KR20060114457A - Total equipment prediction and analysis system used in control of chemical vapor deposition apparatus and method of controlling the chemical vapor deposition apparatus using the same - Google Patents

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KR20060114457A KR1020050036395A KR20050036395A KR20060114457A KR 20060114457 A KR20060114457 A KR 20060114457A KR 1020050036395 A KR1020050036395 A KR 1020050036395A KR 20050036395 A KR20050036395 A KR 20050036395A KR 20060114457 A KR20060114457 A KR 20060114457A
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Abstract

A total equipment prediction and analysis system used in control of a chemical vapor deposition(CVD) apparatus to prevent damage of a wafer by allowing an engineer to immediately take a measure when a chemical vapor deposition apparatus is mis-operated, and a method of controlling the chemical vapor deposition apparatus using the same are provided. A method of controlling a chemical vapor deposition apparatus by using a total equipment prediction and analysis system comprises: a step(S300) of storing a step data in a data collection part of the total equipment prediction and analysis system, wherein the step data displays an opening state of a throttle valve installed on an exhaust pipe connected to a reactor of the chemical vapor deposition apparatus; a step(S310) of analyzing the stored step data by using a control part connected to the data collection part; and a step(S320) of generating an interlock signal for stopping action of the chemical vapor deposition apparatus through the control part when the analyzed step data is deviated from a reference value of an allowable range. The method further comprises a step(S330) of converting the interlock signal into an image data through a display part connected to the control part.

Description

화학기상증착 장비의 제어에 사용되는 통합관리 시스템 및 이를 사용하여 화학기상증착 장비를 제어하는 방법{Total equipment prediction and analysis system used in control of chemical vapor deposition apparatus and method of controlling the chemical vapor deposition apparatus using the same}Total equipment prediction and analysis system used in control of chemical vapor deposition apparatus and method of controlling the chemical vapor deposition apparatus using the same}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착 장비를 제어하는 통합관리 시스템의 구성을 도시한 블럭도이다.1 is a block diagram showing the configuration of an integrated management system for controlling chemical vapor deposition equipment according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 실시예에 따라 화학기상증착 장비를 제어하는 통합관리 시스템을 화학기상증착 장비와 함께 도시한 블럭도이다.2 is a block diagram illustrating an integrated management system for controlling chemical vapor deposition equipment together with chemical vapor deposition equipment according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 실시예에 따라 화학기상증착 장비에 동작 불량이 있는 경우, 인터록을 발생시키는 통합관리 시스템의 제어방법 수순을 도시한 흐름도이다.3 is a flowchart illustrating a control method procedure of an integrated management system that generates an interlock when there is a malfunction in chemical vapor deposition equipment according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 반도체 공정설비의 제어에 사용되는 통합관리 시스템 및 이를 사용하여 상기 반도체 공정설비를 제어하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 화학기상증착 장비의 제어에 사용되는 통합관리 시스템 및 이를 사용하여 화학기상증착 장비를 제어하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an integrated management system used for the control of semiconductor processing equipment and a method for controlling the semiconductor processing equipment using the same. More particularly, the integrated management system used for the control of chemical vapor deposition equipment and the use of the same A method for controlling chemical vapor deposition equipment.

일반적으로 통합관리 시스템(TEPAS; total equipment prediction and analysis system)은 반도체 제조공정에서 발생할 수 있는 설비의 각종 동작 불량을 최소화하기 위해, 설비의 동작 진행 상황을 알려주는 각종 데이터들을 실시간 분석 및 예측하여 모니터링하는 시스템이다. 상기 통합관리 시스템은 화학기상증착 장비와 연결되어 상기 화학기상증착 장비의 동작 상황을 엔지니어가 실시간으로 모니터링 할 수 있게 된다.In general, a total equipment prediction and analysis system (TEPAS) monitors by analyzing and predicting various data indicating the progress of the equipment in real time in order to minimize various malfunctions of the equipment that may occur in the semiconductor manufacturing process. It is a system. The integrated management system is connected to the chemical vapor deposition equipment enables the engineer to monitor the operating status of the chemical vapor deposition equipment in real time.

