KR20070030090A - Organic light emitting display and method for fabricating the same - Google Patents

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Abstract

An organic light emitting display device and a method for manufacturing the same are provided to display an image with uniform brightness by compensating a threshold voltage of a driving transistor. An organic light emitting display device includes an organic light emitting diode, a first transistor, a storage capacitor(300), a common node, and a second transistor. The first transistor is turned on when a scanning signal is provided to the current scanning line. The storage capacitor(300) charges a voltage corresponding to a data signal provided from a data line when the first transistor is turned on. The common node is located between a second electrode of the first transistor and the storage capacitor(300), and is formed in an equivalent diode shape. The second transistor provides a current corresponding to the voltage which is charged to the storage capacitor(300) to the organic light emitting diode.

Description

유기 발광표시장치 및 그 제조방법{Organic Light Emitting Display and Method for Fabricating the Same}Organic Light Emitting Display and Method for Fabricating the Same

도 1은 일반적인 유기 발광표시장치의 화소를 나타내는 회로도이다.1 is a circuit diagram illustrating a pixel of a general organic light emitting display device.

도 2는 본 발명의 실시예에 의한 유기 발광표시장치를 나타내는 도면이다.2 is a diagram illustrating an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 도 2에 도시된 화소의 일례를 나타내는 회로도이다.3 is a circuit diagram illustrating an example of the pixel illustrated in FIG. 2.

도 4는 도 3에 도시된 제1 트랜지스터, 제1 노드 및 스토리지 커패시터의 측단면도이다.4 is a side cross-sectional view of the first transistor, the first node, and the storage capacitor shown in FIG. 3.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 의한 유기 발광표시장치를 나타내는 도면이다. 5 is a diagram illustrating an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 도 5에 도시된 화소의 일례를 나타내는 회로도이다.FIG. 6 is a circuit diagram illustrating an example of the pixel illustrated in FIG. 5.

도 7은 도 6에 도시된 화소회로를 제어하기 위한 제어신호를 나타내는 파형도이다.FIG. 7 is a waveform diagram illustrating a control signal for controlling the pixel circuit shown in FIG. 6.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

110, 210, 510: 화소 150, 250, 550: 화소회로 110, 210, 510: pixel 150, 250, 550: pixel circuit

200, 500: 화소부 220, 520: 주사 구동부200, 500: pixel portion 220, 520: scan driver

230, 530: 데이터 구동부 230, 530: data driver

300: 제1 트랜지스터, 제1 노드 및 스토리지 커패시터 300: first transistor, first node and storage capacitor

310: 기판 320: 버퍼층310: substrate 320: buffer layer

330a: 소스 및 드레인 영역 330b: 채널 영역330a: source and drain regions 330b: channel region

335, 355: 스토리지 커패시터의 단자 340: 게이트 절연막335 and 355: terminal 340 of the storage capacitor: gate insulating film

350: 게이트 전극 360: 층간절연막350: gate electrode 360: interlayer insulating film

370: 컨택홀 380: 소스 및 드레인 전극370: contact hole 380: source and drain electrodes

본 발명은 유기 발광표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 화소의 누설전류를 방지할 수 있도록 한 유기 발광표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, which can prevent leakage current of a pixel.

최근, 음극선관과 비교하여 무게가 가볍고 부피가 작은 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있으며 특히 발광효율, 휘도 및 시야각이 뛰어나고 응답속도가 빠른 발광 표시장치가 주목받고 있다.Recently, various flat panel display devices having a lighter weight and a smaller volume than the cathode ray tube have been developed. In particular, a light emitting display device having excellent luminous efficiency, brightness, viewing angle, and fast response speed has been attracting attention.

이러한 발광 표시장치로는 유기 발광다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED)를 이용한 유기 발광 표시장치와 무기 발광다이오드(Light Emitting Diode, LED)를 이용한 무기 발광표시장치가 있다. 유기 발광다이오드는 애노드 전 극, 캐소드 전극 및 이들 사이에 위치하여 전자와 정공의 결합에 의하여 발광하는 유기 발광층을 포함한다. 무기 발광다이오드는 유기 발광다이오드와 달리 무기물인 발광층, 일례로 PN 접합된 반도체로 이루어진 발광층을 포함한다. Such light emitting displays include organic light emitting diodes using organic light emitting diodes (OLEDs) and inorganic light emitting diodes using inorganic light emitting diodes (LEDs). The organic light emitting diode includes an anode electrode, a cathode electrode, and an organic light emitting layer which is disposed therebetween and emits light by a combination of electrons and holes. The inorganic light emitting diode, unlike the organic light emitting diode, includes an emission layer made of an inorganic material, for example, a light emitting layer made of a PN bonded semiconductor.

도 1은 일반적인 유기 발광표시장치의 화소를 나타내는 회로도이다. 1 is a circuit diagram illustrating a pixel of a general organic light emitting display device.

도 1을 참조하면, 일반적인 유기 발광표시장치의 화소(110)는 유기 발광다이오드(OLED)와, 주사선(Sn), 데이터선(Dm), 제1 전원(ELVdd) 및 유기 발광다이오드(OLED)에 접속되는 화소회로(150)를 구비한다.Referring to FIG. 1, a pixel 110 of a typical organic light emitting display device includes an organic light emitting diode OLED, a scan line Sn, a data line Dm, a first power source ELVdd, and an organic light emitting diode OLED. The pixel circuit 150 to be connected is provided.

유기 발광다이오드(OLED)의 애노드 전극은 화소회로(150)에 접속되고, 캐소드 전극은 제2 전원(ELVss)에 접속된다. The anode electrode of the organic light emitting diode OLED is connected to the pixel circuit 150, and the cathode electrode is connected to the second power source ELVss.

화소회로(150)는 제1 트랜지스터(M1), 제2 트랜지스터(M2) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다.The pixel circuit 150 includes a first transistor M1, a second transistor M2, and a storage capacitor Cst.

제1 트랜지스터(M1)의 제1 전극은 데이터선(Dm)과 접속되고, 제2 전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. 그리고, 제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극은 주사선(Sn)과 접속된다. 이와 같은 제1 트랜지스터(M1)는 주사선(Sn)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 데이터선(Dm)으로 공급되는 데이터신호를 제1 노드(N1)로 공급한다. The first electrode of the first transistor M1 is connected to the data line Dm, and the second electrode is connected to the first node N1. The gate electrode of the first transistor M1 is connected to the scan line Sn. The first transistor M1 is turned on when the scan signal is supplied to the scan line Sn and supplies the data signal supplied to the data line Dm to the first node N1.

제2 트랜지스터(M2)의 제1 전극은 제1 전원(ELVdd)에 접속되고, 제2 전극은 유기 발광다이오드(OLED)의 애노드 전극에 접속된다. 그리고, 제2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. 이와 같은 제2 트랜지스터(M2)는 자신의 게이트 전극에 공급되는 전압에 대응하여 제1 전원(ELVdd)으로부터 유기 발광다 이오드(OLED)의 애노드 전극으로 흐르는 전류를 제어한다.The first electrode of the second transistor M2 is connected to the first power source ELVdd, and the second electrode is connected to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED. The gate electrode of the second transistor M2 is connected to the first node N1. The second transistor M2 controls the current flowing from the first power supply ELVdd to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED in response to the voltage supplied to its gate electrode.

스토리지 커패시터(Cst)의 일측 단자는 제1 노드(N1)에 접속되고, 다른측 단자는 제1 전원(ELVdd) 및 제2 트랜지스터(M2)의 제1 전극에 접속된다. 이와 같은 스토리지 커패시터(Cst)는 주사선(Sn)에 주사신호가 공급될 때 제1 노드(N1)로 공급되는 데이터신호에 대응되는 전압을 저장하고, 저장된 전압을 한 프레임동안 유지한다.One terminal of the storage capacitor Cst is connected to the first node N1, and the other terminal is connected to the first electrode of the first power source ELVdd and the second transistor M2. The storage capacitor Cst stores a voltage corresponding to the data signal supplied to the first node N1 when the scan signal is supplied to the scan line Sn, and maintains the stored voltage for one frame.

화소(110)의 동작과정을 상세히 설명하면, 먼저 주사선(Sn)에 주사신호가 공급되면 제1 트랜지스터(M1)가 턴-온된다. 제1 트랜지스터(M1)가 턴-온되면 데이터선(Dm)으로 공급되는 데이터신호가 제1 트랜지스터(M1)를 경유하여 제1 노드(N1)로 공급된다. 제1 노드(N1)에 데이터신호가 공급되면 스토리지 커패시터(Cst)에는 데이터신호에 대응되는 전압이 충전된다. 그러면, 제2 트랜지스터(M2)는 자신의 게이트 전극에 공급되는 전압(즉, 데이터신호에 대응되는 전압)에 대응하여 제1 전원(ELVdd)으로부터 유기 발광다이오드(OLED)로 흐르는 전류를 제어하고, 이에 따라 유기 발광다이오드(OLED)가 발광하여 영상을 표시하게 된다.The operation process of the pixel 110 will be described in detail. First, when a scan signal is supplied to the scan line Sn, the first transistor M1 is turned on. When the first transistor M1 is turned on, the data signal supplied to the data line Dm is supplied to the first node N1 via the first transistor M1. When the data signal is supplied to the first node N1, the storage capacitor Cst is charged with a voltage corresponding to the data signal. Then, the second transistor M2 controls the current flowing from the first power source ELVdd to the organic light emitting diode OLED in response to the voltage supplied to its gate electrode (ie, the voltage corresponding to the data signal). Accordingly, the organic light emitting diode OLED emits light to display an image.

이와 같은 화소(110)가 안정적으로 구동되기 위해서는 제1 트랜지스터(M1)가 턴-오프되었을 때 스토리지 커패시터(Cst)에 충전된 전압이 유지되어야 한다. 그러나, 실제로는 제1 트랜지스터(M1)가 턴-오프되어도 제1 노드(N1)로부터 제1 트랜지스터(M1)를 경유하여 데이터선(Dm)으로 누설전류가 발생할 수 있다. 예를 들어, 제1 노드(N1)의 전압이 데이터선(Dm)의 전압보다 큰 경우 제1 노드(N1)에서 제1 트랜지스터(M1)를 경유하여 데이터선(Dm)으로 누설전류가 흐르게 된다. In order to drive the pixel 110 stably, the voltage charged in the storage capacitor Cst must be maintained when the first transistor M1 is turned off. However, in reality, even when the first transistor M1 is turned off, a leakage current may occur from the first node N1 to the data line Dm via the first transistor M1. For example, when the voltage of the first node N1 is greater than the voltage of the data line Dm, a leakage current flows from the first node N1 to the data line Dm via the first transistor M1. .

따라서, 본 발명의 목적은 화소의 누설전류를 방지할 수 있도록 한 유기 발광표시장치 및 그 제조방법을 제공하는 것이다. Accordingly, an object of the present invention is to provide an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, which can prevent leakage current of a pixel.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제1 측면은 유기 발광다이오드와, 현재 주사선으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되는 제1 트랜지스터와, 상기 제1 트랜지스터가 턴-온될 때 데이터선으로부터 공급되는 데이터신호에 대응되는 전압을 충전하는 스토리지 커패시터와, 상기 제1 트랜지스터의 제2 전극과 상기 스토리지 커패시터 사이에 위치되며 등가적으로 다이오드 형태로 형성된 공통노드와, 상기 스토리지 커패시터에 충전된 전압에 대응되는 전류를 상기 유기 발광다이오드로 공급하기 위한 제2 트랜지스터를 구비하는 화소를 제공한다. In order to achieve the above object, a first aspect of the present invention provides an organic light emitting diode, a first transistor that is turned on when a scan signal is supplied to a current scan line, and is supplied from a data line when the first transistor is turned on. A storage capacitor charging a voltage corresponding to the data signal, a common node disposed between the second electrode of the first transistor and the storage capacitor in an equivalent diode form, and corresponding to a voltage charged in the storage capacitor A pixel including a second transistor for supplying a current to the organic light emitting diode is provided.

바람직하게, 상기 공통노드는 상기 스토리지 커패시터로부터 상기 데이터선으로 공급되는 전류가 차단되도록 형성된다.Preferably, the common node is formed such that a current supplied from the storage capacitor to the data line is cut off.

본 발명의 제2 측면은 주사선들 및 발광 제어선들 중 적어도 하나와 접속되는 주사 구동부와, 데이터선들과 접속되는 데이터 구동부와, 상기 주사선들로 공급되는 주사신호 및 상기 발광 제어선들로 공급되는 발광 제어신호 중 적어도 하나의 신호와 상기 데이터선들로 공급되는 데이터신호를 공급받아 영상을 표현하는 복수의 화소를 구비하는 화소부를 포함하며, 상기 화소는 유기 발광다이오드와, 현재 주사선으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되는 제1 트랜지스터와, 상기 제1 트랜지스터가 턴-온될 때 데이터선으로부터 공급되는 데이터신호에 대응되는 전압을 충전하는 스토리지 커패시터와, 상기 제1 트랜지스터의 제2 전극과 상기 스토리지 커패시터 사이에 위치되며 등가적으로 다이오드 형태로 형성된 공통노드와, 상기 스토리지 커패시터에 충전된 전압에 대응되는 전류를 상기 유기 발광다이오드로 공급하기 위한 제2 트랜지스터를 구비하는 유기 발광표시장치를 제공한다.According to a second aspect of the present invention, a scan driver connected to at least one of scan lines and emission control lines, a data driver connected to data lines, a scan signal supplied to the scan lines and emission control supplied to the emission control lines are provided. And a pixel unit including at least one of the signals and a plurality of pixels for receiving an image signal supplied to the data lines, wherein the pixels include an organic light emitting diode and a scan signal supplied to a current scan line. A first transistor turned on, a storage capacitor charging a voltage corresponding to a data signal supplied from a data line when the first transistor is turned on, and between the second electrode of the first transistor and the storage capacitor A common node positioned in an equivalent diode form and charged in the storage capacitor. An organic light emitting display device comprising a second transistor for supplying a current corresponding to a supplied voltage to the organic light emitting diode is provided.

본 발명의 제3 측면은 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계와, 상기 버퍼층 상에 박막 트랜지스터 및 스토리지 커패시터를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 박막 트랜지스터의 소스 및 드레인 영역에 위치되는 반도체층은 제1 불순물로 도핑하고, 상기 스토리지 커패시터의 일측 단자를 형성하는 반도체층은 제2 불순물로 도핑하는 유기 발광표시장치의 제조방법을 제공한다.A third aspect of the invention includes forming a buffer layer on a substrate, and forming a thin film transistor and a storage capacitor on the buffer layer, wherein the semiconductor layer located in the source and drain regions of the thin film transistor comprises: a first A method of manufacturing an organic light emitting display device, in which a semiconductor layer doped with impurities and doped with a second impurity is formed.

바람직하게, 상기 제1 불순물로 도핑되는 반도체층과 상기 제2 불순물로 도핑되는 반도체층은 서로 접합되어 다이오드를 형성한다. 상기 제1 불순물은 피(P)타입의 불순물이고, 상기 제2 불순물은 엔(N)타입의 불순물이다.Preferably, the semiconductor layer doped with the first impurity and the semiconductor layer doped with the second impurity are bonded to each other to form a diode. The first impurity is an impurity of the P type, and the second impurity is an N type of impurity.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 바람직한 실시 예가 첨부된 도 2 내지 도 7을 참조하여 자세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 7 in which preferred embodiments of the present invention may be easily implemented by those skilled in the art.

도 2는 본 발명의 실시예에 의한 유기 발광표시장치를 나타내는 도면이다.2 is a diagram illustrating an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 유기 발광표시장치는 화소부(200), 주사 구동부(220) 및 데이터 구동부(230)를 구비한다. Referring to FIG. 2, an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment includes a pixel unit 200, a scan driver 220, and a data driver 230.

화소부(200)는 유기 발광다이오드(OLED)(미도시)를 구비한 복수의 화소(210)로 이루어져 있으며, 각각의 화소들(210)은 주사선들(S1 내지 Sn) 및 데이터선들(D1 내지 Dm)에 의하여 구획된 영역에 형성된다. 이와 같은 화소부(200)는 외부로부터 제1 전원(ELVdd) 및 제2 전원(ELVss)을 공급받는다. 화소(210) 각각은 주사신호, 데이터 신호, 제1 전원(ELVdd) 및 제2 전원(ELVss)을 공급받아 영상을 표시한다.The pixel unit 200 includes a plurality of pixels 210 having an organic light emitting diode (OLED) (not shown), and each of the pixels 210 includes scan lines S1 to Sn and data lines D1 to. It is formed in the area partitioned by Dm). The pixel unit 200 receives the first power source ELVdd and the second power source ELVss from the outside. Each of the pixels 210 receives a scan signal, a data signal, a first power source ELVdd, and a second power source ELVss to display an image.

주사 구동부(220)는 주사신호를 생성한다. 주사 구동부(220)에서 생성된 주사신호는 주사선들(S1 내지 Sn)로 순차적으로 공급된다. The scan driver 220 generates a scan signal. The scan signals generated by the scan driver 220 are sequentially supplied to the scan lines S1 to Sn.

데이터 구동부(230)는 데이터 신호를 생성한다. 데이터 구동부(230)에서 생성된 데이터 신호는 주사신호와 동기되도록 데이터선들(D1 내지 Dm)로 공급되어 각 화소(210)로 전달된다. The data driver 230 generates a data signal. The data signal generated by the data driver 230 is supplied to the data lines D1 to Dm to be synchronized with the scan signal and transferred to each pixel 210.

도 3은 도 2에 도시된 화소의 일례를 나타내는 회로도이다. 편의상, 도 3에서는 제n 주사선(Sn) 및 제m 데이터선(Dm)에 접속된 화소(210)를 도시하기로 한다.3 is a circuit diagram illustrating an example of the pixel illustrated in FIG. 2. For convenience, the pixel 210 connected to the n th scan line Sn and the m th data line Dm will be described.

도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 유기 발광표시장치의 화소(210)는 유기 발광다이오드(OLED)와, 제n 주사선(Sn), 제m 데이터선(Dm), 제1 전원(ELVdd) 및 유기 발광다이오드(OLED)에 접속되는 화소회로(250)를 구비한다. Referring to FIG. 3, a pixel 210 of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention includes an organic light emitting diode OLED, an nth scan line Sn, an mth data line Dm, and a first power source ( ELVdd) and a pixel circuit 250 connected to the organic light emitting diode OLED.

유기 발광다이오드(OLED)의 애노드 전극은 화소회로(250)에 접속되고, 캐소 드 전극은 제2 전원(ELVss)에 접속된다. 여기서, 제2 전원(ELVss)은 제1 전원(ELVdd)보다 낮은 전압, 예를 들면 그라운드 전압 등으로 설정된다. The anode electrode of the organic light emitting diode OLED is connected to the pixel circuit 250, and the cathode electrode is connected to the second power source ELVss. Here, the second power source ELVss is set to a voltage lower than the first power source ELVdd, for example, a ground voltage.

화소회로(250)는 제1 트랜지스터(M1), 제2 트랜지스터(M2) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다. 여기서, 트랜지스터들(M1, M2)이 모두 P타입으로 도시되었지만 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The pixel circuit 250 includes a first transistor M1, a second transistor M2, and a storage capacitor Cst. Here, although the transistors M1 and M2 are both shown as P type, the present invention is not limited thereto.

제1 트랜지스터(M1)의 제1 전극은 제m 데이터선(Dm)과 접속되고, 제2 전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. 여기서, 제1 전극과 제2 전극은 서로 다른 전극이다. 예를 들어, 제1 전극이 소스전극이면 제2 전극은 드레인 전극이다. 그리고, 제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극은 제n 주사선(Sn)과 접속된다. 이와 같은 제1 트랜지스터(M1)는 제n 주사선(Sn)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 제m 데이터선(Dm)으로 공급되는 데이터신호를 제1 노드(N1)로 공급한다.The first electrode of the first transistor M1 is connected to the mth data line Dm, and the second electrode is connected to the first node N1. Here, the first electrode and the second electrode are different electrodes. For example, if the first electrode is a source electrode, the second electrode is a drain electrode. The gate electrode of the first transistor M1 is connected to the nth scan line Sn. The first transistor M1 is turned on when the scan signal is supplied to the nth scan line Sn and supplies the data signal supplied to the mth data line Dm to the first node N1.

