KR20040042729A - A fingerprint cognition apparatus using a layer concentrating light - Google Patents

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KR20040042729A
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Abstract

PURPOSE: A device for recognizing a fingerprint using a light collecting layer is provided to map the perpendicular light to the pixels of an optical sensor by inserting the light collecting layer between a light generating part and the optical sensor layer, and forming the perpendicular light as collecting the scattered light to the light collecting layer. CONSTITUTION: A light generating part(205) generates the light by touching with a finger. The optical sensor layer(245) senses the light of the light generating part by installing to a lower part of the light generating part. As the light collecting layer(235) is inserted between the light generating part and the optical sensor layer, the optical sensor layer forms the image of the fingerprint by sensing the light passing the light collecting layer.

Description

집광층을 이용한 지문 인식 장치{A FINGERPRINT COGNITION APPARATUS USING A LAYER CONCENTRATING LIGHT}Fingerprint recognition device using light collecting layer {A FINGERPRINT COGNITION APPARATUS USING A LAYER CONCENTRATING LIGHT}

본 발명은 수지(手指) 지문에 대한 지문 인식장치로서, 상세하게는 광 발생부와 광검출 센서층 사이에 삽입된 집광층을 이용한 지문 인식장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a fingerprint recognition device for resin fingerprints, and more particularly, to a fingerprint recognition device using a light collecting layer inserted between a light generating unit and a light detection sensor layer.

일반적으로, 수지 지문에 대한 광학식 선형 지문 인식장치(OPTICAL LINEAR FINGERPRINT COGNITION APPARATUS)는 기본 사양으로 광학식 렌즈, 프리즘(PRISM), 광원에 의한 다양한 환경설정이 가능하고 내구성이 좋은 반면에 건조한 지문을 얻기 힘들고 해킹이 쉬운 단점이 있다.In general, OPTICAL LINEAR FINGERPRINT COGNITION APPARATUS for resin fingerprints is a basic specification that allows various settings by optical lens, prism, and light source and is durable and hard to obtain dry fingerprints. It is easy to hack.

상기 단점은 최근 각광받고 있는 접촉 발광소자를 이용한 지문 인식장치로 개선이 되었고, 상기 접촉 발광소자를 이용한 지문 인식장치는 상기 접촉 발광소자의 한 쪽에 인가된 교류 전원의 접지 전극과 상기 접촉 발광소자에 접촉된 수지 지문 사이에 전계가 형성되어 상기 수지 지문에 대한 이미지가 광으로 발생하는 원리이다.The drawback has been improved to the fingerprint recognition device using the touch light emitting device which is in the spotlight recently, the fingerprint recognition device using the touch light emitting device is applied to the ground electrode of the AC power applied to one side of the touch light emitting device and the touch light emitting device. An electric field is formed between the contacted resin fingerprints so that an image of the resin fingerprints is generated as light.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래 기술의 지문 인식장치를 설명하기로 한다.Hereinafter, a fingerprint recognition apparatus according to the related art will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1 은 종래 기술의 광학식 선형 지문 인식장치에 대한 단면도이다.1 is a cross-sectional view of an optical linear fingerprint recognition device of the prior art.

도 1 을 참조하면, 상기 광학식 선형 지문 인식장치(50)는 PCB(PRINTed CIR CUIT BOARD, 20)에 부착된 LED(LIGHT EMITTING DIODE) 광원(25)과 센서(SENSOR, 35 )를 감싸는 보호상자(40), 상기 보호 상자(40)위에 형성된 보호막(45)으로 이루어진다 .Referring to FIG. 1, the optical linear fingerprint recognition device 50 may include a protective box surrounding an LED light source 25 and a sensor SENSOR 35 attached to a printed circuit board 20. 40), a protective film 45 formed on the protective box 40.

또한, 동작 순서적으로 상기 보호막(45)은 수지(15) 지문이 접촉되고, 상기 LED 전원(25)은 광(1a)을 조사하여 보호막의 두 부분(A, B)에 반사(REFLECTION)및 전반사(TOTAL REFLECTION)로 방향성이 있는 광(1b, 1c)들로 변환시켜서 상기 보호막(45)내의 그린(GRIN) 렌즈(30)로 상기 광(1c)을 입사시킨다.In addition, the protective film 45 is in contact with the resin (15) fingerprint in sequence, the LED power supply 25 is irradiated with light (1a) to the reflection (REFLECTION) to the two parts (A, B) of the protective film and The light 1c is incident on the GRIN lens 30 in the passivation layer 45 by converting the light into directivity lights 1b and 1c in the total reflection.

그리고, 상기 광(1c)은 상기 그린 렌즈(30)로 입사되기 전에 특정 부분(B)에서 상기 수지 지문의 융선(RIDGE, 10)과 골(VALLY, 5)에 대한 정보를 가지고 있으며, 상기 그린 렌즈(30)에서 투사된 광(1d)은 상기 센서(35)에 포착되어 상기 광학식 선형 지문 인식장치(50)에 상기 수지(15) 지문의 이미지(IMAGE)를 형성시킨다.In addition, the light 1c has information on the ridges RIDGE 10 and valleys 5 of the resin fingerprint in a specific portion B before being incident on the green lens 30. The light 1d projected from the lens 30 is captured by the sensor 35 to form an image IMAGE of the fingerprint of the resin 15 on the optical linear fingerprint recognition device 50.

상기 광학식 선형 지문 인식장치(50)는 비용이 저렴하고 견고하며, 상기 보호막(45) 표면에 지문 잔상이 남지 않아서 상기 수지(45) 지문의 잔상이 남지 않는다.The optical linear fingerprint recognition device 50 is inexpensive and robust, and since the fingerprint afterimage does not remain on the surface of the passivation layer 45, the afterimage of the fingerprint of the resin 45 does not remain.

그러나, 상기 광학식 선형 지문 인식장치(50)는 상기 LED 광원(25)의 위치와상기 보호막(45) 표면의 반사각으로 상기 센서(35) 위치와 그린 렌즈(30) 위치및 길이에 따라서 전체 크기에 많은 차이를 나타낸다.However, the optical linear fingerprint recognition device 50 has a total size depending on the position of the LED light source 25 and the reflection angle of the surface of the passivation layer 45 according to the position of the sensor 35 and the position and length of the green lens 30. It shows a lot of difference.

도 2 는 종래 기술의 접촉 발광소자를 이용한 지문 인식장치에 대한 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a fingerprint recognition device using a conventional touch light emitting device.

도 2 를 참조하면, 상기 접촉 발광소자(105)를 이용한 지문 인식장치(100)는 보호막(110)과 유전층(115)및 발광층(120), 투명 전극층(125)으로 된 상기 접촉 발광소자(105)와, 상기 접촉 발광소자(105)의 하부에 위치한 광검출 센서층(135)으로 이루어진다.Referring to FIG. 2, the fingerprint recognition device 100 using the contact light emitting device 105 may include the protective light emitting device 110, the dielectric layer 115, the light emitting layer 120, and the transparent electrode layer 125. ) And a photodetecting sensor layer 135 positioned below the contact light emitting device 105.

상기 광검출 센서층(135)은 상기 투명 전극층(125)과 마주보는 상부면에 배열시킨 다수개의 픽셀(PIXEL, 130)들을 갖으며, 상기 픽셀(130)들은 각각이 상기 투명 전극층(125)에서 투사된 광(2a, 2b, 3a, 3b, 3c, 3d)을 집속시키기 위해서 형성된 것이다.The photodetection sensor layer 135 has a plurality of pixels PIXEL 130 arranged on an upper surface facing the transparent electrode layer 125, and each of the pixels 130 is formed at the transparent electrode layer 125. It is formed to focus the projected light 2a, 2b, 3a, 3b, 3c, 3d.

그러나, 상기 접촉 발광소자(105)를 이용한 지문 인식장치(100)는 상기 투사된 광(2a, 2b, 3a, 3b, 3c, 3d)들을 상기 픽셀(130)들에 각각이 일대일 또는 다수개의 픽셀(130)에 정확한 매핑(MAPPING)을 시키지 못하고 또한, 상기 보호막(110)에 접촉된 수지 지문(도면에 미 도시)내 인접한 영역으로 확산되는 광(2a, 2b) 발생의 빈도가 커서 상기 수지 지문의 영상(IMAGE)에 대한 콘트라스트(CONTRAST)를 낮게한다.However, in the fingerprint recognition device 100 using the touch light emitting device 105, the projected lights 2a, 2b, 3a, 3b, 3c, and 3d are respectively one-to-one or a plurality of pixels of the pixels 130. The resin fingerprint is not generated due to the high mapping of light 2a and 2b which do not allow accurate mapping to 130, and are diffused to an adjacent region in the resin fingerprint (not shown) in contact with the protective film 110. The contrast for the image IMAGE is lowered.