한편, 상기 화학기상증착 장비 중에서 BPSG(boron-phosphorus-silicate glass)막 등의 평탄화 절연막을 증착하기 위한 장비는 일반적으로 기체 공급부, 쓰리웨이(three way) 밸브, 반응기 및 배기펌프를 구비한다. 상기 기체 공급부는 상기 반응기 내로 유입될 TEOS(tetra ethyl ortho silicate), TEPO(tri ethyl phosphorate) 및 TEB(tri ethyl boron)를 공급한다. 상기 쓰리웨이 밸브는 상기 기체 공급부에서 공급된 상기 TEOS, TEPO 및 TEB가 안정화된 유량으로 상기 반응기 내부로 유입될 수 있도록 조절된다. 상기 반응기는 공급된 상기 TEOS, TEPO 및 TEB를 반응시켜 BPSG막을 웨이퍼에 증착시킨다. 상기 배기펌프는 상기 반응기 내의 기체들을 배기한다. Meanwhile, among the chemical vapor deposition equipment, equipment for depositing a planarization insulating film such as a boron-phosphorus-silicate glass (BPSG) film generally includes a gas supply part, a three way valve, a reactor, and an exhaust pump. The gas supply unit supplies tetra ethyl ortho silicate (TEOS), tri ethyl phosphorate (TEPO) and tri ethyl boron (TEB) to be introduced into the reactor. The three-way valve is adjusted to allow the TEOS, TEPO and TEB supplied from the gas supply to flow into the reactor at a stabilized flow rate. The reactor reacts the supplied TEOS, TEPO and TEB to deposit a BPSG film on the wafer. The exhaust pump exhausts gases in the reactor.

상기 화학기상증착 장비의 일반적인 동작을 살펴보면, 먼저 상기 기체공급부에서 상기 TEOS, TEPO 및 TEB를 공급한다. 공급된 상기 TEOS, TEPO 및 TEB는 상기 쓰리웨이 밸브로 유입된다. 상기 쓰리웨이 밸브는 상기 반응기와 연결된 기체공급라인 및 상기 배기펌프와 연결된 벤트라인과 연결되어 있다. 상기 쓰리웨이 밸브는 에어 구동 어뎁터에 의해 공급되는 에어(air)에 의하여 구동되어 상기 기체공급라 인의 입구 및 상기 벤트라인의 입구가 선택적으로 열리고 닫히게 된다. 먼저 벤트라인의 입구는 열고, 상기 기체공급라인의 입구는 닫아 일정 시간동안 상기 기체들을 배기펌프를 통해 배기한다. 유량이 안정화되면, 상기 기체공급라인의 입구는 열고, 상기 벤트라인의 입구는 닫아 상기 기체들을 반응기 내부로 공급한다. Looking at the general operation of the chemical vapor deposition equipment, first, the gas supply unit supplies the TEOS, TEPO and TEB. The TEOS, TEPO and TEB supplied are introduced into the three-way valve. The three-way valve is connected to a gas supply line connected to the reactor and a vent line connected to the exhaust pump. The three-way valve is driven by air supplied by an air drive adapter to selectively open and close the inlet of the gas supply line and the inlet of the vent line. First, the inlet of the vent line is opened and the inlet of the gas supply line is closed to exhaust the gases through the exhaust pump for a predetermined time. When the flow rate is stabilized, the inlet of the gas supply line is opened and the inlet of the vent line is closed to supply the gases into the reactor.

