KR20060121342A - Apparatus of matching for pam - Google Patents

Apparatus of matching for pam Download PDF

Info

Publication number
KR20060121342A
KR20060121342A KR1020050043437A KR20050043437A KR20060121342A KR 20060121342 A KR20060121342 A KR 20060121342A KR 1020050043437 A KR1020050043437 A KR 1020050043437A KR 20050043437 A KR20050043437 A KR 20050043437A KR 20060121342 A KR20060121342 A KR 20060121342A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
impedance matching
value
unit
matching value
pam
Prior art date
Application number
KR1020050043437A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
최성순
Original Assignee
주식회사 팬택
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 팬택 filed Critical 주식회사 팬택
Priority to KR1020050043437A priority Critical patent/KR20060121342A/en
Publication of KR20060121342A publication Critical patent/KR20060121342A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/387A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/20Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F2203/21Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F2203/211Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H03F2203/21139An impedance adaptation circuit being added at the output of a power amplifier stage

Abstract

A matching apparatus of a PAM(Power Amplitude Module) is provided to increase efficiency of the PAM by varying an impedance matching value of the PAM to be appropriate for a high mode or a low mode of a mobile communication terminal. In a matching apparatus of a power amplitude module(PAM)(108) varying an impedance matching value of the PAM of a mobile communication terminal, an RSSI(Received Signal Strength Indication) measurement part(106) measures the strength of received electric field. A memory part(102) stores first and second impedance matching values corresponding to a low mode and a high mode respectively. The power amplitude module(PAM) amplifies power of transmitting and receiving signals. An impedance matching part(110) is connected to an output stage of the power amplitude module and matches impedance of the power amplitude module. A control part(100) adjusts the impedance matching value of the impedance matching part according to the strength of the received electric field measured by the RSSI measurement part.

Description

전력증폭모듈의 매칭장치{APPARATUS OF MATCHING FOR PAM}Matching device for power amplifier module {APPARATUS OF MATCHING FOR PAM}

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 이동통신 단말기의 구성도. 1 is a block diagram of a mobile communication terminal according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 임피던스 매칭장치의 상세회로도. FIG. 2 is a detailed circuit diagram of the impedance matching device of FIG. 1.

도 3 및 도 4는 도 1의 제어부의 처리 흐름도. 3 and 4 are processing flowcharts of the controller of FIG. 1;

도 5는 도 1의 임피던스 매칭 테이블의 구조도. 5 is a structural diagram of an impedance matching table of FIG. 1.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100 : 제어부100: control unit

102 : 메모리부102: memory

104 : 조작패널104: operation panel

106 : RSSI 측정부106: RSSI measurement unit

108 : PAM 108: PAM

110 : 임피던스 매칭부110: impedance matching unit

본 발명은 이동통신 단말기에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 이동통신 단말기에 구비되는 전력증폭모듈(Power Amplitude Module; 이하 PAM라 칭함)의 임피던 스 매칭장치에 관한 것이다. The present invention relates to a mobile communication terminal, and more particularly, to an impedance matching device of a power amplification module (hereinafter referred to as PAM) provided in a mobile communication terminal.

최근 이동통신 단말기의 급격한 보급으로 시간과 공간에 제약없이 화상 또는 음성 정보를 송수신할 수 있게 되었다. 상기 이동통신 단말기에서 PAM은 전력을 많이 소비하는 부품중의 하나로, 이동통신 단말기의 배터리 사용 시간을 결정짓는 중요한 부품이다. 따라서 상기 PAM의 효율을 향상시키기 위한 노력이 계속되어 있다. Recently, with the rapid spread of mobile communication terminals, it is possible to transmit and receive video or audio information without restriction of time and space. In the mobile communication terminal, PAM is one of power consuming components, and is an important component for determining a battery usage time of the mobile communication terminal. Therefore, efforts have been made to improve the efficiency of the PAM.

예를 들어, 대한민국 특허청에 전력 증폭 회로를 명칭으로 하여 특허 출원된 제10-2003-0017359호는 이동통신 단말기 내의 전력 증폭기의 출력단에 임피던스 매칭회로를 부착함으로써 최대 출력 레벨에서 소비되는 전류량을 줄임으로써 통화시간을 연장시킬 수 있는 전력증폭기는 개시한다. For example, Korean Patent No. 10-2003-0017359 filed with a power amplification circuit in the name of the Korean Patent Office, by attaching an impedance matching circuit to the output terminal of the power amplifier in the mobile terminal by reducing the amount of current consumed at the maximum output level A power amplifier capable of extending talk time is disclosed.

