KR20060134088A - Process for preparing a polymeric relief structure - Google Patents

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코넬리스 윌헬무스 마리아 바스티안센
칼로스 산체즈
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스티칭 더치 폴리머 인스티튜트
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Abstract

The invention deals with a process for the preparation of a polymeric relief structure via electromagnetic radiation. In the process a compound is used that reduces the interfacial tension of the coated substrate. As a result the aspect ratio as well as the curvature of the surface are enhanced, and therefore are beneficial for optical components and for replication purposes.

Description

중합체 양각 구조체의 제조방법{PROCESS FOR PREPARING A POLYMERIC RELIEF STRUCTURE}PROCESS FOR PREPARING A POLYMERIC RELIEF STRUCTURE}

본 발명은 (a) 하나 이상의 선-감수성(radiation-sensitive) 구성성분을 포함하는 코팅제로 기판을 코팅하고, (b) 주기적이거나 무작위적인 선-강도 패턴을 갖는 전자기선으로, 코팅된 기판을 국부적으로 처리하여, 잠상(latent image)을 형성시키고, (c) 생성된 코팅된 기판을 중합 및/또는 가교결합시킴으로써, 중합체 양각 구조체를 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of making a coated substrate comprising (a) coating a substrate with a coating comprising one or more radiation-sensitive components, and (b) locally applying the coated substrate with electromagnetic radiation having a periodic or random line-strength pattern. To form a latent image, and (c) polymerizing and / or crosslinking the resulting coated substrate to produce a polymer relief structure.

이후 "광-엠보싱"이라고도 불리는 이 방법은 문헌["photo-embossing as a tool for complex surface relief structures", 드 위츠(De Witz, Christiane), 브로어(Broer, Dirk J.), 논문 초록, 제 226 회 ACS 전국 모임, 미국 뉴욕주 뉴욕, 2003년 9월 7일 내지 11일]에 공지되어 있다.This method, also referred to as "photo-embossing", is described in "photo-embossing as a tool for complex surface relief structures", De Witz, Christiane, Broer, Dirk J. 226th ACS National Meeting, New York, NY, September 7-11, 2003.

근래에는 데이터 전송, 저장 및 디스플레이용 광학 시스템에 사용되는 중합체에 상당한 관심이 기울여지고 있다. 중합체 필름 또는 층의 표면에 구조를 부여함으로써, 이들 층을 통과하는 광을 조절할 수 있다. 예를 들어, 표면 구조체가 작은 반구형 요소를 함유하는 경우, 투과광을 집중시킬 수 있는 렌즈 어레이가 수득된다. 이러한 요소는 예를 들어 디스플레이의 투명한 구역에 광을 집중시키기 위한 액정 디스플레이의 백라이트(backlight)에 유용하다. 이러한 유형의 용도에 있어서는, 종종 구조 프로파일의 형상을 ㎛ 영역으로 낮출 필요가 있다. 또한, 표면 구조체의 규칙적인 패턴은 투과시 단일 빔을 예컨대 원거리 통신 장치에서 빔 스플리터(beam splitter)로서 사용될 수 있는 다중 빔으로 쪼개도록 광을 회절시킬 수 있다. 표면 구조체는 또한 광의 굴절률을 조절하는 데에도 중요하다. 이는 표면의 거울 반사를 억제하는데 성공적으로 적용될 수 있다. 이 소위 눈부심 방지(anti-glare) 효과는 예를 들어 텔레비젼 세트의 전면 스크린에 적용된다. 그러나, 글레이징(glazing), 자동차 마무리제 등과 같은 용도에도 사용된다. 잘-한정된 표면 프로파일을 갖는 중합체 필름에 증발된 알루미늄 또는 스퍼터링된 은 같은 공형(conformal) 반사성 필름이 제공될 수 있다. 이 거울에 입사하는 입사광은 반사시 매우 조절된 방식으로 공간에 분배된다. 이는 예컨대 반사 액정 디스플레이용 내부 확산 반사기를 제조하는데 사용된다. 표면 프로파일의 다른 용도는 로터스(Lotus) 효과로 알려진 오염 방지 구조체를 생성시키는 것이다. 여기에는 1㎛보다 작은 치수를 갖는 표면 프로파일이 필요하다.In recent years, considerable attention has been paid to polymers used in optical systems for data transmission, storage and display. By imparting a structure to the surface of the polymer film or layer, the light passing through these layers can be controlled. For example, if the surface structure contains small hemispherical elements, a lens array capable of concentrating transmitted light is obtained. Such elements are useful, for example, in the backlight of liquid crystal displays for focusing light in transparent areas of the display. For this type of use, it is often necessary to lower the shape of the structural profile to a micrometer area. In addition, the regular pattern of the surface structure can diffract the light to split the single beam into multiple beams that can be used, for example, as beam splitters in telecommunication devices, in transmission. Surface structures are also important for controlling the refractive index of light. This can be successfully applied to suppress the specular reflection of the surface. This so-called anti-glare effect is applied to the front screen of a television set, for example. However, it is also used in applications such as glazing, automotive finishes and the like. A conformal reflective film such as evaporated aluminum or sputtered silver can be provided in a polymer film having a well-defined surface profile. Incident light incident on this mirror is distributed in space in a highly controlled manner upon reflection. It is used for example to manufacture internal diffuse reflectors for reflective liquid crystal displays. Another use of surface profiles is to create antifouling structures known as the Lotus effect. This requires a surface profile with dimensions smaller than 1 μm.

UV 광-중합 같은 전자기선 유도되는 중합은 예를 들어 두 (메트)아크릴레이트 단량체와 광-개시제의 혼합물로부터 장치를 제조하는 방법이다. UV 광이 광-개시제를 활성화시킬 수 있는 영역에서만 중합 반응이 개시된다. 또한, 광 강도를 공간에 따라 변화시킬 수 있고, 따라서 중합 속도를 변화시킬 수 있다. 단량체 반 응성, 크기 또는 길이, 가교결합능 및 강력한 상호작용의 차이에 의해 단량체의 화학적 잠재력에 구배가 생긴다. 이들 화학적 잠재력은 조명되는 영역에서 단량체 이동 및 중합체 침윤의 구동력을 생성시킨다. 단량체 확산 계수는 이 이동이 일어나는 시간-스케일을 결정한다. 이어, 패턴화된 UV 조명동안보다 더 높은 강도를 갖는 균일한 UV 조명을 사용하여 전체 필름을 중합시킨다.Electromagnetic radiation induced polymerization, such as UV photo-polymerization, is, for example, a method of making a device from a mixture of two (meth) acrylate monomers and a photo-initiator. The polymerization reaction is initiated only in the region where UV light can activate the photo-initiator. In addition, the light intensity can be changed according to the space, and thus the polymerization rate can be changed. Differences in monomer reactivity, size or length, crosslinking capacity, and strong interactions create gradients in the chemical potential of the monomers. These chemical potentials create driving forces for monomer migration and polymer infiltration in the illuminated area. The monomer diffusion coefficient determines the time-scale at which this shift occurs. The entire film is then polymerized using uniform UV illumination with higher intensity than during patterned UV illumination.

따라서, 두 액체 단량체의 혼합물의 패턴화된 UV 광-중합에 의해 중합체 구조체가 생성된다. 이는 홀로그래피(holography) 또는 리쏘그래피(lithography) 방식으로 이루어질 수 있다. 홀로그래피의 경우에는, 두 가(可)간접성(coherent) 광 빔의 간섭 패턴이 높고 낮은 광 강도의 영역을 생성시킨다. 리쏘그래피의 경우에는, 포토-마스크를 사용하여 이들 강도 차이를 생성시킨다. 예컨대 줄무늬 마스크를 사용하는 경우에는, 격자 모양이 생성된다. 원형 구멍을 갖는 마스크가 사용되는 경우에는, 마이크로렌즈 구조체가 생성된다. 중합체중 단량체-단위 농도의 방계 변화(lateral variation)에 의해 굴절률 차이가 야기된다.Thus, the polymer structure is produced by patterned UV photo-polymerization of a mixture of two liquid monomers. This can be done by holography or lithography. In the case of holography, the interference pattern of two coherent light beams produces regions of high and low light intensity. In the case of lithography, a photo-mask is used to create these intensity differences. For example, in the case of using a striped mask, a grid shape is generated. When a mask having a circular hole is used, a microlens structure is generated. The difference in refractive index is caused by the lateral variation of the monomer-unit concentration in the polymer.

표면 구조체를 생성시키는 더욱 우수한 방법은 기본적으로 중합체, 단량체 및 개시제의 블렌드로 구성되는 블렌드를 사용하는 것이다. 중합체는 단일 중합체 물질일 수 있으나, 또한 하나보다 많은 중합체의 블렌드일 수도 있다. 유사하게, 단량체는 단일 화합물일 수 있으나, 또한 몇개의 단량체 물질로 구성될 수도 있다. 개시제는 바람직하게는 광 개시제이지만, 때때로는 광 개시제와 열 개시제의 혼합물이다. 가공, 예컨대 회전 코팅에 의한 박막 형성을 향상시키기 위하여, 이 혼합물을 통상적으로는 유기 용매에 용해시킨다. 중합체 및 단량체의 블렌딩 조건 및 특성은 용매의 증발 후 고체 필름이 생성되도록 선택된다. 일반적으로, 이에 의해 UV 광에 대해 패턴화된 노출시 잠상이 형성될 수 있다. 가열시켜 중합 및 확산을 동시에 일으키고, 따라서 노출된 구역에서 물질 부피를 증가시키거나 그 역으로 함으로써(이에 의해 표면 변형이 생성됨), 잠상을 표면 프로파일로 현상시킬 수 있다.A better way to produce the surface structure is to use a blend consisting essentially of a blend of polymers, monomers and initiators. The polymer may be a single polymer material, but may also be a blend of more than one polymer. Similarly, the monomer may be a single compound, but may also consist of several monomer materials. The initiator is preferably a photoinitiator, but sometimes it is a mixture of a photoinitiator and a thermal initiator. In order to improve the formation of thin films by processing, such as by spin coating, this mixture is usually dissolved in an organic solvent. Blending conditions and properties of the polymer and monomer are chosen such that a solid film is produced after evaporation of the solvent. In general, a latent image can be formed upon exposure patterned to UV light. Heating can cause polymerization and diffusion at the same time, thus increasing the material volume in the exposed zones and vice versa, thereby creating a surface deformation, thereby developing the latent image into a surface profile.

이 방법의 약점은 이 광-엠보싱 방법에 의해 제조되는 생성된 양각 구조체가 상당히 낮은 종횡비를 갖는다는 것이다. 종횡비(AR)는 양각 높이와 이웃한 양각 사이의 거리(또는 피치)의 비로서 정의된다. 양각 구조체의 가장자리는 날카롭지 않거나 또는 정확하게 재생산되지 않는데, 이는 목표한 광학 기능 또는 다른 기능이 최적 미만이기 때문이다.The disadvantage of this method is that the resulting relief structures produced by this photo-embossing method have a significantly lower aspect ratio. Aspect ratio AR is defined as the ratio of the distance (or pitch) between relief height and neighboring reliefs. The edges of the relief structure are not sharp or accurately reproduced because the desired optical or other function is less than optimal.

도 1은 비교 실험 A에서 제조된 양각 구조체의 원자 현미경 사진이다.1 is an atomic micrograph of an embossed structure prepared in Comparative Experiment A. FIG.

도 2는 실시예 I에서 실리콘유를 사용하여 제조된 양각 구조체의 원자 현미경 사진이다.2 is an atomic micrograph of an embossed structure prepared using silicone oil in Example I. FIG.

도 3은 비교 실험 B에서 홀로그래피에 의해 제조된 양각 구조체의 원자 현미경 사진이다.3 is an atomic micrograph of an embossed structure prepared by holography in Comparative Experiment B. FIG.

도 4는 실시예 II에서 실리콘유를 사용하여 홀로그래피에 의해 제조된 양각 구조체의 원자 현미경 사진이다.4 is an atomic micrograph of an embossed structure prepared by holography using silicone oil in Example II.

본 발명은 중합체 양각 구조체를 제조하는 개선된 방법을 제공하며, 광 엠보싱의 단계 (c) 동안 코팅된 기판의 계면의 표면 장력을 감소시키는 화합물(Cs)이 존재함을 특징으로 한다. The present invention provides an improved method for producing a polymer relief structure, characterized by the presence of compound (Cs) which reduces the surface tension of the interface of the coated substrate during step (c) of light embossing.

그 결과, 향상된 양각 종횡비(개선은 전형적으로 2배 이상의 증가를 보여줌) 및 가장자리가 훨씬 더 날카로운 양각을 갖는 양각 구조체가 수득된다.As a result, an embossed structure is obtained having an improved relief aspect ratio (an improvement typically shows a more than twofold increase) and an edge with much sharper relief.

계면의 표면 장력을 감소시키는데 사용되는 화합물(Cs)은 둘 이상의 별개의 방식으로 적용될 수 있다. 첫번째 방식은 본 방법의 단계 (b)로부터 생성된 코팅된 기판에 Cs를 적용시킨 후 단계 (c)를 수행하는 방법이다. 두번째 방식은 본 방법의 단계 (a)에 사용되는 코팅제에 Cs를 미리 존재시키는 방법이다. 그 결과, Cs는 단계 (b) 및 단계 (c)에 존재한다.Compounds (Cs) used to reduce the surface tension of the interface can be applied in two or more separate ways. The first method is a method of performing step (c) after applying Cs to the coated substrate produced from step (b) of the method. The second way is to pre-exist Cs in the coating used in step (a) of the process. As a result, Cs is present in steps (b) and (c).

본 방법의 단계 (a)에 사용되는 코팅은 일반적으로 전자기선을 통해 중합될 수 있는 C=C 불포화 단량체인 하나 이상의 선 감수성 구성성분을 포함한다. 이들 구성성분은 그 자체로서, 또한 용액의 형태로도 사용될 수 있다.The coating used in step (a) of the process generally comprises one or more line sensitive components which are C = C unsaturated monomers which can be polymerized via electromagnetic radiation. These components can be used on their own and also in the form of solutions.

(습식) 코팅 침착 분야에 공지되어 있는 임의의 방법에 의해 기판 상에 코팅제를 도포할 수 있다. 적합한 방법의 예는 회전 코팅, 침지 코팅, 분무 코팅, 유동 코팅, 메니스커스(meniscus) 코팅, 독터 블레이딩, 모세관 코팅 및 롤 코팅이다.The coating can be applied onto the substrate by any method known in the (wet) coating deposition art. Examples of suitable methods are spin coating, dip coating, spray coating, flow coating, meniscus coating, doctor blading, capillary coating and roll coating.

전형적으로는, 선 감수성 구성성분을 바람직하게는 하나 이상의 용매 및 임의적으로는 가교결합 개시제와 혼합하여, 선택된 도포 방법을 이용하여 기판에 도포하기 적합한 혼합물을 제조한다.Typically, the linearly sensitive constituent is preferably mixed with one or more solvents and optionally a crosslinking initiator to produce a mixture suitable for application to the substrate using the chosen application method.

원칙적으로는, 다양한 용매를 사용할 수 있다. 그러나, 용매 및 혼합물에 존재하는 모든 다른 물질의 조합은 우선적으로 안정한 현탁액 또는 용액을 생성시켜야 한다.In principle, various solvents can be used. However, the combination of solvent and all other materials present in the mixture should preferentially produce a stable suspension or solution.

바람직하게는, 사용된 용매는 기판상에 코팅제를 도포한 후 증발시킨다. 본 발명에 따른 방법에서는, 임의적으로 코팅제를 기판에 도포한 후 가열하거나 진공에서 처리하여 용매의 증발을 돕는다.Preferably, the solvent used is evaporated after applying the coating on the substrate. In the process according to the invention, the coating is optionally applied to a substrate and then heated or treated in vacuo to help evaporate the solvent.

적합한 용매의 예는 1,4-다이옥세인, 아세톤, 아세토나이트릴, 클로로폼, 클로로페놀, 사이클로헥세인, 사이클로헥산온, 사이클로펜탄온, 다이클로로메테인, 다이에틸 아세테이트, 다이에틸 케톤, 다이메틸 카본에이트, 다이메틸폼아마이드, 다이메틸설폭사이드, 에탄올, 에틸 아세테이트, m-크레솔, 모노- 및 다이-알킬 치환된 글라이콜, N,N-다이메틸아세트아마이드, p-클로로페놀, 1,2-프로페인다이올, 1-펜탄올, 1-프로판올, 2-헥산온, 2-메톡시에탄올, 2-메틸-2-프로판올, 2-옥탄온, 2-프로판올, 3-펜탄온, 4-메틸-2-펜탄온, 헥사플루오로아이소프로판올, 메탄올, 메틸 아세테이트, 뷰틸 아세테이트, 메틸 아세토아세테이트, 메틸 에틸 케톤, 메틸 프로필 케톤, n-메틸피롤리돈-2, n-펜틸 아세테이트, 페놀, 테트라플루오로-n-프로판올, 테트라플루오로아이소프로판올, 테트라하이드로퓨란, 톨루엔, 자일렌 및 물이다. 고분자량 알콜을 사용하면 아크릴레이트의 용해도가 문제가 될 수 있으나, 알콜, 케톤 및 에스터계 용매도 사용할 수 있다. 할로겐화된 용매(예: 다이클로로메테인 및 클로로폼) 및 탄화수소(예: 헥세인 및 사이클로헥세인)가 적합하다.Examples of suitable solvents are 1,4-dioxane, acetone, acetonitrile, chloroform, chlorophenol, cyclohexane, cyclohexanone, cyclopentanone, dichloromethane, diethyl acetate, diethyl ketone, di Methyl carbonate, dimethylformamide, dimethylsulfoxide, ethanol, ethyl acetate, m-cresol, mono- and di-alkyl substituted glycols, N, N-dimethylacetamide, p-chlorophenol, 1,2-propanediol, 1-pentanol, 1-propanol, 2-hexanone, 2-methoxyethanol, 2-methyl-2-propanol, 2-octanone, 2-propanol, 3-pentanone , 4-methyl-2-pentanone, hexafluoroisopropanol, methanol, methyl acetate, butyl acetate, methyl acetoacetate, methyl ethyl ketone, methyl propyl ketone, n-methylpyrrolidone-2, n-pentyl acetate, phenol Tetrafluoro-n-propanol, tetrafluoroisopropane , Tetrahydrofuran, toluene, xylene, and water is alkylene. The use of high molecular weight alcohols may be a problem of acrylate solubility, but alcohols, ketones and ester solvents may also be used. Halogenated solvents such as dichloromethane and chloroform and hydrocarbons such as hexane and cyclohexane are suitable.

혼합물은 바람직하게는 중합체 물질을 함유한다. 실제로, 다른 성분과 함께 균질한 혼합물을 생성시키는 각각의 중합체를 사용할 수 있다. 잘 연구된 중합체는 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리메틸아크릴레이트, 폴리스타이렌, 폴리벤질메타크릴레이트, 폴리아이소본일메타크릴레이트이다. 또한 다수의 다른 중합체도 적용될 수 있다. 혼합물은 또한 분자량이 비교적 낮은, 즉 1500보다 더 작은 화합물인 단량체 화합물(이는 반응성 입자, 즉 자유 라디칼 또는 양이온성 입자와 접촉할 때 중합됨)도 함유한다. 바람직한 실시양태에서, 단량체 또는 단량체 혼합물의 단량체중 하나는 중합시 중합체 망상구조를 생성시키도록 하는 하나보다 많은 중합 기를 함유한다. 또한, 바람직한 실시양태에서, 단량체는 하기 부류의 반응성 기를 함유하는 분자이다: 비닐, 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 에폭사이드, 비닐에터 또는 티올-엔. 혼합물은 또한 화학선에 노출시 반응성 입자, 즉 자유-라디칼 또는 양이온성 입자를 발생시키는 화합물인 감광성 성분도 함유한다.The mixture preferably contains a polymeric material. Indeed, it is possible to use individual polymers which produce a homogeneous mixture with other components. Well studied polymers are polymethyl methacrylate, polymethyl acrylate, polystyrene, polybenzyl methacrylate, polyisobonyl methacrylate. Many other polymers may also be applied. The mixture also contains monomeric compounds, which are compounds of relatively low molecular weight, ie smaller than 1500, which polymerize when contacted with reactive particles, ie free radicals or cationic particles. In a preferred embodiment, one of the monomers or monomers of the monomer mixture contains more than one polymerizable group which allows to produce a polymer network upon polymerization. In a preferred embodiment, the monomer is also a molecule containing reactive groups of the following classes: vinyl, acrylate, methacrylate, epoxide, vinylether or thiol-ene. The mixture also contains a photosensitive component which is a compound that generates reactive particles, ie free-radical or cationic particles upon exposure to actinic radiation.

중합 구성성분으로서 사용하기 적합하고 분자당 둘 이상의 가교결합 가능한 기를 갖는 단량체의 에는 트라이메틸올프로페인 트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 (메트)아크릴레이트, 에틸렌 글라이콜 다이(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌 글라이콜 다이(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌 글라이콜 다이(메트)아크릴레이트, 1,4-뷰테인다이올 다이(메트)아크릴레이트, 1,6-헥세인다이올 다이(메트)아크릴레이트, 네오펜틸 글라이콜 다이(메트)아크릴레이트, 폴리뷰테인다이올 다이(메트)아크릴레이트, 트라이프로필렌글라이콜 다이(메트)아크릴레이트, 글라이세롤 트라이(메트)아크릴레이트, 인산 모노- 및 다이(메트)아크릴레이트, C7-C20 알킬 다이(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올프로페인트라이옥시에틸 (메트)아크릴레이트, 트리스(2-하이드록시에틸)아이소사이아뉴레이트 트라이(메트)아크릴레이트, 트리스(2-하이드록시에틸)아이소사이아뉴레이트 다이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨 모노하이드록시 펜타크릴레이트, 다이펜타에리트리톨 헥사크릴레이트, 트라이사이클로데케인 다이일 다이메틸 다이(메트)아크릴레이트 및 알콕실화, 바람직하게는 에톡실화 및/또는 프로폭실화된 상기 임의의 단량체, 및 비스페놀 A로의 에틸렌 옥사이드 또는 프로필렌 옥사이드 부가물인 다이올의 다이(메트)아크릴레이트, 수소화된 비스페놀 A로의 에틸렌 옥사이드 또는 프로필렌 옥사이드 부가물인 다이올의 다이(메트)아크릴레이트, 다이글라이시딜 에터의 비스페놀 A로의 (메트)아크릴레이트 부가물인 에폭시 (메트)아크릴레이트, 폴리옥시알킬화된 비스페놀 A의 다이아크릴레이트 및 트라이에틸렌 글라이콜 다이비닐 에터, 하이드록시에틸 아크릴레이트, 아이소포론 다이아이소사이아네이트 및 하이드록시에틸 아크릴레이트의 부가물(HIH), 하이드록시에틸 아크릴레이트, 톨루엔 다이아이소사이아네이트 및 하이드록시에틸 아크릴레이트의 부가물(HTH) 및 아마이드 에스터 아크릴레이트 같은 (메트)아크릴로일기 함유 단량체를 포함한다.Examples of monomers suitable for use as polymerization components and having two or more crosslinkable groups per molecule include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol (meth) acrylate, ethylene glycol di (meth) acrylic Rate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di ( Meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, polybutanediol di (meth) acrylate, tripropylene glycol di (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate acid, phosphoric acid mono- and di (meth) acrylates, C 7 -C 20 alkyl di (meth) acrylate, trimethylol pro paint Lai oxyethyl (meth) acrylate, tris (2-hydroxy Ciethyl) isocyanurate tri (meth) acrylate, tris (2-hydroxyethyl) isocyanurate di (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) Acrylates, dipentaerythritol monohydroxy pentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, tricyclodecane diyl dimethyl di (meth) acrylate and alkoxylated, preferably ethoxylated and / or propoxy Any of the above monomers emulsified and di (meth) acrylates of diols which are ethylene oxide or propylene oxide adducts to bisphenol A, di (meth) acrylates of diols which are ethylene oxide or propylene oxide adducts to hydrogenated bisphenol A, Is a (meth) acrylate adduct of diglycidyl ether to bisphenol A Adducts of epoxy (meth) acrylates, diacrylates of polyoxyalkylated bisphenol A and triethylene glycol divinyl ether, hydroxyethyl acrylate, isophorone diisocyanate and hydroxyethyl acrylate ( HIH), hydroxyethyl acrylate, toluene diisocyanate and (meth) acryloyl group-containing monomers such as adducts of hydroxyethyl acrylate (HTH) and amide ester acrylates.

분자당 가교결합기를 한 개만 갖는 적합한 단량체의 예는 N-비닐 피롤리돈, N-비닐 카프로락탐, 비닐 이미다졸, 비닐 피리딘 같은 비닐기를 함유하는 단량체; 아이소본일 (메트)아크릴레이트, 본일 (메트)아크릴레이트, 트라이사이클로데칸일 (메트)아크릴레이트, 다이사이클로펜탄일 (메트)아크릴레이트, 다이사이클로펜텐일 (메트)아크릴레이트, 사이클로헥실 (메트)아크릴레이트, 벤질 (메트)아크릴레이트, 4-뷰틸사이클로헥실 (메트)아크릴레이트, 아크릴로일 모폴린, (메트)아크릴산, 2-하이드록시에틸 (메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필 (메트)아크릴레이트, 2-하이드록시뷰틸 (메트)아크릴레이트, 메틸 (메트)아크릴레이트, 에틸 (메트)아크릴레이트, 프로필 (메트)아크릴레이트, 아이소프로필 (메트)아크릴레이트, 뷰틸 (메트)아크릴레이트, 아밀 (메트)아크릴레이트, 아이소뷰틸 (메트)아크릴레이트, 3급-뷰틸 (메트)아크릴레이트, 펜틸 (메트)아크릴레이트, 카프로락톤 아크릴레이트, 아이소아밀 (메트)아크릴레이트, 헥실 (메트)아크릴레이트, 헵틸 (메트)아크릴레이트, 옥틸 (메트)아크릴레이트, 아이소옥틸 (메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메트)아크릴레이트, 노닐 (메트)아크릴레이트, 데실 (메트)아크릴레이트, 아이소데실 (메트)아크릴레이트, 트라이데실 (메트)아크릴레이트, 운데실 (메트)아크릴레이트, 라우릴 (메트)아크릴레이트, 스테아릴 (메트)아크릴레이트, 아이소스테아릴 (메트)아크릴레이트, 테트라하이드로퓨르퓨릴 (메트)아크릴레이트, 뷰톡시에틸 (메트)아크릴레이트, 에톡시다이에틸렌 글라이콜 (메트)아크릴레이트, 벤질 (메트)아크릴레이트, 페녹시에틸 (메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌 글라이콜 모노(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌 글라이콜 모노(메트)아크릴레이트, 메톡시에틸렌 글라이콜 (메트)아크릴레이트, 에톡시에틸 (메트)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌 글라이콜 (메트)아크릴레이트, 메톡시폴리프로필렌 글라이콜 (메트)아크릴레이트, 다이아세톤 (메트)아크릴아마이드, 베타-카복시에틸 (메트)아크릴레이트, 프탈산 (메트)아크릴레이트, 아이소뷰톡시메틸 (메트)아크릴아마이드, N,N-다이메틸 (메트)아크릴아마이드, 3급-옥틸 (메트)아크릴아마이드, 다이메틸아미노에틸 (메트)아크릴레이트, 다이에틸아미노에틸 (메트)아크릴레이트, 뷰틸카밤일에틸 (메트)아크릴레이트, n-아이소프로필 (메트)아크릴아마이드 플루오르화 (메트)아크릴레이트, 7-아미노-3,7-다이메틸옥틸 (메트)아크릴레이트, N,N-다이에틸 (메트)아크릴아마이드, N,N-다이메틸아미노프로필 (메트)아크릴아마이드, 하이드록시뷰틸 비닐 에터, 라우릴 비닐 에터, 세틸 비닐 에터, 2-에틸헥실 비닐 에터; 및 하기 화학식 I로 표시되는 화합물; 및 에톡실화된 아이소데실 (메트)아크릴레이트, 에톡실화된 라우릴 (메트)아크릴레이트 등과 같은 알콕실화된 지방족 일작용성 단량체를 포함한다:Examples of suitable monomers having only one crosslinking group per molecule include monomers containing vinyl groups such as N-vinyl pyrrolidone, N-vinyl caprolactam, vinyl imidazole, vinyl pyridine; Isobonyl (meth) acrylate, Bonyl (meth) acrylate, tricyclodecaneyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) Acrylate, benzyl (meth) acrylate, 4-butylcyclohexyl (meth) acrylate, acryloyl morpholine, (meth) acrylic acid, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth ) Acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate , Amyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, caprolactone acrylate, isoamyl (meth) Acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, Decyl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate, tridecyl (meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, isostearyl (Meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, butoxyethyl (meth) acrylate, ethoxydiethylene glycol (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, phenoxyethyl (meth ) Acrylate, polyethylene glycol mono (meth) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) acrylate, methoxyethylene glycol (meth) acrylate, ethoxyethyl (meth) Acrylate, methoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, methoxypolypropylene glycol (meth) acrylate, diacetone (meth) acrylamide, beta-carboxyethyl (meth) acrylate, phthalic acid (meth) Acrylate, isobutoxymethyl (meth) acrylamide, N, N-dimethyl (meth) acrylamide, tert-octyl (meth) acrylamide, dimethylaminoethyl (meth) acrylate, diethylaminoethyl ( Meth) acrylate, butylcarbamylethyl (meth) acrylate, n-isopropyl (meth) acrylamide fluorinated (meth) acrylate, 7-amino-3,7-dimethyloctyl (meth) acrylate, N , N-diethyl (meth) acrylamide, N, N-dimethylaminopropyl (meth) acrylamide, hydroxybutyl vinyl ether, lauryl vinyl ether, cetyl vinyl ether, 2-ethylhexyl vinyl ether; And a compound represented by formula (I); And alkoxylated aliphatic monofunctional monomers such as ethoxylated isodecyl (meth) acrylate, ethoxylated lauryl (meth) acrylate, and the like:

CH2=C(R6)-COO(R7O)m-R8 CH 2 = C (R 6 ) -COO (R 7 O) m -R 8

상기 식에서, Where

R6은 수소 원자 또는 메틸기이고;R 6 is a hydrogen atom or a methyl group;

R7은 2 내지 8개, 바람직하게는 2 내지 5개의 탄소 원자를 함유하는 알킬렌기이고;R 7 is an alkylene group containing 2 to 8, preferably 2 to 5 carbon atoms;

m은 0 내지 12, 바람직하게는 1 내지 8의 정수이고;m is an integer of 0 to 12, preferably 1 to 8;

R8은 수소 원자, 또는 1 내지 12개, 바람직하게는 1 내지 9개의 탄소 원자를 함유하는 알킬기이거나, 또는 R8은 1 내지 2개의 탄소 원자를 갖는 알킬기로 임의적으로 치환되는 탄소 원자 4 내지 20개의 알킬기를 포함하는 테트라하이드로퓨란기이거나, 또는 R8은 메틸기로 임의적으로 치환되는 탄소 원자 4 내지 20개의 알킬기를 포함하는 다이옥세인기이거나, 또는 R8은 C1-C12 알킬기, 바람직하게는 C8-C9 알킬기로 임의적으로 치환되는 방향족 기이다.R 8 is a hydrogen atom or an alkyl group containing 1 to 12, preferably 1 to 9 carbon atoms, or R 8 is a carbon atom 4 to 20 optionally substituted by an alkyl group having 1 to 2 carbon atoms Is a tetrahydrofuran group containing 3 alkyl groups, or R 8 is a dioxane group containing 4 to 20 carbon atoms optionally substituted with a methyl group, or R 8 is a C 1 -C 12 alkyl group, preferably Aromatic groups optionally substituted with C 8 -C 9 alkyl groups.

선 감수성 구성성분으로서 사용하기에 적합한 올리고머는 예를 들어 방향족 또는 지방족 우레탄 아크릴레이트 또는 페놀계 수지(예: 비스페놀 에폭시 다이아크릴레이트)를 기제로 하는 올리고머, 및 에톡실레이트로 쇄 연장된 상기 임의의 올리고머이다. 우레탄 올리고머는 예컨대 폴리올 주쇄, 예를 들어 폴리에터 폴리올, 폴리에스터 폴리올, 폴리카본에이트 폴리올, 폴리카프로락톤 폴리올, 아크릴 폴리올 등을 기제로 할 수 있다. 이들 폴리올을 개별적으로 또는 둘 이상 조합하여 사용할 수 있다. 이들 폴리올의 구조 단위의 중합 방식에 대해서는 구체적으로 제한되는 바가 없다. 랜덤 중합, 블록 중합 또는 그라프트 중합중 임의의 방법을 이용할 수 있다. 우레탄 올리고머를 제조하는데 적합한 폴리올, 폴리아이소사이아네이트 및 하이드록실기-함유 (메트)아크릴레이트의 예는 본원에 참고로 인용된 WO 00/18696 호에 개시되어 있다.Oligomers suitable for use as pre-sensitive components include, for example, oligomers based on aromatic or aliphatic urethane acrylates or phenolic resins such as bisphenol epoxy diacrylates, and any of the foregoing chain-extended with ethoxylates Oligomers. The urethane oligomers can be based, for example, on polyol backbones such as polyether polyols, polyester polyols, polycarbonate polyols, polycaprolactone polyols, acrylic polyols and the like. These polyols can be used individually or in combination of two or more. There is no restriction | limiting in particular about the polymerization system of the structural unit of these polyols. Any method of random polymerization, block polymerization or graft polymerization can be used. Examples of polyols, polyisocyanates and hydroxyl group-containing (meth) acrylates suitable for preparing urethane oligomers are disclosed in WO 00/18696, which is incorporated herein by reference.

함께 가교결합된 상을 형성할 수 있고 따라서 조합되어 반응성 희석제로서 사용하기 적합한 화합물의 조합은 예를 들어 에폭시와 조합된 카복실산 및/또는 카복실산 무수물, 하이드록시 화합물(특히, 2-하이드록시알킬아마이드)과 조합된 산, 아이소사이아네이트(예컨대, 블로킹된 아이소사이아네이트), 우레트다이온 또는 카 보다이이미드와 조합된 아민, 아민 또는 다이사이안다이아마이드와 조합된 에폭시, 아이소사이아네이트와 조합된 하이드라진아마이드, 아이소사이아네이트(예컨대, 블로킹된 아이소사이아네이트), 우레트다이온 또는 카보다이이미드와 조합된 하이드록시 화합물, 무수물과 조합된 하이드록시 화합물, (에터화된) 메틸올아마이드("아미노-수지")와 조합된 하이드록시 화합물, 아이소사이아네이트와 조합된 티올, 아크릴레이트 또는 다른 비닐 화합물(임의적으로 라디칼 개시됨)과 조합된 티올, 아크릴레이트와 조합된 아세토아세테이트, 및 양이온성 가교결합이 이용되는 경우 에폭시 또는 하이드록시 화합물과 에폭시 화합물이다.Combinations of compounds which can form a crosslinked phase together and are thus combined to be suitable for use as reactive diluents are for example carboxylic acids and / or carboxylic anhydrides, hydroxy compounds (especially 2-hydroxyalkylamides) in combination with epoxy. In combination with acids, isocyanates (such as blocked isocyanates), urethanedione or carbodiimide in combination with amines, amines or dicyandiamides in combination with epoxy, isocyanates Hydrazineamides, isocyanates (such as blocked isocyanates), hydroxy compounds in combination with uretdione or carbodiimide, hydroxy compounds in combination with anhydrides, (etherified) methylolamide ( Hydroxy compound in combination with "amino-resin", thiol in combination with isocyanate, acrylate Is an epoxy or hydroxy compounds and epoxy compounds when the acetoacetate, and cationic cross-linking in combination with other vinyl compounds (optionally radical initiated search) and the combined thiol, acrylate is used.

선 감수성 구성성분으로서 사용될 수 있는 다른 가능한 화합물은 수분 경화성 아이소사이아네이트, 알콕시/아실옥시-실레인의 수분 경화성 혼합물, 알콕시 티탄에이트, 알콕시 지르콘에이트, 또는 우레아-, 우레아/멜라민-, 멜라민-폼알데하이드 또는 페놀-폼알데하이드(레졸, 노볼락 유형), 또는 라디칼 경화성 (과산화물- 또는 광-개시되는) 에틸렌성 불포화 일작용성 및 다작용성 단량체 및 중합체, 예를 들어, 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 말리에이트/비닐 에터, 또는 스타이렌 및/또는 메타크릴레이트중의 라디칼 경화성 (과산화물- 또는 광-개시되는) 불포화 말레산 또는 퓨마르산 폴리에스터이다.Other possible compounds that can be used as the line sensitive constituents are moisture curable isocyanates, moisture curable mixtures of alkoxy / acyloxy-silanes, alkoxy titaniumates, alkoxy zirconates, or urea-, urea / melamine-, melamine- Formaldehyde or phenol-formaldehyde (resol, novolac type), or radically curable (peroxide- or photo-initiated) ethylenically unsaturated monofunctional and multifunctional monomers and polymers, such as acrylates, methacrylates, Mali Radical / curable (peroxide- or photo-initiated) unsaturated maleic or fumaric acid polyesters in ate / vinyl ether, or styrene and / or methacrylate.

바람직하게는, 도포되는 코팅제는 또한 바람직하게는 선 감수성 구성성분의 가교결합으로부터 생성되는 중합체와 동일한 특성을 갖는 중합체도 포함한다. 바람직하게는, 이 중합체는 20,000g/몰 이상의 중량-평균 분자량(Mw)을 갖는다.Preferably, the coating agent to be applied also includes polymers which preferably have the same properties as the polymers resulting from crosslinking of the linearly sensitive constituents. Preferably, this polymer has a weight-average molecular weight (Mw) of at least 20,000 g / mol.

코팅 단계 (a)에 사용되는 중합체는 바람직하게는 300K 이상의 유리 전이 온 도를 갖는다. 바람직하게는, 단계 (a)에 사용되는 코팅제중 중합체는 단량체(들)에 용해되고, 단계 (a)의 선 감수성 코팅제 또는 본 발명의 방법의 단계 (a)의 코팅제에 사용되는 용매에 존재한다.The polymer used in the coating step (a) preferably has a glass transition temperature of at least 300K. Preferably, the polymer in the coating used in step (a) is dissolved in the monomer (s) and is present in the line sensitive coating of step (a) or in the solvent used in the coating of step (a) of the process of the invention. .

본 발명에 따른 방법에서는 기판으로서 다양한 기판을 사용할 수 있다. 적합한 기판은 예를 들어 폴리카본에이트, 폴리에스터, 폴리비닐 아세테이트, 폴리비닐 피롤리돈, 폴리비닐 클로라이드, 폴리이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리테트라플루오로-에틸렌, 나일론, 폴리노보넨의 필름, 또는 미정질 고체(예컨대, 유리) 또는 결정질 물질(예컨대, 비소화규소 또는 비소화갈륨)을 비롯한 편평하거나 구부러진 경질 또는 가요성 중합체 기판이다. 금속 기판도 사용할 수 있다. 디스플레이 용도에 사용하기 바람직한 기판은 예를 들어 유리, 폴리노보넨, 폴리에터설폰, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 셀룰로즈 트라이아세테이트, 폴리카본에이트 및 폴리에틸렌나프탈레이트이다. In the method according to the invention various substrates can be used as substrates. Suitable substrates are, for example, polycarbonate, polyester, polyvinyl acetate, polyvinyl pyrrolidone, polyvinyl chloride, polyimide, polyethylene naphthalate, polytetrafluoro-ethylene, nylon, films of polynorbornene, or Flat or bent hard or flexible polymer substrates, including microcrystalline solids (eg glass) or crystalline materials (eg silicon arsenide or gallium arsenide). Metal substrates can also be used. Preferred substrates for use in display applications are, for example, glass, polynorbornene, polyethersulfone, polyethylene terephthalate, polyimide, cellulose triacetate, polycarbonate and polyethylene naphthalate.

가교결합 반응을 개시시키기 위하여 개시제가 코팅제에 존재할 수 있다. 개시제의 양은 광범위하게 변할 수 있다. 개시제의 적합한 양은 예를 들어 가교결합 반응에 참여하는 화합물의 총 중량에 대해 0 내지 5중량%이다.An initiator may be present in the coating to initiate the crosslinking reaction. The amount of initiator can vary widely. Suitable amounts of initiator are, for example, from 0 to 5% by weight relative to the total weight of the compounds participating in the crosslinking reaction.

UV-가교결합을 이용하여 가교결합을 개시시키는 경우, 혼합물은 바람직하게 UV-광-개시제를 포함한다. 광-개시제는 광 흡수시 가교결합 반응을 개시시킬 수 있으며; 따라서 UV-광-개시제는 스펙트럼의 자외선 영역의 광을 흡수한다. 임의의 공지 UV-광-개시제를 본 발명에 따른 방법에 사용할 수 있다.When initiating crosslinking using UV-crosslinking, the mixture preferably comprises a UV-photo-initiator. Photo-initiators can initiate crosslinking reactions upon light absorption; The UV-light-initiator therefore absorbs light in the ultraviolet region of the spectrum. Any known UV-photo-initiator can be used in the process according to the invention.

바람직하게는, 중합 개시제는 광 개시제와 열 개시제의 혼합물을 포함한다.Preferably, the polymerization initiator comprises a mixture of photoinitiator and thermal initiator.

코팅제를 중합 및/또는 가교결합시켜 최종 코팅을 생성시킬 수 있는 임의의 가교결합 방법이 본 발명에 따른 방법에 이용하기 적합하다. 가교결합을 개시시키기에 적합한 방식은 예를 들어 전자 빔 선, 전자기선(UV, 가시광 및 근적외선), 열 및 수분-경화성 화합물이 사용되는 경우 수분 첨가이다. 바람직한 실시양태에서는, UV-선에 의해 가교결합시킨다. UV-가교결합은 자유 라디칼 메카니즘 또는 양이온성 메카니즘, 또는 이들의 조합을 통해 이루어질 수 있다. 다른 바람직한 실시양태에서, 가교결합은 열에 의해 이루어진다.Any crosslinking method which can polymerize and / or crosslink the coating to produce the final coating is suitable for use in the process according to the invention. Suitable modes for initiating crosslinking are, for example, water addition when electron beam rays, electromagnetic radiation (UV, visible and near infrared), heat and moisture-curable compounds are used. In a preferred embodiment, crosslinking is by UV-rays. UV-crosslinking can be through free radical mechanisms or cationic mechanisms, or a combination thereof. In another preferred embodiment, the crosslinking is by heat.

본 발명의 방법의 단계 (b)에서는, 공정 단계 (a)에서 생성된 코팅된 기판을 주기적이거나 간헐적인 선 강도 패턴을 갖는 전자기선으로 국부적으로 처리한 결과 잠상을 생성시킨다. 한 바람직한 실시양태에서는, 마스크와 함께 UV-광을 사용하여 이러한 처리를 수행한다. 다른 바람직한 실시양태에서는, 광 간섭/홀로그래피를 이용함으로써 이 처리를 수행한다. 또 다른 실시양태는 전자 빔 리쏘그래피를 이용하는 것이다.In step (b) of the process of the invention, the coated substrate produced in process step (a) is locally treated with electromagnetic radiation having a periodic or intermittent line intensity pattern to produce a latent image. In one preferred embodiment, this treatment is carried out using UV-light with a mask. In another preferred embodiment, this treatment is performed by using optical interference / holography. Another embodiment is to use electron beam lithography.

본 발명의 필수적인 특징은 광-중합체와 그 주변 사이의 계면 장력을 감소시키는 화합물(Cs)의 사용이다. 이 용어의 경우, 지스맨-플롯(Zisman-plot)을 이용함으로써 공기와 고체의 계면 장력을 결정하는 방법에 대해 기재되어 있는 문헌["Polymer Surfces", 가보씨(F. Garbossi) 등, Wiley 1994, 페이지 183-184]을 참조한다. 본 발명의 이점을 달성 및 평가하기 위해서는, 먼저 Cs를 제외한 모든 구성성분을 사용하여 수득되는 코팅된 기판의 (공기와의) 계면 장력을 결정하고 이렇게 수득된 값을, 모든 구성성분을 사용하여(따라서 Cs를 포함하여) 수득되는 코 팅된 기판의 계면 장력과 비교하는 것이 적당하다[프라이어(Fryer) 등, Macromolecules, 2001, 34, 페이지 5627-5634 참조]. 바람직하게는, Cs는 계면 장력을 10mJ/m2 이상 감소시킨다.An essential feature of the invention is the use of compounds (Cs) which reduce the interfacial tension between the photo-polymer and its surroundings. For this term, "Polymer Surfces", F. Garbossi et al., Wiley 1994, which describe a method for determining the interfacial tension of air and solids by using a Zisman-plot. , Pages 183-184. In order to achieve and evaluate the advantages of the present invention, it is first necessary to determine the interfacial tension (with air) of the coated substrate obtained using all components except Cs, and then use the values obtained with all components ( It is therefore appropriate to compare the interfacial tension of the coated substrates obtained (including Cs) (see Freyer et al., Macromolecules, 2001, 34, pages 5627-5634). Preferably, Cs reduces the interfacial tension by 10 mJ / m 2 or more.

화합물 Cs로서 적합한 구성성분은 코팅된 기판의 표면 장력을 낮추는 화합물이다.Suitable components as compound Cs are compounds which lower the surface tension of the coated substrate.

Cs는 중합체 코팅에 혼화성 및 가용성일 필요가 없다. 이는, 극성 중합체 코팅제가 사용되는 경우에는 Cs가 비극성일 필요가 있는 반면, 비극성 코팅제가 사용되는 경우에는 Cs가 극성일 필요가 있음을 의미한다. 바람직하게는, Cs는 하기 특성중 하나 이상을 갖는다: 비-탄성 또는 비-점탄성; 낮은 점도; 거의 또는 전혀 휘발성이 아님; 공정 단계 (c) 후에 코팅된 기판으로부터 추출/제거가능함. 그 결과, 화합물 Cs로서 오일을 사용하는 것이 바람직하다. 비극성 오일로서 실리콘유, 파라핀유, (과)-플루오르화 오일을 언급할 수 있다. 극성 오일로서 글라이세롤, (폴리-)에틸렌 글라이콜을 언급할 수 있다. Cs need not be miscible and soluble in the polymer coating. This means that Cs needs to be nonpolar when polar polymer coatings are used, while Cs needs to be polar when nonpolar coatings are used. Preferably, Cs has one or more of the following properties: non-elastic or non-viscoelastic; Low viscosity; Little or no volatility; Extractable / removable from the coated substrate after process step (c). As a result, it is preferable to use oil as the compound Cs. As nonpolar oils, mention may be made of silicone oils, paraffin oils, and (and) -fluorinated oils. As polar oils mention may be made of glycerol, (poly-) ethylene glycol.

Cs는 바람직하게는 코팅제의 양에 대해 0.01 내지 1000중량%의 양으로 사용되고, 더욱 바람직하게 상기 양은 0.05 내지 500중량%이다.Cs is preferably used in an amount of 0.01 to 1000% by weight relative to the amount of the coating agent, more preferably 0.05 to 500% by weight.

공정 단계 (a) 내지 (c)가 수행되어야 하는 조건은 그 자체로 선 중합 기술 분야에 공지되어 있다. 상기 공정 단계의 온도로서, 바람직하게는 175 내지 375K가 단계 (b)에 이용되고, 300 내지 575K가 단계 (c)에 이용된다.The conditions under which process steps (a) to (c) must be carried out are known per se in the art of prepolymerisation. As the temperature of the process step, preferably 175 to 375 K is used in step (b) and 300 to 575 K is used in step (c).

본 발명의 중합체 양각 구조체는 개선된 종횡비 및 개선된 날카로움을 갖는 다. 본 발명의 양각의 종횡비[AR, 양각 높이 및 이웃한 양각 사이의 거리(둘 다 ㎛)의 비임]는 일반적으로 0.075 이상, 더욱 바람직하게는 0.12 이상이고, 더더욱 바람직하게는 AR은 0.2 이상이다. 곡률(k)의 최대 절대값에 의해 양각 구조체의 날카로움을 정량화시킬 수 있다. AFM 측정치로부터 곡률(k)을 유도하는 절차는 다음과 같다: (i) 양각 구조체의 형상을 예컨대 볼츠만 적합도(Bolzmann fit)에 핏팅시키고; (ii) 적합도의 제 1 및 제 2 미분계수를 계산하며; (iii) 하기 수학식 1에 따라 곡률(k)을 계산한다:The polymeric relief structures of the present invention have improved aspect ratios and improved sharpness. The aspect ratio of the relief of the present invention (a beam of AR, relief height and distance between neighboring reliefs, both in μm) is generally at least 0.075, more preferably at least 0.12, even more preferably at least AR is 0.2. The sharpness of the relief structure can be quantified by the maximum absolute value of curvature k. The procedure for deriving the curvature k from the AFM measurements is as follows: (i) fitting the shape of the relief structure, for example to a Boltzmann fit; (ii) calculating first and second differential coefficients of goodness of fit; (iii) The curvature k is calculated according to the following equation:

Figure 112006061892309-PCT00001
Figure 112006061892309-PCT00001

본 발명에 따른 양각 구조체의 곡률의 최대 절대값(│kmax│)은 0.35㎛-1 이상, 더욱 바람직하게는 0.45㎛-1 이상, 더더욱 바람직하게는 0.65㎛-1 이상, 가장 바람직하게는 0.7㎛-1 이상이다. 두 매개변수(종횡비 및 날카로움)는 원자 현미경법(atomic force microscopy; AFM)에 의해 결정되어야 한다.The maximum absolute value of the curvature of the relief structure according to the present invention (│k max │) is 0.35㎛ -1, more preferably at 0.45㎛ -1 or more, still more preferably 0.65㎛ -1 or greater, and most preferably 0.7 Μm -1 or more. Two parameters (aspect ratio and sharpness) must be determined by atomic force microscopy (AFM).

본 발명의 중합체 양각 구조체는 광학 구성요소에 적용될 수 있다. 이의 예는 예컨대 LCD 및 LED용 4분할파(quarter wave) 필름 및 와이어 그리드(wire grid) 편광기이다. 또한 자가-세정 표면용 나방 눈 또는 연꽃 구조체도 이를 이용하여 수득할 수 있다. 다른 바람직한 실시양태는 유기 또는 무기 물질중에서 복제하기 위한 원판으로서 중합체 양각 구조체를 사용하는 것이다.The polymeric embossed structures of the present invention can be applied to optical components. Examples thereof are, for example, quarter wave films and wire grid polarizers for LCDs and LEDs. Moth eyes or lotus constructs for self-cleaning surfaces can also be obtained using this. Another preferred embodiment is to use a polymeric embossed structure as a disc for replicating in organic or inorganic materials.

본 발명을 한정하는 의미가 아닌 하기 실시예 및 비교 실험에 의해 본 발명을 추가로 설명한다.The invention is further illustrated by the following examples and comparative experiments which are not meant to limit the invention.

비교 실험 AComparative Experiment A

광 중합체는 (i) 중합체인 폴리벤질메타크릴레이트(Mw=70kg/몰) 50% 중량/중량 및 (ii) 다작용성 단량체인 다이-펜타 에리트리톨 테트라아크릴레이트 50% 중량/중량을 함유하는 혼합물로 구성되었다. 이 혼합물에 광-개시제[어가큐어(Irgacure) 369, 4% 중량/중량] 및 130℃에서 활성인 열 개시제[다이큐밀 퍼옥사이드, 2,5-비스(3급-뷰틸 퍼옥시)-2,5-다이메틸 헥세인]를 첨가하였다. 완성된 혼합물을 프로필렌 글라이콜 메틸 에터 아세테이트(25% 중량/중량)에 용해시켰다.The photopolymer is a mixture containing (i) 50% weight / weight of polybenzyl methacrylate (Mw = 70 kg / mol) as polymer and (ii) 50% weight / weight of di-penta erythritol tetraacrylate as polyfunctional monomer It consisted of This mixture contains a photo-initiator [Irgacure 369, 4% weight / weight] and a thermal initiator active at 130 ° C. [dicumyl peroxide, 2,5-bis (tert-butyl peroxy) -2, 5-dimethyl hexane] was added. The finished mixture was dissolved in propylene glycol methyl ether acetate (25% weight / weight).

용해된 혼합물을 유리 기판 상에서 독터 블레이딩시켰다. 독터 블레이딩 후, 박막(4 내지 5μ)을 갖는 기판을 5분동안 80℃로 가열하여 미량의 잔류 용매를 제거하였다. 실온보다 높은 유리 전이 온도(Tg>20℃)를 갖는 고체 필름이 유리 기판 위에서 수득되었다. 격자(피치=10μ)를 갖는 포토마스크를 고체 중합체 필름과 직접 접촉시켜 사용하였다. 자외선에 노출시켰다[제논 램프, 밴드패스(bandpass) 계면 필터, 365nm, 0.1J/cm2]. 그 후, 80℃에서 제 1 가열 단계를 수행하고(10분) 130℃에서 제 2 가열 단계를 수행하였다(10분).The dissolved mixture was doctor bladed on a glass substrate. After doctor blading, the substrate with the thin film (4-5 μ) was heated to 80 ° C. for 5 minutes to remove traces of residual solvent. A solid film having a glass transition temperature (Tg> 20 ° C.) higher than room temperature was obtained on the glass substrate. A photomask with a lattice (pitch = 10μ) was used in direct contact with the solid polymer film. It was exposed to ultraviolet light (xenon lamp, bandpass interface filter, 365 nm, 0.1 J / cm 2 ). Thereafter, the first heating step was performed at 80 ° C. (10 minutes) and the second heating step was performed at 130 ° C. (10 minutes).

양각 구조체가 생성되었으며, 이를 원자 현미경법(AFM)을 이용하여 분석하였 다(도 1). 양각 구조체는 약 1.1μ의 높이를 가졌고, 양각 구조체의 상부는 가장자리가 둥글어진 외형을 가졌으며 이는 포토마스크의 기하학적 형태를 정확하게 모방하지 않았다. 종횡비 AR은 0.11이었고, 곡률의 최대값은 0.3㎛-1이었다.Embossed structures were generated and analyzed using atomic force microscopy (AFM) (FIG. 1). The embossed structure had a height of about 1.1 μm and the top of the embossed structure had an outline with rounded edges, which did not exactly mimic the geometry of the photomask. Aspect ratio AR was 0.11, and the maximum value of curvature was 0.3 micrometer <-1> .

도 1: 양각 구조체의 AFM 현미경 사진1: AFM micrograph of embossed structure

Figure 112006061892309-PCT00002
Figure 112006061892309-PCT00002

실시예Example I I

사용된 광 중합체는 비교 실험 A와 동일하였다. 비교 실험 A와 동일하게 회전 코팅 및 자외선에의 노출을 수행하였다.The photopolymer used was the same as in Comparative Experiment A. Rotational coating and exposure to ultraviolet light were performed in the same manner as in Comparative Experiment A.

UV-광에 노출시킨 후, 광 중합에 필름을 갖는 기판에 실리콘유의 필름을 도포하였다. 계면 표면 장력은 18mJ/m2만큼 감소되었다.After exposure to UV-light, a film of silicone oil was applied to a substrate having a film for photopolymerization. The interfacial surface tension was reduced by 18 mJ / m 2 .

오일이 광 중합체 중으로 용해되지 않도록 특별히 주의를 기울였다. 이어, 제 1 및 제 2 가열 단계를 수행하였다(비교 실험 A 참조). 그 후, 실온의 헵테인으로 세정함으로써 실리콘유를 제거하였다.Special care has been taken so that the oil does not dissolve into the photopolymer. The first and second heating steps were then carried out (see Comparative Experiment A). Thereafter, the silicone oil was removed by washing with heptane at room temperature.

양각 구조체가 생성되었으며, 이를 AFM으로 분석하였다(도 2). 양각 구조체는 약 1.9μ의 높이를 가졌다. 뿐만 아니라, 양각 구조체 상부에서 매우 날카로운 형상이 관찰되었는데, 여기에는 포토마스크의 조사된(투명한) 영역이 탁월하게 본떠졌다. 종횡비 AR은 0.19였고, 곡률의 최대값은 0.8㎛-1이었다.Embossed structures were generated and analyzed by AFM (FIG. 2). The relief structure had a height of about 1.9μ. In addition, very sharp shapes were observed on top of the relief structure, where the illuminated (transparent) areas of the photomask were excellently modeled. Aspect ratio AR was 0.19 and the maximum value of curvature was 0.8 micrometer <-1> .

도 2: 양각 구조체(실리콘유를 가짐)의 AFM 현미경 사진2: AFM micrograph of relief structure (with silicone oil)

Figure 112006061892309-PCT00003
Figure 112006061892309-PCT00003

비교 실험 BComparative Experiment B

홀로그래피 노출(격자, 피치=1.2μ, 아르곤 이온 레이저, 351nm, 0.1J/cm2)을 위해 비교 실험 A의 코팅된 기판을 사용하였다. 그 후, 80℃에서 제 1 가열 단계를 수행하였고(10분), 130℃에서 제 2 가열 단계를 수행하였다(10분). 양각 구조체가 생성되었고, 이를 원자 현미경 사진술을 이용하여 분석하였다(도 3). 양각 구조체는 약 0.07μ의 높이를 가졌다. 종횡비 AR은 0.06이었다.The coated substrate of Comparative Experiment A was used for holographic exposure (lattice, pitch = 1.2 μ, argon ion laser, 351 nm, 0.1 J / cm 2 ). Thereafter, a first heating step was performed at 80 ° C. (10 minutes) and a second heating step was performed at 130 ° C. (10 minutes). Embossed structures were generated and analyzed using atomic force microscopy (FIG. 3). The relief structure had a height of about 0.07μ. Aspect ratio AR was 0.06.

도 3: 양각 구조체(홀로그래피)의 AFM 현미경 사진Figure 3: AFM micrograph of relief structure (holography)

Figure 112006061892309-PCT00004
Figure 112006061892309-PCT00004

실시예Example IIII

비교 실험 A의 코팅된 기판을 사용하였다. 비교 실험 B에서와 동일한 조건하에서 홀로그래피 노출 후, 광 중합체 필름을 갖는 기판에 실리콘유의 필름을 도포하였다. 광 중합체 중으로 오일이 용해되지 않도록 특별히 주의를 기울였다. 이어, 제 1 및 제 2 가열단계를 수행하였다(비교 실험 B 참조). 그 후, 실온의 헵테인으로 세정함으로써 실리콘유를 제거하였다.The coated substrate of Comparative Experiment A was used. After holographic exposure under the same conditions as in Comparative Experiment B, a film of silicone oil was applied to a substrate having a photopolymer film. Particular care was taken to ensure that the oil did not dissolve into the photopolymer. The first and second heating steps were then carried out (see comparative experiment B). Thereafter, the silicone oil was removed by washing with heptane at room temperature.

양각 구조체가 생성되었으며, 이를 AFM으로 분석하였다(도 4). 양각 구조체는 약 0.16μ의 높이를 가졌다. 종횡비 AR은 0.13이었다.Embossed structures were generated and analyzed by AFM (FIG. 4). The relief structure had a height of about 0.16μ. Aspect ratio AR was 0.13.

도 4: 양각 구조체(실리콘유를 사용한 홀로그래피)의 AFM 현미경 사진4: AFM micrograph of embossed structure (holography with silicon oil)

Figure 112006061892309-PCT00005
Figure 112006061892309-PCT00005

Claims (27)

(a) 하나 이상의 선-감수성(radiation-sensitive) 구성성분을 포함하는 코팅으로 기판을 코팅하고, (b) 주기적인 또는 무작위적인 선-강도 패턴을 갖는 전자기선으로, 코팅된 기판을 국부적으로 처리하여, 잠상(latent image)을 형성시키고, (c) 생성된 코팅된 기판을 중합 및/또는 가교결합시킴으로써, 중합체 양각 구조체를 제조하는 방법으로서,(a) coating the substrate with a coating comprising one or more radiation-sensitive components, and (b) locally treating the coated substrate with electromagnetic radiation having a periodic or random line-strength pattern. To form a latent image, and (c) polymerizing and / or crosslinking the resulting coated substrate, thereby producing a polymer relief structure, 단계 (c)에서 코팅된 기판의 계면 장력을 감소시키는 화합물(Cs)이 존재하는 방법.Wherein the compound (Cs) is present which reduces the interfacial tension of the coated substrate in step (c). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 단계 (b)의 생성된 코팅된 기판에 Cs를 도포하는 방법.The method of applying Cs to the resulting coated substrate of step (b). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, Cs가 단계 (a)에 사용되는 코팅에 이미 존재하는 방법.Cs is already present in the coating used in step (a). 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 단계 (a)의 선-감수성 구성성분(들)이 하나 이상의 중합 개시제와 함께 하나 이상의 단량체를 포함하는 방법.The pre-sensitive component (s) of step (a) comprise at least one monomer together with at least one polymerization initiator. 제 1 항 내지 제 4 항중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 단계 a)에서 코팅이 중합체도 포함하는 방법.The process in step a) also comprises a polymer. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 중합 개시제가 광-개시제와 열 개시제의 혼합물인 방법.The polymerization initiator is a mixture of photo-initiator and thermal initiator. 제 1 항 내지 제 6 항중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 6, 코팅이 휘발성 용매의 증발 후 고체 필름인 방법.The coating is a solid film after evaporation of volatile solvent. 제 1 항 내지 제 7 항중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 7, 리쏘그래피(lithographic) 마스크를 광-중합체 필름과 직접 접촉시켜 사용하는 방법.A method of using a lithographic mask in direct contact with a photo-polymer film. 제 1 항 내지 제 8 항중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 8, 전자기선이 마스크와 조합된 UV-광인 방법.The electromagnetic radiation is UV-light combined with a mask. 제 1 항 내지 제 8 항중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 8, 단계 (b)에서의 처리가 광 간섭/홀로그래피(holography)를 이용하는 것인 방법.The process in step (b) uses optical interference / holography. 제 1 항 내지 제 10 항중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 10, 기판이 중합체를 포함하는 방법.Wherein the substrate comprises a polymer. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 단계 a)의 코팅중 중합체가 20,000g/몰 이상의 중량 평균 분자량(Mw)을 갖는 방법.The polymer in the coating of step a) has a weight average molecular weight (Mw) of at least 20,000 g / mol. 제 5 항 또는 제 12 항에 있어서,The method of claim 5 or 12, 단계 a)의 코팅중 중합체가 300K 이상의 유리 전이 온도를 갖는 방법.The polymer in the coating of step a) has a glass transition temperature of at least 300K. 제 5 항, 제 12 항 및 제 13 항중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 5, 12 and 13, 중합체가 단계 a)에 사용되는 선-감수성 코팅의 단량체(들)에 용해되는 방법.The polymer is dissolved in the monomer (s) of the pre-sensitive coating used in step a). 제 1 항 내지 제 14 항중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 14, 선-감수성 코팅의 구성성분(들)이 (메트-)아크릴레이트, 에폭시, 비닐 에터, 스타이렌 및 티올-엔을 포함하는 군으로부터 선택되는 방법.The component (s) of the pre-sensitive coating is selected from the group comprising (meth-) acrylate, epoxy, vinyl ether, styrene and thiol-ene. 제 1 항 내지 제 15 항중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 15, Cs가 10mJ/m2 이상만큼 계면 장력을 감소시키는 방법.Cs decreases interfacial tension by 10 mJ / m 2 or more. 제 1 항 내지 제 16 항중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 16, 코팅의 양에 대해 0.05 내지 5중량%의 양으로 Cs를 도포하는 방법.A method of applying Cs in an amount of 0.05 to 5% by weight relative to the amount of coating. 제 1 항 내지 제 17 항중 어느 한 항에 따른 방법을 통해 수득될 수 있는 중합체 양각(relief) 구조체.18. A polymer relief structure obtainable by the process according to any one of claims 1 to 17. 제 18 항에 있어서,The method of claim 18, 양각 높이 및 이웃 양각 사이의 거리의 비인 종횡비(AR)가 0.12 이상인 중합체 양각 구조체.A polymer embossed structure having an aspect ratio (AR) of at least 0.12, which is the ratio of emboss height and distance between neighboring embosses. 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,The method of claim 18 or 19, 곡률의 최대 절대값(│kmax│)이 0.35 이상, 더욱 바람직하게는 0.45 이상, 더욱 더 바람직하게는 0.65㎛-1인 중합체 양각 구조체.A polymer embossed structure having a maximum absolute value of curvature (k max ) of 0.35 or more, more preferably 0.45 or more, even more preferably 0.65 μm −1 . 제 18 항 내지 제 20 항중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 18 to 20, AR이 0.2 이상인 중합체 양각 구조체.A polymer embossed structure having an AR of at least 0.2. 제 18 항 내지 제 21 항중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 18 to 21, │kmax│가 0.7㎛-1 이상인 중합체 양각 구조체.A polymer embossed structure having k max of at least 0.7 μm −1 . 제 1 항 내지 제 17 항중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 17, 175 내지 375K에서 단계 (b)를 수행하는 방법.The process of performing step (b) at 175 to 375 K. 제 1 항 내지 제 17 항 및 제 23 항중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 17 and 23, 300 내지 575K에서 단계 (c)를 수행하는 방법.The process of performing step (c) at 300 to 575 K. 제 18 항 내지 제 22 항중 어느 한 항에 따른, 또는 제 1 항 내지 제 17 항, 제 23 항 및 제 24 항중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조되는 중합체 양각 구조체의 광-조정(light-management) 용도.Light-management of a polymer relief structure made by the method according to any one of claims 18 to 22 or by any one of claims 1 to 17, 23 and 24. ) Usage. 제 25 항에 있어서,The method of claim 25, 회절- 또는 홀로그래피-광학 소자에서의 용도.Use in diffraction- or holography-optical devices. 유기 또는 무기 물질 중에서의 복제 목적을 위한 원판으로서의, 제 18 항 내지 제 22 항중 어느 한 항에 따른, 또는 제 1 항 내지 제 17 항 및 제 23 항 내지 제 25 항중 어느 한 항에 따른 방법에서 제조되는 중합체 양각 구조체의 용도.A process according to any one of claims 18 to 22 or as a disc for replication purposes in an organic or inorganic material, or according to any one of claims 1 to 17 and 23 to 25. The use of the polymeric embossed structure.
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