그러나, 상기 에어 구동 어뎁터는 상기 기체들을 고온의 상태로 유지시키기 위해 장착하는 히팅자켓(heating jacket)에 의해 경화되어 파손될 수 있다. 상기 에어 구동 어뎁터가 파손되면, 상기 벤트라인의 입구가 열리고, 상기 기체공급라인의 입구가 닫혀 기체들의 유량을 안정화시키는 유량 안정화 단계에서, 상기 기체공급라인의 입구가 닫혀지지 않아 상기 기체들이 상기 반응기 내로 공급되게 된다. 이는, 이후 상기 반응기 내의 웨이퍼에 고농도의 BPSG막이 증착되게 하므로, 불균일한 농도를 갖는 BPSG막이 형성된다. 특히, 상기 BPSG막을 층간절연막으로 사용하는 메탈 콘택 형성 공정에 있어서, 상기 BPSG막 내에 콘택홀 형성시, 상기 BPSG막의 불균일한 농도에 의해 식각선택비 또한 불균일하게 되고, 이는 이후 메탈 콘택 브리지(metal contact bridge)현상을 유발시키어 반도체소자의 전기적 특성을 크게 저하시킨다.However, the air drive adapter may be hardened and broken by a heating jacket mounted to keep the gases at a high temperature. When the air drive adapter is damaged, the inlet of the vent line is opened, and the inlet of the gas supply line is closed to stabilize the flow rate of the gases, and the inlet of the gas supply line is not closed so that the gases are not in the reactor. Will be fed into. This then causes a high concentration of BPSG film to be deposited on the wafer in the reactor, thereby forming a BPSG film having a non-uniform concentration. Particularly, in the metal contact forming process using the BPSG film as an interlayer insulating film, when the contact hole is formed in the BPSG film, the etch selectivity is also uneven due to the non-uniform concentration of the BPSG film, which is then referred to as a metal contact bridge. bridge) phenomenon, which greatly reduces the electrical characteristics of the semiconductor device.

종래 기술에 의하면, 상기 통합관리 시스템이 상기 화학기상증착 장비의 동작 오류를 검출하고 분류하여 모니터링 해주는 역할을 하더라도, 엔지니어가 상기 화학기상증착 장비의 동작 불량을 바로 인식하고 즉각적인 조취를 취하는 데에 한계가 있다. 엔지니어는 공정이 다 끝난 후에 웨이퍼의 불량을 인지하게 되므로, 웨이퍼의 큰 손실을 가져온다. According to the prior art, even if the integrated management system serves to detect, classify and monitor the operation error of the chemical vapor deposition equipment, the engineer is limited to immediately recognize the malfunction of the chemical vapor deposition equipment and take immediate action. There is. Engineers will notice wafer defects after the process is over, resulting in a large loss of wafers.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 화학기상증착 장비가 동작 불량을 일으킬 때에, 엔지니어가 즉각적으로 조취를 취하여 웨이퍼의 손실을 방지할 수 있도록 상기 화학기상증착 장비의 제어에 사용되는 통합관리 시스템 및 이를 사용하여 상기 화학기상증착 장비를 제어하는 방법을 제공함에 있다.The technical problem to be achieved by the present invention is an integrated management system used to control the chemical vapor deposition equipment to enable the engineer to immediately take action when the chemical vapor deposition equipment causes a malfunction, and to prevent the loss of the wafer and use thereof By providing a method for controlling the chemical vapor deposition equipment.

상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 일 양태에 따르면, 화학기상증착 장비의 제어에 사용되는 통합관리 시스템이 제공된다. 상기 통합관리 시스템은 데이터 수집부 및 제어부를 구비한다. 상기 데이터 수집부는 상기 화학기상증착 장비의 반응기에 연결된 배기관에 설치된 쓰로틀 밸브의 열림 상태를 나타내는 스텝 데이터를 저장하고, 상기 제어부는 상기 데이터 수집부 내에 저장된 상기 스텝 데이터를 분석하여 상기 분석된 스텝 데이터가 허용된 범위 내의 기준치를 벗어나는 경우에 상기 화학기상증착 장비의 동작을 중지시키는 인터록 신호를 발생시킨다.According to an aspect of the present invention for achieving the above technical problem, there is provided an integrated management system used for the control of chemical vapor deposition equipment. The integrated management system includes a data collector and a controller. The data collector stores step data indicating an open state of a throttle valve installed in an exhaust pipe connected to a reactor of the chemical vapor deposition apparatus, and the controller analyzes the step data stored in the data collector to analyze the step data. An interlock signal is generated which stops the operation of the chemical vapor deposition equipment when the reference value is within a permitted range.

상기 제어부는 디스플레이부에 접속될 수 있다. 상기 디스플레이부는 상기 인터록 신호를 화상 데이터로 변환시킨다.The control unit may be connected to the display unit. The display unit converts the interlock signal into image data.

상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 다른 양태에 따르면, 통합관리 시스템을 사용하여 화학기상증착 장비를 제어하는 방법이 제공된다. 이 제어방법은 상기 화학기상증착 장비의 반응기에 연결된 배기관에 설치된 쓰로틀 밸브의 열림 상태를 나타내는 스텝 데이터를 상기 통합관리 시스템의 데이터 수집부 내로 저장하는 단계를 포함한다. 상기 저장된 스텝 데이터는 상기 데이터 수집부와 접속된 제어부를 사용하여 분석된다. 상기 분석된 스텝 데이터가 허용된 범위의 기준치를 벗어나는 경우에 상기 제어부는 상기 화학기상증착 장비의 동작을 중지시키는 인터록 신호를 발생시킨다.According to another aspect of the present invention for achieving the above technical problem, there is provided a method for controlling chemical vapor deposition equipment using an integrated management system. The control method includes storing step data indicating the open state of the throttle valve installed in the exhaust pipe connected to the reactor of the chemical vapor deposition equipment into the data collection unit of the integrated management system. The stored step data is analyzed using a control unit connected to the data collection unit. If the analyzed step data deviate from the allowed range of reference values, the controller generates an interlock signal for stopping the operation of the chemical vapor deposition equipment.

상기 인터록 신호는 상기 제어부에 연결된 디스플레이부를 통하여 화상 데이터로 변환될 수 있다.The interlock signal may be converted into image data through a display unit connected to the control unit.

상기 인터록 신호는 상기 화학기상증착 장비가 유량 안정화 단계를 수행하는 동안 스텝 데이터의 분석 결과에 따라 발생될 수 있다.The interlock signal may be generated according to the analysis result of the step data while the chemical vapor deposition equipment performs the flow rate stabilization step.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed subject matter is thorough and complete, and that the scope of the invention to those skilled in the art will fully convey. Like numbers refer to like elements throughout.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착 장비의 통합관리 시스템의 구성을 도시한 블럭도이다.1 is a block diagram showing the configuration of an integrated management system of chemical vapor deposition equipment according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 통합관리 시스템(100)은 데이터 수집부(102), 제어부(104) 및 디스플레이부(106)를 구비한다. 상기 데이터 수집부(102)는 화학기상증착 장비로부터 장비 특성 및 장비가 수행하는 공정의 진행 상황 등에 대한 데이터를 수집하고, 수집된 데이터를 저장한다. 상기 데이터 수집부(102)는 저장된 데이터를 상기 제어부(104)에 전송한다.Referring to FIG. 1, the integrated management system 100 includes a data collector 102, a controller 104, and a display 106. The data collection unit 102 collects data on the characteristics of the equipment and the progress of the process performed by the equipment from the chemical vapor deposition equipment, and stores the collected data. The data collector 102 transmits the stored data to the controller 104.

상기 제어부(104)는 상기 데이터 수집부(102)로부터 전송된 각종 데이터를 분석하고, 분석 결과를 나타내는 데이터를 생성하여 상기 데이터 수집부(102)에 전송하여 데이터가 저장되도록 한다. 상기 제어부(104)는 데이터를 분석한 결과 상기 데이터가 허용된 범위 내의 기준치를 벗어나는 경우에 상기 화학기상증착 장비의 동작을 중지시키는 인터록 신호를 발생시키는 역할을 한다. 또한, 분석 결과를 나타내는 데이터 및 인터록 신호의 발생 여부를 나타내는 데이터를 상기 디스플레이부(106)로 전송한다. 상기 제어부(104)는 상기 인터록 신호가 상기 화학기상증착 장비의 유량 안정화 단계 수행시의 스텝 데이터의 분석 결과에 따라 발생될 수 있도록 설정되어 있다.The controller 104 analyzes various data transmitted from the data collector 102, generates data representing an analysis result, and transmits the data to the data collector 102 to store data. The controller 104 is responsible for generating an interlock signal for stopping the operation of the chemical vapor deposition equipment when the data is out of the reference value within the allowable range as a result of analyzing the data. In addition, data indicating an analysis result and data indicating whether an interlock signal is generated are transmitted to the display unit 106. The control unit 104 is set so that the interlock signal can be generated according to the analysis result of the step data when performing the flow rate stabilization step of the chemical vapor deposition apparatus.

상기 디스플레이부(106)는 상기 제어부(104)로부터 분석 결과를 나타내는 데이터 및 인터록 신호의 발생 여부를 나타내는 데이터를 전송받아 엔지니어가 인식할 수 있도록 모니터링한다. 예컨대, 데이터를 그래프, 이미지 또는 텍스트 타입 등의 화상 데이터로 변환시키어 모니터링할 수 있다.The display unit 106 receives data indicating an analysis result and data indicating whether an interlock signal is generated from the control unit 104 and monitors the engineer so as to recognize the data. For example, data can be converted into image data such as graphs, images, or text types for monitoring.

도 2는 본 발명의 실시예에 따라 화학기상증착 장비를 제어하는 통합관리 시스템을 화학기상증착 장비와 함께 도시한 블럭도이다.2 is a block diagram illustrating an integrated management system for controlling chemical vapor deposition equipment together with chemical vapor deposition equipment according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하여, 상기 화학기상증착 장비(200)의 동작 및 이를 제어하는 통합관리 시스템(100)의 제어방법을 절연막으로 이용되는 BPSG막을 증착하는 화학기상증착 장비로 자세히 설명한다. 상기 화학기상증착 장비(200)는 상기 통합관리 시스템(100)과 연결되어 있으며, 상기 통합관리 시스템(100)의 구성은 도 1에서 도시한 바와 같다. 상기 화학기상증착 장비(200)는 일반적으로 기체 공급부(202), 반응 기(210) 및 배기펌프(214)를 구비한다. 상기 기체 공급부(202)는 TEOS(tetra ethyl ortho silicate), TEPO(tri ethyl phosphorate) 및 TEB(tri ethyl boron)(이하, 공급 기체들이라 한다.)를 상기 반응기(210)로 공급하기 위하여 배출한다. 상기 공급 기체들은 헬륨이나 질소 기체 등의 운반기체에 의해 운반되어 쓰리웨이 밸브(204)로 유입된다. 상기 기체 공급부(202)는 운반기체 공급원 및 LFC(liquid flow controller)를 구비할 수 있다. 상기 쓰리웨이 밸브(204)는 기체공급라인(208) 및 벤트라인(206)과 연결되어 상기 공급 기체들의 진로를 조절한다. 상기 기체공급라인(208)은 상기 쓰리웨이 밸브(204)에서 상기 반응기(210)로 상기 공급 기체들이 유입되도록 상기 반응기(210)와 상기 쓰리웨이 밸브(204)를 연결한다. 상기 벤트라인(206)은 상기 쓰리웨이 밸브(204)에서 상기 배기펌프(214)로 상기 공급 기체들이 배기되도록 상기 배기펌프(214)와 상기 쓰리웨이 밸브(204)를 연결한다. 상기 쓰리웨이 밸브(204)는 공급되는 에어(air)에 의하여 구동되는 에어 구동 어뎁터(도시하지 않음)에 의해 상기 기체공급라인(208)의 입구 및 상기 벤트라인(206)의 입구가 선택적으로 열리고 닫히도록 조절된다. 먼저 상기 벤트라인(206)의 입구는 열고, 상기 기체공급라인(208)의 입구는 닫아 약 15초동안 상기 공급 기체들이 상기 배기펌프(214)를 통해 배기되도록 한다. 이는 상기 공급 기체들의 유량을 안정화시켜 상기 반응기(210)에서 균일한 농도를 갖는 BPSG막이 형성되도록 하기 위한 것이다. 유량이 안정화되면, 상기 쓰리웨이 밸브(204)는 상기 기체공급라인(208)의 입구는 열리고, 상기 벤트라인(206)의 입구는 닫히도록 조절되어, 상기 공급 기체들을 상기 반응기(210) 내부로 공급한다. Referring to Figure 2, the operation of the chemical vapor deposition equipment 200 and the control method of the integrated management system 100 for controlling it will be described in detail as a chemical vapor deposition equipment for depositing a BPSG film used as an insulating film. The chemical vapor deposition equipment 200 is connected to the integrated management system 100, the configuration of the integrated management system 100 is as shown in FIG. The chemical vapor deposition equipment 200 generally includes a gas supply 202, a reactor 210, and an exhaust pump 214. The gas supply unit 202 discharges the tetra ethyl ortho silicate (TEOS), the tri ethyl phosphorate (TEPO), and the tri ethyl boron (TEB) (hereinafter referred to as feed gases) to supply the reactor 210. The feed gases are carried by a carrier gas such as helium or nitrogen gas and flow into the three-way valve 204. The gas supply unit 202 may include a carrier gas source and a liquid flow controller (LFC). The three-way valve 204 is connected to the gas supply line 208 and the vent line 206 to regulate the path of the feed gases. The gas supply line 208 connects the reactor 210 and the three-way valve 204 to allow the feed gases to flow into the reactor 210 from the three-way valve 204. The vent line 206 connects the exhaust pump 214 and the three way valve 204 to exhaust the supply gases from the three way valve 204 to the exhaust pump 214. The three-way valve 204 is selectively opened by the inlet of the gas supply line 208 and the inlet of the vent line 206 by an air drive adapter (not shown) driven by the supplied air (air) Adjusted to close First, the inlet of the vent line 206 is opened and the inlet of the gas supply line 208 is closed to allow the supply gases to be exhausted through the exhaust pump 214 for about 15 seconds. This is to stabilize the flow rate of the feed gases to form a BPSG film having a uniform concentration in the reactor 210. When the flow rate is stabilized, the three-way valve 204 is adjusted to open the inlet of the gas supply line 208 and to close the inlet of the vent line 206 to bring the feed gases into the reactor 210. Supply.

상기 반응기(210)와 상기 배기펌프(214)를 연결하는 관에는 쓰로틀 (throttle) 밸브(212)가 제공된다. 상기 쓰로틀 밸브(212)는 상기 반응기(210) 내의 압력을 진행 공정에 적합하도록 일정하게 유지시키는 역할을 한다. 즉, 상기 쓰로틀 밸브(212)는 상기 반응기(210) 내로 공급되는 공급 기체들의 유량에 따라 열리는 정도가 조절되어 상기 반응기(210) 내의 압력을 약 200Torr로 유지시킨다. 상기 쓰로틀 밸브(212)가 완전히 닫힌 상태를 0스텝, 완전히 열린 상태를 1600스텝으로 지정하여, 상기 통합관리 시스템(100)이 상기 쓰로틀 밸브(212)의 스텝 데이터를 관리하도록 한다. A throttle valve 212 is provided in the pipe connecting the reactor 210 and the exhaust pump 214. The throttle valve 212 serves to maintain a constant pressure in the reactor 210 to suit the progress process. That is, the throttle valve 212 is controlled according to the flow rate of the feed gases supplied into the reactor 210 to maintain the pressure in the reactor 210 to about 200 Torr. The integrated management system 100 manages the step data of the throttle valve 212 by designating the state where the throttle valve 212 is completely closed to 0 steps and the fully opened state as 1600 steps.

도 3은 본 발명의 실시예에 따라 화학기상증착 장비에 동작 불량이 있는 경우, 인터록 신호를 발생시키는 통합관리 시스템의 제어방법의 수순을 도시한 흐름도이다.3 is a flowchart illustrating a procedure of a control method of an integrated management system that generates an interlock signal when there is a malfunction in chemical vapor deposition equipment according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3을 참조하면, S300 단계에서, 상기 통합관리 시스템(100)의 상기 데이터 수집부(102)는 상기 쓰로틀 밸브(212)의 스텝 데이터를 수집하고, 수집된 스텝 데이터를 저장한다. 상기 쓰리웨이 밸브(204)의 상기 에어 구동 어뎁터가 파손된 경우에는, 먼저 상기 벤트라인(206)으로 유입되어 유량 안정화 단계를 거쳐야 할 공급 기체들이 상기 기체공급라인(208)으로 유입되어 상기 반응기(210) 내로 유입되게 된다. 이때, 상기 쓰로틀 밸브(212)는 상기 반응기(210) 내의 압력을 일정하게 유지시키기 위하여 유량 안정화 단계에서의 정상적인 스텝보다 더 높은 스텝의 열림 상태를 갖게된다. 따라서, 상기 데이터 수집부(102)는 정상적인 스텝 데이터보다 더 높은 스텝 데이터를 상기 화학기상증착 장비(200)로부터 수집하고, 수 집된 상기 스텝 데이터를 저장한다. 상기 데이터 수집부(102)는 저장된 상기 스텝 데이터를 상기 제어부(104)에 전송한다.2 and 3, in step S300, the data collection unit 102 of the integrated management system 100 collects step data of the throttle valve 212 and stores the collected step data. When the air drive adapter of the three-way valve 204 is damaged, firstly, gas supplied to the vent line 206 and undergoing a flow rate stabilization step flows into the gas supply line 208 to allow the reactor ( 210 is introduced into. At this time, the throttle valve 212 has an open state of a step higher than the normal step in the flow rate stabilization step to maintain a constant pressure in the reactor 210. Therefore, the data collector 102 collects the step data higher than the normal step data from the chemical vapor deposition apparatus 200 and stores the collected step data. The data collector 102 transmits the stored step data to the controller 104.

S310 단계에서, 상기 제어부(104)는 상기 데이터 수집부(102)로부터 전송된 상기 스텝 데이터를 분석한다. 분석 결과를 나타내는 결과 데이터를 상기 데이터 수집부(102)로 전송하여 저장되도록 한다.In step S310, the controller 104 analyzes the step data transmitted from the data collector 102. The result data indicating the analysis result is transmitted to the data collector 102 to be stored.

S320 단계에서, 상기 스텝 데이터를 분석한 결과 허용된 범위의 기준치를 벗어나는 스텝 데이터로 판별될 경우 상기 화학기상증착 장비(100)를 일시적으로 중지시키는 인터록 신호를 발생시킨다. 결과 데이터 및 인터록 신호를 발생시켰음을 나타내는 데이터를 상기 디스플레이부(106)로 전송한다. In operation S320, when the step data is analyzed and determined to be step data that deviates from the allowable range of reference values, an interlock signal for temporarily stopping the chemical vapor deposition apparatus 100 is generated. Result data and data indicating that an interlock signal has been generated are transmitted to the display unit 106.

S330 단계에서, 상기 디스플레이부(106)는 상기 제어부(104)로부터 결과 데이터 및 인터록 신호를 발생시켰음을 나타내는 데이터를 전송받아 엔지니어가 인식할 수 있도록 화상 데이터로 변환시키어 모니터링한다. In operation S330, the display unit 106 receives data indicating that the result data and the interlock signal are generated from the controller 104, converts the image data into image data so that the engineer can recognize it, and monitors the converted data.

상기와 같이 이루어진 본 발명에 의하면, 통합관리 시스템이 공급 기체들이 벤트라인으로 유입되는 유량 안정화 단계에서 인터록 신호를 발생시킬 수 있도록 설정되어있다. 따라서, 화학기상증착 장비가 동작 불량이 발생했을 때에, 즉시 엔지니어가 조취를 취할 수 있게 되므로, 웨이퍼의 손실을 방지할 수 있다.According to the present invention made as described above, the integrated management system is set to generate an interlock signal in the flow rate stabilization step in which the feed gases are introduced into the vent line. Therefore, when the chemical vapor deposition equipment malfunctions, the engineer can immediately take action, so that the loss of the wafer can be prevented.

Claims (5)

화학기상증착 장비를 제어하는 통합관리 시스템에 있어서,In the integrated management system for controlling chemical vapor deposition equipment, 상기 화학기상증착 장비의 반응기에 연결된 배기관에 설치된 쓰로틀 밸브의 열림 상태를 나타내는 스텝 데이터를 저장하는 데이터 수집부; 및 A data collection unit for storing step data indicating an open state of a throttle valve installed in an exhaust pipe connected to a reactor of the chemical vapor deposition apparatus; And 상기 데이터 수집부 내에 저장된 상기 스텝 데이터를 분석하고, 상기 분석된 스텝 데이터가 허용된 범위 내의 기준치를 벗어나는 경우에 상기 화학기상증착 장비의 동작을 중지시키는 인터록 신호를 발생시키는 제어부를 포함하는 통합관리 시스템.And a control unit for analyzing the step data stored in the data collection unit and generating an interlock signal for stopping the operation of the chemical vapor deposition apparatus when the analyzed step data deviate from a reference value within an allowable range. . 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 인터록 신호를 화상 데이터로 변환시키는 디스플레이부를 더 포함하는 통합관리 시스템.And a display unit for converting the interlock signal into image data. 통합관리 시스템을 사용하여 화학기상증착 장비를 제어하는 방법에 있어서,In the method of controlling chemical vapor deposition equipment using an integrated management system, 상기 화학기상증착 장비의 반응기에 연결된 배기관에 설치된 쓰로틀 밸브의 열림 상태를 나타내는 스텝 데이터를 상기 통합관리 시스템의 데이터 수집부 내로 저장하는 단계;Storing step data indicating an open state of a throttle valve installed in an exhaust pipe connected to a reactor of the chemical vapor deposition apparatus into a data collection unit of the integrated management system; 상기 저장된 스텝 데이터를 상기 데이터 수집부와 접속된 제어부를 사용하여 분석하는 단계; 및Analyzing the stored step data using a control unit connected to the data collection unit; And 상기 분석된 스텝 데이터가 허용된 범위의 기준치를 벗어나는 경우에 상기 제어부를 통하여 상기 화학기상증착 장비의 동작을 중지시키는 인터록 신호를 발생시키는 단계를 포함하는 화학기상증착 장비의 제어방법.And generating an interlock signal through the control unit to stop the operation of the chemical vapor deposition apparatus when the analyzed step data deviate from a standard value of an allowable range. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 인터록 신호를 상기 제어부에 연결된 디스플레이부를 통하여 화상 데이터로 변환시키는 단계를 더 포함하는 화학기상증착 장비의 제어방법.And converting the interlock signal into image data through a display unit connected to the control unit. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 인터록 신호는 상기 화학기상증착 장비가 유량 안정화 단계를 수행할 때의 스텝 데이터의 분석 결과에 따라 발생되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 장비의 제어방법.The interlock signal is generated according to the analysis result of the step data when the chemical vapor deposition equipment performs the flow rate stabilization step.
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