상술한 바와 같이, 도 1 과 도 2 의 지문 인식 장치(50, 100)는 적재적소에 설치할 수 있는 공간확보 노력과 상기 수지 지문의 영상에 대한 콘트라스트를 낮게하여 개개의 사람을 구별되게 인식하려는 사용자의 비용을 높인다.As described above, the fingerprint recognition devices 50 and 100 of Figs. 1 and 2 are users who are trying to distinguish individual people by lowering the contrast of the image of the resin fingerprint and effort to secure space that can be installed in place. Increase the cost of

상기 기술적 과제를 해결하가 위해서, 본 발명은 광 발생부와 광검출 센서층 사이에 집광층을 삽입시키고, 상기 광 발생부에서 투사되는 흐트러진 광을 상기 집광층에 집속하여 수직된 광을 형성시키고, 상기 수직된 광이 상기 광검출 센서층의 픽셀들에 매핑(MAPPING)되게 하는 것이다 .In order to solve the above technical problem, the present invention inserts a light collecting layer between the light generating unit and the photodetection sensor layer, focusing the disturbed light projected from the light generating unit to the light collecting layer to form a vertical light; The vertical light is mapped to pixels of the photodetector layer.

도 1 은 종래 기술의 광학식 선형 지문 인식장치에 대한 단면도.1 is a cross-sectional view of an optical linear fingerprint recognition device of the prior art.

도 2 는 종래 기술의 접촉 발광 소자를 이용한 지문 인식장치에 대한 단면도.2 is a cross-sectional view of a fingerprint recognition device using a conventional touch light emitting device.

도 3 은 본 발명의 집광층을 이용한 지문 인식장치에 대한 사시도.Figure 3 is a perspective view of a fingerprint recognition device using a light collecting layer of the present invention.

( 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 )(Symbol description of main part of drawing)

200: 지문 인식 장치200: fingerprint recognition device

205: 광 발생부 210: 보호막205: light generator 210: protective film

215: 유전층 220: 발광층215: dielectric layer 220: light emitting layer

225: 투명 전극층 230: 집속부225: transparent electrode layer 230: focusing portion

235: 집광층 240: 픽셀(PIXEL)235: light collecting layer 240: pixels (PIXEL)

245: 광검출 센서층 4a, 4b, 4c, 4d: 광(光)245: photodetection sensor layers 4a, 4b, 4c, 4d: light

상기 기술적 과제를 구현하기 위해서, 본 발명의 집광층을 이용한 지문 인식 장치는 수지(手指)가 접촉되어 광을 발생시키는 광 발생부와, 상기 광 발생부의 하부에 위치하여 상기 광 발생부의 광을 센싱하는 광검출 센서층을 포함하며, 상기 광 발생부와 상기 광검출 센서층 사이에 집광층이 삽입되어서, 상기 광검출 센서층은 상기 집광층을 통과하는 광을 센싱하여 상기 수지 지문에 대한 이미지를 형성하는 것이 특징이다.In order to realize the above technical problem, the fingerprint recognition device using the light collecting layer of the present invention is a light generating unit for generating light by contacting the resin and the light generating unit is located below the light generating unit for sensing the light And a light detecting sensor layer, wherein a light collecting layer is inserted between the light generating unit and the light detecting sensor layer, so that the light detecting sensor layer senses light passing through the light collecting layer. It is characteristic to form.

상기 집광층은 다수개의 집속부로 형성되고 또한, 상기 집광층은 그린(GRIN) 렌즈의 다발, 셀팍(SELFOC) 렌즈의 다발 또는 열융착한 광섬유 다발의 단편으로 형성되는 것이 바람직하다.The light collecting layer may be formed of a plurality of focusing units, and the light collecting layer may be formed of a bundle of a GRIN lens, a bundle of a SELFOC lens, or a fragment of a heat-sealed fiber bundle.

상기 집속부는 그린(GRIN) 렌즈, 셀팍(SELFOC) 렌즈 또는 열융착한 광 섬유다발로 형성되는 것이 바람직하다.The focusing unit may be formed of a green lens, a SELFOC lens, or a heat-sealed optical fiber bundle.

상기 집광층에 집속되어 상기 광검출 센서층에 조사되는 광은 상기 광검출 센서층의 단일 픽셀 또는 다수개의 픽셀에 매핑(MAPPING)되는 것이 바람직하다.The light focused on the light collecting layer and irradiated onto the light detecting sensor layer may be mapped to a single pixel or a plurality of pixels of the light detecting sensor layer.

상기 집광층은 광 발생부에서 형성된 광이 수지 지문내 인접한 영역으로의 확산을 방지하는 것이 바람직하다.The light collecting layer preferably prevents light formed at the light generating portion from diffusing to an adjacent region in the resin fingerprint.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 집광층을 이용한 지문 인식장치를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, a fingerprint recognition apparatus using the light collecting layer of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3 은 본 발명의 집광층을 이용한 지문 인식장치에 대한 사시도이다.3 is a perspective view of a fingerprint recognition device using the light collecting layer of the present invention.

도 3 을 참조하면, 상기 집광층(235)을 이용한 지문 인식장치(200)는 광 발생부(205)와 집광층(235)및 광검출 센서층(245)으로 이루어진다,Referring to FIG. 3, the fingerprint recognition device 200 using the light collecting layer 235 includes a light generating unit 205, a light collecting layer 235, and a light detection sensor layer 245.

상기 광 발생부(205)는 보호막(210)과 유전층(215)및 발광층(220), 투명 전극층(225)으로 이루어지는 접촉 발광소자인데, 상기 보호막(210)은 수지(手指) 지문(도면에 미 도시)이 접촉되는 부분이고, 상기 유전층(215)은 상기 수지 지문의 극성(極性)으로 상기 투명 전극(225)과의 사이에 전계가 형성되는 부분이다.The light generator 205 is a contact light emitting device including a passivation layer 210, a dielectric layer 215, a light emitting layer 220, and a transparent electrode layer 225. The passivation layer 210 may be formed of a resin fingerprint (not shown). The dielectric layer 215 is a portion in which an electric field is formed between the transparent electrode 225 due to the polarity of the resin fingerprint.

또한, 상기 발광층(220)은 상기 전계로 상기 유전층(215)의 전자가 가속되어서 형광 물질과의 충돌때문에 흐트러진 광(光, 4a, 4b, 4c, 4d)이 형성되는 부분이고, 상기 투명 전극층(225)은 교류 전원(도면에 미 도시)이 인가되어 상기 유전층(215)과 상기 전계를 형성시켜서 상기 광이 입/ 투사되는 부분이다.In addition, the light emitting layer 220 is a portion in which the electrons of the dielectric layer 215 are accelerated by the electric field and thus the light (4a, 4b, 4c, 4d) that is disturbed due to collision with a fluorescent material is formed, and the transparent electrode layer ( 225 is a portion to which an AC power source (not shown) is applied to form the electric field with the dielectric layer 215 and the light is incident / projected.

상기 발광층(220)은 형광 물질로 이루어졌으며, 종래 기술에 도 1 의 광학식 선형 지문 인식장치(50)에서 LED(LIGHT EMITTING DIODE) 전원(25)의 대용으로 사용되는 부분이다.The light emitting layer 220 is made of a fluorescent material, which is used as a substitute for the LED (LIGHT EMITTING DIODE) power source 25 in the optical linear fingerprint recognition device 50 of FIG. 1.

상기 유전층(215)의 전자가, 상기 형광물질에 충돌되면, 상기 형광물질내의 전자들은 기저(基底)상태에서 여기상태로 에너지 준위(ENERGY LEVEL)의 변경및 소정의 시간이 지난후에 여기된 상기 전자가 다시 기저상태의 에너지 준위로 떨어지면서 상기 에너지 준위에 해당되는 전기적 포텐셜(ELECTRIC POTENTIAL) 차만큼의 상기 흐트러진 광(4a, 4b, 4c, 4d)을 발생한다.When the electrons of the dielectric layer 215 collide with the fluorescent material, the electrons in the fluorescent material are excited after the change of the energy level (ENERGY LEVEL) from the ground state to the excited state and a predetermined time elapses. And fall back to the ground energy level to generate the disturbed light 4a, 4b, 4c, 4d by the ELECTRIC POTENTIAL difference corresponding to the energy level.

상기 광 발생부(205)는, 상기 보호막(210)에 수지 지문이 접촉되면, 상기 수지 지문의 융선(RIDGE)과 골(VALLY)에 형성된 상기 보호막(210)의 접촉면 전계를 서로 상이하게 하여 상기 전계에 대응되는 상기 유전층(215)의 전자 가속으로 상기 발광층(220)에서 상기 흐트러진 광을 형성시켜서 상기 수지 지문의 이미지(IMAGE) 정보를 만든다.When the resin fingerprint is in contact with the protective film 210, the light generator 205 makes the contact surface electric fields of the protective film 210 formed in the ridge RIDGE and the valley of the resin fingerprint different from each other. The disturbed light is formed in the emission layer 220 by electron acceleration of the dielectric layer 215 corresponding to an electric field, thereby making image information of the resin fingerprint.

상기 집광층(235)은 상기 광 발생부(205)에서 투사된 상기 흐트러진 광(4a, 4b, 4c, 4d)을 집속시키는 부분이고 다수개의 집속부(230)를 배열시켜서 형성하는데, 상기 집광층(235)은 그린(GRIN) 렌즈의 다발 또는 셀팍(SELFOC) 렌즈의 다발로형성하거나 열융착시킨 광 섬유 다발의 단편으로 형성된다.The condensing layer 235 is a portion for condensing the disturbed light 4a, 4b, 4c, and 4d projected from the light generating unit 205, and is formed by arranging a plurality of concentrating portions 230. 235 is formed of a bundle of GRIN lenses or a fragment of a bundle of optical fiber that is formed or heat-sealed with a bundle of SELFOC lenses.

상기 발광층(220)에서 발생된 상기 흐트러진 광은, 상기 집광층(235)이 없다면, 직진성이 없이 사방으로 퍼지면서 상기 수지 지문내 인접한 영역의 이미지에 간섭을 일으키므로 상기 이미지에 대한 콘트라스트(CONTRAST)를 떨어뜨리고, 상기 콘트라스트는 전체 지문 인식 시스템(도면에 미 도시)의 인증률을 저하시킨다.If the condensed light generated in the light emitting layer 220 does not have the light collecting layer 235, the scattered light spreads in all directions without straightness and causes interference with an image of an adjacent region in the resin fingerprint. The contrast lowers the authentication rate of the entire fingerprint recognition system (not shown in the figure).

상기 집광층(235)의 역할은 상기 집광층(235)내에 다수개의 집속부(230)를 형성시켜서 상기 흐트러진 광(4a, 4b, 4c, 4d)이 상기 집속부(230)내 수직되게 투영하도록 하여 상기 광 발생부(205)에서 발생한 상기 수지 지문의 상기 이미지을 갖는 상기 흐트러진 광이 인접한 영역으로 확산되는 것을 방지하는 것이다.The condensing layer 235 serves to form a plurality of converging portions 230 in the condensing layer 235 so that the disturbed light 4a, 4b, 4c, and 4d are vertically projected in the converging portion 230. Thus, the disturbed light having the image of the resin fingerprint generated in the light generating unit 205 is prevented from being diffused into an adjacent area.

이에 따라서, 상기 수지 지문내 인접한 영역의 이미지에 간섭을 일으키지 않아서 상기 이미지에 대한 콘트라스트를 향상시킨다.This enhances the contrast for the image without interfering with the image of the adjacent area in the resin fingerprint.

상기 집광층(235)의 집속부(230)는 상기 그린 렌즈, 상기 셀팍 렌즈 또는 상기 열융착시킨 광 섬유 다발로 형성되며, 각각의 상기 렌즈및 광 섬유는 상기 광 발생부(205)에서 투사된 상기 흐트러진 광을 전반사(TOTAL REFECTION)를 이용하여 수직된 광을 형성시키는 역할을 한다.The focusing part 230 of the light collecting layer 235 is formed of the green lens, the selpak lens or the heat-sealed optical fiber bundle, and each of the lenses and the optical fiber is projected from the light generating part 205. The disturbed light plays a role of forming vertical light by using total reflection.

즉, 상기 집속부(230)로 입사되는 상기 흐트러진 광(4a, 4b, 4c, 4d)은 상기 집속부(230)를 상기 전반사로 빠져나가지 못하고 상기 집속부내에서 직진성을 갖는 상기 수직된 광(5a, 5b, 5c, 5d)으로 변환되어진다.That is, the disturbed light 4a, 4b, 4c, and 4d incident on the focusing part 230 do not exit the focusing part 230 in the total reflection, and the vertical light 5a having straightness in the focusing part. , 5b, 5c, 5d).

상기 광검출 센서층(245)은 상기 투명 전극층(225)과 마주보는 상부면에 다수개의 픽셀(PIXEL, 245)들을 배열하였으며, 상기 다수개의 픽셀(245)들은 상기 수직된 광과 대응되어 상기 수지 지문의 영상을 매핑(MAPPING)시킨다.The photodetection sensor layer 245 has arranged a plurality of pixels (PIXEL, 245) on the upper surface facing the transparent electrode layer 225, the plurality of pixels 245 correspond to the vertical light to the resin MAPPING the fingerprint image.

상기 매핑은 선택된 하나의 집속부(230)에 한개의 픽셀(240)을 일대일로 대응시킬수도 있으며 또한, 상기 선택된 하나의 집속부(230)에 다수개의 픽셀(240)을 대응시킬수도 있다.The mapping may correspond one pixel 240 to one selected focusing unit 230 one-to-one, and may correspond to a plurality of pixels 240 to the selected focusing unit 230.

상기 매핑 방법은 본 발명의 집광층(235)을 이용한 지문 인식 장치(200)의 상기 수지 지문에 대한 인식률 증가를 위해서 유연하게 대처할 수 있으며, 상기 광검출 센서층(245)에 매핑된 상기 수지 지문은 지문 인식 시스템(도면에 미 도시)에 영상(映像)으로 나타내어 진다.The mapping method may flexibly cope with an increase in the recognition rate of the resin fingerprint of the fingerprint recognition apparatus 200 using the light collecting layer 235 of the present invention, and the resin fingerprint mapped to the photodetection sensor layer 245. Is represented as an image in a fingerprint recognition system (not shown in the figure).

본 발명에 따른 상기 접속창(235)을 이용한 지문 인식장치(200)의 동작은 다음과 같다.Operation of the fingerprint recognition device 200 using the access window 235 according to the present invention is as follows.

도 3 을 참조하면, 순서적으로 투명 전극층(225)에 교류 전원을 인가하고, 광 발생부(205)의 보호막(210)에 수지 지문(도면에 미 도시)을 접촉시키고, 상기 수지 지문과 상기 투명 전극(225)사이에 형성된 전계로 유전층(215)내 전자를 가속시키고, 상기 전자는 발광층(220)내의 형광 물질과 충돌하여 흐트러진 광(4a, 4b, 4c, 4d)을 발생시킨다.Referring to FIG. 3, AC power is sequentially applied to the transparent electrode layer 225, and a resin fingerprint (not shown) is brought into contact with the protective film 210 of the light generating unit 205. Electrons in the dielectric layer 215 are accelerated by an electric field formed between the transparent electrodes 225, and the electrons collide with the fluorescent material in the light emitting layer 220 to generate disturbed light 4a, 4b, 4c, and 4d.

또한, 상기 흐트러진 광은 집광층(235)내의 집속부(230)에 투사되어 전반사로 수직된 광(5a, 5b, 5c, 5d)으로 변환되고, 상기 수직된 광은 광검출 센서층(245)의 다수개의 픽셀(240)에 매핑되어 상기 수지 지문의 영상 정보를 형성시킨다.In addition, the disturbed light is projected onto the focusing part 230 in the light collecting layer 235 and converted into totally vertical light 5a, 5b, 5c, and 5d, and the vertical light is converted into the photodetection sensor layer 245. The plurality of pixels 240 are mapped to form image information of the resin fingerprint.

상기 영상 정보는 지문 인식시스템(도면에 미 도시)에 보내어져서 개개의 사람의 수지 지문 인식에 대한 가부(可否) 결정에 소오스(SOURCE)를 제공한다.The image information is sent to a fingerprint recognition system (not shown in the figure) to provide a source to the individual to determine whether the resin fingerprint is recognized.

상기 집광층(235)을 이용한 지문 인식장치(200)는 상기 광 발생부(205)와 광검출 센서층(245)에 상기 집광층(235)을 삽입시켜서 상기 광 발생부(205)에서 투사된 흐트러진 광(4a, 4b, 4c, 4d)을 상기 집광층(235)을 통해서 수직된 광(5a, 5b, 5c, 5d)으로 변환하여 상기 광검출 센서층(245)에 상기 수지 지문의 영상에 대한 콘트라스트를 종래 기술대비 향상시킬수 있다.The fingerprint recognition device 200 using the condensing layer 235 inserts the condensing layer 235 into the light generating unit 205 and the light detecting sensor layer 245 and is projected by the light generating unit 205. Disrupted light 4a, 4b, 4c, 4d is converted into vertical light 5a, 5b, 5c, 5d through the condensing layer 235 to the image of the resin fingerprint on the photodetection sensor layer 245. Contrast can be improved compared to the prior art.

상술한 바와 같이, 본 발명은 광 발생부에서 투사된 흐트러진 광을 집광층을 이용해서 수직된 광으로 변환하고, 광검출 센서층의 다수개 픽셀에 광 간섭을 배제시켜서 콘트라스트가 향상된 수지 지문 영상을 형성시킬수 있다.As described above, the present invention converts the disturbed light projected by the light generating unit into vertical light by using a light collecting layer, and removes optical interference to a plurality of pixels of the photodetector layer to improve contrast. Can be formed.

이로 인해서, 상기 수지 지문 영상은 전체적으로 지문 인식시스템의 인식률을 향상시킨다.As a result, the resin fingerprint image improves the recognition rate of the fingerprint recognition system as a whole.

Claims (8)

수지(手指)가 접촉되어 광을 발생시키는 광 발생부와;A light generator for generating light by contacting resin; 상기 광 발생부의 하부에 위치하여 상기 광 발생부의 광을 센싱하는 광검출 센서층을 포함하며,A light detection sensor layer positioned below the light generator to sense light of the light generator; 상기 광 발생부와 상기 광검출 센서층 사이에 집광층이 삽입되어서, 상기 광검출 센서층은 상기 집광층을 통과하는 광을 센싱하여 상기 수지 지문에 대한 이미지를 형성하는 것이 특징인 집광층을 이용한 지문 인식 장치.The light collecting layer is inserted between the light generating unit and the light detecting sensor layer, and the light detecting sensor layer senses light passing through the light collecting layer to form an image for the resin fingerprint. Fingerprint Reader. 제 1 항에 있어서, 상기 집광층은 다수개의 집속부로 형성된 것이 특징인 집광층을 이용한 지문 인식 장치.The fingerprint recognition device of claim 1, wherein the light collecting layer is formed of a plurality of focusing units. 제 2 항에 있어서, 상기 집속부는 그린(GRIN) 렌즈 또는 셀팍(SELFOC) 렌즈로 형성된 것이 특징인 집광층을 이용한 지문 인식 장치.The fingerprint recognition device of claim 2, wherein the focusing part is formed of a green lens or a SELFOC lens. 제 2 항에 있어서, 상기 집속부는 열융착한 광 섬유 다발로 형성된 것이 특징인 집광층을 이용한 지문 인식 장치.3. The fingerprint recognition device of claim 2, wherein the focusing part is formed of a bundle of heat-bonded optical fibers. 제 1 항에 있어서, 상기 집광층은 그린(GRIN) 렌즈 또는 셀팍(SELFOC) 렌즈의 다발로 형성된 것이 특징인 집광층을 이용한 지문 인식 장치.The fingerprint recognition device of claim 1, wherein the light collecting layer is formed of a bundle of a GRIN lens or a SELFOC lens. 제 1 항에 있어서, 상기 집광층은 열융착한 광섬유 다발의 단편으로 형성된 것이 특징인 집광층을 이용한 지문 인식 장치.The fingerprint recognition device using a light collecting layer according to claim 1, wherein the light collecting layer is formed of a fragment of a heat-sealed optical fiber bundle. 제 1 항에 있어서, 상기 집광층에 집속되는 광은 상기 광검출 센서층의 단일 픽셀 또는 다수개의 픽셀에 매핑(MAPPING)되는 것이 특징인 집광층을 이용한 지문 인식 장치.The fingerprint recognition apparatus of claim 1, wherein the light focused on the light collecting layer is mapped to a single pixel or a plurality of pixels of the light detection sensor layer. 제 1 항에 있어서, 상기 집광층은 광 발생부에서 형성된 광이 수지 지문내 인접한 영역으로의 확산을 방지하는 것이 특징인 집광층을 이용한 지문 인식 장치.The fingerprint recognition device of claim 1, wherein the light collecting layer prevents light formed at the light generating unit from diffusing to an adjacent area in the resin fingerprint.
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