KR20060080476A - Method for forming pattern on shadow-mask - Google Patents
Method for forming pattern on shadow-mask Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060080476A KR20060080476A KR1020050000958A KR20050000958A KR20060080476A KR 20060080476 A KR20060080476 A KR 20060080476A KR 1020050000958 A KR1020050000958 A KR 1020050000958A KR 20050000958 A KR20050000958 A KR 20050000958A KR 20060080476 A KR20060080476 A KR 20060080476A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- shadow mask
- mask
- pattern
- shadow
- forming
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 섀도우마스크 패턴 형성방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 인장력을 가한 상태에서 마스크 프레임에 우선 용접을 하고 레이저를 이용하여 증착패턴을 형성함으로써, 대면적 마스크 제작이 용이하고 가공공정 및 설비가 간단하며 가공시간을 절감할 수 있도록 된 섀도우마스크 패턴 형성방법에 관한 것이다.The present invention relates to a shadow mask pattern forming method, and more particularly, by first welding the mask frame under a tensile force and forming a deposition pattern using a laser, it is easy to manufacture a large-area mask and the processing process and equipment It relates to a method of forming a shadow mask pattern that is simple and can reduce processing time.
본 발명에 따른 섀도우마스크 패턴 형성방법은 섀도우마스크를 마스크 프레임 상에 부착시키는 단계; 및 상기 부착된 섀도우마스크에 패턴을 형성하는 단계;로 이루어진다.The shadow mask pattern forming method according to the present invention comprises the steps of attaching a shadow mask on the mask frame; And forming a pattern on the attached shadow mask.
본 발명에 따른 섀도우마스크 패턴 형성방법에 의하여, 인장력을 가한 상태에서 마스크 프레임에 우선 용접을 하고 레이저를 이용하여 증착패턴을 형성함으로써, 대면적 마스크 제작이 용이하고 가공공정 및 설비가 간단하며 가공시간을 절감할 수 있다.According to the shadow mask pattern forming method according to the present invention, by first welding the mask frame in the state of applying the tensile force and forming a deposition pattern using a laser, large-area mask production is easy, processing process and equipment is simple, processing time Can reduce the cost.
섀도우마스크, 마스크 프레임, 패턴 형성, 레이저-워터젯 가공Shadow Mask, Mask Frame, Pattern Formation, Laser-Waterjet Processing
Description
도 1은 일반적인 섀도우마스크가 도시된 도면,1 is a view showing a typical shadow mask,
도 2는 일반적인 섀도우마스크를 이용하여 금속배선이 형성된 표시소자 기판에 증착물질을 증착하는 과정이 도시된 도면,FIG. 2 is a diagram illustrating a process of depositing a deposition material on a display device substrate on which metal wires are formed using a general shadow mask; FIG.
도 3은 금속배선이 형성된 기판의 상부에 자성체를 배치하고 섀도우마스크를 통하여 기판에 증착물질을 증착하는 과정이 도시된 도면,3 is a view illustrating a process of depositing a deposition material on a substrate through a shadow mask by placing a magnetic material on an upper portion of a substrate on which metal wiring is formed;
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 섀도우마스크 패턴 형성방법의 섀도우마스크가 마스크 프레임에 인접되는 단계가 도시된 도면,4 is a diagram illustrating a step in which a shadow mask is adjacent to a mask frame in a method of forming a shadow mask pattern according to an embodiment of the present invention;
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 섀도우마스크 패턴 형성방법의 섀도우마스크 상에 인장력이 작용되는 단계가 도시된 도면,5 is a view showing a step of applying a tensile force on the shadow mask of the shadow mask pattern forming method according to an embodiment of the present invention,
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 섀도우마스크 패턴 형성방법의 섀도우마스크가 마스크 프레임 상에 용접되는 단계가 도시된 도면,6 is a view illustrating a step in which a shadow mask of a method of forming a shadow mask pattern according to an embodiment of the present invention is welded onto a mask frame;
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 섀도우마스크 패턴 형성방법의 섀도우마스크 상에 레이저-워터젯 가공으로 패턴이 형성되는 단계가 도시된 도면,FIG. 7 is a view illustrating a step of forming a pattern by laser-waterjet processing on a shadow mask of a method of forming a shadow mask pattern according to an embodiment of the present invention; FIG.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 섀도우마스크 패턴 형성방법의 연직배치된 마스크 프레임 상에서 패턴이 형성되는 것이 도시된 도면.8 is a view showing that the pattern is formed on the vertically arranged mask frame of the shadow mask pattern forming method according to another embodiment of the present invention.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>
10... 섀도우마스크, 11... 차단영역,10 ... shadow mask, 11 ... blocking area,
12... 투과영역, 20... 마스크 프레임,12 ... transmissive area, 20 ... mask frame,
30... 기판, 50... 자석,30 ... substrate, 50 ... magnet,
70... 인장시스템, 72... 고정부재,70 ... tensioning system, 72 ... holding member,
90... 용접기, L/W...레이저-워터젯,90 ... welders, L / W ... laser-waterjet,
W... 용접부.W ... welds.
본 발명은 섀도우마스크 패턴 형성방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 인장력을 가한 상태에서 마스크 프레임에 우선 용접을 하고 레이저를 이용하여 증착패턴을 형성함으로써, 대면적 마스크 제작이 용이하고 가공공정 및 설비가 간단하며 가공시간을 절감할 수 있도록 된 섀도우마스크 패턴 형성방법에 관한 것이다.The present invention relates to a shadow mask pattern forming method, and more particularly, by first welding the mask frame under a tensile force and forming a deposition pattern using a laser, it is easy to manufacture a large-area mask and the processing process and equipment It relates to a method of forming a shadow mask pattern that is simple and can reduce processing time.
일반적으로, 진공상태에서 박막을 증착하는 진공증착법은 반도체 및 표시소자 분야 등에서 널리 사용된다.In general, a vacuum deposition method for depositing a thin film in a vacuum state is widely used in the field of semiconductors and display devices.
이러한 진공증착법을 위해서는 증착이 이루어지는 기판 상에 특정한 패턴을 가지는 섀도우마스크(shadow-mask)를 이용하여 상기 섀도우마스크에 의해 엄폐된 부분 이외에만 증착이 이루어지도록 하는 것이다.For such a vacuum deposition method, the deposition is performed only on the part covered by the shadow mask by using a shadow mask having a specific pattern on the substrate on which the deposition is performed.
그러나, 상기 섀도우마스크는 얇은 두께를 가진 금속판 형태이므로 상기 기판에 정렬시 가장자리만을 지지하면서 상기 기판에 밀착하게 되는데, 이때 상기 섀도우마스크의 중앙부는 지지수단없이 그 가장자리만으로 지지되므로 완전밀착이 이루어지지 않게된다. 특히, 기판을 연직방향으로 지지시에는 중앙부 자체의 중량에 의하여 하방으로 처지는 현상이 발생하여 증착공정시 패턴 오차가 발생하는 문제가 발생한다. 이러한 문제점은 대면적의 기판 증착시에 더욱 부각되게 된다. However, since the shadow mask is in the form of a metal plate having a thin thickness, the shadow mask is in close contact with the substrate while supporting only an edge when aligned to the substrate. In this case, the center portion of the shadow mask is supported only by the edge thereof without supporting means, so that the close contact is not made. do. In particular, when the substrate is supported in the vertical direction, the phenomenon of sagging downward due to the weight of the center portion itself occurs, thereby causing a problem of pattern error during the deposition process. This problem is more prominent in the deposition of large areas of substrates.
도 1은 일반적인 섀도우마스크가 도시된 도면이다.1 is a diagram illustrating a general shadow mask.
도 1에 도시된 바와 같이, 섀도우마스크(10)는 차단영역(11)과, 기판(미도시)의 증착영역과 대응되는 투과영역(12)의 패턴을 형성하여 구성된다.As shown in FIG. 1, the
도 2는 일반적인 섀도우마스크를 이용하여 금속배선이 형성된 표시소자 기판에 증착물질을 증착하는 과정이 도시된 도면이다.FIG. 2 is a diagram illustrating a process of depositing a deposition material on a display device substrate on which metal wires are formed using a general shadow mask.
도 2를 참조하면, 표시소자는 상호 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선(32) 및 데이터 배선(31)과, 게이트 배선(32) 및 데이터 배선(31)의 교차지점에 위치된 박막트랜지스터로 구성된다.Referring to FIG. 2, the display element may be a thin film transistor positioned at an intersection of the
각 화소영역(33)에는 증착물질이 증착되는데, 도시된 바와 같이 상기 어레이 배선과 구동소자가 구성된 기판(30)의 일면이 하향되도록 하고 기판(30)의 하부에 섀도우마스크(10)를 위치시킨다. 이러한 상태에서 증착공정을 통하여 각 화소영역(33)에 박막을 형성하게 된다.A deposition material is deposited on each
그러나, 최근에 요구되고 있는 대면적의 표시소자에서는 상기 섀도우마스크가 대면적으로 갈수록 상기 섀도우마스크의 중량에 기인한 휘어짐 현상이 발생하여 상기 섀도우마스크의 중앙부위로 갈수록 상기 섀도우마스크와 상기 기판과의 간격이 커지게 되어 패턴의 정확성을 확보하기가 어려운 문제점이 발생되었다.However, in the display device of a large area, which is recently demanded, the shadow mask is warped due to the weight of the shadow mask as the shadow mask becomes larger, and thus the gap between the shadow mask and the substrate is increased toward the center of the shadow mask. This has become a problem that it is difficult to secure the accuracy of the pattern.
이러한 문제점을 해결하기 위하여 종래에는 기판의 상부에 자성체를 배치하여 마스크 패턴의 정확성을 개선하려는 방법이 제안되었다.In order to solve this problem, conventionally, a method has been proposed to improve the accuracy of a mask pattern by disposing a magnetic material on an upper portion of a substrate.
도 3은 금속배선이 형성된 기판의 상부에 자성체를 배치하고 섀도우마스크를 통하여 기판에 증착물질을 증착하는 과정이 도시된 도면이다.FIG. 3 is a view illustrating a process of depositing a deposition material on a substrate through a shadow mask by placing a magnetic material on an upper portion of a substrate on which metal wiring is formed.
도 3에 도시된 바와 같이, 섀도우마스크(10)가 금속재라는 것을 이용하여 기판(30)을 사이에 두고 각각의 맞은편에 섀도우마스크(10)와 자석(50)이 배치되어, 자석(50)의 인력을 이용하여 섀도우마스크(10)의 처짐을 방지하고자 한 방법이다. 그러나 이 경우에는, 섀도우마스크(10)의 처지는 정도가 그 전면적에 걸쳐 구배를 이루고 자기장의 세기가 증가하면 섀도우마스크(10)를 필요이상으로 잡아당겨 기판(30)의 표면에 손상을 주는 문제가 발생한다.As shown in FIG. 3, the
또한, 상술된 상기 섀도우마스크의 제작시에는 식각방법이나 전주(electroforming)방법으로 제작을 하여왔다. 그러나 두 방법 모두가 상기 섀도우마스크의 투과영역의 집적화와 상기 섀도우마스크 두께에 대한 한계성을 지니고 있었다. 식각에 의한 방법은 상기 투과영역 사이의 간격이 30 ㎛ 이하는 거의 불가능하며 또한 사각형의 모양이 구현되지 못하여 직각을 이루는 부분이 라운드 처리되는 단점을 가지고 있었다. 전주방법은 니켈이 주성분이라 열에 약한 단점이 있으며, 상기 투과영역 사이의 간격이 상기 섀도우마스크 두께의 90% 밖에 되지 못하므로 상기 투과영역의 집적화에 어려움이 있고, 제작기간이 약 5일 정도 소요되어 생산 일정에 대응하기가 쉽지 아니한 단점을 가지고 있었다.In addition, the shadow mask described above has been manufactured by an etching method or an electroforming method. However, both methods have limitations on the integration of the transparent area of the shadow mask and the thickness of the shadow mask. The etching method has a disadvantage that the spacing between the transmission areas is less than 30 μm, which is almost impossible, and that the rectangular shape is not implemented so that the right angles are rounded. The electroforming method is weak in heat because nickel is the main component, and the gap between the transmission areas is only 90% of the shadow mask thickness, which makes it difficult to integrate the transmission areas, and the manufacturing period takes about 5 days. It was not easy to respond to the production schedule.
본 발명은 상기된 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 인장력을 가한 상태에서 마스크 프레임에 우선 용접을 하고 레이저를 이용하여 증착패턴을 형성함으로써, 대면적 마스크 제작이 용이하고 가공공정 및 설비가 간단하며 가공시간을 절감할 수 있도록 된 섀도우마스크 패턴 형성방법을 제공함에 그 목적이 있다.
The present invention has been made to solve the conventional problems as described above, by first welding the mask frame in the state of applying a tensile force and forming a deposition pattern using a laser, it is easy to manufacture a large-area mask process and Its purpose is to provide a method for forming a shadow mask pattern that is simple to install and can reduce processing time.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 섀도우마스크 패턴 형성방법은 섀도우마스크를 마스크 프레임 상에 부착시키는 단계; 및 상기 부착된 섀도우마스크에 패턴을 형성하는 단계;로 이루어진다.In order to achieve the above object, the shadow mask pattern forming method according to the present invention comprises the steps of attaching a shadow mask on the mask frame; And forming a pattern on the attached shadow mask.
또한, 상기 섀도우마스크를 상기 마스크 프레임 상에 부착시키는 단계는 상기 섀도우마스크를 상기 마스크 프레임 상에 인접시키는 단계; 상기 섀도우마스크에 외력을 가하는 단계; 및 상기 마스크 프레임 상에 외력이 가해진 상기 섀도우마스크를 접합시키는 단계;로 이루어진다.In addition, attaching the shadow mask on the mask frame may include adjoining the shadow mask on the mask frame; Applying an external force to the shadow mask; And bonding the shadow mask to which an external force is applied on the mask frame.
여기서, 상기 섀도우마스크에 가해진 외력은 전단인장력으로 이루어지는 것이 바람직하다.Here, the external force applied to the shadow mask is preferably made of shear tensile force.
또한, 상기 섀도우마스크를 상기 마스크 프레임 상에 부착시키는 접합은 용 접으로 이루어지는 것이 바람직하다.In addition, the bonding to attach the shadow mask on the mask frame is preferably made by welding.
더 바람직하게는, 상기 용접은 다수의 점용접으로 이루어진다.More preferably, the welding consists of a plurality of spot welding.
또한, 상기 섀도우마스크에 형성되는 패턴은 레이저 가공으로 이루어질 수 있다.In addition, the pattern formed on the shadow mask may be made by laser processing.
더 바람직하게는, 섀도우마스크에 패턴을 형성하는 레이저 가공은 레이저-워터젯 가공으로 이루어진다.More preferably, the laser processing of forming the pattern on the shadow mask is made of laser-waterjet processing.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 섀도우마스크 패턴 형성방법의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of a shadow mask pattern forming method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 섀도우마스크 패턴 형성방법의 섀도우마스크가 마스크 프레임에 인접되는 단계가 도시된 도면이고, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 섀도우마스크 패턴 형성방법의 섀도우마스크 상에 인장력이 작용되는 단계가 도시된 도면이며, 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 섀도우마스크 패턴 형성방법의 섀도우마스크가 마스크 프레임 상에 용접되는 단계가 도시된 도면이고, 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 섀도우마스크 패턴 형성방법의 섀도우마스크 상에 레이저-워터젯 가공으로 패턴이 형성되는 단계가 도시된 도면이다.4 is a diagram illustrating a step in which a shadow mask of the shadow mask pattern forming method according to an embodiment of the present invention is adjacent to a mask frame, and FIG. 5 is a shadow mask image of the method for forming a shadow mask pattern according to an embodiment of the present invention. FIG. 6 is a view illustrating a step in which a tensile force is applied, and FIG. 6 is a view illustrating a step in which a shadow mask of a method of forming a shadow mask pattern according to an embodiment of the present invention is welded onto a mask frame, and FIG. FIG. 1 is a diagram illustrating a step of forming a pattern by laser-waterjet processing on a shadow mask of the method for forming a shadow mask pattern according to an embodiment.
도 4 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 섀도우마스크(10)는 가공되기 전에 마스크 프레임(20)에 인접되게 된다. 마스크 프레임(20)은 프레임 본체를 이루는 지지영역(21)과 지지영역(21)에 둘러싸여 빈공간을 형성하는 가공영역(22)으로 구성된다. 마스크 프레임(20)에 인접된 섀도우마스크(10)에는 그 전단방향으로 외력 즉 , 인장력(F)이 작용하게 된다. 이 인장력(F)에 의하여 전단방향으로 인장된 섀도우마스크(10)는 인장된 상태로 마스크 프레임(20)에 부착된다. 이때, 섀도우마스크(10)는 마스크 프레임(20)에 용접방법으로 부착되는 것이 바람직하며, 더 바람직하게는 마스크 프레임(20)의 지지영역(21)과 섀도우마스크(10)가 접하는 면이 다수의 점용접(W)으로 부착된다. As shown in FIGS. 4-7, the
이후, 외력에 의해 인장된 상태로 점용접(W)으로 마스크 프레임(20) 상에 부착된 섀도우마스크(10)에는 일정한 형상을 갖춘 투과영역(12) 즉, 패턴이 형성되게 된다. 섀도우마스크(10) 상에 패턴을 형성하기 위하여 레이저 가공이 적용된다. 레이저는 그 속성상 재질이 얇을수록 가공성이 뛰어나며, 레이저 가공시 투과영역(12) 사이 간격이 10 ㎛ 이하의 가공도 가능하고, 투과영역(12) 크기도 10 ㎛ 이하가 가능하여 투과영역(12)의 집적화가 가능하다는 장점이 있다. Thereafter, the
바람직하게는, 레이저의 광특성을 개선하고 레이저 가공시 발생되는 고온의 열로 인한 피가공재의 열적손상을 방지하도록 하기 위하여 레이저-워터젯 가공(L/W)으로 이루어진다. 레이저-워터젯 가공(L/W)은 기 공지된 기술이며 고압으로 물을 분사시에 그 심부에 레이저가 같이 분사되도록 하는 기술로써, 고압의 물분사로 인하여 레이저의 광특성이 개선되도록 하며, 레이저로 인하여 발생되는 고열을 물로써 냉각시켜주는 효과가 있다.Preferably, laser-waterjet processing (L / W) is used to improve the optical properties of the laser and to prevent thermal damage of the workpiece due to the high temperature heat generated during laser processing. Laser-waterjet processing (L / W) is a well-known technique that allows laser to be sprayed on its core when water is sprayed at high pressure, and the optical characteristics of the laser are improved by high pressure water spraying. There is an effect of cooling the high heat generated by the water.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 섀도우마스크 패턴 형성방법의 다른 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail another embodiment of the shadow mask pattern forming method according to the present invention.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 섀도우마스크 패턴 형성방법의 연직배치된 마스크 프레임 상에서 패턴이 형성되는 것이 도시된 도면이다.FIG. 8 is a view showing that a pattern is formed on a vertically arranged mask frame of a method of forming a shadow mask pattern according to another embodiment of the present invention.
도 8을 참조하면, 섀도우마스크(10)는 연직상태로 배치된 마스크 프레임(20) 상에 부착된다. 대면적 기판 증착 및 대량 양산을 위한 인라인 형태의 설비에 있어서 연직증착시스템은 장비면적 최소화 측면에서 효율적인 방식 중의 하나이다. 그러나, 이러한 인라인 공정설비에 대면적 기판 및 이에 대응되는 섀도우마스크(10)를 연직으로 장착시, 섀도우마스크(10)는 그 자체의 중량으로 인하여 섀도우마스크(10)의 중간부분은 하향으로 처지는 현상이 발생하게 된다. 따라서 섀도우마스크(10) 상에 형성된 패턴 또한 하향으로 처지게 되면서 패턴 왜곡현상이 발생하게되어 증착시 패턴의 불량을 야기하게 된다.Referring to FIG. 8, the
그러므로 본 발명의 다른 실시예에서는 연직상태로 배치된 마스크 프레임(20) 상에 섀도우마스크(10)를 부착함으로써 섀도우마스크(10) 중량에 의한 처짐현상을 미리 반영하여 정렬정밀도가 향상된 섀도우마스크(10)의 패턴을 형성할 수 있다.Therefore, in another embodiment of the present invention by attaching the
먼저, 연직으로 배치된 마스크 프레임(20) 상에 섀도우마스크(10)가 인접되게 된다. 마스크 프레임(20)은 프레임 본체를 이루는 지지영역(미도시)과 상기 지지영역에 둘러싸여 빈공간을 형성하는 가공영역(미도시)으로 구성된다. 마스크 프레임(20)에 인접된 섀도우마스크(10)에는 인장시스템(70)에 의하여 섀도우마스크(10) 상의 전단방향으로 균일한 인장력(F)이 작용하게 된다. 이 인장력(F)에 의하여 전단방향으로 인장된 섀도우마스크(10)는 인장된 상태로 인장시스템(70)의 다수 의 고정부재(72)에 의하여 마스크 프레임(20) 상에 고정된다. 이후, 고정부재(72)에 의하여 인장상태로 고정된 섀도우마스크(10)는 마스크 프레임(20) 상에 부착된다. 이때, 섀도우마스크(10)는 마스크 프레임(20) 상에 용접기(90)에 의하여 용접방법으로 부착되는 것이 바람직하며, 더 바람직하게는 마스크 프레임(20)의 상기 지지영역과 섀도우마스크(10)가 접하는 면에 다수의 점용접(W)으로 부착된다. 외력에 의해 인장된 상태로 점용접(W)으로 마스크 프레임(20) 상에 부착된 섀도우마스크(10)에는 일정한 형상을 갖춘 투과영역(12) 즉, 패턴이 형성되게 된다. 바람직하게는, 섀도우마스크(10) 상에 패턴을 형성하기 위하여 레이저-워터젯 가공(L/W)이 적용된다. First, the
상기 내용은 본 발명의 바람직한 실시예를 단지 예시한 것으로 본 발명이 속하는 분야의 당업자는 첨부된 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 요지로부터 벗어나지 않고 본 발명에 대한 수정 및 변경을 가할 수 있다는 것을 인식하여야 한다. The foregoing is merely illustrative of the preferred embodiments of the present invention and those skilled in the art to which the present invention pertains recognize that modifications and variations can be made to the present invention without departing from the spirit and gist of the invention as set forth in the appended claims. shall.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 섀도우마스크 패턴 형성방법에 의하여, 인장력을 가한 상태에서 마스크 프레임에 우선 용접을 하고 레이저를 이용하여 증착패턴을 형성함으로써, 대면적 마스크 제작이 용이하고 가공공정 및 설비가 간단하며 가공시간을 절감할 수 있다.As described above, according to the shadow mask pattern forming method according to the present invention, by first welding the mask frame in the state of applying a tensile force and forming a deposition pattern using a laser, large-area mask fabrication is easy, processing process and equipment It is simple and can save processing time.
Claims (7)
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050000958A KR100700839B1 (en) | 2005-01-05 | 2005-01-05 | Method for forming pattern on shadow-mask of perpendicularity |
JP2005235505A JP4508979B2 (en) | 2005-01-05 | 2005-08-15 | Method for forming shadow mask pattern |
CN2005100923243A CN1800970B (en) | 2005-01-05 | 2005-08-26 | Forming method of mask pattern |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050000958A KR100700839B1 (en) | 2005-01-05 | 2005-01-05 | Method for forming pattern on shadow-mask of perpendicularity |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060080476A true KR20060080476A (en) | 2006-07-10 |
KR100700839B1 KR100700839B1 (en) | 2007-03-27 |
Family
ID=36796207
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050000958A KR100700839B1 (en) | 2005-01-05 | 2005-01-05 | Method for forming pattern on shadow-mask of perpendicularity |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4508979B2 (en) |
KR (1) | KR100700839B1 (en) |
CN (1) | CN1800970B (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8459526B2 (en) | 2007-11-20 | 2013-06-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Method and apparatus for fabricating vertical deposition mask |
US8568963B2 (en) | 2010-01-28 | 2013-10-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing mask for depositing thin film |
KR101674506B1 (en) * | 2015-08-10 | 2016-11-10 | 에이피시스템 주식회사 | Manufacturing method of shadow mask using hybrid processing and shadow mask thereby |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101289046A (en) * | 2007-04-17 | 2008-10-22 | 厦门虹泰光学有限公司 | Basis material with invisible pattern and its processing method |
CN105296929B (en) * | 2012-01-12 | 2018-06-08 | 大日本印刷株式会社 | The manufacturing method of layout deposition mask and the manufacturing method of organic semiconductor device |
JP5958824B2 (en) * | 2012-11-15 | 2016-08-02 | 株式会社ブイ・テクノロジー | Manufacturing method of vapor deposition mask |
JP5534093B1 (en) * | 2013-01-11 | 2014-06-25 | 大日本印刷株式会社 | Metal mask and metal mask manufacturing method |
JP6078747B2 (en) * | 2013-01-28 | 2017-02-15 | 株式会社ブイ・テクノロジー | Vapor deposition mask manufacturing method and laser processing apparatus |
JP6078818B2 (en) * | 2013-07-02 | 2017-02-15 | 株式会社ブイ・テクノロジー | Film-forming mask and film-forming mask manufacturing method |
CN104532183B (en) * | 2015-01-26 | 2017-09-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | The preparation method of high-precision mask plate |
CN117821896A (en) * | 2015-07-17 | 2024-04-05 | 凸版印刷株式会社 | Metal mask for vapor deposition and method for manufacturing metal mask for vapor deposition |
CN105349947B (en) * | 2015-10-27 | 2018-01-12 | 深圳浚漪科技有限公司 | High-precision metal mask plate processing method |
CN110997969A (en) | 2017-08-31 | 2020-04-10 | 堺显示器制品株式会社 | Method for manufacturing film formation mask |
WO2019045990A2 (en) * | 2017-09-04 | 2019-03-07 | Applied Materials, Inc. | Fmm process for high res fmm |
KR20220030437A (en) | 2020-08-31 | 2022-03-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | Mask, method of manufacturing the same, and method of manufacturing display panel |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH065415A (en) * | 1992-06-22 | 1994-01-14 | Nippon Filcon Co Ltd | Sheetlike coil and manufacturing method thereof |
US5663018A (en) * | 1996-05-28 | 1997-09-02 | Motorola | Pattern writing method during X-ray mask fabrication |
US6878208B2 (en) * | 2002-04-26 | 2005-04-12 | Tohoku Pioneer Corporation | Mask for vacuum deposition and organic EL display manufactured by using the same |
JP2004225077A (en) * | 2003-01-21 | 2004-08-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Method for manufacturing mask for vapor deposition and mask for vapor deposition |
JP2004323888A (en) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Dainippon Printing Co Ltd | Vapor deposition mask and vapor deposition method |
KR100687486B1 (en) * | 2004-11-19 | 2007-03-02 | 알투스주식회사 | Organic EL stretching mask manufacturing apparatus and method |
KR100700838B1 (en) * | 2005-01-05 | 2007-03-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | Method for forming shadow-mask pattern |
-
2005
- 2005-01-05 KR KR1020050000958A patent/KR100700839B1/en active IP Right Grant
- 2005-08-15 JP JP2005235505A patent/JP4508979B2/en active Active
- 2005-08-26 CN CN2005100923243A patent/CN1800970B/en active Active
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8459526B2 (en) | 2007-11-20 | 2013-06-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Method and apparatus for fabricating vertical deposition mask |
US8568963B2 (en) | 2010-01-28 | 2013-10-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing mask for depositing thin film |
KR101674506B1 (en) * | 2015-08-10 | 2016-11-10 | 에이피시스템 주식회사 | Manufacturing method of shadow mask using hybrid processing and shadow mask thereby |
WO2017026742A1 (en) * | 2015-08-10 | 2017-02-16 | 에이피시스템 주식회사 | Method for manufacturing shadow mask using hybrid processing method, and shadow mask manufactured thereby |
US10680177B2 (en) | 2015-08-10 | 2020-06-09 | Ap Systems Inc. | Method of manufacturing shadow mask using hybrid processing and shadow mask manufactured thereby |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100700839B1 (en) | 2007-03-27 |
JP2006188748A (en) | 2006-07-20 |
CN1800970B (en) | 2011-02-09 |
JP4508979B2 (en) | 2010-07-21 |
CN1800970A (en) | 2006-07-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100700839B1 (en) | Method for forming pattern on shadow-mask of perpendicularity | |
KR101909582B1 (en) | Full-size mask assembly and manufacturing method therof | |
KR100903624B1 (en) | Mask assembly for thin film vapor deposition of flat panel display | |
US7771789B2 (en) | Method of forming mask and mask | |
JP5151004B2 (en) | Metal mask unit and manufacturing method thereof | |
JP4167248B2 (en) | How to attach shadow mask | |
KR102245762B1 (en) | Holder, carrier having the same, and method for fixing a substrate | |
JP2007207632A (en) | Mask film forming method and mask film forming device | |
KR20120007022A (en) | An arrangement for holding a substrate in a material deposition apparatus | |
KR20230073352A (en) | Production method for vapor deposition mask device and production device for vapor deposition mask device | |
US20220181595A1 (en) | Hybrid stick mask and manufacturing method therefor, mask assembly including hybrid stick mask, and organic light emitting display device using same | |
JP4616667B2 (en) | Mask structure, vapor deposition method using the same, and method for manufacturing organic light emitting device | |
JP6167526B2 (en) | Method for manufacturing vapor deposition mask and method for manufacturing organic semiconductor element | |
KR20090105614A (en) | Mask assembly for thin film vapor deposition | |
JP2007270289A (en) | Film-forming mask | |
CN114300640B (en) | Mask manufacturing method and mask | |
KR102138800B1 (en) | Mask and mask integrated frame | |
KR102466835B1 (en) | Full-size mask assembly and manufacturing method therof | |
KR102010815B1 (en) | Frame and mask integrated frame | |
KR101986526B1 (en) | Producing method of mask | |
CN110724928A (en) | Mask plate | |
KR20190095237A (en) | Frame and mask integrated frame | |
KR20200065142A (en) | Mask assembly and method of manufacturing the same | |
KR20200040474A (en) | Mask integrated frame and producing method of mask integrated frame | |
KR20230128635A (en) | FMM support device using adhesive and method for manufacturing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130228 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140303 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150227 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180302 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190304 Year of fee payment: 13 |