KR20070076326A - Hinge apparatus and semiconductor manufacturing equipment having the same - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 일실시예를 도시한 사시도이다.1 is a perspective view showing an embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
도 2는 도 1에 도시한 반도체 제조설비의 힌지장치를 도시한 분해사시도이다. FIG. 2 is an exploded perspective view showing the hinge device of the semiconductor manufacturing equipment shown in FIG.
도 3은 도 2에 도시한 힌지장치의 일부절개 단면도이다. 3 is a partial cutaway cross-sectional view of the hinge device shown in FIG.
도 4는 도 2에 도시한 힌지장치의 결합관계를 설명하기 위한 배면 사시도이다. 4 is a rear perspective view for explaining the coupling relationship of the hinge device shown in FIG.
**도면의 주요부분에 대한 부호의 설명**** Description of the symbols for the main parts of the drawings **
80 : 리드80: lead
90 : 챔버90: chamber
100 : 힌지장치100: hinge device
110 : 회동부재110: rotating member
130 : 고정부재130: fixing member
150 : 연결축150: connecting shaft
160 : 회전각도 유지유닛160: rotation angle maintenance unit
190 : 반도체 제조설비190: semiconductor manufacturing equipment
본 발명은 반도체소자를 제조하기 위한 설비에 관한 것으로, 특히, 공정이 진행되는 챔버로부터 리드를 회동가능하게 하는 힌지장치 및 이를 구비한 반도체 제조설비에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a device for manufacturing a semiconductor device. More particularly, the present invention relates to a hinge device and a semiconductor manufacturing device having the same.
반도체소자를 제조하는 공정에는 포토공정, 박막증착공정, 이온주입공정, 식각공정 등 다수의 단위공정이 포함된다. The semiconductor device manufacturing process includes a plurality of unit processes such as a photo process, a thin film deposition process, an ion implantation process, and an etching process.
그리고, 이들 공정 중 대부분은 특정 반응이 발생되도록 하거나 파티클이 유입되는 것을 방지하는 등 다양한 목적을 위해 대기압과는 다른 압력으로 공정을 진행하고 있다.In addition, most of these processes proceed at a pressure different from atmospheric pressure for various purposes, such as to cause a specific reaction to occur or to prevent particles from being introduced.
특히, 박막증착공정의 경우에는 대부분 대기압 보다는 낮은 압력 즉, 저압 상태에서 공정을 진행하고 있다. 예를 들면, 박막증착공정의 하나인 BPSG(BoroPhospho Silicate Glass)공정의 경우에는 약 150 ∼ 50 Torr 정도의 압력으로 공정을 진행하고 있다. In particular, in the case of the thin film deposition process, most of the processes are performed at a pressure lower than atmospheric pressure, that is, at a low pressure. For example, in the case of the BPSG (BoroPhospho Silicate Glass) process, which is one of the thin film deposition processes, the process is performed at a pressure of about 150 to 50 Torr.
한편, 박막증착공정을 수행하는 박막증착설비의 경우에는 공정진행 중 이와 같은 저압 상태가 잘 유지될 수 있도록 설치되어 있다. 예를 들면, 종래 박막증착설비의 경우에는 공정이 진행되는 챔버와 챔버의 상부를 선택적으로 개폐하도록 힌지장치를 매개로 챔버에 결합된 리드 사이에 오링(O-ring) 등이 설치되어 있어서, 공정진행 중에도 저압 상태를 잘 유지할 수 있도록 되어 있다. On the other hand, in the case of the thin film deposition equipment performing the thin film deposition process is installed so that such a low pressure state is well maintained during the process. For example, in the case of the conventional thin film deposition equipment, an O-ring or the like is installed between the chamber in which the process is performed and the lid coupled to the chamber via a hinge device to selectively open and close the chamber. It is designed to maintain the low pressure state well in progress.
하지만, 종래 박막증착설비의 경우, 이상과 같은 약 150 ∼ 50 Torr 정도의 압력 변화값 내에서는 아무런 문제가 발생되지 않으나, 그 압력 변화값 이상의 차이가 발생될 경우에는 내부 차압에 의해서 여러가지 문제가 발생된다. However, in the case of the conventional thin film deposition equipment, no problem occurs within the pressure change value of about 150 to 50 Torr as described above, but when there is a difference over the pressure change value, various problems occur due to the internal pressure difference. do.