제2 트랜지스터(M2)의 제1 전극은 제1 전원(ELVdd)에 접속되고, 제2 전극은 유기 발광다이오드(OLED)의 애노드 전극에 접속된다. 그리고, 제2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. 이와 같은 제2 트랜지스터(M2)는 자신의 게이트 전극에 공급되는 전압에 대응하여 제1 전원(ELVdd)으로부터 유기 발광다이오드(OLED)의 애노드 전극으로 흐르는 전류를 제어한다.The first electrode of the second transistor M2 is connected to the first power source ELVdd, and the second electrode is connected to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED. The gate electrode of the second transistor M2 is connected to the first node N1. The second transistor M2 controls the current flowing from the first power supply ELVdd to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED in response to the voltage supplied to its gate electrode.

스토리지 커패시터(Cst)의 일측 단자는 제1 노드(N1)에 접속되고, 다른측 단자는 제1 전원(ELVdd) 및 제2 트랜지스터(M2)의 제1 전극에 접속된다. 이와 같은 스토리지 커패시터(Cst)는 제n 주사선(Sn)에 주사신호가 공급될 때 제1 노드(N1)로 공급되는 데이터신호에 대응되는 전압을 저장하고, 저장된 전압을 한 프레임동안 유지한다. 이때, 제1 노드(N1)는 등가적으로 다이오드 형태로 형성되어 제1 노드(N1)에서 제m 데이터선(Dm)으로의 누설전류를 방지하며, 이에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.One terminal of the storage capacitor Cst is connected to the first node N1, and the other terminal is connected to the first electrode of the first power source ELVdd and the second transistor M2. The storage capacitor Cst stores a voltage corresponding to the data signal supplied to the first node N1 when the scan signal is supplied to the nth scan line Sn, and maintains the stored voltage for one frame. In this case, the first node N1 is equivalently formed in the form of a diode to prevent leakage current from the first node N1 to the m-th data line Dm, which will be described later.

이와 같이 구성된 화소(210)의 동작과정을 상세히 설명하면, 먼저 제n 주사선(Sn)에 주사신호가 공급되면 제1 트랜지스터(M1)가 턴-온된다. 제1 트랜지스터(M1)가 턴-온되면 제m 데이터선(Dm)으로 공급되는 데이터신호가 제1 트랜지스터(M1)를 경유하여 제1 노드(N1)로 공급된다. 제1 노드(N1)에 데이터신호가 공급되면 스토리지 커패시터(Cst)에는 데이터신호에 대응되는 전압이 충전된다. 그러면, 제2 트랜지스터(M2)는 자신의 게이트 전극에 공급되는 전압(즉, 데이터신호에 대응되는 전압)에 대응하여 제1 전원(ELVdd)으로부터 유기 발광다이오드(OLED)로 흐르는 전류를 제어한다. 이에 따라, 유기 발광다이오드(OLED)는 데이터신호에 대응되는 빛을 생성한다. 이때, 제1 노드(N1)는 등가적으로 다이오드 형태로 형성되어 순방향의 전류흐름만을 허용한다. 이와 같은 다이오드는 제m 데이터선(Dm)으로부터 제1 트랜지스터(M1)를 경유하여 제1 노드(N1)로 전류가 흐를 수 있도록 설계되며 이에 대한 공정과정은 도 4를 참조하여 후술하기로 한다.The operation of the pixel 210 configured as described above will be described in detail. First, when a scan signal is supplied to the nth scan line Sn, the first transistor M1 is turned on. When the first transistor M1 is turned on, the data signal supplied to the mth data line Dm is supplied to the first node N1 via the first transistor M1. When the data signal is supplied to the first node N1, the storage capacitor Cst is charged with a voltage corresponding to the data signal. Then, the second transistor M2 controls the current flowing from the first power source ELVdd to the organic light emitting diode OLED in response to the voltage supplied to its gate electrode (ie, the voltage corresponding to the data signal). Accordingly, the organic light emitting diode OLED generates light corresponding to the data signal. At this time, the first node N1 is equivalently formed in the form of a diode to allow only forward current flow. Such a diode is designed to allow a current to flow from the mth data line Dm to the first node N1 via the first transistor M1, and a process thereof will be described later with reference to FIG. 4.

전술한 바와 같이, 본 실시예에서는 제1 노드(N1)를 등가적으로 다이오드 형태로 형성함으로써 제n 주사선(Sn)에 주사신호가 공급되지 않았을 때(즉, 제1 트랜지스터(M1)가 턴-오프되었을 때) 화소(210)의 누설전류가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이에 의하여, 유기 발광다이오드(OLED)는 원하는 휘도로 발광할 수 있게 되고, 소비전력도 절감할 수 있게 된다.As described above, in the present embodiment, when the scan signal is not supplied to the nth scan line Sn by forming the first node N1 in an equivalent diode form (that is, the first transistor M1 is turned off). When it is off, it is possible to prevent the leakage current of the pixel 210 from occurring. As a result, the organic light emitting diode OLED can emit light with a desired brightness, and power consumption can be reduced.

도 4는 도 3에 도시된 제1 트랜지스터, 제1 노드 및 스토리지 커패시터의 측단면도이다.4 is a side cross-sectional view of the first transistor, the first node, and the storage capacitor shown in FIG. 3.

도 4를 참조하면, 제1 트랜지스터(M1) 및 스토리지 커패시터(Cst)(300)는 기판(310) 상에 형성된 버퍼층(320) 상에 서로 접합되도록 형성된다. 좀 더 구체적으로, 제1 트랜지스터(M1) 및 스토리지 커패시터(Cst)는 이들의 접합부인 제1 노드(N1)가 피엔(PN) 다이오드를 이루도록 형성된다. 다이오드가 형성된 제1 노드(N1)상에는 소스 또는 드레인 전극(380)이 형성된다.Referring to FIG. 4, the first transistor M1 and the storage capacitor Cst 300 are formed to be bonded to each other on the buffer layer 320 formed on the substrate 310. More specifically, the first transistor M1 and the storage capacitor Cst are formed such that the first node N1, which is a junction thereof, forms a PN diode. The source or drain electrode 380 is formed on the first node N1 on which the diode is formed.

이하에서는 제1 트랜지스터(M1), 제1 노드(N1) 및 스토리지 커패시터(Cst)(300)의 제조공정을 상술하기로 한다.Hereinafter, a manufacturing process of the first transistor M1, the first node N1, and the storage capacitor Cst 300 will be described in detail.

우선, 기판(310) 상에 버퍼층(320)을 형성한다. 버퍼층(320)이 형성되면, 버퍼층(320) 상에 반도체층을 형성한다. 반도체층이 형성되면, 반도체층 상에 게이트 절연막(340)을 형성한다. 게이트 절연막(340)이 형성되면, 마스크(미도시)를 이용하여 반도체층을 도핑한다. 이때, 반도체층의 일측은 제1 트랜지스터(M1)의 소스 및 드레인 영역(330a)을 형성하도록 P형 불순물을 주입하여 도핑한다. 단, 채널 영역(330b)은 소스 및 드레인 영역(330a)과 구별되도록 도핑을 하지 않거나, 낮은 농도로 도핑한다. 그리고, 반도체층의 다른측은 스토리지 커패시터(Cst)의 일측 단자(335)를 형성하도록 N형 불순물을 주입하여 도핑한다. 여기서, 제1 트랜지스터(M1)의 소스 또는 드레인 영역(330a)과 스토리지 커패시터(Cst)의 일측 단자(335)가 서로 접합되도록 형성하여 이들의 접합부(즉, 제1 노드(N1))가 피엔(PN) 다이오드를 형성하도록 한다. 이후, 게이트 절연막(340) 상에 게이트 전극(350) 및 스토리지 커패시터(Cst)의 다른측 단자(355)를 형성한다. 여기서, 게이트 전극(350)을 마스크로 이용하여 소스 및 드레인 영역(330a)을 형성할 수도 있다. 이 경우에는 게이트 전극(350)을 형성한 후 소스 및 드레인 영역(330a)을 형성한다. 그리고, 스토리지 커패시터(Cst)의 다른측 단자(355)는 게이트 전극(350)과 같은 금속으로 형성하여 공정을 단순화할 수도 있고 필요에 따라 게이트 전극(350)과 다른 금속으로 형성할 수도 있다. 게이트 전극(350) 및 스토리지 커패시터(Cst)의 다른측 단자(355)가 형성되면, 게이트 전극(350) 및 스토리지 커패시터(Cst)의 다른측 단자(355) 상에 층간절연막(360)을 형성한다. 층간절연막(360)이 형성되면, 층간절연막(360)을 관통하는 복수의 컨택홀(370)을 형성한다. 여기서, 복수의 컨택홀(370)은 소스 및 드레인 영역(330a)을 노출하도록 형성된다. 컨택홀(370)이 형성되면, 컨택홀(370)을 통해 소스 및 드레인 영역(330a)과 전기적으로 접속되도록 소스 및 드레인 전극(380)을 형성한다. 여기서, 제1 트랜지스터(M1)의 소스 또는 드레인 전극(380)은 다이오드 형태로 형성된 제1 트랜지스터(M1) 및 스토리지 커패시터(Cst)의 접합부와 전기적으로 접속되도록 형성된다.First, the buffer layer 320 is formed on the substrate 310. When the buffer layer 320 is formed, a semiconductor layer is formed on the buffer layer 320. When the semiconductor layer is formed, the gate insulating layer 340 is formed on the semiconductor layer. When the gate insulating layer 340 is formed, the semiconductor layer is doped using a mask (not shown). In this case, one side of the semiconductor layer is doped by injecting P-type impurities to form the source and drain regions 330a of the first transistor M1. However, the channel region 330b is not doped to be distinguished from the source and drain regions 330a or is doped at a low concentration. The other side of the semiconductor layer is implanted and doped with N-type impurities to form one terminal 335 of the storage capacitor Cst. Here, the source or drain region 330a of the first transistor M1 and the one terminal 335 of the storage capacitor Cst are formed to be bonded to each other so that their junction portion (ie, the first node N1) is connected to the piene ( PN) diode to form. Thereafter, the gate electrode 350 and the other terminal 355 of the storage capacitor Cst are formed on the gate insulating layer 340. Here, the source and drain regions 330a may be formed using the gate electrode 350 as a mask. In this case, after the gate electrode 350 is formed, the source and drain regions 330a are formed. The other terminal 355 of the storage capacitor Cst may be formed of the same metal as the gate electrode 350 to simplify the process, or may be formed of a metal different from the gate electrode 350 as necessary. When the other terminal 355 of the gate electrode 350 and the storage capacitor Cst is formed, an interlayer insulating film 360 is formed on the other electrode 355 of the gate electrode 350 and the storage capacitor Cst. . When the interlayer insulating film 360 is formed, a plurality of contact holes 370 penetrating the interlayer insulating film 360 are formed. Here, the plurality of contact holes 370 are formed to expose the source and drain regions 330a. When the contact hole 370 is formed, the source and drain electrodes 380 are formed to be electrically connected to the source and drain regions 330a through the contact hole 370. Here, the source or drain electrode 380 of the first transistor M1 is formed to be electrically connected to the junction of the first transistor M1 and the storage capacitor Cst formed in the form of a diode.

전술한 바와 같이, 제1 노드(N1)를 피엔(PN) 다이오드로 형성함으로써 제1 노드(N1)로부터 제1 트랜지스터(M1)를 경유하여 제m 데이터선(Dm)의 경로로 발생할 수 있는 화소(210)의 누설전류를 방지할 수 있다.As described above, the pixel that may occur in the path of the m th data line Dm from the first node N1 via the first transistor M1 by forming the first node N1 as a PN diode. The leakage current of 210 can be prevented.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 의한 유기 발광표시장치를 나타내는 도면이 다. 5 is a diagram illustrating an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 의한 유기 발광표시장치는 화소부(500), 주사 구동부(520) 및 데이터 구동부(530)를 구비한다. Referring to FIG. 5, an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment includes a pixel unit 500, a scan driver 520, and a data driver 530.

화소부(500)는 유기 발광다이오드(OLED)(미도시)를 구비한 복수의 화소(510)로 이루어져 있으며, 각각의 화소들(510)은 주사선들(S1 내지 Sn), 발광 제어선들(E1 내지 En) 및 데이터선들(D1 내지 Dm)에 의하여 구획된 영역에 형성된다. 이와 같은 화소부(500)는 외부로부터 제1 전원(ELVdd) 및 제2 전원(ELVss)을 공급받는다. 화소(510) 각각은 주사신호, 발광 제어신호, 데이터 신호, 제1 전원(ELVdd) 및 제2 전원(ELVss)을 공급받아 영상을 표시한다.The pixel unit 500 includes a plurality of pixels 510 including an organic light emitting diode (OLED) (not shown), and each of the pixels 510 includes scan lines S1 to Sn and emission control lines E1. To En) and the data lines D1 to Dm. The pixel unit 500 receives the first power source ELVdd and the second power source ELVss from the outside. Each of the pixels 510 receives a scan signal, an emission control signal, a data signal, a first power source ELVdd, and a second power source ELVss to display an image.

주사 구동부(520)는 주사신호 및 발광 제어신호를 생성한다. 주사 구동부(520)에서 생성된 주사신호는 주사선들(S1 내지 Sn)로 순차적으로 공급되고, 발광 제어신호는 발광 제어선들(E1 내지 En)로 순차적으로 공급된다. The scan driver 520 generates a scan signal and a light emission control signal. The scan signals generated by the scan driver 520 are sequentially supplied to the scan lines S1 to Sn, and the emission control signals are sequentially supplied to the emission control lines E1 to En.

데이터 구동부(530)는 데이터 신호를 생성한다. 데이터 구동부(530)에서 생성된 데이터 신호는 주사신호와 동기되도록 데이터선들(D1 내지 Dm)로 공급되어 각 화소(510)로 전달된다. The data driver 530 generates a data signal. The data signal generated by the data driver 530 is supplied to the data lines D1 to Dm to be synchronized with the scan signal and transferred to each pixel 510.

도 6은 도 5에 도시된 화소의 일례를 나타내는 회로도이다. 편의상, 도 6에서는 제n 주사선(Sn), 제n 발광제어선(En) 및 제m 데이터선(Dm)에 접속된 화소(510)를 도시하기로 한다.FIG. 6 is a circuit diagram illustrating an example of the pixel illustrated in FIG. 5. For convenience, the pixel 510 connected to the n th scan line Sn, the n th light emission control line En, and the m th data line Dm will be described.

도 6을 참조하면, 본 실시예에 의한 유기 발광표시장치의 화소(510)는 유기 발광다이오드(OLED)와, 제n 주사선(Sn), 제n 발광제어선(En), 제m 데이터선(Dm), 제1 전원(ELVdd) 및 유기 발광다이오드(OLED)에 접속되는 화소회로(550)를 구비한다.Referring to FIG. 6, the pixel 510 of the organic light emitting diode display according to the present embodiment includes an organic light emitting diode OLED, an nth scan line Sn, an nth emission control line En, and an mth data line Dm), a pixel circuit 550 connected to the first power supply ELVdd and the organic light emitting diode OLED.

유기 발광다이오드(OLED)의 애노드 전극은 화소회로(550)에 접속되고, 캐소드 전극은 제2 전원(ELVss)에 접속된다.The anode electrode of the organic light emitting diode OLED is connected to the pixel circuit 550, and the cathode electrode is connected to the second power source ELVss.

화소회로(550)는 제1 내지 제5 트랜지스터(M1 내지 M5), 스토리지 커패시터(Cst) 및 보상용 커패시터(Cvth)를 구비한다. 도 4에서 트랜지스터들(M1 내지 M5)이 모두 P타입으로 도시되었지만 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The pixel circuit 550 includes first to fifth transistors M1 to M5, a storage capacitor Cst, and a compensation capacitor Cvth. In FIG. 4, all of the transistors M1 to M5 are shown as P type, but the present invention is not limited thereto.

제1 트랜지스터(M1)의 제1 전극은 제m 데이터선(Dm)과 접속되고, 제2 전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. 그리고, 제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극은 제n 주사선(Sn)과 접속된다. 이와 같은 제1 트랜지스터(M1)는 제n 주사선(Sn)에 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 제m 데이터선(Dm)으로 공급되는 데이터신호를 제1 노드(N1)로 공급한다. The first electrode of the first transistor M1 is connected to the mth data line Dm, and the second electrode is connected to the first node N1. The gate electrode of the first transistor M1 is connected to the nth scan line Sn. The first transistor M1 is turned on when the scan signal is supplied to the nth scan line Sn and supplies the data signal supplied to the mth data line Dm to the first node N1.

제3 트랜지스터(M3)의 제1 전극은 제1 전원(ELVdd) 및 스토리지 커패시터(Cst)의 일측단자에 접속되고, 제2 전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. 그리고, 제3 트랜지스터(M3)의 게이트 전극은 제n-1 주사선(Sn-1)에 접속된다. 이와 같은 제3 트랜지스터(M3)는 제n-1 주사선(Sn-1)에 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 제1 전원(ELVdd)으로부터 공급되는 전압을 제1 노드(N1)로 공급한다. The first electrode of the third transistor M3 is connected to one terminal of the first power supply ELVdd and the storage capacitor Cst, and the second electrode is connected to the first node N1. The gate electrode of the third transistor M3 is connected to the n-th scan line Sn-1. The third transistor M3 is turned on when the scan signal is supplied to the n-th scan line Sn- 1 to supply a voltage supplied from the first power source ELVdd to the first node N1. .

제4 트랜지스터(M4)의 제1 전극은 제2 노드(N2)에 접속되고, 제2 전극은 보상용 커패시터(Cvth)의 일측 단자 및 제2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극에 접속된 다. 그리고, 제4 트랜지스터(M4)의 게이트 전극은 제n-1 주사선(Sn-1)에 접속된다. 이와 같은 제4 트랜지스터(M4)는 제n-1 주사선(Sn-1)에 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 제2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극을 제2 노드(N2)에 접속시킨다. The first electrode of the fourth transistor M4 is connected to the second node N2, and the second electrode is connected to one terminal of the compensating capacitor Cvth and the gate electrode of the second transistor M2. The gate electrode of the fourth transistor M4 is connected to the n-th scan line Sn-1. The fourth transistor M4 is turned on when the scan signal is supplied to the n-th scan line Sn- 1 to connect the gate electrode of the second transistor M2 to the second node N2.

스토리지 커패시터(Cst)의 일측 단자는 제1 노드(N1)에 접속되고, 다른측 단자는 제1 전원(ELVdd) 및 제3 트랜지스터(M3)의 제1 전극에 접속된다. 이와 같은 스토리지 커패시터(Cst)는 제n 주사선(Sn)에 주사신호가 공급될 때 제1 노드(N1)로 공급되는 데이터신호에 대응되는 전압을 저장하고, 저장된 전압을 한 프레임 동안 유지한다.One terminal of the storage capacitor Cst is connected to the first node N1, and the other terminal of the storage capacitor Cst is connected to the first electrode of the first power source ELVdd and the third transistor M3. The storage capacitor Cst stores a voltage corresponding to the data signal supplied to the first node N1 when the scan signal is supplied to the nth scan line Sn, and maintains the stored voltage for one frame.

보상용 커패시터(Cvth)의 일측 단자는 제2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극 및 제4 트랜지스터(M4)의 제2 전극에 접속된다. 그리고, 보상용 커패시터(Cvth)의 다른측 단자는 제1 노드(N1)에 접속된다. 이와 같은 보상용 커패시터(Cvth)는 제n-1 주사선(Sn-1)에 주사신호가 공급될 때 제2 트랜지스터(M2)의 문턱전압(Vth)에 상응하는 전압을 저장한다. 여기서, 보상용 커패시터(Cvth)에 저장된 전압은 구동 트랜지스터(즉, 제2 트랜지스터(M2))의 문턱전압(Vth)을 보상하기 위한 보상전압으로 이용된다.One terminal of the compensating capacitor Cvth is connected to the gate electrode of the second transistor M2 and the second electrode of the fourth transistor M4. The other terminal of the compensating capacitor Cvth is connected to the first node N1. The compensation capacitor Cvth stores a voltage corresponding to the threshold voltage Vth of the second transistor M2 when a scan signal is supplied to the n−1 th scan line Sn−1. Here, the voltage stored in the compensation capacitor Cvth is used as a compensation voltage for compensating the threshold voltage Vth of the driving transistor (ie, the second transistor M2).

제2 트랜지스터(M2)의 제1 전극은 제1 전원(ELVdd)에 접속되고, 제2 전극은 제2 노드(N2)에 접속된다. 그리고, 제2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극은 제4 트랜지스터(M4)의 제2 전극 및 보상용 커패시터(Cvth)의 일측 단자에 접속된다. 이와 같은 제2 트랜지스터(M2)는 자신의 게이트 전극에 공급되는 전압에 대응하여 제1 전원(ELVdd)으로부터 제2 노드(N2)로 흐르는 전류를 제어한다.The first electrode of the second transistor M2 is connected to the first power source ELVdd, and the second electrode is connected to the second node N2. The gate electrode of the second transistor M2 is connected to the second electrode of the fourth transistor M4 and one terminal of the compensating capacitor Cvth. The second transistor M2 controls the current flowing from the first power source ELVdd to the second node N2 in response to the voltage supplied to its gate electrode.

제5 트랜지스터(M5)의 제1 전극은 제2 노드(N2)에 접속되고, 제2 전극은 유기 발광다이오드(OLED)의 애노드 전극에 접속된다. 그리고, 제5 트랜지스터(M5)의 게이트 전극은 제n 발광제어선(En)에 접속된다. 이와 같은 제5 트랜지스터(M5)는 제n 발광제어선(En)으로 공급되는 발광 제어신호에 대응하여 제2 트랜지스터(M2)로부터 유기 발광다이오드(OLED)로 공급되는 전류의 공급시점을 제어한다.The first electrode of the fifth transistor M5 is connected to the second node N2, and the second electrode is connected to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED. The gate electrode of the fifth transistor M5 is connected to the nth light emission control line En. The fifth transistor M5 controls the timing of supply of the current supplied from the second transistor M2 to the organic light emitting diode OLED in response to the emission control signal supplied to the nth emission control line En.

여기서, 제1 노드(N1)는 등가적으로 다이오드 형태로 형성된다. 예를 들어, 제1 트랜지스터(M1)와 제3 트랜지스터(M3)가 모두 P타입으로 형성될 경우 이들간의 접합부는 N타입으로 도핑된다. 즉, 제1 노드(N1)는 가상적으로 피엔(PN) 다이오드로 형성된다. 따라서, 제1 노드(N1)로부터 제1 트랜지스터(M1)를 경유하여 제m 데이터선(Dm)으로 누설전류가 흐르지 못한다. 이에 의하여, 유기 발광다이오드(OLED)는 원하는 휘도로 발광할 수 있게 되고, 소비전력도 절감할 수 있게 된다.Here, the first node N1 is equivalently formed in the form of a diode. For example, when both the first transistor M1 and the third transistor M3 are formed of P type, the junction between them is doped with N type. That is, the first node N1 is virtually formed of a PN diode. Therefore, no leakage current flows from the first node N1 to the m th data line Dm via the first transistor M1. As a result, the organic light emitting diode OLED can emit light with a desired brightness, and power consumption can be reduced.

도 7은 도 6에 도시된 화소회로를 제어하기 위한 제어신호를 나타내는 파형도이다. 도 6 및 도 7을 결부하여, 도 6에 도시된 화소(510)의 동작과정을 상세히 설명하기로 한다. FIG. 7 is a waveform diagram illustrating a control signal for controlling the pixel circuit shown in FIG. 6. 6 and 7, an operation process of the pixel 510 illustrated in FIG. 6 will be described in detail.

도 7을 참조하면, 우선 T1기간 동안 제n-1 주사선(Sn-1)에 주사신호(SS)가 공급되고, 제n 발광 제어선(En)에 발광 제어신호(EMI)가 공급된다. 제n 발광 제어선(En)에 발광 제어신호(EMI)가 공급되면 제5 트랜지스터(M5)가 턴-오프된다. 그리고, 제n-1 주사선(Sn-1)에 주사신호가 공급되면 제3 트랜지스터(M3) 및 제4 트랜지스터(M4)가 턴-온된다. 제3 트랜지스터(M3) 및 제4 트랜지스터(M4)가 턴-온되면 제 2 트랜지스터(M2)가 다이오드 형태로 접속되고, 이에 따라 보상용 커패시터(Cvth)에는 제2 트랜지스터(M2)의 문턱전압(Vth)에 상응하는 보상전압이 저장된다. Referring to FIG. 7, first, the scan signal SS is supplied to the n−1 th scan line Sn−1 and the emission control signal EMI is supplied to the n th emission control line En during the T1 period. When the emission control signal EMI is supplied to the nth emission control line En, the fifth transistor M5 is turned off. When the scan signal is supplied to the n−1 th scan line Sn−1, the third transistor M3 and the fourth transistor M4 are turned on. When the third transistor M3 and the fourth transistor M4 are turned on, the second transistor M2 is connected in the form of a diode. Accordingly, the threshold voltage of the second transistor M2 is applied to the compensation capacitor Cvth. The compensation voltage corresponding to Vth) is stored.

이후, T2기간 동안 제n 주사선(Sn)에 주사신호(SS)가 공급된다. 제n 주사선(Sn)에 주사신호(SS)가 공급되면 제1 트랜지스터(M1)가 턴-온된다. 제1 트랜지스터(M1)가 턴-온되면 제m 데이터선(Dm)으로 공급되는 데이터신호가 제1 트랜지스터(M1) 및 제1 노드(N1)를 경유하여 스토리지 커패시터(Cst)의 일측 단자로 공급된다. 스토리지 커패시터(Cst)의 일측 단자에 데이터신호가 공급되면 스토리지 커패시터(Cst)에는 데이터신호에 대응되는 전압이 충전된다. 이때, 제2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극에는 스토리지 커패시터(Cst)에 충전된 전압 및 보상용 커패시터(Cvth)에 충전된 전압이 합해져 공급된다. 그러면, 제2 트랜지스터(M2)는 자신의 게이트 전극에 공급되는 전압에 대응하여 제1 전원(ELVdd)으로부터 제5 트랜지스터(M5)로 흐르는 전류를 제어한다.Thereafter, the scan signal SS is supplied to the nth scan line Sn during the T2 period. When the scan signal SS is supplied to the nth scan line Sn, the first transistor M1 is turned on. When the first transistor M1 is turned on, a data signal supplied to the m th data line Dm is supplied to one terminal of the storage capacitor Cst via the first transistor M1 and the first node N1. do. When a data signal is supplied to one terminal of the storage capacitor Cst, the voltage corresponding to the data signal is charged in the storage capacitor Cst. At this time, the voltage charged in the storage capacitor Cst and the voltage charged in the compensation capacitor Cvth are supplied to the gate electrode of the second transistor M2. Then, the second transistor M2 controls the current flowing from the first power source ELVdd to the fifth transistor M5 in response to the voltage supplied to its gate electrode.

이후, 제n 발광 제어선(En)으로 발광 제어신호(EMI)가 공급되지 않는다. 그러면, 제5 트랜지스터(M5)가 턴-온되어 제2 트랜지스터(M2)로부터 공급되는 전류를 유기 발광다이오드(OLED)로 공급한다. 이에 따라, 유기 발광다이오드(OLED)에서 데이터 신호에 대응되는 빛이 생성된다.Thereafter, the emission control signal EMI is not supplied to the nth emission control line En. Then, the fifth transistor M5 is turned on to supply the current supplied from the second transistor M2 to the organic light emitting diode OLED. Accordingly, light corresponding to the data signal is generated in the organic light emitting diode OLED.

이와 같이 본 발명의 다른 실시예에 의한 유기 발광표시장치의 화소(510)는 보상용 커패시터(Cvth)에 제2 트랜지스터(M2)의 문턱전압(Vth)에 대응되는 전압을 충전하여 제2 트랜지스터(M2)의 문턱전압(Vth)을 보상한다. 이에 의하여, 본 실시예의 화소(510)는 균일한 휘도의 영상을 표시할 수 있다. 또한, 제1 노드(N1)를 피 엔(PN) 다이오드로 형성함으로써 화소에 누설 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다.As described above, the pixel 510 of the organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment of the present invention charges a voltage corresponding to the threshold voltage Vth of the second transistor M2 to the compensation capacitor Cvth. The threshold voltage Vth of M2) is compensated for. As a result, the pixel 510 of the present exemplary embodiment can display an image having a uniform luminance. In addition, by forming the first node N1 as a PN diode, leakage current may be prevented from flowing to the pixel.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 변형예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical idea of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, it will be understood by those skilled in the art that various modifications are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기 발광표시장치 및 그 제조방법에 의하면 화소에 누설전류가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이에 의하여, 유기 발광다이오드는 원하는 휘도로 발광할 수 있게 되고, 소비전력도 절감할 수 있게 된다. 또한, 구동 트랜지스터의 문턱전압을 보상하여 균일한 휘도의 영상을 표시할 수 있다.As described above, according to the organic light emitting diode display and the manufacturing method thereof, it is possible to prevent the leakage current from occurring in the pixel. As a result, the organic light emitting diode can emit light at a desired brightness, and power consumption can be reduced. In addition, the threshold voltage of the driving transistor may be compensated for to display an image of uniform luminance.

Claims (10)

유기 발광다이오드와,Organic light emitting diodes, 현재 주사선으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되는 제1 트랜지스터와,A first transistor turned on when the scan signal is supplied to the current scan line; 상기 제1 트랜지스터가 턴-온될 때 데이터선으로부터 공급되는 데이터신호에 대응되는 전압을 충전하는 스토리지 커패시터와,A storage capacitor charging a voltage corresponding to a data signal supplied from a data line when the first transistor is turned on; 상기 제1 트랜지스터의 제2 전극과 상기 스토리지 커패시터 사이에 위치되며 등가적으로 다이오드 형태로 형성된 공통노드와,A common node disposed between the second electrode of the first transistor and the storage capacitor and equivalently formed in the form of a diode; 상기 스토리지 커패시터에 충전된 전압에 대응되는 전류를 상기 유기 발광다이오드로 공급하기 위한 제2 트랜지스터를 구비하는 화소.And a second transistor for supplying a current corresponding to the voltage charged in the storage capacitor to the organic light emitting diode. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 공통노드는 상기 스토리지 커패시터로부터 상기 데이터선으로 공급되는 전류가 차단되도록 형성된 화소.The common node is configured to block a current supplied from the storage capacitor to the data line. 제2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 공통노드와 제1 전원 사이에 접속된 제3 트랜지스터와,A third transistor connected between the common node and a first power source, 상기 스토리지 커패시터와 상기 제2 트랜지스터의 게이트 전극 사이에 접속된 보상용 커패시터와,A compensation capacitor connected between the storage capacitor and the gate electrode of the second transistor; 상기 제2 트랜지스터의 게이트 전극과 제2 전극 사이에 접속된 제4 트랜지스 터를 더 구비하는 화소.And a fourth transistor connected between the gate electrode and the second electrode of the second transistor. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 제2 트랜지스터의 제2 전극과 상기 유기 발광다이오드의 애노드 전극 사이에 접속되며, 발광 제어선으로 공급되는 발광 제어신호에 대응하여 상기 제2 트랜지스터로부터 상기 유기 발광다이오드로 공급되는 전류의 공급시점을 제어하는 제5 트랜지스터를 더 구비하는 화소.A time point for supplying current supplied from the second transistor to the organic light emitting diode in response to a light emission control signal supplied to a light emission control line connected between the second electrode of the second transistor and the anode electrode of the organic light emitting diode; And a fifth transistor for controlling. 주사선들 및 발광 제어선들 중 적어도 하나와 접속되는 주사 구동부와, A scan driver connected to at least one of the scan lines and the light emission control lines; 데이터선들과 접속되는 데이터 구동부와, A data driver connected to the data lines; 상기 주사선들로 공급되는 주사신호 및 상기 발광 제어선들로 공급되는 발광 제어신호 중 적어도 하나의 신호와 상기 데이터선들로 공급되는 데이터신호를 공급받아 영상을 표현하는 복수의 화소를 구비하는 화소부를 포함하며, And a pixel unit including at least one of a scan signal supplied to the scan lines and an emission control signal supplied to the emission control lines and a plurality of pixels representing an image by receiving a data signal supplied to the data lines. , 상기 화소는 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 기재된 화소인 유기 발광표시장치.The pixel is an organic light emitting display device according to any one of claims 1 to 4. 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계와,Forming a buffer layer on the substrate, 상기 버퍼층 상에 박막 트랜지스터 및 스토리지 커패시터를 형성하는 단계를 포함하며, Forming a thin film transistor and a storage capacitor on the buffer layer, 상기 박막 트랜지스터의 소스 및 드레인 영역에 위치되는 반도체층은 제1 불 순물로 도핑하고, 상기 스토리지 커패시터의 일측 단자를 형성하는 반도체층은 제2 불순물로 도핑하는 유기 발광표시장치의 제조방법.The semiconductor layer positioned in the source and drain regions of the thin film transistor is doped with a first impurity, and the semiconductor layer forming one terminal of the storage capacitor is doped with a second impurity. 제6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제1 불순물로 도핑되는 반도체층과 상기 제2 불순물로 도핑되는 반도체층은 서로 접합되어 다이오드를 형성하는 유기 발광표시장치의 제조방법.And a semiconductor layer doped with the first impurity and a semiconductor layer doped with the second impurity are bonded to each other to form a diode. 제7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제1 불순물은 피(P)타입의 불순물이고, 상기 제2 불순물은 엔(N)타입의 불순물인 유기 발광표시장치의 제조방법.The first impurity is an impurity of P type, and the second impurity is an N type impurity. 제7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 박막 트랜지스터의 소스 또는 드레인 전극은 적어도 하나의 컨택홀을 통해 다이오드 형태로 형성된 상기 박막 트랜지스터 및 상기 스토리지 커패시터의 접합부와 전기적으로 접속되도록 형성되는 단계를 포함하는 유기 발광표시장치의 제조방법.The source or drain electrode of the thin film transistor is formed to be electrically connected to the junction of the thin film transistor and the storage capacitor formed in the form of a diode through at least one contact hole. 제6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 상기 스토리지 커패시터의 다른측 단자는 동일한 금속으로 형성되는 단계를 포함하는 유기 발광표시장치의 제조방법.And forming the gate electrode of the thin film transistor and the other terminal of the storage capacitor from the same metal.
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