KR20070056680A - Electron emission display device - Google Patents

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KR20070056680A
KR20070056680A KR1020050115659A KR20050115659A KR20070056680A KR 20070056680 A KR20070056680 A KR 20070056680A KR 1020050115659 A KR1020050115659 A KR 1020050115659A KR 20050115659 A KR20050115659 A KR 20050115659A KR 20070056680 A KR20070056680 A KR 20070056680A
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electron emission
substrate
display device
emission display
antistatic film
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KR1020050115659A
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석봉경
윤해수
이원복
지현철
오혁근
정승희
히데키 미야자키
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삼성에스디아이 주식회사
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Abstract

An electron emission display device is provided to suppress arc discharge due to electron charging by forming an anti-electrification layer on a non-effective region and an inner wall of a sealing member. A first and second substrates(2,4) are disposed opposite to each other and include an effective region and a non-effective region. An electron emission unit(100) is provided on the effective region of the first substrate. A light emitting unit(110) is provided on the effective region of the second substrate. A sealing member(6) is arranged at edges of the first and second substrates in order to attach the first and second substrates to each other. An anti-electrification layer(12) is formed on the non-effective region of the first substrate, the non-effective region of the second substrate, and an inner wall of the sealing member.

Description

전자 방출 표시 디바이스 {ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE}Electron Emission Display Device {ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of an electron emission display device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 평면도이다.2 is a plan view of an electron emission display device according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스를 전계 방출 어레이(FEA)형 디바이스에 적용한 경우를 도시한 부분 단면도이다.3 is a partial cross-sectional view showing a case where an electron emission display device according to an embodiment of the present invention is applied to a field emission array (FEA) type device.

본 발명은 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 진공 용기 내부의 전하 차징에 의한 아크 방전을 억제할 수 있는 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron emission display device, and more particularly, to an electron emission display device capable of suppressing arc discharge by charge charging in a vacuum container.

일반적으로 전자 방출 소자(electron emission element)는 전자원의 종류에 따라 열음극을 이용하는 방식과 냉음극을 이용하는 방식으로 분류할 수 있다.In general, an electron emission element may be classified into a method using a hot cathode and a method using a cold cathode according to the type of electron source.

여기서, 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 전계 방출 어레이(Field Emitter Array; FEA)형, 표면 전도 에미션(Surface-Conduction Emission; SCE)형, 금속-절연층-금속(Metal-Insulator-Metal; MIM)형 및 금속-절연층-반도체(Metal-Insulator-Semiconductor; MIS)형 등이 알려져 있다.Here, the electron-emitting device using the cold cathode is a field emitter array (FEA) type, a surface conduction emission type (SCE) type, a metal-insulation layer-metal Metal (MIM) type and Metal-Insulator-Semiconductor (MIS) type are known.

이러한 전자 방출 소자는 제1 기판에 어레이를 이루며 배치되어 전자 방출 디바이스(electron emission device)를 구성하고, 전자 방출 디바이스는 형광층과 애노드 전극 등으로 이루어지는 발광 유닛이 구비된 제2 기판과 결합하여 전자 방출 표시 디바이스(electron emission display device)를 구성한다.These electron emission devices are arranged in an array on a first substrate to form an electron emission device, and the electron emission device is combined with a second substrate having a light emitting unit including a fluorescent layer, an anode electrode, and the like. An emission display device is configured.

상기 제1 기판과 제2 기판은 밀봉 부재에 의해 가장자리가 일체로 접합된 다음 내부가 배기되어 진공 용기를 구성한다. 이때 진공 용기 내부는 전자 방출부와 구동 전극들 및 형광층이 제공되어 실제 발광 또는 화상 표시가 이루어지는 유효 영역과, 유효 영역의 외곽을 따라 표시에 기여하지 않으며 전극 배선 등이 구비되는 비유효 영역으로 구분할 수 있다.The first substrate and the second substrate are integrally bonded to each other by a sealing member, and then the inside thereof is evacuated to form a vacuum container. At this time, the inside of the vacuum container is provided with an electron emitting part, driving electrodes, and a fluorescent layer, and is an effective area in which actual light emission or image display is performed, and an invalid area in which electrode wiring is provided without contributing to the display along the outside of the effective area. Can be distinguished.

전술한 전자 방출 표시 디바이스에서는 전자 방출부와 구동 전극들의 작용으로 전자 방출부에서 전자들이 방출되고, 이 전자들이 제2 기판으로 가속되어 형광층에 충돌함으로써 가시광을 방출하는 과정을 통해 소정의 발광 또는 표시 작용이 이루어진다.In the above-described electron emission display device, electrons are emitted from the electron emission unit under the action of the electron emission unit and the driving electrodes, and the electrons are accelerated to the second substrate to impinge the fluorescent layer to emit visible light. The marking action takes place.

그런데 상기 전자 방출 표시 디바이스에서는 그 작용시 형광층을 여기시킨 전자들이 신속하게 외부로 유출되지 못하고 진공 용기 내부에 축적되는 전하 차징이 발생하게 된다.However, in the electron emission display device, charge charging that accumulates inside the vacuum chamber does not quickly flow out of the electrons that excite the fluorescent layer.

이러한 전하 차징은 주로 진공으로 노출된 비유효 영역의 기판 표면과 밀봉 부재 내벽에 많이 집중되며, 전자 방출 표시 디바이스 구동시 아크 방전을 유발하여 전자 방출부를 파괴시키는 등 제품 특성을 크게 저하시킨다.Such charge charging is mainly concentrated on the substrate surface and the sealing member inner wall of the ineffective region exposed by vacuum, and greatly reduces the product characteristics such as causing an arc discharge when the electron emission display device is driven to destroy the electron emission unit.

또한, 종래에는 아크 방전을 우려하여 애노드 전극에 일정 크기 이상의 고전압을 인가하지 못했으므로 화면의 휘도를 높이는데 한계가 있어 왔다.In addition, since a high voltage of a predetermined magnitude or more is not applied to the anode electrode due to the fear of arc discharge, there is a limit in increasing the brightness of the screen.

따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 진공 용기 내부의 전하 차징을 억제하여 아크 방전을 방지하고, 애노드 전극에 고전압 인가를 가능하게 하여 화면의 휘도를 높일 수 있는 전자 방출 표시 디바이스를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to solve the above problems, and an object of the present invention is to suppress charge charging inside a vacuum container to prevent arc discharge, and to enable high voltage application to an anode electrode, thereby to increase screen brightness. An emission indicator device is provided.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,In order to achieve the above object, the present invention,

서로 대향 배치되며 유효 영역과 이 유효 영역의 외곽을 따라 설정되는 비유효 영역을 가지는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판의 유효 영역에 제공되는 전자 방출 유닛과, 제2 기판의 유효 영역에 제공되는 발광 유닛과, 제1 기판과 제2 기판의 가장자리에 배치되어 두 기판을 접합시키는 밀봉 부재 및 제1 기판의 비유효 영역 표면과 제2 기판의 비유효 영역 표면 및 밀봉 부재의 내벽에 걸쳐 형성되는 대전 방지막을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스를 제공한다.A first substrate and a second substrate having an effective area and an invalid area set along the periphery of the effective area, an electron emission unit provided in the effective area of the first substrate, and an effective area of the second substrate On the light emitting unit provided in the and the sealing member which is disposed at the edge of the first substrate and the second substrate to bond the two substrates and the surface of the non-effective region of the first substrate and the surface of the non-effective region of the second substrate and the inner wall of the sealing member An electron emission display device comprising an antistatic film formed over.

상기 대전 방지막은 2차 전자 방출 계수가 실질적으로 1인 물질, 일례로 크롬 산화물(Cr2O3)로 이루어질 수 있고, 스크린 인쇄법이나 스프레이 도포법을 통해 형성될 수 있다.The antistatic film may be made of a material having a secondary electron emission coefficient of substantially 1, for example, chromium oxide (Cr 2 O 3 ), and may be formed by screen printing or spray coating.

또한, 대전 방지막은 Cr, Mn, Fe, Co, Y, Ni, Cu, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W 및 Ru로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 한 금속의 산화막, 또는 상기 군으로부터 선택된 2종 이상의 금속을 함유하는 합금의 산화막으로 이루어질 수 있고, 스퍼터링법에 의해 형성될 수 있다.The antistatic film is an oxide film of any metal selected from the group consisting of Cr, Mn, Fe, Co, Y, Ni, Cu, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W and Ru, or two kinds selected from the group. It can consist of the oxide film of the alloy containing the above metal, and can be formed by sputtering method.

이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1과 도 2는 각각 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 단면도와 평면도이다.1 and 2 are a cross-sectional view and a plan view, respectively, of an electron emission display device according to an embodiment of the present invention.

도면을 참고하면, 전자 방출 표시 디바이스는 소정의 간격을 두고 평행하게 대향 배치되는 제1 기판(2)과 제2 기판(4)을 포함한다. 제1 기판(2)과 제2 기판(4)의 가장자리에는 밀봉 부재(6)가 배치되어 두 기판을 접합시키며, 내부 공간이 대략 10-6 torr의 진공도로 배기되어 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 및 밀봉 부재(6)가 진공 용기(8)를 구성한다.Referring to the drawings, the electron emission display device includes a first substrate 2 and a second substrate 4 which are arranged in parallel to each other at predetermined intervals. Sealing members 6 are disposed at edges of the first substrate 2 and the second substrate 4 to bond the two substrates, and the internal space is evacuated with a vacuum of approximately 10 −6 torr to allow the first substrate 2 to be separated from the first substrate 2. The second substrate 4 and the sealing member 6 constitute the vacuum container 8.

상기 제1 기판(2) 중 제2 기판(4)과의 대향면에는 전자 방출 소자들이 어레이를 이루며 배치된 전자 방출 유닛(100)이 제공되어 제1 기판(2)과 함께 전자 방출 디바이스를 구성하고, 전자 방출 디바이스가 제2 기판(4) 및 제2 기판(4)에 제공된 발광 유닛(110)과 결합되어 전자 방출 표시 디바이스를 구성한다.On the opposite side of the first substrate 2 to the second substrate 4 is provided an electron emission unit 100 in which electron emission elements are arranged in an array to form an electron emission device together with the first substrate 2. Then, the electron emission device is combined with the light emitting unit 110 provided on the second substrate 4 and the second substrate 4 to constitute the electron emission display device.

전자 방출 유닛(100)은 전자 방출부와 더불어 전자 방출의 온/오프와 전자 방출량을 제어하는 구동 전극들을 구비하며, 전자빔 경로를 보정하는 전극을 추가로 구비할 수 있다. 발광 유닛(110)은 형광층, 일례로 적색과 녹색 및 청색의 형광층들과, 이 형광층들을 고전위 상태로 유지시키는 애노드 전극을 구비한다.The electron emission unit 100 may include driving electrodes for controlling on / off and electron emission amount of electron emission along with an electron emission unit, and may further include an electrode for correcting an electron beam path. The light emitting unit 110 includes a fluorescent layer, for example, red, green, and blue fluorescent layers, and an anode electrode for maintaining the fluorescent layers in a high potential state.

밀봉 부재(6)는 그 전체가 프릿 바(frit bar)로 이루어지거나, 서포트 프레임과 접착층의 적층 구조로 이루어질 수 있다.The sealing member 6 may be made of a frit bar as a whole, or may have a laminated structure of a support frame and an adhesive layer.

그리고 애노드 리드선(10)이 밀봉 부재(6)의 내측과 외측에 걸쳐 발광 유닛(110)으로부터 제2 기판(4)의 일측 가장자리로 인출되고, 외부의 구동 회로부(도시하지 않음)와 연결되어 애노드 전극으로 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가한다.The anode lead wire 10 extends from the light emitting unit 110 to one side edge of the second substrate 4 over the inside and the outside of the sealing member 6, and is connected to an external driving circuit part (not shown). The high voltage required for electron beam acceleration is applied to the electrode.

상기와 같은 구성에서 제1 기판(2)과 제2 기판(4)에 각각 전자 방출 유닛(100)과 발광 유닛(110)이 제공되어 실제 발광 또는 화상 표시가 이루어지는 영역을 유효 영역(200)이라 하면, 유효 영역(200)의 외곽을 따라 유효 영역(200)과 밀봉 부재(6) 사이로 비유효 영역(210)이 설정된다.In the above configuration, the area in which the electron emission unit 100 and the light emission unit 110 are provided on the first substrate 2 and the second substrate 4, respectively, to perform actual light emission or image display is called an effective area 200. The non-effective area 210 is set between the effective area 200 and the sealing member 6 along the periphery of the effective area 200.

본 실시예에서 진공 용기(8) 내부에는 비유효 영역(210)의 전하 차징을 억제하는 대전 방지막(12)이 형성된다. 대전 방지막(12)은 표면이 진공 중으로 직접 노출되는 제1 기판(2) 및 제2 기판(4) 부위, 즉 비유효 영역(210)에 해당하는 제1 기판(2) 및 제2 기판(4) 표면과, 밀봉 부재(6)의 내벽 전체를 덮도록 형성된다.In the present embodiment, an antistatic film 12 is formed inside the vacuum vessel 8 to suppress charge charging of the ineffective region 210. The antistatic film 12 includes a first substrate 2 and a second substrate 4 corresponding to portions of the first substrate 2 and the second substrate 4 where the surface is directly exposed in a vacuum, that is, the ineffective region 210. ) And the entire inner wall of the sealing member 6.

대전 방지막(12)은 전하 차징이 발생하지 않는 2차 전자 방출 계수가 1인 물질 또는 실질적인 1에 가까운 물질로 이루어지며, 일례로 산화 크롬(Cr2O3)로 이루어질 수 있다. 이러한 대전 방지막(12)은 산화 크롬을 포함하는 페이스트 또는 액상의 혼합물을 공지의 스크린 인쇄법이나 스프레이 도포법 등으로 용이하게 형성할 수 있다.The antistatic film 12 is made of a material having a secondary electron emission coefficient of 1 or substantially close to 1, in which charge charging does not occur, and may be made of, for example, chromium oxide (Cr 2 O 3 ). The antistatic film 12 can easily form a paste containing chromium oxide or a liquid mixture by a known screen printing method, a spray coating method, or the like.

다른 한편으로, 상기 대전 방지막(12)은 Cr, Mn, Co, Y, Ni, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W 및 Ru로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 한 금속의 산화막으로 이루어지거나, 이 군으로부터 선택된 2종 이상의 금속을 함유하는 합금의 산화막으로 이루어질 수 있다. 이러한 대전 방지막(12)은 스퍼터링법으로 용이하게 형성할 수 있다.On the other hand, the antistatic film 12 is made of an oxide film of any metal selected from the group consisting of Cr, Mn, Co, Y, Ni, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W and Ru, or this group It may be made of an oxide film of an alloy containing two or more metals selected from. Such an antistatic film 12 can be easily formed by a sputtering method.

이와 같이 진공 용기(8) 내부에 대전 방지막(12)을 형성한 전자 방출 표시 디바이스는, 비유효 영역(210)과 밀봉 부재(6) 주위에 발생하는 전하 차징을 억제하여, 전하 차징에 의한 아킹 발생을 방지하고, 그 결과 전자 방출부와 구동 전극들 및 구동 회로부 등의 파손을 효과적으로 억제할 수 있다.Thus, the electron emission display device in which the antistatic film 12 is formed in the vacuum container 8 suppresses the charge charging generated around the ineffective region 210 and the sealing member 6, and arcing by the charge charging. The occurrence can be prevented, and as a result, breakage of the electron emitting portion, the driving electrodes, the driving circuit portion, and the like can be effectively suppressed.

또한, 애노드 전극에 대략 10kV 이상의 고전압을 인가하는 경우에도 전술한 대전 방지막(12)에 의해 아크 방전을 억제할 수 있으므로, 애노드 전극에 고전압을 인가할 수 있어 그에 따른 휘도 상승을 기대할 수 있다.In addition, even when a high voltage of approximately 10 kV or more is applied to the anode electrode, the arc discharge can be suppressed by the antistatic film 12 described above, so that a high voltage can be applied to the anode electrode, and thus a brightness increase can be expected.

상기 구성의 전자 방출 표시 디바이스는 전계 방출 어레이(FEA)형, 표면 전도 에미션(SCE)형, 금속-절연층-금속(MIM)형 및 금속-절연층-반도체(MIS)형 중 어느 하나의 타입으로 이루어질 수 있다. 도 3을 참고하여 도 1과 도 2에 도시한 전자 방출 표시 디바이스가 FEA형인 경우, 이의 구성을 간략하게 설명한다.The electron emission display device of the above configuration is any one of a field emission array (FEA) type, a surface conduction emission (SCE) type, a metal-insulating layer-metal (MIM) type, and a metal-insulating layer-semiconductor (MIS) type. It can be made of a type. Referring to FIG. 3, when the electron emission display device illustrated in FIGS. 1 and 2 is of FEA type, its configuration will be briefly described.

도 3을 참고하면, 제1 기판(2) 위에는 제1 전극인 캐소드 전극들(14)이 제1 기판(2)의 일방향(도면의 y축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되고, 캐소드 전극들(14)을 덮으면서 제1 기판(2) 전체에 제1 절연층(16)이 형성된다. 제1 절연층(16) 위에는 제2 전극인 게이트 전극들(18)이 캐소드 전극(14)과 직교하는 방향(도면의 x축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성된다.Referring to FIG. 3, cathode electrodes 14, which are first electrodes, are formed on the first substrate 2 in a stripe pattern along one direction (y-axis direction of the drawing) of the first substrate 2, and cathode electrodes The first insulating layer 16 is formed on the entire first substrate 2 while covering the 14. Gate electrodes 18 serving as second electrodes are formed on the first insulating layer 16 in a stripe pattern along a direction orthogonal to the cathode electrode 14 (x-axis direction in the drawing).

본 실시예에서 캐소드 전극(14)과 게이트 전극(18)의 교차 영역을 화소 영역으로 정의하면, 캐소드 전극(14) 위로 각 화소 영역마다 하나 이상의 전자 방출부(20)가 형성되고, 제1 절연층(16)과 게이트 전극(18)에는 각 전자 방출부(20)에 대응하는 개구부(161,181)가 형성되어 제1 기판(2) 상에 전자 방출부(20)가 노출되도록 한다.In the present exemplary embodiment, when the intersection area between the cathode electrode 14 and the gate electrode 18 is defined as a pixel area, at least one electron emission part 20 is formed in each pixel area over the cathode electrode 14, and the first insulation is formed. Openings 161 and 181 corresponding to the electron emission portions 20 are formed in the layer 16 and the gate electrode 18 to expose the electron emission portions 20 on the first substrate 2.

전자 방출부(20)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 탄소계 물질 또는 나노미터 사이즈 물질로 이루어질 수 있다. 전자 방출부(20)는 일례로 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C60, 실리콘 나노와이어 및 이들의 조합 물질을 포함할 수 있으며, 전자 방출부(20)의 제조법으로는 스크린 인쇄, 직접 성장, 화학기상증착 또는 스퍼터링 등을 적용할 수 있다.The electron emission unit 20 may be formed of materials emitting electrons, for example, carbon-based materials or nanometer-sized materials when an electric field is applied in a vacuum. The electron emission unit 20 may include, for example, carbon nanotubes, graphite, graphite nanofibers, diamonds, diamond-like carbon, C 60, silicon nanowires , and combinations thereof, and a method of manufacturing the electron emission units 20. Screen printing, direct growth, chemical vapor deposition or sputtering may be applied.

상기 게이트 전극들(18)과 제1 절연층(16) 위로 제3 전극인 집속 전극(22)이 형성될 수 있다. 집속 전극(22) 하부에는 제2 절연층(24)이 위치하여 게이트 전극들(18)과 집속 전극(22)을 절연시키며, 제2 절연층(24)과 집속 전극(22)에도 전자빔 통과를 위한 개구부(241,221)가 마련된다. 이 개구부들(221,241)은 일례로 화소 영역마다 하나가 구비되어 집속 전극(22)이 한 화소 영역에서 방출되는 전자들을 포괄적으로 집속하도록 한다.A focusing electrode 22, which is a third electrode, may be formed on the gate electrodes 18 and the first insulating layer 16. A second insulating layer 24 is positioned below the focusing electrode 22 to insulate the gate electrodes 18 and the focusing electrode 22, and passes the electron beam through the second insulating layer 24 and the focusing electrode 22. Openings 241 and 221 are provided. For example, one of the openings 221 and 241 is provided in each pixel area so that the focusing electrode 22 comprehensively focuses electrons emitted from one pixel area.

다음으로, 제1 기판(2)에 대향하는 제2 기판(4)의 일면에는 형광층(26), 일례로 적색과 녹색 및 청색의 형광층들(26R,26G,26B)이 임의의 간격을 두고 형성되 고, 각 형광층(26) 사이로 화면의 콘트라스트 향상을 위한 흑색층(28)이 형성된다. 형광층(26)은 제1 기판(2)에 설정되는 화소 영역에 한가지 색의 형광층(26R,26G,26B)이 대응하도록 형성된다.Next, on one surface of the second substrate 4 opposite to the first substrate 2, the fluorescent layer 26, for example, the red, green, and blue fluorescent layers 26R, 26G, and 26B may be disposed at random intervals. The black layer 28 is formed between the fluorescent layers 26 to improve contrast of the screen. The fluorescent layer 26 is formed so that the fluorescent layers 26R, 26G, and 26B of one color correspond to the pixel areas set on the first substrate 2.

형광층(26)과 흑색층(28) 위로는 알루미늄과 같은 금속막으로 이루어진 애노드 전극(30)이 형성된다. 애노드 전극(30)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가받으며, 형광층(26)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(2)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(4) 측으로 반사시켜 휘도를 높이는 역할을 한다.An anode electrode 30 made of a metal film such as aluminum is formed on the fluorescent layer 26 and the black layer 28. The anode electrode 30 receives a high voltage necessary for accelerating the electron beam from the outside, and reflects the visible light emitted toward the first substrate 2 among the visible light emitted from the fluorescent layer 26 toward the second substrate 4 to improve luminance. Height plays a role.

한편, 애노드 전극은 금속막이 아닌 ITO(indium tin oxide)와 같은 투명 도전막으로 이루어질 수 있다. 이 경우 애노드 전극은 제2 기판(4)을 향한 형광층(26)과 흑색층(28)의 일면에 위치하며, 소정의 패턴으로 구분되어 복수개로 형성될 수 있다. 또한 애노드 전극으로서 전술한 투명 도전막과 금속막이 형광층(26)과 흑색층(28)의 양면에 동시에 형성되는 구조도 가능하다.On the other hand, the anode electrode may be made of a transparent conductive film such as indium tin oxide (ITO) rather than a metal film. In this case, the anode electrode is positioned on one surface of the fluorescent layer 26 and the black layer 28 facing the second substrate 4, and may be formed in plural in a predetermined pattern. In addition, a structure in which the above-described transparent conductive film and the metal film are formed simultaneously on both surfaces of the fluorescent layer 26 and the black layer 28 as an anode electrode is also possible.

상기 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 사이에는 스페이서들(32)이 배치되어 진공 용기(8)에 가해지는 압축력을 지지하고, 두 기판의 간격을 일정하게 유지시킨다. 스페이서들(32)은 형광층(26)을 침범하지 않도록 흑색층(28)에 대응하여 위치한다.Spacers 32 are disposed between the first substrate 2 and the second substrate 4 to support the compressive force applied to the vacuum container 8 and to maintain a constant gap between the two substrates. The spacers 32 are positioned corresponding to the black layer 28 so as not to invade the fluorescent layer 26.

상기 구성의 전자 방출 표시 디바이스는 외부로부터 캐소드 전극들(14), 게이트 전극들(18), 집속 전극(22) 및 애노드 전극(30)에 소정의 전압을 공급하여 구동한다.The electron emission display device having the above configuration is driven by supplying a predetermined voltage to the cathode electrodes 14, the gate electrodes 18, the focusing electrode 22 and the anode electrode 30 from the outside.

일례로 캐소드 전극들(14)과 게이트 전극들(18) 중 어느 한 전극들이 주사 구동 전압을 인가받아 주사 전극으로 기능하고, 다른 한 전극들이 데이터 구동 전 압을 인가받아 데이터 전극으로 기능한다. 그리고 집속 전극(22)은 전자빔 집속에 필요한 전압, 일례로 0V 또는 수 내지 수십 볼트의 음의 직류 전압을 인가받으며, 애노드 전극(30)은 전자빔 가속에 필요한 전압, 일례로 수백 내지 수천 볼트의 양의 직류 전압을 인가받는다.For example, any one of the cathode electrodes 14 and the gate electrodes 18 receives a scan driving voltage to serve as a scan electrode, and the other electrodes receive a data driving voltage to serve as a data electrode. In addition, the focusing electrode 22 receives a voltage required for electron beam focusing, for example, 0 V or a negative DC voltage of several to several tens of volts, and the anode electrode 30 requires a voltage for accelerating the electron beam, for example, several hundred to several thousand volts. DC voltage of is applied.

그러면 캐소드 전극(14)과 게이트 전극(18)간 전압 차가 임계치 이상인 화소들에서 전자 방출부(20) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자들이 방출된다. 방출된 전자들은 집속 전극 개구부(221)를 통과하면서 전자빔 다발의 중심부로 집속되며, 애노드 전극(30)에 인가된 고전압에 이끌려 대응하는 형광층(26)에 충돌함으로써 이를 발광시킨다.As a result, an electric field is formed around the electron emission part 20 in the pixels in which the voltage difference between the cathode electrode 14 and the gate electrode 18 is greater than or equal to the threshold, and electrons are emitted therefrom. The emitted electrons are focused to the center of the electron beam bundle while passing through the focusing electrode opening 221 and are attracted by the high voltage applied to the anode electrode 30 to collide with the corresponding fluorescent layer 26 to emit light.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to

이와 같이 본 발명에 의한 전자 방출 표시 디바이스는 비유효 영역과 밀봉 부재 내벽에 대전 방지막을 형성함으로써 전자 차징과 이에 따른 아크 방전을 억제하고, 그 결과 전자 방출 소자와 구동 회로부 등의 파손을 방지하는 효과가 있다. 또한 본 발명에 의한 전자 방출 표시 디바이스는 아크 방전의 우려 없이 애노드 전극에 고전압을 인가할 수 있으므로 화면의 휘도를 높일 수 있다.As described above, the electron emission display device according to the present invention forms an antistatic film on the non-effective region and the inner wall of the sealing member to suppress the charging of the electrons and the arc discharge, thereby preventing damage to the electron emission element and the driving circuit portion. There is. In addition, the electron emission display device according to the present invention can apply a high voltage to the anode electrode without fear of arc discharge, thereby increasing the brightness of the screen.

Claims (8)

서로 대향 배치되며 유효 영역과 이 유효 영역의 외곽을 따라 설정되는 비유효 영역을 가지는 제1 기판 및 제2 기판과;First and second substrates disposed opposite to each other and having an effective area and an invalid area set along an outer edge of the effective area; 상기 제1 기판의 유효 영역에 제공되는 전자 방출 유닛과;An electron emission unit provided in the effective area of the first substrate; 상기 제2 기판의 유효 영역에 제공되는 발광 유닛과;A light emitting unit provided in the effective area of the second substrate; 상기 제1 기판과 제2 기판의 가장자리에 배치되어 두 기판을 접합시키는 밀봉 부재; 및A sealing member disposed at an edge of the first substrate and the second substrate to bond the two substrates; And 상기 제1 기판의 비유효 영역 표면과 상기 제2 기판의 비유효 영역 표면 및 상기 밀봉 부재의 내벽에 걸쳐 형성되는 대전 방지막An antistatic film formed over the surface of the non-effective region of the first substrate and the surface of the non-effective region of the second substrate and the inner wall of the sealing member. 을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.Electron emission display device comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 대전 방지막이 2차 전자 방출 계수가 실질적으로 1인 물질로 이루어지는 전자 방출 표시 디바이스.And the antistatic film is formed of a material having a secondary electron emission coefficient of substantially one. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 대전 방지막이 크롬 산화물(Cr2O3)로 이루어지는 전자 방출 표시 디바이스.An electron emission display device in which the antistatic film is made of chromium oxide (Cr 2 O 3 ). 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 대전 방지막이 스크린 인쇄법과 스프레이 도포법 중 어느 하나의 방법으로 형성되는 전자 방출 표시 디바이스.And the antistatic film is formed by any one of a screen printing method and a spray coating method. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 대전 방지막이 Cr, Mn, Fe, Co, Y, Ni, Cu, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W 및 Ru로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 한 금속의 산화막으로 이루어지는 전자 방출 표시 디바이스.An electron emission display device in which the antistatic film is formed of an oxide film of any metal selected from the group consisting of Cr, Mn, Fe, Co, Y, Ni, Cu, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, and Ru. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 대전 방지막이 Cr, Mn, Fe, Co, Y, Ni, Cu, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W 및 Ru로 이루어진 군으로부터 선택된 2종 이상의 금속을 함유하는 합금의 산화막으로 이루어지는 전자 방출 표시 디바이스.The antistatic film is electron emission comprising an oxide film of an alloy containing at least two metals selected from the group consisting of Cr, Mn, Fe, Co, Y, Ni, Cu, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W and Ru. Display device. 제5항 내지 제6항에 있어서,The method according to claim 5, wherein 상기 대전 방지막이 스퍼터링법으로 형성되는 전자 방출 표시 디바이스.An electron emission display device in which said antistatic film is formed by sputtering. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전자 방출 유닛이 냉음극 전자원으로 이루어진 전자 방출부들을 포함하 는 전자 방출 표시 디바이스.An electron emission display device wherein the electron emission unit comprises electron emission portions made of a cold cathode electron source.
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