일 예로, 박막증착공정의 하나인 고온-유에스지(HT-USG: High Temperature- Undoped Silicate Glass)공정의 경우에는 그 압력 변화값이 약 600 ∼ 5 Torr 인 바, 이 압력 변화값 내에서 공정을 진행할 경우 종래 박막증착설비의 리드는 챔버의 내부 차압에 의해서 순간적으로 들리게 되는데, 종래 박막증착설비의 리드를 회동가능하게 했던 힌지장치의 경우, 이 순간적으로 들리게 되는 현상에 의해 그 힌지 기능이 파괴되어 리드의 일부분이 챔버 측으로 다운(Down)되는 문제가 발생된다. 따라서, 종래 박막증착설비의 경우, 이 리드의 일부분이 챔버 측으로 다운되지 않는 문제로 인하여 챔버 외부의 가스가 챔버 내부로 유입되어지는 문제가 발생되며, 이는 곧 챔버 내부의 파우더 및 파티클 발생을 초래하여 결과적으로 품질 로스(loss)가 유발된다. For example, in the case of the High Temperature-Undoped Silicate Glass (HT-USG) process, which is one of the thin film deposition processes, the pressure change value is about 600 to 5 Torr. When proceeding, the lead of the conventional thin film deposition equipment is instantaneously heard by the internal pressure difference of the chamber. In the case of the hinge device which makes the lead of the conventional thin film deposition equipment rotatable, the hinge function is destroyed by this instantaneous sound. A problem arises in which part of the lid is down to the chamber side. Therefore, in the case of the conventional thin film deposition equipment, there is a problem that the gas outside the chamber is introduced into the chamber due to the problem that a part of this lead is not down to the chamber side, which leads to the generation of powder and particles in the chamber As a result, a quality loss is caused.
따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안하여 안출한 것으로써, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 챔버의 내부 차압에 의해 리드가 순간적으로 들리게 되는 현상이 발생될 경우에도 힌지 기능이 파괴되지 않는 힌지장치 및 이를 구비한 반도체 제조설비를 제공하는데 있다. Accordingly, the present invention has been made in view of the above problems, and the technical problem to be achieved by the present invention is a hinge device in which the hinge function is not destroyed even when a phenomenon in which a lead is momentarily heard by an internal differential pressure of a chamber occurs. And to provide a semiconductor manufacturing equipment having the same.
그리고, 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 챔버의 내부 차압에 의해 리드가 순간적으로 들리게 되는 현상이 발생될 경우에도 리드가 다시 다운될 수 있도록 하는 힌지장치 및 이를 구비한 반도체 제조설비를 제공하는데 있다. In addition, another technical problem to be achieved by the present invention is to provide a hinge device and a semiconductor manufacturing apparatus having the same so that the lead can be down again even when a phenomenon in which the lead is temporarily lifted by the internal differential pressure of the chamber occurs. .
이와 같은 기술적 과제를 구현하기 위한 본 발명의 제1양태에 따르면, 힌지장치가 제공된다. 상기 힌지장치는 상호 소정간격 이격된 제1몸체와 제2몸체로 구성된 고정부재와, 상기 제1몸체와 상기 제2몸체의 사이에 개재되는 회동부재와, 상기 고정부재와 상기 회동부재를 연속적으로 관통하여 상기 고정부재와 상기 회동부재를 연결하는 연결축과, 상기 연결축의 외주면과 상기 연결축이 끼워진 상기 회동부재의 내주면 사이에 개재되어 상기 연결축으로부터 상기 회동부재를 회동가능하게 하는 베어링 및, 상기 연결축으로부터 회동된 상기 회동부재의 회동각도를 유지시켜주는 회전각도 유지유닛을 포함한다. According to the first aspect of the present invention for implementing such a technical problem, a hinge device is provided. The hinge device includes a fixing member comprising a first body and a second body spaced apart from each other by a predetermined distance, a rotating member interposed between the first body and the second body, and the fixing member and the rotating member continuously. A bearing for penetrating the connecting member and the rotating member and interposed between an outer circumferential surface of the connecting shaft and an inner circumferential surface of the rotating member in which the connecting shaft is fitted; And a rotation angle maintaining unit for maintaining a rotation angle of the rotation member rotated from the connecting shaft.
이때, 상기 회전각도 유지유닛은 상기 회동부재에 대향되는 상기 제1몸체의 일측면으로부터 상기 제1몸체의 타측면까지 연장형성된 끼움홀과, 상기 끼움홀을 관통하여 그 일부가 상기 제1몸체의 타측면으로 소정길이 돌출되는 회전방지핀과, 상기 회전방지핀을 상기 회동부재 측으로 이동시키도록 상기 회전방지핀을 탄성지지하는 탄성스프링 및, 상기 탄성스프링에 의해 이동된 상기 회전방지핀의 일단이 끼워지도록 상기 회동부재의 일측면에 형성된 걸림홀을 포함할 수 있다. At this time, the rotation angle maintaining unit is a fitting hole extending from one side of the first body facing the rotating member to the other side of the first body, and a portion of the first body through the fitting hole An anti-rotation pin protruding a predetermined length to the other side, an elastic spring for elastically supporting the anti-rotation pin to move the anti-rotation pin to the rotating member, and one end of the anti-rotation pin moved by the elastic spring. It may include a locking hole formed in one side of the rotating member to be fitted.
또한, 상기 제1몸체와 상기 제2몸체에는 각각 상기 연결축의 일측단과 타측단이 끼워지도록 연결홀이 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 연결홀은 상기 연결축이 상기 제1몸체와 상기 제2몸체에 끼워진 상태에서 소정거리 상하 유동될 수 있도록 상기 연결축의 두께와 높이보다 더 크게 형성될 수 있다. In addition, a connection hole may be formed in the first body and the second body so that one end and the other end of the connection shaft are fitted. In this case, the connecting hole may be formed larger than the thickness and height of the connecting shaft so that the connecting shaft can flow up and down a predetermined distance in the state fitted to the first body and the second body.
한편, 상기와 같은 기술적 과제를 구현하기 위한 본 발명의 제2양태에 따르면, 반도체 제조설비가 제공된다. 상기 반도체 제조설비는 공정이 진행되는 챔버와, 상기 챔버로부터 소정각도 회동되어 상기 챔버의 일측을 개폐하는 리드 및, 상기 챔버로부터 상기 리드를 회동가능하게 힌지장치를 포함하되, 상기 힌지장치는 상호 소정간격 이격된 제1몸체와 제2몸체로 구성되고 상기 챔버에 결합되는 고정부재와, 상기 제1몸체와 상기 제2몸체의 사이에 개재되며, 상기 리드에 결합되는 회동부재와, 상기 고정부재와 상기 회동부재를 연속적으로 관통하여 상기 고정부재와 상기 회동부재를 연결하는 연결축과, 상기 연결축의 외주면과 상기 연결축이 끼워진 상기 회동부재의 내주면 사이에 개재되어 상기 연결축으로부터 상기 회동부재를 회동가능하게 하는 베어링 및, 상기 연결축으로부터 회동된 상기 회동부재의 회동각도를 유지시켜주는 회전각도 유지유닛을 포함한다. On the other hand, according to the second aspect of the present invention for implementing the above technical problem, a semiconductor manufacturing apparatus is provided. The semiconductor manufacturing apparatus includes a chamber in which a process is performed, a lid rotated at a predetermined angle from the chamber to open and close one side of the chamber, and a hinge device to pivot the lead from the chamber, wherein the hinge device is mutually predetermined. A fixed member configured to be spaced apart from the first body and the second body and coupled to the chamber, interposed between the first body and the second body, and a rotation member coupled to the lead; A pivot connected between the fixed member and the pivot member through the pivot member continuously and interposed between an outer circumferential surface of the link shaft and an inner circumferential surface of the pivot member in which the link shaft is fitted to pivot the pivot member from the link shaft. And a rotation angle maintaining unit for maintaining a rotation angle of the pivot member pivoted from the connecting shaft. It is.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed subject matter is thorough and complete, and that the scope of the invention to those skilled in the art will fully convey. Like numbers refer to like elements throughout.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 일실시예를 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시한 반도체 제조설비의 힌지장치를 도시한 분해사시도이며, 도 3 은 도 2에 도시한 힌지장치의 일부절개 단면도이다. 그리고, 도 4는 도 2에 도시한 힌지장치의 결합관계를 설명하기 위한 배면 사시도이다. 1 is a perspective view showing an embodiment of a semiconductor manufacturing equipment according to the present invention, Figure 2 is an exploded perspective view showing a hinge device of the semiconductor manufacturing equipment shown in Figure 1, Figure 3 is a hinge shown in FIG. Sectional section view of the device. 4 is a rear perspective view for explaining a coupling relationship of the hinge device shown in FIG.
먼저, 도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 제조설비(190)는 공정이 진행되는 챔버(90)와, 상기 챔버(90)로부터 소정각도 회동되며 상기 챔버(90)의 상측을 개폐하는 리드(80)와, 상기 챔버(90)로부터 상기 리드(80)를 회동가능하게 하는 힌지장치(100)와, 상기 챔버(90) 내부로 공정가스를 공급해주는 가스공급장치(미도시) 및, 상기 챔버(90) 내부를 공정진행에 필요한 압력으로 변경 및 유지시켜주는 진공유지장치(미도시)를 포함한다. First, referring to FIG. 1, a
구체적으로, 상기 챔버(90)는 웨이퍼(미도시) 상에 소정 공정이 이루어지는 공간이다. 따라서, 상기 챔버(90)의 일측에는 상기 챔버(90) 내부로 웨이퍼가 왕래하도록 게이트 도어(Gate door,미도시)가 형성되고, 상기 챔버(90)의 내부에는 상기 게이트 도어를 통해 이송된 웨이퍼가 안착되도록 웨이퍼 척(미도시)이 마련된다. 그리고, 상기 챔버(90)의 상부에는 소정 크기의 개구부(미도시)가 마련된다. 이에, 상기 챔버(90) 내부의 크리닝 또는 상기 챔버(90) 내부의 예방정비 등은 상기 개구부를 통해 이루어진다. Specifically, the
상기 리드(80)는 상기 챔버(90)의 상부에 마련된 개구부를 개폐한다. 따라서, 공정이 진행될 경우 상기 리드(80)는 상기 개구부를 밀폐하게 되고, 상기 챔버(90) 내부의 크리닝이나 예방정비 등이 이루어질 경우에는 상기 개구부를 개방시키게 된다. 이때, 상기 리드(80)와 상기 챔버(90)가 접촉하는 부분 곧, 상기 리드(80)에 접촉되는 상기 챔버(90) 개구부의 주변에는 오링과 같은 밀폐링(미도시)이 설치될 수 있다. 이 경우, 상기 리드(80)와 상기 챔버(90) 사이의 밀폐는 상기 밀폐링으로 인하여 더욱 견고하게 이루어지기 때문에 상기 진공유지장치는 상기 챔버(90) 내부의 압력을 더욱 잘 유지시킬 수 있게 된다. The
한편, 상기 힌지장치(100)는 상호 소정간격 이격된 제1몸체(131)와 제2몸체(132)로 구성된 고정부재(130)와, 상기 제1몸체(131)와 상기 제2몸체(132)의 사이에 개재되는 회동부재(110)와, 상기 고정부재(130)와 상기 회동부재(110)를 연결하는 연결축(150)과, 상기 연결축(150)과 상기 회동부재(110)의 사이에 개재되어 상기 연결축(150)으로부터 상기 회동부재(110)를 회동가능하게 하는 베어링(180) 및, 상기 연결축(150)으로부터 회동된 상기 회동부재(110)의 회동각도를 유지시켜주는 회전각도 유지유닛(160)을 포함한다. On the other hand, the
보다 구체적으로 설명하면, 상기 고정부재(130)는 고정볼트(135) 등에 의해 상기 챔버(90)의 일측 곧, 상기 챔버(90)의 상부에 형성된 개구부의 주변에 결합된다. 즉, 상기 고정부재(130)는 상기 제1몸체(131)와 상기 제2몸체(132)로 구성되는 바, 상기 제1몸체(131)와 상기 제2몸체(132)는 상호간 소정간격 이격된 채로 상기 챔버(90)의 상부에 결합된다. 그리고, 상기 제1몸체(131)와 상기 제2몸체(132)에는 각각 전술한 상기 연결축(150)의 일측단과 타측단이 끼워지도록 연결홀(137)이 형성된다. 따라서, 상기 연결축(150)은 이 연결홀(137)들을 관통하여 끼워짐으로써 상기 고정부재(130)와 상기 회동부재(110)를 상호간 연결하게 된다. 이때, 상기 연결홀(137)은 상기 연결축(150)의 두께와 높이보다 더 크게 형성된다. 따라서, 상기 연결홀(137)들을 통해 상기 몸체들(131,132)에 끼워진 연결축(150)은 상기 제1 몸체(131)와 상기 제2몸체(132)에 끼워진 상태에서 소정거리 상하 유동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 연결축(150)의 종단면과 상기 연결축(150)이 끼워지는 상기 연결홀(137)의 종단면은 상하방향으로 길이가 긴 직사각형 형상 또는 이와 유사한 형상으로 형성된다. 이에 따라, 상기 연결축(150)과 상기 연결축(150)이 끼워지는 상기 몸체들(131,132) 사이에는 회전운동이 발생되지 않고 다만, 상기와 같은 상호 유동만이 발생된다. In more detail, the fixing
또한, 상기 제1몸체(131)와 상기 제2몸체(132)의 후면에는 각각 상기 연결홀(137)에 끼워진 상기 연결축(150)을 상기 몸체들(131,132)에 결합시킬 수 있도록 결합홀(139)이 형성된다. 따라서, 상기 연결홀(137)에 끼워진 상기 연결축(150)은 상기 결합홀(139) 측으로 끼워진 고정볼트(133) 등에 의해서 상기 몸체들(131,132)에 결합된다. 이때, 상기 결합홀(139)은 상기 연결홀(137)의 종단면과 같이 상하방향으로 길이가 긴 직사각형 형상 또는 이와 유사한 형상으로 형성된다. 따라서, 상기 연결홀(137)을 따라 상기 연결축(150)이 상하 유동될 때 상기 연결축(150)을 상기 몸체들(131,132)에 결합시켜주는 상기 고정볼트(133) 등도 상기 연결축(150)과 함께 소정거리 상하 유동된다. In addition, the coupling holes 150 may be coupled to the
상기 회동부재(110)는 상기 고정부재(130)의 제1몸체(131)와 제2몸체(132)의 사이에 개재된 채로 고정볼트(113) 등에 의해서 상기 리드(80)에 결합된다. 따라서, 상기 리드(80)는 상기 회동부재(110)에 의해서 상기 챔버(90)로부터 소정각도 회동가능하게 된다. The
상기 연결축(150)은 상기 제1몸체(131)와 제2몸체(132)로 구성된 고정부재 (130)와 상기 회동부재(110)를 연속적으로 관통하여 상기 고정부재(130)와 상기 회동부재(110)를 연결한다. 이때, 상기 연결축(150)의 종단면은 상기 고정부재(130)에 끼워지는 부분과 상기 회동부재(110)에 끼워지는 부분이 상호 다르게 형성된다. 일실시예로, 상기 고정부재(130)에 끼워지는 상기 연결축(150)의 종단면 형상은 전술한 바와 같이 상하방향으로 길이가 긴 직사각형 형상 또는 이와 유사한 형상으로 형성된다. 그리고, 상기 회동부재(110)에 끼워지는 상기 연결축(150)의 종단면 형상은 원 형상으로 형성된다. 또한, 상기 연결축(150)의 양단부 후면 즉, 상기 몸체들(131,132)에 끼워지는 상기 연결축(150)의 후면에는 전술한 고정볼트(133) 등이 체결되도록 체결홀(155)이 형성된다. 따라서, 전술한 고정볼트(133) 등은 상기 결합홀(139)을 통해 상기 연결축(150)의 체결홀(155)에 체결됨으로써 상기 연결축(150)을 상기 몸체들(131,132)에 결합시키게 된다. The connecting
상기 베어링(180)은 전술한 바와 같이, 상기 연결축(150)으로부터 상기 회동부재(110)를 회동가능하게 하는 역할을 한다. 따라서, 상기 베어링(180)은 상기 연결축(150)의 외주면과 상기 연결축(150)이 끼워진 상기 회동부재(110)의 내주면 사이에 개재된다. 이때, 상기 베어링(180)은 상기 회동부재(110)의 회동을 원활하게 하도록 상기 회동부재(110)의 내측에 적어도 2개이상 개재될 수 있다. 일실시예로, 상기 베어링(180)은 상기 회동부재(110)의 일측과 타측에 각각 개재될 수 있다. As described above, the
상기 회전각도 유지유닛(160)은 상기 회동부재(110)에 대향되는 상기 제1몸체(131)의 일측면으로부터 상기 제1몸체(131)의 타측면까지 연장형성된 끼움홀(134)과, 상기 끼움홀(134)을 관통하여 그 일부가 상기 제1몸체(131)의 타측면으로 소정길이 돌출되는 회전방지핀(162)과, 상기 회전방지핀(162)을 상기 회동부재(110) 측으로 이동시키도록 상기 회전방지핀(162)을 탄성지지하는 탄성스프링(164) 및, 상기 탄성스프링(164)에 의해 이동된 상기 회전방지핀(162)의 일단이 끼워지도록 상기 회동부재(110)의 일측면에 형성된 걸림홀(169)을 포함한다. The rotation
구체적으로, 상기 끼움홀(134)은 전체적으로 동일한 직경으로 형성된 것이 아니라 상기 회동부재(110)에 대향되는 상기 제1몸체(131)의 일측면 측과 상기 제1몸체(131)의 타측면 측이 상호 다르게 형성된다. 일실시예로, 상기 끼움홀(134)은 상기 제1몸체(131)의 일측면 측이 상기 제1몸체(131)의 타측면 측 보다 더 크게 형성된다. 따라서, 전술한 탄성스프링(164)은 이 직경이 적어지는 부분을 지지점으로 하여 상기 회전방지핀(162)을 탄성지지하게 된다. Specifically, the
상기 회전방지핀(162)은 상기 끼움홀(134)에 끼워지는 로드 타입의 몸체(161)와, 상기 몸체(161)의 일단에 탈착가능하게 결합되되 상기 끼움홀(134)의 직경보다 다소 큰 크기로 형성된 캡(Cap,163) 및, 상기 몸체(161)의 타단 측에 일체로 형성되되 상기 끼움홀(134)의 직경보다 다소 작은 크기로 형성된 스프링 지지부(165)로 구성된다. 따라서, 상기 회전방지핀(162)은 상기 캡(163)이 분리된 상태로 상기 끼움홀(134)의 일측면으로부터 상기 끼움홀(134)의 타측면 방향으로 끼워지게 되고, 끼워진 후에는 상기 캡(163)이 결합되어지게 된다. The
상기 탄성스프링(164)은 상기 회전방지핀(162)의 몸체(161)에 끼워지는 코일 스프링으로 구현된다. 따라서, 상기 회전방지핀(162)이 상기 끼움홀(134)에 끼워질 때 상기 탄성스프링(164)은 상기 회전방지핀(162)의 몸체(161)에 끼워진 채로 상기 끼움홀(134)에 끼워지게 된다. The
상기 걸림홀(169)은 상기 제1몸체(131)에 대향되는 상기 회동부재(110)의 일측면에 형성되되, 다수개 형성된다. 구체적으로, 상기 걸림홀(169)이 형성되는 위치는 상기 회동부재(110)가 상기 제1몸체(131)에 대하여 약 45°및 90°로 회동되었을 때 상기 끼움홀(134)에 대향되는 부분임이 바람직하다. 따라서, 상기 회전방지핀(162)은 상기 회동부재(110)가 상기 제1몸체(131)에 대하여 약 45°및 90°로 회동되었을 때 상기 탄성스프링(164)의 탄성지지에 의하여 상기 끼움홀(134)에 대향되는 상기 걸림홀(169) 측으로 그 일단이 끼워짐으로써 상기 회동부재(110)의 회전각도를 유지시키게 되는 것이다. The
이하, 이상과 같이 구성된 반도체 제조설비(190)의 조립방법 및 그 효과를 구체적으로 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, the assembly method and the effect of the
먼저, 유저는 상기 연결축(150)과 상기 베어링(180) 등을 이용하여 상기 고정부재(130)와 상기 회동부재(110)를 상호 결합시킴으로 상기 힌지장치(100)를 조립하게 된다. First, the user assembles the
이후, 조립이 완료되면, 유저는 고정볼트(135) 등을 이용하여 상기 힌지장치(100)의 고정부재(130)를 상기 챔버(90)에 고정시키게 된다. Then, when the assembly is completed, the user is to fix the fixing
이후, 상기 힌지장치(100)의 고정부재(130)가 고정되면, 유저는 또다른 고정볼트(115) 등을 이용하여 상기 힌지장치(100)의 회동부재(110)를 상기 리드(80)에 고정시키게 되며, 이로써 반도체 제조설비(190)의 조립을 완료하게 된다. Thereafter, when the fixing
한편, 본 발명 반도체 제조설비(190)에 따르면, 회동부재(110)와 이에 결합된 연결축(150) 등이 상기 고정부재(130)의 연결홀(137)에 끼워진 상태에서도 소정거리 상하 유동가능하기 때문에 상기 리드(80)를 개방시킬 경우 상기 챔버(90) 상에 설치된 밀폐링을 훼손시키지 않고도 상기 리드(80)를 개방시킬 수 있는 효과가 있을 뿐만 아니라 상기 챔버(90)의 내부 차압에 의해 상기 리드(80)가 순간적으로 들리게 되는 현상이 발생될 경우에도 그 힌지 기능의 파괴 없이 상기 리드(80)의 다운을 유도할 수 있는 효과가 있다. On the other hand, according to the
이상, 본 발명은 도시된 실시예를 참고로 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 그러므로 본 발명의 범위는 첨부된 특허청구의 범위와 이와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.As mentioned above, although the present invention has been described with reference to the illustrated embodiments, it is only an example, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the scope of the present invention should be defined by the appended claims and their equivalents.
상술한 바와 같이, 본 발명 반도체 제조설비에 따르면, 회동부재와 이에 결합된 연결축 등이 상기 고정부재의 연결홀에 끼워진 상태에서도 소정거리 상하 유동가능하기 때문에 상기 리드를 하고자 할 경우 상기 챔버 상에 설치된 밀폐링을 훼손시키지 않고도 상기 리드를 개방시킬 수 있을 뿐만 아니라 상기 챔버의 내부 차압에 의해 상기 리드가 순간적으로 들리게 되는 현상이 발생될 경우에도 그 힌지 기능의 파괴 없이 상기 리드의 다운을 유도할 수 있게 된다. As described above, according to the semiconductor manufacturing equipment of the present invention, since the rotation member and the connecting shaft coupled thereto are movable up and down a predetermined distance even when they are fitted in the connection hole of the fixing member, the lead is placed on the chamber. Not only can the lid be opened without damaging the installed sealing ring, but the lead can be pulled down without destroying the hinge function even when the lead is temporarily lifted by the internal differential pressure of the chamber. Will be.
Claims (6)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060005552A KR20070076326A (en) | 2006-01-18 | 2006-01-18 | Hinge apparatus and semiconductor manufacturing equipment having the same |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1020060005552A KR20070076326A (en) | 2006-01-18 | 2006-01-18 | Hinge apparatus and semiconductor manufacturing equipment having the same |
Publications (1)
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Family
ID=38501288
Family Applications (1)
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KR1020060005552A KR20070076326A (en) | 2006-01-18 | 2006-01-18 | Hinge apparatus and semiconductor manufacturing equipment having the same |
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KR (1) | KR20070076326A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101037064B1 (en) * | 2008-12-30 | 2011-05-26 | 에이펫(주) | Substrate processing apparatus |
CN102873178A (en) * | 2012-09-25 | 2013-01-16 | 昆山腾宇鑫金属制品有限公司 | Punching scrap jumping prevention device |
KR101269858B1 (en) * | 2009-05-11 | 2013-06-07 | 엘아이지에이디피 주식회사 | Hinge structure for opening and closing lid of semiconductor manufacturing device |
-
2006
- 2006-01-18 KR KR1020060005552A patent/KR20070076326A/en not_active Application Discontinuation
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