KR20040105451A - A Panel for CRT using ALD and Method of making thereof - Google Patents

A Panel for CRT using ALD and Method of making thereof Download PDF

Info

Publication number
KR20040105451A
KR20040105451A KR1020030036829A KR20030036829A KR20040105451A KR 20040105451 A KR20040105451 A KR 20040105451A KR 1020030036829 A KR1020030036829 A KR 1020030036829A KR 20030036829 A KR20030036829 A KR 20030036829A KR 20040105451 A KR20040105451 A KR 20040105451A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
panel
gas
coating film
film
cathode ray
Prior art date
Application number
KR1020030036829A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
정봉교
Original Assignee
엘지.필립스디스플레이(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지.필립스디스플레이(주) filed Critical 엘지.필립스디스플레이(주)
Priority to KR1020030036829A priority Critical patent/KR20040105451A/en
Publication of KR20040105451A publication Critical patent/KR20040105451A/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/86—Vessels; Containers; Vacuum locks
    • H01J29/88—Vessels; Containers; Vacuum locks provided with coatings on the walls thereof; Selection of materials for the coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2229/00—Details of cathode ray tubes or electron beam tubes
    • H01J2229/863—Passive shielding means associated with the vessel
    • H01J2229/8631—Coatings
    • H01J2229/8632—Coatings characterised by the material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
    • H01J29/18—Luminescent screens
    • H01J29/28—Luminescent screens with protective, conductive or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
    • H01J9/205—Applying optical coatings or shielding coatings to the vessel of flat panel displays, e.g. applying filter layers, electromagnetic interference shielding layers, anti-reflection coatings or anti-glare coatings

Landscapes

  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
  • Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)

Abstract

PURPOSE: A panel of a cathode ray tube and a method for manufacturing the panel using atomic layer deposition are provided to prevent contamination of the face of the panel and easily control the thickness of a coating film on the outer side of the panel by forming the coating film using atomic layer deposition. CONSTITUTION: A cathode ray tube includes a panel and a coating film formed on the outer face of the panel. The coating film is formed by introducing TDMAT(Tetrakis Dimethylamido-Titanium) gas to the outer face of the panel, purging with Ar gas, introducing NH3 gas such that the TDMAT gas and NH3 gas are chemically reacted with each other to form TiN layer serving as an anti-static layer, and then purging with Ar gas. Subsequently, SiH4 has is introduced and purging is carried out using Ar gas. H2O is introduced such that SiH4 gas and H2O are chemically reacted with each other to form SiO2 layer serving as an anti-reflection layer, and then purging is performed using Ar gas.

Description

원자층 증착법을 이용한 음극선관용 패널 및 그 제조 방법 { A Panel for CRT using ALD and Method of making thereof }A panel for cathode ray tube using atomic layer deposition method and its manufacturing method {A Panel for CRT using ALD and Method of making

본 발명은 음극선관용 패널에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 패널의 외면에 반사방지 및 정전기 방전을 위해 원자층 증착법을 이용하여 코팅막을 형성함으로써, 패널 페이스 면의 균일성 증가로 투과율, 반사율 및 저항 특성을 패널 페이스면 전체에서 균일하게 구현할 수 있는 원자층 증착법을 이용한 음극선관용 패널 및그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a panel for a cathode ray tube, and more particularly, to form a coating film on the outer surface of the panel using an atomic layer deposition method for anti-reflection and electrostatic discharge, thereby improving the transmittance, reflectance and resistance characteristics by increasing the uniformity of the panel face surface. The present invention relates to a cathode ray tube panel using an atomic layer deposition method that can be uniformly implemented on the entire panel face, and a method of manufacturing the same.

일반적으로 평면형 칼라 음극선관은 도 1에 나타난 바와 같이 내면에 형광체를 구비한 패널(2)과, 전자빔(5)을 발산하는 전자총(6)을 가지는 펀넬(3)로 구성되고, 상기 패널과 펀넬은 서로 연결되고 내부는 진공상태로 밀폐되어 있다.Generally, the planar colored cathode ray tube is composed of a panel 2 having phosphors on its inner surface and a funnel 3 having an electron gun 6 emitting an electron beam 5, as shown in FIG. Are connected to each other and are sealed under vacuum.

