KR20040107532A - Cathode ray tube - Google Patents

Cathode ray tube Download PDF

Info

Publication number
KR20040107532A
KR20040107532A KR1020030038357A KR20030038357A KR20040107532A KR 20040107532 A KR20040107532 A KR 20040107532A KR 1020030038357 A KR1020030038357 A KR 1020030038357A KR 20030038357 A KR20030038357 A KR 20030038357A KR 20040107532 A KR20040107532 A KR 20040107532A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
panel
cathode ray
ray tube
axis
mask frame
Prior art date
Application number
KR1020030038357A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
최오용
Original Assignee
엘지.필립스디스플레이(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지.필립스디스플레이(주) filed Critical 엘지.필립스디스플레이(주)
Priority to KR1020030038357A priority Critical patent/KR20040107532A/en
Publication of KR20040107532A publication Critical patent/KR20040107532A/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/06Screens for shielding; Masks interposed in the electron stream
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2229/00Details of cathode ray tubes or electron beam tubes
    • H01J2229/0007Elimination of unwanted or stray electromagnetic effects
    • H01J2229/003Preventing or cancelling fields entering the enclosure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2229/00Details of cathode ray tubes or electron beam tubes
    • H01J2229/863Passive shielding means associated with the vessel
    • H01J2229/8634Magnetic shielding

Landscapes

  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Abstract

PURPOSE: A cathode ray tube is provided to minimize the volume of movement of electron beam due to the influence of magnetic field by optimizing the shape of an inner shield, thereby improving color purity. CONSTITUTION: A cathode ray tube includes a panel(10), a funnel(20), a shadow mask(80), a mask frame(90), and an inner shield(100). The funnel is attached to the back side of the panel. The shadow mask is arranged having a predetermined distance from the inner side of the panel and has a plurality of electron beam passage holes. The mask frame fixes and supports the shadow mask. The inner shield shields external terrestrial magnetism. The length of the diagonal axis of the inner shield is longer than at least one of the shorter axis, longer axis and diagonal axis of the mask frame.

Description

음극선관{CATHODE RAY TUBE}Cathode Ray Tube {CATHODE RAY TUBE}

본 발명은 음극선관에 관한 것으로, 특히 인너 쉴드의 형상을 최적화하여 자계의 영향에 의한 전자빔의 이동량을 최소화시킴으로써 화면의 색순도를 향상시킬 수 있는 음극선관에 관한 것이다.The present invention relates to a cathode ray tube, and more particularly, to a cathode ray tube capable of improving color purity of a screen by optimizing the shape of an inner shield to minimize the amount of movement of an electron beam under the influence of a magnetic field.

일반적으로 음극선관은 전기 신호를 전자빔으로 변환시키고, 상기 전자빔을 형광체 스크린에 방출시켜 광학상으로 화면을 구현하는 장치로, 가격대비 표시 품질이 우수하여 널리 사용되는 표시장치이다.In general, a cathode ray tube converts an electrical signal into an electron beam, and emits the electron beam onto a phosphor screen to implement an optical image. The cathode ray tube is a display device widely used because of its excellent display price ratio.

이와 같은 음극선관에 대하여 첨부된 도면을 참고하여 설명한다.Such a cathode ray tube will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1 은 종래 기술에 따른 음극선관이 도시된 개략도이다.1 is a schematic view showing a cathode ray tube according to the prior art.

도 1 에 도시된 바와 같이, 음극 선관은 전면 유리인 패널(201)과, 상기 패널(201)과 결합되어 진공 공간을 형성하는 후면 유리인 펀넬(202)과, 상기 패널(201)의 내측면에 도포되어 발광체 역할을 하는 형광체 스크린(213)과, 상기 형광체 스크린(213)을 발광시키는 전자빔(205)이 방출되는 전자총(206)과, 상기 펀넬(202)의 외주면으로부터 소정의 간격을 두고 설치되어 상기 전자빔(205)을 상기 형광체 스크린(213) 쪽으로 편향시키는 편향 요크(207)와, 상기 형광체 스크린(213)과 일정 간격을 두고 설치되는 새도우 마스크(208)와, 상기 새도우 마스크(208)를 고정/지지하는 마스크 프레임(209)과, 상기 패널(201)측으로부터 상기 펀넬(202)측으로 길게 뻗은 형태로 설치되어 외부 지자계를 차폐하여 자계 영향에 의해 색순도가 불량해지는 것을 방지하는 인너 쉴드(210) 등을 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 1, the cathode ray tube includes a panel 201 which is a front glass, a funnel 202 which is a rear glass which is combined with the panel 201 to form a vacuum space, and an inner surface of the panel 201. A phosphor screen 213 applied to the light emitting element, an electron gun 206 through which the electron beam 205 emitting the phosphor screen 213 is emitted, and a predetermined distance from an outer circumferential surface of the funnel 202. A deflection yoke 207 for deflecting the electron beam 205 toward the phosphor screen 213, a shadow mask 208 provided at a predetermined distance from the phosphor screen 213, and the shadow mask 208. An inner shield that is fixed / supported to the mask frame 209 and is formed to extend from the panel 201 side to the funnel 202 side to shield external geomagnetic fields and prevent color purity from deteriorating due to magnetic field influences. 210) back light It is configured to.

상기 새도우 마스크(208)은, 도 2 및 도 3 에 도시된 바와 같이, 다수개의 전자빔 통과공(208a)이 형성되는 유효면부(208b)와, 상기 유효면부(208b)의 주위에서 거의 관축(Z-축)방향으로 연장되어 상기 마스크 프레임(209)의 측벽부(209a)에 고정되는 스커트부(208c)로 이루어 진다.2 and 3, the shadow mask 208 has an effective surface portion 208b in which a plurality of electron beam through holes 208a are formed, and a substantially tube axis Z around the effective surface portion 208b. A skirt portion 208c extending in the -axis) direction and fixed to the side wall portion 209a of the mask frame 209.

상기 마스크 프레임(209)은 음극선관의 관축(Z-축)방향으로 직립하여 형성되고 상기 새도우 마스크(208)의 스커트부(208c)가 고정되는 상기 측벽부(209a)가 장변 및 단변을 이루면서 형성된다.The mask frame 209 is formed upright in the tube axis (Z-axis) direction of the cathode ray tube, and the side wall portion 209a to which the skirt portion 208c of the shadow mask 208 is fixed forms a long side and a short side. do.

상기 인너 쉴드(210)는, 도 4 에 도시된 바와 같이, 양측에 개구부(210c)를 형성하는 박판의 쉴드 몸체(210a)와, 상기 쉴드 몸체(210c)의 끝단에 절곡 형성되어 상기 마스크 프레임(209)에 고정되는 플랜지부(210b)로 이루어진다.The inner shield 210, as shown in Figure 4, the shield body 210a of the thin plate to form the opening 210c on both sides, and bent to the end of the shield body 210c is formed by the mask frame ( It consists of a flange part 210b fixed to 209.

상기 형광체 스크린(213)은, 도 5 에 도시된 바와 같이, 상기 패널(201)의 단축(Y-축)과 거의 평행한 방향으로 도포되고 각각 소정 폭(Bd)을 가지며 흑연과 같은 광 흡수도가 양호한 물질이 도포되는 블랙층(214)과, 상기 블랙층(214)의 사이에서 각각 소정의 폭(Gs)를 갖고 순차적으로 도포되는 청색(212B), 녹색(212G), 적색(212R)의 3색의 형광체(212)로 이루어 진다. 따라서, 상기 전자빔(205)이 각각의 형광체(212)에 랜딩될 때, 상기 전자빔(205)은 상기 블랙층(214)에 의하여 구분되어 적절한 형광체(212)를 발광시키게 된다.The phosphor screen 213 is applied in a direction substantially parallel to the minor axis (Y-axis) of the panel 201 and has a predetermined width Bd, respectively, as shown in FIG. Is applied between the black layer 214 to which a good material is applied, and the blue 212B, green 212G, and red 212R that are sequentially applied with a predetermined width Gs between the black layer 214. It consists of three phosphors 212. Thus, when the electron beam 205 is landed on each phosphor 212, the electron beam 205 is separated by the black layer 214 to emit the appropriate phosphor 212.

한편, 음극선관 외부의 지자계 변동등과 같은 외적 요인에 의해 상기 전자빔(205)의 이동이 발생하게 되는 경우, 상기 전자빔(205)의 이동에 의해 상기 전자빔(205)이 상기 블랙층(214)의 폭(Bd)을 벗어나게 되어 인접하는 형광체에 영향을 주게 된다. 이와 같은 영향에 의해 색이 번지는 색순도가 저하 현상이 발생되며, 상기와 같이 전자빔(205)이 인접하는 다른 형광체에 간섭을 일으키지 않는 여유를 색순도 여유도라고 정의 한다. 상기 색순도 여유도는 상기 블랙층(214)의 폭(Bd), 상기 형광체(212)의 폭(Gs), 상기 전자빔(205)의 폭(Bg)과 관련이 있으며, 이를 식으로 정리하면 다음과 같다.On the other hand, when the movement of the electron beam 205 occurs due to external factors such as a geomagnetic field fluctuation outside the cathode ray tube, the electron beam 205 causes the black layer 214 to move due to the movement of the electron beam 205. Out of the width (Bd) of affects the adjacent phosphor. The color bleeding phenomenon occurs when the color spreads due to such an effect, and as described above, the margin in which the electron beam 205 does not cause interference with other adjacent phosphors is defined as the color purity margin. The color purity margin is related to the width Bd of the black layer 214, the width Gs of the phosphor 212, and the width Bg of the electron beam 205. same.

색순도 여유도 = ((2Bd + Gs)-Bg)/2 (1)Color purity margin = ((2Bd + Gs) -Bg) / 2 (1)

여기에서, Bd 는 블랙층의 폭이고, Gs 는 각각의 형광체의 폭이고, Bg는 전자빔의 폭이다.Here, Bd is the width of the black layer, Gs is the width of each phosphor, and Bg is the width of the electron beam.

상기와 같이 구성되는 종래의 음극선관은 상기 전자총(206)으로부터 방출되는 전자빔(205)이 상기 편향 요크(207)에 의해 편향되고 상기 새도우 마스크(208)의 전자빔 통과공(208a)을 통과하여 상기 패널(201) 내면의 형광체 스크린(213)에 랜딩되어 각각의 형광체(212)를 발광시킴으로써 화상을 구현하게 된다.In the conventional cathode ray tube configured as described above, the electron beam 205 emitted from the electron gun 206 is deflected by the deflection yoke 207 and passes through the electron beam through hole 208a of the shadow mask 208. Landed on the phosphor screen 213 on the inner surface of the panel 201 to emit an image of each phosphor 212.

상기와 같은 과정에서, 상기 전자빔(205)이 상기 새도우 마스크(208)를 통과하는 경우의 새도우 마스크 투과율, 그리고 형광체 스크린(213)을 통과하는 경우의 스크린 투과율 그리고 최종적으로는 상기 패널(201)의 글라스 투과율에 의해 휘도의 차이가 발생하게 되며, 상기한 세 가지의 투과율 모두가 상기 패널(201)의 중앙부로부터 상기 패널(201)의 주변부 쪽으로 갈수록 낮아지게 되는 데, 이와 같은 패널 각 부위의 투과율 차에 의해 상기 패널(201) 전체 화면의 휘도가 균일하지 않게 되는 현상이 발생하게 된다. 더욱이, 내 외면이 작은 곡률 반경을 갖는 곡면형 패널이 외면이 거의 무한대인 곡률 반경을 갖는 평면형 패널로 바뀌는 현재의 추세에 따라, 상기 패널(201)의 외면이 평평해지면서 패널(201)의 중앙부의 글라스 두께에 대한 상기 패널의 주변부의 글라스 두께의 비인 웨지율(wedge rate)이 커지게 되므로, 상기 패널(201)의 중앙부와 주변부의 광투과율의 차이가 커지게 되어 화면의 휘도가 균일하지 않게 되는 현상이 심화된다.In the above process, the shadow mask transmittance when the electron beam 205 passes through the shadow mask 208, and the screen transmittance when passing through the phosphor screen 213 and finally, the panel 201 of the panel 201. The difference in luminance is caused by the glass transmittance, and all three transmittances are lowered from the center of the panel 201 toward the periphery of the panel 201. This causes a phenomenon in which the luminance of the entire screen of the panel 201 is not uniform. Moreover, in accordance with the current trend that the inner and outer surfaces of the curved panel having a small radius of curvature turn into a flat panel having a radius of curvature of which the outer surface is almost infinite, the outer surface of the panel 201 is flattened so that the center portion of the panel 201 is flat. The wedge rate, which is the ratio of the glass thickness of the periphery of the panel to the glass thickness of the panel, becomes large, so that the difference between the light transmittances of the central and periphery of the panel 201 becomes large so that the brightness of the screen is not uniform. The phenomenon becomes worse.

상기한 휘도의 불균일 현상을 개선시키기 위한 방법으로, 광투과율이 높은 글라스를 상기 패널(201)에 적용시켜 패널의 주변부의 광투과율을 높이고자 하였으나, 광투과율이 높은 글라스는 화면의 명암에 따른 선명도인 콘트라스트 특성이 저하되는 문제점이 있었다. 또한, 상기한 콘트라스트 특성이 저하되는 문제점을 개선시키기 위한 방법으로 패널 글라스의 외면에 착색제를 코팅하거나 착색제가 포함되는 필름을 부착시키는 방법을 사용하기도 하였으나, 이와 같은 코팅 또는 필름의 부착은 음극선관의 제조 공정에서 부품 및 공정수를 증가시키게 되어 결국 음극선관의 가격을 증가되는 단점이 발생되었다.As a method for improving the non-uniformity of the brightness, a glass having a high light transmittance is applied to the panel 201 to increase the light transmittance at the periphery of the panel, but the glass having a high light transmittance has a sharpness according to the contrast of the screen. There was a problem that the in-contrast characteristic was lowered. In addition, as a method for improving the problem of lowering the contrast characteristics has been used a method of coating a colorant or a film containing a colorant on the outer surface of the panel glass, such a coating or film is attached to the cathode ray tube The increase in the number of parts and processes in the manufacturing process has the disadvantage that eventually increases the price of the cathode ray tube.

따라서, 상기한 휘도 불균일 현상 및 콘트라스트 특성을 동시에 개선시키기 위한 다른 방법으로, 패널 글라스 자체를 착색시키는 틴트 또는 다크 틴트 글라스를 상기 패널(201)에 적용시키고 있다. 그러나, 이와 같은 틴트나 다크 틴트 글라스를 패널에 적용시킨 경우에도 패널의 중앙부로부터 주변부 쪽으로 갈 수록 투과율이 급격하게 떨어지게 되는 문제점이 발생되었다.Therefore, as another method for simultaneously improving the luminance unevenness and contrast characteristics, tint or dark tint glass for coloring the panel glass itself is applied to the panel 201. However, even when such a tint or dark tint glass is applied to the panel, there is a problem that the transmittance sharply decreases toward the periphery of the panel.

즉, 표 1 에 나타난 바와 같이, 패널의 중앙부의 두께(Tc)가 12.5mm이고 패널의 주변부의 두께(Tco)가 27.5mm 로, 패널의 웨지율이 220% 인 패널에 코팅이 적용되는 경우에는 패널의 중앙부의 광투과율이 54.41%이고 패널의 주변부의 광투과율이 46.51% 이었으나, 틴트화된 패널의 경우에는 패널의 중앙부의 광투과율이 51.15%인 반면에 패널의 주변부 광투과율이 25.56%로 나타났다. 이에 따라, 패널의 주변부의 휘도는 코팅된 글라스 적용 시 보다 틴트화된 글라스 적용 시에 50fl 에서 35fl로 15fl의 차이가 발생되고 패널의 중앙부에 비하여 불균일하게 나타났다.That is, as shown in Table 1, when a coating is applied to a panel having a thickness Tc of 12.5 mm at the center of the panel and a thickness Tco of 27.5 mm at the periphery of the panel, the panel having a wedge rate of 220% Although the light transmittance at the center of the panel was 54.41% and the light transmittance at the periphery of the panel was 46.51%, the light transmittance at the center of the panel was 51.15% while the light transmittance at the center of the panel was 25.56%. . Accordingly, the luminance of the periphery of the panel is 15fl from 50fl to 35fl when the tinted glass is applied than when the coated glass is applied, and it is non-uniform compared to the center of the panel.

