KR20050039140A - Baratron sensor - Google Patents
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Abstract
본 발명은 생산성을 높일 수 있는 바라트론 센서에 대하여 개시한다. 그 센서는 상기 반도체 제조설비에 연결되는 진공튜브와, 상기 진공튜브에 연통하고, 상기 진공튜브로부터 제공되는 압력을 측정하는 수단을 구비하는 박스와, 상기 박스의 압력을 단속하기 위해 상기 진공튜브 상에 일체형으로 형성된 진공밸브를 포함하여 이루어진다. The present invention discloses a baratron sensor that can increase productivity. The sensor includes a vacuum tube connected to the semiconductor fabrication facility, a box in communication with the vacuum tube, and a means for measuring the pressure provided from the vacuum tube, and on the vacuum tube to control the pressure of the box. It comprises a vacuum valve formed integrally with.
Description
본 발명은 반도체 제조설비에 사용되는 압력 센서에 관한 것으로서, 더 상세하게는 화학기상증착 장치에 사용되는 바라트론 센서에 관한 것이다.The present invention relates to a pressure sensor used in a semiconductor manufacturing facility, and more particularly to a baratrone sensor used in a chemical vapor deposition apparatus.
일반적으로 반도체 제조 공정은 증착 공정, 사진 공정, 식각공정 및 이온주입 공정 등의 일련의 단위 공정으로 이루어진다.In general, the semiconductor manufacturing process consists of a series of unit processes, such as a deposition process, a photographic process, an etching process, and an ion implantation process.
반도체 장치를 제조함에 있어 복잡한 회로의 형성을 위해서는 증착 공정이 필수적이라 할 수 있으며, 일반적으로 화학기상증착(CVD ; Chemical Vapor Deposition)이 널리 사용되고 있으며, 이는 반응에 의하여 생성되는 피착물질이 웨이퍼 또는 상기 웨이퍼 상에 형성된 박막 상에 적층되거나 패터닝됨으로 상기 피착물의 형성 시 불순물의 개입이 허용되지 않는 매우 중요한 공정이다. 상기 화학기상증착은 압력에 따라 상압화학기상증착(APCVD), 저압화학기상증착(LPCVD) 및 고압화학기상증착(HPCVD)으로 나뉘며, 적층될 물질 원자들을 포함하는 화학물질과 기타 반응가스들을 소스로 사용하고, 에너지원에 따라 가열이나 플라즈마 또는 자외선을 투입하여 적층될 물질 원자들을 포함하는 화학물질과 반응가스 간의 반응을 유도하여 적층될 물질원자들이 웨이퍼 상에 증착되어 적층되도록 하는 것을 주요 내용으로 한다. 현재 박막도포에 사용되는 화학기상증착장치는 정상적인 반응에 필요한 진공을 얻기 위하여 진공펌프를 사용하고 있으며, 증착공정에서 요구되는 챔버 내의 기압을 균일하고 정밀하게 유지시켜야만 한다.In the manufacture of a semiconductor device, a deposition process is essential for the formation of a complex circuit, and in general, chemical vapor deposition (CVD) is widely used, and the deposition material produced by the reaction is a wafer or the Stacking or patterning on a thin film formed on a wafer is a very important process that does not allow the involvement of impurities in the formation of the deposit. The chemical vapor deposition is divided into atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD), low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) and high pressure chemical vapor deposition (HPCVD) depending on the pressure, and the chemical and other reaction gases containing the material atoms to be deposited as a source Its main purpose is to induce a reaction between the chemicals containing the material atoms to be deposited and the reaction gas by heating or plasma or ultraviolet light depending on the energy source so that the material atoms to be deposited are deposited and deposited on the wafer. . Currently, the chemical vapor deposition apparatus used for thin film coating uses a vacuum pump to obtain a vacuum necessary for a normal reaction, and must maintain uniform and precise pressure in the chamber required for the deposition process.
이하, 도면을 참조하여 일반적인 저압 화학기상증착장치를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a general low pressure chemical vapor deposition apparatus will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 일반적인 저압 화학기상증착장치의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다. 1 is a view schematically showing the configuration of a general low pressure chemical vapor deposition apparatus.
도 1에 도시한 바와 같이, 저압 화학기상증착장치는 증착 공정의 진행시 필요한 반응 가스를 공급하는 가스공급부(1)와, 상기 반응 가스를 이용하여 실제 웨이퍼 상에 증착 공정이 이루어지는 챔버(2)와, 상기 웨이퍼의 증착 공정 조건을 만들기 위해 상기 챔버(2) 내부의 압력을 진공으로 만들고, 상기 증착 공정 시 상기 챔버(2) 내부의 압력을 일정하게 유지하도록 펌핑하는 배기부(3)로 구성된다.As shown in FIG. 1, a low pressure chemical vapor deposition apparatus includes a gas supply unit 1 for supplying a reaction gas necessary for the progress of a deposition process, and a chamber 2 in which a deposition process is performed on an actual wafer using the reaction gas. And an exhaust part 3 which pumps the pressure inside the chamber 2 into a vacuum to make the deposition process conditions of the wafer, and maintains the pressure inside the chamber 2 constant during the deposition process. do.
여기서, 상기 가스 공급부(1)는 상기 웨이퍼 상에 증착되는 물질을 함유하는 상기 반응가스와 불활성 기체를 상기 챔버(2) 내부로 일정한 유량으로 공급한다. 이때, 상기 반응가스는 3SiH2Cl2 +4NH3 가스를 사용하며, 상기 웨이퍼 표면에 실리콘 질화막을 형성시킨다.Here, the gas supply unit 1 supplies the reaction gas and the inert gas containing the material deposited on the wafer at a constant flow rate into the chamber 2. In this case, 3SiH 2 Cl 2 + 4NH 3 gas is used as the reaction gas, and a silicon nitride film is formed on the wafer surface.
또한, 상기 챔버(2)는 상기 반응가스를 일정한 온도 및 압력에서 상기 웨이퍼 상에 균일한 상기 실리콘 질화막을 형성할 수 있도록 증착 공정 조건에 맞는 분위기를 제공한다.In addition, the chamber 2 provides an atmosphere suitable for the deposition process conditions to form the silicon nitride film uniformly on the wafer with the reaction gas at a constant temperature and pressure.
따라서, 저압 화학기상증착장치는 챔버(2) 내부에서 일정한 온도 및 압력의 증착 조건으로 상기 웨이퍼 상에 박막을 형성할 수 있다.Therefore, the low pressure chemical vapor deposition apparatus can form a thin film on the wafer under the deposition conditions of a constant temperature and pressure inside the chamber 2.
이때, 상기 배기부(3)는 상기 챔버(2) 내부의 압력을 균일하게 유지하기 위해 다음과 같이 구성되어 있다. 상기 챔버(2) 내부에 웨이퍼를 로딩/언로딩할 경우 진공관(3a)을 통해 상압 상태의 상기 챔버(2) 내부 진공도를 감지하는 고압 바라트론 센서(4)와, 상기 웨이퍼 상에 박막을 형성할 경우 저압 상태의 상기 챔버(2)와 연통하는 상기 진공관(3a)의 진공도를 감지하는 저압 바라트론 센서(5)와, 저압 바라트론 센서(5)의 압력 감지신호로부터 상기 챔버(2)를 저압으로 균일하게 유지하기 위한 자동압력조절밸브(6)와, 상기 챔버(2) 내부의 반응 가스 및 잔류 가스를 펌핑하는 진공펌프(7)와, 상기 진공펌프(7)에 의해 배기되는 상기 반응 가스 및 잔류 가스를 흡수하여 세정 후 가연 배기하는 스크러버(scrubber, 8)와, 상기 챔버(2) 내부에 상기 웨이퍼를 로딩한 후 상기 상압 바라트론 센서(4)의 감지신호를 이용하여 상기 대기압을 저압의 진공으로 만들기 위해 상기 자동압력조절밸브(6)를 보호하도록 상기 진공관(3a)으로부터 분기되는 제 1 배기관(3b)에 형성된 러핑 밸브(9)와, 상기 챔버(2) 내부로부터 상기 웨이퍼를 언로딩할 경우 저압의 진공에서 대기압에 도달 시 상기 대기압을 감지하는 대기압 감지 센서(10)와, 상기 대기압 감지 센서(10)의 대기압 감지 신호를 이용하여 제 2 배기관(3c)을 통하여 상기 스크러버(8)로 상기 반응가스를 배출하는 서브 밸브(11)를 포함하여 이루어진다.At this time, the exhaust part 3 is configured as follows to maintain the pressure inside the chamber 2 uniformly. When the wafer is loaded / unloaded inside the chamber 2, a high-pressure baratron sensor 4 for detecting the vacuum degree inside the chamber 2 at a normal pressure through the vacuum tube 3a and a thin film are formed on the wafer. The chamber 2 is connected to the low pressure baratron sensor 5 for detecting the degree of vacuum of the vacuum tube 3a communicating with the chamber 2 in a low pressure state, and the pressure detection signal of the low pressure baratron sensor 5. Automatic pressure regulating valve (6) for maintaining uniformly at low pressure, a vacuum pump (7) for pumping the reaction gas and residual gas in the chamber (2), and the reaction exhausted by the vacuum pump (7) The atmospheric pressure is reduced using a scrubber 8 that absorbs gas and residual gas, and then burns and burns the wafer into the chamber 2, and detects the atmospheric pressure baratron sensor 4 by loading the wafer into the chamber 2. Said automatic pressure to make a low pressure vacuum A roughness valve 9 formed in the first exhaust pipe 3b branching from the vacuum tube 3a to protect the force control valve 6, and a low pressure vacuum when the wafer is unloaded from inside the chamber 2; When the atmospheric pressure is reached, the reaction gas is discharged to the scrubber 8 through the second exhaust pipe 3c by using the atmospheric pressure sensor 10 for detecting the atmospheric pressure and the atmospheric pressure detection signal of the atmospheric pressure sensor 10. It consists of a sub-valve (11).
여기서, 상기 저압 바라트론 센서(5)는 약 수 Torr 내지 수백 Torr의 진공도를 측정하기 위한 것으로서 매우 민감한 동1작을 하기 때문에 상기 고압 바라트론 센서(4) 또는 대기압 감지 센서(10)의 출력 신호에 의해 개폐 동작하는 보조 밸브(12)에 의해 보호된다. 이때, 상기 보조 밸브(12)는 상기 저압 바라트론 센서와 배기관사이에 체결된다. 도시하지는 않았지만, 상기 저압 바라트론 센서(5, 이하 바라트론 센서라 칭함)의 교체 시 상기 보조 밸브(12)와 상기 바라트론 센서(5)사이에 형성된 체결부(도시하지 않음) 이용하여 바라트론 센서를 상기 저압화학기상증착장치로부터 분리 또는 결합할 수 있다. Here, the low-pressure baratron sensor 5 is for measuring a vacuum degree of about several Torr to several hundred Torr, and is very sensitive to the output signal of the high-pressure baratron sensor 4 or the atmospheric pressure sensing sensor 10 because it is very sensitive. It is protected by the auxiliary valve 12 which opens and closes. At this time, the auxiliary valve 12 is fastened between the low pressure baratron sensor and the exhaust pipe. Although not shown, when the low-pressure baratron sensor 5 (hereinafter, referred to as a baratron sensor) is replaced with a baratron using a coupling part (not shown) formed between the auxiliary valve 12 and the baratron sensor 5. The sensor may be separated or combined from the low pressure chemical vapor deposition apparatus.
도 2는 종래 기술에 따른 바라트론 센서를 개략적으로 나타낸 도면으로서, 바라트론 센서(5)는 상기 진공관(3a)에서 분기되는 진공튜브(13)에 바라트론 센서(5)를 체결하는 체결부(20)와, 상기 체결부(20)와 연통하는 상기 진공 튜브(13)에 연결되는 박스(14)를 포함하여 구성된다.2 is a view schematically showing a baratron sensor according to the prior art, the baratron sensor 5 is a fastening part for fastening the baratron sensor 5 to the vacuum tube 13 branched from the vacuum tube 3a ( 20 and a box 14 connected to the vacuum tube 13 in communication with the fastening portion 20.
또한, 상기 박스(14) 내에는 상기 진공 튜브(13)로부터 상기 박스(14) 내부에 가스가 급격하게 유입 또는 배출되는 것을 방지하는 배플(15)과, 상기 챔버(2) 내부의 압력에 따라 상기 박스(14) 내부에서 유동적으로 변화하는 다이아프램(16)과, 상기 다이아 프램(16)으로부터의 거리에 따른 전기 용량을 유도하는 전극 어셈블리(17)와, 상기 전극 어셈블리(17)에 전원을 공급하는 전압 인입선(18)과, 상기 다이아 프램(16)의 기준 진공을 만드는 기준압 진공 튜브(19)를 포함하여 이루어진다. In addition, the box 14 has a baffle 15 which prevents gas from rapidly entering or exiting the inside of the box 14 from the vacuum tube 13 and the pressure inside the chamber 2. The diaphragm 16, which varies fluidly inside the box 14, an electrode assembly 17 for inducing capacitance according to the distance from the diaphragm 16, and a power source for the electrode assembly 17 And a reference voltage vacuum tube 19 for supplying a voltage lead wire 18 to supply and a reference vacuum of the diaphragm 16.
여기서, 상기 기준압 진공 튜브(19)에는 상기 다이아 프램(16)과 박스(14)에 의해 밀폐되어 일정한 진공압을 갖도록 설정되어 있다. 또한, 상기 다이아 프램(16)은 상기 진공관(3a)에 연결된 진공 튜브(13)로 배출 또는 유입되는 공기의 압력에 따라 좌우로 팽창할 수 있다.Here, the reference pressure vacuum tube 19 is set to be sealed by the diaphragm 16 and the box 14 to have a constant vacuum pressure. In addition, the diaphragm 16 may expand left and right according to the pressure of air discharged or introduced into the vacuum tube 13 connected to the vacuum tube 3a.
따라서, 상기 바라트론 센서(5)는 상기 다이아프램(16)과 전극 어셈블리(17) 사이에 유도되는 상기 전기 용량을 측정하여 압력감지신호를 제어부(도시하지 않음)에 출력한다.Accordingly, the baratron sensor 5 measures the capacitance induced between the diaphragm 16 and the electrode assembly 17 and outputs a pressure sensing signal to a controller (not shown).
또한, 상기 배플(15)은 상기 챔버(2)의 내부의 압력이 급격하게 떨어져 상기 다이아 프램(16)이 상기 진공관(3a) 방향으로 과도하게 팽창하는 것을 방지함으로써, 상기 다이아프램(16)을 보호하는 역할을 한다.In addition, the baffle 15 prevents the diaphragm 16 from excessively expanding in the direction of the vacuum tube 3a because the pressure inside the chamber 2 drops sharply, thereby preventing the diaphragm 16. It protects you.
이때, 상기 다이아 프램(16)은 허용할 수 있는 압력값보다 더 높은 압력에 의해 급격하게 팽창할 경우, 상기 바라트론 센서(5)의 기계적인 고장이나 영점에 치명적인 변화를 가져올 수도 있다. At this time, when the diaphragm 16 expands rapidly by a pressure higher than the allowable pressure value, the diaphragm 16 may cause a mechanical change or a fatal change in the zero point of the baratron sensor 5.
따라서, 종래 기술에 따른 바라트론 센서(5)는 온도와 다른 주변환경요인으로 인해 성능에 영향을 받을 수 있다. Thus, the baratron sensor 5 according to the prior art may be affected in performance due to temperature and other environmental factors.
즉, 영점 압력에서의 전기적 출력값은 선적이나 휴대등 물류작업 중에 변화를 가져올 수 있기 때문에 반도체 제조 설비에 장착할 경우 반드시 영점조정을 해야 한다. 또한, 영점 조정을 하기 전에, 바라트론 센서(5)가 대기압(약 760Torr)에서 저압(약 1Torr)으로 설정되기 위해 일정한 시간(예컨대, 약 6시간정도)동안의 충분한 대기 상태의 시간(warm up time)을 갖는다. In other words, the electrical output value at the zero pressure can be changed during logistics operations such as shipping or portability. In addition, before the zero adjustment, the warm up time for a predetermined time (e.g., about 6 hours) is set for the baratrone sensor 5 to be set from atmospheric pressure (about 760 Torr) to low pressure (about 1 Torr). time)
뿐만 아니라, 상기 바라트론 센서(5)는 반응가스에 의해 상기 다이아 프램(16) 상에 파우더 성분이 발생하고, 상기 다이아 프램(16)의 유동이 자유롭지 못하여 영점 값이 바뀌기 때문에 영점 값을 새로이 설정하거나, 생산공정을 정지하여 상기 바라트론 센서(5)를 수리 또는 교환할 수 있다. In addition, the baratrone sensor 5 is a powder component is generated on the diaphragm 16 by the reaction gas, the zero value is changed because the flow of the diaphragm 16 is not free to set a new zero value Alternatively, the baratron sensor 5 can be repaired or replaced by stopping the production process.
하지만, 종래 기술에 따른 바라트론 센서(5)는 다음과 같은 문제점이 있었다.However, the baratron sensor 5 according to the prior art has the following problems.
종래 기술에 따른 바라트론 센서(5)는 새로이 교체될 경우 상기 바라트론 센서(5)가 대기중의 압력에서 저압의 진공상태로 만들기 위한 적절한 대기 상태의 시간을 요하고, 상기 대기 상태의 시간동안에 화학기상증착장치를 가동할 수 없기 때문에 생산성을 떨어뜨리는 단점이 있었다. The baratron sensor 5 according to the prior art requires an appropriate standby time for the baratron sensor 5 to be changed from a atmospheric pressure to a low pressure vacuum when newly replaced, and during the standby time There was a disadvantage in reducing productivity because the chemical vapor deposition apparatus can not be operated.
본 발명의 목적은 종래 기술에 따른 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 바라트론 센서의 교체 시 대기압 상태에서 진공상태로 만들기 위한 대기 상태의 시간없이 화학기상증착 공정을 진행하도록 하여 생산성을 높일 수 있는 바라트론 센서의 보호장치를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to solve the problems according to the prior art, the baratron to improve the productivity by proceeding the chemical vapor deposition process without the time of the standby state to make the vacuum state from the atmospheric pressure when replacing the baratron sensor To provide a protective device for the sensor.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양태(aspect)에 따라, 바라트론 센서는 상기 반도체 제조설비에 연결되는 진공튜브와, 상기 진공튜브에 연통하고, 상기 진공튜브로부터 제공되는 압력을 측정하는 수단을 구비하는 박스와, 상기 박스의 압력을 단속하기 위해 상기 진공튜브 상에 일체형으로 형성된 진공밸브를 포함함을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention for achieving the above object, the baratrone sensor comprises a vacuum tube connected to the semiconductor manufacturing facility, and a means for communicating with the vacuum tube and for measuring a pressure provided from the vacuum tube. And a vacuum valve integrally formed on the vacuum tube to control the pressure of the box.
또한, 본 발명의 다른 양태는, 반도체 제조설비의 압력을 측정하는 바라트론 센서에 있어서, 상기 반도체 제조설비에 체결되는 체결부와, 상기 체결부에 연결되는 진공튜브에 연통하고, 상기 진공튜브로부터 제공되는 압력을 측정하는 수단을 구비하는 박스와, 상기 박스와 상기 체결부의 압력을 단속하기 위해 상기 박스 및 체결부사이의 상기 진공튜브상에 일체형으로 형성된 진공밸브를 포함하는 바라트론 센서이다. In addition, another aspect of the present invention is a baratron sensor for measuring the pressure of the semiconductor manufacturing equipment, the fastening portion fastened to the semiconductor manufacturing equipment, and the vacuum tube connected to the fastening portion in communication with, And a box having a means for measuring the pressure provided, and a vacuum valve integrally formed on the vacuum tube between the box and the fastening portion to control the pressure of the box and the fastening portion.
이하, 본 발명에 따른 바라트론 센서에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 순차적으로 설명하기로 한다.Hereinafter, the baratlon sensor according to the present invention will be described in sequence with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명에 따른 바라트론 센서를 개략적으로 나타낸 도면이다. 3 is a view schematically showing a baratron sensor according to the present invention.
도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 바라트론 센서(100)는 저압 화학기상증착장치의 진공관(도 1의 3a)에 체결되는 체결부(180)와, 상기 체결부(180)에 연결되는 진공튜브(110)에 연통하고, 상기 진공튜브(110)로부터 제공되는 압력을 측정하는 수단을 구비하는 박스(120)와, 상기 박스(120)와 상기 체결부(180)의 압력을 단속하기 위해 상기 박스(120) 및 상기 체결부(180)사이의 상기 진공튜브(110)상에 일체형 형성된 진공밸브(200)를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 3, the baratron sensor 100 of the present invention includes a fastening part 180 fastened to a vacuum tube (3a of FIG. 1) of a low pressure chemical vapor deposition apparatus, and connected to the fastening part 180. A box 120 which communicates with the vacuum tube 110 and has means for measuring the pressure provided from the vacuum tube 110, and to control the pressure of the box 120 and the fastening part 180. It comprises a vacuum valve 200 integrally formed on the vacuum tube 110 between the box 120 and the fastening portion 180.
또한, 상기 박스(120) 내에는 상기 진공 튜브(110)로부터 상기 박스(120) 내부에 가스가 급격하게 유입 또는 배출되는 것을 방지하는 배플(130)과, 상기 챔버 내부의 압력에 따라 상기 박스(120) 내부에서 유동적으로 변화하는 다이아 프램(140)과, 상기 다이아프램(140)으로부터의 거리 변화에 따른 전기 용량을 측정하는 전극 어셈블리(150)와, 상기 전극 어셈블리(150)에 전원을 공급하는 전압 인입선(160)과, 상기 진공 튜브(110)측에 대응하여 상기 다이아 프램(160)의 기준 진공을 만드는 기준압 진공 튜브(170)를 더 포함하여 구성된다.In addition, in the box 120, a baffle 130 which prevents gas from rapidly entering or exiting the box 120 from the vacuum tube 110 and the box according to the pressure inside the chamber ( 120, a diaphragm 140 that changes fluidly in the inside, an electrode assembly 150 for measuring capacitance according to a change in distance from the diaphragm 140, and a power source for supplying power to the electrode assembly 150. It further comprises a voltage lead line 160 and a reference pressure vacuum tube 170 for creating a reference vacuum of the diaphragm 160 corresponding to the vacuum tube 110 side.
여기서, 상기 체결부(180)는 암나사 모양의 결합 수단을 사용하여 종래 기술의 저압 화학기상증착장치의 진공관(3a)측에 형성된 수나사 모양의 수단과 결합될 수 있고, 서로 분리시킬 수 있다.Here, the fastening portion 180 may be coupled to the male screw-shaped means formed on the vacuum tube 3a side of the low pressure chemical vapor deposition apparatus of the prior art using a female screw-shaped coupling means, and may be separated from each other.
또한, 상기 진공밸브(200, 예를 들어 뉴메틱(pnumatic) 또는 솔레노이드 타입)는 상기 진공튜브(110)를 통해 유출입되는 가스를 차단하여 상기 박스(120)와 체결부(180)의 압력을 단속시킬 수 있다. In addition, the vacuum valve 200 (for example, pneumatic or solenoid type) blocks the gas flowing in and out through the vacuum tube 110 to control the pressure of the box 120 and the fastening unit 180. You can.
따라서, 본 발명에 따른 바라트론 센서(100)는 상기 박스(120)와 상기 박스(120)와 연통하는 진공밸브(200)에 상기 진공밸브(200)를 일체형으로 형성하여 상기 바라트론 센서(100)를 상기 저압 화학기상증착장치에서 분리시킬 경우 상기 박스(120)의 내부가 대기중에 노출되지 않고 진공상태를 유지할 수 있도록 노말 클로즈(normal close)타입으로 구성되어 있다.Therefore, the baratron sensor 100 according to the present invention forms the vacuum valve 200 integrally with the box 120 and the vacuum valve 200 in communication with the box 120 to form the baratron sensor 100. ) Is separated from the low pressure chemical vapor deposition apparatus is configured as a normal close (normal close) type so that the inside of the box 120 can be maintained in a vacuum state without being exposed to the atmosphere.
이와 같이 구성된 본 발명의 바라트론 센서(100)의 동작은 다음과 같다.The operation of the baratron sensor 100 of the present invention configured as described above is as follows.
먼저, 저압 화학기상증착 공정 중 바라트론 센서(100)의 불량이 발생하여 상기 바라트론 센서(100)를 교체할 경우, 상기 박스(120)의 내부가 진공상태를 유지할 수 있도록 상기 진공밸브(200)가 노말 클로즈 상태에 있고, 영점이 사전에 설정된 새로운 바라트론 센서(100)를 저압 화학기상증착장치에 체결한다. 이때, 상기 박스(120) 내부가 상기 진공밸브(200)에 의해 대기중에 노출되지 않고 상기 다이아 프램(140)이 상기 배플(130)과 상기 전극 어셈블리(150)사이에 안정하게 위치할 수 있기 때문에 상기 바라트론 센서(100)의 영점 설정이 틀어지지 않는다. First, when the defect in the baratron sensor 100 occurs during the low pressure chemical vapor deposition process to replace the baratron sensor 100, the vacuum valve 200 to maintain the vacuum state inside the box 120. ) Is normally closed, and a new baratron sensor 100 with a zero point set in advance is fastened to the low pressure chemical vapor deposition apparatus. In this case, since the inside of the box 120 is not exposed to the air by the vacuum valve 200, the diaphragm 140 may be stably positioned between the baffle 130 and the electrode assembly 150. Zero setting of the baratron sensor 100 is not misaligned.
또한, 상기 저압 화학기상증착장치의 진공관(도 1의 3a)에 압력이 바라트론 센서(100)의 측정 범위 내에 있을 경우, 상기 진공관(도 1의 3a)에서 분기되는 진공 튜브(도 1의 13)에 형성된 보조 밸브(도 1의 12)를 제어부의 출력 신호에 의해 상기 진공 밸브(200)를 오픈(Open)한다. 이때, 상기 보조 밸브(12)는 바라트론 센서(100)의 교체 전에 클로즈 한다. In addition, when the pressure in the vacuum tube (3a of FIG. 1) of the low pressure chemical vapor deposition apparatus is within the measurement range of the baratron sensor 100, the vacuum tube (13 of FIG. 1) branched from the vacuum tube (3a of FIG. 1). The auxiliary valve (12 of FIG. 1) formed in the) is opened by the output signal of the control unit. At this time, the auxiliary valve 12 is closed before the replacement of the baratron sensor 100.
따라서, 본 발명에 따른 바라트론 센서(100)는 영점 설정이 틀어짐 없이 사용할 수 있기 때문에 화학기상증착장치에서는 상기 바라트론 센서(100)의 교체에 따른 대기 상태의 시간을 요하지 않는다. Therefore, since the baratron sensor 100 according to the present invention can be used without setting the zero point, the chemical vapor deposition apparatus does not require the time of the standby state according to the replacement of the baratron sensor 100.
또한, 상기 저압 화학기상증착공정이 완료된 후, 바라트론 센서(100)를 교체할 경우, 상기 바라트론 센서(100)를 상기 진공관(도 1의 3a)측 진공 튜브(도 1의 13)에 체결하고, 상기 저압 화학기상증착장치의 진공펌프(7)의 펌핑에 의해 상기 진공관에 바라트론 센서(100)의 측정범위에 해당하는 압력(예를 들어 약 1Torr 내지 수십Torr정도)이 되었을 때, 제어부의 출력 신호에 의해 상기 진공 밸브(200)를 오픈(open)한다. 이때, 상기 진공 밸브(200)를 이용하여 종래 기술에 따른 보조 밸브를 사용하지 않을 수도 있다.In addition, when the baratron sensor 100 is replaced after the low pressure chemical vapor deposition process is completed, the baratron sensor 100 is fastened to the vacuum tube (13a of FIG. 1) on the vacuum tube (13 of FIG. 1). When the vacuum pump 7 of the low pressure chemical vapor deposition apparatus is pumped to a pressure corresponding to the measurement range of the baratron sensor 100 in the vacuum tube (for example, about 1 Torr to about 10 Torr), the control unit The vacuum valve 200 is opened by the output signal. In this case, the auxiliary valve according to the related art may not be used by using the vacuum valve 200.
따라서, 상기 바라트론 센서(100)가 상기 화학기상증착장치에 체결될 경우, 제조사에서 미리 설정된 영점을 그대로 적용하여 사용할 수 있어 상기 바라트론 센서(100)의 교체 시 발생되는 화학기상증착 공정에 있어서 대기 상태의 시간을 줄일 수 있기 때문에 생산성을 높일 수 있다.Therefore, when the baratron sensor 100 is fastened to the chemical vapor deposition apparatus, the zero point set by the manufacturer may be used as it is, and thus, in the chemical vapor deposition process generated when the baratron sensor 100 is replaced. Productivity can be increased by reducing the waiting time.
또한, 본 발명의 일 실시예에서는 상기 진공관(3a)과 같은 반도체 제조설비에 체결되는 체결부(180)에 대하여 기술하였으나, 상기 체결부(180) 없이 상기 진공튜브(110)를 상기 반도체 제조설비에 직접 연결하여 사용할 수도 있다.In addition, in one embodiment of the present invention, but described with respect to the fastening portion 180 is fastened to the semiconductor manufacturing equipment, such as the vacuum tube (3a), the vacuum tube 110 without the fastening portion 180, the semiconductor manufacturing equipment You can also connect directly to.
본 발명은 구체적인 실시예에 대해서만 상세히 설명하였지만 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 변형이나 변경할 수 있음은 본 발명이 속하는 분야의 당업자에게는 명백한 것이며, 그러한 변형이나 변경은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 할 것이다. Although the present invention has been described in detail only with respect to specific embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that modifications and variations can be made within the scope of the technical idea of the present invention, and such modifications or changes belong to the claims of the present invention. something to do.
이상에서 상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 박스 또는 상기 박스와 연통하는 진공튜브에 진공밸브를 일체형으로 구성하여 바라트론 센서의 불량에 따른 교체 시 화학기상증착 공정에 있어서 대기압 상태에서 진공상태로 만들기 위한 대기 상태의 시간이 발생하지 않도록 할 수 있기 때문에 생산성을 높일 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, a vacuum valve is integrally formed in a box or a vacuum tube communicating with the box, thereby making the vacuum state at atmospheric pressure in the chemical vapor deposition process during the replacement due to the defect of the Baratron sensor. It is possible to increase the productivity because it can prevent the time of the standby state for occurs.
도 1은 일반적인 저압 화학기상증착장치의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a view schematically showing the configuration of a general low pressure chemical vapor deposition apparatus.
도 2는 종래 기술에 따른 바라트론 센서를 개략적으로 나타낸 도면이다.2 is a view schematically showing a baratron sensor according to the prior art.
도 3은 본 발명에 따른 바라트론 센서를 개략적으로 나타낸 도면이다.3 is a view schematically showing a baratron sensor according to the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 * Explanation of symbols on the main parts of the drawings
100 : 바라트론 센서 110 : 튜브100 baratron sensor 110 tube
120 : 박스 130 : 배플120: box 130: baffle
140 : 다이아 프램 150 : 전극 어셈블리140: diaphragm 150: electrode assembly
160 : 전압 인입선 170 : 기준전압 튜브160: voltage lead wire 170: reference voltage tube
180 : 체결부 200 : 진공밸브 180: fastening part 200: vacuum valve
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