KR200493645Y1 - Non-scratching and durable substrate support pin - Google Patents

Non-scratching and durable substrate support pin Download PDF

Info

Publication number
KR200493645Y1
KR200493645Y1 KR2020160001680U KR20160001680U KR200493645Y1 KR 200493645 Y1 KR200493645 Y1 KR 200493645Y1 KR 2020160001680 U KR2020160001680 U KR 2020160001680U KR 20160001680 U KR20160001680 U KR 20160001680U KR 200493645 Y1 KR200493645 Y1 KR 200493645Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cup
substrate support
head
support pin
substrate
Prior art date
Application number
KR2020160001680U
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20160003490U (en
Inventor
로빈 엘. 티너
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20160003490U publication Critical patent/KR20160003490U/en
Priority to KR2020210001402U priority Critical patent/KR200495564Y1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR200493645Y1 publication Critical patent/KR200493645Y1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H01L21/205—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

기판 지지 핀 및 기판 지지 핀을 활용하는 프로세싱 챔버가 본원에서 설명된다. 일 실시예에서, 세장형 본체, 컵, 및 헤드를 포함하는 기판 지지 핀이 제공된다. 컵은, 본체의 중심선과 정렬되지 않은 배향으로 컵의 중심선이 이동하는 것을 허용하는 방식으로, 본체에 고정된다. 헤드는 컵에 고정된다. 헤드는 컵의 재료와 상이한 재료로 제조된다.A substrate support pin and a processing chamber utilizing the substrate support pins are described herein. In one embodiment, a substrate support pin is provided comprising an elongated body, a cup, and a head. The cup is secured to the body in a manner that allows the center line of the cup to move in an orientation that is not aligned with the center line of the body. The head is fixed to the cup. The head is made of a material different from that of the cup.

Description

비-스크래칭의 내구성 기판 지지 핀{NON-SCRATCHING AND DURABLE SUBSTRATE SUPPORT PIN}Non-scratch durable substrate support pin {NON-SCRATCHING AND DURABLE SUBSTRATE SUPPORT PIN}

[0001] 본 고안의 실시예들은 일반적으로, 기판 지지 리프트 핀들 및 기판 지지 리프트 핀들을 갖는 플라즈마 프로세싱 챔버에 관한 것이다.Embodiments of the present invention generally relate to a plasma processing chamber having substrate support lift pins and substrate support lift pins.

[0002] 액정 디스플레이들(LCD들) 또는 평판들(flat panels)은 일반적으로, 액티브 매트릭스 디스플레이들, 이를테면 컴퓨터들, 터치 패널 디바이스들, PDA들(personal digital assistances), 휴대 전화들, 텔레비젼 모니터들, 등을 위해 사용된다. 일반적으로, 평판들은 2개의 플레이트들을 포함하고, 2개의 플레이트들은 이들 사이에 샌드위치된(sandwiched) 액정 재료의 층을 갖는다. 플레이트들 중 적어도 하나는 플레이트 상에 배치되는 적어도 하나의 전도성 필름을 포함하고, 전도성 필름은 전력 소스에 커플링된다. 전력 공급부로부터 전도성 필름에 공급되는 전력은 결정(crystal) 재료의 배향을 변화시켜, 패터닝된 디스플레이를 생성한다. 또한, 평판 디스플레이들을 위해, 유기 발광 다이오드들(OLED들)이 또한 널리 사용되어 왔다.Liquid crystal displays (LCDs) or flat panels are generally active matrix displays, such as computers, touch panel devices, personal digital assistances (PDAs), mobile phones, TV monitors Used for, etc. Generally, the flat plates comprise two plates, and the two plates have a layer of liquid crystal material sandwiched between them. At least one of the plates includes at least one conductive film disposed on the plate, and the conductive film is coupled to a power source. Power supplied from the power supply to the conductive film changes the orientation of the crystal material, creating a patterned display. In addition, for flat panel displays, organic light-emitting diodes (OLEDs) have also been widely used.

[0003] 이러한 디스플레이들을 제조하기 위해, 유리 또는 폴리머 워크피스(polymer workpiece)와 같은 기판이 전형적으로, 기판 상에 디바이스들, 전도체들, 및 절연체들을 생성하기 위해 복수의 순차적인 프로세스들을 받는다. 이러한 프로세스들 각각은 일반적으로, 생산 프로세스의 단일 단계를 수행하도록 구성된 프로세스 챔버에서 수행된다. 프로세싱 단계들의 전체 시퀀스를 효율적으로 완료하기 위해, 다수의 프로세스 챔버들이 전형적으로, 프로세스 챔버들 사이에서 기판의 이송을 용이하게 하기 위해 로봇을 하우징하는 이송 챔버에 커플링된다. 이러한 구성을 갖는 프로세싱 플랫폼의 일 예는 일반적으로, 클러스터 툴로서 알려져 있으며, 클러스터 툴의 예들은 캘리포니아 산타클라라의 Applied Materials, Inc.의 사업부인 AKT로부터 입수가능한 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 프로세싱 플랫폼들의 패밀리들(families)이다.To manufacture such displays, a substrate, such as a glass or polymer workpiece, is typically subjected to a plurality of sequential processes to create devices, conductors, and insulators on the substrate. Each of these processes is generally performed in a process chamber configured to perform a single step of the production process. In order to efficiently complete the entire sequence of processing steps, a number of process chambers are typically coupled to a transfer chamber housing a robot to facilitate transfer of the substrate between the process chambers. An example of a processing platform having such a configuration is generally known as a cluster tool, and examples of the cluster tool are plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) processing platforms available from AKT, a division of Applied Materials, Inc. of Santa Clara, CA. Are families of children.

[0004] 평판들에 대한 수요가 증가함에 따라, 더 큰 크기의 기판들에 대한 수요가 있다. 예를 들면, 평판 제조를 위해 활용되는 대면적 기판들은 단 몇 년 내에 550 mm × 650 mm로부터 4 제곱 미터 초과로 면적이 증가하였으며, 가까운 미래에 크기가 계속 증가할 것으로 기대된다(envisioned). 대면적 기판들의 크기의 이러한 성장은 생산 및 핸들링에 새로운 난제들을 야기하였다. 종래의 PECVD 시스템들에서, 리프트 핀들로서 또한 알려져 있는 복수의 기판 지지 핀들은 프로세싱 챔버에 배치된 기판 지지 페디스털로부터 그리고 기판 지지 페디스털로의 기판의 이송을 용이하게 하도록 활용된다. 기판 지지 핀들의 단단한 표면들은, 기판이 기판 지지 페디스털로부터 그리고 기판 지지 페디스털 상으로 이동될 때, 기판을 스크래칭할 수 있다. 기판의 스크래치들은 기판의 광학적 투명성(clarity)을 감소시키고, 그에 따라 시각적 결함들을 생성한다. 부가적으로, 스크래치들은 종종, 스크래치를 따라 기판의 파손 또는 고장들을 촉진시킨다.[0004] As the demand for flat plates increases, there is a demand for larger sized substrates. For example, large-area substrates used for flat plate manufacturing have increased in area from 550 mm × 650 mm to more than 4 square meters in just a few years, and are envisioned to continue to increase in size in the near future. This growth in the size of large area substrates has created new challenges in production and handling. In conventional PECVD systems, a plurality of substrate support pins, also known as lift pins, are utilized to facilitate transfer of a substrate to and from a substrate support pedestal disposed in a processing chamber. The hard surfaces of the substrate support pins can scratch the substrate as it is moved from and onto the substrate support pedestal. Scratches on the substrate reduce the optical clarity of the substrate and thus create visual defects. Additionally, scratches often promote breakage or failures of the substrate along the scratch.

[0005] 따라서, 개선된 기판 지지 핀이 요구된다.Therefore, there is a need for an improved substrate support pin.

[0006] 본 고안은 일반적으로, 기판 지지 리프트 핀들 및 기판 지지 리프트 핀들을 갖는 플라즈마 프로세싱 챔버에 관한 것이다. 일 실시예에서, 세장형 본체, 컵(cup) 및 헤드(head)를 포함하는 기판 지지 핀이 제공된다. 컵은, 컵의 중심선이 본체의 중심선과 정렬되지 않은 배향으로 이동하는 것을 허용하는 방식으로, 본체에 고정된다. 헤드는 컵에 고정된다. 헤드는 컵의 재료와 상이한 재료로 제조된다.[0006] The present invention relates generally to a plasma processing chamber having substrate support lift pins and substrate support lift pins. In one embodiment, a substrate support pin is provided comprising an elongated body, a cup and a head. The cup is secured to the body in a manner that allows the center line of the cup to move in an orientation that is not aligned with the center line of the body. The head is fixed to the cup. The head is made of a material different from that of the cup.

[0007] 다른 실시예에서, 세장형 본체, 컵, 및 헤드를 포함하는 기판 지지 핀이 제공된다. 헤드는, 헤드의 중심선이 본체의 중심선과 정렬되지 않은 배향으로 이동하는 것을 허용하는 방식으로, 컵에 고정된다. 헤드는 컵의 재료와 상이한 재료로 제조된다.[0007] In another embodiment, a substrate support pin is provided comprising an elongated body, a cup, and a head. The head is secured to the cup in a manner that allows the center line of the head to move in an orientation that is not aligned with the center line of the body. The head is made of a material different from that of the cup.

[0008] 또 다른 실시예에서, 프로세싱 챔버가 제공되며, 프로세싱 챔버는, 챔버의 바닥 및 벽들에 의해 정의되는 프로세스 용적에 배치된 기판 지지 페디스털을 포함한다. 복수의 기판 지지 핀들이, 기판 지지 페디스털에 형성된 리프트 핀 홀들 내에 배치된다. 기판 지지 핀들은 기판 지지 페디스털의 기판 수용 표면으로부터 돌출하도록 이동가능하다. 각각의 기판 지지 핀은, 세장형 본체, 컵, 및 헤드를 포함한다. 헤드는, 헤드의 중심선이 본체의 중심선과 정렬되지 않은 배향으로 이동하는 것을 허용하는 방식으로, 컵에 고정된다. 헤드는 컵의 재료와 상이한 재료로 제조된다.[0008] In yet another embodiment, a processing chamber is provided, the processing chamber comprising a substrate support pedestal disposed in a process volume defined by the bottom and walls of the chamber. A plurality of substrate support pins are disposed in lift pin holes formed in the substrate support pedestal. The substrate support pins are movable to protrude from the substrate receiving surface of the substrate support pedestal. Each substrate support pin includes an elongated body, a cup, and a head. The head is secured to the cup in a manner that allows the center line of the head to move in an orientation that is not aligned with the center line of the body. The head is made of a material different from that of the cup.

[0009] 본 고안의 상기 열거된 특징들이 획득되고 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 고안의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있으며, 이러한 실시예들은 첨부된 도면들에 예시되어 있다.
[0010] 도 1은 복수의 기판 지지 핀들을 갖는 기판 지지 페디스털을 가지는 PECVD 챔버의 일 실시예에 대한 개략적 단면도다.
[0011] 도 2는 기판 지지 핀 및 기판 지지 페디스털의 일부의 단면도를 예시한다.
[0012] 도 3은 기판 지지 핀의 컵 및 헤드의 부분적 분해 단면도이다.
[0013] 도 4는 컵에 고정된 헤드를 예시하는, 도 3의 기판 지지 핀의 부분적인 단면도이다.
[0014] 이해를 용이하게 하기 위해, 가능한 한, 도면들에 공통적인 동일한 엘리먼트들을 지시하는데 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예의 특징들 및 엘리먼트들은 추가 설명 없이, 다른 실시예들에 유리하게 포함될 수 있는 것이 고려된다.[0009] In a manner in which the above-listed features of the present invention can be obtained and understood in detail, a more detailed description of the present invention summarized above may be made with reference to embodiments, and these embodiments are described in the accompanying drawings. It is illustrated in
1 is a schematic cross-sectional view of an embodiment of a PECVD chamber having a substrate support pedestal having a plurality of substrate support pins.
2 illustrates a cross-sectional view of a portion of a substrate support pin and a substrate support pedestal.
3 is a partially exploded cross-sectional view of a cup and a head of a substrate support pin.
[0013] FIG. 4 is a partial cross-sectional view of the substrate support pin of FIG. 3 illustrating a head secured to a cup.
In order to facilitate understanding, as far as possible, the same reference numerals have been used to indicate the same elements common to the drawings. It is contemplated that features and elements of one embodiment may be advantageously included in other embodiments, without further explanation.

[0015] 본원에 제시된 실시예들은, 기판 지지 핀과의 접촉으로 인한 기판의 스크래칭을 최소화 또는 방지하면서, 지지 핀의 수명을 증대시키는, 기판 핸들링을 위한 새로운 기판 지지 핀에 관한 것이다. 기판 지지 핀들은 플라즈마 프로세싱 챔버에 배치된 기판 지지 페디스털 내에 슬라이드가능하게(slideably) 배치된다. 기판 지지 핀의 헤드는, 기판을 실질적으로 스크래칭하거나 손상시키지 않을 재료로 제조된다. 기판 지지 핀은, 헤드로부터 별도로 형성된 본체 및 컵을 갖는다. 헤드는 기판의 크랙들 또는 파손을 완화시키기에 적합한 재료로 형성되는 반면, 본체 및 컵은 챔버 수명 주기(lifecycle), 즉 기판 지지 핀들의 수명을 향상시키는 재료로 형성된다.[0015] Embodiments presented herein relate to a new substrate support pin for handling a substrate, increasing the life of the support pin while minimizing or preventing scratching of the substrate due to contact with the substrate support pin. The substrate support pins are slideably disposed within a substrate support pedestal disposed in the plasma processing chamber. The head of the substrate support pin is made of a material that will not substantially scratch or damage the substrate. The substrate support pin has a body and a cup separately formed from the head. The head is formed of a material suitable for mitigating cracks or breakage of the substrate, while the body and cup are formed of a material that enhances the chamber lifecycle, ie the life of the substrate support pins.

[0016] 본원의 실시예들은, 캘리포니아 산타클라라의 Applied Materials, Inc.의 사업부인 AKT로부터 입수가능한 PECVD 시스템과 같은, 대면적 기판들을 프로세싱하도록 구성된 PECVD 시스템에 관하여 하기에서 예시적으로 설명된다. 그러나, 본 고안은 기판 지지 핀과의 접촉에 의해 야기되는 기판 손상을 완화시키는 것이 바람직한 다른 프로세싱 챔버들에서 유용성을 가질 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 본원에서 설명되는 실시예들 중 하나 또는 그 초과의 실시예를 실행하기 위해, 다른 제조업자들로부터의 챔버들을 포함하여, 다른 증착 챔버들이 활용될 수 있는 것이 고려된다.[0016] Embodiments herein are illustratively described below with respect to a PECVD system configured to process large area substrates, such as a PECVD system available from AKT, a division of Applied Materials, Inc. of Santa Clara, California. However, it should be understood that the present invention may have utility in other processing chambers where it is desirable to mitigate substrate damage caused by contact with the substrate support pin. Accordingly, it is contemplated that other deposition chambers may be utilized, including chambers from other manufacturers, to implement one or more of the embodiments described herein.

[0017] 도 1은, 프로세싱 동안 기판(105)을 지지하는 기판 지지 페디스털(130)을 갖는 PECVD 챔버(100)의 일 실시예의 개략적 단면도이다. 기판 지지 페디스털(130)은 복수의 비-스크래칭(non-scratching) 기판 지지 핀들(138)을 가지며, 이러한 기판 지지 핀들은 기판 이송을 용이하게 하기 위해, 기판 지지 페디스털(130) 위로 기판(105)을 지지하도록 연장될 수 있다. PECVD 챔버(100)는 기판(105) 상에, 액티브-매트릭스 유기 발광 다이오드들, 액정 디스플레이들, 등과 같은 평판들(flat panels), 태양 전지들, 및 박막 트랜지스터들과 같은 전자 디바이스들을 형성하기에 적합할 수 있다. 도 1의 PECVD 챔버(100)는, 기판 지지 핀들(138)로부터 이익을 얻을 수 있는, 기판(105) 상에 전자 디바이스들을 형성하는데 사용될 수 있는 프로세싱 챔버의 단지 일례일뿐이다.1 is a schematic cross-sectional view of one embodiment of a PECVD chamber 100 having a substrate support pedestal 130 that supports a substrate 105 during processing. The substrate support pedestal 130 has a plurality of non-scratching substrate support pins 138, and these substrate support pins are above the substrate support pedestal 130 to facilitate substrate transfer. It may be extended to support the substrate 105. The PECVD chamber 100 is suitable for forming electronic devices such as flat panels, solar cells, and thin film transistors, such as active-matrix organic light emitting diodes, liquid crystal displays, etc. on the substrate 105. It may be suitable. The PECVD chamber 100 of FIG. 1 is only an example of a processing chamber that can be used to form electronic devices on a substrate 105 that can benefit from the substrate support fins 138.

[0018] 챔버(100)는 일반적으로, 프로세스 용적(106)을 정의하는, 바닥(104) 및 벽들(102)을 포함한다. 가스 분배 플레이트 또는 확산기(110) 및 기판 지지 페디스털(130)은 챔버(100) 내의 프로세스 용적(106)에 배치된다. 프로세스 용적(106)은, 기판(105)이 챔버(100)의 내부 및 외부로 이송될 수 있도록, 벽들(102)을 통하여 형성된 밀봉가능한 슬릿 밸브(108)를 통해 접근된다. 프로세스 용적(106) 내의 압력을 제어하기 위해, 진공 펌프(109)가 챔버(100)에 커플링된다.Chamber 100 generally includes a floor 104 and walls 102, defining a process volume 106. The gas distribution plate or diffuser 110 and the substrate support pedestal 130 are disposed in the process volume 106 within the chamber 100. The process volume 106 is accessed through a sealable slit valve 108 formed through the walls 102 so that the substrate 105 can be transferred into and out of the chamber 100. To control the pressure in the process volume 106, a vacuum pump 109 is coupled to the chamber 100.

[0019] 확산기(110)는 그 주변부(periphery)에서, 서스펜션(114)에 의해 배킹 플레이트(112)에 커플링된다. 확산기(110)는 또한, 확산기(110)의 진직도/곡률(straightness/curvature)을 제어하고 그리고/또는 처짐(sag)을 방지하는 것을 돕기 위해, 하나 또는 그 초과의 중심 지지부들(미도시)에 의해 배킹 플레이트(112)에 커플링될 수 있다. 배킹 플레이트(112)를 통해, 확산기(110)에 형성된 복수의 가스 통로들(111)에, 그리고 그 후 프로세스 용적(106) 내로 하나 또는 그 초과의 가스들을 제공하기 위해, 가스 소스(120)가 배킹 플레이트(112)에 커플링된다.The diffuser 110 is coupled to the backing plate 112 by a suspension 114 at its periphery. The diffuser 110 also includes one or more central supports (not shown) to help control the straightness/curvature of the diffuser 110 and/or prevent sag. It may be coupled to the backing plate 112 by. In order to provide one or more gases through the backing plate 112, to the plurality of gas passages 111 formed in the diffuser 110, and then into the process volume 106, the gas source 120 is It is coupled to the backing plate 112.

[0020] 프로세싱 동안, 확산기(110)와 기판 지지 페디스털(130) 사이에 프로세스 가스가 존재하는 경우, RF 매치 회로(123)를 통해 확산기(110) 및/또는 배킹 플레이트(112)에 커플링되는 RF 전력 소스(122)가 확산기(110)와 기판 지지 페디스털(130) 사이에 플라즈마(142)를 유지한다. RF 전력 소스(122)는 약 0.3 MHz 내지 약 200 MHz의 RF 주파수로 RF 전력을 전달할 수 있다. 일 실시예에서, RF 전력 소스(122)는 확산기(110)에 13.56 MHz의 주파수로 전력을 제공한다.[0020] During processing, if a process gas is present between the diffuser 110 and the substrate support pedestal 130, it is coupled to the diffuser 110 and/or the backing plate 112 through the RF match circuit 123. A ringed RF power source 122 maintains a plasma 142 between the diffuser 110 and the substrate support pedestal 130. The RF power source 122 may deliver RF power at an RF frequency of about 0.3 MHz to about 200 MHz. In one embodiment, RF power source 122 provides power to spreader 110 at a frequency of 13.56 MHz.

[0021] 챔버(100) 내의 프로세싱 파라미터들을 모니터링하고 그리고/또는 제어하기 위해, 챔버(100)에 제어기(145)가 커플링될 수 있다. 제어기(145)는 중앙 처리 장치(CPU), 메모리, 및 CPU를 위한 지원 회로들을 포함하며, 챔버 내에서 수행되는 프로세스들의 모니터링 및 제어를 용이하게 하기 위해 챔버(100)의 다양한 컴포넌트들에 커플링된다. 제어기(145)는, 다양한 챔버들 및 하위-프로세서들을 제어하기 위해 산업 현장에서 사용될 수 있는 임의의 형태의 범용 컴퓨터 프로세서 중 하나일 수 있다.A controller 145 may be coupled to the chamber 100 to monitor and/or control processing parameters within the chamber 100. The controller 145 includes a central processing unit (CPU), memory, and support circuitry for the CPU, and couples to various components of the chamber 100 to facilitate monitoring and control of processes performed within the chamber. do. The controller 145 can be any type of general purpose computer processor that can be used in the industrial field to control various chambers and sub-processors.

[0022] 기판 지지 페디스털(130)은, 스트랩들(131)을 접지시킴으로써 챔버(100)에 접지될 수 있다. 기판 지지 페디스털(130)은, 프로세싱 동안 기판(105)을 지지하기 위한 기판 수용 표면(132)을 포함할 수 있다. 기판 지지 페디스털(130)은 스템(134)에 의해 리프트 시스템(136)에 커플링된다. 리프트 시스템(136)은 기판 지지 페디스털(130)을 상승 및 하강시키도록 작동가능하다(operable).The substrate supporting pedestal 130 may be grounded to the chamber 100 by grounding the straps 131. The substrate support pedestal 130 may include a substrate receiving surface 132 for supporting the substrate 105 during processing. The substrate support pedestal 130 is coupled to the lift system 136 by a stem 134. The lift system 136 is operable to raise and lower the substrate support pedestal 130.

[0023] 프로세싱 동안, 기판(105)의 주변부 위에 섀도우 프레임(133)이 배치될 수 있다. 섀도우 프레임(133)은, 프로세싱 동안 기판(105)에 의해 커버되지 않는, 기판 지지 페디스털(130)의 표면들 상의 원치 않는 증착을 감소시키거나 방지하도록 구성된다.During processing, a shadow frame 133 may be disposed over the periphery of the substrate 105. The shadow frame 133 is configured to reduce or prevent unwanted deposition on the surfaces of the substrate support pedestal 130 that are not covered by the substrate 105 during processing.

[0024] 기판 지지 페디스털(130)은, 기판(105)의 프로세싱 동안, 기판 지지 페디스털(130) 및 그 위에 포지셔닝된 기판(105)을 희망 온도로 유지하기 위해 온도 제어 엘리먼트들(139)을 포함할 수 있다. 온도 제어 엘리먼트들(139)은, 기판 지지 페디스털(130)의 온도를 유지하기 위해, 온도 제어 엘리먼트들(139)에 에너지를 제공하기 위한 전력(또는 냉각제) 공급부(141)에 부착될 수 있다. 일 실시예에서, 온도 제어 엘리먼트들(139)은 기판(105)의 프로세싱 동안, 기판 지지 페디스털(130) 및 그 위에 배치된 기판(105)의 온도를 약 500℃ 또는 그 미만으로 유지하도록 활용될 수 있다. 일 실시예에서, 온도 제어 엘리먼트들(139)은 기판 온도를 500℃ 미만, 이를테면 300℃ 내지 약 400℃로 제어하는데 사용될 수 있다.The substrate support pedestal 130, during the processing of the substrate 105, temperature control elements to maintain the substrate support pedestal 130 and the substrate 105 positioned thereon at a desired temperature ( 139). The temperature control elements 139 may be attached to the power (or coolant) supply 141 for providing energy to the temperature control elements 139 in order to maintain the temperature of the substrate supporting pedestal 130. have. In one embodiment, temperature control elements 139 are used to maintain the temperature of the substrate support pedestal 130 and the substrate 105 disposed thereon at about 500° C. or less during processing of the substrate 105. Can be utilized. In one embodiment, temperature control elements 139 may be used to control the substrate temperature to less than 500° C., such as from 300° C. to about 400° C.

[0025] 기판 지지 페디스털(130)은 기판 지지 페디스털(130)을 통하여 배치된 복수의 리프트 핀 홀들(137)을 가질 수 있다. 기판 지지 핀들(138)은 리프트 핀 홀들(137)을 통하여, 상승된 위치와 하강된 위치 사이에서 이동될 수 있다. 상승된 위치에서, 기판 지지 핀(138)의 최상부(191)가 기판 수용 표면(132) 위로 상승된다. 하강된 위치에서, 기판 지지 핀(138)의 최상부(191)는 기판 수용 표면(132)에 또는 그 아래에 있다.The substrate support pedestal 130 may have a plurality of lift pin holes 137 disposed through the substrate support pedestal 130. The substrate support pins 138 may be moved between the raised position and the lowered position through the lift pin holes 137. In the raised position, the top 191 of the substrate support pin 138 is raised above the substrate receiving surface 132. In the lowered position, the top 191 of the substrate support pin 138 is at or below the substrate receiving surface 132.

[0026] 기판 지지 핀들(138)은 숄더(shoulder)(135)를 가질 수 있다. 숄더(135)는, 도시된 바와 같이, 각이 질(angled) 수 있거나, 또는 기판 지지 핀(138)의 최상부(191)로부터 바닥(192)으로 바깥쪽으로 연장할 수 있다. 숄더(135)는, 기판 지지 핀(138)이 하강된 위치에 있는 경우, 기판 지지 핀 홀(137) 내의 대응하는 랜드(land)(195)와 접촉하고 정렬하도록 구성된다. 랜드(195)는, 기판 지지 핀(138)이 하강된 위치에 있는 경우, 기판 지지 핀(138)을 지지하고 기판 지지 핀(138)이 기판 지지 페디스털(130)을 통하여 떨어지는 것을 방지하는 상보적 방식으로, 기판 지지 핀(138)의 숄더(135)와 맞물리도록(engage) 구성되는 기하형상, 이를테면 단차부(step) 또는 카운터싱크(countersink)를 갖는다. 도 2에 도시된 바와 같이, 기판 지지 핀(138)의 숄더(135)로부터 최상부(191) 까지의 거리(282)는 랜드(195)로부터 기판 수용 표면(132) 까지의 거리(284)와 같거나 그 미만이다. 따라서, 기판 지지 핀(138)의 최상부(191)는, 기판 지지 핀(138)이 하부 위치에 있고 숄더(135)가 랜드(195)와 접촉하는 경우, 기판 수용 표면(132) 아래로 약간 리세스된다(recessed). 따라서, 연장된 기판 지지 핀들(138) 상에 포지셔닝된 기판(105)은, 기판 지지 핀들(138)의 최상부(191)가 기판 수용 표면(132)에 있거나 그 아래로 리세스되는 경우, 기판 지지 핀들(138)의 최상부(191)로부터 기판 수용 표면(132)으로 이송된다.The substrate support pins 138 may have a shoulder 135. The shoulder 135 may be angled, as shown, or may extend outwardly from the top 191 of the substrate support pin 138 to the bottom 192. The shoulder 135 is configured to contact and align with a corresponding land 195 in the substrate support pin hole 137 when the substrate support pin 138 is in the lowered position. The land 195 supports the substrate support pin 138 and prevents the substrate support pin 138 from falling through the substrate support pedestal 130 when the substrate support pin 138 is in a lowered position. In a complementary manner, it has a geometry configured to engage the shoulder 135 of the substrate support pin 138, such as a step or countersink. 2, the distance 282 from the shoulder 135 to the top 191 of the substrate support pin 138 is equal to the distance 284 from the land 195 to the substrate receiving surface 132. Or less. Thus, the uppermost portion 191 of the substrate support pin 138 is slightly below the substrate receiving surface 132 when the substrate support pin 138 is in the lower position and the shoulder 135 is in contact with the land 195. It is recessed. Thus, the substrate 105 positioned on the elongated substrate support pins 138 will support the substrate when the top 191 of the substrate support pins 138 is at or recessed under the substrate receiving surface 132. It is transferred from the top 191 of the pins 138 to the substrate receiving surface 132.

[0027] 도 2는 기판 지지 핀(138) 및 기판 지지 페디스털(130)의 일부의 단면도를 예시한다. 기판 지지 핀(138)은 중심선(290)을 중심으로 방사상으로 대칭일 수 있다. 기판 지지 핀(138)은, 본체(220), 컵(240), 및 헤드(230)를 포함할 수 있다. 컵(240)은 기판 지지 핀(138)의 본체(220) 상에 배치될 수 있다. 헤드(230)는 기판 지지 핀(138)의 컵(240) 상에 배치되고 그리고 헤드 상에 기판(105)을 지지하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 헤드(230)는, 헤드(230)의 중심선이 본체(220)의 중심선(290)과 정렬되지 않은 배향으로 이동하는 것을 허용하는 방식으로, 컵(240)에 의해 본체(220)에 고정되며, 그에 의해 본체(220)를 리프트 핀 홀(137) 내에 구속시키지(bind) 않으면서, 그에 따라 기판 지지 페디스털(130) 내에서의 기판 지지 핀(138)의 구속을 방지하면서, 헤드(230)가 기판(105)과 자기-정렬되는 것(self-align)을 허용한다.2 illustrates a cross-sectional view of a portion of the substrate support pin 138 and the substrate support pedestal 130. The substrate support pin 138 may be radially symmetric about the center line 290. The substrate support pin 138 may include a body 220, a cup 240, and a head 230. The cup 240 may be disposed on the body 220 of the substrate support pin 138. The head 230 is disposed on the cup 240 of the substrate support pins 138 and may be configured to support the substrate 105 on the head. In one embodiment, the head 230 is provided with the body 220 by the cup 240 in a manner that allows the center line of the head 230 to move in an orientation that is not aligned with the center line 290 of the body 220. ) Is fixed, thereby preventing the confinement of the substrate support pin 138 in the substrate support pedestal 130 without binding the body 220 to the lift pin hole 137 While allowing the head 230 to self-align with the substrate 105.

[0028] 본체(220)는 최상부(293) 및 바닥(도 1에서 참조 번호 192로 도시됨)을 갖는다. 기판 지지 핀(138)의 본체(220)는 기판 지지 핀 홀(137) 내에 슬라이드 가능하게 피팅되도록 크기가 결정되고 성형될 수 있다. 일 실시예에서, 본체(220)는 세장형이다. 세장형 본체(220)는 단면이 원통형일 수 있거나, 또는 기판 지지 핀 홀(137) 내에 구속되지 않으면서 기판 지지 핀(138)의 축방향 동작을 촉진하는 다른 단면을 가질 수 있다. 따라서, 본체(220)는 중심선(290)의 방향으로 세장형일 수 있다. 본체(220)는 최상부(293)에 형성된 축방향 홀(222)을 가질 수 있다. 축방향 홀(222)은 본체(220)의 중심선(290)을 통하여 연장하는 슬롯 또는 슬릿의 형태일 수 있다. 축방향 홀(222) 내로 본체(220)를 통하여 개구(221)가 연장될 수 있다. 본체(220)는 세라믹 또는 다른 적합한 재료로 형성될 수 있다. 본체(220)의 세라믹 재료는, 경질이고 강하고, 화학적으로 불활성이며, 그리고 열 및 전기에 대해 부도체일 수 있다. 예를 들면, 본체(220)는 알루미나(Al2O3), 실리콘 알루미늄 옥시나이트라이드(Si2ON2 / SiN-SiO2-Al2O3-AlN), 또는 다른 적합한 재료들로 형성될 수 있다.The body 220 has a top portion 293 and a bottom (shown by reference numeral 192 in FIG. 1). The body 220 of the substrate support pin 138 may be sized and molded so as to be slidably fitted into the substrate support pin hole 137. In one embodiment, the body 220 is elongate. The elongate body 220 may be cylindrical in cross section, or may have another cross section that facilitates axial motion of the substrate support pin 138 without being constrained within the substrate support pin hole 137. Accordingly, the main body 220 may be elongate in the direction of the center line 290. The body 220 may have an axial hole 222 formed in the uppermost portion 293. The axial hole 222 may be in the form of a slot or slit extending through the center line 290 of the main body 220. The opening 221 may extend through the body 220 into the axial hole 222. Body 220 may be formed of ceramic or other suitable material. The ceramic material of the body 220 may be rigid and strong, chemically inert, and non-conductor to heat and electricity. For example, the body 220 may be formed of alumina (Al 2 O 3 ), silicon aluminum oxynitride (Si 2 ON 2 / SiN-SiO 2 -Al 2 O 3 -AlN), or other suitable materials. have.

[0029] 컵(240)은 최상부 표면(241)을 가질 수 있다. 컵(240)은 최상부 표면(241) 반대쪽에(opposite) 배치된 포스트(post)(242)를 가질 수 있다. 포스트(242)는 그 내부에 형성된 개구(245)를 가질 수 있다. 포스트(242)는 본체(220)의 최상부(293)에 형성된 축방향 홀(222) 내로 피팅되도록 구성될 수 있다. 포스트(242) 내의 개구(245)는 본체(220) 내의 개구(221)와 정렬될 수 있다. 본체(220)에 컵(240)을 고정시키기 위해, 개구들(245, 221) 내에 키(key)(250)가 피팅되도록 구성된다. 개구들(245, 221)을 통해 연장하는 키(250)에 의해 제공되는, 본체(220)와 컵(240) 사이의 연결은, 본체(220)가 컵(240)과 독립적으로 이동하는 것을 허용할만큼 충분히 느슨할 수 있다. 예를 들면, 키(250)는 본체(220)의 개구(221) 내에서 클리어런스 피트(clearance fit)를 가지면서, 키(250)는 컵(240)의 개구(245) 내에 스테이킹되거나(staked) 포스 피트(force fit)될 수 있으며, 그에 따라 컵(240)이 본체(220)의 최상부 상에서 약간 흔들리는 것(wobble)을 허용한다. 컵(240)으로부터 본체(220)의 독립적인 운동은, 기판(105)의 평면이 기판 지지 핀 홀(137)의 중심선과 수직이 아닌 예들에서, 컵(240)의 중심선의 배향이, 기판(105)과의 접촉으로 인해, 본체(220)의 중심선(290)과 비-동축이 되고 그리고/또는 본체(220)의 중심선(290)에 대해 작은 예각으로, 이를테면 1 내지 5도로 배치되는 동안에도, 본체(220)가 기판 지지 페디스털(130) 내에 구속되지 않으면서, 기판 지지 핀 홀(137)과 독립적으로 정렬되는 것을 허용한다. 따라서, 컵(240)의 독립적인 동작은, 기판 지지 핀(138)이 기판 지지 페디스털(130) 내에서 축방향으로 이동하는 동안, 리프트 핀 홀들(137) 내에 본체(220)를 구속하지 않으면서, 헤드(230)가 본체(220)와 자기-정렬되는 것을 허용한다.The cup 240 may have a top surface 241. The cup 240 may have a post 242 disposed opposite the top surface 241. The post 242 may have an opening 245 formed therein. The post 242 may be configured to fit into the axial hole 222 formed in the uppermost portion 293 of the body 220. The opening 245 in the post 242 may be aligned with the opening 221 in the body 220. In order to fix the cup 240 to the body 220, a key 250 is configured to fit within the openings 245 and 221. The connection between the body 220 and the cup 240, provided by a key 250 extending through the openings 245 and 221, allows the body 220 to move independently of the cup 240 It can be loose enough to do. For example, the key 250 has a clearance fit within the opening 221 of the body 220, while the key 250 is staked within the opening 245 of the cup 240 or ) Can be force fit, thereby allowing the cup 240 to wobble slightly on top of the body 220. Independent movement of the body 220 from the cup 240 is, in the examples where the plane of the substrate 105 is not perpendicular to the center line of the substrate support pin hole 137, the orientation of the center line of the cup 240 is, 105), it becomes non-coaxial with the center line 290 of the body 220 and/or is placed at a small acute angle with respect to the center line 290 of the body 220, such as 1 to 5 degrees. , Allowing the body 220 to be independently aligned with the substrate support pin hole 137, without being constrained within the substrate support pedestal 130. Therefore, the independent operation of the cup 240 does not constrain the body 220 within the lift pin holes 137 while the substrate support pin 138 moves in the axial direction within the substrate support pedestal 130. Without allowing the head 230 to self-align with the body 220.

[0030] 컵(240)은 금속, 세라믹, 또는 다른 적합한 재료로 형성될 수 있다. 컵(240)은 조기 교체를 필요로 하거나 입자들을 생성하지 않으면서, 기판 지지 페디스털(130)과의 반복된 접촉을 견디도록 선택된 재료로 제조될 수 있다. 컵(240)은 또한, 본체(220) 및 헤드(230)에 컵(240)을 커플링하기에 적합한 재료로 제조될 수 있다. 컵(240)에 대해 선택된 재료는 부가적으로, 컵(240)의 숄더(135)가 기판 지지 페디스털(130)의 랜드(195) 상에서 기판 지지 핀(138)의 중량을 지지하고 있는 경우, 기판 지지 핀(138)의 중량을 지지하기에 충분한 강도(strength)를 갖는다. 유리하게, 컵(240)의 재료는 헤드(230) 또는 본체(220)에 대해 활용되는 재료로부터 독립적으로 선택될 수 있기 때문에, 컵(240)의 재료는 컵(240)의 고장들(failures), 즉, 파손을 최소화하도록 보다 용이하게 선택될 수 있다. 일 실시예에서, 컵(240)은 기판 지지 핀들(138)의 연장된 유효 수명(service life)을 촉진하기 위해 알루미늄으로 형성된다.The cup 240 may be formed of a metal, ceramic, or other suitable material. The cup 240 may be made of a material selected to withstand repeated contact with the substrate support pedestal 130 without requiring early replacement or producing particles. Cup 240 may also be made of a material suitable for coupling cup 240 to body 220 and head 230. The material selected for the cup 240 is additionally when the shoulder 135 of the cup 240 is supporting the weight of the substrate support pin 138 on the land 195 of the substrate support pedestal 130. , Has sufficient strength to support the weight of the substrate support pins 138. Advantageously, since the material of the cup 240 can be independently selected from the material utilized for the head 230 or the body 220, the material of the cup 240 will result in failures of the cup 240. That is, it can be more easily selected to minimize breakage. In one embodiment, the cup 240 is formed of aluminum to promote an extended service life of the substrate support pins 138.

[0031] 헤드(230)는 컵(240)의 최상부 표면(241)에 고정된다. 헤드(230)는 헤드와 컵 사이의 측방향 동작을 실질적으로 방지하는 방식으로, 컵(240)에 커플링될 수 있다. 헤드(230)는 대안적으로, 헤드와 컵 사이의 회전 동작 및/또는 약간의 측방향 동작을 허용하는 방식으로, 컵(240)에 커플링될 수 있다.The head 230 is fixed to the top surface 241 of the cup 240. The head 230 may be coupled to the cup 240 in a manner that substantially prevents lateral motion between the head and the cup. The head 230 may alternatively be coupled to the cup 240 in a manner that allows for a rotational motion and/or slight lateral motion between the head and the cup.

[0032] 기판 지지 핀(138)의 헤드(230)는 지지 표면(234)을 갖는다. 지지 표면(234)은 곡선 또는 딤플(dimple)과 같은 비-평면 형상을 가질 수 있거나, 그렇지 않으면 기판(105)과 기판 지지 핀(138) 사이의 접촉 영역(contact area)을 감소시키도록 구성되는 상승된 중심 부분(239)을 가질 수 있다. 헤드(230)는 기판을 스크래칭하는 것을 피할 수 있는 재료, 이를테면 그래파이트, 파이로-그래파이트(pyro-graphite) 재료, 양극산화 알루미늄(anodized aluminum), 또는 다른 적합한 재료로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 헤드(230)는 파이로-그래파이트 재료로 형성된다.The head 230 of the substrate support pin 138 has a support surface 234. The support surface 234 may have a non-planar shape such as a curved or dimple, or otherwise configured to reduce the contact area between the substrate 105 and the substrate support pins 138. It may have an elevated central portion 239. The head 230 may be formed of a material that can avoid scratching the substrate, such as graphite, pyro-graphite material, anodized aluminum, or other suitable material. In one embodiment, the head 230 is formed of a pyro-graphite material.

[0033] 컵(240) 및 헤드(230)는 도 3-4를 추가로 참조하여 더 상세히 설명될 것이다. 도 3은 기판 지지 핀(138)의 헤드(230) 및 컵(240)의 부분적 분해 단면도인 반면, 도 4는 컵(240)에 고정된 헤드(230)를 예시하는, 도 3의 기판 지지 핀(138)의 부분 단면도이다.The cup 240 and the head 230 will be described in more detail with additional reference to FIGS. 3-4. 3 is a partially exploded cross-sectional view of the head 230 and cup 240 of the substrate support pin 138, while FIG. 4 is the substrate support pin of FIG. 3 illustrating the head 230 fixed to the cup 240. It is a partial cross-sectional view of 138.

[0034] 컵(240)은 최상부 표면(241)으로부터 위쪽으로 연장하는 링(244)을 가질 수 있다. 링(244)은 높이(388)만큼 위쪽으로 연장하는 최상부(341)를 갖는다. 링(244)은 헤드(230)와 인터페이싱하도록 구성된다. 링(244)은 두께(334)를 갖는다. 링(244)은 부가적으로, 중심선(290)을 중심으로 센터링될(centered) 수 있다. 링(244)의 두께(334)는, 컵(240)에 헤드(230)를 고정하기 위해, 링(244)의 최상부(341)가 중심선(290)을 향해 안쪽으로 구부러지는 것을 허용하도록 구성된다. 링(244)은 몰딩, 기계가공(machining), 또는 부가적인 제조를 통해, 컵(240)의 단일부(unitary portion)로서 형성될 수 있다. 링(244)은 헤드(230)의 하부 부분(344) 주위에 클로스 피팅되도록(fit closely) 구성되며, 그에 따라, 헤드(230)의 하부 부분(344) 및 링(244)의 직경(380)은 실질적으로 유사하다. 일 실시예에서, 직경(380)은 약 0.25 인치이다. 링(244)의 높이(388)는 헤드(230)의 하부 부분(344)의 높이(386)와 실질적으로 유사하며, 그에 따라 헤드(230)가 링(244)에 삽입되는 경우, 하부 부분(344)은 컵(240)의 최상부 표면(241)과 접촉할 수 있다.The cup 240 may have a ring 244 extending upwardly from the top surface 241. Ring 244 has a top portion 341 that extends upward by a height 388. Ring 244 is configured to interface with head 230. Ring 244 has a thickness 334. Ring 244 may additionally be centered about center line 290. The thickness 334 of the ring 244 is configured to allow the top 341 of the ring 244 to bend inward toward the center line 290 to secure the head 230 to the cup 240. . Ring 244 may be formed as a unitary portion of cup 240 through molding, machining, or additional manufacturing. The ring 244 is configured to fit closely around the lower portion 344 of the head 230, so that the lower portion 344 of the head 230 and the diameter 380 of the ring 244 Are substantially similar. In one embodiment, the diameter 380 is about 0.25 inches. The height 388 of the ring 244 is substantially similar to the height 386 of the lower portion 344 of the head 230, so that when the head 230 is inserted into the ring 244, the lower portion ( 344 may contact top surface 241 of cup 240.

[0035] 헤드(230)의 하부 부분(344)은 각진(angled) 측벽(330)을 가질 수 있다. 각진 측벽(330)은 선택적인 립(lip)(338) 또는 지지 표면(234) 쪽으로 위쪽으로 연장할 수 있다. 립(338)은 각진 측벽(330) 및 중심선(290)으로부터 멀리 연장할 수 있다. 립(338)은 립 바닥(332)을 가질 수 있다. 립 바닥(332) 및 각진 측벽(330)은 예각을 형성할 수 있다. 각진 측벽(330)은 립 바닥(332)으로부터 밖을 향해 벌어질(flare) 수 있으며, 그에 따라 헤드(230)의 하부 부분(344)의 중앙 직경(middle diameter)(382)은 하부 부분(344)의 바닥(345)의 직경(380)보다 더 작다. 일 실시예에서, 직경들(380, 382) 사이의 차이는 약 7/1000 내지 약 14/1000, 이를테면 약 10/1000의 범위일 수 있다.The lower portion 344 of the head 230 may have an angled sidewall 330. The angled sidewalls 330 may extend upwardly towards an optional lip 338 or support surface 234. The lip 338 may extend away from the angled sidewall 330 and the centerline 290. Lip 338 may have a lip bottom 332. The lip bottom 332 and the angled sidewall 330 may form an acute angle. The angled sidewall 330 may flare outward from the lip bottom 332, so that the middle diameter 382 of the lower portion 344 of the head 230 is equal to the lower portion 344 ) Is smaller than the diameter 380 of the bottom 345. In one embodiment, the difference between the diameters 380 and 382 may range from about 7/1000 to about 14/1000, such as about 10/1000.

[0036] 헤드(230)의 하부 부분(344)은 링(244) 내부에 배치되며, 컵(240)의 최상부 표면(241) 상에 놓일 수 있다. 헤드(230)는 접착(gluing), 크림핑(crimping), 용접, 또는 다른 본딩 방법들과 같은 적합한 수단에 의해 컵(240)에 부착될 수 있다. 예를 들면, 링(244)은 컵(240)에 헤드(230)를 고정하기 위해, 각진 측벽(330) 주위에 스웨이지 크림프(swage crimp)(444)를 형성하도록 변형될 수 있다. 스웨이지 크림프(444)는 컵(240)에 헤드(230)를 고정하기 위해 위치되는 몇몇 별개의 부분들을 형성하도록 분할될(segmented) 수 있다. 예를 들면, 스웨이지 크림프(444)는, 헤드(230)에 링(244)을 클램핑하도록, 분할되어 등거리 배열로 이격될 수 있다. 다른 실시예에서, 스웨이지 크림프(444)는 링(244)의 전체 외부 둘레 주위에서 연속적이다. 예를 들면, 컵(240)은, 컵(240)에 헤드(230)를 고정하기 위해 연속적인 스웨이지 크림프(444)를 제공하도록 링(244)이 안쪽으로 프레싱되는 동안 스피닝될(spun) 수 있다. 스웨이지 크림프(444)는 중심선(290)을 향해 링의 최상부(341)를 변위시킬 수 있다. 최상부(341)에 대한 변위의 양은, 헤드(230)의 재료뿐만 아니라 링(244) 및 컵(240)의 재료에 의한 열 팽창의 차이를 보상하기 위해 증가될 수 있다. 바닥(345)의 직경(380)이 립 바닥(332)의 중앙 직경(382)보다 약 14/1000만큼 더 클 수 있는 일 실시예에서, 링(244)의 최상부(341)는 파이로-그래파이트 헤드(230)를 알루미늄 컵(240)에 체결하기 위해 스웨이지(444)에 의해 중심선(290) 쪽으로 약 7/1000만큼 변위된다.The lower portion 344 of the head 230 is disposed inside the ring 244 and may rest on the top surface 241 of the cup 240. The head 230 may be attached to the cup 240 by any suitable means such as gluing, crimping, welding, or other bonding methods. For example, the ring 244 can be deformed to form a swage crimp 444 around the angled sidewall 330 to secure the head 230 to the cup 240. Swage crimp 444 may be segmented to form several distinct portions positioned to secure head 230 to cup 240. For example, swage crimp 444 may be divided and spaced apart in an equidistant arrangement to clamp ring 244 to head 230. In another embodiment, swage crimp 444 is continuous around the entire outer circumference of ring 244. For example, the cup 240 may be spun while the ring 244 is pressed inward to provide a continuous swage crimp 444 to secure the head 230 to the cup 240. . The swage crimp 444 can displace the top 341 of the ring towards the center line 290. The amount of displacement relative to the top 341 may be increased to compensate for the difference in thermal expansion by the material of the head 230 as well as the material of the ring 244 and cup 240. In one embodiment where the diameter 380 of the bottom 345 may be about 14/1000 greater than the median diameter 382 of the lip bottom 332, the top 341 of the ring 244 is a pyro-graphite. The head 230 is displaced by about 7/1000 toward the center line 290 by the swage 444 to fasten the head 230 to the aluminum cup 240.

[0037] 헤드(230) 및 컵(240)은 키(250)의 제거에 의해 본체(220)로부터 용이하게 분리될 수 있기 때문에, 헤드(230) 및 컵(240)은 본체(220)를 교체할 필요 없이, 용이하게 교체될 수 있다.Since the head 230 and the cup 240 can be easily separated from the body 220 by the removal of the key 250, the head 230 and the cup 240 replace the body 220 Without the need to do it, it can be easily replaced.

[0038] 기판 지지 핀의 헤드를 교체하기 위한 방법이 또한 제공된다. 예를 들면, 헤드는 키를 제거함으로써, 본체로부터 핀고정-해제될(un-pinned) 수 있다. 핀고정 해제된 헤드 및 컵은 본체로부터 제거될 수 있으며, 새로운 또는 개장된 헤드로 교체될 수 있다. 새로운 또는 개장된 헤드를 갖는 기판 지지 핀은, 예방 보전(preventative maintenance)이 수행되거나 헤드를 교체할 필요성이 식별될 때까지, 프로세싱 챔버에서 활용될 수 있다.[0038] A method for replacing the head of a substrate support pin is also provided. For example, the head can be un-pinned from the body by removing the key. The unpinned head and cup can be removed from the body and replaced with a new or retrofitted head. Substrate support pins with new or retrofitted heads can be utilized in the processing chamber until preventative maintenance is performed or the need to replace the head is identified.

[0039] 유리하게, 기판 지지 핀 베이스는 튼튼하고 내구성 있는 세라믹 재료로 형성될 수 있고, 컵은 기판 지지 핀의 중량을 지지하고 기판 지지 핀의 파손을 감소시키기 위한 강도를 제공하기 위해 알루미늄으로 형성될 수 있으며, 헤드는 기판 지지 핀 헤드와 접촉하는 기판들의 스크래칭을 최소화하는 파이로-그래파이트와 같은 보다 연성의(softer) 재료로 형성될 수 있다. 스웨이지 크림프는 용이하게 형성되며, 컵에 헤드를 단단히 체결한다. 기판 지지 핀의 각각의 컴포넌트를 위해 적절하게 선택되는 재료들의 사용은, 보다 값이 비싼 재료들의 사용을 특정 위치들로 제한하면서, 다른 곳에서는 값이 보다 덜 비싼 재료들의 사용을 허용함으로써, 비용을 최소화한다. 또한, 헤드는, 본체를 페디스털에 구속시키지 않으면서, 헤드 상에 포지셔닝되는 기판들과 자기-정렬되는 방식으로, 본체에 부착되며, 그에 따라 리프트 핀의 구속(binding) 및/또는 갤링(galling) 및 기판의 스크래칭에 대한 경향을 유리하게 감소시키며, 이는 프로세싱 챔버의 소유 비용을 감소시키면서, 기판 지지 핀의 유효 수명을 연장시킨다.Advantageously, the substrate support pin base may be formed of a sturdy and durable ceramic material, and the cup is formed of aluminum to support the weight of the substrate support pin and provide strength to reduce breakage of the substrate support pin The head may be formed of a softer material such as pyro-graphite that minimizes scratching of substrates in contact with the substrate support pin head. Swage crimps are easily formed and securely fasten the head to the cup. The use of appropriately selected materials for each component of the substrate support pin reduces cost by limiting the use of more expensive materials to certain locations, while allowing the use of less expensive materials elsewhere. Minimize it. In addition, the head is attached to the body in a manner that is self-aligned with the substrates positioned on the head, without constraining the body to the pedestal, thereby binding and/or galling of the lift pins. galling) and the tendency to scratch the substrate, which advantageously reduces the cost of ownership of the processing chamber, while extending the useful life of the substrate support pins.

[0040] 전술한 내용은 본 고안의 바람직한 실시예에 관한 것이지만, 본 고안의 다른 그리고 추가의 실시예들이 본 고안의 기본 범위로부터 벗어나지 않고 안출될 수 있으며, 본 고안의 범위는 하기의 청구항들에 의해 결정된다.[0040] The above description relates to a preferred embodiment of the present invention, but other and additional embodiments of the present invention may be devised without departing from the basic scope of the present invention, and the scope of the present invention is in the following claims. Determined by

Claims (15)

기판 지지 핀으로서,
최상부 및 바닥을 갖는 세장형 본체(elongated body);
상기 본체에 고정되는 컵(cup) ― 상기 컵은 상기 본체의 중심선과 정렬되지 않은 배향으로 상기 컵의 중심선이 이동하는 것을 허용하는 방식으로 고정됨 ―; 및
상기 컵에 고정되는 헤드를 포함하며,
상기 헤드는 상기 컵의 재료와 상이한 재료로 제조되고,
상기 본체는,
상기 컵의 부분을 수용하는, 상기 본체의 상기 최상부에 형성된 축방향 홀(axial hole) - 상기 축방향 홀은 수용되는 상기 컵의 부분이 상기 본체에 대해 흔들리는 것(wobble)을 허용하도록 크기가 정해짐 -;
상기 본체를 통해 상기 축방향 홀 내로 연장하는 개구; 및
상기 본체 내의 상기 개구를 통하여 배치되며, 상기 컵 내로 연장하는 키를 포함하고,
상기 키는 상기 본체의 상기 개구 내에서 클리어런스 피트(clearance fit)를 가지면서, 상기 키는 상기 컵의 개구 내에 스테이킹되거나(staked) 포스 피트(force fit)되는
기판 지지 핀.As a substrate support pin,
An elongated body having a top and a bottom;
A cup fixed to the body, the cup being fixed in a manner that allows the center line of the cup to move in an orientation that is not aligned with the center line of the body; And
It includes a head fixed to the cup,
The head is made of a material different from that of the cup,
The main body,
An axial hole formed on the top of the body, which receives a portion of the cup, the axial hole is sized to allow the portion of the cup to be accommodated to wobble relative to the body. Become -;
An opening extending through the body and into the axial hole; And
A key disposed through the opening in the body and extending into the cup,
The key has a clearance fit within the opening of the body, while the key is staked or force fit within the opening of the cup.
Board support pin. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 헤드는 상기 컵에 스웨이징되는(swaged)
기판 지지 핀.The method of claim 1,
The head is swaged to the cup
Board support pin. 제 1 항에 있어서,
상기 본체는 세라믹으로 제조되는
기판 지지 핀.The method of claim 1,
The body is made of ceramic
Board support pin. 제 1 항에 있어서,
상기 컵은 알루미늄으로 제조되는
기판 지지 핀.The method of claim 1,
The cup is made of aluminum
Board support pin. 제 1 항에 있어서,
상기 헤드는 그래파이트, 파이로-그래파이트(pyro-graphite) 재료, 또는 양극산화 알루미늄(anodized aluminum)으로 제조되는
기판 지지 핀.The method of claim 1,
The head is made of graphite, pyro-graphite material, or anodized aluminum.
Board support pin. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 프로세싱 챔버로서,
프로세스 용적을 정의하는, 바닥 및 벽들;
상기 프로세스 용적에 배치되는 기판 지지 페디스털; 및
상기 기판 지지 페디스털에 형성된 리프트 핀 홀들에 배치되며, 상기 기판 지지 페디스털의 기판 수용 표면으로부터 돌출하도록 이동가능한 복수의 기판 지지 핀들을 포함하며, 각각의 기판 지지 핀은,
최상부 및 바닥을 갖는 세장형 본체;
상기 본체에 고정되는 컵 ― 상기 컵은 상기 본체의 중심선과 정렬되지 않은 배향으로 상기 컵의 중심선이 이동하는 것을 허용하는 방식으로 고정됨 ―; 및
상기 컵에 의해 상기 본체에 고정되는 헤드를 포함하며,
상기 헤드는 상기 컵의 재료와 상이한 재료로 제조되고,
상기 본체는,
상기 컵의 부분을 수용하는, 상기 본체의 상기 최상부에 형성된 축방향 홀 - 상기 축방향 홀은 수용되는 상기 컵의 부분이 상기 본체에 대해 흔들리는 것을 허용하도록 크기가 정해짐 -;
상기 본체를 통해 상기 축방향 홀 내로 연장하는 개구; 및
상기 본체 내의 상기 개구를 통하여 배치되며, 상기 컵 내로 연장하는 키를 포함하고,
상기 키는 상기 본체의 상기 개구 내에서 클리어런스 피트를 가지면서, 상기 키는 상기 컵의 개구 내에 스테이킹되거나 포스 피트되는
프로세싱 챔버.As a processing chamber,
Floors and walls, defining the process volume;
A substrate support pedestal disposed in the process volume; And
A plurality of substrate support pins disposed in lift pin holes formed in the substrate support pedestal and movable to protrude from the substrate receiving surface of the substrate support pedestal, each substrate support pin,
An elongate body having a top and a bottom;
A cup secured to the body, the cup being secured in a manner that allows the centerline of the cup to move in an orientation that is not aligned with the centerline of the body; And
And a head fixed to the body by the cup,
The head is made of a material different from that of the cup,
The main body,
An axial hole formed at the top of the body for receiving a portion of the cup, the axial hole sized to allow the portion of the cup to be received to swing relative to the body;
An opening extending through the body and into the axial hole; And
A key disposed through the opening in the body and extending into the cup,
The key has a clearance pit in the opening of the body, and the key is staked or force-fit in the opening of the cup.
Processing chamber.
KR2020160001680U 2015-03-31 2016-03-29 Non-scratching and durable substrate support pin KR200493645Y1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2020210001402U KR200495564Y1 (en) 2015-03-31 2021-05-03 Non-scratching and durable substrate support pin

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562141228P 2015-03-31 2015-03-31
US62/141,228 2015-03-31

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2020210001402U Division KR200495564Y1 (en) 2015-03-31 2021-05-03 Non-scratching and durable substrate support pin

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160003490U KR20160003490U (en) 2016-10-10
KR200493645Y1 true KR200493645Y1 (en) 2021-05-07

Family

ID=57139135

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2020160001680U KR200493645Y1 (en) 2015-03-31 2016-03-29 Non-scratching and durable substrate support pin
KR2020210001402U KR200495564Y1 (en) 2015-03-31 2021-05-03 Non-scratching and durable substrate support pin

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2020210001402U KR200495564Y1 (en) 2015-03-31 2021-05-03 Non-scratching and durable substrate support pin

Country Status (2)

Country Link
KR (2) KR200493645Y1 (en)
CN (1) CN205780150U (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106607320B (en) * 2016-12-22 2019-10-01 武汉华星光电技术有限公司 Thermal vacuum drying device suitable for flexible base board
KR102257661B1 (en) * 2019-05-13 2021-05-28 주식회사 원익큐엔씨 Support Pin for Supporting Glass Substrate

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011505691A (en) * 2007-11-30 2011-02-24 ザイカーブ・セラミクス・ビー．ブイ． Apparatus for stacking various materials on a semiconductor substrate and lift pins for use in such an apparatus

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4295590B2 (en) 2003-09-25 2009-07-15 三菱重工業株式会社 Laser etching equipment
KR101102954B1 (en) * 2009-07-13 2012-01-10 에스케이씨솔믹스 주식회사 Lift device for preparing a display with glass substrate
KR101657175B1 (en) * 2013-03-13 2016-09-20 주성엔지니어링(주) Lift pin
KR102071497B1 (en) * 2014-04-01 2020-01-30 주식회사 원익아이피에스 Substrate processing apparatus

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011505691A (en) * 2007-11-30 2011-02-24 ザイカーブ・セラミクス・ビー．ブイ． Apparatus for stacking various materials on a semiconductor substrate and lift pins for use in such an apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210001021U (en) 2021-05-11
KR20160003490U (en) 2016-10-10
CN205780150U (en) 2016-12-07
KR200495564Y1 (en) 2022-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR200495564Y1 (en) Non-scratching and durable substrate support pin
CN101276777B (en) Substrate mounting stage and substrate processing apparatus
US20060005771A1 (en) Apparatus and method of shaping profiles of large-area PECVD electrodes
CN103094037B (en) A kind of clamping device and apply the plasma processing device of this clamping device
US20060005770A1 (en) Independently moving substrate supports
CN100477145C (en) Electrostatic absorption electrode and treating apparatus
TWI678761B (en) Substrate transfer mechanisms
CN103828035B (en) Substrate supports axle bush
CN104900569B (en) Substrate-placing device and substrate board treatment
CN102915944B (en) Substrate connecting method
CN1752281A (en) RF grounding of cathode in process chamber
JP6539929B2 (en) Wafer supporting mechanism, chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing epitaxial wafer
KR100965143B1 (en) Susceptor unit and apparatus for processing a substrate using it
KR101600265B1 (en) Chemical vapor deposition apparatus
US20130337605A1 (en) Substrate plasma-processing apparatus
TWI527929B (en) Susceptor with roll-formed surface and method for making same
TWI686885B (en) Lift pin assembly, substrate processing apparatus having the same, and method for separating a substrate from a substrate support on which the substrate is seated
WO2016117095A1 (en) Substrate transfer system
CN102683258B (en) Chuck structure and device for processing semiconductor substrate using the same
CN203242597U (en) Segmental type focus ring assembly
CN101440524A (en) Plasma chemical reactor
KR102399208B1 (en) Processing chamber with features from side wall
CN101728242A (en) Substrate processing apparatus
CN101126155A (en) Chemical vapor deposition apparatus
KR20240013050A (en) Substrate support structure and substrate processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment
U106 Divisional application of utility model