패널panel 중앙부 글라스 투과율(%)Center Glass Transmittance (%) 주변부 글라스 투과율(%)Peripheral Glass Transmittance (%) 주변부 휘도 (fl)Peripheral luminance (fl) 코팅coating 54.4154.41 46.5146.51 5050 틴트Tint 51.1551.15 25.5625.56 3535

한편, 상기 패널의 주변부에서 투과율이 급격하게 줄어들어 휘도의 균일성이 저하되는 문제를 해결하는 것과 동시에 패널의 중량 감소 및 글라스 두께 차이로 인한 열 공정 내에서의 파손을 줄이기 위한 목적으로, 패널의 웨지율을 줄이는 방법이 고려되고 있다, 즉, 패널의 웨지율을 줄임으로써 패널의 주변부의 두께를 줄여 패널 주변부의 광투과율을 높이고 패널의 중앙부 및 주변부의 휘도의 차를 줄이고자 하는 것이다. 그러나, 패널의 웨지율을 줄이게 되면 패널의 내면은 더 평평해지게 되는 데, 이 경우 패널의 내면으로부터 일정한 간격을 유지하면서 돔 형상을 하고 있는 새도우 마스크의 곡률이 상기 패널의 내면이 평평해짐에 따라 점점 평평해지면서 그 구조적 강도가 떨어지게 되어, 상기 새도우 마스크의 내충격 특성 및 하울링 특성이 열화되는 단점이 발생하게 되었다.On the other hand, the wedge of the panel for the purpose of solving the problem that the transmittance is sharply reduced at the periphery of the panel to reduce the uniformity of brightness, and at the same time to reduce the breakage in the thermal process due to the weight reduction and glass thickness difference of the panel. A method of reducing the rate is being considered, that is, reducing the thickness of the panel's periphery by increasing the panel's wedge ratio to increase the light transmittance at the panel's periphery and to reduce the difference in luminance at the center and the periphery of the panel. However, as the wedge rate of the panel is reduced, the inner surface of the panel becomes flatter, in which case the curvature of the shadow mask having a dome shape while maintaining a constant distance from the inner surface of the panel becomes flat as the inner surface of the panel becomes flat. As it becomes flatter, its structural strength is lowered, resulting in deterioration of impact resistance and howling characteristics of the shadow mask.

따라서, 상기한 휘도의 불균일성을 개선시키기 위해서는 상기 패널의 웨지율을 줄이는 데에는 한계가 있었으며, 이에 따라, 상기 패널(201)의 주변부에 해당되는 형광체 스크린(213)의 형광체(212)의 폭(Gs)을 증가시켜 패널(201)의 주변부의 휘도를 증가시킴으로써 휘도의 불균일성을 개선하는 방안이 고려되고 있다.Therefore, in order to improve the luminance non-uniformity, there is a limit to reducing the wedge ratio of the panel. Accordingly, the width Gs of the phosphor 212 of the phosphor screen 213 corresponding to the periphery of the panel 201. In order to increase the luminance of the periphery of the panel 201 to increase the luminance, the method of improving the nonuniformity of the luminance is considered.

즉, 표 2 에 나타낸 바와 같이, 상기 패널(201) 주변부의 형광체(212) 폭(Gs)을 코팅된 패널 적용시보다 틴트화 패널 적용시 185㎛ 에서 230㎛ 으로 약 24% 정도 증가시키게 되면, 상기 패널(201)의 주변부의 휘도가 형광체(212)의 폭(Gs)을 증가시키기 전보다 35fl 에서 50fl 으로 15fl 향상되어, 상기 패널(201)의 휘도가 전체면에서 균일하게 나타나게 된다.That is, as shown in Table 2, when the width (Gs) of the phosphor 212 around the panel 201 is increased by about 24% from 185 μm to 230 μm when the tinted panel is applied than when the coated panel is applied, The luminance of the periphery of the panel 201 is increased by 15fl from 35fl to 50fl than before the width Gs of the phosphor 212 is increased, so that the luminance of the panel 201 is uniformly displayed on the entire surface.

패널panel 중앙부 형광체 폭 (㎛)Center phosphor width (㎛) 주변부 형광체 폭 (㎛)Perimeter phosphor width (μm) 주변부 휘도(fl)Peripheral luminance (fl) 방향여유도Direction margin 코팅coating 170170 185185 5050 2525 틴트Tint 160160 230230 5050 1818

그러나, 상기와 같이 틴트화된 패널(201)의 주변부의 형광체(212) 폭(Gs)을 증가시킬 경우에는 형광체(212)의 폭(Gs)은 증가하게 되는 반면에 형광체(212) 주위의 블랙층(214)의 폭(Bd)이 감소하게 되므로, 전자빔(205)이 블랙층(214)에 가려지는 폭이 그만큼 작아지게 되어 작은 량의 지자계의 방향 변화에 의해 전자빔(205)이 이동되는 경우에도 전자빔(205)이 적절한 형광체에 랜딩되지 못하고 주위의 형광체에 영향을 주기 때문에 패널(201)의 주변부의 색순도 특성이 열화되는 문제점이 발생하게 된다. 즉, 지자계의 영향에 의해 색순도 특성이 열화되는 정도를 나타내는 방향여유도가 틴트된 패널의 경우보다 코팅된 패널의 경우 25도에서18도로 약 28% 정도 저하된다.However, if the width Gs of the phosphor 212 at the periphery of the tinted panel 201 is increased as described above, the width Gs of the phosphor 212 is increased while the black around the phosphor 212 is increased. Since the width Bd of the layer 214 is reduced, the width of the electron beam 205 obscured by the black layer 214 becomes smaller so that the electron beam 205 is moved by a change in the direction of the small magnetic field. Even in this case, the electron beam 205 does not land on an appropriate phosphor and affects the surrounding phosphors. Therefore, the color purity characteristic of the peripheral portion of the panel 201 is deteriorated. That is, the direction margin indicating the degree of deterioration of color purity characteristics due to the influence of the geomagnetic field is reduced by about 28% from 25 degrees to 18 degrees in the case of the coated panel than in the case of the tinted panel.

그리고, 도 6 에 도시된 바와 같이, 지자계 변화 및 방향 전환시 전자빔(205)이 편향 요크(207)에 의해 새도우 마스크(208)쪽으로 편향되는 경우 상기 인너 쉴드(210)에 의해 전자빔에 미치는 자계의 영향이 저감되지만, 상기 새도우 마스크(208)의 전자빔 통과공(208a)을 통과한 전자빔은 상기 패널(201)의 중심과 새도우 마스크(208)의 중심 사이의 간격(Dc)과 패널(201)의 내면과 상기 마스크 프레임(209)의 측벽부(209a)사이의 간격(Dp)을 통하여 자계에 완전하게 노출되어 있어 자계와 민감하게 반응하여 전자빔의 이동량이 커지는 문제점이 있었다.And, as shown in FIG. 6, the magnetic field applied to the electron beam by the inner shield 210 when the electron beam 205 is deflected toward the shadow mask 208 by the deflection yoke 207 when the geomagnetic field changes and changes direction. Although the influence of is reduced, the electron beam passing through the electron beam through hole 208a of the shadow mask 208 is the distance Dc between the center of the panel 201 and the center of the shadow mask 208 and the panel 201. Through the gap Dp between the inner surface of the mask frame 209 and the side wall portion 209a of the mask frame 209, the magnetic field is completely exposed to the magnetic field, and thus, the amount of movement of the electron beam increases due to a sensitive reaction with the magnetic field.

본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 틴트 또는 다크 틴트 글라스가 적용되는 패널에 있어서, 휘도의 균일성을 위하여 상기 패널의 주변부의 형광체 스크린의 형광체 폭을 증가시키게 되는 경우, 지자계의 방향 여유도의 저하에 따라 작은 지자계의 변화에도 전자빔이 이동하여 화면의 색순도가 저하되는 것을 방지할 수 있도록 지자계를 효율적으로 차폐시킬 수 있는 최적 형상의 인너 쉴드를 포함하는 음극 선관을 제공하는 데 있다.The present invention is to solve the above problems of the prior art, an object of the present invention is to increase the phosphor width of the phosphor screen in the periphery of the panel in the panel to which the tint or dark tint glass is applied, for uniformity of brightness In this case, the inner shield of the optimal shape that can effectively shield the geomagnetic field can be prevented to prevent the electron beam from moving and the color purity of the screen is lowered even if the geomagnetic field decreases in the direction margin of the geomagnetic field. It is to provide a cathode ray tube containing.

도 1 은 종래 기술에 따른 음극선관이 도시된 개략도이다.1 is a schematic view showing a cathode ray tube according to the prior art.

도 2 는 종래 기술에 따른 음극선관에서 새도우 마스크와 마스크 프레임이 조립된 상태가 도시된 평면도이다.2 is a plan view illustrating a state in which a shadow mask and a mask frame are assembled in a cathode ray tube according to the related art.

도 3 은 도 2 의 횡단면도이다.3 is a cross-sectional view of FIG. 2.

도 4 는 종래 기술에 따른 음극선관의 인너 쉴드가 도시된 사시도이다.Figure 4 is a perspective view showing the inner shield of the cathode ray tube according to the prior art.

도 5 는 종래 기술에 따른 음극선관의 형광체 스크린의 일부가 확대 도시된 평면도이다.5 is an enlarged plan view of a portion of a phosphor screen of a cathode ray tube according to the related art.

도 6 은 종래 기술에 따른 음극선관의 요부가 도시된 횡단면도이다.6 is a cross-sectional view showing the main portion of the cathode ray tube according to the prior art.

도 7 은 본 발명에 따른 음극선관이 도시된 개략도이다.7 is a schematic view showing a cathode ray tube according to the present invention.

도 8 은 본 발명에 따른 음극선관의 패널이 도시된 단면도이다.8 is a cross-sectional view showing a panel of a cathode ray tube according to the present invention.

도 9 는 본 발명에 따른 음극선관의 패널이 도시된 평면도이다.9 is a plan view showing a panel of a cathode ray tube according to the present invention.

도 10 은 본 발명에 따른 음극선관에서 패널의 중앙부로부터 주변부 쪽으로의 패널 두께의 변화를 나타내는 그래프이다.10 is a graph showing a change in the panel thickness from the center portion to the peripheral portion of the panel in the cathode ray tube according to the present invention.

도 11 은 본 발명에 따른 음극선관의 패널의 장축(X-축), 단축(Y-축), 대각축(D-축)의 곡률 및 새도우 마스크의 장축(X-축), 단축(Y-축), 대각축(D-축)의 곡률이 도시된 그래프이다.11 shows the curvature of the long axis (X-axis), short axis (Y-axis), diagonal axis (D-axis) of the panel of the cathode ray tube according to the present invention, and the long axis (X-axis), short axis (Y- Axis), the curvature of the diagonal axis (D-axis) is a graph shown.

도 12 는 본 발명에 따른 음극선관에서 새도우 마스크와 마스크 프레임이 조립된 상태가 도시된 평면도이다.12 is a plan view illustrating a state in which a shadow mask and a mask frame are assembled in a cathode ray tube according to the present invention.

도 13 은 도 12 의 횡단면도이다.FIG. 13 is a cross-sectional view of FIG. 12.

도 14 는 본 발명에 따른 음극선관의 마스크 프레임이 도시된 사시도이다.14 is a perspective view showing a mask frame of a cathode ray tube according to the present invention.

도 15 는 본 발명에 따른 음극선관의 새도우 마스크의 곡률 및 마스크 프레임의 각부의 높이의 관계가 도시된 그래프이다.15 is a graph showing the relationship between the curvature of the shadow mask of the cathode ray tube and the height of each part of the mask frame according to the present invention.

도 16 은 본 발명에 따른 음극선관의 요부가 도시된 횡단면도이다.16 is a cross-sectional view showing the main portion of the cathode ray tube according to the present invention.

도 17 은 본 발명에 따른 음극선관의 인너 쉴드가 도시된 사시도이다17 is a perspective view showing the inner shield of the cathode ray tube according to the present invention.

도 18 은 본 발명에 따른 음극선관에서 전자빔의 간섭 현상이 발생되는 인너 쉴드의 대각축부의 높이가 도시된 그래프이다.18 is a graph showing the height of the diagonal shaft portion of the inner shield in which the interference phenomenon of the electron beam is generated in the cathode ray tube according to the present invention.

도 19 는 본 발명에 따른 음극선관에서 지자계의 방향 전환에 따른 빔 이동량의 변화가 도시된 그래프이다.19 is a graph showing a change in beam movement amount according to the change of direction of the geomagnetic field in the cathode ray tube according to the present invention.

도 20 은 본 발명에 따른 음극선관에서 인너 쉴드의 높이의 변화에 대한 지자계 방향 전환시의 빔 이동량의 변화가 도시된 그래프이다.20 is a graph showing a change in beam movement amount when changing the geomagnetic field direction with respect to a change in the height of the inner shield in the cathode ray tube according to the present invention.

*** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ****** Explanation of symbols for the main parts of the drawing ***

10: 패널 20: 펀넬10: panel 20: funnel

80: 새도우 마스크 80h: 새도우 마스크의 장축부80: shadow mask 80h: long axis of the shadow mask

80v: 새도우 마스크의 단축부 80d: 새도우 마스크의 대각축부80v: Short axis of shadow mask 80d: Diagonal axis of shadow mask

90: 마스크 프레임 90h: 마스크 프레임의 장축부90: mask frame 90h: major axis of mask frame

90v: 마스크 프레임의 단축부 90d: 마스크 프레임의 대각축부90v: short axis of mask frame 90d: diagonal axis of mask frame

100: 인너 쉴드 100d: 인너 쉴드의 대각축부100: inner shield 100d: diagonal axis of the inner shield

H: 인너 쉴드의 대각축부 높이H: Diagonal shaft height of the inner shield

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 음극선관은 외면이 실질적으로 평면인 패널과, 상기 패널의 후방 측에 장착되는 펀넬과, 상기 패널의 내면과 일정한 간격을 두고 배치되고 다수개의 전자빔 통과공이 형성되는 새도우 마스크와, 상기 새도우 마스크를 고정/지지하는 마스크 프레임과, 상기 펀넬 측으로부터 상기패널 측으로 길게 뻗은 형태로 설치되어 외부 지자계를 차폐하는 인너 쉴드로 구성되는 음극선관에 있어서, 상기 인너 쉴드의 대각축부의 높이는 상기 마스크 프레임의 단축부, 장축부 및 대각축부의 최대 높이 중 적어도 한 곳보다 높게 형성되는 것을 특징으로 한다.Cathode ray tube according to the present invention for achieving the above object is a panel having a substantially flat outer surface, a funnel mounted on the rear side of the panel, and disposed at regular intervals from the inner surface of the panel and a plurality of electron beam passing holes The inner shield comprising a shadow mask to be formed, a mask frame for fixing / supporting the shadow mask, and an inner shield installed in a form extending from the funnel side to the panel side to shield an external geomagnetic field. The height of the diagonal axis of the mask frame is characterized in that it is formed higher than at least one of the maximum height of the short axis, the long axis portion and the diagonal axis portion.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 음극선관의 바람직한 실시 예를 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described a preferred embodiment of the cathode ray tube according to the present invention.

도 7 에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 음극 선관은 전면 유리인 패널(10)과, 상기 패널(10)과 결합되어 진공 공간을 형성하는 후면 유리인 펀넬(20)과, 상기 패널(10)의 내측면에 도포되어 발광체 역할을 하는 형광체 스크린(130)과, 상기 형광체 스크린(130)을 발광시키는 전자빔(50)이 방출되는 전자총(60)과, 상기 펀넬(20)의 외주면으로부터 소정의 간격을 두고 설치되어 상기 전자빔(50)을 상기 형광체 스크린(130) 쪽으로 편향시키는 편향 요크(70)와, 상기 형광체 스크린(130)과 일정 간격을 두고 설치되는 새도우 마스크(80)와, 상기 새도우 마스크(80)를 고정/지지하는 마스크 프레임(90)과, 상기 패널(10)측으로부터 상기 펀넬(20)쪽으로 길게 뻗은 형태로 설치되어 외부 지자계를 차폐하여 자계 영향에 의해 색순도가 불량해지는 것을 방지하는 인너 쉴드(100)와, 상기 패널(10)의 내측에 설치되어 상기 마스크 프레임(90)을 상기 패널(10)에 탄성적으로 지지시키는 지지 스프링(110)이 고정되는 스프링 서포터(140)와, 상기 패널(10)의 외측 면 둘레에 설치되어 상기 패널(10) 및 상기 펀넬(20)에서 발생되는 응력을 분산시키는 보강 밴드(120) 등을 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 7, the cathode ray tube according to the present invention includes a panel 10 which is a front glass, a funnel 20 which is a rear glass which is combined with the panel 10 to form a vacuum space, and the panel 10. Phosphor screen 130 that is applied to the inner surface of the panel acts as a light emitter, an electron gun 60 that emits the electron beam 50 for emitting the phosphor screen 130, and a predetermined from the outer peripheral surface of the funnel 20 A deflection yoke 70 provided at intervals to deflect the electron beam 50 toward the phosphor screen 130, a shadow mask 80 provided at a predetermined distance from the phosphor screen 130, and the shadow mask The mask frame 90 for fixing / supporting the 80 and the panel 10 extends from the panel 10 side toward the funnel 20 to shield external geomagnetic fields, thereby preventing color purity from deteriorating due to magnetic field effects. Inner shield 100 to say, A spring supporter 140 installed inside the panel 10 to fix the support spring 110 to elastically support the mask frame 90 to the panel 10, and an outside of the panel 10. Is installed around the surface is configured to include a reinforcing band 120 and the like to distribute the stress generated in the panel 10 and the funnel 20.

상기 패널(10)은, 도 8 및 도 9 에 도시된 바와 같이, 그 외면이 실질적으로 평면으로 형성되며, 그 내면은 소정 곡률을 갖는 곡면으로 형성된다. 또한, 상기 패널(10)은 내면에 상기 형광체 스크린(130)이 도포되는 유효면부(11)와, 상기 유효면부(11)의 둘레에서 관축방향(Z-축)으로 연장되는 스커트부(12)로 이루어진다.As illustrated in FIGS. 8 and 9, the panel 10 has an outer surface substantially formed in a plane, and an inner surface thereof is formed with a curved surface having a predetermined curvature. In addition, the panel 10 includes an effective surface portion 11 on which the phosphor screen 130 is applied, and a skirt portion 12 extending in the tube axis direction (Z-axis) around the effective surface portion 11. Is made of.

상기 패널(10)의 두께는, 도 10 에 도시된 바와 같이, 방폭 특성을 고려하여 패널(10)의 중앙부(10c)부의 두께(Tc)보다 패널의 단축부(10v)의 두께(Tv), 장축부(10h)의 두께(Th), 대각축부(10d)의 두께(Td)의 순으로 두껍게 형성된다. 그러므로, 도 11 에 도시된 바와 같이, 상기 패널(10) 내면의 단축(Y-축)의 곡률 반경(Rv')은 장축(X-축)의 곡률 반경(Rh')보다 크고, 장축(X-축)의 곡률 반경(Rh')은 대각축(D-축)의 곡률 반경(Rd')보다 크다.The thickness of the panel 10 is, as shown in FIG. 10, in consideration of the explosion-proof characteristics, the thickness Tv of the short axis portion 10v of the panel than the thickness Tc of the central portion 10c of the panel 10, It is thickly formed in order of the thickness Th of the major axis part 10h, and the thickness Td of the diagonal axis part 10d. Therefore, as shown in FIG. 11, the radius of curvature Rv 'of the minor axis (Y-axis) of the inner surface of the panel 10 is greater than the radius of curvature Rh' of the major axis (X-axis), and the major axis X The radius of curvature Rh 'of the -axis) is larger than the radius of curvature Rd' of the diagonal axis D-axis.

상기 새도우 마스크(80)는, 도 12 및 도 13 에 도시된 바와 같이, 다수개의 전자빔 통과공(81)이 형성되는 유효면부(82)와, 상기 유효면부(82)의 주위에서 거의 관축(Z-축)방향으로 연장되어 상기 마스크 프레임(90)의 측벽부(91)에 고정되는 스커트부(83)으로 이루어 진다.12 and 13, the shadow mask 80 has an effective surface portion 82 in which a plurality of electron beam through holes 81 are formed, and a tube axis Z around the effective surface portion 82. And a skirt portion 83 extending in the -axis) direction and fixed to the side wall portion 91 of the mask frame 90.

상기 새도우 마스크(80)의 장축(X-축) 및 단축(Y-축) 그리고 대각축(D-축)의 곡률은 상기 패널(10)의 내면의 곡률에 대응되는 곡률로 형성되지만, 상기 새도우 마스크(80)의 강도를 높이기 위해서는 상기 패널(10)의 내면 곡률 반경 보다는 상기 새도우 마스크(80)의 곡률 반경을 작게 하는 것이 바람직하며, 특히, 상기 새도우 마스크(80)의 대각축(D-축)의 곡률 반경을 상기 패널(10) 내면의 대각축(D-축)의 곡률 반경보다 작게 하는 것이 바람직하다. 즉, 도 11 에 도시된 바와 같이, 상기 새도우 마스크(80)의 단축(Y-축)의 곡률 반경(Rv)은 장축(X-축)의 곡률 반경(Rh)보다 크고, 장축(X-축)의 곡률 반경(Rh)은 대각축(D-축)의 곡률 반경(Rd)보다 크다. 또한, 상기 새도우 마스크(80)의 단축(Y-축)의 곡률 반경(Rv)은 상기 패널(10) 내면의 단축(Y-축)의 곡률 반경(Rv')보다 작고, 상기 새도우 마스크(80)의 장축(X-축)의 곡률 반경(Rh)은 상기 패널(10) 내면의 장축(X-축)의 곡률 반경(Rh')보다 작고, 상기 새도우 마스크(80)의 대각축(D-축)의 곡률 반경(Rd)은 상기 패널(10) 내면의 대각축(D-축)의 곡률 반경(Rd')보다 작다. 따라서, 상기 새도우 마스크(80) 및 상기 패널(10) 내면의 중심을 동일 축 상에 일치시키는 경우, 상기 새도우 마스크(80)의 장축부, 단축부, 대각축부와 상기 패널(10)의 내면 사이에는 관축방향으로 일정 간격(Dh), (Dv), (Dd)이 존재하게 되며, 여기에서 상기 새도우 마스크(80)의 대각축부(80d)와 상기 패널(10) 내면 사이의 간격(Dd)이 가장 크고, 상기 새도우 마스크(80)의 장축부(80h)와 상기 패널(10) 내면 사이의 간격(Dh), 상기 새도우 마스크(80)의 단축부(80v)와 상기 패널(10) 내면 사이의 간격(Dv) 순으로 작게 형성된다.Although the curvatures of the long axis (X-axis) and short axis (Y-axis) and the diagonal axis (D-axis) of the shadow mask 80 are formed with curvatures corresponding to the curvature of the inner surface of the panel 10, the shadow In order to increase the strength of the mask 80, it is preferable to reduce the radius of curvature of the shadow mask 80 rather than the radius of curvature of the inner surface of the panel 10, and in particular, the diagonal axis (D-axis) of the shadow mask 80. It is preferable to make the radius of curvature of C) smaller than the radius of curvature of the diagonal axis (D-axis) of the inner surface of the panel 10. That is, as shown in FIG. 11, the radius of curvature Rv of the short axis (Y-axis) of the shadow mask 80 is greater than the radius of curvature Rh of the long axis (X-axis), and the long axis (X-axis). Radius of curvature Rh is larger than the radius of curvature Rd of the diagonal axis D-axis. Further, the radius of curvature Rv of the minor axis (Y-axis) of the shadow mask 80 is smaller than the radius of curvature Rv 'of the minor axis (Y-axis) of the inner surface of the panel 10, and the shadow mask 80 The radius of curvature Rh of the major axis (X-axis) of the panel 10 is smaller than the radius of curvature Rh 'of the major axis (X-axis) of the inner surface of the panel 10, and the diagonal axis D- of the shadow mask 80 is Axis of curvature Rd is smaller than the radius of curvature Rd 'of the diagonal axis D-axis of the inner surface of the panel 10. Therefore, when the centers of the shadow mask 80 and the inner surface of the panel 10 coincide on the same axis, between the long axis portion, the short axis portion, the diagonal axis portion of the shadow mask 80 and the inner surface of the panel 10. In the tube axis direction, there are constant distances Dh, Dv, and Dd, where the distance Dd between the diagonal axis portion 80d of the shadow mask 80 and the inner surface of the panel 10 is The largest, the distance Dh between the long axis portion 80h of the shadow mask 80 and the inner surface of the panel 10, the short axis 80v of the shadow mask 80 and the inner surface of the panel 10. Smaller in the order of the interval Dv.

상기 마스크 프레임(90)은, 도 14 및 도 15 에 도시된 바와 같이, 음극선관의 관축(Z-축)방향으로 직립하여 형성되고 상기 새도우 마스크(80)의 스커트부(83)가 고정되는 상기 측벽부(91)가 소정 길이(L), (S)를 갖는 장변 및 단변을 이루면서 형성되며, 상기 마스크 프레임(90)에 결합되는 상기 스프링 서포터(11)와 상기 지지 스프링(14)에 의해 상기 패널(10)의 내측에 탄성적으로 지지된다. 그리고, 상기 마스크 프레임(90)의 장축부(90h)의 높이(h), 단축부(90v)의 높이(v),대각축부(90d)의 높이(d)는 상기 새도우 마스크(80)의 곡률(즉, 곡률 반경 (Rv), (Rh), (Rd))에 따라 정해지며, 상기 마스크 프레임(90)의 단축부(90v)의 높이(v)가 가장 크고, 장축부(90h)의 높이(h), 대각축부(90d)의 높이(d)의 순서대로 작게 형성된다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 상기 마스크 프레임(90)의 장축부(90h)의 높이(h)가 상기 단축부(90v)의 높이(v)보다 크게 형성될 수 있다.As shown in FIGS. 14 and 15, the mask frame 90 is formed upright in the tube axis (Z-axis) direction of the cathode ray tube, and the skirt portion 83 of the shadow mask 80 is fixed to the mask frame 90. The side wall portion 91 is formed while forming a long side and a short side having predetermined lengths L and S, and are supported by the spring supporter 11 and the support spring 14 coupled to the mask frame 90. It is elastically supported inside the panel 10. The height h of the long axis portion 90h of the mask frame 90, the height v of the short axis portion 90v, and the height d of the diagonal axis portion 90d are the curvatures of the shadow mask 80. (I.e., the radius of curvature Rv, Rh, Rd), the height v of the short axis 90v of the mask frame 90 is the largest, and the height of the major axis 90h is (h) and small in order of the height d of the diagonal shaft part 90d. However, the present invention is not limited thereto, and the height h of the long axis portion 90h of the mask frame 90 may be greater than the height v of the short axis portion 90v.

한편, 전술한 바와 같이, 상기 새도우 마스크(80)의 전자빔 통과공(81)을 통과한 전자빔(50)은 지자계에 완전히 노출되어 있으므로 전자빔(50)의 이동량이 크게 발생하게 되며, 특히, 패널 틴트화로 인해 생기는 휘도의 불균일성을 개선하기 위하여 패널(10)의 주변부의 형광체의 폭을 증가시키는 경우에는 지자계의 방향 변화에 따른 전자빔의 이동량에 의해 색순도가 열화되는 정도를 나타내는 방향 여유도가 감소하게 되므로, 화면의 색순도가 불량해 질 우려가 크다.On the other hand, as described above, since the electron beam 50 passing through the electron beam through hole 81 of the shadow mask 80 is completely exposed to the geomagnetic field, the amount of movement of the electron beam 50 is large, in particular, the panel In order to increase the width of the phosphor in the periphery of the panel 10 in order to improve the nonuniformity of luminance caused by tinting, the direction margin indicating the degree of deterioration of color purity due to the amount of electron beam movement due to the change in the direction of the geomagnetic field is reduced. Therefore, the color purity of the screen is likely to be poor.

따라서, 이와 같은 지자계 변화에 의한 전자빔의 이동량을 줄이기 위해서는 상기 새도우 마스크(80)와 상기 패널(10) 내면 사이의 간격을 줄이거나, 상기 인너 쉴드(100)의 재질을 변경하여 전자빔(50)의 이동량을 줄일 수 있다. 그러나, 상기 새도우 마스크(80)와 상기 패널(10) 내면 사이의 간격을 줄일 경우 형광체 스크린(130)을 도포하는 공정에서 형광체의 도포가 잘 되지 않아 형광체 스크린 불량 및 작업자의 취급에 의한 불량이 발생하는 문제점이 발생되며, 상기 인너 쉴드(100)의 재질을 변경하는 경우, 인너 쉴드(100)의 부품 단가가 상승하는 단점이 발생된다.Therefore, in order to reduce the amount of movement of the electron beam due to such a change in the geomagnetic field, the distance between the shadow mask 80 and the inner surface of the panel 10 is reduced or the material of the inner shield 100 is changed to change the electron beam 50. Can reduce the amount of movement. However, when the gap between the shadow mask 80 and the inner surface of the panel 10 is reduced, the phosphor is not applied well in the process of applying the phosphor screen 130, so that a defect of the phosphor screen and a defect due to the handling of an operator may occur. When the material of the inner shield 100 is changed, a component cost of the inner shield 100 is increased.

따라서, 상기한 지자계의 영향에 따른 전자빔의 이동량을 줄이기 위해서는,도 16 에 도시된 바와 같이, 지자계를 차폐하는 인너 쉴드(100)의 높이(H)를 크게 하여 상기 새도우 마스크(80)의 전자빔 통과공(81)을 통과한 전자빔(50)에 작용되는 지자계를 차폐함으로써, 전자빔(50)의 이동량을 감소시킬 수 있다.Accordingly, in order to reduce the amount of movement of the electron beam due to the influence of the geomagnetic field, as shown in FIG. 16, the height H of the inner shield 100 that shields the geomagnetic field is increased to increase the height of the shadow mask 80. By shielding the geomagnetic field acting on the electron beam 50 passing through the electron beam passing hole 81, the amount of movement of the electron beam 50 can be reduced.

여기에서, 상기 새도우 마스크(80)의 대각축부(80d)와 상기 패널(10)의 대각축부(10d) 사이의 간격은 상기 새도우 마스크(80)의 장축부(80h)와 상기 패널(10)의 장축부(10h) 사이의 간격과 상기 새도우 마스크(80)의 단축부(80v)와 상기 패널(10)의 단축부(10v) 사이의 간격보다 크게 형성되고, 상기 새도우 마스크(80)의 전자빔 통과공(81)을 통과한 전자빔(50)은 상기 새도우 마스크(80)의 대각축부(80d)와 소정의 거리를 두고 상기 패널(10)의 내면의 형광체 스크린(130)에 도달하기 때문에, 상기 인너 쉴드(100)의 대각축부(100d)의 높이를 높게 하는 것이 가능하다.Here, the distance between the diagonal axis portion 80d of the shadow mask 80 and the diagonal axis portion 10d of the panel 10 is equal to the long axis portion 80h of the shadow mask 80 and the panel 10. It is formed larger than the interval between the major axis portion 10h and the interval between the minor axis portion 80v of the shadow mask 80 and the minor axis portion 10v of the panel 10, and passes through the electron beam of the shadow mask 80. Since the electron beam 50 passing through the ball 81 reaches the phosphor screen 130 on the inner surface of the panel 10 at a predetermined distance from the diagonal axis portion 80d of the shadow mask 80, the inner It is possible to increase the height of the diagonal shaft portion 100d of the shield 100.

이에 따른 인너 쉴드(100)는, 도 17 에 도시된 바와 같이, 양측에 개구부를 형성하는 박판의 쉴드 몸체(101)와, 상기 쉴드 몸체(101)의 끝단에 절곡 형성되어 상기 마스크 프레임(90)에 고정되는 플랜지부(102)와, 상기 인너 쉴드(100)의 전면의 대각축부(100d)에서 상기 패널(10)의 내면 쪽 방향으로 소정 높이(H)를 갖도록 연장 형성되고 상기 인너 쉴드(100)의 장축(X-축)을 따라 및 단축(Y-축)을 따라 각각 소정 폭(Wl), (Ws)을 갖도록 연장 형성되는 연장부(103)로 이루어진다.The inner shield 100 according to this, as shown in Figure 17, the shield body 101 of the thin plate forming openings on both sides, and bent to the end of the shield body 101 is formed in the mask frame 90 The inner shield 100 is formed to extend to have a predetermined height (H) in the direction toward the inner surface of the panel 10 in the flange portion 102 and the diagonal shaft portion (100d) of the front surface of the inner shield 100 fixed to the The extension portion 103 is formed to extend along a long axis (X-axis) and along a short axis (Y-axis) to have a predetermined width W1 and Ws, respectively.

여기에서, 상기 인너 쉴드(100)가 상기 전자빔 통과공(81)을 통과한 전자빔(50)에 미치는 지자계의 차폐 효과를 최적으로 하기 위해서는 상기 인너 쉴드(100)의 연장부(103)가 장축(X-축)을 따라 연장되는 폭(Wl)은 상기 마스크 프레임(90)의 장변 길이(L)의 중간 길이(L/2)의 50% 이상이 되도록 형성되는 것이 바람직하고, 상기 인너 쉴드(100)의 연장부(103)가 단축(Y-축)을 따라 연장되는 폭(Ws)은 상기 마스크 프레임(100)의 단변 길이(S)의 중간 길이(S/2)의 50% 이상이 되도록 형성되는 것이 바람직하다.Here, in order to optimize the shielding effect of the geomagnetic field on the inner beam 100 passing through the electron beam through hole 81, the extension portion 103 of the inner shield 100 has a long axis. The width Wl extending along the (X-axis) is preferably formed to be 50% or more of the intermediate length L / 2 of the long side length L of the mask frame 90, and the inner shield ( The width Ws of the extension portion 103 of the 100 extending along the short axis (Y-axis) is 50% or more of the intermediate length S / 2 of the short side length S of the mask frame 100. It is preferably formed.

이것을 식으로 정리하면 다음과 같다.This can be summarized as follows.

Wl / (L/2) ≥ 0.5 (2)Wl / (L / 2) ≥ 0.5 (2)

Ws / (S/2) ≥ 0.5 (3)Ws / (S / 2) ≥ 0.5 (3)

한편, 패널(10)의 웨지율이 240% 이하이고, 패널의 중앙부의 글라스 투과율이 54% 이하이고 패널의 주변부의 글라스 투과율이 26% 이하인 틴트화 패널에서 패널(10)의 중앙부(10c) 두께(Tc)가 12.5mm 패널(10)의 대각축부(10d)의 두께(Td)가 24.25mm이고, 패널(10)의 중심으로부터 새도우 마스크(80)의 중심까지의 관축방향 거리(Dc)는 22.2mm 이고, 마스크 프레임(90)의 대각축부(90d)의 높이(d)가 54.8mm인 경우, 패널(10)의 대각축부(10d)로부터 마스크 프레임(90)의 대각축부(90d)까지의 축 방향 거리가 25.95mm 이므로 인너 쉴드(100)의 대각축부(100d)의 높이(H)를 80.75mm까지 높이는 것이 가능하다. 그러나, 도 18 에 나타낸 바와 같이, 전자빔의 편향각을 고려해 볼 때, 상기 인너 쉴드(100)의 연장부(103)의 높이(H)가 71.8mm를 초과하게 되면, 상기 인너 쉴드(100)의 연장부(103)의 끝부분에서 전자빔(50)과 간섭을 일으키게 되므로, 상기 전자빔(50)이 상기 인너 쉴드(100)의 연장부(103)의 끝부분에 의해 간섭되는 현상을 방지하기 위해서는 상기 연장부(103)의 높이(H)는 최대 71.8mm 이하의 높이로 형성시키는 것이 바람직하며, 이 경우 상기 인너쉴드(100)의 대각축부(100d)의 높이(H)는 마스크 프레임(90)의 대각축부(90d)의 높이(d)인 54.8mm 로부터 17mm까지 올릴 수 있다. 또한, 상기 인너 쉴드(100)의 연장부(103)의 높이(H)는 상기 마스크 프레임(90)의 대각축부(90d)의 높이(d)보다 높아야 하므로 상기 인너 쉴드(100)의 연장부(103)의 높이(H)는 54.8mm 이상으로 형성시키는 것이 바람직하다. 이때, 패널(10)의 대각축부(10d)와 상기 인너 쉴드(100)의 연장부(103), (즉, 대각축부 (100d))의 끝단과의 차이는 8.95mm이다.Meanwhile, the thickness of the center portion 10c of the panel 10 in the tinted panel in which the wedge rate of the panel 10 is 240% or less, the glass transmittance of the center portion of the panel is 54% or less, and the glass transmittance of the peripheral portion of the panel is 26% or less. The thickness Td of the diagonal shaft portion 10d of the 12.5 mm panel 10 is 24.25 mm, and the tube axial distance Dc from the center of the panel 10 to the center of the shadow mask 80 is 22.2. mm and the height d of the diagonal axis portion 90d of the mask frame 90 is 54.8 mm, the axis from the diagonal axis portion 10d of the panel 10 to the diagonal axis portion 90d of the mask frame 90 is shown. Since the direction distance is 25.95 mm, it is possible to increase the height H of the diagonal shaft portion 100 d of the inner shield 100 to 80.75 mm. However, as shown in FIG. 18, when considering the deflection angle of the electron beam, when the height H of the extension 103 of the inner shield 100 exceeds 71.8 mm, the inner shield 100 In order to prevent the phenomenon that the electron beam 50 is interfered by the end of the extension portion 103 of the inner shield 100 because the interference with the electron beam 50 at the end of the extension 103. The height H of the extension part 103 may be formed to a maximum height of 71.8 mm or less. In this case, the height H of the diagonal axis part 100d of the inner shield 100 may be defined by the mask frame 90. The height d of the diagonal shaft portion 90d can be raised from 54.8 mm to 17 mm. In addition, since the height H of the extension 103 of the inner shield 100 should be higher than the height d of the diagonal axis 90d of the mask frame 90, the extension of the inner shield 100 ( It is preferable to form height H of 103) 54.8 mm or more. At this time, the difference between the diagonal shaft portion 10d of the panel 10 and the end of the extension 103 of the inner shield 100 (that is, the diagonal shaft portion 100d) is 8.95 mm.

이것을 식으로 정리하면 다음과 같다.This can be summarized as follows.

0 < His / Dp < 0.66 (4)0 <His / Dp <0.66 (4)

여기에서, His 는 상기 마스크 프레임(90)의 대각축부(90d)의 끝단을 기준으로 한 상기 인너 쉴드(100)의 대각축부(100d)의 높이, 즉, 인너쉴드(100)의 대각축부(100d)의 높이(H)에서 상기 마스크 프레임(90)의 대각축부(90d)의 높이(d)를 뺀 크기이고, Dp는 상기 패널(10)의 대각축부(10d)와 상기 마스크 프레임(90)의 대각축부(90d) 사이의 간격이다.Here, His is the height of the diagonal axis portion 100d of the inner shield 100 based on the end of the diagonal axis portion 90d of the mask frame 90, that is, the diagonal axis portion 100d of the inner shield 100. The height H of the mask frame 90 is obtained by subtracting the height d of the diagonal axis portion 90d of the mask frame 90, and Dp is the diagonal axis portion 10d of the panel 10 and the mask frame 90. It is the interval between the diagonal shaft portions 90d.

상술한 바와 같은 본 발명에 따른 음극선관의 작용에 대하여 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the cathode ray tube according to the present invention as described above are as follows.

즉, 표 3 및 도 19 와 도 20 에 나타낸 바와 같이, 자계의 방향 전환에 따라 전자빔의 이동량은 점진적으로 증가하게 되지만, 상기 인너 쉴드(100)의 대각축부(100d)의 높이(H)를 커지게 되면 상기 패널(10)의 내면과 상기 인너 쉴드(100)의 대각축부(100d) 사이의 간격이 감소되므로 전자빔에 영향을 주는 자계의 양이 줄어들게 되어 지자계의 방향 변화에 따른 전자빔의 이동량을 감소시킬 수있음을 알 수 있다.That is, as shown in Table 3 and FIGS. 19 and 20, the amount of movement of the electron beam gradually increases as the direction of the magnetic field changes, but the height H of the diagonal shaft portion 100d of the inner shield 100 is increased. If the distance between the inner surface of the panel 10 and the diagonal shaft portion 100d of the inner shield 100 is reduced, the amount of magnetic field affecting the electron beam is reduced, so that the amount of movement of the electron beam according to the change in the direction of the geomagnetic field is reduced. It can be seen that it can be reduced.

인너쉴드대각축부 높이 (mm)Inner Shield Diagonal Shaft Height (mm) 지자계 방향 변화에 따른 전자빔의 이동량 (㎛)Movement amount of electron beam according to the change of geomagnetic field direction (㎛) 5 도5 degrees 10 도10 degree 15 도15 degrees 20 도20 degrees 25 도25 degrees 5555 1616 2121 2626 3131 3636 5858 1515 19.519.5 2424 28.528.5 3535 6161 14.814.8 1818 23.523.5 2727 34.534.5 6464 1414 17.517.5 2222 26.226.2 3434 6767 13.713.7 16.816.8 21.721.7 25.225.2 33.233.2 7070 1313 1616 21.221.2 2525 3030 7373 1212 1515 2020 23.523.5 2727

본 발명은 패널과 마스크 프레임간의 간격이 큼으로 인해 발생되는 전자빔 통과공을 통과한 전자빔이 패널 내면의 형광체 스크린에 도달하기 전 지자계의 영향에 의해 발생되는 전자빔의 이동을 인너 쉴드의 재료 변경 없이, 인너 쉴드의 대각축부의 높이를 크게 형성시킴으로써, 전자빔의 이동량을 감소시킬 수 있다.According to the present invention, the electron beam passing through the electron beam through hole generated due to the large gap between the panel and the mask frame does not change the electron beam generated by the influence of the magnetic field before reaching the phosphor screen on the inner surface of the panel without changing the material of the inner shield. By increasing the height of the diagonal axis portion of the inner shield, the amount of movement of the electron beam can be reduced.

패널panel 중앙부/주변부광투과율(%)Center / peripheral light transmittance (%) 마스크프레임대각축부높이(d,mm)Mask Frame Diagonal Shaft Height (d, mm) 인너쉴드대각축부높이(H,mm)Inner Shield Diagonal Shaft Height (H, mm) 중앙부/주변부형광체 폭(Gs,㎛)Center / peripheral phosphor width (Gs, μm) 전자빔이동량(㎛)Electron Beam Shift (㎛) 방향여유도Direction margin 코팅coating 54.41/46.5154.41 / 46.51 54.854.8 00 170/185170/185 3535 2525 틴트Tint 51.15/25.5651.15 / 25.56 54.854.8 00 160/230160/230 3535 1818 틴트Tint 51.15/25.5651.15 / 25.56 54.854.8 71.871.8 160/230160/230 2929 2525

즉, 표 4 에 나타낸 바와 같이, 인너 쉴드의 높이를 최대 71.8mm까지 크게 형성시킴으로써, 전자빔의 이동량을 6㎛ 이상 감소시키고, 지자계의 방향 변화에 의해 전자빔의 이동의 변화가 발생되는 것을 나타내는 방향여유도를 7도 정도 개선할 수 있다.That is, as shown in Table 4, by increasing the inner shield height to a maximum of 71.8 mm, the amount of movement of the electron beam is reduced by 6 µm or more, and the direction indicating that a change in the movement of the electron beam occurs due to a change in the direction of the geomagnetic field. You can improve the margin by seven degrees.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 음극선관은 인너 쉴드의 형상을 최적화하여 자계의 영향에 의한 전자빔의 이동량을 최소화시킴으로써 화면의 색순도 품위를 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 또한, 패널 틴트화로 인해 생기는 휘도의 불균일성을 개선하기 위하여 패널의 주변부의 형광체의 폭을 증가시키더라도 자계 변화에 의한 전자빔의 이동량을 줄일 수 있으므로 색순도가 저하되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.As described above, the cathode ray tube according to the present invention has the effect of improving the color purity of the screen by optimizing the shape of the inner shield to minimize the amount of movement of the electron beam under the influence of the magnetic field. In addition, even if the width of the phosphor at the periphery of the panel is increased in order to improve the luminance non-uniformity caused by panel tinting, the amount of movement of the electron beam due to the magnetic field change can be reduced, thereby preventing the color purity from being lowered.

Claims (10)

외면이 실질적으로 평면인 패널과, 상기 패널의 후방 측에 장착되는 펀넬과, 상기 패널의 내면과 일정한 간격을 두고 배치되고 다수개의 전자빔 통과공이 형성되는 새도우 마스크와, 상기 새도우 마스크를 고정/지지하는 마스크 프레임과, 외부 지자계를 차폐하는 인너 쉴드로 구성되는 음극선관에 있어서,A panel having a substantially flat outer surface, a funnel mounted to the rear side of the panel, a shadow mask disposed at regular intervals from the inner surface of the panel and having a plurality of electron beam through holes formed thereon, and fixing / supporting the shadow mask. In a cathode ray tube composed of a mask frame and an inner shield that shields an external geomagnetic field, 상기 인너쉴드는 상기 펀넬 측으로부터 상기 패널 측으로 길게 뻗은 형태로 설치되고, 상기 인너 쉴드의 대각축부의 높이는 상기 마스크 프레임의 단축부, 장축부 및 대각축부의 최대 높이 중 적어도 한 곳보다 높게 형성되는 것을 특징으로 하는 음극선관.The inner shield is installed in a form extending from the funnel side to the panel side, wherein the height of the diagonal axis of the inner shield is formed higher than at least one of the maximum height of the short axis, the long axis and the diagonal axis of the mask frame. Cathode ray tube characterized in that. 제 1 항에 있어서, 상기 인너 쉴드의 대각축부의 높이를 H 이라고 하고, 상기 마스크 프레임의 단축부의 높이를 v 이라고 하고, 상기 마스크 프레임의 장축부의 높이를 h 이라고 할 때, 하기의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 음극선관.The method of claim 1, wherein the height of the diagonal axis portion of the inner shield is H, the height of the short axis portion of the mask frame is v, and the height of the long axis portion of the mask frame is h. Cathode ray tube, characterized in that. H > h > vH> h> v 제 1 항에 있어서, 상기 마스크 프레임의 대각축부의 높이를 d 이라고 하고, 상기 마스크 프레임의 단축부의 높이를 v 이라고 하고, 상기 마스크 프레임의 장축부의 높이를 h 이라고 할 때, 하기의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 음극선관.2. The method of claim 1, wherein the height of the diagonal axis portion of the mask frame is d, the height of the short axis portion of the mask frame is v, and the height of the major axis portion of the mask frame is h. Cathode ray tube, characterized in that. h > v > dh> v> d 제 1 항에 있어서, 상기 인너 쉴드의 대각축부가 장변을 따라 연장되는 폭을 Wl 이라고 하고, 상기 마스크 프레임의 장변의 길이를 L 이라고 할 때, 하기의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 음극선관.The cathode ray tube according to claim 1, wherein the width of the diagonal axis portion of the inner shield extending along the long side is Wl, and the length of the long side of the mask frame is L. Wl / (L/2) ≥ 0.5Wl / (L / 2) ≥ 0.5 제 1 항에 있어서, 상기 인너 쉴드의 대각축부가 단변을 따라 연장되는 폭을 Ws 라고 하고, 상기 마스크 프레임의 단변의 길이를 S라고 할 때, 하기의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 음극선관.The cathode ray tube according to claim 1, wherein the width of the diagonal axis portion of the inner shield extending along the short side is Ws, and the length of the short side of the mask frame is S. Ws / (S/2) ≥ 0.5Ws / (S / 2) ≥ 0.5 제 1 항에 있어서, 상기 패널의 중앙부의 글라스 투과율을 Pc 라고 할 때, 하기의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 음극선관.The cathode ray tube according to claim 1, wherein the glass tube has a condition that the following condition is satisfied when the glass transmittance of the central portion of the panel is Pc. Pc ≤ 54 %Pc ≤ 54% 제 1 항에 있어서, 상기 패널의 주변부의 글라스 투과율을 Pco 이라 할 때, 하기의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 음극선관.The cathode ray tube according to claim 1, wherein the glass transmittance at the periphery of the panel is Pco, and the following conditions are satisfied. Pco ≤ 26 %Pco ≤ 26% 제 1 항에 있어서, 상기 패널의 중앙부의 두께를 Tc 라고 할 때, 하기의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 음극선관.The cathode ray tube according to claim 1, wherein the following condition is satisfied when a thickness of the center portion of the panel is Tc. Tc ≤ 13.5 mmTc ≤ 13.5 mm 제 1 항에 있어서, 상기 패널의 중앙부의 두께를 Tc 라고 하고, 상기 패널의 주변부의 두께를 Tco 라고 할 때, 하기의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 음극선관.The cathode ray tube according to claim 1, wherein the thickness of the center portion of the panel is referred to as Tc, and the thickness of the peripheral portion of the panel is referred to as Tco. Tco / Tc ≤ 2.4Tco / Tc ≤ 2.4 제 1 항에 있어서, 상기 마스크 프레임의 대각축부의 끝단을 기준으로 한 상기 인너 쉴드의 대각축부의 높이를 His 라고 하고, 상기 패널의 대각축부와 상기 마스크 프레임의 대각축부 사이의 간격을 Dp 라고 할 때, 하기의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 음극선관.The height of the diagonal axis portion of the inner shield with respect to the end of the diagonal axis portion of the mask frame is called His, and the distance between the diagonal axis portion of the panel and the diagonal axis portion of the mask frame is Dp. When the cathode tube is satisfied. 0 < His / Dp < 0.660 <His / Dp <0.66
KR1020030038357A 2003-06-13 2003-06-13 Cathode ray tube KR20040107532A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030038357A KR20040107532A (en) 2003-06-13 2003-06-13 Cathode ray tube

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030038357A KR20040107532A (en) 2003-06-13 2003-06-13 Cathode ray tube

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20040107532A true KR20040107532A (en) 2004-12-21

Family

ID=37381624

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030038357A KR20040107532A (en) 2003-06-13 2003-06-13 Cathode ray tube

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20040107532A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100259443B1 (en) Color cathode ray tube
US6548954B1 (en) Color cathode ray tube with black matrix holes having different diameters
US5990607A (en) Shadow mask for color CRT and method for forming same
KR20040107532A (en) Cathode ray tube
KR100389540B1 (en) Color cathode-ray tube containing improved slot shape of shadow mask
KR100532068B1 (en) Color cathode ray tube
KR100505097B1 (en) Color cathode ray tube
KR100298411B1 (en) structure for frame in cathode-ray tube
JP2003346677A (en) Mask frame for cathode-ray tube
KR100524861B1 (en) Mask frame for cathode ray tube
KR100505863B1 (en) Shadowmask of Color CRT
KR20030050876A (en) A Flat Type Color Cathode Ray Tube
KR100715110B1 (en) A shadowmask of crt
US7061171B2 (en) Color cathode ray tube
KR100426568B1 (en) The Flat Cathode-ray Tube
KR970010035B1 (en) Panel for color picture tube
KR100489606B1 (en) Cathode Ray Tube
KR100474355B1 (en) A Flat Color CRT
KR100474363B1 (en) A Color CRT
KR100481319B1 (en) A Panel for Color CRT
KR20050091308A (en) Flat type of color cathode-ray tube
KR100414495B1 (en) Transposed scan CRT
KR20040105449A (en) A Flate Color Cathode-ray Tube
US20020101150A1 (en) Color CRT(Cathode Ray Tube)
KR20040110580A (en) Shadow mask for cathode ray tube

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid