척(3)의 중심점(C3)에 일치시켜 놓은 뒤, 대형 진공척(3)을 θ축 방향으로 분할설정각도 α만큼 단계적으로 회전시켜가면서 절삭 가공을 반복한다.The large vacuum chuck 3 has a controllable rotational position in the θ-axis direction as in a conventional sawing apparatus, and the large vacuum chuck 3 meets a point where the straight grooves 2 forming a fan pattern meet, that is, the center point C2 of the fan pattern. After coinciding with the center point C3 of the vacuum chuck 3, the cutting operation is repeated while the large vacuum chuck 3 is rotated stepwise by the divided set angle α in the θ-axis direction.

이때, 부채꼴 패턴의 홈(2)들 중에서 첫 번째 홈을 가공한 후 대형 진공척(3)을 θ축 방향으로 분할설정각도 α만큼 회전시켜 두 번째 홈을 가공하고, 다시 대형 진공척(3)을 분할설정각도 α만큼 회전시켜 세 번째 홈을 가공하며, 이러한 과정을 홈 가공 횟수만큼 반복하여 원하는 수의 홈들을 차례로 가공하면 부채꼴 패턴이 완성된다.At this time, after processing the first groove among the grooves (2) of the fan-shaped pattern, the large vacuum chuck (3) is rotated by the divided set angle α in the θ axis direction to process the second groove, and again the large vacuum chuck (3) Is rotated by the division set angle α, and the third groove is machined. This process is repeated as many times as the groove machining, and the desired number of grooves are sequentially processed to complete the fan-shaped pattern.

이 과정에서 블레이드(도 3에서는 미도시됨, 도 1에서 도면부호 47 참조)는 홈(2)의 폭과 깊이를 고려하여 Z축 방향으로 하강 및 상승을 반복하면서 작업이 이루어지고, 대형 진공척(3)은 θ축 방향으로 분할설정각도 α만큼 단계적으로 회전되도록 제어되며, 또한 홈 절삭시에는 회전하는 블레이드가 판재(1)의 표면에 접촉한 상태에서 대형 진공척(3)의 위치가 X축 방향으로 이동되면서 절삭이 이루어진다.In this process, the blade (not shown in FIG. 3, reference numeral 47 in FIG. 1) is operated while repeatedly descending and raising in the Z-axis in consideration of the width and depth of the groove 2, and a large vacuum chuck. (3) is controlled to be rotated stepwise by the dividing set angle α in the θ-axis direction, and at the time of groove cutting, the position of the large vacuum chuck 3 in the state that the rotating blade is in contact with the surface of the plate 1 The cutting takes place while moving in the axial direction.

요약하건대, 블레이드가 원하는 홈(2)의 폭과 깊이를 고려한 하강위치까지 Z축 방향으로 이동한 후 진공척(3)이 X축 방향으로 이동하여 첫 번째 홈을 절삭 가공하고, 이어 블레이드 상승 후 진공척(3)이 분할설정각도 α만큼 회전한 상태에서 다시 블레이드 하강 후 진공척(3)이 X축 방향으로 이동하여 두 번째 홈을 절삭 가공하며, 이러한 과정을 반복하여 원하는 수의 홈들을 차례로 가공할 수 있다.In summary, the blade moves in the Z-axis direction to the lowered position taking into account the width and depth of the desired groove (2), and then the vacuum chuck (3) moves in the X-axis direction to cut the first groove, and then the blade rises. After the blade is lowered again while the vacuum chuck 3 is rotated by the divided set angle α, the vacuum chuck 3 moves in the X-axis direction to cut the second groove, and this process is repeated to sequentially rotate the desired number of grooves. I can process it.

이와 같이 대형 진공척(3)을 사용한다면, 진공척의 θ축 방향 회전, 블레이드의 Z축 방향 상하 이동, 진공척의 X축 방향 이동만으로 부채꼴 패턴 형성을 위한 연속된 홈 가공이 가능해진다.When the large vacuum chuck 3 is used as described above, continuous groove processing for forming a fan-shaped pattern is possible only by rotating the vacuum chuck in the θ-axis direction, vertically moving the blade in the Z-axis direction, and moving the vacuum chuck in the X-axis direction.

하지만, 앞에서 설명한 바와 같이 대형 진공척이 아닌 기존 크기의 진공척(4)을 이용하는 경우 블레이드의 Y축 방향 위치 제어가 추가로 필요하게 된다.However, when using the vacuum chuck 4 of the conventional size, as described above, rather than a large vacuum chuck, it is necessary to further control the Y-axis position of the blade.

즉, 도 3에서 도면부호 4로 나타낸 실제 진공척 위에 판재(1)를 올려놓고 부채꼴 패턴의 홈(2)을 가공하기 위해서는, 진공척(4)의 회전중심이 되는 진공척의 중심점과 부채꼴 패턴의 중심점(C2)이 일치할 수 없기 때문에, 각 홈(2)의 절삭 가공시마다 블레이드의 Y축 방향 위치를 적절히 조정 및 보상해주어야 하는 것이다.That is, in order to process the groove 2 of the fan-shaped pattern by placing the plate 1 on the actual vacuum chuck indicated by reference numeral 4 in FIG. 3, the center point and the fan-shaped pattern of the vacuum chuck which is the rotation center of the vacuum chuck 4 are processed. Since the center point C2 cannot coincide, it is necessary to appropriately adjust and compensate the position in the Y-axis direction of the blade for each cutting process of each groove 2.

도 3에서 C1은 가공 대상인 판재의 중심점을 나타낸다.In FIG. 3, C1 represents the center point of the plate to be processed.

상기와 같이 본 발명에 따른 부채꼴 패턴의 홈 가공은 기존의 쏘잉 장치를 그대로 이용하기 위한 것으로, 첨부한 도 4a와 도 4b는 본 발명의 홈 가공시에 사용될 수 있는 쏘잉 장치의 일 예를 도시한 것이며, 도 4a는 정면도, 도 4b는 측면도이다.As described above, the groove processing of the fan-shaped pattern according to the present invention is to use an existing sawing apparatus as it is. The attached FIGS. 4A and 4B illustrate an example of a sawing apparatus that can be used when processing the groove of the present invention. 4A is a front view and FIG. 4B is a side view.

도시한 예의 쏘잉 장치의 주요 구성요소 및 그 작동상태 등은 공개특허 제2003-71호(2003.1.6)에 개시된 쏘잉 장치와 큰 차이가 없다.The main components of the sawing apparatus of the illustrated example, the operation state thereof, and the like are not significantly different from the sawing apparatus disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2003-71 (2003.1.6).

도면부호 110은 블레이드 어셈블리로서, 이 블레이드 어셈블리(110)는 제1모터(112)에 의해 Z축 방향으로 승/하강 가능하도록 되어 있으며, 상기 제1모터(112)가 회전 구동함에 따라 볼 스크류(113)가 회전하면서 블레이드 어셈블리 전체가 상하 이동 및 위치 제어될 수 있게 되어 있다.Reference numeral 110 denotes a blade assembly, and the blade assembly 110 is capable of being lifted / lowered in the Z-axis direction by the first motor 112. As the first motor 112 rotates, a ball screw ( As the blade 113 rotates, the entire blade assembly can be moved up and down and positioned.

상기 블레이드 어셈블리(110)는 웨이퍼나 기타 가공물을 쏘잉 또는 절삭하기 위한 블레이드(111)를 포함한다.The blade assembly 110 includes a blade 111 for sawing or cutting a wafer or other workpiece.

또한 도면부호 114는 가공물의 정렬 상태 및 쏘잉 상태를 모니터(도시하지 않음)에 나타내도록 촬상하는 촬상수단을 나타내며, 고배율 및 저배율의 두 카메라(115,116)가 설치되어 있다.Reference numeral 114 denotes an image pickup means for picking up an arrangement state and a sawing state of the workpiece on a monitor (not shown), and two cameras 115 and 116 of high magnification and low magnification are provided.

또한 도면부호 120은 진공척(121)을 포함하는 진공척 어셈블리로서, 이 진공척 어셈블리(120)는 제2모터(122)에 의해 X축 방향으로 이동하도록 되어 있으며, 상기 제2모터(122)가 회전 구동함에 따라 볼 스크류(123)가 회전하면서 진공척 어셈블리(120) 전체가 X축 방향으로 직선 이동 및 위치 제어될 수 있게 되어 있다.Also, reference numeral 120 denotes a vacuum chuck assembly including a vacuum chuck 121, and the vacuum chuck assembly 120 is moved in the X-axis direction by the second motor 122, and the second motor 122 As the ball screw 123 rotates as the ball rotates, the entire vacuum chuck assembly 120 can be linearly moved and positioned in the X-axis direction.

그리고, 도면부호 124는 블레이드 어셈블리(110)와 일체로 움직이도록 된 이 송대로서, 상기 이송대(124) 및 블레이드 어셈블리(110)는 제3모터(125)에 의해 Y축 방향으로 이동하도록 되어 있으며, 상기 제3모터(125)가 회전 구동함에 따라 볼 스크류(126)가 회전하면서 이송대(124) 및 블레이드 어셈블리(110) 전체가 Y축 방향으로 직선 이동 및 위치 제어될 수 있게 되어 있다.In addition, reference numeral 124 denotes a carriage that is integrally moved with the blade assembly 110, and the carriage 124 and the blade assembly 110 are moved in the Y-axis direction by the third motor 125. As the third motor 125 rotates, the ball screw 126 rotates so that the carriage 124 and the entire blade assembly 110 can be linearly moved and positioned in the Y-axis direction.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 부채꼴 패턴의 홈 가공 방법에 대해 구체적으로 상술하기로 한다.Hereinafter, the groove processing method of the fan-shaped pattern according to the present invention with reference to the accompanying drawings will be described in detail.

첨부한 도 5는 본 발명에 따른 부채꼴 패턴의 홈 가공 과정을 나타낸 흐름도로서, 상기와 같은 쏘잉 장치를 이용하여 판재(1)에 도 2와 같은 부채꼴 패턴의 홈(2)을 가공하는 과정을 순서대로 보여주고 있다.5 is a flowchart illustrating a groove processing process of the fan-shaped pattern according to the present invention, and the process of processing the groove 2 of the fan-shaped pattern as shown in FIG. 2 on the plate 1 using the sawing apparatus as described above. I'm showing you.

또한 첨부한 도 6은 진공척(121)과 그 위에 실장된 판재(1)를 나타낸 도면으로서, 본 발명의 홈 가공 과정에서 블레이드의 Y축 절삭위치의 산출 원리 및 과정, 산출식을 설명하기 위한 참고도이다.6 is a view showing the vacuum chuck 121 and the plate 1 mounted thereon, for explaining the calculation principle, process, calculation formula of the Y-axis cutting position of the blade in the grooving process of the present invention See also.

우선, 작업자가 쏘잉 장치의 조작수단을 통해 판재(1)에 가공될 부채꼴 패턴의 중심점 위치 정보와 분할설정각도(α)(예, 0.5°,0.7°,3°), 홈 가공 횟수(가공되는 홈의 개수) 등을 프로그램 입력한다.First, the operator has the center point position information of the fan-shaped pattern to be processed on the plate 1 through the operation means of the sawing device, the divided set angle α (e.g., 0.5 °, 0.7 °, 3 °), and the number of grooves (the Program number).

이때, 상기 부채꼴 패턴의 중심점 위치 정보로는 판재(1)의 중심점(C1)으로부터 판재(1)에 가공하고자 하는 부채꼴 패턴의 중심점(C2)까지의 거리, 즉 X축 기준 거리(L1)가 입력될 수 있다.In this case, as the center point position information of the fan-shaped pattern, the distance from the center point C1 of the plate 1 to the center point C2 of the fan-shaped pattern to be processed on the plate 1, that is, the X-axis reference distance L1 is input. Can be.

상기 기준 거리(L1)와 분할설정각도(α)는 부채꼴 패턴의 설계 과정에서 미리 알 수 있는 것으로, 부채꼴 패턴의 설계 과정에서 미리 정해지는 값이며, 미리 계산한 상기 기준 거리(L1)와 설정한 분할설정각도(α)를 프로그램 입력하게 된다. The reference distance L1 and the divided setting angle α are known in advance in the design process of the fan-shaped pattern, and are determined in advance in the design process of the fan-shaped pattern, and are set in advance with the reference distance L1 calculated in advance. The division setting angle α is input to the program.

이후, 쏘잉 장치의 진공척(121) 위에 가공대상이 되는 소재, 즉 부채꼴 패턴의 홈(2)을 가공할 판재(예, 그래파이트 판)(1)를 실장한다.Subsequently, a plate material (eg, a graphite plate) 1 on which a material to be processed, that is, a fan-shaped pattern groove 2, is to be mounted on the vacuum chuck 121 of the sawing apparatus.

이와 같이 판재(1)가 실장된 상태에서 쏘잉 장치의 카메라(115,116)는 판재(1)의 초기 위치를 촬상하고, 모니터는 카메라에 의해 판재의 촬상된 부분을 확대하여 화면으로 표시하는 바, 작업자는 모니터를 통해 촬상된 부분을 보면서 쏘잉 장치의 조작수단을 조작하여 X축 선상과 판재(1)의 X방향 라인을 정렬(ALIGN)한다.As described above, in the state where the plate 1 is mounted, the cameras 115 and 116 of the sawing apparatus image the initial position of the plate 1, and the monitor enlarges the imaged portion of the plate by the camera and displays it on the screen. ALIGNs the X-direction line on the X-axis line and the X-direction line of the plate 1 by operating the operation means of the sawing apparatus while looking at the portion captured by the monitor.

여기서, 작업자가 모니터를 보면서 조그운전하여 판재(1)의 일측 모서리 두 점, 즉 제1점(P1) 및 제2점(P2)을 차례로 선택하여 정렬 조작하게 되면, 쏘잉 장치의 제어부에서는 선택된 상기 두 점(P1,P2)의 X, Y 좌표를 획득하고 획득된 두 점의 X, Y 좌표로부터 미리 설정된 X축 절대 기준선과 상기 두 점의 연장선 간의 틀어짐 각도를 삼각함수를 이용해 산출한 뒤 틀어진 각도만큼 진공척을 θ축 방향으로 회전시켜 소재 정렬한다.Here, when the operator jogs while looking at the monitor to select and arrange two corners of one side of the plate 1, that is, the first point P1 and the second point P2, in order, the control unit of the sawing apparatus selects Obtain the X, Y coordinates of two points (P1, P2) and calculate the twist angle between the preset X-axis absolute reference line and the extension line of the two points from the obtained X, Y coordinates by using a trigonometric function Rotate the vacuum chuck in the θ-axis direction until the material is aligned.

이때, 가공되는 소재, 즉 판재(1)의 모양은 진공척(121) 위 정렬을 위해 직사각형 또는 정사각형이어야 한다. At this time, the shape of the material to be processed, that is, the plate 1 should be rectangular or square for alignment on the vacuum chuck 121.

상기 '조그운전'이라 함은 쏘잉 장치에서 조작수단인 조이스틱을 이용하여 수동으로 카메라를 X, Y 선상에서 기동하는 행위를 말하며, 두 점(P1,P2)의 선택 및 정렬 조작은 또 다른 조작수단인 터치 스크린 조작을 통해 실시한다. The 'jog operation' refers to the act of manually starting the camera on the X and Y lines using a joystick which is an operation means in the sawing device, and selecting and aligning the two points P1 and P2 is another operation means. Is carried out via touch screen operation.

상기와 같이 가공할 판재(1)의 정렬이 끝나면, 작업자는 다시 조그운전을 하여, 즉 조이스틱을 수동으로 조작하여 모니터를 통해 카메라 중심선 상을 정렬된 판재(1)의 네 모서리 끝점(P1,P2,P3,P4)으로 차례로 위치 이동시켜가면서 각 모서리 끝점 위치에서 터치 스크린을 조작하여 네 모서리 끝점의 X, Y 좌표를 차례로 획득, 입력한다. After the alignment of the plate 1 to be processed as described above, the operator jogs again, that is, by manually operating the joystick, the four corner end points (P1, P2) of the plate 1 aligned on the camera centerline through the monitor , P3, P4) in order to acquire and input the X and Y coordinates of the four corner endpoints in turn by operating the touch screen at each corner endpoint location.

상기와 같이 터치 스크린을 조작되면, 쏘잉 장치의 제어부 내 메모리에는 판재(1)의 모서리 각 끝점(P1,P2,P3,P4)에 대하여 획득된 각각 그 X, Y 좌표가 저장된다. When the touch screen is operated as described above, the X and Y coordinates obtained for each end point P1, P2, P3, and P4 of the edge of the plate 1 are stored in the memory of the control unit of the sawing apparatus.

이후, 터치 스크린을 조작하여 작업을 개시하면, 쏘잉 장치의 제어부는 가공카운터를 카운터하고, 미리 프로그램된 작업순서에 따라 쏘잉 장치의 각 모터 및 진공척의 구동을 적절히 제어하게 되는 바, 이와 같이 각 모터 및 진공척의 구동이 제어되면서 홈 가공 작업이 진행되게 된다.Subsequently, when the operation is started by operating the touch screen, the control unit of the sawing apparatus counters the processing counter and properly controls the driving of each motor and the vacuum chuck of the sawing apparatus according to a pre-programmed working sequence. And while the driving of the vacuum chuck is controlled, the groove processing operation is to proceed.

첫 번째 홈 가공시에는 가공카운터가 1로 설정된다(설정 '가공카운터=1'). At the first grooving, the machining counter is set to 1 (setting 'machining counter = 1').

좀더 상세히는, 프로그램된 작업순서에 따라 제어부는 먼저 블레이드(111)를 회전시킨 상태에서 제1모터(112)를 구동시켜 이에 연결된 볼 스크류축(113)을 회전시키는 바, 이에 블레이드(111)가 미리 정해진 절삭높이, 즉 Z축 방향으로 홈 가공 위치까지 하강한다.In more detail, according to the programmed work order, the controller first drives the first motor 112 while rotating the blade 111 to rotate the ball screw shaft 113 connected thereto. It descends to a predetermined cutting height, that is, to the grooving position in the Z-axis direction.

그리고, 제2모터(122)를 구동시켜 이에 연결된 볼 스크류축(123)을 회전시키는 바, 이에 따라 진공척(121)이 X축 방향으로 기동 목표위치('P1의 X 좌표 + 더미변수', 여기서 더미변수는 이동 여유분이 됨)까지 이동되며, 진공척(121)이 X축 방향으로 이동되는 동안 블레이드(111)가 판재(1)에 접촉되면서 홈 절삭이 이루어진다.Then, the second motor 122 is driven to rotate the ball screw shaft 123 connected thereto. Accordingly, the vacuum chuck 121 moves in the X-axis direction to the starting target position ('X coordinate of the P1 + dummy variable', Here, the dummy variable is moved to a margin of movement), while the blade 111 contacts the plate 1 while the vacuum chuck 121 is moved in the X-axis direction, groove cutting is performed.

이후, 첫 번째 홈 가공이 완료되면, 블레이드(111)는 다시 상승하고, 진공척(121)은 X 축 방향으로 역 이동하여 원래 위치, 즉 역 이동시의 기동 목표위치('P2의 X 좌표 + 더미변수', 여기서 더미변수는 이동 여유분이 됨)로 복귀된다.Thereafter, when the first grooving is completed, the blade 111 is raised again, and the vacuum chuck 121 is moved back in the X-axis direction so that the original position, that is, the starting target position (X coordinate of P2 + dummy at the time of reverse movement) Variable ', where the dummy variable is a moving allowance).

이후, 상기와 같이 첫 번째 홈 가공이 모두 완료되면, 두 번째 홈 가공시에는 가공카운터가 2로 설정되며(설정 '가공카운터=1'), 이후 홈 가공을 1회 반복할 때마다 가공카운터가 1씩 증가하게 된다.Then, when the first grooving is completed as described above, when the second grooving, the machining counter is set to 2 (setting 'machining counter = 1'), and the machining counter is repeated every time after the grooving. It will be increased by one.

이와 같이 가공카운터가 1씩 증가하여 가공카운터가 설정된 분할횟수, 즉 홈 가공 횟수가 될 때까지 상기와 같은 홈 가공 과정을 반복하게 된다('설정된 분할 횟수≤가공카운터'이면 종료). In this way, the machining counter is increased by one, so that the above machining process is repeated until the machining counter reaches the set number of divisions, that is, the number of groove machining.

이를 보다 상세히 설명하면, 두 번째 홈 가공을 위하여, 제어부는 미리 프로그램 입력된 분할설정각도(α)만큼 진공척(121)을 회전시키고, 이어 프로그램된 산출식에 따라 블레이드의 Y축 절삭위치를 계산한 뒤 블레이드를 계산된 Y축 절삭위치로 Y축 방향을 따라 이동시킨다. In more detail, for the second grooving, the control unit rotates the vacuum chuck 121 by the pre-programmed division setting angle α, and then calculates the Y-axis cutting position of the blade according to the programmed calculation formula. The blade is then moved along the Y axis to the calculated Y axis cutting position.

이때, 제3모터(125)를 구동 및 제어하여 이에 연결된 볼 스크류축(126)을 정해진 양만큼 회전시킴으로써 블레이드(111)가 Y축 방향을 따라 계산된 Y축 절삭위치로 정확히 이동되게 된다.At this time, by driving and controlling the third motor 125 to rotate the ball screw shaft 126 connected thereto by a predetermined amount, the blade 111 is accurately moved to the Y-axis cutting position calculated along the Y-axis direction.

이후, 제어부는 다시 블레이드(111)를 동일한 제어방식으로 하강시키고, 진공척(121)을 X축 방향으로 이동시켜, 진공척(121)이 X축 방향으로 이동하는 동안 회전하는 블레이드(111)에 의해 판재가 접촉되면서 두 번째 홈 절삭이 이루어지도록 한다.Thereafter, the control unit lowers the blade 111 again in the same control method, moves the vacuum chuck 121 in the X-axis direction, and rotates the blade 111 while the vacuum chuck 121 moves in the X-axis direction. The plate is brought into contact with the second groove cutting.

이후, 두 번째 홈 가공이 완료되면, 블레이드(111)는 다시 상승하고, 진공척(121)은 X 축 방향으로 역 이동하여 원래 위치로 복귀된다.Then, when the second groove processing is completed, the blade 111 is raised again, the vacuum chuck 121 is moved back in the X-axis direction to return to the original position.

이후, 제어부는, 두 번째 홈 가공시와 마찬가지로, 세 번째 홈 가공을 위하여 분할설정각도(α)만큼 진공척(121)을 다시 회전시키고, 이어 다시 블레이드의 Y축 절삭위치를 계산한 뒤, 계산된 Y축 절삭위치로 블레이드(111)를 Y축 방향을 따라 이동시킨다. Subsequently, the controller rotates the vacuum chuck 121 again by the divided set angle α for the third grooving, as in the second grooving, and then calculates the Y-axis cutting position of the blade, and then calculates The blade 111 is moved along the Y-axis direction to the cut Y-axis cutting position.

이후, 제어부는 다시 블레이드(111)를 동일한 제어방식으로 하강시키고, 진공척(121)을 X축 방향으로 이동시켜, 진공척(121)이 X축 방향으로 이동하는 동안 회전하는 블레이드(111)에 의해 판재가 접촉되면서 세 번째 홈 절삭이 이루어지도록 한다.Thereafter, the control unit lowers the blade 111 again in the same control method, moves the vacuum chuck 121 in the X-axis direction, and rotates the blade 111 while the vacuum chuck 121 moves in the X-axis direction. The plate is brought into contact with the third groove to be made.

그리고, 상기와 같은 홈 절삭 과정을 미리 프로그램 입력된 분할횟수, 즉 홈 가공 횟수만큼 반복하며, 설정된 홈 가공 횟수만큼 홈 절삭이 완료되면('설정된 분할 횟수≤가공카운터') 종료한다.The above-described groove cutting process is repeated as many times as the number of divisions input in advance, i.e., the number of groove machining, and ends when the groove cutting is completed by the set number of groove machining ('set number of divisions ≤ processing counter').

이와 같이 본 발명에서는 제어부가 미리 프로그래밍된 프로그램에 따라 각각의 홈 가공시마다 블레이드(111)의 Z축 방향 및 Y축 방향 이동 제어, 진공척(121)의 분할설정각도만큼의 회전 제어, X축 방향 이동 제어를 수행하여 단계적으로 홈 절삭을 진행하는 바, 최종적으로 도 2a 내지 도 2c에 나타낸 바와 같이 다수개의 홈(2)으로 이루어진 부채꼴 패턴을 판재(1)에 형성할 수 있게 된다.As described above, in the present invention, the control unit controls the movement of the Z-axis direction and the Y-axis direction of the blade 111 and the rotation control by the divided set angle of the vacuum chuck 121 at each grooving process according to a preprogrammed program. As the groove cutting is performed in a stepwise manner by performing the movement control, finally, as shown in FIGS. 2A to 2C, a fan-shaped pattern made of a plurality of grooves 2 can be formed in the plate 1.

한편, 제어부는 각각의 홈 가공시마다 프로그램된 산출식에 의해 블레이드(111)의 Y축 절삭위치를 계산하게 되는데, 이를 위해서는 부채꼴 패턴의 중심점 위치 정보 및 분할설정각도가 미리 프로그램 입력되어야 하며, 상기 부채꼴 패턴의 중심점 위치 정보 및 분할설정각도, 진공척(121)의 중심점 좌표, 작업 초기 획득된 진공척(121) 위 판재(1)의 네 모서리 끝점(P1,P2,P3,P4) 좌표로부터 Y축 절삭위치가 계산되어진다.On the other hand, the control unit calculates the Y-axis cutting position of the blade 111 by the calculation formula programmed for each groove processing, for this purpose, the center point position information and the divided setting angle of the fan pattern must be input in advance, and the fan Y-axis from the center point position information of the pattern and the setting angle of the division, the coordinates of the center point of the vacuum chuck 121, and the coordinates of the four corner end points (P1, P2, P3, P4) of the plate 1 on the vacuum chuck 121 obtained at the beginning of the work. The cutting position is calculated.

도 5와 도 6을 참조하여 Y축 절삭위치의 산출에 대해 설명하면 다음과 같다.The calculation of the Y-axis cutting position will be described with reference to FIGS. 5 and 6 as follows.

도 6에서, 도면부호 1은 홈 가공되는 판재를, 도면부호 2는 홈을, 도면부호 121은 진공척을 나타낸다.In Fig. 6, reference numeral 1 denotes a plate material being grooved, reference numeral 2 denotes a groove, and reference numeral 121 denotes a vacuum chuck.

그리고, 도면부호 P1, P2, P3, P4는 작업 초기 조그운전을 통해 X, Y 좌표가 획득되는 판재(1)의 모서리 끝점을 나타내며, C1은 판재(1)의 중심점, C2는 부채꼴 패턴의 중심점, C3는 진공척(121)의 중심점을 나타내고, X1은 판재(1)의 X축 방향 치수를, Y1은 판재(1)의 Y축 방향 치수를 나타낸다.In addition, reference numerals P1, P2, P3, and P4 denote the edge end points of the plate 1 obtained by the initial jog operation of the X, Y coordinates, C1 is the center point of the plate (1), C2 is the center point of the fan pattern , C3 denotes the center point of the vacuum chuck 121, X1 denotes the X-axis direction dimension of the plate member 1, and Y1 denotes the Y-axis direction dimension of the plate member 1.

상기 네 모서리 끝점(P1,P2,P3,P4)의 좌표로부터 판재(1)의 X축 방향 치수(X1) 및 Y축 방향 치수(Y1), 판재 중심점(C1)의 좌표 등을 산출하여 이를 Y축 절삭위치를 계산하는데 이용한다.From the coordinates of the four corner end points (P1, P2, P3, P4), the X-axis direction X1 and Y-axis direction (Y1), the coordinates of the plate center point (C1), etc. It is used to calculate the axis cutting position.

C1의 좌표는 네 모서리 끝점(P1,P2,P3,P4)의 좌표로부터 얻어질 수 있으며, C3의 좌표는 장치 제작시 설정된 진공척 중심에 대한 카메라의 X, Y 좌표이다. The coordinate of C1 can be obtained from the coordinates of the four corner end points (P1, P2, P3, P4), and the coordinate of C3 is the X and Y coordinates of the camera with respect to the vacuum chuck center set at the time of manufacturing the device.

그리고, α는 분할설정각도를 나타내며, L1은 기준거리를, L5는 계산하고자 하는 Y축 절삭위치를 나타낸다. Α denotes the divided set angle, L1 denotes a reference distance, and L5 denotes a Y-axis cutting position to be calculated.

우선, 판재(1)의 X축 방향 치수 X1과 판재의 Y축 방향 치수 Y1은 각각 다음의 식(1)과 식(2)로 계산될 수 있다.First, the X-axis direction dimension X1 of the board | plate material 1 and the Y-axis direction dimension Y1 of a board | plate material can be calculated by following Formula (1) and Formula (2), respectively.

X1 = P2의 X 좌표 - P1의 X 좌표 (1)X1 = X coordinate of P2-X coordinate of P1 (1)

Y1 = P2의 Y 좌표 - P2의 Y좌표 (2)Y1 = Y coordinate of P2-Y coordinate of P2 (2)

그리고, Y축 절삭위치 L5를 계산하기 위해서는 척 중심점(C3)과 척(121) 위에 올려진 판재(1)의 중심점(C1) 간에 X축 방향 편차 D1과 Y축 방향 편차 D2를 알아야 한다.In addition, in order to calculate the Y-axis cutting position L5, it is necessary to know the X-axis direction deviation D1 and the Y-axis direction deviation D2 between the chuck center point C3 and the center point C1 of the plate 1 placed on the chuck 121.

이는 각각 다음의 식(3)과 식(4)로 계산될 수 있다.This can be calculated by the following equations (3) and (4), respectively.

D1 = C3의 X 좌표 - (P2의 X 좌표 - X1/2) (3)D1 = X coordinate of C3-(X coordinate of P2-X1 / 2) (3)

D2 = C3의 Y 좌표 - (P2의 Y 좌표 - Y1/2) (4)D2 = Y coordinate of C3-(Y coordinate of P2-Y1 / 2) (4)

그리고, Y축 절삭위치 L5를 계산하기 위해서는 도 6에서 P5와 P6, C3가 형성하는 삼각형의 X축 밑변 L4를 알아야 하는 바, 이는 다음의 식(5)로 계산될 수 있다.In order to calculate the Y-axis cutting position L5, it is necessary to know the base X-axis L4 of the triangle formed by P5, P6, and C3 in FIG. 6, which can be calculated by the following equation (5).

L4 = L1 + L4 - D1 = [L1 + tan(90-α) ×D2] - D1 (5)L4 = L1 + L4-D1 = [L1 + tan (90-α) × D2]-D1 (5)

결국, Y축 절삭위치 L5는 다음의 식(6)으로 정리된다.As a result, the Y-axis cutting position L5 is summarized by the following equation (6).

L5 = L4 × sinα = {[L1 + tan(90-α) ×D2] - D1} × sinα (6)L5 = L4 × sinα = {[L1 + tan (90-α) × D2]-D1} × sinα (6)

결국, Y축 절삭위치 L5는 상기 식(6)을 통해 계산될 수 있으며, 단, 식(6)의 산출식을 이용함에 있어서, 홈 가공이 반복될 때마다 상기 α에는 'α×가공카운터' 값이 대입되어 해당 홈 가공시의 Y축 절삭위치 L5가 계산되어진다.As a result, the Y-axis cutting position L5 can be calculated through the above formula (6), except that, in using the calculation formula of the formula (6), each time the groove machining is repeated, α is the 'α × processing counter'. The value is substituted and the Y-axis cutting position L5 at the time of grooving is calculated.

즉, 예를 들면, 분할설정각도 α = 3°로 한 경우, 첫 번째 홈 가공시에는 α = 3°가 되나, 두 번째 홈 가공시에는 α = 3°× 2, 세 번째 홈 가공시에는 α = 3°× 3이 된다.That is, for example, when the divided set angle α = 3 °, α = 3 ° at the first grooving, α = 3 ° × 2 at the second grooving, α at the third grooving = 3 ° × 3.

이와 같이 홈 가공이 반복될 때마다 해당 홈 가공시의 Y축 절삭위치 L5를 식(6)으로부터 산출할 때 상기 식(6)의 α는 '분할설정각도×현재의 가공카운터'로 하여 계산이 이루어진다(α←α,2α,3α,...,nα, 여기서 n은 가공카운터)As described above, when calculating the Y-axis cutting position L5 at the time of grooving from Equation (6) each time the grooving is repeated, α in Equation (6) is calculated as 'division setting angle x current machining counter'. (Α ← α, 2α, 3α, ..., nα, where n is the processing counter)

결국, 제어부에서 상술한 바에 따라 홈 가공시마다 α를 '분할설정각도×현재의 가공카운터'로 하여 Y축 절삭위치 L5가 계산되면, 계산된 Y축 절삭위치로 블레이드를 Y축 방향을 따라 이동시켜 해당 홈의 절삭을 진행하게 된다. As a result, as described above, when the Y-axis cutting position L5 is calculated using α as 'split set angle x current machining counter' as described above, the blade is moved along the Y-axis direction to the calculated Y-axis cutting position. The groove is cut.

이와 같이 하여, 본 발명에 따른 부채꼴 패턴의 홈 가공 방법에 따르면, 전술한 바와 같이 쏘잉 장치를 이용하여 판재에 원하는 개수 및 분할설정각도의 홈들을 형성할 수 있는 바, 별도의 장치 제작 및 이용 없이 기존 장비를 이용하여 부채꼴 패턴의 홈 가공을 할 수 있게 된다.In this way, according to the groove processing method of the fan-shaped pattern according to the present invention, as described above, it is possible to form the grooves of the desired number and the divided set angle in the plate by using the sawing device, without making and using a separate device Using existing equipment, it is possible to groove the fan pattern.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 기존의 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치를 이용하여 판재에 원하는 개수 및 분할설정각도의 홈들을 부채꼴 모양으로 배치되게 형성할 수 있는 방법을 제공함으로써, 다음과 같은 효과가 있다.As described above, according to the present invention, by providing a method that can be formed in the shape of a fan-shaped grooves of the desired number and the divided set angle on the plate using a conventional semiconductor wafer sawing device, the following effects have.

1) 별도의 전용 장치를 이용하지 않고도 기존의 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치를 이용하여 부채꼴 패턴의 홈 가공을 할 수 있는 바, 별도의 전용 장치를 제작하고 구성하는 데 소요되는 비용을 절감할 수 있고, 원가 절감 등 경제성 측면에서 유리해지는 장점이 있게 된다. 1) Grooves can be fanned using existing semiconductor wafer sawing devices without the need for a dedicated device, reducing the cost of manufacturing and configuring a separate device. There is an advantage in terms of economics, such as savings.

2) 진공척의 크기 및 판재의 크기에 크게 제한됨 없이 가공이 가능하고, 부 채꼴 패턴의 중심점을 포함할 수 있는 대형 진공척 설치 및 구성, 이를 위한 장치의 전체적인 변경 등이 불필요하며, 기존의 쏘잉 장치만으로 부채꼴 패턴의 홈이 가공된 판재의 수요에 효과적으로 대응이 가능해진다.2) It can be processed without being limited to the size of the vacuum chuck and the size of the plate, and it is unnecessary to install and configure a large vacuum chuck that can include the center point of the flat pattern, and the overall change of the device therefor. Only by using a fan-shaped grooved plate can be effectively responded to.

3) 그래파이트 판의 부채꼴 패턴 홈 가공에 적용하여 X-Ray 장비 제작에 필요한 부품 제작에 널리 적용이 가능하고, 부채꼴 패턴의 판재 가공을 필요로 하는 다양한 분야에 확대 적용이 가능하다.3) It can be applied to flat pattern groove processing of graphite plate, which can be widely applied to manufacturing parts necessary for X-ray equipment manufacturing, and can be expanded to various fields that require flat plate processing.

4) 정/직사각형 소재를 진공척의 중심이 아닌 어긋난 중심위치에 장착하여도 신속히 정렬하여 정밀 절상이 가능하다.4) Even if the square / square material is mounted at the displaced center position instead of the center of the vacuum chuck, precise rounding is possible.

Claims (4)

반도체 웨이퍼 쏘잉 장치를 이용하여 판재에 부채꼴 패턴으로 배치되는 다수개의 홈들을 가공하기 위하여,In order to process a plurality of grooves arranged in a flat pattern on a plate using a semiconductor wafer sawing device, 쏘잉 장치의 조작수단을 통해 판재에 가공될 부채꼴 패턴의 중심점 위치 정보 및 분할설정각도, 홈 가공 횟수를 프로그램 입력하는 단계와;Program inputting the center point position information, the division set angle, and the number of times of groove processing of the fan-shaped pattern to be processed on the sheet through the operation means of the sawing apparatus; 진공척 위에 판재를 실장하는 단계와;Mounting a plate on a vacuum chuck; 상기 판재가 실장된 상태에서 모니터로 카메라에 의해 촬상된 부분을 보면서 조작수단을 조작하여 장치의 X축 선상과 판재의 X 방향 라인을 정렬하는 단계와;Aligning the X-axis line of the apparatus with the X-direction line of the plate by operating the operation means while watching the portion captured by the camera with the monitor while the plate is mounted; 조작수단을 조작하여 모니터를 통해 카메라 중심선 상을 정렬된 판재의 네 모서리 끝점으로 차례로 위치 이동시켜가면서 네 모서리 끝점의 X, Y 좌표를 차례로 획득, 입력하는 단계와;Acquiring and inputting the X and Y coordinates of the four corner end points in sequence while operating the operation means to move the position on the camera center line to the four corner end points of the aligned sheet material through the monitor; 조작수단으로 작업 개시하여 제어부의 제어하에 블레이드가 미리 설정된 절삭높이까지 하강한 후 진공척이 X축 방향으로 이동하면서 첫 번째 홈 가공이 수행되도록 하는 단계와; Starting the operation by the operation means so that, under the control of the control unit, the blade is lowered to a preset cutting height so that the first groove processing is performed while the vacuum chuck is moved in the X-axis direction; 이어 블레이드의 상하 이동, 진공척의 분할설정각도 회전 및 진공척의 X축 방향 이동, 블레이드의 Y축 방향 이동에 의해 단계적으로 홈 가공을 반복하여 부채꼴 패턴을 형성하는 단계; Forming a fan-shaped pattern by repeating the groove machining stepwise by the vertical movement of the blade, the rotation of the divided set angle of the vacuum chuck, the movement of the vacuum chuck in the X-axis direction, and the movement of the blade in the Y-axis direction; 를 포함하여 이루어지는 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치를 이용한 부채꼴 패턴의 홈 가공 방법.Groove processing of a fan-shaped pattern using a semiconductor wafer sawing device comprising a. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제어부는 각각의 홈 가공시마다 프로그램된 산출식에 의해 블레이드의 Y축 절삭위치를 계산하되, 가공하고자 하는 부채꼴 패턴의 중심점 위치 정보 및 분할설정각도, 진공척의 중심점 좌표, 초기 획득된 진공척 위 판재의 네 모서리 끝점 좌표로부터 계산하여 블레이드의 Y축 방향 이동을 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치를 이용한 부채꼴 패턴의 홈 가공 방법.The control unit calculates the Y-axis cutting position of the blade according to the programmed formula for each grooving process, the center point position information and the divided set angle of the fan-shaped pattern to be processed, the center point coordinates of the vacuum chuck, the initially obtained vacuum chuck plate The groove processing method of the fan-shaped pattern using a semiconductor wafer sawing device, characterized in that to control the movement in the Y-axis direction of the blade by calculating from the coordinates of the four corners. 청구항 2에 있어서,The method according to claim 2, 상기 산출식에서 이용되는 부채꼴 패턴의 중심점 위치 정보는 판재의 중심점으로부터 가공하고자 하는 부채꼴 패턴의 중심점까지의 거리인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치를 이용한 부채꼴 패턴의 홈 가공 방법.The center point position information of the fan-shaped pattern used in the calculation formula is a distance from the center point of the sheet material to the center point of the fan-shaped pattern to be processed. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,The method according to claim 2 or 3, 상기 산출식은 하기 식(E)인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 쏘잉 장치를 이용한 부채꼴 패턴의 홈 가공 방법.The said calculation formula is following formula (E), The groove-processing method of the fan pattern using the semiconductor wafer sawing apparatus characterized by the above-mentioned. 식(E): L5 = {[L1 + tan(90-α) ×D2] - D1} × sinαFormula (E): L5 = {[L1 + tan (90-α) × D2]-D1} × sinα 여기서, here, L5: 해당 홈 가공시 블레이드의 Y축 절삭위치L5: Y-axis cutting position of the blade in the corresponding grooving L1: 판재의 중심점으로부터 가공하고자 하는 부채꼴 패턴의 중심점까지의 거리L1: Distance from the center point of the plate to the center point of the fan pattern to be machined α: 분할설정각도 × 현재 가공카운터(해당 홈 가공의 순번)α: Divided setting angle × Current machining counter (Sequence of the corresponding grooving) D1: 진공척의 중심점과 판재의 중심점 간에 X축 방향 편차D1: deviation in the X-axis direction between the center point of the vacuum chuck and the center point of the plate D2: 진공척의 중심점과 판재의 중심점 간에 Y축 방향 편차임.D2: Y-axis deviation between the center point of the vacuum chuck and the center point of the plate.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015063655A1 (en) * 2013-10-29 2015-05-07 Koninklijke Philips N.V. Separating a wafer of light emitting devices
CN110120446A (en) * 2013-10-29 2019-08-13 亮锐控股有限公司 Separate the chip of luminescent device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102148100B1 (en) * 2019-08-26 2020-08-25 (주)네온테크 Hybrid dicing apparatus and cutting method for the same

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4509243B2 (en) 1999-03-04 2010-07-21 株式会社ディスコ Cutting method of laminated workpiece
JP4238041B2 (en) * 2003-02-06 2009-03-11 アドバンスト ダイシング テクノロジース リミテッド Dicing apparatus, dicing method, and manufacturing method of semiconductor device
KR20060008600A (en) * 2004-07-21 2006-01-27 동양산업(주) Light guide panel of having the pattern like the shape of a fan and the method for manufacturing the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015063655A1 (en) * 2013-10-29 2015-05-07 Koninklijke Philips N.V. Separating a wafer of light emitting devices
US9773941B2 (en) 2013-10-29 2017-09-26 Koninklijke Philips N.V. Separating a wafer of light emitting devices
CN110120446A (en) * 2013-10-29 2019-08-13 亮锐控股有限公司 Separate the chip of luminescent device

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