KR20070010319A - Apparatus for imprinting patern on the substrate and method for imprinting patern on the substrate - Google Patents

Apparatus for imprinting patern on the substrate and method for imprinting patern on the substrate Download PDF

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Abstract

A pattern imprinting apparatus and a method thereof are provided to easily release a resin from a mold by detaching the mold at a pressure lower than a pressure between the mold and the resin. A pattern imprinting apparatus includes a chamber(110), a pressure adjusting member(120) adjusting an internal pressure of the chamber, a lower surface plate(130) on which a substrate is positioned, an upper surface plate(140) in which a mold is positioned under the upper surface plate, an upper-surface plate moving member(150) moving the upper plate vertically, and a ultraviolet irradiating member irradiating ultraviolet rays onto an upper portion of the mold. A gas supply unit(142) is provided on the upper surface plate at a position corresponding to a gas passing hole(H).

Description

임프린트 장치 및 방법{APPARATUS FOR IMPRINTING PATERN ON THE SUBSTRATE AND METHOD FOR IMPRINTING PATERN ON THE SUBSTRATE}Imprint apparatus and method {APPARATUS FOR IMPRINTING PATERN ON THE SUBSTRATE AND METHOD FOR IMPRINTING PATERN ON THE SUBSTRATE}

도 1은 종래의 임프린팅 방법의 공정을 설명하는 도면들이다. 1 is a view for explaining the process of the conventional imprinting method.

도 2는 종래의 임프린팅 방법에서의 문제점을 나타내는 모식도이다. 2 is a schematic diagram showing a problem in the conventional imprinting method.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 임프린트 장치의 구조를 설명하는 단면도이다. 3 is a cross-sectional view illustrating a structure of a nanoimprint apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 나노 임프린트 장치의 구조를 설명하는 단면도이다. 4 is a cross-sectional view illustrating a structure of a nanoimprint apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 임프린트 방법이 공정도이다. 5 is a process diagram of an imprint method according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 노광 공정을 거치지 않고서도 기판 상에 미세한 패턴을 균일하고 정밀하게 구현할 수 있는 나노 임프린트 장치 및 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a nanoimprint apparatus and method capable of uniformly and precisely implementing a fine pattern on a substrate without undergoing an exposure process.

나노 임프린트는 초미세 가공인 나노 가공(1 ~ 100 nm)을 실현하기 위해 제안된 기술로 기판 위에 열가소성 수지나 광경화성 수지를 도포한 다음 e빔을 이용, 나노 크기의 몰드로 압력을 가해 경화시키고 패턴을 전사하는 기술을 말한다. Nano imprint is a technique proposed to realize nano processing (1-100 nm), which is ultra-fine processing, by applying a thermoplastic resin or photocurable resin on a substrate and then applying pressure to a nano-sized mold using an e-beam to cure it. The technique of transferring a pattern.

이러한 나노 임프린트 기술을 활용하면 현재 반도체 공정에서 사용하는 사진현상 방식의 미세화 한계점을 극복하고 도장 찍듯이 간단한 방법에 의하여 나노 구조물을 제작할 수 있게 된다. By utilizing this nanoimprint technology, nanostructures can be manufactured by a simple method like painting, overcoming the miniaturization limitation of the photolithography method used in the semiconductor process.

또한 나노 임프린트 기술을 활용하면 현재 100 nm 급인 미세 공정이 10 nm급으로 향상돼 차세대 반도체 분야의 기술 발전이 촉진될 것이다. 특히 나노 임프린트 기술은 차세대 반도체 및 평판디스플레이용 회로 형성 기술로 인정되고 있다. In addition, the use of nanoimprint technology will improve the micro process, which is currently 100 nm, to 10 nm, thus facilitating technological development in the next-generation semiconductor field. In particular, nanoimprint technology is recognized as a circuit forming technology for next-generation semiconductor and flat panel displays.

종래의 나노 임프린트 기술을, 도 1을 참조하여 간단하게 설명하면 다음과 같다. 도 1은 나노 임프린트 공정을 나타내는 공정도이다. A conventional nanoimprint technique will be briefly described with reference to FIG. 1 as follows. 1 is a process chart showing a nano imprint process.

우선 도 1a에 도시된 바와 같이, 기판(S) 상에 자외선 경화성 수지(R)를 얇게 도포한다. 자외선 경화성 수지는 자외선을 조사하면 단단하게 굳어지는 폴리머를 말한다. First, as shown in FIG. 1A, an ultraviolet curable resin R is applied to the substrate S thinly. UV curable resin refers to a polymer that hardens when irradiated with ultraviolet rays.

다음으로는 도 1b에 도시된 바와 같이, 자외선 경화성 수지(R)가 도포된 기판(S) 상부에 몰드(M)를 올려 놓는다. 여기에서 몰드(M)의 하부에는 기판(S) 상에 형성시키고 싶은 일정한 패턴이 양각으로 형성된다. 따라서 이 몰드(M)를, 수지(R)가 도포된 기판(S) 상부에 올려 놓고 가압하면, 기판 상의 수지(R)가 변형되어 몰드(M)에 형성된 패턴과 상응하는 형상이 기판(S) 상에 형성된다. 물론 이 단계에서는 기판(S)과 몰드(M)의 정확한 합착을 위하여 몰드(M)와 기판(S)의 위치를 정렬하는 얼라인 단계가 더 진행될 수도 있다. 그리고 본 단계에서 몰드와 수지 사이에 기포가 형성되는 등의 문제를 방지하기 위하여 본 단계는 진공 분위기하에서 진행 된다. Next, as shown in FIG. 1B, the mold M is placed on the substrate S to which the ultraviolet curable resin R is coated. Here, a predetermined pattern to be formed on the substrate S is embossed on the lower portion of the mold M. FIG. Therefore, when the mold M is placed on the substrate S to which the resin R is applied and pressed, the resin R on the substrate is deformed to have a shape corresponding to the pattern formed in the mold M. ) Is formed on. Of course, in this step, an alignment step of aligning the positions of the mold M and the substrate S may be further performed in order to accurately attach the substrate S and the mold M. And in order to prevent problems such as bubbles are formed between the mold and the resin in this step, this step is carried out in a vacuum atmosphere.

다음으로는 도 1c에 도시된 바와 같이, 몰드(M)의 상부에서 자외선 램프(L)를 사용하여 자외선을 조사한다. 그러면 몰드(M)와 기판(S) 사이에 존재하는 자외선 경화성 수지(R)가 경화된다. 따라서 몰드(M)에 의하여 형성된 패턴 형상이 기판 상에 그대로 형성된다. Next, as shown in FIG. 1C, ultraviolet rays are irradiated from the upper portion of the mold M using the ultraviolet lamp L. FIG. Then, the ultraviolet curable resin R existing between the mold M and the substrate S is cured. Thus, the pattern shape formed by the mold M is formed on the substrate as it is.

다음으로는 도 1d에 도시된 바와 같이, 경화된 수지(R)로부터 몰드(M)를 분리시키는 공정이 진행된다. 즉, 자외선 경화성 수지(R)가 자외선 조사에 의하여 충분히 경화된 후에, 몰드(M)를 상부로 들어올려 수지로부터 분리시키는 것이다. 전술한 자외선 조사 단계와 몰드 분리 단계는 대기압 분위기에서 진행된다. Next, as shown in FIG. 1D, a process of separating the mold M from the cured resin R is performed. That is, after the ultraviolet curable resin (R) is sufficiently cured by ultraviolet irradiation, the mold (M) is lifted upward and separated from the resin. The ultraviolet irradiation step and the mold separation step are performed in an atmospheric pressure atmosphere.

다음으로는 도 1e에 도시된 바와 같이, 기판(S) 상부에 남아 있는 수지(R)를 제거하는 단계가 진행된다. 이 단계에서는 패턴이 형성된 부분에 남아 있는 수지를 에칭 공정을 이용하여 제거한다. Next, as shown in FIG. 1E, a step of removing the resin R remaining on the upper portion of the substrate S is performed. In this step, the resin remaining in the portion where the pattern is formed is removed using an etching process.

그러면 도 1f에 도시된 바와 같이, 기판(S) 상부에 원하는 패턴이 형성된다. Then, as shown in Figure 1f, the desired pattern is formed on the substrate (S).

그런데 종래의 임프린팅 공정에서는 몰드(M)와 기판(S)을 진공 상태에서 합착시키고, 대기압 상태에서 탈착시킨다. 따라서 몰드와 기판 사이에 형성된 압력과 대기압과의 압력 차이로 인하여 몰드 탈착과정에서 몰드가 깨끗하게 분리되는 것이 아니라, 도 2에 도시된 바와 같이, 몰드(M)에 수지(R)의 일부가 부착된 상태로 분리되는 현상이 발생한다. 이렇게 몰드에 수지가 부착된 상태로 분리되는 경우에는 패턴이 손상되며, 심한 경우에는 기판이 손상되는 문제점이 발생한다. By the way, in the conventional imprinting process, the mold M and the substrate S are bonded in a vacuum state and detached in an atmospheric pressure state. Therefore, due to the pressure difference between the pressure formed between the mold and the substrate and the atmospheric pressure, the mold is not separated cleanly during the mold detachment process. As shown in FIG. 2, a part of the resin R is attached to the mold M. The phenomenon of separation occurs. When the resin is attached to the mold in this manner, the pattern is damaged, and in severe cases, the substrate is damaged.

이러한 문제점은 최근 기판이 대형화되면서 더욱 심화되고 있다. This problem is further exacerbated by the recent increase in the size of the substrate.

본 발명의 목적은 몰드를 기판으로부터 용이하게 탈착시킬 수 있는 패턴 임프린팅 장치 및 방법을 제공함에 있다. It is an object of the present invention to provide a pattern imprinting apparatus and method which can easily detach a mold from a substrate.

전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 그 내부에 밀폐 공간 형성이 가능한 챔버; 상기 챔버 내부의 압력을 조절할 수 있는 압력조절 수단; 상기 챔버 내부 하측에 마련되며, 그 상부에 기판이 위치되는 하정반; 상기 챔버 내부 상측에 마련되며, 그 하부에 몰드가 위치되는 상정반; 상기 상정반의 상부와 결합되어 마련되며, 상기 상정반을 상하 방향으로 이동시키는 상정반 수직 이동수단; 및 상기 몰드 상부에 자외선을 조사하는 자외선 조사수단;을 포함하며, 상기 몰드에는, 상기 몰드를 두께 방향으로 관통하여 형성되는 다수개의 기체 통과홀이 형성되고, 상기 상정반에는, 상기 기체 통과홀과 대응되는 위치에 형성되어 상기 기체 통과홀에 기체를 공급하는 기체 공급부가 더 마련되는 것을 특징으로 하는 패턴 임프린트 장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention, the chamber capable of forming a sealed space therein; A pressure regulating means capable of adjusting a pressure in the chamber; A lower surface plate provided at a lower side inside the chamber and having a substrate positioned thereon; An upper plate provided in an upper side of the chamber and in which a mold is located; An upper plate vertical moving means provided in combination with an upper portion of the upper plate to move the upper plate in an up and down direction; And ultraviolet irradiation means for irradiating ultraviolet rays to the upper part of the mold, wherein the mold includes a plurality of gas passing holes formed through the mold in a thickness direction, and the gas passing holes and It is formed in a corresponding position provides a pattern imprint apparatus characterized in that the gas supply unit for supplying gas to the gas passage hole is further provided.

이때 상기 기체는 불활성 가스인 것이 기판이나 패턴에 영향을 미치지 않으므로 바람직하다. At this time, the gas is preferably an inert gas because it does not affect the substrate or pattern.

또한 본 발명은, 챔버 내부에 자외선 경화성 수지가 도포된 기판을 위치시키 고, 그 상부에 몰드를 위치시켜서 기판 상에 패턴을 임프린트하는 임프린트 챔버; 상기 임프린트 챔버에 이웃하여 배치되며, 상기 기판에 자외선을 조사하여 상기 자외선 경화성 수지를 경화시키고, 기판 상의 몰드를 탈착시키는 경화/탈착 챔버; 상기 임프린트 챔버와 경화/탈착 챔버 사이에 개재되어 마련되며, 상기 임프린트 챔버에 위치된 기판을 상기 경화/탈착 챔버로 이동시키는 반송 챔버;를 포함하며, 상기 몰드에는, 상기 몰드를 두께 방향으로 관통하여 형성되는 다수개의 기체 통과홀이 형성되고, 상기 경화/탈착 챔버에는, 기판이 그 상부에 위치되는 하정반과, 상기 기판상에 위치된 몰드를 들어올려 탈착시키는 상정반과, 상기 기판 상에 자외선을 조사하여 자외선 경화성 수지를 경화시키는 자외선 조사부와, 상기 기체 통과홀과 대응되는 위치에 형성되어 상기 기체 통과홀에 기체를 공급하는 기체 공급부가 더 마련되는 것을 특징으로 하는 패턴 임프린트 장치를 제공한다.The present invention also provides an imprint chamber for placing a substrate coated with an ultraviolet curable resin inside the chamber and imprinting a pattern on the substrate by placing a mold thereon; A curing / desorption chamber disposed adjacent to the imprint chamber and configured to irradiate ultraviolet rays to the substrate to cure the ultraviolet curable resin, and to desorb a mold on the substrate; A transfer chamber interposed between the imprint chamber and the curing / desorption chamber and moving the substrate located in the imprint chamber to the curing / desorption chamber, wherein the mold penetrates the mold in a thickness direction. A plurality of gas passage holes are formed, and the curing / desorption chamber includes: a lower plate having a substrate positioned thereon; an upper plate for lifting and detaching a mold positioned on the substrate; and ultraviolet rays irradiated onto the substrate. And an ultraviolet irradiation part for curing the ultraviolet curable resin and a gas supply part which is formed at a position corresponding to the gas passage hole and supplies gas to the gas passage hole, further provides a pattern imprint apparatus.

또한 본 발명에서는, In the present invention,

1) 기판 상에 자외선 경화성 수지를 도포하는 단계;1) applying an ultraviolet curable resin on a substrate;

2) 상기 기판을 진공 형성이 가능한 챔버 내로 반입하는 단계;2) bringing the substrate into a chamber capable of forming a vacuum;

3) 상기 챔버 내부의 압력을 대기압보다 낮은 임프린팅 압력으로 낮춘 상태에서 상기 기판 상부로 몰드를 낙하시키고 가압하는 단계;3) dropping and pressurizing the mold onto the substrate while lowering the pressure in the chamber to an imprinting pressure lower than atmospheric pressure;

4) 상기 기판 상부에 자외선을 조사하여 상기 자외선 경화성 수지를 경화시키는 단계;4) curing the ultraviolet curable resin by irradiating ultraviolet on the substrate;

5) 상기 챔버 내부의 압력을 몰드 탈착 압력으로 조정한 상태에서 상기 몰드 를 상기 기판으로부터 분리시키는 단계;5) separating the mold from the substrate while adjusting the pressure in the chamber to a mold detachment pressure;

6) 상기 챔버 내부의 압력을 대기압 상태로 상승시키고, 상기 기판을 외부로 반출하는 단계;를 포함하여 구성되는 패턴 임프린팅 방법을 제공한다.6) raising the pressure inside the chamber to an atmospheric pressure state, and carrying out the substrate to the outside; provides a pattern imprinting method comprising a.

이때 상기 몰드 탈착 압력은, 상기 임프린팅 압력보다 낮은 것이, 몰드의 탈착시 외부 압력이 몰드와 기판 사이의 내부 압력보다 낮아서 탈착이 용이하게 진행될 수 있으므로 바람직하다. In this case, the mold detachment pressure is preferably lower than the imprinting pressure, since the external pressure at the time of detachment of the mold is lower than the internal pressure between the mold and the substrate, so that the detachment may be easily performed.

더 나아가서는, 상기 5) 단계에서, 상기 몰드와 기판 사이에 특정한 기체를 주입하면서 진행하는 것이, 몰드를 기판으로부터 용이하게 분리시킬 수 있으므로 더욱 바람직하다. Furthermore, in step 5), it is more preferable to proceed while injecting a specific gas between the mold and the substrate, since the mold can be easily separated from the substrate.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예들을 상세하게 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail specific embodiments of the present invention.

< 실시예 1 ><Example 1>

본 실시예에 따른 패턴 임프린트 장치(100)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 챔버(110); 압력 조절수단(120); 하정반(130); 상정반(140); 상정반 수직 이동수단(150); 몰드 낙하수단(도면에 미도시); 자외선 조사수단(도면에 미도시);을 포함하여 구성된다. Pattern imprint apparatus 100 according to the present embodiment, as shown in Figure 3, the chamber 110; Pressure regulating means 120; Lower plate 130; Upper plate 140; Upper plate vertical moving means 150; Mold dropping means (not shown); UV irradiation means (not shown in the drawing); is configured to include.

상기 챔버(110)는 본 실시예에 따른 패턴 임프린트 장치(100)의 전체적인 외형을 이루는 구성요소이며, 그 내부 공간을 밀폐시킬 수 있는 구조로 마련된다. 그리고 이 챔버(110)의 일 측벽에는 기판 및 몰드가 통과할 수 있도록 기판 출구(112)가 챔버 측벽을 관통하여 형성된다. 그리고 이 기판 출구(112)를 개폐할 수 있도록 게이트 밸브(114)가 마련된다. The chamber 110 is a component constituting the overall appearance of the pattern imprint apparatus 100 according to the present embodiment, and is provided in a structure capable of sealing an inner space thereof. In addition, a substrate outlet 112 is formed on one sidewall of the chamber 110 to penetrate the chamber sidewall so that the substrate and the mold can pass therethrough. The gate valve 114 is provided to open and close the substrate outlet 112.

다음으로 압력조절 수단(120)은 챔버(110) 내부의 압력을 조절하는 역할을 하는 구성요소이다. 본 실시예에서는 패턴의 성형 작업을 진공하에서 수행하고, 가압은 대기압에서 이루어지므로 챔버 내부의 압력을 자유자재로 조절할 수 있어야 한다. 따라서 이 압력 조절수단(120)이 챔버(110) 내부의 기체를 배기하여 진공상태로 만들고, 다시 챔버 내부에 특정한 기체를 주입하여 대기압 상태로 만드는 역할을 한다. 본 실시예에서는 이 압력 조절수단(120)을 TMP 및 공기 주입 펌프로 마련한다. Next, the pressure regulating means 120 is a component that serves to adjust the pressure inside the chamber 110. In this embodiment, the molding operation of the pattern is performed under vacuum, and the pressurization is performed at atmospheric pressure, so the pressure inside the chamber should be freely adjustable. Therefore, the pressure regulating means 120 exhausts the gas in the chamber 110 to make a vacuum state, and injects a specific gas into the chamber to serve as an atmospheric pressure state. In this embodiment, this pressure regulating means 120 is provided with a TMP and an air injection pump.

다음으로 하정반(130)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 그 상부에 기판(S)이 위치되고, 위치된 기판(S)을 공정이 진행되는 동안 고정시키는 역할을 한다. 이 하정반(130)은 성형 공정 및 가압 공정, 자외선 조사 공정 중에서는 기판을 올려놓는 작업대의 역할을 하며, 작업이 완료된 뒤에는 기판(S)과 몰드(M)를 분리시킬 때 몰드를 흡착 고정시킨 상태에서 상측으로 들어올려서 몰드가 분리되도록 한다. 따라서 본 실시예에서는 하정반(130)이 기판(S)을 흡착 고정할 수 있도록 하정반을 진공 흡착척 또는 정전척으로 마련한다. 이렇게 진공 흡착척 또는 정전척으로 기판을 흡착하는 경우에는 흡착 과정에서 기판이 손상되지 아니하는 장점이 있다.Next, as shown in Figure 3, the lower plate 130, the substrate (S) is positioned on the upper portion, and serves to fix the positioned substrate (S) during the process. The lower plate 130 serves as a workbench for placing the substrate in the molding process, the pressurizing process, and the ultraviolet irradiation process. After the work is completed, the lower plate 130 adsorbs and fixes the mold when the substrate S and the mold M are separated. The mold is separated by lifting upward from the state. Therefore, in the present embodiment, the lower plate is provided as a vacuum suction chuck or an electrostatic chuck so that the lower plate 130 can fix and fix the substrate S. When the substrate is adsorbed by the vacuum adsorption chuck or the electrostatic chuck, the substrate is not damaged in the adsorption process.

본 실시예에서는 이 하정반(130)을 관통하여 상하 방향으로 이동되는 기판 승강수단이 더 마련되는 것이 바람직하다. 이 기판 승강수단은 기판의 로딩과정에서 전술한 반송 로봇에 의하여 하정반 상측으로 상승하여 이동된 기판을 반송 로봇으로부터 전달받아서 하정반(130)의 상면에 내려놓는 역할을 하며, 기판의 언로딩 과정에서는 작업이 완료된 기판을 하정반 상측으로 들어올려 반송 로봇에 전달하는 역할을 한다. In the present embodiment, it is preferable that the substrate lifting means is further provided to penetrate the lower plate 130 and move in the vertical direction. The substrate lifting means serves to lower the upper surface of the lower plate 130 by receiving the transferred substrate from the transfer robot by lifting the upper side of the lower plate by the above-mentioned transfer robot in the process of loading the substrate, and unloading the substrate. In the role of lifting the finished substrate to the upper platen to transfer the transfer robot.

다음으로 상정반(140)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 챔버(110) 내부 상측에 마련되며, 그 하부에 몰드(M)가 위치되며, 위치된 몰드(M)를 고정시키는 역할을 한다. 본 실시예에서는 이 상정반(140)을 정전척 또는 지그로 마련할 수 있다. 먼저 정전척으로 마련하는 경우에는 정전기력에 의하여 몰드(M)의 상면을 흡착 고정시키며, 몰드를 낙하 시킬때에는 전원을 차단하여 정전기력을 없애는 방식을 사용한다. 한편 상정반(140)을 지그로 마련하는 경우에는 몰드(M)의 양 측부를 지지하는 지그를 마련하고, 이 지그 사이의 간격이 변동될 수 있도록 한다. 따라서 몰드를 고정시키는 경우에는 지그 사이의 간격을 몰드의 폭보다 작게 하여 유지하고, 몰드를 낙하시키는 경우에는 지그 사이의 간격을 몰드의 폭보다 크게 확대하여 몰드를 낙하시키게 된다. Next, the upper plate 140, as shown in Figure 3, is provided on the upper side inside the chamber 110, the mold (M) is located in the lower portion, and serves to fix the located mold (M) . In this embodiment, the upper plate 140 may be provided as an electrostatic chuck or a jig. First, when the electrostatic chuck is provided, the upper surface of the mold (M) is absorbed and fixed by the electrostatic force, and when the mold is dropped, a method of removing the electrostatic force by cutting off the power is used. On the other hand, in the case of providing the upper plate 140 as a jig, a jig supporting both sides of the mold M is provided, and the gap between the jig is varied. Therefore, when the mold is fixed, the gap between the jigs is kept smaller than the width of the mold, and when the mold is dropped, the gap between the jigs is enlarged larger than the width of the mold to drop the mold.

다음으로 상정반 수직 이동수단(150)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 상정반(140)의 상부와 결합되어 마련되며, 상기 상정반(140)을 상하 방향으로 이동시키는 역할을 하는 구성요소이다. 본 실시예에서는 상정반(140)에 몰드(M)를 고정시킨 상태에서 상정반(140)을 상하 방향으로 이동시켜서 몰드(M)와 기판(S) 사이의 간격을 조정할 수 있으며, 작업이 완료된 후에는 상정반을 승강시키는 과정이 필요하므로 상정반을 상하 방향으로 이동시키는 상하 이동수단이 필요한 것이다. 본 실시예에서는 이 상정반 수직 이동수단(150)을 리니어 액츄에이터로 마련한다. 이렇게 리니어 액츄에이터로 마련하는 경우에는 상하 운동시 매우 미세한 제어가 가능하여 몰드와 기판 사이의 간격을 매우 미세하게 조정할 수 있는 장점이 있다. Next, the upper plate vertical moving means 150, as shown in Figure 3, is provided in combination with the upper portion of the upper plate 140, the component that serves to move the upper plate 140 in the vertical direction to be. In this embodiment, by moving the upper plate 140 in the up and down direction while fixing the mold (M) to the upper plate 140, it is possible to adjust the interval between the mold (M) and the substrate (S), the work is completed Since the process of elevating the upper plate is necessary, the vertical moving means for moving the upper plate in the vertical direction is required. In this embodiment, this upper plate vertical moving means 150 is provided as a linear actuator. When the linear actuator is provided as described above, very fine control is possible during vertical movement, and thus, the distance between the mold and the substrate can be adjusted very finely.

한편 이 상정반(140)에 고정된 몰드를 낙하시키기 전에 몰드(M)와 기판(S)의 위치를 일치시키기 위하여 몰드의 위치를 이동시켜 얼라인하는 얼라인 수단(도면에 미도시)이 더 마련되는 것이 바람직하다. 따라서 본 실시예에서는 이 상정반(140)을 X, Y 방향 직선 운동 및 θ방향 회전운동이 가능하도록 상정반 수평 이동수단을 더 마련하는 것이 바람직하다. Meanwhile, an alignment means (not shown in the drawing) for moving and aligning the position of the mold in order to match the position of the mold M and the substrate S before dropping the mold fixed to the upper plate 140 is further included. It is preferable to provide. Therefore, in the present embodiment, it is preferable to further provide the upper plate horizontal moving means so that the upper plate 140 can be linearly rotated in the X and Y directions and rotated in the θ direction.

또한 본 실시예에 따른 패턴 임프린트 장치(100)에는 몰드(M)와 기판(S) 사이의 간격을 매우 미세하게 측정할 수 있는 리니어 게이지(도면에 미도시)가 더 마련되는 것이 바람직하다. 따라서 이 리니어 게이지에 의하여 측정된 몰드와 기판 사이의 간격을 상정반 상하 이동수단에 전달하여 몰드와 기판 사이의 간격 조정에 사용되도록 한다. In addition, the pattern imprint apparatus 100 according to the present embodiment is preferably further provided with a linear gauge (not shown in the drawing) capable of measuring the gap between the mold M and the substrate S very finely. Therefore, the gap between the mold and the substrate measured by the linear gauge is transferred to the upper and lower moving means to be used for adjusting the gap between the mold and the substrate.

그리고 본 실시예에서는 몰드를 기판 상측에 근접시킨 후에 자유 낙하시켜 몰드와 기판을 접촉시키므로 몰드 낙하 수단이 마련된다. 상정반이 정전척으로 마련되는 경우에는 이 몰드 낙하 수단이 전원 차단 장치로 마련되며, 상정반이 지그로 마련되는 경우에는 지그를 수평 이동시켜 지그 사이의 간격을 넓히는 지그 평행 이동수단으로 마련된다. In this embodiment, since the mold is brought close to the upper side of the substrate, the mold and the substrate are brought into contact with the mold and the substrate. When the top plate is provided with an electrostatic chuck, the mold drop means is provided as a power cut-off device, and when the top plate is provided with a jig, the jig parallel movement means is provided to move the jig horizontally to widen the gap between the jigs.

다음으로 자외선 조사수단은 몰드(M) 상부에 자외선을 조사하는 역할을 하는 구성요소이다. 본 실시예에서는 이 자외선 조사수단을 램프; 램프 이동수단; 램프 이동구; 램프 챔버;로 구성한다. 먼저 램프는 자외선을 조사하는 구성요소이다. 본 시예에서는 이 램프를, 다수개의 램프가 평행하게 배열되는 형태로 구현한다. 그리고 램프 이동수단은 각 램프의 일단이 결합되며, 이 램프를 수평방향으로 이동시키는 구성요소이다. 본 실시예에서는 램프를 별도의 램프 챔버에 대기시키다가 자외선 조사 경화 과정에서만 챔버로 이동시켜 자외선을 조사시키는 방식을 사용하므로 램프를 수평방향으로 이동시킬 필요가 있는 것이다. 다음으로 램프 이동구는 챔버(110)의 일측벽을 관통하여 형성되며, 램프의 이동 통로 역할을 하는 구성요소이다. 그리고 램프 챔버는 램프 이동구와 연결되어 마련되며, 램프 및 램프 이동수단이 내재될 수 있으며 그 내부 공간을 밀폐시킬 수 있는 구성요소이다. 그리고 본 발명에서는 램프 챔버와 챔버 사이의 공간에 램프 이동구를 개폐할 수 있는 게이트 밸브가 마련된다. Next, the ultraviolet irradiation means is a component that serves to irradiate the ultraviolet on the mold (M). In this embodiment, the ultraviolet irradiation means is a lamp; Ramp moving means; Lamp shifter; It consists of a lamp chamber. First, a lamp is a component that irradiates ultraviolet rays. In this embodiment, this lamp is implemented in a form in which a plurality of lamps are arranged in parallel. One end of each lamp is coupled to the lamp moving means, and the lamp is moved in a horizontal direction. In this embodiment, the lamp is placed in a separate lamp chamber and then moved to the chamber only to irradiate ultraviolet rays during the UV irradiation curing process. Therefore, it is necessary to move the lamp in a horizontal direction. Next, the lamp moving hole is formed through one side wall of the chamber 110 and is a component that serves as a moving passage of the lamp. In addition, the lamp chamber is provided in connection with the lamp moving port, the lamp and the lamp moving means may be inherent and is a component that can seal the interior space. In the present invention, the gate valve is provided to open and close the lamp moving port in the space between the lamp chamber and the chamber.

다음으로 본 실시예에서 사용하는 몰드(M)에는, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 몰드(M)를 두께 방향으로 관통하여 형성되는 기체 통과홀(H)이 다수개 형성된다. 이 기체 통과홀(H)은 상기 몰드(M)의 전면에 걸쳐서 고르게 형성된다. 이 기체 통과홀(H)은, 몰드(M)를 기판(S)과 분리시키는 과정에서 몰드(M)와 기판(S)을 용이하게 분리시키기 위하여, 몰드와 기판 사이에 특정한 기체를 주입할 때, 기체가 통과하는 경로 역할을 한다. Next, in the mold M used in the present embodiment, as shown in FIG. 3, a plurality of gas passage holes H formed through the mold M in the thickness direction are formed. The gas passage hole H is formed evenly over the entire surface of the mold M. As shown in FIG. This gas passage hole (H), when a specific gas is injected between the mold and the substrate in order to easily separate the mold (M) and the substrate (S) in the process of separating the mold (M) from the substrate (S) It serves as a path for gas to pass through.

또한 본 실시예에 따른 상정반(140)에는, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 몰 드(M)에 형성되는 기체 통과홀(H)과 대응되는 위치에 형성되어 상기 기체 통과홀(H)에 기체를 공급하는 기체 공급부(142)가 더 마련된다. 이 기체 공급부(142)는 전술한 기체 통과홀(H)을 통과하여 기판(S)과 몰드(M) 사이에 충전되는 기체를 공급하는 구성요소이다. 따라서 전술한 기체 통과홀(H)의 위치와 대응되는 위치에 다수개의 기체 공급 노즐(144)이 형성되고, 이 기체 공급 노즐(144)들은 별도로 마련되는 기체 공급 펌프(도면에 미도시)에 연결된다. 이때 공급되는 기체는 안정한 구조의 불활성 가스인 것이 바람직하다. 불활성 가스는 화학적으로 매우 안정한 구조이므로, 기판 내지는 수지 등과 반응하지 않는 장점이 있다. In addition, the upper plate 140 according to the present embodiment, as shown in Figure 3, is formed in a position corresponding to the gas passage hole (H) formed in the mold (M) is the gas passage hole (H) A gas supply unit 142 for supplying gas to the gas is further provided. The gas supply part 142 is a component for supplying gas filled between the substrate S and the mold M by passing through the gas passage hole H described above. Therefore, a plurality of gas supply nozzles 144 are formed at positions corresponding to the positions of the above-described gas passage holes H, and the gas supply nozzles 144 are connected to a gas supply pump (not shown) separately provided. do. At this time, the gas supplied is preferably an inert gas having a stable structure. Since the inert gas has a chemically very stable structure, it does not react with the substrate or the resin.

< 실시예 2 ><Example 2>

본 실시예에 따른 패턴 임프린트 장치는, 실시예 1에 따른 패턴 임프린트 장치와 달리, 임프린트 공정이 2개의 공정 챔버와 하나의 반송챔버가 인라인(In-Line) 형태로 배열되는 인라인형 패턴 임프린트 장치이다. 따라서 본 실시예에 따른 패턴 임프린트 장치(200)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 임프린트 챔버(210); 경화/탈착 챔버(230); 반송 챔버(220);를 포함하여 구성된다. Unlike the pattern imprint apparatus according to the first embodiment, the pattern imprint apparatus according to the present embodiment is an inline pattern imprint apparatus in which an imprint process is arranged in two process chambers and one conveying chamber in an in-line form. . Therefore, the pattern imprint apparatus 200 according to the present embodiment includes an imprint chamber 210 as shown in FIG. 4; Curing / desorption chamber 230; Conveying chamber 220; is configured to include.

먼저 임프린트 챔버(210)는, 그 내측 하부에 자외선 경화성 수지가 도포된 기판을 위치시키고, 그 내측 상부에 몰드를 위치시켜서 기판 상에 패턴을 임프린트하는 챔버이다. 이 임프린트 챔버(210)에는 기판(S)이 위치되는 하정반(214)과 몰드(M)가 위치되는 상정반(212)가 마련된다. 이때 이 상정반(212)는 상정반 이동수단(215)에 의하여 상하 방향으로 이동가능하게 마련된다. 그리고 본 실시예에서 사 용하는 몰드에도 실시예 1에서와 마찬가지로, 기체 통과홀이 형성된다. First, the imprint chamber 210 is a chamber in which a substrate on which an ultraviolet curable resin is applied is placed on an inner lower portion thereof, and a mold is placed on an inner upper portion thereof to imprint a pattern on the substrate. The imprint chamber 210 is provided with a lower plate 214 on which the substrate S is located and an upper plate 212 on which the mold M is located. At this time, the upper plate 212 is provided to be movable in the vertical direction by the upper plate moving means 215. And in the mold used in the present embodiment, as in Example 1, gas passage holes are formed.

다음으로 경화/탈착 챔버(230)는, 상기 임프린트 챔버(210)에 이웃하여 배치되며, 상기 기판에 자외선을 조사하여 상기 자외선 경화성 수지를 경화시키고, 기판 상의 몰드를 탈착시키는 챔버이다. 따라서 이 경화/탈착 챔버(230)에는, 상정반(232) 및 하정반(234)가 마련되고, 자외선 조사수단(도면에 미도시)이 마련된다. 그리고 경화/탈착 챔버(230)에 마련된 상정반(232)에는 상기 몰드의 기체 통과홀과 대칭되는 위치에 기체 공급 노즐이 다수개 형성되는 기체 곱급부(236)가 더 마련된다. Next, the curing / desorption chamber 230 is disposed adjacent to the imprint chamber 210, and irradiates ultraviolet rays to the substrate to cure the ultraviolet curable resin and detach the mold on the substrate. Therefore, the upper / lower plate 232 and the lower plate 234 are provided in this hardening / desorption chamber 230, and the ultraviolet irradiation means (not shown in figure) is provided. In addition, the upper plate 232 provided in the curing / desorption chamber 230 is further provided with a gas multiplier 236 in which a plurality of gas supply nozzles are formed at positions symmetrical with the gas passage holes of the mold.

다음으로 반송 챔버(220)는, 상기 임프린트 챔버(210)와 경화/탈착 챔버(230) 사이에 개재되어 마련되며, 상기 임프린트 챔버(210)에 위치된 기판(S)을 상기 경화/탈착 챔버(230)로 이동시키는 챔버이다. 따라서 이 반송 챔버(220)에는 반송 로봇(222)이 마련된다. Next, the transfer chamber 220 is interposed between the imprint chamber 210 and the curing / desorption chamber 230, and transfers the substrate S located in the imprint chamber 210 to the curing / desorption chamber ( 230). Therefore, the transfer robot 222 is provided in this transfer chamber 220.

한편 본 실시예에 따른 패턴 임프린트 장치는, 중앙에 하나의 반송 챔버가 마련되고, 그 주위에 다수개의 임프린트 챔버와 경화/탈착 챔버가 배치되어 마련되는 클러스터형으로 구성될 수도 있다. 이 경우에는 다수개의 임프린트 챔버와 경화/탈착 챔버가 마련되므로, 택 타임을 줄일 수 있는 장점이 있다. 물론 이 클러스터형 패턴 임프린트 장치의 반송 챔버에는 별도의 로드락 챔버가 마련되어 보다 효율적으로 공정을 진행하는 것이 바람직하다. On the other hand, the pattern imprint apparatus according to the present embodiment may be configured in a cluster type in which one conveying chamber is provided in the center, and a plurality of imprint chambers and curing / desorption chambers are disposed around the pattern imprint apparatus. In this case, since a plurality of imprint chambers and curing / desorption chambers are provided, there is an advantage of reducing tack time. Of course, it is preferable that a separate load lock chamber is provided in the transfer chamber of the cluster-type pattern imprint apparatus to proceed the process more efficiently.

< 실시예 3 ><Example 3>

이하에서는 본 발명에 따른 패턴 임프린팅 방법을 도 5를 참조하여 설명한다. 도 5는 본 발명에 따른 패턴 임프린팅 방법의 공정도이다. Hereinafter, a pattern imprinting method according to the present invention will be described with reference to FIG. 5. 5 is a process chart of the pattern imprinting method according to the present invention.

먼저 기판 상에 자외선 경화성 수지를 도포하는 단계(S110)가 진행된다. 이 단계(S110)에서는 기판 상에 자외선 경화성 수지를 얇고 균일한 두께로 도포하는 것이 중요하다. First, a step (S110) of applying an ultraviolet curable resin on a substrate is performed. In this step (S110), it is important to apply a thin and uniform thickness of the ultraviolet curable resin on the substrate.

다음으로는 기판을 챔버 내부로 반입하는 단계(S120)가 진행된다. 이 단계(S120)에서는 그 내부에 진공 분위기를 형성시킬 수 있는 챔버 내부로 기판을 반입하고, 상기 챔버의 내부 하측에 마련되는 하정반 상에 기판을 위치시키게 된다. Next, the step (S120) of bringing the substrate into the chamber is performed. In this step (S120), the substrate is brought into a chamber capable of forming a vacuum atmosphere therein, and the substrate is placed on a lower plate provided in the lower side of the chamber.

이때 전술한 수지 도포 단계(S110)와 기판 반입 단계(S120)는 서로 순서가 바뀐 상태로 진행될 수도 있다. At this time, the above-described resin coating step (S110) and the substrate loading step (S120) may be performed in a state in which the order is reversed.

다음으로는 챔버 내부의 압력을 임프린팅 압력으로 낮춘 상태에서 기판 상부에 몰드를 낙하시키고 가압하는 단계(S130)가 진행된다. 여기에서 임프린팅(imprinting) 압력이라 함은 대기압보다 낮은 압력으로서 기판 상부에 몰드를 낙하시키는 시점에서의 챔버 내부의 압력이며, 이 압력값이 기판과 몰드 사이의 압력이 된다. 본 실시예에서는 몰드와 기판 사이에 기포가 발생하는 등의 문제점을 방지하기 위하여 이 임프린팅 압력을 대기압보다 낮게 한다. Next, in the state in which the pressure inside the chamber is lowered to the imprinting pressure, the step of dropping and pressing the mold on the substrate is performed (S130). Here, the imprinting pressure is a pressure lower than the atmospheric pressure and is a pressure inside the chamber at the time of dropping the mold on the substrate, and the pressure value becomes a pressure between the substrate and the mold. In this embodiment, the imprinting pressure is lower than atmospheric pressure in order to prevent problems such as bubbles occurring between the mold and the substrate.

그리고 몰드를 가압하는 단계에서는 챔버 내부의 압력을 임프린팅 압력보다 높게 하여 진행한다. 그러면, 기판과 몰드 사이의 압력보다 외부 압력이 높아져서 몰드의 모든 부분에 균일한 압력이 가해진다.In the pressing of the mold, the pressure inside the chamber is higher than the imprinting pressure. The external pressure is then higher than the pressure between the substrate and the mold, so that a uniform pressure is applied to all parts of the mold.

다음으로는 기판 상에 자외선을 조사하여 자외선 경화성 수지를 경화시키는 단계(S140)가 진행된다. 이 단계에서는 챔버 상측에 마련된 자외선 램프를 사용하여 몰드 상측에서 자외선을 조사한다. 그러면 자외선 경화성 수지가 경화되어 몰드에 의하여 형성된 패턴이 굳어진다. 이 단계는 대기압 분위기하에서 진행되는 것이 바람직하다. Next, a step (S140) of irradiating ultraviolet rays onto the substrate to cure the ultraviolet curable resin is performed. In this step, ultraviolet rays are irradiated from the upper side of the mold using an ultraviolet lamp provided above the chamber. The ultraviolet curable resin is then cured to harden the pattern formed by the mold. This step is preferably carried out under atmospheric pressure.

다음으로는 상기 기판으로부터 몰드를 분리시키는 단계(S150)가 진행된다. 이 단계에서는 상기 챔버 내부의 압력을 몰드 탈착 압력으로 조정한 상태에서 진행된다. 여기에서 몰드 탈착 압력이라 함은 몰드의 탈착 단계를 진행하기 위한 챔버 내부의 압력을 말하는 것으로서, 상기 임프린팅 압력과 동일하거나 낮은 것이 바람직하다. 또한 본 실시예에서는 이 단계에서 몰드와 기판 사이에 특정한 기체를 주입하면서 공정을 진행하는 것이 바람직하다. 즉, 몰드와 기판 사이에 특정한 기체를 주입하여 몰드와 기판 사이의 압력을 높이고, 몰드와 기판의 접촉면이 용이하게 분리되도록 하는 것이다. 이때 상기 기체는 불활성 기체인 것이 바람직하다. Next, a step (S150) of separating the mold from the substrate is performed. In this step, the pressure in the chamber is adjusted to a mold detachment pressure. Herein, the mold detachment pressure refers to a pressure inside the chamber for proceeding the detachment step of the mold, and preferably equal to or lower than the imprinting pressure. In this embodiment, it is preferable to proceed with the process while injecting a specific gas between the mold and the substrate in this step. That is, by injecting a specific gas between the mold and the substrate to increase the pressure between the mold and the substrate, the contact surface between the mold and the substrate is easily separated. At this time, the gas is preferably an inert gas.

다음으로는 챔버 내부의 압력을 대기압 상태로 상승시키고, 상기 기판을 외부로 반출하는 단계(S160)가 진행된다. Next, the pressure inside the chamber is raised to atmospheric pressure, and the step of carrying out the substrate to the outside (S160) is performed.

본 발명에 따르면 몰드와 수지 사이에 형성되는 압력보다 낮은 압력 하에서 몰드를 분리시키므로 몰드와 수지가 용이하게 분리되고, 패턴 및 기판이 손상되지 않는 장점이 있다. According to the present invention, since the mold is separated under a pressure lower than the pressure formed between the mold and the resin, the mold and the resin are easily separated and the pattern and the substrate are not damaged.

또한 본 발명에 따르면 몰드와 수지 사이에 특정한 기체를 주입하면서 몰드 를 분리하므로 몰드가 더욱 용이하게 분리되며, 공정 시간이 단축되는 장점이 있다. In addition, according to the present invention, since the mold is separated while injecting a specific gas between the mold and the resin, the mold is more easily separated, and the process time is shortened.

Claims (11)

그 내부에 밀폐 공간 형성이 가능한 챔버; 상기 챔버 내부의 압력을 조절할 수 있는 압력조절 수단; 상기 챔버 내부 하측에 마련되며, 그 상부에 기판이 위치되는 하정반; 상기 챔버 내부 상측에 마련되며, 그 하부에 몰드가 위치되는 상정반; 상기 상정반의 상부와 결합되어 마련되며, 상기 상정반을 상하 방향으로 이동시키는 상정반 수직 이동수단; 및 상기 몰드 상부에 자외선을 조사하는 자외선 조사수단;을 포함하며, 상기 몰드에는, 상기 몰드를 두께 방향으로 관통하여 형성되는 다수개의 기체 통과홀이 형성되고, 상기 상정반에는, 상기 기체 통과홀과 대응되는 위치에 형성되어 상기 기체 통과홀에 기체를 공급하는 기체 공급부가 더 마련되는 것을 특징으로 하는 패턴 임프린트 장치.A chamber capable of forming a sealed space therein; A pressure regulating means capable of adjusting a pressure in the chamber; A lower surface plate provided at a lower side inside the chamber and having a substrate positioned thereon; An upper plate provided in an upper side of the chamber and in which a mold is located; An upper plate vertical moving means provided in combination with an upper portion of the upper plate to move the upper plate in an up and down direction; And ultraviolet irradiation means for irradiating ultraviolet rays to the upper part of the mold, wherein the mold includes a plurality of gas passing holes formed through the mold in a thickness direction, and the gas passing holes and The pattern imprint apparatus is formed at a corresponding position, characterized in that the gas supply unit for supplying gas to the gas passage hole is further provided. 제1항에 있어서, 상기 기체는, The method of claim 1, wherein the gas, 불활성 기체인 것을 특징으로 하는 패턴 임프린트 장치.It is an inert gas, The pattern imprint apparatus characterized by the above-mentioned. 챔버 내부에 자외선 경화성 수지가 도포된 기판을 위치시키고, 그 상부에 몰드를 위치시켜서 기판 상에 패턴을 임프린트하는 임프린트 챔버; 상기 임프린트 챔버에 이웃하여 배치되며, 상기 기판에 자외선을 조사하여 상기 자외선 경화성 수지를 경화시키고, 기판 상의 몰드를 탈착시키는 경화/탈착 챔버; 상기 임프린트 챔버와 경화/탈착 챔버 사이에 개재되어 마련되며, 상기 임프린트 챔버에 위치된 기판 을 상기 경화/탈착 챔버로 이동시키는 반송 챔버;를 포함하며, 상기 몰드에는, 상기 몰드를 두께 방향으로 관통하여 형성되는 다수개의 기체 통과홀이 형성되고, 상기 경화/탈착 챔버에는, 기판이 그 상부에 위치되는 하정반과, 상기 기판상에 위치된 몰드를 들어올려 탈착시키는 상정반과, 상기 기판 상에 자외선을 조사하여 자외선 경화성 수지를 경화시키는 자외선 조사부와, 상기 기체 통과홀과 대응되는 위치에 형성되어 상기 기체 통과홀에 기체를 공급하는 기체 공급부가 더 마련되는 것을 특징으로 하는 인 라인(In-Line)형 패턴 임프린트 장치.An imprint chamber for placing a substrate coated with an ultraviolet curable resin inside the chamber and imprinting a pattern on the substrate by placing a mold on the substrate; A curing / desorption chamber disposed adjacent to the imprint chamber and configured to irradiate ultraviolet rays to the substrate to cure the ultraviolet curable resin, and to desorb a mold on the substrate; A transfer chamber interposed between the imprint chamber and the curing / desorption chamber and moving the substrate located in the imprint chamber to the curing / desorption chamber, wherein the mold penetrates the mold in a thickness direction. A plurality of gas passage holes are formed, and the curing / desorption chamber includes: a lower plate having a substrate positioned thereon; an upper plate for lifting and detaching a mold positioned on the substrate; and ultraviolet rays irradiated onto the substrate. An ultraviolet irradiation part for curing the ultraviolet curable resin, and a gas supply part formed at a position corresponding to the gas passage hole to supply gas to the gas passage hole, further comprising an in-line pattern. Imprint device. 제3항에 있어서, 상기 기체는, The method of claim 3, wherein the gas, 불활성 기체인 것을 특징으로 하는 인 라인형 패턴 임프린트 장치.In-line pattern imprint apparatus, characterized in that the inert gas. 챔버 내부에 자외선 경화성 수지가 도포된 기판을 위치시키고, 그 상부에 몰드를 위치시켜서 기판 상에 패턴을 임프린트하는 적어도 하나의 임프린트 챔버; 상기 기판에 자외선을 조사하여 상기 자외선 경화성 수지를 경화시키고, 기판 상의 몰드를 탈착시키는 적어도 하나의 경화/탈착 챔버; 상기 각 임프린트 챔버 및 각 경화/탈착 챔버와 연결되어 마련되며, 상기 각 챔버로 기판을 공급하고, 각 챔버 내에 위치된 기판을 배출하는 반송 챔버; 상기 반송 챔버에 연결되어 마련되며, 상기 반송 챔버로 기판을 반입하고, 반송 챔버로 부터 처리된 기판을 받아서 배출하는 로드락 챔버;를 포함하며, 상기 몰드에는, 상기 몰드를 두께 방향으로 관통하여 형성되는 다수개의 기체 통과홀이 형성되고, 상기 경화/탈착 챔버에는, 기판이 그 상부에 위치되는 하정반과, 상기 기판상에 위치된 몰드를 들어올려 탈착시키는 상정반과, 상기 기판 상에 자외선을 조사하여 자외선 경화성 수지를 경화시키는 자외선 조사부와, 상기 기체 통과홀과 대응되는 위치에 형성되어 상기 기체 통과홀에 기체를 공급하는 기체 공급부가 더 마련되는 것을 특징으로 하는 클러스터(Cluster)형 패턴 임프린트 장치.At least one imprint chamber for placing a substrate coated with an ultraviolet curable resin inside the chamber, and placing a mold thereon to imprint a pattern on the substrate; At least one curing / desorption chamber for irradiating ultraviolet rays to the substrate to cure the ultraviolet curable resin and to desorb the mold on the substrate; A transfer chamber provided in connection with each of the imprint chambers and the respective curing / desorption chambers, the substrate supplying the substrates to the chambers, and discharging the substrates located in the chambers; And a load lock chamber connected to the transfer chamber and configured to bring a substrate into the transfer chamber and receive and discharge the processed substrate from the transfer chamber, wherein the mold is formed by penetrating the mold in a thickness direction. A plurality of gas passage holes are formed, and the curing / desorption chamber includes: a lower plate having a substrate positioned thereon; an upper plate for lifting and detaching a mold positioned on the substrate; and irradiating ultraviolet rays onto the substrate. And a gas supply unit formed at a position corresponding to the gas passage hole and supplying gas to the gas passage hole, the ultraviolet irradiation unit for curing the ultraviolet curable resin. 제5항에 있어서, 상기 기체는, The method of claim 5, wherein the gas, 불활성 기체인 것을 특징으로 하는 클러스터형 패턴 임프린트 장치.Cluster type pattern imprint apparatus, characterized in that the inert gas. 1) 기판 상에 자외선 경화성 수지를 도포하는 단계;1) applying an ultraviolet curable resin on a substrate; 2) 상기 기판을 진공 형성이 가능한 챔버 내로 반입하는 단계;2) bringing the substrate into a chamber capable of forming a vacuum; 3) 상기 챔버 내부의 압력을 대기압보다 낮은 임프린팅 압력으로 낮춘 상태에서 상기 기판 상부로 몰드를 낙하시키고 가압하는 단계;3) dropping and pressurizing the mold onto the substrate while lowering the pressure in the chamber to an imprinting pressure lower than atmospheric pressure; 4) 상기 기판 상부에 자외선을 조사하여 상기 자외선 경화성 수지를 경화시키는 단계;4) curing the ultraviolet curable resin by irradiating ultraviolet on the substrate; 5) 상기 챔버 내부의 압력을 몰드 탈착 압력으로 조정한 상태에서 상기 몰드를 상기 기판으로부터 분리시키는 단계;5) separating the mold from the substrate while adjusting the pressure in the chamber to a mold detachment pressure; 6) 상기 챔버 내부의 압력을 대기압 상태로 상승시키고, 상기 기판을 외부로 반출하는 단계;를 포함하여 구성되는 패턴 임프린팅 방법.6) raising the pressure in the chamber to an atmospheric pressure state, and carrying out the substrate to the outside; pattern imprinting method comprising a. 제7항에 있어서, 상기 몰드 탈착 압력은, The method of claim 7, wherein the mold detachment pressure, 상기 임프린팅 압력보다 낮은 것을 특징으로 하는 패턴 임프린팅 방법.Pattern imprinting method, characterized in that lower than the imprinting pressure. 제8항에 있어서, 상기 5) 단계에서는, The method of claim 8, wherein in step 5), 상기 몰드와 기판 사이에 특정한 기체를 주입하면서 진행하는 것을 특징으로 하는 패턴 임프린팅 방법. Pattern imprinting method characterized in that the progress while injecting a specific gas between the mold and the substrate. 제9항에 있어서, 상기 기체는, The method of claim 9, wherein the gas, 불활성 기체인 것을 특징으로 하는 패턴 임프린팅 방법.Pattern imprinting method, characterized in that the inert gas. 제9항에 있어서, The method of claim 9, 1) 단계와 2) 단계는 그 순서가 역전되어 진행되는 것을 특징으로 하는 패턴 임프핀팅 방법.Step 1) and step 2) is a pattern impingeing method, characterized in that the reversed order.
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