상기 패널은 페이스부와 상기 페이스부에 거의 수직으로 이루어진 측벽부로 구성되어 있고, 상기 패널 측벽부로 둘러 쌓인 패널 페이스부 내면에는 적색(Red), 녹색(Green), 청색(Blue)의 3가지 형광체(7)가 도트 혹은 스트라이프 형태로 도포되는 형광체 층을 갖고, 이 형광체에 근접하고 색 선택 전극 역할을 하는 새도우 마스크(8)가 배치되어 있다.The panel is composed of a face part and a side wall part which is substantially perpendicular to the face part, and the inner surface of the panel face part surrounded by the panel side wall part includes three phosphors of red, green, and blue ( 7) has a phosphor layer applied in the form of dots or stripes, and a shadow mask 8 is arranged close to the phosphor and serving as a color selection electrode.

그리고 상기 패널의 외부 표면에는 반사방지 및 전자파, 정전기 방지를 위한 다수의 코팅막이 형성되어 있다.In addition, a plurality of coating films are formed on the outer surface of the panel to prevent reflection, electromagnetic waves, and static electricity.

상기 새도우 마스크는 마스크 프레임(9)에 용접되어 있고, 상기 마스크 프레임은 패널 측벽부에 삽입된 스터드 핀(11)에 현가 스프링(10)을 이용하여 고정되어 있으며, 상기 새도우 마스크 반대쪽에는 인너쉴드(12)가 고정되어 있다.The shadow mask is welded to the mask frame 9, and the mask frame is fixed to the stud pin 11 inserted into the panel side wall portion using a suspension spring 10, and an inner shield opposite to the shadow mask. 12) is fixed.

그리고 펀넬 넥크부(14)에 장착된 전자총에서 방출된 전자빔은 편향요크(13)에 의해서 상, 하, 좌, 우로 편향되고, 새도우 마스크의 홀을 통과하면서 색선별이 이루어진 상태에서 패널의 내면에 도포된 형광막을 타격하여 화상을 재현시키게 된다.The electron beam emitted from the electron gun mounted on the funnel neck portion 14 is deflected up, down, left, and right by the deflection yoke 13, and passes through the hole of the shadow mask and is selected on the inner surface of the panel. The applied fluorescent film is blown to reproduce the image.

이와 같은 상기 평면형 칼라 음극선관의 외부 패널 글라스는 매끄러운 면으로 되어 있어 외부광이 정반사되어 정면에서 시청하는 사람의 눈을 피로하게 만들고, 또한 패널 글라스에서 나오는 빛은 패널 글라스 내면의 중앙 및 주변의 두께 차이로 인하여 중앙부 대비 주변부가 상대적 어둡게 보이게 되어 화면을 시청하는데 불편함을 준다.The outer panel glass of the flat color cathode ray tube has a smooth surface, so that external light is specularly reflected, which makes the viewer's eyes tired, and the light emitted from the panel glass is the thickness of the center and surroundings of the inner surface of the panel glass. Due to the difference, the periphery becomes relatively dark compared to the center part, which causes inconvenience in viewing the screen.

따라서 종래에는 패널 페이스면에 착색 코팅에 있어서, 도 2와 같이스핀 방식을 이용하여 패널 글라스의 중앙과 주변에 온도 차이를 줌으로써 중앙부의 착색막 코팅막 두께를 주변부에 비하여 상대적으로 두껍게 도포하여 휘도 균일성(B/U)을 향상시키고자 하였다.Therefore, conventionally, in the colored coating on the panel face surface, by using the spin method as shown in Figure 2 by applying a temperature difference between the center and the periphery of the panel glass, the thickness of the coating film coating the thickness of the central portion relatively relatively compared to the peripheral portion to uniform brightness (B / U) was intended to be improved.

도 3은 종래 기술에 따른 패널 페이스면에 코팅액을 원형 플레이트 방식으로 도포하는 방법을 나타낸 개략도이다.Figure 3 is a schematic diagram showing a method for applying the coating liquid in a circular plate method on the panel face surface according to the prior art.

먼저, 스핀코트(20)는 고정되어 있는 챔버(21)와 상기 챔버 중앙에 위치하여 모터(22)에 의해 회전하는 원형 플레이트(23)를 구비하는 회전부가 설치되고, 상기 원형 플레이트의 상부에는 코팅액 공급장치(24)가 설치되어 있으며, 상기 코팅액 공급장치에는 코팅액 탱크(25)와 레귤레이터(26)를 구비하는 연결관(27) 및 노즐(28)로 구성된다.First, the spin coat 20 is provided with a rotating portion having a fixed chamber 21 and a circular plate 23 located at the center of the chamber and rotated by a motor 22, and a coating liquid on the upper portion of the circular plate. A supply device 24 is provided, and the coating liquid supply device includes a connecting pipe 27 having a coating liquid tank 25 and a regulator 26 and a nozzle 28.

상기 원판 플레이트에는 패널 글라스(2) 형상의 홈이 형성되어 있고, 상기 원판 플레이트 상부에는 패널 글라스가 탑재되어 모터와 연결된 RPM 조절기에 의해 회전수가 조절되면서 상기 패널 글라스 중앙에서 코팅액이 주입되어 간단하게 코팅되는 전형적인 방식이다.The disc plate has a groove formed in the shape of a panel glass 2, and the disc plate is mounted on the disc plate, and the coating liquid is injected from the center of the panel glass while the rotation speed is controlled by an RPM controller connected to the motor. This is the typical way.

그러나 상기 원형 플레이트 방식에 의하여 형성된 패널 외면의 코팅막은 일정한 RPM으로 회전하여 코팅되므로 중앙과 주변의 위치에서 코팅두께가 일정하지않으며, 외부의 이 물질에 의한 오염으로 불량이 많이 발생된다.However, since the coating film on the outer surface of the panel formed by the circular plate method is coated by rotating at a constant RPM, the coating thickness is not constant at the central and peripheral positions, and a lot of defects are caused by contamination by this external material.

또한, 패널 페이스면이 고르지 못할 경우 스크래치(Scratch)성 불량을 초래하고, 패널의 중앙과 주변의 건조속도 차에 의한 막두께의 차로 인하여 색감차 및 콘트라스트(Contrast)의 열화 특성을 개선하는데 어려운 점이 많았다.In addition, if the panel face surface is uneven, it may cause scratch resistance and it is difficult to improve the color difference and the deterioration characteristics of the contrast due to the difference in the film thickness due to the drying speed difference between the center and the surrounding panel. Many.

본 발명은 상기와 같은 종래 문제점들을 해결하기 위한 것으로, 평면 음극선관용 패널 외면의 코팅막을 원자층 증착법으로 형성시켜 패널 페이스 면에 고착성 유기 이물질과 공기중의 먼지에 의한 오염 방지 뿐 아니라 코팅막의 두께 조절이 용이하고, 또한, 최소의 코팅액으로 패널 페이스면의 코팅막을 균일하게 구현하여 투과율, 반사율 및 저항 특성을 향상시킬 수 있는 원자층 증착법을 이용한 평면 음극선관용 패널 및 그 제조 방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다.The present invention is to solve the conventional problems as described above, by forming the coating film on the outer surface of the panel for flat cathode ray tubes by atomic layer deposition method to prevent contamination by sticking organic foreign matter and dust in the air on the face of the panel as well as to control the thickness of the coating film To provide a flat cathode ray tube panel and a method of manufacturing the same using an atomic layer deposition method that can easily and evenly implement a coating film on the panel face surface with a minimum coating liquid to improve transmittance, reflectance and resistance characteristics. There is a purpose.

도 1은 일반적인 칼라 음극선관을 나타낸 단면도.1 is a cross-sectional view showing a common color cathode ray tube.

도 2는 종래의 패널 외면의 코팅방식을 나타낸 도.Figure 2 is a view showing a coating method of the outside of the conventional panel.

도 3은 종래의 패널 외면의 코팅막 형성에 따른 원형 플레이팅 방식을 나타낸 개략도.Figure 3 is a schematic diagram showing a circular plating method according to the coating film formation of the conventional panel outer surface.

도 4는 원자층 박막 증착 장치를 나타낸 개략도.4 is a schematic view showing an atomic layer thin film deposition apparatus.

도 5는 원자층 박막 형성과정을 나타낸 개략도.5 is a schematic view showing a process of forming an atomic layer thin film.

도 6은 원자층 박막 형성의 한 싸이클을 나타낸 도.6 shows one cycle of atomic layer thin film formation.

도 7은 본 발명에 따른 패널 외면의 코팅막 형성과정을 나타낸 도.7 is a view showing a coating film forming process of the outer surface of the panel according to the present invention.

도 8은 본 발명에 따른 코팅막 형성의 싸이클 타임(Cycle Time)과 증착률(Deposition Rate)의 관계를 나타낸 도.8 is a view showing the relationship between the cycle time (Cycle Time) and the deposition rate (Deposition Rate) of the coating film formation according to the present invention.

도 9는 본 발명에 따른 패널외면에 증착된 코팅막을 주사전자 현미경(SEM)으로 나타낸 도.9 is a view showing a coating film deposited on the outer surface of the panel according to the present invention with a scanning electron microscope (SEM).

도 10은 본 발명에 따른 코팅막의 거칠기를 AFM으로 나타낸 도.10 is a diagram showing the roughness of the coating film according to the present invention in AFM.

도 11은 종래의 스핀방식의 패널 외면의 파장에 따른 반사율과 본 발명에 따른 패널 외면의 파장에 따른 반사율을 그래프로 나타낸 도.Figure 11 is a graph showing the reflectance according to the wavelength of the outer surface of the panel of the conventional spin method and the wavelength according to the wavelength of the outer surface of the panel according to the present invention.

도 12는 종래의 패널 외면 코팅막과 본 발명의 패널 외면 코팅막을 나타낸 도.12 is a view showing a conventional panel outer coating film and a panel outer coating film of the present invention.

*** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ****** Explanation of symbols for the main parts of the drawing ***

1: 코팅막 2: 패널1: coating film 2: panel

3: 펀넬 4: 네크부3: funnel 4: neck

5: 전자빔 6: 전자총5: electron beam 6: electron gun

7: 형광면 8: 새도우 마스크7: fluorescent surface 8: shadow mask

9: 프레임 10: 지지스프링9: frame 10: support spring

11: 스터드핀 12: 인너쉴드11: stud pin 12: inner shield

13: 편향요크 14: 픽싱 스프링13: deflection yoke 14: fixing spring

15: 보강밴드 16: 러그(Lug)15: Reinforcement Band 16: Lug

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제 1기술적 수단은 내면에 형광면이 형성된 패널과, 상기 패널의 외면에 반사방지 및/또는 정전기 방전을 위해 코팅막이 형성된 음극선관용 패널에 있어서, 상기 패널 외면의 코팅막 중 적어도 어느 하나의 층이 원자층 증착방법으로 형성되는 것을 특징으로 한다.A first technical means of the present invention for achieving the above object is a panel for forming a fluorescent surface on the inner surface, and a panel for a cathode ray tube formed with a coating film for anti-reflection and / or electrostatic discharge on the outer surface of the panel, the coating film on the outer surface of the panel At least one of the layers is characterized in that formed by the atomic layer deposition method.

그리고 본 발명의 제 2기술적 수단은 외면이 실질적으로 평면이고 내면이 소정의 곡률을 가지는 패널과, 상기 패널의 외면에 반사방지 및 정전기 방전을 위해코팅막이 형성된 음극선관용 패널 제조방법에 있어서, 상기 패널 외면에 TDMAT(Tetrakis dimethylamido-titanium) 가스를 주입한 후, 아르곤(Ar)가스로 퍼지하는 단계, 질소(NH3)가스를 주입하여 상기 TDMAT가스와 화학반응시켜 AS(Anti -Static)층인 TiN막을 형성시킨 후, 아르곤(Ar)가스로 퍼지하는 단계, 상기 TiN막 상층에 SiH4가스를 주입한 후, 아르곤(Ar)가스로 퍼지하는 단계, 순수(H2O)를 주입하여 상기 SiH4가스와 화학반응시켜 AR(Anti- Reflection)층인 Si02막을 형성시킨 후, 아르곤(Ar)가스로 퍼지하는 단계를 포함하여 패널 코팅막이 형성되는 것을 특징으로 한다.The second technical means of the present invention is a panel having a substantially flat outer surface and a predetermined curvature on an inner surface thereof, and a method for manufacturing a cathode ray tube panel having a coating film formed on the outer surface of the panel for antireflection and electrostatic discharge. After injecting TDMAT (Tetrakis dimethylamido-titanium) gas to the outer surface, purging with argon (Ar) gas, nitrogen (NH 3 ) gas is injected to chemically react with the TDMAT gas to form a TiN film as an AS (Anti-Static) layer After forming, purging with argon (Ar) gas, injecting SiH 4 gas into the upper layer of the TiN film, purging with argon (Ar) gas, injecting pure water (H 2 O) to the SiH 4 gas After forming a Si0 2 film, which is an AR (Anti-Reflection) layer by chemical reaction, a panel coating film is formed, including purging with argon (Ar) gas.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 원자층 박막 증착 장치를 나타낸 것으로, 반응챔버(Reactor) 내부에 히터가 장착되고, 상기 히터 상부에 코팅막을 형성시킬 기판(Substrate)과 진공 펌프 및 가스 공급부로 구성되고, 상기 가스는 MFC(Mass Flow Controller)를 PC에서 순차적으로 소스가스(Source gas), 반응가스(Reactant gas), 퍼지가스(Purge gas)를 반응챔버에 공급하여 제어한다.FIG. 4 illustrates an atomic layer thin film deposition apparatus, in which a heater is mounted inside a reactor, and a substrate, a vacuum pump, and a gas supply unit to form a coating film on the heater, wherein the gas is an MFC. The Mass Flow Controller is controlled by supplying source gas, reactant gas, and purge gas to the reaction chamber sequentially from a PC.

본 발명은 상기와 같은 구조를 갖는 원자층 박막 증착 장치를 이용하여 원자층 증착 방법으로 패널 외면에 코팅막(1)을 형성한다.The present invention forms a coating film (1) on the outer surface of the panel by the atomic layer deposition method using an atomic layer thin film deposition apparatus having the above structure.

상기 원자층 증착 방법은 도 5와 도 6에서 보는 바와 같이 소스가스(Source gas)인 AX가스를 반응 챔버에 주입하여 기판(Substrate)의 한 층에 AX가스를 화학적으로 흡착시킨 후, 상기 흡착되지 않은 가스는 비활성 가스(Inert gas)을 흘려보내어 퍼지(Purge)시킨다.In the atomic layer deposition method, as shown in FIGS. 5 and 6, AX gas, which is a source gas, is injected into a reaction chamber to chemically adsorb AX gas to one layer of a substrate, and then the adsorption is not performed. Unpurged gas is purged by flowing an inert gas.

그 후, 상기 흡착된 한 층의 소스에 반응가스(Reactant gas)인 BY가스를 공급하여 흡착된 한 층의 AX와 BY를 화학 반응시켜 기판(Substrate)에 원하는 원자층 박막을 형성시킨 후, 나머지 반응하지 않은 BY가스는 비활성 가스(Inert gas)을 흘려 보내어 퍼지 시키는 과정을 한 싸이클로 하여 박막을 증착한다.Thereafter, BY gas, which is a reactive gas, is supplied to the adsorbed layer of the source to chemically react the adsorbed layer of AX with BY to form a desired atomic layer thin film on the substrate. The unreacted BY gas is deposited by thinning a cycle of purging the inert gas by flowing it.

이와 같은 방법을 이용하여 본 발명은 도 7에서와 같이 먼저 소스가스(Source gas)인 TDMAT (Tetrakis dimethylamido-titanium)가스를 주입하여 패널외면에 한 층의 TDMAT 가스를 화학적으로 흡착시킨 후, 상기 흡착되지 않은 가스는 비활성 가스(Inert gas)인 아르곤(Ar)가스를 흘려보내어 퍼지(Purge)시키는 단계를 거친다.Using the above method, the present invention first injects TDMAT (Tetrakis dimethylamido-titanium) gas, which is a source gas, to chemically adsorb a layer of TDMAT gas on the outer surface of the panel, and then, the adsorption. The gas is not purged by flowing argon (Ar) gas, which is an inert gas.

그 후, 상기 흡착된 한 층의 소스에 반응가스(Reactant gas)인 질소(NH3)가스를 공급하여 흡착된 한 층의 소스와 질소(NH3)가스를 화학 반응시켜 패널 외면의 최하부에 AS(Anti -Static)층인 TiN막을 형성시킨 후, 나머지 반응하지 않은 질소(NH3)가스는 아르곤(Ar)가스를 주입하여 퍼지시키는 단계를 한 싸이클로 하여 패널 외면에 코팅막을 형성한다.Subsequently, nitrogen (NH 3 ) gas, which is a reactant gas, is supplied to the adsorbed one layer source to chemically react the adsorbed one layer source and nitrogen (NH 3 ) gas to provide the AS at the bottom of the panel. After forming the TiN film as the (Anti-Static) layer, the remaining unreacted nitrogen (NH 3 ) gas is formed by injecting and purging argon (Ar) gas to form a coating film on the outer surface of the panel.

그리고, 상기 패널 외면의 AR(Anti- Reflection)층인 Si02막 역시 상기 TiN막 상층에 SiH4가스를 주입한 후, 아르곤(Ar)가스로 퍼지시키는 단계를 거친후, 순수(H2O)를 주입하여 상기 SiH4가스와 화학반응시켜 AR (Anti- Reflection)층인 Si02막을 형성시킨 후, 아르곤(Ar)가스로 퍼지하는 단계를 한 싸이클로 하여 코팅막을 형성한다.The Si0 2 film, which is an AR (Anti-Reflection) layer on the outer surface of the panel, is also injected with SiH 4 gas into the TiN layer, followed by purging with argon (Ar) gas, followed by pure water (H 2 O). Injecting and chemically reacting with the SiH 4 gas to form a Si0 2 film, which is an anti-reflection (AR) layer, and then a coating film is formed using one cycle of purging with argon (Ar) gas.

이때, 사용되는 패널은 외면이 실질적으로 평면이고, 내면은 소정의 곡률을 갖는 것이 바람직하다.At this time, it is preferable that the outer surface of the panel used is substantially flat, and the inner surface has a predetermined curvature.

이와 같이 TiN막과 Si02막은 상기 원자층 증착법의 반복적인 과정을 거쳐 소정의 코팅막 두께를 갖으며, 반응 온도는 100℃이하에서 이루어진다.As described above, the TiN film and the Si0 2 film have a predetermined coating film thickness through an iterative process of the atomic layer deposition method, and the reaction temperature is less than 100 ° C.

그리고 상기 TiN막은 대전방지 및 투과율을 조절 할 수 있는 착색기능을 충분히 하기 위하여 코팅 투과율이 50% ~ 65%을 갖도록 하여야 한다.In addition, the TiN film should have a coating transmittance of 50% to 65% in order to sufficiently color the antistatic agent and to control the transmittance.

따라서 상기 TiN막의 두께는 10㎚ ~ 25㎚의 범위를 갖도록 하는 것이 바람직하고, 상기 Si02막의 두께는 충분한 반사방지 기능을 갖도록 45㎚ ~ 55㎚의 범위를 갖는 것이 바람직하다.Therefore, the thickness of the TiN film is preferably in the range of 10 nm to 25 nm, and the thickness of the Si0 2 film is preferably in the range of 45 nm to 55 nm to have a sufficient antireflection function.

도 8은 본 발명에 따른 코팅막 형성의 싸이클 타임(Cycle Time)과 증착률(Deposition Rate)의 관계를 나타낸 그래프이다.FIG. 8 is a graph illustrating a relationship between cycle time and deposition rate of coating layer formation according to the present invention.

상기 도 8에서 보는 바와 같이 코팅막은 한 싸이클 당 약 1Å의 두께로 형성됨을 알 수 있다.As shown in FIG. 8, it can be seen that the coating film is formed to a thickness of about 1 mm per cycle.

그러므로 패널 외면에 형성시킬 코팅막의 두께는 싸이클을 조정하여 제어가 가능하며, 상기 코팅막은 표면의 화학적 흡착(Chemical Absorption)으로 코팅막이 이루어지므로 종래의 스핀 코팅방식보다 코팅막 표면의 거칠기(Rougness)가 우수하게 나타나게 된다.Therefore, the thickness of the coating film to be formed on the outer surface of the panel can be controlled by adjusting the cycle, and since the coating film is formed by chemical absorption of the surface, the surface roughness of the coating film is superior to the conventional spin coating method. Will appear.

도 9는 본 발명에 따른 패널외면에 증착된 코팅막을 주사전자 현미경(SEM)으로 나타낸 것이고, 도 10은 AFM을 사용하여 본 발명에 따른 코팅막의 거칠기를 나타낸 것이다.9 shows a coating film deposited on the outer surface of the panel according to the present invention with a scanning electron microscope (SEM), Figure 10 shows the roughness of the coating film according to the present invention using AFM.

도시된 바와 같이 원자층 증착법을 이용하여 형성된 패널 외면의 코팅막 표면은 거칠기가 균일함을 알 수 있다.As shown, it can be seen that the surface of the coating film formed on the outer surface of the panel formed by using the atomic layer deposition method has a uniform roughness.

또한, 종래에 용액을 패널 페이스면에 도징(Dosing)한 후, 소성로를 거쳐 코팅 용액의 용매를 증발시키는 스핀 코팅방식과는 달리 소성로가 필요없고, 가스를 진공 챔버에 주입하여 코팅시키는 타입이므로 외부로부터 오염이나 이물 관리가 용이하다.In addition, unlike the spin coating method in which a solution is previously dosed onto a panel face surface and then the solvent of the coating solution is evaporated through the firing furnace, a firing furnace is not required. Easy management of contamination and foreign matter

도 11은 종래의 스핀방식의 패널 외면의 파장에 따른 반사율과 본 발명에 따른 패널 외면의 파장에 따른 반사율을 그래프로 나타낸 것이다.11 is a graph showing reflectance according to the wavelength of the outer surface of the panel of the conventional spin method and reflectance according to the wavelength of the outer surface of the panel according to the present invention.

상기 도 11에서 보는 바와 같이 본 발명에 따른 패널 코팅막은 중앙 및 주변부의 반사율이 1.5%이하고, 중앙 및 주변부의 최저 반사대역이 550㎚ ~ 650㎚사이에 존재하여 시감 반사율이 종래의 스핀 코팅 방식보다 우수하게 나타난다.As shown in FIG. 11, the panel coating film according to the present invention has a reflectivity of 1.5% or less at the center and periphery and a minimum reflecting band between 550 nm and 650 nm at the center and periphery. Appears better.

또한, 도 12에서 보는 바와 같이 종래의 패널 외면에 형성된 코팅막은 3층으로 구성되어 과정이 복잡하여 시간이 많이 소요되고, 최하부층인 1층의 물질은 고가이며 온도에 민감하여 코팅 수율이 저하되는데 비하여 본 발명의 코팅막은 2층 구조로 되어 제조 공정이 단순하고 반사율 특성이 종래 보다 개선됨을 알 수 있다.In addition, as shown in FIG. 12, the coating film formed on the outer surface of the conventional panel is composed of three layers, which requires a long time due to a complicated process. In comparison, the coating film of the present invention has a two-layer structure, and thus, the manufacturing process is simple and the reflectance characteristic is improved than in the related art.

이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.As such, those skilled in the art will appreciate that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. Therefore, the above-described embodiments are to be understood as illustrative and not restrictive in all respects, and the scope of the present invention is indicated by the appended claims rather than the foregoing description, and the meaning and scope of the claims and All changes or modifications derived from the equivalent concept should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

이상에서 보는 바와 같이 본 발명은 평면 음극선관용 패널 외면의 코팅막을 원자층 증착법으로 형성시켜 패널 페이스 면에 고착성 유기 이물질과 공기중의 먼지에 의한 오염 방지 뿐 아니라 코팅막의 두께 조절이 용이하고, 또한, 최소의 코팅액으로 패널 페이스면의 코팅막을 균일하게 구현하여 투과율, 반사율 및 저항 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As described above, the present invention forms the coating film on the outer surface of the panel for a flat cathode ray tube by atomic layer deposition, thereby preventing contamination by sticking organic foreign matter and dust in the air on the face of the panel, and easily adjusting the thickness of the coating film. By uniformly implementing the coating film on the face of the panel with a minimum coating liquid has the effect of improving the transmittance, reflectance and resistance properties.

Claims (8)

내면에 형광면이 형성된 패널과, 상기 패널의 외면에 반사방지 및/또는 정전기 방전을 위해 코팅막이 형성된 음극선관용 패널에 있어서,In a panel having a fluorescent surface formed on the inner surface and a panel for a cathode ray tube formed with a coating film on the outer surface of the panel to prevent reflection and / or electrostatic discharge, 상기 패널 외면의 코팅막 중 적어도 어느 하나의 층이 원자층 증착방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 음극선관용 패널.The cathode ray tube panel, characterized in that at least one layer of the coating film on the outer surface of the panel is formed by an atomic layer deposition method. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 패널 외면의 코팅막은 TiN막과 Si02막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 음극선관용 패널.The coating film on the outer surface of the panel is a cathode ray tube panel, characterized in that consisting of a TiN film and Si0 2 film. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 패널 외면은 실질적으로 평면이고, 패널 내면은 소정의 곡률을 갖는 것을 특징으로 하는 음극선관용 패널.Wherein said panel outer surface is substantially planar, and said panel inner surface has a predetermined curvature. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 TiN막의 두께는 10㎚~ 25㎚의 범위를 갖고, Si02막은 45㎚ ~ 55㎚의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 음극선관용 패널.The TiN film has a thickness of 10 nm to 25 nm, and a Si0 2 film has a range of 45 nm to 55 nm. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 코팅막은 주변부 대비 중앙부의 반사율이 1.5%이하이고, 중앙 및 주변부의 최저 반사대역이 550㎚ ~ 650㎚사이에 존재하는 것을 특징으로 하는 음극선관용 패널.The coating film is a cathode ray tube panel, characterized in that the reflectivity of the central portion compared to the peripheral portion 1.5% or less, the minimum reflection band of the center and the peripheral portion is present between 550nm ~ 650nm. 외면이 실질적으로 평면이고 내면이 소정의 곡률을 가지는 패널과, 상기 패널의 외면에 반사방지 및/또는 정전기 방전을 위해 코팅막이 형성된 음극선관용 패널 제조방법에 있어서,In a panel having a substantially flat outer surface and a predetermined curvature, and a method for manufacturing a cathode ray tube panel having a coating film formed on the outer surface of the panel for antireflection and / or electrostatic discharge, 상기 패널 외면에 TDMAT(Tetrakis dimethylamido-titanium) 가스를 주입한 후, 아르곤(Ar)가스로 퍼지하는 단계;Injecting TDMAT (Tetrakis dimethylamido-titanium) gas to the outer surface of the panel and purging with argon (Ar) gas; 질소(NH3)가스를 주입하여 상기 TDMAT가스와 화학반응시켜 AS(Anti -Static)층인 TiN막을 형성시킨 후, 아르곤(Ar)가스로 퍼지하는 단계;Injecting nitrogen (NH 3 ) gas to chemically react with the TDMAT gas to form a TiN film as an anti-static (AS) layer, and then purging with argon (Ar) gas; 상기 TiN막 상층에 SiH4가스를 주입한 후, 아르곤(Ar)가스로 퍼지하는 단계;Injecting SiH 4 gas into the TiN layer and then purging with argon (Ar) gas; 순수(H2O)를 주입하여 상기 SiH4가스와 화학반응시켜 AR(Anti- Reflection)층인 Si02막을 형성시킨 후, 아르곤(Ar)가스로 퍼지하는 단계를 포함하여 패널 코팅막이 형성되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition)을 이용한 음극선관용 패널 제조방법.Pure water (H 2 O) is injected to chemically react with the SiH 4 gas to form an SiO (Anti-reflection) layer of Si0 2 film, and then the panel coating film is formed, including the step of purging with argon (Ar) gas A method for producing a cathode ray tube panel using an atomic layer deposition method. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 TiN막과 Si02막은 반복적인 과정을 거쳐 소정의 코팅막 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법을 이용한 음극선관용 패널 제조방법.The TiN film and the Si0 2 film is a method for manufacturing a cathode ray tube panel using an atomic layer deposition method characterized in that it has a predetermined coating film thickness through an iterative process. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 TiN막과 Si02막은 100℃이하에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법을 이용한 음극선관용 패널 제조방법.The TiN film and the Si0 2 film is a cathode ray tube panel manufacturing method using an atomic layer deposition method, characterized in that at less than 100 ℃.
KR1020030036829A 2003-06-09 2003-06-09 A Panel for CRT using ALD and Method of making thereof KR20040105451A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030036829A KR20040105451A (en) 2003-06-09 2003-06-09 A Panel for CRT using ALD and Method of making thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030036829A KR20040105451A (en) 2003-06-09 2003-06-09 A Panel for CRT using ALD and Method of making thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20040105451A true KR20040105451A (en) 2004-12-16

Family

ID=37380507

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030036829A KR20040105451A (en) 2003-06-09 2003-06-09 A Panel for CRT using ALD and Method of making thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20040105451A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014053094A (en) * 2012-09-05 2014-03-20 Hamamatsu Photonics Kk Electron tube

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014053094A (en) * 2012-09-05 2014-03-20 Hamamatsu Photonics Kk Electron tube

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20100077442A (en) Showerhead and atomic layer deposition apparatus having the same
KR100353203B1 (en) Multilayer antireflective coating for video display panel
US5532545A (en) Color cathode ray tube
US5973450A (en) Cathode ray tube with multilayered high- and low-refractive index films thereon
US5652477A (en) Multilayer antistatic/antireflective coating for display device
US6784608B2 (en) Light-absorptive antireflection filter, with pigment containing light-absorptive film and electroconducting thin film, and device using same
KR100403772B1 (en) The Flat CRT(Cathode-ray Tube) Having The Improved Coating
KR20040105451A (en) A Panel for CRT using ALD and Method of making thereof
JPH05320387A (en) Method for forming ultra-fine particle film, transparent plate and image-displaying plate
KR20030063072A (en) Application of multi-layer antistatic/antireflective coating to video display screen by sputtering
JPH11339683A (en) Cathode-ray tube and its manufacture
US7329981B2 (en) Optical filter and display apparatus with the same
CN1233017C (en) Color CRT and its mfg. method
KR20000008507A (en) Coating film of color cathode ray tube
KR100872360B1 (en) A Flat Color CRT
KR20030014086A (en) Multi-layer antistatic/antireflective coating for video display screen with adjustable light transmission
KR100421918B1 (en) Panel for plane type color CRT and method for making the same
KR100195602B1 (en) Color cathode-ray tube
JPH0588001A (en) Formation of antireflection film on outside surface of face part of cathode ray tube
JPH03238740A (en) Reflection preventive film of display device
KR100777270B1 (en) structure of screen in CRT
US20020043922A1 (en) Display device, production process thereof and flat cathode-ray tube
KR20230027428A (en) Method of coating ksf phosphor powder, ksf phosphor coated powder therefrom and light emitting diodes
KR100378043B1 (en) Multilayer antistatic/antireflective coating for display device
JPH1064453A (en) Coating for display device

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid