KR20070068596A - A baking apparatus - Google Patents
A baking apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- KR20070068596A KR20070068596A KR1020050130389A KR20050130389A KR20070068596A KR 20070068596 A KR20070068596 A KR 20070068596A KR 1020050130389 A KR1020050130389 A KR 1020050130389A KR 20050130389 A KR20050130389 A KR 20050130389A KR 20070068596 A KR20070068596 A KR 20070068596A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- chamber
- door
- sealing member
- wafer
- baking
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 베이크 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram illustrating a baking apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2는 도 1에 도시된 베이크 장치의 내부의 공기 순환을 설명하기 위한 개념도이다.FIG. 2 is a conceptual diagram for describing air circulation inside the baking apparatus shown in FIG. 1.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
110 : 챔버 112 : 개구부110: chamber 112: opening
120 : 커버 130 : 베이스120: cover 130: base
140 : 베이크 플레이트 150 : 도어140: bake plate 150: door
160 : 구동부 170 : 제1 밀봉 부재160
180 : 제2 밀봉 부재 W : 웨이퍼180: second sealing member W: wafer
본 발명은 베이크 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼 상에 형성된 포토레지스트 막을 균일하게 가열하기 위한 베이크 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a baking apparatus, and more particularly, to a baking apparatus for uniformly heating a photoresist film formed on a wafer.
웨이퍼 표면에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 상기 포토리소그래피 공 정은 실리콘웨이퍼 상에 포토레지스트 조성물 층을 형성하기 위한 포토레지스트 코팅 공정과, 포토레지스트 막을 형성하기 위하여 상기 포토레지스트 조성물 층을 경화시키는 베이크 공정과, 레티클 패턴을 상기 포토레지스트 막으로 전사하기 위한 노광 공정과, 상기 전사된 레티클 패턴을 포토레지스트 패턴으로 형성하기 위한 현상 공정을 포함한다.The photolithography process for forming a photoresist pattern on a wafer surface includes a photoresist coating process for forming a photoresist composition layer on a silicon wafer, a baking process for curing the photoresist composition layer to form a photoresist film, and And an exposure step for transferring the reticle pattern to the photoresist film, and a developing step for forming the transferred reticle pattern into the photoresist pattern.
일반적으로, 상기 베이크 공정은 포토레지스트 조성물이 도포된 웨이퍼를 가열하여 웨이퍼 상에 형성된 포토레지스트를 경화 정착시키는 공정이다. 상기 베이크 공정의 종류로는 소프트 베이크(Soft Bake), 하드 베이크(Hard Bake), PEB(Post Exposure Bake) 등이 있다. 소프트 베이크 및 하드 베이크는 웨이퍼 상에 형성된 포토레지스트의 균일도를 유지하기 위해 포토레지스트의 솔벤트를 웨이퍼에 열을 가하여 제거하는 공정이다. PEB은 포토레지스트를 노광할 경우, 자외선의 빛 산란으로 인해 노광 경계부위의 불필요한 노광 현상을 방지하기 위해 웨이퍼를 가열하는 공정이다.In general, the baking process is a process of curing and fixing the photoresist formed on the wafer by heating the wafer to which the photoresist composition is applied. Types of the baking process include soft bake, hard bake, and post exposure bake (PEB). Soft bake and hard bake are processes in which the solvent of the photoresist is removed by applying heat to the wafer in order to maintain the uniformity of the photoresist formed on the wafer. PEB is a process of heating a wafer in order to prevent unnecessary exposure phenomenon at the exposure boundary due to light scattering of ultraviolet light when exposing the photoresist.
상기 베이크 공정은 챔버 내에 구비되는 베이크 플레이트 상에 예비포토레지스트 패턴이 형성된 웨이퍼를 로딩한 후, 상기 웨이퍼를 가열하는 베이크 장치를 사용하여 수행한다. 상기 웨이퍼는 상기 챔버의 일측에 구비되는 도어를 통해 출입한다. 상기 도어는 상승 및 하강하면서 상기 챔버를 개폐한다. 그러나, 상기 도어가 닫힌 경우에도 상기 도어와 상기 챔버 사이가 완전하게 밀폐되지 않는다. 따라서 상기 챔버 내부와 외부의 온도 차이로 인해 상기 도어와 챔버 사이를 통해 상기 챔버 내부의 열이 손실된다. 그러므로 상기 챔버 내부의 웨이퍼 온도가 낮아지며, 상기 웨이퍼의 온도 분포도 불균일해진다. 따라서 상기 베이크에 의해 형성되는 포토레지스트 패턴의 선폭도 불균일해지는 문제점이 있다. 더구나, 최근에는 포토레지스트 패턴이 점점 미세해짐에 따라, 상기 베이크 온도의 불균일이 상기 포토레지스트의 패턴의 선폭에 더욱 큰 영향을 미치고 있다.The baking process is performed by using a baking apparatus that heats the wafer after loading a wafer on which a pre-photoresist pattern is formed on a baking plate provided in the chamber. The wafer enters and exits through a door provided at one side of the chamber. The door opens and closes the chamber while being raised and lowered. However, even when the door is closed, the door and the chamber are not completely sealed. Therefore, heat inside the chamber is lost through the door and the chamber due to a temperature difference between the inside and the outside of the chamber. Therefore, the wafer temperature inside the chamber is lowered, and the temperature distribution of the wafer is also uneven. Therefore, there is a problem in that the line width of the photoresist pattern formed by the baking is also uneven. Moreover, as the photoresist pattern becomes finer in recent years, the non-uniformity of the baking temperature has a greater influence on the line width of the pattern of the photoresist.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 웨이퍼의 베이크 공정이 수행되는 챔버와 상기 웨이퍼를 출입하기 위한 도어 사이를 밀폐할 수 있는 베이크 장치를 제공하는데 있다. An object of the present invention for solving the above problems is to provide a baking device capable of sealing between the chamber for performing the wafer baking process and the door for entering and exiting the wafer.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의하면, 베이크 장치는 웨이퍼를 수용하기 위한 공간을 제공하는 챔버를 구비한다. 가열 부재는 상기 내부로 상기 웨이퍼를 가열하기 위한 열을 제공하고, 도어는 상기 챔버의 일측에 구비되며, 상기 웨이퍼가 출입한다. 밀봉 부재는 상기 도어와 챔버 사이의 간격을 통해 상기 챔버 내부의 열이 손실되는 것을 방지하기 위해 상기 도어와 상기 챔버 사이를 밀봉한다. According to a preferred embodiment of the present invention for achieving the object of the present invention, the baking apparatus has a chamber for providing a space for receiving a wafer. A heating member provides heat for heating the wafer into the inside, and a door is provided at one side of the chamber, and the wafer enters and exits. The sealing member seals between the door and the chamber to prevent loss of heat inside the chamber through the gap between the door and the chamber.
상기 밀봉 부재는 상기 도어와 상기 챔버가 접촉하는 부위를 따라 구비되는 것이 바람직하다.The sealing member is preferably provided along a portion where the door is in contact with the chamber.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 베이크 장치는 밀봉 부재를 이용하여 상기 도어와 챔버 사이를 밀폐시킨다. 따라서 상기 챔버의 내부와 외부 사이의 열적 이동을 차단할 수 있다. The baking apparatus according to the present invention configured as described above seals between the door and the chamber by using a sealing member. Therefore, it is possible to block thermal movement between the inside and the outside of the chamber.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 베이크 장치에 대해 상세히 설명한다. 하지만, 본 발명이 하기의 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 본 발명에 있어서, 각 구조물들이 다른 구조물들의 "상에", "상부에" 또는 "하부"에 형성되는 것으로 언급되는 경우에는 각 구조물들이 직접 상기 구조물들 위에 위치하거나 또는 아래에 위치하는 것을 의미하거나, 또 다른 구조물들이 기판 상에 추가적으로 형성될 수 있다. 또한, 각 구조물들이 "제1" 및/또는 "제2"로 언급되는 경우, 이러한 부재들을 한정하기 위한 것이 아니라 단지 각 구조물들을 구분하기 위한 것이다. 따라서, "제1" 및/또는 "제2"는 각 구조물들에 대하여 각기 선택적으로 또는 교환적으로 사용될 수 있다.Hereinafter, a baking apparatus according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and those skilled in the art may implement the present invention in various other forms without departing from the technical spirit of the present invention. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are shown in an enlarged scale than actual for clarity of the invention. In the present invention, when each structure is referred to as being formed "on", "upper" or "lower" of other structures, it means that each structure is located directly above or below the structures or Further structures may be additionally formed on the substrate. In addition, where each structure is referred to as "first" and / or "second", it is not intended to limit these members but merely to distinguish each structure. Thus, "first" and / or "second" may be used selectively or interchangeably for each structure.
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 베이크 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram illustrating a baking apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 상기 베이크 장치(100)는 챔버(110), 베이스(130), 베이크 플레이트(140), 도어(150), 구동부(160), 제1 밀봉 부재(170) 및 제2 밀봉 부재(180)를 포함한다. Referring to FIG. 1, the baking device 100 includes a
상기 챔버(110)는 웨이퍼(W)를 수용하기 위한 공간을 제공한다. 상기 챔버(110)는 원통 형태이다. The
상기 챔버(110)의 내부에는 베이스(130)가 구비되고, 상기 베이스(130)의 상 부면에는 기판(W)을 균일하게 베이크하기 위한 베이크 플레이트(140)가 구비된다. 상기 베이크 플레이트(140) 상에 상기 기판(W)이 수평 방향으로 놓여지게 된다. A
상기 베이스(130)는 상기 베이크 플레이트(140)를 안정적으로 지지하는 역할을 한다. 상기 베이스(130)의 표면에는 상기 챔버(110)의 외부와의 온도 차이에 의해 상기 챔버(110)의 내부에서 대류 현상이 발생되지 않도록 테프론 코팅이 되어 있고, 상기 챔버(110) 내부에 유지되는 열이 외부로 방출되는 것을 차단하기 위한 단열층이 형성되어 있다. The
또한, 상기 베이크 플레이트(140)의 윗면에는 상기 기판(W)이 수평 방향으로 놓여지도록 지지하는 지지핀(142)이 설치되어 있다. 상기 지지핀(142) 상부면에 기판(W)이 놓여져서 상기 베이크 플레이트(140) 상부면에 상기 기판(W)이 직접 접촉되지 않는다. In addition, a
상기 챔버(110)의 상부에는 도시되지는 않았지만 가스공급 유닛 및 가열 유닛이 구비된다. 상기 가스공급 유닛은 작동 유체인 N2가스를 저장 가능하고, 상기 챔버(110) 내로 유입되는 가스를 단속할 수 있다. 또한 상기 가스공급 유닛은 설정된 시간에 따라 배출되는 가스량을 미세 조절하는 가스유량 조절수단을 구비한다. 그리고, 상기 가스공급 유닛은 상기 챔버(110)와 가스 공급라인으로 연통된다. 여기서, 상기 가스유량조절수단은 가스의 유량조건을 정확히 측정할 수 있어야 하는데, 이는 공지된 바와 같이, 체적 내의 가스온도와 압력의 변화율을 측정하고 측정된 값으로부터 질량유량을 측정할 수 있다.Although not shown, the
상기 가열 유닛은 상기 가스공급라인의 중간 영역에 설치되어 상기 가스공급 유닛과 상호 연결되는 것으로 상기 가스공급라인을 따라 공급되는 가스를 공정화에 필요한 소정온도로 가열시켜 상기 챔버(110) 내로 공급한다. 여기서, 상기 가열 유닛은 상기 챔버(110)로 유입되기 직전에 가스를 가열하기 위한 히팅존을 구비한다. 즉, 상기 가열 유닛은 통과하는 가스를 히팅존에서 예열하여 상기 챔버(110) 내로 직접 공급하게 된다.The heating unit is installed in an intermediate region of the gas supply line and is interconnected with the gas supply unit. The heating unit heats the gas supplied along the gas supply line to a predetermined temperature required for processing and supplies the gas into the
상기 챔버(110)에는 상기 가스공급라인과 연결되고 중앙부분에 다수의 가스 주입구(124)가 형성되어 있는 가스공급플레이트(122), 상기 가스공급플레이트(122)와 소정간격 이격되도록 설치되며 다수의 구멍을 가지고 있는 제1 완충플레이트(126) 및 상기 제1 완충플레이트(126)와 소정간격 이격되도록 설치되며 다수의 구멍을 가지고 있는 제2 완충플레이트(128)로 구성된다.The
상기 가스공급플레이트(122)는 원형판의 중앙에 상기 가스공급라인을 통해 분사된 N2가스가 주입되도록 다수개의 가스주입구(124)가 형성되어 있다. 즉, 가스공급 유닛 및 가열 유닛을 거친 N2가스는 상기 가스공급라인을 통해 가스공급플레이트(122)의 가스주입구(124)로 주입된다.The
상기 제1 완충플레이트(126)는 원형판의 전면에 다수의 구멍이 형성되어 있다. 상기 구멍은 원형판에 균일한 직경으로 형성된다. 따라서 상기 가스공급플레이트(122)로부터 공급된 N2가스가 챔버(110)의 내부공간에 균일하게 분산된다. The
상기 제2 완충플레이트(128)는 상기 제1 완충플레이트(126)와 소정간격 이격 되게 설치되고, 원형판의 전면에 다수의 구멍이 형성되어 있다. 상기 다수의 구멍은 원형판의 중앙부로부터 가장자리로 갈수록 직경이 작아진다. 따라서 상기 가스공급플레이트(122)로부터 공급된 N2가스로 인해 웨이퍼(W)가 균일온도 분포를 유지하도록 중앙부분에서 많이 분사되며, 중앙부분에 분사된 N2가스는 횡방향 유동을 형성하여 외각의 작은 구멍에서 공급되는 N2가스와 함께 외각으로 분출된다.The
상기 베이크 플레이트(140)는 내부에 열선(미도시)이 구비된다. 상기 열선을 상기 베이크 플레이트(140)가 전체적으로 균일한 온도를 유지하도록 열을 제공한다. 상기 열선은 동심원 형태, 나선 형태, 격자 형태 등 다양한 형태로 구비될 수 있다.The
한편, 상기 베이크 플레이트(140) 내부에는 상기 베이크 플레이트(140)의 온도를 측정하기 위한 온도 센서(미도시)가 구비된다. 상기 온도 센서는 상기 베이크 플레이트(140)의 각 부위에 따른 온도를 각각 측정하기 위해 다수개 구비된다. On the other hand, the
상기 챔버(110)의 일측 측면에는 상기 웨이퍼(W)의 출입을 위한 개구부(112)가 위치한다. 상기 개구부(112)는 상기 웨이퍼(W)가 충분히 출입할 수 있는 크기를 갖는다.An
상기 도어(150)는 상기 개구부(112)를 개폐하며, 상기 개구부(112)의 하부에 위치하는 챔버(110)의 측벽에 삽입되도록 구비된다. 상기 도어(150)는 상기 챔버(110)의 측벽과 평행한 수직 방향으로 승강한다. 상기 도어(150)가 상승하여 상기 챔버(110)의 측벽으로부터 돌출되는 경우 상기 개구부(112)를 차단한다. 상기 도어 (150)가 하강하여 상기 챔버(110)의 측벽으로 삽입되는 경우 상기 개구부(112)는 개방된다. The
상기 구동부(160)는 상기 도어(150)를 승강시키기 위한 구동력을 제공한다. 상기 구동부(160)의 예로는 공압 실린더, 볼 스크류, 리니어 모터 등을 들 수 있다.The driving
상기 도어(150)가 상승하여 상기 개구부(112)를 차단하더라도 상기 도어(150)와 상기 챔버(110)의 측벽이 완전히 밀착되지 못한다. 즉, 도어(150)가 차단되더라도 상기 도어(150)와 상기 챔버(110) 사이에 미세한 간격이 존재한다. 상기 챔버(110)의 내부는 베이크 공정을 수행하기 위해 약 150 ℃의 고온으로 유지되고, 상기 챔버(110)의 외부는 약 23 ℃의 상온으로 유지된다. 상기 챔버(110)의 내부와 외부의 온도 차이가 크므로 상기 간격을 통해 열교환이 이루어진다. 상기 열교환 결과, 상기 챔버(110) 내부의 온도가 전체적으로 낮아진다. 또한, 상기 챔버(110) 내부에서 상기 도어(150)와 인접한 부위와 상기 도어(150)와 이격된 부위 사이의 온도 차이가 발생한다. Even when the
상기 제1 밀봉 부재(170) 및 제2 밀봉 부재(170)는 상기 도어(150)가 차단되는 경우 상기 도어(150)와 챔버(110) 사이를 밀봉한다. 상기 제1 밀봉 부재(170)는 상기 챔버(110)의 측벽과 접촉하는 상기 도어(150)의 상부면에 구비된다. 상기 제1 밀봉 부재(170)는 몰딩 처리를 통해 상기 도어(150)의 상부면을 따라 구비된다. 상기 제1 밀봉 부재(170)의 재질로는 탄성을 갖는 고무가 사용될 수 있다. The
상기 제2 밀봉 부재(180)는 상기 도어(150)의 상부면과 접촉하는 상기 챔버 (110)의 측벽에 구비된다. 상기 제2 밀봉 부재(180)도 몰딩 처리를 통해 상기 챔버(110)의 측벽을 따라 구비된다. 상기 제2 밀봉 부재(180)의 재질로는 고무가 사용될 수 있다.The
상기 제1 밀봉 부재(170)와 상기 제2 밀봉 부재(180)가 서로 밀착됨에 따라 상기 도어(150)가 차단되는 경우 상기 도어(150)와 챔버(110) 사이가 완전하게 밀봉된다.When the
상기에서는 제1 밀봉 부재(170) 및 상기 제2 밀봉 부재(180)가 모두 구비되는 것으로 설명되었지만, 상기 제1 밀봉 부재(170)만 구비되거나 상기 제2 밀봉 부재(180)만 구비될 수도 있다. In the above description, the
도 2는 도 1에 도시된 베이크 장치의 내부의 공기 순환을 설명하기 위한 개념도이다.FIG. 2 is a conceptual diagram for describing air circulation inside the baking apparatus shown in FIG. 1.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 도어(150)가 차단되는 경우 상기 도어(150)와 챔버(110) 사이가 완전하게 밀봉되므로 상기 챔버(110) 내부의 열이 외부로 배출되지 않고, 상기 챔버(110) 외부의 공기 이동이나 상기 공기 중에 포함된 파티클이 상기 챔버(110) 내부에 영향을 미치지 못한다. 따라서 상기 챔버(110) 내부를 외부와 완전하게 차단할 수 있다. 그러므로 베이크 공정시 상기 챔버(110) 내부의 온도를 균일하게 유지하여 상기 웨이퍼(W) 상의 포토레지스터 패턴의 선폭의 균일성을 향상시킬 수 있다. As shown in FIG. 2, when the
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 기판 베이크 장치는 도어와 챔버 사이에 밀봉 부재가 구비된다. 상기 도어가 차단되는 경우 상기 도어와 상기 챔버 사이가 밀봉되므로 상기 챔버 내부와 외부 사이의 열교환이 발생하지 않는다. 따라서 상기 챔버 내부의 온도를 균일하게 유지할 수 있고, 상기 챔버에서의 베이크 공정에 의해 형성되는 포토레지스트 패턴의 선폭도 균일하게 유지할 수 있다.As described above, the semiconductor substrate baking apparatus according to the preferred embodiment of the present invention is provided with a sealing member between the door and the chamber. When the door is blocked, since the door and the chamber are sealed, heat exchange between the inside and the outside of the chamber does not occur. Therefore, the temperature inside the chamber can be maintained uniformly, and the line width of the photoresist pattern formed by the baking process in the chamber can be maintained uniformly.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.
Claims (4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050130389A KR20070068596A (en) | 2005-12-27 | 2005-12-27 | A baking apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050130389A KR20070068596A (en) | 2005-12-27 | 2005-12-27 | A baking apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070068596A true KR20070068596A (en) | 2007-07-02 |
Family
ID=38504476
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050130389A KR20070068596A (en) | 2005-12-27 | 2005-12-27 | A baking apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20070068596A (en) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180093680A (en) * | 2017-02-14 | 2018-08-22 | 주식회사 이오테크닉스 | Dividing apparatus and cooling chamber |
KR20210123423A (en) * | 2017-03-10 | 2021-10-13 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | High pressure wafer processing systems and related methods |
KR20210123424A (en) * | 2017-07-14 | 2021-10-13 | 마이크로머티어리얼즈 엘엘씨 | Gas delivery system for high pressure processing chamber |
US11527421B2 (en) | 2017-11-11 | 2022-12-13 | Micromaterials, LLC | Gas delivery system for high pressure processing chamber |
US11694912B2 (en) | 2017-08-18 | 2023-07-04 | Applied Materials, Inc. | High pressure and high temperature anneal chamber |
US11881411B2 (en) | 2018-03-09 | 2024-01-23 | Applied Materials, Inc. | High pressure annealing process for metal containing materials |
US11901222B2 (en) | 2020-02-17 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Multi-step process for flowable gap-fill film |
-
2005
- 2005-12-27 KR KR1020050130389A patent/KR20070068596A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180093680A (en) * | 2017-02-14 | 2018-08-22 | 주식회사 이오테크닉스 | Dividing apparatus and cooling chamber |
KR20210123423A (en) * | 2017-03-10 | 2021-10-13 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | High pressure wafer processing systems and related methods |
KR20210123424A (en) * | 2017-07-14 | 2021-10-13 | 마이크로머티어리얼즈 엘엘씨 | Gas delivery system for high pressure processing chamber |
US11694912B2 (en) | 2017-08-18 | 2023-07-04 | Applied Materials, Inc. | High pressure and high temperature anneal chamber |
US11527421B2 (en) | 2017-11-11 | 2022-12-13 | Micromaterials, LLC | Gas delivery system for high pressure processing chamber |
US11756803B2 (en) | 2017-11-11 | 2023-09-12 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery system for high pressure processing chamber |
US11881411B2 (en) | 2018-03-09 | 2024-01-23 | Applied Materials, Inc. | High pressure annealing process for metal containing materials |
US11901222B2 (en) | 2020-02-17 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Multi-step process for flowable gap-fill film |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20070068596A (en) | A baking apparatus | |
TWI386979B (en) | Developing apparatus, developing method and storage medium | |
US6709523B1 (en) | Silylation treatment unit and method | |
JP5218781B2 (en) | Substrate processing equipment | |
WO2004109779A1 (en) | Method for improving surface roughness of processed film of substrate and apparatus for processing substrate | |
US6534750B1 (en) | Heat treatment unit and heat treatment method | |
US8217313B2 (en) | Heating apparatus and heating method | |
TW201921436A (en) | Heat treatment device and heat treatment method | |
JP3683788B2 (en) | Heat treatment apparatus cooling method and heat treatment apparatus | |
KR102303593B1 (en) | Apparatus and Method for treating substrate | |
KR20070014578A (en) | Apparatus for baking a layer formed on a substrate | |
US6056544A (en) | Apparatus for baking resists on semiconductor wafers | |
KR20080046436A (en) | Apparatus for baking a layer on a substrate | |
KR101935940B1 (en) | Apparatus and Method for treating substrate | |
KR20050104917A (en) | Bake device of spinner device | |
KR101276256B1 (en) | Substrate treating apparatus and method | |
KR20070008748A (en) | Apparatus for baking a layer formed on a substrate | |
KR102296276B1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
KR102037915B1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
JP2020113590A (en) | Method for cooling hot plate and heat treatment apparatus | |
KR20190009701A (en) | Substrate heating apparatus and substrate heating method | |
JP2000150368A (en) | Gas processing method and its device | |
US20210054507A1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
KR20060055630A (en) | Apparatus for baking a wafer | |
KR102243242B1 (en) | Apparatus for treating substrate and method for treating apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |