KR20070093161A - Control circuit device of digital instrument and power control method for digital instrument using the same - Google Patents

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Abstract

A control circuit device for a digital appliance and a power control method of the digital appliance using the same are provided to boot an SoC(System on Chip) having a processor fast by using an STR(Suspend To RAM) method. When a power shutdown instruction is received(S102), it is determined whether a power shutdown sequence is set to a fast boot mode(S104). If the power shutdown sequence is not set to the fast boot mode, SoC power and external memory power are shut off(S120). If the power shutdown sequence is set to the fast boot mode, system backup is performed(S106). A shutdown instruction of SoC main power is given(S108). An external memory is set to a self refresh mode(S110). If a power supply instruction is received while the external memory is set to the self refresh mode, an STR booting process is performed(S112). It is determined whether a memory card is removed(S114). If the memory card is removed, a shutdown instruction of the external memory power is given(S118).

Description

디지털 기기용 제어회로 장치 및 이를 이용한 디지털 기기의 전원 제어 방법{Control circuit device of digital instrument and power control method for digital instrument using the same}Control circuit device for digital devices and power control method for digital devices using the same {control circuit device of digital instrument and power control method for digital instrument using the same}

도 1은 종래의 SoC의 STR 기법에 의한 파워오프 시퀀스이다.1 is a power-off sequence by the STR technique of a conventional SoC.

도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의한 디지털 기기용 제어회로 장치를 설명하기 위한 블록도이다.2 is a block diagram illustrating a control circuit device for a digital device according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 2의 SoC 전원 제어부(100)의 바람직한 일 실시예를 설명하기 위한 블록도이다.FIG. 3 is a block diagram illustrating an exemplary embodiment of the SoC power control unit 100 of FIG. 2.

도 4는 도 2의 SoC 전원 제어부(100)의 바람직한 다른 실시예를 설명하기 위한 블록도이다.4 is a block diagram for explaining another preferred embodiment of the SoC power control unit 100 of FIG.

도 5는 도 2의 메모리 카드 검출부(60)의 내부 구성의 바람직한 일 실시예를 설명하기 위한 블록도이다.FIG. 5 is a block diagram illustrating an exemplary embodiment of an internal configuration of the memory card detector 60 of FIG. 2.

도 6 및 도 7은 도 2의 디지털 기기용 제어회로 장치에 의해 수행되는 본 발명의 패스트부트 기법에 의한 전원 제어 방법을 예시한 플로우차트이다.6 and 7 are flowcharts illustrating a power control method using the fast boot method of the present invention performed by the control circuit device for the digital device of FIG. 2.

도 8은 본 발명의 디지털 기기용 제어회로 장치가 장착되는 디지털 기기의 일 예로서 디지털 카메라의 내부 구성을 나타낸 블록도이다.8 is a block diagram illustrating an internal configuration of a digital camera as an example of a digital apparatus equipped with a control circuit device for a digital apparatus of the present invention.

본 발명은, 프로세서를 내장한 SoC(system on chip)에서 STR(Suspend to RAM) 기법을 이용하여 빠르게 부팅이 가능하도록 한 디지털 기기용 제어회로 장치 및 디지털 기기의 전원 차단 제어방법에 관한 것이다.The present invention relates to a control circuit device for a digital device and a power supply control method for a digital device to be booted quickly by using a suspend to RAM (STR) technique in a system on chip (SoC) having a processor.

전자제품들의 부팅은 크게 콜드부팅(cold booting) 및 웜부팅(warm booting)으로 나눌 수 있다.The booting of electronic products can be largely divided into cold booting and warm booting.

콜드부팅은 전원 차단(power off) 이후 전원을 공급(power on)시에 부팅되는 경우를 말한다.Cold booting refers to a case in which power is booted at power on after power off.

이에 반해, 웜부팅은 전원이 차단되지 않은 상태에서 재 부팅을 하는 경우이다.In contrast, warm booting is a case where a reboot is performed without power off.

전원 차단 이후 전원 공급하는 콜드 부팅 시에는 다시 CPU 클록 세팅, DRAM 초기화, 및 필요시 제품의 실행 프로그램을 롬(ROM)에서 램(RAM)으로 로딩한 후 프로그램을 수행하는 많은 초기화 동작이 필요하다. 따라서 콜드 부팅시에는 부팅 시간이 많이 소요된다.When cold booting after power off, the CPU clock setting, DRAM initialization, and if necessary, load a product's execution program from ROM to RAM, and then perform many initialization operations. Therefore, a cold boot takes a lot of boot time.

이러한 콜드 부팅 시간의 문제점을 해결하기 위해, 제품의 전원을 차단할 경우 RAM 에만 전원을 공급하는 STR(Suspend to RAM) 이라는 기술이 고안되었다.To solve this cold boot time problem, a technique called suspend to RAM (STR) is designed to supply only RAM when the product is turned off.

도 1은 종래의 SoC의 STR 기법에 의한 파워오프 시퀀스이다.1 is a power-off sequence by the STR technique of a conventional SoC.

정상동작 상태(S10)에서 전원 차단 지시가 발생하면(S20), STR 부팅이 아닌 경우에는(S30), SoC 전원 및 SDRAM 전원을 모두 차단한다(S70). 이 경우의 부팅은 콜드 부팅이 된다.When the power off instruction occurs in the normal operation state (S10) (S20), when not in the STR boot (S30), the SoC power and SDRAM power are all cut off (S70). The boot in this case is cold boot.

정상동작 상태(S10)에서 전원 차단 지시가 발생하면(S20), STR 부팅인 경우에는(S30), SoC의 내장 프로세서는 시스템 백업을 수행하고(S40), SDRAM을 셀프 리프레시(Self refresh) 모드로 설정하고(S50), SoC의 내장 프로세서 자신은 슬립모드(sleep mode)로 진입한다(S60). STR 기법에서는 SDRAM의 셀프 리프레시 모드를 이용함으로써, 램에 기록된 데이터를 유지하고, 부팅시에 램을 읽어 들여 데이터가 기록되어 있을 경우, CPU의 클록만을 설정한 후 다른 초기화 동작 없이 데이터가 기록된 램의 번지로 점프하여 코드를 수행하게 된다. 이렇게 하면 램의 초기화 동작이나, 롬에서 램으로의 실행 프로그램 이동 등 초기 구동 과정에 쓰이는 시간을 절약할 수 있다.When the power-off instruction occurs in the normal operation state (S10) (S20), in the case of STR booting (S30), the built-in processor of the SoC performs a system backup (S40), and puts the SDRAM into the self refresh mode. After setting (S50), the SoC built-in processor itself enters a sleep mode (S60). In the STR technique, by using the self-refresh mode of the SDRAM, the data written to the RAM is maintained, and if the data is written by reading the RAM at boot time, only the CPU clock is set and the data is written without any other initialization operation. The code jumps to the RAM address. This saves time during the initial startup process, such as RAM initialization or moving executable programs from ROM to RAM.

이러한 SoC에서 STR 기법을 사용하기 위해서 SoC의 내장 프로세서가 슬립 모드로 전환한 경우에, 무시할 수 없는 양의 누설 전류(leakage current)가 흐른다. 최근의 디지털 컨버전스 경향에 따라 SoC에 집적되는 구성요소들이 증가함에 따라 이러한 누설전류의 양은 더욱 커지게 된다.When the SoC's embedded processor goes to sleep to use the STR technique in these SoCs, a negligible amount of leakage current flows. With the recent trend of digital convergence, the amount of leakage current increases as the components integrated into the SoC increase.

이러한 누설 전류의 문제를 고려하여, SoC를 슬립 모드로 전환하는 것이 아니라, SoC의 전원을 완전히 차단한 상태에서 STR 기법을 사용하기 위하여 누설 전류가 작은 별도의 외부 프로세서를 사용하여 시스템을 제어하는 경우도 있다.In consideration of this leakage current problem, the system is controlled by using a separate external processor with a small leakage current to use the STR technique instead of putting the SoC in sleep mode. There is also.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 별도의 외부 프로세서를 사용하지 않고도 누설전류를 줄일 수 있는 STR 기법을 사용할 수 있는 SoC를 구비한 디지털 기기용 제어회로 및 이를 이용한 디지털 기기의 전원 제어 방법을 제공하는데 있다.The present invention is to provide a control circuit for a digital device having a SoC that can use the STR technique that can reduce the leakage current without using a separate external processor and a power control method of the digital device using the same. have.

상기한 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 의한 디지털 기기용 제어회로 장치는, 셀프 리스레시 동작이 가능한 외장 메모리; 디지털 기기의 각 전자적 구성요소의 제어를 담당하는 내장 프로세서, 상기 외장 메모리를 셀프 리프레시 모드로 설정하는 메모리 컨트롤러, SoC 주전원을 스위칭하는 제1제어신호(SoC_power_on)와 외장 메모리 전원을 스위칭하는 제2제어신호(ram_power_on)를 출력하는 SoC 전원 제어부를 구비한 SoC부; 메모리 카드 삽입 여부를 검출하여, 상기 제1제어신호가 온 상태이면 메모리 카드 삽입 여부에 관계없이 상기 제2제어신호를 제3제어신호로서 그대로 출력하고, 상기 제1제어신호가 오프 상태이고 메모리 카드가 삽입되어 있는 경우에는 상기 제2제어신호를 상기 제3제어신호로서 그대로 출력하고, 상기 제1제어신호가 오프 상태이고 메모리 카드가 삽입되어 있지 않은 경우에는 오프 상태의 제3제어신호를 출력하는 메모리 카드 검출부; 백업 배터리에 연결되어 상기 SoC 전원 제어부에 전원을 공급하는 SoC 백업전원부(VDD_KAU), 상기 제1제어신호에 따라 상기 SoC에 주전원(VDD_SoC)을 공급/차단하는 SoC 주전원부, 상기 제3제어신호에 따라 상기 외장 메모리의 전원을 공급/차단하는 외장 메모리 전원부를 구비한 전원부; 및 상기 백업 전원부에서 전원을 공급받아서 전원 공급/차단 지시 신호를 발생하는 조작 버튼을 구비하고, 상기 SoC 전원 제어부는 상기 내장 프로세서가 전원 차단 시퀀스를 패스트 부트 모드로 설정한 상태에서, 상기 전원 차단 지시가 입 력되면, 상기 제1제어신호를 오프상태로 전환하여 출력하고, 상기 제2제어신호는 온상태를 유지하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a control circuit device for a digital device, including: an external memory capable of a self-less operation; An internal processor that controls each electronic component of a digital device, a memory controller for setting the external memory to the self-refresh mode, a first control signal SoC_power_on for switching the SoC main power, and a second control for switching the external memory power A SoC unit having a SoC power control unit for outputting a signal ram_power_on; Detects whether a memory card is inserted and outputs the second control signal as a third control signal as it is, regardless of whether the memory card is inserted when the first control signal is on, and the first control signal is off and the memory card Outputs the second control signal as the third control signal as it is, and outputs the third control signal in the off state when the first control signal is off and the memory card is not inserted. A memory card detector; A SoC backup power unit (VDD_KAU) connected to a backup battery for supplying power to the SoC power control unit, an SoC main power unit for supplying / blocking the main power (VDD_SoC) to the SoC according to the first control signal, and the third control signal. A power supply unit including an external memory power supply unit supplying / blocking power of the external memory; And an operation button for receiving a power from the backup power supply unit to generate a power supply / discharge instruction signal, wherein the SoC power controller is configured to instruct the power off while the internal processor sets the power down sequence to the fast boot mode. When is input, the first control signal is turned off and output, and the second control signal is characterized in that to maintain the on state.

상기 메모리 카드 검출부는, 3-상태 버퍼(tri-state buffer)로서, 상기 제1제어신호가 인버스 이네이블(inverse enable) 단자에 연결되고, 상기 메모리 카드 삽입 여부 검출결과가 입력단자에 연결되고, 출력단자는 상기 SoC 백업 전원에 풀업 저항으로 연결된 제1버퍼; 및 3-상태 버퍼로서, 상기 제1버퍼의 출력단자가 이네이블 단자에 연결되고, 상기 제2제어신호가 입력 단자에 연결되고, 출력단자는 그라운드에 풀다운 저항으로 연결된 제2버퍼를 구비하여, 상기 제2버퍼의 출력단자를 통하여 상기 제3제어신호가 출력되도록 구현될 수 있다.The memory card detection unit is a tri-state buffer, wherein the first control signal is connected to an inverse enable terminal, the memory card insertion detection result is connected to an input terminal, An output terminal comprising: a first buffer connected to the SoC backup power supply with a pull-up resistor; And a second buffer, wherein the output terminal of the first buffer is connected to an enable terminal, the second control signal is connected to an input terminal, and the output terminal has a second buffer connected to a ground by a pull-down resistor. The third control signal may be output through the output terminal of the second buffer.

상기 SoC 전원 제어부는, 상기 제1제어신호를 오프상태로 전환한 후에 소정 시간 경과를 체크하는 타이머 회로를 구비할 수 있다.The SoC power control unit may include a timer circuit that checks the elapse of a predetermined time after the first control signal is turned off.

상기 SoC 전원 제어부는, 상기 SoC부는 상기 SoC 백업 전원부에서 전원을 공급받는 RTC(real time clock)를 더 구비하고, 상기 SoC 전원 제어부에서 사용되는 클록은 상기 RTC에서 제공받는 것이 바람직하다.The SoC power control unit, the SoC unit further comprises a real time clock (RTC) is supplied from the SoC backup power supply, the clock used in the SoC power control unit is preferably provided by the RTC.

또한 상기한 기술적 과제를 이루기 위한 디지털 기기의 전원 제어 방법은, 상기 제어회로 장치를 구비한 디지털 기기에서 전원 차단/공급의 제어 시퀀스를 구현하기 위하여, 전원 차단 지시가 입력된 경우에 패스트 부트 모드(fast boot mode)로 설정되었는가를 판단하는 단계; 패스트 부트 모드가 설정되지 않은 경우에, SoC 전원 및 외장 메모리 전원을 차단을 지시하는 단계; 패트스 부트 모드로 설정된 경우에, 시스템 백업을 수행하는 단계; SoC 주전원의 차단을 지시하는 단 계; 외장 메모리를 셀프 리프레시 모드로 설정하는 단계; 상기 외장 메모리를 셀프 리프레시 모드로 설정한 상태에서 전원 공급 지시가 입력된 경우에 STR(suspend to RAM) 부팅 프로세스를 진행하는 단계; 메모리 카드가 제거되었는가를 판단하는 단계; 및 메모리 카드가 제거되었다고 판단되면 상기 외장 메모리의 전원의 차단을 지시하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.In addition, the power control method of the digital device for achieving the above technical problem, in order to implement a control sequence of the power off / supply in the digital device having the control circuit device, when the power off instruction is input to the fast boot mode ( determining whether it is set to a fast boot mode; Instructing to turn off the SoC power supply and the external memory power when the fast boot mode is not set; Performing a system backup when set to a fat boot mode; Instructing the SoC main power to shut off; Setting the external memory to the self refresh mode; Performing a suspend to RAM (STR) boot process when a power supply instruction is input while the external memory is set to a self refresh mode; Determining whether the memory card has been removed; And instructing to cut off power of the external memory when it is determined that the memory card is removed.

상기 디지털 기기의 전원 제어 방법은, 상기 SoC 주전원의 차단 지시가 발생한 후에 소정 시간이 경과하였는가를 판단하는 단계; 및 상기 SoC 주전원의 차단 지시가 발생한 후에 소정 시간이 경과하였다고 판단되면 상기 외장 메모리의 전원의 차단을 지시하는 단계를 더 구비하는 것이 바람직하다.The method for controlling power of the digital device may include: determining whether a predetermined time has elapsed after an instruction to cut off the SoC main power has occurred; And instructing to shut off the power of the external memory when it is determined that a predetermined time has elapsed after the instruction to shut down the SoC main power.

이하, 본 발명의 구성과 동작을 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 각 도면에 도시된 동일한 참조 부호는 동일한 기능을 수행하는 구성요소를 의미한다.Hereinafter, the configuration and operation of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals in the drawings denote components that perform the same function.

이하에서는 종래의 STR 기법에 의한 전원 차단/공급 시퀀스와 구별되는 본 발명의 전원 차단/공급 시퀀스의 명칭을 "패스트 부트(fast boot)"라 하기로 한다.Hereinafter, the name of the power off / supply sequence of the present invention which is distinguished from the power off / supply sequence by the conventional STR technique will be referred to as “fast boot”.

본 발명의 패스트 부트에서는, 전원 차단시에 DRAM을 셀프 리프레시 모드로 설정하고, SoC 전원을 차단한다. 이것은 종래의 STR에서 SoC 내장 프로세서가 슬립모드로 설정되는 것과의 근본적인 차이점이다.In the fast boot of the present invention, the DRAM is set to the self-refresh mode when the power is cut off, and the SoC power is cut off. This is a fundamental difference from the SoC embedded processor being set to sleep mode in a conventional STR.

본 발명의 디지털 기기용 제어회로 장치에 의해 구현되는 패스트 부트 기법의 전원 차단 시퀀스에 대하여는 도 6에서 설명하기로 한다.A power down sequence of the fast boot scheme implemented by the control circuit device for a digital device of the present invention will be described with reference to FIG. 6.

도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의한 디지털 기기용 제어회로 장치 를 설명하기 위한 블록도로서, 외장 메모리(20), SoC부(10), 전원부(40), 백업 배터리(30)를 구비한다.2 is a block diagram illustrating a control circuit device for a digital device according to an exemplary embodiment of the present invention, which includes an external memory 20, an SoC unit 10, a power supply unit 40, and a backup battery 30. do.

외장 메모리(20)는 셀프 리스레시 동작이 가능하다. 외장 메모리(20)는 현재 시판되고 있는 SDRAM(Synchronous Dynamic RAM) 또는 DDR(double data rate) SDRAM으로 구비될 수 있으며, 각종 제어신호들(ex: CLK, CKE, /CS, /RAS, /CAS, /WE, /RE, BA, SA, DQM)과 데이터(ex: D[0:7])(21)를 입출력하는 핀(pin)들을 구비한다. 외장 SDRAM(20)을 셀프 리프레시 모드로 유지하기 위하여는 CKE(Clock Enable)를 "L"로 유지하여야 한다.The external memory 20 can perform a self-refresh operation. The external memory 20 may be provided as a commercially available SDRAM (Synchronous Dynamic RAM) or DDR (Double Data Rate) SDRAM, and various control signals (ex: CLK, CKE, / CS, / RAS, / CAS, / WE, / RE, BA, SA, DQM) and pins for inputting and outputting data (ex: D [0: 7]) 21. In order to maintain the external SDRAM 20 in the self refresh mode, CKE (Clock Enable) must be kept at "L".

외장 SDRAM(20)의 CKE 입력핀에 "L" 이 입력되면, 클록(Clock) 동작을 멈추고 다른 모든 입력들은 무시되며, 저소비전력으로 동작하는 셀프 리프레시 모드로 진입하게 된다. 셀프 리프레시 모드에서는 CKE 입력핀을 제외한 전체 입력핀이 비활성화된다. 셀프 리프레시 모드에서는 쓰기(write)가 금지되고, 읽기(read)시에는 이전의 데이터가 계속 래치(Latch)되어 출력된다.When "L" is input to the CKE input pin of the external SDRAM 20, the clock operation stops, all other inputs are ignored, and the self refresh mode is operated. In self-refresh mode, all input pins except CKE input pins are disabled. In the self-refresh mode, writing is prohibited, and upon reading, previous data is continuously latched and output.

SoC(10)는 디지털 기기의 각 전자적 구성요소의 제어를 담당하는 내장 프로세서(108), 외장 메모리(20)를 셀프 리프레시 모드로 설정하는 메모리 컨트롤러(106), SoC 주전원(46)을 스위칭하는 제1제어신호(SoC_power_on)와 외장 메모리 전원(44)을 스위칭하는 제2제어신호(ram_power_on)를 출력하는 SoC 전원 제어부(100), 및 이들을 연결하는 버스(104)를 구비한다.The SoC 10 is configured to switch the internal processor 108 that is in charge of controlling each electronic component of the digital device, the memory controller 106 that sets the external memory 20 to the self-refresh mode, and the SoC main power supply 46. An SoC power control unit 100 for outputting a first control signal SoC_power_on and a second control signal ram_power_on for switching the external memory power source 44, and a bus 104 connecting them.

내장 프로세서(108)는 본 발명의 패스트 부트 모드를 설정하고 버스(104, 101)를 통하여 연결된 SoC 전원 제어부(100)에 전원 차단 지시 신호 등을 전달한 다.The embedded processor 108 sets the fast boot mode of the present invention and transmits a power off indication signal to the SoC power control unit 100 connected through the buses 104 and 101.

SoC(10)의 정상동작 상태에서 SoC 전원 제어부(100)는 제1제어신호(SoC_power_on)와 제2제어신호(ram_power_on)를 모두 온상태로 출력한다. SoC 전원 제어부(100)는 내장 프로세서(108)가 전원 차단 시퀀스를 패스트 부트 모드로 설정한 상태에서 전원 차단 지시가 입력되면, 제1제어신호(SoC_power_on)를 오프상태로 전환하여 출력하고, 제2제어신호(ram_power_on)는 온상태를 유지하여 출력한다.In the normal operation state of the SoC 10, the SoC power control unit 100 outputs both the first control signal SoC_power_on and the second control signal ram_power_on in an on state. The SoC power controller 100 switches the first control signal SoC_power_on to the off state and outputs the second control signal when the power-off instruction is input while the embedded processor 108 sets the power-down sequence to the fast boot mode. The control signal ram_power_on is kept on and output.

SoC(10)에 내장된 메모리 컨트롤러(106)는 외장 SDRAM(20)의 제어신호들(ex: CLK, CKE, /CS, /RAS, /CAS, /WE, /RE, BA, SA, DQM)을 출력하고, 외장 SDRAM(20)과 데이터(ex: D[0:7])를 입출력한다. 메모리 컨트롤러(106)는 CKE 출력을 통하여 외장 SDRAM(20)을 셀프 리프레시 모드 또는 정상 모드로 제어한다. 본 발명에 있어서 VDD_SoC(45)가 차단되어 메모리 컨트롤러가 동작하지 않게 된 후에도 CKE 가 "L" 상태를 유지하도록 하기 위하여 풀다운 저항(111)을 외장 SDRAM(20)의 CKE 단자와 접지단 사이에 연결한다.The memory controller 106 embedded in the SoC 10 controls the control signals of the external SDRAM 20 (ex: CLK, CKE, / CS, / RAS, / CAS, / WE, / RE, BA, SA, DQM). The external SDRAM 20 and data ex: D [0: 7] are inputted and outputted. The memory controller 106 controls the external SDRAM 20 in the self refresh mode or the normal mode through the CKE output. In the present invention, the pull-down resistor 111 is connected between the CKE terminal and the ground terminal of the external SDRAM 20 so that the CKE remains in the "L" state even after the VDD_SoC 45 is cut off and the memory controller is not operated. do.

그리고 SoC(10)는 RTC(real time clock, 110) 회로를 더 구비할 수 있다. 본 발명에 있어서, RTC(110)의 용도는 도 4에서 설명하기로 한다.The SoC 10 may further include a real time clock (RTC) circuit. In the present invention, the use of the RTC 110 will be described in FIG.

외부의 전원 버튼(50), 재생버튼(51)이 직접 SoC(10)의 입력핀에 연결된 경우에는 버튼에서 발생한 채터링(chattering)을 제거하기 위하여 SoC(10) 내부에 채터링 회로(112)를 더 구비할 수도 있다. 채터링이 제거된 전원 버튼 신호(113)와 재생 버튼 신호(114)는 버스(108)를 통하여 내장 프로세서(108) 또는/및 SoC 전원 제어부(110)로 입력될 수 있다. 여기서 전원 버튼(50), 재생버튼(51)은 SoC 백업전 원(VDD_KAU)를 전원으로 사용한다.When the external power button 50 and the play button 51 are directly connected to the input pins of the SoC 10, the chattering circuit 112 inside the SoC 10 to remove the chattering generated from the button. It may be further provided. The chattering power button signal 113 and the play button signal 114 may be input to the onboard processor 108 or / and the SoC power control unit 110 via the bus 108. Here, the power button 50 and the play button 51 use the SoC backup power (VDD_KAU) as a power source.

SoC(10)는 도면에 표시된 구성요소들 이외에도, SoC(10)가 장착될 시스템에 따라 DSP(digital signal processor), 내장 메모리, 내장 소프트웨어(embedded software) 등이 구비될 수 있다. 또한 시스템 사양에 따라 디스플레이 장치, 오디오 장치 등의 단말의 구동회로, 통신 회로, 카메라 모듈 등의 주변기기 모듈도 내장될 수 있다.In addition to the components shown in the drawing, the SoC 10 may be equipped with a digital signal processor (DSP), internal memory, embedded software, or the like, depending on the system in which the SoC 10 is to be mounted. In addition, according to system specifications, peripheral modules such as a driving circuit, a communication circuit, and a camera module of a terminal such as a display device and an audio device may be embedded.

메모리 카드 검출부(60)는 제1제어신호(SoC_power_on)와 메모리 카드 삽입 여부 검출 신호(Card_insert)를 제어입력으로하여, SoC 전원 제어부(100)의 제2제어신호(ram_power_on)를 SDRAM 전원부(44)로 전달한다.The memory card detection unit 60 uses the first control signal SoC_power_on and the memory card insertion detection signal Card_insert as control inputs, and uses the second control signal ram_power_on of the SoC power control unit 100 as the SDRAM power supply unit 44. To pass.

메모리 카드 검출부(60)는 메모리 카드(70) 삽입 여부(Card_insert)를 검출하여, 제1제어신호(SoC_power_on)가 온 상태이면 메모리 카드 삽입 여부(Card_insert)에 관계없이 제2제어신호(ram_power_on)를 제3제어신호(61)로서 그대로 출력하고, 제1제어신호(SoC_power_on)가 오프 상태이고 메모리 카드가 삽입되어 있는 경우에는 제2제어신호(ram_power_on)를 제3제어신호(61)로서 그대로 출력하고, 제1제어신호(SoC_power_on)가 오프 상태이고 메모리 카드가 삽입되어 있지 않은 경우에는 오프 상태의 제3제어신호(61)를 출력한다.The memory card detection unit 60 detects whether the memory card 70 is inserted or not (Card_insert). When the first control signal SoC_power_on is turned on, the memory card detection unit 60 generates the second control signal ram_power_on regardless of whether the memory card is inserted (Card_insert). The third control signal 61 is output as it is, and when the first control signal SoC_power_on is off and the memory card is inserted, the second control signal ram_power_on is output as the third control signal 61 as it is. When the first control signal SoC_power_on is in the off state and no memory card is inserted, the third control signal 61 in the off state is output.

이러한 상태를 진리표로 정리하면 다음 표 1과 같다.These conditions are summarized in the truth table as shown in Table 1 below.

제1제어신호 (SoC_power_on)First control signal (SoC_power_on) Card_insertCard_insert 제2제어신호 (ram_power_on)Second control signal (ram_power_on) 제3제어신호(61) (VDD_RAM on/off)Third control signal 61 (VDD_RAM on / off) 1One ×× 1One 1One 00 1One 1One 1One 00 1One 00 00 00 00 ×× 00

본 발명에서는 표 1과 같이 SoC_power_on 신호가 "1" 상태를 유지하는 한, ram_power_on 신호는 "1" 상태를 유지한다.In the present invention, as long as the SoC_power_on signal maintains a "1" state as shown in Table 1, the ram_power_on signal maintains a "1" state.

메모리 카드 검출부(60)에서 표 1과 같은 진리표를 구현하는 것은, 제1제어신호(SoC_power_on) 신호가 오프된 후에 메모리 카드가 제거되면, VDD_RAM(43)을 차단함으로써 강제로 콜드 부팅으로 전환시키기 위함이다.The implementation of the truth table as shown in Table 1 in the memory card detection unit 60 is to forcibly switch to cold booting by blocking the VDD_RAM 43 when the memory card is removed after the first control signal SoC_power_on signal is turned off. to be.

SoC 전원(VDD_SoC)가 차단되고 외장 SDRAM(20)이 셀프 리프레시 모드로 동작하는 중에 패스트 부팅되면, 외장 SDRAM(20) 번지를 바로 읽어 시스템이 가동된다. 이 때 외장 SDRAM(20)이 셀프 리프레시 동작 중에 메모리 카드가 제거되어 있다면, 패스트 부팅시에 에러가 발생하게 된다. 메모리 카드 검출부(60)에 의한 표 1의 동작은 이러한 에러를 방지하기 위하여, 메모리 카드 삽입 여부 검출 신호(Card_insert)가 "0"이면 외장 SDRAM(20)의 전원인 VDD_RAM(43)을 즉시 차단함으로써 강제로 콜드 부팅으로 전환시킨다.When the SoC power supply VDD_SoC is cut off and the external SDRAM 20 is fast booted while operating in the self refresh mode, the system is immediately started by reading the address of the external SDRAM 20. At this time, if the memory card is removed during the self refresh operation of the external SDRAM 20, an error occurs during fast boot. In order to prevent such an error, the operation of Table 1 by the memory card detection unit 60 immediately cuts off the VDD_RAM 43 that is the power supply of the external SDRAM 20 when the memory card insertion detection signal Card_insert is "0". Force a cold boot.

이러한 메모리 카드 검출부(60)를 구체적으로 구현한 회로의 일 예는 도 5에서 설명하기로 한다.An example of a circuit in which the memory card detection unit 60 is specifically implemented will be described with reference to FIG. 5.

그리고 도면에서는 메모리 카드 검출부(60)가 SoC(10) 외부에 구비된 것으로 예시되어 있으나, 당업자라면 SoC(10) 내부에서 SoC 전원 제어부(100)에 연결되어 구현될 수도 있음을 이해할 것이다.In addition, although the memory card detection unit 60 is illustrated as being provided outside the SoC 10 in the drawing, those skilled in the art will understand that the SoC 10 may be implemented by being connected to the SoC power control unit 100.

전원부(40)는 SoC 백업전원(VDD_KAU, 32), 제1제어신호(SoC_power_on)에 따라 SoC에 주전원(VDD_SoC, 45)을 공급/차단하는 SoC 주전원부(46), 제3제어신호(61)에 따라 외장 메모리(20)에 전원(VDD_RAM, 43)을 공급하는 외장 메모리 전원부(44)을 구비한다.The power supply unit 40 is the SoC main power supply unit 46 and the third control signal 61 which supply / block the main power supply VDD_SoC, 45 to the SoC according to the SoC backup power supply VDD_KAU 32 and the first control signal SoC_power_on. The external memory 20 includes an external memory power supply 44 for supplying power VDD_RAM 43 to the external memory 20.

VDD_SoC(45)는 SoC(10)에서 SoC 전원 제어부(100)를 제외한 SoC 내부 코어(core)용 전원과 IO용 전원을 제공한다.The VDD_SoC 45 provides power for the SoC internal core and power for the IO except the SoC power control unit 100 in the SoC 10.

여기서 SoC 백업전원(VDD_KAU, 32)은 백업 배터리(30)와 다이오드(31), 전원부(40)의 백업 전원(42) 라인에 의해 구비될 수 있다. SoC(10) 내부에서 SoC 전원 제어부(100)는 SoC 백업전원(32)에서 전원을 공급받는다.Here, the SoC backup power supply VDD_KAU 32 may be provided by the backup battery 30, the diode 31, and the backup power supply 42 line of the power supply 40. In the SoC 10, the SoC power control unit 100 receives power from the SoC backup power supply 32.

도 3은 본 발명의 패스트 부트(fast boot)를 구현하기 위한 특징적인 구성요소로서 도 2의 SoC(10) 내부의 SoC 전원 제어부(100)의 바람직한 일 실시예를 설명하기 위한 블록도로서, 레지스터(206), 스위칭 신호 생성부(204), 카운터(200), 디코더(202)를 구비한다.FIG. 3 is a block diagram illustrating a preferred embodiment of the SoC power control unit 100 inside the SoC 10 of FIG. 2 as a characteristic component for implementing a fast boot of the present invention. 206, a switching signal generator 204, a counter 200, and a decoder 202.

SoC 전원 제어부(100)는 SoC 백업전원(VDD_KAU)에서 전원을 공급받고, 버스(도 2의 104, 101)를 통하여 입력된 데이터(D[n:0])와 클록(pcu_clk)에 의해 동작한다. 클록(pcu_clk)은 카운터(200), 레지스터(206), 스위칭 신호 생성부(204)의 레지스터 로직의 클록으로 사용되며, 데이터(D[n:0])는 레지스터(206)의 데이터로 입력된다. 전원 버튼(도 2의 113) 또는 재생 버튼(도 2의 114)의 입력은 데이터 라인을 통하여 레지스터(206)에 입력될 수 있다.The SoC power control unit 100 receives power from the SoC backup power supply VDD_KAU and operates by the data D [n: 0] and the clock pcu_clk input through the buses 104 and 101 of FIG. 2. . The clock pcu_clk is used as a clock of the register logic of the counter 200, the register 206, and the switching signal generator 204, and the data D [n: 0] is input as the data of the register 206. . An input of the power button 113 (FIG. 2) or the play button (114-FIG. 2) may be input to the register 206 via a data line.

레지스터부(206)는 다음 표 2에 예시된 바와 같은 레지스터들이 구비될 수 있다.The register unit 206 may be provided with registers as illustrated in Table 2 below.

레지스터register 설명 Explanation PCU_MINUTE  PCU_MINUTE 패스트 부트 모드에서 SoC 주전원 차단 후에 소정 기간이 경과한 것을 카운트하여 램 전원까지 차단하기 위한 카운트값을 세트Set the count value to cut off the SoC main power in the fast boot mode to cut off the RAM power after a certain period of time. IS_FAST_BOOT  IS_FAST_BOOT 패스트 부트 모드에서 부팅된 경우에 "1" 세트"1" set if booted in fast boot mode FAST_MODE  FAST_MODE 항상 패스트 부트 모드로만 부팅하려고 할 경우에 "1" 세트"1" set if you always want to boot in fast boot mode only RAM_PWR_OFF  RAM_PWR_OFF ram_power_on 신호를 "L"로 전환하려 할 경우에 "1" 세트set to "1" to switch the ram_power_on signal to "L" DSP_PWR_OFF  DSP_PWR_OFF dsp_power_on 신호를 "L"로 전환하려 할 경우에 "1" 세트set to "1" to switch dsp_power_on signal to "L"

표 2에서 본 발명의 필수적인 레지스터는 DSP_PWR_OFF 레지스터와 RAM_PWR_OFF 레지스터이다.In Table 2, the essential registers of the present invention are the DSP_PWR_OFF register and the RAM_PWR_OFF register.

스위칭 신호 생성부(204)는 DSP_POWER_OFF 레지스터가 세트되면, SoC_power_on 신호를 오프 상태로 전환(H→L)하여 출력한다.When the DSP_POWER_OFF register is set, the switching signal generation unit 204 switches the SoC_power_on signal to the OFF state (H → L) and outputs the signal.

또한 스위칭 신호 생성부(204)는 디코더(202) 출력에 따라 SoC_power_on 신호를 오프 상태로 전환(H→L)하여 출력할 수도 있다.In addition, the switching signal generator 204 may output the SoC_power_on signal by turning off (H → L) the SoC_power_on signal according to the output of the decoder 202.

카운터(200)와 디코더(202)는, DSP_POWER_OFF 레지스터가 세트되어 SoC_power_on 신호가 오프 상태로 전환(H→L)한 후에, PCU_MINUTE 레지스터에 세트된 램 전원 차단을 위한 소정 시간의 경과 여부를 카운트하여 출력하고, 스위칭 신호 생성부(204) 이에 응답하여 ram_power_on 신호를 오프 상태로 전환(H→L)한다.After the DSP_POWER_OFF register is set and the SoC_power_on signal turns off (H → L), the counter 200 and the decoder 202 count and output the elapsed predetermined time for turning off the RAM power set in the PCU_MINUTE register. In response, the switching signal generator 204 switches the ram_power_on signal to the off state (H → L).

본 발명의 확장적인 사용을 위하여 IS_FAST_BOOT 레지스터와 FAST_MODE 레지스터 등을 추가할 수 있다.The IS_FAST_BOOT register, the FAST_MODE register, and the like can be added for extended use of the present invention.

IS_FAST_BOOT 레지스터는 패스트 부트 모드에서 부팅되었음을 표시한다. 내장 프로세서가 기동되면 "1"로 설정하고, ram_power_on이 오프로 전환하지 않는한 "1" 상태를 유지한다. 만일 ram_power_on이 오프로 전환하면 "0" 상태로 설정된다.The IS_FAST_BOOT register indicates booting in fast boot mode. Set to "1" when the onboard processor is started and remain "1" unless ram_power_on is turned off. If ram_power_on turns off, it is set to "0".

또한 FAST_MODE 레지스터가 "1" 로 세트되어 있는 한, 스위칭 신호 생성부(204)는 ram_power_on 신호가 항상 온(H) 상태를 유지하게 된다.In addition, as long as the FAST_MODE register is set to "1", the switching signal generation unit 204 keeps the ram_power_on signal always on (H).

도 4는 도 2의 SoC(10) 내부의 SoC 전원 제어부(100)의 바람직한 다른 실시예를 설명하기 위한 블록도로서, RTC(110)의 출력 클록을 이용한다.FIG. 4 is a block diagram illustrating another exemplary embodiment of the SoC power control unit 100 inside the SoC 10 of FIG. 2 and uses an output clock of the RTC 110.

RTC(110)는 SoC 백업전원(VDD_KAU)으로 동작하며, 통상 32.768KHz의 오실레이터 입력을 받아 동작한다.The RTC 110 operates as a SoC backup power supply (VDD_KAU) and operates by receiving an oscillator input of 32.768 KHz.

도 4의 실시예에서는 RTC(110)에서 분주된 클록을 SoC 전원 제어부(100)의 레지스터 클록(pcu_clk)으로서 사용하고, RTC(110) 출력의 세컨드(second) 신호를 카운터(200) 클록으로 사용한다.In the embodiment of FIG. 4, the clock divided by the RTC 110 is used as the register clock pcu_clk of the SoC power supply controller 100, and the second signal of the RTC 110 output is used as the counter 200 clock. do.

이와 같이 SoC 전원 제어부(100)의 내부 클록으로서 시스템 클록이 아닌 RTC(110)에서 출력된 느린 클록을 사용함으로써, SoC 전원 제어부(100)의 소비전력을 줄일 수 있다.As such, by using the slow clock output from the RTC 110 instead of the system clock as the internal clock of the SoC power controller 100, power consumption of the SoC power controller 100 may be reduced.

도 4에서 전원 버튼 입력(113)과 재생 버튼 입력(114)가 스위칭 신호 생성부(204)에 연결되어 구비된다.In FIG. 4, the power button input 113 and the play button input 114 are connected to the switching signal generator 204.

이 경우 표 2에서, IS_FAST_BOOT 레지스터가 "1", DSP_PWR_OFF 레지스터가 "1" 로 세트된 경우에, 전원 버튼 입력(113)이 발생하면, 스위칭 신호 생성부(204)는 SoC_power_on 신호를 오프 상태로 전환(H→L)하도록 구현될 수 있다.In this case, in Table 2, when the IS_FAST_BOOT register is set to "1" and the DSP_PWR_OFF register is set to "1", when the power button input 113 occurs, the switching signal generator 204 switches the SoC_power_on signal to the off state. It can be implemented to (H → L).

또한 표 2에서, IS_FAST_BOOT 레지스터가 "1", DSP_PWR_OFF 레지스터가 "0" 로 세트된 경우에, 전원 버튼 입력(113)이나 재생 버튼 입력(114)이 발생하면, 스위칭 신호 생성부(204)는 SoC_power_on 신호를 온 상태로 전환(L→H)하도록 구현될 수 있다.In addition, in Table 2, when the power button input 113 or the play button input 114 occurs when the IS_FAST_BOOT register is set to "1" and the DSP_PWR_OFF register is set to "0", the switching signal generator 204 generates SoC_power_on. It may be implemented to turn the signal on (L-H).

만일 IS_FAST_BOOT 레지스터가 "0"인 상태에서, 전원 버튼 입력(113)이 입력되면, 스위칭 신호 생성부(204)는 SoC_power_on 신호와 ram_power_on 신호를 온 상태로 전환(L→H)하도록 구현될 수 있다.If the power button input 113 is input while the IS_FAST_BOOT register is "0", the switching signal generator 204 may be implemented to switch the SoC_power_on signal and the ram_power_on signal to an on state (L → H).

도 5는 도 2의 메모리 카드 검출부(60)를 구체적으로 구현한 회로의 일 예로서, 도 2에서 설명한 표 1의 기능이 구현된 회로이다.FIG. 5 is an example of a circuit in which the memory card detector 60 of FIG. 2 is specifically implemented. The circuit of FIG. 2 described in FIG. 2 is implemented.

도 5를 참조하면 메모리 카드 검출부(60)는 제1제어신호(SoC_power_on)와 Card_insert 신호를 제어입력으로 하고, 제2제어신호(ram_power_on)를 입력으로 하고, 제1버퍼(63)와 제2버퍼(62) 및 풀업저항(R1), 풀다운저항(R2)으로 구비된다.Referring to FIG. 5, the memory card detection unit 60 uses the first control signal SoC_power_on and the Card_insert signal as control inputs, the second control signal ram_power_on as an input, and the first buffer 63 and the second buffer. And a pull-up resistor R1 and a pull-down resistor R2.

제1버퍼(63)는 3-상태 버퍼(tri-state buffer)로서, 제1제어신호(SoC_power_on)가 인버스 이네이블(inverse enable) 단자에 연결되고, 메모리 카드 삽입 여부 검출결과(Card_insert)가 입력단자에 연결되고, 그 출력단자는 SoC 백업 전원(VDD_KAU)에 풀업 저항(R1)으로 연결된다.The first buffer 63 is a tri-state buffer. The first control signal SoC_power_on is connected to an inverse enable terminal, and a memory card insertion detection result (Card_insert) is input. The output terminal is connected to a SoC backup power supply (VDD_KAU) with a pullup resistor (R1).

제2버퍼(62)는 3-상태 버퍼로서, 제1버퍼(63)의 풀업된 출력단자가 이네이블 단자에 연결되고, 제2제어신호(ram_power_on)가 입력 단자에 연결되고, 출력단자(61)는 그라운드에 풀다운 저항(R2)으로 연결된다.The second buffer 62 is a tri-state buffer in which a pulled-up output terminal of the first buffer 63 is connected to an enable terminal, a second control signal ram_power_on is connected to an input terminal, and an output terminal 61. Is connected to the ground with a pull-down resistor (R2).

도 6은 도 2의 디지털 기기용 제어회로 장치에 의해 수행되는 본 발명의 패스트부트 기법에 의한 전원 차단 시퀀스를 예시한 것으로서, 도 2를 참조하여 다음과 같이 설명한다.FIG. 6 is a diagram illustrating a power down sequence by the fast boot technique of the present invention performed by the control circuit device for the digital device of FIG. 2, which will be described below with reference to FIG. 2.

정상동작 상태(S100)에서 전원 차단 지시가 발생하면(S102), STR 부팅으로 설정되었는지를 판단한다(S104). 전원 차단 지시(S102)는 외부 전원 버튼의 입력에 의해 발생할 수도 있고, 소정 기간 디지털 기기를 사용하지 않은 경우에 발생할 수도 있다.If a power off instruction occurs in the normal operation state (S100) (S102), it is determined whether the STR boot is set (S104). The power off instruction S102 may be generated by an input of an external power button or may occur when a digital device is not used for a predetermined period of time.

만일 STR 부팅으로 설정되지 않은 경우에는 SoC 전원과 SDRAM 전원을 모두 차단한다(S120). 이 경우에는 콜드부팅이 수행된다. If it is not set to STR boot, both SoC power and SDRAM power are cut off (S120). In this case, cold booting is performed.

만일 STR 부팅으로 설정된 경우에는(S104), 내장 프로세서(도 2의 108)가 시스템 백업을 수행한다(S106).If it is set to STR boot (S104), the built-in processor (108 in FIG. 2) performs a system backup (S106).

시스템 백업 수행 후에 SoC 전원제어부(100)는 SoC_power_on 신호를 H→L로 전환하고(S108), SDRAM을 셀프 리프레시 모드로 설정한다(S110). 여기서 S108 단계와 동시 또는 직후에 S110 단계가 수행된다.After performing the system backup, the SoC power controller 100 switches the SoC_power_on signal from H to L (S108), and sets the SDRAM to the self refresh mode (S110). Here, step S110 is performed simultaneously with or immediately after step S108.

그리고 SoC 주전원부(46)는 입력 SoC_power_on 신호가 H→L가 전환된 것에 응답하여 VDD_SoC 출력(45)을 차단하게 된다(S112).The SoC main power supply 46 blocks the VDD_SoC output 45 in response to the input SoC_power_on signal being switched from H to L (S112).

전원 차단시 SoC 주전원부(46)는 회로의 용량성분에 의한 반응속도 및 기생 전압으로 인하여, SoC_power_on 신호가 H→L가 전환(S108)된 후에도 실제로 VDD_SoC 출력(45)이 차단(S112)되기까지는 소정 시간(Δt)이 소요된다. 따라서 이 전원 차단 소요 시간(Δt) 동안에는 SoC(10)의 내장 프로세서(108)가 정상동작을 수행하게 되며, 메모리 컨트롤러(106)를 통해 외장 SDRAM(20)을 셀프 리프레시 모드로 설정할 수 있다(S110).When the power is turned off, the SoC main power supply 46 is not blocked until the VDD_SoC output 45 is actually blocked (S112) even after the SoC_power_on signal is switched from H to L (S108) due to the response speed and parasitic voltage caused by the capacitance component of the circuit. It takes a predetermined time Δt. Therefore, the internal processor 108 of the SoC 10 performs the normal operation during the power off time Δt, and the external SDRAM 20 may be set to the self refresh mode through the memory controller 106 (S110). ).

VDD_SoC 전원이 차단(S112)된 후에, VDD_KAU(32) 전원을 공급받는 SoC 전원 제어부(100)는 SoC_power_on 신호가 H→L가 전환(S108)된 후에 메모리 카드가 제거되었는가를 판단한다(S114).After the VDD_SoC power is cut off (S112), the SoC power controller 100 supplied with the VDD_KAU 32 power determines whether the memory card is removed after the SoC_power_on signal is switched from H to L (S108) (S114).

만일 소정 기간(toff) 경과 전에 재생 버튼, 전원 버튼 등 SoC(10)를 패스트 부팅(wake-up)하는 지시신호 예컨대 전원버튼 입력이나 재생버튼 입력 등이 발생하면, 클록만을 설정하고 다른 초기화 동작 없이 데이터가 기록된 램의 번지로 점프하여 코드를 수행하는 STR 부팅 동작을 수행하게 된다.If an indication signal for fast-upping the SoC 10 such as a play button, a power button, or the like, such as a power button input or a play button input, occurs before a predetermined time (t off ), only the clock is set and another initialization operation is performed. It will jump to the address of RAM where data is recorded and perform STR boot operation.

이 소정 기간(toff)이 경과되면, SoC 전원 제어부(100)는 ram_power_on 신호를 H→L 로 전환한다(S116).When this predetermined period t off has elapsed, the SoC power control unit 100 switches the ram_power_on signal from H to L (S116).

그리고 SDRAM 전원부(44)는 입력 ram_power_on 신호가 H→L가 전환된 것에 응답하여 VDD_RAM 출력(43)을 차단하게 된다(S118). 그 이후의 부팅 동작은 콜드 부팅 동작으로 수행된다(S122).The SDRAM power supply 44 blocks the VDD_RAM output 43 in response to the input ram_power_on signal being switched from H to L (S118). The subsequent boot operation is performed as a cold boot operation (S122).

도 7은 도 2의 디지털 기기용 제어회로 장치에 의해 수행되는 본 발명의 패스트부트 기법에 의한 전원 차단 시퀀스의 다른 예로서, 도 6에서 S122 단계가 추가된 것이다.FIG. 7 is another example of a power down sequence by the fast boot method of the present invention performed by the control circuit device for the digital device of FIG. 2, in which step S122 of FIG. 6 is added.

VDD_SoC 전원이 차단(S112)된 후에 메모리 카드가 제거되지 않은 경우에(S114), VDD_KAU(32) 전원을 공급받는 SoC 전원 제어부(100)는 SoC_power_on 신호가 H→L가 전환(S108)된 후에 소정 기간(toff)이 경과되었는가를 판단한다(S124).When the memory card is not removed after the VDD_SoC power is cut off (S112) (S114), the SoC power control unit 100 supplied with the VDD_KAU 32 power is predetermined after the SoC_power_on signal is switched from H to L (S108). It is determined whether the period t off has elapsed (S124).

만일 소정 기간(toff) 경과 전에 재생 버튼, 전원 버튼 등 SoC(10)를 패스트 부팅(wake-up)하는 지시신호 예컨대 전원버튼 입력이나 재생버튼 입력 등이 발생하면, 클록만을 설정하고 다른 초기화 동작 없이 데이터가 기록된 램의 번지로 점프하여 코드를 수행하는 STR 부팅 동작을 수행하게 된다.If an indication signal for fast-upping the SoC 10 such as a play button, a power button, or the like, such as a power button input or a play button input, occurs before a predetermined time (t off ), only the clock is set and another initialization operation is performed. It will jump to the address of RAM where data is recorded and perform STR boot operation.

이 소정 기간(toff)이 경과되면, SoC 전원 제어부(100)는 ram_power_on 신호를 H→L 로 전환한다(S116).When this predetermined period t off has elapsed, the SoC power control unit 100 switches the ram_power_on signal from H to L (S116).

그리고 SDRAM 전원부(44)는 입력 ram_power_on 신호가 H→L가 전환된 것에 응답하여 VDD_RAM 출력(43)을 차단하게 된다(S118). 그 이후의 부팅 동작은 콜드 부팅 동작으로 수행된다(S122).The SDRAM power supply 44 blocks the VDD_RAM output 43 in response to the input ram_power_on signal being switched from H to L (S118). The subsequent boot operation is performed as a cold boot operation (S122).

도 8은 본 발명의 디지털 기기용 제어회로 장치가 장착되는 디지털 기기의 일 예로서 디지털 카메라의 내부 구성을 나타낸 블록도이다.8 is a block diagram illustrating an internal configuration of a digital camera as an example of a digital apparatus equipped with a control circuit device for a digital apparatus of the present invention.

렌즈부와 필터부를 포함한 광학계(OPS)는 피사체로부터의 빛을 광학적으로 처리한다. 광학계(OPS) 안의 렌즈부는 줌 렌즈, 포커스 렌즈, 및 보상 렌즈를 포함한다.The optical system OPS including the lens unit and the filter unit optically processes light from a subject. The lens unit in the optical system OPS includes a zoom lens, a focus lens, and a compensation lens.

CCD(Charge Coupled Device) 또는 CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)의 광전 변환부(OEC)는 광학계(OPS)로부터의 빛을 전기적 아날로그 신호로 변환시킨다. 여기서, DSP(307)는 타이밍 회로(302)를 제어하여 광전 변환부(OEC)와 아날로그-디지털 변환부(301)의 동작을 제어한다. 아날로그-디지털 변환부로서의 CDS-ADC(Correlation Double Sampler and Analog-to-Digital Converter) 소자(301)는, 광전 변환부(OEC)로부터의 아날로그 신호를 처리하여, 그 고주파 노이즈를 제거하고 진폭을 조정(auto gain control, AGC)한 후, 디지털 신호로 변환시킨다. DSP(307)는 CDS-ADC 소자(301)로부터의 디지털 신호를 처리하여 휘도 및 색도 신호로 분류된 디지털 이미지 신호를 발생시킨다.A photoelectric conversion unit (OEC) of a charge coupled device (CCD) or a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) converts light from an optical system (OPS) into an electrical analog signal. Here, the DSP 307 controls the timing circuit 302 to control the operations of the photoelectric converter OEC and the analog-digital converter 301. The CDS-ADC (Correlation Double Sampler and Analog-to-Digital Converter) element 301 as an analog-to-digital converter processes the analog signal from the photoelectric converter (OEC), removes the high frequency noise, and adjusts the amplitude. (auto gain control, AGC) and then convert to a digital signal. The DSP 307 processes the digital signal from the CDS-ADC element 301 to generate a digital image signal classified into luminance and chroma signals.

DRAM(Dynamic Random Access Memory, 304)에는 DSP(307)로부터의 디지털 이미지 신호 및 기타 임시 처리 데이터가 임시 저장된다.The DRAM (Dynamic Random Access Memory) 304 temporarily stores digital image signals and other temporary processing data from the DSP 307.

EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory, 305)에는 DSP(307)의 동작에 필요한 알고리듬 및 설정 데이터가 저장된다. 메모리 카드 인터페이스(306)에는 사용자의 메모리 카드가 착탈된다.The EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) 305 stores algorithms and setting data necessary for the operation of the DSP 307. The memory card of the user is attached to or detached from the memory card interface 306.

DSP(Digital Signal Processor, 307)로부터의 디지털 이미지 신호는 LCD 구동부(314)에서 LCD 패널의 디스플레이 신호로 변환되어 칼라 LCD 패널(317)에 이미지가 디스플레이된다.The digital image signal from the DSP (Digital Signal Processor) 307 is converted into the display signal of the LCD panel by the LCD driver 314 so that the image is displayed on the color LCD panel 317.

한편, DSP(307)로부터의 디지털 이미지 신호는, USB(Universal Serial Bus) 접속부(318) 또는 RS232C 인터페이스(308)와 그 접속부(319)를 통하여 직렬 통신으로써 전송될 수 있고, 비데오 필터(309) 및 비데오 출력부(320)를 통하여 비데오 신호로서 전송될 수 있다.On the other hand, the digital image signal from the DSP 307 can be transmitted by serial communication via a universal serial bus (USB) connection 318 or an RS232C interface 308 and its connection 319, and the video filter 309 And a video signal through the video output unit 320.

오디오 처리기(313)는, 마이크로폰(MIC)으로부터의 음성 신호를 DSP(307) 또는 스피커(SP)로 출력하고, DSP(307)로부터의 오디오 신호를 스피커(SP)로 출력한다.The audio processor 313 outputs the audio signal from the microphone MIC to the DSP 307 or the speaker SP, and outputs the audio signal from the DSP 307 to the speaker SP.

사용자 입력부(INP)에는, 셔터 버튼, 모드 선택 버튼, 기능 선택 버튼, 줌 버튼, 방향이동 버튼 등이 포함될 수 있다. 사용자 입력부(INP)는 사용자에 의해 조작되어, 사용자의 지시에 따라 각 기능 수행을 위한 명령을 발생한다. The user input unit INP may include a shutter button, a mode selection button, a function selection button, a zoom button, a direction movement button, and the like. The user input unit INP is operated by the user to generate a command for performing each function according to the user's instruction.

마이크로제어기(312)는 렌즈 구동부(310)를 제어하고, 이에 따라 줌 모터(MZ), 포커스 모터(MF), 및 조리개(aperture) 모터(MA)가 광학계(OPS) 안의 줌 렌즈, 포커스 렌즈, 및 조리개를 각각 구동한다. 마이크로제어기(312)에 의하여 구동되는 발광부(LAMP)에는, 셀프-타이머 램프, 자동-초점 램프, 스트로보 대기 램프 등이 포함될 수 있다. 한편, 마이크로제어기(312)는 스트로보-광량 센서(316)로부터의 신호에 따라 스트로보 제어기(311)의 동작을 제어하여 스트로보(315)를 구동한다.The microcontroller 312 controls the lens driver 310, whereby the zoom motor M Z , the focus motor M F , and the aperture motor M A are zoom lenses in the optical system OPS, The focus lens and the aperture are driven respectively. The light emitting unit LAMP driven by the microcontroller 312 may include a self-timer lamp, an auto-focus lamp, a strobe standby lamp, and the like. On the other hand, the microcontroller 312 drives the strobe 315 by controlling the operation of the strobe controller 311 according to the signal from the strobe-light sensor 316.

마이크로제어기(312)의 기능은 DSP(307)와 원칩(one chip)화되어 구현될 수도 있다.The function of the microcontroller 312 may be implemented in one chip with the DSP 307.

도 8에 도시된 성분들 중에서, CDS-ADC(301), 타이밍 회로(302), RTC(303), DSP(307), EEPROM(305), 오디오 처리기(313), LCD 구동부(314), 마이크로 제어기(312) 등의 전자적 구성요소들은 모두 하나의 SoC 에 내장될 수 있다.Among the components shown in FIG. 8, the CDS-ADC 301, the timing circuit 302, the RTC 303, the DSP 307, the EEPROM 305, the audio processor 313, the LCD driver 314, the microcomputer. Electronic components such as controller 312 may all be contained in a single SoC.

이 경우 마이크로 제어기(312)는 도 2의 내장 프로세서(108)에 해당한다. DRAM(304)을 셀프 리프레시 모드 설정이 가능한 SDRAM을 사용하고, SoC 내부에 도 2의 SoC 전원 제어부(100)를 추가적으로 내장하고, 도 6 및 도 7의 플로우에 따라 SoC를 동작시키면, 본 발명의 디지털 기기용 제어회로 장치가 적용된 디지털 카메라 시스템이 완성된다.In this case, the microcontroller 312 corresponds to the embedded processor 108 of FIG. 2. If the DRAM 304 uses an SDRAM capable of setting a self-refresh mode, additionally includes the SoC power control unit 100 of FIG. 2 inside the SoC, and operates the SoC according to the flows of FIGS. 6 and 7, The digital camera system to which the control circuit device for a digital device is applied is completed.

이상 도면과 명세서에서 최적 실시예들이 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.The best embodiments have been disclosed in the drawings and specification above. Although specific terms have been used herein, they are used only for the purpose of describing the present invention and are not used to limit the scope of the present invention as defined in the meaning or claims. Therefore, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible from this. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명의 디지털 기기용 제어회로 장치에 의하면 별도의 외부 프로세서를 사용하지 않고도 누설전류를 줄일 수 있는 STR 기법을 사용할 수 있는 SoC를 제공한다. 또한 본 발명에 의하면 외장 메모리의 셀프 리프레시 모드에서 메모리 카드가 제거되면 강제로 외장 메모리의 전원을 차단하여 콜드 부팅 상태로 전환함으로써, 셀프 리프레시 모드에서 메모리 카드 제거로 인한 부팅 에러를 방지한다.As described above, the control circuit device for a digital device of the present invention provides an SoC that can use the STR technique that can reduce leakage current without using an external processor. According to the present invention, when the memory card is removed in the self-refresh mode of the external memory, the external memory is forcibly cut off to switch to a cold boot state, thereby preventing a boot error due to the removal of the memory card in the self-refresh mode.

본 발명은 이상에서 설명되고 도면들에 표현된 예시들에 한정되는 것은 아니다. 전술한 실시 예들에 의해 가르침 받은 당업자라면, 다음의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 범위 및 목적 내에서 치환, 소거, 병합 등에 의하여 전술한 실시 예들에 대해 많은 변형이 가능할 것이다.The invention is not limited to the examples described above and represented in the drawings. Those skilled in the art taught by the above-described embodiments, many modifications to the above-described embodiments are possible by substitution, erasure, merging, etc. within the scope and object of the present invention described in the following claims.

Claims (6)

셀프 리스레시 동작이 가능한 외장 메모리;An external memory capable of self-less operation; 디지털 기기의 각 전자적 구성요소의 제어를 담당하는 내장 프로세서, 상기 외장 메모리를 셀프 리프레시 모드로 설정하는 메모리 컨트롤러, SoC 주전원을 스위칭하는 제1제어신호(SoC_power_on)와 외장 메모리 전원을 스위칭하는 제2제어신호(ram_power_on)를 출력하는 SoC 전원 제어부를 구비한 SoC부;An internal processor that controls each electronic component of a digital device, a memory controller for setting the external memory to the self-refresh mode, a first control signal SoC_power_on for switching the SoC main power, and a second control for switching the external memory power A SoC unit having a SoC power control unit for outputting a signal ram_power_on; 메모리 카드 삽입 여부를 검출하여, 상기 제1제어신호가 온 상태이면 메모리 카드 삽입 여부에 관계없이 상기 제2제어신호를 제3제어신호로서 그대로 출력하고, 상기 제1제어신호가 오프 상태이고 메모리 카드가 삽입되어 있는 경우에는 상기 제2제어신호를 상기 제3제어신호로서 그대로 출력하고, 상기 제1제어신호가 오프 상태이고 메모리 카드가 삽입되어 있지 않은 경우에는 오프 상태의 제3제어신호를 출력하는 메모리 카드 검출부;Detects whether a memory card is inserted and outputs the second control signal as a third control signal as it is, regardless of whether the memory card is inserted when the first control signal is on, and the first control signal is off and the memory card Outputs the second control signal as the third control signal as it is, and outputs the third control signal in the off state when the first control signal is off and the memory card is not inserted. A memory card detector; 백업 배터리에 연결되어 상기 SoC 전원 제어부에 전원을 공급하는 SoC 백업전원부(VDD_KAU), 상기 제1제어신호에 따라 상기 SoC에 주전원(VDD_SoC)을 공급/차단하는 SoC 주전원부, 상기 제3제어신호에 따라 상기 외장 메모리의 전원을 공급/차단하는 외장 메모리 전원부를 구비한 전원부; 및A SoC backup power unit (VDD_KAU) connected to a backup battery for supplying power to the SoC power control unit, an SoC main power unit for supplying / blocking the main power (VDD_SoC) to the SoC according to the first control signal, and the third control signal. A power supply unit including an external memory power supply unit supplying / blocking power of the external memory; And 상기 백업 전원부에서 전원을 공급받아서 전원 공급/차단 지시 신호를 발생하는 조작 버튼을 구비하고,An operation button for receiving power from the backup power supply and generating a power supply / blocking indication signal, 상기 SoC 전원 제어부는 상기 내장 프로세서가 전원 차단 시퀀스를 패스트 부트 모드로 설정한 상태에서, 상기 전원 차단 지시가 입력되면, 상기 제1제어신호를 오프상태로 전환하여 출력하고, 상기 제2제어신호는 온상태를 유지하는 것을 특징으로 하는 디지털 기기용 제어회로 장치.The SoC power control unit outputs the first control signal by turning off the first control signal when the power-off instruction is input while the embedded processor sets the power-off sequence to the fast boot mode. A control circuit device for a digital device, characterized by maintaining an on state. 제1항에 있어서, 상기 메모리 카드 검출부는,The memory card detector of claim 1, wherein the memory card detection unit comprises: 3-상태 버퍼(tri-state buffer)로서, 상기 제1제어신호가 인버스 이네이블(inverse enable) 단자에 연결되고, 상기 메모리 카드 삽입 여부 검출결과가 입력단자에 연결되고, 출력단자는 상기 SoC 백업 전원에 풀업 저항으로 연결된 제1버퍼; 및A tri-state buffer, wherein the first control signal is connected to an inverse enable terminal, the detection result of the memory card insertion is connected to an input terminal, and the output terminal is the SoC backup power supply. A first buffer connected to the pull-up resistor to the first buffer; And 3-상태 버퍼로서, 상기 제1버퍼의 출력단자가 이네이블 단자에 연결되고, 상기 제2제어신호가 입력 단자에 연결되고, 출력단자는 그라운드에 풀다운 저항으로 연결된 제2버퍼를 구비하여,As a three-state buffer, the output terminal of the first buffer is connected to the enable terminal, the second control signal is connected to the input terminal, the output terminal has a second buffer connected to the ground by a pull-down resistor, 상기 제2버퍼의 출력단자를 통하여 상기 제3제어신호가 출력되는 것을 특징으로 하는 디지털 기기용 제어회로 장치.And the third control signal is output through the output terminal of the second buffer. 제1항에 있어서, 상기 SoC 전원 제어부는,The method of claim 1, wherein the SoC power control unit, 상기 제1제어신호를 오프상태로 전환한 후에 소정 시간 경과를 체크하는 타이머 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 디지털 기기용 제어회로 장치.And a timer circuit for checking a lapse of a predetermined time after switching the first control signal to an off state. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 SoC부는 상기 SoC 백업 전원부에서 전원을 공급받는 RTC(real time clock)를 더 구비하고,The SoC unit further includes a real time clock (RTC) that is powered from the SoC backup power supply, 상기 SoC 전원 제어부에서 사용되는 클록은 상기 RTC에서 제공받는 것을 특징으로 하는 디지털 기기용 제어회로 장치.The clock used in the SoC power control unit is a control circuit device for a digital device, characterized in that provided in the RTC. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 제어회로 장치를 구비한 디지털 기기에서 전원 차단/공급의 제어 시퀀스를 구현하기 위하여,In order to implement a control sequence of power off / supply in a digital device having the control circuit device of any one of claims 1 to 4, 전원 차단 지시가 입력된 경우에 패스트 부트 모드(fast boot mode)로 설정되었는가를 판단하는 단계;Determining whether a fast boot mode is set when a power off instruction is input; 패스트 부트 모드가 설정되지 않은 경우에, SoC 전원 및 외장 메모리 전원을 차단을 지시하는 단계;Instructing to turn off the SoC power supply and the external memory power when the fast boot mode is not set; 패트스 부트 모드로 설정된 경우에, 시스템 백업을 수행하는 단계;Performing a system backup when set to a fat boot mode; SoC 주전원의 차단을 지시하는 단계;Instructing to shut down the SoC main power; 외장 메모리를 셀프 리프레시 모드로 설정하는 단계;Setting the external memory to the self refresh mode; 상기 외장 메모리를 셀프 리프레시 모드로 설정한 상태에서 전원 공급 지시가 입력된 경우에 STR(suspend to RAM) 부팅 프로세스를 진행하는 단계;Performing a suspend to RAM (STR) boot process when a power supply instruction is input while the external memory is set to a self refresh mode; 메모리 카드가 제거되었는가를 판단하는 단계; 및Determining whether the memory card has been removed; And 메모리 카드가 제거되었다고 판단되면 상기 외장 메모리의 전원의 차단을 지시하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 디지털 기기의 전원 제어 방법.And instructing to cut off power of the external memory when it is determined that the memory card has been removed. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 SoC 주전원의 차단 지시가 발생한 후에 소정 시간이 경과하였는가를 판단하는 단계; 및Determining whether a predetermined time has elapsed after an instruction to shut down the SoC main power has occurred; And 상기 SoC 주전원의 차단 지시가 발생한 후에 소정 시간이 경과하였다고 판단되면 상기 외장 메모리의 전원의 차단을 지시하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 디지털 기기의 전원 제어 방법.And instructing to cut off power of the external memory if it is determined that a predetermined time has elapsed after the SoC main power cutoff instruction occurs.
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