상기한 전력 증폭기는 통신 단말기내로 들어오는 신호를 증폭하는 다수의 증폭기와, 상기 다수의 증폭기와 출력단자 사이에 연결되어 송신 또는 수신 상태에 대응되게 인덕턴스 값을 가변할 수 있는 출력 매칭회로를 구비한다. The power amplifier includes a plurality of amplifiers for amplifying an incoming signal into a communication terminal, and an output matching circuit connected between the plurality of amplifiers and an output terminal to vary an inductance value corresponding to a transmission or reception state.

상기한 바와 같이 종래에는 송신 또는 수신 상태에 따라 전력 증폭기의 매칭값을 가변함으로써, 전력 증폭 회로의 효율을 향상시켰다. As described above, the efficiency of the power amplification circuit is improved by changing the matching value of the power amplifier according to the transmission or reception state.

그런데, 일반적으로 이동통신 단말기는 기지국과의 거리가 가까운 곳인 강전계지역에서는 저출력(이하, 로우 모드(Low Mode)라 칭함)으로도 통신할 수 있으며, 반대로 기지국과의 위치가 먼 곳인 약전계지역에서는 고출력(이하, 하이 모드(High Mode)라 칭함)으로 통신할 수 있다. However, in general, a mobile communication terminal can communicate with low power (hereinafter, referred to as a low mode) in a strong electric field area where a distance from a base station is close, and on the contrary, a weak electric field area that is far from a base station. Can communicate in high power (hereinafter, referred to as high mode).

상기 이동통신 단말기는 인접 반송 전력률(Adjacent Carrier Power Ratio;ACPR) 특성이 상기 하이 모드에서 가장 저하되므로 망의 안정성을 고려하여 하이 모드를 기준으로 하여 PAM에 대한 임피던스 매칭값을 결정한다. Since the Adjacent Carrier Power Ratio (ACPR) characteristic is most degraded in the high mode, the mobile communication terminal determines the impedance matching value for the PAM based on the high mode in consideration of the stability of the network.

이와 같이 하이 모드를 기준으로 하여 PAM에 대한 임피던스 매칭값을 결정하는 경우에는 로우 모드에서의 효율이 저하되므로, 하이 모드 또는 로우 모드에 적합하게 PAM의 임피던스 매칭값을 가변하여 PAM의 효율을 높일 수 있도록 하는 기술의 개발이 절실히 요망되었다. As described above, when the impedance matching value for the PAM is determined based on the high mode, the efficiency in the low mode is lowered. Therefore, the impedance matching value of the PAM may be changed to be suitable for the high mode or the low mode, thereby increasing the efficiency of the PAM. There was an urgent need for the development of technology to make this work.

한편, 한국에서는 부호분할 다중 접속(Code Division Multiple Access: 이하 CDMA라 한다) 방식과 PCS(Personal Communication System)방식이 함께 사용되고 있고, 미국에서는 AMPS(Advanced Mobile Phone Service) 방식과 US(United States) PCS방식이 함께 사용되고 있고, 유럽에서는 GSM(Groupe Speciale Mobile)방식 혹은 상기 GSM을 1,800MHz 대역에 적용한 DCS(Digital Communication System) 1800방식이 함께 사용되고 있다. Meanwhile, in Korea, Code Division Multiple Access (CDMA) and PCS (Personal Communication System) are used together, and in the United States, Advanced Mobile Phone Service (AMPS) and US (United States) PCS The method is used together, and in Europe, a GSM (Groupe Speciale Mobile) method or a DCS (Digital Communication System) 1800 method applying the GSM to the 1,800 MHz band is used together.

이와 같이 다양한 이동통신 방식이 함께 사용됨에 따라 이동통신 단말기도 듀얼 밴드 기능이 구비되며, 상기 듀얼 밴드 기능은 각기 다른 이동통신 방식, 즉 주파수 대역이 서로 다른 시스템과의 연동을 가능하게 하는 기능이다. As such various mobile communication methods are used together, the mobile communication terminal is also equipped with a dual band function, and the dual band function is a function that enables interworking with systems having different mobile communication methods, that is, frequency bands different from each other.

이와 같이 듀얼 밴드 기능을 구비하는 이동통신 단말기의 PAM 역시 각 주파수 대역에 따라 임피던스 매칭값을 가변하여 PAM의 효율을 높일 수 있도록 하는 기술의 개발이 절실히 요망되었다. As described above, a PAM of a mobile communication terminal having a dual band function also needs to develop a technology for increasing the efficiency of PAM by varying an impedance matching value according to each frequency band.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 이동통신 단말 기의 하이 모드 또는 로우 모드에 적합하게 PAM의 임피던스 매칭값을 가변하여 PAM의 효율을 높일 수 있게 하는 PAM의 매칭장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention is to overcome the above-described problems, to provide a PAM matching device that can increase the efficiency of the PAM by varying the impedance matching value of the PAM to suit the high mode or low mode of the mobile communication terminal device; For the purpose of

또한 본 발명의 다른 목적은 듀얼 밴드 기능을 구비하는 이동통신 단말기의 PAM의 임피던스 매칭값을 주파수 대역에 따라 가변하여 PAM의 효율을 높일 수 있게 하는 PAM의 매칭장치를 제공하는 것이다. In addition, another object of the present invention is to provide a PAM matching device for increasing the efficiency of the PAM by varying the impedance matching value of the PAM of the mobile communication terminal having a dual band function according to the frequency band.

상기의 목적을 이루고 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명에 따르는 전력증폭모듈의 매칭장치는 수신전계강도를 측정하는 RSSI 측정부, 로우 모드 또는 하이 모드에 각각 대응되는 제1 및 제2임피던스 매칭값을 저장하는 메모리부, 송수신 신호를 전력 증폭하는 전력증폭모듈, 상기 전력증폭모듈의 출력단에 연결되어 상기 전력증폭모듈의 임피던스를 매칭하는 임피던스 매칭부, 및 상기 RSSI 측정부가 측정한 수신전계강도가 소정값 이상이면 상기 제1임피던스 매칭값을 상기 메모리부로부터 독출하여 상기 제1임피던스 매칭값에 대응되게 상기 임피던스 매칭부의 임피던스 매칭값을 조정하고, 상기 RSSI 측정부가 측정한 수신전계강도가 소정값 이하이면 상기 제2임피던스 매칭값을 상기 메모리부로부터 독출하여 상기 제2임피던스 매칭값에 대응되게 상기 임피던스 매칭부의 임피던스 매칭값을 조정하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다. The matching device of the power amplifier module according to the present invention for achieving the above object and to solve the problems of the prior art matching the first and second impedance corresponding to the RSSI measuring unit, low mode or high mode respectively for measuring the received field strength A memory unit for storing a value, a power amplifier module for power amplifying a transmission / reception signal, an impedance matching unit connected to an output terminal of the power amplifier module to match an impedance of the power amplifier module, and a received electric field strength measured by the RSSI measurement unit If it is equal to or greater than a predetermined value, the first impedance matching value is read from the memory unit, and the impedance matching value of the impedance matching unit is adjusted to correspond to the first impedance matching value, and the received electric field strength measured by the RSSI measuring unit is less than or equal to a predetermined value. When the second impedance matching value is read from the memory unit, the second impedance matching value is compared with the second impedance matching value. It is characterized in that a control unit for adjusting the value of said impedance matching impedance matching.

특히 상기 임피던스 매칭부는 다수의 임피던스 매칭 소자가 조합되어 고정된 임피던스 매칭값을 가지는 임피던스 매칭회로, 및 상기 임피던스 매칭회로의 출력단에 연결되며, 상기 제어부의 제어전압에 따라 임피던스가 가변하는 임피던스 매 칭값 가변부를 포함하는 것을 특징으로 한다. In particular, the impedance matching unit may be coupled to an impedance matching circuit having a fixed impedance matching value by combining a plurality of impedance matching elements, and an output of the impedance matching circuit and varying an impedance matching value in which impedance varies according to a control voltage of the controller. It is characterized by including a wealth.

또한 상기 전력증폭모듈의 매칭장치의 상기 메모리부가 듀얼 모드의 제1 및 제2주파수에 각각 대응되는 제3 및 제4임피던스 매칭값을 더 저장하며, 상기 제어부가 상기 듀얼 모드의 주파수들중 제1주파수가 선택되면 상기 제3임피던스 매칭값을 상기 메모리부로부터 독출하여 상기 제3임피던스 매칭값에 대응되게 상기 임피던스 매칭부의 임피던스 매칭값을 조정하고, 상기 듀얼모드의 주파수들중 제2주파수가 선택되면 상기 제4임피던스 매칭값을 상기 메모리부로부터 독출하여 상기 제4임피던스 매칭값에 대응되게 상기 임피던스 매칭부의 임피던스 매칭값을 조정하는 것을 특징으로 한다. The memory unit of the matching device of the power amplification module further stores third and fourth impedance matching values corresponding to the first and second frequencies of the dual mode, respectively, and the controller controls the first of the frequencies of the dual mode. When the frequency is selected, the third impedance matching value is read from the memory unit, and the impedance matching value of the impedance matching unit is adjusted to correspond to the third impedance matching value, and when the second frequency among the dual mode frequencies is selected. The fourth impedance matching value is read from the memory unit, and the impedance matching value of the impedance matching unit is adjusted to correspond to the fourth impedance matching value.

본 발명은 강전계 환경 또는 약전계 환경에 따라 이동통신 단말기에 구비되는 PAM의 임피던스 매칭값을 가변하여 PAM의 효율을 높일 수 있게 한다. The present invention can increase the efficiency of the PAM by varying the impedance matching value of the PAM provided in the mobile communication terminal according to the strong electric field environment or the weak electric field environment.

또한 본 발명은 이동통신 단말기의 주파수 대역에 따라 PAM의 임피던스 매칭값을 가변하여 PAM의 효율을 높일 수 있게 한다. In addition, the present invention can increase the efficiency of the PAM by varying the impedance matching value of the PAM according to the frequency band of the mobile communication terminal.

이러한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 이동통신 단말기의 개략적인 구성을 도 1을 참조하여 설명한다. A schematic configuration of a mobile communication terminal according to a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1.

제어부(100)는 상기 이동통신 단말기를 전반적으로 제어함은 물론이며 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 강전계 환경 또는 약전계 환경에 따라 임피던스 매칭부(110)의 임피던스 매칭값을 가변하거나, 상기 이동통신 단말기의 주파수 대역에 따라 임피던스 매칭부(110)의 임피던스 매칭값을 가변한다. The control unit 100 controls the mobile communication terminal as a whole, and varies the impedance matching value of the impedance matching unit 110 according to a strong electric field environment or a weak electric field environment, or moves the mobile communication terminal. The impedance matching value of the impedance matching unit 110 is varied according to the frequency band of the communication terminal.

메모리부(102)는 제어부(100)의 처리 프로그램을 포함하는 다양한 정보를 저 장하며, 특히 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 임피던스 매칭 테이블을 구비한다. 상기 임피던스 매칭 테이블은 도 5에 도시한 바와 같이 강전계 환경에서의 동작 모드인 로우 모드, 약전계 환경에서의 동작 모드인 하이 모드에 각각 대응되는 임피던스 제1값 및 제2값이 저장되고, 듀얼 밴드로 구동하는 이동통신 단말기의 주파수 대역들인 제1주파수 대역, 제2주파수 대역에 각각 대응되는 임피던스 매칭값인 제3값 및 제4값이 저장된다. The memory unit 102 stores various pieces of information including a processing program of the controller 100, and particularly includes an impedance matching table according to a preferred embodiment of the present invention. As shown in FIG. 5, the impedance matching table stores an impedance first value and a second value corresponding to a low mode that is an operation mode in a strong electric field environment and a high mode that is an operation mode in a weak electric field environment, respectively. A third value and a fourth value, which are impedance matching values corresponding to the first frequency band and the second frequency band, which are frequency bands of the mobile terminal which is driven by the band, are stored.

조작패널(104)은 다수의 키 등으로 구성되어, 듀얼 밴드의 주파수 대역들중 어느 하나를 선택하는 정보를 입력받아 제어부(100)에 제공한다. The operation panel 104 includes a plurality of keys and the like, and receives information for selecting one of the dual band frequency bands and provides the received information to the controller 100.

RSSI(Received Signal Strength Indication) 측정부(106)는 수신전계강도를 측정하여 제어부(100)에 제공한다. Received Signal Strength Indication (RSSI) measuring unit 106 measures the received electric field strength and provides it to the control unit 100.

PAM(108)은 송수신 신호를 전력증폭하며, 임피던스 매칭부(110)는 PAM(108)의 임피던스를 매칭하여 PAM(108)의 소비전력을 최적화한다. 특히 상기 임피던스 매칭부(110)는 제어부(100)의 제어에 따라 임피던스 매칭값을 가변한다. The PAM 108 amplifies the transmission and reception signals, and the impedance matching unit 110 matches the impedance of the PAM 108 to optimize power consumption of the PAM 108. In particular, the impedance matching unit 110 varies the impedance matching value under the control of the controller 100.

여기서, 임피던스 매칭부(110)의 상세 회로를 도 2를 참조하여 설명한다. Here, the detailed circuit of the impedance matching unit 110 will be described with reference to FIG. 2.

임피던스 매칭부(110)는 임피던스 매칭회로(200) 및 임피던스 매칭값 가변부(202)로 구성된다. 임피던스 매칭회로(200)는 직렬로 연결된 다수의 인덕턴스와 각 인덕턴스의 사이와 접지 사이에 연결되는 다수의 커패시턴스로 구성된다. 여기서 임피던스 매칭회로(200)는 고정된 임피던스 매칭값을 가진다. 임피던스 매칭회로(200)의 출력단자와 접지사이에는 가변 용량 다이오드인 바렉터로 구성되는 임피던스 매칭값 가변부(202)가 연결된다. The impedance matching unit 110 includes an impedance matching circuit 200 and an impedance matching value variable unit 202. The impedance matching circuit 200 is composed of a plurality of inductances connected in series and a plurality of capacitances connected between each inductance and between ground. Here, the impedance matching circuit 200 has a fixed impedance matching value. Between the output terminal of the impedance matching circuit 200 and the ground, an impedance matching value variable part 202 composed of a varactor which is a variable capacitance diode is connected.

여기서, 임피던스 매칭값 가변부(202)의 바렉터는 제어부(100)가 제공하는 제어전압에 따른 용량을 가지므로, 제어부(100)는 로우 모드, 하이 모드, 제1주파수 대역, 제2주파수 대역에 따라 각기 다른 제어전압을 임피던스 매칭값 가변부(202)의 상기 바렉터에 공급하여 상기 임피던스 매칭부(110)의 임피던스 매칭값을 조절할 수 있다. Here, the selector of the variable impedance matching value 202 has a capacity according to the control voltage provided by the control unit 100, the control unit 100 is low mode, high mode, the first frequency band, the second frequency band As a result, different control voltages may be supplied to the selector of the impedance matching value varying unit 202 to adjust the impedance matching value of the impedance matching unit 110.

이제 상기한 이동통신 단말기의 제어부(100)의 처리 동작을 상세히 설명한다. Now, the processing operation of the controller 100 of the mobile communication terminal will be described in detail.

먼저 로우 모드 및 하이 모드에 따라 상기 PAM 임피던스 매칭값을 가변하는 것을 도 3을 참조하여 설명한다. First, the PAM impedance matching value is changed according to the low mode and the high mode with reference to FIG. 3.

RSSI 측정부(106)는 수신전계강도를 측정하여 제어부(100)에 제공하며, 제어부(100)는 상기 수신전계강도가 소정값이상이면 강전계 상태로 판단하여 이동통신 단말기를 로우 모드로 구동하고, 상기 수신전계강도가 소정값이하이면 약전계 상태로 판단하여 이동통신 단말기를 하이 모르도 구동한다. The RSSI measuring unit 106 measures the received electric field strength and provides it to the control unit 100. The control unit 100 determines that the electric field is strong when the received electric field strength is more than a predetermined value, and drives the mobile communication terminal in a low mode. When the received electric field strength is less than or equal to a predetermined value, it is determined as a weak electric field state and the mobile communication terminal is driven even if it is not known.

또한 제어부(100)는 상기 수신전계강도가 소정값이상이면(300단계), 상기 로우 모드에 대응되는 임피던스 매칭값인 제1값을 메모리부(102)의 임피던스 매칭 테이블로부터 독출한다. 상기 제1값이 독출되면, 제어부(100)는 상기 제1값에 대응되는 제어전압을 생성하여 임피던스 매칭값 가변부(202)의 바렉터에 제공한다. 이에 따라 상기 바렉터는 상기 제어전압에 대응되는 용량을 가지게 되어, 임피던스 매칭부(110)의 임피던스 매칭값이 제1값으로 조정된다(304단계). In addition, when the received electric field strength is greater than or equal to a predetermined value (step 300), the controller 100 reads a first value, which is an impedance matching value corresponding to the low mode, from the impedance matching table of the memory unit 102. When the first value is read, the controller 100 generates a control voltage corresponding to the first value and provides the control voltage to the varactor of the impedance matching value variable unit 202. Accordingly, the varactor has a capacitance corresponding to the control voltage, and the impedance matching value of the impedance matching unit 110 is adjusted to the first value (step 304).

상기한 바와 다르게 제어부(100)는 상기 수신전계강도가 소정값이하이면(300 단계), 하이 모드에 대응되는 임피던스 매칭값인 제2값을 메모리부(102)의 임피던스 매칭 테이블로부터 독출한다. 상기 제2값이 독출되면, 제어부(100)는 상기 제2값에 대응되는 제어전압을 생성하여 임피던스 매칭값 가변부(202)의 바렉터에 제공한다. 이에 따라 상기 바렉터는 상기 제어전압에 대응되는 용량을 가지게 되어, 임피던스 매칭부(110)의 임피던스 매칭값이 제2값으로 조정된다(302단계).Unlike the above, if the received electric field strength is less than or equal to a predetermined value (300), the controller 100 reads a second value, which is an impedance matching value corresponding to the high mode, from the impedance matching table of the memory unit 102. When the second value is read, the control unit 100 generates a control voltage corresponding to the second value and provides the control voltage to the varactor of the impedance matching value changing unit 202. Accordingly, the varactor has a capacitance corresponding to the control voltage, and the impedance matching value of the impedance matching unit 110 is adjusted to the second value (step 302).

이와 같이 본 발명은 PAM(108)의 임피던스 매칭 값을 로우 모드 또는 하이 모드에 대응되게 가변함으로써 PAM(108)의 효율을 향상시킬 수 있게 한다. As described above, the present invention may improve the efficiency of the PAM 108 by varying the impedance matching value of the PAM 108 corresponding to the low mode or the high mode.

이제 듀얼 밴드 기능을 구비하는 이동통신 단말기에서의 PAM 임피던스 조절방법을 도 4를 참조하여 설명한다. Now, a PAM impedance control method in a mobile communication terminal having a dual band function will be described with reference to FIG. 4.

제어부(100)는 조작패널(104) 등을 통해 듀얼 밴드의 주파수들 중 어느 하나로 구동하도록 하는 명령이 입력되면, 그 주파수가 제1주파수인지를 체크한다(400단계). If a command to drive one of the dual band frequencies is input through the operation panel 104 or the like, the controller 100 checks whether the frequency is the first frequency (step 400).

상기 주파수가 제1주파수이면, 제어부(100)는 제1주파수에 대응되는 임피던스 매칭값인 제3값을 메모리부(102)의 임피던스 매칭 테이블로부터 독출한다. 상기 제3값이 독출되면, 제어부(100)는 상기 제3값에 대응되는 제어전압을 생성하여 임피던스 매칭값 가변부(202)의 바렉터에 제공한다. 이에 따라 상기 바렉터는 상기 제어전압에 대응되는 용량을 가지게 되어, 임피던스 매칭부(110)의 임피던스 매칭값이 제3값으로 조정된다(402단계).If the frequency is the first frequency, the controller 100 reads a third value, which is an impedance matching value corresponding to the first frequency, from the impedance matching table of the memory unit 102. When the third value is read, the controller 100 generates a control voltage corresponding to the third value and provides it to the varactor of the impedance matching value variable unit 202. Accordingly, the varactor has a capacitance corresponding to the control voltage, and the impedance matching value of the impedance matching unit 110 is adjusted to a third value (step 402).

상기한 바와 다르게 상기 주파수가 제2주파수이면(404단계), 제어부(100)는 제2주파수에 대응되는 임피던스 매칭값인 제4값을 메모리부(102)의 임피던스 매칭 테이블로부터 독출한다. 상기 제4값이 독출되면, 제어부(100)는 상기 제4값에 대응되는 제어전압을 생성하여 임피던스 매칭값 가변부(202)의 바렉터에 제공한다. 이에 따라 상기 바렉터는 상기 제어전압에 대응되는 용량을 가지게 되어, 임피던스 매칭부(110)의 임피던스 매칭값이 제4값으로 조정된다(406단계).Unlike the above description, if the frequency is the second frequency (step 404), the controller 100 reads a fourth value, which is an impedance matching value corresponding to the second frequency, from the impedance matching table of the memory unit 102. When the fourth value is read, the control unit 100 generates a control voltage corresponding to the fourth value and provides the control voltage to the varactor of the impedance matching value variable unit 202. Accordingly, the varactor has a capacitance corresponding to the control voltage, and the impedance matching value of the impedance matching unit 110 is adjusted to a fourth value (step 406).

상기한 본 발명의 바람직한 실시예에서는 하이 모드, 로우 모드, 제1주파수, 제2주파수에 따라 임피던스 매칭값을 조절하는 것만을 예시하였으나, 제1주파수에서의 하이 모드, 로우 모드, 제2주파수에서의 하이 모드, 로우 모드에 따라 각기 다르게 임피던스 매칭값을 조절하는 것도 본 발명에 의해 당업자에게 자명하다. In the above-described preferred embodiment of the present invention, only the impedance matching value is adjusted according to the high mode, the low mode, the first frequency, and the second frequency, but the high mode, the low mode, and the second frequency at the first frequency are illustrated. It is also apparent to those skilled in the art that the impedance matching value is adjusted differently according to the high mode and the low mode of.

상기한 바와 같이 본 발명은 이동통신 단말기의 하이 모드 또는 로우 모드에 적합하게 PAM의 임피던스 매칭값을 가변하여 PAM의 효율을 높일 수 있게 하는 이점이 있다. As described above, the present invention has an advantage of increasing the efficiency of the PAM by varying the impedance matching value of the PAM appropriately for the high mode or the low mode of the mobile communication terminal.

또한 본 발명은 듀얼 밴드 기능을 구비하는 이동통신 단말기의 PAM의 임피던스 매칭값을 주파수 대역에 따라 가변하여 PAM의 효율을 높일 수 있게 하는 이점이 있다. In addition, the present invention has the advantage of increasing the efficiency of the PAM by varying the impedance matching value of the PAM of the mobile communication terminal having a dual band function according to the frequency band.

이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 이는 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. As described above, the present invention has been described by way of limited embodiments and drawings, but the present invention is not limited to the above-described embodiments, which can be variously modified and modified by those skilled in the art to which the present invention pertains. Modifications are possible.

따라서, 본 발명 사상은 아래에 기재된 특허청구범위에 의해서만 파악되어야 하고, 이의 균등 또는 등가적 변형 모두는 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것 이다.Therefore, the spirit of the present invention should be grasped only by the claims described below, and all equivalent or equivalent modifications thereof will belong to the scope of the present invention.

Claims (3)

이동통신 단말기의 전력증폭모듈의 임피던스 매칭값을 가변하는 전력증폭모듈의 매칭장치에 있어서, In the matching device of the power amplifier module for varying the impedance matching value of the power amplifier module of the mobile communication terminal, 수신전계강도를 측정하는 RSSI 측정부;RSSI measuring unit for measuring the received electric field strength; 로우 모드 또는 하이 모드에 각각 대응되는 제1 및 제2임피던스 매칭값을 저장하는 메모리부;A memory unit for storing first and second impedance matching values respectively corresponding to the low mode or the high mode; 송수신 신호를 전력 증폭하는 전력증폭모듈;A power amplification module for power amplifying a transmission / reception signal; 상기 전력증폭모듈의 출력단에 연결되어 상기 전력증폭모듈의 임피던스를 매칭하는 임피던스 매칭부; 및An impedance matching unit connected to an output terminal of the power amplifier module to match an impedance of the power amplifier module; And 상기 RSSI 측정부가 측정한 수신전계강도가 소정값 이상이면 상기 제1임피던스 매칭값을 상기 메모리부로부터 독출하여 상기 제1임피던스 매칭값에 대응되게 상기 임피던스 매칭부의 임피던스 매칭값을 조정하고, 상기 RSSI 측정부가 측정한 수신전계강도가 소정값 이하이면 상기 제2임피던스 매칭값을 상기 메모리부로부터 독출하여 상기 제2임피던스 매칭값에 대응되게 상기 임피던스 매칭부의 임피던스 매칭값을 조정하는 제어부When the received electric field strength measured by the RSSI measurement unit is equal to or greater than a predetermined value, the first impedance matching value is read from the memory unit, and the impedance matching unit of the impedance matching unit is adjusted to correspond to the first impedance matching value, and the RSSI measurement is performed. A control unit for reading the second impedance matching value from the memory unit to adjust the impedance matching value of the impedance matching unit to correspond to the second impedance matching value if the received measured electric field strength is less than or equal to a predetermined value; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력증폭모듈의 매칭장치. Matching device for a power amplification module comprising a. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 임피던스 매칭부는The impedance matching unit 다수의 임피던스 매칭 소자가 조합되어 고정된 임피던스 매칭값을 가지는 임피던스 매칭회로; 및 An impedance matching circuit in which a plurality of impedance matching elements are combined to have a fixed impedance matching value; And 상기 임피던스 매칭회로의 출력단에 연결되며, 상기 제어부의 제어전압에 따라 임피던스가 가변하는 임피던스 매칭값 가변부An impedance matching value variable unit connected to an output terminal of the impedance matching circuit, the impedance of which varies according to a control voltage of the controller 를 포함하는 것을 특징으로 전력증폭모듈의 매칭장치. Matching device for a power amplification module comprising a. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 메모리부가 듀얼 모드의 제1 및 제2주파수에 각각 대응되는 제3 및 제4임피던스 매칭값을 더 저장하며;The memory unit further stores third and fourth impedance matching values respectively corresponding to the first and second frequencies of the dual mode; 상기 제어부가 상기 듀얼 모드의 주파수들중 제1주파수가 선택되면 상기 제3임피던스 매칭값을 상기 메모리부로부터 독출하여 상기 제3임피던스 매칭값에 대응되게 상기 임피던스 매칭부의 임피던스 매칭값을 조정하고, 상기 듀얼모드의 주파수들중 제2주파수가 선택되면 상기 제4임피던스 매칭값을 상기 메모리부로부터 독출하여 상기 제4임피던스 매칭값에 대응되게 상기 임피던스 매칭부의 임피던스 매칭값을 조정하는 것을 특징으로 하는 전력증폭모듈의 매칭장치. The controller reads the third impedance matching value from the memory unit when the first frequency is selected among the frequencies of the dual mode, and adjusts the impedance matching value of the impedance matching unit to correspond to the third impedance matching value. When the second frequency of the dual-mode frequency is selected, the fourth impedance matching value is read from the memory unit to adjust the impedance matching value of the impedance matching unit to correspond to the fourth impedance matching value Module matching device.
KR1020050043437A 2005-05-24 2005-05-24 Apparatus of matching for pam KR20060121342A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050043437A KR20060121342A (en) 2005-05-24 2005-05-24 Apparatus of matching for pam

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050043437A KR20060121342A (en) 2005-05-24 2005-05-24 Apparatus of matching for pam

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060121342A true KR20060121342A (en) 2006-11-29

Family

ID=37707089

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050043437A KR20060121342A (en) 2005-05-24 2005-05-24 Apparatus of matching for pam

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20060121342A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9866176B2 (en) Apparatus and methods for envelope shaping in mobile devices
CN102792599B (en) Tunable matching circuits for power amplifiers
KR101767718B1 (en) Apparatus and methods for power amplifiers
CN100593912C (en) Transmitter and radio communication device
JP5722173B2 (en) Dual band radio frequency transmitter
KR101411217B1 (en) Methods for determining optimum power supply voltages for radio-frequency power amplifier circuitry
US20140378188A1 (en) Wireless communications circuit for improving current consumption and rf performance
KR100470582B1 (en) Method and apparatus for multiple band transmission
WO2014100513A1 (en) Multi-mode multi-band power amplifiers
CN104682884A (en) Apparatus and methods for phase compensation in power amplifiers
US9071302B2 (en) Radio-frequency power amplifier circuitry with power supply voltage optimization capabilities
CN102510297A (en) Power amplification module, multi-mode radio frequency transceiver, duplexer and multi-mode terminal
CN102404022A (en) Power amplifying module, radio frequency front end module and multi-mode terminal
JP2011234155A (en) Transmitter
CN113169717A (en) Load line switching for push-pull power amplifiers
WO2007060675A1 (en) Method and apparatus for optimizing current consumption of amplifiers with power control
US8285220B2 (en) Method and apparatus for reducing a channel deviation in a mobile communication terminal
CN100477509C (en) Radio communication frequency signal amplifier and transmitting/receiving device
CN102510582A (en) Multi-module radio-frequency emission process chip and multi-module terminal
CN102420631A (en) Power amplification apparatus, multi-mode radio frequency transmitting-receiving apparatus and multi-mode terminal
US20060035667A1 (en) Multi band mobile communications terminal
JP2012019307A (en) Receiver and transmitter receiver
KR20060121342A (en) Apparatus of matching for pam
CN100385807C (en) Mobile communication terminal with reverse output power setting function
JP2003332859A (en) Output amplifier and radio transmitter

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
WITN Withdrawal due to no request for examination