KR20060044158A - Cathode ray tube - Google Patents
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Abstract
본 발명은 음극선관에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 음극선관의 펀넬 내부에 형성되는 컨택트 스프링의 위치를 개선하여 초저주파수의 전자파(VLF)의 전달 경로를 변경하여 화면 외부로 VLF의 발생량을 감소시키는 음극선관에 관한 것이다.The present invention relates to a cathode ray tube, and more particularly, to improve the position of a contact spring formed inside a funnel of a cathode ray tube, thereby changing the transmission path of extremely low frequency electromagnetic wave (VLF) to reduce the amount of VLF generated outside the screen. It's about the coffin.
이를 위하여 본 발명은 초저주파(VLF)수의 전자파가 애노드 단자를 통하여 제거되도록 상기 컨택트 스프링은 그 펀넬 내면의 형성된 애노드 단자에 위치하도록 구성하며, 이에 따라 패널 외부로 VLF의 발생량을 감소시킬 수 있어, 패널 외부를 저저항 코팅막의 도포 없이도 TCO 등의 전자파 장해 국제규격에 대응할 수 있을 뿐 아니라 원가절감, 코팅의 수율 향상 및 화면의 품위를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
To this end, the present invention is configured such that the contact spring is located in the anode terminal formed on the inner surface of the funnel so that the electromagnetic wave of the ultra low frequency (VLF) number is removed through the anode terminal, thereby reducing the amount of VLF generated outside the panel. In addition, it is possible to cope with international standards for electromagnetic interference such as TCO without applying a low-resistance coating film on the outside of the panel, and to reduce costs, improve coating yield, and improve screen quality.
패널, 펀넬, 애노드 단자, 컨택트 스프링Panel, Funnel, Anode Terminal, Contact Spring
Description
도 1은 일반적인 음극선관의 내부 구조를 도시한 도,1 is a view showing the internal structure of a typical cathode ray tube,
도 2는 종래의 애노드 단자 및 컨택트 스프링을 도시하기 위한 음극선관의 단면도,2 is a cross-sectional view of a cathode ray tube for illustrating a conventional anode terminal and contact spring;
도 3은 종래의 초저주파수의 전자파의 이동경로를 나타내는 회로도,3 is a circuit diagram showing a movement path of a conventional ultra low frequency electromagnetic wave;
도 4는 본 발명에 따른 음극선관의 내부를 도시하는 단면도,4 is a cross-sectional view showing the inside of a cathode ray tube according to the present invention;
도 5는 본 발명의 제 2실시예에 따른 음극선관의 애노드 단자와 컨택트 스프링을 나타내기 위한 상세 단면도,5 is a detailed cross-sectional view illustrating an anode terminal and a contact spring of a cathode ray tube according to a second embodiment of the present invention;
도 6은 본 발명에 따른 음극선관에서 초저주파수의 전자파의 이동경로를 나타내는 회로도이다.
6 is a circuit diagram showing a movement path of an extremely low frequency electromagnetic wave in a cathode ray tube according to the present invention.
<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명><Explanation of symbols on main parts of the drawings>
1: 패널 2: 펀넬 1: panel 2: funnel
2a: 도전막 3: 섀도우마스크2a: Conductive Layer 3: Shadow Mask
4: 프레임 5: 스터드핀4: frame 5: stud pin
6: 인너쉴드 11: 애노드 단자 6: inner shield 11: anode terminal
12: 컨택트 스프링
12: Contact Spring
본 발명은 음극선관에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 음극선관의 펀넬 내부에 형성되는 컨택트 스프링의 위치를 개선하여 초저주파수의 전자파(Very Low Frequency, 이하 VLF)의 전달 경로를 변경하여 화면 외부로 VLF의 발생량을 감소시키는 음극선관에 관한 것이다.
The present invention relates to a cathode ray tube, and more particularly, to improve the position of the contact spring formed inside the funnel of the cathode ray tube to change the transmission path of very low frequency electromagnetic wave (VLF) to the outside of the screen. It relates to a cathode ray tube that reduces the amount of generation.
일반적으로 음극선관(Cathode Ray Tube)은 전기신호를 전자빔으로 형성하고 이를 형광면에 주사시켜 광학상으로 변환하여 표시하는 장치를 말한다.In general, a cathode ray tube refers to a device that forms an electrical signal as an electron beam, scans it on a fluorescent surface, and converts it into an optical image for display.
도 1은 일반적인 음극선관의 구조가 도시된 단면도이다. 도 1에 도시된 바와 같이 상기 음극선관은 내면에 형광막이 도포된 패널(1)과 내,외부에 전기적 도전성을 가지는 도전막이 형성되어 상기 패널(1)과 진공 봉착되는 펀넬(2)을 포함하여 구성되며, 상기 음극선관 내부에는 전자빔 색선별을 하는 섀도우 마스크(3), 상기 섀도우마스크를 지지하는 프레임(4), 및 상기 프레임(4)을 패널 내면에 고정시키는 스터드핀(5)을 포함한다. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a typical cathode ray tube. As shown in FIG. 1, the cathode ray tube includes a
한편, 음극선관의 네크부 안쪽에 장착된 전자총(8)에서 전자빔이 방사되며, 상기 전자빔을 편향시켜 목적 형광체를 타격하도록 하는 편향요크(7), 상기 전자빔 이 외부의 지자계에 의해 이동경로가 휘지 않도록 이를 차폐하는 인너쉴드(6) 및 음극선관 내부의 압축 응력에 의해 폭죽이 일어나지 않도록 상기 응력을 분산시키는 보강밴드(9)를 더 포함하여 구성된다. On the other hand, the electron beam is emitted from the
상기와 같은 구성에 따라 음극선관은 전자총(8)에서 방사된 전자빔이 펀넬(2)의 목 부분에 설치된 편향요크(7)에 의해 상하좌우로 편향되며, 상기 편향된 전자빔은 섀도우 마스크(3)의 유효부에 형성된 통과공을 통과하여 패널(1)의 내면에 도포된 형광면에 도달하게 되고, 상기 형광면이 상기 전자빔의 에너지에 의해 발광함으로써 화상이 재현된다.According to the configuration as described above, the cathode ray tube is deflected up, down, left and right by a deflection yoke (7) installed in the neck of the funnel (2), the deflected electron beam of the shadow mask (3) Passing through the through-holes formed in the effective portion reaches a fluorescent surface applied to the inner surface of the
한편, 상기 편향요크(7)는 전자빔을 편향시키기 위한 자계를 발생시키기 위하여 소정의 주파수를 갖는 전류가 상기 편향요크(7)의 수직, 수평편향코일에 인가되는데, 이에 따라 상기 음극선관에서 발생되는 전자파는 편향요크(7)에 의해 일반적으로 발생되는 것이며, 특히 상기 수직편향코일에 의한 수직주파수가 직접적인 원인이 된다.On the other hand, the
상기 전자파와 관련하여 도 2 및 도 3을 참조하여 설명하면 다음과 같다.The electromagnetic wave will be described with reference to FIGS. 2 and 3 as follows.
도 2는 종래의 애노드 및 컨택트 스프링을 도시하기 위한 음극선관의 단면도, 도 3은 종래의 초저주파수의 전자파의 이동경로를 나타내는 회로도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view of a cathode ray tube for illustrating a conventional anode and contact spring, and FIG. 3 is a circuit diagram showing a movement path of a conventional ultra low frequency electromagnetic wave.
상기 도 2는 일반적인 음극선관의 단면도로서 상기 설명한 기본 구성외에 상기 펀넬(2)에 도포된 도전막(2a), 애노드 단자(11) 및 컨넥트 스프링(12)이 더 도시되어 있다. FIG. 2 is a cross-sectional view of a general cathode ray tube, in which a
상기 펀넬(2)의 내외부에는 주로 흑연 성분의 도전막을 형성하여 콘덴서의 역할을 하도록 하며, 상기 애노드 단자(11)를 통해 고전압이 음극선관에 인가되도록 하여 음극선 화면이 형성되도록 한다. 또한 프레임(4) 또는 인너쉴드(6)에 부착된 컨택트 스프링(12)이 상기 애노드 단자(11)와 소정의 거리로 떨어진 위치에 상기 펀넬(2) 내면의 일측과 접촉하여 형성되어 있으며, 상기 고압의 전원은 컨택트 스프링(12)을 통해서 패널(1) 전면으로 전달된다.Inside and outside of the
상기와 같은 구성에 따라 음극선관에서 발생하는 전자파의 이동 경로를 도 3과 관련하여 설명하면, 상기 음극선관에서 발생하는 전자파, 특히 편향요크(7)의 코일에서 발생하는 전자파는 대부분 회로에서 제거가 되지만, VLF는 유도현상에 의하여 펀넬(2) 내부로 전달된다. Referring to FIG. 3, the electromagnetic wave generated in the cathode ray tube, in particular, the electromagnetic wave generated in the coil of the
상기 펀넬(2) 내부로 전달된 VLF는 펀넬(2) 내면에 도포된 주로 흑연 성분의 도전막(2a)를 통하여 일부는 애노드 단자(11)를 통한 고압전달경로로 전달되며, 다른 일부는 컨택트 스프링(12)으로 전달된다. The VLF transferred into the
상기 애노드 단자(11)로 전달된 VLF는 모니터의 회로로 전달되어 상쇄되지만 상기 컨택트 스프링(12)으로 전달된 VLF는 프레임(4), 스터드핀(5) 및 패널(1) 내면에 도포된 플랙 매트릭스 및 알루미늄 반사막으로 전달되고, 여기서 유도현상에 의하여 상기 패널(1)의 외부로 빠져나와 외부 계측기(15)에 의해 검출이 되게 된다. The VLF delivered to the
상기 도 3에서 점선 내부의 회로는 음극선관의 내면의 VLF 이동과정에서의 등가저항을 나타내는 것으로서 R0은 내장흑연 및 펀넬(2)의 내벽면에 내재된 바륨(Ba)에 의한 합성저항을 나타내며, 상기 편향요크(7)로부터 전달된 VLF의 일부 는 상기 R0을 통해 펀넬(2)에 형성된 애노드 단자(11)를 통해 어스되어 상기 VLF가 외부로 방출된다. 그러나 상기 나머지 일부의 VLF는 R0을 거쳐 펀넬(2) 및 패널(1)에 의한 등가저항 R1, R3, R4 및 R5를 거쳐 패널의 외부로 방출된다. 여기서 상기 R1은 PF콘택터 저항, R3은 프레임 저항, R4는 핀흑연 저항, R5는 블랙매트릭스와 알루미늄 반사막의 합성저항이며, R6은 패널(1) 외면에 전도성 피막에 의한 등가저항을 나타내며, R7은 펀넬(2) 외면의 도전막에 의한 등가저항을 나타낸다. In FIG. 3, the circuit inside the dotted line represents the equivalent resistance during the VLF movement of the inner surface of the cathode ray tube, and R0 represents the composite resistance due to barium (Ba) embedded in the inner wall surface of the embedded graphite and the
상기와 같이 구성되는 종래의 음극선관의 경우 VLF는 패널(1) 이외의 부분은 모두 저항이 극히 낮은 물질로 싸여져 있으며 회로에 연결되어 상쇄되도록 설계되어 있으나, 상기 패널(1)부분은 화면을 보기 위하여 투명 또는 반투명한 코팅을 할 수 밖에 없어 저항을 낮추는데 어려움이 따를 뿐 아니라 원가면에서도 높아지게 되는 문제가 발생한다. In the case of the conventional cathode ray tube configured as described above, all parts other than the
특히, 음극선관으로부터 발생되는 전자파를 제한하기 위한 TCO 규격의 경우 화면으로부터 30cm 떨어진 지점에서의 저주파 전계강도가 2.5V 이하가 되도록 하여야 하는데, 종래와 같은 구조의 음극선관에서는 상기 TCO 규격에 대응하기 어려웠으며, 또한 상기와 같이 패널(1) 외면에 저저항의 도전성 물질을 도포하여 상기 TCO 규격에 대응하는 경우에는 음극선관의 품질의 저하 등의 문제가 발생할 수 있었다.
In particular, in the case of the TCO standard for limiting the electromagnetic waves generated from the cathode ray tube, the low frequency electric field strength at 30 cm away from the screen should be 2.5 V or less. In the cathode ray tube of the conventional structure, it was difficult to meet the TCO standard. In addition, when the conductive material having a low resistance was applied to the outer surface of the
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 음극선관의 펀넬 내부에 형성되는 컨택트 스프링의 위치를 개선하여 초저주파수의 전자파(VLF)의 전달 경로를 변경하여 화면 외부로 VLF의 발생량을 감소시키므로, 패널 외면에 저저항의 도전성 물질의 도포로 인한 품질저하의 우려없이 저렴한 가격에 TCO 규격에 대응할 수 있는 음극선관을 제공하는 데 그 목적이 있다.
The present invention has been made to solve the above problems of the prior art, by improving the position of the contact spring formed inside the funnel of the cathode ray tube to change the transmission path of the very low frequency electromagnetic wave (VLF) of the VLF to the outside of the screen The purpose of the present invention is to provide a cathode ray tube capable of complying with TCO standards at a low price without fear of deterioration due to the application of low-resistance conductive material on the outer surface of the panel.
상기한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 음극선관은 내면에 형광막이 도포된 패널과 내,외부에 전기적 도전성을 가지는 도전막이 형성되어 상기 패널과 진공 봉착되는 펀넬을 포함하여 구성되고, 상기 펀넬은 고전압이 음극선관으로 인가되도록 하는 애노드 단자와, 상기 펀넬 내면의 도전막과 접촉하여 상기 고전압을 음극선관의 전면으로 전달하는 컨택트 스프링이 형성된 음극선관에 있어서, 상기 컨택트 스프링은 그 펀넬 내면의 접촉부위가 상기 애노드 단자에 위치하도록 구성되는 것을 특징으로 한다.The cathode ray tube according to the present invention for solving the above problems comprises a panel coated with a fluorescent film on the inner surface and a funnel formed with a conductive film having an electrical conductivity inside and outside, the panel and the vacuum-sealed funnel, the funnel is In a cathode ray tube having an anode terminal for applying a high voltage to the cathode ray tube, and a contact spring for contacting the conductive film on the inner surface of the funnel and transmitting the high voltage to the front surface of the cathode ray tube, the contact spring is a contact portion of the inner surface of the funnel. Is configured to be located at the anode terminal.
또한, 본 발명의 제 2실시예에 따른 음극선관은 내면에 형광막이 도포된 패널과 내,외부에 전기적 도전성을 가지는 도전막이 형성되어 상기 패널과 진공 봉착되는 펀넬을 포함하여 구성되고, 상기 펀넬은 고전압이 음극선관으로 인가되도록 하는 애노드 단자와, 상기 펀넬 내면의 도전막과 접촉하여 상기 고전압을 음극선관의 전면으로 전달하는 컨택트 스프링이 형성된 음극선관에 있어서, 상기 펀넬 내면의 애노드 단자 주변에 저저항의 도전막이 도포되고, 컨택트 스프링은 그 펀넬 내면의 접촉부위가 상기 저저항의 도전막에 위치하도록 구성되는 것을 특징으로 한 다.
In addition, the cathode ray tube according to the second embodiment of the present invention comprises a panel coated with a fluorescent film on the inner surface and a funnel having an electrically conductive film formed inside and outside to form a vacuum sealing the panel and the funnel is A cathode wire tube having an anode terminal for applying a high voltage to a cathode ray tube and a contact spring for contacting a conductive film on the inner surface of the funnel to transfer the high voltage to the front surface of the cathode ray tube, the low resistance around the anode terminal of the inner side of the funnel Is applied, and the contact spring is configured such that the contact portion of the inner surface of the funnel is located in the low resistance conductive film.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 4는 본 발명에 따른 음극선관의 내부를 도시하는 단면도이다. 상기 도 4에 도시된 바와 같이 음극선관의 기본 구성요소인 패널(1), 펀넬(2), 펀넬에 도포된 도전막(2a), 섀도우마스크(3), 프레임(4), 스터드핀(5) 및 인너쉴드(6)의 동작은 종래의 경우와 같으며, 특히 초저주파수의 전자파(VLF)가 애노드 단자를 통하여 제거되도록 컨택트 스프링(12)은 고전압이 음극선관으로 인가되도록 하는 애노드 단자(11)에 위치하도록 구성된다. 4 is a cross-sectional view showing the interior of the cathode ray tube according to the present invention. As shown in FIG. 4, the
한편, 상기 애노드 단자(11)를 통해 인가되는 고전압이 컨택트 스프링(12)에 집중되도록 하기 위해 상기 애노드 단자(11)의 주변에 저저항의 도전막을 형성하는 것이 바람직하며, 상기 저저항의 도전막은 흑연막으로 구성하는 것이 바람직하다.Meanwhile, in order to concentrate the high voltage applied through the
또한, 도 5는 본 발명의 제 2실시예에 따른 음극선관의 애노드와 컨택트 스프링을 나타내기 위한 상세 단면도이며, 상기 도 5에 도시된 바와 같이 본 발명의 제 2실시예에 따르면 펀넬(2) 내면에 도전막(2a)이 도포되고, 상기 애노드 단자(11) 및 컨택트 스프링(12)을 포함하여 구성되는 음극선관에 있어서, 상기 펀넬 내면의 애노드 단자(11) 주변에 저저항의 도전막(2b)을 도포하고 상기 컨택트 스프링(12)은 그 펀넬(2) 내면의 접촉부위가 상기 저저항의 도전막(2b)에 위치하도록 구성한다. 5 is a detailed cross-sectional view illustrating an anode and a contact spring of a cathode ray tube according to a second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 5, the
한편, 상기 저저항의 도전막(2b)은 흑연막으로 구성되는 것이 바람직하며, 또한, 상기 저저항의 도전막(2b)은 상기 애노드 단자(11)를 중심으로 한 변이 20 내지 100mm 이하의 정사각형 또는 직사각형의 형태로 도포되는 것이 바람직하다.On the other hand, the low resistance
상기와 같이 구성되는 본 발명의 음극선관의 동작과 관련하여 도 6을 참조하여 상세히 설명한다. The operation of the cathode ray tube of the present invention configured as described above will be described in detail with reference to FIG. 6.
도 6은 본 발명에 따른 음극선관에서 초저주파수의 전자파의 이동경로를 나타내는 회로도이다. 상기한 바와 같이 패널(1) 외부로의 VLF 방출의 원인이 되는 편향요크(7)의 코일에서 발생한 전자파는 대부분 회로에서 제거가 되지만 상기 일부의 VLF가 펀넬(2)의 내부로 전달됨으로써 음극선관 내부의 회로를 거쳐 패널(1) 외부로 방출된다.6 is a circuit diagram showing a movement path of an extremely low frequency electromagnetic wave in a cathode ray tube according to the present invention. As described above, most of the electromagnetic waves generated in the coils of the
상기 도 6에 도시된 R0 내지 R7은 상기한 바와 같이 패널(1) 및 펀넬(2)의 내외면에 대한 등가저항을 나타내는 것으로서, 각각 R0은 내장흑연 및 바륨의 합성저항, R1은 PF 콘택터의 저항, R3은 프레임 저항, R4는 핀흑연 저항, R5는 블랙매트릭스 및 알루미늄 반사막의 합성저항, R6은 패널외면 도전막 저항 및 R7은 펀넬의 외장흑연 저항값이다. As shown in FIG. 6, R0 to R7 represent equivalent resistances to the inner and outer surfaces of the
특히 본 발명의 경우 펀넬(2)에서 패널(1)로 고압을 전달하는 컨택트 스프링(12)의 펀넬 접촉부위가 애노드 단자(11)의 위치에 형성되므로, 펀넬(2) 내부로 인가된 VLF는 컨택트 스프링(12)을 통해 패널(1)로 전달되기 위해서는 모두 고압의 애노드 단자(11)를 통과해야 한다. In particular, in the present invention, since the funnel contact portion of the
상기 고전압이 인가되는 애노드 단자(11)의 경우 새시의 전자파 제거 회로부분과 연결되어 있으며, 따라서 상기 컨택트 스프링(12)을 통해 애노드 단자(11)로 인가된 VLF는 상기 전자파 제거 회로부분에 의해 대부분 제거되므로, 패널(1) 부분으로 전달되는 VLF양을 효과적으로 감소시킬 수 있고 이에 따라 음극선관이 TCO 규격에 대응할 수 있도록 구현할 수 있는데, 상기 VLF양은 패널(1) 외면으로부터 30cm 간격을 두고 디텍터(15)를 통해 측정되어진다.In the case of the
즉, 종래의 경우 컨택트 스프링(12)이 애노드 단자(11)와 일정 거리 이상 간격을 두고 떨어져 펀넬(2)의 내면에 접촉되면 상기와 같이 펀넬(2) 내부로 전달된 VLF의 일부가 컨택트 스프링(12)으로 전달되어 패널(1)로 전달됨으로써 패널(1) 외부로 VLF가 방출되었던 것에 반해, 본 발명의 경우 컨택트 스프링(12)의 펀넬(2) 내면의 접촉부위를 애노드 단자(11)에 위치하게 하거나, 상기 애노드 단자(12) 주변에 저저항의 도전막(2b)을 도포하고 상기 컨택트 스프링(12)을 저저항의 도전막(2b)에 위치하도록 구성하였다. That is, in the conventional case, when the
이에 따라 펀넬(2) 내부로 전달된 VLF가 모두 컨택트 스프링(12)을 통해 애노드 단자(11)를 경유하도록 경로를 변경하므로, 상기 애노드 단자(11)에 연결된 새시의 전자파 제거 회로부분에 의해 상기 VLF는 대부분 제거된다. Accordingly, since the VLF transferred into the
따라서 본 발명의 경우 VLF의 이동경로는 편향요크에서 펀넬의 내장흑연, 애노드 단자, 컨택트 스프링, 프레임, 스터드핀, 블랙 매트릭스를 거쳐 소수의 VLF가 패널 외부로 방출되는 경로를 갖는다.Therefore, in the present invention, the movement path of the VLF has a path in which a small number of VLF is discharged to the outside of the panel through the built-in graphite of the funnel, the anode terminal, the contact spring, the frame, the stud pin, and the black matrix in the deflection yoke.
한편, 본 발명의 제 2실시예에서는 상기 저저항의 도전막(2b)을 상기 애노드 단자(11)를 중심으로 한 변이 20 내지 100mm 이하의 정사각형 또는 직사각형의 형태로 도포하는 것이 바람직한데, 이는 저저항의 도전막(2b)을 도포함으로써 VLF가 컨택트 스프링(12)으로 통하기 위해서 반드시 애노드 단자(11)를 거치도록 도전성을 향상시키기 위함이다. 즉, 상기 컨택트 스프링(12)이 애노드 단자(11)에 위치하지 않더라도 상기 컨택트 스프링(12)으로 전달된 VLF는 저저항의 도전막(2b)을 통하여 대부분 애노드 단자(11)로 전달되도록 한다. Meanwhile, in the second embodiment of the present invention, it is preferable to apply the low-resistance
상기 도전막(2b)을 도포하는데 있어서 100mm 이상의 크기로 상기 도전막(2b)을 도포하는 경우에는 상기 도전성 향상에 있어서 큰 변화가 발생하지 않으므로, 상기 도전성 확보 및 도포막(2b)에 의한 생산 단가 증가를 고려하여 상기 범위가 최적 조건이 된다.In the case of applying the
상기와 같은 구성에 의해 패널(1) 외면에 고저항 도전성 코팅을 유지하며 TCO에 의한 전자파 장해 국제 규격에 대응할 수있으므로 원가절감은 물론 코팅의 수율 향상과 함께 음극선관의 품위를 향상시킬 수 있다.
The structure as described above can maintain the high-resistance conductive coating on the outer surface of the
이상과 같이 본 발명에 의한 음극선관을 예시된 도면을 참조로 설명하였으나, 본 명세서에 개시된 실시예와 도면에 의해 본 발명은 한정되지 않고, 기술사상이 보호되는 범위 이내에서 응용될 수 있다.
As described above, the cathode ray tube according to the present invention has been described with reference to the illustrated drawings, but the present invention is not limited by the embodiments and drawings disclosed herein, and may be applied within a range in which technical thoughts are protected.
상기와 같이 구성되는 본 발명의 음극선관은 컨택트 스프링을 그 펀넬 내면에 형성된 애노드 단자 또는 애노드 단자 주변에 도포된 저저항 흑연막에 위치하도록 구성하여 패널 외부로의 VLF 발생량을 감소시키므로, 패널 외부를 저저항 코팅 막의 도포 없이도 TCO 등의 전자파 장해 국제규격에 대응할 수 있을 뿐 아니라 원가절감, 코팅의 수율 향상 및 화면의 품위를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.The cathode ray tube of the present invention configured as described above is configured such that the contact spring is positioned on the anode terminal formed on the inner surface of the funnel or on the low resistance graphite film coated around the anode terminal to reduce the amount of VLF generated to the outside of the panel. It can not only cope with international standards for electromagnetic interference such as TCO without applying low-resistance coating film, but also can reduce cost, improve coating yield and improve screen quality.
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KR1020040091982A KR20060044158A (en) | 2004-11-11 | 2004-11-11 | Cathode ray tube |
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ID=37148996
Family Applications (1)
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2004
- 2004-11-11 KR KR1020040091982A patent/KR20060044158A/en not_active Application Discontinuation
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